KR102207310B1 - Unit for supplying gas and Apparatus for treating substrate with the unit - Google Patents

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KR102207310B1 KR1020190117521A KR20190117521A KR102207310B1 KR 102207310 B1 KR102207310 B1 KR 102207310B1 KR 1020190117521 A KR1020190117521 A KR 1020190117521A KR 20190117521 A KR20190117521 A KR 20190117521A KR 102207310 B1 KR102207310 B1 KR 102207310B1
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Abstract

The present invention provides a device for supplying gas. A substrate processing device includes: a substrate support unit for supporting a substrate; a discharge member for supplying processing gas to the substrate supported by the substrate support unit; and a gas supply unit for supplying the processing gas to the discharge member. The gas supply unit includes: a vaporization unit for vaporizing a processing liquid into the processing gas and a processing gas supply line for supplying the processing gas vaporized by the vaporization unit to the discharge member. The vaporization unit includes: a body in which a first space filled with a liquid and a second space filled with gas are formed; a vaporized gas supply line for supplying vaporized gas to the second space; and a partition member for dividing the first space and the second space. The partition member includes: a first plate formed with a first hole and a second plate formed with a second hole, in which the first plate and the second plate are positioned on the first hole and the second hole in opposition to each other, the first plate is located closer to the first space than the second plate, the first plate is formed of a material having stronger chemical resistance against the liquid than the second plate, the second plate is formed of a metal material, the first hole has a larger size than the second hole, and the first hole and the second hole overlap each other when viewed from the top.

Description

가스 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치{Unit for supplying gas and Apparatus for treating substrate with the unit}A gas supply unit and a substrate processing apparatus having the same

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 가스를 공급하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus for supplying a gas.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 내부에 처리 공간을 가지는 챔버에서 진행된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, it is performed in a chamber having a processing space inside.

이 중 사진 공정은 기판 상에 도포막을 형성하는 도포 공정을 포함하며, 이러한 도포막은 형성하기 전에는 기판의 표면을 개질하는 작업이 수행되어야 한다. 표면 개질 작업은 기판의 표면으로 처리 가스를 공급하는 작업을 포함한다. Among them, the photographic process includes a coating process of forming a coating film on a substrate, and before forming such a coating film, an operation of modifying the surface of the substrate must be performed. The surface modification operation includes supplying a processing gas to the surface of the substrate.

처리 가스는 처리액을 기화시켜 형성한다. 처리 가스는 처리액이 수용된 탱크 내에 버블을 형성함으로써, 처리액을 기화시킨다. 도 1은 일반적인 기화 장치를 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기화 유닛은 내부에 가스 공간과 액 공간을 가진다. 가스 공간에는 기화 가스가 공급되고, 액 공간에는 처리액에 수용된다. 가스 공간과 액 공간은 구획 플레이트(4)에 의해 구획된다. 구획 플레이트(4)에는 복수의 홀들이 형성되며, 홀을 통해 기화 가스가 처리액 내에서 버블 형태로 제공된다. The processing gas is formed by vaporizing the processing liquid. The processing gas vaporizes the processing liquid by forming bubbles in the tank containing the processing liquid. 1 is a view showing a general vaporization device. Referring to FIG. 1, the vaporization unit has a gas space and a liquid space therein. Vaporized gas is supplied to the gas space, and the processing liquid is accommodated in the liquid space. The gas space and the liquid space are partitioned by a partition plate 4. A plurality of holes are formed in the partition plate 4, through which the vaporized gas is provided in the form of bubbles in the processing liquid.

홀의 크기는 처리액 내에 형성된 버블의 크기와 비례되도록 제공된다. 예컨대, 홀의 크기가 작을수록 처리액 내에 형성되는 버블의 크기 또한 작아진다. 이러한 구획 플레이트는 처리액에 대한 수지 재질로 이루어진다.The size of the hole is provided to be proportional to the size of the bubble formed in the treatment liquid. For example, the smaller the size of the hole, the smaller the size of the bubble formed in the treatment liquid. This partition plate is made of a resin material for the treatment liquid.

그러나 수지 재질로 제공된 구획 플레이트(4)에는 홀의 크기를 미세화하는 것에 대해 한계를 가진다. 예컨대, 수지 재질의 구획 플레이트(4)에 Ø0.3 이하 크기의 홀을 형성하고자 하는 경우에는 홀이 비대칭적으로 형성되거나, 홀이 막히는 문제점이 발생된다. 이를 해결하고자 금속 재질의 구획 플레이트(4)를 사용할 경우에는 구획 플레이트(4)가 처리액에 대해 부식되어 처리액을 오염시킨다.However, the partition plate 4 provided with a resin material has a limitation in minimizing the size of the hole. For example, when a hole having a size of Ø0.3 or less is to be formed in the partition plate 4 made of a resin material, the hole is formed asymmetrically or the hole is blocked. In order to solve this problem, when a partition plate 4 made of a metal material is used, the partition plate 4 is corroded with respect to the treatment liquid to contaminate the treatment liquid.

본 발명은 처리액에 대해 내화학성을 가지며, 미세 크기의 홀이 형성 가능한 구획 플레이트를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a partition plate having chemical resistance to a treatment liquid and capable of forming fine-sized holes.

본 발명의 실시예는 가스를 공급하는 장치를 제공한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for supplying gas.

기판을 처리하는 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 처리 가스를 공급하는 토출 부재, 그리고 상기 토출 부재에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하되, 상기 가스 공급 유닛은 처리액을 처리 가스로 기화하는 기화 유닛과 상기 기화 유닛으로부터 기화된 처리 가스를 상기 토출 부재로 공급하는 처리 가스 공급 라인을 포함하되, 상기 기화 유닛은 내부에 액이 채워지는 제1공간과 가스가 채워지는 제2공간이 형성되는 바디, 상기 제2공간에 기화 가스를 공급하는 기화 가스 공급 라인, 그리고 상기 제1공간과 상기 제2공간을 구획하는 구획 부재를 포함하되, 상기 구획 부재는 제1홀이 형성되는 제1플레이트와 제2홀이 형성되는 제2플레이트를 포함하되, 상기 제1홀과 상기 제2홀은 서로 대향되도록 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트가 위치되고, 상기 제1플레이트는 상기 제2플레이트에 비해 상기 제1공간에 더 가깝게 위치되며, 상기 제1플레이트는 상기 제2플레이트에 비해 상기 액에 비해 내화학성이 더 강한 재질로 제공되고, 상기 제2플레이트는 금속 재질로 제공되며, 상기 제1홀은 상기 제2홀에 비해 더 큰 크기로 제공되고, 상기 제1홀과 상기 제2홀은 상부에서 바라볼 때 서로 중첩되게 제공된다. The apparatus for processing a substrate includes a substrate support unit supporting a substrate, a discharge member supplying a processing gas to a substrate supported by the substrate support unit, and a gas supply unit supplying a processing gas to the discharge member, the gas The supply unit includes a vaporization unit for vaporizing a processing liquid into a processing gas and a processing gas supply line for supplying a processing gas vaporized from the vaporization unit to the discharge member, wherein the vaporization unit is a first space filled with a liquid therein. And a body in which a second space filled with gas and gas is formed, a vaporized gas supply line for supplying vaporized gas to the second space, and a partition member partitioning the first space and the second space, wherein the partition member Includes a first plate having a first hole and a second plate having a second hole, wherein the first plate and the second plate are positioned so that the first hole and the second hole face each other, The first plate is located closer to the first space than the second plate, the first plate is provided with a material having stronger chemical resistance than the liquid compared to the second plate, and the second plate Is provided with a metal material, the first hole is provided with a larger size than the second hole, and the first hole and the second hole are provided to overlap each other when viewed from above.

상기 제1플레이트는 수지 재질로 제공될 수 있다. 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트는 서로 밀착되게 위치될 수 있다. The first plate may be made of a resin material. The first plate and the second plate may be positioned in close contact with each other.

