KR102139618B1 - Substrate treating apparatus and tank - Google Patents

Substrate treating apparatus and tank Download PDF

Info

Publication number
KR102139618B1
KR102139618B1 KR1020160083320A KR20160083320A KR102139618B1 KR 102139618 B1 KR102139618 B1 KR 102139618B1 KR 1020160083320 A KR1020160083320 A KR 1020160083320A KR 20160083320 A KR20160083320 A KR 20160083320A KR 102139618 B1 KR102139618 B1 KR 102139618B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
housing
tank
discharge spaces
receiving space
Prior art date
Application number
KR1020160083320A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180003779A (en
Inventor
김대성
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020160083320A priority Critical patent/KR102139618B1/en
Publication of KR20180003779A publication Critical patent/KR20180003779A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102139618B1 publication Critical patent/KR102139618B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 탱크에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 액을 이용하여 기판을 처리 하는 액 처리 부재; 및 상기 액 처리 부재로 상기 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은, 내부에 액 수용 공간을 형성하는 하우징 및 상기 하우징의 내측에 위치되어 상기 액 수용 공간과 구획된 복수의 액 배출 공간들을 형성하는 보조 하우징을 포함하는 탱크; 상기 탱크에 연결되어 상기 액 수용 공간으로 상기 액을 공급하는 액 보충라인; 및 상기 액 배출 공간들 가운데 하나와 상기 액 처리 부재를 연결하는 공급 라인을 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a tank. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a liquid processing member for processing a substrate using a liquid; And a liquid supply unit supplying the liquid to the liquid processing member, wherein the liquid supply unit includes a housing forming a liquid accommodating space therein and a plurality of compartments partitioned from the liquid accommodating space located inside the housing. A tank including an auxiliary housing forming liquid discharge spaces; A liquid replenishing line connected to the tank to supply the liquid to the liquid receiving space; And a supply line connecting one of the liquid discharge spaces and the liquid processing member.

Description

기판 처리 장치 및 탱크{Substrate treating apparatus and tank}Substrate treating apparatus and tank

본 발명은 기판 처리 장치 및 탱크에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a tank.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 사진 공정은 기판 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위한 공정으로, 도포 공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정가 순차적으로 진행된다. 도포 공정에는 기판 상에 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하고, 노광 공정에는 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광 하며, 현상 공정에는 기판 상에 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상 처리한다.In order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on a substrate. Of these, the photo process is a process for forming a desired circuit pattern on a substrate, and a coating process, an exposure process, and a development process are sequentially performed. In the coating process, a photoresist such as photoresist is applied onto the substrate, and in the exposure process, the circuit pattern is exposed on the substrate on which the photosensitive film is formed, and in the developing process, the exposed area on the substrate is selectively developed.

일반적으로 현상 공정은 크게 케미칼 처리 단계 및 린스 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 감광막이 형성된 기판 상에 현상액을 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액을 공급한다. 린스액은 기판 상에 잔류된 현상액 및 공정 부산물을 세정 처리한다.In general, the development process is largely carried out sequentially chemical treatment step and rinse treatment step. In the chemical treatment step, a developer is supplied on the substrate on which the photosensitive film is formed, and in the rinse treatment step, a rinse solution such as pure water is supplied on the substrate. The rinse liquid washes the developer and process by-products remaining on the substrate.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 탱크를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a tank capable of efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 복수의 액 처리 부재로 액을 효율적으로 공급할 수 있는 기판 처리 장치 및 탱크를 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a tank capable of efficiently supplying liquid to a plurality of liquid processing members.

