KR102143585B1 - 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

Description

헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 {HETEROCYCLIC COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 명세서는 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
전계 발광 소자는 자체 발광형 표시 소자의 일종으로서, 시야각이 넓고, 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다.
유기 발광 소자는 2개의 전극 사이에 유기 박막을 배치시킨 구조를 가지고 있다. 이와 같은 구조의 유기 발광 소자에 전압이 인가되면, 2개의 전극으로부터 주입된 전자와 정공이 유기 박막에서 결합하여 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 발하게 된다. 상기 유기 박막은 필요에 따라 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다.
유기 박막의 재료는 필요에 따라 발광 기능을 가질 수 있다. 예컨대, 유기 박막 재료로는 그 자체가 단독으로 발광층을 구성할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있고, 또는 호스트-도펀트계 발광층의 호스트 또는 도펀트 역할을 할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다. 그 외에도, 유기 박막의 재료로서, 정공 주입, 정공 수송, 전자 차단, 정공 차단, 전자 수송, 전자 주입 등의 역할을 수행할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다.
유기 발광 소자의 성능, 수명 또는 효율을 향상시키기 위하여, 유기 박막의 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
미국 특허 제4,356,429호
본 발명은 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공하고자 한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112018111123169-pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
R1 내지 R4, R7 및 R8은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; 및 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리를 형성하며,
R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 및 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
Z는 중수소; -CN; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; 및 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되며,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
m은 0 내지 5의 정수이고,
n은 1 내지 6의 정수이며,
q는 0 내지 2의 정수이고,
s는 0 내지 3의 정수이다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기발광소자의 유기물층 재료로서 사용할 수 있다. 상기 화합물은 유기발광소자에서 정공주입재료, 정공수송재료, 발광재료, 전자수송재료, 전자주입재료, 전하생성재료 등의 역할을 할 수 있다. 특히, 상기 화합물이 유기 발광 소자의 전하생성층 재료 또는 전자 수송층 재료로 사용될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기물층에 사용하는 경우 소자의 구동전압을 낮추고, 광효율을 향상시키며, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
특히 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 카바졸기의 한쪽 벤젠 고리에 -(L)m-(Z)n의 치환기를 갖는 경우로, 상기 화학식 1의 화합물의 π-공액 구조가 카바졸기에서 축합된 퀴놀린기까지 이어지지 않는다. 이로 인하여 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 π-공액 구조가 단절 되어 HOMO레벨과 LUMO레벨의 밴드갭이 넓어 지고, T1 값이 더욱 커져서 엑시톤을 발광층에 가두는 효과가 커지게 된다. 또한, HOMO레벨이 낮아져 발광층의 정공을 저지하여 정공저지층의 화합물로 사용 가능한 특징을 갖게 된다.
도 1 내지 도 4는 각각 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 적층구조를 개략적으로 나타낸 도이다.
이하 본 출원에 대해서 자세히 설명한다.
본 명세서에 있어서, 상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에 있어서, "치환 또는 비치환"이란 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알키닐; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; C1 내지 C20의 알킬아민; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중에서 선택된 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 상기 할로겐은 불소, 염소, 브롬 또는 요오드일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 탄소수 1 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 60, 구체적으로 1 내지 40, 더욱 구체적으로, 1 내지 20일 수 있다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, sec-부틸기, 1-메틸-부틸기, 1-에틸-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2-에틸부틸기, 헵틸기, n-헵틸기, 1-메틸헥실기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실메틸기, 옥틸기, n-옥틸기, tert-옥틸기, 1-메틸헵틸기, 2-에틸헥실기, 2-프로필펜틸기, n-노닐기, 2,2-디메틸헵틸기, 1-에틸-프로필기, 1,1-디메틸-프로필기, 이소헥실기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다. 구체적인 예로는 비닐기, 1-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1-펜테닐기, 2-펜테닐기, 3-펜테닐기, 3-메틸-1-부테닐기, 1,3-부타디에닐기, 알릴기, 1-페닐비닐-1-일기, 2-페닐비닐-1-일기, 2,2-디페닐비닐-1-일기, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일기, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일기, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알키닐기는 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알키닐기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 시클로알킬기는 탄소수 3 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 시클로알킬기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 시클로알킬기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 60, 구체적으로 3 내지 40, 더욱 구체적으로 5 내지 20일 수 있다. 구체적으로, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 3-메틸시클로펜틸기, 2,3-디메틸시클로펜틸기, 시클로헥실기, 3-메틸시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 2,3-디메틸시클로헥실기, 3,4,5-트리메틸시클로헥실기, 4-tert-부틸시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 헤테로시클로알킬기는 헤테로 원자로서 O, S, Se, N 또는 Si를 포함하고, 탄소수 2 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 헤테로시클로알킬기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로시클로알킬기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 헤테로시클로알킬기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 아릴기는 탄소수 6 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 아릴기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 아릴기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 아릴기는 스피로기를 포함한다. 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 60, 구체적으로 6 내지 40, 더욱 구체적으로 6 내지 25일 수 있다. 상기 아릴기의 구체적인 예로는 페닐기, 비페닐기, 트리페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 크라이세닐기, 페난트레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 페날레닐기, 파이레닐기, 테트라세닐기, 펜타세닐기, 플루오레닐기, 인데닐기, 아세나프틸레닐기, 벤조플루오레닐기, 스피로비플루오레닐기, 2,3-디히드로-1H-인데닐기, 이들의 축합고리기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 -P(=O)R101R102로 표시되고, R101 및 R102는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 상기 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기, 디나프틸포스핀옥사이드 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 Si를 포함하고 상기 Si 원자가 라디칼로서 직접 연결되는 치환기이며, -SiR104R105R106로 표시되고, R104 내지 R106은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure 112018111123169-pat00002
,
Figure 112018111123169-pat00003
,
Figure 112018111123169-pat00004
,
Figure 112018111123169-pat00005
,
Figure 112018111123169-pat00006
,
Figure 112018111123169-pat00007
등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 헤테로아릴기는 헤테로 원자로서 S, O, Se, N 또는 Si를 포함하고, 탄소수 2 내지 60인 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 상기 다환이란 헤테로아릴기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로아릴기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기 등일 수도 있다. 상기 헤테로아릴기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 25일 수 있다. 상기 헤테로아릴기의 구체적인 예로는 피리딜기, 피롤릴기, 피리미딜기, 피리다지닐기, 푸라닐기, 티오펜기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 옥사졸릴기, 이속사졸릴기, 티아졸릴기, 이소티아졸릴기, 트리아졸릴기, 푸라자닐기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 디티아졸릴기, 테트라졸릴기, 파이라닐기, 티오파이라닐기, 디아지닐기, 옥사지닐기, 티아지닐기, 디옥시닐기, 트리아지닐기, 테트라지닐기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 퀴나졸리닐기, 이소퀴나졸리닐기, 퀴노졸리릴기, 나프티리딜기, 아크리디닐기, 페난트리디닐기, 이미다조피리디닐기, 디아자나프탈레닐기, 트리아자인덴기, 인돌릴기, 인돌리지닐기, 벤조티아졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티오펜기, 벤조푸란기, 디벤조티오펜기, 디벤조푸란기, 카바졸릴기, 벤조카바졸릴기, 디벤조카바졸릴기, 페나지닐기, 디벤조실롤기, 스피로비(디벤조실롤), 디히드로페나지닐기, 페녹사지닐기, 페난트리딜기, 이미다조피리디닐기, 티에닐기, 인돌로[2,3-a]카바졸릴기, 인돌로[2,3-b]카바졸릴기, 인돌리닐기, 10,11-디히드로-디벤조[b,f]아제핀기, 9,10-디히드로아크리디닐기, 페난트라지닐기, 페노티아티아지닐기, 프탈라지닐기, 나프틸리디닐기, 페난트롤리닐기, 벤조[c][1,2,5]티아디아졸릴기, 5,10-디히드로디벤조[b,e][1,4]아자실리닐, 피라졸로[1,5-c]퀴나졸리닐기, 피리도[1,2-b]인다졸릴기, 피리도[1,2-a]이미다조[1,2-e]인돌리닐기, 5,11-디히드로인데노[1,2-b]카바졸릴기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 아민기는 모노알킬아민기; 모노아릴아민기; 모노헤테로아릴아민기; -NH2; 디알킬아민기; 디아릴아민기; 디헤테로아릴아민기; 알킬아릴아민기; 알킬헤테로아릴아민기; 및 아릴헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 상기 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 디비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, 비페닐나프틸아민기, 페닐비페닐아민기, 비페닐플루오레닐아민기, 페닐트리페닐레닐아민기, 비페닐트리페닐레닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다. 또한, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 “인접한”기로 해석될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 화학식 7 중 어느하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112018111123169-pat00008
[화학식 3]
Figure 112018111123169-pat00009
[화학식 4]
Figure 112018111123169-pat00010
[화학식 5]
Figure 112018111123169-pat00011
[화학식 6]
Figure 112018111123169-pat00012
[화학식 7]
Figure 112018111123169-pat00013
상기 화학식 2 내지 7에 있어서,
R1 내지 R8, L, Z, m, n, s 및 q의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 8 내지 11 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 8]
Figure 112018111123169-pat00014
[화학식 9]
Figure 112018111123169-pat00015
[화학식 10]
Figure 112018111123169-pat00016
[화학식 11]
Figure 112018111123169-pat00017
상기 화학식 8 내지 11에 있어서,
R1 내지 R8, L, Z, m, n, s 및 q의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R4, R7 및 R8은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; 및 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R4, R7 및 R8은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R4, R7 및 R8은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R4, R7 및 R8은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R4, R7 및 R8은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; C1 내지 C40의 알킬기; C6 내지 C40의 아릴기; 또는 C2 내지 C40의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R4, R7 및 R8은 수소일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 및 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단환 또는 다환의 C6 내지 C40의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 또는 나프틸기일 수 있다.
