KR102218719B1 - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

실시 예에 따른 발광소자는, 제1극성의 도펀트로 도핑되는 제1 반도체층, 상기 제1극성과 반대 극성인 제2극성의 도펀트로 도핑되는 제2반도체층 및 상기 제1반도체층과 상기 제2반도체층의 사이에 위치되는 활성층을 포함하고, 상기 제1반도체층은 Si 및 Ge 가 혼합되어 도핑될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment includes a first semiconductor layer doped with a first polarity dopant, a second semiconductor layer doped with a second polarity dopant opposite to the first polarity, and the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. It includes an active layer positioned between the two semiconductor layers, and the first semiconductor layer may be doped by mixing Si and Ge.

Description

발광소자{Light emitting device}Light emitting device

실시 예는 발광소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device.

발광소자의 대표적인 예로, LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.As a representative example of a light emitting device, LED (Light Emitting Diode) is a device that converts an electric signal into infrared, visible light, or light using the characteristics of a compound semiconductor. It is used in automation equipment and the like, and the area of use of LEDs is gradually expanding.

보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.Usually, miniaturized LEDs are made in a surface mount device type to directly mount on a PCB (Printed Circuit Board) substrate, and accordingly, LED lamps used as display devices are also being developed in a surface mount device type. . Such a surface mount device can replace the existing simple lighting lamp, and it is used as a lighting indicator, a character display, and an image display that produce various colors.

이와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 요구되는 휘도가 높이지는 바, LED의 발광휘도를 증가시키는 것이 중요하다.As the area of use of the LED is expanded as described above, the luminance required for a light used in life, a light for a rescue signal, etc. increases, so it is important to increase the luminance of the LED.

반도체층을 성장하는 과정에서 물질간에 서로 다른 격자 상수(lattice constant)로 인해 반도체층 간에 격자 부정합이 발생하는 문제점이 있다.In the process of growing a semiconductor layer, there is a problem in that lattice mismatch occurs between semiconductor layers due to different lattice constants between materials.

특히, Si 기판을 사용하면, 저렴한 대형 실리콘 웨이퍼 상에서 질화갈륨(GaN)을 성장시켜서, 대구경을 만들 수 있고, 비용이 개선되는 장점이 있다.In particular, when a Si substrate is used, gallium nitride (GaN) is grown on an inexpensive large-sized silicon wafer, so that a large diameter can be made, and cost is improved.

그러나 Si 기판을 사용하는 경우, 제1 반도체층(질화갈륨(GaN))과의 큰 격자상수 및 열팽창계수차로 인해 크랙이 발생하는 등 에피 성장이 어렵다는 단점을 가지고 있다. However, in the case of using a Si substrate, there is a disadvantage in that epitaxial growth is difficult, such as cracking due to a large lattice constant and a difference in thermal expansion coefficient with the first semiconductor layer (gallium nitride (GaN)).

또한, 제1 반도체층의 두께가 두꺼워지면 박막 내 인장응력이 점점 증가하게 임계두께 이상으로 되면 결함이 발생하여 특히 역전류 특성에 불리하게 작용하고, 역전류 특성을 좋지 않게 하는 주된 원인으로 작용하는 문제점이 있다.In addition, when the thickness of the first semiconductor layer becomes thick, the tensile stress in the thin film gradually increases, and when the thickness exceeds the critical thickness, defects occur, which is particularly disadvantageous to the reverse current characteristic and acts as the main cause of deteriorating the reverse current characteristic. There is a problem.

또한, 제1 반도체층이 GaN 이고, GaN에 n형 도펀트로 Si가 도핑되는 경우, Si과 GaN의 격자 상수 및 열팽창 계수의 차이로 인하여 두꺼운 두께를 실현하기 어려운 문제점이 존재한다. 또한, Si 도핑농도가 증가할 수록 인장 응력이 증가되어 도핑 농도를 증가시키는 것이 발광구조물의 품질을 저하시키는 문제점이 존재한다.
In addition, when the first semiconductor layer is GaN and Si is doped with an n-type dopant in GaN, there is a problem in that it is difficult to realize a thick thickness due to differences in lattice constants and thermal expansion coefficients of Si and GaN. In addition, as the Si doping concentration increases, the tensile stress increases, so that increasing the doping concentration decreases the quality of the light emitting structure.

실시 예는 제1반도체층에서 발생하는 스트레인을 완화하고, 발광구조물의 품질을 향상키는 발광소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device that relieves strain generated in a first semiconductor layer and improves the quality of a light emitting structure.

실시 예에 따른 발광소자는, 제1극성의 도펀트로 도핑되는 제1 반도체층, 상기 제1극성과 반대 극성인 제2극성의 도펀트로 도핑되는 제2반도체층 및 상기 제1반도체층과 상기 제2반도체층의 사이에 위치되는 활성층을 포함하고, 상기 제1반도체층은 Si 및 Ge 가 혼합되어 도핑될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment includes a first semiconductor layer doped with a first polarity dopant, a second semiconductor layer doped with a second polarity dopant opposite to the first polarity, and the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. It includes an active layer positioned between the two semiconductor layers, and the first semiconductor layer may be doped by mixing Si and Ge.

실시예에 따르면, 제1 반도체층에 Si 만 도핑하였을 경우 인장응력의 증가되는 데, 제1 반도체층에 Si 및 Ge 가 혼합되어 도핑되면, Si에 의해 증가되는 인장응력을 Ge가 완화할 수 있고, 제1 반도체층에 Ge만 도핑하였을 경우 화학 결합 불안정 문제를 해결할 수 있다. According to the embodiment, when only Si is doped in the first semiconductor layer, the tensile stress is increased.If Si and Ge are mixed in the first semiconductor layer and doped, Ge can alleviate the tensile stress increased by Si. If only Ge is doped in the first semiconductor layer, the chemical bond instability problem can be solved.

또한, 제1 반도체층에 Si 및 Ge 가 혼합되어 도핑되면, GaN의 탄성마진을 늘리고, Si에 의해 증가된 인장응력을 감소시켜서, 발광구조물에 형성되는 크랙을 방지할 수 있고, 두꺼운 제1 반도체층을 형성하는 이점이 존재한다.In addition, when Si and Ge are mixed and doped in the first semiconductor layer, the elastic margin of GaN is increased and the tensile stress increased by Si is reduced, thereby preventing cracks formed in the light emitting structure, and the thick first semiconductor There is an advantage of forming a layer.

실시예에 따르면, 응력 제어층은 물질간에 서로 다른 격자 상수(lattice constant)로 인해 제1 반도체층과 활성층 사이에서 발생하는 스트레인을 완화시키는 이점이 있다.According to the embodiment, the stress control layer has an advantage of mitigating the strain generated between the first semiconductor layer and the active layer due to different lattice constants between materials.

또한, 실시예는 압축 스트레스를 가지는 제1층과, 인장 스트레스를 가지는 제2층을 통해서 활성층의 결함을 방지할 수 있고, 역전류(Vr) 특성을 개선할 수 있는 효과를 가진다.
In addition, the embodiment has an effect of preventing defects in the active layer through the first layer having compressive stress and the second layer having tensile stress, and improving reverse current (Vr) characteristics.

도 1은 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도,
도 2는 도 1의 Ⅰ - Ⅰ 선울 취한 발광소자의 단면도,
도 3는 도 2의 발광소자의 A부분 확대 단면도,
도 4은 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도,
도 5은 실시예에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 단면도,
도 6는 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 표시장치의 분해 사시도이다.
도 7은 도 6의 표시장치의 단면도이다.
도 8은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다.1 is a plan view showing a light emitting device according to an embodiment;
FIG. 2 is a cross-sectional view of a light emitting device taken along lines Ⅰ-Ⅰ of FIG. 1;
3 is an enlarged cross-sectional view of part A of the light emitting device of FIG. 2;
4 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to another embodiment;
5 is a cross-sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment;
6 is an exploded perspective view of a display device including a light emitting device according to an exemplary embodiment.
7 is a cross-sectional view of the display device of FIG. 6.
8 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting device according to an embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments make the disclosure of the present invention complete, and are common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the scope of the invention to those who have, and the invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
Spatially relative terms "below", "beneath", "lower", "above", "upper", etc., as shown in the figure It may be used to easily describe the correlation between the device or components and other devices or components. Spatially relative terms should be understood as terms including different directions of the device during use or operation in addition to the directions shown in the drawings. For example, if an element shown in the figure is turned over, an element described as “below” or “beneath” of another element may be placed “above” another element. Accordingly, the exemplary term “below” may include both directions below and above. The device may be oriented in other directions, and thus spatially relative terms may be interpreted according to the orientation.

