KR20200001209A - Method for manufacturing a gallium nitride substrate - Google Patents
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- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 381
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 355
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 193
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 18
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 claims abstract description 13
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 31
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 5
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 14
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 10
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- -1 watershed Substances 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
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- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
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- H01L21/02387—Group 13/15 materials
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02592—Microstructure amorphous
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Abstract
Description
본 발명의 실시예들은 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth) 및 선택적 식각을 이용한 질화 갈륨 기판의 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a method of manufacturing a gallium nitride substrate using epitaxial lateral overgrowth (ELOG) and selective etching.
최근, 질화 갈륨(GaN)과 같은 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는, 우수한 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), 태양 전지, 광전자장치, 레이저 다이오드, 고-주파수 마이크로 전자장치와 같은 반도체 광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는 통상 AlxInyGa1-x-yN(0=x≤=1, 0≤=y≤=1, 0≤=x+y≤=1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져있다. 이러한 질화물 반도체 광소자는 핸드폰의 백라이트(backlight)나 키패드, 전광판, 조명 장치와 같은 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.Recently, III-V nitride semiconductors, such as gallium nitride (GaN), are due to their excellent physical and chemical properties such as light emitting diodes (LEDs), laser diodes (LDs), solar cells, optoelectronic devices, laser diodes, and high-frequency microelectronics. It is attracting attention as the core material of semiconductor optical devices such as devices. A III-V nitride semiconductor is usually made of a semiconductor material having a compositional formula of Al x In y Ga 1-x -y N (0 = x ≦ = 1, 0 ≦ = y ≦ = 1, 0 ≦ = x + y ≦ = 1). The nitride semiconductor optical device is applied as a light source of various products such as a backlight of a mobile phone, a keypad, an electronic board, an illumination device, and the like.
그러나, 질화 갈륨(GaN)은 실리콘(Si)과 달리 잉곳 제작이 거의 불가능하기 때문에 단결정 기판 제작에 큰 어려움이 있다. 따라서, 질화 갈륨은 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판 또는 실리콘 기판에 질화 갈륨 후막을 이종 에피텍시얼에 의해 성장시킨 후, 기판을 분리하여 질화 갈륨을 제조하였다.However, gallium nitride (GaN), unlike silicon (Si), is almost impossible to manufacture ingots, and thus has a great difficulty in producing a single crystal substrate. Therefore, gallium nitride was grown by sapphire substrate, silicon carbide substrate, or silicon substrate by growing a gallium nitride thick film by heteroepitaxial, and then separating the substrate to produce gallium nitride.
그러나, 상기와 같이 질화 갈륨을 형성하는 방법은 층들 사이에 격자 짝을 잘못 짓기 때문에 팽팽하게 되거나 완화되고, 이로 인해 탈구의 가능성이 매우 높게 되어 디바이스의 수명 단축과 함께 실행의 한계를 가져오게 되는 문제점이 있었다.However, the method of forming gallium nitride as described above is tensioned or mitigated due to the mismatching of lattice pairs between layers, which leads to a high possibility of dislocation, resulting in shortening of device life and limit of performance. There was this.
또한, 질화 갈륨을 고품질로 제조하는 것은 고품질의 벌크 결정 및/또는 이들 물질들의 결정 성질에 정합되는 적합한 성장 기판이 없기 때문에 질화 갈륨의 결정 성질들과 근접하게 정합되지 않는 성장 기판은 수용하기 어려운 밀도의 결함들과 전위들로 이어질 수 있다(질화 갈륨에 있어서, 특히 성장 기판과 GaN 사이의 계면에서 비롯되는 관통 전위(TD: threading dislocation)).In addition, the production of gallium nitride at high quality is difficult to accommodate growth substrates that do not match closely to the crystal properties of gallium nitride because there is no suitable growth substrate that matches high quality bulk crystals and / or crystal properties of these materials. Defects and dislocations (for gallium nitride, in particular threading dislocations (TD) originating at the interface between the growth substrate and GaN).
또한, 질화 갈륨을 분리하는 기술로 주로 레이저 리프트 오프(LLO; Laser Lift Off) 방식 또는 화학적 리프트 오프(CLO; Chemical Lift Off) 방식을 사용하였다.In addition, as a technique for separating gallium nitride, a laser lift off (LLO) method or a chemical lift off (CLO) method was mainly used.
그러나, 레이저 리프트 오프(LLO; Laser Lift Off) 방식은 레이저로 기판과 후막 사이 계면을 녹여서 분리하는 기술로 분리 과정에서 결함 발생율이 높고, 비용이 많이 발생하는 문제점이 있고, 화학적 리프트 오프(CLO; Chemical Lift Off) 방식은 비교적 저렴하고 분리 과정에서 추가적인 결함 발생률이 낮으나, 화학적으로 식각 가능한 희생층(sacrificial layer)이 필요하기 때문에, 희생층 상에 성장된 질화 갈륨의 결정성이 상대적으로 낮다는 문제점이 있었다.However, the laser lift off (LLO) method is a technique of separating and dissolving an interface between a substrate and a thick film by a laser, and has a problem of high defect occurrence rate and high cost in the separation process, and chemical lift off (CLO); Chemical Lift Off) method is relatively inexpensive and has a low incidence of additional defects in the separation process, but requires a chemically etchable sacrificial layer, so that the crystallinity of gallium nitride grown on the sacrificial layer is relatively low. There was this.
본 발명의 실시예들의 목적은 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨과 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 성장시킨 후, 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨을 제거하는 공정을 이용하여 고품질의 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판 및 고품질의 질화 갈륨 템플릿(template) 기판을 제조하기 위한 것이다.An object of embodiments of the present invention is to epitaxially lateral overgroose (ELOG) gallium nitride (GaN) to selectively grow Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride, and then selectively Ga-polar A process for removing gallium nitride is used to produce high quality free-standing gallium nitride substrates and high quality gallium nitride template substrates.
본 발명의 실시예들의 목적은 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨과 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 성장시킨 후, 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨을 제거하는 공정을 이용하여 인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)을 향상시켜 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할 뿐만 아니라, 밴드에지 이미션(band edge emission)이 강하고 황색 발광(yellow luminescence)이 거의 없는 광특성이 우수한 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판 및 질화 갈륨 템플릿(template) 기판을 제조하기 위한 것이다.An object of embodiments of the present invention is to epitaxially lateral overgroose (ELOG) gallium nitride (GaN) to selectively grow Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride, and then selectively Ga-polar The process of removing gallium nitride improves In-incorporation, which is advantageous when a high ratio of InGaN composition is required, as well as strong band edge emission and yellow emission. The present invention provides a free-standing gallium nitride substrate and a gallium nitride template substrate having excellent optical properties with little luminescence.
본 발명의 실시예들의 목적은 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨과 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 성장시킨 후, 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨을 제거하는 공정을 이용하여, 질화 갈륨 기판의 결함 비율을 감소시키기 위한 것이다.An object of embodiments of the present invention is to epitaxially lateral overgroose (ELOG) gallium nitride (GaN) to selectively grow Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride, and then selectively Ga-polar The process for removing gallium nitride is used to reduce the defect ratio of gallium nitride substrates.
