KR100840480B1 - 이온주입기의 냉각수 배출장치 - Google Patents

이온주입기의 냉각수 배출장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 이온주입 공정 진행 시 발생하는 열을 냉각시키는 과정에서 냉각라인 내부에 잔류하는 냉각수를 외부로 원활하게 배출시킬 수 있도록 한 이온주입기의 냉각수 배출장치에 관한 것이다.
이를 실현하기 위한 본 발명은 냉각라인 내부에 잔류하는 냉각수를 외부로 배출시키기 위한 이온주입기의 냉각수 배출장치에 있어서, 상기 냉각라인과 배출장치의 연결부위에 개폐가능하게 설치되어 냉각수의 흐름을 제한하는 제 1 밸브; 상기 냉각라인의 끝단 일측벽에 개폐가능하게 설치되어 상기 제 1 밸브와 반대로 개폐 되면서 냉각수의 흐름을 제한하는 제 2 밸브; 상기 제 2 밸브에 배출관으로 연결 구성되어 냉각라인의 냉각수를 외부로 배출시키는 배출펌프; 상기 냉각라인 내부에 잔류하는 냉각수의 여부를 감지하는 초음파센서; 및 상기 초음파센서의 감지신호를 전달받아 잔류 냉각수의 배출 여부를 제어하는 제어부; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
냉각라인, 냉각수, 배출장치, 배출펌프, 인터록회로

Description

이온주입기의 냉각수 배출장치 {Device for discharge cooling water of Ion Implanters}
도 1은 종래의 냉각수 배출장치를 보여주는 개략적인 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 이온주입기의 냉각수 배출장치를 보여주는 개략적인 구성도,
도 3의 (a)(b)는 본 발명에 따른 초음파센서의 작동상태도,
도 4의 (a)(b)는 본 발명에 따른 냉각수 배출장치의 작동순서도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 냉각라인 11 : 냉각수
20 : 배출장치 30 : 제 1 밸브
40 : 제 2 밸브 41 : 배출관
50 : 배출펌프 60 : 초음파센서
70 : 제어부
본 발명은 이온주입기의 냉각수 배출장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이온주입 공정 진행 시 발생하는 열을 냉각시키는 과정에서 냉각라인 내부에 잔류하는 냉각수를 외부로 원활하게 배출시킬 수 있도록 한 이온주입기의 냉각수 배출장치에 관한 것이다.
일반적으로, 이온주입기는 진공 상태에서 이온화된 불순물(dopant)을 특정한 에너지로 가속시켜 웨이퍼에 주입시켜주는 반도체 제조장치이다.
상기 웨이퍼에 이온을 주입하는 과정에서 이온빔을 여러 각도로 임플란트하기 위한 틸터 장치(Tilter Ass'y)가 구성된다. 이 경우 상기 틸터 장치의 내부에는 공정 진행 시 발생하는 열을 적정온도로 냉각시키기 위한 냉각라인이 구성되고, 상기 냉각라인을 통하여 냉각수가 순환되고 있다.
도 1은 종래의 냉각수 배출장치를 보여주는 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 상기 틸터 장치(도면에 미도시)의 내부에는 발생하는 열을 적정온도로 냉각시키기 위한 냉각라인(10)이 구성되어 있다.
상기 냉각라인(10)의 끝단에는 배출장치(20)가 구성되어 있어, 상기 냉각라인(10) 내부에 잔류하는 냉각수(11)를 외부로 배출시켜주는 역할을 하게 된다.
이 경우 상기 배출장치(20)는 벤투리관(Venturi Tube)의 구조를 사용한 것으로 관의 단면적이 급격히 줄어들었다가 중앙부(22)에서 최소단면적이 되고, 다시 관의 단면적이 완만하게 확대되는 구조이다.
따라서, 상기 배출장치(20)의 유입구(21)에서 에어(Air)를 소정속도로 불어주면 상기 중앙부(22)의 압력에 의해 냉각라인(10) 내부의 냉각수(11)가 배출 구(23)를 통하여 외부로 배출되게 된다.
그러나 상기 배출장치(20)가 냉각라인(10) 내부의 잔류하는 냉각수(11)를 원활하게 배출시키지 못하게 되는 경우에는 상기 틸터 장치의 부식을 유발하여 장치가 오작동을 일으킬 수 있는 문제점이 있다.
또한, 상기 틸터 장치가 부식되어 제대로 작동하지 않을 경우엔 웨이퍼가 파손될 수 있는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 이온주입 공정 진행 시 발생하는 열을 냉각시키는 과정에서 냉각라인 내부에 잔류하는 냉각수를 외부로 원활하게 배출시킬 수 있도록 한 이온주입기의 냉각수 배출장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 이온주입기의 냉각수 배출장치는,
냉각라인 내부에 잔류하는 냉각수를 외부로 배출시키기 위한 이온주입기의 냉각수 배출장치에 있어서, 상기 냉각라인과 배출장치의 연결부위에 개폐가능하게 설치되어 냉각수의 흐름을 제한하는 제 1 밸브; 상기 냉각라인의 끝단 일측벽에 개폐 가능하게 설치되어 상기 제 1 밸브와 반대로 개폐되면서 냉각수의 흐름을 제한 하는 제 2 밸브; 상기 제 2 밸브에 배출관으로 연결 구성되어 냉각라인의 냉각수를 외부로 배출시키는 배출펌프; 상기 냉각라인 내부에 잔류하는 냉각수의 여부를 감지하는 초음파센서; 및 상기 초음파센서의 감지신호를 전달받아 잔류 냉각수의 배출 여부를 제어하는 제어부; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 2 밸브는 냉각라인의 특정부위에 다수 개가 설치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 초음파센서는 인터록회로에 연결 구성된 것을 특징으로 한다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
여기서, 종래 구성과 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호 및 명칭을 사용한다.
도 2는 본 발명에 따른 이온주입기의 냉각수 배출장치를 보여주는 개략적인 구성도이고, 도 3의 (a)(b)는 본 발명에 따른 초음파센서의 작동상태도이며, 도 4의 (a)(b)는 본 발명에 따른 냉각수 배출장치의 작동순서도이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 이온주입기의 냉각수 배출장치는, 냉각라인(10)과, 배출장치(20)의 구성은 종래의 기술과 동일하므로 설명의 중복을 피하기 위하여 상세한 설명은 생략하고, 새로이 부가되는 구성 부재들의 동작을 중심으로 하여 상세히 설명한다.
상기 냉각라인(10)과 배출장치(20)가 연결되는 부위에 냉각수가 배출되지 않 고 잔류하게 되면 장치의 부식 또는 오작동을 일으키게 되므로, 상기 냉각라인(10)에 잔류하는 냉각수(11)를 제거할 수 있는 구조가 마련되어야 한다.
이를 구현하기 위한 실시 예를 설명하기 위하여 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 배출장치는 제 1 밸브(30), 제 2 밸브(40), 배출펌프(50), 초음파센서(60), 제어부(70)를 포함하여 구성된다.
상기 제 1 밸브(30)는 냉각라인(10)과 배출장치(20)의 연결부위에 개폐가능하게 설치되어, 상기 배출장치(20)로 통하는 냉각수(11)의 흐름을 제한하는 역할을 한다.
상기 제 2 밸브(40)는 냉각라인(10)의 하부 일측벽에 개폐가능하게 설치되어, 상기 제 1 밸브(30)와는 반대로 계폐되면서 상기 냉각라인(10) 내부에 잔류하는 냉각수(11)를 배출관(41)을 통하여 외부로 배출시키는 통로로 사용된다.
상기 배출펌프(50)는 배출관(41)에 연결 구성되어, 상기 냉각라인(10)의 내부에 잔류하는 냉각수(11)를 외부로 배출시키게 된다.
상기 초음파센서(60)는 상기 배출장치(20)를 통하여 배출되지 않고 냉각라인(10)에 잔류하는 냉각수(11)의 여부를 감지하는 역할을 한다.
상기 제어부(70)는 초음파센서(60)에서 감지한 신호를 전달받아 잔류하는 냉각수(11)의 배출 여부를 제어하게 된다.
이 경우 상기 제어부(70)는 제 1 밸브(30), 제 2 밸브(40) 및 배출펌프(50)의 작동을 제어하여 냉각수(11)를 외부로 배출하게 된다.
또한, 상기 제 2 밸브(40)는 냉각라인(10) 중에서 냉각수(11)가 잔류할 수 있는 특정부위에 다수 개가 설치 구성될 수도 있다.
또한, 상기 초음파센서(60)는 인터록회로에 연결 구성되어 있어, 상기 초음파센서(60)에서 이상 유무가 감지되면 해당 공정이 일시정지하도록 되어 있다.
이상과 같은 구성의 본 발명에 따른 이온주입기의 냉각수 배출장치의 작용을 도 3의 (a)(b) 및 도 4의 (a)(b)를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기 배출장치(20)에서 냉각수(11)를 정상적으로 배출하는 경우에는 초음파센서(60)에서 정상적으로 인식하게 된다.
그러나 도 3의 (b)와 같이, 배출장치(20)를 통해 외부로 배출되지 않고 냉각라인(10)에 냉각수(11)가 잔류하게 되면, 상기 초음파센서(60)의 초음파가 상기 냉각수(11)를 감지하여 제어부(70)에 신호를 송신하게 된다.
도 4의 (a)(b)에 도시된 바와 같이, 상기 초음파센서(60)에서 잔류 냉각수(11)를 감지한 신호를 수신받은 제어부(70)는 진행하는 해당공정을 일시정지시키고, 평상시 열림 상태를 유지하던 제 1 밸브(30)를 닫힘 상태로 전환함과 동시에 상기 제 2 밸브(40)를 열림 상태로 전환한다.
상기 제 2 밸브(40)가 열림 상태가 되면 상기 제어부(70)에서는 배출펌프(50)를 작동시켜 상기 냉각라인(10)의 내부에 잔류하는 냉각수(11)를 외부로 배출시키고 난 후, 해당 공정을 다시 진행시키게 된다.
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않으며 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능함은 물론이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 이온주입기의 냉각수 배출장치는, 이온주입 공정 진행 시 발생하는 열을 냉각시키는 과정에서 냉각라인 내부에 잔류하는 냉각수를 외부로 원활하게 배출시킴으로써 장비의 오작동을 예방할 수 있고, 결국 웨이퍼의 수율을 높일 수 있는 장점이 있다.

Claims (3)

  1. 냉각라인 내부에 잔류하는 냉각수를 외부로 배출시키기 위한 이온주입기의 냉각수 배출장치에 있어서,
    상기 냉각라인과 배출장치의 연결부위에 개폐가능하게 설치되어 냉각수의 흐름을 제한하는 제 1 밸브;
    상기 냉각라인의 끝단 일측벽에 개폐가능하게 설치되어 상기 제 1 밸브와 반대로 개폐되면서 냉각수의 흐름을 제한하는 제 2 밸브;
    상기 제 2 밸브에 배출관으로 연결 구성되어 냉각라인의 냉각수를 외부로 배출시키는 배출펌프;
    상기 냉각라인 내부에 잔류하는 냉각수의 여부를 감지하는 초음파센서; 및
    상기 초음파센서의 감지신호를 전달받아 잔류 냉각수의 배출 여부를 제어하는 제어부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온주입기의 냉각수 배출장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 밸브는 냉각라인의 특정부위에 다수 개가 설치되는 것을 특징으로 하는 이온주입기의 냉각수 배출장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 초음파센서는 인터록회로에 연결 구성된 것을 특징으로 하는 이온주입기의 냉각수 배출장치.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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KR20050113411A (ko) * 2004-05-28 2005-12-02 삼성전자주식회사 반도체 제조설비

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040070643A (ko) * 2003-02-04 2004-08-11 아남반도체 주식회사 이온주입장비의 냉각수 순환장치
KR20050113411A (ko) * 2004-05-28 2005-12-02 삼성전자주식회사 반도체 제조설비

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