상기 구획 부재는 제3홀이 형성되는 제3플레이트를 더 포함하되, 상기 제3플레이트는 상기 제2플레이트를 사이에 두고 상기 제1플레이트와 마주하게 위치되며, 상기 제3홀이 상기 제2홀과 마주하도록 위치되고, 상기 제3홀은 상기 제2홀보다 큰 크기를 가질 수 있다. 상기 제3플레이트는 상기 제2플레이트와 밀착되게 위치될 수 있다. 상기 제3플레이트는 수지 재질로 제공될 수 있다. 상기 제1플레이트와 상기 제3플레이트는 서로 조합되어 상기 제2플레이트를 감싸도록 제공될 수 있다.The partition member further includes a third plate having a third hole formed therein, wherein the third plate is positioned to face the first plate with the second plate interposed therebetween, and the third hole is the second hole And the third hole may have a size larger than that of the second hole. The third plate may be positioned to be in close contact with the second plate. The third plate may be made of a resin material. The first plate and the third plate may be combined with each other and provided to surround the second plate.

상기 제2플레이트의 상면은 상기 액에 노출되지 않도록 제공될 수 있다. 상기 액은 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane, HMDS) 액을 포함할 수 있다. The upper surface of the second plate may be provided so as not to be exposed to the liquid. The liquid may include a hexamethyldisilane (HMDS) liquid.

또한 처리 가스를 공급하는 장치는 처리액을 처리 가스로 기화하는 기화 유닛과 상기 기화 유닛으로부터 기화된 처리 가스를 토출 부재로 공급하는 처리 가스 공급 라인을 포함하되, 상기 기화 유닛은 내부에 액이 채워지는 제1공간과 가스가 채워지는 제2공간이 형성되는 바디, 상기 제2공간에 기화 가스를 공급하는 기화 가스 공급 라인, 그리고 상기 제1공간과 상기 제2공간을 구획하는 구획 부재를 포함하되, 상기 구획 부재는 제1홀이 형성되는 제1플레이트와 제2홀이 형성되는 제2플레이트를 포함하되, 상기 제1홀과 상기 제2홀은 서로 대향되도록 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트가 위치되고, 상기 제1플레이트는 상기 제2플레이트에 비해 상기 제1공간에 더 가깝게 위치되며, 상기 제1플레이트는 상기 제2플레이트에 비해 상기 액에 비해 내화학성이 더 강한 재질로 제공되고, 상기 제2플레이트는 금속 재질로 제공되며, 상기 제1홀은 상기 제2홀에 비해 더 큰 크기로 제공되고, 상기 제1홀과 상기 제2홀은 상부에서 바라볼 때 서로 중첩되게 제공된다. In addition, the apparatus for supplying the processing gas includes a vaporization unit for vaporizing a processing liquid as a processing gas and a processing gas supply line for supplying the processing gas vaporized from the vaporization unit to a discharge member, wherein the vaporization unit is filled with a liquid inside. Includes a body in which a first space and a second space filled with gas are formed, a vaporized gas supply line for supplying vaporized gas to the second space, and a partition member partitioning the first space and the second space, , The partition member includes a first plate in which a first hole is formed and a second plate in which a second hole is formed, the first plate and the second plate so that the first hole and the second hole face each other. Is located, the first plate is located closer to the first space than the second plate, and the first plate is provided with a material having stronger chemical resistance than the liquid compared to the second plate, The second plate is made of a metal material, the first hole is provided with a larger size than the second hole, and the first hole and the second hole are provided to overlap each other when viewed from above.

상기 제1플레이트는 수지 재질로 제공될 수 있다. 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트는 서로 밀착되게 위치될 수 있다. 상기 구획 부재는 제3홀이 형성되는 제3플레이트를 더 포함하되, 상기 제3플레이트는 상기 제2플레이트를 사이에 두고 상기 제1플레이트와 마주하고, 상기 제3홀이 상기 제2홀과 마주하도록 위치되며, 상기 제3홀은 상기 제2홀보다 큰 크기를 가질 수 있다. 상기 제3플레이트는 상기 제2플레이트와 밀착되게 위치되고, 수지 재질로 제공될 수있다. The first plate may be made of a resin material. The first plate and the second plate may be positioned in close contact with each other. The partition member further includes a third plate having a third hole formed therein, wherein the third plate faces the first plate with the second plate therebetween, and the third hole faces the second hole. And the third hole may have a larger size than the second hole. The third plate is positioned to be in close contact with the second plate, and may be made of a resin material.

상기 제1플레이트와 상기 제3플레이트는 서로 조합되어 상기 제2플레이트를 감싸도록 제공될 수 있다. The first plate and the third plate may be combined with each other and provided to surround the second plate.

본 발명의 실시예에 의하면, 구획 부재는 수지 재질의 제1플레이트가 금속 재질의 제2플레이트에 비해 액이 수용된 제1공간에 더 가깝게 위치된다. 이로 인해 제2플레이의 부식을 방지하는 동시에 미세홀을 통해 가스 배출이 가능하다.According to an embodiment of the present invention, in the partition member, the first plate made of a resin material is positioned closer to the first space in which the liquid is accommodated compared to the second plate made of metal. As a result, it is possible to prevent corrosion of the second play and discharge gas through the micro holes.

도 1은 일반적인 기화 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 8은 도 7의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 가스 공급 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 9의 구획 부재를 보여주는 절단 사시도이다.
도 11은 도 9의 제1홀 및 제2홀을 보다 확대해 보여주는 단면도이다.
도 12는 도 11의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 1 is a cross-sectional view showing a general vaporization device.
2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing the coating block or the developing block of FIG. 2.
4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 3.
5 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 4.
6 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 4.
7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6.
8 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 7.
9 is a cross-sectional view showing the gas supply unit of FIG. 8.
10 is a cut perspective view showing the partition member of FIG. 9.
11 is a cross-sectional view showing an enlarged first hole and a second hole of FIG. 9.
12 is a cross-sectional view showing another embodiment of FIG. 11.
13 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 4.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the industry. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a more clear description.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 4는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다. 도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing a coating block or a developing block of FIG. 2, and FIG. 4 is a substrate processing apparatus of FIG. It is a top view. Referring to FIGS. 2 to 4, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a treating module 30, and an interface module 40. According to an embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as the first direction 12, and the direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as The second direction 14 is referred to as, and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as the third direction 16.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is stored to the processing module 30, and stores the processed substrate W into the container 10. The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 based on the index frame 24. The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and a plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a container 10 for sealing such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The container 10 may be placed on the load port 22 by an operator or a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. I can.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 in which the longitudinal direction is provided in the second direction 14 may be provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16, and performs a third direction 16. It may be provided to be movable along the way.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 본 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has a coating block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a developing process on the substrate W. A plurality of coating blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to this embodiment, two coating blocks 30a are provided, and two developing blocks 30b are provided. The coating blocks 30a may be disposed under the developing blocks 30b. According to an example, the two coating blocks 30a perform the same process and may be provided in the same structure. In addition, the two developing blocks 30b perform the same process with each other, and may be provided with the same structure.

도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. The coating block 30a has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, a liquid processing chamber 3600, and a buffer chamber 3800. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid processing chamber 3600 within the coating block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveying chamber 3400 is provided with its longitudinal direction parallel to the first direction 12. A transfer robot 3422 is provided in the transfer chamber 3400. The transfer robot 3422 transfers the substrate between the heat treatment chamber 3200, the liquid treatment chamber 3600, and the buffer chamber 3800. According to an example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which a substrate W is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, a rotation about the third direction 16, and a third direction. It may be provided to be movable along (16). In the transfer chamber 3400, a guide rail 3300 whose longitudinal direction is provided parallel to the first direction 12 may be provided, and the transfer robot 3422 may be provided to be movable on the guide rail 3300. .