본 발명의 실시예들의 목적은 희생층이 필요 없는 화학적 식각을 이용하여 질화 갈륨으로부터 성장 기판을 제거하여, 성장 기판 제거 공정으로 인한 질화 갈륨 기판의 손상을 감소시켜, 고품질의 질화 갈륨 기판의 특성을 유지시키기 위한 것이다.It is an object of embodiments of the present invention to remove a growth substrate from gallium nitride using chemical etching that does not require a sacrificial layer, thereby reducing damage of the gallium nitride substrate due to the growth substrate removal process, thereby improving the characteristics of the high quality gallium nitride substrate. To maintain.
본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계; 상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.According to one or more exemplary embodiments, a method of manufacturing a gallium nitride substrate includes: forming a mask pattern including at least one window region and a protrusion region on a growth substrate; Epitaxial lateral overgrowth of gallium nitride (GaN) on the growth substrate to form gallium nitride including Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride; Selectively etching the Ga-polar gallium nitride; And removing the mask pattern.
상기 윈도우 영역 상에서는 상기 Ga-극성 질화 갈륨만 성장되도록 하고, 상기 돌출 영역 상에서는 상기 N-극성 질화 갈륨만 성장되거나, 상기 Ga-극성 질화 갈륨 및 상기 N-극성 질화 갈륨이 혼재되어 성장될 수 있다.Only the Ga-polar gallium nitride is grown on the window region, and only the N-polar gallium nitride is grown on the protruding region, or the Ga-polar gallium nitride and the N-polar gallium nitride are mixed and grown.
상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 상기 단계는, 상기 N-극성 질화 갈륨을 측면 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.The selectively etching the Ga-polar gallium nitride may include laterally growing the N-polar gallium nitride.
상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계는, 염화수소 가스(HCl gas)를 사용할 수 있다.In the etching of the Ga-polar gallium nitride selectively, hydrogen chloride gas (HCl gas) may be used.
상기 성장 기판은 사파이어(sapphire), 갈륨 비소(GaAs; gallium arsenide), 스피넬(spinel), 실리콘(Si; silicon), 인화 인듐(InP; indium phosphide) 또는 실리콘 카바이드(SiC; silicon carbide)일 수 있다.The growth substrate may be sapphire, gallium arsenide (GaAs; gallium arsenide), spinel, silicon (Si), indium phosphide (InP) or silicon carbide (SiC). .
상기 마스크 패턴은 실리콘 산화물(SiO2; silicon oxide), 실리콘 질화물(SiNx; silicon nitride) 또는 실리콘 산질화물(SiON; silicon oxynitride)일 수 있다.The mask pattern may be silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), or silicon oxynitride (SiON).
본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계; 상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계; 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 상기 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨을 비정질 박막이 증착된 임시 기판 상에 부착시키는 단계 및 상기 비정질 박막이 증착된 임시 기판 상에 부착된 상기 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨을 측면 성장시키는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a gallium nitride substrate, including forming a mask pattern including at least one window region and a protrusion region on a growth substrate; Epitaxial lateral overgrowth of gallium nitride (GaN) on the growth substrate to form gallium nitride including Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride; Selectively etching the Ga-polar gallium nitride; Removing the mask pattern; Attaching a free-standing gallium nitride comprising the N-polar gallium nitride onto a temporary substrate on which an amorphous thin film has been deposited and the free-standing attached on the temporary substrate on which the amorphous thin film is deposited ( lateral growth of free-standing gallium nitride.
본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 템플릿(template) 기판 제조 방법은 성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, N-극성 질화 갈륨 및 Ga-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계; 및 상기 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a gallium nitride template substrate according to an embodiment of the present invention includes forming a mask pattern including at least one window region and a protrusion region on a growth substrate; Epitaxial lateral overgrowth of gallium nitride (GaN) on the growth substrate to form gallium nitride including N-polar gallium nitride and Ga-polar gallium nitride; And selectively etching the N-polar gallium nitride.
본 발명의 실시예들에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨과 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 성장시킨 후, 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨을 제거하는 공정을 이용하여 질화 갈륨 기판을 제조함으로써, 고품질의 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판 및 질화 갈륨 템플릿(template) 기판을 제조할 수 있다.In the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to the embodiments of the present invention, gallium nitride (GaN) is epitaxially lateral overgroove (ELOG) to selectively grow Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride. By producing a gallium nitride substrate using a process that selectively removes Ga-polar gallium nitride, high quality free-standing gallium nitride substrates and gallium nitride template substrates can be produced.
본 발명의 실시예들에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨과 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 성장시킨 후, 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨을 제거하는 공정을 이용하여 질화 갈륨 기판을 제조함으로써, 인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)을 향상시켜 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할 뿐만 아니라, 밴드에지 이미션(band edge emission)이 강하고 황색 발광(yellow luminescence)이 거의 없는 광특성이 우수한 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판 및 질화 갈륨 템플릿(template) 기판을 제조할 수 있다.In the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to the embodiments of the present invention, gallium nitride (GaN) is epitaxially lateral overgroove (ELOG) to selectively grow Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride. By fabricating a gallium nitride substrate using a process that selectively removes Ga-polar gallium nitride, it is advantageous if the indium-incorporation is improved to require a high ratio of InGaN composition, as well as a band edge. A free-standing gallium nitride substrate and a gallium nitride template substrate having high band edge emission and excellent optical characteristics with little yellow luminescence can be manufactured.
본 발명의 실시예들에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨과 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 성장시킨 후, 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨을 제거하는 공정을 이용함으로써, 질화 갈륨 기판의 결함 비율을 감소시킬 수 있다.In the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to the embodiments of the present invention, gallium nitride (GaN) is epitaxially lateral overgroove (ELOG) to selectively grow Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride. By using a process of selectively removing Ga-polar gallium nitride, the defect ratio of the gallium nitride substrate can be reduced.
본 발명의 실시예들에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 희생층이 필요 없는 화학적 식각을 이용하여 질화 갈륨으로부터 성장 기판을 제거함으로써, 성장 기판 제거 공정으로 인한 질화 갈륨 기판의 손상을 감소시켜, 고품질의 질화 갈륨 기판의 특성을 유지시킬 수 있다.The gallium nitride substrate manufacturing method according to the embodiments of the present invention removes the growth substrate from the gallium nitride by using a chemical etching that does not require a sacrificial layer, thereby reducing the damage of the gallium nitride substrate due to the growth substrate removal process, The properties of the gallium nitride substrate can be maintained.
도 1은 질화 갈륨의 Ga-극성 및 N-극성을 도시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판의 제조 방법을 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법에서, 성장 기판 및 마스크 패턴 상에 형성된 N-극성 질화 갈륨을 도시한 평면도이다.
도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법을 도시한 단면도 이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법에서, 성장 기판 및 마스크 패턴을 제거한 후의 N-극성 질화 갈륨을 도시한 평면도이다.
도 6은 건식 식각 공정이 일부 진행된 Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 도시한 이미지이다.1 is a diagram illustrating Ga-polarity and N-polarity of gallium nitride.
2A to 2F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view illustrating an N-polar gallium nitride formed on a growth substrate and a mask pattern in the gallium nitride substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
4A to 4H are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a plan view illustrating an N-polar gallium nitride after removing a growth substrate and a mask pattern in the gallium nitride substrate manufacturing method according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is an image illustrating Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride in which a dry etching process is partially performed.