본 발명의 일 측면에 따르면, 액을 이용하여 기판을 처리 하는 액 처리 부재; 및 상기 액 처리 부재로 상기 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은, 내부에 액 수용 공간을 형성하는 하우징 및 상기 하우징의 내측에 위치되어 상기 액 수용 공간과 구획된 복수의 액 배출 공간들을 형성하는 보조 하우징을 포함하는 탱크; 상기 탱크에 연결되어 상기 액 수용 공간으로 상기 액을 공급하는 액 보충라인; 및 상기 액 배출 공간들 가운데 하나와 상기 액 처리 부재를 연결하는 공급 라인을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, a liquid processing member for processing a substrate using a liquid; And a liquid supply unit supplying the liquid to the liquid processing member, wherein the liquid supply unit includes a housing forming a liquid accommodating space therein and a plurality of compartments partitioned from the liquid accommodating space located inside the housing. A tank including an auxiliary housing forming liquid discharge spaces; A liquid replenishing line connected to the tank to supply the liquid to the liquid receiving space; And a supply line connecting one of the liquid discharge spaces and the liquid processing member.

또한, 상기 보조 하우징은 상기 탱크의 상부의 중앙 부분에 상기 액 수용 공간의 일부가 위치되고, 그 둘레에 상기 액 배출 공간들이 위치되도록 제공될 수 있다.In addition, the auxiliary housing may be provided such that a portion of the liquid receiving space is located in the central portion of the upper portion of the tank, and the liquid discharge spaces are positioned around the liquid housing space.

또한, 상기 보조 하우징에는 상기 액 배출 공간들 각각을 상기 액 수용 공간과 연결하고, 오리피스 기능을 수행하는 홀들이 형성될 수 있다.In addition, holes may be formed in the auxiliary housing to connect each of the liquid discharge spaces to the liquid receiving space and perform an orifice function.

또한, 상기 액 배출 공간들 각각에 연결되어 불활성 가스를 공급하는 가스 주입 라인; 및 상기 액 배출 공간들 각각에 연결되어 액을 배출하는 공급 라인을 더 포함할 수 있다.In addition, a gas injection line connected to each of the liquid discharge spaces to supply an inert gas; And a supply line connected to each of the liquid discharge spaces to discharge the liquid.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 내부에 액 수용 공간을 형성하는 하우징; 상기 하우징의 내측에 위치되어 상기 액 수용 공간과 구획된 복수의 액 배출 공간들을 형성하는 보조 하우징; 상기 액 배출 공간들 각각에 연결되고 불활성 가스가 유입되는 가스 포트들; 상기 액 배출 공간들 각각에 연결되고 액이 배출되는 공급 포트들; 상기 액 수용 공간에 연결되고, 상기 액이 유입되는 액 보충 포트를 포함하는 탱크가 제공될 수 있다.According to another aspect of the invention, the housing to form a liquid receiving space therein; An auxiliary housing positioned inside the housing to form a plurality of liquid discharge spaces partitioned from the liquid receiving space; Gas ports connected to each of the liquid discharge spaces and inert gas flowing therein; Supply ports connected to each of the liquid discharge spaces and through which liquid is discharged; A tank connected to the liquid receiving space and including a liquid replenishment port through which the liquid is introduced may be provided.

또한, 상기 보조 하우징에는 상기 액 배출 공간들 각각을 상기 액 수용 공간과 연결하고, 오리피스 기능을 수행하는 홀들이 형성될 수 있다.In addition, holes may be formed in the auxiliary housing to connect each of the liquid discharge spaces to the liquid receiving space and perform an orifice function.

또한, 상기 보조 하우징은 상기 하우징의 상부의 중앙 부분에 상기 액 수용 공간의 일부가 위치되고, 그 둘레에 상기 액 배출 공간들이 위치될 수 있다.In addition, a portion of the liquid receiving space is located in the central portion of the upper portion of the auxiliary housing, and the liquid discharge spaces may be positioned around the housing.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 탱크가 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a tank capable of efficiently processing a substrate may be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 복수의 액 처리 부재로 액을 효율적으로 공급할 수 있는 기판 처리 장치 및 탱크가 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a tank capable of efficiently supplying liquid to a plurality of liquid processing members may be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 액 공급 유닛을 나타내는 도면이다.
도 3은 도2의 탱크의 사시도이다.
도 4는 도 3의 A-A에 따른 단면도이다.
도 5는 도 3의 B-B에 따른 단면도이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a liquid supply unit.
3 is a perspective view of the tank of FIG. 2;
4 is a cross-sectional view along AA of FIG. 3.
5 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 3.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings has been exaggerated to emphasize a clearer explanation.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 액 처리 부재(10) 및 액 공급 유닛(20)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a liquid processing member 10 and a liquid supply unit 20.