도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. 5 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 4. Referring to FIG. 5, the hand 3420 has a base 3428 and a support protrusion 3429. The base 3428 may have an annular ring shape in which a part of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. The support protrusion 3429 extends inwardly from the base 3428. A plurality of support protrusions 3429 are provided and support an edge region of the substrate W. According to an example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3202)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다. 열처리 챔버들(3200) 중 인덱스 모듈(20)에 가장 인접하게 위치되는 열처리 챔버(3202)는 액 처리 챔버(3600)에 기판을 반송하기 전에 기판을 열처리하고, 그 외의 열처리 챔버(3206)는 액처리 챔버(3600)에서 액 처리된 기판을 열처리한다. 본 실시예에는 인덱스 모듈(20)에 가장 인접하게 위치되는 열처리 챔버를 전단 열처리 챔버(3202)로 정의한다. The heat treatment chamber 3200 is provided in plural. The heat treatment chambers 3200 are arranged to be arranged along the first direction 12. The heat treatment chambers 3202 are located on one side of the transfer chamber 3400. Among the heat treatment chambers 3200, the heat treatment chamber 3202, which is located closest to the index module 20, heats the substrate before transferring the substrate to the liquid treatment chamber 3600, and the other heat treatment chamber 3206 The liquid-treated substrate is heat treated in the processing chamber 3600. In this embodiment, the heat treatment chamber located closest to the index module 20 is defined as the shear heat treatment chamber 3202.

본 실시예는 복수의 열 처리 챔버들(3200) 중 전단 열처리 챔버(3202)를 일 예로 설명한다. 전단 열처리 챔버(3202)는 기판(W) 가열 중에 처리 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 처리 가스는 기판(W)의 표면을 개질한다. 처리 가스는 기판(W)의 표면을 친수성에서 소수성으로 전환시킨다. 일 예에 의하면, 처리 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. 이와 달리 후단 열처리 챔버(3206)에는 처리 가스를 공급하지 않는다.This embodiment describes a shear heat treatment chamber 3202 among the plurality of heat treatment chambers 3200 as an example. The shear heat treatment chamber 3202 may improve the adhesion rate of the photoresist to the substrate W by supplying a processing gas while heating the substrate W. The processing gas modifies the surface of the substrate W. The processing gas converts the surface of the substrate W from hydrophilic to hydrophobic. According to an example, the processing gas may be hexamethyldisilane gas. Unlike this, processing gas is not supplied to the subsequent heat treatment chamber 3206.

도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 열처리 챔버(3202)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 6 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 4, and FIG. 7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6. 6 and 7, the heat treatment chamber 3202 has a housing 3210, a cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a transfer plate 3240.

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped. A carrying port (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210. The entrance can be kept open. A door (not shown) may be provided to selectively open and close the entrance. A cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a conveying plate 3240 are provided in the housing 3210. The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the second direction 14. According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222. The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. A cooling member 3224 is provided on the cooling plate 3222. According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 도 8은 도 7의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 8을 참조하면, 가열 유닛(3230)은 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1300), 히터 유닛(1420), 가스 도입 유닛(1500), 그리고 가스 공급 유닛(1600)을 포함한다. The heating unit 3230 is provided as an apparatus 1000 for heating the substrate to a temperature higher than room temperature. The heating unit 3230 heats the substrate W in an atmosphere of normal pressure or a lower pressure. 8 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 7. Referring to FIG. 8, the heating unit 3230 includes a chamber 1100, a substrate support unit 1300, a heater unit 1420, a gas introduction unit 1500, and a gas supply unit 1600.

챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides a processing space 1110 for heating the substrate W therein. The processing space 1110 is provided as a space blocked from the outside. The chamber 1100 includes an upper body 1120, a lower body 1140, and a sealing member 1160.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 중심홀(1124) 및 주변홀(1122)이 형성된다. 중심홀(1124)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 중심(1124)은 처리 가스를 챔버(1100) 내에 유입시키는 유입홀(1124)로 기능한다. 주변홀(1122)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 주변홀(1122)은 복수 개가 이격되도록 제공되며, 중심홀(1124)을 감싸도록 배열된다. 일 예에 의하면, 주변홀(1122)은 4 개일 수 있다.The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with an open lower part. A central hole 1124 and a peripheral hole 1122 are formed on the upper surface of the upper body 1120. The center hole 1124 is formed in the center of the upper body 1120. The center 1124 functions as an inlet hole 1124 through which processing gas is introduced into the chamber 1100. The peripheral hole 1122 exhausts the atmosphere of the processing space 1110. A plurality of peripheral holes 1122 are provided to be spaced apart, and are arranged to surround the central hole 1124. According to an example, there may be four peripheral holes 1122.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with an open top. The lower body 1140 is located under the upper body 1120. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned so that their central axes coincide with each other in the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120. That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned to face the lower end of the upper body 1120.

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 바디(1140)의 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved to the open position and the blocked position by the elevating member 1130, and the other is fixed in its position. In this embodiment, it will be described that the position of the lower body 1140 is fixed and the upper body 1120 is moved. The open position is a position in which the upper body 1120 and the lower body 1140 are spaced apart from each other to open the processing space 1110. The blocking position is a position where the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120.

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 접촉될 때 처리 공간이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. The sealing member 1160 is positioned between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 allows the processing space to be sealed from the outside when the upper body 1120 and the lower body 1140 contact each other. The sealing member 1160 may be provided in an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower body 1140.

기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 지지 플레이트(1320), 리프트 핀(1340), 그리고 지지핀(1360)을 포함한다. 지지 플레이트(1320)는 히터 유닛(1400)으로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)이 놓이는 안착면으로 기능한다. 안착면에는 리프트 핀(1340)과 지지핀(1360)이 각각 제공된다. 리프트 핀(1340)은 지지 플레이트(1320) 상에서 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 핀(1342)은 복수 개로 제공되며, 각각은 수직한 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 리프트 핀(1342)은 상단이 지지 플레이트(1320) 내에 위치되도록 하강 이동되거나, 안착면의 위로 돌출되도록 승강 이동될 수 있다.The substrate support unit 1300 supports the substrate W in the processing space 1110. The substrate support unit 1300 is fixedly coupled to the lower body 1140. The substrate support unit 1300 includes a support plate 1320, a lift pin 1340, and a support pin 1360. The support plate 1320 transfers heat generated from the heater unit 1400 to the substrate W. The support plate 1320 is provided in a circular plate shape. The upper surface of the support plate 1320 has a larger diameter than the substrate W. The upper surface of the support plate 1320 functions as a seating surface on which the substrate W is placed. A lift pin 1340 and a support pin 1360 are provided on the seating surface, respectively. The lift pin 1340 raises and lowers the substrate W on the support plate 1320. The lift pins 1342 are provided in plural, each of which is provided in a pin shape facing a vertical vertical direction. The lift pin 1342 may be moved downward so that the upper end is positioned within the support plate 1320 or may be moved upward and downward so as to protrude above the seating surface.

지지핀(1360)은 기판(W)이 안착면에 직접적으로 접촉되는 것을 방지한다. 지지핀(1360)은 리프트 핀(1342)과 평행한 길이 방향을 가지는 핀 형상으로 제공된다. 지지핀(1360)은 복수 개로 제공되며, 각각은 안착면에 고정 설치된다. 지지핀들(1360)은 안착면으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 지지핀(1360)의 상단은 기판(W)의 저면에 직접 접촉되는 접촉면으로 제공되며, 접촉면은 위로 볼록한 형상을 가진다. 이에 따라 지지핀(1360)과 기판(W) 간의 접촉 면적을 최소화할 수 있다.The support pin 1360 prevents the substrate W from directly contacting the mounting surface. The support pin 1360 is provided in a pin shape having a longitudinal direction parallel to the lift pin 1342. A plurality of support pins 1360 are provided, each of which is fixedly installed on a seating surface. The support pins 1360 are positioned to protrude upward from the seating surface. The upper end of the support pin 1360 is provided as a contact surface that directly contacts the bottom surface of the substrate W, and the contact surface has a convex upward shape. Accordingly, the contact area between the support pin 1360 and the substrate W can be minimized.

