KR102135414B1 - Liquid crystal polymer resin composite and printed circuit board comprising isolation using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물은 액정 고분자 화합물을 포함하는 수지, 그리고 무기 충전재를 포함하며, 상기 액정 고분자 화합물은 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함한다.
[화학식 1]

Figure 112013117191637-pat00015

여기서, R1 내지 R12는 각각 H, Cl, Br, F, C1~C3 알킬, C2~C3 알켄, C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택될 수 있다.The liquid crystal polymer resin composition according to an embodiment of the present invention includes a resin containing a liquid crystal polymer compound, and an inorganic filler, and the liquid crystal polymer compound includes a repeating unit represented by the following Chemical Formula 1.
[Formula 1]
Figure 112013117191637-pat00015

Here, R 1 to R 12 may be selected from the group consisting of H, Cl, Br, F, C 1 to C 3 alkyl, C 2 to C 3 alkene, and C 2 to C 3 alkyne, respectively.

Description

액정 고분자 수지 조성물 및 이를 이용한 절연층을 포함하는 인쇄 회로 기판{LIQUID CRYSTAL POLYMER RESIN COMPOSITE AND PRINTED CIRCUIT BOARD COMPRISING ISOLATION USING THE SAME}A printed circuit board including a liquid crystal polymer resin composition and an insulating layer using the same{LIQUID CRYSTAL POLYMER RESIN COMPOSITE AND PRINTED CIRCUIT BOARD COMPRISING ISOLATION USING THE SAME}

본 발명은 액정 고분자 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 인쇄 회로 기판의 절연층으로 사용되는 액정 고분자 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal polymer resin composition, and more particularly, to a liquid crystal polymer resin composition used as an insulating layer of a printed circuit board.

인쇄 회로 기판은 절연층 상에 형성된 회로 패턴을 포함하며, 인쇄 회로 기판 상에는 다양한 전자 부품이 탑재될 수 있다. The printed circuit board includes a circuit pattern formed on an insulating layer, and various electronic components can be mounted on the printed circuit board.

인쇄 회로 기판 상에 탑재되는 전자 부품은, 예를 들면 발열 소자일 수 있다. 발열 소자가 방출하는 열은 인쇄 회로 기판의 성능을 떨어뜨릴 수 있다.The electronic component mounted on the printed circuit board may be, for example, a heating element. The heat emitted by the heating element may degrade the performance of the printed circuit board.

전자 부품의 고집적화 및 고용량화에 따라, 인쇄 회로 기판의 방열 문제에 대한 관심이 더욱 커지고 있다. 일반적으로 인쇄 회로 기판의 절연층을 위하여 비스페놀 A 형 에폭시 화합물 또는 비스페놀 F 형 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 수지 조성물이 사용되고 있다. 그러나, 비스페놀 A 형 에폭시 화합물 또는 비스페놀 F형 에폭시 화합물은 점도가 낮아 경화성, 기계적 강도, 인성(靭性) 등이 부족한 문제가 있다.With the high integration and high capacity of electronic components, interest in heat dissipation problems of printed circuit boards is growing. In general, an epoxy resin composition containing a bisphenol A type epoxy compound or a bisphenol F type epoxy compound is used for an insulating layer of a printed circuit board. However, the bisphenol A-type epoxy compound or the bisphenol F-type epoxy compound has a low viscosity, and thus has a problem of lack of curability, mechanical strength, toughness, and the like.

이에 따라, 메조겐 구조를 포함하는 결정성 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 수지 조성물이 사용되고 있다. 이러한 에폭시 수지 조성물은 경화 전 보존 안정성 및 경화성 등은 우수하지만, 요구되는 수준의 내열성 및 열전도성을 얻는 데 한계가 있다.Accordingly, an epoxy resin composition containing a crystalline epoxy compound containing a mesogen structure has been used. The epoxy resin composition has excellent storage stability and curing properties before curing, but has limitations in obtaining required levels of heat resistance and thermal conductivity.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 액정 고분자 수지 조성물 및 이를 이용한 절연층을 포함하는 인쇄 회로 기판을 제공하는 것이다.Technical problem to be achieved by the present invention is to provide a printed circuit board comprising a liquid crystal polymer resin composition and an insulating layer using the same.

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물은 액정 고분자 화합물을 포함하는 수지, 그리고 무기 충전재를 포함하며, 상기 액정 고분자 화합물은 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함한다.The liquid crystal polymer resin composition according to an embodiment of the present invention includes a resin containing a liquid crystal polymer compound, and an inorganic filler, and the liquid crystal polymer compound includes a repeating unit represented by the following Chemical Formula 1.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112013117191637-pat00001
Figure 112013117191637-pat00001

여기서, R1 내지 R12는 각각 H, Cl, Br, F, C1~C3 알킬, C2~C3 알켄, C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택될 수 있다.Here, R 1 to R 12 may be selected from the group consisting of H, Cl, Br, F, C 1 to C 3 alkyl, C 2 to C 3 alkene, and C 2 to C 3 alkyne, respectively.

상기 액정 고분자 화합물은 하기 화학식 2의 구조를 포함할 수 있다.The liquid crystal polymer compound may include the structure of Formula 2 below.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112013117191637-pat00002
Figure 112013117191637-pat00002

여기서, R1 내지 R12는 각각 H, Cl, Br, F, C1~C3 알킬, C2~C3 알켄, C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택될 수 있다.Here, R 1 to R 12 may be selected from the group consisting of H, Cl, Br, F, C 1 to C 3 alkyl, C 2 to C 3 alkene, and C 2 to C 3 alkyne, respectively.

상기 액정 고분자 화합물은 하기 화학식 3의 구조를 포함할 수 있다.The liquid crystal polymer compound may include the structure of Formula 3 below.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112013117191637-pat00003
Figure 112013117191637-pat00003

상기 액정 고분자 화합물은 p-아세톡시아세트아닐라이드-p-아세톡시벤조산-이소프탈릭산 공중합체(p-acetoxyacetanilide-p-acetoxybenzoic acid- isophthalic acid copolymer)를 포함할 수 있다. The liquid crystal polymer compound may include p-acetoxyacetanilide-p-acetoxybenzoic acid-isophthalic acid copolymer (p-acetoxyacetanilide-p-acetoxybenzoic acid-isophthalic acid copolymer).

경화제를 더 포함하며,Further comprising a curing agent,

상기 수지는 비결정성 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다.The resin may further include an amorphous epoxy compound.

상기 비결정성 에폭시 화합물은 비스페놀 A형 에폭시 화합물을 포함하고, 상기 경화제는 디아미노디페닐설폰을 포함할 수 있다.The amorphous epoxy compound includes a bisphenol A-type epoxy compound, and the curing agent may include diaminodiphenylsulfone.

상기 액정 고분자 화합물 10 중량부에 대하여 상기 비결정성 에폭시 화합물은 30 중량부 이하로 포함될 수 있다.The amorphous epoxy compound may be included in an amount of 30 parts by weight or less based on 10 parts by weight of the liquid crystal polymer compound.

상기 수지 3 내지 35wt%, 그리고 상기 무기충전재 65 내지 97wt%를 포함할 수 있다.The resin may include 3 to 35 wt%, and the inorganic filler 65 to 97 wt%.

상기 무기충전재는 알루미나, 질화붕소, 질화알루미늄, 탄화규소, 결정 실리카, 질화규소 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나를 포함할 수 있다.The inorganic filler may include one of alumina, boron nitride, aluminum nitride, silicon carbide, crystalline silica, silicon nitride, and mixtures selected from them.