이하에서, 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 이러한 실시예들에 의해 권리범위가 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the scope of the present invention is not limited or limited by these embodiments. Like reference numerals in the drawings denote like elements.
아래 설명에서 사용되는 용어는, 연관되는 기술 분야에서 일반적이고 보편적인 것으로 선택되었으나, 기술의 발달 및/또는 변화, 관례, 기술자의 선호 등에 따라 다른 용어가 있을 수 있다. 따라서, 아래 설명에서 사용되는 용어는 기술적 사상을 한정하는 것으로 이해되어서는 안 되며, 실시예들을 설명하기 위한 예시적 용어로 이해되어야 한다.The terminology used in the description below has been selected to be general and universal in the art to which it relates, although other terms may vary depending on the development and / or change in technology, conventions, and preferences of those skilled in the art. Therefore, the terms used in the following description should not be understood as limiting the technical spirit, and should be understood as exemplary terms for describing the embodiments.
또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 설명 부분에서 상세한 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 아래 설명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌 그 용어가 가지는 의미와 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 이해되어야 한다. In addition, in certain cases, there is a term arbitrarily selected by the applicant, and in this case, the meaning will be described in detail in the corresponding description. Therefore, the terms used in the following description should be understood based on the meanings of the terms and the contents throughout the specification, rather than simply the names of the terms.
한편, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의하여 한정되지 않는다. 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. Meanwhile, terms such as first and second may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are used only to distinguish one component from another.
또한, 막, 층, 영역, 구성 요청 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 층, 양역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In addition, when a part such as a film, layer, area, configuration request, etc. is said to be "on" or "on" another part, it is not only when it is directly above another part, but also in the middle of the other film, layer, watershed, or component. It also includes the case where it is interposed.
도 1은 질화 갈륨의 Ga-극성 및 N-극성을 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating Ga-polarity and N-polarity of gallium nitride.
질화 갈륨은 우수한 물리적, 화학적 특성으로 인해 다양한 광소자의 핵심 소재로 사용되고 있다. 질화 갈륨은 사파이어, 실리콘 카바이드 또는 실리콘 같은 성장 기판 상에 이종 에피텍시얼에 의해 성장시켜 사용된다.Gallium nitride is used as a core material for various optical devices because of its excellent physical and chemical properties. Gallium nitride is used by growing by heteroepitaxial on a growth substrate such as sapphire, silicon carbide or silicon.
질화 갈륨을 성장시키기 위해서는 결정 품질에 유의하여야 한다. 특히, 결정 품질은 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)를 활용함으로써 개선될 수도 있다.Care must be taken in crystal quality in order to grow gallium nitride. In particular, crystal quality may be improved by utilizing epitaxial lateral overgrowth (ELOG).
에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)는 기판으로부터 수직 방향으로 질화 갈륨이 성장될뿐만 아니라 마스킹 패턴 위로도 측면 방향으로 성장될 수 있다.Epitaxial lateral overgrowth (ELOG) can grow not only gallium nitride in the vertical direction from the substrate, but also laterally over the masking pattern.
또한, 질화 갈륨은 결함뿐만 아니라, 특히, 중요한 결정 성질로 "결정 극성(crystal polarity)"이 있다.In addition, gallium nitride has not only defects, but especially "crystal polarity" as an important crystalline property.
도 1을 참조하면, 갈륨(Ga) 원자들은 큰 회색 구로 도시되고, 질소(N) 원자들은 작은 흑색 구로 도시된다.Referring to FIG. 1, gallium (Ga) atoms are shown as large gray spheres, and nitrogen (N) atoms as small black spheres.
도 1에 도시된 바와 같이, 질화 갈륨에서(예; 우르짜이트(wurtzite) 질화 갈륨) 각 갈륨 원자는 네 개의 질소 원자들에 사면체적으로 배위된다.As shown in FIG. 1, each gallium atom in gallium nitride (eg, wurtzite gallium nitride) is tetrahedrally coordinated to four nitrogen atoms.
질화 갈륨은 방향에 따라, Ga-극성(+c; 10) 및 N-극성(-c; 20)으로 구분될 수 있다. 여기서 레이블 c는 에피택시 막의 평면에 대하여 수평한 결정 평면을 가리킨다.Gallium nitride may be divided into Ga-polar (+ c; 10) and N-polar (-c; 20) depending on directions. Wherein label c refers to a crystal plane that is horizontal to the plane of the epitaxy film.
질화 갈륨의 극성은 표면 성질은 아니나, 질화 갈륨의 벌크 성질에 지대한 영향을 미치는 점에 유의하는 것이 중요하고, 극성에 따라 상이한 성질이 발현될 수 있다. 따라서, 에피택시 질화 갈륨 성장층의 극성 특성을 활용하여 소자를 제작할 수 있다.It is important to note that the polarity of gallium nitride is not a surface property, but has a great influence on the bulk property of gallium nitride, and different properties may be expressed depending on the polarity. Therefore, the device may be manufactured by utilizing the polarity characteristics of the epitaxial gallium nitride growth layer.
본 발명에서는 Ga-극성(+c; 10) 질화 갈륨 및 N-극성(-c; 20) 질화 갈륨을 선택적으로 성장시키고, 그 중 Ga-극성(+c; 10) 부분의 질화 갈륨만을 선택적으로 제거함으로써, 인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)을 향상시켜 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할 뿐만 아니라, 밴드에지 이미션(band edge emission)이 강하고 황색 발광(yellow luminescence)이 거의 없는 광특성이 우수한 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판 혹은 질화갈륨 템플릿(template) 기판을 제조할 수 있다.In the present invention, Ga-polar (+ c; 10) gallium nitride and N-polar (-c; 20) gallium nitride are selectively grown, and only gallium nitride of the Ga-polar (+ c; 10) portion is selectively grown. By removing, the in-incorporation is improved, which is advantageous in the case where a high ratio of InGaN composition is required, as well as light with strong band edge emission and little yellow luminescence. A free-standing gallium nitride substrate or gallium nitride template substrate having excellent characteristics can be produced.
이하에서는, 도 2a 내지 도 2f를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판을 제조하는 기술에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a technique of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A to 2F.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판의 제조 방법을 도시한 단면도이다.2A to 2F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판의 제조 방법은 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 질화 갈륨(131) 및 N-극성 질화 갈륨(132)을 포함하는 질화 갈륨(130)을 형성시킨다. 이후, 식각을 이용하여 Ga-극성 질화 갈륨(131)만 선택적으로 제거함으로써, 고품질의 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판을 제조할 수 있다.In the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention, gallium nitride (GaN) is epitaxial lateral overgrowth (ELOG), thereby providing Ga-
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판의 제조 방법의 Ga-극성 질화 갈륨(131)을 선택적으로 식각하는 단계는 N-극성 질화 갈륨(132)을 측면 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the step of selectively etching the Ga-
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판의 제조 방법은 윈도우 영역(121) 상에는 Ga-극성 방향으로 성장된 질화 갈륨(이하, 'Ga-극성 질화 갈륨'라고 함)이 형성될 수 있고, 돌출 영역(122) 상에는 N-극성 방향으로 성장된 질화 갈륨(이하, 'N-극성 질화 갈륨'라고 함)이 성장될 수 있다.In addition, in the method for manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention, gallium nitride (hereinafter, referred to as “Ga-polar gallium nitride”) grown in the Ga-polar direction may be formed on the
도 2a는 성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴이 형성된 단면도이다.2A is a cross-sectional view of a mask pattern including at least one window area and a protruding area formed on a growth substrate.
