KR102132926B1 - 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템 - Google Patents

효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR102132926B1
KR102132926B1 KR1020180107809A KR20180107809A KR102132926B1 KR 102132926 B1 KR102132926 B1 KR 102132926B1 KR 1020180107809 A KR1020180107809 A KR 1020180107809A KR 20180107809 A KR20180107809 A KR 20180107809A KR 102132926 B1 KR102132926 B1 KR 102132926B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum line
roughing
flow paths
vacuum
process chamber
Prior art date
Application number
KR1020180107809A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200029228A (ko
Inventor
이하균
Original Assignee
(주)아이솔루션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)아이솔루션 filed Critical (주)아이솔루션
Priority to KR1020180107809A priority Critical patent/KR102132926B1/ko
Publication of KR20200029228A publication Critical patent/KR20200029228A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102132926B1 publication Critical patent/KR102132926B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)

Abstract

본 발명은 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템에 관한 것이고, 구체적으로 반도체 공정을 위한 챔버의 진공 형성 과정을 개선하여 구조적으로 개선되면서 공정 과정에서 불량률이 감소되도록 하는 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템에 관한 것이다. 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템은 공정 챔버(CH)와 연결되는 러핑 진공 라인(11); 공정 챔버(CH)와 연결되면서 러핑 진공 라인(11)과 독립적인 이송 라인을 형성하는 진공 라인(12); 및 러핑 진공 라인(11) 및 진공 라인(12)과 연결되는 진공 펌프(13)를 포함하고, 상기 진공 펌프(13)에 의하여 러핑 진공 라인(11) 및 진공 라인(12)을 통하여 독립적으로 공정 챔버(CH)의 내부 압력이 조절된다.

Description

효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템{A Exhausting System for a Processing Chamber Having an Improved Efficiency Structure}
본 발명은 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템에 관한 것이고, 구체적으로 반도체 공정을 위한 챔버의 진공 형성 과정을 개선하여 구조적으로 개선되면서 공정 과정에서 불량률이 감소되도록 하는 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템에 관한 것이다.
반도체 공정 중 에칭 또는 식각 공정과 같이 기체 또는 플라즈마가 주입되는 공정 챔버는 PM(Preventive Maintenance) 작업 후 진공 상태로 만들어질 수 있다. 공정 챔버를 진공 상태로 만들기 위하여 예를 들어 두 번의 진공 공정이 진행될 수 있고, 1차로 러핑 배기 공정(Roughing Exhaust)이 진행되어 10-3 내지 10-1 Torr의 압력으로 공정 챔버의 압력이 감소될 수 있다. 이후 2차 진공 공정이 진행되어 공정 챔버의 내부는 예를 들어 10-4 Torr 이하로 압력이 감소될 수 있다. 그리고 러핑 배출 공정을 위하여 고정식 배출 시스템과 이동식 배출 시스템이 적용될 수 있다. 특허공개번호 제10-2003-0062948호는 반도체 소자 공정 장비에 사용되는 공정 챔버의 배기 장치에 대하여 개시한다. 또한 특허공개번호 제10-2005-0026767호는 챔버 내에서의 공정 수행이 완료된 직후 퍼지 수행 중에 배기 라인 측의 진공 펌프가 가동 중단되더라도 반도체 설비 메인 배기 라인을 통해 챔버 내 잔류 부산물이 신속하게 제거되도록 하는 반도체 설비의 배기 장치에 대하여 개시한다. 선행기술 또는 공지 기술에서 개시된 배기 시스템 또는 배기 장치는 구조적으로 복잡하고, 진공 형성 과정에서 예를 들어 내부의 액체의 동결 현상이 발생되도록 한다는 단점을 가진다. 그러므로 구조적으로 간단하면서 이와 동시에 진공 형성 과정에서 동결 현상을 방지하여 차후 공정에서 불량 발생을 방지할 수 있는 배출 시스템이 만들어질 필요가 있다. 그러나 선행기술은 이와 같은 기능을 가진 배출 시스템에 대하여 개시하지 않는다.
본 발명은 선행기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로 아래와 같은 목적을 가진다.
