KR102037900B1 - Apparatus and method for treating substrates - Google Patents

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Abstract

본 발명의 기판 처리 장치는 인덱스 모듈과 처리 모듈을 포함하고, 상기 처리 모듈은 기판 상에 액을 도포하여 액막을 형성하는 도포블럭을 포함한다. 상기 도포블럭은 기판을 열처리하는 열처리부, 기판에 액을 공급하여 기판 상에 액을 도포하는 액처리부, 상기 열처리부와 상기 액처리부 간에 기판을 반송하는 반송로봇이 제공된 반송부를 포함한다. 상기 액처리부는 상기 반송부의 길이방향을 기준으로 반송부의 측부에 배치되고, 상기 열처리부는 상기 반송부와 상기 인덱스 프레임 사이에 배치되는 전단 열처리챔버를 포함한다. 상기 전단 열처리챔버는 하우징 내에 배치되눈 가열유닛과 냉각유닛을 포함하고, 상기 하우징 내에서 기판은 반송 부재에 의해 반송된다. The substrate processing apparatus of the present invention includes an index module and a processing module, and the processing module includes an application block for forming a liquid film by applying a liquid on a substrate. The coating block includes a heat treatment unit for heat treating a substrate, a liquid treatment unit for supplying liquid to the substrate to apply the liquid onto the substrate, and a transfer unit provided with a transfer robot for transferring the substrate between the heat treatment unit and the liquid treatment unit. The liquid processing unit is disposed on the side of the conveying unit based on the longitudinal direction of the conveying unit, and the heat treatment unit includes a shear heat treatment chamber disposed between the conveying unit and the index frame. The shear heat treatment chamber includes a heating unit and a cooling unit arranged in the housing, wherein the substrate is conveyed by the conveying member.

Figure R1020170149088
Figure R1020170149088

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATES}Substrate processing apparatus and substrate processing method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATES}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판 상에 감광액과 같은 액막을 형성하는 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus and method for treating a substrate, and more particularly, to an apparatus and method for forming a liquid film such as a photosensitive liquid on a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 다양한 패턴을 형성하여야 한다. 반도체 패턴 형성은 증착 공정(depositing process), 사진 공정(lithography process), 그리고 식각 공정(etching process) 등과 같은 다양한 공정을 연속적으로 수행함으로써 이루어진다. In order to manufacture a semiconductor device, various patterns must be formed on a substrate such as a semiconductor wafer. The semiconductor pattern is formed by continuously performing various processes such as a deposition process, a lithography process, and an etching process.

이들 중 사진 공정은 기판 상에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하여 기판 상에 포토레지스트 층(photoresist layer)을 형성하는 도포 공정, 레티클(reticle)에 형성된 패턴을 기판 상의 포토레지스트 층에 전사하여 회로를 형성하는 노광 공정, 그리고 현상액을 기판 상의 포토레지스트 층에 공급하여 노광된 영역 또는 그 반대 영역을 선택적으로 제거하는 현상 공정을 포함한다. 기판 상에 포토레지스트를 도포하기 전과 후, 그리고 기판 상에 현상액을 공급하기 전과 후에는 각각 기판에 대해 열처리가 이루어진다.Among these, a photolithography process is a coating process of applying a photoresist such as a photoresist on a substrate to form a photoresist layer on the substrate, and transferring a pattern formed on a reticle to a photoresist layer on the substrate to form a circuit An exposure step to form and a developing step of supplying a developing solution to the photoresist layer on the substrate to selectively remove the exposed area or the opposite area. Heat treatment is performed on the substrate before and after applying the photoresist on the substrate and before and after supplying the developer on the substrate.

한국공개특허 2016-0017699에는 상술한 도포 공정과 현상 공정을 수행하는 기판 처리 장치의 일 예가 개시되어 있다. 이에 의하면, 기판 처리 장치는 서로 적층된 도포 모듈 및 현상 모듈을 가지고, 도포 모듈과 현상 모듈 각각은 반송 챔버, 액처리 챔버, 그리고 베이크 유닛을 가진다. 반송 챔버는 그 길이 방향이 제1 방향을 따라 길게 제공되고, 제1 방향을 기준으로 양 측부 중 하나의 측부에는 베이크 챔버들이 배치되고, 다른 측부에는 액처리 챔버들이 제공된다. 또한, 인덱스 모듈 및 인터페이스 모듈과의 기판 반송을 위해 반송 챔버의 양 끝단에는 각각 버퍼가 제공된다. 베이크 챔버의 하우징 내에는 냉각 유닛과 가열 유닛이 순차적으로 배치되고, 하우징에는 그 내부에서 기판을 반송하는 반송 플레이트가 제공된다. 반송 플레이트는 기판을 가열 유닛으로 반송하고, 가열이 완료되면 기판이 반송 플레이트에 놓인 상태에서 기판은 반송 플레이트를 통해 냉각 유닛에 의해 냉각된다. Korean Unexamined Patent Application Publication No. 2016-0017699 discloses an example of a substrate processing apparatus that performs the above-described coating process and developing process. According to this, the substrate processing apparatus has a coating module and a developing module stacked on each other, and each of the coating module and the developing module has a conveying chamber, a liquid processing chamber, and a baking unit. The conveying chamber is provided with its longitudinal direction elongated along the first direction, with baking chambers disposed on one side of both sides with respect to the first direction, and liquid processing chambers provided on the other side. In addition, buffers are provided at both ends of the transfer chamber for substrate transfer with the index module and the interface module. The cooling unit and the heating unit are sequentially arranged in the housing of the bake chamber, and the housing is provided with a conveying plate for conveying the substrate therein. The conveying plate conveys the substrate to the heating unit, and when the heating is completed, the substrate is cooled by the cooling unit through the conveying plate while the substrate is placed on the conveying plate.

그러나 상술한 구조의 기판 처리 장치는 반송 챔버의 길이 방향을 기준으로 양 측부 중 하나의 측부에는 베이크 챔버들이 제공되므로 도포 모듈이나 현상 모듈 내에 제공되는 액처리 챔버들의 수가 제한된다. However, in the substrate processing apparatus having the above-described structure, baking chambers are provided on one side of both sides of the conveyance chamber in the longitudinal direction, thereby limiting the number of liquid processing chambers provided in the coating module or the developing module.

또한, 용기 내에 제공된 기판은 인덱스 모듈에 제공된 로봇에 의해 꺼내어진 후 버퍼에 놓이고, 이후 반송 챔버에 제공된 로봇이 버퍼에 놓인 기판을 꺼내어 베이크 챔버로 반송하고, 베이크 공정이 완료되면 다시 기판을 도포 챔버로 반송해야 한다. 따라서 용기로부터 도포 챔버에 기판이 반입되기까지 많은 수의 반송 스텝이 요구된다. 이와 같은 많은 수의 반송 스텝은 도포 챔버에서 공정이 완료된 기판을 도포 모듈에서 반출되는 과정에서도 유사하게 발생한다.In addition, the substrate provided in the container is taken out by the robot provided in the index module and placed in the buffer, and then the robot provided in the transfer chamber takes out the substrate placed in the buffer and transfers it to the baking chamber, and when the baking process is completed, the substrate is applied again. It must be returned to the chamber. Therefore, a large number of transfer steps are required before the substrate is brought into the application chamber from the container. Such a large number of transfer steps similarly occur in the process of carrying out the substrate from which the process is completed in the application chamber from the application module.

또한, 베이크 챔버 내에 제공된 반송 플레이트는 반송 챔버에 제공된 로봇과 만 직접 기판을 주고받을 수 있으므로, 반송 플레이트에 놓인 기판이 냉각 중인 경우에는 새로운 기판에 대해 가열 처리를 할 수 없다.In addition, the transfer plate provided in the bake chamber can directly exchange substrates only with the robots provided in the transfer chamber, so that when the substrate placed on the transfer plate is cooling, the new substrate cannot be heated.

본 발명은 도포 모듈이나 현상 모듈과 같은 처리 모듈에서 제한된 공간 내에 많은 수의 처리 챔버를 제공할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method capable of providing a large number of processing chambers within a limited space in a processing module such as an application module or a developing module.

또한, 본 발명은 처리 공정을 진행시 기판의 반송 스텝을 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method that can reduce the transfer step of the substrate during the processing process.

또한, 본 발명은 열처리 챔버 내에서 기판에 대해 냉각 처리를 수행하는 중에도 새로운 기판에 대해 가열 처리를 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of performing a heat treatment on a new substrate even while performing a cooling treatment on the substrate in the heat treatment chamber.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈과 처리 모듈을 포함하되, 상기 인덱스 모듈은 기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드포트와 상기 로드 포트에 놓인 용기와 상기 처리 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 제공된 인덱스 프레임을 포함하며, 상기 처리 모듈은 기판 상에 액을 도포하여 액막을 형성하는 도포블럭을 포함하고, 상기 도포블럭은 기판을 열처리하는 열처리부, 기판에 액을 공급하여 기판 상에 액을 도포하는 액처리부, 상기 열처리부와 상기 액처리부 간에 기판을 반송하는 반송로봇이 제공된 반송부를 포함하고, 상기 액처리부는 상기 제1방향을 기준으로 상기 반송부의 측부에 배치되고, 상기 열처리부는 상기 반송부와 상기 인덱스 프레임 사이에 배치되는 전단 열처리챔버를 포함한다. The present invention provides an apparatus for processing a substrate. According to one embodiment, the substrate processing apparatus includes an index module and a processing module sequentially arranged along a first direction, wherein the index module includes a load port on which a container containing a substrate is placed, a container placed on the load port, and An index frame provided with an index robot for transferring a substrate between the processing modules, the processing module includes a coating block for forming a liquid film by applying a liquid on the substrate, the coating block is a heat treatment unit for heat treating the substrate, the substrate And a conveying part provided with a conveying robot for conveying the substrate between the heat treatment part and the liquid processing part, the liquid processing part supplying a liquid onto the substrate and applying the liquid to the substrate, wherein the liquid processing part is based on the first direction. It is disposed in the side portion, the heat treatment portion includes a shear heat treatment chamber disposed between the conveying portion and the index frame It is.

일 실시예에 의하면, 상기 전단 열처리챔버는 하우징, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 가열하는 가열유닛, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 냉각하는 냉각유닛, 그리고 상기 하우징 내에서 기판을 반송하는 반송 부재를 포함하고, 상기 가열 유닛과 상기 냉각 유닛은 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라 배치될 수 있다. According to one embodiment, the shear heat treatment chamber includes a housing, a heating unit disposed in the housing and heating the substrate, a cooling unit disposed in the housing and cooling the substrate, and a conveying member for conveying the substrate in the housing. The heating unit and the cooling unit may be disposed along a second direction perpendicular to the first direction when viewed from the top.

일 실시예에 의하면, 상기 제1방향에서 바라볼 때 상기 하우징은 상기 반송부와 중첩되는 제1영역과 상기 반송부와 중첩되는 영역에서 벗어난 제2영역을 포함하고, 상기 냉각유닛은 상기 제1영역에 배치되고, 상기 가열유닛은 상기 제2영역에 배치될 수 있다. According to one embodiment, when viewed from the first direction, the housing includes a first region overlapping with the conveying unit and a second region deviating from the region overlapping with the conveying unit, and the cooling unit includes the first region. The heating unit may be disposed in an area, and the heating unit may be disposed in the second area.

일 실시예에 의하면, 상기 반송로봇은 상기 전단 열처리챔버와 직접 기판을 주고받도록 제공될 수 있다. According to one embodiment, the transfer robot may be provided to directly exchange the substrate with the shear heat treatment chamber.

일 실시예에 의하면, 상기 인덱스로봇은 상기 전단 열처리챔버의 상기 가열유닛으로 상기 기판을 반송하도록 제공될 수 있다. According to one embodiment, the index robot may be provided to convey the substrate to the heating unit of the shear heat treatment chamber.

일 실시예에 의하면, 상기 전단 열처리챔버는 복수 개가 제공되며, 상기 복수의 전단 열처리챔버는 제1그룹과 제2그룹으로 나누어지고, 상기 제1그룹의 열처리챔버와 제2그룹의 열처리챔버는 상기 제2방향을 따라 배열되며, 상기 제1그룹과 상기 제2그룹 각각에는 하나의 열처리챔버 또는 서로 적층된 복수의 열처리 챔버가 제공될 수 있다. According to one embodiment, the plurality of shear heat treatment chambers are provided, the plurality of shear heat treatment chambers are divided into a first group and a second group, the heat treatment chamber of the first group and the heat treatment chamber of the second group is Arranged along a second direction, each of the first group and the second group may be provided with one heat treatment chamber or a plurality of heat treatment chambers stacked on each other.