액 처리 부재(10)는 액을 이용하여 기판을 처리 한다. 예를 들어, 액 처리 부재(10)는 기판에 기판의 표면을 소수성으로 변환하기 위한 액상의 화합물을 도포하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 액 처리 부재(10)는 기판을 세정, 린스 처리 하기 위한 약액, 린스액을 기판에 도포하는 공정을 수행할 수 있다.The liquid processing member 10 uses a liquid to process the substrate. For example, the liquid processing member 10 may perform a process of applying a liquid compound for converting the surface of the substrate to hydrophobicity on the substrate. In addition, the liquid processing member 10 may perform a process of applying a chemical liquid and a rinse liquid to the substrate for cleaning and rinsing the substrate.

액 공급 유닛(20)은 액 처리 부재(10)에서 기판의 처리에 사용되는 액을 공급한다. 액 공급 유닛(20)은 2개 이상의 액 처리 부재(10)에 연결되어 하나의 액 처리 부재(10)에 액을 공급하거나, 2개 이상의 액 처리 부재(10)에 동시에 액을 공급한다.The liquid supply unit 20 supplies a liquid used in the processing of the substrate by the liquid processing member 10. The liquid supply unit 20 is connected to two or more liquid processing members 10 to supply liquid to one liquid processing member 10, or to simultaneously supply liquid to two or more liquid processing members 10.

도 2는 액 공급 유닛을 나타내는 도면이고, 도 3은 도 2의 탱크의 사시도이고, 도 4는 도 3의 A-A에 따른 단면도이다.FIG. 2 is a view showing a liquid supply unit, FIG. 3 is a perspective view of the tank of FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 3.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 액 공급 유닛(20)은 탱크(100), 액 보충라인(210), 드레인 라인(220), 순환라인(230), 공급 라인(240) 및 가스 주입 라인(250)을 포함한다.2 to 4, the liquid supply unit 20 includes a tank 100, a liquid replenishment line 210, a drain line 220, a circulation line 230, a supply line 240, and a gas injection line ( 250).

탱크(100)는 설정량의 액을 수용한 상태에서 액을 배출한다. 탱크(100)는 하우징(110) 및 보조 하우징(120)을 포함한다.The tank 100 discharges the liquid while receiving the set amount of liquid. The tank 100 includes a housing 110 and an auxiliary housing 120.

하우징(110)은 내부에 설정 체적의 액 수용 공간(111)을 갖는다. 일 예로, 하우징(110)은 상하부가 차폐된 원통, 다각형 통 형상 등으로 제공될 수 있다.The housing 110 has a liquid receiving space 111 having a set volume therein. For example, the housing 110 may be provided in a cylindrical shape, a cylindrical shape, or the like, with upper and lower portions shielded.

액 보충라인(210)은 탱크(100)에 액을 공급한다. 액 보충라인(210)은 액 수용 공간(111)과 연결되도록 하우징(110)의 외면 일측에 제공되는 액 보충 포트(131)에 연결된다. 일 예로, 액 보충 포트(131)는 하우징(110)의 상면, 측면 또는 하면에 위치될 수 있다.The liquid replenishment line 210 supplies liquid to the tank 100. The liquid replenishment line 210 is connected to the liquid replenishment port 131 provided on one side of the outer surface of the housing 110 so as to be connected to the liquid accommodation space 111. For example, the liquid replenishment port 131 may be located on the top, side, or bottom surface of the housing 110.

드레인 라인(220)은 탱크(100)에 수용된 액을 배출한다. 드레인 라인(220)은 액 수용 공간(111)과 연결되도록 하우징(110)의 외면 일측에 제공되는 드레인 포트(132)에 연결된다. 일 예로, 드레인 포트(132)는 하우징(110)의 상면, 하면 또는 측면에 위치될 수 있다.The drain line 220 discharges the liquid accommodated in the tank 100. The drain line 220 is connected to the drain port 132 provided on one side of the outer surface of the housing 110 so as to be connected to the liquid receiving space 111. For example, the drain port 132 may be located on the upper surface, lower surface, or side surface of the housing 110.