본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판은 금속 플레이트, 상기 금속 플레이트 상에 형성되는 절연층, 그리고 상기 절연층 상에 형성되는 회로 패턴을 포함하고, 상기 절연층은 액정 고분자 화합물을 포함하는 수지, 그리고 무기 충전재를 포함하며, 상기 액정 고분자 화합물은 하기 화학식의 반복 단위를 포함하는 액정 고분자 수지 조성물로 이루어진다.Printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes a metal plate, an insulating layer formed on the metal plate, and a circuit pattern formed on the insulating layer, the insulating layer is a resin comprising a liquid crystal polymer compound And, including an inorganic filler, the liquid crystal polymer compound is made of a liquid crystal polymer resin composition comprising a repeating unit of the following formula.

Figure 112013117191637-pat00004
Figure 112013117191637-pat00004

여기서, R1 내지 R12는 각각 H, Cl, Br, F, C1~C3 알킬, C2~C3 알켄, C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택될 수 있다.Here, R 1 to R 12 may be selected from the group consisting of H, Cl, Br, F, C 1 to C 3 alkyl, C 2 to C 3 alkene, and C 2 to C 3 alkyne, respectively.

본 발명의 실시예에 따르면, 열전도성이 우수한 액정 고분자 수지 조성물을 얻을 수 있다. 이를 이용하여 내열성, 성형성 및 열전도성이 높은 절연 소재를 얻을 수 있으며, 인쇄 회로 기판의 방열 성능 및 신뢰도를 높일 수 있다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to obtain a liquid crystal polymer resin composition excellent in thermal conductivity. Using this, an insulating material having high heat resistance, moldability, and heat conductivity can be obtained, and heat dissipation performance and reliability of the printed circuit board can be improved.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄 회로 기판의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. The present invention can be applied to various changes and can have various embodiments, and specific embodiments will be illustrated and described in the drawings. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms including ordinal numbers such as second and first may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from other components. For example, the second component may be referred to as a first component without departing from the scope of the present invention, and similarly, the first component may also be referred to as a second component. The term and/or includes a combination of a plurality of related described items or any one of a plurality of related described items.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in this application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, terms such as “include” or “have” are intended to indicate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, and that one or more other features are present. It should be understood that the existence or addition possibilities of fields or numbers, steps, operations, components, parts or combinations thereof are not excluded in advance.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person skilled in the art to which the present invention pertains. Terms, such as those defined in a commonly used dictionary, should be interpreted as having meanings consistent with meanings in the context of related technologies, and should not be interpreted as ideal or excessively formal meanings unless explicitly defined in the present application. Does not.

층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.When a portion of a layer, film, region, plate, etc. is said to be “above” another portion, this includes not only the case “directly above” the other portion but also another portion in the middle. Conversely, when one part is "just above" another part, it means that there is no other part in the middle.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or corresponding components are assigned the same reference numbers regardless of reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted.

본 명세서에서 wt%는 중량부로 대체될 수 있다.In the present specification, wt% may be replaced by parts by weight.

본 발명의 한 실시예에 따르면, 액정 고분자 화합물을 포함하는 수지 그리고 무기 충전재를 포함하는 액정 고분자 수지 조성물을 제공한다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a liquid crystal polymer resin composition comprising a resin containing a liquid crystal polymer compound and an inorganic filler.

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물은 전체 액정 고분자 수지 조성물에 대하여 3wt% 내지 35wt%, 5 wt% 내지 30wt%, 더욱 바람직하게는 5wt% 내지 20wt%, 더욱 바람직하게는 7wt% 내지 13wt%의 수지 그리고 65 내지 97wt%의 무기충전재를 포함할 수 있다. 수지가 전체 액정 고분자 수지 조성물의 3wt% 이상이고 35wt% 이하로 함유된 경우, 밀착성이 양호하고, 두께 조절이 용이할 수 있다. 또한, 무기 충전재가 65wt% 내지 97wt%로 포함되는 경우, 액정 고분자 수지 조성물의 고열전도성, 저열팽창성 및 고온내열성 등이 개선될 수 있다. 고열전도성, 저열팽창성 및 고온내열성은 무기 충전재의 첨가량이 많을수록 좋은데, 그 체적 분율에 따라 향상되는 것은 아니며, 특정 첨가량부터 비약적으로 향상된다. 다만, 무기 충전제의 첨가량이 97wt%보다 많이 포함되면, 점도가 높아져 성형성이 약화된다.The liquid crystal polymer resin composition according to an embodiment of the present invention is 3 wt% to 35 wt%, 5 wt% to 30 wt%, more preferably 5 wt% to 20 wt%, more preferably 7 wt% to the total liquid crystal polymer resin composition 13wt% resin and 65-97wt% inorganic filler. When the resin is 3 wt% or more of the total liquid crystal polymer resin composition and is contained in 35 wt% or less, adhesion is good, and thickness control may be easy. In addition, when the inorganic filler is included at 65 wt% to 97 wt%, high thermal conductivity, low thermal expansion and high temperature heat resistance of the liquid crystal polymer resin composition may be improved. High thermal conductivity, low thermal expansion, and high temperature heat resistance are better as the amount of the inorganic filler is added, but not improved according to the volume fraction, and are improved dramatically from the specific amount added. However, if the addition amount of the inorganic filler is more than 97wt%, the viscosity increases and the moldability is weakened.

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물에 포함되는 액정 고분자 화합물은 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함할 수 있다.The liquid crystal polymer compound included in the liquid crystal polymer resin composition according to an embodiment of the present invention may include a repeating unit represented by the following Chemical Formula 1.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112013117191637-pat00005
Figure 112013117191637-pat00005

여기서, R1 내지 R12는 각각 H, Cl, Br, F, C1~C3 알킬, C2~C3 알켄, C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택될 수 있다.Here, R 1 to R 12 may be selected from the group consisting of H, Cl, Br, F, C 1 to C 3 alkyl, C 2 to C 3 alkene, and C 2 to C 3 alkyne, respectively.

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물에 포함되는 액정 고분자 화합물은 하기 화학식 2를 포함할 수 있다.The liquid crystal polymer compound included in the liquid crystal polymer resin composition according to an embodiment of the present invention may include Formula 2 below.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112013117191637-pat00006
Figure 112013117191637-pat00006

여기서, R1 내지 R16는 각각 H, Cl, Br, F, C1~C3 알킬, C2~C3 알켄, C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택될 수 있다.Here, R 1 to R 16 may be selected from the group consisting of H, Cl, Br, F, C 1 to C 3 alkyl, C 2 to C 3 alkene, and C 2 to C 3 alkyne, respectively.

화학식 2의 액정 고분자 화합물은 하기 화학식 3을 포함할 수 있다.The liquid crystal polymer compound of Formula 2 may include Formula 3 below.

[화학식3][Formula 3]

Figure 112013117191637-pat00007
Figure 112013117191637-pat00007

여기서, 액정 고분자 화합물의 중량 평균 분자량은 액정 고분자 화합물의 수평균 분자량(Mn)은 1000 ~ 30000, 바람직하게는 10000 내지 20000일 수 있으며, 중량 평균 분자량(Mw)은 1000~40000, 바람직하게는 10000~35000일 수 있으며, p-아세톡시아세트아닐라이드-p-아세톡시벤조산-이소프탈릭산 공중합체(p-acetoxyacetanilide-p-acetoxybenzoic acid- isophthalic acid copolymer)라고 명명할 수 있다. 여기서, 수평균 분자량(Mn) 또는 중량 평균 분자량(Mw)의 단위는 g/mol일 수 있다.Here, the weight average molecular weight of the liquid crystal polymer compound may be a number average molecular weight (Mn) of the liquid crystal polymer compound is 1000 to 30000, preferably 10000 to 20000, and the weight average molecular weight (Mw) is 1000 to 40000, preferably 10000 It may be ~35000, and may be referred to as p-acetoxyacetanilide-p-acetoxybenzoic acid-isophthalic acid copolymer (p-acetoxyacetanilide-p-acetoxybenzoic acid-isophthalic acid copolymer). Here, the unit of number average molecular weight (Mn) or weight average molecular weight (Mw) may be g/mol.