특히, 본 출원에 있어서, 상기 R5 및 R6가 치환 또는 비치환된 아릴기를 갖는 경우, 헤테로아릴기가 2치환 또는 3치환된 화합물보다 분자량이 커져 열적 안정성이 늘어나 수명이 증가하게 된다. 또한 화합물의 구조가 전체적으로 평면성을 띄어서 전자수송능력이 좋아져 효율이 특히 증가하게 되며, T1 값이 높아 엑시톤과 발광층의 정공을 저지하여 특히 수명이 개선되는 특징을 갖게 된다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; C6 내지 C40의 아릴렌기; 또는 C6 내지 C40의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 페닐렌기; 비페닐렌기; 나프틸렌기; 안트라세닐렌기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 2가의 피리미딘기; 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 2가의 트리아진기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, Z는 중수소; -CN; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; 및 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Z는 중수소; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Z는 중수소; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Z는 -CN; C1 내지 C40의 알킬기, C6 내지 C40의 아릴기, C2 내지 C40의 헤테로아릴기 및 -P(=O)RR'로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; C1 내지 C40의 알킬기, C6 내지 C40의 아릴기 및 C2 내지 C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기; -P(=O)RR'; 및 C6 내지 C40의 아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Z는 C6 내지 C40의 아릴기 및 -P(=O)RR'로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; C6 내지 C40의 아릴기 및 C2 내지 C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기; -P(=O)RR'; 및 C6 내지 C40의 아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Z는 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 피리딘기; 치환 또는 비치환된 피리미딘기; 치환 또는 비치환된 트리아진기; 치환 또는 비치환된 페난트롤린기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; -P(=O)RR'; 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Z는 -P(=O)RR'로 치환 또는 비치환된 페닐기; 나프틸기; 피리딘기로 치환 또는 비치환된 피리딘기; 페닐기 및 비페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 피리미딘기; 페닐기 및 비페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 트리아진기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 페난트롤린기; 카바졸기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; -P(=O)RR'; 페닐기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z는 C6 내지 C40의 아릴기; C2 내지 C40의 헤테로아릴기 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 다시 치환될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Z는 카바졸기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 및 디페닐아민기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 다시 치환될 수 있다.
특히 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 카바졸기의 한쪽 벤젠 고리에 -(L)m-(Z)n의 치환기를 갖는 경우로, 상기 화학식 1의 화합물의 π-공액 구조가 카바졸기에서 축합된 퀴놀린기까지 이어지지 않는다. 이로 인하여 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 π-공액 구조가 단절 되어 HOMO레벨과 LUMO레벨의 밴드갭이 넓어 지고, T1 값이 더욱 커져서 엑시톤을 발광층에 가두는 효과가 커지게 된다. 또한, HOMO레벨이 낮아져 발광층의 정공을 저지하여 정공저지층의 화합물로 사용 가능한 특징을 갖게 된다.
또한, 상기 화학식 1의 코어구조에 치환기의 변화로 화합물이 가지는 열적안정성이 상승할 수 있다. 그리고 화합물의 구조가 평면성을 띄고 있어, 전자수송능력이 상승하는 특징을 갖게 된다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R'및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C1 내지 C40의 알킬기; 또는 C6 내지 C40의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 페닐기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C6 내지 C40의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3의 치환기
Figure 112018111123169-pat00018
중 -(L)m-(Z)n는 1번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3의 치환기
Figure 112018111123169-pat00019
중 -(L)m-(Z)n는 2번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3의 치환기
Figure 112018111123169-pat00020
중 -(L)m-(Z)n는 3번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3의 치환기
Figure 112018111123169-pat00021
중 -(L)m-(Z)n는 4번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 4의 치환기
Figure 112018111123169-pat00022
중 -(L)m-(Z)n는 1번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 4의 치환기
Figure 112018111123169-pat00023
중 -(L)m-(Z)n는 2번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 4의 치환기
Figure 112018111123169-pat00024
중 -(L)m-(Z)n는 3번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 5의 치환기
Figure 112018111123169-pat00025
중 -(L)m-(Z)n는 1번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 5의 치환기
Figure 112018111123169-pat00026
중 -(L)m-(Z)n는 2번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 5의 치환기
Figure 112018111123169-pat00027
중 -(L)m-(Z)n는 3번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 5의 치환기
Figure 112018111123169-pat00028
중 -(L)m-(Z)n는 4번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 6의 치환기
Figure 112018111123169-pat00029
중 -(L)m-(Z)n는 1번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 6의 치환기
Figure 112018111123169-pat00030
중 -(L)m-(Z)n는 2번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 6의 치환기
Figure 112018111123169-pat00031
중 -(L)m-(Z)n는 3번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 6의 치환기
Figure 112018111123169-pat00032
중 -(L)m-(Z)n는 4번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 7의 치환기
Figure 112018111123169-pat00033
중 -(L)m-(Z)n는 1번 위치에 결합될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 7의 치환기
Figure 112018111123169-pat00034
중 -(L)m-(Z)n는 2번 위치에 결합될 수 있다.
상기
Figure 112018111123169-pat00035
는 화학식과 결합되는 위치를 의미한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로고리 화합물을 제공한다.
Figure 112018111123169-pat00036
Figure 112018111123169-pat00037
Figure 112018111123169-pat00038
Figure 112018111123169-pat00039
Figure 112018111123169-pat00040
Figure 112018111123169-pat00041
Figure 112018111123169-pat00042
Figure 112018111123169-pat00043
Figure 112018111123169-pat00044
Figure 112018111123169-pat00045
Figure 112018111123169-pat00046
Figure 112018111123169-pat00047
Figure 112018111123169-pat00048
Figure 112018111123169-pat00049
Figure 112018111123169-pat00050
Figure 112018111123169-pat00051
Figure 112018111123169-pat00052
Figure 112018111123169-pat00053
Figure 112018111123169-pat00054
또한, 상기 화학식 1의 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송용 물질, 발광층 물질, 전자 수송층 물질 및 전하 생성층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 에너지 밴드갭을 미세하게 조절이 가능하게 하며, 한편으로 유기물 사이에서의 계면에서의 특성을 향상되게 하며 물질의 용도를 다양하게 할 수 있다.
한편, 상기 화합물은 유리 전이 온도(Tg)가 높아 열적 안정성이 우수하다. 이러한 열적 안정성의 증가는 소자에 구동 안정성을 제공하는 중요한 요인이 된다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극일 수 있고, 상기 제2 전극은 음극일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극일 수 있고, 상기 제2 전극은 양극일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물에 대한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 청색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물은 상기 청색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 녹색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물은 상기 녹색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 적색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물은 상기 적색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 헤테로고리 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
상기 헤테로고리 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자주입층 또는 전자수송층을 포함하고, 상기 전자주입층 또는 전자수송층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.
또 다른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자저지층 또는 정공저지층을 포함하고, 상기 전자저지층 또는 정공저지층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.
또 다른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 정공저지층을 포함하고, 상기 정공저지층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.
또 다른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층, 발광층 또는 정공저지층을 포함하고, 상기 전자수송층, 발광층 또는 정공저지층은 상기 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송층. 전자주입층, 전자수송층, 전자차단층 및 정공차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함할 수 있다.
도 1 내지 4에 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 전극과 유기물층의 적층 순서를 예시하였다. 그러나, 이들 도면에 의하여 본 출원의 범위가 한정될 것을 의도한 것은 아니며, 당 기술분야에 알려져 있는 유기 발광 소자의 구조가 본 출원에도 적용될 수 있다.
도 1에 따르면, 기판(100) 상에 양극(200), 유기물층(300) 및 음극(400)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자가 도시된다. 그러나, 이와 같은 구조에만 한정되는 것은 아니고, 도 2와 같이, 기판 상에 음극, 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자가 구현될 수도 있다.
도 3은 유기물층이 다층인 경우를 예시한 것이다. 도 3에 따른 유기 발광 소자는 정공 주입층(301), 정공 수송층(302), 발광층(303), 정공 저지층(304), 전자 수송층(305) 및 전자 주입층(306)을 포함한다. 그러나, 이와 같은 적층 구조에 의하여 본 출원의 범위가 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 발광층을 제외한 나머지 층은 생략될 수도 있고, 필요한 다른 기능층이 더 추가될 수 있다.
상기 화학식 1을 포함하는 유기물층은, 필요에 따라 다른 물질을 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 양극, 음극 및 양극과 음극 사이에 구비된 2 이상의 스택을 포함하고, 상기 2 이상의 스택은 각각 독립적으로 발광층을 포함하며, 상기 2 이상의 스택 간의 사이에는 전하 생성층을 포함하고, 상기 전하 생성층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함한다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 양극, 상기 양극 상에 구비되고 제1 발광층을 포함하는 제1 스택, 상기 제1 스택 상에 구비되는 전하 생성층, 상기 전하 생성층 상에 구비되고 제2 발광층을 포함하는 제2 스택, 및 상기 제2 스택 상에 구비되는 음극을 포함한다. 이 때, 상기 전하 생성층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 스택 및 제2 스택은 각각 독립적으로 전술한 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 1종 이상 추가로 포함할 수 있다.
상기 전하 생성층은 N-타입 전하 생성층일 수 있고, 상기 전하 생성층은 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 이외에 당 기술분야에 알려진 도펀트를 추가로 포함할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자로서, 2-스텍 텐덤 구조의 유기 발광 소자를 하기 도 4에 개략적으로 나타내었다.
이 때, 상기 도 4에 기재된 제 1 전자저지층, 제 1 정공저지층 및 제 2 정공저지층 등은 경우에 따라 생략될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물 이외의 재료를 하기에 예시하지만, 이들은 예시를 위한 것일 뿐 본 출원의 범위를 한정하기 위한 것은 아니며, 당 기술분야에 공지된 재료들로 대체될 수 있다.
양극 재료로는 비교적 일함수가 큰 재료들을 이용할 수 있으며, 투명 전도성 산화물, 금속 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다. 상기 양극 재료의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
음극 재료로는 비교적 일함수가 낮은 재료들을 이용할 수 있으며, 금속, 금속 산화물 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다. 상기 음극 재료의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
정공 주입 재료로는 공지된 정공 주입 재료를 이용할 수도 있는데, 예를 들면, 미국 특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 문헌 [Advanced Material, 6, p.677 (1994)]에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류, 예컨대 트리스(4-카바조일-9-일페닐)아민(TCTA), 4,4',4"-트리[페닐(m-톨릴)아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDAPB), 용해성이 있는 전도성 고분자인 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid) 또는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), 폴리아닐린/캠퍼술폰산(Polyaniline/Camphor sulfonic acid) 또는 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)(Polyaniline/Poly(4-styrene-sulfonate))등을 사용할 수 있다.
정공 수송 재료로는 피라졸린 유도체, 아릴아민계 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐디아민 유도체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 또는 고분자 재료가 사용될 수도 있다.
전자 수송 재료로는 옥사디아졸 유도체, 안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 벤조퀴논 및 이의 유도체, 나프토퀴논 및 이의 유도체, 안트라퀴논 및 이의 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 및 이의 유도체, 디페노퀴논 유도체, 8-히드록시퀴놀린 및 이의 유도체의 금속 착체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 물질 뿐만 아니라 고분자 물질이 사용될 수도 있다.
전자 주입 재료로는 예를 들어, LiF가 당업계 대표적으로 사용되나, 본 출원이 이에 한정되는 것은 아니다.
발광 재료로는 적색, 녹색 또는 청색 발광재료가 사용될 수 있으며, 필요한 경우, 2 이상의 발광 재료를 혼합하여 사용할 수 있다. 이 때, 2 이상의 발광 재료를 개별적인 공급원으로 증착하여 사용하거나, 예비혼합하여 하나의 공급원으로 증착하여 사용할 수 있다. 또한, 발광 재료로서 형광 재료를 사용할 수도 있으나, 인광 재료로서 사용할 수도 있다. 발광 재료로는 단독으로서 양극과 음극으로부터 각각 주입된 정공과 전자를 결합하여 발광시키는 재료가 사용될 수도 있으나, 호스트 재료와 도펀트 재료가 함께 발광에 관여하는 재료들이 사용될 수도 있다.
발광 재료의 호스트를 혼합하여 사용하는 경우에는, 동일 계열의 호스트를 혼합하여 사용할 수도 있고, 다른 계열의 호스트를 혼합하여 사용할 수도 있다. 예를 들어, n 타입 호스트 재료 또는 p 타입 호스트 재료 중 어느 두 종류 이상의 재료를 선택하여 발광층의 호스트 재료로 사용할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 헤테로고리 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 명세서를 더욱 상세하게 설명하지만, 이들은 본 출원을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 출원 범위를 한정하기 위한 것은 아니다.
< 제조예 >
[ 제조예 1] 화합물 1의 제조
Figure 112018111123169-pat00055
화합물 1-7의 제조
(3-클로로페닐)보론산((3-chlorophenyl)boronic acid) (82g, 525 mmol), 1,2-디브로모-3-니트로벤젠(1,2-dibromo-3-nitrobenzene) (140g, 500 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 2000 mL: 400 mL: 400 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (29g, 25 mmol), K2CO3 (126g, 1500 mmol)을 넣고 4시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 메틸렌클로라이드(MC, Methylene chloride)로 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 1-7를 얻었다. (125g, 80%, green solid)
화합물 1-6의 제조
화합물 1-7 (162g, 400 mmol), 트리페닐 포스핀(Triphenyl phosphine) (314g, 1200 mmol)을 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobenzene) 1000 mL 에 녹인 후 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 1)를 이용하여 목적화합물 1-6a와 1-6b 1:1 비율로 얻었다. (100g, 89%, green solid)
화합물 1-5의 제조
화합물 1-6a (50g, 178 mmol), 아이오도벤젠(Iodobenzene) (55g, 267 mmol)을 1,4-디옥산(1,4-Dioxane) 800 mL 에 녹인 후 CuI (15g, 80 mmol), 트랜스-1,2-디아미노시클로헥산(trans-1,2-diaminocyclohexane) (9g, 80 mmol), K3PO4 (113g, 530 mmol)을 넣고 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 1-5를 얻었다. (54g, 85%, green solid)
화합물 1-4의 제조
화합물 1-5 (54g, 151 mmol), 2-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)아닐린 (2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline) (37g, 166 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 800 mL: 160 mL: 160 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (9g, 8 mmol), K2CO3 (63g, 453 mmol)을 넣고 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 1-4를 얻었다. (45g, 82%, brown solid)
화합물 1-3의 제조
화합물 1-4 (45g, 124 mmol), 트리페닐 아민(Triethyl amine) (51 mL, 370 mmol)을 MC 900 mL에 넣고 녹인다. 벤조일 클로라이드(benzoyl chloride) ( 21g, 149 mmol) 을 MC 100 mL에 녹인 후, 0 ℃에서 천천히 혼합물에 적가한다. 반응 완료 후 반응액에 MC와 증류수를 넣어서 추출한다. 이후 무수 MgSO4로 건조시힌 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 에틸아세테이트(EA, ethyl acetate)/헥세인(Hx, hexane)으로 재결정하여 화합물 1-3 를 얻었다. (53 g, 90%, white solid)
화합물 1-2의 제조
화합물 1-3 (53g, 112 mmol)을 니트로벤젠(Nitrobenzene) 500 mL에 녹인 후, POCl3 (10 mL, 112 mmol)을 천천히 적가한다. 그 후 150 ℃에서 12시간 교반한다. 반응 완료 후 NaHCO3 수용액으로 반응 용액을 중성화 시킨다. 중성화 시킬 때 생성되는 고체를 필터한다. 고체를 MC / MeOH 재결정하여 목적화합물 1-2를 얻는다. (45g, 88%, white solid)
화합물 1-1의 제조
화합물 1-2 (45g, 99 mmol), 비스(피나콜라토)디보론(Bis(pinacolato)diboron)(33 g, 128 mmol), Pd(dba)2 (1.6g, 5 mmol), XPhos (1.7g, 10 mmol), KOAc (48 g, 297 mmol)을 1,4-다이옥세인(1,4-dioxane) 600 mL에 녹인 후 12 시간 동안 환류 한다. 반응 완료 후 반응액에 MC와 증류수를 넣어서 추출한다. 이후 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한다. 실리카 패스를 한 후 MeOH slurry 하여 화합물 1-1를 얻었다. (51g, 95%, pale pink solid)
화합물 1의 제조
화합물 1-1 (10 g, 18 mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) (4.9 g, 18 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 100 mL : 20 mL : 20 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (1.2 g, 1 mmol) 와 K2CO3(7.5 g, 54 mol)를 넣고 12 시간 동안 환류한다. 반응 완료 후 생성된 고체를 필터 해서 화합물 1을 얻었다.(11.4g, 88%, white solid)
상기 제조예 1에서 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 대신 하기 표 1의 중간체 A를 사용한 것을 제외하고 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 제조하여 목적화합물을 합성하였다.
Figure 112018111123169-pat00056
상기 제조예 1에서 화합물 1-6a 대신 화합물 1-6b를 사용하고, 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 대신 하기 표 2의 중간체 B를 사용한 것을 제외하고 상기 제조예 1 동일한 방법으로 제조하여 목적화합물을 합성하였다.
Figure 112018111123169-pat00057
Figure 112018111123169-pat00058
[ 제조예 2] 화합물 64의 제조
Figure 112018111123169-pat00059
화합물 64-7의 제조
(2-클로로페닐)보론산((2-chlorophenyl)boronic acid) (82g, 525 mmol), 2,4-디브로모-1-니트로벤젠(2,4-dibromo-1-nitrobenzene) (140g, 500 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 2000 mL: 400 mL: 400 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (29g, 25 mmol), K2CO3 (126g, 1500 mmol)을 넣고 4시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 64-7를 얻었다. (110g, 70%, green solid)
화합물 64-6의 제조
화합물 64-7 (110g, 352 mmol), 트리페닐 포스핀(Triphenyl phosphine) (277g, 1055 mmol)을 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobenzene) 1000 mL 에 녹인 후 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 1)를 이용하여 목적화합물 64-6을 얻었다. (78g, 79%, green solid)
화합물 64-5의 제조
화합물 64-6 (78g, 278 mmol), 아이오도벤젠(Iodobenzene) (85g, 417 mmol)을 1,4-디옥산(1,4-Dioxane) 800 mL 에 녹인 후 CuI (15g, 80 mmol), 트랜스-1,2-디아미노시클로헥산(trans-1,2-diaminocyclohexane) (9g, 80 mmol), K3PO4 (177g, 834 mmol)을 넣고 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 64-5를 얻었다. (84g, 85%, green solid)
화합물 64-4의 제조
화합물 64-5 (84g, 235 mmol), 2-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)아닐린 (2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline) (57g, 260 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 800 mL: 160 mL: 160 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (14g, 12 mmol), K2CO3 (97g, 705 mmol)을 넣고 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 64-4를 얻었다. (65g, 75%, brown solid)
화합물 64-3의 제조
화합물 64-4 (65g, 176 mmol), 트리에틸아민(Triethyl amine) (74 mL, 528 mmol)을 MC 900 mL에 넣고 녹인다. 벤조일 클로라이드(benzoyl chloride) (25g, 176 mmol) 을 MC 100 mL에 녹인 후, 0 ℃에서 천천히 혼합물에 적가한다. 반응 완료 후 반응액에 MC와 증류수를 넣어서 추출한다. 이후 무수 MgSO4로 건조시힌 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 EA/Hx으로 재결정하여 화합물 64-3 를 얻었다. (76 g, 92%, white solid)
화합물 64-2의 제조
화합물 64-3 (76g, 162 mmol)을 니트로벤젠(Nitrobenzene) 500 mL에 녹인 후, POCl3 (15 mL, 162 mmol)을 천천히 적가한다. 그 후 150 ℃에서 12시간 교반한다. 반응 완료 후 NaHCO3 수용액으로 반응 용액을 중성화 시킨다. 중성화 시킬 때 생성되는 고체를 필터한다. 고체를 MC / MeOH 재결정하여 목적화합물 64-2를 얻는다. (65g, 88%, white solid)
화합물 64-1의 제조
화합물 64-2 (65g, 143 mmol), 비스(피나콜라토)디보론(Bis(pinacolato)diboron)(54 g, 215 mmol), Pd(dba)2 (2g, 7 mmol), XPhos (2.5g, 14 mmol), KOAc (42 g, 429 mmol)을 1,4-dioxane 600 mL에 녹인 후 12 시간 동안 환류 한다. 반응 완료 후 반응액에 MC와 증류수를 넣어서 추출한다. 이후 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한다. 실리카 패스를 한 후 MeOH slurry 하여 화합물 64-1를 얻었다. (66g, 85%, pale pink solid)
화합물 64의 제조
화합물 64-1 (10 g, 18 mmol), 4-클로로-2,6-다이페닐피리미딘(4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine) (4.9 g, 18 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 100 mL : 20 mL : 20 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (1.2 g, 1 mmol) 와 K2CO3(7.5 g, 54 mol)를 넣고 12 시간 동안 환류한다. 반응 완료 후 생성된 고체를 필터 해서 화합물 64를 얻었다. (11.4g, 88%, white solid)
상기 제조예 2에서 4-클로로-2,6-다이페닐피리미딘(4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine) 대신 하기 표 3의 중간체 C를 사용한 것을 제외하고 상기 제조예 2와 동일한 방법으로 제조하여 목적화합물을 합성하였다.
Figure 112018111123169-pat00060
[ 제조예 3] 화합물 82의 제조
Figure 112018111123169-pat00061
화합물 82-7의 제조
(3-클로로페닐)보론산((3-chlorophenyl)boronic acid) (82g, 525 mmol), 2,4-디브로모-1-니트로벤젠(2,4-dibromo-1-nitrobenzene) (140g, 500 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 2000 mL: 400 mL: 400 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (29g, 25 mmol), K2CO3 (126g, 1500 mmol)을 넣고 4시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 82-7를 얻었다. (110g, 70%, green solid)
화합물 82-6의 제조
화합물 82-7 (110g, 352 mmol), 트리페닐 포스핀(Triphenyl phosphine) (277g, 1055 mmol)을 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobenzene) 1000 mL 에 녹인 후 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 1)를 이용하여 목적화합물 82-6a와 82-6b를 1:1 비율로 얻었다. (78g, 79%, green solid)
화합물 82-5의 제조
화합물 82-6 (39g, 184 mmol), 아이오도벤젠(Iodobenzene) (42g, 208 mmol)을 1,4-디옥산(1,4-Dioxane) 800 mL 에 녹인 후 CuI (7.5g, 40 mmol), 트랜스-1,2-디아미노시클로헥산(trans-1,2-diaminocyclohexane)(5g, 40 mmol), K3PO4 (90g, 421 mmol)을 넣고 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 82-5를 얻었다. (42g, 85%, green solid)
화합물 82-4의 제조
화합물 82-5 (42g, 167 mmol), 2-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)아닐린 (2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline) (29g, 130 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 800 mL: 160 mL: 160 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (7g, 6 mmol), K2CO3 (48g, 350 mmol)을 넣고 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 82-4를 얻었다. (33g, 80%, brown solid)
화합물 82-3의 제조
화합물 82-4 (33g, 85 mmol), 트리에틸아민(Triethyl amine) (37 mL, 260 mmol)을 MC 900 mL에 넣고 녹인다. 벤조일 클로라이드(benzoyl chloride) ( 13g, 85 mmol) 을 MC 100 mL에 녹인 후, 0 ℃에서 천천히 혼합물에 적가한다. 반응 완료 후 반응액에 MC와 증류수를 넣어서 추출한다. 이후 무수 MgSO4로 건조시힌 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 EA/Hx으로 재결정하여 화합물 82-3 를 얻었다. (38 g, 88%, white solid)
화합물 82-2의 제조
화합물 82-3 (38g, 75 mmol)을 니트로벤젠(Nitrobenzene) 500 mL에 녹인 후, POCl3 (8 mL, 75 mmol)을 천천히 적가한다. 그 후 150 ℃에서 12시간 교반한다. 반응 완료 후 NaHCO3 수용액으로 반응 용액을 중성화 시킨다. 중성화 시킬 때 생성되는 고체를 필터한다. 고체를 MC / MeOH 재결정하여 목적화합물 82-2a와 82-2b를 1:1 비율로 얻는다. (33g, 81%, white solid)
화합물 82-1의 제조
화합물 82-2a (16g, 38 mmol), 비스(피나콜라토)디보론(Bis(pinacolato)diboron)(21 g, 100 mmol), Pd(dba)2 (1g, 4 mmol), XPhos (1.3g, 8 mmol), KOAc (42 g, 429 mmol)을 1,4-dioxane 600 mL에 녹인 후 12 시간 동안 환류 한다. 반응 완료 후 반응액에 MC와 증류수를 넣어서 추출한다. 이후 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한다. 실리카 패스를 한 후 MeOH slurry 하여 화합물 82-1를 얻었다. (22g, 89%, pale pink solid)
화합물 82의 제조
화합물 82-1 (10 g, 18 mmol), 4-클로로-2,6-다이페닐피리미딘(4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine) (4.9 g, 18 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 100 mL : 20 mL : 20 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (1.2 g, 1 mmol) 와 K2CO3(7.5 g, 54 mol)를 넣고 12 시간 동안 환류한다. 반응 완료 후 생성된 고체를 필터 해서 화합물 82를 얻었다. (11.4g, 80%, white solid)
상기 제조예 3에서 (9-(3-(4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)페닐)-9H-카바졸(9-(3-(4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl)-9H-carbazole) 대신 하기 표 4의 중간체 D를 사용한 것을 제외하고 상기 제조예 3과 동일한 방법으로 목적화합물을 합성하였다.
Figure 112018111123169-pat00062
Figure 112018111123169-pat00063
상기 제조예 3에서 (3-클로로페닐)보론산((3-chlorophenyl)boronic acid) 대신 (4-클로로페닐)보론산((4-chlorophenyl)boronic acid)를 사용하고, (9-(3-(4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)페닐)-9H-카바졸(9-(3-(4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl)-9H-carbazole) 대신 하기 표 5의 중간체 E를 사용한 것을 제외하고 상기 제조예 3과 동일한 방법으로 목적화합물을 합성하였다.
Figure 112018111123169-pat00064
Figure 112018111123169-pat00065
상기 제조예 3에서 화합물 82-6a 대신 화합물 82-6b를 사용하고, (9-(3-(4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)페닐)-9H-카바졸(9-(3-(4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl)-9H-carbazole) 대신 하기 표 6의 중간체 F를 사용한 것을 제외하고 상기 제조예 3과 동일한 방법으로 목적화합물을 합성하였다.
Figure 112018111123169-pat00066
Figure 112018111123169-pat00067
[ 제조예 4] 화합물 144의 제조
Figure 112018111123169-pat00068
화합물 144-7의 제조
(4-클로로페닐)보론산((4-chlorophenyl)boronic acid) (82g, 525 mmol), 2,4-디브로모-1-니트로벤젠(2,4-dibromo-1-nitrobenzene) (140g, 500 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 2000 mL: 400 mL: 400 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (29g, 25 mmol), K2CO3 (126g, 1500 mmol)을 넣고 4시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 144-7를 얻었다. (110g, 70%, green solid)
화합물 114-6의 제조
화합물 144-7 (110g, 352 mmol), 트리페닐 포스핀(Triphenyl phosphine) (277g, 1055 mmol)을 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobenzene) 1000 mL 에 녹인 후 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 1)를 이용하여 목적화합물 144-6을 얻었다. (78g, 79%, green solid)
화합물 114-5의 제조
화합물 144-6 (39g, 184 mmol), 아이오도벤젠(Iodobenzene) (42g, 208 mmol)을 1,4-디옥산(1,4-Dioxane) 800 mL 에 녹인 후 CuI (7.5g, 40 mmol), 트랜스-1,2-디아미노시클로헥산(trans-1,2-diaminocyclohexane)(5g, 40 mmol), K3PO4 (90g, 421 mmol)을 넣고 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 144-5를 얻었다. (42g, 85%, green solid)
화합물 114-4의 제조
화합물 144-5 (42g, 167 mmol), 2-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)아닐린 (2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline) (29g, 130 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 800 mL: 160 mL: 160 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (7g, 6 mmol), K2CO3 (48g, 350 mmol)을 넣고 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 144-4를 얻었다. (33g, 80%, brown solid)
화합물 114-3의 제조
화합물 144-4 (33g, 85 mmol), 트리에틸아민(Triethyl amine) (37 mL, 260 mmol)을 MC 900 mL에 넣고 녹인다. 벤조일 클로라이드(benzoyl chloride) ( 13g, 85 mmol) 을 MC 100 mL에 녹인 후, 0 ℃에서 천천히 혼합물에 적가한다. 반응 완료 후 반응액에 MC와 증류수를 넣어서 추출한다. 이후 무수 MgSO4로 건조시힌 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 EA/Hx으로 재결정하여 화합물 144-3 를 얻었다. (38 g, 88%, white solid)
화합물 114-2의 제조
화합물 144-3 (38g, 75 mmol)을 니트로벤젠(Nitrobenzene) 500 mL에 녹인 후, POCl3 (8 mL, 75 mmol)을 천천히 적가한다. 그 후 150 ℃에서 12시간 교반한다. 반응 완료 후 NaHCO3 수용액으로 반응 용액을 중성화 시킨다. 중성화 시킬 때 생성되는 고체를 필터한다. 고체를 MC / MeOH 재결정하여 목적화합물 144-2를 얻는다. (33g, 81%, white solid)
화합물 144-1의 제조
화합물 144-2 (38g, 80 mmol), 비스(피나콜라토)디보론(Bis(pinacolato)diboron)(21 g, 100 mmol), Pd(dba)2 (1g, 4 mmol), XPhos (1.3g, 8 mmol), KOAc (42 g, 429 mmol)을 1,4-dioxane 600 mL에 녹인 후 12 시간 동안 환류 한다. 반응 완료 후 반응액에 MC와 증류수를 넣어서 추출한다. 이후 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한다. 실리카 패스를 한 후 MeOH slurry 하여 화합물 144-1를 얻었다. (22g, 89%, pale pink solid)
화합물 144의 제조
화합물 144-1 (10 g, 18 mmol), 4-클로로-2,6-다이페닐피리미딘(4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine) (4.9 g, 18 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 100 mL : 20 mL : 20 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (1.2 g, 1 mmol) 와 K2CO3(7.5 g, 54 mol)를 넣고 12 시간 동안 환류한다. 반응 완료 후 생성된 고체를 필터 해서 화합물 144를 얻었다. (11.4g, 80%, white solid)
상기 제조예 4에서 4-클로로-2,6-다이페닐피리미딘(4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine) 대신 하기 표 7의 중간체 G를 사용한 것을 제외하고 상기 제조예 4와 동일한 방법으로 제조하여 목적화합물을 합성하였다.
Figure 112018111123169-pat00069
Figure 112018111123169-pat00070
상기 제조예 4에서 (4-클로로페닐)보론산((4-chlorophenyl)boronic acid)대신 (3-클로로페닐)보론산((3-chlorophenyl)boronic acid)를 사용하고, 4-클로로-2,6-다이페닐피리미딘(4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine) 대신 하기 표 8의 중간체 H를 사용한 것을 제외하고 상기 제조예 4와 동일한 방법으로 목적화합물을 합성하였다.
Figure 112018111123169-pat00071
Figure 112018111123169-pat00072
[ 제조예 5] 화합물 183의 제조
Figure 112018111123169-pat00073
화합물 183-7의 제조
(2-클로로페닐)보론산((2-chlorophenyl)boronic acid) (82g, 525 mmol), 2,4-디브로모-1-니트로벤젠(2,4-dibromo-1-nitrobenzene) (140g, 500 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 2000 mL: 400 mL: 400 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (29g, 25 mmol), K2CO3 (126g, 1500 mmol)을 넣고 4시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 183-7를 얻었다. (110g, 70%, green solid)
화합물 183-6의 제조
화합물 183-7 (110g, 352 mmol), 트리페닐 포스핀(Triphenyl phosphine) (277g, 1055 mmol)을 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobenzene) 1000 mL 에 녹인 후 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 1)를 이용하여 목적화합물 183-6을 얻었다. (78g, 79%, green solid)
화합물 183-5의 제조
화합물 183-6 (78g, 278 mmol), 아이오도벤젠(Iodobenzene) (85g, 417 mmol)을 1,4-디옥산(1,4-Dioxane) 800 mL 에 녹인 후 CuI (15g, 80 mmol), 트랜스-1,2-디아미노시클로헥산(trans-1,2-diaminocyclohexane) (9g, 80 mmol), K3PO4 (177g, 834 mmol)을 넣고 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 183-5를 얻었다. (84g, 85%, green solid)
화합물 183-4의 제조
화합물 183-5 (84g, 235 mmol), 2-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)아닐린 (2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline) (57g, 260 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 800 mL: 160 mL: 160 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (14g, 12 mmol), K2CO3 (97g, 705 mmol)을 넣고 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 183-4를 얻었다. (65g, 75%, brown solid)
화합물 183-3의 제조
화합물 183-4 (65g, 176 mmol), 트리에틸아민(Triethyl amine) (74 mL, 528 mmol)을 MC 900 mL에 넣고 녹인다. 벤조일 클로라이드(benzoyl chloride) ( 25g, 176 mmol) 을 MC 100 mL에 녹인 후, 0 ℃에서 천천히 혼합물에 적가한다. 반응 완료 후 반응액에 MC와 증류수를 넣어서 추출한다. 이후 무수 MgSO4로 건조시힌 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 EA/Hx으로 재결정하여 화합물 183-3 를 얻었다. (76 g, 92%, white solid)
화합물 183-2의 제조
화합물 183-3 (76g, 162 mmol)을 니트로벤젠(Nitrobenzene) 500 mL에 녹인 후, POCl3 (15 mL, 162 mmol)을 천천히 적가한다. 그 후 150 ℃에서 12시간 교반한다. 반응 완료 후 NaHCO3 수용액으로 반응 용액을 중성화 시킨다. 중성화 시킬 때 생성되는 고체를 필터한다. 고체를 MC / MeOH 재결정하여 목적화합물 183-2를 얻는다. (65g, 88%, white solid)
화합물 183-1의 제조
화합물 183-2 (65g, 143 mmol), 비스(피나콜라토)디보론(Bis(pinacolato)diboron)(54 g, 215 mmol), Pd(dba)2 (2g, 7 mmol), XPhos (2.5g, 14 mmol), KOAc (42 g, 429 mmol)을 1,4-dioxane 600 mL에 녹인 후 12 시간 동안 환류 한다. 반응 완료 후 반응액에 MC와 증류수를 넣어서 추출한다. 이후 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한다. 실리카 패스를 한 후 MeOH slurry 하여 화합물 183-1를 얻었다. (66g, 85%, pale pink solid)
화합물 183의 제조
화합물 183-1 (10 g, 18 mmol), 4-클로로-2,6-다이페닐피리미딘(4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine) (4.9 g, 18 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 100 mL : 20 mL : 20 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (1.2 g, 1 mmol) 와 K2CO3(7.5 g, 54 mol)를 넣고 12 시간 동안 환류한다. 반응 완료 후 생성된 고체를 필터 해서 화합물 183을 얻었다. (11.4g, 88%, white solid)
상기 제조예 5에서 2-클로로-4-(4-(디벤조[b,d]티오펜-4-일)페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4-(4-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)phenyl)-6-phenyl-1,3,5-triazine) 대신 하기 표 9의 중간체 I를 사용한 것을 제외하고 상기 제조예 5와 동일한 방법으로 합성하여 목적화합물을 합성하였다.
Figure 112018111123169-pat00074
Figure 112018111123169-pat00075
상기 제조예 5에서 (2-클로로페닐)보론산((2-chlorophenyl)boronic acid)대신 (3-클로로페닐)보론산((3-chlorophenyl)boronic acid)를 사용하고, 2-클로로-4-(4-(디벤조[b,d]티오펜-4-일)페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4-(4-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)phenyl)-6-phenyl-1,3,5-triazine) 대신 하기 표 10의 중간체 J를 사용한 것을 제외하고 상기 제조예 5와 동일한 방법으로 합성하여 목적화합물을 합성하였다.
Figure 112018111123169-pat00076
Figure 112018111123169-pat00077
Figure 112018111123169-pat00078
Figure 112018111123169-pat00079
상기 제조예 5에서 (2-클로로페닐)보론산((2-chlorophenyl)boronic acid)대신 (4-클로로페닐)보론산((4-chlorophenyl)boronic acid)를 사용하고, 2-클로로-4-(4-(디벤조[b,d]티오펜-4-일)페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4-(4-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)phenyl)-6-phenyl-1,3,5-triazine) 대신 하기 표 11의 중간체 K를 사용한 것을 제외하고 상기 제조예 5와 동일한 방법으로 목적화합물을 합성하였다.
Figure 112018111123169-pat00080
Figure 112018111123169-pat00081
[ 제조예 6] 화합물 262의 제조
Figure 112018111123169-pat00082
화합물 262-7의 제조
(2-클로로페닐)보론산((2-chlorophenyl)boronic acid) (82g, 525 mmol), 2,4-디브로모-1-니트로벤젠(2,4-dibromo-1-nitrobenzene) (140g, 500 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 2000 mL: 400 mL: 400 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (29g, 25 mmol), K2CO3 (126g, 1500 mmol)을 넣고 4시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 262-7를 얻었다. (110g, 70%, green solid)
화합물 262-6의 제조
화합물 262-7 (110g, 352 mmol), 트리페닐 포스핀(Triphenyl phosphine) (277g, 1055 mmol)을 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobenzene) 1000 mL 에 녹인 후 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 1)를 이용하여 목적화합물 262-6을 얻었다. (78g, 79%, green solid)
화합물 262-5의 제조
화합물 262-6 (78g, 278 mmol), 아이오도벤젠(Iodobenzene) (85g, 417 mmol)을 1,4-디옥산(1,4-Dioxane) 800 mL 에 녹인 후 CuI (15g, 80 mmol), 트랜스-1,2-디아미노시클로헥산(trans-1,2-diaminocyclohexane) (9g, 80 mmol), K3PO4 (177g, 834 mmol)을 넣고 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 262-5를 얻었다. (84g, 85%, green solid)
화합물 262-4의 제조
화합물 262-5 (84g, 235 mmol), 2-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)아닐린 (2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline) (57g, 260 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 800 mL: 160 mL: 160 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (14g, 12 mmol), K2CO3 (97g, 705 mmol)을 넣고 12시간 동안 환류 시킨다. 반응 완료 후 실온으로 식혀 MC 추출한다. 무수 MgSO4로 건조 시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거 한다. 컬럼크로마토그래피(MC : Hx = 1 : 3)를 이용하여 목적화합물 262-4를 얻었다. (65g, 75%, brown solid)
화합물 262-3의 제조
화합물 262-4 (65g, 176 mmol), 트리에틸아민(Triethyl amine) (74 mL, 528 mmol)을 MC 900 mL에 넣고 녹인다. 벤조일 클로라이드(benzoyl chloride) ( 25g, 176 mmol) 을 MC 100 mL에 녹인 후, 0 ℃에서 천천히 혼합물에 적가한다. 반응 완료 후 반응액에 MC와 증류수를 넣어서 추출한다. 이후 무수 MgSO4로 건조시힌 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 EA/Hx으로 재결정하여 화합물 262-3 를 얻었다. (76 g, 92%, white solid)
화합물 262-2의 제조
화합물 262-3 (76g, 162 mmol)을 니트로벤젠(Nitrobenzene) 500 mL에 녹인 후, POCl3 (15 mL, 162 mmol)을 천천히 적가한다. 그 후 150 ℃에서 12시간 교반한다. 반응 완료 후 NaHCO3 수용액으로 반응 용액을 중성화 시킨다. 중성화 시킬 때 생성되는 고체를 필터한다. 고체를 MC / MeOH 재결정하여 목적화합물 262-2를 얻는다. (65g, 88%, white solid)
화합물 262-1의 제조
화합물 262-2 (65g, 143 mmol), 비스(피나콜라토)디보론(Bis(pinacolato)diboron)(54 g, 215 mmol), Pd(dba)2 (2g, 7 mmol), XPhos (2.5g, 14 mmol), KOAc (42 g, 429 mmol)을 1,4-dioxane 600 mL에 녹인 후 12 시간 동안 환류 한다. 반응 완료 후 반응액에 MC와 증류수를 넣어서 추출한다. 이후 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한다. 실리카 패스를 한 후 MeOH slurry 하여 화합물 262-1를 얻었다. (66g, 85%, pale pink solid)
화합물 262의 제조
화합물 262-1 (10 g, 18 mmol), 4-클로로-2,6-다이페닐피리미딘(4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine) (4.9 g, 18 mmol)을 톨루엔(Toluene), EtOH, H2O 100 mL : 20 mL : 20 mL 에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (1.2 g, 1 mmol) 와 K2CO3(7.5 g, 54 mol)를 넣고 12 시간 동안 환류한다. 반응 완료 후 생성된 고체를 필터 해서 화합물 262를 얻었다. (11.4g, 81%, white solid)
