KR102150964B1 - 내부보호회로가 구비되는 신재생 에너지 데이터 센싱기기용 스마트 아이티 레퍼런스 보드 - Google Patents
내부보호회로가 구비되는 신재생 에너지 데이터 센싱기기용 스마트 아이티 레퍼런스 보드 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102150964B1 KR102150964B1 KR1020180171318A KR20180171318A KR102150964B1 KR 102150964 B1 KR102150964 B1 KR 102150964B1 KR 1020180171318 A KR1020180171318 A KR 1020180171318A KR 20180171318 A KR20180171318 A KR 20180171318A KR 102150964 B1 KR102150964 B1 KR 102150964B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- power
- signal
- level
- down mode
- unit
- Prior art date
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 55
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 19
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 15
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 20
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- HCUOEKSZWPGJIM-YBRHCDHNSA-N (e,2e)-2-hydroxyimino-6-methoxy-4-methyl-5-nitrohex-3-enamide Chemical compound COCC([N+]([O-])=O)\C(C)=C\C(=N/O)\C(N)=O HCUOEKSZWPGJIM-YBRHCDHNSA-N 0.000 description 6
- 101001109689 Homo sapiens Nuclear receptor subfamily 4 group A member 3 Proteins 0.000 description 6
- 101000598778 Homo sapiens Protein OSCP1 Proteins 0.000 description 6
- 101001067395 Mus musculus Phospholipid scramblase 1 Proteins 0.000 description 6
- 102100022673 Nuclear receptor subfamily 4 group A member 3 Human genes 0.000 description 6
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- 101100498818 Arabidopsis thaliana DDR4 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
- H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
-
- G—PHYSICS
- G08—SIGNALLING
- G08C—TRANSMISSION SYSTEMS FOR MEASURED VALUES, CONTROL OR SIMILAR SIGNALS
- G08C17/00—Arrangements for transmitting signals characterised by the use of a wireless electrical link
- G08C17/02—Arrangements for transmitting signals characterised by the use of a wireless electrical link using a radio link
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/02—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess current
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
- H04M1/72—Mobile telephones; Cordless telephones, i.e. devices for establishing wireless links to base stations without route selection
- H04M1/724—User interfaces specially adapted for cordless or mobile telephones
- H04M1/72403—User interfaces specially adapted for cordless or mobile telephones with means for local support of applications that increase the functionality
- H04M1/72409—User interfaces specially adapted for cordless or mobile telephones with means for local support of applications that increase the functionality by interfacing with external accessories
- H04M1/72415—User interfaces specially adapted for cordless or mobile telephones with means for local support of applications that increase the functionality by interfacing with external accessories for remote control of appliances
-
- H04M1/72533—
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
- Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
신재생 에너지 데이터 센싱기기용 스마트 아이티 레퍼런스 보드는 테스트 애플리케이션 실행과 같은 동작들을 위한 연산 동작을 수행하는 응용 프로세서와, 사용자 인터페이스를 위한 터치 패널을 구비하는 모바일 단말기와, 상기 응용 프로세서의 주 메모리로 사용됨에 있어서 상기 응용 프로세서의 인터페이스에 연결되는 모바일용 메모리와, 상기 응용 프로세서에 의해 제어되고 상기 응용 프로세서의 인터페이스에 탈부착 가능하도록 연결되는 적어도 하나 이상의 주변장치와, 외부로부터 인가되는 파워다운모드신호의 레벨을 구동전압 이상의 레벨로 시프트시켜 출력 신호를 생성하고, 파워업 지연신호 및 파워다운모드 지연신호의 조합에 의한 조합 신호에 응답하여 과전류가 내부회로로 유입되는 것을 방지하는 내부회로 보호부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 레퍼런스 보드에 관한 것으로서, 더 상세하게는 내부보호회로가 구비되는 신재생 에너지 데이터 센싱기기용 스마트 아이티 레퍼런스 보드에 관한 것이다.
태양광 발전은 햇빛을 직류 전기로 바꾸어 전력을 생산하는 발전 방법으로서, 여러 개의 태양 전지들이 붙어있는 태양광 패널을 대규모로 펼쳐 태양광 에너지를 이용하여 전기를 생산하게 된다.
재생가능 에너지에 대한 수요가 증가함에 따라, 태양 전지와 태양전지 어레이의 생산도 크게 늘어나고 있는 추세이며, 현재는 계통연계형으로 태양광 발전 시스템을 구축하고 있는 실정이다.
나아가서 태양광 전기에 대한 특혜적인 기준가격 의무구매제와 요금상계제 같은 재정적인 장려 정책을 호주, 독일, 이스라엘, 일본 및 미국을 포함한 많은 나라에서 지원함으로써 태양광 발전 설비의 설치를 확대하고 있다.
이와 같은 태양광 발전은, 반영구적으로 활용할 수 있고, 태양 전지를 사용해서 유지 보수가 간편하며, 무공해 태양 에너지원을 사용하는 점 등으로 미래의 대체 에너지원으로 각광 받고 있다.
다만, 대용량의 태양광 전기를 생산하기 위해서는 넓은 지역에 많은 수의 태양광 패널이 설치되어야 하는데, 이러한 복수의 태양광 패널에 대한 세부적인 모니터링 없이는 태양광 발전이 적합한 성능으로 작동하고 있는지 또는 문제발생으로 태양광 발전의 효율성이 떨어지고 있는지 등을 파악할 수 없다.
따라서, 효과적인 태양광 발전 시스템의 효율적인 운영을 보장하기 위해서는 태양광발전설비들에 대한 효율적인 모니터링의 필요성이 대두대고 있는 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해 제안된 것으로, 태양 발전시설의 환경센서들로부터 측정값을 전달받아 효율적으로 운영할 수 있도록 하는 신재생 에너지 데이터 센싱기기용 스마트 아이티 레퍼런스 보드를 제공한다.