도 1은 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도, 도 2는 도 1의 Ⅰ - Ⅰ 선울 취한 발광소자의 단면도, 도 3는 도 2의 발광소자의 A부분 확대 단면도이다.1 is a plan view showing a light emitting device according to an exemplary embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device taken along the lines I-I of FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of part A of the light emitting device of FIG.

도 1을 참조하면, 실시예의 따른 발광소자(100)는 제1 반도체층(120), 제1 반도체층(120) 상에 활성층(130) 및 활성층(130) 상에 제2 반도체층(150)을 포함하는 발광구조물(160)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a light emitting device 100 according to an embodiment includes a first semiconductor layer 120, an active layer 130 on the first semiconductor layer 120, and a second semiconductor layer 150 on the active layer 130. It may include a light emitting structure 160 including.

또한, 실시예의 따른 발광소자(100)는 제1 반도체층(120)의 아래에 기판(110)과 활성층(130)과 제1 반도체층(120)의 사이에 응력 제어층(140)을 더 포함할 수 있다.Further, the light emitting device 100 according to the embodiment further includes a stress control layer 140 under the first semiconductor layer 120 and between the substrate 110 and the active layer 130 and the first semiconductor layer 120 can do.

기판(110)은 광 투과적 성질을 가지는 재질, 예를 들어 사파이어(Al2O3), GaN, ZnO, AlO 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. The substrate 110 may be formed of a material having a light-transmitting property, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), GaN, ZnO, or AlO, but is not limited thereto.

또한, 기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하여 예를 들어, 사파이어(Al2O3) 기판에 비해 열전도성이 큰 SiC 기판 또는 Si, GaAs, GaP, InP, Ga2O3 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.Further, the substrate 110 may be formed of a material suitable for growth of semiconductor materials, a carrier wafer. It can be formed of a material having excellent thermal conductivity, including a conductive substrate or an insulating substrate, for example, a SiC substrate having a higher thermal conductivity than a sapphire (Al 2 O 3 ) substrate, or Si, GaAs, GaP, InP, Ga 2 At least one of O 3 may be used.

바람직하게는 기판(110)은 Si(실리콘)를 포함할 수 있다. Si 기판을 사용하면, 저렴한 대형 실리콘 웨이퍼 상에서 질화갈륨(GaN)을 성장시키는 기술을 이용하면 최신 반도체 제조에도 적용이 가능할 뿐만 아니라 현재 이용되고 있는 방식보다 비용 측면에서 75% 가량 개선이 가능하다. Si 기판은 대구경으로 갈수록 가격과 품질면에서 사파이어 기판 대비 월등한 경쟁력을 가질 수 있다.Preferably, the substrate 110 may include Si (silicon). Using a Si substrate, a technology for growing gallium nitride (GaN) on an inexpensive large-sized silicon wafer can be applied to the latest semiconductor manufacturing as well as a 75% improvement in cost compared to the currently used method. Si substrates can have superior competitiveness compared to sapphire substrates in terms of price and quality as they become larger in diameter.

기판(110)의 굴절률은 광 추출 효율을 위해 제1 반도체층(120)의 굴절률보다 작은 것이 바람직하다.It is preferable that the refractive index of the substrate 110 is smaller than the refractive index of the first semiconductor layer 120 for light extraction efficiency.

한편, 기판(110)의 상측 면에는 광 추출 효율을 높이기 위해 PSS(PSS : Patterned SubStrate) 구조가 마련될 수 있다. 본 명세서에서 언급되는 기판 (110)는 PSS 구조를 가지거나, 또는 가지지 않을 수 있다.Meanwhile, a PSS (Patterned SubStrate) structure may be provided on the upper surface of the substrate 110 to increase light extraction efficiency. The substrate 110 referred to herein may or may not have a PSS structure.

한편, 기판(110) 상에는 기판(110)과 제1 반도체층(120) 사이의 격자 부정합을 완화하고 반도체층이 용이하게 성장될 수 있도록 하는 버퍼층(115)이 위치할 수 있다. 버퍼층(115)은 저온 분위기에서 형성할 수 있으며, 반도체층과 기판(110)과의 격자상수 차이를 완화시켜 줄 수 있는 물질로 이루어 질 수 있다. 예를 들어, GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, 및 InAlGaN 과 같은 재질 중 선택할 수 있으며 이에 한정되지 않는다. Meanwhile, a buffer layer 115 may be positioned on the substrate 110 to relieve lattice mismatch between the substrate 110 and the first semiconductor layer 120 and allow the semiconductor layer to be easily grown. The buffer layer 115 may be formed in a low temperature atmosphere, and may be made of a material capable of reducing a difference in lattice constants between the semiconductor layer and the substrate 110. For example, materials such as GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, and InAlGaN may be selected, but are not limited thereto.

버퍼층(115)은 기판(110)상에 단결정으로 성장할 수 있으며, 단결정으로 성장한 버퍼층(115)은 버퍼층(115)상에 성장하는 제1 반도체층(120)의 결정성을 향상시킬 수 있다.The buffer layer 115 may be grown as a single crystal on the substrate 110, and the buffer layer 115 grown as a single crystal may improve crystallinity of the first semiconductor layer 120 grown on the buffer layer 115.

버퍼층(115) 상에는 언도프트 반도체층(미도시)이 위치할 수 있다. 언도프트 반도체층은 의도적으로 n형 불순물을 주입하지는 않았으나, n형의 전도 특성을 가질 수 있는 질화물 반도체층이며, 예를 들어, 언도프트 반도체층은 Undoped-GaN으로 형성될 수도 있다.An undoped semiconductor layer (not shown) may be positioned on the buffer layer 115. The undoped semiconductor layer is a nitride semiconductor layer capable of having n-type conduction characteristics, although n-type impurities are not intentionally implanted. For example, the undoped semiconductor layer may be formed of undoped-GaN.

버퍼층(115) 또는 기판(110) 상에는 제1 반도체층(120)이 위치할 수 있다. 제1 반도체층(120)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 활성층(130)에 전자를 제공할 수 있다. 제1 반도체층(120)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 제1극성의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 120 may be positioned on the buffer layer 115 or the substrate 110. The first semiconductor layer 120 may be implemented as an n-type semiconductor layer, and may provide electrons to the active layer 130. The first semiconductor layer 120 is, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), for example For example, it may be selected from GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, and the like, and an n-type dopant having a first polarity such as Si, Ge, and Sn may be doped.

제1 반도체층(120)의 두께는 발광소자(100)의 효율을 위해 1 um 내지 4 um 를 가지는 것이 바람직하다.It is preferable that the first semiconductor layer 120 has a thickness of 1 um to 4 um for the efficiency of the light emitting device 100.

그러나, 제1 반도체층(120)이 GaN 이고, GaN에 n형 도펀트로 Si가 도핑되는 경우, Si과 GaN의 격자 상수 및 열팽창 계수의 차이로 인하여 두꺼운 두께를 실현하기 어려운 문제점이 존재한다. However, when the first semiconductor layer 120 is made of GaN and Si is doped with an n-type dopant in GaN, there is a problem in that it is difficult to realize a thick thickness due to differences in lattice constants and thermal expansion coefficients of Si and GaN.

또한, Si 도핑농도가 증가할 수록 인장 응력이 증가되어 도핑 농도를 증가시키는 것이 발광구조물의 품질을 저하시키는 문제점이 존재한다. 또한, 제1 반도체층(120)에 Ge 만 도핑되는 경우, 화학 결합 불안정 문제로 인한 발광소자(100) 품질이 저하되는 문제점이 존재한다.In addition, as the Si doping concentration increases, the tensile stress increases, so that increasing the doping concentration decreases the quality of the light emitting structure. In addition, when only Ge is doped in the first semiconductor layer 120, there is a problem in that the quality of the light emitting device 100 is deteriorated due to a chemical bond instability problem.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 제1 반도체층(120)은 Si 및 Ge 가 혼합되어 도핑될 수 있다. In order to solve this problem, the first semiconductor layer 120 may be doped by mixing Si and Ge.

제1 반도체층(120)에 Si 만 도핑하였을 경우 인장응력의 증가되는 데, 제1 반도체층(120)에 Si 및 Ge 가 혼합되어 도핑되면, Si에 의해 증가되는 인장응력을 Ge가 완화할 수 있고, 제1 반도체층(120)에 Ge만 도핑하였을 경우 화학 결합 불안정 문제를 해결할 수 있다. When only Si is doped in the first semiconductor layer 120, the tensile stress increases. When Si and Ge are mixed and doped in the first semiconductor layer 120, Ge can alleviate the tensile stress increased by Si. In addition, when only Ge is doped in the first semiconductor layer 120, the chemical bond instability problem can be solved.