순환라인(230)은 탱크(100)에 수용된 액을 순환시킨다. 순환라인(230)의 양단은 액 수용 공간(111)과 연결되도록 하우징(110)의 외면에 제공되는 제1순환 포트(133) 및 제2순환 포트(134)에 연결된다. 일 예로, 제1순환 포트(133) 및 제2순환 포트(134)는 하우징(110)의 상면, 하면 또는 측면에 위치될 수 있다. 또한, 제1순환 포트(133) 및 제2순환 포트(134)는 하우징(110)에서 서로 동일한 면 또는 상이한 면에 위치될 수 있다. 일 예로, 제1순환 포트(133) 및 제2순환 포트(134)는 하우징(110)에서 서로 마주보도록 하우징(110)의 상면 및 하면에 위치될 수 있다.The circulation line 230 circulates the liquid contained in the tank 100. Both ends of the circulation line 230 are connected to the first circulation port 133 and the second circulation port 134 provided on the outer surface of the housing 110 to be connected to the liquid receiving space 111. For example, the first circulation port 133 and the second circulation port 134 may be located on the top, bottom, or side surfaces of the housing 110. In addition, the first circulation port 133 and the second circulation port 134 may be located on the same surface or different surfaces of each other in the housing 110. For example, the first circulation port 133 and the second circulation port 134 may be located on the upper and lower surfaces of the housing 110 so as to face each other in the housing 110.

도 5는 도 3의 B-B에 따른 단면도이다.5 is a cross-sectional view taken along line B-B of FIG. 3.

도 5를 참조하면, 보조 하우징(120)은 하우징(110)의 내측에 위치되어, 액 수용 공간(111)과 구획된 복수의 액 배출 공간(122)을 형성한다. 도면에는 액 배출 공간(122)들이 8개 제공되는 경우로 예로 도시되었다. 보조 하우징(120)은 중앙에 액 수용 공간(111)의 상부의 일부를 두고, 그 둘레에 링 형상으로 복수의 액 배출 공간(122)들이 배열되도록 제공될 수 있다. 그에 따라, 탱크(100)의 상부에는 중앙 부분에 액 수용 공간(111)의 일부가 위치되고, 그 둘레에 액 배출 공간(122)들이 위치될 수 있다. 그리고, 탱크(100)의 하부에는 액 수용 공간(111)이 위치될 수 있다.Referring to FIG. 5, the auxiliary housing 120 is located inside the housing 110 to form a plurality of liquid discharge spaces 122 partitioned from the liquid receiving space 111. The drawing is illustrated as an example in which eight liquid discharge spaces 122 are provided. The auxiliary housing 120 may be provided with a portion of the upper portion of the liquid receiving space 111 in the center, and a plurality of liquid discharging spaces 122 arranged in a ring shape around the center. Accordingly, a portion of the liquid accommodating space 111 is located in the central portion of the upper portion of the tank 100, and the liquid ejecting spaces 122 can be positioned around it. In addition, a liquid receiving space 111 may be located under the tank 100.