선행기술 1: 특허공개번호 제10-2003-0062948호(주성엔지니어링(주), 2003년07월28일 공개) 반도체 소자 공정 장비의 공정 챔버에 사용되는 배기 장치 선행기술 2: 특허공개번호 제10-2005-0026767호(삼성전자주식회사, 2005년03월16일 공개) 반도체 설비의 배기 장치
본 발명의 목적은 공정 챔버의 초기 진공 형성 과정에서 배출 기체를 분산 모듈로 유도하여 배출시키는 것에 의하여 구조적으로 간단하면서 진공 형성 효율이 향상되도록 하는 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템은 공정 챔버와 연결되는 러핑 진공 라인; 공정 챔버와 연결되면서 러핑 진공 라인과 독립적인 이송 라인을 형성하는 진공 라인; 및 러핑 진공 라인 및 진공 라인과 연결되는 진공 펌프를 포함하고, 상기 진공 펌프에 의하여 러핑 진공 라인 및 진공 라인을 통하여 독립적으로 공정 챔버의 내부 압력이 조절된다.
본 발명의 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 러핑 진공 라인에 설치되는 분산 모듈을 더 포함하고, 분산 모듈에 의하여 러핑 진공 라인의 기체 유동 압력이 조절된다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 분산 모듈은 서로 분리된 다수 개의 유동 경로를 포함한다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 분산 모듈은 소음 방지 수단 또는 분산 수단을 포함한다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 다수 개의 유동 경로는 서로 다른 계층 구조를 형성한다.
본 발명에 따른 배출 시스템은 서로 다른 기체 이송 라인과 연결되는 하나의 진공 펌프에 의하여 러핑 진공 공정과 진공 형성 공정을 진행하는 것에 의하여 구조적으로 간단해지도록 한다. 본 발명에 따른 배출 시스템은 공지의 FCE(Fixing Chamber Exhausting) 시스템에서 요구되는 추가적인 밸브 모듈, 벤추리 펌프(Venturi Pump) 또는 관련된 다양한 장치가 별도로 설치되지 않는 것에 의하여 구조적으로 간단해지면서 분산 유닛 또는 소음 유닛에 의하여 진공 펌프의 손상을 감소시키면서 이와 동시에 소음이 감소되도록 한다. 또한 본 발명에 따른 시스템은 PM(Preventive Maintenance) 작업 후 펌핑 과정에서 급격한 압력 변화로 인한 챔버 내부의 동결이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이로 인하여 PM 공정 후 수율이 저하되는 것이 방지되도록 한다.
도 1은 본 발명에 따른 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템의 실시 예를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 배출 시스템이 적용된 실시 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 배출 시스템에 적용되는 분산 모듈의 실시 예를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 배출 시스템의 다른 실시 예를 도시한 것이다.
아래에서 본 발명은 첨부된 도면에 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되지만 실시 예는 본 발명의 명확한 이해를 위한 것으로 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 아래의 설명에서 서로 다른 도면에서 동일한 도면 부호를 가지는 구성요소는 유사한 기능을 가지므로 발명의 이해를 위하여 필요하지 않는다면 반복하여 설명이 되지 않으며 공지의 구성요소는 간략하게 설명이 되거나 생략이 되지만 본 발명의 실시 예에서 제외되는 것으로 이해되지 않아야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템의 실시 예를 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 공정 챔버 배출 시스템은 공정 챔버(CH)와 연결되는 러핑 진공 라인(11); 공정 챔버(CH)와 연결되면서 러핑 진공 라인(11)과 독립적인 이송 라인을 형성하는 진공 라인(12); 및 러핑 진공 라인(11) 및 진공 라인(12)과 연결되는 진공 펌프(13)를 포함하고, 상기 진공 펌프(13)에 의하여 러핑 진공 라인(11) 및 진공 라인(12)을 통하여 독립적으로 공정 챔버(CH)의 내부 압력이 조절된다.