상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 테스트 애플리케이션 실행과 같은 동작들을 위한 연산 동작을 수행하는 응용 프로세서와, 사용자 인터페이스를 위한 터치 패널을 구비하는 모바일 단말기와, 상기 응용 프로세서의 주 메모리로 사용됨에 있어서 상기 응용 프로세서의 인터페이스에 연결되는 모바일용 메모리와, 상기 응용 프로세서에 의해 제어되고 상기 응용 프로세서의 인터페이스에 탈부착 가능하도록 연결되는 적어도 하나 이상의 주변장치와, 외부로부터 인가되는 파워다운모드신호의 레벨을 구동전압 이상의 레벨로 시프트시켜 출력 신호를 생성하고, 파워업 지연신호 및 파워다운모드 지연신호의 조합에 의한 조합 신호에 응답하여 과전류가 내부회로로 유입되는 것을 방지하는 내부회로 보호부를 포함하는 신재생 에너지 데이터 센싱기기용 스마트 아이티 레퍼런스 보드가 제공된다.
또한, 본 발명에서 상기 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 상기 모바일용 메모리에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절하는 메모리 전원공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 포함되는 상기 내부회로 보호부는, 상기 구동전압 이상의 레벨에 응답하여 상기 파워다운모드신호의 레벨을 상기 구동전압 이상의 레벨로 시프트시켜 출력 신호를 출력하는 레벨 시프팅부와, 상기 파워업 지연신호 및 상기 파워다운모드 지연신호의 조합신호에 응답하여 상기 과전류를 외부로 방출시키는 정전기 방지부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서 상기 레벨 시프팅부는, 상기 파워다운모드신호의 반전레벨과, 상기 파워다운모드신호를 입력으로 하는 제1 및 제2 입력 트랜지스터와, 상기 구동전압 이상의 레벨을 흘려주는 제1 및 제2 미러 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서 상기 레벨 시프팅부는, 상기 파워다운모드신호의 레벨을 반전시켜 상기 제1 입력 트랜지스터로 입력시키는 제1 인버터부와, 상기 파워다운모드신호를 제2 입력 트랜지스터로 입력시키는 제2 인버터부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서 상기 정전기 방지부는, 상기 파워업 지연신호 및 상기 파워다운모드 지연신호를 조합하여 조합신호를 생성하는 조합부와, 전원 전압단과 접지 전압단 사이에 연결되며 상기 레벨 시프팅부의 출력신호를 입력으로 하는 제1 PMOS 트랜지스터와, 상기 조합부로부터 출력되는 상기 조합신호의 반전레벨을 입력으로 하는 제2 PMOS 트랜지스터와, 상기 조합신호를 입력으로 하는 제1 NMOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서 내부 보호부는 외부로부터 인가되는 구동전압을 펌핑하여 고전압을 생성하는 고전압 생성부와, 상기 구동전압에 응답하여 생성된 파워업 신호의 하이 구간을 일정시간 지연시켜 파워업 지연신호를 생성하는 파워업 신호 조절부와, 외부로부터 인가되는 커맨드에 응답하여 생성된 딥파워 다운 신호의 하이 구간을 일정 시간 지연시켜 딥파워 다운 지연신호를 생성하는 파워다운모드신호를 생성하는 파워다운모드신호 조절부와, 상기 고전압 생성부로부터 입력된 상기 고전압에 기초하여 상기 파워업 신호 조절부로부터 인가된 상기 파워업 지연신호 및 상기 파워다운모드신호 조절부로부터 인가된 파워다운모드신호 및 파워다운모드 지연신호를 인가받아 과전류를 내부 회로로 유입되는 것을 방지한다.
또한, 본 발명에서 내부회로 보호부는, 상기 고전압 생성부로부터 입력된 상기 고전압에 응답하여 상기 파워다운모드신호 조절부로부터 인가된 상기 파워다운모드신호의 레벨을 상기 고전압의 레벨로 시프트시켜 출력 신호를 출력하는 레벨 시프팅부와, 상기 파워업 지연신호 및 상기 파워다운모드 지연신호의 조합 신호에 응답하여 상기 과전류를 방출시키는 정전기 방지부를 포함한다.
또한, 본 발명에서 레벨 시프팅부는 상기 파워다운모드신호의 반전 레벨과, 상기 파워다운모드신호를 입력으로 하는 제1 및 제2 입력 트랜지스터와, 상기 고전압을 흘려주는 제1 및 제2 미러 트랜지스터를 포함한다.
또한, 본 발명에서 레벨 시프팅부는, 상기 파워다운모드신호의 레벨을 반전시켜 상기 제1 입력 트랜지스터로 입력시키는 제1 인버터부와, 상기 파워다운모드신호를 제2 입력 트랜지스터로 입력시키는 제2 인버터부를 더 포함한다.
또한, 본 발명에서 정전기 방지부는, 상기 파워업 지연신호 및 상기 파워다운모드 지연신호를 조합하여 조합신호 생성하는 조합부와, 전원 전압단과 접지 전압단 사이에 연결되며 상기 레벨 시프팅부의 상기 출력 신호를 입력으로 하는 제1 PMOS 트랜지스터와, 상기 조합부로부터 출력 되는 조합 신호의 반전 레벨을 입력으로 하는 제2 PMOS 트랜지스터와, 상기 조합 신호를 입력으로 하는 제1 NMOS 트랜지스터를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 신재생 에너지 데이터 센싱기기용 스마트 아이티 레퍼런스 보드는, 태양 발전시설의 환경센서들로부터 측정값을 전달받아 효율적으로 운영할 수 있는 기능을 제공한다.
또한, 스마트 아이티 레퍼런스 보드는 내부회로 보호부를 통해 정전기를 외부로 방출시킴으로써 내부회로를 보호할 수 있다.
도 1은 원격측정 태양광 발전 테스트 시스템의 개념도
도 2는 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)의 구성도
도 3은 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)의 좀 더 상세한 구성도
도 4는 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)에서 내부 보호부(410)의 구성도
도 5는 내부회로 보호부(16)의 구성도
도 6은 내부회로 보호부(16)의 회로도
도 2는 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)의 구성도
도 3은 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)의 좀 더 상세한 구성도
도 4는 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)에서 내부 보호부(410)의 구성도
도 5는 내부회로 보호부(16)의 구성도
도 6은 내부회로 보호부(16)의 회로도
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 원격측정 태양광 발전 테스트 시스템의 개념도이다.