상기 제조예 6에서 9-(3-(4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)페닐)-9H-카바졸(9-(3-(4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl)-9H-carbazole) 대신 하기 표 12의 중간체 L를 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 6과 동일한 방법으로 목적화합물을 합성하였다.
Figure 112018111123169-pat00083
Figure 112018111123169-pat00084
상기 제조예 6에서 (2-클로로페닐)보론산((2-chlorophenyl)boronic acid)대신 (3-클로로페닐)보론산((3-chlorophenyl)boronic acid)를 사용하고, 9-(3-(4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)페닐)-9H-카바졸(9-(3-(4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl)-9H-carbazole) 대신 하기 표 13의 중간체 M를 사용한 것을 제외하고 상기 제조예 6와 동일한 방법으로 목적화합물을 합성하였다.
Figure 112018111123169-pat00085
Figure 112018111123169-pat00086
Figure 112018111123169-pat00087
상기 제조예 6에서 (2-클로로페닐)보론산((2-chlorophenyl)boronic acid)대신 (4-클로로페닐)보론산((4-chlorophenyl)boronic acid)를 사용하고, 9-(3-(4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)페닐)-9H-카바졸(9-(3-(4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl)-9H-carbazole) 대신 하기 표 14의 중간체 N를 사용한 것을 제외하고 상기 제조예 6와 동일한 방법으로 목적화합물을 합성하였다.
Figure 112018111123169-pat00088
Figure 112018111123169-pat00089
상기 제조예 1 내지 6 및 표 1 내지 14에 기재된 화합물 이외의 화합물도 상기 제조예 1 내지 6 및 표 1 내지 14에 기재된 화합물들과 같은 방법으로 화합물을 제조하고, 그 합성확인결과를 하기 표 15 및 표 16에 나타내었다.
화합물 1H NMR(CDCl3, 400Mz)
1 δ = 8.30-8.28(m, 6H), 8.18(d, 1H), 8.06-7.92(m, 4H), 7.78(t, 2H), 7.60-7.41(m,16H)
5 δ = 8.30-8.28(m, 6H), 8.23(s, 1H), 8.18(d, 1H), 7.99(d, 2H), 7.92-7.77(m, 7H), 7.66-7.32(m, 17H), 7.25(d, 2H)
12 δ = 8.30-8.28(m, 6H), 8.24(d, 1H), 8.18(d, 1H), 8.06-7.92(m, 4H), 7.77(t, 2H), 7.70(s, 2H), 7.60-7.41(m, 21H)
13 δ = 8.30-8.23(m, 7H), 8.18(d, 1H), 8.06-7.92(m, 4H), 7.85-7.77(m, 6H), 7.70(s, 1H), 7.60-7.41(m, 19H)
19 δ = 8.30(d, 2H), 8.18(d, 1H), 8.06-7.98(m, 3H), 7.92(d, 1H), 7.83-7.77(m, 10H), 7.70(s, 1H), 7.60-7.45(m, 19H)
24 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.23(m, 5H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.92(d, 1H), 7.78(t, 3H), 7.60-7.41(m,17H)
26 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.24(m, 7H), 8. 08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.92(d, 1H), 7.78(t, 1H), 7.70(s, 1H), 7.60-7.41(m,19H)
29 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.23(m, 5H), 8. 08(d, 2H), 7.79-7.70(m, 5H), 7.60-7.41(m,19H)
35 δ = 8.55(d, 2H), 8.49(d, 1H), 8.30-8.24(m, 6H), 8.06-7.92(m, 6H), 7.78(t, 1H), 7.60-7.41(m, 19H)
40 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.21(m, 6H), 8.10-8.06(m, 5H), 7.98(d, 1H), 7.92(d, 1H), 7.80(t, 2H), 7.62-7.47(m, 16H), 7.35(d, 2H)
43 δ = 8.51-8.41(m, 3H), 8.29(d, 4H), 8.19(d, 2H), 8.06(d, 1H), 7.98-7.85(m, 5H), 7.78(d, 1H), 7.60-7.41(m, 16H), 7.31-7.25(m, 3H)
45 δ = 8.55-8.49(m, 3H), 8.30-8.23(m, 5H), 8.12(d, 1H), 8.06(d, 1H), 7.98-7.92(m, 3H), 7.78(t, 3H), 7.68-7.41(m, 17H), 7.33-7.25(m, 4H)
51 δ = 8.51(d, 1H), 8.30-8.28(m, 7H), 8.06(d, 1H), 7.98-7.85(m, 4H), 7.78(t, 1H), 7.60-7.45(m, 10H), 7.31-7.25(m, 7H)
54 δ = 8.51(d, 1H), 8.30-8.23(m, 5H), 8.06(d, 1H), 7.96(d, 2H), 7.79(d, 5H), 7.70(s, 1H), 7.60-7.41(m, 18H), 7.31-7.25(m, 5H)
57 δ = 8.51(d, 1H), 8.34-8.23(m, 7H), 8.06(d, 1H), 7.98-7.87(m, 5H), 7.79-7.73(m, 4H), 7.60-7.41(m, 17H), 7.31(t, 1H)
64 δ = 8.30-8.22(m, 6H), 8.06(d, 1H), 7.98(d, 1H), 7.89(d, 2H), 7.79(td, 3H), 7.71(s, 1H), 7.60-7.41(m, 16H)
66 δ = 8.30-8.28(m, 6H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.90-7.78(m, 5H), 7.71(s, 1H), 7.60-7.41(m, 18H)
70 δ = 8.30(d, 2H), 8.23(s, 1H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.90--7.71(m, 10H), 7.60-7.41(m, 16H), 7.25(d, 2H)
76 δ = 9.09(s, 1H), 8.49(d, 1H), 8.30-8.28(m, 6H), 8.08(d, 2H), 7.98-7.87(m, 5H), 7.78-7.71(m, 3H), 7.60-7.41(m, 18H)
78 δ = 9.30(d, 2H), 9.15(s, 2H), 8.53(d, 2H), 8.30(d, 2H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.88(d, 2H), 7.78-7.71(m, 4H), 7.60-7.39(m, 10H), 7.25(d, 4H), 7.14(t, 2H)
82 δ = 8.55(d, 1H), 8.30-8.28(m, 5H), 8.18-7.94(m, 7H), 7.87(s, 1H), 7.78(t, 2H), 7.71(s, 1H), 7.63-7.41(m, 16H), 7.33-7.25(m, 3H)
87 δ = 8.30-8.18(m, 6H), 8.06-7.98(m, 3H), 7.87-7.77(m, 5H), 7.71(s, 2H), 7.60-7.41(m, 19H), 7.25(d, 2H)
89 δ = 8.30-8.18(m, 6H), 8.06-7.98(m, 3H), 7.87(s, 1H), 7.79-7.70(m, 7H), 7.60-7.41(m, 17H)
93 δ = 8.30-8.18(m, 8H), 8.06-7.98(m, 3H), 7.87-7.77(m, 7H), 7.70(s, 2H), 7.60-7.41(m, 18H)
99 δ = 8.30(d, 2H), 8.18(d, 1H), 8.08-7.98(m, 3H), 7.87-7.70(m, 13H), 7.60-7.41(m, 18H)
103 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.28(m, 4H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.87-7.71(m, 7H), 7.66-7.41(m, 14H), 7.38-7.25(m, 5H)
106 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.24(m, 5H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.87(s, 1H), 7.78-7.70(m, 3H), 7.60-7.41(m, 18H)
112 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.24(m, 7H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.87(s, 1H), 7.78-7.70(m, 4H), 7.60-7.41(m, 20H)
114 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.23(m, 4H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.87(s, 1H), 7.79-7.70(m, 7H), 7.60-7.41(m, 18H), 7.25(d, 4H)
119 δ = 8.49(d, 1H), 8.30(d, 2H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.87-7.71(m, 11H), 7.62-7.41(m, 16H)
122 δ = 8.53(d, 2H), 8.30-8.28(m, 5H), 8.18-8.06(m, 4H), 7.96(d, 2H), 7.87(s, 1H), 7.78(t, 1H), 7.71(s, 1H), 7.60-7.41(m, 16H), 7.33-7.25(m, 4H)
128 δ = 8.51(d, 1H), 8.30-8.23(m, 8H), 8.06(d, 1H), 7.98(d, 1H), 7.87(s, 1H), 7.78-7.70(m, 6H), 7.60-7.41(m, 14H), 7.31(t, 1H)
130 δ = 8.51(d, 1H), 8.30(d, 3H), 8.23(s, 1H), 8.06(d, 1H), 7.98(d, 1H), 7.87(s, 1H), 7.78-7.71(m, 8H), 7.60-7.41(m, 15H), 7.31-7.25(m, 3H)
135 δ = 8.55-8.51(m, 3H), 8.29(d, 7H), 8.06-7.98(m, 4H), 7.87(s, 1H), 7.78(t, 1H), 7.71(s, 1H), 7.60-7.41(m, 17H), 7.31(t, 1H)
137 δ = 8.51(d, 1H), 8.31-8.23(m, 7H), 8.06(d, 1H), 7.98-7.87(m, 5H), 7.79-7.71(m, 5H), 7.60-7.41(m, 15H), 7.31(t, 1H)
144 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.23(m, 5H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.79-7.76(m, 5H), 7.62-7.41(m, 17H)
147 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.24(m, 6H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.78-7.70(m, 4H), 7.62-7.41(m, 23H)
151 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.24(m, 6H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.85-7.76(m, 4H), 7.62-7.41(m, 17H), 7.25(d, 6H)
154 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.24(m, 4H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.79-7.70(m, 7H), 7.62-7.41(m, 19H), 7.25(d, 4H)
157 δ = 8.49(d, 1H), 8.34-8.23(m, 6H), 8.08(d, 2H), 7.98-7.87(m, 4H), 7.79-7.73(m, 5H), 7.62-7.41(m, 18H)
161 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.24(m, 6H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.78-7.70(m, 4H), 7.62-7.41(m, 23H)
166 δ = 8.51(d, 1H), 8.30-8.28(m, 7H), 8.06(d, 1H), 7.98(d, 1H), 7.85-7.76(m, 4H), 7.60-7.41(m, 18H), 7.31(t, 1H)
171 δ = 8.51(d, 1H), 8.30-8.28(m, 7H), 8.06(d, 1H), 7.98(d, 1H), 7.85-7.70(m, 5H), 7.60-7.41(m, 19H), 7.31-7.25(m, 3H)
176 δ = 9.09(s, 1H), 8.50(d, 2H), 8.30-8.28(m, 7H), 8.06(d, 1H), 7.98-7.92(m, 3H), 7.78-7.73(m, 3H), 7.60-7.41(m, 17H), 7.31(t, 1H)
180 δ = 8.51(d, 1H), 8.30-8.21(m, 7H), 8.08(d, 4H), 7.98(d, 1H), 7.81-7.76(m, 3H), 7.60-7.41(m, 15H), 7.35-7.31(m, 3H)
183 δ = 8.43(d, 2H), 8.29(dd, 4H), 8.20(d, 1H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.90-7.78(m, 5H), 7.71(s, 1H), 7.60-7.39(m, 16H), 7.25(d, 2H)
187 δ = 8.30-8.24(m, 6H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.90(d, 1H), 7.87(s, 1H), 7.78(t, 1H), 7.71(s, 3H), 7.60-7.39(m, 22H)
192 δ = 8.30-8.24(m, 7H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.90(d, 1H), 7.87(s, 1H), 7.78(t, 1H), 7.71(s, 3H), 7.60-7.39(m, 21H)
196 δ = 9.09(s, 1H), 8.49(d, 1H), 8.30-8.28(m, 6H), 8.08(d, 2H), 7.98-7.87(m, 5H), 7.78-7.71(m, 3H), 7.60-7.41(m, 17H)
199 δ = 8.30(d, 2H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.90-7.70(m, 13H), 7.60-7.39(m, 19H)
204 δ = 8.30-8.23(m, 5H), 8.18(d, 1H), 8.00-7.98(m, 3H), 7.87(s, 1H), 7.78(m, 4H), 7.71(s, 1H), 7.60-7.41(m, 15H)
207 δ = 8.30-8.18(m, 6H), 8.00-7.98(m, 3H), 7.85-7.78(m, 5H), 7.71(s, 2H), 7.60-7.41(m, 19H), 7.25(d, 2H)
210 δ = 8.30-8.18(m, 5H), 8.00-7.98(m, 3H), 7.87(s, 1H), 7.77(m, 6H), 7.71(s, 2H), 7.60-7.41(m, 17H)
215 δ = 8.55(d, 2H), 8.30-8.28(m, 6H), 8.18(d, 1H), 8.06-7.98(m, 5H), 7.87(s, 1H), 7.77(t, 2H), 7.71(s, 1H), 7.60-7.41(m, 17H)
218 δ = 9.30(d, 2H), 9.15(s, 2H), 8.53(d, 2H), 8.30 (d, 2H), 8.18(d, 1H), 8.06-7.98(m, 3H), 7.87(s, 1H), 7.78-7.70(m, 5H), 7.60-7.45(m, 12H), 7.14(t, 2H)
222 δ = 8.55(d, 1H), 8.49(d, 1H), 8.30-8.28(m, 5H), 8.12-8.06(m, 4H), 7.96(d, 2H), 7.87(s, 1H), 7.78(t, 1H), 7.71(s, 1H), 7.63-7.41(m, 17H), 7.33-7.25(m, 3H)
228 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.23(m, 9H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.87-7.78(m, 6H), 7.71(s, 1H), 7.62-7.41(m, 18H)
230 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.23(m, 4H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.87(s, 1H), 7.79(td, 5H), 7.71(s, 2H), 7.62-7.41(m, 18H)
235 δ = 8.55(d, 2H), 8.49(d, 1H), 8.30(d, 6H), 8.10-7.98(m, 5H), 7.87(s, 1H), 7.78(t, 1H), 7.71(s, 1H), 7.62-7.41(m, 18H)
239 δ = 8.49(d, 1H), 8.30(d, 2H), 8.08(d, 2H), 7.98(d, 1H), 7.87-7.71(m, 11H), 7.62-7.41(m, 16H)
244 δ = 8.50(d, 2H), 8.30-8.23(m, 5H), 8.06(d, 1H), 7.98(d, 1H), 7.87(s, 1H), 7.79(td, 3H), 7.71(s, 1H), 7.62-7.41(m, 15H), 7.31(t, 1H)
248 δ = 8.51(d, 1H), 8.30-8.23(m, 8H), 8.06(d, 1H), 7.98(d, 1H), 7.87-7.71(m, 7H), 7.60-7.41(m, 19H), 7.31(t, 1H)
252 δ = 8.51(d, 1H), 8.30-8.24(m, 8H), 8.06(d, 1H), 7.98(d, 1H), 7.87(s, 1H), 7.78(t, 1H), 7.70(s, 3H), 7.60-7.41(m, 20H), 7.31(t, 1H)
256 δ = 9.09(s, 1H), 8.50(d, 2H), 8.29(m, 7H), 8.06(d, 1H), 7.98-7.87(m, 4H), 7.78-7.71(m, 3H), 7.60-7.41(m, 16H), 7.31(t, 1H)
260 δ = 8.51(d, 1H), 8.30-8.21(m, 7H), 8.08(dd, 4H), 7.98(d, 1H), 7.87(s, 1H), 7.79(t, 2H), 7.71(s, 1H), 7.60-7.41(m, 14H), 7.35-7.31(m, 3H)
262 δ = 8.55(d, 1H), 8.30-8.28(m, 5H), 8.08(d, 3H), 7.98-7.92(m, 4H), 7.78(t, 1H), 7.63-7.39(m, 18H), 7.33-7.25(m, 3H)
265 δ = 8.55(d, 1H), 8.30-8.22(m, 6H), 8.08(d, 2H), 7.98-7.90(m, 3H), 7.79(td, 3H), 7.68-7.39(m, 18H), 7.33-7.25(m, 3H)
271 δ = 8.30-8.28(m, 6H), 8.08(d, 2H), 7.98-7.85(m, 4H), 7.78(t, 1H), 7.68-7.39(m, 17H), 7.25(d, 6H)
274 δ = 8.30(d, 2H), 8.24(d, 2H), 8.08(d, 2H), 7.98-7.90(m, 3H), 7.78(td, 4H), 7.70(s, 1H), 7.58-7.39(m, 19H), 7.25(d, 4H)
279 δ = 8.30(d, 2H), 8.08(d, 2H), 7.98-7.78(m, 12H), 7.58-7.39(m, 17H)
283 δ = 8.30-8.18(m, 6H), 8.06-7.77(m, 9H), 7.70-7.41(m, 20H)
286 δ = 8.30-8.18(m, 8H), 8.06-7.92(m, 4H), 7.78(t, 2H), 7.70(s, 1H), 7.58-7.41(m, 18H)
289 δ = 8.30-8.18(m, 5H), 8.06-7.78(m, 10H), 7.58-7.41(m, 18H)
294 δ = 8.30-8.18(m, 5H), 8.06-7.92(m, 4H), 7.78(t, 6H), 7.70(s, 1H), 7.58-7.41(m, 18H), 7.25(d, 4H)
297 δ = 8.34-8.18(m, 7H), 8.06-7.79(m, 12H), 7.58-7.41(m, 17H)
304 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.23(m, 5H), 8.08(d, 2H), 7.95(d, 2H), 7.79(td, 3H), 7.62-7.39(m, 17H)
307 δ = 8.49(d, 1H), 8.30-8.24(m, 5H), 8.08(d, 2H), 7.98-7.78(m, 5H), 7.70(s, 1H), 7.62-7.41(m, 21H), 7.25(d, 2H)
310 δ = 8.49(d, 1H), 8.30(d, 2H), 8.23(s, 1H), 8.08(d, 2H), 7.98-7.78(m, 9H), 7.62-7.41(m, 19H)
315 δ = 8.55(d, 2H), 8.49(d, 1H), 8.29(d, 6H), 8.10-7.98(m, 6H), 7.78(t, 1H), 7.62-7.41(m, 19H)
318 δ = 9.30(d, 2H), 9.15(s, 2H), 8.53(d, 2H), 8.49(d, 1H), 8.30 (d, 2H), 8.08(d, 2H), 7.95(d, 2H), 7.78-7.70(m, 4H), 7.62-7.47(m, 16H), 7.14(t, 2H)
323 δ = 8.51(d, 1H), 8.29(d, 4H), 8.18(d, 1H), 8.06(d, 1H), 7.98-7.78(m, 7H), 7.60-7.41(m, 18H), 7.31-7.25(m, 3H)
326 δ = 8.51(d, 1H), 8.30-8.28(m, 7H), 8.06(d, 1H), 7.98-7.78(m, 5H), 7.60-7.41(m, 18H), 7.31(t, 1H)
330 δ = 8.51(d, 1H), 8.30(d, 3H), 8.23(s, 1H), 8.06(d, 1H), 7.98-7.78(m, 9H), 7.60-7.41(m, 16H), 7.31-7.25(m, 3H)
335 δ = 8.55(d, 2H), 8.51(d, 1H), 8.30-8.28(m, 7H), 8.06-7.78(m, 5H), 7.78(t, 1H), 7.60-7.41(m, 18H), 7.31(t, 1H)
339 δ = 8.51(d, 1H), 8.30(d, 3H), 8.06(d, 1H), 7.95(d, 2H), 7.83-7.78(m, 9H), 7.60-7.41(m, 16H), 7.31(t, 1H)
화합물 FD-Mass 화합물 FD-Mass
1 m/z= 651.76(C46H29N5= 651.24) 2 m/z= 816.95
(C58H36N6 = 816.30)
3 m/z= 834.00(C58H35N5S= 833.26) 4 m/z= 650.77
(C47H30N4= 650.25)
5 m/z= 816.94(C59H36N4O= 816.29) 6 m/z= 727.85
(C52H33N5= 727.27)
7 m/z= 803.95(C58H37N5= 803.30) 8 m/z= 803.95
(C58H37N5= 803.30)
9 m/z= 726.86(C53H34N4= 726.28) 10 m/z= 726.86
(C53H34N4= 726.28)
11 m/z= 803.95(C58H37N5= 803.30) 12 m/z= 803.95
(C58H37N5= 803.30)
13 m/z= 802.96(C59H38N4= 802.31) 14 m/z= 802.96
(C59H38N4= 802.31)
15 m/z= 777.91(C56H35N5= 777.29) 16 m/z= 777.91
(C56H35N5= 777.29)
17 m/z= 776.92(C57H36N4= 776.29) 18 m/z= 727.85
(C52H33N5= 727.27)
19 m/z= 772.87(C55H37N2OP= 772.26) 20 m/z= 750.89
(C55H34N4= 750.28)
21 m/z= 651.76(C46H29N5= 651.24) 22 m/z= 816.95
(C58H36N6 = 816.30)
23 m/z= 834.00(C58H35N5S= 833.26) 24 m/z= 650.77
(C47H30N4= 650.25)
25 m/z= 815.96(C59H37N5= 815.30) 26 m/z= 727.85
(C52H33N5= 727.27)
27 m/z= 803.95(C58H37N5= 803.30) 28 m/z= 802.96
(C59H37N4= 802.31)
29 m/z= 726.86(C53H34N4= 726.28) 30 m/z= 726.86
(C53H34N4= 726.28)
31 m/z= 803.95(C58H37N5= 803.30) 32 m/z= 803.95
(C58H37N5= 803.30)
33 m/z= 802.96(C59H37N4= 802.31) 34 m/z= 802.96
(C59H37N4= 802.31)
35 m/z= 777.91(C56H35N5= 777.29) 36 m/z= 777.91
(C56H35N5= 777.29)
37 m/z= 776.92(C57H36N4= 776.29) 38 m/z= 727.85
(C52H33N5= 727.27)
39 m/z= 772.87(C55H37N2OP= 772.26) 40 m/z= 750.89
(C55H34N4= 750.28)
41 m/z= 651.76(C46H29N5= 651.24) 42 m/z= 816.95
(C58H36N6 = 816.30)
43 m/z= 834.00(C58H35N5S= 833.26) 44 m/z= 650.77
(C47H30N4= 650.25)
45 m/z= 815.96(C59H37N5= 815.30) 46 m/z= 727.85
(C52H33N5= 727.27)
47 m/z= 803.95(C58H37N5= 803.30) 48 m/z= 802.96
(C59H37N4= 802.31)
49 m/z= 726.86(C53H34N4= 726.28) 50 m/z= 726.86
(C53H34N4= 726.28)
51 m/z= 803.95(C58H37N5= 803.30) 52 m/z= 803.95
(C58H37N5= 803.30)
53 m/z= 802.96(C59H37N4= 802.31) 54 m/z= 802.96
(C59H37N4= 802.31)
55 m/z= 777.91(C56H35N5= 777.29) 56 m/z= 777.91
(C56H35N5= 777.29)
57 m/z= 776.92(C57H36N4= 776.29) 58 m/z= 727.85
(C52H33N5= 727.27)
59 m/z= 772.87(C55H37N2OP= 772.26) 60 m/z= 750.89
(C55H34N4= 750.28)
61 m/z= 651.76(C46H29N5= 651.24) 62 m/z= 816.95
(C58H36N6 = 816.30)
63 m/z= 834.00(C58H35N5S= 833.26) 64 m/z= 650.77
(C47H30N4= 650.25)
65 m/z= 815.96(C59H37N5= 815.30) 66 m/z= 727.85
(C52H33N5= 727.27)
67 m/z= 803.95(C58H37N5= 803.30) 68 m/z= 802.96
(C59H37N4= 802.31)
69 m/z= 726.86(C53H34N4= 726.28) 70 m/z= 726.86
(C53H34N4= 726.28)
71 m/z= 803.95(C58H37N5= 803.30) 72 m/z= 803.95
(C58H37N5= 803.30)
73 m/z= 802.96(C59H37N4= 802.31) 74 m/z= 802.96
(C59H37N4= 802.31)
75 m/z= 777.91(C56H35N5= 777.29) 76 m/z= 777.91
(C56H35N5= 777.29)
77 m/z= 776.92(C57H36N4= 776.29) 78 m/z= 727.85
(C52H33N5= 727.27)
79 m/z= 772.87(C55H37N2OP= 772.26) 80 m/z= 750.89
(C55H34N4= 750.28)
81 m/z= 651.76(C46H29N5= 651.24) 82 m/z= 816.95
(C58H36N6 = 816.30)
83 m/z= 817.93(C58H35N5O= 817.28) 84 m/z= 650.77
(C47H30N4= 650.25)
85 m/z= 815.96(C59H37N5= 815.30) 86 m/z= 727.85
(C52H33N5= 727.27)
87 m/z= 803.95(C58H37N5= 803.30) 88 m/z= 802.96
(C59H37N4= 802.31)
89 m/z= 726.86(C53H34N4= 726.28) 90 m/z= 726.86
(C53H34N4= 726.28)
91 m/z= 803.95(C58H37N5= 803.30) 92 m/z= 803.95
(C58H37N5= 803.30)
93 m/z= 802.96(C59H37N4= 802.31) 94 m/z= 802.96
(C59H37N4= 802.31)
95 m/z= 777.91(C56H35N5= 777.29) 96 m/z= 777.91
(C56H35N5= 777.29)
97 m/z= 776.92(C57H36N4= 776.29) 98 m/z= 727.85
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329 m/z= 726.86(C53H34N4= 726.28) 330 m/z= 726.86
(C53H34N4= 726.28)
331 m/z= 803.95(C58H37N5= 803.30) 332 m/z= 803.95
(C58H37N5= 803.30)
333 m/z= 802.96(C59H37N4= 802.31) 334 m/z= 802.96
(C59H37N4= 802.31)
335 m/z= 777.91(C56H35N5= 777.29) 336 m/z= 777.91
(C56H35N5= 777.29)
337 m/z= 776.92(C57H36N4= 776.29) 338 m/z= 727.85
(C52H33N5= 727.27)
339 m/z= 696.77(C49H33N2OP= 696.23) 340 m/z= 750.89
(C55H34N4= 750.28)
341 m/z= 751.87(C54H33N5= 751.27) 342 m/z= 854.01
(C62H39N5= 853.32)
343 m/z= 866.02(C63H39N5= 865.32) 344 m/z= 750.89
(C55H34N4= 750.28)
345 m/z= 777.91(C56H35N5= 777.29) 346 m/z= 853.02
(C63H40N4= 852.33)
347 m/z= 826.98(C61H38N4= 826.31) 348 m/z= 751.87
(C54H33N5= 751.27)
349 m/z= 827.97(C60H37N5= 827.30) 350 m/z= 776.92
(C57H36N4= 776.29)
351 m/z= 827.97(C60H37N5= 827.30) 352 m/z= 867.99
(C62H37N5O= 867.30)
353 m/z= 827.97(C60H37N5= 827.30) 354 m/z= 777.91
(C56H35N5= 777.29)
355 m/z= 853.02(C63H40N4= 852.33) 356 m/z= 827.97
(C60H37N5= 827.30)
357 m/z= 854.01(C62H39N5= 853.32) 358 m/z= 746.83
(C53H35N2OP= 746.25)
359 m/z= 884.06(C62H37N5S= 883.28) 360 m/z= 800.94
(C59H36N4= 800.29)
361 m/z= 751.87(C54H33N5= 751.27) 362 m/z= 853.02
(C63H40N4= 852.33)
363 m/z= 866.02(C63H39N5= 865.32) 364 m/z= 854.01
(C62H39N5= 853.32)
365 m/z= 776.92(C57H36N4= 776.29) 366 m/z= 854.01
(C62H39N5= 853.32)
367 m/z= 884.06(C62H37N5S= 883.28) 368 m/z= 827.97
(C60H37N5= 827.30)
369 m/z= 777.91(C56H35N5= 777.29) 370 m/z= 796.89
(C57H37N2OP= 796.26)
371 m/z= 777.91(C56H35N5= 777.29) 372 m/z= 800.94
(C59H36N4= 800.29)
373 m/z= 777.91(C56H35N5= 777.29) 374 m/z= 826.98
(C61H38N4= 826.31)
[실험 예]
<실험 예 1>
유기 발광 소자의 제작
OLED용 글래스(삼성-코닝사 제조)로부터 얻어진 투명전극 인듐틴옥사이드(ITO, Indium Tin Oxide) 박막을 트리클로로에틸렌, 아세톤, 에탄올, 증류수를 순차적으로 사용하여 각 5분간 초음파 세척을 실시한 후, 이소프로판올에 넣어 보관한 후 사용하였다.
다음으로 진공 증착 장비의 기판 폴더에 ITO 기판을 설치하고, 진공 증착 장비 내의 셀에 하기 4,4',4"-트리스(N,N-(2-나프틸)-페닐아미노)트리페닐 아민 (4,4',4"-tris(N,N-(2-naphthyl)-phenylamino)triphenyl amine: 2-TNATA)을 넣었다.
Figure 112018111123169-pat00090
이어서 챔버 내의 진공도가 10-6 torr에 도달할 때까지 배기시킨 후, 셀에 전류를 인가하여 2-TNATA를 증발시켜 ITO 기판 상에 600Å 두께의 정공 주입층을 증착하였다.
진공 증착 장비 내의 다른 셀에 하기 N,N'-비스(α-나프틸)-N,N'-디페닐-4,4'-디아민(N,N'-bis(α-naphthyl)-N,N'-diphenyl-4,4'-diamine: NPB)을 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 정공 주입층 위에 300Å 두께의 정공 수송층을 증착하였다.
Figure 112018111123169-pat00091
이와 같이 정공 주입층 및 정공 수송층을 형성시킨 후, 그 위에 발광층으로서 다음과 같은 구조의 청색 발광 재료를 증착시켰다. 구체적으로, 진공 증착 장비 내의 한쪽 셀에 청색 발광 호스트 재료인 H1을 200Å 두께로 진공 증착시키고 그 위에 청색 발광 도판트 재료인 D1을 호스트 재료 대비 5% 진공 증착시켰다.
Figure 112018111123169-pat00092
Figure 112018111123169-pat00093
이어서 전자 수송층으로서 하기 표 17의 화합물을 300Å 두께로 증착하였다.
전자 주입층으로 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 10Å 두께로 증착하였고 Al 음극을 1,000Å의 두께로 하여 OLED 소자를 제작하였다.
한편, OLED 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10-6~10-8 torr 하에서 진공 승화 정제하여 OLED 제작에 사용하였다
본 발명에 따라 제조된 청색 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율, 색좌표(CIE), 수명을 측정한 결과는 표 17과 같았다.
화합물 구동전압
(V)		 발광효율
(cd/A)		 CIE
(x, y)		 수명
(T95)
비교예 1-1 E1 5.58 5.93 (0.134, 0.100) 28
비교예 1-2 E2 5.64 5.58 (0.134, 0.105) 21
비교예 1-3 E3 5.60 5.67 (0.134, 0.104) 20
비교예 1-4 E4 5.67 5.66 (0.134, 0.106) 21
비교예 1-5 E5 5.33 6.12 (0.134, 0.099) 30
비교예 1-6 E6 5.23 6.08 (0.134, 0.098) 31
실시예 1 1 5.44 6.47 (0.134, 0.102) 36
실시예 2 5 4.47 6.87 (0.134, 0.100) 40
실시예 3 12 4.67 6.64 (0.129, 0.100) 38
실시예 4 13 4.82 6.55 (0.130, 0.099) 36
실시예 5 19 4.44 6.97 (0.134, 0.101) 40
실시예 6 24 4.61 6.89 (0.134, 0.103) 40
실시예 7 26 5.35 6.30 (0.134, 0.102) 33
실시예 8 29 5.62 5.95 (0.134, 0.103) 42
실시예 9 35 5.40 6.12 (0.134, 0.101) 39
실시예 10 40 5.50 5.89 (0.134, 0.100) 41
실시예 11 43 5.44 6.01 (0.134, 0.101) 36
실시예 12 45 5.34 6.58 (0.134, 0.100) 45
실시예 13 51 5.38 6.93 (0.134, 0.100) 43
실시예 14 54 4.91 6.32 (0.134, 0.100) 41
실시예 15 57 4.98 6.44 (0.134, 0.100) 40
실시예 16 64 5.62 6.38 (0.134, 0.100) 35
실시예 17 66 5.66 6.04 (0.131, 0.102) 30
실시예 18 70 5.40 6.49 (0.134, 0.101) 31
실시예 19 76 5.60 6.22 (0.129, 0.100) 29
실시예 20 78 4.70 6.01 (0.134, 0.101) 36
실시예 21 82 5.40 6.12 (0.134, 0.103) 44
실시예 22 87 5.60 6.21 (0.134, 0.102) 43
실시예 23 89 5.45 6.22 (0.134, 0.101) 37
실시예 24 93 5.39 5.95 (0.134, 0.102) 33
실시예 25 99 4.96 5.95 (0.134, 0.101) 42
실시예 26 103 4.91 6.13 (0.134, 0.101) 39
실시예 27 106 4.91 5.85 (0.134, 0.100) 41
실시예 28 112 4.98 6.38 (0.134, 0.101) 42
실시예 29 114 5.62 6.20 (0.134, 0.100) 45
실시예 30 119 4.72 6.12 (0.134, 0.100) 43
실시예 31 122 4.91 6.21 (0.134, 0.101) 41
실시예 32 128 4.96 6.10 (0.134, 0.100) 36
실시예 33 130 5.30 6.20 (0.134, 0.101) 40
실시예 34 135 5.22 6.03 (0.134, 0.101) 43
실시예 35 137 4.90 6.81 (0.134, 0.101) 56
실시예 36 144 4.88 6.82 (0.134, 0.102) 57
실시예 37 147 4.74 6.75 (0.134, 0.101) 51
실시예 38 151 4.81 6.82 (0.134, 0.102) 53
실시예 39 154 5.16 6.20 (0.134, 0.101) 38
실시예 40 157 5.15 6.42 (0.134, 0.102) 39
실시예 41 161 5.31 6,30 (0.134, 0.103) 37
실시예 42 166 4.82 6.35 (0.134, 0.100) 50
실시예 43 171 4.91 6.12 (0.134, 0.101) 42
실시예 44 176 4.98 6.51 (0.134, 0.101) 39
실시예 45 180 5.62 6.21 (0.134, 0.100) 41
실시예 46 183 5.39 5.95 (0.134, 0.101) 34
실시예 47 187 4.96 6.88 (0.134, 0.100) 45
실시예 48 192 4.91 6.93 (0.134, 0.102) 43
실시예 49 196 4.76 6.95 (0.134, 0.102) 50
실시예 50 199 4.77 6.90 (0.134, 0.102) 51
실시예 51 204 4.98 6.05 (0.134, 0.101) 34
실시예 52 207 5.22 6.03 (0.134, 0.101) 43
실시예 53 210 4.82 6.84 (0.134, 0.101) 52
실시예 54 215 4.84 6.97 (0.134, 0.102) 51
실시예 55 218 5.38 6.88 (0.134, 0.100) 41
실시예 56 222 5.60 6.93 (0.134, 0.101) 32
실시예 57 228 5.45 6.95 (0.134, 0.100) 45
실시예 58 230 4.91 6.93 (0.134, 0.100) 43
실시예 59 235 4.91 6.95 (0.134, 0.100) 41
실시예 60 239 4.98 6.23 (0.134, 0.100) 40
실시예 61 244 5.62 5.98 (0.134, 0.100) 36
실시예 62 248 4.72 6.51 (0.134, 0.102) 48
실시예 63 252 4.91 6.93 (0.134, 0.100) 43
실시예 64 256 4.91 6.95 (0.134, 0.100) 41
실시예 65 260 4.98 6.26 (0.134, 0.100) 40
실시예 66 262 5.62 5.98 (0.134, 0.100) 33
실시예 67 265 4.91 6.32 (0.134, 0.100) 41
실시예 68 271 4.98 6.44 (0.134, 0.100) 40
실시예 69 274 5.62 6.38 (0.134, 0.100) 35
실시예 70 279 5.44 6.34 (0.134, 0.102) 36
실시예 71 283 5.62 6.20 (0.134, 0.101) 39
실시예 72 286 5.62 6.22 (0.134, 0.100) 47
실시예 73 289 5.62 5.98 (0.134, 0.100) 33
실시예 74 294 4.72 6.55 (0.134, 0.102) 48
실시예 75 297 4.72 6.20 (0.134, 0.102) 43
실시예 76 304 5.40 6.12 (0.134, 0.101) 39
실시예 77 307 5.44 6.21 (0.134, 0.100) 41
실시예 78 310 5.39 6.20 (0.134, 0.101) 36
실시예 79 315 4.96 6.88 (0.134, 0.100) 45
실시예 80 318 4.91 6.93 (0.134, 0.100) 43
실시예 81 323 4.96 6.88 (0.134, 0.100) 45
실시예 82 326 4.91 6.93 (0.134, 0.102) 43
실시예 83 330 4.98 6.22 (0.134, 0.100) 40
실시예 84 335 4.72 6.53 (0.134, 0.102) 48
실시예 85 339 4.72 6.53 (0.134, 0.102) 48
Figure 112018111123169-pat00094
상기 표 17의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 청색 유기 발광 소자의 전자 수송층 재료를 이용한 유기 발광 소자는 비교예 1에 비해 구동 전압이 낮고, 발광효율 및 수명이 현저히 개선되었다.
<실험 예 2>
유기 발광 소자의 제작
OLED용 글래스(삼성-코닝사 제조)로부터 얻어진 투명전극 ITO 박막을 트리클로로에틸렌, 아세톤, 에탄올, 증류수를 순차적으로 사용하여 각 5분간 초음파 세척을 실시한 후, 이소프로판올에 넣어 보관한 후 사용하였다.
다음으로 진공 증착 장비의 기판 폴더에 ITO 기판을 설치하고, 진공 증착 장비 내의 셀에 하기 4,4',4"-트리스(N,N-(2-나프틸)-페닐아미노)트리페닐 아민 (4,4',4"-tris(N,N-(2-naphthyl)-phenylamino)triphenyl amine: 2-TNATA)을 넣었다.
Figure 112018111123169-pat00095
이어서 챔버 내의 진공도가 10-6 torr에 도달할 때까지 배기시킨 후, 셀에 전류를 인가하여 2-TNATA를 증발시켜 ITO 기판 상에 600Å 두께의 정공 주입층을 증착하였다.
진공 증착 장비 내의 다른 셀에 하기 N,N'-비스(α-나프틸)-N,N'-디페닐-4,4'-디아민(N,N'-bis(α-naphthyl)-N,N'-diphenyl-4,4'-diamine: NPB)을 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 정공 주입층 위에 300Å 두께의 정공 수송층을 증착하였다.
Figure 112018111123169-pat00096
이와 같이 정공 주입층 및 정공 수송층을 형성시킨 후, 그 위에 발광층으로서 다음과 같은 구조의 청색 발광 재료를 증착시켰다. 구체적으로, 진공 증착 장비 내의 한쪽 셀에 청색 발광 호스트 재료인 H1을 200Å 두께로 진공 증착시키고 그 위에 청색 발광 도판트 재료인 D1을 호스트 재료 대비 5% 진공 증착시켰다.
Figure 112018111123169-pat00097
Figure 112018111123169-pat00098
이어서 전자 수송층으로서 하기 구조식 E1의 화합물을 300Å 두께로 증착하였다.
Figure 112018111123169-pat00099
전자수송층 E1의 두께를 250Å 형성한 다음 상기 전자수송층 상부에 하기 표 18에 표시되어있는 화합물의 두께를 50Å으로 정공저지층을 형성하였으며, 전자 주입층으로 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 10Å 두께로 증착하였고 Al 음극을 1,000Å의 두께로 하여 OLED 소자를 제작하였다.
한편, OLED 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10-6~10-8 torr 하에서 진공 승화 정제하여 OLED 제작에 사용하였다
본 발명에 따라 제조된 청색 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율, 색좌표(CIE), 수명을 측정한 결과는 하기 표 18와 같았다.
화합물 구동전압
(V)		 발광효율
(cd/A)		 CIE
(x, y)		 수명
(T95)
비교예 2-1 E1 5.58 5.93 (0.134, 0.100) 28
비교예 2-2 E2 5.59 5.60 (0.134, 0.104) 22
비교예 2-3 E3 5.63 5.67 (0.134, 0.102) 21
비교예 2-4 E4 5.61 5.55 (0.134, 0.102) 23
비교예 2-5 E5 5.43 6.07 (0.134, 0.100) 31
비교예 2-6 E6 5.35 6.11 (0.134, 0.101) 30
실시예 86 1 5.44 6.47 (0.134, 0.102) 36
실시예 87 5 5.41 6.44 (0.134, 0.101) 43
실시예 88 12 5.34 6.38 (0.134, 0.101) 39
실시예 89 13 5.28 6.28 (0.134, 0.102) 32
실시예 90 19 4.57 6.74 (0.128, 0.099) 36
실시예 91 24 4.62 6.72 (0.133, 0.100) 37
실시예 92 26 4.55 6.85 (0.134, 0.101) 39
실시예 93 29 5.62 5.95 (0.134, 0.103) 42
실시예 94 35 5.40 6.12 (0.134, 0.101) 39
실시예 95 40 5.50 5.89 (0.134, 0.100) 41
실시예 96 43 5.44 6.01 (0.134, 0.101) 36
실시예 97 45 5.34 6.58 (0.134, 0.100) 45
실시예 98 51 5.38 6.93 (0.134, 0.100) 43
실시예 99 54 5.63 6.11 (0.131, 0.098) 28
실시예 100 57 5.66 6.04 (0.131, 0.102) 30
실시예 101 64 5.40 6.49 (0.134, 0.101) 31
실시예 102 66 5.60 6.22 (0.129, 0.100) 29
실시예 103 70 4.70 6.01 (0.134, 0.101) 36
실시예 104 76 5.44 6.34 (0.134, 0.102) 36
실시예 105 78 5.62 6.20 (0.134, 0.101) 39
실시예 106 82 5.40 6.12 (0.134, 0.103) 44
실시예 107 87 5.60 6.21 (0.134, 0.102) 43
실시예 108 89 5.45 6.22 (0.134, 0.101) 37
실시예 109 93 5.39 5.95 (0.134, 0.102) 33
실시예 110 99 4.96 5.95 (0.134, 0.101) 42
실시예 111 103 4.91 6.13 (0.134, 0.101) 39
실시예 112 106 4.91 5.85 (0.134, 0.100) 41
실시예 113 112 4.98 6.38 (0.134, 0.101) 42
실시예 114 114 5.62 6.20 (0.134, 0.100) 45
실시예 115 119 4.72 6.12 (0.134, 0.100) 43
실시예 116 122 4.96 6.10 (0.134, 0.100) 36
실시예 117 128 5.30 6.20 (0.134, 0.101) 40
실시예 118 130 5.22 6.03 (0.134, 0.101) 43
실시예 119 135 4.90 6.81 (0.134, 0.101) 56
실시예 120 137 4.88 6.82 (0.134, 0.102) 57
실시예 121 144 5.44 6.41 (0.134, 0.102) 47
실시예 122 147 5.34 6.44 (0.134, 0.102) 36
실시예 123 151 5.38 6.38 (0.134, 0.101) 39
실시예 124 154 5.38 6.20 (0.134, 0.103) 40
실시예 125 157 5.39 6.62 (0.134, 0.102) 43
실시예 126 161 4.96 6.21 (0.134, 0.101) 37
실시예 127 166 4.91 6.22 (0.134, 0.102) 33
실시예 128 171 4.91 6.12 (0.134, 0.101) 42
실시예 129 176 4.98 6.51 (0.134, 0.101) 39
실시예 130 180 5.62 6.21 (0.134, 0.100) 41
실시예 131 183 5.39 5.95 (0.134, 0.101) 34
실시예 132 187 4.96 6.88 (0.134, 0.100) 45
실시예 133 192 4.91 6.93 (0.134, 0.102) 43
실시예 134 196 4.90 6.71 (0.134, 0.102) 50
실시예 135 199 4.72 6.98 (0.134, 0.100) 51
실시예 136 204 4.80 6.89 (0.134, 0.102) 58
실시예 137 207 4.76 6.95 (0.134, 0.102) 50
실시예 138 210 5.44 6.63 (0.134, 0.102) 48
실시예 139 215 5.34 6.13 (0.134, 0.101) 39
실시예 140 218 5.38 6.88 (0.134, 0.100) 41
실시예 141 222 5.60 6.93 (0.134, 0.101) 32
실시예 142 228 5.45 6.95 (0.134, 0.100) 45
실시예 143 230 4.91 6.93 (0.134, 0.100) 43
실시예 144 235 4.91 6.95 (0.134, 0.100) 41
실시예 145 239 4.98 6.23 (0.134, 0.100) 40
실시예 146 244 5.62 5.98 (0.134, 0.100) 36
실시예 147 248 4.72 6.51 (0.134, 0.102) 48
실시예 148 252 4.91 6.93 (0.134, 0.100) 43
실시예 149 256 4.91 6.95 (0.134, 0.100) 41
실시예 150 260 4.98 6.26 (0.134, 0.100) 40
실시예 151 262 5.62 5.98 (0.134, 0.100) 33
실시예 152 265 4.98 6.05 (0.134, 0.101) 34
실시예 153 271 5.22 6.03 (0.134, 0.101) 43
실시예 154 274 4.82 6.84 (0.134, 0.101) 52
실시예 155 279 4.91 6.93 (0.134, 0.100) 43
실시예 156 283 4.98 6.95 (0.134, 0.100) 41
실시예 157 286 5.62 6.22 (0.134, 0.100) 47
실시예 158 289 5.62 5.98 (0.134, 0.100) 33
실시예 159 294 4.72 6.55 (0.134, 0.102) 48
실시예 160 297 4.72 6.20 (0.134, 0.102) 43
실시예 161 304 5.40 6.12 (0.134, 0.101) 39
실시예 162 307 5.44 6.21 (0.134, 0.100) 41
실시예 163 310 5.39 6.20 (0.134, 0.101) 36
실시예 164 315 5.45 6.21 (0.134, 0.101) 37
실시예 165 318 5.44 6.22 (0.134, 0.102) 34
실시예 166 323 5.50 5.89 (0.134, 0.100) 41
실시예 167 326 5.44 6.01 (0.134, 0.101) 36
실시예 168 330 4.91 6.32 (0.134, 0.100) 41
실시예 169 335 4.72 6.53 (0.134, 0.102) 48
실시예 170 339 4.72 6.53 (0.134, 0.102) 48
상기 표 18의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 청색 유기 발광 소자의 정공 저지층 재료를 이용한 유기 발광 소자는 비교예 2에 비해 구동 전압이 낮고, 발광효율 및 수명이 현저히 개선되었다.
<실험 예 3>
유기 발광 소자의 제작
1500Å의 두께로 ITO가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 아세톤, 메탄올, 이소프로필 알코올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV(Ultra violet) 세정기에서 UV를 이용하여 5분간 UVO(Ultra violet ozone) 처리하였다. 이후 기판을 플라즈마 세정기(PT)로 이송시킨 후, 진공상태에서 ITO 일함수 및 잔막 제거를 위해 플라즈마 처리를 하여, 유기 증착용 열증착 장비로 이송하였다.
상기 ITO 투명 전극(양극)위에 2 스택 WOLED(White Orgainc Light Device) 구조로 유기물을 형성하였다. 제1 스택은 우선 TAPC을 300Å의 두께로 열진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 정공 수송층을 형성시킨 후, 그 위에 발광층을 다음과 같이 열 진공 증착시켰다. 발광층은 호스트인 TCz1에 청색 인광도펀트로 FIrpic를 8% 도핑하여 300Å 증착하였다. 전자 수송층은 TmPyPB을 사용하여 400Å을 형성한 후, 전하 생성층으로 하기 표 19에 기재된 화합물에 Cs2CO3를 20% 도핑하여 100Å 형성하였다.
제2 스택은 우선 MoO3을 50Å의 두께로 열진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 공통층인 정공 수송층을 TAPC에 MoO3를 20% 도핑하여 100Å 형성한 후, TAPC를 300Å 증착하여 형성하였다, 그 위에 발광층은 호스트인 TCz1에 녹색 인광 토펀트인 Ir(ppy)3를 8% 도핑하여 300Å 증착한 후, 전자 수송층으로 TmPyPB을 사용하여 600Å을 형성하였다. 마지막으로 전자 수송층 위에 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 10Å 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성한 후, 전자 주입층 위에 알루미늄(Al) 음극을 1,200Å의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
한편, OLED 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10-6~10-8torr 하에서 진공 승화 정제하여 OLED 제작에 사용하였다.
Figure 112018111123169-pat00100
본 발명에 따라 제조된 백색 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율, 색좌표(CIE), 수명을 측정한 결과는 표 19와 같았다.
화합물 구동전압
(V)		 발광효율
(cd/A)		 CIE
(x, y)		 수명
(T95)
비교예 3-1 TmPyPB 8.57 43.11 (0.201, 0.398) 9
비교예 3-2 E2 8.76 42.33 (0.201, 0.412) 11
비교예 3-3 E3 8.63 45.61 (0.201, 0.408) 8
비교예 3-4 E4 8.80 44.89 (0.201, 0.417) 9
비교예 3-5 E5 8.23 50.11 (0.221, 0.428) 18
비교예 3-6 E6 8.33 50.23 (0.223, 0.428) 19
실시예 171 20 7.29 65.55 (0.220, 0.432) 53
실시예 172 40 7.31 66.32 (0.221, 0.433) 51
실시예 173 60 7.05 67.93 (0.221, 0.428) 50
실시예 174 80 7.06 69.82 (0.221, 0.440) 42
실시예 175 100 7.01 69.45 (0.220, 0.430) 40
실시예 176 120 7.12 68.55 (0.215, 0.422) 44
실시예 177 140 7.08 68.21 (0.214, 0.422) 45
실시예 178 160 7.07 67.44 (0.212, 0.417) 40
실시예 179 180 7.09 68.01 (0.211, 0.422) 42
실시예 180 200 7.11 69.44 (0.223, 0.428) 41
실시예 181 220 7.02 68.08 (0.222, 0.430) 42
실시예 182 240 7.04 69.11 (0.231, 0.434) 40
실시예 183 260 7.08 69.45 (0.220, 0.430) 40
실시예 184 280 7.12 68.58 (0.216, 0.426) 35
실시예 185 300 7.09 68.01 (0.211, 0.422) 42
실시예 186 320 7.11 69.44 (0.223, 0.428) 41
실시예 187 340 7.02 68.08 (0.222, 0.430) 42
상기 표 19의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 백색 유기 전계 발광 소자의 전하 생성층 재료를 이용한 유기 전계 발광 소자는 비교예 3에 비해 구동 전압이 낮고, 발광효율이 현저히 개선되었다.
상기 표 17 내지 19의 결과로부터, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 카바졸기의 한쪽 벤젠 고리에 -(L)m-(Z)n의 치환기를 갖는 경우로, 상기 화학식 1의 화합물의 π-공액 구조가 카바졸기에서 축합된 퀴놀린기까지 이어지지 않게됨으로써, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 π-공액 구조가 단절 되어 HOMO레벨과 LUMO레벨의 밴드갭이 넓어 지고, T1 값이 더욱 커져서 엑시톤을 발광층에 가두는 효과가 커지게 되며 또한, HOMO레벨이 낮아져 발광층의 정공을 저지하여 정공저지층의 화합물로 사용 가능한 특징을 갖게 됨을 확인할 수 있었다.
100: 기판
200: 양극
300: 유기물층
301: 정공 주입층
302: 정공 수송층
303: 발광층
304: 정공 저지층
305: 전자 수송층
306: 전자 주입층
400: 음극

Claims (15)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112020033573625-pat00101

    상기 화학식 1에 있어서,
    R1 내지 R4, R7 및 R8은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; 및 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리를 형성하며,
    R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 및 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
    Z는 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 및 -P(=O)RR'로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
    m은 0 내지 5의 정수이고,
    n은 1 내지 6의 정수이며,
    q는 0 내지 2의 정수이고,
    s는 0 내지 3의 정수이다.
  2. 청구항 1에 있어서, "치환 또는 비치환"이란 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알키닐; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; C1 내지 C20의 알킬아민; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중에서 선택된 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미하고,
    상기 R, R' 및 R"의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일한 것인 헤테로고리 화합물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 화학식 7 중 어느하나로 표시되는 것인 헤테로고리 화합물:
    [화학식 2]
    Figure 112018111123169-pat00102

    [화학식 3]
    Figure 112018111123169-pat00103

    [화학식 4]
    Figure 112018111123169-pat00104

    [화학식 5]
    Figure 112018111123169-pat00105

    [화학식 6]
    Figure 112018111123169-pat00106

    [화학식 7]
    Figure 112018111123169-pat00107

    상기 화학식 2 내지 7에 있어서,
    R1 내지 R8, L, Z, m, n, s 및 q의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 8 내지 11 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로고리 화합물:
    [화학식 8]
    Figure 112018111123169-pat00108

    [화학식 9]
    Figure 112018111123169-pat00109

    [화학식 10]
    Figure 112018111123169-pat00110

    [화학식 11]
    Figure 112018111123169-pat00111

    상기 화학식 8 내지 11에 있어서,
    R1 내지 R8, L, Z, m, n, s 및 q의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기인 것인 헤테로고리 화합물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 R1 내지 R4, R7 및 R8은 수소인 것인 헤테로고리 화합물.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로고리 화합물:
    Figure 112018111123169-pat00112

    Figure 112018111123169-pat00113

    Figure 112018111123169-pat00114

    Figure 112018111123169-pat00115

    Figure 112018111123169-pat00116

    Figure 112018111123169-pat00117

    Figure 112018111123169-pat00118

    Figure 112018111123169-pat00119

    Figure 112018111123169-pat00120

    Figure 112018111123169-pat00121

    Figure 112018111123169-pat00122

    Figure 112018111123169-pat00123

    Figure 112018111123169-pat00124

    Figure 112018111123169-pat00125

    Figure 112018111123169-pat00126

    Figure 112018111123169-pat00127

    Figure 112018111123169-pat00128

    Figure 112018111123169-pat00129

    Figure 112018111123169-pat00130
  8. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 내지 7 중 어느 한 항에 따른 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  10. 청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층 또는 전자수송층을 포함하고, 상기 전자주입층 또는 전자수송층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  11. 청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 전자저지층 또는 정공저지층을 포함하고, 상기 전자저지층 또는 정공저지층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  12. 청구항 8에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송층. 전자주입층, 전자수송층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  13. 청구항 8에 있어서, 상기 유기 발광 소자는, 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 구비되고 제1 발광층을 포함하는 제1 스택, 상기 제1 스택 상에 구비되는 전하 생성층, 상기 전하 생성층 상에 구비되고 제2 발광층을 포함하는 제2 스택, 및 상기 제2 스택 상에 구비되는 제2 전극을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 전하 생성층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 전하 생성층은 N-타입 전하 생성층이고, 상기 전하 생성층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.

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