공정 챔버(CH)는 웨이퍼 또는 이와 유사한 기판에 대한 다양한 공정이 이루어지는 챔버를 말하고, 드라이 펌프 또는 진공 펌프(13)에 의하여 공정을 위하여 내부가 진공 상태로 만들어질 수 있다. 챔버에 대한 PM(Preventive Maintenance) 작업이 이루어진 이후 웨이퍼 또는 기판에 대한 공정을 위하여 챔버(CH)가 진공 상태로 만들어질 수 있다. 챔버 내부를 진공 상태로 만드는 과정에서 우선적으로 러핑 배출(roughing exhaust) 공정이 진행될 수 있다. 예를 들어 러핑 공정에 의하여 챔버(CH)의 내부 압력이 예를 들어 10-3 내지 10-1 Torr의 압력으로 만들어질 수 있다. 이와 같은 러핑 진공 과정을 진공 펌프(13)가 작동될 수 있고, 러핑 진공 라인(11)에 의하여 챔버(CH)와 진공 펌프(13)가 연결될 수 있다. 챔버(CH)의 내부에 예를 들어 흄(hume), 물과 같은 액체 또는 이와 유사한 이물질이 존재할 수 있다. 그리고 러핑 진공 형성 과정에서 챔버(CH)의 내부 압력이 급격하게 낮아지면 이물질이 직접적으로 진공 펌프(13)로 유입될 수 있다. 또한 급격한 압력 변화로 인하여 챔버(CH)의 내부, 러핑 진공 라인(11) 또는 진공 펌프(13)에서 다양한 형태의 소음이 발생될 수 있다. 특히 챔버(CH)의 내부에 잔존하는 액체가 동결이 되어 내부 면 또는 내부에 배치된 장치에 부착이 될 수 있다. 이후 예를 들어 플라즈마가 챔버(CH)의 내부에서 발생되면 동결된 액체 성분이 녹으면서 웨이퍼 또는 기판을 오염시킬 수 있고 이로 인하여 불량률이 증가될 수 있다. 이와 같은 챔버(CH)의 내부 압력이 급격하게 감소하는 것을 방지하기 위하여 분산 모듈(20)이 러핑 진공 라인(11)의 내부에 설치될 수 있고, 분산 모듈(20)은 챔버(CH) 내부의 압력 변화를 완화시키면서 이와 동시에 압력 변화 또는 기체의 유동에 따른 소음 발생을 감소시키는 기능을 할 수 있다, 분산 모듈(20)은 예를 들어 러핑 진공 라인(11)을 통하여 배출되는 유체를 우회시키거나, 유체를 분산시키거나 또는 이와 유사하게 분산 저항 프로파일링(Spreading Resistance Profiling) 구조를 형성하는 것에 의하여 챔버(CH) 내부의 급격한 압력 변화를 방지할 수 있다. 이와 같은 방법으로 챔버(CH) 내부의 압력이 미리 결정된 범위로 낮아지면, 진공 라인(12)을 통하여 잔여 기체 또는 유체가 배출되면서 챔버(CH)의 내부 압력이 미리 결정된 범위로 감압이 되어 진공 상태가 될 수 있고, 예를 들어 10-4 Torr 이하의 압력으로 낮추어질 수 있다. 진공 라인(12)은 챔버(CH)와 진공 펌프(13)를 연결시킬 수 있고, 진공 펌프(13)의 작동에 의하여 챔버(CH)가 진공 상태로 만들어져 유지될 수 있다. 챔버(CH)와 진공 펌프(13)는 러핑 진공 라인(11) 및 진공 라인(12)에 의하여 유체의 이동이 가능하도록 서로 연결될 수 있고, 진공 형성 과정에서 러핑 진공 라인(11) 또는 진공 라인(12)의 개폐가 조절될 수 있다.
아래에서 이와 같은 구조를 가지는 공정 챔버 배출 시스템에 대하여 설명된다.