이러한 액정 고분자 화합물은 유동 가능한 광학적 이방성을 가지며, 소정의 온도 영역에서는 각각의 분자가 액체 내에서와 같은 형태로 자유롭게 회전할 정도의 충분한 에너지가 주어지지 않는다. 이로 인하여, 분자 간에 상호 작용이 발생하며, 분자가 서로 평행한 영역을 형성할 수 있다. 이때, 형성된 액정 고분자 화합물은 분자의 장축 방향과 평행한 네마틱 형태가 많다. 또한, 액정 고분자 화합물은 고체 상태와 용융 상태에서의 구조 변화와 엔트로피 변화가 매우 적다.The liquid crystal polymer compound has a flowable optical anisotropy, and in a predetermined temperature region, sufficient energy is not given such that each molecule freely rotates in the same form as in a liquid. Due to this, interactions between molecules occur, and molecules may form regions parallel to each other. At this time, the formed liquid crystal polymer compound has many nematic forms parallel to the long axis direction of the molecule. In addition, the liquid crystal polymer compound has very little change in structure and change in entropy in the solid state and in the molten state.

이러한 액정 고분자 화합물의 대표적인 특징은 내열성, 강도, 탄성률이 높은 것이다. 또한, 가공 시 용융 점도가 낮고, 성형 수축률이 적으며, 양호한 치수 안정성, 낮은 선형 팽창 계수, 저흡습 특성 및 우수한 내약품성을 가진다. Representative characteristics of the liquid crystal polymer compound are high heat resistance, strength, and elastic modulus. In addition, when processing, the melt viscosity is low, molding shrinkage is low, it has good dimensional stability, low linear expansion coefficient, low moisture absorption properties, and excellent chemical resistance.

이러한 액정 고분자 화합물은 전체 액정 고분자 수지 조성물의 1wt% 내지 35wt%, 바람직하게는 3wt% 내지 30wt%, 더욱 바람직하게는 5wt% 내지 25wt%, 더욱 바람직하게는 7wt% 내지 20wt%로 포함될 수 있다. 액정 고분자 화합물이 전체 액정 고분자 수지 조성물의 1wt%보다 낮게 함유되면, 원하는 수준의 열전도도를 얻지 못할 수 있다. 또한, 액정 고분자 화합물이 전체 액정 고분자 수지 조성물의 35wt%를 초과하여 함유되면, 무기 충전재의 함량이 낮아져 열전도도가 낮아질 수 있고, 상온 보관성 또는 흐름성이 나빠질 수 있다.The liquid crystal polymer compound may be included in 1 wt% to 35 wt% of the total liquid crystal polymer resin composition, preferably 3 wt% to 30 wt%, more preferably 5 wt% to 25 wt%, and more preferably 7 wt% to 20 wt%. If the liquid crystal polymer compound is contained lower than 1 wt% of the total liquid crystal polymer resin composition, a desired level of thermal conductivity may not be obtained. In addition, when the liquid crystal polymer compound is contained in an amount exceeding 35 wt% of the total liquid crystal polymer resin composition, the content of the inorganic filler may be lowered, resulting in lower thermal conductivity and poor room temperature storage or flowability.

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물에서, 수지는 비결정성 에폭시 수지를 더 포함할 수도 있다. In the liquid crystal polymer resin composition according to an embodiment of the present invention, the resin may further include an amorphous epoxy resin.

비결정성 에폭시 화합물은 분자 중 에폭시기를 2개 이상 가지는 통상의 비결정성 에폭시 화합물일 수 있다.The amorphous epoxy compound may be a conventional amorphous epoxy compound having two or more epoxy groups in the molecule.

비결정성 에폭시 화합물은, 예를 들면 비스페놀 A, 비스페놀 F, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디히드록시디페닐메탄, 4,4'-디히드록시디페닐술폰, 4,4'-디히드록시디페닐술피드, 4,4'-디히드록시디페닐케톤, 플루오렌비스페놀, 4,4'-비페놀,3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디히드록시비페닐, 2,2'-비페놀, 레조르신, 카테콜, t-부틸카테콜, 히드로퀴논, t-부틸히드로퀴논, 1,2-디히드록시나프탈렌, 1,3-디히드록시나프탈렌, 1,4-디히드록시나프탈렌, 1,5-디히드록시나프탈렌, 1,6-디히드록시나프탈렌, 1,7-디히드록시나프탈렌, 1,8-디히드록시나프탈렌, 2,3-디히드록시나프탈렌, 2,4-디히드록시나프탈렌, 2,5-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 2,7-디히드록시나프탈렌, 2,8-디히드록시나프탈렌, 상기 디히드록시나프탈렌의 알릴화물 또는 폴리알릴화물, 알릴화비스페놀A, 알릴화비스페놀F, 알릴화페놀노볼락 등의 2가의 페놀류, 혹은 페놀노볼락, 비스페놀A노볼락, o-크레졸노볼락, m-크레졸노볼락, p-크레졸노볼락, 크실레놀노볼락, 폴리-p-히드록시스티렌, 트리스-(4-히드록시페닐)메탄, 1,1,2,2-테트라키스(4-히드록시페닐)에탄, 플루오로글리시놀, 피로갈롤, t-부틸피로갈롤, 알릴화피로갈롤, 폴리알릴화피로갈롤, 1,2,4-벤젠트리올, 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 페놀아랄킬수지, 나프톨아랄킬수지, 디시클로펜타디엔계 수지 등의3가 이상의 페놀류, 테트라브로모비스페놀A 등의 할로겐화비스페놀류 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나로부터 유도되는 글리시딜에테르화물일 수 있다.The amorphous epoxy compound is, for example, bisphenol A, bisphenol F, 3,3',5,5'-tetramethyl-4,4'-dihydroxydiphenylmethane, 4,4'-dihydroxydiphenyl Sulfone, 4,4'-dihydroxydiphenylsulfide, 4,4'-dihydroxydiphenylketone, fluorenebisphenol, 4,4'-biphenol,3,3',5,5'-tetra Methyl-4,4'-dihydroxybiphenyl, 2,2'-biphenol, resorcin, catechol, t-butylcatechol, hydroquinone, t-butylhydroquinone, 1,2-dihydroxynaphthalene, 1 ,3-dihydroxynaphthalene, 1,4-dihydroxynaphthalene, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 1,7-dihydroxynaphthalene, 1,8-dihydride Hydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, 2,4-dihydroxynaphthalene, 2,5-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, 2,7-dihydroxynaphthalene, 2, Dihydric phenols such as 8-dihydroxynaphthalene, allylates or polyallyliates of the above dihydroxynaphthalene, bisphenol allylated, bisphenol allylated, and phenol novolak allylated, or phenol novolac, bisphenol A novolac , o-cresol novolac, m-cresol novolac, p-cresol novolac, xylenol novolac, poly-p-hydroxystyrene, tris-(4-hydroxyphenyl)methane, 1,1,2,2 -Tetrakis(4-hydroxyphenyl)ethane, fluoroglycinol, pyrogallol, t-butylpyrrologalol, allylated pyrogallol, polyallylation pyrogallol, 1,2,4-benzenetriol, 2, Trivalent or higher phenols such as 3,4-trihydroxybenzophenone, phenol aralkyl resin, naphthol aralkyl resin, dicyclopentadiene resin, halogenated bisphenols such as tetrabromobisphenol A, and mixtures selected from them It may be a glycidyl etherate derived from.

