KR102126186B1 - Method for manufacturing a gallium nitride substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 질화 갈륨 기판 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN; gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계; 상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention discloses a method for manufacturing a gallium nitride substrate. A method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention includes forming a mask pattern including at least one window region and a protruding region on a growth substrate; Forming gallium nitride including Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride by epitaxial lateral overgrowth (ELOG) on gallium nitride (GaN) on the growth substrate; Selectively etching the Ga-polar gallium nitride; And removing the mask pattern.

Description

질화 갈륨 기판의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING A GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE}Manufacturing method of gallium nitride substrate {METHOD FOR MANUFACTURING A GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE}

본 발명의 실시예들은 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth) 및 선택적 식각을 이용한 질화 갈륨 기판의 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relates to a method of manufacturing a gallium nitride substrate using epitaxial lateral overgrowth (ELOG) and selective etching.

최근, 질화 갈륨(GaN)과 같은 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는, 우수한 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), 태양 전지, 광전자장치, 레이저 다이오드, 고-주파수 마이크로 전자장치와 같은 반도체 광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는 통상 AlxInyGa1-x-yN(0=x≤=1, 0≤=y≤=1, 0≤=x+y≤=1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져있다. 이러한 질화물 반도체 광소자는 핸드폰의 백라이트(backlight)나 키패드, 전광판, 조명 장치와 같은 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.Recently, group III-V nitride semiconductors such as gallium nitride (GaN), light emitting diodes (LED), laser diodes (LD), solar cells, optoelectronic devices, laser diodes, and high-frequency microelectronics due to their excellent physical and chemical properties It is spotlighted as a key material for semiconductor optical devices such as devices. Group III-V nitride semiconductors are usually made of a semiconductor material having a composition formula of AlxInyGa1-x-yN (0=x≤=1, 0≤=y≤=1, 0≤=x+y≤=1). The nitride semiconductor optical element is applied as a light source for various products such as a backlight of a mobile phone, a keypad, an electronic display board, and a lighting device.

그러나, 질화 갈륨(GaN)은 실리콘(Si)과 달리 잉곳 제작이 거의 불가능하기 때문에 단결정 기판 제작에 큰 어려움이 있다. 따라서, 질화 갈륨은 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판 또는 실리콘 기판에 질화 갈륨 후막을 이종 에피텍시얼에 의해 성장시킨 후, 기판을 분리하여 질화 갈륨을 제조하였다.However, gallium nitride (GaN) has a great difficulty in manufacturing a single crystal substrate because it is almost impossible to manufacture ingot unlike silicon (Si). Therefore, gallium nitride was grown on a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, or a silicon substrate by growing a thick gallium nitride film with a heterogeneous epitaxial method, and then the substrate was separated to prepare gallium nitride.

그러나, 상기와 같이 질화 갈륨을 형성하는 방법은 층들 사이에 격자 짝을 잘못 짓기 때문에 팽팽하게 되거나 완화되고, 이로 인해 탈구의 가능성이 매우 높게 되어 디바이스의 수명 단축과 함께 실행의 한계를 가져오게 되는 문제점이 있었다.However, as described above, the method of forming gallium nitride is taut or relaxed because the lattice pairs are incorrectly formed between the layers, and thus the possibility of dislocation is very high, which shortens the life of the device and brings limitations in execution. There was.

또한, 질화 갈륨을 고품질로 제조하는 것은 고품질의 벌크 결정 및/또는 이들 물질들의 결정 성질에 정합되는 적합한 성장 기판이 없기 때문에 질화 갈륨의 결정 성질들과 근접하게 정합되지 않는 성장 기판은 수용하기 어려운 밀도의 결함들과 전위들로 이어질 수 있다(질화 갈륨에 있어서, 특히 성장 기판과 GaN 사이의 계면에서 비롯되는 관통 전위(TD: threading dislocation)).In addition, the production of high quality gallium nitride is difficult to accommodate for growth substrates that do not closely match the crystal properties of gallium nitride because there is no suitable growth substrate that matches the crystal properties of high quality bulk crystals and/or these materials. Can lead to defects and dislocations (for gallium nitride, threading dislocation (TD), especially at the interface between the growth substrate and GaN).

또한, 질화 갈륨을 분리하는 기술로 주로 레이저 리프트 오프(LLO; Laser Lift Off) 방식 또는 화학적 리프트 오프(CLO; Chemical Lift Off) 방식을 사용하였다.In addition, as a technique for separating gallium nitride, a laser lift off (LLO) method or a chemical lift off (CLO) method was mainly used.

그러나, 레이저 리프트 오프(LLO; Laser Lift Off) 방식은 레이저로 기판과 후막 사이 계면을 녹여서 분리하는 기술로 분리 과정에서 결함 발생율이 높고, 비용이 많이 발생하는 문제점이 있고, 화학적 리프트 오프(CLO; Chemical Lift Off) 방식은 비교적 저렴하고 분리 과정에서 추가적인 결함 발생률이 낮으나, 화학적으로 식각 가능한 희생층(sacrificial layer)이 필요하기 때문에, 희생층 상에 성장된 질화 갈륨의 결정성이 상대적으로 낮다는 문제점이 있었다.However, a laser lift off (LLO) method is a technique of melting and separating an interface between a substrate and a thick film with a laser, thereby having a high defect generation rate and a high cost in the separation process, and a chemical lift off (CLO). The method of chemical lift off) is relatively inexpensive and has a low incidence of additional defects in the separation process, but because it requires a chemically etchable sacrificial layer, the crystallinity of gallium nitride grown on the sacrificial layer is relatively low. There was.

한국등록특허 제10-1355086호, "나노 필러 구조를 이용한 반극성 질화물층의 제조방법 "Korean Registered Patent No. 10-1355086, "Method of manufacturing a semi-polar nitride layer using a nano-pillar structure" 미국등록특허 제7,462,893호, "Method of fabricating GaN"U.S. Patent No. 7,462,893, "Method of fabricating GaN" 유럽등록특허 제0966047호, "GaN single crystal substrate and method of producing same"European Patent No. 0966047, "GaN single crystal substrate and method of producing same"

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본 발명의 실시예들의 목적은 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨과 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 성장시킨 후, 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨을 제거하는 공정을 이용하여 고품질의 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판 및 고품질의 질화 갈륨 템플릿(template) 기판을 제조하기 위한 것이다.The objective of the embodiments of the present invention is to epitaxially over-growth (ELOG) gallium nitride (GaN) to selectively grow Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride, and then selectively Ga-polar It is intended to manufacture a high-quality free-standing gallium nitride substrate and a high-quality gallium nitride template substrate using a process for removing gallium nitride.

본 발명의 실시예들의 목적은 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨과 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 성장시킨 후, 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨을 제거하는 공정을 이용하여 인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)을 향상시켜 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할 뿐만 아니라, 밴드에지 이미션(band edge emission)이 강하고 황색 발광(yellow luminescence)이 거의 없는 광특성이 우수한 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판 및 질화 갈륨 템플릿(template) 기판을 제조하기 위한 것이다.The objective of the embodiments of the present invention is to epitaxially over-growth (ELOG) gallium nitride (GaN) to selectively grow Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride, and then selectively Ga-polar It is not only advantageous when a high proportion of InGaN composition is required by improving indium-incorporation using a process to remove gallium nitride, but also has strong band edge emission and yellow emission. It is for manufacturing a free-standing gallium nitride substrate and a gallium nitride template substrate having excellent optical properties with little luminescence.

본 발명의 실시예들의 목적은 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨과 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 성장시킨 후, 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨을 제거하는 공정을 이용하여, 질화 갈륨 기판의 결함 비율을 감소시키기 위한 것이다.The objective of the embodiments of the present invention is to epitaxially over-growth (ELOG) gallium nitride (GaN) to selectively grow Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride, and then selectively Ga-polar It is to reduce the defect rate of the gallium nitride substrate by using a process for removing gallium nitride.

본 발명의 실시예들의 목적은 희생층이 필요 없는 화학적 식각을 이용하여 질화 갈륨으로부터 성장 기판을 제거하여, 성장 기판 제거 공정으로 인한 질화 갈륨 기판의 손상을 감소시켜, 고품질의 질화 갈륨 기판의 특성을 유지시키기 위한 것이다.The purpose of the embodiments of the present invention is to remove the growth substrate from gallium nitride using a chemical etching that does not require a sacrificial layer, thereby reducing the damage to the gallium nitride substrate due to the growth substrate removal process, thereby improving the quality of the gallium nitride substrate. To maintain.

본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계; 상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention includes forming a mask pattern including at least one window region and a protruding region on a growth substrate; Forming gallium nitride including Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride by epitaxial lateral overgrowth (ELOG) on gallium nitride (GaN) on the growth substrate; Selectively etching the Ga-polar gallium nitride; And removing the mask pattern.