가이드(1380)는 기판(W)이 안착면의 정 위치에 놓여지도록 기판(W)을 가이드한다. 가이드(1380)는 안착면을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 가이드(1380)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가이드(1380)의 내측면은 지지 플레이트(1320)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 형상을 가진다. 이에 따라 가이드(1380)의 내측면에 걸친 기판(W)은 그 경사면을 타고 정위치로 이동된다. 또한 가이드(1380)는 기판(W)과 안착면의 사이에 유입되는 기류를 소량 방지할 수 있다.The guide 1380 guides the substrate W so that the substrate W is placed in a proper position on the mounting surface. The guide 1380 is provided to have an annular ring shape surrounding the seating surface. The guide 1380 has a larger diameter than the substrate W. The inner surface of the guide 1380 has a shape inclined downward as it approaches the central axis of the support plate 1320. Accordingly, the substrate W over the inner surface of the guide 1380 is moved to the correct position along the inclined surface. In addition, the guide 1380 may prevent a small amount of airflow flowing between the substrate W and the seating surface.

히터 유닛(1420)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 히터 유닛(1420)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)보다 아래에 위치된다. 히터 유닛(1420)은 복수 개의 히터들(1420)을 포함한다. 히터들(1420)은 각각 지지 플레이트(1320) 내에 위치된다. 선택적으로 히터들(1420)은 지지 플레이트(1320)의 저면에 위치될 수 있다. 각 히터들(1420)은 동일 평면 상에 위치된다. 일 예에 의하면, 각 히터들(1420)은 안착면의 서로 상이한 영역을 서로 다른 온도로 가열할 수 있다. 히터들(1420) 중 일부는 안착면의 중앙 영역을 제1온도로 가열하고, 히터들(1420) 중 다른 일부는 안착면의 가장자리 영역을 제2온도로 가열할 수 있다. 제2온도는 제1온도보다 높은 온도일 수 있다. 히터들(1420)은 프린팅된 패턴 또는 열선일 수 있다. The heater unit 1420 heats the substrate W placed on the support plate 1320. The heater unit 1420 is positioned below the substrate W placed on the support plate 1320. The heater unit 1420 includes a plurality of heaters 1420. The heaters 1420 are respectively located in the support plate 1320. Optionally, the heaters 1420 may be located on the bottom of the support plate 1320. Each of the heaters 1420 is located on the same plane. According to an example, each of the heaters 1420 may heat different regions of the seating surface at different temperatures. Some of the heaters 1420 may heat the central region of the seating surface to the first temperature, and some of the heaters 1420 may heat the edge region of the seating surface to the second temperature. The second temperature may be higher than the first temperature. The heaters 1420 may be printed patterns or heating wires.

가스 도입 유닛(1500)은 흐름 형성 플레이트(1540) 및 도입관(1520)을 포함한다. 흐름 형성 플레이트(1540)는 중공을 가지는 원판 형상으로 제공된다. 흐름 형성 플레이트(1540)는 상부 바디에 대응되는 높이에 제공된다. 도입관(1520)은 기판 상에 처리 가스를 토출하는 토출 부재로 기능한다. 도입관(1520)은 중심홀(1124)에 삽입되게 위치된다. 도입관(1520)은 하단이 처리 공간(1110) 내에 위치되고, 상단이 처리 공간(1110)의 외부에 위치되게 제공된다. 흐름 형성 플레이트(1540)의 중공에는 도입관(1520)이 고정 결합된다. 예컨대, 흐름 형성 플레이트(1540)와 도입관(1520)은 일체로 제공될 수 있다. 흐름 형성 플레이트(1540)와 도입관(1520)은 하단 높이가 일치되게 제공될 수 있다. 흐름 형성 플레이트(1540)는 처리 공간(1110)을 상부 공간(1110a)과 하부 공간(1110b)으로 구획한다. 이에 따라 하부 공간(1110b)은 처리 가스가 도입되어 기판(W)을 처리하는 공간으로 기능하고, 상부 공간(1110a)은 처리 가스가 배기되는 배기 공간으로 기능할 수 있다. 흐름 형성 플레이트(1540)는 상부 바디의 내경과 일치하는 외경을 가지도록 제공된다. 흐름 형성 플레이트(1540)의 가장자리 영역에는 복수의 배기홀들(1542)이 형성된다. 배기홀들(1542)은 흐름 형성 플레이트(1540)의 중공을 감싸도록 원주 방향을 따라 배열된다. 예컨대, 상부에서 바라볼 때 배기홀(1542)들은 원형의 홀로 제공될 수 있다. 선택적으로 배기홀들(1542)은 중공을 감싸는 호 형상으로 제공될 수 있다. 본 실시예에 의하면, 배기홀들(1542)은 기판 지지 유닛(1300)에 놓여진 기판(W)과 마주하지 않도록 제공된다. 즉 상부에서 바라볼 때 배기홀(1542)은 기판 지지 유닛(1300)에 놓여진 기판(W)의 주변을 감싸도록 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. 배기홀(1542)을 통과한 공정 부산물은 주변홀(1122)에 연결된 배기 라인(1560)을 통해 외부로 배기된다. 배기 라인(1560)에는 감압 부재(1580)가 설치되며, 감압 부재(1580)에 의한 배기압에 의해 배기된다. 이에 따라 기판(W)의 가장자리 영역에 처리 가스의 공급 간섭을 최소화할 수 있다. 예컨대, 처리 가스는 기판(W)의 표면을 개질하는 헥사메틸다이실라잔(Hexamethyldisilazane, HMDS)일 수 있다. 처리 가스는 감광액과 유사 또는 동일한 성질을 가질 수 있다. 감광액은 소수성 성질로 제공되며, 처리 가스는 소수성 성질로 제공될 수 있다. The gas introduction unit 1500 includes a flow forming plate 1540 and an introduction pipe 1520. The flow forming plate 1540 is provided in the shape of a disk having a hollow. The flow forming plate 1540 is provided at a height corresponding to the upper body. The introduction pipe 1520 functions as a discharge member for discharging the processing gas onto the substrate. The introduction pipe 1520 is positioned to be inserted into the center hole 1124. The introduction pipe 1520 is provided such that the lower end is located in the processing space 1110 and the upper end is located outside the processing space 1110. The introduction pipe 1520 is fixedly coupled to the hollow of the flow forming plate 1540. For example, the flow forming plate 1540 and the introduction pipe 1520 may be provided integrally. The flow forming plate 1540 and the introduction pipe 1520 may be provided to have the same lower height. The flow forming plate 1540 divides the processing space 1110 into an upper space 1110a and a lower space 1110b. Accordingly, the lower space 1110b may function as a space in which processing gas is introduced to process the substrate W, and the upper space 1110a may function as an exhaust space through which the processing gas is exhausted. The flow forming plate 1540 is provided to have an outer diameter that matches the inner diameter of the upper body. A plurality of exhaust holes 1542 are formed in the edge region of the flow forming plate 1540. The exhaust holes 1542 are arranged along the circumferential direction so as to surround the hollow of the flow forming plate 1540. For example, when viewed from the top, the exhaust holes 1542 may be provided as circular holes. Optionally, the exhaust holes 1542 may be provided in an arc shape surrounding the hollow. According to this embodiment, the exhaust holes 1542 are provided so as not to face the substrate W placed on the substrate support unit 1300. That is, when viewed from the top, the exhaust holes 1542 may be arranged along the circumferential direction so as to surround the periphery of the substrate W placed on the substrate support unit 1300. The process by-products passing through the exhaust hole 1542 are exhausted to the outside through an exhaust line 1560 connected to the peripheral hole 1122. A decompression member 1580 is installed in the exhaust line 1560 and is exhausted by exhaust pressure by the decompression member 1580. Accordingly, interference with the supply of the processing gas to the edge region of the substrate W can be minimized. For example, the processing gas may be hexamethyldisilazane (HMDS) that modifies the surface of the substrate W. The processing gas may have similar or identical properties to the photoresist. The photoresist is provided with hydrophobic properties, and the process gas may be provided with hydrophobic properties.