비스페놀 A형 에폭시 화합물의 일 예는 화학식 4와 같다.An example of the bisphenol A-type epoxy compound is as shown in Chemical Formula 4.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112013117191637-pat00008
Figure 112013117191637-pat00008

여기서, n은 1 이상의 정수이다.Here, n is an integer of 1 or more.

비스페놀 F형 에폭시 화합물의 일 예는 화학식 5와 같다.An example of the bisphenol F-type epoxy compound is as shown in Chemical Formula 5.

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112013117191637-pat00009
Figure 112013117191637-pat00009

본 발명의 한 실시예에 따르면, 액정 고분자 화합물 10 중량부에 대하여 비결정성 에폭시 화합물은 0.0001 중량부 이상 30 중량부 이하, 바람직하게는 15 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 5 중량부 이하로 포함될 수 있다. 액정 고분자 화합물 10 중량부에 대하여 0.0001 중량부 이상 30 중량부 이하의 비결정성 에폭시 화합물을 더 포함하면, 상온 보관성, 흐름성 및 공정에 필요한 물성이 더욱 양호해질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the amorphous epoxy compound with respect to 10 parts by weight of the liquid crystal polymer compound may be included in an amount of 0.0001 parts by weight or more and 30 parts by weight or less, preferably 15 parts by weight or less, and more preferably 5 parts by weight or less have. When the amorphous epoxy compound of 0.0001 parts by weight or more and 30 parts by weight or less based on 10 parts by weight of the liquid crystal polymer compound is further included, room temperature storage property, flowability, and physical properties required for the process may be further improved.

한편, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물에 포함되는 경화제는 아민계 경화제, 페놀계 경화제, 산무수물계 경화제, 폴리메르캅탄계 경화제, 폴리아미노아미드계 경화제, 이소시아네이트계 경화제 및 블록 이소시아네이트계 경화제 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. Meanwhile, the curing agent included in the liquid crystal polymer resin composition according to one embodiment of the present invention is an amine curing agent, a phenol curing agent, an acid anhydride curing agent, a polymercaptan curing agent, a polyaminoamide curing agent, an isocyanate curing agent and a block isocyanate It may include at least one of the curing agent.

아민계 경화제는, 예를 들면 4, 4'-디아미노디페닐설폰(diamino diphenyl sulfone)일 수 있다. 하기 화학식 6은 디아미노디페닐설폰의 일 예이다.The amine-based curing agent may be, for example, 4, 4'-diamino diphenyl sulfone. The following Chemical Formula 6 is an example of diaminodiphenylsulfone.

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112013117191637-pat00010

Figure 112013117191637-pat00010

아민계 경화제의 다른 예는, 지방족 아민류, 폴리에테르폴리아민류, 지환식 아민류, 방향족 아민류 등일 수 있으며, 지방족 아민류로서는, 에틸렌디아민, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노프로판, 헥사메틸렌디아민, 2,5-디메틸헥사메틸렌디아민, 트리메틸헥사메틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 이미노비스프로필아민, 비스(헥사메틸렌)트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민, 펜타에틸렌헥사민, N-히드록시에틸에틸렌디아민, 테트라(히드록시에틸)에틸렌디아민 등을 들 수 있다. 폴리에테르폴리아민류로서는, 트리에틸렌글리콜디아민, 테트라에틸렌글리콜디아민, 디에틸렌글리콜비스(프로필아민), 폴리옥시프로필렌디아민, 폴리옥시프로필렌트리아민류 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나일 수 있다. 지환식 아민류로서는, 이소포론디아민, 메타센디아민, N-아미노에틸피페라진, 비스(4-아미노-3-메틸디시클로헥실)메탄, 비스(아미노메틸)시클로헥산, 3,9-비스(3-아미노프로필)2,4,8,10-테트라옥사스피로(5,5)운데칸, 노르보르넨디아민 등을 들 수 있다. 방향족 아민류로서는, 테트라클로로-p-크실렌디아민, m-크실렌디아민, p-크실렌디아민, m-페닐렌디아민, o-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 2,4-디아미노아니솔, 2,4-톨루엔디아민, 2,4-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-1,2-디페닐에탄, 2,4-디아미노디페닐술폰, m-아미노페놀, m-아미노벤질아민, 벤질디메틸아민, 2-디메틸아미노메틸)페놀, 트리에탄올아민, 메틸벤질아민, α-(m-아미노페닐)에틸아민, α-(p-아미노페닐)에틸아민, 디아미노디에틸디메틸디페닐메탄, α,α'-비스(4-아미노페닐)-p-디이소프로필벤젠 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나일 수 있다.Other examples of the amine curing agent may be aliphatic amines, polyether polyamines, alicyclic amines, aromatic amines, and the like, and aliphatic amines include ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminopropane, and hexa Methylenediamine, 2,5-dimethylhexamethylenediamine, trimethylhexamethylenediamine, diethylenetriamine, iminobispropylamine, bis(hexamethylene)triamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, pentaethylenehexamine, And N-hydroxyethyl ethylenediamine, tetra(hydroxyethyl)ethylenediamine, and the like. The polyether polyamines may be one of triethylene glycol diamine, tetraethylene glycol diamine, diethylene glycol bis (propylamine), polyoxypropylene diamine, polyoxypropylene triamines, and mixtures selected from them. Examples of the alicyclic amines include isophorone diamine, metasendiamine, N-aminoethyl piperazine, bis(4-amino-3-methyldicyclohexyl)methane, bis(aminomethyl)cyclohexane, and 3,9-bis(3 -Aminopropyl)2,4,8,10-tetraoxaspiro(5,5)undecane, norbornenediamine, and the like. As aromatic amines, tetrachloro-p-xylenediamine, m-xylenediamine, p-xylenediamine, m-phenylenediamine, o-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 2,4-diaminoanisole, 2 ,4-Toluenediamine, 2,4-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diamino-1,2-diphenylethane, 2,4-diaminodi Phenylsulfone, m-aminophenol, m-aminobenzylamine, benzyldimethylamine, 2-dimethylaminomethyl)phenol, triethanolamine, methylbenzylamine, α-(m-aminophenyl)ethylamine, α-(p-amino Phenyl)ethylamine, diaminodiethyldimethyldiphenylmethane, α,α'-bis(4-aminophenyl)-p-diisopropylbenzene and mixtures selected from them.