상기 윈도우 영역 상에서는 상기 Ga-극성 질화 갈륨만 성장되도록 하고, 상기 돌출 영역 상에서는 상기 N-극성 질화 갈륨만 성장되거나, 상기 Ga-극성 질화 갈륨 및 상기 N-극성 질화 갈륨이 혼재되어 성장될 수 있다.The Ga-polar gallium nitride is grown only on the window region, and only the N-polar gallium nitride is grown on the protruding region, or the Ga-polar gallium nitride and the N-polar gallium nitride are mixed and grown.

상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 상기 단계는, 상기 N-극성 질화 갈륨을 측면 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.The step of selectively etching the Ga-polar gallium nitride may include a step of side-grown the N-polar gallium nitride.

상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계는, 염화수소 가스(HCl gas)를 사용할 수 있다.In the step of selectively etching the Ga-polar gallium nitride, hydrogen chloride gas (HCl gas) may be used.

상기 성장 기판은 사파이어(sapphire), 갈륨 비소(GaAs; gallium arsenide), 스피넬(spinel), 실리콘(Si; silicon), 인화 인듐(InP; indium phosphide) 또는 실리콘 카바이드(SiC; silicon carbide)일 수 있다.The growth substrate may be sapphire, gallium arsenide (GaAs), spinel, silicon (Si; silicon), indium phosphide (InP) or silicon carbide (SiC). .

상기 마스크 패턴은 실리콘 산화물(SiO2; silicon oxide), 실리콘 질화물(SiNx; silicon nitride) 또는 실리콘 산질화물(SiON; silicon oxynitride)일 수 있다.The mask pattern may be silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), or silicon oxynitride (SiON).

본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계; 상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계; 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 상기 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨을 비정질 박막이 증착된 임시 기판 상에 부착시키는 단계 및 상기 비정질 박막이 증착된 임시 기판 상에 부착된 상기 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨을 측면 성장시키는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention includes forming a mask pattern including at least one window region and a protruding region on a growth substrate; Forming gallium nitride including Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride by epitaxial lateral overgrowth (ELOG) on gallium nitride (GaN) on the growth substrate; Selectively etching the Ga-polar gallium nitride; Removing the mask pattern; Attaching a free-standing gallium nitride containing the N-polar gallium nitride onto a temporary substrate on which an amorphous thin film is deposited and the free-standing attached on a temporary substrate on which the amorphous thin film is deposited ( and lateral growth of free-standing) gallium nitride.

본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 템플릿(template) 기판 제조 방법은 성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, N-극성 질화 갈륨 및 Ga-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계; 및 상기 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a gallium nitride template substrate according to an embodiment of the present invention includes forming a mask pattern including at least one window region and a protruding region on a growth substrate; Epitaxial lateral overgrowth (ELOG) on gallium nitride (GaN) on the growth substrate to form gallium nitride including N-polar gallium nitride and Ga-polar gallium nitride; And selectively etching the N-polar gallium nitride.

본 발명의 실시예들에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨과 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 성장시킨 후, 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨을 제거하는 공정을 이용하여 질화 갈륨 기판을 제조함으로써, 고품질의 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판 및 질화 갈륨 템플릿(template) 기판을 제조할 수 있다.In the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to embodiments of the present invention, after gallium nitride (GaN) is epitaxially overgrown (ELOG), Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride are selectively grown. A high-quality free-standing gallium nitride substrate and a gallium nitride template substrate can be manufactured by manufacturing a gallium nitride substrate using a process of selectively removing Ga-polar gallium nitride.

본 발명의 실시예들에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨과 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 성장시킨 후, 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨을 제거하는 공정을 이용하여 질화 갈륨 기판을 제조함으로써, 인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)을 향상시켜 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할 뿐만 아니라, 밴드에지 이미션(band edge emission)이 강하고 황색 발광(yellow luminescence)이 거의 없는 광특성이 우수한 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판 및 질화 갈륨 템플릿(template) 기판을 제조할 수 있다.In the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to embodiments of the present invention, after gallium nitride (GaN) is epitaxially overgrown (ELOG), Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride are selectively grown. In addition, by manufacturing a gallium nitride substrate using a process of selectively removing Ga-polar gallium nitride, indium-incorporation (In-incorporation) is improved, and it is not only advantageous when a high proportion of InGaN composition is required, but also a band edge A free-standing gallium nitride substrate and a gallium nitride template substrate having excellent optical properties with strong band edge emission and little yellow luminescence can be produced.

본 발명의 실시예들에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨과 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 성장시킨 후, 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨을 제거하는 공정을 이용함으로써, 질화 갈륨 기판의 결함 비율을 감소시킬 수 있다.In the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to embodiments of the present invention, after gallium nitride (GaN) is epitaxially overgrown (ELOG), Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride are selectively grown. , By selectively using a process for removing Ga-polar gallium nitride, the defect ratio of the gallium nitride substrate can be reduced.

본 발명의 실시예들에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 희생층이 필요 없는 화학적 식각을 이용하여 질화 갈륨으로부터 성장 기판을 제거함으로써, 성장 기판 제거 공정으로 인한 질화 갈륨 기판의 손상을 감소시켜, 고품질의 질화 갈륨 기판의 특성을 유지시킬 수 있다.The method of manufacturing a gallium nitride substrate according to embodiments of the present invention removes a growth substrate from gallium nitride by using a chemical etching that does not require a sacrificial layer, thereby reducing the damage to the gallium nitride substrate due to the growth substrate removal process, resulting in high quality The properties of the gallium nitride substrate can be maintained.

도 1은 질화 갈륨의 Ga-극성 및 N-극성을 도시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판의 제조 방법을 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법에서, 성장 기판 및 마스크 패턴 상에 형성된 N-극성 질화 갈륨을 도시한 평면도이다.
도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법을 도시한 단면도 이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법에서, 성장 기판 및 마스크 패턴을 제거한 후의 N-극성 질화 갈륨을 도시한 평면도이다.
도 6은 건식 식각 공정이 일부 진행된 Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 도시한 이미지이다.1 is a diagram showing Ga-polarity and N-polarity of gallium nitride.
2A to 2F are cross-sectional views showing a method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view showing an N-polar gallium nitride formed on a growth substrate and a mask pattern in a method for manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention.
4A to 4H are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention.
5 is a plan view illustrating an N-polar gallium nitride after removing a growth substrate and a mask pattern in a method of manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is an image showing Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride partially processed by dry etching.

이하에서, 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 이러한 실시예들에 의해 권리범위가 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the scope of rights is not limited or limited by these embodiments. The same reference numerals in each drawing denote the same members.

아래 설명에서 사용되는 용어는, 연관되는 기술 분야에서 일반적이고 보편적인 것으로 선택되었으나, 기술의 발달 및/또는 변화, 관례, 기술자의 선호 등에 따라 다른 용어가 있을 수 있다. 따라서, 아래 설명에서 사용되는 용어는 기술적 사상을 한정하는 것으로 이해되어서는 안 되며, 실시예들을 설명하기 위한 예시적 용어로 이해되어야 한다.The terms used in the description below have been selected to be general and universal in the related technical field, but may have other terms according to technology development and/or changes, conventions, and preferences of the technician. Therefore, the terms used in the following description should not be understood as limiting the technical idea, but should be understood as exemplary terms for describing the embodiments.

또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 설명 부분에서 상세한 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 아래 설명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌 그 용어가 가지는 의미와 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 이해되어야 한다. Also, in certain cases, some terms are arbitrarily selected by the applicant, and in this case, detailed meanings will be described in the corresponding description. Therefore, the terms used in the description below should be understood based on the meaning of the term and the entire contents of the specification, not just the name of the term.

한편, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의하여 한정되지 않는다. 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. Meanwhile, terms such as first and second may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are used only to distinguish one component from another component.

또한, 막, 층, 영역, 구성 요청 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 층, 양역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. Also, when a part such as a film, layer, area, or configuration request is said to be "above" or "on" another part, not only when it is directly above another part, but also another film, layer, region, component in the middle This includes cases where a back is interposed.

도 1은 질화 갈륨의 Ga-극성 및 N-극성을 도시한 도면이다.1 is a diagram showing Ga-polarity and N-polarity of gallium nitride.

질화 갈륨은 우수한 물리적, 화학적 특성으로 인해 다양한 광소자의 핵심 소재로 사용되고 있다. 질화 갈륨은 사파이어, 실리콘 카바이드 또는 실리콘 같은 성장 기판 상에 이종 에피텍시얼에 의해 성장시켜 사용된다.Gallium nitride is used as a core material for various optical devices due to its excellent physical and chemical properties. Gallium nitride is used by growing by heteroepitaxial on a growth substrate such as sapphire, silicon carbide or silicon.

질화 갈륨을 성장시키기 위해서는 결정 품질에 유의하여야 한다. 특히, 결정 품질은 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)를 활용함으로써 개선될 수도 있다.In order to grow gallium nitride, it is necessary to pay attention to crystal quality. In particular, crystal quality may be improved by utilizing epitaxial lateral overgrowth (ELOG).

에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)는 기판으로부터 수직 방향으로 질화 갈륨이 성장될뿐만 아니라 마스킹 패턴 위로도 측면 방향으로 성장될 수 있다.The epitaxial lateral overgrowth (ELOG) may not only grow gallium nitride in a vertical direction from the substrate, but also grow in a lateral direction over the masking pattern.