또한, 제1 반도체층(120)에 Si 및 Ge 가 혼합되어 도핑되면, GaN의 탄성마진을 늘리고, Si에 의해 증가된 인장응력을 감소시켜서, 발광구조물에 형성되는 크랙을 방지할 수 있고, 두꺼운 제1 반도체층(120)을 형성하는 이점이 존재한다.In addition, when Si and Ge are mixed and doped in the first semiconductor layer 120, the elastic margin of GaN is increased and the tensile stress increased by Si is reduced, thereby preventing cracks formed in the light emitting structure, and There is an advantage of forming the first semiconductor layer 120.

예를 들면, 제1 반도체층(120)의 Ge의 도핑농도는 제1 반도체층(120)의 Si의 도핑농도 대비 15% 내지 25%인 것이 바람직하다. 제1 반도체층(120)의 Ge의 도핑농도가 15% 보다 작은 경우, Si 도핑에 의해 인장응력을 효과적을 줄일 수 없고, 제1 반도체층(120)의 Ge의 도핑농도가 25% 보다 큰 경우, Ge의 과도핑에 의해 발광구조물의 품질이 저하되기 때문이다.For example, the doping concentration of Ge in the first semiconductor layer 120 is preferably 15% to 25% of the doping concentration of Si in the first semiconductor layer 120. When the Ge doping concentration of the first semiconductor layer 120 is less than 15%, the tensile stress cannot be effectively reduced by Si doping, and the Ge doping concentration of the first semiconductor layer 120 is greater than 25% , This is because the quality of the light emitting structure is deteriorated due to the over-doping of Ge.

구체적으로, 제1 반도체층(120)의 Si의 도핑농도는 5~7×1018 /cm3 일 수 있다.Specifically, the Si doping concentration of the first semiconductor layer 120 may be 5 to 7×10 18 /cm3.

또한, 제1 반도체층(120)의 Ge의 도핑농도는 0.75~1.75×1018 /cm3 일 수 있다.In addition, the doping concentration of Ge in the first semiconductor layer 120 may be 0.75 to 1.75×10 18 /cm3.

제1 반도체층(120) 상에는 활성층(130)이 형성될 수 있다. 활성층(130)은 제1 반도체층(120)과 제2 반도체층(150) 사이에 위치될 수 있다.An active layer 130 may be formed on the first semiconductor layer 120. The active layer 130 may be positioned between the first semiconductor layer 120 and the second semiconductor layer 150.

또한, 활성층(130)과 제1 반도체층(120)의 사이에는 응력 제어층(140)이 위치될 수 있다. 응력 제어층(140)에 대한 설명은 후술하도록 한다.In addition, a stress control layer 140 may be positioned between the active layer 130 and the first semiconductor layer 120. A description of the stress control layer 140 will be described later.

활성층(130)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.The active layer 130 may be formed of a single or multiple quantum well structure, a quantum-wire structure, a quantum dot structure, or the like using a compound semiconductor material of a group 3-5 element.

활성층(130)이 양자우물구조로 형성된 경우 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1-a-bN (0≤a≤1, 0 ≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 다중 양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.When the active layer 130 is formed in a quantum well structure, for example, a well layer having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0≦x+y≦1) and In a Al b Ga 1-ab N (0≦a≦ 1 , 0≦b≦ 1 , 0≦a+b≦1) may have a single or multiple quantum well structure having a barrier layer having a composition formula. The well layer may be formed of a material having a band gap smaller than the band gap of the barrier layer.

활성층(130)의 위 또는/및 아래에는 도전성 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전성 클래드층(미도시)은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 활성층(130)의 밴드 갭보다는 큰 밴드 갭을 가질 수 있다.A conductive cladding layer (not shown) may be formed above or/and below the active layer 130. The conductive cladding layer (not shown) may be formed of an AlGaN-based semiconductor, and may have a larger band gap than that of the active layer 130.

활성층(130) 상에는 제2 반도체층(150)이 위치된다. A second semiconductor layer 150 is positioned on the active layer 130.

제2 반도체층(150)은 활성층(130)에 정공을 주입하도록 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제2 반도체층(150)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 제1극성과 반대 극성의 제2극성을 가지는 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 150 may be implemented as a p-type semiconductor layer to inject holes into the active layer 130. The second semiconductor layer 150 is, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), for example For example, it can be selected from GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, etc., and a p-type dopant having a second polarity opposite to the first polarity such as Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, etc. I can.

한편, 활성층(130)과 제2 반도체층(150) 사이에 전자 차단층(155)이 형성될 수 있으며, 전자 차단층(155)은 고 전류 인가 시 제1 반도체층(120)으로부터 활성층(130)으로 주입되는 전자가 활성층(130)에서 재결합되지 않고, 제2 반도체층(150)으로 흐르는 현상을 방지할 수 있다. Meanwhile, an electron blocking layer 155 may be formed between the active layer 130 and the second semiconductor layer 150, and the electron blocking layer 155 is formed from the first semiconductor layer 120 when a high current is applied. A phenomenon that electrons injected into) are not recombined in the active layer 130 and flow to the second semiconductor layer 150 may be prevented.

전자 차단층(155)은 활성층(130)보다 상대적으로 큰 밴드갭을 가짐으로써, 제1 반도체층(130)으로부터 주입된 전자가 활성층(130)에서 재결합되지 않고 제2 반도체층(150)으로 주입되는 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라 활성층(140)에서 전자와 정공의 재결합 확률을 높이고 누설전류를 방지할 수 있다.Since the electron blocking layer 155 has a relatively larger band gap than the active layer 130, electrons injected from the first semiconductor layer 130 are not recombined in the active layer 130 and are injected into the second semiconductor layer 150. It can prevent the phenomenon. Accordingly, it is possible to increase the probability of recombination of electrons and holes in the active layer 140 and prevent leakage current.

한편, 상술한 전자 차단층(155)은 활성층(130)에 포함된 장벽층의 밴드갭보다 큰 밴드갭을 가질 수 있으며, p 형 AlGaN 과 같은 Al 을 포함한 반도체층으로 형성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.Meanwhile, the above-described electron blocking layer 155 may have a band gap larger than that of the barrier layer included in the active layer 130, and may be formed of a semiconductor layer including Al such as p-type AlGaN, and is limited thereto. I don't.

상술한 제1 반도체층(120), 활성층(130), 응력 제어층(140) 및 제2 반도체층(150)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy), 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first semiconductor layer 120, the active layer 130, the stress control layer 140, and the second semiconductor layer 150 described above are, for example, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and chemical vapor deposition. (CVD; Chemical Vapor Deposition), Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), Sputtering ), and the like, but is not limited thereto.

또한, 제1 반도체층(120) 및 제2 반도체층(150) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 복수의 반도체층은 다양한 도핑 농도 분포를 갖도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Also, the doping concentration of the conductive dopant in the first and second semiconductor layers 120 and 150 may be formed uniformly or non-uniformly. That is, the plurality of semiconductor layers may be formed to have various doping concentration distributions, but the embodiment is not limited thereto.

또한, 제1 반도체층(120)이 p형 반도체층으로 구현되고, 제2 반도체층(150)이 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 제2 반도체층(150) 상에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 제3 반도체층(미도시)이 형성될 수도 있다. 이에 따라, 발광 소자(100)는 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. In addition, the first semiconductor layer 120 may be implemented as a p-type semiconductor layer, the second semiconductor layer 150 may be implemented as an n-type semiconductor layer, and on the second semiconductor layer 150, an n-type or p-type semiconductor A third semiconductor layer (not shown) including a layer may be formed. Accordingly, the light emitting device 100 may have at least one of an np, pn, npn, and pnp junction structure.

한편, 활성층(130)과 제2 반도체층(150)은 일부가 제거되어 제1 반도체층(120)의 일부가 노출될 수 있고, 노출된 제1 반도체층(120) 상에는 제1 전극(174)이 형성될 수 있다. 즉, 제1 반도체층(120)은 활성층(130)을 향하는 상면과 기판(110)을 향하는 하면을 포함하고, 상면은 적어도 일 영역이 노출된 영역을 포함하며, 제1 전극(174)은 상면의 노출된 영역 상에 배치될 수 있다.Meanwhile, a part of the active layer 130 and the second semiconductor layer 150 may be removed to expose a part of the first semiconductor layer 120, and the first electrode 174 may be formed on the exposed first semiconductor layer 120. Can be formed. That is, the first semiconductor layer 120 includes an upper surface facing the active layer 130 and a lower surface facing the substrate 110, the upper surface includes an exposed area at least one area, and the first electrode 174 is an upper surface It can be disposed on the exposed area of the.