가스 공급 유닛(1600)은 도입관(1520)에 처리 가스를 공급한다. 도 9는 도 8의 가스 공급 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 가스 공급 유닛(1600)은 탱크(1620). 처리 가스 공급 라인(1610), 그리고 기화 유닛(1700)을 포함한다. 가스 공급 유닛(1600)은 탱크(1620) 내에 수용된 처리액을 기화시켜 가스 상태로 도입관(1520)으로 공급한다. 탱크(1620)는 내부에 수용 공간(1622)을 가진다. 수용 공간(1622)에는 처리액이 수용된다. 수용 공간(1622)은 밀폐된 공간으로 제공된다. 처리 가스 공급 라인(1610)은 수용 공간(1622)을 도입관에 연결한다. 수용 공간(1622)에서 발생된 공정 유체는 처리 가스 공급 라인(1610)을 통해 처리 공간(1110)으로 공급된다. The gas supply unit 1600 supplies processing gas to the introduction pipe 1520. 9 is a cross-sectional view showing the gas supply unit of FIG. 8. Referring to FIG. 9, the gas supply unit 1600 is a tank 1620. A process gas supply line 1610 and a vaporization unit 1700 are included. The gas supply unit 1600 vaporizes the processing liquid contained in the tank 1620 and supplies it to the introduction pipe 1520 in a gas state. The tank 1620 has a receiving space 1622 therein. The processing liquid is accommodated in the accommodation space 1622. The accommodation space 1622 is provided as a closed space. The process gas supply line 1610 connects the accommodation space 1622 to the introduction pipe. The process fluid generated in the accommodation space 1622 is supplied to the process space 1110 through the process gas supply line 1610.

기화 유닛(1700)은 수용 공간(1622)에 수용된 처리액을 기화시킨다. 기화 유닛(1700)은 처리액 내에 버블을 형성하여 처리액을 가스 상태로 전환한다. 기화 유닛(1700)은 바디(1720), 기화 가스 공급 라인(1740), 그리고 구획 부재(1760)를 포함한다. 바디(1720)은 수용 공간(1622)에 위치된다. 바디(1720)은 일면이 개방된 통 형상을 가진다. 예컨대, 바디(1720)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공될 수 있다. 바디(1720)은 처리액 내에 잠기도록 위치된다. 바디(1720)의 내부는 버블이 발생되는 공간으로 제공된다. 바디(1720)는 내부에 제1공간(1720a)과 제2공간(1720b)을 가진다. 제1공간(1720a)은 처리액이 채워지는 공간으로 제공되고, 제2공간(1720b)은 가스가 채워지는 공간으로 제공된다. 예컨대, 제1공간(1720a)과 제2공간(1720b)은 서로 분리되며, 적층된 공간으로 제공될 수 있다. 제1공간(1720a)은 제2공간(1720b)의 상부에 위치될 수 있다.The vaporization unit 1700 vaporizes the processing liquid contained in the accommodation space 1622. The vaporization unit 1700 converts the processing liquid into a gaseous state by forming bubbles in the processing liquid. The vaporization unit 1700 includes a body 1720, a vaporization gas supply line 1740, and a partition member 1760. The body 1720 is located in the accommodation space 1622. The body 1720 has a cylindrical shape with one open surface. For example, the body 1720 may be provided in a cylindrical shape with an open top. The body 1720 is positioned to be immersed in the treatment liquid. The interior of the body 1720 is provided as a space where bubbles are generated. The body 1720 has a first space 1720a and a second space 1720b therein. The first space 1720a is provided as a space filled with a processing liquid, and the second space 1720b is provided as a space filled with gas. For example, the first space 1720a and the second space 1720b are separated from each other and may be provided as a stacked space. The first space 1720a may be located above the second space 1720b.

기화 가스 공급 라인(1740)은 제2공간(1720b) 내에 기화 가스를 공급한다. 기화 가스 공급 라인(1740)은 일부가 바디(1720) 내에 위치되도록 제공된다. 일 예에 의하면, 기화 가스 공급 라인(1740)은 바디(1720)의 상벽을 관통하여, 하단이 바디(1720) 내에 위치되도록 제공될 수 있다. 기화 가스 공급 라인(1740)의 하단은 바디(1720)의 바닥면에 인접하게 위치될 수 있다.The vaporized gas supply line 1740 supplies vaporized gas into the second space 1720b. The vaporized gas supply line 1740 is provided so that a part is located within the body 1720. According to an example, the vaporized gas supply line 1740 may penetrate the upper wall of the body 1720 and may be provided such that the lower end is positioned within the body 1720. The lower end of the vaporized gas supply line 1740 may be located adjacent to the bottom surface of the body 1720.

구획 부재(1760) 복수의 홀이 형성된 타공판 형상을 가진다. 구획 부재(1700)는 바디의 내부 공간인 제1공간(1720a)과 제2공간(1720b)을 구획한다. 도 10은 도 9의 구획 부재를 보여주는 절단 사시도이다. 도 10을 참조하면, 구획 부재(1700)는 제1플레이트(1770) 및 제2플레이트(1780)를 포함한다. 제1플레이트(1770)와 제2플레이트(1780) 각각은 홀이 형성된 판 형상을 가진다. 도 11과 같이, 제1플레이트(1770)에는 복수의 제1홀들(1772)이 형성되고, 제2플레이트(1780)에는 복수의 제2홀들(1782)이 형성된다. 제1플레이트(1770)와 제2플레이트(1780)는 서로 적층되게 위치된다. 제1플레이트(1770)와 제2플레이트(1780)는 서로 밀착되게 위치된다. 제1플레이트(1770)는 제2플레이트(1780)에 비해 제1공간(1720a)에 더 인접하게 위치되고, 제2플레이트(1780)는 제1플레이트(1770)에 비해 제2공간(1720b)에 더 인접하게 위치된다. 즉, 제1플레이트(1770)는 제2플레이트(1780)의 상부에 위치된다. 제1플레이트(1770)와 제2플레이트(1780)는 상부에서 바라볼 때 제1홀(1772)과 제2홀(1782)이 서로 중첩되게 위치된다. 일 예에 의하면, 제1홀(1772)과 제2홀(1782)은 동심원을 가지도록 위치될 수 있다. 따라서 제1홀(1772)과 제2홀(1782)은 동일 개수로 제공될 수 있다. 제1홀(1772)의 크기(D1)은 제2홀(1782)의 크기(D2)에 비해 큰 크기를 가지도록 제공된다. 제1플레이트(1770)와 제2플레이트(1780)는 서로 다른 재질을 갖도록 제공된다. 예컨대, 처리액에 직접적으로 노출되는 제1플레이트(1770)는 내화학성이 강한 재질로 제공되고, 기화 가스에 직접적으로 노출되는 제2플레이트(1780)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 이는 제2플레이트(1780)와 처리액이 접촉되는 것을 제1플레이트(1770)가 방지할 수 있다. 제1플레이트(1770)는 수지 재질로 제공될 수 있다. 또한 가공이 유리한 금속 재질의 제2플레이트(1780)를 통해 제2홀(1782)의 크기(D2)를 미세화할 수 있어 제2홀(1782)을 통과하여 처리액 내에 형성되는 기포의 크기를 미세화할 수 있다. 따라서 제2공간(1720b)으로부터 공급된 기화 가스가 제2홀(1782) 및 제1홀(1772)을 순차적으로 통과하며, 제2플레이트(1780)에 처리액이 접촉되는 것을 방지한다.The partition member 1760 has a perforated plate shape in which a plurality of holes are formed. The partition member 1700 partitions the first space 1720a and the second space 1720b, which are internal spaces of the body. 10 is a cut perspective view showing the partition member of FIG. 9. Referring to FIG. 10, the partition member 1700 includes a first plate 1770 and a second plate 1780. Each of the first plate 1770 and the second plate 1780 has a plate shape in which a hole is formed. 11, a plurality of first holes 1772 are formed in the first plate 1770, and a plurality of second holes 1802 are formed in the second plate 1780. The first plate 1770 and the second plate 1780 are positioned to be stacked on each other. The first plate 1770 and the second plate 1780 are positioned in close contact with each other. The first plate 1770 is located closer to the first space 1720a than the second plate 1780, and the second plate 1780 is located in the second space 1720b compared to the first plate 1770. Are located closer together. That is, the first plate 1770 is located above the second plate 1780. The first plate 1770 and the second plate 1780 are positioned so that the first hole 1772 and the second hole 1802 overlap each other when viewed from above. According to an example, the first hole 1772 and the second hole 1802 may be positioned to have a concentric circle. Accordingly, the first hole 1772 and the second hole 1802 may be provided in the same number. The size D 1 of the first hole 1772 is provided to have a larger size than the size D 2 of the second hole 1802. The first plate 1770 and the second plate 1780 are provided to have different materials. For example, the first plate 1770 directly exposed to the treatment liquid may be made of a material having strong chemical resistance, and the second plate 1780 directly exposed to the vaporizing gas may be made of a metal material. This may prevent the first plate 1770 from contacting the second plate 1780 with the processing liquid. The first plate 1770 may be made of a resin material. In addition, the size (D 2 ) of the second hole 1802 can be miniaturized through the second plate 1780 made of a metal material that is advantageous in processing, so that the size of the bubbles formed in the treatment liquid through the second hole 1802 can be reduced. It can be refined. Accordingly, the vaporized gas supplied from the second space 1720b sequentially passes through the second hole 1802 and the first hole 1772, thereby preventing the processing liquid from contacting the second plate 1780.