도 2는 본 발명에 따른 배출 시스템이 적용된 실시 예를 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 러핑 진공 라인(11)과 진공 라인(12)의 한쪽 끝은 각각 공정 챔버(CH)에 연결되고, 각각 독립된 이송 경로를 형성한 후 각각의 다른 끝은 하나의 펌프 유도 관(21)과 연결될 수 있다. 그리고 펌프 유도 관(21)의 다른 끝은 진공 펌프(13)와 연결될 수 있다. 그리고 러핑 진공 라인(11)과 진공 라인(12)의 경로에 러핑 제어 밸브(111) 및 진공 제어 밸브(121)가 배치될 수 있다. 러핑 제어 밸브(111) 및 진공 제어 밸브(121)는 각각 러핑 진공 라인(11) 및 진공 라인(12)의 유동 경로를 개폐시킬 수 있다. 분산 모듈(20)은 러핑 진공 라인(11)의 다양한 위치에 배치될 수 있고, 바람직하게 러핑 제어 밸브(111)와 진공 펌프(13) 사이에 배치될 수 있다. 이와 같은 구조에서 공정 챔버(CH)를 진공으로 만들기 위하여 진공 제어 밸브(121)에 의하여 진공 라인(12)이 폐쇄되고, 러핑 제어 밸브(111)에 의하여 러핑 진공 라인(11)과 펌프 유도 관(21)이 유체의 유동이 가능하도록 진공 펌프(13)와 연결될 수 있다. 진공 펌프(13)의 작동에 의하여 공정 챔버(CH) 내부의 유체가 러핑 진공 라인(11) 및 펌프 유도 관(21)을 통하여 외부로 배출될 수 있다. 유체의 배출 과정에서 분산 모듈(20)에 의하여 유체의 이동 압력 및 이동 속도가 조절되고, 이에 의하여 공정 챔버(CH)의 내부 압력의 급격한 변화가 방지될 수 있다. 이후 공정 챔버(CH) 내부의 압력이 미리 결정된 범위가 되면, 러핑 제어 밸브(111)가 잠길 수 있고, 이후 진공 제어 밸브(121)가 개방될 수 있다. 이에 의하여 공정 챔버(CH)가 진공 라인(12) 및 펌프 유도 관(21)에 의하여 진공 펌프(13)에 연결될 수 있다. 진공 펌프(13)의 작동에 의하여 공정 챔버(CH)의 내부가 미리 결정된 범위의 압력을 가지는 진공 상태로 만들어질 수 있고, 분산 모듈(20)의 내부에 잔존하는 유체가 완전히 배출될 수 있다. 이와 같이 분산 모듈(20)을 경유하여 러핑 진공 공정이 진행되는 것에 의하여 러핑 진공 형성 과정이 완만하게 진행될 수 있고, 이에 따라 급격한 압력 변화에 따른 다양한 문제가 해결될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 배출 시스템에 적용되는 분산 모듈의 실시 예를 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 분산 모듈(20)은 서로 분리된 다수 개의 유동 경로(33_1 내지 35_M)를 포함한다.
분산 모듈(20)은 위쪽 면과 아래쪽 면이 개방된 실린더 형상, 다면체 형상 또는 이와 유사한 다양한 형상을 가질 수 있다. 분산 모듈(20)은 둘레 벽(311, 312)에 의하여 둘러싸일 수 있고, 둘레 벽(311, 312)의 연장 방향을 따라 적어도 하나의 고정 플레이트(32_1 내지 32_N)가 배치될 수 있고, 예를 들어 3개의 고정 플레이트(32_1 내지 32_N)가 연장 방향을 따라 서로 분리되어 배치될 수 있다. 3개의 고정 플레이트(32_1 내지 32_N)는 서로 평행하게 배치될 수 있고, 원판 형상 또는 다각형 형상을 가질 수 있다. 그리고 각각의 고정 플레이트(32_1 내지 32_N)에 적어도 하나의 유동 경로(33_1 내지 35_M)가 결합될 수 있다. 각각의 유동 경로(33_1 내지 35_M)는 유동 경로를 형성할 수 있고, 예를 들어 튜브 형상이 될 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 다수 개의 유동 경로(33_1 내지 35_M)는 예를 들어 각각의 입구에 확산 유닛(36_1 내지 36_K)이 배치된 유입 유동 경로(33_1 내지 33_K); 유체를 분산 모듈(20)의 외부로 배출시키는 배출 유동 경로(35_1 내지 35_M); 및 유입 유동 경로(33_1 내지 33_K)와 배출 유동 경로(35_1 내지 35_M)에 의하여 형성된 유동 경로를 유체 이동이 가능하도록 연결시키는 중간 유동 경로(34_1 내지 34_L)로 이루어질 수 있다. 각각의 고정 플레이트(32_1 내지 32_N)에 결합되는 유동 경로(33_1 내지 35_M)의 개수는 동일하거나, 서로 다를 수 있다. 