보조 하우징(120)에는 각각의 액 배출 공간(122)이 액 수용 공간(111)과 연결되는 홀(121)들이 형성된다. 일 예로, 보조 하우징(120)의 하면에는 보조 하우징(120)의 아래쪽에 위치된 액 수용 공간(111)과 연결되는 홀(121)들이 형성될 수 있다. 홀(121)들은 이동하는 액에 오리피스 기능을 부여 할 수 있도록 설정 면적을 가질 수 있다. 따라서, 액 공급 유닛(20)이 액 처리 부재(10)에 액을 공급하는 과정에서 복수의 액 배출 공간(122)들 가운데 하나 또는 일부의 압력 변화가 액 수용 공간(111) 및 나머지 액 배출 공간(122)의 압력에 미치는 영향이 차단되거나 감소될 수 있다. 따라서, 액 공급 유닛(20)은 복수의 액 처리 부재(10)에 원하는 유량 및 압력으로 액을 공급할 수 있다.The auxiliary housing 120 is formed with holes 121 through which each liquid discharge space 122 is connected to the liquid receiving space 111. For example, holes 121 connected to the liquid receiving space 111 positioned below the auxiliary housing 120 may be formed on the lower surface of the auxiliary housing 120. The holes 121 may have a set area so as to provide an orifice function to the moving liquid. Accordingly, in the process of supplying the liquid to the liquid processing member 10 by the liquid supply unit 20, pressure changes in one or a portion of the plurality of liquid discharge spaces 122 may cause the liquid accommodation space 111 and the remaining liquid discharge space. The effect on the pressure of 122 may be blocked or reduced. Therefore, the liquid supply unit 20 can supply the liquid to the plurality of liquid processing members 10 at a desired flow rate and pressure.

각각의 공급 라인(240)은 서로 구획된 액 배출 공간(122)들 가운데 하나에서 액 처리 부재(10)로 액을 공급한다. 하우징(110)의 외면에는 액 배출 공간(122)들 각각에 연결되는 복수의 공급 포트(141)가 제공된다. 일 예로, 공급 포트(141)는 하우징(110)의 상면 또는 측면에 위치될 수 있다. 그리고 각각의 공급 라인(240)은 액 배출 공간(122)들 가운데 하나와 연결되도록 공급 포트(141)들 가운데 하나에 연결된다.Each supply line 240 supplies liquid from one of the liquid discharge spaces 122 partitioned to each other to the liquid treatment member 10. A plurality of supply ports 141 connected to each of the liquid discharge spaces 122 are provided on the outer surface of the housing 110. For example, the supply port 141 may be located on the top or side of the housing 110. In addition, each supply line 240 is connected to one of the supply ports 141 to be connected to one of the liquid discharge spaces 122.

각각의 가스 주입 라인(250)은 탱크(100)에 불활성 가스를 공급한다. 일 예로, 가스 주입 라인(250)은 탱크(100)에 질소 가스를 공급할 수 있다. 하우징(110)의 외면에는 액 배출 공간(122)들 각각에 연결되는 복수의 가스 포트(142)가 제공된다. 일 예로, 가스 포트(142)는 하우징(110)의 상면 또는 측면에 위치될 수 있다. 그리고 각각의 가스 주입 라인(250)은 액 배출 공간(122)들 가운데 하나와 연결되도록 가스 포트(142)들 가운데 하나에 연결된다. Each gas injection line 250 supplies an inert gas to the tank 100. For example, the gas injection line 250 may supply nitrogen gas to the tank 100. The outer surface of the housing 110 is provided with a plurality of gas ports 142 connected to each of the liquid discharge spaces 122. For example, the gas port 142 may be located on the top or side of the housing 110. In addition, each gas injection line 250 is connected to one of the gas ports 142 to be connected to one of the liquid discharge spaces 122.

가스 주입 라인(250)을 통해 공급된 가스는 액 배출 공간(122)의 액을 증기 또는 미세한 알갱이 형태로 변화된 후 공급 포트(141)를 통해 배출되게 한다. 이때, 각각의 가스 주입 라인(250)은 각각의 액 배출 공간(122)에 개별적으로 가스를 공급함에 따라, 각각의 액 배출 공간(122)에서 배출되는 액의 양, 각각의 액 배출 공간(122)의 압력 등을 다른 액 배출 공간(122)에 영향을 미치지 아니하고 개별적으로 조절할 수 있다.The gas supplied through the gas injection line 250 causes the liquid in the liquid discharge space 122 to be discharged through the supply port 141 after being changed into a form of steam or fine granules. At this time, as each gas injection line 250 supplies gas to each liquid discharge space 122 individually, the amount of liquid discharged from each liquid discharge space 122 and each liquid discharge space 122 ) Can be individually adjusted without affecting the other liquid discharge space 122.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is to illustrate the present invention. In addition, the above-described content is to describe and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to change or modify the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the scope of technology or knowledge in the art. The embodiments described describe the best conditions for implementing the technical spirit of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. In addition, the appended claims should be construed to include other embodiments.