상술한 실시예에는 구획 부재(1700)가 제1플레이트(1770)와 제2플레이트(1780)를 포함하는 것으로 설명하였다. 그러나 도 12와 같이, 구획 부재(1700)는 제3플레이트(1790)를 더 포함할 수 있다. 제3플레이트(1790)는 제2플레이트(1780)를 사이에 두고, 제1플레이트(1770)와 마주하게 위치될 수 있다. 제1플레이트(1770)와 제3플레이트(1790)는 서로 조합되어 제2플레이트(1780)를 감싸도록 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 제1플레이트(1770)와 제3플레이트(1790)는 일체로 제공될 수 있다. 제3플레이트(1790)에는 복수의 제3홀(1792)들이 형성된다. 제3홀(1792)의 크기(D3)은 제2홀(1782)의 크기(D2)에 비해 큰 크기를 갖도록 제공된다. 제3플레이트(1790)는 제2플레이트(1780)의 저면에 밀착되게 위치된다. 제3플레이트(1790)는 제2홀(1782)과 제3홀(1792)이 중첩되게 위치된다. 예컨대, 제3홀(1792)은 제1홀(1772)과 동일 크기를 가질 수 있다. 제3홀(1792)과 제2홀(1782)은 동심원을 갖도록 위치될 수 있다. 제3플레이트(1790)는 처리액에 내화학성이 강한 재질을 가진다. 제3플레이트(1790)는 제1플레이트(1770)와 동일 또는 유사한 재질을 갖는다. 예컨대, 제3플레이트(1790)는 수지 재질로 제공될 수 있다. In the above-described embodiment, it has been described that the partition member 1700 includes the first plate 1770 and the second plate 1780. However, as shown in FIG. 12, the partition member 1700 may further include a third plate 1790. The third plate 1790 may be positioned to face the first plate 1770 with the second plate 1780 interposed therebetween. The first plate 1770 and the third plate 1790 may be combined with each other and provided to surround the second plate 1780. According to an example, the first plate 1770 and the third plate 1790 may be provided integrally. A plurality of third holes 1792 are formed in the third plate 1790. A size D 3 of the third hole 1792 is provided to have a larger size than the size D 2 of the second hole 1802. The third plate 1790 is positioned to be in close contact with the bottom surface of the second plate 1780. The third plate 1790 is positioned so that the second hole 1782 and the third hole 1792 overlap. For example, the third hole 1792 may have the same size as the first hole 1772. The third hole 1792 and the second hole 1802 may be positioned to have a concentric circle. The third plate 1790 has a material having strong chemical resistance to the treatment liquid. The third plate 1790 has the same or similar material as the first plate 1770. For example, the third plate 1790 may be made of a resin material.

다시 도 6 및 도 7을 참조하면, 반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. Referring back to FIGS. 6 and 7, the transfer plate 3240 has a substantially disk shape and has a diameter corresponding to the substrate W. A notch 3244 is formed at the edge of the transfer plate 3240. The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hand 3420 of the transfer robot 3422 described above. In addition, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the protrusion 3429 formed in the hand 3420 and is formed at a position corresponding to the protrusion 3429. When the vertical position of the hand 3420 and the transfer plate 3240 is changed in the position where the hand 3420 and the transfer plate 3240 are aligned in the vertical direction, the substrate W between the hand 3420 and the transfer plate 3240 is changed. Delivery takes place. The transfer plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 and may be moved between the first area 3212 and the second area 3214 along the guide rail 3249 by a driver 3246. The conveying plate 3240 is provided with a plurality of slit-shaped guide grooves 3242. The guide groove 3242 extends from the end of the transfer plate 3240 to the inside of the transfer plate 3240. The guide groove 3242 is provided along the second direction 14 in its longitudinal direction, and the guide grooves 3242 are positioned to be spaced apart from each other along the first direction 12. The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pin 1340 from interfering with each other when the transfer of the substrate W is made between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230.

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)는 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)는 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated while the substrate W is directly placed on the support plate 1320, and the substrate W is cooled by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed. It is made while in contact with. The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is well performed. According to an example, the transfer plate 3240 may be made of a metal material.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. The liquid processing chamber 3600 is provided in plural. Some of the liquid treatment chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed on one side of the transfer chamber 3402. The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12. Some of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the index module 20. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as a front liquid treatment chamber 3602 (front liquid treating chamber). Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the interface module 40. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604.

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front-end liquid treatment chamber 3602 applies the first liquid onto the substrate W, and the rear-end liquid treatment chamber 3604 applies the second liquid onto the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquids. According to an embodiment, the first liquid is an antireflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W on which the antireflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an antireflection film. In this case, the antireflection film may be applied on the substrate W on which the photoresist is applied. Optionally, the first liquid and the second liquid are of the same type, and they may all be photoresists.

도 13은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 13을 참조하면, 액 처리 챔버(3600)는 하우징(3610), 처리 용기(3620), 기판 지지 유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 처리 용기(3620), 기판 지지 유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛(3670)이 제공될 수 있다. 처리 용기(3620)는 상부가 개방된 컵 형상으로 제공된다. 처리 용기(3620)는 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가진다. 기판 지지 유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(3640)은 액 처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급 유닛(3660)은 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 13 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 4. Referring to FIG. 13, a liquid processing chamber 3600 includes a housing 3610, a processing container 3620, a substrate support unit 3640, and a liquid supply unit 3660. The housing 3610 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped. A carrying port (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3610. The entrance may be opened and closed by a door (not shown). The processing container 3620, the substrate support unit 3640, and the liquid supply unit 3660 are provided in the housing 3610. A fan filter unit 3670 for forming a downward airflow in the housing 3260 may be provided on an upper wall of the housing 3610. The processing container 3620 is provided in a cup shape with an open top. The processing container 3620 has a processing space for processing a substrate therein. The substrate support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. The substrate support unit 3640 is provided so that the substrate W is rotatable during liquid processing. The liquid supply unit 3660 supplies liquid to the substrate W supported by the substrate support unit 3640.