일 실시예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 상기 처리모듈을 기준으로 상기 인덱스모듈의 반대측에 제공되며 노광장비와 연결되는 인터페이스 모듈을 더 포함할 수 있다. In example embodiments, the substrate processing apparatus may further include an interface module provided on an opposite side of the index module with respect to the processing module and connected to an exposure apparatus.

일 실시예에 의하면, 상기 인터페이스 모듈은 인터페이스 프레임과 상기 인터페이스 프레임 내에 배치되어 기판을 반송하는 반송수단을 포함하고, 상기 열처리부는 상기 반송부와 상기 인터페이스 프레임 사이에 배치되는 후단 열처리챔버를 더 포함할 수 있다. According to one embodiment, the interface module includes an interface frame and a conveying means disposed in the interface frame to convey the substrate, and the heat treatment part further comprises a rear end heat treatment chamber disposed between the conveyance part and the interface frame. Can be.

일 실시예에 의하면, 상기 후단 열처리챔버는 하우징, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 가열하는 가열유닛, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 냉각하는 냉각유닛, 그리고 상기 하우징 내에서 기판을 반송하는 반송 부재를 더 포함하고, 상기 가열 유닛과 상기 냉각 유닛은 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라 배치되며, 상기 제1방향에서 바라볼 때 상기 하우징은 상기 반송부와 중첩되는 제1영역과 상기 반송부와 중첩되는 영역에서 벗어난 제2영역을 포함하고, 상기 냉각유닛과 상기 가열유닛 중 어느 하나는 상기 제1영역에 배치되고, 다른 하나는 상기 제2영역에 배치되며, 상기 반송로봇은 상기 후단 열처리챔버로부터 직접 기판을 반송하도록 제공될 수 있다. According to one embodiment, the post-heat treatment chamber further comprises a housing, a heating unit disposed in the housing and heating the substrate, a cooling unit disposed in the housing and cooling the substrate, and a conveying member for conveying the substrate in the housing. And the heating unit and the cooling unit are disposed along a second direction perpendicular to the first direction when viewed from the top, and wherein the housing overlaps with the conveying unit when viewed from the first direction. And a second area deviating from an area overlapping the area and the conveying part, wherein one of the cooling unit and the heating unit is disposed in the first area, and the other is disposed in the second area, The robot may be provided to convey the substrate directly from the post heat treatment chamber.

일 실시예에 의하면, 상기 액처리부는 상기 반송부의 양측에 각각 제공되고, 상기 후단 열처리챔버는 복수 개가 제공되며, 상기 복수의 후단 열처리 챔버는 제1그룹과 제2그룹으로 나누어지고, 상기 제1그룹의 열처리챔버와 제2그룹의 열처리챔버는 상기 제2방향을 따라 배열되며, 상기 제1그룹과 상기 제2그룹 각각에는 하나의 열처리챔버 또는 서로 적층된 복수의 열처리 챔버가 제공될 수 있다. According to one embodiment, the liquid treatment unit is provided on both sides of the conveying unit, respectively, a plurality of the post-heat treatment chamber is provided, the plurality of post-heat treatment chamber is divided into a first group and a second group, the first The heat treatment chamber of the group and the heat treatment chamber of the second group may be arranged along the second direction, and each of the first group and the second group may be provided with one heat treatment chamber or a plurality of heat treatment chambers stacked on each other.

일 실시예에 의하면, 상기 반송부는 상기 전단 열처리챔버와 인접하게 배치되며 전단 반송로봇이 제공된 전단 반송챔버와 상기 후단 열처리챔버와 인접하게 배치되며 후단 반송로봇이 제공된 후단 반송챔버를 포함하고, 상기 전단 반송챔버와 상기 후단 반송챔버는 상기 제1방향을 따라 나란하게 배열되고, 상기 열처리부는 상기 전단 반송챔버와 상기 후단 반송챔버 사이에 배치되는 중간 열처리챔버를 더 포함하고, 상기 액처리부는 상기 제1방향을 기준으로 상기 전단 반송챔버의 측부에 배치되며 기판에 대해 제1액을 도포하는 공정을 수행하는 제1액처리 챔버와 상기 제1방향을 기준으로 상기 후단 반송챔버의 측부에 배치되며 기판에 대해 제2액을 도포하는 공정을 수행하는 제2액처리 챔버를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the conveying part includes a front conveying chamber disposed adjacent to the front end heat treatment chamber and provided with a front conveying robot, and a rear conveying chamber disposed adjacent to the rear end heat treating chamber and provided with a rear conveying robot, wherein the front end conveying chamber is provided. The conveying chamber and the rear stage conveying chamber are arranged side by side in the first direction, and the heat treatment part further comprises an intermediate heat treatment chamber disposed between the front conveying chamber and the rear conveying chamber, and the liquid treatment part is provided with the first treatment chamber. A first liquid processing chamber disposed on the side of the front conveying chamber based on a direction and performing a process of applying a first liquid to the substrate, and disposed on the side of the rear conveying chamber based on the first direction, It may include a second liquid treatment chamber for performing a process for applying a second liquid to the.

일 실시예에 의하면, 상기 중간 열처리챔버는 하우징, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 가열하는 가열유닛, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 냉각하는 냉각유닛, 그리고 상기 하우징 내에서 기판을 반송하는 반송 부재를 더 포함하고, 상기 가열 유닛과 상기 냉각 유닛은 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라 배치되며, 상기 제1방향에서 바라볼 때 상기 하우징은 상기 전단 반송챔버 및 상기 후단 반송챔버와 중첩되는 제1영역과 상기 전단 반송챔버 및 상기 후단 반송챔버와 중첩되는 영역에서 벗어난 제2영역을 포함하고, 상기 냉각유닛과 상기 가열유닛 중 어느 하나는 상기 제1영역에 배치되고, 다른 하나는 상기 제2영역에 배치되며, 상기 전단 반송로봇과 상기 후단 반송로봇은 각각 상기 중간 열처리 챔버와 직접 기판을 반송하도록 제공될 수 있다.According to one embodiment, the intermediate heat treatment chamber further comprises a housing, a heating unit disposed in the housing and heating the substrate, a cooling unit disposed in the housing and cooling the substrate, and a conveying member for conveying the substrate in the housing. And the heating unit and the cooling unit are disposed along a second direction perpendicular to the first direction when viewed from the top, and wherein the housing conveys the front conveying chamber and the rear end conveying when viewed from the first direction. A first region overlapping the chamber and a second region deviating from the region overlapping the front conveying chamber and the rear conveying chamber, wherein one of the cooling unit and the heating unit is disposed in the first region, and One is disposed in the second area, and the front conveying robot and the rear conveying robot each half the intermediate heat treatment chamber and the direct substrate. To be provided.

일 실시예에 의하면, 상기 처리 모듈은 상기 도포 블럭과 적층되게 제공되며 현상 공정을 수행하는 현상블럭을 더 포함할 수 있다. In example embodiments, the processing module may further include a development block provided to be stacked with the application block and performing a development process.

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 제1방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈, 처리 모듈, 그리고 인터페이스 모듈을 포함하되, 상기 인덱스 모듈은 기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드포트 및 상기 로드포트에 놓인 용기와 상기 처리모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 제공된 인덱스 프레임을 포함하고, 상기 처리모듈은 기판 상에 액막을 형성하는 도포공정을 수행하는 도포블럭, 상기 도포블럭과 적층되게 제공되며 현상공정을 수행하는 현상블럭을 포함하고, 상기 인터페이스 모듈은 외부의 노광장치와 연결되는 인터페이스 프레임과 상기 인터페이스 프레임 내에 배치되는 반송부재를 포함하고, 상기 도포블럭과 상기 현상블럭은 각각 기판을 열처리하는 열처리챔버, 기판에 액을 공급하여 기판을 처리하는 액처리챔버, 그리고 상기 열처리챔버와 상기 액처리챔버 간에 기판을 반송하는 반송로봇을 가지는 반송챔버를 포함하고, 상기 열처리챔버는 하우징, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 가열하는 가열 유닛, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 냉각하는 냉각 유닛, 상기 하우징 내에서 기판을 반송하는 반송 부재를 포함하고, 상기 하우징은 상기 제1방향에서 바라볼 때 상기 반송챔버와 중첩되는 제1영역과 상기 반송챔버와 중첩되는 영역에서 벗어난 제2영역을 포함하고, 상기 냉각유닛과 상기 가열유닛 중 어느 하나는 상기 제1영역에 배치되고, 다른 하나는 상기 제2영역에 배치된다. According to another embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus includes an index module, a processing module, and an interface module sequentially arranged along a first direction, wherein the index module includes a load port on which a container in which a substrate is accommodated is placed and And an index frame provided with an index robot for transferring a substrate between the container placed in the load port and the processing module, wherein the processing module is provided to be laminated with the coating block to perform a coating process for forming a liquid film on the substrate. And a developing block for performing a developing process, wherein the interface module includes an interface frame connected to an external exposure apparatus and a transfer member disposed in the interface frame, wherein the coating block and the developing block heat-treat the substrate, respectively. Heat treatment chamber to supply liquid to the substrate And a transfer chamber having a burr and a transfer robot for transferring a substrate between the heat treatment chamber and the liquid treatment chamber, wherein the heat treatment chamber is disposed in the housing, the heating unit arranged to heat the substrate, and disposed within the housing. And a conveying member for conveying the substrate in the housing, wherein the housing is free from the first region overlapping with the conveying chamber and the region overlapping with the conveying chamber when viewed from the first direction. And a second region, wherein one of the cooling unit and the heating unit is disposed in the first region, and the other is disposed in the second region.

일 실시예에 의하면, 상기 냉각유닛은 상기 제1영역에 배치되고, 상기 가열유닛은 상기 제2영역에 배치될 수 있다. In example embodiments, the cooling unit may be disposed in the first region, and the heating unit may be disposed in the second region.

일 실시예에 의하면, 상기 도포블럭에 제공된 상기 열처리 챔버는 상기 인덱스 모듈과 상기 처리 모듈 사이에 배치된 전단 열처리 챔버를 포함하고, 상기 도포블럭에서, 상기 반송 로봇과 상기 인덱스 로봇은 각각 상기 전단 열처리 챔버와 직접 기판을 주고받도록 제공될 수 있다. According to one embodiment, the heat treatment chamber provided in the application block includes a shear heat treatment chamber disposed between the index module and the processing module, wherein in the application block, the transfer robot and the index robot are each shear heat treatment. It may be provided to exchange the substrate directly with the chamber.

일 실시예에 의하면, 상기 현상블럭에 제공된 상기 열처리 챔버는 상기 처리 모듈과 상기 인터페이스 모듈 사이에 배치된 후단 열처리 챔버를 포함하고, 상기 현상블럭에서, 상기 반송 로봇과 상기 인터페이스에 제공되는 반송 부재는 상기 후단 열처리 챔버와 직접 기판을 주고받도록 제공될 수 있다. According to one embodiment, the heat treatment chamber provided in the developing block includes a rear stage heat treatment chamber disposed between the processing module and the interface module, and in the developing block, the transfer member provided to the transfer robot and the interface includes: It may be provided to directly exchange the substrate with the post-heat treatment chamber.

일 실시예에 의하면, 상기 도포블럭에 제공된 상기 반송챔버는 상기 인덱스 모듈에 인접한 전단 반송챔버와 상기 인터페이스 모듈에 인접한 후단 반송챔버를 포함하고, 상기 전단 반송챔버와 상기 후단 반송챔버는 상기 제1방향을 따라 배열되고, 상기 열처리 챔버는 상기 전단 반송챔버와 상기 후단 반송챔버 사이에 배치된 중간 열처리 챔버와 상기 후단 반송챔버와 상기 인터페이스 모듈 사이에 배치되는 후단 열처리 챔버를 더 포함하고, 상기 전단 반송챔버에 제공된 반송로봇과 상기 후단 반송챔버에 제공된 반송로봇은 각각 상기 중간 열처리 챔버와 직접 기판을 주고받도록 제공될 수 있다. According to one embodiment, the conveying chamber provided in the coating block includes a front conveying chamber adjacent to the index module and a rear conveying chamber adjacent to the interface module, and the front conveying chamber and the rear conveying chamber are in the first direction. Arranged along, the heat treatment chamber further comprises an intermediate heat treatment chamber disposed between the front conveying chamber and the rear conveying chamber and a rear heat treating chamber disposed between the rear conveying chamber and the interface module, the shear conveying chamber The transport robot provided in the transport robot and the transport robot provided in the rear transport chamber may be provided to directly exchange the substrate with the intermediate heat treatment chamber.