10: 액 처리 부재 20: 액 공급 유닛
100: 탱크 110: 하우징
120: 보조 하우징 210: 액 보충라인
220: 드레인 라인 230: 순환라인
240: 공급 라인10: liquid processing member 20: liquid supply unit
100: tank 110: housing
120: auxiliary housing 210: liquid replenishment line
220: drain line 230: circulation line
240: supply line

Claims (7)

액을 이용하여 기판을 처리 하는 액 처리 부재; 및
상기 액 처리 부재로 상기 액을 증기 또는 알갱이 형태로 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 액 공급 유닛은,
내부에 액 수용 공간을 형성하는 하우징 및 상기 하우징의 내측에 위치되어 상기 액 수용 공간과 구획된 복수의 액 배출 공간들을 형성하는 보조 하우징을 포함하는 탱크;
상기 탱크에 연결되어 상기 액 수용 공간으로 상기 액을 공급하는 액 보충라인; 및
상기 액 배출 공간들 가운데 하나와 상기 액 처리 부재를 연결하는 공급 라인을 포함하고,
상기 보조 하우징의 저면에는 상기 액 배출 공간들 각각을 상기 액 수용 공간과 연결하고, 오리피스 기능을 수행하는 홀들이 형성되고,
상기 액 배출 공간들 각각에 연결되어 불활성 가스를 공급하는 가스 주입 라인; 및
상기 액 배출 공간들 각각에 연결되어 액을 배출하는 공급 라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.A liquid processing member that processes the substrate using the liquid; And
A liquid supply unit for supplying the liquid in the form of steam or granules to the liquid processing member,
The liquid supply unit,
A tank including a housing forming a liquid receiving space therein and an auxiliary housing positioned inside the housing to form a plurality of liquid discharge spaces partitioned from the liquid receiving space;
A liquid replenishing line connected to the tank to supply the liquid to the liquid receiving space; And
And a supply line connecting one of the liquid discharge spaces and the liquid processing member,
Holes for connecting each of the liquid discharge spaces to the liquid receiving space and performing an orifice function are formed on a bottom surface of the auxiliary housing,
A gas injection line connected to each of the liquid discharge spaces to supply an inert gas; And
And a supply line connected to each of the liquid discharge spaces to discharge the liquid. 제1항에 있어서,
상기 보조 하우징은 상기 탱크의 상부의 중앙 부분에 상기 액 수용 공간의 일부가 위치되고, 그 둘레에 상기 액 배출 공간들이 위치되도록 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The auxiliary housing is provided with a portion of the liquid receiving space in the central portion of the upper portion of the tank, the substrate processing apparatus is provided so that the liquid discharge space is located around. 삭제delete 삭제delete 내부에 액 수용 공간을 형성하는 하우징;
상기 하우징의 내측에 위치되어 상기 액 수용 공간과 구획된 복수의 액 배출 공간들을 형성하는 보조 하우징;
상기 액 배출 공간들 각각에 연결되고 액을 증기 또는 알갱이 형태로 변화시키는 불활성 가스가 유입되는 가스 포트들;
상기 액 배출 공간들 각각에 연결되고 액이 배출되는 공급 포트들;
상기 액 수용 공간에 연결되고, 상기 액이 유입되는 액 보충 포트를 포함하고,
상기 보조 하우징의 저면에는 상기 액 배출 공간들 각각을 상기 액 수용 공간과 연결하고, 오리피스 기능을 수행하는 홀들이 형성되는 탱크. A housing forming a liquid receiving space therein;
An auxiliary housing positioned inside the housing to form a plurality of liquid discharge spaces partitioned from the liquid receiving space;
Gas ports connected to each of the liquid discharge spaces and into which an inert gas for changing the liquid to vapor or granules is introduced;
Supply ports connected to each of the liquid discharge spaces and through which liquid is discharged;
It is connected to the liquid receiving space, and includes a liquid replenishment port through which the liquid flows,
On the bottom surface of the auxiliary housing, each of the liquid discharge spaces is connected to the liquid storage space, and a tank is formed with holes for performing an orifice function. 삭제delete 제5항에 있어서,
상기 보조 하우징은 상기 하우징의 상부의 중앙 부분에 상기 액 수용 공간의 일부가 위치되고, 그 둘레에 상기 액 배출 공간들이 위치되도록 제공되는 탱크.The method of claim 5,
The auxiliary housing is provided with a portion of the liquid receiving space in the central portion of the upper portion of the housing, and provided with the liquid discharge spaces around the tank.
KR1020160083320A 2016-07-01 2016-07-01 Substrate treating apparatus and tank KR102139618B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160083320A KR102139618B1 (en) 2016-07-01 2016-07-01 Substrate treating apparatus and tank