액 공급 유닛(3660)은 처리액 노즐(3662)을 포함한다. 처리액 노즐(3662)은 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)에 처리액을 토출한다. 예컨대, 처리액은 포토레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 처리액 노즐(3662)은 공정 위치와 대기 위치 간에 이동된다. 여기서 공정 위치는 처리액 노즐(3662)이 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)의 상부에서 기판(W)과 마주하는 위치이고, 대기 위치는 처리액 노즐(3662)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 공정 위치는 처리액 노즐(3662)이 기판(W)의 중심으로 처리액 토출이 가능한 위치일 수 있다. The liquid supply unit 3660 includes a treatment liquid nozzle 3662. The processing liquid nozzle 3662 discharges the processing liquid to the substrate W supported by the substrate support unit 3640. For example, the treatment liquid may be a photoresist such as a photoresist. The treatment liquid nozzle 3662 is moved between the process position and the standby position. Here, the process position is a position where the treatment liquid nozzle 3662 faces the substrate W from the top of the substrate W supported by the substrate support unit 3640, and the standby position is the treatment liquid nozzle 3662 It's off position. The process position may be a position in which the treatment liquid nozzle 3662 can discharge the treatment liquid to the center of the substrate W.

다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802, front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804, rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 3 and 4, a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400. Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802. The shear buffers 3802 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Other portions of the buffer chambers 3802 and 3804 are disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804. The rear buffers 3804 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Each of the front buffers 3802 and the rear buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is carried in or taken out by the index robot 2200 and the transfer robot 3422. The substrate W stored in the rear buffer 3804 is carried in or taken out by the transfer robot 3422 and the first robot 4602.

전단 버퍼(3802)의 일측에는 전단 반송 로봇이 위치된다. 전단 반송 로봇은 전단 버퍼(3802)와 전단 열처리 챔버 간에 기판을 반송한다. A shear transfer robot is positioned on one side of the shear buffer 3802. The shear transfer robot transfers the substrate between the shear buffer 3802 and the shear heat treatment chamber.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, and a liquid treatment chamber 3600. Since the heat treatment chamber 3200 of the developing block 30b and the transfer chamber 3400 are provided in a structure and arrangement substantially similar to the heat treatment chamber 3200 of the coating block 30a and the transfer chamber 3400, the description Is omitted.

현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판(W)을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다. In the developing block 30b, the liquid processing chambers 3600 are all provided as a developing chamber 3600 for developing and processing the substrate W by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to an external exposure apparatus 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a conveying member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit may be provided at an upper end of the interface frame 4100 to form a downward airflow therein. The additional process chamber 4200, the interface buffer 4400, and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the coating block 30a, is carried into the exposure apparatus 50. Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed by the exposure apparatus 50, is carried into the developing block 30b. According to an example, the additional process is an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a bottom surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W. I can. A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer process. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an additional process chamber 4200 may be disposed on one side and an interface buffer 4400 may be disposed on the other side based on an extension line in the longitudinal direction of the transfer chamber 3400.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The conveying member 4600 conveys the substrate W between the coating block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the carrying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606. The first robot 4602 transfers the substrate W between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 includes the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. Each of the first robot 4602 and the second robot 4606 includes a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along the three directions 16.

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hand of the index robot 2200, the first robot 4602, and the second robot 4606 may all be provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robot 3422. Optionally, the hand of the robot that directly exchanges the substrate W with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robot 3422, and the hand of the other robots is provided in a different shape Can be.

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to an embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating unit 3230 of the shear heat treatment chamber 3200 provided in the coating block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3422 provided in the coating block 30a and the developing block 30b may be provided to directly exchange the substrate W with the transfer plate 3240 positioned in the heat treatment chamber 3200.

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus 1 described above will be described.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. A coating process (S20), an edge exposure process (S40), an exposure process (S60), and a developing process (S80) are sequentially performed on the substrate W.

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating treatment process (S20) is a heat treatment process (S21) in the heat treatment chamber 3200, an antireflective coating process (S22) in the front liquid treatment chamber 3602, a heat treatment process (S23) in the heat treatment chamber 3200, and a liquid treatment at the subsequent stage A photoresist film application process (S24) in the chamber 3604 and a heat treatment process (S25) in the heat treatment chamber 3200 are sequentially performed.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of a conveyance path of the substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 will be described.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. The index robot 2200 takes out the substrate W from the container 10 and transfers the substrate W to the front end buffer 3802. The transfer robot 3422 transfers the substrate W stored in the front end buffer 3802 to the front end heat treatment chamber 3200. The substrate W transfers the substrate W to the heating unit 3230 by the transfer plate 3240. When the heating process of the substrate in the heating unit 3230 is completed, the transfer plate 3240 transfers the substrate to the cooling unit 3220. The transfer plate 3240 is in contact with the cooling unit 3220 while supporting the substrate W to perform a cooling process of the substrate W. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper portion of the cooling unit 3220, and the transfer robot 3422 carries out the substrate W from the heat treatment chamber 3200 to the front end liquid treatment chamber 3602. Return.

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. An anti-reflection film is applied on the substrate W in the shear liquid processing chamber 3602.

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The transfer robot 3422 carries the substrate W from the front end liquid processing chamber 3602 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200. The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 carries out the substrate W and transfers the substrate W to the subsequent liquid treatment chamber 3604.

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. Thereafter, a photoresist film is applied on the substrate W in a liquid processing chamber 3604 at a later stage.

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. The transfer robot 3422 carries the substrate W out of the liquid processing chamber 3604 at the rear stage, and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200. The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 transfers the substrate W to the rear buffer 3804. The first robot 4602 of the interface module 40 carries out the substrate W from the rear buffer 3804 and transfers the substrate W to the auxiliary process chamber 4200.

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the auxiliary process chamber 4200.

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 carries out the substrate W from the auxiliary process chamber 4200 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the second robot 4606 takes out the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50.

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The development treatment process (S80) is performed by sequentially performing a heat treatment process (S81) in the heat treatment chamber 3200, a development process (S82) in the liquid treatment chamber 3600, and a heat treatment process (S83) in the heat treatment chamber 3200 do.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Hereinafter, an example of a conveyance path of the substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 will be described.

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The second robot 4606 unloads the substrate W from the exposure apparatus 50 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the first robot 4602 removes the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers the substrate W to the rear buffer 3804. The transfer robot 3422 carries out the substrate W from the rear buffer 3804 and transfers the substrate W to the heat treatment chamber 3200. In the heat treatment chamber 3200, a heating process and a cooling process of the substrate W are sequentially performed. When the cooling process is completed, the substrate W is transferred to the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422.

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. A developing process is performed by supplying a developer onto the substrate W to the developing chamber 3600.

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The substrate W is carried out from the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 and carried into the heat treatment chamber 3200. A heating process and a cooling process are sequentially performed on the substrate W in the heat treatment chamber 3200. When the cooling process is completed, the substrate W is carried out from the heat treatment chamber 3200 by the transfer robot 3422 and transferred to the front end buffer 3802.

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 takes out the substrate W from the shear buffer 3802 and transfers it to the container 10.