페놀계 경화제는, 예를 들면 비스페놀A, 비스페놀F, 4,4'-디히드록시디페닐메탄, 4,4'-디히드록시디페닐에테르, 1,4-비스(4-히드록시페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-히드록시페녹시)벤젠, 4,4'-디히드록시디페닐술피드, 4,4'-디히드록시디페닐케톤, 4,4'-디히드록시디페닐술폰, 4,4'-디하이드록시디페닐에스터, 4,4'-디히드록시비페닐, 2,2'-디히드록시비페닐, 10-(2,5-디히드록시페닐)-10H-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 페놀노볼락, 비스페놀A노볼락, o-크레졸노볼락, m-크레졸노볼락, p-크레졸노볼락, 크실레놀노볼락, 폴리-p-히드록시스티렌, 히드로퀴논, 레조르신, 카테콜, t-부틸카테콜, t-부틸히드로퀴논, 플루오로글리시놀, 피로갈롤, t-부틸피로갈롤, 알릴화피로갈롤, 폴리알릴화피로갈롤, 1,2,4-벤젠트리올, 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 1,2-디히드록시나프탈렌, 1,3-디히드록시나프탈렌, 1,4-디히드록시나프탈렌, 1,5-디히드록시나프탈렌, 1,6-디히드록시나프탈렌, 1,7-디히드록시나프탈렌, 1,8-디히드록시나프탈렌, 2,3-디히드록시나프탈렌, 2,4-디히드록시나프탈렌, 2,5-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 2,7-디히드록시나프탈렌, 2,8-디히드록시나프탈렌, 상기 디히드록시나프탈렌의 알릴화물 또는 폴리알릴화물, 알릴화비스페놀A, 알릴화비스페놀F, 알릴화페놀노볼락, 알릴화피로갈롤 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나일 수 있다.The phenolic curing agent is, for example, bisphenol A, bisphenol F, 4,4'-dihydroxydiphenylmethane, 4,4'-dihydroxydiphenyl ether, 1,4-bis(4-hydroxyphenoxy )Benzene, 1,3-bis(4-hydroxyphenoxy)benzene, 4,4'-dihydroxydiphenylsulfide, 4,4'-dihydroxydiphenylketone, 4,4'-dihydride Hydroxydiphenylsulfone, 4,4'-dihydroxydiphenyl ester, 4,4'-dihydroxybiphenyl, 2,2'-dihydroxybiphenyl, 10-(2,5-dihydroxyphenyl )-10H-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, phenol novolak, bisphenol A novolak, o-cresol novolak, m-cresol novolak, p-cresol novolak, xylenol novolak , Poly-p-hydroxystyrene, hydroquinone, resorcin, catechol, t-butylcatechol, t-butylhydroquinone, fluoroglycinol, pyrogallol, t-butylpyrogalol, allylated pyrogallol, polyallyl Huapirogalol, 1,2,4-benzenetriol, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 1,2-dihydroxynaphthalene, 1,3-dihydroxynaphthalene, 1,4-dihydride Hydroxynaphthalene, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 1,7-dihydroxynaphthalene, 1,8-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, 2, 4-dihydroxynaphthalene, 2,5-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, 2,7-dihydroxynaphthalene, 2,8-dihydroxynaphthalene, allyl of the dihydroxynaphthalene It may be one of cargo or polyallylate, allylated bisphenol A, allylated bisphenol F, allylated phenol novolac, allylated pyrogallol, and mixtures selected therefrom.

산무수물계 경화제는, 예를 들면 도데세닐무수숙신산, 폴리아디핀산무수물, 폴리아젤라인산무수물, 폴리세바신산무수물, 폴리(에틸옥타데칸이산)무수물, 폴리(페닐헥사데칸이산)무수물, 메틸테트라히드로무수프탈산, 메틸헥사히드로무수프탈산, 헥사히드로무수프탈산, 무수메틸하이믹산, 테트라히드로무수프탈산, 트리알킬테트라히드로무수프탈산, 메틸시클로헥센디카르본산무수물, 메틸시클로헥센테트라카르본산무수물, 무수프탈산, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산, 벤조페논테트라카르본산무수물, 에틸렌글리콜비스트리멜리테이트, 무수헤트산, 무수나딕산, 무수메틸나딕산, 5-(2,5-디옥소테트라히드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-시클로헥산-1,2-디카르본산무수물, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌숙신산이무수물, 1-메틸-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌숙신산이무수물 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나일 수 있다.Acid anhydride-based curing agents include, for example, dodecenyl anhydrous succinic acid, polyadipic acid anhydride, polyazelinic acid anhydride, polysevacinic acid anhydride, poly(ethyl octadecane diacid) anhydride, poly(phenylhexadecane diacid) anhydride, methyl tetrahydro Phthalic anhydride, methyl hexahydro anhydride phthalic acid, hexahydro anhydride phthalic anhydride, methyl hymic anhydride, tetrahydro anhydride phthalic acid, trialkyltetrahydro anhydride phthalic acid, methylcyclohexene dicarboxylic anhydride, methylcyclohexene tetracarboxylic anhydride, phthalic anhydride, Trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic anhydride, ethylene glycol bistrimellitate, hetic anhydride, nadic anhydride, methylnadic anhydride, 5-(2,5-dioxotetrahydro-3 -Furanyl)-3-methyl-3-cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid anhydride, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalenesuccinic dianhydride, 1- Methyl-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalenesuccinic dianhydride and mixtures selected from them.

이러한 경화제는 비결정성 에폭시 수지 10 중량부에 대하여 0.9 내지 1.1 중량부로 포함될 수 있다. 즉, 액정 고분자 화합물은 성형성이 높아 별도의 경화제가 요구되지 않는다. 따라서, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물에서 경화제가 과량으로 첨가될 필요가 없으며, 잔여의 경화제로 인한 열전도 감소 문제를 줄일 수 있다.The curing agent may be included in 0.9 to 1.1 parts by weight based on 10 parts by weight of the amorphous epoxy resin. That is, the liquid crystal polymer compound has high moldability and does not require a separate curing agent. Therefore, in the liquid crystal polymer resin composition according to an embodiment of the present invention, the curing agent does not need to be added in an excessive amount, and the problem of reducing thermal conductivity due to the residual curing agent can be reduced.

한편, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물에 포함되는 무기 충전재는 알루미나, 질화붕소, 질화알루미늄, 탄화규소, 결정실리카, 질화규소 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나일 수 있다. Meanwhile, the inorganic filler included in the liquid crystal polymer resin composition according to an embodiment of the present invention may be one of alumina, boron nitride, aluminum nitride, silicon carbide, crystalline silica, silicon nitride, and a mixture selected from them.

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물은 경화 촉진제를 더 포함할 수 있다. 경화 촉진제는, 예를 들면 아민류 경화 촉진제, 이미다졸류 경화 촉진제, 유기 포스핀류 경화 촉진제, 루이스산 경화 촉진제 등이 있고, 구체적으로는, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센-7, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민, 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸 등의 이미다졸류, 트리부틸포스핀, 메틸디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 디페닐포스핀, 페닐포스핀 등의 유기 포스핀류, 테트라페닐포스포늄·테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄·에틸트리페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄·테트라부틸보레이트 등의 테트라 치환포스포늄·테트라 치환 보레이트, 2-에틸-4-메틸이미다졸·테트라페닐보레이트, N-메틸모르폴린·테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염 등이 있다.The liquid crystal polymer resin composition according to an embodiment of the present invention may further include a curing accelerator. Curing accelerators include, for example, amine curing accelerators, imidazole curing accelerators, organic phosphine curing accelerators, Lewis acid curing accelerators, etc., specifically, 1,8-diazabicyclo(5,4,0) Ter-7, triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, tris(dimethylaminomethyl)phenol and other tertiary amines, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl- Imidazoles such as 4-methylimidazole and 2-heptadecylimidazole, organic phosphines such as tributylphosphine, methyldiphenylphosphine, triphenylphosphine, diphenylphosphine, and phenylphosphine, Tetra substituted phosphonium, tetra substituted borate, 2-ethyl-4-methylimidazole, tetra such as tetraphenyl phosphonium, tetraphenyl borate, tetraphenyl phosphonium, ethyl triphenyl borate, tetrabutyl phosphonium, tetrabutyl borate, etc. And tetraphenyl boron salts such as phenyl borate and N-methylmorpholine/tetraphenyl borate.

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물은 이형제를 포함할 수도 있다. 이형제로는 왁스, 예를 들면 스테아린산, 몬탄산, 몬탄산에스테르, 인산에스테르 등이 사용될 수 있다.The liquid crystal polymer resin composition according to an embodiment of the present invention may include a release agent. As a mold release agent, wax, for example, stearic acid, montanic acid, montanic acid ester, phosphoric acid ester, or the like can be used.