일 실시예에 의하면, 상기 도포블럭에 제공된 액처리 챔버는 상기 제1방향을 기준으로 상기 전단 반송챔버의 측부에 배치되며, 기판에 대해 제1액을 도포하는 공정을 수행하는 전단 액처리 챔버와 상기 제1방향을 기준으로 상기 후단 반송챔버의 측부에 배치되며, 기판에 대해 제2액을 도포하는 공정을 수행하는 후단 액처리 챔버를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the liquid processing chamber provided in the application block is disposed on the side of the front conveying chamber relative to the first direction, the front liquid processing chamber for performing a process of applying a first liquid to the substrate; It may include a rear stage liquid processing chamber disposed on the side of the rear stage conveying chamber relative to the first direction, and performs a process of applying a second liquid to the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 액처리챔버는 상기 반송챔버의 양측에 각각 제공되고, 상기 열처리 챔버는 복수 개 제공되며, 복수의 상기 열처리 챔버는 제1그룹과 제2그룹의 나누어지고, 상기 제1그룹의 열처리챔버와 상기 제2그룹의 열처리챔버는 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향에 수직한 상기 제2방향을 따라 배열되며, 상기 제1그룹과 상기 제2그룹에는 각각 하나 또는 서로 적층된 복수의 열처리 챔버가 제공될 수 있다. According to one embodiment, the liquid treatment chamber is provided on both sides of the conveying chamber, the plurality of heat treatment chambers are provided, the plurality of heat treatment chambers are divided into a first group and a second group, the first The heat treatment chamber of the group and the heat treatment chamber of the second group are arranged along the second direction perpendicular to the first direction when viewed from the top, and each of the heat treatment chambers of the first group and the second group is one or stacked on each other. A plurality of heat treatment chambers may be provided.

일 실시예에 의하면, 상기 현상블럭 또는 상기 도포블럭은 상기 열처리 챔버와 적층되게 제공되는 하나 또는 복수의 버퍼와 서로 적층된 상기 버퍼와 상기 열처리 챔버 간에 기판을 반송하는 이송 기구를 더 포함할 수 있다. According to one embodiment, the developing block or the application block may further include a transfer mechanism for transporting a substrate between the buffer and the heat treatment chamber stacked on each other and one or a plurality of buffers provided to be stacked with the heat treatment chamber. .

일 실시예에 의하면, 상기 현상블럭에 제공된 열처리 챔버는 상기 인덱스 프레임과 상기 반송챔버 사이에 배치된 전단 열처리 챔버를 포함하고, 상기 기판 처리 장치는 상기 전단열처리 챔버와 적층되게 제공되는 하나 또는 복수의 버퍼와 상기 인덱스 프레임과 상기 반송챔버의 사이에 배치되고 상기 전단 열처리 챔버와 상기 버퍼 간에 기판을 반송하는 이송 기구를 더 포함할 수 있다. According to one embodiment, the heat treatment chamber provided in the developing block includes a shear heat treatment chamber disposed between the index frame and the transfer chamber, and the substrate processing apparatus is provided in a stack with the shear heat treatment chamber. The apparatus may further include a transfer mechanism disposed between the buffer and the index frame and the transfer chamber to transfer the substrate between the shear heat treatment chamber and the buffer.

일 실시예에 의하면, 상기 인덱스 로봇과 상기 현상 블럭에 제공된 상기 반송 로봇은 상기 버퍼와 직접 기판을 주고받도록 제공될 수 있다. According to one embodiment, the index robot and the transfer robot provided in the developing block may be provided to exchange a substrate directly with the buffer.

일 실시예에 의하면, 상기 인터페이스 모듈은 상기 인터페이스 프레임 내에 제공되며 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 부가 공정챔버와 상기 인터페이스 프레임 내에 제공되며 기판을 보관하는 하나 또는 복수의 인터페이스 버퍼를 더 포함할 수 있다. In an embodiment, the interface module may further include an additional process chamber provided in the interface frame and performing a predetermined process on the substrate, and one or more interface buffers provided in the interface frame and storing the substrate. have.

일 실시예에 의하면, 상기 도포 블럭 및 현상 블럭에 제공된 상기 열처리 챔버는 각각 상기 처리 모듈과 상기 인터페이스 모듈 사이에 배치된 후단 열처리 챔버를 더 포함할 수 있다. In one embodiment, the heat treatment chambers provided in the application block and the development block may further include a post-heat treatment chamber disposed between the processing module and the interface module, respectively.

일 실시예에 의하면, 상기 반송부재는 상기 인터페이스 버퍼 및 상기 도포 블럭의 후단 열처리 챔버 간에 기판을 직접 반송하는 제1로봇, 상기 인터페이스 버퍼 및 상기 노광 장치 간에 기판을 반송하는 인터페이스 로봇, 그리고 상기 인터페이스 버퍼 및 상기 현상 블럭의 후단 열처리 챔버 간에 기판을 직접 반송하는 제2로봇을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the conveying member is a first robot for directly transporting the substrate between the interface buffer and the post-heat treatment chamber of the coating block, an interface robot for transporting the substrate between the interface buffer and the exposure apparatus, and the interface buffer And a second robot directly transferring the substrate between the post-heat treatment chambers of the developing block.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은 상기 인덱스 로봇이 기판을 상기 가열유닛에 직접 반송하는 단계, 상기 가열유닛에서 기판을 가열 처리하는 단계, 상기 반송부재가 상기 가열유닛에서 기판을 인수하여 상기 제2영역으로 이송하는 단계, 상기 제2영역에서 기판을 냉각 처리하는 단계, 상기 반송로봇이 상기 제1영역에서 직접 기판을 인수하여 상기 액처리부로 직접 반송하는 단계, 그리고 상기 액처리부에서 상기 기판 상에 액을 도포하는 단계를 포함한다.The present invention also provides a substrate processing method. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing method includes the step of conveying the substrate directly to the heating unit by the index robot, heat treating the substrate in the heating unit, the conveying member takes over the substrate in the heating unit Transferring the substrate to the second region, cooling the substrate in the second region, and the transfer robot directly takes the substrate from the first region and transfers the substrate directly to the liquid processing unit, and at the liquid processing unit. Applying a liquid onto the substrate.

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은 상기 인덱스 로봇이 상기 전단 열처리 챔버의 가열유닛에 기판을 반송하는 단계, 상기 전단 열처리 챔버의 가열유닛에서 상기 기판을 가열 처리하는 단계, 상기 반송부재가 상기 전단 열처리 챔버의 가열유닛에서 상기 기판을 인수하여 상기 전단 열처리 챔버의 제1영역으로 이송하는 단계, 상기 전단 열처리 챔버의 제1영역에서 상기 기판을 냉각 처리하는 단계, 상기 전단 반송로봇이 상기 전단 열처리 챔버의 상기 제1영역에서 상기 기판을 인수하여 상기 전단 액처리챔버로 반송하는 단계, 상기 전단 액처리챔버에서 상기 기판 상에 상기 제1액을 도포하는 단계, 상기 전단 반송로봇이 상기 기판을 상기 중간 열처리 챔버의 제1영역으로 상기 기판을 반송하는 단계, 상기 중간 열처리 챔버의 반송부재가 기판을 상기 중간 열처리 챔버의 상기 제1영역에서 상기 중간 열처리 챔버의 가열유닛으로 상기 기판을 이송하는 단계, 상기 중간 열처리 챔버의 가열유닛에서 상기 기판을 가열하는 단계, 상기 중간 열처리 챔버의 반송부재가 상기 중간 열처리 챔버의 가열유닛에서 상기 중간 열처리챔버의 제1영역으로 상기 기판을 이송하는 단계, 상기 중간 열처리 챔버의 제1영역에서 상기 기판을 냉각 처리하는 단계, 상기 후단 반송로봇이 상기 중간 열처리 챔버의 제1영역에서 상기 기판을 인수하여 상기 제2액처리챔버로 반송하는 단계, 상기 제2액처리챔버에서 상기 기판 상에 상기 제2액을 도포하는 단계, 상기 후단 반송로봇이 상기 후단 열처리 챔버의 제1영역으로 상기 기판을 반송하는 단계, 상기 후단 열처리 챔버의 반송부재가 상기 후단 열처리 챔버의 제1영역에서 상기 후단 열처리 챔버의 가열유닛으로 상기 기판을 이송하는 단계, 상기 후단 열처리 챔버의 가열유닛에서 상기 기판을 가열하는 단계, 상기 후단 열처리 챔버의 반송부재가 상기 기판을 상기 후단 열처리 챔버의 가열유닛에서 상기 후단 열처리 챔버의 제1영역으로 이송하는 단계, 그리고 상기 후단 열처리 챔버의 제1영역에서 상기 기판을 냉각 처리하는 단계를 포함한다.According to another embodiment of the present invention, the substrate processing method includes the step of conveying the substrate to the heating unit of the shear heat treatment chamber by the index robot, the heat treatment of the substrate in the heating unit of the shear heat treatment chamber, the conveying member Acquiring the substrate by a heating unit of the shear heat treatment chamber and transferring the substrate to a first region of the shear heat treatment chamber; and cooling the substrate in the first region of the shear heat treatment chamber. Taking the substrate from the first region of the shear heat treatment chamber and conveying the substrate to the shear liquid treatment chamber; applying the first liquid onto the substrate in the shear liquid treatment chamber; Conveying the substrate to the first region of the intermediate heat treatment chamber, and the conveying member of the intermediate heat treatment chamber. Transferring the substrate from the first region of the intermediate heat treatment chamber to a heating unit of the intermediate heat treatment chamber, heating the substrate in the heating unit of the intermediate heat treatment chamber, wherein the transfer member of the intermediate heat treatment chamber is Transferring the substrate from the heating unit of the intermediate heat treatment chamber to the first region of the intermediate heat treatment chamber, cooling the substrate in the first region of the intermediate heat treatment chamber, and the rear transfer robot is configured to perform the intermediate heat treatment chamber. Taking the substrate in the first region of the substrate and transferring the substrate to the second liquid processing chamber; applying the second liquid on the substrate in the second liquid processing chamber; Conveying the substrate to a first region of the substrate; Transferring the substrate to a heating unit of the post-heat treatment chamber in a region, heating the substrate from a heating unit of the post-heat treatment chamber, and a conveying member of the post-heat treatment chamber heats the substrate in the post-heat treatment chamber. Transferring the unit to a first region of the post-heat treatment chamber, and cooling the substrate in the first region of the post-heat treatment chamber.

일 실시예에 의하면, 상기 제1액은 기판 상에 반사 방지막을 형성하기 위한 액이고, 상기 제2액은 상기 기판 상에 형성된 상기 반사 방지막 상에 포토 레지스트막을 형성하기 위한 액일 수 있다. In example embodiments, the first liquid may be a liquid for forming an anti-reflection film on a substrate, and the second liquid may be a liquid for forming a photoresist film on the anti-reflection film formed on the substrate.

본 발명에 의하면, 도포 모듈이나 현상 모듈에서 제한된 공간 내에 많은 수의 처리 챔버를 제공할 수 있다.According to the present invention, a large number of processing chambers can be provided in a limited space in an application module or a development module.

또한, 본 발명에 의하면, 처리 공정을 진행시 기판의 반송 스텝을 줄일 수 있다.Moreover, according to this invention, the conveyance step of a board | substrate can be reduced at the time of advancing a processing process.