마스크 패턴(120)은 성장 기판(110) 상에 증착 공정 또는 용액 공정을 이용하여 마스크층을 형성한 다음, 포토리소그래피 공정들을 이용하여 패터닝될 수 있다.The
마스크 패턴(120)은 패터닝 공정에 의해 윈도우 영역(121) 및 돌출 영역(122)을 포함할 수 있고, 후에 질화 갈륨은 마스크 패턴(120)의 윈도우 영역(121)을 통하여 성장될 수 있다.The
마스크 패턴(120)에 형성된 윈도우 영역(121) 또는 돌출 영역(122)은 도트 형상, 직사각형 형상, 타원형 형상 또는 스트라이프 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The
성장 기판(110)은 사파이어(sapphire), 갈륨 비소(GaAs; gallium arsenide), 스피넬(spinel), 실리콘(Si; silicon), 인화 인듐(InP; indium phosphide) 및 실리콘 카바이드(SiC; silicon carbide) 중 적어도 어느 하나일 수 있고, 바람직하게는 사파이어가 사용될 수 있다.The
마스크 패턴(120)은 실리콘 산화물(SiO2; silicon oxide), 실리콘 질화물(SiNx; silicon nitride) 및 실리콘 산질화물(SiON; silicon oxynitride) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 바람직하게는 실리콘 산화물이 사용될 수 있다.The
도 2b 및 도 2c는 성장 기판 상에 질화 갈륨을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, N-극성 질화 갈륨 및 Ga-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨이 형성된 단면도이다.2B and 2C are cross-sectional views of gallium nitride including gallium nitride and Ga-polar gallium nitride by epitaxial side overgloss (ELOG) on a growth substrate.
Ga-극성 질화 갈륨(131) 및 N-극성 질화 갈륨(132)을 포함하는 질화 갈륨(130)은 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG) 방법으로 성장된다.
에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)는 성장 기판(110)으로부터 수직 방향으로뿐만 아니라 마스크 패턴(120) 상부의 측면 방향으로도 질화 갈륨(130)이 성장될 수 있다.In the epitaxial lateral overgrowth ELOG, the
먼저, 도 2b에서와 같이, 질화 갈륨(130)이 마스크 패턴(120)의 윈도우 영역(121)을 통하여 수직 성장된다. 이후, 성장의 마지막 단계에서, 마스크 패턴(120)의 돌출 영역(122)의 측방향으로 연장되어 질화 갈륨(130)이 성장될 수 있다.First, as shown in FIG. 2B, the
이로 인해, 측방향으로 성장되는 질화 갈륨(130)은 일정 시간이 지난 후, 수직 성장된 질화 갈륨(130)이 병합되어 도 2c에서와 같이, 성장 기판(110) 및 마스크 패턴(120) 상부 표면에 전체적으로 성장된 질화 갈륨(130)이 형성될 수 있다.As a result, the
성장된 질화 갈륨(130)은 마스크 패턴(120)의 윈도우 영역(121) 상에 성장된 Ga-극성 질화 갈륨(131) 및 마스크 패턴(120)의 돌출 영역(122) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(132)을 포함할 수 있다.The grown
또한, 윈도우 영역(121) 상에서는 Ga-극성 질화 갈륨(131)만 성장되도록 하고, 돌출 영역(122) 상에서는 N-극성 질화 갈륨(132)만 성장되거나, Ga-극성 질화 갈륨(131) 및 N-극성 질화 갈륨(132)이 혼재되어 성장될 수 있다.In addition, only Ga-
윈도우 영역(121) 및 돌출 영역(122)을 포함하는 마스크 패턴(120) 상에 질화 갈륨(130)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시킬 때, 일반적으로 전 영역에서 Ga-극성 질화 갈륨(131) 혹은 N-극성 질화 갈륨(132) 한 종류만이 전 영역에 걸쳐 성장되게 된다.When epitaxial lateral overgloss (ELOG) of
그러나, 본 발명의 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 윈도우 영역(121) 및 돌출 영역(122)을 포함하는 마스크 패턴(120) 상에 질화 갈륨(130)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시킬 때, 특정 조건을 사용함으로써, 윈도우 영역(121) 상부에는 Ga-극성 질화 갈륨(131)만 성장되고, 돌출 영역(122) 상부에는 N-극성 질화 갈륨(132)만 성장되는 극성 반전(polarity inversion) 특성을 가질 수 있다.However, the gallium nitride substrate manufacturing method according to the embodiment of the present invention epitaxial side over-gross (ELOG) to the
보다 구체적으로, 윈도우 영역(121) 상부에 Ga-극성 질화 갈륨(131)이 성장되고, 윈도우 영역(121) 및 돌출 영역(122)의 패턴 경계에서 극성 반전이 발생하여 돌출 영역(122) 상부에는 N-극성 질화 갈륨(132)만 성장될 수 있다.More specifically, Ga-
질화 갈륨(130)의 각 갈륨 원자는 네 개의 질소 원자들에 사면체적으로 배위되고, 방향에 따라 N-극성 질화 갈륨(132) 특성 및 Ga-극성 질화 갈륨(131) 특성을 가진다.Each gallium atom of
또한, 윈도우 영역(121) 상에 성장된 Ga-극성 질화 갈륨(131)은 돌출 영역(122) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(132)보다 결함(defect) 비율이 높은 결함 영역일 수 있다.In addition, the Ga-
도 2d는 Ga-극성 질화 갈륨이 선택적으로 식각된 단면도이다.FIG. 2D is a cross-sectional view where Ga-polar gallium nitride is selectively etched. FIG.
질화 갈륨은 극성에 따라 식각 속도에서 차이를 나타낼 수 있다. N-극성 질화 갈륨(132)은 상대적으로 염화수소 가스(HCl gas)에 대해 식각 내성을 갖는 반면, Ga-극성 질화 갈륨(131)은 염화수소 가스(HCl gas)에 쉽게 식각되는 특성을 갖는다.Gallium nitride may show a difference in etching rate depending on polarity. N-
Ga-극성 질화 갈륨(131)은 염화수소 가스(HCl gas)를 이용한 건식 식각으로 제거될 수 있다.Ga-
실시예에 따라서는, Ga-극성 질화 갈륨(131)은 추가적인 마스크를 사용하는 건식 식각 방법으로 식각될 수 있고, 건식 식각 방법은 RIE(Reactive Ion Etching), ECR(Electron Cyclotron Resonance) 또는 ICP(Inductively Coupled Plasma)일 수 있다.In some embodiments, the Ga-
보다 구체적으로, 염화수소 가스(HCl gas)를 이용한 건식 식각은 석영 반응로(quartz reactor) 내부의 온도를 700℃ 내지 900℃ 사이로 유지시킨 상태에서 질화 갈륨(130)이 성장된 성장 기판(110)을 투입시키고, 염화수소 가스를 주입하여 식각할 수 있다.More specifically, dry etching using hydrogen chloride gas (HCl gas) is a
Ga-극성 질화 갈륨(131)은 염화수소 가스(HCl gas)를 이용한 건식 식각 초기에는 나노와이어가 만들어지는 형태로 식각이 진행(도 6 참조)되다가 결국 전부 식각될 수 있다.The Ga-
반면, N-극성 질화 갈륨(132)은 염화수소 가스를 주입하면 관통 전위(threading dislocation)가 존재하는 부분만 식각되는데, 돌출 영역(122) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(132)은 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG) 방법으로 성장되었기 때문에 관통 전위를 포함하지 않아, 식각되지 않는다.On the other hand, when the N-
다만, 경우에 따라 돌출 영역(122) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(132)에 관통전위가 형성될 수 있으며, N-극성 질화 갈륨(132)에 존재하는 관통 전위를 포함하는 국소적 영역이 염화수소 가스에 의해 식각될 수 있다. 하지만 돌출 영역(122) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(132)은 관통전위 밀도가 매우 낮기 때문에 대부분의 N-극성 질화 갈륨(132)은 식각되지 않고 남아 있다.However, in some cases, a penetrating potential may be formed in the N-
따라서, 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG) 방법을 통해 윈도우 영역(121) 상에 Ga-극성 질화 갈륨(131)을 성장시키고, 돌출 영역(122) 상에 N-극성 질화 갈륨(132)을 성장시키면, 윈도우 영역(121) 상에 성장된 Ga-극성 질화 갈륨(131)은 염화수소 가스에 의해 모두 식각되지만, 돌출 영역(122) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(132)은 식각되지 않으므로, Ga-극성 질화 갈륨(131)만 선택적으로 식각할 수 있다.Therefore, by growing the Ga-
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 염화수소 가스(HCl gas)를 이용한 화학적 식각만으로 추가적인 마스크 사용 없이도 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨(131)을 용이하게 제거할 수 있다.Accordingly, the gallium nitride substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention may easily remove Ga-
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 Ga-극성 질화 갈륨(131)만 선택적으로 제거하여 성장 기판(110) 상에 인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)을 향상시켜 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할 뿐만 아니라, 밴드에지 이미션(band edge emission)이 강하고 황색 발광(yellow luminescence)이 거의 없는 광특성이 우수한 N-극성 질화 갈륨(132)만 남게 된다.Accordingly, the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an embodiment of the present invention may selectively remove only Ga-
도 2e는 N-극성 질화 갈륨을 측면 성장된 단면도이다.2E is a cross-sectional side view of N-polar gallium nitride.
본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 실시예에 따라, 마스크 패턴(120) 상에 N-극성 질화 갈륨(132)을 측면 성장시키는 단계를 진행할 수 도 있다.In the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to an exemplary embodiment of the present disclosure, the N-
마스크 패턴(120) 상에 N-극성 질화 갈륨(132)을 측면 성장시킴으로써, 질화 갈륨 기판(133)이 형성된다.By laterally growing the N-
마스크 패턴(120) 상에 측면 성장되는 N-극성 질화 갈륨(132)은 성장 기판(110)에 접촉되지 않는다. 즉, 수직방향보다 수평방향으로 성장이 훨씬 빠르게 되도록하면 N-극성 질화 갈륨(132)은 하부 방향으로는 매우 느리거나 거의 성장되지 않기 때문에, N-극성 질화 갈륨(132)은 성장 기판(110)과 닿지 않도록(G) 형성될 수 있다.N-
도 2f는 마스크 패턴이 제거된 질화 갈륨 기판 단면도이다.2F is a cross-sectional view of a gallium nitride substrate with a mask pattern removed.
본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판(133) 제조 방법은 마스크 패턴(120) 상에 N-극성 질화 갈륨(132)을 측면 성장시키는 단계를 진행하지 않으면, 오프닝 영역(121)이 노출된 질화 갈륨 기판이 제조될 수 있고, 마스크 패턴(120) 상에 N-극성 질화 갈륨(132)을 측면 성장시키는 단계를 진행하면, 노출 영역이 없는 도 2f와 같은 판 형태의 질화 갈륨 기판(133)이 제조될 수 있다.In the method of manufacturing the
마스크 패턴(120)은 화학적 식각을 통하여 제거될 수 있고, 플루오르화 수소산(HF) 및 버퍼 옥사이드 에천트(Buffered Oxide Etchant) 중 어느 하나 또는 이들 하나 이상의 조합에 의한 혼합 용액인 것을 이용한 습식 식각에 의해 진행될 수 있으며, 바람직하게는 플루오르화 수소산(HF)이 사용될 수 있다.The
본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판(133) 제조 방법은 희생층이 필요 없는 화학적 식각을 이용하여 질화 갈륨 기판(133)을 기판으로부터 제거함으로써, 성장 기판(110) 제거 공정으로 인한 질화 갈륨 기판(133)의 손상을 감소시켜, 고품질의 질화 갈륨 기판(133) 특성을 유지시킬 수 있다.In the method of manufacturing the
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판(133) 제조 방법은 고품질의 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판을 제조할 수 있다.Thus, the
질화 갈륨 기판(133)은 성장 기판(110)이 배치되었던 면인 제1 면 및 제1 면과 대향되는 제2 면을 포함할 수 있다.The
질화 갈륨 기판(133) 수득 시, 상부에 제2 면이 위치하고 하부에 제1 면이 위치하도록 질화 갈륨 기판(133)을 수득한다면, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 N-극성 방향으로 질화 갈륨을 성장시켰기 때문에, N-극성 질화 갈륨 기판(133)을 수득할 수 있다.When the
그러나, 질화 갈륨 기판(133) 수득 시, 상부에 제1 면이 위치하고 하부에 제2 면이 위치하도록 질화 갈륨 기판(133)을 수득한다면, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 N-극성 방향으로 질화 갈륨을 성장시켜 형성하였기 때문에, 상하가 반전되어 Ga-극성 질화 갈륨 기판(133)을 수득할 수 있다.However, when the
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 질화 갈륨 기판(133)의 상하부 방향에 따라, Ga-극성 및 N-극성을 선택적으로 활용할 수 있다.Accordingly, the gallium nitride substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention may selectively utilize Ga-polarity and N-polarity according to the upper and lower directions of the
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 N-극성 방향으로 질화 갈륨을 성장시킨 질화 갈륨 기판(133)을 제조함으로써, 인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)을 향상시켜 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할 뿐만 아니라, 밴드에지 이미션(band edge emission)이 강하고 황색 발광(yellow luminescence)이 거의 없는 광특성이 우수한 질화 갈륨 기판(133)을 제조할 수 있다.In addition, the gallium nitride substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention by manufacturing a
인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)은 질화갈륨(GaN)을 성장시키는 조건에서 갈륨(Ga)과 함께 인듐(In)을 공급하면 갈륨(Ga)이 들어갈 격자 위치에 인듐(In)이 위치(함입; incorporation)하게 되는 것으로, 질화갈륨(GaN)와 질화인듐(InN)을 결합하여 임듐질화갈륨(InGaN)을 만드는 과정에서 중요한 요인으로 작용한다.In-incorporation supplies indium (In) together with gallium (Ga) in the condition of growing gallium nitride (GaN), and the indium (In) is positioned at the lattice position where gallium (Ga) is to be inserted (included). incorporation, which acts as an important factor in the process of combining gallium nitride (GaN) and indium nitride (InN) to form indium gallium nitride (InGaN).