또한 각각의 유동 경로(33_1 내지 35_M)를 동일하거나, 서로 다른 연장 길이를 가질 수 있고, 각각의 고정 플레이트(32_1 내지 32_N)를 관통하는 형태로 배치될 수 있다. 또한 중간 유동 경로(34_1 내지 34_L)는 위쪽 유동 경로와 아래쪽 유동 경로의 아래쪽 끝 및 위쪽 끝을 넘어 연장되는 길이를 가질 수 있다. 또한 유입 유동 경로(33_1 내지 33_K) 또는 배출 유동 경로(35_1 내지 35_M)의 입구에 배치되는 확산 유닛(36_1 내지 37_M)은 유체가 유동 경로의 입구의 측면으로 유입되거나, 다수 개의 관통 홀을 통하여 유입되도록 할 수 있다. 이와 같은 유동 경로(33_1 내지 35_M)의 구조에 의하여 유체는 분산 모듈(20)의 내부에서 적어도 하나의 서로 다른 방향을 향하는 유동 경로를 형성할 수 있고, 예를 들어 유동 경로(33_1 내지 35_M)의 연장 방향을 따른 유동 부분 및 그 역 방향의 유동 부분을 포함할 수 있다.
유동 경로(33_1 내지 35_M)는 공정 챔버 내부의 급격한 압력 변화를 방지할 수 있는 다양한 구조로 만들어질 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다. 예를 들어 각각의 고정 플레이트(32_1 내지 32_N)는 둘레 벽(311, 312)에 분리 가능하도록 결합될 수 있고, 필요에 따라 분산 모듈(20)의 내부에 이물질의 제거를 위한 필터가 배치될 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 배출 시스템의 다른 실시 예를 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 러핑 진공 라인의 내부에 배출 조절 라인(11a); 압력 조절 라인(11b); 및 확산 라인(11c)이 배치될 수 있고, 확산 라인(11c)은 한쪽 끝이 분산 모듈(20)과 연결될 수 있다. 배출 조절 라인(11a)은 상대적으로 큰 직경을 가질 수 있고, 압력 조절 라인(11b)은 상대적으로 작은 직경을 가질 수 있고, 확산 라인(11c)은 압력 조절 라인(11b)의 한쪽 끝과 연결되면서 연장 방향을 따라 직경이 점차로 커지는 구조를 가질 수 있다. 분산 모듈(20)의 배출 면에 분산 모듈(20)의 바닥 면의 크기에 비하여 작은 단면적을 가지는 배출 유도 튜브(43a)가 연결되고, 배출 유도 튜브(43a)에 상대적으로 작은 직경을 가지면서 진공 펌프와 연결되는 진공 유도 관(도 1 또는 2 참조)에 연결되는 연결 유도 튜브(43b)가 배치될 수 있다. 이와 같이 분산 모듈(20)과 연결되는 유동 경로의 단면적을 단계적으로 조절하는 것에 의하여 유체의 유동에 따른 소음 발생이 효과적으로 제어될 수 있다. 필요에 따라 분산 모듈(20)의 내부 온도를 조절하는 온도 조절 유닛(44)이 배치될 수 있고, 온도 조절 유닛(44)은 예를 들어 히터 또는 냉각 유닛이 될 수 있다. 분산 모듈(20)의 내부로 유입되는 유체의 온도 또는 압력을 탐지하는 제1 탐지 유닛(41) 및 분산 모듈(20)로부터 배출되는 유체의 온도 또는 압력의 탐지를 위한 제2 탐지 유닛(42)이 배치될 수 있다. 제1, 2 탐지 유닛(41, 42)에서 탐지된 정보가 제어 유닛(45)으로 전송될 수 있고, 제어 유닛(45)은 전송된 정보에 기초하여 작동 설정 유닛(46)의 설정을 결정할 수 있다. 예를 들어 작동 설정 유닛(46)은 시간에 따른 압력 변화에 대한 데이터를 가질 수 있고, 이에 기초하여 분산 모듈(20)의 내부 온도를 온도 조절 유닛(44)에 의하여 조절할 수 있다. 또한 다양한 구조를 가지는 유동 경로가 분산 모듈(20)의 내부에 배치될 수 있다. 예를 들어 고정 플레이트(32_1, 32_2)에 고정되는 유동 경로는 유동 부분(331) 및 조절 부분(332, 333)으로 이루어질 수 있고, 유동 부분(331)은 동일한 직경을 가지면서 연장되는 속이 빈 실린더 형상이 될 수 있고, 조절 부분(332, 333)은 유동 부분(331)과 연결되면서 연장 방향을 따라 직경이 작아지거나, 커질 수 있다. 그리고 이와 같은 구조에 의하여 분산 유동 효과(Spreading Resistance Profiling)가 커질 수 있고, 소음 발생이 감소되면서 압력이 용이하게 조절될 수 있다.