또한, 본 발명에 의하면, 열처리 챔버 내에서 기판에 대해 냉각 처리를 수행하는 중에도 새로운 기판에 대해 가열 처리를 수행할 수 있다.In addition, according to the present invention, a heat treatment can be performed on a new substrate even while a cooling treatment is performed on the substrate in the heat treatment chamber.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 정면도이다.
도 3은 도포 블럭을 보여주는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 현상 블럭을 보여주는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 8은 액처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 기판 처리 방법을 순차적으로 보여주는 플로우차트이다.
도 10은 용기에서 노광 장치에 반입되기 전까지 기판의 반송 경로의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 11은 노광 장치에서 반출된 후 용기까지 기판의 반송 경로의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 12 내지 도 16은 각각 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 예를 개략적으로 보여주는 도면들이다. 1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a front view of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 showing an application block.
4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 showing a developing block.
5 is a view showing an example of a hand of the transfer robot.
6 is a plan view schematically illustrating an example of a heat treatment chamber.
7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6.
8 is a view schematically showing an example of a liquid processing chamber.
9 is a flowchart sequentially showing a substrate processing method.
FIG. 10 is a view schematically showing an example of a conveyance path of a substrate before being carried into the exposure apparatus in the container.
11 is a view schematically showing an example of a transport path of a substrate to a container after being taken out of the exposure apparatus.
12 to 16 are views schematically showing another example of the substrate processing apparatus of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 정면도이다. 도 3은 도포 블럭을 보여주는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이고, 도 4는 현상 블럭을 보여주는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다. 1 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a front view of the substrate processing apparatus of FIG. 1. 3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 showing an application block, and FIG. 4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 showing a developing block.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.1 to 4, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a processing module 30, and an interface module 40. According to one embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12, and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top. A direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a second direction 14 and is referred to as a third direction 16.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 conveys the board | substrate W from the container 10 in which the board | substrate W was accommodated to the processing module 30, and accommodates the completed board | substrate W in the container 10. FIG. The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 with respect to the index frame 24. The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed in the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a sealed container 10 such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The vessel 10 may be placed in the load port 22 by an operator or by a transfer means (not shown), such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. Can be.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 having a longitudinal direction in the second direction 14 may be provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16, and the third direction 16. It may be provided to be movable along.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭(30b)들은 서로 적층되게 제공된다. 도 1의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭(30a)들은 현상 블럭(30b)들의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭(30a)들은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭(30b)들은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs an application process and a development process on the substrate W. FIG. The processing module 30 has an application block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a developing process on the substrate W. As shown in FIG. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 1, two application blocks 30a are provided, and two development blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the development blocks 30b. According to an example, the two application blocks 30a perform the same process with each other and may be provided in the same structure with each other. In addition, the two developing blocks 30b may perform the same process and may be provided in the same structure.

도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리부(3200, heat treating part), 반송부(3400, transfer part), 그리고 액처리부(3600, liquid treating part)를 가진다. 열처리부(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리부(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송부(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리부(3200)와 액처리부(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 3, the application block 30a has a heat treatment part 3200, a heat treatment part 3400, a transfer part 3400, and a liquid treatment part 3600. The heat treatment unit 3200 performs a heat treatment process on the substrate (W). The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processor 3600 supplies a liquid onto the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The conveying unit 3400 conveys the substrate W between the heat treatment unit 3200 and the liquid processing unit 3600 in the application block 30a.

반송부(3400)는 복수의 반송 챔버(3402, 3404)를 가진다. 반송 챔버(3402, 3404)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3402, 3404)에는 반송 로봇(3422, 3424)이 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422, 3424)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3402, 3404) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422, 3424)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveying unit 3400 has a plurality of conveying chambers 3402 and 3404. The conveying chambers 3402 and 3404 are provided with their longitudinal directions parallel to the first direction 12. The transfer robots 3342 and 3424 are provided in the transfer chambers 3402 and 3404. According to one example, the transfer robots 3422 and 3424 have a hand 3420 on which the substrate W is placed, the hand 3420 moving forward and backward, rotating about the third direction 16, and It may be provided to be movable along three directions 16. In the conveyance chambers 3402, 3404, guide rails 3300 are provided, the longitudinal direction of which is provided in parallel with the first direction 12, and the transfer robots 3342, 3424 are movable on the guide rails 3300. Can be provided.

도 5는 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지돌기(3429)는 등간격으로 4개가 제공될 수 있다. 5 is a view showing an example of a hand of the transfer robot. Referring to FIG. 5, the hand 3420 has a base 3428 and a support protrusion 3429. The base 3428 may have an annular ring shape in which a portion of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. The support protrusion 3429 extends inward from the base 3428. A plurality of support protrusions 3429 may be provided to support edge regions of the substrate W. As shown in FIG. By way of example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

도 2와 도 3을 참조하면, 반송 챔버(3402, 3404)는 2개가 제공될 수 있으며, 2개의 반송챔버는 제1 방향(12)을 따라 배열될 수 있다. 2개의 반송 챔버(3402, 3404)는 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 이하, 2개의 반송 챔버(3402, 3404)들 중 인덱스 모듈(20)에 더 인접하게 위치된 반송 챔버를 전단 반송챔버(3402, front transfer chamber)라 칭하고, 인터페이스 모듈(40)에 더 인접하게 위치된 반송 챔버를 후단 반송챔버(3404, rear transfer chamber)라 칭한다. 또한, 전단 반송챔버(3402)에 제공된 반송 로봇을 전단 반송 로봇(3422)이라 칭하고, 후단 반송챔버(3404)에 제공된 반송 로봇을 후단 반송 로봇(3424)이라 칭한다.2 and 3, two conveying chambers 3402 and 3404 may be provided, and two conveying chambers may be arranged along the first direction 12. The two transfer chambers 3402 and 3404 may be provided in the same structure with each other. Hereinafter, a transfer chamber located closer to the index module 20 among the two transfer chambers 3402 and 3404 is referred to as a front transfer chamber 3402 and positioned closer to the interface module 40. The transferred transfer chamber is referred to as a rear transfer chamber 3404. In addition, the conveyance robot provided in the front conveyance chamber 3402 is called the shear conveyance robot 3342, and the conveyance robot provided in the rear conveyance chamber 3404 is called the rear conveyance robot 3424.

열처리부(3200)는 복수의 열처리 챔버(3202, 3204, 3206)를 가진다. 도 6은 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다. 열처리 챔버(3202, 3204, 3206)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. The heat treatment unit 3200 has a plurality of heat treatment chambers 3202, 3204, and 3206. 6 is a plan view schematically illustrating an example of a heat treatment chamber, and FIG. 7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6. The heat treatment chambers 3202, 3204, 3206 have a housing 3210, a cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a conveying plate 3240.

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 열처리 챔버(3202, 3204, 3206)의 제공 위치에 따라 1개 또는 2개가 제공될 수 있다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 하우징(3210) 내부는 제1영역(3212)과 제2영역(3214)을 가진다. 제1영역(3212)과 제2영역(3214)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 열처리 챔버(3202, 3204, 3206)는 제1 방향(12)에서 바라볼 때 제1영역(3212)이 반송 챔버(3402, 3404)와 중첩되고 제2영역(3214)이 반송 챔버(3402, 3404)와 중첩되는 위치에서 벗어나게 배치된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 제1영역(3212)에 배치되고, 가열 유닛(3230)은 제2영역(3214)에 배치된다. Housing 3210 is generally provided in the shape of a cuboid. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210. One or two inlets may be provided depending on the positions provided in the heat treatment chambers 3202, 3204, and 3206. The inlet can be kept open. A door (not shown) may optionally be provided to open and close the entrance. The cooling unit 3220, the heating unit 3230, and the conveying plate 3240 are provided in the housing 3210. The interior of the housing 3210 has a first region 3212 and a second region 3214. The first region 3212 and the second region 3214 are provided side by side along the second direction 14. According to an example, the heat treatment chambers 3202, 3204, and 3206 have a first region 3212 overlapping with the transfer chambers 3402 and 3404 and the second region 3214 is conveyed when viewed from the first direction 12. It is disposed to be out of a position overlapping with the chambers 3402 and 3404. According to an example, the cooling unit 3220 is disposed in the first region 3212, and the heating unit 3230 is disposed in the second region 3214.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222. The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. The cooling plate 3222 is provided with a cooling member 3224. According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which a cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 가열판(3232), 커버(3234), 그리고 히터(3233)를 가진다. 가열판(3232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(3232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(3232)에는 히터(3233)가 설치된다. 히터(3233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. 가열판(3232)에는 제3 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3238)들이 제공된다. 리프트 핀(3238)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(3232) 상에 내려놓거나 가열판(3232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3238)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(3234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다. 커버(3234)는 가열판(3232)의 상부에 위치되며 구동기(3236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(3234)가 가열판(3232)에 접촉되면, 커버(3234)와 가열판(3232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다. The heating unit 3230 has a heating plate 3322, a cover 3234, and a heater 3333. The heating plate 3322 has a generally circular shape when viewed from the top. The heating plate 3322 has a larger diameter than the substrate W. As shown in FIG. The heater 3333 is provided in the heating plate 3322. The heater 3333 may be provided as a heat generating resistor to which a current is applied. The heating plate 3322 is provided with lift pins 3238 that can be driven in the vertical direction along the third direction 16. The lift pins 3328 receive the substrate W from the conveying means outside the heating unit 3230 and place it on the heating plate 3322 or lift the substrate W from the heating plate 3322 to move the substrate W outside the heating unit 3230. Turn over to the conveying means. According to one example, three lift pins 3238 may be provided. The cover 3234 has a space in which the lower portion is open. The cover 3234 is positioned above the heating plate 3322 and moved up and down by the driver 3236. When the cover 3234 is in contact with the heating plate 3322, the space surrounded by the cover 3234 and the heating plate 3322 is provided as a heating space for heating the substrate W. As shown in FIG.

반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(3238)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. The conveying plate 3240 is generally provided in a disc shape and has a diameter corresponding to that of the substrate W. As shown in FIG. A notch 3244 is formed at the edge of the conveying plate 3240. The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hands 3420 of the transfer robots 3422 and 3424. In addition, the notch 3344 is provided in a number corresponding to the protrusion 3429 formed in the hand 3420, and is formed at a position corresponding to the protrusion 3429. When the upper and lower positions of the hand 3420 and the conveying plate 3240 are changed at the position where the hand 3420 and the conveying plate 3240 are aligned in the vertical direction, the substrate W may be moved between the hand 3420 and the conveying plate 3240. Delivery takes place. The conveying plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 and may be moved between the first region 3212 and the second region 3214 along the guide rail 3249 by the driver 3246. The conveyance plate 3240 is provided with a plurality of slit-shaped guide grooves 3322. The guide groove 3324 extends from the end of the conveying plate 3240 to the inside of the conveying plate 3240. The guide grooves 3322 are provided in the longitudinal direction along the second direction 14, and the guide grooves 3324 are positioned to be spaced apart from each other along the first direction 12. The guide groove 3322 prevents the conveying plate 3240 and the lift pins 3238 from interfering with each other when the takeover of the substrate W is made between the conveying plate 3240 and the heating unit 3230.

도 6의 실시예에 의하면, 기판(W)의 가열은 기판(W)이 가열판(3232) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. According to the embodiment of FIG. 6, the heating of the substrate W is performed while the substrate W is directly placed on the heating plate 3322, and the cooling of the substrate W is carried by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed. ) Is in contact with the cold plate 3322. The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is performed well. According to an example, the conveying plate 3240 may be provided with a metal material.

열처리 챔버(3202, 3204, 3206)들 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스르 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating unit 3230 provided in the heat treatment chambers of some of the heat treatment chambers 3202, 3204, and 3206 may supply gas during heating of the substrate W to improve the adhesion rate of the substrate W of the photoresist. In one example, the gas may be a hexamethyldisilane gas.

도 2와 도 3을 참조하면, 열처리 챔버(3202, 3204, 3206)들 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 열처리 챔버를 전단 열처리 챔버(3202, front heat treating chamber)라 칭한다. 열처리 챔버(3202, 3204, 3206)들 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 열처리 챔버를 후단 열처리 챔버(3206, rear heat treating chamber)라 칭한다. 열처리 챔버(3202, 3204, 3206)들 중 또 다른 일부는 전단 열처리 챔버(3202)와 후단 열처리 챔버(3204) 사이에 위치된다. 이하 이들 열처리 챔버를 중간 열처리 챔버(3204, middle heat treating chamber)를 가진다.2 and 3, some of the heat treatment chambers 3202, 3204, 3206 are provided in a location adjacent to the index module 20. Hereinafter, these heat treatment chambers are referred to as a front heat treatment chamber 3202. The other portion of the heat treatment chambers 3202, 3204, 3206 is provided at a location adjacent to the interface module 40. Hereinafter, these heat treatment chambers are referred to as a rear heat treating chamber (3206). Another portion of the heat treatment chambers 3202, 3204, 3206 is located between the front heat treatment chamber 3202 and the back heat treatment chamber 3204. Hereinafter, these heat treatment chambers have a middle heat treating chamber (3204).

일 예에 의하면, 전단 열처리 챔버(3202), 후단 열처리 챔버(3204), 그리고 중간 열처리 챔버(3206)는 기판(W)이 출입하는 반입구의 위치를 제외하고 대체로 서로 동일한 배치 및 동일한 수로 제공될 수 있다. 아래에서는 전단 열처리 챔버(3202)의 배치에 대해 간략히 설명한다.According to one example, the front end heat treatment chamber 3202, the back end heat treatment chamber 3204, and the intermediate heat treatment chamber 3206 may be provided in substantially the same arrangement and the same number except for the positions of the inlets through which the substrate W enters and exits. Can be. Hereinafter, the arrangement of the shear heat treatment chamber 3202 will be briefly described.

전단 열처리 챔버(3202)는 복수 개로 제공된다. 일 예에 의하면, 전단 열처리 챔버(3202)들은 제1그룹(3202a)과 제2그룹(3202b)으로 나누어진다. 제1그룹(3202a)과 제2그룹(3202b)에는 각각 하나 또는 복수의 전단 열처리 챔버(3202)가 제공된다. 동일 그룹에 속하는 전단 열처리 챔버(3202)들은 서로 적층되도록 제공된다. 일 예에 의하면, 제1그룹(3202a)과 제2그룹(3202b)에는 각각 3개의 전단 열처리 챔버(3202)가 제공될 수 있다. 제1그룹(3202a)에 속하는 전단 열처리 챔버(3202)와 제2그룹(3202b)에 속하는 전단 열처리 챔버(3202)는 상부에서 바라볼 때 제2 방향(14)을 따라 배치된다. 이 경우, 제1그룹(3202a)에 속하는 전단 열처리 챔버(3202)에서 하우징(3210)의 제2영역(3214)과 제2그룹(3202b)에 속하는 전단 열처리 챔버(3202)에서 하우징(3210)의 제2영역(3214)은 반송부(3400)의 길이 방향에 평행한 선을 기준으로 서로 반대 측에 배치된다. The shear heat treatment chamber 3202 is provided in plurality. According to an example, the shear heat treatment chambers 3202 are divided into a first group 3202a and a second group 3202b. One or a plurality of shear heat treatment chambers 3202 are provided in the first group 3202a and the second group 3202b, respectively. Shear heat treatment chambers 3202 belonging to the same group are provided to be stacked on each other. In an example, three shear heat treatment chambers 3202 may be provided in the first group 3202a and the second group 3202b, respectively. The shear heat treatment chamber 3202 belonging to the first group 3202a and the shear heat treatment chamber 3202 belonging to the second group 3202b are disposed along the second direction 14 when viewed from the top. In this case, in the shear heat treatment chamber 3202 belonging to the first group 3202a, the second region 3214 of the housing 3210 and the shear heat treatment chamber 3202 belonging to the second group 3202b may be used. The second regions 3214 are disposed on opposite sides of the second region 3214 based on a line parallel to the longitudinal direction of the carrier 3400.

액처리부(3600)는 복수의 액처리 챔버(3602, 3604)를 가진다. 액처리 챔버(3602, 3604)는 반송부(3400)의 길이 방향을 따라 복수 개가 배치될 수 있다. 또한, 액처리 챔버(3602, 3604)들 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 도 8은 액처리 챔버(3602, 3604)의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. The liquid processing unit 3600 has a plurality of liquid processing chambers 3602 and 3604. The liquid treatment chambers 3602 and 3604 may be provided in plural along the longitudinal direction of the transfer part 3400. In addition, some of the liquid treatment chambers 3602 and 3604 may be provided to be stacked on each other. 8 is a diagram schematically showing an example of the liquid treatment chambers 3602 and 3604.

도 8을 참조하면, 액처리 챔버(3602, 3604)는 하우징(3610), 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. Referring to FIG. 8, the liquid treatment chambers 3602 and 3604 have a housing 3610, a cup 3620, a support unit 3640, and a liquid supply unit 3660. Housing 3610 is generally provided in the shape of a cuboid. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3610. The inlet can be opened and closed by a door (not shown). The cup 3620, the support unit 3640, and the liquid supply unit 3660 are provided in the housing 3610. The upper wall of the housing 3610 may be provided with a fan filter unit 3670 to form a downdraft in the housing 3260. Cup 3620 has a processing space with an open top. The support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. FIG. The support unit 3640 is provided such that the substrate W is rotatable during the liquid treatment. The liquid supply unit 3660 supplies the liquid to the substrate W supported by the support unit 3640.

도 2와 도 3을 참조하면, 액처리 챔버(3602, 3604)들 중 일부는 전단 반송챔버(3402)의 측부에 배치될 수 있다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액처리 챔버(3602, 3604)들 중 다른 일부는 후단 반송챔버(3404)의 측부에 배치될 수 있다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. 전단 액처리 챔버(3602)는 전단 반송챔버(3402)의 길이 방향을 기준으로 그 양측에 각각 제공될 수 있다. 후단 액처리 챔버(3604)는 후단 반송챔버(3404)의 길이 방향을 기준으로 그 양측에 각각 제공될 수 있다.2 and 3, some of the liquid treatment chambers 3602 and 3604 may be disposed on the side of the front conveying chamber 3402. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as front liquid treating chambers 3602. Another portion of the liquid treatment chambers 3602, 3604 may be disposed on the side of the rear conveying chamber 3404. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604. The shear liquid treatment chamber 3602 may be provided at both sides thereof based on the longitudinal direction of the shear transfer chamber 3402. The rear stage liquid treatment chamber 3604 may be provided at both sides thereof based on the longitudinal direction of the rear stage transfer chamber 3404.

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front liquid treatment chamber 3602 applies the first liquid on the substrate W, and the rear liquid treatment chamber 3604 applies the second liquid on the substrate W. FIG. The first liquid and the second liquid may be different kinds of liquids. According to one embodiment, the first liquid is an antireflection film and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied onto the substrate W on which the antireflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist and the second liquid may be an antireflection film. In this case, the antireflection film may be applied onto the substrate W to which the photoresist is applied. Optionally, the first liquid and the second liquid are liquids of the same kind, both of which may be photoresists.

도 2 및 도 4를 참조하면, 현상 블럭(30b)은 열처리부(3200), 반송부(3400), 그리고 액처리부(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리부(3200), 반송부(3400), 그리고 액처리부(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리부(3200), 반송부(3400), 그리고 액처리부(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공될 수 있다. 2 and 4, the developing block 30b includes a heat treatment unit 3200, a transfer unit 3400, and a liquid treatment unit 3600. The heat treatment unit 3200, the conveying unit 3400, and the liquid processing unit 3600 of the developing block 30b are formed by the heat treatment unit 3200, the conveying unit 3400, and the liquid processing unit 3600 of the application block 30a. It may be provided in a generally similar structure and arrangement.

도 4의 실시예에 의하면, 현상 블럭(30b)의 전단 열처리 챔버(3202)는 반송챔버(3600)의 길이 방향을 연장한 선을 기준으로 그 일측에만 제공된다. 현상 블럭(30b)에는 전단 버퍼(3802) 및 이송 기구(3900)이 추가적으로 제공될 수 있다. 전단 버퍼(3802)는 복수 개가 제공되며 서로 적층되게 제공된다. 전단 버퍼(3802)는 전단 열처리 챔버(3202)와 적층되게 제공된다. 일 예에 의하면, 전단 버퍼(3802)는 전단 열처리 챔버(3202)의 아래에 배치된다. 이송 기구(3900)는 전단 열처리 챔버(3202)와 전단 버퍼(3802) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 기구(3900)는 각각 기판(W)이 놓이는 핸드(3920)를 포함하며, 핸드(3920)는 전진 및 후진 이동, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 복수의 현상 블럭(30b)들에 대해 이송 기구(3900)는 1개만 제공되고, 이송 기구(3900)는 현상 블럭(30b)들 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 선택적으로 복수의 현상 블럭(30b) 각각에 이송 기구(3900)가 제공될 수 있다.According to the embodiment of FIG. 4, the shear heat treatment chamber 3202 of the developing block 30b is provided only on one side of the conveyance chamber 3600 based on a line extending in the longitudinal direction. The developing block 30b may additionally be provided with a front end buffer 3802 and a transfer mechanism 3900. A plurality of front end buffers 3802 are provided and stacked on each other. The shear buffer 3802 is provided to be stacked with the shear heat treatment chamber 3202. In one example, the shear buffer 3802 is disposed below the shear heat treatment chamber 3202. The transfer mechanism 3900 conveys the substrate W between the shear heat treatment chamber 3202 and the shear buffer 3802. Each transfer mechanism 3900 includes a hand 3920 on which the substrate W is placed, and the hand 3920 may be provided to move forward and backward and move along the third direction 16. Only one transfer mechanism 3900 is provided for the plurality of development blocks 30b, and the transfer mechanism 3900 may carry the substrate W between the development blocks 30b. Alternatively, a transfer mechanism 3900 may be provided to each of the plurality of developing blocks 30b.

선택적으로 현상 블럭(30b)의 전단 반송 로봇(3422)과 후단 반송 로봇(3424) 사이에는 기판(W)을 주고받을 수 있도록 중간 버퍼(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 이 경우, 중간 버퍼는 중간 열처리 챔버(3206)와 적층되도록 복수 개 제공될 수 있다. 이와 달리, 중간 열처리 챔버(3206)는 반송챔버(3400)의 길이 방향을 연장한 선을 기준으로 일측에만 제공되고, 중간 열처리 챔버(3206)의 반대측에는 중간 버퍼가 제공될 수 있다. 선택적으로 현상 블럭(30b)의 후단 반송 로봇(3424)과 인터레이스 모듈의 반송 부재(4600) 간에 기판(W)을 주고받을 수 있도록 후단 버퍼(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 이 경우, 후단 버퍼는 후단 열처리 챔버(3204)와 적층되도록 복수 개 제공될 수 있다. 이와 달리 후단 열처리 챔버(3204)는 반송챔버(3400)의 길이 방향을 연장한 선을 기준으로 일측에만 제공되고, 후단 열처리 챔버(3204)의 반대측에는 후단 버퍼가 제공될 수 있다. Optionally, an intermediate buffer (not shown) may be provided between the front end transfer robot 3342 and the rear end transfer robot 3424 of the developing block 30b to exchange the substrate W therein. In this case, a plurality of intermediate buffers may be provided to be stacked with the intermediate heat treatment chamber 3206. Alternatively, the intermediate heat treatment chamber 3206 may be provided on only one side of the conveyance chamber 3400 based on a line extending in the longitudinal direction, and an intermediate buffer may be provided on the opposite side of the intermediate heat treatment chamber 3206. Optionally, a rear end buffer (not shown) may be provided to exchange the substrate W between the rear end transfer robot 3424 of the developing block 30b and the transfer member 4600 of the interlace module. In this case, a plurality of back end buffers may be provided to be stacked with the back end heat treatment chamber 3204. Alternatively, the rear end heat treatment chamber 3204 may be provided on only one side of the transfer chamber 3400 based on a line extending in the longitudinal direction, and a rear end buffer may be provided on the opposite side of the rear end heat treatment chamber 3204.

또한, 선택적으로 인덱스 모듈(20)과 도포 블럭(30a)의 전단 반송챔버(3402) 사이에 전단 버퍼(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 선택적으로 도포 블럭(30a)의 전단 반송 챔버(3402, 3404)와 후단 반송 챔버(3402, 3404) 사이에 중간 버퍼(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 선택적으로 도포 블럭(30a)의 후단 반송 챔버(3402, 3404)와 인터페이스 모듈(40) 사이에는 후단 버퍼가 제공될 수 있다. In addition, a shear buffer (not shown) may optionally be provided between the index module 20 and the shear conveyance chamber 3402 of the application block 30a. Optionally, an intermediate buffer (not shown) may be provided between the front conveying chambers 3402 and 3404 of the application block 30a and the rear conveying chambers 3402 and 3404. Optionally, a back end buffer may be provided between the back end transfer chambers 3402 and 3404 of the application block 30a and the interface module 40.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to an external exposure apparatus 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a conveying member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지노광공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.The upper end of the interface frame 4100 may be provided with a fan filter unit to form a downdraft therein. The additional process chamber 4200, the interface buffer 4400, and the conveying member 4600 are disposed in the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the application block 30a, is carried into the exposure apparatus 50. Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50, is carried into the developing block 30b. According to an example, the addition process may be an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, an upper surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a lower surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W. Can be. A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. The additional process chambers 4200 may all be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W to be transported between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transport. The interface buffer 4400 may be provided in plural, and the plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송부(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the carrier 3400 and an interface buffer 4400 on the other side of the carrier 3400.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602), 제2로봇(4604), 그리고 인터페이스 로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The conveying member 4600 conveys the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The conveying member 4600 may be provided by one or a plurality of robots. According to one example, the conveying member 4600 has a first robot 4602, a second robot 4604, and an interface robot 4606. The first robot 4602 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 uses the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( The substrate W may be transported between 50, and a second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602), 인터페이스 로봇(4606), 그리고 제2로봇(4604)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602, the interface robot 4606, and the second robot 4604 each include a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, with axes parallel to the third direction 16. It may be provided to be rotatable relative to the reference, and to be movable along the third direction 16.

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 인터페이스 로봇(4606), 그리고 제2로봇(4604)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hands of the index robot 2200, the first robot 4602, the interface robot 4606, and the second robot 4460 may all be provided in the same shape as the hands 3420 of the transfer robots 3422 and 3424. . Optionally, the hand of the robot that directly exchanges the substrate W with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robots 3342 and 3424, and the hands of the remaining robots have different shapes. It may be provided as.

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3202)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to one embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating unit 3230 of the shear heat treatment chamber 3202 provided in the application block 30a.

또한, 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 반송 로봇(3422)은 전단 열처리 챔버(3202)의 제1영역(3212)에 위치된 반송 플레이트(3240), 중간 열처리 챔버(3206)의 제2영역(3214)에 위치된 반송 플레이트(3240), 그리고 전단 액처리 챔버(3602)와 각각 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. 또한, 도포 블럭(30a)에 제공된 후단 반송 로봇(3424)은 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)에 위치된 반송 플레이트(3240), 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)에 위치된 반송 플레이트(3240), 그리고 후단 액처리 챔버(3604)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. In addition, the shear transfer robot 3422 provided in the application block 30a includes the transfer plate 3240 located in the first region 3212 of the shear heat treatment chamber 3202 and the second region 3214 of the intermediate heat treatment chamber 3206. Each of the transfer plate 3240 and the front end liquid treatment chamber 3602 may be provided to directly exchange the substrate W. Further, the rear stage transfer robot 3424 provided in the application block 30a has a transfer plate 3240 located in the first region 3212 of the intermediate heat treatment chamber 3206 and a first region 3212 of the rear stage heat treatment chamber 3204. The transfer plate 3240 and the substrate W may be directly exchanged with the rear liquid treatment chamber 3604.

또한, 현상 블럭(30b)에 제공된 전단 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802), 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)에 위치한 반송 플레이트(3240) 및 전단 액처리 챔버(3602)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. 추가적으로 현상 블럭(30b)에 제공된 전단 반송 로봇(3422)은 전단 열처리 챔버(3202)의 제1영역(3212)에 위치한 반송 플레이트(3240) 및/또는 후단 버퍼와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. 현상 블럭(30b)에 제공된 후단 반송 로봇(3424)은 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)에 위치된 반송 플레이트(3240), 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)에 위치된 반송 플레이트(3240), 그리고 후단 액처리 챔버(3604)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. 추가적으로 현상 블럭(30b)에 제공된 후단 반송 로봇(3424)은 중간 버퍼 및/또는 후단 버퍼와 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.In addition, the shear transfer robot 3422 provided in the developing block 30b includes a shear buffer 3802, a transfer plate 3240 located in the first region 3212 of the intermediate heat treatment chamber 3206, and a shear liquid treatment chamber 3602. It is provided to exchange the substrate (W) directly with. In addition, the shear transfer robot 3342 provided to the developing block 30b may exchange the substrate W directly with the transfer plate 3240 and / or the rear buffer located in the first region 3212 of the shear heat treatment chamber 3202. May be provided. The back stage transfer robot 3424 provided in the developing block 30b is disposed on the transfer plate 3240 located in the first region 3212 of the intermediate heat treatment chamber 3206 and the first region 3212 of the rear stage heat treatment chamber 3204. It is provided to directly exchange the substrate (W) with the transport plate (3240) positioned, and the rear liquid treatment chamber (3604). In addition, the rear end transfer robot 3424 provided in the developing block 30b may be provided to exchange the substrate W with the intermediate buffer and / or the rear end buffer.

또한, 인터페이스 모듈(40)에서 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a)에 제공된 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)에 위치한 반송 플레이트(3240), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 보조 공정챔버(4200)와 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. 제2로봇(4604)은 현상 블럭(30b)에 제공된 후단 열처리 챔버(3204)의 가열 유닛(3230) 및 인터페이스 버퍼(4400)와 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. 또한, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400) 및 노광 장치(50)와 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.In addition, in the interface module 40, the first robot 4602 may include a transfer plate 3240, an interface buffer 4400, and a transfer plate 3240 located in the first area 3212 of the rear end heat treatment chamber 3204 provided in the application block 30a. It may be provided to exchange the auxiliary process chamber 4200 and the substrate (W). The second robot 4604 may be provided to exchange the substrate W with the heating unit 3230 and the interface buffer 4400 of the post-heat treatment chamber 3204 provided to the developing block 30b. In addition, the interface robot 4606 may be provided to exchange the substrate W with the interface buffer 4400 and the exposure apparatus 50.

다음에는 도 9 내지 도 11을 참조하여, 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 9 through 11.

도 9는 기판 처리 방법을 순차적으로 보여주는 플로우차트이다. 도 10은 용기에서 노광 장치에 반입되기 전까지 기판의 반송 경로의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 11은 노광 장치에서 반출된 후 용기까지 기판의 반송 경로의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 9 is a flowchart sequentially showing a substrate processing method. FIG. 10 is a view schematically showing an example of a conveyance path of a substrate before being carried into the exposure apparatus in the container, and FIG. 11 is a view schematically showing an example of a conveyance path of the substrate from the exposure apparatus to the container after being taken out.

도 9를 참조하면, 기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. Referring to FIG. 9, a coating treatment step S20, an edge exposure step S40, an exposure step S60, and a development step S80 are sequentially performed on the substrate W. In FIG.

도포 처리 공정(S20)은 전단 열처리 챔버(3202)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 중간 열처리 챔버(3206)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 후단 열처리 챔버(3204)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. Coating treatment step (S20) is a heat treatment step (S21) in the shear heat treatment chamber (3202), an anti-reflection film coating step (S22) in the shear liquid treatment chamber 3602, a heat treatment step (S23), the rear end in the intermediate heat treatment chamber (3206) The photoresist film applying step (S24) in the liquid treatment chamber 3604 and the heat treatment step (S25) in the subsequent heat treatment chamber 3204 are performed sequentially.

이하, 도 10을 참조하여 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Hereinafter, an example of the conveyance path | route of the board | substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 is demonstrated with reference to FIG.

인덱스 로봇(2200)이 용기(10)에서 기판(W)을 꺼내서 전단 열처리 챔버(3202)의 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 전단 열처리 챔버(3202)에서 가열 공정이 완료되면 반송 플레이트(3240)가 전단 열처리 챔버(3202)의 제2영역(3214)에 배치된 가열 유닛(3230)에서 기판(W)을 반출하여 전단 열처리 챔버(3202)의 제1영역(3212)으로 이동되고, 이후 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 전단 반송 로봇(3422)이 전단 열처리 챔버(3202)의 제1영역(3212)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. The index robot 2200 removes the substrate W from the container 10 and conveys the substrate W to the heating unit 3230 of the shear heat treatment chamber 3202. When the heating process is completed in the shear heat treatment chamber 3202, the transfer plate 3240 takes out the substrate W from the heating unit 3230 disposed in the second region 3214 of the shear heat treatment chamber 3202, and thus the shear heat treatment chamber After moving to the first region 3212 of 3202, the conveying plate 3240 contacts the cooling unit 3220 to perform a cooling process. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper portion of the cooling unit 3220, and the shear transfer robot 3342 takes out the substrate W from the first region 3212 of the shear heat treatment chamber 3202. To the front liquid processing chamber 3602.

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. In the shear liquid treatment chamber 3602, an antireflection film is applied onto the substrate W. FIG.

전단 반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)으로 기판(W)을 반입한다. 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)에서 반송 플레이트(3240)가 기판(W)을 중간 열처리 챔버(3206)의 제2영역(3214)에 제공된 가열 유닛(3230)으로 반송한다. 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 가열 유닛(3230)에서 기판(W)을 반출하여 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)으로 이동하고, 이후 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 후단 반송 로봇(3424)이 중간 열처리 챔버(3206)에서 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The shear transfer robot 3342 takes the substrate W out of the shear liquid treatment chamber 3602 and loads the substrate W into the first region 3212 of the intermediate heat treatment chamber 3206. In the first region 3212 of the intermediate heat treatment chamber 3206, the transfer plate 3240 conveys the substrate W to the heating unit 3230 provided in the second region 3214 of the intermediate heat treatment chamber 3206. When the heating process is completed, the conveying plate 3240 removes the substrate W from the heating unit 3230 and moves to the first region 3212 of the intermediate heat treatment chamber 3206, after which the conveying plate 3240 is cooled. The unit 3220 is contacted to perform a cooling process. When the cooling process is completed, the conveying plate 3240 is moved to the upper portion of the cooling unit 3220, and the rear conveying robot 3424 carries out the substrate W from the intermediate heat treatment chamber 3206 and the rear liquid treating chamber 3604. Return to).

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. Thereafter, a photoresist film is applied onto the substrate W in the rear liquid treatment chamber 3604.

후단 반송 로봇(3424)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)으로 기판(W)을 반입한다. 제1영역(3212)에서 반송 플레이트(3240)가 기판(W)을 제2영역(3214)에 제공된 가열 유닛(3230)으로 반송한다. 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 가열 유닛(3230)에서 기판(W)을 반출하여 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)으로 이동하고, 이후 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 열처리 챔버(3204)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. The rear stage transfer robot 3424 takes out the substrate W from the rear stage liquid processing chamber 3604 and loads the substrate W into the first region 3212 of the rear stage heat treatment chamber 3204. In the first region 3212, the conveying plate 3240 conveys the substrate W to the heating unit 3230 provided in the second region 3214. When the heating process is completed, the conveying plate 3240 removes the substrate W from the heating unit 3230 and moves to the first region 3212 of the post-heat treatment chamber 3204, after which the conveying plate 3240 is cooled. The unit 3220 is contacted to perform a cooling process. When the cooling process is completed, the conveying plate 3240 is moved to the upper portion of the cooling unit 3220, and the first robot 4602 of the interface module 40 carries out the substrate W from the rear end heat treatment chamber 3204. It returns to the auxiliary process chamber 4200.

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the auxiliary process chamber 4200.

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 transports the substrate W from the auxiliary process chamber 4200 and conveys the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 인터페이스 로봇(4606)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the interface robot 4606 unloads the substrate W from the interface buffer 4400 and conveys it to the exposure apparatus 50.

현상 처리 공정(S80)은 후단 열처리 챔버(3204)에서 열처리 공정(S81), 후단 액처리 챔버(3604)에서 현상 공정(S82), 그리고 중간 열처리 챔버(3206)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. 이와 달리 현상 공정(S82)은 전단 액처리 챔버(3602)에서 수행되고, 이후에 전단 열처리 챔버(3202)에서 열처리 공정(S83)이 수행될 수 있다.In the development treatment step S80, the heat treatment step S81 is performed in the post-heat treatment chamber 3204, the developing process S82 is performed in the rear-end heat treatment chamber 3604, and the heat treatment process S83 is sequentially performed in the intermediate heat treatment chamber 3206. Is done. Alternatively, the developing process S82 may be performed in the shear liquid treatment chamber 3602, and then the heat treatment process S83 may be performed in the shear heat treatment chamber 3202.

이하, 도 11을 참조하여 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Hereinafter, an example of the conveyance path | route of the board | substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 is demonstrated with reference to FIG.

인터페이스 로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The interface robot 4606 carries out the substrate W from the exposure apparatus 50 and conveys the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제2로봇(4604)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 현상 블럭(30b)의 후단 열처리 챔버(3204)의 가열 유닛(3230)으로 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 가열 공정이 완료되면 반송 플레이트(3240)가 후단 열처리 챔버(3204)의 제2영역(3214)에 배치된 가열 유닛(3230)에서 기판(W)을 반출하여 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)으로 기판(W)을 반송하고, 이후 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 후단 반송 로봇(3424)이 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)에서 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. Thereafter, the second robot 4604 carries the substrate W out of the interface buffer 4400 and conveys the substrate W to the heating unit 3230 of the post-heat treatment chamber 3204 of the developing block 30b. When the heating process is completed in the heating unit 3230, the transfer plate 3240 takes the substrate W out of the heating unit 3230 disposed in the second region 3214 of the rear end heat treatment chamber 3204, thereby providing a post heat treatment chamber ( The substrate W is conveyed to the first region 3212 of 3204, and then the conveying plate 3240 contacts the cooling unit 3220 to perform a cooling process. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper portion of the cooling unit 3220, and the rear stage transfer robot 3424 takes out the substrate W from the first region 3212 of the rear stage heat treatment chamber 3204. To the rear stage liquid processing chamber 3604.

후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. The developing process is performed by supplying a developing solution onto the substrate W in the rear liquid treating chamber 3604.

후단 반송 로봇(3424)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 현상 블럭(30b)의 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)으로 기판(W)을 반입한다. 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)에서 반송 플레이트(3240)가 기판(W)을 제2영역(3214)에 제공된 가열 유닛(3230)으로 반송한다. 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 가열 유닛(3230)에서 기판(W)을 반출하여 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)으로 이동하고, 이후 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 전단 반송 로봇(3422)이 중간 열처리 챔버(3206)에서 기판(W)을 반출하여 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The rear stage transfer robot 3424 takes out the substrate W from the rear stage liquid processing chamber 3604 and loads the substrate W into the first region 3212 of the intermediate heat treatment chamber 3206 of the developing block 30b. In the first region 3212 of the intermediate heat treatment chamber 3206, the conveying plate 3240 conveys the substrate W to the heating unit 3230 provided in the second region 3214. When the heating process is completed, the conveying plate 3240 removes the substrate W from the heating unit 3230 and moves to the first region 3212 of the intermediate heat treatment chamber 3206, after which the conveying plate 3240 is cooled. The unit 3220 is contacted to perform a cooling process. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper portion of the cooling unit 3220, and the front end transfer robot 3342 takes out the substrate W from the intermediate heat treatment chamber 3206 to the front end buffer 3802. Return.

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 반출하여 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 unloads the substrate W from the front end buffer 3802 and transfers it to the container 10.

인덱스 로봇(2200)과 전단 반송 로봇(3422) 간에, 전단 반송 로봇(3422)과 후단 반송 로봇(3424) 간에, 그리고 후단 반송 로봇(3424)과 인터페이스 모듈(40)의 반송 부재(4600) 간에 기판(W)의 전달은 버퍼를 통해서 이루어질 수 있으며, 이와 달리 이들 간에 기판(W)의 전달은 열처리 챔버(3202, 3204, 3206)의 제1영역(3212)에 위치된 반송 플레이트(3240)를 통해서 이루어질 수 있다. 예컨대, 전단 반송 로봇(3422)과 인덱스 로봇(2200) 간의 기판(W)의 반송은 전단 버퍼(3802)를 통해 이루어질 수 있으며, 선택적으로 반송 플레이트(3240)가 전단 열처리 챔버(3202)의 제1영역(3212)에 위치한 상태에서 전단 반송 로봇(3422)이 기판(W)을 반송 플레이트(3240)에 전달하고, 이후 인덱스 로봇(2200)이 제1영역(3212)에 위치한 반송 플레이트(3240)로부터 기판(W)을 전달받을 수 있다.Between the index robot 2200 and the front end transfer robot 3342, between the front end transfer robot 3342 and the rear end transfer robot 3424, and between the rear end transfer robot 3424 and the transfer member 4600 of the interface module 40. The transfer of the W may be through a buffer, whereas the transfer of the substrate W therebetween is via a transfer plate 3240 located in the first region 3212 of the heat treatment chambers 3202, 3204, 3206. Can be done. For example, the transfer of the substrate W between the front end transfer robot 3342 and the index robot 2200 may be performed through the front end buffer 3802, and optionally the transfer plate 3240 may include the first of the first heat treatment chamber 3202. The shear transfer robot 3342 transfers the substrate W to the transfer plate 3240 in the state of being located in the area 3212, and then the index robot 2200 is moved from the transfer plate 3240 located in the first area 3212. The substrate W may be delivered.

상술한 예에서는 열처리 챔버들 전체에서 냉각 유닛이 제1영역에 배치되고, 가열 유닛이 제2영역에 배치되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 열처리 챔버들 중 일부에서는 냉각 유닛이 제2영역에 배치되고, 가열 유닛이 제1영역에 배치될 수 있다. 예컨대, 전단 열처리 챔버에서는 냉각 유닛이 제1영역에 배치되고, 가열 유닛이 제2영역에 배치되고, 중간 열처리 챔버 또는 후단 열처리 챔버에서는 냉각 유닛이 제2영역에 배치되고, 가열 유닛이 제1영역에 배치될 수 있다In the above-described example, the cooling unit is disposed in the first region and the heating unit is disposed in the second region in the entire heat treatment chambers. Alternatively, in some of the heat treatment chambers, the cooling unit may be disposed in the second region, and the heating unit may be disposed in the first region. For example, in the front heat treatment chamber, the cooling unit is disposed in the first region, the heating unit is disposed in the second region, and in the intermediate heat treatment chamber or the post heat treatment chamber, the cooling unit is disposed in the second region, and the heating unit is in the first region. Can be placed in

다음에는 본 발명의 다양한 변형 예에 대해 개략적으로 설명한다. 도 12 내지 도 16은 각각 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 예를 개략적으로 보여주는 도면들이다. In the following, various modifications of the present invention will be described schematically. 12 to 16 are views schematically showing another example of the substrate processing apparatus of the present invention.

도 1 및 도 2에서는 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)이 각각 2개가 제공된 경우를 예로 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리 도 12에 도시된 바와 같이 기판 처리 장치(2)에서 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a)과 현상 블럭(30b)을 각각 1개씩 구비할 수 있다.1 and 2 illustrate the case where two coating blocks 30a and two developing blocks 30b are provided, respectively. However, as shown in FIG. 12, the processing module 30 may include one coating block 30a and one developing block 30b in the substrate processing apparatus 2.

또한, 도 2 내지 도 4에서는 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)이 각각 2개의 반송 챔버(3402, 3404)를 구비하는 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리 도 13에 도시된 바와 같이 기판 처리 장치(3)에서 도포 블럭(30a) 또는 현상 블럭(30b)은 1개의 반송 챔버(3402)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 도포 블럭(30a)에 제공된 액처리 챔버(3602, 3604)들은 서로 상이한 종류의 액들을 기판(W) 상에 도포할 수 있으며, 선택적으로 액처리 챔버(3602, 3604)들은 모두 포토 레지스트를 기판(W) 상에 도포할 수 있다.2 to 4, the application block 30a and the developing block 30b have two transfer chambers 3402 and 3404, respectively. Alternatively, as shown in FIG. 13, in the substrate processing apparatus 3, the application block 30a or the development block 30b may include only one transfer chamber 3402. In this case, the liquid treatment chambers 3602 and 3604 provided in the application block 30a may apply different kinds of liquids onto the substrate W. Optionally, the liquid treatment chambers 3602 and 3604 may both be photoresist. Can be applied onto the substrate (W).

또한, 도 3에서는 도포 블럭(30a)에 전단 열처리 챔버(3202), 전단 반송 챔버(3402), 중간 열처리 챔버(3206), 후단 반송 챔버(3404), 후단 열처리 챔버(3204)가 순차적으로 제1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 전단 반송 챔버(3402)의 측부에 제1액처리 챔버(3602)가 배치되고, 후단 반송 챔버(3404)의 측부에 제2액처리 챔버(3604)가 배치되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 도 14에 도시된 바와 같이 기판 처리 장치(4)의 도포 블럭(30a)은 전단 열처리 챔버(3202), 전단 반송 챔버(3402), 제1중간 열처리 챔버(3206a), 중간 반송 챔버(3406), 제2중간 열처리 챔버(3206b), 후단 반송 챔버(3404), 그리고 후단 열처리 챔버(3204)가 순차적으로 배치되고, 전단 반송 챔버(3402)의 측부에 전단 액처리 챔버(3602)가 배치되고, 중간 반송 챔버(3406)의 측부에 중간 액처리 챔버(3606)가 배치되고, 후단 반송 챔버(3404)의 측부에 후단 액처리 챔버(3604)가 배치될 수 있다. 이 경우, 일 실시예에 의하면, 전단 액처리 챔버(3602), 중간 액처리 챔버(3606), 그리고 후단 액처리 챔버(3604)는 순차적으로 기판(W) 상에 하부 반사 방지막, 포토 레지스트막, 그리고 상부 반사 방지막을 도포할 수 있다. 3, the front end heat treatment chamber 3202, the front end transfer chamber 3402, the intermediate heat treatment chamber 3206, the rear end conveyance chamber 3404, and the rear end heat treatment chamber 3204 are sequentially applied to the application block 30a. The first liquid processing chamber 3602 is disposed in a line along the direction 12, and the first liquid processing chamber 3602 is disposed at the side of the front conveying chamber 3402, and the second liquid processing chamber 3604 is disposed at the side of the rear conveying chamber 3404. It was described as being deployed. In contrast, however, as shown in FIG. 14, the application block 30a of the substrate processing apparatus 4 includes a shear heat treatment chamber 3202, a shear conveyance chamber 3402, a first intermediate heat treatment chamber 3206a, and an intermediate conveyance chamber. 3406, the second intermediate heat treatment chamber 3206b, the rear stage transfer chamber 3404, and the rear stage heat treatment chamber 3204 are sequentially disposed, and the shear liquid treatment chamber 3602 is disposed on the side of the front transfer chamber 3402. The intermediate liquid processing chamber 3606 may be disposed on the side of the intermediate transfer chamber 3406, and the rear liquid processing chamber 3604 may be disposed on the side of the rear transfer chamber 3404. In this case, according to an embodiment, the front liquid treatment chamber 3602, the middle liquid treatment chamber 3606, and the rear liquid treatment chamber 3604 are sequentially disposed on the substrate W, and the lower anti-reflection film, the photoresist film, And an upper antireflection film can be applied.

또한, 도 1 내지 도 4에서는 도포 처리 공정을 행하는 도포 블럭(30a)과 현상 처리 공정을 행하는 현상 블럭(30b)이 서로 적층되게 제공되는 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리 도 15에 도시된 바와 같이기판 처리 장치(5)의 처리 모들은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 모두 행하는 처리 블럭(31)을 구비하고, 처리 블럭(31)은 하나 또는 서로 적층되도록 복수 개가 제공될 수 있다. 도 15를 참조하면, 처리 블럭(31)은 전단 열처리 챔버(3202), 전단 반송 챔버(3402), 중간 열처리 챔버(3206), 후단 반송 챔버(3404), 후단 열처리 챔버(3204)가 순차적으로 제1 방향(12)을 따라 배치되고, 전단 반송 챔버(3402)의 측부에 제1액처리 챔버(3602)가 배치되고, 후단 반송 챔버(3404)의 측부에 제2액처리 챔버(3604)가 배치되며, 이 때 전단 액처리 챔버(3602)는 도포 공정을 수행하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 현상 공정을 수행할 수 있다. In addition, in FIGS. 1-4, it demonstrated that the coating block 30a which performs a coating process process, and the developing block 30b which performs a developing process process are provided laminated | stacked on each other. In contrast, however, as shown in FIG. 15, the processing modules of the substrate processing apparatus 5 include a processing block 31 which performs both a coating treatment process and a developing treatment process, and the processing blocks 31 are stacked on one or each other. Plural can be provided. Referring to FIG. 15, the processing block 31 may include a front end heat treatment chamber 3202, a front end transfer chamber 3402, an intermediate heat treatment chamber 3206, a rear end conveyance chamber 3404, and a rear end heat treatment chamber 3204. It is arrange | positioned along one direction 12, and the 1st liquid processing chamber 3602 is arrange | positioned at the side of the front conveyance chamber 3402, and the 2nd liquid processing chamber 3604 is arrange | positioned at the side of the rear conveyance chamber 3404. In this case, the front liquid treatment chamber 3602 may perform an application process, and the rear liquid treatment chamber 3604 may perform a development process.

또한, 도 1 내지 도 4에서는 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭이 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 도 16에 도시된 바와 같이 기판 처리 장치(6)는 인터레이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막일 수 있다.1 to 4 illustrate that the processing block of the substrate processing apparatus 1 performs a coating treatment process and a developing treatment process. In contrast, however, as shown in FIG. 16, the substrate processing apparatus 6 may include only the index module 20 and the processing block 37 without the interlace module. In this case, the processing block 37 performs only a coating treatment process, and the film applied on the substrate W may be a spin on hard mask film.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the above-mentioned contents show preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosures described above, and / or the skill or knowledge in the art. The described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific fields and applications of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

20 : 인덱스 모듈 30 : 처리 모듈
30a : 도포 블럭 30b : 현상 블럭
40 : 인터페이스 모듈 50 : 노광 장치
3200 : 열처리 챔버 3202 : 전단 열처리 챔버
3204 : 후단 열처리 챔버 3206 : 중간 열처리 챔버
3400 : 반송 챔버 3402 : 전단 반송 챔버
3404 : 후단 반송 챔버 3600 : 액처리 챔버
3602 : 전단 액처리 챔버 3604 : 후단 액처리 챔버20: index module 30: processing module
30a: application block 30b: development block
40: interface module 50: exposure apparatus
3200: heat treatment chamber 3202: shear heat treatment chamber
3204: post-heat treatment chamber 3206: intermediate heat treatment chamber
3400: conveying chamber 3402: shear conveying chamber
3404: rear conveying chamber 3600: liquid treatment chamber
3602: front liquid treatment chamber 3604: rear liquid treatment chamber

Claims (26)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈, 처리 모듈, 그리고 인터페이스 모듈을 포함하되,
상기 인덱스 모듈은,
기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드포트 및 상기 로드포트에 놓인 용기와 상기 처리 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 제공된 인덱스 프레임을 포함하고,
상기 처리 모듈은,
기판 상에 액막을 형성하는 도포공정을 수행하는 도포블럭, 상기 도포블럭과 적층되게 제공되며 현상공정을 수행하는 현상블럭을 포함하고,
상기 인터페이스 모듈은,
외부의 노광장치와 연결되는 인터페이스 프레임과; 상기 인터페이스 프레임 내에 배치되는 반송부재를 포함하고,
상기 도포블럭과 상기 현상블럭은 각각 기판을 열처리하는 열처리 챔버와; 기판에 액을 공급하여 기판을 처리하는 액처리 챔버와; 상기 열처리 챔버와 상기 액처리 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 로봇을 가지는 반송챔버를 포함하고,
상기 도포블럭에 제공된 상기 열처리 챔버는, 전단 열처리 챔버를 포함하고
상기 전단 열처리 챔버는 상기 반송챔버와 상기 인덱스 프레임 사이에 배치되며,
상기 액처리 챔버는, 상기 제1방향을 기준으로 상기 반송챔버의 측부와 상기 반송챔버와 상기 인덱스 프레임 사이 중 상기 제1방향을 기준으로 상기 반송챔버의 측부에 제공되고,
상기 도포블럭에서, 상기 반송 로봇과 상기 인덱스 로봇은 각각 상기 전단 열처리 챔버와 직접 기판을 주고받도록 제공되며,
상기 열처리 챔버는 하우징, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 가열하는 가열 유닛, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 냉각하는 냉각 유닛, 상기 하우징 내에서 기판을 반송하는 반송 부재를 포함하고,
상기 하우징은 상기 제1방향에서 바라볼 때 상기 반송챔버와 중첩되는 제1영역과 상기 반송챔버와 중첩되는 영역에서 벗어난 제2영역을 포함하고,
상기 냉각 유닛과 상기 가열 유닛 중 어느 하나는 상기 제1영역에 배치되고, 다른 하나는 상기 제2영역에 배치되고,
상기 도포블럭에 제공된 상기 반송챔버는,
상기 인덱스 모듈에 인접한 전단 반송챔버와; 상기 인터페이스 모듈에 인접한 후단 반송챔버를 포함하고,
상기 전단 반송챔버와 상기 후단 반송챔버는 상기 제1방향을 따라 배열되고,
상기 열처리 챔버는,
상기 전단 반송챔버와 상기 후단 반송챔버 사이에 배치된 중간 열처리 챔버와; 상기 후단 반송챔버와 상기 인터페이스 모듈 사이에 배치되는 후단 열처리 챔버를 더 포함하고,
상기 전단 반송챔버에 제공된 반송 로봇과 상기 후단 반송챔버에 제공된 반송 로봇은 각각 상기 중간 열처리 챔버와 직접 기판을 주고받도록 제공되며,
상기 도포블럭에 제공된 액처리 챔버는,
상기 제1방향을 기준으로 상기 전단 반송챔버의 측부에 배치되며, 기판에 대해 제1액을 도포하는 공정을 수행하는 전단 액처리 챔버와; 상기 제1방향을 기준으로 상기 후단 반송챔버의 측부에 배치되며, 기판에 대해 제2액을 도포하는 공정을 수행하는 후단 액처리 챔버를 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 인덱스 로봇이 상기 전단 열처리 챔버의 가열 유닛에 기판을 반송하는 단계와;
상기 전단 열처리 챔버의 가열 유닛에서 상기 기판을 가열 처리하는 단계와;
상기 반송부재가 상기 전단 열처리 챔버의 가열 유닛에서 상기 기판을 인수하여 상기 전단 열처리 챔버의 제1영역으로 이송하는 단계와;
상기 전단 열처리 챔버의 제1영역에서 상기 기판을 냉각 처리하는 단계와;
상기 전단 반송챔버에 제공된 전단 반송 로봇이 상기 전단 열처리 챔버의 상기 제1영역에서 상기 기판을 인수하여 상기 전단 액처리 챔버로 반송하는 단계와;
상기 전단 액처리 챔버에서 상기 기판 상에 상기 제1액을 도포하는 단계와;
상기 전단 반송 로봇이 상기 기판을 상기 중간 열처리 챔버의 제1영역으로 상기 기판을 반송하는 단계와;
상기 중간 열처리 챔버의 반송부재가 기판을 상기 중간 열처리 챔버의 상기 제1영역에서 상기 중간 열처리 챔버의 가열 유닛으로 상기 기판을 이송하는 단계와;
상기 중간 열처리 챔버의 가열 유닛에서 상기 기판을 가열하는 단계와;
상기 중간 열처리 챔버의 반송부재가 상기 중간 열처리 챔버의 가열 유닛에서 상기 중간 열처리 챔버의 제1영역으로 상기 기판을 이송하는 단계와;
상기 중간 열처리 챔버의 제1영역에서 상기 기판을 냉각 처리하는 단계와;
상기 후단 반송챔버에 제공된 후단 반송 로봇이 상기 중간 열처리 챔버의 제1영역에서 상기 기판을 인수하여 제2액처리 챔버로 반송하는 단계와;
상기 제2액처리 챔버에서 상기 기판 상에 상기 제2액을 도포하는 단계와;
상기 후단 반송 로봇이 상기 후단 열처리 챔버의 제1영역으로 상기 기판을 반송하는 단계와;
상기 후단 열처리 챔버의 반송부재가 상기 후단 열처리 챔버의 제1영역에서 상기 후단 열처리 챔버의 가열 유닛으로 상기 기판을 이송하는 단계와;
상기 후단 열처리 챔버의 가열 유닛에서 상기 기판을 가열하는 단계와;
상기 후단 열처리 챔버의 반송부재가 상기 기판을 상기 후단 열처리 챔버의 가열 유닛에서 상기 후단 열처리 챔버의 제1영역으로 이송하는 단계와; 그리고
상기 후단 열처리 챔버의 제1영역에서 상기 기판을 냉각 처리하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.Including an index module, a processing module, and an interface module sequentially disposed along the first direction,
The index module,
An index frame provided with a load port on which a container containing a substrate is placed, and an index robot for transferring the substrate between the container placed on the load port and the processing module,
The processing module,
A coating block for performing a coating process for forming a liquid film on a substrate, and a development block provided to be laminated with the coating block and performing a developing process;
The interface module,
An interface frame connected to an external exposure apparatus; A conveying member disposed in the interface frame,
The coating block and the developing block each include a heat treatment chamber for heat treating the substrate; A liquid processing chamber for supplying a liquid to the substrate to process the substrate; A transfer chamber having a transfer robot for transferring a substrate between the heat treatment chamber and the liquid processing chamber,
The heat treatment chamber provided in the application block includes a shear heat treatment chamber;
The shear heat treatment chamber is disposed between the conveying chamber and the index frame,
The liquid processing chamber is provided on the side of the transfer chamber with respect to the first direction and the side of the transfer chamber with reference to the first direction among the transfer chamber and the index frame.
In the coating block, the transfer robot and the index robot are respectively provided to exchange a substrate directly with the shear heat treatment chamber,
The heat treatment chamber includes a housing, a heating unit disposed in the housing and heating the substrate, a cooling unit disposed in the housing and cooling the substrate, and a transfer member for conveying the substrate in the housing,
The housing includes a first region overlapping with the conveying chamber and a second region deviating from an region overlapping with the conveying chamber when viewed from the first direction.
One of the cooling unit and the heating unit is disposed in the first region, the other is disposed in the second region,
The conveying chamber provided in the application block,
A front conveying chamber adjacent the index module; A rear conveying chamber adjacent the interface module;
The front conveying chamber and the rear conveying chamber are arranged along the first direction,
The heat treatment chamber,
An intermediate heat treatment chamber disposed between the front conveying chamber and the rear conveying chamber; Further comprising a rear end heat treatment chamber disposed between the rear end conveyance chamber and the interface module,
The transfer robot provided in the front transfer chamber and the transfer robot provided in the rear transfer chamber are respectively provided to directly exchange the substrate with the intermediate heat treatment chamber.
The liquid treatment chamber provided in the application block,
A shear liquid treatment chamber disposed at a side of the shear conveyance chamber based on the first direction and performing a process of applying a first liquid to a substrate; In the method of processing a substrate using a substrate processing apparatus disposed on the side of the rear conveying chamber on the basis of the first direction, comprising a rear liquid processing chamber for performing a process of applying a second liquid to the substrate ,
The index robot conveying a substrate to a heating unit of the shear heat treatment chamber;
Heating the substrate in a heating unit of the shear heat treatment chamber;
The conveying member transferring the substrate to a first region of the shear heat treatment chamber by the heating unit of the shear heat treatment chamber;
Cooling the substrate in a first region of the shear heat treatment chamber;
A front conveying robot provided to the front conveying chamber receiving the substrate in the first region of the front heat treating chamber and conveying the substrate to the front liquid processing chamber;
Applying the first liquid onto the substrate in the shear liquid treatment chamber;
The shear conveying robot conveying the substrate to the first region of the intermediate heat treatment chamber;
Conveying the substrate from the first region of the intermediate heat treatment chamber to the heating unit of the intermediate heat treatment chamber by a conveying member of the intermediate heat treatment chamber;
Heating the substrate in a heating unit of the intermediate heat treatment chamber;
Conveying the substrate from the heating unit of the intermediate heat treatment chamber to the first region of the intermediate heat treatment chamber by the conveying member of the intermediate heat treatment chamber;
Cooling the substrate in a first region of the intermediate heat treatment chamber;
Transferring, by the rear stage transfer robot provided to the rear stage transfer chamber, the substrate in the first region of the intermediate heat treatment chamber to the second liquid processing chamber;
Applying the second liquid onto the substrate in the second liquid processing chamber;
Conveying the substrate to the first region of the rear stage heat treatment chamber by the rear stage transfer robot;
Conveying the substrate from the first region of the post-heat treatment chamber to the heating unit of the post-heat treatment chamber by a conveying member of the post-heat treatment chamber;
Heating the substrate in a heating unit of the post heat treatment chamber;
Conveying the substrate from the heating unit of the post heat treatment chamber to a first region of the post heat treatment chamber by a conveying member of the post heat treatment chamber; And
And cooling the substrate in a first region of the post-heat treatment chamber. 제25항에 있어서,
상기 제1액은 기판 상에 반사 방지막을 형성하기 위한 액이고,
상기 제2액은 상기 기판 상에 형성된 상기 반사 방지막 상에 포토 레지스트막을 형성하기 위한 액인 기판 처리 방법.The method of claim 25,
The first liquid is a liquid for forming an anti-reflection film on the substrate,
And the second liquid is a liquid for forming a photoresist film on the anti-reflection film formed on the substrate.
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