만약, 갈륨(Ga)이 들어갈 격자 위치에 인듐(In)이 위치하게 되는 비율 즉, 인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)이 크면 클수록 InxGa1 - xN에서 x의 값이 커지게 되면서 질화갈륨(GaN)의 밴드갭인 3.4eV가 점차적으로 줄어들면서 그린 영역까지 파장이 길어질 수 있고, 궁극적으로는 질화인듐(InN)의 밴드갭인 0.8eV까지 감소될 수 있다. 그린 영역의 밴드갭은 약 2.2eV이고, 적외선 영역의 밴드갭은 약 0.8eV이다.If the ratio of indium (In) to the position of the lattice to enter gallium (Ga), that is, the larger the In-incorporation, the larger the value of x in In x Ga 1 - x N is nitrided As the bandgap of gallium (GaN) 3.4eV is gradually reduced, the wavelength can be extended to the green region, and ultimately, it can be reduced to 0.8eV, which is the bandgap of indium nitride (InN). The bandgap of the green region is about 2.2 eV, and the bandgap of the infrared region is about 0.8 eV.
따라서, 그린 영역까지 파장이 길어지려면 상당히 많은 양의 인듐(In)이 함입(incorporation)되어야 되나, 질화갈륨(GaN)을 성장시키는 조건에서 단순히 인듐(In)의 주입 양을 늘리는 방법으로는 x의 값이 용이하게 증가되지는 않는다.Therefore, in order to increase the wavelength to the green region, a considerable amount of indium (In) must be incorporated.However, in order to increase the amount of indium (In) simply by increasing the amount of indium (In) under the conditions in which gallium nitride (GaN) is grown, The value is not easily increased.
그러나, 질화갈륨(GaN)의 경우, Ga-극성 질화갈륨보다는 N-극성 질화갈륨에서 인듐(In)의 함입(incorporation)이 잘되기 때문에, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 Ga-극성 질화 갈륨(131)과 N-극성 질화 갈륨(132)을 선택적으로 성장시킨 후, 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨(131)을 제거하는 공정을 이용하여, 인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)을 향상시킴으로써, 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할뿐만 아니라 그린(green) 영역으로까지 용이하게 파장 영역을 확대시킬 수 있다.However, in the case of gallium nitride (GaN), since the incorporation of indium (In) in N-polar gallium nitride is better than Ga-polar gallium nitride, the gallium nitride substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention In-incorporation using a process of selectively growing the Ga-
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법을 이용하여 제조된 질화 갈륨 기판은 발광 소자 및 발광 소자를 기반으로 하는 디스플레이에 사용할 수 있다.In addition, the gallium nitride substrate manufactured by using the gallium nitride substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention can be used in a light emitting device and a display based on the light emitting device.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법을 이용하여 제조된 질화 갈륨 기판을 활용하여 발광 소자를 제조함으로써, 발광 램프(luminescent lamp)를 대체할 수 있는 전반 조명(general lighting)에 활용될 수 있다.In addition, by manufacturing a light emitting device using a gallium nitride substrate prepared using a gallium nitride substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention, in general lighting that can replace a luminescent lamp (luminescent lamp) Can be utilized.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 템플릿 기판을 제조하기 위해, 성장 기판(110) 및 마스크 패턴(120)을 제거하는 공정을 진행하지 않을 수 있다.In addition, to manufacture the gallium nitride template substrate according to an embodiment of the present invention, the process of removing the
본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 템플릿 기판 제조 방법은 성장 기판(110) 및 마스크 패턴(120)을 제거하는 공정을 진행하지 않는 것을 제외하면, 도 2a 내지 도 2e에서 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법과 동일하므로, 중복되는 구성요소에 대해서는 생략하기로 한다.A method of manufacturing a gallium nitride template substrate according to an embodiment of the present invention, except that the process of removing the
즉, 도 2a 내지 도 2e에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법과 동일하게 제조한 다음, 공정을 완료하면, 성장 기판(110), 마스크 패턴(120) 및 질화 갈륨 기판(133)이 순차적으로 형성된 질화 갈륨 템플릿 기판이 제조된다.That is, after manufacturing the same as the gallium nitride substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention shown in Figure 2a to 2e, and then complete the process, the
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 템플릿 기판 제조 방법은 마스크 패턴(120) 상에 N-극성 질화 갈륨(132)을 측면 성장시키는 단계를 진행하지 않으면, 오프닝 영역(121)이 노출된 질화 갈륨 기판이 제조될 수 있고, 마스크 패턴(120) 상에 N-극성 질화 갈륨(132)을 측면 성장시키는 단계를 진행하면, 노출 영역이 없는 판 형태의 질화 갈륨 기판(133)이 제조될 수 있다.In addition, in the method of manufacturing a gallium nitride template substrate according to an exemplary embodiment of the present invention, when the N-
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법에서, 성장 기판 및 마스크 패턴 상에 형성된 N-극성 질화 갈륨을 도시한 평면도이다.3 is a plan view illustrating an N-polar gallium nitride formed on a growth substrate and a mask pattern in the gallium nitride substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
성장 기판(110) 상에는 도트 형상을 갖는 윈도우 영역(121)을 제외한 영역에 N-극성 질화 갈륨(132)이 형성되어 있다.N-
따라서, N-극성 질화 갈륨(132)이 형성되지 않은 윈도우 영역(121)에는 성장 기판(110)이 노출된다.Therefore, the
이하에서는, 도 4a 내지 도 4h를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4A to 4H.
본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 임시 기판을 사용하는 것을 제외하면 도 2a 내지 도 2f에서 설명한 바와 동일하므로, 중복되는 구성요소에 대해서는 생략하기로 한다.Since the gallium nitride substrate manufacturing method according to another embodiment of the present invention is the same as described with reference to FIGS. 2A to 2F except for using a temporary substrate, redundant components will be omitted.
도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법을 도시한 단면도 이다.4A to 4H are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention.
본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 성장 기판(210) 상에 적어도 하나의 윈도우 영역(221) 및 돌출 영역(222)을 포함하는 마스크 패턴(220)을 형성하는 단계, 성장 기판(210) 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨(231) 및 N-극성 질화 갈륨(232)을 포함하는 질화 갈륨(230)을 형성하는 단계 및 Ga-극성 질화 갈륨(231)을 선택적으로 식각하는 단계를 포함한다.In another embodiment, a method of manufacturing a gallium nitride substrate includes forming a
또한, 성장 기판(210) 및 상기 마스크 패턴(220)을 제거하는 단계, N-극성 질화 갈륨(232)을 임시 기판(250) 상에 부착시키는 단계, N-극성 질화 갈륨(232)을 측면 성장시키는 단계를 포함한다.In addition, removing the
도 4a는 성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴이 형성된 단면도이다.4A is a cross-sectional view of a mask pattern including at least one window region and a protrusion region formed on a growth substrate.
마스크 패턴(220)은 패터닝 공정에 의해 윈도우 영역(221) 및 돌출 영역(222)을 포함할 수 있고, 후에 질화 갈륨(230)은 마스크 패턴(220)의 윈도우 영역(221)을 통하여 성장될 수 있다.The
바람직하게는, 성장 기판(210)은 사파이어가 사용될 수 있다.Preferably, sapphire may be used for the
바람직하게는 마스크 패턴(220)은 실리콘 산화물이 사용될 수 있고, 마스크 패턴(220)의 윈도우 영역(221)은 도트 형상, 직사각형 형상, 타원형 형상 또는 스트라이프 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Preferably, the
도 4b 및 도 4c는 성장 기판 상에 질화 갈륨을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG)시켜, Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계를 도시한 단면도이다.4B and 4C are cross-sectional views illustrating the step of epitaxially lateral overgroose (ELOG) gallium nitride on a growth substrate to form gallium nitride including Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride.
Ga-극성 질화 갈륨(231) 및 N-극성 질화 갈륨(232)을 포함하는 질화 갈륨(230)은 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG) 방법으로 성장될 수 있다.
먼저, 도 4b에서와 같이, 질화 갈륨(230)은 마스크 패턴(220)의 윈도우 영역(221)을 통하여 수직 성장된다. 이후, 성장의 마지막 단계에서, 마스크 패턴(220)의 돌출 영역(222)의 측방향으로 연장되어 질화 갈륨(230)이 성장될 수 있다.First, as shown in FIG. 4B, the
이로 인해, 도 4c에서와 같이, 성장 기판(210) 및 마스크 패턴(220) 상부 표면에 전체적으로 질화 갈륨(230)이 형성될 수 있다.As a result, as shown in FIG. 4C,
성장된 질화 갈륨(230)은 마스크 패턴(220)의 윈도우 영역(221) 상에 성장된 Ga-극성 질화 갈륨(231) 및 마스크 패턴(220)의 돌출 영역(222) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(132)을 포함할 수 있다.The grown
또한, 윈도우 영역(221) 상에서는 Ga-극성 질화 갈륨(231)만 성장되도록 하고, 돌출 영역(222) 상에서는 N-극성 질화 갈륨(232)만 성장되거나, Ga-극성 질화 갈륨(231) 및 Ga-극성 질화 갈륨(232)이 혼재되어 성장될 수 있다.In addition, only Ga-
또한, 윈도우 영역(221) 상에 성장된 Ga-극성 질화 갈륨(231)은 돌출 영역(222) 상에 성장된 N-극성 질화 갈륨(232)보다 결함(defect) 비율이 높은 결함 영역일 수 있다.In addition, the Ga-
도 4d는 Ga-극성 질화 갈륨이 선택적으로 식각된 단면도이다.4D is a cross-sectional view where Ga-polar gallium nitride is selectively etched.
Ga-극성 질화 갈륨(231)은 염화수소 가스(HCl gas)를 이용한 건식 식각으로 제거될 수 있다.Ga-
질화 갈륨은 극성에 따라 식각 속도에서 차이를 나타낸다. N-극성 질화 갈륨(232)은 상대적으로 염화수소 가스(HCl gas)에 대해 식각 내성을 갖는 반면, Ga-극성 질화 갈륨(231)은 염화수소 가스(HCl gas)에 쉽게 식각되는 특성을 갖는다.Gallium nitride exhibits a difference in etching rate depending on polarity. N-
따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 염화수소 가스(HCl gas)를 이용한 화학적 식각만으로 추가적인 마스크 사용 없이도 선택적으로 Ga-극성 질화 갈륨(231)을 용이하게 제거할 수 있다.Therefore, the gallium nitride substrate manufacturing method according to another embodiment of the present invention can easily remove the Ga-
따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 Ga-극성 질화 갈륨(231)만 선택적으로 제거하여 성장 기판(210) 상에 "인듐-인코퍼레이션(In-incorporation)을 향상시켜 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할 뿐만 아니라, 밴드에지 이미션(band edge emission)이 강하고 황색 발광(yellow luminescence)이 거의 없는 광특성이 우수한 N-극성 질화 갈륨(232)만 남게 된다.Thus, the method of manufacturing a gallium nitride substrate according to another embodiment of the present invention selectively removes only Ga-
도 4e는 마스크 패턴이 제거된 단면도이다.4E is a cross-sectional view with the mask pattern removed.
마스크 패턴은 화학적 식각을 통하여 N-극성 질화 갈륨(232)로부터 제거될 수 있고, 플루오르화 수소산(HF) 및 버퍼 옥사이드 에천트(Buffered Oxide Etchant) 중 어느 하나 또는 이들 하나 이상의 조합에 의한 혼합 용액인 것을 이용한 습식 식각에 의해 진행될 수 있으며, 바람직하게는 플루오르화 수소산(HF)이 사용될 수 있다.The mask pattern may be removed from the N-
본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 희생층이 필요 없는 화학적 식각을 이용하여 N-극성 질화 갈륨(232)으로부터 성장 기판을 제거함으로써, 성장 기판 제거 공정으로 인한 질화 갈륨 기판의 손상을 감소시켜, 고품질의 질화 갈륨 기판 특성을 유지시킬 수 있다.The gallium nitride substrate manufacturing method according to another embodiment of the present invention damages the gallium nitride substrate due to the growth substrate removal process by removing the growth substrate from the N-
도 4f는 N-극성 질화 갈륨이 임시 기판 상에 부착된 단면도이다.4F is a cross-sectional view of N-polar gallium nitride deposited on a temporary substrate.
N-극성 질화 갈륨(232)를 측면 성장시키기 위해서 N-극성 질화 갈륨(232)을 포함하는 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨(232)을 임시 기판(250) 상에 부착시킨다.A free-standing
임시 기판(250)은 사파이어(sapphire), 갈륨 비소(GaAs; gallium arsenide), 스피넬(spinel), 실리콘(Si; silicon), 인화 인듐(InP; indium phosphide) 또는 실리콘 카바이드(SiC; silicon carbide)의 기재(251) 상부에 실리콘 산화물(SiOx; silicon oxide) 또는 실리콘 질화물(SiNx; silicon nitride)을 포함하는 비정질 박막의 보조층(252)이 증착된 템플릿이 사용될 수 있다.The
도 4g는 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨이 측면 성장된 단면도이다.4G is a cross-sectional side view of free-standing gallium nitride.
비정질 박막이 증착된 임시 기판(250) 상에 부착된 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨(232)을 측면 성장시킴으로써 질화 갈륨 기판(233)이 형성된다.
도 4h는 임시 기판이 분리된 질화 갈륨 기판의 단면도이다.4H is a cross-sectional view of a gallium nitride substrate with a temporary substrate separated therefrom.
본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 임시 기판 상에 성장된 질화 갈륨 기판을 분리시키는 단계를 더 포함할 수 있다.The gallium nitride substrate manufacturing method according to another embodiment of the present invention may further include separating the gallium nitride substrate grown on the temporary substrate.
따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 기판 제조 방법은 고품질의 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨 기판을 제조할 수 있다.Thus, the gallium nitride substrate substrate manufacturing method according to another embodiment of the present invention can produce a high quality free-standing gallium nitride substrate.
본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 질화 갈륨 기판(233)의 상하부 방향에 따라, Ga-극성 및 N-극성을 선택적으로 활용 가능하다.The gallium nitride substrate manufacturing method according to another embodiment of the present invention may selectively utilize Ga-polarity and N-polarity according to the upper and lower directions of the
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 N-극성 방향으로 질화 갈륨을 성장시켜 질화 갈륨 기판(233)을 제조함으로써, 인-코어퍼레이션(In-incorporation)을 향상시켜 높은 비율의 InGaN 조성을 필요로 하는 경우에 유리할 뿐만 아니라, 밴드에지 이미션(band edge emission)이 강하고 황색 발광(yellow luminescence)이 거의 없는 광특성이 우수한 질화 갈륨 기판(233)을 제조할 수 있다.In addition, the gallium nitride substrate manufacturing method according to another embodiment of the present invention by growing gallium nitride in the N-polar direction to produce a
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법에서, 성장 기판 및 마스크 패턴을 제거한 후의 N-극성 질화 갈륨을 도시한 평면도이다.FIG. 5 is a plan view illustrating an N-polar gallium nitride after removing a growth substrate and a mask pattern in the gallium nitride substrate manufacturing method according to another embodiment of the present invention.
N-극성 질화 갈륨(232)은 윈도우 영역(221)과 대응되는 도트 형상의 오프닝부를 포함한다.The N-
그러나, 도 5는 도 3에서와는 다르게, N-극성 질화 갈륨(232)이 형성되지 않은 윈도우 영역(121)에 성장 기판(110)이 없다.However, unlike FIG. 3, FIG. 5 does not have a
도 6은 건식 식각 공정이 일부 진행된 Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 도시한 이미지이다.FIG. 6 is an image illustrating Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride in which a dry etching process is partially performed.
Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨이 성장된 성장 기판을 석영 반응로에 넣고 염화 수소 가스를 주입하면, 윈도우 영역에 성장된 N-극성 질화 갈륨은 관통 전위 부분만 식각되고, 돌출 영역에 성장된 Ga-극성 질화 갈륨은 대부분 식각된 것으로 보아, 염화수소 가스를 이용하면 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각할 수 있는 것을 알 수 있다.When a growth substrate including Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride is grown in a quartz reactor and hydrogen chloride gas is injected, the N-polar gallium nitride grown in the window region is etched only in the penetrating dislocation portion, Since the grown Ga-polar gallium nitride is mostly etched, it can be seen that the Ga-polar gallium nitride can be selectively etched using hydrogen chloride gas.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.As described above, the present invention has been described with reference to a limited embodiment and drawings, but the present invention is not limited to the above embodiments, and those skilled in the art to which the present invention pertains various modifications and variations This is possible.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined not only by the claims below but also by the equivalents of the claims.
10: Ga-극성(+c) 20: N-극성(-c)
G; 갭 110: 성장 기판
120, 220: 마스크 패턴 121, 221: 윈도우 영역
122, 222, 322, 422: 돌출 영역 130, 230: 질화 갈륨
131, 231: Ga-극성 질화 갈륨 132, 232: N-극성 질화 갈륨
133, 233: 질화 갈륨 기판 210: 성장 기판
250: 임시 기판 251: 기재
252: 보조층10: Ga-polar (+ c) 20: N-polar (-c)
G; Gap 110: Growth Substrate
120, 220:
122, 222, 322, 422: protruding
131, 231: Ga-
133 and 233
250: temporary substrate 251: substrate
252: auxiliary layer
Claims (8)
상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계;
상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계; 및
상기 마스크 패턴을 제거하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법.
Forming a mask pattern on the growth substrate, the mask pattern comprising at least one window region and a protrusion region;
Epitaxial lateral overgrowth of gallium nitride (GaN) on the growth substrate to form gallium nitride including Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride;
Selectively etching the Ga-polar gallium nitride; And
Removing the mask pattern
Gallium nitride substrate manufacturing method comprising a.
상기 윈도우 영역 상에서는 상기 Ga-극성 질화 갈륨만 성장되도록 하고, 상기 돌출 영역 상에서는 상기 N-극성 질화 갈륨만 성장되거나, 상기 Ga-극성 질화 갈륨 및 상기 N-극성 질화 갈륨이 혼재되어 성장되는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
Only the Ga-polar gallium nitride is grown on the window region, and only the N-polar gallium nitride is grown on the protruding region, or the Ga-polar gallium nitride and the N-polar gallium nitride are grown together. Gallium nitride substrate manufacturing method.
상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 상기 단계는,
상기 N-극성 질화 갈륨을 측면 성장시키는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
The step of selectively etching the Ga-polar gallium nitride,
Laterally growing the N-polar gallium nitride
Gallium nitride substrate manufacturing method comprising a.
상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계는,
염화수소 가스(HCl gas)를 사용하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
Selectively etching the Ga-polar gallium nitride,
A method of manufacturing gallium nitride substrates using hydrogen chloride gas (HCl gas).
상기 성장 기판은 사파이어(sapphire), 갈륨 비소(GaAs; gallium arsenide), 스피넬(spinel), 실리콘(Si; silicon), 인화 인듐(InP; indium phosphide) 및 실리콘 카바이드(SiC; silicon carbide) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
The growth substrate may include at least one of sapphire, gallium arsenide (GaAs), spinel, spinel, silicon (Si), indium phosphide (InP) and silicon carbide (SiC). The gallium nitride substrate manufacturing method characterized by one.
상기 마스크 패턴은 실리콘 산화물(SiO2; silicon oxide), 실리콘 질화물(SiNx; silicon nitride) 및 실리콘 산질화물(SiON; silicon oxynitride) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
The mask pattern may include at least one of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), and silicon oxynitride (SiON).
상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계;
상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계;
상기 마스크 패턴을 제거하는 단계;
상기 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨을 비정질 박막이 증착된 임시 기판 상에 부착시키는 단계; 및
상기 비정질 박막이 증착된 임시 기판 상에 부착된 상기 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨을 측면 성장시키는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법.
Forming a mask pattern on the growth substrate, the mask pattern comprising at least one window region and a protrusion region;
Epitaxial lateral overgrowth of gallium nitride (GaN) on the growth substrate to form gallium nitride including Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride;
Selectively etching the Ga-polar gallium nitride;
Removing the mask pattern;
Attaching the free-standing gallium nitride comprising the N-polar gallium nitride onto a temporary substrate on which an amorphous thin film is deposited; And
Laterally growing the free-standing gallium nitride deposited on the temporary substrate on which the amorphous thin film is deposited
Gallium nitride substrate manufacturing method comprising a.
상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 질화 갈륨 및 N-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계; 및
상기 Ga-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 템플릿(template) 기판 제조 방법.Forming a mask pattern on the growth substrate, the mask pattern comprising at least one window region and a protrusion region;
Epitaxial lateral overgrowth of gallium nitride (GaN) on the growth substrate to form gallium nitride including Ga-polar gallium nitride and N-polar gallium nitride; And
Selectively etching the Ga-polar gallium nitride
Gallium nitride template substrate manufacturing method comprising a.
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