분산 모듈(20) 또는 유동 경로는 다양한 구조로 만들어질 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다.
본 발명에 따른 배출 시스템은 서로 다른 기체 이송 라인과 연결되는 하나의 진공 펌프에 의하여 러핑 진공 공정과 진공 형성 공정을 진행하는 것에 의하여 구조적으로 간단해지도록 한다. 본 발명에 따른 배출 시스템은 공지의 FCE(Fixing Chamber Exhausting) 시스템에서 요구되는 추가적인 밸브 모듈, 벤추리 펌프(Venturi Pump) 또는 관련된 다양한 장치가 별도로 설치되지 않는 것에 의하여 구조적으로 간단해지면서 분산 유닛 또는 소음 유닛에 의하여 진공 펌프의 손상을 감소시키면서 이와 동시에 소음이 감소되도록 한다. 또한 본 발명에 따른 시스템은 PM(Preventive Maintenance) 작업 후 펌핑 과정에서 급격한 압력 변화로 인한 챔버 내부의 동결이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이로 인하여 PM 공정 후 수율이 저하되는 것이 방지되도록 한다.
위에서 본 발명은 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되었지만 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 제시된 실시 예를 참조하여 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 및 수정 발명을 만들 수 있을 것이다. 본 발명은 이와 같은 변형 및 수정 발명에 의하여 제한되지 않으며 다만 아래에 첨부된 청구범위에 의하여 제한된다.
11: 러핑 진공 라인 11a: 배출 조절 라인
11b: 압력 조절 라인 11c: 확산 라인
12: 진공 라인 13: 진공 펌프
20: 분산 모듈 21: 펌프 유도 관
32_1 내지 32_N: 고정 플레이트 33_1 내지 33_K: 유입 유동 경로
34_1 내지 34_L: 중간 유동 경로 35_1 내지 35_M: 배출 유동 경로
36_1 내지 36_K: 확산 유닛 41, 42: 제1, 2 탐지 유닛
43a: 배출 유도 튜브 43b: 연결 유도 튜브
44: 온도 조절 유닛 45: 제어 유닛
46: 작동 설정 유닛 111: 러핑 제어 밸브
121: 진공 제어 밸브 311, 312: 둘레 벽
331: 유동 부분 332, 333: 조절 부분
CH: 공정 챔버

Claims (5)

  1. 공정 챔버(CH)와 연결되는 러핑 진공 라인(11);
    공정 챔버(CH)와 연결되면서 러핑 진공 라인(11)과 독립적인 이송 라인을 형성하는 진공 라인(12); 및
    러핑 진공 라인(11) 및 진공 라인(12)과 연결되는 진공 펌프(13)를 포함하고,
    상기 진공 펌프(13)에 의하여 러핑 진공 라인(11) 및 진공 라인(12)을 통하여 독립적으로 공정 챔버(CH)의 내부 압력이 조절되고,
    러핑 진공 라인(11)에 설치되어 러핑 진공 라인(11)의 기체 유동 압력을 조절하는 분산 모듈(20)을 더 포함하고,
    상기 분산 모듈(20)은 둘레 벽(311, 312)의 연장 방향을 따라 서로 분리되어 배치된 복수의 고정 플레이트(32_1 내지 32_N) 및 각각의 고정 플레이트(32_1 내지 32_N)를 관통하는 형태로 배치된 실린더 형상의 다수 개의 유동 경로(33_1 내지 35_M)를 포함하고,
    상기 다수 개의 유동 경로(33_1 내지 35_M)는 각각의 입구에 확산 유닛(36_1 내지 36_K)이 배치된 유입 유동 경로(33_1 내지 33_K); 유체를 분산 모듈(20)의 외부로 배출시키는 배출 유동 경로(35_1 내지 35_M); 및 유입 유동 경로(33_1 내지 33_K)와 배출 유동 경로(35_1 내지 35_M)에 의하여 형성된 유동 경로를 유체 이동이 가능하도록 연결시키는 중간 유동 경로(34_1 내지 34_L)로 이루어지고, 중간 유동 경로(34_1 내지 34_L)는 위쪽 유동 경로와 아래쪽 유동 경로의 아래쪽 끝 및 위쪽 끝을 넘어 연장되는 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 공정 챔버 배출 시스템.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서, 분산 모듈(20)은 소음 방지 수단 또는 분산 수단을 포함하는 공정 챔버 배출 시스템.