도 1을 참조하면, 많은 수의 태양광 패널이 설치되어 태양광을 전기 에너지로 변환하고 저장하는 시스템이 제안된다.
이러한 복수의 태양광 패널에 대한 세부적인 모니터링을 통해 태양광 발전이 적합한 성능으로 작동하고 있는지와, 태양광 발전의 효율성이 떨어지고 있는지 등을 모니터링 하기 위한 시스템이 구축되어야 한다.
즉, 특히 태양광 패널의 주위에 배치되는 환경을 계측하기 위한 센서모듈이 배치되는데, 예를 들면, 패널온도, 패널 주위 온도, 태양광, 습도, 풍량을 측정하기 위한 센서모듈이 필요하다.
복수의 센서모듈에서 측정된 데이터는 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)로 전달되어 처리되는데, 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)는 모바일 환경에 대응할 수 있는 개발보드로 정의된다.
개발보드에서는 새로운 AP, 메모리, 주변기기를 장착하고 테스트 할 수 있는 테스트 애플리케이션이 설치될 수 있으며, 안드로이드 또는 iOS 운영체제에 각각 대응하여 개발할 수 있도록 구성된다.
이하, 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)의 구성도이고, 도 3은 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)의 좀 더 상세한 구성도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)는 호환성 테스트를 명령하기 위한 주변장치들이 터치패널(163) 형태로 구비되고,
모바일용 메모리(130)와, 비휘발성 메모리(플레시 메모리, 130a)가 부착될 수 있는 구조로 형성된다.
또한, 음성인식모듈(161),통신모듈(165) 등이 응용 프로세서(110)의 인터페이스에 탈부착 가능하도록 구성된다.
스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)는 모바일 단말기(100)에 새로운 응용 프로세서(Application Processor, AP)와, 새로운 모바일용 메모리가 적용될 경우, 응용 프로세서(Application Processor, AP)와 모바일용 메모리(130), 음성인식모듈(161), 통신모듈(165) 사이의 호환성 테스트를 진행할 수 있다.
따라서 응용 프로세서(Application Processor, AP)와 모바일용 메모리(130), 터치 패널(163),음성인식모듈(161), 통신모듈(165) 사이에 신뢰성 있는 호환성 테스트를 진행할 수 있도록,각 부품이 각각 탈부착 가능하도록 구성된다.
즉, 응용 프로세서(110)는 다양한 종류의 모바일용 메모리가 장착될 수 있다.
예를 들어 응용 프로세서(110)가 미디어텍의 "MTK6757"이라고 가정할 경우, 해당 응용 프로세서(110)는 LPDDR4(Low Power DDR4) 규격을 만족하는 모바일 메모리와, LPDDR3(Low Power DDR3) 규격을 만족하는 모바일 메모리를 선택적으로 적용할 수 있다.
모바일용 메모리(130)는 DDR3, DDR4의 규격을 만족하더라도, 제조회사마다의 특성이 존재할 수 있으므로, 새로운 응용 프로세서(110)를 포함하는 모바일 단말기(100)는, 대량 양산 전에 적용하고자 하는 모바일용 메모리(130)의 실장 테스트를 진행하여야 한다.
따라서 본 실시예의 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)에서, 모바일용 메모리(130) 및 비휘발성 메모리(플레시 메모리, 130a)는 인터포저(Interposer) 또는 소켓(Socket)을 통해 응용 프로세서(110)의 인터페이스와 연결되도록 구성된다.
참고적으로 본 실시예에서는 모바일용 메모리(130)의 호환성 테스트를 진행하는 방식을 주로 설명하고 있으나, 동일한 방식으로 다양한 크기, 다양한 규격 및 여러 제조회사의 비휘발성 메모리(플레시 메모리, 130a) 및 EMMC(Embedded MultiMediaCard), 음성인식모듈(161), 통신모듈(165)의 호환성 테스트를 진행할 수도 있을 것이다.
상술한 바와 같이, 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)는 모바일 단말기(100)와, 모바일용 메모리(130)와, 메모리 전원공급부(210), 음성인식모듈(161), 통신모듈(165), 내부 보호부(410)를 포함하여 구성된다.
모바일 단말기(100)는 테스트 애플리케이션 실행과 같은 동작들을 위한 연산 동작을 수행하는 응용 프로세서(110)와, 사용자 인터페이스를 위한 터치 패널(163)을 구비한다.
모바일용 메모리(130)는 응용 프로세서(110)의 주 메모리로 사용되는데, 응용 프로세서(110)의 인터페이스에 탈부착 가능하도록 연결된다. 예를 들면, 모바일용 메모리(130)는 인터포저(Interposer) 또는 소켓(Socket)을 통해 응용 프로세서(110)의 인터페이스에 탈부착 가능하도록 연결될 수 있다.
메모리 전원공급부(210)는 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절한다.
모바일용 메모리(130)가 테스트 되는 과정은 다음과 같이 이루어진다.
메모리 전원공급부(210)는 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절하도록 동작한다.
부품 테스트 애플리케이션은 스토리지(140) 또는 ROM(150)에 저장될 수 있으며,
모바일 단말기(100)가 부팅될 때, 모바일용 메모리(130)에 로드된 후 응용 프로세서(110)에 의해 엑세스되면서 테스트 동작이 진행된다.
테스트 애플리케이션의 동작과정은 터치 패널(163)에 표시되므로, 사용자가 터치 패널(163)을 통해 테스트 애플리케이션의 테스트 과정을 제어하거나, 테스트 절차를 변경할 수 있다.
참고적으로, 모바일 단말기(100)는 컴퓨터, 휴대용 컴퓨터, UMPC (Ultra Mobile PC), 워크스테이션, 넷북(net-book), PDA, 포터블(portable) 컴퓨터, 웹 태블릿(web tablet), 무선 전화기(wireless phone), 모바일 폰(mobile phone), 스마트폰(smart phone), 디지털 카메라(digital camera), 디지털 음성 녹음기(digital audio recorder), 디지털 음성 재생기(digital audio player), 디지털 영상 녹화기(digital picture recorder), 디지털 영상 재생기(digital picture player), 디지털 동영상 녹화기(digital video recorder), 디지털 동영상 재생기(digital video player), 정보를 무선 환경에서 송수신할 수 있는 장치, 홈 네트워크를 구성하는 다양한 컴퓨팅 시스템들 중 적어도 하나를 포함할 수 있는데, 본 실시예에서는 스마트폰(smart phone, 모바일 단말기) 형태의 단말기라고 가정하고 설명하기로 한다.