또한, 질화 갈륨은 결함뿐만 아니라, 특히, 중요한 결정 성질로 "결정 극성(crystal polarity)"이 있다.In addition, gallium nitride has "crystal polarity" as an important crystalline property as well as defects.

도 1을 참조하면, 갈륨(Ga) 원자들은 큰 회색 구로 도시되고, 질소(N) 원자들은 작은 흑색 구로 도시된다.Referring to FIG. 1, gallium (Ga) atoms are shown as large gray spheres, and nitrogen (N) atoms are shown as small black spheres.

도 1에 도시된 바와 같이, 질화 갈륨에서(예; 우르짜이트(wurtzite) 질화 갈륨) 각 갈륨 원자는 네 개의 질소 원자들에 사면체적으로 배위된다.1, each gallium atom in gallium nitride (eg, wurtzite gallium nitride) is tetrahedral to four nitrogen atoms.

질화 갈륨은 방향에 따라, Ga-극성(+c; 10) 및 N-극성(-c; 20)으로 구분될 수 있다. 여기서 레이블 c는 에피택시 막의 평면에 대하여 수평한 결정 평면을 가리킨다.Depending on the direction, gallium nitride can be divided into Ga-polar (+c; 10) and N-polar (-c; 20). Here, label c indicates a crystal plane horizontal to the plane of the epitaxy film.

질화 갈륨의 극성은 표면 성질은 아니나, 질화 갈륨의 벌크 성질에 지대한 영향을 미치는 점에 유의하는 것이 중요하고, 극성에 따라 상이한 성질이 발현될 수 있다. 따라서, 에피택시 질화 갈륨 성장층의 극성 특성을 활용하여 소자를 제작할 수 있다.The polarity of gallium nitride is not a surface property, but it is important to note that it has a profound effect on the bulk properties of gallium nitride, and different properties may be expressed depending on the polarity. Therefore, the device can be manufactured by utilizing the polarity characteristic of the epitaxial gallium nitride growth layer.

본 발명에서는 Ga-극성(+c; 10) 질화 갈륨 및 N-극성(-c; 20) 질화 갈륨을 선택적으로 성장시키고, 그 중 Ga-극성(+c; 10) 부분의 질화 갈륨만을 선택적으로 제거함으로써, 인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)을 향상시켜 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할 뿐만 아니라, 밴드에지 이미션(band edge emission)이 강하고 황색 발광(yellow luminescence)이 거의 없는 광특성이 우수한 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판 혹은 질화갈륨 템플릿(template) 기판을 제조할 수 있다.In the present invention, the Ga-polar (+c; 10) gallium nitride and the N-polar (-c; 20) gallium nitride are selectively grown, and only the Ga-polar (+c; 10) portion of the gallium nitride is selectively selected. By removing, indium-incorporation (In-incorporation) is improved, which is advantageous when a high proportion of InGaN composition is required, as well as strong band edge emission and little yellow luminescence. A free-standing gallium nitride substrate or a gallium nitride template substrate having excellent properties can be produced.

이하에서는, 도 2a 내지 도 2f를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판을 제조하는 기술에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a technique for manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A to 2F.

도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판의 제조 방법을 도시한 단면도이다.2A to 2F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판의 제조 방법은 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 질화 갈륨(131) 및 N-극성 질화 갈륨(132)을 포함하는 질화 갈륨(130)을 형성시킨다. 이후, 식각을 이용하여 Ga-극성 질화 갈륨(131)만 선택적으로 제거함으로써, 고품질의 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판을 제조할 수 있다.A method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention is epitaxial lateral overgrowth (ELOG) of gallium nitride (GaN), Ga-polar gallium nitride 131 and N-polar The gallium nitride 130 including gallium nitride 132 is formed. Then, by selectively removing only the Ga-polar gallium nitride 131 using etching, a high-quality free-standing gallium nitride substrate can be manufactured.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판의 제조 방법의 Ga-극성 질화 갈륨(131)을 선택적으로 식각하는 단계는 N-극성 질화 갈륨(132)을 측면 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.In addition, selectively etching the Ga-polar gallium nitride 131 of the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention may include the step of side-grown the N-polar gallium nitride 132. .

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판의 제조 방법은 윈도우 영역(121) 상에는 Ga-극성 방향으로 성장된 질화 갈륨(이하, 'Ga-극성 질화 갈륨'라고 함)이 형성될 수 있고, 돌출 영역(122) 상에는 N-극성 방향으로 성장된 질화 갈륨(이하, 'N-극성 질화 갈륨'라고 함)이 성장될 수 있다.In addition, in the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention, gallium nitride (hereinafter, referred to as “Ga-polar gallium nitride”) grown in the Ga-polar direction may be formed on the window region 121. , Gallium nitride (hereinafter referred to as'N-polar gallium nitride') grown in the N-polar direction may be grown on the protruding region 122.

도 2a는 성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴이 형성된 단면도이다.2A is a cross-sectional view of a mask pattern including at least one window region and a protruding region on a growth substrate.

마스크 패턴(120)은 성장 기판(110) 상에 증착 공정 또는 용액 공정을 이용하여 마스크층을 형성한 다음, 포토리소그래피 공정들을 이용하여 패터닝될 수 있다.The mask pattern 120 may be formed on the growth substrate 110 using a deposition process or a solution process, and then patterned using photolithography processes.

마스크 패턴(120)은 패터닝 공정에 의해 윈도우 영역(121) 및 돌출 영역(122)을 포함할 수 있고, 후에 질화 갈륨은 마스크 패턴(120)의 윈도우 영역(121)을 통하여 성장될 수 있다.The mask pattern 120 may include a window region 121 and a protruding region 122 by a patterning process, and later gallium nitride may be grown through the window region 121 of the mask pattern 120.

마스크 패턴(120)에 형성된 윈도우 영역(121) 또는 돌출 영역(122)은 도트 형상, 직사각형 형상, 타원형 형상 또는 스트라이프 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The window region 121 or the protruding region 122 formed on the mask pattern 120 may have a dot shape, a rectangular shape, an oval shape, or a stripe shape, but is not limited thereto.

성장 기판(110)은 사파이어(sapphire), 갈륨 비소(GaAs; gallium arsenide), 스피넬(spinel), 실리콘(Si; silicon), 인화 인듐(InP; indium phosphide) 및 실리콘 카바이드(SiC; silicon carbide) 중 적어도 어느 하나일 수 있고, 바람직하게는 사파이어가 사용될 수 있다.The growth substrate 110 includes sapphire, gallium arsenide (GaAs), spinel, silicon (Si), indium phosphide (InP), and silicon carbide (SiC). It may be at least one, and preferably sapphire can be used.

마스크 패턴(120)은 실리콘 산화물(SiO2; silicon oxide), 실리콘 질화물(SiNx; silicon nitride) 및 실리콘 산질화물(SiON; silicon oxynitride) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 바람직하게는 실리콘 산화물이 사용될 수 있다.The mask pattern 120 may include at least one of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), and silicon oxynitride (SiON), preferably silicon oxide. Can be used.

도 2b 및 도 2c는 성장 기판 상에 질화 갈륨을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, N-극성 질화 갈륨 및 Ga-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨이 형성된 단면도이다.2B and 2C are cross-sectional views of gallium nitride formed on a growth substrate by epitaxial side overgrowth (ELOG) to form gallium nitride including N-polar gallium nitride and Ga-polar gallium nitride.

Ga-극성 질화 갈륨(131) 및 N-극성 질화 갈륨(132)을 포함하는 질화 갈륨(130)은 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG) 방법으로 성장된다.The gallium nitride 130 including the Ga-polar gallium nitride 131 and the N-polar gallium nitride 132 is grown by an epitaxial side overgross (ELOG) method.

에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)는 성장 기판(110)으로부터 수직 방향으로뿐만 아니라 마스크 패턴(120) 상부의 측면 방향으로도 질화 갈륨(130)이 성장될 수 있다.In the epitaxial side overgrowth (ELOG), the gallium nitride 130 may be grown not only in the vertical direction from the growth substrate 110 but also in the lateral direction above the mask pattern 120.

먼저, 도 2b에서와 같이, 질화 갈륨(130)이 마스크 패턴(120)의 윈도우 영역(121)을 통하여 수직 성장된다. 이후, 성장의 마지막 단계에서, 마스크 패턴(120)의 돌출 영역(122)의 측방향으로 연장되어 질화 갈륨(130)이 성장될 수 있다.First, as in FIG. 2B, gallium nitride 130 is vertically grown through the window region 121 of the mask pattern 120. Thereafter, in the last stage of growth, the gallium nitride 130 may be grown by extending in the lateral direction of the protruding region 122 of the mask pattern 120.

이로 인해, 측방향으로 성장되는 질화 갈륨(130)은 일정 시간이 지난 후, 수직 성장된 질화 갈륨(130)이 병합되어 도 2c에서와 같이, 성장 기판(110) 및 마스크 패턴(120) 상부 표면에 전체적으로 성장된 질화 갈륨(130)이 형성될 수 있다.Due to this, the gallium nitride 130 grown in the lateral direction after a certain time, the vertically grown gallium nitride 130 is merged, as shown in Figure 2c, the growth substrate 110 and the mask pattern 120 upper surface Gallium nitride 130 grown as a whole may be formed.