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.The processing block of the above-described substrate processing apparatus 1 has been described as performing a coating treatment process and a development treatment process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the processing block 37 performs only a coating process, and a film applied on the substrate W may be a spin-on hard mask film SOH.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

1760: 구획 부재 1720a: 제1공간
1720b: 제2공간 1770: 제1플레이트
1772: 제1홀 1780: 제2플레이트
1782: 제2홀 1790: 제3플레이트1760: partition member 1720a: first space
1720b: second space 1770: first plate
1772: first hole 1780: second plate
1782: second hole 1790: third plate

Claims (15)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 처리 가스를 공급하는 토출 부재와;
상기 토출 부재에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하되,
상기 가스 공급 유닛은
처리액을 처리 가스로 기화하는 기화 유닛과;
상기 기화 유닛으로부터 기화된 처리 가스를 상기 토출 부재로 공급하는 처리 가스 공급 라인을 포함하되,
상기 기화 유닛은,
내부에 액이 채워지는 제1공간과 가스가 채워지는 제2공간이 형성되는 바디와;
상기 제2공간에 기화 가스를 공급하는 기화 가스 공급 라인과;
상기 제1공간과 상기 제2공간을 구획하는 구획 부재를 포함하되,
상기 구획 부재는,
제1홀이 형성되는 제1플레이트와;
제2홀이 형성되는 제2플레이트를 포함하되,
상기 제1홀과 상기 제2홀은 서로 대향되도록 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트가 위치되고,
상기 제1플레이트는 상기 제2플레이트에 비해 상기 제1공간에 더 가깝게 위치되며,
상기 제1플레이트는 상기 제2플레이트에 비해 상기 액에 대해 내화학성이 더 강한 재질로 제공되고, 상기 제2플레이트는 금속 재질로 제공되며,
상기 제1홀은 상기 제2홀에 비해 더 큰 크기로 제공되고,
상기 제1홀과 상기 제2홀은 상부에서 바라볼 때 서로 중첩되게 제공되는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A substrate support unit supporting a substrate;
A discharge member for supplying a processing gas to a substrate supported by the substrate support unit;
Including a gas supply unit for supplying a processing gas to the discharge member,
The gas supply unit
A vaporization unit for vaporizing the processing liquid into a processing gas;
A processing gas supply line for supplying the processing gas vaporized from the vaporization unit to the discharge member,
The vaporization unit,
A body having a first space filled with liquid and a second space filled with gas;
A vaporized gas supply line for supplying vaporized gas to the second space;
Including a partition member partitioning the first space and the second space,
The partition member,
A first plate in which a first hole is formed;
Including a second plate in which a second hole is formed,
The first plate and the second plate are positioned so that the first hole and the second hole face each other,
The first plate is located closer to the first space than the second plate,
The first plate is provided with a material having stronger chemical resistance to the liquid than the second plate, and the second plate is provided with a metal material,
The first hole is provided in a larger size than the second hole,
The first hole and the second hole are provided to overlap each other when viewed from above. 제1항에 있어서,
상기 제1플레이트는 수지 재질로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The first plate is a substrate processing apparatus provided with a resin material. 제2항에 있어서,
상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트는 서로 밀착되게 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The first plate and the second plate are positioned to be in close contact with each other. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구획 부재는,
제3홀이 형성되는 제3플레이트를 더 포함하되,
상기 제3플레이트는 상기 제2플레이트를 사이에 두고 상기 제1플레이트와 마주하게 위치되며, 상기 제3홀이 상기 제2홀과 마주하도록 위치되고,
상기 제3홀은 상기 제2홀보다 큰 크기를 가지는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
The partition member,
Further comprising a third plate in which a third hole is formed,
The third plate is positioned to face the first plate with the second plate therebetween, the third hole is positioned to face the second hole,
The third hole is a substrate processing apparatus having a larger size than the second hole. 제4항에 있어서,
상기 제3플레이트는 상기 제2플레이트와 밀착되게 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The third plate is a substrate processing apparatus positioned to be in close contact with the second plate. 제5항에 있어서,
상기 제3플레이트는 수지 재질로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The third plate is a substrate processing apparatus provided with a resin material. 제6항에 있어서,
상기 제1플레이트와 상기 제3플레이트는 서로 조합되어 상기 제2플레이트를 감싸도록 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The first plate and the third plate are combined with each other to surround the second plate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2플레이트의 상면은 상기 액에 노출되지 않도록 제공되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
A substrate processing apparatus provided such that an upper surface of the second plate is not exposed to the liquid. 제8항에 있어서,
상기 액은 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane, HMDS) 액을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
The liquid is a substrate processing apparatus comprising a hexamethyldisilane (HMDS) liquid. 처리 가스를 공급하는 장치에 있어서,
처리액을 처리 가스로 기화하는 기화 유닛과;
상기 기화 유닛으로부터 기화된 처리 가스를 토출 부재로 공급하는 처리 가스 공급 라인을 포함하되,
상기 기화 유닛은,
내부에 액이 채워지는 제1공간과 가스가 채워지는 제2공간이 형성되는 바디와;
상기 제2공간에 기화 가스를 공급하는 기화 가스 공급 라인과;
상기 제1공간과 상기 제2공간을 구획하는 구획 부재를 포함하되,
상기 구획 부재는,
제1홀이 형성되는 제1플레이트와;
제2홀이 형성되는 제2플레이트를 포함하되,
상기 제1홀과 상기 제2홀은 서로 대향되도록 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트가 위치되고,
상기 제1플레이트는 상기 제2플레이트에 비해 상기 제1공간에 더 가깝게 위치되며,
상기 제1플레이트는 상기 제2플레이트에 비해 상기 액에 대해 내화학성이 더 강한 재질로 제공되고, 상기 제2플레이트는 금속 재질로 제공되며,
상기 제1홀은 상기 제2홀에 비해 더 큰 크기로 제공되고,
상기 제1홀과 상기 제2홀은 상부에서 바라볼 때 서로 중첩되게 제공되는 가스 공급 유닛.In an apparatus for supplying a processing gas,
A vaporization unit for vaporizing the processing liquid into a processing gas;
A processing gas supply line for supplying the processing gas vaporized from the vaporization unit to a discharge member,
The vaporization unit,
A body having a first space filled with liquid and a second space filled with gas;
A vaporized gas supply line for supplying vaporized gas to the second space;
Including a partition member partitioning the first space and the second space,
The partition member,
A first plate in which a first hole is formed;
Including a second plate in which a second hole is formed,
The first plate and the second plate are positioned so that the first hole and the second hole face each other,
The first plate is located closer to the first space than the second plate,
The first plate is provided with a material having stronger chemical resistance to the liquid than the second plate, and the second plate is provided with a metal material,
The first hole is provided in a larger size than the second hole,
The first hole and the second hole are provided to overlap each other when viewed from above. 제10항에 있어서,
상기 제1플레이트는 수지 재질로 제공되는 가스 공급 유닛.The method of claim 10,
The first plate is a gas supply unit provided with a resin material. 제11항에 있어서,
상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트는 서로 밀착되게 위치되는 가스 공급 유닛.The method of claim 11,
The first plate and the second plate are located in close contact with each other gas supply unit. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구획 부재는,
제3홀이 형성되는 제3플레이트를 더 포함하되,
상기 제3플레이트는 상기 제2플레이트를 사이에 두고 상기 제1플레이트와 마주하고, 상기 제3홀이 상기 제2홀과 마주하도록 위치되며,
상기 제3홀은 상기 제2홀보다 큰 크기를 가지는 가스 공급 유닛.The method according to any one of claims 10 to 12,
The partition member,
Further comprising a third plate in which a third hole is formed,
The third plate is positioned to face the first plate with the second plate interposed therebetween, and the third hole is positioned to face the second hole,
The third hole is a gas supply unit having a larger size than the second hole. 제13항에 있어서,
상기 제3플레이트는 상기 제2플레이트와 밀착되게 위치되고, 수지 재질로 제공되는 가스 공급 유닛.The method of claim 13,
The third plate is positioned to be in close contact with the second plate, and the gas supply unit is made of a resin material. 제14항에 있어서,
상기 제1플레이트와 상기 제3플레이트는 서로 조합되어 상기 제2플레이트를 감싸도록 제공되는 가스 공급 유닛.

The method of claim 14,
The first plate and the third plate are combined with each other to surround the second plate.
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