모바일 단말기(100)가 정상적으로 동작하기 위해서는, 모바일용 메모리(130)가 장착되어야 하는데, 본 실시예에서 모바일용 메모리(130)는 모바일 단말기(100)의 외부에서 탈부착 가능하도록 장착되어, 모바일용 메모리(130)가 모바일 단말기(100)와 호환되는 인터페이스에 연결되도록 구성된다.
모바일 단말기(100)의 응용 프로세서(110)는 모바일 단말기(100)의 제반 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어, 응용 프로세서(110)는 모바일 단말기(100)의 부팅, 무결성 검증, 애플리케이션 실행 등과 같은 동작들을 위한 연산 동작을 수행할 수 있다.
예시적으로, 응용 프로세서(110)는 단말기 무결성 검증부(DIV; Device Integrity Verifier)를 포함할 수 있다. 단말기 무결성 검증부(DIV)는 메모리(130)로 적재(load)되거나 또는 메모리(130)로부터 엑세스(access)되는 시스템 컴포넌트들, 응용 프로세서(110)에 의해 실행되는 애플리케이션 파일들, 애플리케이션을 실행하는데 요구되는 시스템 클래스들의 무결성 값을 추출하여 보안 장치(120)로 전송할 수 있다.
더욱 상세한 예로서, 단말기 무결성 검증부(DIV)는 실행 파일들, 라이브러리 파일들, 시스템 모듈, 시스템 데몬 등의 무결성 값을 추출할 수 있다. 예시적으로, 단말기 무결성 검증부(DIV)는 검증 대상 파일들의 바이트 값을 해시(hash)하여 무결성 값을 추출할 수 있다. 예시적으로, 단말기 무결성 검증부(DIV)는 모바일 단말기(100)의 부팅 단계 또는 실행 단계에 따라 또는 검증 대상에 따라 다른 검증 정책을 기반으로 무결성 검증 동작을 수행할 수 있다.
예시적으로, 단말기 무결성 검증부(DIV)는 소프트웨어 형태, 하드웨어 형태, 또는 그것들의 조합의 형태로 구현될 수 있다. 또한, 하드웨어는 전기/전자 회로, 프로세서, 컴퓨터, 집적 회로, 집적회로 코어들, 멤즈((MEMS; microelectromechanical system), 수동 소자들, 또는 그것들의 조합일 수 있다.
소프트웨어는 기계 코드, 프로그램 명령어, 펌웨어, 임베디드 코드, 애플리케이션 소프트웨어, 또는 그것들의 조합일 수 있다. 소프트웨어 형태로 구현되는 단말기 무결성 검증부(DIV)는 응용 프로세서(110) 내의 캐시 메모리에 저장되고, 응용 프로세서(110)에 의해 구동될 수 있다.
보안 장치(120)는 응용 프로세서(110)의 단말기 무결성 검증부(DIV)로부터 무결성 값을 수신하고, 수신된 무결성 값에 대한 무결성 검증을 수행할 수 있다. 예를 들어, 보안 장치(120)는 모바일 단말기(100)에서 사용되는 검증 대상(예를 들어, 시스템 컴포넌트, 애플리케이션, 시스템 클래스 등) 각각에 대한 무결성 관련 데이터 또는 키 값을 포함할 수 있다.
보안 장치(120)는 단말기 무결성 검증부(DIV)의 요청에 따라 무결성 값을 수신하고, 수신된 무결성 값 및 관련 데이터를 기반으로 무결성 검증 동작을 수행한다. 보안 장치(120)는 검증 결과를 단말기 무결성 검증부(DIV)로 전송할 수 있다.
보안 장치(120) 및 응용 프로세서(110)는 신뢰성이 보장되는 통신 채널 또는 보안 채널(Secure Channel)을 기반으로 통신할 수 있다. 예시적으로, 통신 채널은 암호화된 시리얼 통신 채널일 수 있다. 또한, 보안 장치(120)는 시스템-온-칩(SoC; System on Chip) 형태로 제공될 수 있다. 보안 장치(120)는 하나의 집적 회로에 내장되어 하나의 칩, 하나의 모듈, 또는 하나의 카드 형태로 구현될 수 있다. 예시적으로, 보안 장치(120)는 응용 프로세서(110) 내에 포함될 수 있다.
또한, 보안 장치(120)는 무결성 검증에 필요한 최소한의 하드웨어 및 소프트웨어의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 보안 장치(120)는 무결성 검증에 필요한 암호화, 복호화, 키 관리, 해시 등과 같은 알고리즘을 수행하기 위한 계산용 프로세서로 구현될 수 있다.
메모리(130)는 모바일 단말기(100) 또는 응용 프로세서(110)의 동작 메모리, 주 메모리, 버퍼 메모리, 또는 캐시 메모리로써 사용될 수 있다. 메모리(130)는 SRAM, DRAM, SDRAM, DDR SDRAM, LPDDR SDRAM, SRAM, PRAM, RRAM, MRAM 등과 같은 랜덤 액세스 메모리 장치들을 포함할 수 있다.
응용 프로세서(110)에 의해 사용되는 파일들은 메모리(130)에 로드되고, 메모리(130)에 저장된 파일들은 응용 프로세서(110)에 의해 엑세스될 수 있다. 메모리(130)는 응용 프로세서(110)의 캐시 메모리일 수도 있다.
스토리지(140)는 모바일 단말기(100)에서 사용되는 정보, 데이터, 또는 파일들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 스토리지(140)는 모바일 단말기(100)에서 사용되는 애플리케이션 실행 파일, 부트-로더, 커널 이미지, 운영 체제 구동 파일 등과 같은 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 예시적으로, 스토리지(140)는 하드 디스크, 플래시 메모리와 같은 대용량의 불휘발성 메모리 장치들을 포함할 수 있다.