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160083320A KR102139618B1 (en) 2016-07-01 2016-07-01 Substrate treating apparatus and tank

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180003779A KR20180003779A (en) 2018-01-10
KR102139618B1 true KR102139618B1 (en) 2020-07-30

Family

ID=60998807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160083320A KR102139618B1 (en) 2016-07-01 2016-07-01 Substrate treating apparatus and tank

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102139618B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043271A (en) * 2000-07-21 2002-02-08 Tokyo Electron Ltd Processing liquid temperature control method and apparatus
JP2006117871A (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Kaneka Corp Apparatus for producing droplet
JP2009022905A (en) * 2007-07-20 2009-02-05 Tokyo Electron Ltd Liquid chemical vaporization tank and treatment system for liquid chemical
JP2010502833A (en) * 2006-08-31 2010-01-28 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド Fluid delivery based on solid precursors utilizing controlled solid morphology

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043271A (en) * 2000-07-21 2002-02-08 Tokyo Electron Ltd Processing liquid temperature control method and apparatus
JP2006117871A (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Kaneka Corp Apparatus for producing droplet
JP2010502833A (en) * 2006-08-31 2010-01-28 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド Fluid delivery based on solid precursors utilizing controlled solid morphology
JP2009022905A (en) * 2007-07-20 2009-02-05 Tokyo Electron Ltd Liquid chemical vaporization tank and treatment system for liquid chemical

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180003779A (en) 2018-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240096651A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100725108B1 (en) Apparatus for supplying gas and apparatus for manufacturing a substrate having the same
KR20020050712A (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method using the same
KR102468102B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20070102475A (en) Substrate treatment apparatus
KR0129660B1 (en) Developer
KR102139618B1 (en) Substrate treating apparatus and tank
JP2006093334A (en) Substrate processing device
TWI653661B (en) Processing liquid generating device and substrate processing device using the same
KR102612181B1 (en) Substrate treating apparatus and tank unit
KR20220097765A (en) Substrate treating apparatus and method thereof
KR102207310B1 (en) Unit for supplying gas and Apparatus for treating substrate with the unit
KR20210042628A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20060033423A (en) Photolithography apparatus used in manufacturing semiconductor substrates
KR102247040B1 (en) Unit for supplying Fluid and Apparatus for treating substrate
TWI725745B (en) Substrate drying chamber
TWI830345B (en) Substrate processing device and substrate processing method
KR20200072222A (en) Bottle, Apparatus and method for treating substrate
KR20230062178A (en) Apparatus for processing substrate
KR20070030542A (en) Apparatus bubble removing for treatment bath
KR100872887B1 (en) Substrate processing apparatus being capable of using multiple chemicals
JP5970864B2 (en) Slit nozzle
KR20070106837A (en) Nozzle assembly for developing a photoresist layer
JP2004022764A (en) Substrate treatment apparatus and method therefor
KR20230084700A (en) Apparatus and method for supplying chemical

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2019101001307; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20190417

Effective date: 20200520

GRNO Decision to grant (after opposition)