  5. 삭제
KR1020180107809A 2018-09-10 2018-09-10 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템 KR102132926B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180107809A KR102132926B1 (ko) 2018-09-10 2018-09-10 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180107809A KR102132926B1 (ko) 2018-09-10 2018-09-10 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200029228A KR20200029228A (ko) 2020-03-18
KR102132926B1 true KR102132926B1 (ko) 2020-07-10

Family

ID=69999344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180107809A KR102132926B1 (ko) 2018-09-10 2018-09-10 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102132926B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100697280B1 (ko) * 2005-02-07 2007-03-20 삼성전자주식회사 반도체 제조 설비의 압력 조절 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000021915A (ko) * 1998-09-30 2000-04-25 윤종용 진공 배기라인
KR20000056634A (ko) * 1999-02-24 2000-09-15 윤종용 반도체 제조 장치의 펌핑 시스템
KR100461601B1 (ko) 2002-01-21 2004-12-14 주성엔지니어링(주) 반도체 소자 공정장비의 공정챔버에 사용되는 배기장치
KR100541813B1 (ko) 2003-09-09 2006-01-10 삼성전자주식회사 반도체 설비의 배기장치
KR20070038257A (ko) * 2005-10-05 2007-04-10 삼성전자주식회사 반도체 제조 설비의 배기 장치
KR20170044800A (ko) * 2015-10-15 2017-04-26 삼성전자주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100697280B1 (ko) * 2005-02-07 2007-03-20 삼성전자주식회사 반도체 제조 설비의 압력 조절 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200029228A (ko) 2020-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101690047B1 (ko) 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 장치 및 방법
CN101429651A (zh) 用于基板处理室的多端口抽气系统
TW201619434A (zh) 氣體供給系統、電漿處理裝置及電漿處理裝置之運用方法
KR101071603B1 (ko) 웨이퍼 처리를 위한 챔버 및 관련 방법
KR102132926B1 (ko) 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템
TW202200817A (zh) 高溫化學氣相沉積蓋
KR100520726B1 (ko) 유량조절밸브
TWI664030B (zh) 沖洗槽及使用該沖洗槽之基板洗淨方法
JP2007524990A5 (ko)
KR102098312B1 (ko) 배출 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 장치
TW201539605A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20070038257A (ko) 반도체 제조 설비의 배기 장치
KR101884860B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102298895B1 (ko) 반도체 제조설비용 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법
KR100840480B1 (ko) 이온주입기의 냉각수 배출장치
KR200182140Y1 (ko) 저압 화학증착 장치의 진공 시스템
KR100567901B1 (ko) 건식식각 챔버의 배기 매니폴드
KR20040104040A (ko) 화학기상증착 장치의 배기시스템
KR100725348B1 (ko) 반도체 제조용 챔버 클리닝장치 및 클리닝방법
KR20030009790A (ko) 반도체 제조장치의 파티클 백스트림 방지장치
CN117954346A (zh) 基板处理设备
KR20060088623A (ko) 기판 처리 장치
JP2004311550A (ja) 基板処理装置
KR20020086978A (ko) 배기가스 냉각용 쿨링트랩 및 이를 구비한 반도체소자제조설비의 배기장치
KR20000038209A (ko) 로드락 챔버를 구비하는 화학기상증착 장비

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant