KR102131334B1

KR102131334B1 - Light emitting device

Info

Publication number: KR102131334B1
Application number: KR1020140004729A
Authority: KR
Inventors: 임현수
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2014-01-14
Filing date: 2014-01-14
Publication date: 2020-07-07
Also published as: KR20150084584A

Abstract

실시 예는, 지지부재, 상기 지지부재 상에 배치되며, 전극 영역을 포함하는 제1 반도체층, 상기 전극 영역을 제외한 상기 제1 반도체층 상에 배치된 활성층 및 상기 활성층 상에 배치된 제2 반도체층을 포함하는 발광구조물, 상기 전극 영역 상에 배치된 제1 전극 및 상기 제2 반도체층 상에 배치되며, 패드전극 및 상기 패드전극에서 연장된 연장전극을 포함하는 제2 전극을 포함하고, 상기 연장전극은, 제1 폭을 갖는 제1 연장전극부 및 상기 제1 연장전극부와 상기 제1 폭 대비 1.5배 내지 3배의 제1 간격으로 인접하게 이격되며, 상기 제2 폭을 갖는 제2 연장전극부를 포함하는 발광소자를 제공한다.In an embodiment, a support member, a first semiconductor layer disposed on the support member and including an electrode region, an active layer disposed on the first semiconductor layer excluding the electrode region, and a second semiconductor disposed on the active layer A light emitting structure including a layer, a first electrode disposed on the electrode region, and a second electrode disposed on the second semiconductor layer, including a pad electrode and a second electrode including an extension electrode extending from the pad electrode, wherein The extension electrode is spaced adjacent to the first extension electrode portion having a first width and the first extension electrode portion at a first interval of 1.5 to 3 times the first width, and a second having the second width. It provides a light emitting device including an extension electrode.

Description

Light emitting device

실시 예는 발광소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device.

ED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.ED (Light Emitting Diode) is a device that converts electrical signals into infrared, visible, or light using the properties of compound semiconductors. It is used in household appliances, remote controls, electronic displays, displays, and various automation devices, and gradually The use area of LED is expanding.

보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 지지부재에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.In general, the miniaturized LED is made of a surface mount device type to be directly mounted on a printed circuit board (PCB) support member. Accordingly, the LED lamp used as a display device is also developed as a surface mount device type. have. Such a surface mount element can replace the existing simple lighting lamp, which is used as a lighting indicator, text display, and image display that emit various colors.

이와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 요구되는 휘도가 높이지는 바, LED의 발광휘도를 증가시키는 것이 중요하다. In this way, as the use area of the LED is widened, the luminance required for the light used for life, the light for rescue signals, and the like increases, and it is important to increase the light emission luminance of the LED.

실시 예의 목적은, 발광소자의 유효발광면적을 증가시켜 광효율을 증대시키기 용이한 발광소자를 제공함에 있다.An object of the embodiment is to provide a light emitting device that is easy to increase light efficiency by increasing the effective light emitting area of the light emitting device.

실시 예에 따른 발광소자는, 지지부재, 상기 지지부재 상에 배치되며, 전극 영역을 포함하는 제1 반도체층, 상기 전극 영역을 제외한 상기 제1 반도체층 상에 배치된 활성층 및 상기 활성층 상에 배치된 제2 반도체층을 포함하는 발광구조물, 상기 전극 영역 상에 배치된 제1 전극 및 상기 제2 반도체층 상에 배치되며, 패드전극 및 상기 패드전극에서 연장된 연장전극을 포함하는 제2 전극을 포함하고, 상기 연장전극은, 제1 폭을 갖는 제1 연장전극부 및 상기 제1 연장전극부와 상기 제1 폭 대비 1.5배 내지 3배의 제1 간격으로 인접하게 이격되며, 상기 제2 폭을 갖는 제2 연장전극부를 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment is disposed on a support member, the support member, a first semiconductor layer including an electrode region, an active layer disposed on the first semiconductor layer excluding the electrode region, and the active layer A light emitting structure including a second semiconductor layer, a first electrode disposed on the electrode region and a second electrode disposed on the second semiconductor layer and including a pad electrode and an extension electrode extending from the pad electrode. Including, the extension electrode, the first extension electrode portion having a first width and the first extension electrode portion is spaced adjacent to each other at a first interval of 1.5 to 3 times the first width, and the second width It may include a second extension electrode having a.

실시 예에 따른 발광소자는, 발광소자의 유효발광면적을 증가시키기 위하여 발광구조물의 상면에 배치되는 연장전극에 포함된 제1, 2 연장전극부 각각의 폭을 최소화하시켜 전원 공급이 원활하게 유지되도록 제1, 2 연장전극부 사이에 제1, 2 연장전극부 중 적어도 하나의 폭 대비 1.5배 내지 3배의 간격을 유지하도록 함으로써, 제조비용을 감소시킬 수 있으며 고출력 발광소자를 제조하기 용이한 이점이 있다.The light emitting device according to the embodiment minimizes the width of each of the first and second extension electrode parts included in the extension electrode disposed on the top surface of the light emitting structure in order to increase the effective light emitting area of the light emitting device, so that the power supply is smoothly maintained. By maintaining the interval between 1.5 and 3 times the width of at least one of the first and second extension electrode portions between the first and second extension electrode portions, the manufacturing cost can be reduced and it is easy to manufacture a high output light emitting device. There is an advantage.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 사시도이다.
도 2는 제2 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 사시도이다.
도 3은 제3 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 사시도이다.
도 4는 제4 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 사시도이다.
도 5는 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 6은 제1 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 분해 사시도이다.
도 7은 제2 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 8은 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 분해 사시도이다.1 is a perspective view showing a light emitting device according to a first embodiment.
2 is a perspective view showing a light emitting device according to a second embodiment.
3 is a perspective view showing a light emitting device according to a third embodiment.
4 is a perspective view showing a light emitting device according to a fourth embodiment.
5 is a perspective view showing a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment.
6 is an exploded perspective view showing a display device according to a first embodiment.
7 is a cross-sectional view illustrating a display device according to a second exemplary embodiment.
8 is an exploded perspective view showing a lighting device according to an embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be clarified with reference to embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and only the embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the person having the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The spatially relative terms “below”, “beneath”, “lower”, “above”, “upper”, etc., are as shown in the figure. It can be used to easily describe the correlation of a device or components with other devices or components. The spatially relative terms should be understood as terms including different directions of the device in use or operation in addition to the directions shown in the drawings. For example, if the device shown in the figure is turned over, a device described as "below" or "beneath" the other device may be placed "above" the other device. Thus, the exemplary term “below” can include both the directions below and above. The device can also be oriented in other directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to the orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In the present specification, the singular form also includes the plural form unless otherwise specified in the phrase. As used herein, "comprises" and/or "comprising" refers to the components, steps, operations and/or elements mentioned above, the presence of one or more other components, steps, operations and/or elements. Or do not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used as meanings commonly understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. In addition, terms defined in commonly used dictionaries are not to be interpreted ideally or excessively, unless specifically defined.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity. In addition, the size and area of each component does not entirely reflect the actual size or area.

또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.In addition, the angles and directions mentioned in the process of describing the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those described in the drawings. In the description of the structure constituting the light emitting element in the specification, if the reference point and the positional relationship with respect to the angle is not explicitly mentioned, the related drawings will be referred to.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 사시도이고, 도 2는 제2 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view showing a light emitting device according to a first embodiment, and FIG. 2 is a perspective view showing a light emitting device according to a second embodiment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광소자(100)는 지지부재(110), 지지부재(110) 상에 배치되며, 전극 영역을 포함하는 제1 반도체층(120), 상기 전극 영역을 제외한 제1 반도체층(120) 상에 배치된 활성층(130) 및 활성층(130) 상에 배치된 제2 반도체층(140)을 포함하는 발광구조물(160), 상기 전극 영역 상에 배치된 제1 전극(170) 및 제2 반도체층(140) 상에 배치된 제2 전극(180)을 포함할 수 있다.1 and 2, the light emitting device 100 is disposed on a support member 110, a support member 110, a first semiconductor layer 120 including an electrode region, the first excluding the electrode region A light emitting structure 160 including an active layer 130 disposed on one semiconductor layer 120 and a second semiconductor layer 140 disposed on the active layer 130, a first electrode disposed on the electrode region ( 170) and the second electrode 180 disposed on the second semiconductor layer 140.

지지부재(110)는 반도체 단결정을 성장시키기에 적합하며 광 투과적 성질을 가지는 재질, 예를 들어 사파이어(Al₂O₃), Si, GaAs, Si, GaP, InP, Ge, Ga203, ZnO, GaN, SiC 및 AlN 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The support member 110 is suitable for growing a semiconductor single crystal and has a material having light transmission properties, for example, sapphire (Al ₂ O ₃ ), Si, GaAs, Si, GaP, InP, Ge, Ga203, ZnO, GaN , It may be formed of at least one of SiC and AlN, but is not limited thereto.

지지부재(110)는 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있고, 지지부재(110)는 광 추출 효과를 향상시키기 위해 표면에 광추출 패턴(Patterned SubStrate, PSS) 이 패터닝 될 수 있으나, 이에 한정을 두지 않는다.The support member 110 may be wet washed to remove impurities from the surface, and the support member 110 may be patterned with a light extraction pattern (Patterned SubStrate, PSS) on the surface to improve the light extraction effect. There is no limitation.

또한, 지지부재(110)는 열의 방출을 용이하게 하여 열적 안정성을 향상시킬 수 있는 재질을 사용할 수 있다.In addition, the support member 110 may use a material that facilitates heat dissipation to improve thermal stability.

한편 지지부재(110) 상에는 광추출 효율을 향상시키는 반사 방지층(미도시)이 배치될 수 있으며, 상기 반사 방지층은 AR 코팅층(Anti-Reflective Coating Layer)이라고 불리는 것으로, 기본적으로 복수의 계면으로부터의 반사광끼리의 간섭 현상을 이용한다. 즉, 다른 계면으로부터 반사되어 오는 광의 위상을 180도 어긋나도록 해서, 서로 상쇄되도록 하여, 반사광의 강도를 약하게 하고자 하는 것으로, 이에 한정을 두지 않는다.On the other hand, an anti-reflection layer (not shown) for improving light extraction efficiency may be disposed on the support member 110, and the anti-reflection layer is called an AR-reflective coating layer, and is basically reflected light from a plurality of interfaces. Use the interference phenomenon between each other. That is, the phases of the light reflected from the other interface are shifted by 180 degrees, and are offset from each other, so that the intensity of the reflected light is weakened, but is not limited thereto.

지지부재(110) 상에는 지지부재(110)와 발광구조물(160) 사이의 격자 부정합을 완화하고 반도체층이 용이하게 성장될 수 있도록 하는 버퍼층(111)이 위치할 수 있다. 버퍼층(111)은 저온 분위기에서 형성할 수 있으며, 지지부재(110)와 발광구조물(160)의 격자상수 차이를 완화시켜 줄 수 있는 물질로 이루어 질 수 있다.A buffer layer 111 may be disposed on the support member 110 to relieve lattice mismatch between the support member 110 and the light emitting structure 160 and allow the semiconductor layer to be easily grown. The buffer layer 111 may be formed in a low temperature atmosphere, and may be made of a material capable of alleviating the difference in the lattice constant between the support member 110 and the light emitting structure 160.

버퍼층(111)은 지지부재(110) 상에 단결정으로 성장할 수 있으며, 단결정으로 성장한 상기 버퍼층은 상기 버퍼층 상에 성장하는 발광구조물(160)의 결정성을 향상시킬 수 있다.The buffer layer 111 may be grown as a single crystal on the support member 110, and the buffer layer grown as a single crystal may improve crystallinity of the light emitting structure 160 growing on the buffer layer.

또한, 버퍼층(111)은 저온 분위기에서 형성될 수 있으며, 예를 들어, GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, 및 InAlGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며,이에 한정을 두지 않는다.In addition, the buffer layer 111 may be formed in a low temperature atmosphere, for example, may include at least one of GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, and InAlGaN, but is not limited thereto.

즉, 버퍼층(111)은 AlInN/GaN 적층 구조, InGaN/GaN 적층 구조, AlInGaN/InGaN/GaN의 적층 구조 등의 구조로 형성될 수 있다.That is, the buffer layer 111 may be formed of a structure such as an AlInN/GaN stacked structure, an InGaN/GaN stacked structure, or an AlInGaN/InGaN/GaN stacked structure.

발광구조물(160)에 포함된 제1 반도체층(120)은 지지부재(110) 또는 버퍼층(111) 상에 배치될 수 있으며, 활성층(130)으로 전자를 제공하는 n형 반도체층으로 구현될 수 있다.The first semiconductor layer 120 included in the light emitting structure 160 may be disposed on the support member 110 or the buffer layer 111, and may be implemented as an n-type semiconductor layer that provides electrons to the active layer 130. have.

제1 반도체층(120)은 In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, 예를 들어, Si, Ge, Sn, Se, Te 와 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 120 is a semiconductor material having a composition formula of In _x Al _y Ga _1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), for example GaN, It may be selected from AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, and the like, for example, n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te may be doped.

제1 반도체층(120)과 지지부재(110) 또는 제1 반도체층(120)과 상기 버퍼층 사이에는 도펀트가 도핑되지 않은 언도프트 반도체층(미도시)이 배치될 수 있으며, 상기 언도프트 반도체층은 제1 반도체층(120)의 결정성 향상을 위해 형성되는 층으로, n형 도펀트가 도핑되지 않아 제1 반도체층(120)에 비해 낮은 전기전도성을 갖는 것을 제외하고는 제1 반도체층(120)과 같을 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다..An undoped semiconductor layer (not shown) in which a dopant is not doped may be disposed between the first semiconductor layer 120 and the support member 110 or the first semiconductor layer 120 and the buffer layer, and the undoped semiconductor layer Is a layer formed to improve the crystallinity of the first semiconductor layer 120, except that the n-type dopant is not doped and has lower electrical conductivity than the first semiconductor layer 120. ), but is not limited to this.

제1 반도체층(120) 상에는 활성층(130)이 배치될 수 있으며, 활성층(130)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.The active layer 130 may be disposed on the first semiconductor layer 120, and the active layer 130 may be formed of a single or multiple quantum well structure, quantum wire (Quantum-Wire) using a compound semiconductor material of a Group 3-5 element. It may be formed of a structure, or a quantum dot (Quantum Dot) structure.

활성층(130)은 양자우물구조로 형성된 경우 예컨데, In_xGa_1-xN (0≤x≤1), Al_yGa_1-yN (0 ≤y≤1) 또는 In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과, In_xGa_1-xN (0≤x≤1), Al_yGa_1-yN (0 ≤y≤1) 또는 In_aAl_bGa_1-a-bN (0≤a≤1, 0 ≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 갖을 수 있다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 에너지 밴드갭보다 작은 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.When the active layer 130 is formed of a quantum well structure, for example, In _x Ga _1-x N (0≤x≤1), Al _y Ga _1-y N (0 ≤y≤1) or In _x Al _y Ga _1- A well layer having a composition formula of _xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), In _x Ga _1-x N (0≤x≤1), Al _y Ga ₁ Single with a barrier layer having a composition formula of _-y N (0 ≤ _y ≤ 1) or In _a Al _b Ga _1-ab N (0 ≤ a ≤ ₁ , 0 ≤ b ≤ ₁ , 0 ≤ a + b ≤ 1) Or it may have a quantum well structure. The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.

또한, 활성층(130)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 배치될 수 있으며, 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 활성층(130)의 밴드 갭 보다는 큰 밴드 갭을 가질 수 있다.In addition, a conductive clad layer (not shown) may be disposed above or/or below the active layer 130, and the conductive clad layer may be formed of an AlGaN-based semiconductor, rather than a band gap of the active layer 130. It can have a large band gap.

활성층(130) 상에는 제2 반도체층(140)이 배치될 수 있으며, 제2 반도체층(140)은 활성층(130)으로 정공을 제공하는 p형 반도체층으로 구현될 수 있다.The second semiconductor layer 140 may be disposed on the active layer 130, and the second semiconductor layer 140 may be implemented as a p-type semiconductor layer that provides holes to the active layer 130.

제2 반도체층(140)은 In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 140 is a semiconductor material having a composition formula of In _x Al _y Ga _1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), for example GaN, It may be selected from AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, etc., and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba may be doped.

한편, 활성층(130)과 제2 반도체층(140) 사이에는 활성층(130)에서 공급된 정공과 재결합되지 않는 전자가 제2 반도체층(140)으로 공급되는 것을 방지하기 위하 전자 차단층(Electron blocking layer, 미도시)을 포함할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.On the other hand, between the active layer 130 and the second semiconductor layer 140 to prevent electrons that are not recombined with holes supplied from the active layer 130 from being supplied to the second semiconductor layer 140, an electron blocking layer (Electron blocking) layer, not shown), but is not limited thereto.

상술한 제1 반도체층(120), 활성층(130) 및 제2 반도체층(140)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy), 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first semiconductor layer 120, the active layer 130, and the second semiconductor layer 140 described above are, for example, MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition), Chemical Vapor Deposition (CVD). , Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), Sputtering, etc. It may be formed, but is not limited thereto.

또한, 제1 반도체층(120) 및 제2 반도체층(140) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 복수의 반도체층은 다양한 도핑 농도 분포를 갖도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Further, the doping concentrations of the conductive dopants in the first semiconductor layer 120 and the second semiconductor layer 140 may be uniformly or non-uniformly. That is, the plurality of semiconductor layers may be formed to have various doping concentration distributions, but is not limited thereto.

또한, 제1 반도체층(120)이 p형 반도체층으로 구현되고, 제2 반도체층(140)이 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 제2 반도체층(140) 상에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 제3 반도체층(미도시)이 형성될 수도 있다. 이에 따라, 발광 소자(100)는 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. In addition, the first semiconductor layer 120 may be implemented as a p-type semiconductor layer, the second semiconductor layer 140 may be implemented as an n-type semiconductor layer, and an n-type or p-type semiconductor on the second semiconductor layer 140. A third semiconductor layer (not shown) including a layer may be formed. Accordingly, the light emitting device 100 may have at least one of np, pn, npn, and pnp junction structures.

한편, 활성층(130)과 제2 반도체층(140)은 일부가 제거되어 제1 반도체층(120)의 일부가 노출될 수 있고, 노출된 제1 반도체층(120) 상에는 제1 전극(162)이 형성될 수 있다. Meanwhile, a portion of the active layer 130 and the second semiconductor layer 140 may be removed to expose a portion of the first semiconductor layer 120, and the first electrode 162 may be exposed on the exposed first semiconductor layer 120. It can be formed.

즉, 제1 반도체층(120)은 활성층(130)을 향하는 상면과 지지부재(110)을 향하는 하면을 포함하고, 상면은 적어도 일 영역이 노출된 상기 전극 영역을 포함하며, 제1 전극(170)은 상면의 노출된 상기 전극 영역 상에 배치될 수 있다.That is, the first semiconductor layer 120 includes an upper surface facing the active layer 130 and a lower surface facing the support member 110, and the upper surface includes the electrode area where at least one region is exposed, and the first electrode 170 ) May be disposed on the exposed electrode region on the upper surface.

한편, 제1 반도체층(120)의 상기 전극 영역을 형성하는 방법은 소정의 식각 방법을 사용할 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 또한, 식각방법은 습식 식각, 건식 식각방법을 사용할 수 있다.Meanwhile, a method of forming the electrode region of the first semiconductor layer 120 may use a predetermined etching method, but is not limited thereto. In addition, wet etching or dry etching may be used as the etching method.

또한, 제2 반도체층(140) 상에는 제2 전극(180)이 형성될 수 있다.In addition, the second electrode 180 may be formed on the second semiconductor layer 140.

한편, 제1, 2 전극(170, 180)은 전도성 물질, 예를 들어 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi 중에서 선택된 금속을 포함할 수 있으며, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Meanwhile, the first and second electrodes 170 and 180 are conductive materials, for example, In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W , Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, and WTi, metals, or alloys thereof, and may be formed in a single layer or multiple layers. Do not put.

또한, 제2 전극(180)과 제2 반도체층(140) 사이에는 전류제한층이 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In addition, a current limiting layer may be formed between the second electrode 180 and the second semiconductor layer 140, but is not limited thereto.

우선, 도 1에 나타낸 제2 전극(180)은 패드전극(181) 및 패드전극(181)에서 서로 직교하는 방향으로 연장된 제1, 2 연장전극(183, 187)을 포함할 수 있다.First, the second electrode 180 shown in FIG. 1 may include a pad electrode 181 and first and second extension electrodes 183 and 187 extending in a direction perpendicular to each other from the pad electrode 181.

실시 예에서, 제2 전극(180)은 제1, 2 연장전극(183, 187)을 포함하는 것으로 나타내고 설명하였으나, 하나의 연장전극 또는 3이상의 연장전극을 포함할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In an embodiment, the second electrode 180 is shown and described as including the first and second extension electrodes 183 and 187, but may include one extension electrode or three or more extension electrodes, but is not limited thereto. .

또한, 제1, 2 연장전극(183, 187)은 서로 직교하는 방향으로 형성되지만, 사이즈가 서로 동일한 것으로 설명하며 이에 한정을 두지 않는다.In addition, although the first and second extension electrodes 183 and 187 are formed in a direction orthogonal to each other, the sizes are described as being equal to each other and are not limited thereto.

즉, 패드전극(181)은 발광소자 패키지(미도시)에 포함되는 제1, 2 리드프레임(미도시) 중 어느 하나와 와이어(미도시)로 본딩되어 전원을 제2 반도체층(140)에 공급하기 위한 전극이며, 이에 한정을 두지 않는다.That is, the pad electrode 181 is bonded to one of the first and second lead frames (not shown) included in the light emitting device package (not shown) and a wire (not shown) to supply power to the second semiconductor layer 140. It is an electrode for supply, and is not limited to this.

제1 연장전극(183)은 패드전극(181)에서 임의의 제1 방향(미도시)으로 연장되며, 제1 폭(w1)을 갖는 제1 연장전극부(184) 및 제1 연장전극부(184)와 평행하게 패드전극(181)에서 상기 제1 방향으로 연장되며 제2 폭(w2)을 갖는 제2 연장전극부(185)를 포함할 수 있다.The first extension electrode 183 extends from the pad electrode 181 in an arbitrary first direction (not shown), and includes a first extension electrode portion 184 and a first extension electrode portion having a first width w1 ( 184, a second extension electrode part 185 extending from the pad electrode 181 in the first direction and having a second width w2 may be included.

또한, 제2 연장전극(187)는 패드전극(181)에서 상기 제1 방향과 직교하는 임의의 제2 방향(미도시)으로 연장되며, 제1 폭(w1)을 갖는 제3 연장전극부(188) 및 제3 연장전극부(188)와 평행하게 패드전극(181)에서 상기 제2 방향으로 연장되며 제2 폭(w2)을 갖는 제4 연장전극부(189)를 포함할 수 있다.In addition, the second extension electrode 187 extends from the pad electrode 181 in an arbitrary second direction (not shown) orthogonal to the first direction, and a third extension electrode unit having a first width w1 ( 188) and the third extension electrode part 188, the fourth extension electrode part 189 extending from the pad electrode 181 in the second direction and having a second width w2 may be included.

실시 예에서, 제1, 2 연장전극(183, 187) 각각은 제1 폭(w1)을 갖는 제1, 3 연장전극부(184, 188) 및 제2 폭(w2)을 갖는 제2, 4 연장전극부(185, 189)를 포함하는 것으로 나타내었으나, 적어도 3이상의 연장전극부를 포함할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In an embodiment, each of the first and second extension electrodes 183 and 187 has first and third extension electrode portions 184 and 188 and second and fourth extension electrodes 184 and 188, respectively. Although shown as including the extension electrode portions 185 and 189, at least three or more extension electrode portions may be included, but is not limited thereto.

또한, 제1, 3 연장전극부(184, 188) 및 제2, 4 연장전극부(185, 189)는 서로 동일하게 형성된 것으로 설명하며, 따라서 제1 연장전극(183)에 대하여 설명을 하기로 한다.In addition, the first and third extension electrode parts 184 and 188 and the second and fourth extension electrode parts 185 and 189 are described as being formed to be identical to each other, and thus the first extension electrode 183 will be described. do.

여기서, 제2 연장전극부(185)는 제1 연장전극부(184)와 제1 폭(w1) 대비 1.5배 내지 6배에 대응하는 제1 간격(d1)을 두고 이격될 수 있다.Here, the second extension electrode unit 185 may be spaced apart from the first extension electrode unit 184 and a first distance d1 corresponding to 1.5 to 6 times the first width w1.

제1 연장전극부(184)의 제1 폭(w1)은 2 ㎛ 내지 5 ㎛ 일 수 있으며, 제2 연장전극부(185)의 제2 폭(w2)은 제1 폭(w1) 대비 1배 내지 1.5배일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The first width w1 of the first extension electrode portion 184 may be 2 μm to 5 μm, and the second width w2 of the second extension electrode portion 185 is 1 times the first width w1. It may be 1.5 to 1.5 times, but is not limited thereto.

즉, 제1 폭(w1)은 2 ㎛ 미만인 경우 제1 연장전극부(184) 형성시 단선 또는 절단의 위험성이 높으며, 6 ㎛ 보다 두꺼운 경우 제1 연장전극부(184) 형성시 용이한 점이 있으나 유효발광면적을 축소시킬 수 있다.That is, when the first width w1 is less than 2 μm, there is a high risk of disconnection or cutting when forming the first extension electrode unit 184, and when it is thicker than 6 μm, there is an easy point when forming the first extension electrode unit 184. The effective light emitting area can be reduced.

실시 예에서, 제2 폭(w2)은 제1 폭(w1) 대비 1.5배, 즉 7.5 ㎛ 이하로 형성될 수 있으며, 이는 5 ㎛로 제1 연장전극부(184) 형성시 제조 공정상 제1 연장전극부(184)가 단선 또는 절단되는 경우 제2 연장전극부(185)를 이용하여 전원을 공급할 수 있다.In an embodiment, the second width w2 may be formed 1.5 times as large as the first width w1, that is, 7.5 μm or less, which is the first in the manufacturing process when the first extension electrode part 184 is formed to 5 μm. When the extension electrode portion 184 is disconnected or cut, power may be supplied using the second extension electrode portion 185.

또한, 제1 간격(d1)은 3 ㎛ 내지 30 ㎛일 수 있으며, 제1 간격(d1)은 제1, 2 폭(w1, w2)이 증가함에 따라 가변될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In addition, the first gap d1 may be 3 μm to 30 μm, and the first gap d1 may vary as the first and second widths w1 and w2 increase, but is not limited thereto.

예를 들면, 제1 연장전극(183)의 전체 폭(미도시)은 제1 연장전극부(184)의 제1 폭(w1), 제2 연장전극부(185)의 제2 폭(w2) 및 제1, 2 연장전극부(184, 185) 사이의 제1 간격(d1)의 합과 동일할 수 있다.For example, the entire width (not shown) of the first extension electrode 183 is the first width w1 of the first extension electrode portion 184 and the second width w2 of the second extension electrode portion 185. And the first distance d1 between the first and second extension electrode parts 184 and 185.