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물은 촉매를 포함할 수도 있다. The liquid crystal polymer resin composition according to an embodiment of the present invention may include a catalyst.

촉매는, 예를 들면 이미다졸계 첨가제를 포함할 수 있다.The catalyst may include, for example, an imidazole-based additive.

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물이 이미다졸계 첨가제를 포함하는 경우, 금속과의 밀착성을 높일 수 있다. 이에 따라, 절연층 및 구리 등으로 이루어진 회로 패턴 간의 접착력이 높아지며, 회로 패턴의 이탈 가능성 및 단선 가능성이 낮아지므로, 인쇄 회로 기판의 가공이 용이하게 되고, 인쇄 회로 기판의 신뢰성이 높아진다. When the liquid crystal polymer resin composition according to an embodiment of the present invention includes an imidazole-based additive, adhesion to a metal may be enhanced. As a result, the adhesion between the insulating layer and the circuit pattern made of copper is increased, and the possibility of breakage and disconnection of the circuit pattern is lowered, so that processing of the printed circuit board is facilitated and reliability of the printed circuit board is increased.

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물은 인쇄 회로 기판에 적용될 수 있다. 도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄 회로 기판의 단면도이다.The liquid crystal polymer resin composition according to an embodiment of the present invention may be applied to a printed circuit board. 1 is a cross-sectional view of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 인쇄 회로 기판(100)은 금속 플레이트(110), 절연층(120) 및 회로 패턴(130)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the printed circuit board 100 includes a metal plate 110, an insulating layer 120, and a circuit pattern 130.

금속 플레이트(110)는 구리, 알루미늄, 니켈, 금, 백금 및 이들로부터 선택된 합금으로 이루어질 수 있다.The metal plate 110 may be made of copper, aluminum, nickel, gold, platinum and alloys selected from them.

금속 플레이트(110) 상에는 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물로 이루어진 절연층(120)이 형성된다.On the metal plate 110, an insulating layer 120 made of an epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention is formed.

절연층(120) 상에는 회로 패턴(130)이 형성된다. 회로 패턴(130)은 구리, 니켈 등의 금속으로 이루어질 수 있다.The circuit pattern 130 is formed on the insulating layer 120. The circuit pattern 130 may be made of metal such as copper and nickel.

절연층(120)은 금속 플레이트(110)와 회로 패턴(130) 사이를 절연한다.The insulating layer 120 insulates the metal plate 110 from the circuit pattern 130.

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물을 경화하여 절연층으로 이용함으로써, 방열 성능이 우수한 인쇄 회로 기판을 얻을 수 있다.By curing the liquid crystal polymer resin composition according to one embodiment of the present invention and using it as an insulating layer, a printed circuit board having excellent heat dissipation performance can be obtained.

이하, 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, examples and comparative examples will be described in more detail.

<실시예 1><Example 1>

화학식 3의 액정 고분자 화합물(Mn: 18567, Mw: 30811) 1wt%, 화학식 4의 비스페놀 A형 에폭시 화합물 9wt%, 4, 4'-디아미노디페닐설폰 0.9wt%, 페녹시 1wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 20분 동안 용해시킨 후, 알루미나 88.1wt%를 더 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 가압하여 실시예 1의 액정 고분자 수지 조성물을 얻었다.1 wt% of the liquid crystal polymer compound of Formula 3 (Mn: 18567, Mw: 30811), 9 wt% of bisphenol A-type epoxy compound of Formula 4, 0.9 wt% of 4, 4'-diaminodiphenylsulfone, 1 wt% of phenoxy MEK ( After dissolving in Methyl Ethly Ketone) for 20 minutes, 88.1 wt% of alumina was further added and stirred for 2 hours. After the stirring was completed, the solution was coated on a copper plate, and then pressurized at 150°C for 1 hour and 30 minutes to obtain a liquid crystal polymer resin composition of Example 1.

<실시예 2><Example 2>

화학식 3의 액정 고분자 화합물(Mn: 18567, Mw: 30811) 3wt%, 화학식 4의 비스페놀 A형 에폭시 화합물 7wt%, 4, 4'-디아미노디페닐설폰 0.7wt%, 페녹시 1wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 20분 동안 용해시킨 후, 알루미나 88.3wt%를 더 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 가압하여 실시예 2의 액정 고분자 수지 조성물을 얻었다.3 wt% of liquid crystal polymer compound of formula 3 (Mn: 18567, Mw: 30811), 7 wt% of bisphenol A-type epoxy compound of formula 4, 0.7 wt% of 4, 4'-diaminodiphenylsulfone, 1 wt% of phenoxy MEK ( After dissolving in Methyl Ethly Ketone for 20 minutes, 88.3 wt% of alumina was further added and stirred for 2 hours. After the stirring was completed, the solution was coated on a copper plate and pressed at 150° C. for 1 hour and 30 minutes to obtain a liquid crystal polymer resin composition of Example 2.

<실시예 3><Example 3>

화학식 3의 액정 고분자 화합물(Mn: 18567, Mw: 30811) 5wt%, 화학식 4의 비스페놀 A형 에폭시 화합물 5wt%, 4, 4'-디아미노디페닐설폰 0.5wt%, 페녹시 1wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 20분 동안 용해시킨 후, 알루미나 88.5wt%를 더 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 가압하여 실시예 3의 액정 고분자 수지 조성물을 얻었다.5 wt% of liquid crystal polymer compound of formula 3 (Mn: 18567, Mw: 30811), 5 wt% of bisphenol A type epoxy compound of formula 4, 0.5 wt% of 4, 4'-diaminodiphenylsulfone, 1 wt% of phenoxy MEK ( After dissolving in Methyl Ethly Ketone) for 20 minutes, 88.5 wt% of alumina was further added and stirred for 2 hours. After the stirring was completed, the solution was coated on a copper plate, and then pressurized at 150°C for 1 hour and 30 minutes to obtain the liquid crystal polymer resin composition of Example 3.

<실시예 4><Example 4>

화학식 3의 액정 고분자 화합물(Mn: 18567, Mw: 30811) 7wt%, 화학식 4의 비스페놀 A형 에폭시 화합물 3wt%, 4, 4'-디아미노디페닐설폰 0.3wt%, 페녹시 1wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 20분 동안 용해시킨 후, 알루미나 88.7wt%를 더 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 가압하여 실시예 4의 액정 고분자 수지 조성물을 얻었다.Liquid crystal polymer compound of formula (Mn: 18567, Mw: 30811) 7wt%, bisphenol A-type epoxy compound of formula 4 3wt%, 4, 4'-diaminodiphenylsulfone 0.3wt%, phenoxy 1wt% MEK ( After dissolving in Methyl Ethly Ketone) for 20 minutes, 88.7 wt% of alumina was further added and stirred for 2 hours. After the stirring was completed, the solution was coated on a copper plate and pressed at 150° C. for 1 hour and 30 minutes to obtain the liquid crystal polymer resin composition of Example 4.

<실시예 5><Example 5>

화학식 3의 액정 고분자 화합물(Mn: 18567, Mw: 30811) 10wt%, 페녹시 1wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 20분 동안 용해시킨 후, 알루미나 89wt%를 더 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 가압하여 실시예 5의 액정 고분자 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 10 wt% of the liquid crystal polymer compound of Formula 3 (Mn: 18567, Mw: 30811) and 1 wt% of phenoxy in MEK (Methyl Ethly Ketone) for 20 minutes, 89 wt% of alumina was further added and stirred for 2 hours. After the stirring was completed, the solution was coated on a copper plate, and then pressurized at 150°C for 1 hour and 30 minutes to obtain the liquid crystal polymer resin composition of Example 5.