ROM(150)은 모바일 단말기(100)가 동작하는데 요구되는 다양한 정보 또는 프로그램 코드들을 펌웨어 형태로 저장할 수 있다. 예를 들어, ROM(150)은 모바일 단말기(100)가 부팅하는데 요구되는 부팅 제어 코드를 포함할 수 있다. 예시적으로, ROM(150)에 저장된 데이터 또는 프로그램 코드는 변경 불가능한 데이터 또는 프로그램 코드이며, 무결성이 검증된 데이터 또는 프로그램 코드일 수 있다.
주변 장치들(160)은 응용 프로세서(110)에 데이터 또는 명령어를 입력하거나 또는 외부 장치로 데이터를 출력하는 인터페이스들을 포함할 수 있다. 예시적으로, 주변장치들(160)은 키보드, 키패드, 버튼, 터치 패널, 터치 스크린, 터치 패드, 터치 볼, 카메라, 마이크, 자이로스코프 센서, 진동 센서, 압전 소자 등과 같은 사용자 입력 인터페이스나, LCD (Liquid Crystal Display), OLED (Organic Light Emitting Diode) 표시 장치, AMOLED (Active Matrix OLED) 표시 장치, LED, 스피커, 모터 등과 같은 사용자 출력 인터페이스들을 포함할 수 있다.
또한, 주변 장치들(160)은 그래픽 연산부(GPU), GPS, 심박 센서, 카메라, 통신 모듈, 근조도 센서, CIS(cmos image sensor) 카메라 모듈, 터치 패널, EMMC(Embedded MultiMediaCard), 음성인식모듈(161), 통신모듈(165) 등과 같은 장치들을 포함할 수 있다.
한편, 원격측정 태양광 발전 테스트 시스템의 환경계측센서보드(310)로부터의 데이터는 통신모듈(165)로 수신되고, 해당 데이터는 테스트 애플리케이션에서 처리되어 터치 패널(163)에 표시된다.
또한, 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)는 내부 보호부(410)를 포함하고 있는데, 스마트 아이티 레퍼런스 보드는 내부회로 보호부(410)를 통해 정전기 또는 의도치 않은 고전압/전류 성분을 외부로 방출시킴으로써 내부회로를 보호할 수 있다
도 4는 스마트 아이티 레퍼런스 보드(1)에서 내부 보호부(410)의 구성도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 보호부(410)는 고전압 생성부(12), 파워업 신호 조절부(14), 파워다운모드신호 조절부(18) 및 내부 회로 보호부(16)를 포함한다.
고전압 생성부(12)는 외부로부터 인가되는 구동전압(VDD)을 펌핑하여 고전압(HVDD)을 생성하고, 생성된 고전압을 내부회로 보호부(16)로 제공한다. 이때, 고전압 생성부(12)는 내부 회로에서 생성할 수 있는 가장 높은 고전압을 생성함으로써, 내부 회로의 오동작을 방지할 수 있다.
파워업 신호 조절부(14)는 외부로부터 인가되는 구동전압(VDD)에 응답하여 전원 전압의 전위가 일정 전위 이상이 됨을 감지하여 파워업 신호(Powerup)를 생성한다.
또한, 파워업 신호 조절부(14)는 생성된 파워업 신호(Powerup)의 하이 레벨 구간을 일정 시간 지연시켜 파워업 지연신호(PWRUP_DLY)를 생성하고, 생성된 파워업 지연신호(PWRUP_DLY)를 내부 회로 보호부(16)로 제공한다.
파워다운(Deep Power Down: 이하 PWRDN라 칭함) 모드 신호 조절부(18)는 반도체 장치가 동작하지 않는 대기 상태에서 전력 소모를 감소시킬 수 있도록 내부의 불필요한 회로들을 비활성화 시키기 위해 외부로부터 인가되는 CAS(Column Access Strobe), RAS(Row Access Strobe) 등의 명령 신호들의 조합에 의해 생성된 커맨드(command)에 응답하여 딥 파워 다운 신호(PWRDN, 이하 파워다운모드신호라 칭함)를 생성한다.
그리고, 파워다운모드신호 조절부(18)는 생성된 파워다운모드신호(PWRDN)의 하이 레벨 구간을 일정 시간 지연시켜 파워다운모드 지연신호(PWRDN_Delay)를 생성한다.
이처럼, 본 발명은 파워업 신호 및 파워다운모드신호(PWRDN)의 하이 레벨 구간을 일정 시간을 지연시킬 수 있다. 이는, 반도체 장치의 초기화 시 외부 구동전압 및 고전압 등이 0 레벨에서 기설정된 레벨로 점차적으로 증진하게 된다. 그러나, 고전압이 기설정된 레벨에 도달하기도 전에 파워업 신호 및 딥 파워 신호가 활성화됨으로써, 트랜지스터들의 누설 전류가 발생하게 되고, 이에 따라 반도체 장치의 오동작이 초래된다. 따라서 본 발명은 각 신호의 활성 시간을 고전압이 기 설정된 레벨에 도달할 때까지 지연(Delay)시켜 트랜지스터들의 누설 전류를 방지할 수 있다.
한편, 내부 회로 보호부(16)는 고전압 생성부(12)로부터 입력된 고전압에 기초하여 파워업 신호 조절부(14)로부터 인가된 파워업 지연신호(PWRUP_DLY)와, 파워다운모드신호 조절부(18)로부터 인가된 파워다운모드신호(PWRDN) 및 파워다운모드 지연신호(PWRDN_Delay)를 인가받아 과전류가 내부 회로로 유입되는 것을 방지한다.
도 5는 내부회로 보호부(16)의 구성도이고, 도 6은 내부회로 보호부(16)의 회로도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 내부 회로 보호부(16)는 레벨 시프팅부(16_2) 및 정전기(Electrostatic discharge) 방지부(16_4)를 포함한다.
레벨 시프팅부(16_2)는 고전압 생성부(12)로부터 인가되는 고전압에 응답하여 파워다운모드신호 조절부(18)로부터 인가되는 파워다운모드신호(PWRDN)의 레벨을 고전압의 레벨로 시프트(Shift)시킨다.
이때, 레벨 시프팅부(16_2)는 파워다운모드신호(PWRDN)의 레벨을 고전압의 레벨로 시프트 시키는 것은, 내부 회로에서 흐를 수 있는 가장 높은 전류를 흘려주어, 정전기 방지부(16_4)의 제1 PMOS 트랜지스터(T5)에서의 누설 전류를 방지할 수 있고, 구동전압(VDD)의 레벨을 낮춤으로써 내부 회로의 오동작을 방지할 수 있다.
정전기 방지부(16_4)는 파워업 지연신호(PWRUP_DLY)와 파워다운모드 지연신호(PWRDN_Delay)의 조합 신호에 응답하여 과전류가 내부 회로로 유입되는 것을 방지한다.
이처럼, 본 발명에 따른, 내부 보호부(410)는 내부에서 생성할 수 있는 가장 높은 전압을 생성하여 파워다운모드신호(PWRDN)의 레벨을 고전압의 레벨로 시프트시키고, 시프트된 고전압 레벨과 전원 전압의 레벨을 비교하여 과전류를 외부로 방출시킴으로써, 내부 회로의 오동작을 방지할 수 있다.
레벨 시프팅부(16_2)는 파워다운모드신호(PWRDN)의 반전 레벨과, 파워다운모드신호(PWRDN)을 입력으로 하는 제1 및 제2 입력 트랜지스터(T3, T4)와, 고전압을 흘려주는 미러 트랜지스터(T1, T2)를 포함한다.
이때, 레벨 시프팅부(16_2)는 파워다운모드신호(PWRDN)의 레벨을 반전시켜 제1 입력 트랜지스터(T3)로 인가하는 제1 인버터부(IV1)와, 파워다운모드신호(PWRDN)를 제2 입력 트랜지스터(T4)로 인가하는 제2 인버터부(IV2)를 더 포함한다.
정전기 방지부(16_4)는, 내부 회로로 인가되는 전류의 량을 조절하여 내부 회로의 파괴를 방지한다.
이러한, 정전기 방지부(16_4)는, 파워업 지연신호(PWRUP_DLY)와 파워다운모드 지연신호(PWRDN_Delay)를 조합하여 조합 신호를 생성하는 조합부(NOR1), 전원 전압단(VDD)과 접지 전압단(VSS) 사이에 연결되며 레벨 시프팅부(16_2)의 출력 신호를 입력으로 하는 제1 PMOS 트랜지스터(T5), 조합부(NOR1)로부터 출력되는 조합 신호의 반전 레벨을 입력으로 하는 제2 PMOS 트랜지스터(T6), 조합 신호를 입력으로 하는 제1 NMOS 트랜지스터(T7)를 포함한다.
이하, 본 실시예에 따른 내부 회로 보호부(16)의 동작을 살펴본다.
먼저, 일 예로 반도체 장치의 내부 회로 보호부(16)가 초기화 동작을 수행하는 경우를 설명하기로 한다.
레벨 시프팅부(16_2)는 파워다운모드신호 조절부(18)와 고전압 생성부(12) 각각으로부터 파워다운모드신호(PWRDN) 및 고전압(H_VDD)을 인가받는다.
이때, 고전압(H_VDD)과 구동전압(VDD)은 기설정된 레벨까지 도달하지 못한 상태이므로, 과전류가 유입되지 않게 되어 내부 회로 보호부(16)는 동작하지 않는다.
그러므로 레벨 시프팅부(16_2)의 출력 신호는 계속 플로팅(Floating)되고, 정전기 방지부(16_4)의 제2 PMOS 트랜지스터(T6)와 제1 NMOS 트랜지스터(T7)는 동작하지 않는다.
한편, 반도체 장치의 초기화 시 레벨 시프팅부(16_2)로 인가되는 외부 구동전압 및 고전압 등이 0 레벨에서 기설정된 레벨로 점차적으로 증진하게 된다. 종래에는, 고전압이 기설정된 레벨에 도달하기도 전에 파워업 신호 및 딥 파워 신호가 활성화됨으로써, 트랜지스터들의 누설 전류가 발생하게 되고, 이에 따라 반도체 장치의 오동작이 발생하였다. 따라서 발명은 파워업 신호 및 파워다운모드신호(PWRDN)의 활성 시간을 고전압이 기 설정된 레벨에 도달할 때까지 지연(Delay)시켜 정전기 방지부(16_4)에 인가시킴으로써, 트랜지스터들의 누설 전류를 방지할 수 있다.
그 다음, 다른 예로, 내부 회로 보호부(16)가 초기화 동작 후 정상 동작을 수행할 경우를 설명하기로 한다.
레벨 시프팅부(16_2)는 파워다운모드신호 조절부(18)와 고전압 생성부(12) 각각으로부터 파워다운모드신호(PWRDN) 및 고전압(H_VDD)을 인가받는다.
레벨 시프팅부(16_2)는 정상 동작 시, 파워다운모드신호 조절부(18)로부터 로우 레벨의 파워다운모드신호(PWRDN)를 입력받게 되는데, 입력된 로우 레벨의 파워다운모드신호(PWRDN)는 제1 인버터부(IV1)에 의해 하이 레벨의 파워다운모드신호(PWRDN)로 출력되게 된다.
하이 레벨의 파워다운모드신호(PWRDN)는 제1 노드(N1)를 통해 제1 입력 트랜지스터(T3)로 입력되고, 하이 레벨의 파워다운모드신호(PWRDN)는 제2 인버터부(IV2)를 거쳐 다시 로우 레벨로 반전되어 제2 입력 트랜지스터(T4)로 입력된다.
레벨 시프팅부(16_2)에서는 하이 레벨의 파워다운모드신호(PWRDN)가 제1 입력 트랜지스터(T3)의 문턱 전압 이상으로 증가하게 되면, 제1 입력 트랜지스터(T3)는 턴온된다. 그렇게 되면, 제2 노드(N2)의 레벨이 제2 미러 트랜지스터(T2)의 게이트로 입력되게 되고, 그에 따라 제2 미러 트랜지스터(T2)가 턴온하게 된다.
그러나, 제2 입력 트랜지스터(T4)는 로우 레벨의 파워다운모드신호(PWRDN)가 입력되기 때문에 제4 노드(N4)에는 하이 레벨의 출력 신호가 출력하게 된다.