성장된 질화 갈륨(130)은 마스크 패턴(120)의 윈도우 영역(121) 상에 성장된 Ga-극성 질화 갈륨(131) 및 마스크 패턴(120)의 돌출 영역(122) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(132)을 포함할 수 있다.The grown gallium nitride 130 is Ga-polar gallium nitride 131 grown on the window region 121 of the mask pattern 120 and N-polarity grown on the protruding region 122 of the mask pattern 120. Gallium nitride (132).

또한, 윈도우 영역(121) 상에서는 Ga-극성 질화 갈륨(131)만 성장되도록 하고, 돌출 영역(122) 상에서는 N-극성 질화 갈륨(132)만 성장되거나, Ga-극성 질화 갈륨(131) 및 N-극성 질화 갈륨(132)이 혼재되어 성장될 수 있다.Further, only the Ga-polar gallium nitride 131 is grown on the window region 121, and only the N-polar gallium nitride 132 is grown on the protruding region 122, or the Ga-polar gallium nitride 131 and N- are grown. Polar gallium nitride 132 may be mixed and grown.

윈도우 영역(121) 및 돌출 영역(122)을 포함하는 마스크 패턴(120) 상에 질화 갈륨(130)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시킬 때, 일반적으로 전 영역에서 Ga-극성 질화 갈륨(131) 혹은 N-극성 질화 갈륨(132) 한 종류만이 전 영역에 걸쳐 성장되게 된다.When the gallium nitride 130 is epitaxially overgrown (ELOG) on the mask pattern 120 including the window region 121 and the protruding region 122, Ga-polar gallium nitride 131 is generally used in all regions. ) Or only one type of N-polar gallium nitride 132 is grown over the entire region.

그러나, 본 발명의 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 윈도우 영역(121) 및 돌출 영역(122)을 포함하는 마스크 패턴(120) 상에 질화 갈륨(130)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시킬 때, 특정 조건을 사용함으로써, 윈도우 영역(121) 상부에는 Ga-극성 질화 갈륨(131)만 성장되고, 돌출 영역(122) 상부에는 N-극성 질화 갈륨(132)만 성장되는 극성 반전(polarity inversion) 특성을 가질 수 있다.However, in the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention, the gallium nitride 130 is epitaxially over-grown (ELOG) on the mask pattern 120 including the window region 121 and the protruding region 122. When using a specific condition, only the Ga-polar gallium nitride 131 is grown on the window region 121, and only the N-polar gallium nitride 132 is grown on the protruding region 122. inversion) property.

보다 구체적으로, 윈도우 영역(121) 상부에 Ga-극성 질화 갈륨(131)이 성장되고, 윈도우 영역(121) 및 돌출 영역(122)의 패턴 경계에서 극성 반전이 발생하여 돌출 영역(122) 상부에는 N-극성 질화 갈륨(132)만 성장될 수 있다.More specifically, Ga-polar gallium nitride 131 is grown on the window region 121, and polarity reversal occurs at the pattern boundary between the window region 121 and the protruding region 122 so that the upper portion of the protruding region 122 Only N-polar gallium nitride 132 can be grown.

질화 갈륨(130)의 각 갈륨 원자는 네 개의 질소 원자들에 사면체적으로 배위되고, 방향에 따라 N-극성 질화 갈륨(132) 특성 및 Ga-극성 질화 갈륨(131) 특성을 가진다.Each gallium atom of gallium nitride 130 is tetrahedral to four nitrogen atoms, and has N-polar gallium nitride 132 characteristics and Ga-polar gallium nitride 131 characteristics according to directions.

또한, 윈도우 영역(121) 상에 성장된 Ga-극성 질화 갈륨(131)은 돌출 영역(122) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(132)보다 결함(defect) 비율이 높은 결함 영역일 수 있다.In addition, the Ga-polar gallium nitride 131 grown on the window region 121 may be a defect region having a higher defect ratio than the N-polar gallium nitride 132 grown on the protruding region 122. .

도 2d는 Ga-극성 질화 갈륨이 선택적으로 식각된 단면도이다.2D is a cross-sectional view of Ga-polar gallium nitride selectively etched.

질화 갈륨은 극성에 따라 식각 속도에서 차이를 나타낼 수 있다. N-극성 질화 갈륨(132)은 상대적으로 염화수소 가스(HCl gas)에 대해 식각 내성을 갖는 반면, Ga-극성 질화 갈륨(131)은 염화수소 가스(HCl gas)에 쉽게 식각되는 특성을 갖는다.Gallium nitride may exhibit a difference in etching rate depending on polarity. The N-polar gallium nitride 132 is relatively etch resistant to hydrogen chloride gas (HCl gas), while the Ga-polar gallium nitride 131 is easily etched to hydrogen chloride gas (HCl gas).

Ga-극성 질화 갈륨(131)은 염화수소 가스(HCl gas)를 이용한 건식 식각으로 제거될 수 있다.Ga-polar gallium nitride 131 may be removed by dry etching using hydrogen chloride gas (HCl gas).

실시예에 따라서는, Ga-극성 질화 갈륨(131)은 추가적인 마스크를 사용하는 건식 식각 방법으로 식각될 수 있고, 건식 식각 방법은 RIE(Reactive Ion Etching), ECR(Electron Cyclotron Resonance) 또는 ICP(Inductively Coupled Plasma)일 수 있다.Depending on the embodiment, the Ga-polar gallium nitride 131 may be etched by a dry etching method using an additional mask. Coupled Plasma).

보다 구체적으로, 염화수소 가스(HCl gas)를 이용한 건식 식각은 석영 반응로(quartz reactor) 내부의 온도를 700℃ 내지 900℃ 사이로 유지시킨 상태에서 질화 갈륨(130)이 성장된 성장 기판(110)을 투입시키고, 염화수소 가스를 주입하여 식각할 수 있다.More specifically, the dry etching using hydrogen chloride gas (HCl gas), the growth temperature of the gallium nitride 130 grown in a state in which the temperature inside the quartz reactor (quartz reactor) is maintained between 700°C and 900°C is used. It can be injected and etched by injecting hydrogen chloride gas.

Ga-극성 질화 갈륨(131)은 염화수소 가스(HCl gas)를 이용한 건식 식각 초기에는 나노와이어가 만들어지는 형태로 식각이 진행(도 6 참조)되다가 결국 전부 식각될 수 있다.Ga-polar gallium nitride 131 may be etched in the form of nanowires in the early stage of dry etching using hydrogen chloride gas (see FIG. 6), and then etched.

반면, N-극성 질화 갈륨(132)은 염화수소 가스를 주입하면 관통 전위(threading dislocation)가 존재하는 부분만 식각되는데, 돌출 영역(122) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(132)은 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG) 방법으로 성장되었기 때문에 관통 전위를 포함하지 않아, 식각되지 않는다.On the other hand, when N-polar gallium nitride 132 is injected with hydrogen chloride gas, only a portion in which threading dislocation is present is etched. The N-polar gallium nitride 132 grown on the protruding region 122 is epitaxial. Since it is grown by the lateral overgrowth (ELOG) method, it does not contain a penetration potential and is not etched.

다만, 경우에 따라 돌출 영역(122) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(132)에 관통전위가 형성될 수 있으며, N-극성 질화 갈륨(132)에 존재하는 관통 전위를 포함하는 국소적 영역이 염화수소 가스에 의해 식각될 수 있다. 하지만 돌출 영역(122) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(132)은 관통전위 밀도가 매우 낮기 때문에 대부분의 N-극성 질화 갈륨(132)은 식각되지 않고 남아 있다.However, in some cases, a penetration potential may be formed in the N-polar gallium nitride 132 grown on the protruding region 122, and a local region including the penetration potential present in the N-polar gallium nitride 132. It can be etched by this hydrogen chloride gas. However, since the N-polar gallium nitride 132 grown on the protruding region 122 has a very low through-potential density, most of the N-polar gallium nitride 132 remains unetched.

따라서, 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG) 방법을 통해 윈도우 영역(121) 상에 Ga-극성 질화 갈륨(131)을 성장시키고, 돌출 영역(122) 상에 N-극성 질화 갈륨(132)을 성장시키면, 윈도우 영역(121) 상에 성장된 Ga-극성 질화 갈륨(131)은 염화수소 가스에 의해 모두 식각되지만, 돌출 영역(122) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(132)은 식각되지 않으므로, Ga-극성 질화 갈륨(131)만 선택적으로 식각할 수 있다.Accordingly, when the Ga-polar gallium nitride 131 is grown on the window region 121 and the N-polar gallium nitride 132 is grown on the protruding region 122 through the epitaxial side overgross (ELOG) method, , Ga-polar gallium nitride 131 grown on the window region 121 is all etched by hydrogen chloride gas, but N-polar gallium nitride 132 grown on the protruding region 122 is not etched, so Ga -Only the polar gallium nitride 131 can be selectively etched.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 염화수소 가스(HCl gas)를 이용한 화학적 식각만으로 추가적인 마스크 사용 없이도 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨(131)을 용이하게 제거할 수 있다.Accordingly, the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention can easily remove the Ga-polar gallium nitride 131 selectively without using an additional mask by chemical etching using hydrogen chloride gas (HCl gas).

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 Ga-극성 질화 갈륨(131)만 선택적으로 제거하여 성장 기판(110) 상에 인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)을 향상시켜 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할 뿐만 아니라, 밴드에지 이미션(band edge emission)이 강하고 황색 발광(yellow luminescence)이 거의 없는 광특성이 우수한 N-극성 질화 갈륨(132)만 남게 된다.Therefore, the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention selectively removes only Ga-polar gallium nitride 131 to improve indium-incorporation on the growth substrate 110, thereby increasing the ratio. Not only is it advantageous when the composition of InGaN is required, but only N-polar gallium nitride 132 having excellent band edge emission and excellent light characteristics with little yellow luminescence remains.

도 2e는 N-극성 질화 갈륨을 측면 성장된 단면도이다.2E is a cross-sectional view of N-polar gallium nitride grown sideways.

본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 실시예에 따라, 마스크 패턴(120) 상에 N-극성 질화 갈륨(132)을 측면 성장시키는 단계를 진행할 수 도 있다.In the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention, a step of laterally growing the N-polar gallium nitride 132 on the mask pattern 120 may be performed.

마스크 패턴(120) 상에 N-극성 질화 갈륨(132)을 측면 성장시킴으로써, 질화 갈륨 기판(133)이 형성된다.By side-grown the N-polar gallium nitride 132 on the mask pattern 120, a gallium nitride substrate 133 is formed.

마스크 패턴(120) 상에 측면 성장되는 N-극성 질화 갈륨(132)은 성장 기판(110)에 접촉되지 않는다. 즉, 수직방향보다 수평방향으로 성장이 훨씬 빠르게 되도록하면 N-극성 질화 갈륨(132)은 하부 방향으로는 매우 느리거나 거의 성장되지 않기 때문에, N-극성 질화 갈륨(132)은 성장 기판(110)과 닿지 않도록(G) 형성될 수 있다.The N-polar gallium nitride 132 side-grown on the mask pattern 120 does not contact the growth substrate 110. That is, if the growth is made to be much faster in the horizontal direction than in the vertical direction, the N-polar gallium nitride 132 is very slow or hardly grown in the lower direction, so the N-polar gallium nitride 132 is the growth substrate 110 It may be formed so as not to contact (G).

도 2f는 마스크 패턴이 제거된 질화 갈륨 기판 단면도이다.2F is a cross-sectional view of the gallium nitride substrate with the mask pattern removed.

본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판(133) 제조 방법은 마스크 패턴(120) 상에 N-극성 질화 갈륨(132)을 측면 성장시키는 단계를 진행하지 않으면, 오프닝 영역(121)이 노출된 질화 갈륨 기판이 제조될 수 있고, 마스크 패턴(120) 상에 N-극성 질화 갈륨(132)을 측면 성장시키는 단계를 진행하면, 노출 영역이 없는 도 2f와 같은 판 형태의 질화 갈륨 기판(133)이 제조될 수 있다.In the method of manufacturing the gallium nitride substrate 133 according to an embodiment of the present invention, unless the step of laterally growing the N-polar gallium nitride 132 on the mask pattern 120 is performed, the opening region 121 is exposed When the gallium nitride substrate can be manufactured and the step of laterally growing the N-polar gallium nitride 132 on the mask pattern 120 is performed, a gallium nitride substrate 133 in the form of a plate as shown in FIG. 2F without an exposed area It can be manufactured.

마스크 패턴(120)은 화학적 식각을 통하여 제거될 수 있고, 플루오르화 수소산(HF) 및 버퍼 옥사이드 에천트(Buffered Oxide Etchant) 중 어느 하나 또는 이들 하나 이상의 조합에 의한 혼합 용액인 것을 이용한 습식 식각에 의해 진행될 수 있으며, 바람직하게는 플루오르화 수소산(HF)이 사용될 수 있다.The mask pattern 120 may be removed through chemical etching, by wet etching using a mixed solution of any one or a combination of hydrofluoric acid (HF) and buffered oxide etchant It may proceed, preferably hydrofluoric acid (HF) may be used.

본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판(133) 제조 방법은 희생층이 필요 없는 화학적 식각을 이용하여 질화 갈륨 기판(133)을 기판으로부터 제거함으로써, 성장 기판(110) 제거 공정으로 인한 질화 갈륨 기판(133)의 손상을 감소시켜, 고품질의 질화 갈륨 기판(133) 특성을 유지시킬 수 있다.In the method of manufacturing the gallium nitride substrate 133 according to an embodiment of the present invention, the gallium nitride substrate 133 is removed from the substrate using a chemical etching that does not require a sacrificial layer, so that the gallium nitride due to the growth substrate 110 removal process By reducing the damage to the substrate 133, it is possible to maintain high quality gallium nitride substrate 133 characteristics.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판(133) 제조 방법은 고품질의 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판을 제조할 수 있다.Therefore, the method for manufacturing the gallium nitride substrate 133 according to an embodiment of the present invention can manufacture a high-quality free-standing gallium nitride substrate.

질화 갈륨 기판(133)은 성장 기판(110)이 배치되었던 면인 제1 면 및 제1 면과 대향되는 제2 면을 포함할 수 있다.The gallium nitride substrate 133 may include a first surface that is a surface on which the growth substrate 110 is disposed and a second surface that faces the first surface.

질화 갈륨 기판(133) 수득 시, 상부에 제2 면이 위치하고 하부에 제1 면이 위치하도록 질화 갈륨 기판(133)을 수득한다면, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 N-극성 방향으로 질화 갈륨을 성장시켰기 때문에, N-극성 질화 갈륨 기판(133)을 수득할 수 있다.When the gallium nitride substrate 133 is obtained, if the gallium nitride substrate 133 is obtained such that the second surface is located at the top and the first surface is located at the bottom, the method of manufacturing the gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention is N- Since the gallium nitride was grown in the polar direction, the N-polar gallium nitride substrate 133 can be obtained.

그러나, 질화 갈륨 기판(133) 수득 시, 상부에 제1 면이 위치하고 하부에 제2 면이 위치하도록 질화 갈륨 기판(133)을 수득한다면, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 N-극성 방향으로 질화 갈륨을 성장시켜 형성하였기 때문에, 상하가 반전되어 Ga-극성 질화 갈륨 기판(133)을 수득할 수 있다.However, when the gallium nitride substrate 133 is obtained, if the gallium nitride substrate 133 is obtained so that the first surface is located at the top and the second surface is located at the bottom, the method for manufacturing the gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention is Since it is formed by growing gallium nitride in the N-polar direction, the top and bottom are reversed to obtain a Ga-polar gallium nitride substrate 133.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 질화 갈륨 기판(133)의 상하부 방향에 따라, Ga-극성 및 N-극성을 선택적으로 활용할 수 있다.Therefore, the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention may selectively utilize Ga-polarity and N-polarity depending on the upper and lower directions of the gallium nitride substrate 133.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 N-극성 방향으로 질화 갈륨을 성장시킨 질화 갈륨 기판(133)을 제조함으로써, 인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)을 향상시켜 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할 뿐만 아니라, 밴드에지 이미션(band edge emission)이 강하고 황색 발광(yellow luminescence)이 거의 없는 광특성이 우수한 질화 갈륨 기판(133)을 제조할 수 있다.In addition, the method for manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention improves indium-incorporation by manufacturing a gallium nitride substrate 133 in which gallium nitride is grown in the N-polar direction, thereby improving indium-incorporation. In addition, it is advantageous when a composition of InGaN is required, and a gallium nitride substrate 133 having excellent band edge emission and almost no yellow luminescence can be manufactured.

인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)은 질화갈륨(GaN)을 성장시키는 조건에서 갈륨(Ga)과 함께 인듐(In)을 공급하면 갈륨(Ga)이 들어갈 격자 위치에 인듐(In)이 위치(함입; incorporation)하게 되는 것으로, 질화갈륨(GaN)와 질화인듐(InN)을 결합하여 임듐질화갈륨(InGaN)을 만드는 과정에서 중요한 요인으로 작용한다.Indium-incorporation (In-incorporation), when supplying indium (In) together with gallium (Ga) under the condition of growing gallium nitride (GaN), indium (In) is located in the lattice position where gallium (Ga) will enter (incorporation) Incorporation, it is an important factor in the process of making gallium nitride (InGaN) by combining gallium nitride (GaN) and indium nitride (InN).

만약, 갈륨(Ga)이 들어갈 격자 위치에 인듐(In)이 위치하게 되는 비율 즉, 인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)이 크면 클수록 InxGa1 - xN에서 x의 값이 커지게 되면서 질화갈륨(GaN)의 밴드갭인 3.4eV가 점차적으로 줄어들면서 그린 영역까지 파장이 길어질 수 있고, 궁극적으로는 질화인듐(InN)의 밴드갭인 0.8eV까지 감소될 수 있다. 그린 영역의 밴드갭은 약 2.2eV이고, 적외선 영역의 밴드갭은 약 0.8eV이다.If the ratio of indium (In) is located at the lattice location where gallium (Ga) is to be entered, that is, the larger the indium-incorporation, the larger the value of x in In x Ga 1 - x N, the higher the value of x. As the band gap of gallium (GaN) 3.4eV gradually decreases, the wavelength may be extended to the green region, and ultimately, the band gap of indium nitride (InN) may be reduced to 0.8eV. The band gap in the green region is about 2.2 eV, and the band gap in the infrared region is about 0.8 eV.

따라서, 그린 영역까지 파장이 길어지려면 상당히 많은 양의 인듐(In)이 함입(incorporation)되어야 되나, 질화갈륨(GaN)을 성장시키는 조건에서 단순히 인듐(In)의 주입 양을 늘리는 방법으로는 x의 값이 용이하게 증가되지는 않는다.Therefore, in order to increase the wavelength to the green region, a large amount of indium (In) must be incorporated, but as a method of simply increasing the injection amount of indium (In) under the condition of growing gallium nitride (GaN), x The value is not easily increased.

그러나, 질화갈륨(GaN)의 경우, Ga-극성 질화갈륨보다는 N-극성 질화갈륨에서 인듐(In)의 함입(incorporation)이 잘되기 때문에, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 Ga-극성 질화 갈륨(131)과 N-극성 질화 갈륨(132)을 선택적으로 성장시킨 후, 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨(131)을 제거하는 공정을 이용하여, 인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)을 향상시킴으로써, 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할뿐만 아니라 그린(green) 영역으로까지 용이하게 파장 영역을 확대시킬 수 있다.However, in the case of gallium nitride (GaN), since the incorporation of indium (In) in N-polar gallium nitride is better than that of Ga-polar gallium nitride, the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention After the Ga-polar gallium nitride 131 and the N-polar gallium nitride 132 are selectively grown, and then selectively removing the Ga-polar gallium nitride 131, an indium-incorporation process is performed. By improving ), not only is it advantageous when a high proportion of InGaN composition is required, but the wavelength region can be easily extended to the green region.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법을 이용하여 제조된 질화 갈륨 기판은 발광 소자 및 발광 소자를 기반으로 하는 디스플레이에 사용할 수 있다.In addition, the gallium nitride substrate manufactured using the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention can be used for a light emitting device and a display based on a light emitting device.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법을 이용하여 제조된 질화 갈륨 기판을 활용하여 발광 소자를 제조함으로써, 발광 램프(luminescent lamp)를 대체할 수 있는 전반 조명(general lighting)에 활용될 수 있다.In addition, by manufacturing a light emitting device using a gallium nitride substrate manufactured using a method for manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention, in general lighting that can replace a luminescent lamp (general lighting) Can be utilized.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 템플릿 기판을 제조하기 위해, 성장 기판(110) 및 마스크 패턴(120)을 제거하는 공정을 진행하지 않을 수 있다.In addition, in order to manufacture a gallium nitride template substrate according to an embodiment of the present invention, a process of removing the growth substrate 110 and the mask pattern 120 may not be performed.

본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 템플릿 기판 제조 방법은 성장 기판(110) 및 마스크 패턴(120)을 제거하는 공정을 진행하지 않는 것을 제외하면, 도 2a 내지 도 2e에서 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법과 동일하므로, 중복되는 구성요소에 대해서는 생략하기로 한다.The method of manufacturing a gallium nitride template substrate according to an embodiment of the present invention is one of the present invention illustrated in FIGS. 2A to 2E, except that the process of removing the growth substrate 110 and the mask pattern 120 is not performed. Since it is the same as the method of manufacturing the gallium nitride substrate according to the embodiment, the overlapping components will be omitted.

즉, 도 2a 내지 도 2e에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법과 동일하게 제조한 다음, 공정을 완료하면, 성장 기판(110), 마스크 패턴(120) 및 질화 갈륨 기판(133)이 순차적으로 형성된 질화 갈륨 템플릿 기판이 제조된다.That is, after manufacturing in the same manner as the method for manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention shown in FIGS. 2A to 2E, and completing the process, the growth substrate 110, the mask pattern 120, and the gallium nitride substrate A gallium nitride template substrate on which 133 is sequentially formed is prepared.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 템플릿 기판 제조 방법은 마스크 패턴(120) 상에 N-극성 질화 갈륨(132)을 측면 성장시키는 단계를 진행하지 않으면, 오프닝 영역(121)이 노출된 질화 갈륨 기판이 제조될 수 있고, 마스크 패턴(120) 상에 N-극성 질화 갈륨(132)을 측면 성장시키는 단계를 진행하면, 노출 영역이 없는 판 형태의 질화 갈륨 기판(133)이 제조될 수 있다.In addition, in the method of manufacturing a gallium nitride template substrate according to an embodiment of the present invention, unless the step of laterally growing the N-polar gallium nitride 132 on the mask pattern 120 is performed, the opening region 121 is exposed A gallium nitride substrate may be manufactured, and when the N-polar gallium nitride 132 is laterally grown on the mask pattern 120, a gallium nitride substrate 133 in the form of a plate without an exposed region may be manufactured. have.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법에서, 성장 기판 및 마스크 패턴 상에 형성된 N-극성 질화 갈륨을 도시한 평면도이다.3 is a plan view showing an N-polar gallium nitride formed on a growth substrate and a mask pattern in a method for manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention.

성장 기판(110) 상에는 도트 형상을 갖는 윈도우 영역(121)을 제외한 영역에 N-극성 질화 갈륨(132)이 형성되어 있다.On the growth substrate 110, N-polar gallium nitride 132 is formed in a region except for the window region 121 having a dot shape.

따라서, N-극성 질화 갈륨(132)이 형성되지 않은 윈도우 영역(121)에는 성장 기판(110)이 노출된다.Therefore, the growth substrate 110 is exposed in the window region 121 where the N-polar gallium nitride 132 is not formed.

이하에서는, 도 4a 내지 도 4h를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4A to 4H.

본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 임시 기판을 사용하는 것을 제외하면 도 2a 내지 도 2f에서 설명한 바와 동일하므로, 중복되는 구성요소에 대해서는 생략하기로 한다.A method of manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention is the same as described in FIGS. 2A to 2F except for using a temporary substrate, and thus redundant components will be omitted.

도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법을 도시한 단면도 이다.4A to 4H are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 성장 기판(210) 상에 적어도 하나의 윈도우 영역(221) 및 돌출 영역(222)을 포함하는 마스크 패턴(220)을 형성하는 단계, 성장 기판(210) 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨(231) 및 N-극성 질화 갈륨(232)을 포함하는 질화 갈륨(230)을 형성하는 단계 및 Ga-극성 질화 갈륨(231)을 선택적으로 식각하는 단계를 포함한다.A method for manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention includes forming a mask pattern 220 including at least one window region 221 and a protruding region 222 on the growth substrate 210, the growth substrate Gallium nitride (GaN) is epitaxially overgrown (ELOG) on the 210 to form gallium nitride 230 including Ga-polar gallium nitride 231 and N-polar gallium nitride 232. The step of forming and selectively etching the Ga-polar gallium nitride 231 are included.

또한, 성장 기판(210) 및 상기 마스크 패턴(220)을 제거하는 단계, N-극성 질화 갈륨(232)을 임시 기판(250) 상에 부착시키는 단계, N-극성 질화 갈륨(232)을 측면 성장시키는 단계를 포함한다.In addition, removing the growth substrate 210 and the mask pattern 220, attaching the N-polar gallium nitride 232 on the temporary substrate 250, side-grown the N-polar gallium nitride 232 It includes the steps.

도 4a는 성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴이 형성된 단면도이다.4A is a cross-sectional view of a mask pattern including at least one window region and a protruding region on a growth substrate.

마스크 패턴(220)은 패터닝 공정에 의해 윈도우 영역(221) 및 돌출 영역(222)을 포함할 수 있고, 후에 질화 갈륨(230)은 마스크 패턴(220)의 윈도우 영역(221)을 통하여 성장될 수 있다.The mask pattern 220 may include a window region 221 and a protruding region 222 by a patterning process, and later gallium nitride 230 may be grown through the window region 221 of the mask pattern 220. have.

바람직하게는, 성장 기판(210)은 사파이어가 사용될 수 있다.Preferably, the growth substrate 210 may be sapphire.

바람직하게는 마스크 패턴(220)은 실리콘 산화물이 사용될 수 있고, 마스크 패턴(220)의 윈도우 영역(221)은 도트 형상, 직사각형 형상, 타원형 형상 또는 스트라이프 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Preferably, the mask pattern 220 may be silicon oxide, and the window region 221 of the mask pattern 220 may have a dot shape, a rectangular shape, an oval shape, or a stripe shape, but is not limited thereto.

도 4b 및 도 4c는 성장 기판 상에 질화 갈륨을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계를 도시한 단면도이다.4B and 4C are cross-sectional views showing a step of forming gallium nitride including Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride by epitaxially overgrown (ELOG) gallium nitride on a growth substrate.

Ga-극성 질화 갈륨(231) 및 N-극성 질화 갈륨(232)을 포함하는 질화 갈륨(230)은 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG) 방법으로 성장될 수 있다.The gallium nitride 230 including the Ga-polar gallium nitride 231 and the N-polar gallium nitride 232 may be grown by an epitaxial side overgross (ELOG) method.

먼저, 도 4b에서와 같이, 질화 갈륨(230)은 마스크 패턴(220)의 윈도우 영역(221)을 통하여 수직 성장된다. 이후, 성장의 마지막 단계에서, 마스크 패턴(220)의 돌출 영역(222)의 측방향으로 연장되어 질화 갈륨(230)이 성장될 수 있다.First, as in FIG. 4B, gallium nitride 230 is vertically grown through the window region 221 of the mask pattern 220. Thereafter, in the final stage of growth, the gallium nitride 230 may be grown by extending in the lateral direction of the protruding region 222 of the mask pattern 220.

이로 인해, 도 4c에서와 같이, 성장 기판(210) 및 마스크 패턴(220) 상부 표면에 전체적으로 질화 갈륨(230)이 형성될 수 있다.Due to this, as shown in FIG. 4C, gallium nitride 230 may be formed on the entire surface of the growth substrate 210 and the mask pattern 220.

성장된 질화 갈륨(230)은 마스크 패턴(220)의 윈도우 영역(221) 상에 성장된 Ga-극성 질화 갈륨(231) 및 마스크 패턴(220)의 돌출 영역(222) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(132)을 포함할 수 있다.The grown gallium nitride 230 is Ga-polar gallium nitride 231 grown on the window region 221 of the mask pattern 220 and N-polarity grown on the protruding region 222 of the mask pattern 220. Gallium nitride (132).

또한, 윈도우 영역(221) 상에서는 Ga-극성 질화 갈륨(231)만 성장되도록 하고, 돌출 영역(222) 상에서는 N-극성 질화 갈륨(232)만 성장되거나, Ga-극성 질화 갈륨(231) 및 Ga-극성 질화 갈륨(232)이 혼재되어 성장될 수 있다.In addition, only the Ga-polar gallium nitride 231 is grown on the window region 221, and only the N-polar gallium nitride 232 is grown on the protruding region 222, or the Ga-polar gallium nitride 231 and Ga- Polar gallium nitride 232 may be mixed and grown.

또한, 윈도우 영역(221) 상에 성장된 Ga-극성 질화 갈륨(231)은 돌출 영역(222) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(232)보다 결함(defect) 비율이 높은 결함 영역일 수 있다.In addition, the Ga-polar gallium nitride 231 grown on the window region 221 may be a defect region having a higher defect ratio than the N-polar gallium nitride 232 grown on the protruding region 222. .

도 4d는 Ga-극성 질화 갈륨이 선택적으로 식각된 단면도이다.4D is a cross-sectional view of Ga-polar gallium nitride selectively etched.

Ga-극성 질화 갈륨(231)은 염화수소 가스(HCl gas)를 이용한 건식 식각으로 제거될 수 있다.Ga-polar gallium nitride 231 may be removed by dry etching using hydrogen chloride gas (HCl gas).

질화 갈륨은 극성에 따라 식각 속도에서 차이를 나타낸다. N-극성 질화 갈륨(232)은 상대적으로 염화수소 가스(HCl gas)에 대해 식각 내성을 갖는 반면, Ga-극성 질화 갈륨(231)은 염화수소 가스(HCl gas)에 쉽게 식각되는 특성을 갖는다.Gallium nitride has a difference in etching rate depending on the polarity. The N-polar gallium nitride 232 is relatively etch resistant to hydrogen chloride gas (HCl gas), while the Ga-polar gallium nitride 231 is easily etched to hydrogen chloride gas (HCl gas).

따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 염화수소 가스(HCl gas)를 이용한 화학적 식각만으로 추가적인 마스크 사용 없이도 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨(231)을 용이하게 제거할 수 있다.Accordingly, the method for manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention can easily remove the Ga-polar gallium nitride 231 selectively without using an additional mask by chemical etching using hydrogen chloride gas (HCl gas).

따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 Ga-극성 질화 갈륨(231)만 선택적으로 제거하여 성장 기판(210) 상에 "인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)을 향상시켜 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할 뿐만 아니라, 밴드에지 이미션(band edge emission)이 강하고 황색 발광(yellow luminescence)이 거의 없는 광특성이 우수한 N-극성 질화 갈륨(232)만 남게 된다.Therefore, the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention selectively removes only the Ga-polar gallium nitride 231 to improve the "indium-incorporation (In-incorporation) on the growth substrate 210, high In addition to being advantageous when a ratio of InGaN composition is required, only N-polar gallium nitride 232 having excellent optical properties with strong band edge emission and little yellow luminescence remains.

도 4e는 마스크 패턴이 제거된 단면도이다.4E is a cross-sectional view with the mask pattern removed.

마스크 패턴은 화학적 식각을 통하여 N-극성 질화 갈륨(232)로부터 제거될 수 있고, 플루오르화 수소산(HF) 및 버퍼 옥사이드 에천트(Buffered Oxide Etchant) 중 어느 하나 또는 이들 하나 이상의 조합에 의한 혼합 용액인 것을 이용한 습식 식각에 의해 진행될 수 있으며, 바람직하게는 플루오르화 수소산(HF)이 사용될 수 있다.The mask pattern can be removed from the N-polar gallium nitride 232 through chemical etching, and is a mixed solution by any one of hydrofluoric acid (HF) and buffered oxide etchant or a combination of one or more of these. It may be carried out by wet etching using the same, preferably hydrofluoric acid (HF) may be used.

본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 희생층이 필요 없는 화학적 식각을 이용하여 N-극성 질화 갈륨(232)으로부터 성장 기판을 제거함으로써, 성장 기판 제거 공정으로 인한 질화 갈륨 기판의 손상을 감소시켜, 고품질의 질화 갈륨 기판 특성을 유지시킬 수 있다.The method of manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention removes the growth substrate from the N-polar gallium nitride 232 using a chemical etching that does not require a sacrificial layer, thereby damaging the gallium nitride substrate due to the growth substrate removal process By reducing, it is possible to maintain high quality gallium nitride substrate properties.

도 4f는 N-극성 질화 갈륨이 임시 기판 상에 부착된 단면도이다.4F is a cross-sectional view of N-polar gallium nitride attached to a temporary substrate.

N-극성 질화 갈륨(232)를 측면 성장시키기 위해서 N-극성 질화 갈륨(232)을 포함하는 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨(232)을 임시 기판(250) 상에 부착시킨다.To laterally grow the N-polar gallium nitride 232, free-standing gallium nitride 232 including N-polar gallium nitride 232 is attached on the temporary substrate 250.

임시 기판(250)은 사파이어(sapphire), 갈륨 비소(GaAs; gallium arsenide), 스피넬(spinel), 실리콘(Si; silicon), 인화 인듐(InP; indium phosphide) 또는 실리콘 카바이드(SiC; silicon carbide)의 기재(251) 상부에 실리콘 산화물(SiOx; silicon oxide) 또는 실리콘 질화물(SiNx; silicon nitride)을 포함하는 비정질 박막의 보조층(252)이 증착된 템플릿이 사용될 수 있다.The temporary substrate 250 is made of sapphire, gallium arsenide (GaAs), spinel, silicon (Si), indium phosphide (InP) or silicon carbide (SiC). A template in which an auxiliary layer 252 of an amorphous thin film including silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) is deposited on the substrate 251 may be used.

도 4g는 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨이 측면 성장된 단면도이다.4G is a cross-sectional view of free-standing gallium nitride side grown.

비정질 박막이 증착된 임시 기판(250) 상에 부착된 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨(232)을 측면 성장시킴으로써 질화 갈륨 기판(233)이 형성된다.The gallium nitride substrate 233 is formed by side-growing free-standing gallium nitride 232 attached to the temporary substrate 250 on which the amorphous thin film is deposited.

도 4h는 임시 기판이 분리된 질화 갈륨 기판의 단면도이다.4H is a cross-sectional view of the gallium nitride substrate with the temporary substrate separated.

본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 임시 기판 상에 성장된 질화 갈륨 기판을 분리시키는 단계를 더 포함할 수 있다.The method for manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention may further include separating the gallium nitride substrate grown on the temporary substrate.

따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 기판 제조 방법은 고품질의 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판을 제조할 수 있다.Therefore, the method for manufacturing a gallium nitride substrate substrate according to another embodiment of the present invention can manufacture a high-quality free-standing gallium nitride substrate.

본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 질화 갈륨 기판(233)의 상하부 방향에 따라, Ga-극성 및 N-극성을 선택적으로 활용 가능하다.In the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention, Ga-polarity and N-polarity can be selectively utilized depending on the upper and lower directions of the gallium nitride substrate 233.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 N-극성 방향으로 질화 갈륨을 성장시켜 질화 갈륨 기판(233)을 제조함으로써, 인-코어퍼레이션(In-incorporation)을 향상시켜 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할 뿐만 아니라, 밴드에지 이미션(band edge emission)이 강하고 황색 발광(yellow luminescence)이 거의 없는 광특성이 우수한 질화 갈륨 기판(233)을 제조할 수 있다.In addition, the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention increases gallium nitride in the N-polar direction to produce a gallium nitride substrate 233, thereby improving in-incorporation to improve high In addition to being advantageous when a ratio of InGaN composition is required, a gallium nitride substrate 233 having excellent band edge emission and excellent light characteristics with little yellow luminescence can be produced.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법에서, 성장 기판 및 마스크 패턴을 제거한 후의 N-극성 질화 갈륨을 도시한 평면도이다.5 is a plan view illustrating an N-polar gallium nitride after removing a growth substrate and a mask pattern in a method of manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention.

N-극성 질화 갈륨(232)은 윈도우 영역(221)과 대응되는 도트 형상의 오프닝부를 포함한다.The N-polar gallium nitride 232 includes a dot-shaped opening corresponding to the window region 221.

그러나, 도 5는 도 3에서와는 다르게, N-극성 질화 갈륨(232)이 형성되지 않은 윈도우 영역(121)에 성장 기판(110)이 없다.However, in FIG. 5, unlike in FIG. 3, there is no growth substrate 110 in the window region 121 where the N-polar gallium nitride 232 is not formed.

도 6은 건식 식각 공정이 일부 진행된 Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 도시한 이미지이다.FIG. 6 is an image showing Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride partially processed by dry etching.

Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨이 성장된 성장 기판을 석영 반응로에 넣고 염화 수소 가스를 주입하면, 윈도우 영역에 성장된 N-극성 질화 갈륨은 관통 전위 부분만 식각되고, 돌출 영역에 성장된 Ga-극성 질화 갈륨은 대부분 식각된 것으로 보아, 염화수소 가스를 이용하면 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각할 수 있는 것을 알 수 있다.When a growth substrate in which Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride are grown is placed in a quartz reactor and hydrogen chloride gas is injected, the N-polar gallium nitride grown in the window region is etched only through the penetration potential, and in the protruding region. Since the grown Ga-polar gallium nitride is mostly etched, it can be seen that Ga-polar gallium nitride can be selectively etched using hydrogen chloride gas.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.As described above, although the present invention has been described with limited embodiments and drawings, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and variations from these descriptions will be made by those skilled in the art to which the present invention pertains. This is possible.

그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the following claims, but also by the claims and equivalents.

10: Ga-극성(+c) 20: N-극성(-c)
G; 갭 110: 성장 기판
120, 220: 마스크 패턴 121, 221: 윈도우 영역
122, 222, 322, 422: 돌출 영역 130, 230: 질화 갈륨
131, 231: Ga-극성 질화 갈륨 132, 232: N-극성 질화 갈륨
133, 233: 질화 갈륨 기판 210: 성장 기판
250: 임시 기판 251: 기재
252: 보조층10: Ga-polarity (+c) 20: N-polarity (-c)
G; Gap 110: growth substrate
120, 220: mask pattern 121, 221: window area
122, 222, 322, 422: protrusion area 130, 230: gallium nitride
131, 231: Ga-polar gallium nitride 132, 232: N-polar gallium nitride
133, 233: gallium nitride substrate 210: growth substrate
250: temporary substrate 251: description
252: auxiliary layer

Claims (8)

성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계;
상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계;
상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계; 및
상기 마스크 패턴을 제거하는 단계
를 포함하며,
상기 윈도우 영역 상에서는 상기 Ga-극성 질화 갈륨만 성장되도록 하고, 상기 돌출 영역 상에서는 상기 N-극성 질화 갈륨만 성장되거나, 상기 Ga-극성 질화 갈륨 및 상기 N-극성 질화 갈륨이 혼재되어 성장되는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법.
Forming a mask pattern including at least one window area and a protrusion area on the growth substrate;
Forming gallium nitride including Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride by epitaxial lateral overgrowth (ELOG) on gallium nitride (GaN) on the growth substrate;
Selectively etching the Ga-polar gallium nitride; And
Removing the mask pattern
It includes,
It is characterized in that only the Ga-polar gallium nitride is grown on the window region, and only the N-polar gallium nitride is grown on the protruding region, or the Ga-polar gallium nitride and the N-polar gallium nitride are mixed and grown. Method for manufacturing a gallium nitride substrate.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계는,
상기 N-극성 질화 갈륨을 측면 성장시키는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법.
According to claim 1,
The step of forming gallium nitride including Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride by epitaxial lateral overgrowth (ELOG) on gallium nitride (GaN) on the growth substrate,
Laterally growing the N-polar gallium nitride
A method of manufacturing a gallium nitride substrate comprising a.
제1항에 있어서,
상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계는,
염화수소 가스(HCl gas)를 사용하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법.
According to claim 1,
The step of selectively etching the Ga-polar gallium nitride,
Method for manufacturing a gallium nitride substrate, characterized in that using a hydrogen chloride gas (HCl gas).
제1항에 있어서,
상기 성장 기판은 사파이어(sapphire), 갈륨 비소(GaAs; gallium arsenide), 스피넬(spinel), 실리콘(Si; silicon), 인화 인듐(InP; indium phosphide) 및 실리콘 카바이드(SiC; silicon carbide) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법.
According to claim 1,
The growth substrate is at least any one of sapphire, gallium arsenide (GaAs), spinel, silicon (Si; silicon), indium phosphide (InP) and silicon carbide (SiC). Method for manufacturing a gallium nitride substrate, characterized in that one.
제1항에 있어서,
상기 마스크 패턴은 실리콘 산화물(SiO2; silicon oxide), 실리콘 질화물(SiNx; silicon nitride) 및 실리콘 산질화물(SiON; silicon oxynitride) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법.
According to claim 1,
The mask pattern comprises at least one of silicon oxide (SiO 2 ; silicon oxide), silicon nitride (SiNx; silicon nitride) and silicon oxynitride (SiON; silicon oxynitride).
성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계;
상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계;
상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계;
상기 마스크 패턴을 제거하는 단계;
상기 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨을 비정질 박막이 증착된 임시 기판 상에 부착시키는 단계; 및
상기 비정질 박막이 증착된 임시 기판 상에 부착된 상기 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨을 측면 성장시키는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법.
Forming a mask pattern including at least one window area and a protrusion area on the growth substrate;
Forming gallium nitride including Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride by epitaxial lateral overgrowth (ELOG) on gallium nitride (GaN) on the growth substrate;
Selectively etching the Ga-polar gallium nitride;
Removing the mask pattern;
Attaching a free-standing gallium nitride containing the N-polar gallium nitride onto a temporary substrate on which an amorphous thin film is deposited; And
Laterally growing the free-standing gallium nitride attached on a temporary substrate on which the amorphous thin film is deposited.
A method of manufacturing a gallium nitride substrate comprising a.
성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계;
상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계; 및
상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계
를 포함하며,
상기 윈도우 영역 상에서는 상기 Ga-극성 질화 갈륨만 성장되도록 하고, 상기 돌출 영역 상에서는 상기 N-극성 질화 갈륨만 성장되거나, 상기 Ga-극성 질화 갈륨 및 상기 N-극성 질화 갈륨이 혼재되어 성장되는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 템플릿(template) 기판 제조 방법.Forming a mask pattern including at least one window area and a protrusion area on the growth substrate;
Forming gallium nitride including Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride by epitaxial lateral overgrowth (ELOG) on gallium nitride (GaN) on the growth substrate; And
Selectively etching the Ga-polar gallium nitride
It includes,
It is characterized in that only the Ga-polar gallium nitride is grown on the window region, and only the N-polar gallium nitride is grown on the protruding region, or the Ga-polar gallium nitride and the N-polar gallium nitride are mixed and grown. Gallium nitride template substrate manufacturing method.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101105868B1 (en) * 2010-11-08 2012-01-16 한국광기술원 Method for preparing group iii-nitride substrate using chemical lift off
JP2014063917A (en) * 2012-09-21 2014-04-10 Fujitsu Ltd Compound semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2015529626A (en) * 2012-08-28 2015-10-08 シックスポイント マテリアルズ， インコーポレイテッド Group III nitride wafer and production method thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101355086B1 (en) 2012-12-18 2014-01-27 한국광기술원 Method for manufacturing semi-polar nitride using nano pillar structure

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101105868B1 (en) * 2010-11-08 2012-01-16 한국광기술원 Method for preparing group iii-nitride substrate using chemical lift off
JP2015529626A (en) * 2012-08-28 2015-10-08 シックスポイント マテリアルズ， インコーポレイテッド Group III nitride wafer and production method thereof
JP2014063917A (en) * 2012-09-21 2014-04-10 Fujitsu Ltd Compound semiconductor device and manufacturing method of the same

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