한편, 제1 반도체층(120)의 일부가 노출되게 하는 방법은 소정의 식각 방법을 사용할 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 또한, 식각방법은 습식 식각, 건식 식각방법을 사용할 수 있다.Meanwhile, a method of exposing a part of the first semiconductor layer 120 may use a predetermined etching method, but is not limited thereto. In addition, the etching method may be a wet etching method or a dry etching method.

제2 반도체층(150) 상에는 투광성 전극층(180)이 형성될 수 있다. 투광성 전극층(170)은 제2 반도체층(150)에 전류를 균일하게 확산(spreading)하는 역할을 수행한다.A translucent electrode layer 180 may be formed on the second semiconductor layer 150. The light-transmitting electrode layer 170 serves to uniformly spread current through the second semiconductor layer 150.

투광성 전극층(180)은 예를 들어, ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이를 한정하지는 않는다.The translucent electrode layer 180 is, for example, ITO, IZO (In-ZnO), GZO (Ga-ZnO), AZO (Al-ZnO), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), IrOx , RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and at least one of Ni/IrOx/Au/ITO may be included, but is not limited thereto.

또한, 투광성 전극층(180) 상에는 제2 전극(172)이 형성될 수 있다.In addition, a second electrode 172 may be formed on the translucent electrode layer 180.

한편, 제1 및 2 전극(172, 174)은 전도성 물질, 예를 들어 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 Ti 중에서 선택된 금속을 포함할 수 있으며, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며 이에 한정하지 아니한다.
Meanwhile, the first and second electrodes 172 and 174 are conductive materials such as In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W , Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, and may include a metal selected from Ti, or may include an alloy thereof, may be formed in a single layer or multi-layer, but is not limited thereto. .

다시 도 2 및 도 3를 참조하면, 응력 제어층(140)은 제1 반도체층(120)과 활성층(130)의 사이에 위치되어서, 제1 반도체층(120)에서 발생되는 응력을 제어하게 된다.Referring back to FIGS. 2 and 3, the stress control layer 140 is positioned between the first semiconductor layer 120 and the active layer 130 to control the stress generated in the first semiconductor layer 120. .

응력 제어층(140)은 압축 스트레스(compressive stress)를 가지는 복수의 제1층(141)과, GaN을 포함하여 인장 스트레스(tensile stress)를 가지는 복수의 제2층(143)이 서로 교번적으로 반복 적층되어 형성될 수 있다.The stress control layer 140 includes a plurality of first layers 141 having a compressive stress and a plurality of second layers 143 having a tensile stress including GaN. It can be formed by repeatedly stacking.

구체적으로, 응력 제어층(140)은 4개 내지 16개의 제1층(141)과 4개 내지 16개의 제2층(143)이 서로 교대로 반복 적층되는 구조를 가질 수 있다. 다만, 제1층(141)과 제2층(143)의 개수는 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 개수를 가질 수 있다.Specifically, the stress control layer 140 may have a structure in which 4 to 16 first layers 141 and 4 to 16 second layers 143 are alternately and repeatedly stacked with each other. However, the number of the first layer 141 and the second layer 143 is not limited thereto, and may have various numbers.

Si 기판을 사용하는 경우, 제1 반도체층(120)(질화갈륨(GaN))과의 큰 격자상수 및 열팽창계수차로 인해 크랙이 발생하는 등 에피 성장이 어렵다는 단점을 가지고 있다. 또한, 제1 반도체층(120)의 두께가 두꺼워지면 박막 내 인장응력이 점점 증가하게 임계두께 이상으로 되면 결함이 발생하여 특히 역전류 특성에 불리하게 작용한다. 특히 제1 반도체층(120)의 활성층(130)에 인접한 부위에 결함이 발생하면 발광하는 활성층(130)으로 연결되며 활성층(130)의 미세 결함 또한 역전류 특성을 좋지 않게 하는 주된 원인으로 작용한다.In the case of using the Si substrate, there is a disadvantage in that epi-growth is difficult, such as cracks due to a large lattice constant and a difference in thermal expansion coefficient with the first semiconductor layer 120 (gallium nitride (GaN)). In addition, when the thickness of the first semiconductor layer 120 increases, the tensile stress in the thin film gradually increases, and when the thickness exceeds the critical thickness, defects occur, which adversely affects the reverse current characteristic. In particular, when a defect occurs in a portion adjacent to the active layer 130 of the first semiconductor layer 120, it is connected to the active layer 130 to emit light, and a minute defect of the active layer 130 also serves as a main cause of deteriorating the reverse current characteristic. .

따라서, 실시예는 압축 스트레스를 가지는 제1층(141)과, 인장 스트레스를 가지는 제2층(143)을 통해서 격자 부정합을 완화하고, 활성층(130)의 결함을 방지할 수 있고, 역전류(Vr) 특성을 개선할 수 있는 효과를 가진다.Accordingly, in the embodiment, lattice mismatch can be alleviated through the first layer 141 having compressive stress and the second layer 143 having tensile stress, and defects of the active layer 130 can be prevented, and reverse current ( Vr) has the effect of improving the characteristics.

응력 제어층(140)의 두께는 500nm 내지 2000nm 를 가질 수 있다. 응력 제어층(140)이 2000nm 보다 두꺼운 경우 저항이 커져서 발광소자의 효율이 저하되는 문제점이 잇고, 응력 제어층(140)이 500nm 보다 얇은 경우 제1 반도체층(120)과 활성층(130) 사이의 스트레스를 해소할 수 없는 문제점이 있기 때문이다.The stress control layer 140 may have a thickness of 500 nm to 2000 nm. When the stress control layer 140 is thicker than 2000 nm, the resistance increases and the efficiency of the light emitting device decreases. When the stress control layer 140 is thinner than 500 nm, the first semiconductor layer 120 and the active layer 130 This is because there is a problem that cannot relieve stress.

제1층(141)은 AlGaN 또는 AlN을 포함하여 압축 스트레스(compressive stress)를 가질 수 있다. 제1층(141)은 Si 기판에 GaN 계열의 제1 반도체층(120)을 성장시키는 경우, 제1 반도체층(120)내에 발생되는 인장응력을 감소시키게 된다.The first layer 141 may include AlGaN or AlN to have a compressive stress. The first layer 141 reduces tensile stress generated in the first semiconductor layer 120 when the GaN-based first semiconductor layer 120 is grown on the Si substrate.

제1층(141)의 두께는 1nm 내지 50nm 인 것이 보통이다. 제1층(141)의 두께가 50nm 보다 두꺼운 경우, 제1 반도체층(120)과의 전체적인 응력 차이 때문에 크랙 발생 또한 저항 성분이 커져 전압이 증가하고 소자 품질이 저하되며, 제1층(141)의 두께가 1nm 보다 얇은 경우, 제1층(141)의 기능 자체가 나타나지 않기 때문이다.The thickness of the first layer 141 is usually 1 nm to 50 nm. When the thickness of the first layer 141 is thicker than 50 nm, cracks are generated due to the overall stress difference with the first semiconductor layer 120 and the resistance component increases, resulting in an increase in voltage and a decrease in device quality, and the first layer 141 This is because when the thickness of is less than 1 nm, the function of the first layer 141 itself does not appear.

제1층(141)은 언도프(Undoped)될 수 있다.The first layer 141 may be undoped.

제1층(141)이 AlGaN을 포함하면, AlGaN층은 Al원소의 크기가 작기 때문에 좀 더 치밀한 구조를 가져서, 활성층(130) 성장 전 더 치밀한 에피 구조를 만들어서, 결함을 활성층(130) 성장 전 막아줄 수 있다. 결과적으로, 활성층(130) 품질과도 직결되어 활성층(130)의 결함밀도를 최소화하여 내부양자효율 및 발광소자의 효율을 증대시킬 수 있다.When the first layer 141 contains AlGaN, the AlGaN layer has a more dense structure because the size of the Al element is small, and thus a more dense epitaxial structure is formed before the active layer 130 is grown, and defects are prevented before the active layer 130 is grown. Can be prevented. As a result, it is directly connected to the quality of the active layer 130, thereby minimizing the defect density of the active layer 130, thereby increasing the internal quantum efficiency and the efficiency of the light emitting device.

바람직하게는, 제1층(141)의 Al 조성은 0.1 % 내지 30% 일 수 있다. 제1층(141)의 Al 조성 0.1 % 보다 작은 경우, 압축 스트레스를 형성할 수 없고, 제1층(141)의 Al 조성이 30% 보다 큰 경우, 밴드 갭 에너지가 커져서 발광소자의 효율이 저하되는 문제점이 있기 때문이다.Preferably, the Al composition of the first layer 141 may be 0.1% to 30%. When the Al composition of the first layer 141 is less than 0.1%, compressive stress cannot be formed, and when the Al composition of the first layer 141 is greater than 30%, the band gap energy increases and the efficiency of the light emitting device decreases. This is because there is a problem.

제1층(141) 들의 Al 조성은 응력 제어층(140) 내에서 활성층(130)에 인접할 수록 작을 수 있다. 복수의 제1층(141) 들의 Al 조성은 제1 반도체층(120)에서 활성층(130)으로 진행할수록 작아질 수 있다. The Al composition of the first layers 141 may be smaller as the stress control layer 140 is adjacent to the active layer 130. The Al composition of the plurality of first layers 141 may decrease as the first semiconductor layer 120 proceeds to the active layer 130.

격자가 작은 AlGaN과 격자가 큰 활성층(130) 과의 급격간 격자의 차이를 줄이기 위함이다.This is to reduce the difference between the lattice of AlGaN having a small lattice and the active layer 130 having a large lattice.

복수의 제2층(143)은 GaN을 포함하여 인장 스트레스(tensile stress)를 가질 수 있다. 복수의 제2층(143)은 제1층(141) 들 사이에 배치되어서, 제1층(141)에서 발생되는 압축 스트레스를 완화하고, 제1층(141)에서 증가된 저항성분을 줄이게 된다.The plurality of second layers 143 may include GaN and may have tensile stress. The plurality of second layers 143 are disposed between the first layers 141 to relieve compressive stress generated in the first layer 141 and reduce the resistance component increased in the first layer 141 .

기판(110)과 제1 반도체층(120)의 사이에 발생되는 응력을 줄이기 위한 응력 제어층(140)의 경우, 발광구조물의 저항을 줄이기 위해 도핑의 필요성이 존재하며, 도핑되는 경우, 인장응력이 증가되거나 발광구조물의 품질이 저하되는 문제점이 존재한다.In the case of the stress control layer 140 to reduce the stress generated between the substrate 110 and the first semiconductor layer 120, there is a need for doping to reduce the resistance of the light emitting structure, and when doped, tensile stress There is a problem that this increases or the quality of the light emitting structure is deteriorated.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 제2층(143)은 Si 및 Ge 가 혼합되어 도핑될 수 있다. In order to solve this problem, the second layer 143 may be doped by mixing Si and Ge.

제2층(143)에 Si 만 도핑하였을 경우 인장응력의 증가되는 데, 제2층(143)에 Si 및 Ge 가 혼합되어 도핑되면, Si에 의해 증가되는 인장응력을 Ge가 완화할 수 있고, 제2층(143)에 Ge만 도핑하였을 경우 화학 결합 불안정 문제를 해결할 수 있다. When only Si is doped in the second layer 143, the tensile stress is increased.If Si and Ge are mixed and doped in the second layer 143, Ge can alleviate the tensile stress increased by Si, When only Ge is doped in the second layer 143, the problem of chemical bond instability can be solved.

또한, 제2층(143)에 Si 및 Ge 가 혼합되어 도핑되면, GaN의 탄성마진을 늘리고, Si에 의해 증가된 인장응력을 감소시켜서, 발광구조물에 형성되는 크랙을 방지할 수 있다.In addition, when Si and Ge are mixed and doped in the second layer 143, the elastic margin of GaN is increased and the tensile stress increased by Si is reduced, thereby preventing cracks formed in the light emitting structure.

예를 들면, 제2층(143)의 Ge의 도핑농도는 제2층(143)의 Si의 도핑농도 대비 15% 내지 25%인 것이 바람직하다. 제2층(143)의 Ge의 도핑농도가 15% 보다 작은 경우, Si 도핑에 의해 인장응력을 효과적을 줄일 수 없고, 제2층(143)의 Ge의 도핑농도가 25% 보다 큰 경우, Ge의 과도핑에 의해 발광구조물의 품질이 저하되기 때문이다.For example, the doping concentration of Ge in the second layer 143 is preferably 15% to 25% compared to the doping concentration of Si in the second layer 143. When the doping concentration of Ge in the second layer 143 is less than 15%, the tensile stress cannot be effectively reduced by doping with Si, and when the doping concentration of Ge in the second layer 143 is greater than 25%, Ge This is because the quality of the light emitting structure is deteriorated due to over-doping of.

구체적으로, 제2층(143)의 Si의 도핑농도는 5~7×1018 /cm3 일 수 있다.Specifically, the doping concentration of Si in the second layer 143 may be 5 to 7×10 18 /cm3.

또한, 제2층(143)의 Ge의 도핑농도는 0.75~1.75 ×1018 /cm3 일 수 있다.In addition, the doping concentration of Ge in the second layer 143 may be 0.75 to 1.75 × 10 18 /cm3.

바람직하게는, 제2층(143) 들의 Si 및 Ge의 도핑농도는, 응력 제어층(140) 내에서 활성층(130)에 인접할 수록 클 수 있다. 즉, 복수의 제2층(143) 들의 Si 및 Ge의 도핑농도는 제1 반도체층(120)에서 활성층(130)으로 진행할 수록 점진적으로 증가할 수 있다.Preferably, the doping concentration of Si and Ge in the second layers 143 may be greater as the stress control layer 140 is adjacent to the active layer 130. That is, the doping concentrations of Si and Ge of the plurality of second layers 143 may gradually increase as the first semiconductor layer 120 proceeds to the active layer 130.

제1 반도체층(120)과 활성층(130) 사이의 도핑농도에 차이가 있는데, 응력 제어층(140)이 도핑농도를 급격하게 변화시키지 않고, 점진적으로 변화시키므로 인해, 활성층(130)의 품질을 개선할 수 있다.There is a difference in the doping concentration between the first semiconductor layer 120 and the active layer 130, but since the stress control layer 140 does not rapidly change the doping concentration but gradually changes, the quality of the active layer 130 is improved. It can be improved.

제2층(143)의 두께는 1nm 내지 50nm 인 것이 보통이다. 제2층(143)의 두께가 50nm 보다 두꺼운 경우, 인장 응력이 커져서 제1 반도체층(120)과 활성층(130)의 품질이 저하되고, 제2층(143)의 두께가 1nm 보다 얇은 경우, 제2층(143)의 기능 자체가 나타나지 않고, 제1층(141)의 저항성분이 너무 커져서 발광소자의 품질을 저하하기 때문이다.The thickness of the second layer 143 is usually 1 nm to 50 nm. When the thickness of the second layer 143 is thicker than 50 nm, the tensile stress increases and the quality of the first semiconductor layer 120 and the active layer 130 deteriorates, and when the thickness of the second layer 143 is less than 1 nm, This is because the function of the second layer 143 itself does not appear, and the resistance component of the first layer 141 becomes too large to degrade the quality of the light emitting device.

응력 제어층(140)은 발광구조물(160)에서 발생하는 스트레인(strain)을 완화하도록 초 격자(supper lattice) 구조를 가질 수 있다.The stress control layer 140 may have a super lattice structure to alleviate the strain generated in the light emitting structure 160.

즉, 응력 제어층(140)은 물질간에 서로 다른 격자 상수(lattice constant)로 인해 제1 반도체층(120)과 활성층(130) 사이에서 발생하는 스트레인을 완화시킨다.
That is, the stress control layer 140 relieves strain generated between the first semiconductor layer 120 and the active layer 130 due to different lattice constants between materials.

도 4은 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다. 4 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to another embodiment.

도 4을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(200)는 지지부재(210), 지지부재(210) 상에 배치되는 제1 전극층(215), 제1 전극층(215) 상에 제2 반도체층(150), 제2 반도체층(150) 상에 활성층(130), 활성층(130) 상에 응력 제어층(140), 응력 제어층(140) 상에 제1 반도체층(120), 및 제2 전극층(282)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the light emitting device 200 according to the embodiment includes a support member 210, a first electrode layer 215 disposed on the support member 210, and a second semiconductor layer on the first electrode layer 215. 150, the active layer 130 on the second semiconductor layer 150, the stress control layer 140 on the active layer 130, the first semiconductor layer 120 on the stress control layer 140, and the second An electrode layer 282 may be included.

지지부재(210)는 열전도성이 우수한 물질을 이용하여 형성할 수 있으며, 또한 전도성 물질로 형성할 수 있는데, 금속 물질 또는 전도성 세라믹을 이용하여 형성할 수 있다. 지지부재(210)는 단일층으로 형성될 수 있고, 이중 구조 또는 그 이상의 다중 구조로 형성될 수 있다.The support member 210 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may be formed of a conductive material, and may be formed of a metal material or a conductive ceramic. The support member 210 may be formed as a single layer, and may be formed in a double structure or a multiple structure.

즉, 지지부재(210)는 금속, 예를 들어 Au, Ni, W, Mo, Cu, Al, Ta, Ag, Pt, Cr중에서 선택된 어느 하나로 형성하거나 둘 이상의 합금으로 형성할 수 있으며, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다. 또한 지지부재(210)는 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN, Ga2O3 와 같은 캐리어 웨이퍼로 구현될 수 있다.That is, the support member 210 may be formed of any one selected from metal, for example, Au, Ni, W, Mo, Cu, Al, Ta, Ag, Pt, Cr, or may be formed of two or more alloys. It can be formed by laminating the above materials. In addition, the support member 210 may be implemented as a carrier wafer such as Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN, Ga 2 O 3 .

이와 같은 지지부재(210)는 발광소자(200)에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 발광소자(200)의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.Such a support member 210 facilitates the release of heat generated from the light emitting device 200 to improve thermal stability of the light emitting device 200.

한편, 지지부재(210) 상에는 제1 전극층(215)이 형성될 수 있으며, 제1 전극층(215)은 오믹층(ohmic layer)(미도시), 반사층(reflective layer)(미도시), 본딩층(bonding layer)(미도시) 중 적어도 한 층을 포함할 수 있다. 예를 들어 제1 전극층(215)은 오믹층/반사층/본딩층의 구조이거나, 오믹층/반사층의 적층 구조이거나, 반사층(오믹 포함)/본딩층의 구조일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예컨대, 제1 전극층(215)은 절연층상에 반사층 및 오믹층이 순차로 적층된 형태일 수 있다.Meanwhile, a first electrode layer 215 may be formed on the support member 210, and the first electrode layer 215 is an ohmic layer (not shown), a reflective layer (not shown), and a bonding layer. It may include at least one layer of (bonding layer) (not shown). For example, the first electrode layer 215 may have a structure of an ohmic layer/reflective layer/bonding layer, a stacked structure of an ohmic layer/reflective layer, or a reflective layer (including ohmic)/bonding layer, but is not limited thereto. For example, the first electrode layer 215 may have a form in which a reflective layer and an ohmic layer are sequentially stacked on an insulating layer.

반사층(미도시)은 오믹층(미도시) 및 절연층(미도시) 사이에 배치될 수 있으며, 반사특성이 우수한 물질, 예를 들어 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성되거나, 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있다. 또한 반사층(미도시)은 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 또한 반사층(미도시)을 발광 구조물(260)(예컨대, 제2 반도체층(150))과 오믹 접촉하는 물질로 형성할 경우, 오믹층(미도시)은 별도로 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective layer (not shown) may be disposed between the ohmic layer (not shown) and the insulating layer (not shown), and a material having excellent reflective properties, for example Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg , Zn, Pt, Au, Hf, and selective combinations thereof, or by using a metal material and a transparent conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, etc. have. In addition, the reflective layer (not shown) may be laminated with IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni, or the like. In addition, when the reflective layer (not shown) is formed of a material in ohmic contact with the light emitting structure 260 (eg, the second semiconductor layer 150), the ohmic layer (not shown) may not be separately formed, and is limited thereto. I don't.

오믹층(미도시)은 발광 구조물(260)의 하면에 오믹 접촉되며, 층 또는 복수의 패턴으로 형성될 수 있다. 오믹층(미도시)은 투광성 전극층과 금속이 선택적으로 사용될 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다. 오믹층(미도시)은 제2 반도체층(150)에 캐리어의 주입을 원활히 하기 위한 것으로, 반드시 형성되어야 하는 것은 아니다.The ohmic layer (not shown) is in ohmic contact with the lower surface of the light emitting structure 260 and may be formed as a layer or a plurality of patterns. For the ohmic layer (not shown), a translucent electrode layer and a metal may be selectively used. For example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO). ), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrO x , RuO x , RuO x /ITO, It can be implemented as a single layer or multiple layers using at least one of Ni, Ag, Ni/IrO x /Au, and Ni/IrO x /Au/ITO. The ohmic layer (not shown) is for smoothly injecting carriers into the second semiconductor layer 150 and does not have to be formed.

또한 제1 전극층(215)은 본딩층(미도시)을 포함할 수 있으며, 이때 본딩층(미도시)은 배리어 금속(barrier metal), 또는 본딩 금속, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며 이에 한정하지 않는다.In addition, the first electrode layer 215 may include a bonding layer (not shown), and in this case, the bonding layer (not shown) is a barrier metal, or a bonding metal such as Ti, Au, Sn, Ni , Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, and may include at least one of Ta, but is not limited thereto.

발광 구조물(160)은 적어도 제1 반도체층(120), 활성층(130) 및 제2 반도체층(150)을 포함할 수 있고, 제1 반도체층(120)과 제2 반도체층(150) 사이에 활성층(130)이 게재된 구성으로 이루어질 수 있다. The light emitting structure 160 may include at least a first semiconductor layer 120, an active layer 130 and a second semiconductor layer 150, and between the first semiconductor layer 120 and the second semiconductor layer 150 The active layer 130 may be published.

또한, 발광 구조물(160)은 제1 반도체층(120)과 활성층(130) 사이에 응력 제어층(140)을 더 포함할 수 있다.In addition, the light emitting structure 160 may further include a stress control layer 140 between the first semiconductor layer 120 and the active layer 130.

또한, 발광 구조물(160)은 활성층(130)과 제2 반도체층(150)의 사이에는 전자 차단층(155)이 더 포함될 수 있다.In addition, the light emitting structure 160 may further include an electron blocking layer 155 between the active layer 130 and the second semiconductor layer 150.

상술한 발광 구조물(160)에 대한 설명은 상술한 바와 같다.The description of the above-described light emitting structure 160 is as described above.

제2 전극층(282)은 전도성 물질, 예를 들어 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi 중에서 선택된 금속 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The second electrode layer 282 is a conductive material, such as In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr , Mo, Nb, Al, Ni, Cu, and WTi may be formed in a single layer or multi-layer using a metal or alloy selected from.

발광 구조물(160)의 상부에는 광 추출 구조(284)가 형성될 수 있다.A light extraction structure 284 may be formed on the light emitting structure 160.

광 추출 구조(270)는 제1 반도체층(120)의 상면에 형성되거나, 또는 발광 구조물(160)의 상부에 투광성 전극층(미도시)을 형성한 후 투광성 전극층(미도시)의 상부에 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.The light extraction structure 270 may be formed on the upper surface of the first semiconductor layer 120 or formed on the light-transmitting electrode layer (not shown) after forming a light-transmitting electrode layer (not shown) on the top of the light-emitting structure 160. Can be, but is not limited thereto.

광 추출 구조(284)는 투광성 전극층(미도시), 또는 제1 반도체층(120)의 상부 표면의 일부 또는 전체 영역에 형성될 수 있다. 광 추출 구조(284)는 투광성 전극층(미도시), 또는 제1 반도체층(120)의 상면의 적어도 일 영역에 대해 에칭을 수행함으로써 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 에칭 과정은 습식 또는/및 건식 에칭 공정을 포함하며, 에칭 과정을 거침에 따라서, 투광성 전극층(미도시)의 상면 또는 제1 반도체층(120)의 상면은 광 추출 구조(284)를 형성하는 러프니스를 포함할 수 있다. 러프니스는 랜덤한 크기로 불규칙하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 러프니스는 평탄하지 않는 상면으로서, 텍스쳐(texture) 패턴, 요철 패턴, 평탄하지 않는 패턴(uneven pattern) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light extracting structure 284 may be formed on a light-transmitting electrode layer (not shown) or on a part or all of the upper surface of the first semiconductor layer 120. The light extracting structure 284 may be formed by performing etching on at least one region of the light-transmitting electrode layer (not shown) or the upper surface of the first semiconductor layer 120, but is not limited thereto. The etching process includes a wet or/and dry etching process, and according to the etching process, the top surface of the translucent electrode layer (not shown) or the top surface of the first semiconductor layer 120 is rough to form the light extraction structure 284 May contain varnish. The roughness may be irregularly formed with a random size, but is not limited thereto. The roughness is a top surface that is not flat and may include at least one of a texture pattern, an uneven pattern, and an uneven pattern.

러프니스는 측 단면이 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔, 원뿔대, 다각뿔대 등 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있으며, 바람직하게 뿔 형상을 포함한다.The roughness may be formed to have various shapes, such as a side cross section of a cylinder, a polygonal column, a cone, a polygonal pyramid, a truncated cone, and a polygonal pyramid, and preferably includes a horn shape.