그러면, 정전기 방지부(16_4)는 레벨 시프팅부(16_2)로부터 제1 PMOS 트랜지스터(T5) 문턱 전압 이상의 파워다운모드신호가 입력되기 때문에, 제1 PMOS 트랜지스터(T5)가 동작하지 않게 된다.
이때, 정전기 방지부(16_4)의 조합부(NOR1)는 노멀 모드 시 로우 레벨을 가지는 파워업 지연신호(PWRUP_DLY) 및 파워다운모드 지연신호(PWRDN_Delay)를 조합하여 조합 신호를 출력하게 되는데, 정전기 방지부(16_4)는 조합부(NOR1)로부터 출력된 조합 신호에 의해 제2 PMOS 트랜지스터(T6)와 제1 NMOS 트랜지스터(T7)가 턴온되긴 하지만, 제1 PMOS 트랜지스터(T5)가 동작하지 않기 때문에 전류를 방출시키지 않게 된다.
마지막으로, 또 다른 예로, 반도체 장치의 내부 회로 보호부(16)가 전원 전압의 과도 상승 시 동작을 수행할 경우를 설명하기로 한다.
레벨 시프팅부(16_2)는 파워다운모드신호 조절부(18)와 고전압 생성부(12) 각각으로부터 파워다운모드신호(PWRDN) 및 고전압(H_VDD)을 인가받는다.
이때, 레벨 시프팅부(16_2)는 내부 전압 과도 상승 시, 파워다운모드신호 조절부(18)로부터 하이 레벨의 파워다운모드신호(PWRDN)를 입력 받게 되는데, 입력된 하이 레벨의 파워다운모드신호(PWRDN)는 제1 인버터부(IV1)에 의해 로우 레벨의 파워다운모드신호(PWRDN)로 출력되게 된다.
이렇게 출력된, 로우 레벨의 파워다운모드신호(PWRDN)는 제1 노드(N1)를 통해 제1 입력 트랜지스터(T3)로 입력됨과 동시에, 제2 인버터부(IV2)를 거쳐 다시 하이 레벨의 파워다운모드신호(PWRDN)로 반전되어 제2 입력 트랜지스터(T4)로 입력된다.
레벨 시프팅부(16_2)는 로우 레벨의 파워다운모드신호(PWRDN)가 제1 입력 트랜지스터(T3)의 문턱 전압 이하로 감소하면, 제1 입력 트랜지스터(T3)는 동작하지 않는다. 그렇게 되면 제2 노드(N2) 레벨이 제2 미러 트랜지스터(T2)로 출력되게 되고, 그에 따라 제2 미러 트랜지스터(T2)도 동작하지 않게 된다.
그러나, 레벨 시프팅부(16_2)는 제2 입력 트랜지스터(T4)로 하이 레벨의 파워다운모드신호(PWRDN)가 입력되기 때문에, 제2 입력 트랜지스터(T4)가 턴온되고 그에 의해 제4 노드(N4)의 레벨은 로우 레벨로 되고, 그에 의해 로우 레벨의 출력 신호가 출력하게 된다.
그러면, 정전기 방지부(16_4)는 레벨 시프팅부(16_2)로부터 제1 PMOS 트랜지스터(T5) 문턱 전압 이하의 로우 레벨의 출력 신호가 입력되게 되면, 제1 PMOS 트랜지스터(T5)가 턴-온된다.
이때, 정전기 방지부(16_4)의 조합부(NOR1)는 VDD 과다 상승 시에도 로우 레벨을 가지는 파워업 지연신호(PWRUP_DLY) 및 파워다운모드 지연신호(PWRDN_Delay) 입력 받아 조합 신호를 출력하게 되는데, 정전기 방지부(16_4)는 조합부(NOR1)로부터 출력된 조합 신호에 의해 제2 PMOS 트랜지스터(T6)와 제1 NMOS 트랜지스터(T7)가 턴-온되기 때문에 전원 전압의 레벨이 낮아지도록 전류를 방출시킬 수 있다.
이처럼, 본 발명에 따른 내부 보호부(410)는 내부에서 생성할 수 있는 가장 높은 전압을 생성하여 파워다운모드신호의 레벨을 시프트시키고, 시프트된 전압 레벨과 전원 전압의 레벨을 비교하여 과전류를 외부로 방출시킴으로써, 내부 회로의 오동작을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 신재생 에너지 데이터 센싱기기용 스마트 아이티 레퍼런스 보드는, 태양 발전시설의 환경센서들로부터 측정값을 전달받아 효율적으로 운영할 수 있는 기능을 제공한다.