<실시예 6><Example 6>

화학식 3의 액정 고분자 화합물(Mn: 18567, Mw: 30811) 5wt%, 페녹시 1wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 20분 동안 용해시킨 후, 알루미나 94wt%를 더 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 가압하여 실시예 6의 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 5 wt% of the liquid crystal polymer compound of Formula 3 (Mn: 18567, Mw: 30811) and 1 wt% of phenoxy in MEK (Methyl Ethly Ketone) for 20 minutes, 94 wt% of alumina was further added and stirred for 2 hours. After the solution of stirring was coated on a copper plate, the resin composition of Example 6 was obtained by pressing at 150° C. for 1 hour 30 minutes.

<실시예 7><Example 7>

화학식 3의 액정 고분자 화합물(Mn: 18567, Mw: 30811) 3wt%, 페녹시 1wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 20분 동안 용해시킨 후, 알루미나 96wt%를 더 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 가압하여 실시예 7의 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 3 wt% of the liquid crystal polymer compound of Formula 3 (Mn: 18567, Mw: 30811) and 1 wt% of phenoxy in MEK (Methyl Ethly Ketone) for 20 minutes, 96 wt% of alumina was further added and stirred for 2 hours. After the stirring was completed, the solution was coated on a copper plate and pressed at 150° C. for 1 hour and 30 minutes to obtain the resin composition of Example 7.

<비교예 1><Comparative Example 1>

화학식 4의 비스페놀 A형 에폭시 화합물 10wt%, 4, 4'-디아미노디페닐설폰 1wt%, 페녹시 1wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 20분 동안 용해시킨 후, 알루미나 88wt%를 더 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 가압하여 비교예 1의 수지 조성물을 얻었다.<비교예 2>After dissolving 10 wt% of the bisphenol A-type epoxy compound of Formula 4, 1 wt% of 4, 4'-diaminodiphenylsulfone, and 1 wt% of phenoxy in MEK (Methyl Ethly Ketone) for 20 minutes, 88 wt% of alumina was further added. Stir for 2 hours. After the stirring was completed, the solution was coated on a copper plate and pressed at 150° C. for 1 hour and 30 minutes to obtain the resin composition of Comparative Example 1. <Comparative Example 2>

화학식 4의 비스페놀 A형 에폭시 화합물 5wt%, 4, 4'-디아미노디페닐설폰 0.5wt%, 페녹시 1wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 20분 동안 용해시킨 후, 알루미나 93.5wt%를 더 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 가압하여 비교예 2의 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 5 wt% of the bisphenol A-type epoxy compound of Formula 4, 0.5 wt% of 4, 4'-diaminodiphenylsulfone, and 1 wt% of phenoxy in MEK (Methyl Ethly Ketone) for 20 minutes, 93.5 wt% of alumina was further added. It was added and stirred for 2 hours. After the stirring solution was coated on a copper plate, the resin composition of Comparative Example 2 was obtained by pressing at 150° C. for 1 hour 30 minutes.

<비교예 3><Comparative Example 3>

화학식 4의 비스페놀 A형 에폭시 화합물 3wt%, 4, 4'-디아미노디페닐설폰 0.3wt%, 페녹시 1wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 20분 동안 용해시킨 후, 알루미나 95.7wt%를 더 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 가압하여 비교예 3의 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 3 wt% of the bisphenol A type epoxy compound of Formula 4, 0.3 wt% of 4, 4'-diaminodiphenylsulfone, and 1 wt% of phenoxy in MEK (Methyl Ethly Ketone) for 20 minutes, 95.7 wt% of alumina was further added. It was added and stirred for 2 hours. After the stirring solution was coated on a copper plate, the resin composition of Comparative Example 3 was obtained by pressing at 150° C. for 1 hour and 30 minutes.

<비교예 4><Comparative Example 4>

화학식 4의 비스페놀 A형 에폭시 화합물 40wt%, 4, 4'-디아미노디페닐설폰 4wt%, 페녹시 1wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 20분 동안 용해시킨 후, 알루미나 55wt%를 더 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 가압하여 비교예 2의 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 40 wt% of the bisphenol A-type epoxy compound of Formula 4, 4 wt% of 4, 4'-diaminodiphenylsulfone, and 1 wt% of phenoxy in MEK (Methyl Ethly Ketone) for 20 minutes, 55 wt% of alumina was further added. Stir for 2 hours. After the stirring solution was coated on a copper plate, the resin composition of Comparative Example 2 was obtained by pressing at 150° C. for 1 hour 30 minutes.

<비교예 5><Comparative Example 5>

화학식 3의 액정 고분자 화합물(Mn: 18567, Mw: 30811) 40wt%, 페녹시 1wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 20분 동안 용해시킨 후, 알루미나 59wt%를 더 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 가압하여 비교예 5의 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 40 wt% of the liquid crystal polymer compound of Formula 3 (Mn: 18567, Mw: 30811) and 1 wt% of phenoxy in MEK (Methyl Ethly Ketone) for 20 minutes, 59 wt% of alumina was further added and stirred for 2 hours. After the stirring was completed, the solution was coated on a copper plate and pressed at 150° C. for 1 hour and 30 minutes to obtain the resin composition of Comparative Example 5.

<비교예 6><Comparative Example 6>

화학식 4의 비스페놀 A형 에폭시 화합물 1wt%, 4, 4'-디아미노디페닐설폰 0.1wt%, 페녹시 1wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 20분 동안 용해시킨 후, 알루미나 97.9wt%를 더 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 가압하여 비교예 6의 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 1 wt% of the bisphenol A type epoxy compound of Formula 4, 0.1 wt% of 4, 4'-diaminodiphenylsulfone, and 1 wt% of phenoxy in MEK (Methyl Ethly Ketone) for 20 minutes, 97.9 wt% of alumina was further added. It was added and stirred for 2 hours. After the stirring was completed, the solution was coated on a copper plate, and then pressed at 150°C for 1 hour and 30 minutes to obtain the resin composition of Comparative Example 6.

<비교예 7><Comparative Example 7>

화학식 3의 액정 고분자 화합물(Mn: 18567, Mw: 30811) 1wt%, 페녹시 1wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 20분 동안 용해시킨 후, 알루미나 98wt%를 더 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 코팅한 후 150℃에서 1시간 30분동안 가압하여 비교예 7의 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 1 wt% of the liquid crystal polymer compound of Formula 3 (Mn: 18567, Mw: 30811) and 1 wt% of phenoxy in MEK (Methyl Ethly Ketone) for 20 minutes, 98 wt% of alumina was further added and stirred for 2 hours. After the stirring was completed, the solution was coated on a copper plate and pressed at 150° C. for 1 hour and 30 minutes to obtain the resin composition of Comparative Example 7.

<실험예><Experimental Example>

NETZSCH사 제품 LFA447형 열전도율계를 사용하는 비정상 열선법에 의하여 실시예 1 내지 실시예 7, 비교예 1 내지 비교예 7의 수지 조성물의 열전도율을 측정하였다. 표 1 내지 4는 그 결과를 나타낸다.The thermal conductivity of the resin compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 7 was measured by an abnormal heating method using a LFA447 type thermal conductivity meter manufactured by NETZSCH. Tables 1 to 4 show the results.

실험번호Experiment number 열전도도(W/m.K)Thermal conductivity (W/m.K) 실시예 1Example 1 7.237.23 실시예 2Example 2 7.897.89 실시예 3Example 3 8.358.35 실시예 4Example 4 9.379.37 실시예 5Example 5 11.1911.19 비교예 1Comparative Example 1 6.756.75

실험번호Experiment number 열전도도(W/m.K)Thermal conductivity (W/m.K) 실시예 6Example 6 9.129.12 비교예 2Comparative Example 2 7.127.12

실험번호Experiment number 열전도도(W/m.K)Thermal conductivity (W/m.K) 실시예 7Example 7 9.379.37 비교예 3Comparative Example 3 7.417.41

실험번호Experiment number 열전도도(W/m.K)Thermal conductivity (W/m.K) 비교예 4Comparative Example 4 22 비교예 5Comparative Example 5 3.323.32 비교예 6Comparative Example 6 2.12.1 비교예 7Comparative Example 7 2.452.45

표 1과 같이, 액정 고분자 화합물을 포함하지 않는 비교예 1에 비하여, 액정 고분자 화합물을 포함하는 실시예 1 내지 5의 열전도도가 높음을 알 수 있다. 특히, 액정 고분자 화합물 10 중량부에 대하여 비결정성 에폭시 화합물 30 중량부를 초과하여 포함하는 실시예 1에 비하여, 액정 고분자 화합물 10 중량부에 대하여 비결정성 에폭시 화합물 30 중량부 이하로 포함하는 실시예 2 내지 5의 열전도도가 더욱 높아짐을 알 수 있다.As shown in Table 1, it can be seen that the thermal conductivity of Examples 1 to 5 including the liquid crystal polymer compound is higher than that of Comparative Example 1 without the liquid crystal polymer compound. In particular, compared to Example 1 containing more than 30 parts by weight of the amorphous epoxy compound with respect to 10 parts by weight of the liquid crystal polymer compound, Examples 2 to 10 containing less than 30 parts by weight of the amorphous epoxy compound with respect to 10 parts by weight of the liquid crystal polymer compound It can be seen that the thermal conductivity of 5 is further increased.

이와 마찬가지로, 표 2 및 표 3과 같이, 액정 고분자 화합물을 포함하는 실시예 6 내지 7의 열전도도는, 액정 고분자 화합물을 포함하지 않고 비결정성 에폭시 화합물을 포함하는 비교예 2 내지 3의 열전도도에 비하여 높음을 알 수 있다.Similarly, as shown in Tables 2 and 3, the thermal conductivity of Examples 6 to 7 containing the liquid crystal polymer compound does not include the liquid crystal polymer compound, and the thermal conductivity of Comparative Examples 2 to 3 containing the amorphous epoxy compound. It can be seen that it is high.

또한, 표 4와 같이, 무기 충전재를 65wt% 미만으로 포함하거나, 97wt%를 초과하여 포함하는 비교예 4 내지 7의 열전도도는, 무기 충전재를 65 내지 97wt%로 포함하는 실시예 1 내지 7의 열전도도에 비하여 현저히 낮음을 알 수 있다. In addition, as shown in Table 4, the thermal conductivity of Comparative Examples 4 to 7 including the inorganic filler in an amount of less than 65 wt% or more than 97 wt%, in Examples 1 to 7 including the inorganic filler in 65 to 97 wt% It can be seen that it is significantly lower than the thermal conductivity.

본 발명의 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물은 인쇄회로기판의 절연층뿐만 아니라, 방열 및 절연 성능이 요구되는 전자 부품에 다양하게 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 고분자 수지 조성물은 전자 부품의 방열 시트 등으로 구현될 수 있다.The liquid crystal polymer resin composition according to an embodiment of the present invention can be variously applied to not only the insulating layer of the printed circuit board, but also to electronic components requiring heat dissipation and insulation performance. For example, the liquid crystal polymer resin composition according to an embodiment of the present invention may be implemented as a heat dissipation sheet of an electronic component.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although described above with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You can understand that you can.

Claims (9)

액정 고분자 화합물 및 비결정성 에폭시 화합물을 포함하는 수지, 그리고
무기 충전재를 포함하며,
상기 액정 고분자 화합물은 하기 화학식의 구조를 포함하고,
상기 액정 고분자 화합물의 수평균 분자량은 1000 내지 30000g/mol이고, 중량 평균 분자량은 1000 내지 40000g/mol이며,
상기 액정 고분자 화합물 10 중량부에 대하여 상기 비결정성 에폭시 화합물은 0.0001 중량부 이상 30 중량부 이하로 포함되는 액정 고분자 수지 조성물:
[화학식]
Figure 112020006455770-pat00017

여기서, R1 내지 R16는 각각 H, Cl, Br, F, C1~C3 알킬, C2~C3 알켄, C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택될 수 있고, n은 2 이상의 정수이다.
A resin comprising a liquid crystal polymer compound and an amorphous epoxy compound, and
Contains inorganic filler,
The liquid crystal polymer compound includes the structure of the following formula,
The number average molecular weight of the liquid crystal polymer compound is 1000 to 30000 g/mol, and the weight average molecular weight is 1000 to 40000 g/mol,
The liquid crystal polymer resin composition containing 10 parts by weight or more and 30 parts by weight or less of the amorphous epoxy compound relative to 10 parts by weight of the liquid crystal polymer compound:
[Formula]
Figure 112020006455770-pat00017

Here, R 1 to R 16 may be selected from the group consisting of H, Cl, Br, F, C 1 to C 3 alkyl, C 2 to C 3 alkene, and C 2 to C 3 alkyne, respectively, n is 2 or more It is an integer.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 액정 고분자 화합물은 하기 화학식 3의 구조를 포함하는 액정 고분자 수지 조성물:
[화학식 3]
Figure 112020006455770-pat00013

여기서, n은 2 이상의 정수이다.
According to claim 1,
The liquid crystal polymer compound is a liquid crystal polymer resin composition comprising the structure of Formula 3:
[Formula 3]
Figure 112020006455770-pat00013

Here, n is an integer of 2 or more.
제1항에 있어서,
경화제를 더 포함하는 액정 고분자 수지 조성물.
According to claim 1,
A liquid crystal polymer resin composition further comprising a curing agent.
제4항에 있어서,
상기 비결정성 에폭시 화합물은 비스페놀 A형 에폭시 화합물을 포함하고, 상기 경화제는 디아미노디페닐설폰을 포함하는 액정 고분자 수지 조성물.
According to claim 4,
The amorphous epoxy compound includes a bisphenol A-type epoxy compound, and the curing agent is a liquid crystal polymer resin composition comprising diaminodiphenylsulfone.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 수지 3 내지 35wt% 그리고 상기 무기충전재 65 내지 97wt%를 포함하는 액정 고분자 수지 조성물.
According to claim 1,
The resin 3 to 35wt% and the liquid crystal polymer resin composition comprising the inorganic filler 65 to 97wt%.
제1항에 있어서,
상기 무기충전재는 알루미나, 질화붕소, 질화알루미늄, 탄화규소, 결정 실리카, 질화규소 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나를 포함하는 액정 고분자 수지 조성물.
According to claim 1,
The inorganic filler is a liquid crystal polymer resin composition comprising one of alumina, boron nitride, aluminum nitride, silicon carbide, crystalline silica, silicon nitride, and mixtures selected therefrom.
금속 플레이트,
상기 금속 플레이트 상에 형성되는 절연층, 그리고
상기 절연층 상에 형성되는 회로 패턴을 포함하고,
상기 절연층은 제1항에 따른 액정 고분자 수지 조성물로 이루어진 인쇄 회로 기판.
Metal Plate,
An insulating layer formed on the metal plate, and
It includes a circuit pattern formed on the insulating layer,
The insulating layer is a printed circuit board made of the liquid crystal polymer resin composition according to claim 1.
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