한편, 광추출구조(284)는 PEC(photo electro chemical) 등의 방법으로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 광추출구조(284)가 투광성 전극층(미도시)의 또는 제1 반도체층(120)의 상부면에 형성됨에 따라서 활성층(130)으로부터 생성된 빛이 투광성 전극층(미도시), 또는 제1 반도체층(120)의 상부면으로부터 전반사되어 재흡수되거나 산란되는 것이 방지될 수 있으므로, 발광소자(200)의 광 추출 효율의 향상에 기여할 수 있다.Meanwhile, the light extraction structure 284 may be formed by a method such as photo electrochemical (PEC), but is not limited thereto. As the light extraction structure 284 is formed on the translucent electrode layer (not shown) or on the upper surface of the first semiconductor layer 120, the light generated from the active layer 130 is transmitted to the translucent electrode layer (not shown) or the first semiconductor layer Since total reflection from the upper surface of 120 may be prevented from being reabsorbed or scattered, it may contribute to improvement of light extraction efficiency of the light emitting device 200.

발광 구조물(160)의 측면 및 상부 영역에는 패시베이션(290)이 형성될 수 있으며, 패시베이션(290)은 절연성 재질로 형성될 수 있다.
The passivation 290 may be formed in the side and upper regions of the light emitting structure 160, and the passivation 290 may be formed of an insulating material.

도 5은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자패키지의 단면을 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a cross section of a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment.

도 5을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자패키지(300)는 캐비티가 형성된 몸체(310), 몸체(310)의 캐비티에 실장된 광원부(320) 및 캐비티에 충진되는 봉지재(350)를 포함할 수 있다.5, the light emitting device package 300 according to the embodiment includes a body 310 having a cavity, a light source unit 320 mounted in the cavity of the body 310, and an encapsulant 350 filled in the cavity. can do.

몸체(310)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 세라믹 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(310)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 310 is made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), liquid crystal polymer (PSG, photo sensitive glass), polyamide 9T (PA9T). ), neo-geotactic polystyrene (SPS), a metal material, sapphire (Al2O3), beryllium oxide (BeO), a printed circuit board (PCB), and may be formed of at least one of ceramic. The body 310 may be formed by injection molding, an etching process, or the like, but is not limited thereto.

광원부(320)는 몸체(310)의 바닥면에 실장되며, 일 예로 광원부(320)는 도 1 내지 도 5에서 도시하고 설명한 발광소자 중 어느 하나일 수 있다. 발광소자는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광 소자는 한 개 이상 실장될 수 있다.The light source unit 320 is mounted on the bottom surface of the body 310, for example, the light source unit 320 may be any one of the light emitting devices illustrated and described in FIGS. 1 to 5. The light-emitting device may be, for example, a colored light-emitting device that emits red, green, blue, or white light or an ultra violet (UV) light-emitting device that emits ultraviolet rays, but is not limited thereto. In addition, more than one light emitting device may be mounted.

몸체(310)는 제1 전극(330) 및 제2 전극(340)을 포함할 수 있다. 제1 전극(330) 및 제2 전극(340)은 광원부(320)와 전기적으로 연결되어 광원부(320)에 전원을 공급할 수 있다.The body 310 may include a first electrode 330 and a second electrode 340. The first electrode 330 and the second electrode 340 may be electrically connected to the light source unit 320 to supply power to the light source unit 320.

또한, 제1 전극(330) 및 제2 전극(340)은 서로 전기적으로 분리되며, 광원부(320)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있고, 또한 광원부(320)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수 있다.In addition, the first electrode 330 and the second electrode 340 are electrically separated from each other, and reflect light generated from the light source unit 320 to increase light efficiency, and heat generated from the light source unit 320 Can be discharged to the outside.

도 5에는 제1 전극(330)과 제2 전극(340) 모두가 와이어(360)에 의해 광원부(320)와 본딩된 것을 도시하나, 이에 한정하지 않으며, 특히 수직형 발광소자의 경우는 제1 전극(330) 및 제2 전극(340) 중 어느 하나가 와이어(360)에 의해 광원부(320)와 본딩될 수 있으며, 플립칩 방식에 의해 와이어(360) 없이 광원부(320)와 전기적으로 연결될 수도 있다.5 shows that both the first electrode 330 and the second electrode 340 are bonded to the light source unit 320 by a wire 360, but the present invention is not limited thereto. In particular, the first electrode 330 and the second electrode 340 are Any one of the electrode 330 and the second electrode 340 may be bonded to the light source unit 320 by a wire 360, and may be electrically connected to the light source unit 320 without a wire 360 by a flip chip method. have.

이러한 제1 전극(330) 및 제2 전극(340)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극(330) 및 제2 전극(340)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode 330 and the second electrode 340 are made of metal, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), and tantalum ( Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium ( Ge), hafnium (Hf), ruthenium (Ru), iron (Fe) may include one or more materials or alloys. In addition, the first electrode 330 and the second electrode 340 may be formed to have a single-layer or multi-layer structure, but the embodiment is not limited thereto.

봉지재(350)는 캐비티에 충진될 수 있으며, 형광체(미도시)를 포함할 수 있다. 봉지재(350)는 투명한 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐비티 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다. The encapsulant 350 may be filled in the cavity and may include a phosphor (not shown). The encapsulant 350 may be formed of transparent silicone, epoxy, and other resin materials, and after filling the cavity, it may be formed by UV or thermal curing.

형광체(미도시)는 광원부(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자패키지(300)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.The type of the phosphor (not shown) may be selected according to the wavelength of light emitted from the light source unit 320 so that the light emitting device package 300 may implement white light.

봉지재(350)에 포함되어 있는 형광체(미도시)는 광원부(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다. The phosphor (not shown) included in the encapsulant 350 is a blue light-emitting phosphor, a cyan light-emitting phosphor, a green light-emitting phosphor, a yellow-green light-emitting phosphor, a yellow light-emitting phosphor, a yellow-red light-emitting phosphor, depending on the wavelength of light emitted from the light source unit 320 , An orange light emitting phosphor, and a red light emitting phosphor may be applied.

즉, 형광체(미도시)는 광원부(320)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 광원부(320)가 청색 발광 다이오드이고 형광체(미도시)가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자패키지(300)는 백색 빛을 제공할 수 있다.
That is, the phosphor (not shown) may be excited by light having the first light emitted from the light source unit 320 to generate second light. For example, when the light source unit 320 is a blue light-emitting diode and a phosphor (not shown) is a yellow phosphor, the yellow phosphor is excited by blue light to emit yellow light, and blue light and blue light generated from the blue light-emitting diode As yellow light generated by being excited by light is mixed, the light emitting device package 300 may provide white light.

실시예에 따른 발광 소자는 조명 장치에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 6 및 도 7에 도시된 표시 장치, 도 8에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may be applied to a lighting device. The lighting system includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arrayed, and includes the display device shown in FIGS. 6 and 7, the lighting device shown in FIG. 8, and may include a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlight, an electric sign, etc. have.

도 6는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치의 분해 사시도이다. 6 is an exploded perspective view of a display device having a light emitting device according to an exemplary embodiment.

도 6를 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. Referring to FIG. 6, a display device 1000 according to an exemplary embodiment includes a light guide plate 1041, a light source module 1031 providing light to the light guide plate 1041, and a reflective member 1022 under the light guide plate 1041. ), an optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, the light guide plate 1041, a light source module 1031, and a reflective member 1022. The bottom cover 1011 may be included, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 may be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethylmethacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphtha late) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin series such as PMMA (polymethylmethacrylate), PET (polyethylene terephthalate), PC (polycarbonate), COC (cycloolefin copolymer), and PEN (polyethylene naphtha late). It may contain one of the resins.

상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light source module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device.

상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 발광 소자(1035)를 포함하며, 상기 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. The light source module 1031 may include at least one, and may directly or indirectly provide light from one side of the light guide plate 1041. The light source module 1031 includes a substrate 1033 and a light emitting device 1035 according to the disclosed embodiment, and the light emitting devices 1035 may be arranged on the substrate 1033 at predetermined intervals. .

상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1033 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB (FPCB, Flexible PCB), etc., but is not limited thereto. When the light emitting device 1035 is mounted on a side surface of the bottom cover 1011 or on a heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat dissipation plate may contact the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 복수의 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the plurality of light-emitting elements 1035 may be mounted on the substrate 1033 such that an emission surface from which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but the embodiment is not limited thereto. The light-emitting device 1035 may directly or indirectly provide light to a light-incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 reflects light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 and directs it upward, thereby improving the brightness of the light unit 1050. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, PVC resin, or the like, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may accommodate the light guide plate 1041, the light source module 1031, and the reflective member 1022. To this end, the bottom cover 1011 may include a receiving portion 1012 having a box shape with an open top surface, but is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to the top cover, but the embodiment is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or non-metal material having good thermal conductivity, but is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes first and second substrates made of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, and the structure of the polarizing plate is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. The display device 1000 can be applied to various types of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, and televisions.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041, and includes at least one translucent sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of, for example, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, the horizontal or/and vertical prism sheet condenses incident light to a display area, and the brightness enhancement sheet reuses lost light to improve luminance. In addition, a protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the embodiment is not limited thereto.

여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, as an optical member on the light path of the light source module 1031, the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included, but the embodiment is not limited thereto.

도 7는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다. 7 is a diagram illustrating a display device having a light emitting device according to an exemplary embodiment.

도 7를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(1124)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 7, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1120 on which the above-described light emitting devices 1124 are arranged, an optical member 1154, and a display panel 1155.

상기 기판(1120)과 상기 발광 소자(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광 소자(1124)를 포함한다.The substrate 1120 and the light emitting device 1124 may be defined as a light source module 1160. The bottom cover 1152, at least one light source module 1160, and the optical member 1154 may be defined as a light unit 1150. The bottom cover 1152 may include an accommodating part 1153, but the embodiment is not limited thereto. The light source module 1160 includes a substrate 1120 and a plurality of light emitting devices 1124 arranged on the substrate 1120.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(polymethyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a polymethyl methacrylate (PMMA) material, and the light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, the horizontal and vertical prism sheets condense incident light into a display area, and the brightness enhancement sheet reuses lost light to improve brightness.

상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1160) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1160)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
The optical member 1154 is disposed on the light source module 1160 and performs a surface light source, diffusion, or condensation of light emitted from the light source module 1160.

도 8은 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.8 is an exploded perspective view of a lighting device having a light emitting device according to an embodiment.

도 8을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the lighting device according to the embodiment includes a cover 2100, a light source module 2200, a radiator 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. I can. In addition, the lighting device according to the embodiment may further include one or more of a member 2300 and a holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting device according to the embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape with a hollow and an open portion. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the radiator 2400. The cover 2100 may have a coupling portion coupled to the radiator 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. A milky white paint may be coated on the inner surface of the cover 2100. The milky white paint may include a diffuser that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is to allow the light from the light source module 2200 to be sufficiently scattered and diffused to be emitted outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 2100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 2100 may be transparent or opaque so that the light source module 2200 is visible from the outside. The cover 2100 may be formed through blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 발광소자(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one surface of the radiator 2400. Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the radiator 2400. The light source module 2200 may include a light emitting device 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 발광소자(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on an upper surface of the radiator 2400 and has guide grooves 2310 into which a plurality of light emitting devices 2210 and a connector 2250 are inserted. The guide groove 2310 corresponds to the substrate and the connector 2250 of the light emitting device 2210.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects light reflected on the inner surface of the cover 2100 and returning toward the light source module 2200 toward the cover 2100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the radiator 2400 and the connection plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 2230 and the radiator 2400. The radiator 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to radiate heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating part 2710 of the inner case 2700. Accordingly, the power supply unit 2600 accommodated in the insulating unit 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 may have a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides it to the light source module 2200. The power supply unit 2600 is accommodated in the storage groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 돌출부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide part 2630, a base 2650, and a protrusion 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide part 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650. The guide part 2630 may be inserted into the holder 2500. A number of components may be disposed on one surface of the base 2650. A number of components include, for example, a DC converter that converts AC power provided from an external power source to DC power, a driving chip that controls driving of the light source module 2200, and an ESD for protecting the light source module 2200 (ElectroStatic discharge) may include a protection element, but is not limited thereto.

상기 돌출부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 돌출부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The protrusion 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650. The protrusion 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the protrusion 2670 may be provided equal to or smaller than the width of the connection part 2750 of the inner case 2700. Each end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the protrusion 2670, and the other end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the socket 2800.

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
The inner case 2700 may include a molding unit together with the power supply unit 2600 therein. The molding part is a part where the molding liquid is solidified, and allows the power supply part 2600 to be fixed inside the inner case 2700.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
In addition, although the embodiments have been described above, these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention belongs are illustrated above within the scope not departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various modifications and applications that have not been made are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

Claims (13)

제1극성의 도펀트로 도핑되는 제1 반도체층;
상기 제1극성과 반대 극성인 제2극성의 도펀트로 도핑되는 제2반도체층; 및
상기 제1반도체층과 상기 제2반도체층의 사이에 위치되는 활성층을 포함하고,
상기 제1반도체층은,
Si 및 Ge 가 혼합되어 도핑되며,
상기 제1반도체층의 Ge의 도핑농도는 상기 제1반도체층의 Si의 도핑농도 대비 15% 내지 25%인 발광소자.A first semiconductor layer doped with a first polarity dopant;
A second semiconductor layer doped with a dopant having a second polarity opposite to that of the first polarity; And
And an active layer positioned between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer,
The first semiconductor layer,
Si and Ge are mixed and doped,
The light emitting device having a doping concentration of Ge in the first semiconductor layer of 15% to 25% compared to a doping concentration of Si in the first semiconductor layer. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1반도체층의 Si의 도핑농도는 5~7 × 1018 /cm3 인 발광소자.The method of claim 1,
The light emitting device having a doping concentration of Si in the first semiconductor layer of 5 ~ 7 × 1018 /cm3. 제1항에 있어서,
상기 제1반도체층의 Ge의 도핑농도는 0.75~1.75 × 1018 /cm3 인 발광소자.The method of claim 1,
A light emitting device having a doping concentration of Ge of the first semiconductor layer of 0.75 to 1.75 × 1018 /cm3. 제1항에 있어서,
상기 제1반도체층의 아래에는 상기 제1반도체층을 지지하는 기판; 및
상기 제1반도체층과 활성층의 사이에는 상기 제1반도체층에 발생되는 응력을 제어하는 응력 제어층을 더 포함하고,
상기 응력 제어층은,
압축 스트레스(compressive stress)를 가지는 복수의 제1층과, GaN을 포함하여 인장 스트레스(tensile stress)를 가지는 복수의 제2층이 서로 교번적으로 반복 적층되며,
상기 제2층은 Si 및 Ge 가 혼합되어 도핑되는 발광소자.The method of claim 1,
A substrate supporting the first semiconductor layer under the first semiconductor layer; And
Between the first semiconductor layer and the active layer further comprises a stress control layer for controlling the stress generated in the first semiconductor layer,
The stress control layer,
A plurality of first layers having compressive stress and a plurality of second layers having tensile stress including GaN are alternately and repeatedly stacked with each other,
The second layer is a light emitting device doped by mixing Si and Ge. 제5항에 있어서,
상기 제2층의 Ge의 도핑농도는 상기 제2층의 Si의 도핑농도 대비 15% 내지 25%인 발광소자.The method of claim 5,
The light emitting device having a doping concentration of Ge in the second layer of 15% to 25% compared to a doping concentration of Si in the second layer. 제6항에 있어서,
상기 제2층의 Si의 도핑농도는 5~7 × 1018 /cm3 인 발광소자.The method of claim 6,
The light emitting device having a doping concentration of Si in the second layer of 5 to 7 × 1018 /cm3. 제6항에 있어서,
상기 제2층의 Ge의 도핑농도는 0.75~1.75 × 1018 /cm3 인 발광소자.The method of claim 6,
A light emitting device having a doping concentration of Ge of the second layer of 0.75 to 1.75 × 1018 /cm3. 제6항에 있어서,
상기 제1층은 AlGaN 또는 AlN을 포함하는 발광소자.The method of claim 6,
The first layer is a light emitting device containing AlGaN or AlN. 제9항에 있어서,
상기 제1층은 언도프(Undoped)된 층인 발광소자.The method of claim 9,
The first layer is an undoped layer. 제6항에 있어서,
상기 제2층의 Si 및 Ge 의 도핑농도는,
상기 활성층에 인접할 수록 큰 것을 특징으로 하는 발광소자.The method of claim 6,
The doping concentration of Si and Ge in the second layer is,
A light-emitting device, characterized in that the larger the adjoining to the active layer. 제6항에 있어서,
상기 제1층의 두께는 1nm 내지 50nm 인 발광소자. The method of claim 6,
The first layer has a thickness of 1 nm to 50 nm. 제12항에 있어서,
상기 제2층이 두께는 1nm 내지 50nm 인 발광소자..
The method of claim 12,
The second layer is a light emitting device having a thickness of 1 nm to 50 nm.
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