이때, 제1 연장전극(183)의 전체 폭은 발광소자(100)의 사이즈, 즉 가로 및 세로 길이에 따라 가변될 수 있으며, 제1 연장전극(183)의 전체 폭이 설계상 15 ㎛ 이고, 제1, 2 폭(w1, w2) 각각이 3 ㎛ 인 경우, 제1 간격(d1)은 9 ㎛로 결정할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.At this time, the entire width of the first extension electrode 183 may vary depending on the size of the light emitting device 100, that is, the horizontal and vertical lengths, and the overall width of the first extension electrode 183 is 15 μm by design, When each of the first and second widths w1 and w2 is 3 μm, the first interval d1 may be determined to be 9 μm, but is not limited thereto.

도 2에 나타낸 연장전극(180)은 패드전극(181), 제1, 2 연장전극(183, 187) 및 패드전극(181)과 제1, 2 연장전극(183, 187) 사이에 배치되며 제3 폭(w3)을 갖는 제3 연장전극부(182)를 포함할 수 있다.The extension electrode 180 shown in FIG. 2 is disposed between the pad electrodes 181, the first and second extension electrodes 183 and 187, and the pad electrodes 181 and the first and second extension electrodes 183 and 187. A third extension electrode portion 182 having a width w3 may be included.

즉, 제1, 2 연장전극(183, 187)은 도 1에서 상술한 바와 같이 제1, 2 폭(w1, w2)을 갖는 제1, 3 연장전극부(184, 188) 및 제2, 4 연장전극부(185, 189)를 포함할 있다.That is, the first and second extension electrodes 183 and 187 are the first and third extension electrode parts 184 and 188 and the second and fourth electrodes having first and second widths w1 and w2 as described above with reference to FIG. 1. It may include an extension electrode portion (185, 189).

제3 연장전극부(182)의 제3 폭(w3)은 제1, 2 연장전극부(184, 185)의 제1, 2 폭(w1, w2) 및 제1 간격(d1)의 합과 동일하거나, 또는 크게 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The third width w3 of the third extension electrode portion 182 is equal to the sum of the first and second widths w1 and w2 of the first and second extension electrode portions 184 and 185 and the first interval d1. Or, it may be formed large, but is not limited to this.

또한, 제3 폭(w3)은 제1, 2 폭(w1, w2)의 합 대비 3배 내지 6배 일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In addition, the third width w3 may be 3 to 6 times the sum of the first and second widths w1 and w2, but is not limited thereto.

즉, 제1, 2 연장전극부(184, 185) 및 제3, 4 연장전극부(188, 189)는 제3 연장전극부(182)에서 분기된 전극부임을 알 수 있으며, 따라서 제3 폭(w3)은 제1, 2 폭(w1, w2) 대비 3배 내지 6배를 이룰 수 있다.That is, it can be seen that the first and second extension electrode portions 184 and 185 and the third and fourth extension electrode portions 188 and 189 are electrode portions branched from the third extension electrode portion 182, and thus the third width. (w3) may be 3 to 6 times compared to the first and second widths w1 and w2.

도 3은 제3 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 사시도이고, 도 4는 제4 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view showing a light emitting device according to a third embodiment, and FIG. 4 is a perspective view showing a light emitting device according to a fourth embodiment.

도 3 및 도 4는 도 1 및 도 2와 동일한 구성에 대하여 동일한 도면 부호를 사용하며, 동일한 구성에 대한 설명을 생략하거나 간략하게 한다.3 and 4 use the same reference numerals for the same configuration as in FIGS. 1 and 2, and the description of the same configuration is omitted or simplified.

도 3 및 도 4를 참조하면, 제2 전극(180)은 제1 방향(미도시)로 연장된 제1 연장전극(183) 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향(미도시)로 연장된 후 상기 제1 방향으로 연장되어 제1 연장전극(183)과 평행하게 배치된 제2 연장전극(187)을 포함할 수 있다.3 and 4, the second electrode 180 extends in a first direction (not shown) extending in a first direction (not shown) and in a second direction (not shown) orthogonal to the first direction. After that, it may include a second extension electrode 187 extending in the first direction and disposed parallel to the first extension electrode 183.

즉, 제2 연장전극(187)은 도 1 및 도 2에 나타낸 제2 연장전극과 다르게 제1 연장전극(183)과 일부분이 평행하게 형성될 수 있다.That is, unlike the second extension electrode illustrated in FIGS. 1 and 2, the second extension electrode 187 may be partially formed in parallel with the first extension electrode 183.

제1 연장전극(183)은 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이 제1, 2 연장전극부(184, 185)을 포함하며, 제2 연장전극(187)은 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이 제3, 4 연장전극부(188, 189)를 포함할 수 있다.The first extension electrode 183 includes first and second extension electrode portions 184 and 185 as shown in FIGS. 1 and 2, and the second extension electrode 187 is as shown in FIGS. 1 and 2. The third and fourth extension electrodes 188 and 189 may be included.

다만, 도 3 및 도 4에 나타낸 제3, 4 연장전극부(188, 189)는 'L'자 형상으로, 일부분이 상술한 바와 같이 제1, 2 연장전극부(184, 185)와 평행하게 형성될 수 있다.However, the third and fourth extension electrode portions 188 and 189 shown in FIGS. 3 and 4 are'L' shaped, and a portion thereof is parallel to the first and second extension electrode portions 184 and 185 as described above. Can be formed.

이때, 제2, 4 연장전극부(185, 189) 사이, 즉 제1, 2 연장전극(183, 187) 사이의 제2 간격(d2)은 제1, 2 연장전극부(185, 186) 각각의 제1, 2 폭(w1, w2) 및 제1, 2 연장전극부(185, 186) 사이의 제1 간격(d1)의 합보다 크며, 50 ㎛ 내지 150 ㎛일 수 있으며, 제2 간격(d2)는 발광소자(100), 즉 제2 반도체층(140)의 사이즈에 따라 가변될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.At this time, the second gap d2 between the second and fourth extension electrode portions 185 and 189, that is, between the first and second extension electrodes 183 and 187, is the first and second extension electrode portions 185 and 186, respectively. Greater than the sum of the first and second widths w1 and w2 and the first spacing d1 between the first and second extension electrode portions 185 and 186, and may be 50 μm to 150 μm, and the second spacing ( d2) may vary depending on the size of the light emitting device 100, that is, the second semiconductor layer 140, but is not limited thereto.

여기서, 도 3을 살펴보면, 발광소자(100)는 제2 반도체층(140)과 제2 전극(180) 사이에 배치된 투광성전극(190)을 포함할 수 있다.Here, referring to FIG. 3, the light emitting device 100 may include a light-transmitting electrode 190 disposed between the second semiconductor layer 140 and the second electrode 180.

투광성전극(190)은 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있으며, 제2 반도체층(140)에 캐리어의 주입을 원활히 하기 위한 것으로, 도 3과 같이 제2 반도체층(140)과 제2 전극(180) 사이에 반드시 형성되는 것이 아니다.The transparent electrode 190 is, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IZAO), indium gallium zinc oxide (IGZO), IGTO ( indium gallium tin oxide (AZO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/ It can be implemented in a single layer or a multi-layer by using one or more of Au / ITO, to facilitate the injection of the carrier to the second semiconductor layer 140, as shown in Figure 3, the second semiconductor layer 140 and the second electrode ( 180) is not necessarily formed between.

이때, 도 4를 살펴보면, 투광성전극(190)은 상술한 바와 같이 제1, 2 연장전극부(185, 186) 및 제3, 4 연장전극부(188, 189) 사이에 배치될 수 있다.4, the light-transmitting electrode 190 may be disposed between the first and second extension electrode parts 185 and 186 and the third and fourth extension electrode parts 188 and 189 as described above.

도 4에 나타낸 투광성전극(190)은 제1, 2 연장전극부(185, 186) 및 제3, 4 연장전극부(188, 189)에 배치되어, 제1, 2 연장전극부(185, 186) 및 제3, 4 연장전극부(188, 189) 사이의 제1 간격(d1) 대비 0.9배 내지 1배의 폭으로 형성될 수 있으며, 제1, 2 연장전극부(185, 186) 및 제3, 4 연장전극부(188, 189)의 두께(b2) 대비 0.5배 내지 1배의 두께(b1)을 가질 수 있다.The light-transmitting electrode 190 shown in FIG. 4 is disposed on the first and second extension electrode parts 185 and 186 and the third and fourth extension electrode parts 188 and 189, so that the first and second extension electrode parts 185 and 186 ) And the third and fourth extension electrode portions 188 and 189 may be formed to have a width of 0.9 to 1 time compared to the first distance d1, and the first and second extension electrode portions 185 and 186 and the It may have a thickness (b1) of 0.5 to 1 times the thickness (b2) of the 3 and 4 extension electrode portions (188, 189).

즉, 도 4의 투광성전극(190)은 제1, 2 연장전극부(185, 186) 및 제3, 4 연장전극부(188, 189)의 측면을 통하여 공급되는 전원을 확산시켜 제2 반도체층(140)으로 공급할 수 있다.That is, the light-transmitting electrode 190 of FIG. 4 diffuses the power supplied through the side surfaces of the first and second extension electrode parts 185 and 186 and the third and fourth extension electrode parts 188 and 189, so that the second semiconductor layer (140).

제1 내지 제4 실시 예에 나타낸 패드전극 및 연장전극을 포함하는 제2 전극은 연장전극의 형상이 상이할 수 있으며, 제1, 2 연장전극부를 포함하는 연장전극이 최대 폭을 40 ㎛ 미만으로 한정하는 경우 유효발광면적이 확대되는 이점이 있다.The second electrode including the pad electrode and the extension electrode shown in the first to fourth embodiments may have a different shape of the extension electrode, and the extension electrode including the first and second extension electrode portions has a maximum width of less than 40 μm. In the case of limitation, the effective light emitting area is enlarged.

도 5는 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이다.5 is a perspective view showing a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment.

도 5를 참조하면, 발광소자 패키지(200)는 발광소자(212) 및 발광소자(212)가 배치된 몸체(220)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the light emitting device package 200 may include a light emitting device 212 and a body 220 on which the light emitting device 212 is disposed.

몸체(220)는 제1 방향(x)으로 연장된 제1 격벽(222) 및 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 연장된 제2 격벽(224)을 포함할 수 있으며, 제1, 2 격벽(222, 224)은 서로 일체형으로 형성될 수 있으며, 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대하여 한정을 두지 않는다.The body 220 may include a first partition wall 222 extending in a first direction (x) and a second partition wall 224 extending in a second direction (y) crossing the first direction (x), , The first and second partition walls 222 and 224 may be integrally formed with each other, and may be formed by injection molding, etching, or the like, but are not limited thereto.

즉, 제1, 2 격벽(222, 224)은 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al₂O₃), 베릴륨 옥사이드(BeO), 세라믹, 및 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.That is, the first and second partition walls 222 and 224 are resin materials such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), AlOx, and liquid crystal polymer (PSG, photo sensitive glass), polyamide 9T (PA9T), new geotactic polystyrene (SPS), metal material, sapphire (Al ₂ O ₃ ), beryllium oxide (BeO), ceramic, and printed circuit board (PCB) It may be formed of at least one.

그리고, 제1, 2 격벽(222, 224)의 상면 형상은 발광소자(212)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In addition, the top and bottom shapes of the first and second partition walls 222 and 224 may have various shapes, such as a triangle, a square, a polygon, and a circular shape, according to the use and design of the light emitting device 212, but are not limited thereto.

또한, 제1, 2 격벽(222, 224)은 발광소자(212)가 배치되는 캐비티(s)를 형성할 수 있으며, 캐비티(s)의 단면 형상은 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 캐비티(s)를 이루는 제1, 2 격벽(222, 224)은 하부 방향으로 경사지게 형성될 수 있다.In addition, the first and second partition walls 222 and 224 may form a cavity s in which the light emitting devices 212 are disposed, and the cross-sectional shape of the cavity s may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like. The first and second partition walls 222 and 224 constituting the cavity s may be inclined downward.

그리고, 캐비티(s)의 평면 형상은 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In addition, the planar shape of the cavity s may have various shapes such as a triangle, a square, a polygon, and a circular shape, but is not limited thereto.

몸체(220)는 캐비티(s)의 하부면을 형성하는 제1, 2 리드프레임(232, 234)을 포함할 수 있으며, 제1, 2 리드프레임(232, 234)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru) 및 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다.The body 220 may include first and second lead frames 232 and 234 forming the lower surface of the cavity s, and the first and second lead frames 232 and 234 may be made of a metal material, for example , Titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P ), one or more of aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium (Ge), hafnium (Hf), ruthenium (Ru) and iron (Fe) Or alloys.

그리고, 제1, 2 리드프레임(232, 234)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In addition, the first and second lead frames 232 and 234 may be formed to have a single-layer or multi-layer structure, but are not limited thereto.

또한, 몸체(220)는 제1, 2 리드프레임(232, 234)을 전기적으로 절연하는 절연댐(26)을 포함할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In addition, the body 220 may include an insulating dam 26 that electrically insulates the first and second lead frames 232 and 234, but is not limited thereto.

여기서, 절연댐(226)의 단면 형상은 버섯 모양, 우산 모양 등과 같은 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Here, the cross-sectional shape of the insulating dam 226 may have a shape such as a mushroom shape, an umbrella shape, and the like, but is not limited thereto.

제1, 2 격벽(222, 224)의 내측면은 제1, 2 리드프레임(232, 234) 중 어느 하나의 상부면을 기준으로 소정의 경사각을 가지고 경사지게 형성될 수 있으며, 상기 경사각에 따라 발광소자(212)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. 여기서, 광의 지향각이 줄어들도록 발광소자(212)에서 방출되는 광의 집중성은 증가하는 반면, 광의 지향각이 클수록 발광소자(212)에서 외부로 방출되는 광의 집중성이 감소될 수 있다.The inner surfaces of the first and second partition walls 222 and 224 may be formed to be inclined with a predetermined inclination angle based on the upper surface of any one of the first and second lead frames 232 and 234, and light emission according to the inclination angle The reflection angle of the light emitted from the device 212 may vary, and accordingly, the directivity of the light emitted to the outside may be adjusted. Here, while the concentration of light emitted from the light emitting element 212 increases so that the directivity of light decreases, the concentration of light emitted from the light emitting element 212 to the outside may decrease as the light directing angle increases.

제1, 2 격벽(222, 224)의 내측면은 복수의 경사각을 가질 수 있으며, 이에 따라 복수의 캐비티(미도시)를 형성할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The inner surfaces of the first and second partition walls 222 and 224 may have a plurality of inclination angles, thereby forming a plurality of cavities (not shown), but are not limited thereto.

제1, 2 리드프레임(232, 234)은 발광소자(212)에 전기적으로 연결되며, 외부 전원(미도시)의 양(+)극 및 음(-)극에 각각 연결되어, 발광소자(212)로 전원을 공급할 수 있다.The first and second lead frames 232 and 234 are electrically connected to the light emitting element 212, and are respectively connected to the positive (+) and negative (-) poles of an external power source (not shown), so that the light emitting elements 212 ) To supply power.

실시 예에서, 제1 리드프레임(232) 상에는 발광소자(212)가 배치되며, 제2 리드프레임(234)은 제1 리드프레임(232)과 이격된 것으로 설명하며, 이에 한정을 두지 않는다.In an embodiment, the light emitting device 212 is disposed on the first lead frame 232, and the second lead frame 234 is described as being spaced apart from the first lead frame 232, but is not limited thereto.

또한, 실시 예에서 발광소자(212)는 제1, 2 리드프레임(232, 234)과 와이어 본딩되는 것으로 나타내었으나, 이에 한정을 두지 않다.In addition, in the embodiment, the light emitting device 212 is shown as being wire-bonded with the first and second lead frames 232 and 234, but is not limited thereto.

실시 예에서 발광소자(212)는 도 1 내지 도 4에 나타낸 발광소자인 것으로 설명한다.In the embodiment, the light emitting device 212 is described as being the light emitting devices shown in FIGS. 1 to 4.

발광소자(212)는 서로 동일한 광 또는 서로 다른 광을 방출할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The light emitting devices 212 may emit the same light or different light from each other, but are not limited thereto.

몸체(220)에 형성된 캐비티(s) 내에는 발광소자(212)를 덮을 수 있는 봉지재(240)가 충진될 수 있다.The cavity s formed in the body 220 may be filled with an encapsulant 240 that can cover the light emitting device 212.

봉지재(240)는 투광성 재질, 예를 들면 실리콘, 에폭시 및 기타 수지 재질을 포함할 수 있으며, 자외선 또는 열 경화 방식에 따라 경화시킬 수 있다.The encapsulant 240 may include a translucent material, for example, silicone, epoxy, and other resin materials, and may be cured according to ultraviolet or thermal curing methods.

또한, 봉지재(240)는 형광체 및 광확산재 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 발광소자(212)에서 방출되는 광의 종류에 따라 형광체를 선택할 수 있다.In addition, the encapsulant 240 may include at least one of a phosphor and a light diffusion material, and a phosphor may be selected according to the type of light emitted from the light emitting device 212.

실시 예에서, 발광소자(212)는 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In an embodiment, the light emitting device 212 may be a colored light emitting diode that emits light such as red, green, blue, and white, or a UV (Ultra Violet) light emitting diode that emits ultraviolet light, but is not limited thereto.

도 6은 제1 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 분해 사시도이다. 6 is an exploded perspective view showing a display device according to a first embodiment.

도 6을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041), 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031), 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022), 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051), 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061) 및 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 6, the display device 1000 according to an exemplary embodiment includes a light guide plate 1041, a light source module 1031 providing light to the light guide plate 1041, a reflective member 1022 under the light guide plate 1041, and a light guide plate ( 1041) may include an optical sheet 1051, a display panel 1061 and a light guide plate 1041, a light source module 1031, and a bottom cover 1011 accommodating the reflective member 1022 on the optical sheet 1051. , But is not limited to this.

바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 may be defined as a light unit 1050.

도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethylmethacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphtha late) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light and make a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin series such as PMMA (polymethylmethacrylate), PET (polyethylene terephthalate), PC (poly carbonate), COC (cycloolefin copolymer) and PEN (polyethylene naphtha late) resin It may include one of.

광원 모듈(1031)은 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light source module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device.

광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(1035)를 포함하며, 발광소자 패키지(1035)는 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. The light source module 1031 includes at least one, and may directly or indirectly provide light from one side of the light guide plate 1041. The light source module 1031 includes a substrate 1033 and a light emitting device package 1035 according to the embodiment disclosed above, and the light emitting device package 1035 may be arranged on the substrate 1033 at predetermined intervals.

기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 발광소자 패키지(1035)는 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1033 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB, metal core PCB), a flexible PCB (FPCB, flexible PCB), and the like. When the light emitting device package 1035 is mounted on the side of the bottom cover 1011 or on a heat radiation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat dissipation plate may contact the top surface of the bottom cover 1011.

그리고, 복수의 발광소자 패키지(1035)는 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 발광소자 패키지(1035)는 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the plurality of light emitting device packages 1035 may be mounted such that the emission surface on which the light is emitted on the substrate 1033 is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but is not limited thereto. The light emitting device package 1035 may directly or indirectly provide light to the light incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

도광판(1041) 아래에는 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 반사 부재(1022)는 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 라이트유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflection member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 and faces the light upward, thereby improving the brightness of the light unit 1050. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

바텀 커버(1011)는 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may receive a light guide plate 1041, a light source module 1031, a reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with an accommodating portion 1012 having a box shape with an open top surface, but is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be combined with a top cover, but is not limited thereto.

바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or non-metal material having good thermal conductivity, but is not limited thereto.

표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel and includes first and second substrates of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, and the polarizing plate is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. The display device 1000 may be applied to various portable terminals, notebook computer monitors, laptop computer monitors, televisions, and the like.

광학 시트(1051)는 표시 패널(1061)과 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041, and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancing sheet. The diffusion sheet diffuses the incident light, the horizontal or/and vertical prism sheet condenses the incident light into the display area, and the luminance enhancement sheet reuses the lost light to improve luminance. In addition, a protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but is not limited thereto.

여기서, 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, as the optical member on the light path of the light source module 1031, the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included, but is not limited thereto.

도 7은 제2 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다. 7 is a cross-sectional view illustrating a display device according to a second exemplary embodiment.

도 7을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(1124)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 7, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1120 on which the light emitting devices 1124 disclosed above are arrayed, an optical member 1154, and a display panel 1155.

기판(1120)과 발광소자 패키지(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광 소자(1124)를 포함한다.The substrate 1120 and the light emitting device package 1124 may be defined as a light source module 1160. The bottom cover 1152, the at least one light source module 1160, and the optical member 1154 may be defined as a light unit 1150. The bottom cover 1152 may include a storage unit 1153, which is not limited thereto. The light source module 1160 includes a substrate 1120 and a plurality of light emitting elements 1124 arranged on the substrate 1120.

여기서, 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(polymethyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancing sheet. The light guide plate may be made of PC material or PMMA (polymethyl methacrylate) material, and the light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses the incident light, the horizontal and vertical prism sheets converge the incident light into the display area, and the luminance enhancement sheet reuses the lost light to improve luminance.

광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1160) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1160)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light source module 1160, and performs light diffusion, condensing, or the like, when a light emitted from the light source module 1160 is a surface light source.

도 8은 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 분해 사시도이다.8 is an exploded perspective view showing a lighting device according to an embodiment.

도 8을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the lighting device according to the embodiment may include a cover 2100, a light source module 2200, a heat radiator 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. Can. In addition, the lighting device according to the embodiment may further include any one or more of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting device package according to an embodiment.

예컨대, 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 커버(2100)는 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 커버(2100)는 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 커버(2100)는 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 커버(2100)는 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in an empty shape and an open portion. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the radiator 2400. The cover 2100 may have a coupling portion that engages the heat radiator 2400.

커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. A milky white coating may be coated on the inner surface of the cover 2100. The milky white paint may include a diffusion material that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is because light from the light source module 2200 is sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.

커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 커버(2100)는 외부에서 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 2100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate has excellent light resistance, heat resistance, and strength. The cover 2100 may be transparent so that the light source module 2200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 2100 may be formed through blow molding.

광원 모듈(2200)은 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 광원 모듈(2200)은 발광소자(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one surface of the radiator 2400. Thus, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat sink 2400. The light source module 2200 may include a light emitting element 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

부재(2300)는 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자 패키지(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 가이드홈(2310)은 발광소자 패키지(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on the upper surface of the radiator 2400 and has a plurality of light emitting device packages 2210 and guide grooves 2310 into which the connector 2250 is inserted. The guide groove 2310 corresponds to the board and connector 2250 of the light emitting device package 2210.

부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 부재(2300)는 커버(2100)의 내면에 반사되어 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects light that is reflected on the inner surface of the cover 2100 and returns in the direction of the light source module 2200 again in the direction of the cover 2100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 방열체(2400)와 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 연결 플레이트(2230)와 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 방열체(2400)는 광원 모듈(2200)로부터의 열과 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the radiator 2400 and the connection plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to block electrical shorts between the connection plate 2230 and the radiator 2400. The radiator 2400 radiates heat by receiving heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600.

홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)에 수납되는 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 가이드 돌출부(2510)는 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.The holder 2500 closes the storage groove 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 accommodated in the insulating portion 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 may include a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈(2200)로 제공한다. 전원 제공부(2600)는 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 홀더(2500)에 의해 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal received from the outside and provides it to the light source module 2200. The power supply unit 2600 is accommodated in the storage groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500.

전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 돌출부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide part 2630, a base 2650, and a protrusion 2670.

가이드부(2630)는 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 가이드부(2630)는 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 2630 has a shape protruding from the side of the base 2650 to the outside. The guide portion 2630 may be inserted into the holder 2500. A number of parts may be disposed on one surface of the base 2650. For a number of components, for example, a DC converter for converting AC power supplied from an external power source into DC power, a driving chip controlling driving of the light source module 2200, and ESD (ElectroStatic) for protecting the light source module 2200 discharge) protection element and the like, but is not limited thereto.

돌출부(2670)는 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 돌출부(2670)는 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 돌출부(2670)는 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 돌출부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The protrusion 2670 has a shape protruding from the other side of the base 2650 to the outside. The protrusion 2670 is inserted into the connection portion 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the protrusion 2670 may be provided equal to or smaller than the width of the connection portion 2750 of the inner case 2700. Each end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the protrusion 2670, and the other end of the "+ wire" and "- wire" may be electrically connected to the socket 2800.

내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 전원 제공부(2600)가 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 2700 may include a molding part together with the power supply part 2600 therein. The molding part is a part in which the molding liquid is hardened, so that the power supply unit 2600 can be fixed inside the inner case 2700.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.In the light emitting device package according to the embodiment, the configuration and method of the embodiments described above may not be limitedly applied, and the embodiments may be selectively combined with all or part of each embodiment so that various modifications can be made. It may be configured.

사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Commonly used terms, such as predefined terms, should be interpreted as being consistent with the meaning in the context of the related art, and are not to be interpreted as ideal or excessively formal meanings unless explicitly defined in the present invention.

기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.All terms, including technical or scientific terms, have the same meaning as generally understood by a person skilled in the art to which the present invention belongs, unless otherwise defined.

이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.The terms "comprise", "compose" or "have" as described above mean that the component can be inherent, unless otherwise stated, and do not exclude other components. It should be interpreted that it may further include other components.

이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.Although preferred embodiments have been illustrated and described above, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and the general knowledge in the technical field to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Of course, various modifications can be made by the vibrator, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or prospect of the present invention.

Claims

Support member;
A light emitting structure disposed on the support member and including a first semiconductor layer including an electrode region, an active layer disposed on the first semiconductor layer excluding the electrode region, and a second semiconductor layer disposed on the active layer;
A first electrode disposed on the electrode region; And
The second electrode is disposed on the second semiconductor layer and includes a pad electrode and an extension electrode extending from the pad electrode.
The extension electrode,
A first extension electrode extending in a first direction; And
And a second extension electrode extending in a second direction different from the first direction,
The first extension electrode,
A first extension electrode portion having a first width; And
It includes; a second extension electrode part spaced apart from the first extension electrode part and having a second width of 1 to 1.5 times the first width;
The second extension electrode,
A third extension electrode portion having the first width; And
It includes; a fourth extension electrode portion spaced apart from the third extension electrode portion and having the second width;
The first and second extension electrode parts are spaced apart by a first interval of 1.5 to 6 times the first width,
An upper surface of the second semiconductor layer may include a first region defined as a region between the first and second extension electrode portions; It includes; a second region defined by the region between the third and fourth extension electrode portion,
It includes a light-transmitting electrode disposed on the upper surface of the second semiconductor layer,
The light-transmitting electrode is disposed on the first and second regions, and is not disposed on regions other than the first and second regions.

According to claim 1,
The first width is 2 μm to 5 μm,
The first interval, the light emitting device is 3 ㎛ to 15 ㎛.

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According to claim 1,
The second and fourth extension electrode parts are spaced apart at a second interval,
The second distance is greater than the sum of the first width, the second width, and the first distance.

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According to claim 1,
The width of the transparent electrode is 0.9 times to 1 times the first interval,
The light-transmitting electrode has a thickness of 0.5 to 1 times the thickness of at least one extension electrode portion selected from the first to fourth extension electrode portions.

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According to claim 1,
The extension electrode,
And a first connection electrode portion disposed between the pad electrode and the first and second extension electrode portions,
And a second connection electrode part disposed between the pad electrode and the third and fourth extension electrode parts,
The width of the first connection electrode portion is greater than or equal to the sum of the first width, the second width, and the first interval.

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