또한, 스마트 아이티 레퍼런스 보드는 내부회로 보호부를 통해 정전기를 외부로 방출시킴으로써 내부회로를 보호할 수 있다
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110 : 응용 프로세서 120 : 보안 장치
130 : 모바일용 메모리 140 : 스토리지
150 : ROM 160 : 주변장치들
161 : 근조도 센서 12: 고전압 생성부
14: 파워업 신호 조절부 16: 내부 회로 보호부
18: 파워다운모드신호 조절부
130 : 모바일용 메모리 140 : 스토리지
150 : ROM 160 : 주변장치들
161 : 근조도 센서 12: 고전압 생성부
14: 파워업 신호 조절부 16: 내부 회로 보호부
18: 파워다운모드신호 조절부
Claims (6)
- 테스트 애플리케이션 실행과 같은 동작들을 위한 연산 동작을 수행하는 응용 프로세서와, 사용자 인터페이스를 위한 터치 패널을 구비하는 모바일 단말기;
상기 응용 프로세서의 주 메모리로 사용됨에 있어서 상기 응용 프로세서의 인터페이스에 연결되는 모바일용 메모리;
상기 응용 프로세서에 의해 제어되고 상기 응용 프로세서의 인터페이스에 탈부착 가능하도록 연결되는 적어도 하나 이상의 주변장치; 및
외부로부터 인가되는 파워다운모드신호의 레벨을 구동전압 이상의 레벨로 시프트시켜 출력 신호를 생성하고, 파워업 지연신호 및 파워다운모드 지연신호의 조합에 의한 조합 신호에 응답하여 과전류가 내부회로로 유입되는 것을 방지하는 내부회로 보호부;를 포함하고,
상기 내부회로 보호부는 상기 구동전압 이상의 레벨에 응답하여 상기 파워다운모드신호의 레벨을 상기 구동전압 이상의 레벨로 시프트시켜 출력 신호를 출력하는 레벨 시프팅부; 및 상기 파워업 지연신호 및 상기 파워다운모드 지연신호의 조합신호에 응답하여 상기 과전류를 외부로 방출시키는 정전기 방지부;를 포함하고,
상기 레벨 시프팅부는 상기 파워다운모드신호의 반전레벨과, 상기 파워다운모드신호를 입력으로 하는 제1 및 제2 입력 트랜지스터와, 상기 구동전압 이상의 레벨을 흘려주는 제1 및 제2 미러 트랜지스터; 상기 파워다운모드신호의 레벨을 반전시켜 상기 제1 입력 트랜지스터로 입력시키는 제1 인버터부; 및 상기 파워다운모드신호를 제2 입력 트랜지스터로 입력시키는 제2 인버터부;를 포함하고,
상기 정전기 방지부는 상기 파워업 지연신호 및 상기 파워다운모드 지연신호를 조합하여 조합신호를 생성하는 조합부; 전원 전압단과 접지 전압단 사이에 연결되며 상기 레벨 시프팅부의 출력신호를 입력으로 하는 제1 PMOS 트랜지스터; 상기 조합부로부터 출력되는 상기 조합신호의 반전레벨을 입력으로 하는 제2 PMOS 트랜지스터; 및 상기 조합신호를 입력으로 하는 제1 NMOS 트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 신재생 에너지 데이터 센싱기기용 스마트 아이티 레퍼런스 보드.
- 제1항에 있어서,
상기 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 상기 모바일용 메모리에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절하는 메모리 전원공급부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신재생 에너지 데이터 센싱기기용 스마트 아이티 레퍼런스 보드.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180171318A KR102150964B1 (ko) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | 내부보호회로가 구비되는 신재생 에너지 데이터 센싱기기용 스마트 아이티 레퍼런스 보드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180171318A KR102150964B1 (ko) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | 내부보호회로가 구비되는 신재생 에너지 데이터 센싱기기용 스마트 아이티 레퍼런스 보드 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200081142A KR20200081142A (ko) | 2020-07-07 |
| KR102150964B1 true KR102150964B1 (ko) | 2020-09-02 |
Family
ID=71602986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180171318A KR102150964B1 (ko) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | 내부보호회로가 구비되는 신재생 에너지 데이터 센싱기기용 스마트 아이티 레퍼런스 보드 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102150964B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102490820B1 (ko) * | 2020-10-12 | 2023-01-20 | 월드시스템주식회사 | 데이터 수집보드의 노이즈가 감소된 표면처리강판 제조공정 통합관리 시스템 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008130223A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-06-05 | Hynix Semiconductor Inc | ディープパワーダウンモード制御回路 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102115639B1 (ko) * | 2016-07-27 | 2020-05-27 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 전원 스위치 회로 |
| KR20180071775A (ko) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 엘지전자 주식회사 | 전원공급장치 및 이를 구비하는 이동 단말기 |
| KR20180112917A (ko) | 2017-04-04 | 2018-10-15 | 한국 전기안전공사 | 건물일체형 태양광발전시스템 전기안전진단 통합 모니터링 시스템 및 방법 |
-
2018
- 2018-12-27 KR KR1020180171318A patent/KR102150964B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008130223A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-06-05 | Hynix Semiconductor Inc | ディープパワーダウンモード制御回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20200081142A (ko) | 2020-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102512819B1 (ko) | 딜레이 코드를 발생하는 전압 모니터 | |
| US20170357829A1 (en) | Integrated circuit, mobile device having the same, and hacking preventing method thereof | |
| TWI505271B (zh) | 動態隨機存取記憶體安全抹除 | |
| KR20120056424A (ko) | 플래시 메모리 장치 및 그것을 포함한 데이터 저장 장치 | |
| CN103093831B (zh) | 非易失性存储器的基准电流的内置自微调 | |
| US9922690B2 (en) | Semiconductor devices having initialization circuits and semiconductor systems including the same | |
| KR20150025782A (ko) | 메모리 장치 및 이를 포함하는 컴퓨터 시스템 | |
| US8339889B2 (en) | Semiconductor memory device | |
| US11386964B2 (en) | Systems and methods involving hardware-based reset of unresponsive memory devices | |
| KR20140072276A (ko) | 불휘발성 메모리 및 불휘발성 메모리의 동작 방법 | |
| KR20200076846A (ko) | 메모리 장치에 저장된 데이터의 에러를 검출하는 장치 및 그 동작 방법 | |
| US11049565B2 (en) | Non-volatile memory devices and systems with volatile memory features and methods for operating the same | |
| KR102150964B1 (ko) | 내부보호회로가 구비되는 신재생 에너지 데이터 센싱기기용 스마트 아이티 레퍼런스 보드 | |
| US10068860B2 (en) | Laser detector using latch and semiconductor device including the same | |
| KR102322281B1 (ko) | 전원 노이즈가 감소되는 스마트 아이티 레퍼런스 보드 | |
| KR20150024685A (ko) | 특성이 서로 다른 칩으로 구성된 메모리 모듈 | |
| US9552210B2 (en) | Volatile memory device and methods of operating and testing volatile memory device | |
| KR20220056388A (ko) | 테스트 신뢰성이 향상된 스마트 아이티 레퍼런스 보드 | |
| KR101992784B1 (ko) | 모바일용 부품 실장 테스트 장치 | |
| KR101938875B1 (ko) | 모바일용 메모리 실장 테스트 장치 | |
| KR102495926B1 (ko) | 연산량을 분배할 수 있는 스마트 아이티 레퍼런스 보드 시스템 | |
| KR102023403B1 (ko) | 노이즈를 확인할 수 있는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치 | |
| KR102092535B1 (ko) | 최소자승법을 이용하여 주변장치의 온도변화를 분석하는 모바일용 부품 실장 테스트 장치 | |
| US8811069B2 (en) | Memory device and systems including the same | |
| KR101066738B1 (ko) | 불휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |