KR102124090B1 - 가스 스크러버 - Google Patents

가스 스크러버 Download PDF

Info

Publication number
KR102124090B1
KR102124090B1 KR1020170181382A KR20170181382A KR102124090B1 KR 102124090 B1 KR102124090 B1 KR 102124090B1 KR 1020170181382 A KR1020170181382 A KR 1020170181382A KR 20170181382 A KR20170181382 A KR 20170181382A KR 102124090 B1 KR102124090 B1 KR 102124090B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
canister
harmful
diffusion
diffusion plate
Prior art date
Application number
KR1020170181382A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190079288A (ko
Inventor
전재강
한찬희
Original Assignee
한찬희
주식회사 에이스코퍼레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한찬희, 주식회사 에이스코퍼레이션 filed Critical 한찬희
Priority to KR1020170181382A priority Critical patent/KR102124090B1/ko
Publication of KR20190079288A publication Critical patent/KR20190079288A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102124090B1 publication Critical patent/KR102124090B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04—Cleaning by suction, with or without auxiliary action

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Gas Separation By Absorption (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예는 가스 스크러버에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 하단 및 상단에 유입되는 유해성 가스 및 배출되는 배기 가스의 균일하고 고른 가스 흐름을 유도하는 가스 확산부를 적어도 하나 이상 구비하여 가스 흐름상의 편류를 제거할 수 있는 가스 스크러버를 제공하는데 있다.
이를 위해 본 발명은 유해성 가스가 유입되는 하부 커버; 상기 하부 커버로부터 상부로 연장되고 흡착제가 충진되어 상기 유해성 가스를 흡착하여 제거하되, 상기 유해성 가스의 균일한 흐름을 유도하여 상기 유해성 가스의 편류를 제거하도록 설치된 적어도 하나의 가스 확산부를 갖는 캐니스터; 및 상기 캐니스터의 상부에 설치되어 상기 유해성 가스로부터 흡착되고 남은 배기 가스가 배출되는 상부 커버를 포함하는 가스 스크러버를 개시한다.

Description

가스 스크러버{Gas scrubber}
본 발명의 실시예는 가스 스크러버에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 화학 증기 증착 공정, 저압 증기 화학 증착 공정, 플라즈마 강화 화학 증착 공정, 플라즈마 부식 공정 등을 포함한다. 그리고 상기와 같은 반도체 제조 공정에서는 다량의 실란, 디클로로실란, 암모니아, 산화질소, 아르신, 포스핀, 디보린 등을 사용한다. 그러나 반도체 제조 공정에서 사용되는 이상의 물질 중 실제 제조 공정에서는 소량만이 소모되며, 소모되지 않는 물질은 배기 가스에 포함되어 HCl, Cl2, HF 등과 같은 유해성 가스, 분진 및/또는 증기 형태로 외부로 배출된다.
소모되지 않고 배기 가스에 포함되어 배출되는 상기와 같은 물질은 작업자에게 심각한 영향을 미칠 수 있으며, 반도체 제조 공정에 사용되는 장치를 오염시키는 문제점도 발생한다.
따라서 종래에 반도체 제조 공정에서 배출되는 상기와 같은 유해성 가스를 처리하기 위하여 여러 방법이 사용되고 있다. 대표적으로 사용되는 방법으로는, 고온의 환경에서 유해성 가스를 열분해하여 정화하는 연소식 처리법과, 흡착제를 이용하여 정화하는 방식의 건식 처리법과, 유해성 가스를 물과 접촉하도록 하여 포집한 후 오염된 물을 정화하는 방식의 습식 처리법 및 상기 방법을 혼용한 처리법 등이 있다.
연소식 처리법은 히터를 이용한 간접 가열 방식과 LPG 등과 같은 연료 가스를 연소시켜 유해성 가스를 태우는 직접 가열 방식으로 구분되며, 고농도의 가스를 처리하는데 적합한 것으로 알려져 있으나, 고온의 환경을 조성하기 위해 히터를 사용하거나 LPG 등의 가스를 연소시킴에 따라 안전상의 문제와 더불어 경제성이 취약하다는 점이 문제점으로 지적되고 있다.
건식 처리법 중에서 흡착제를 이용하는 방식은 알루미나, 소석회, 알루미나 실리케이트, 제올라이드 등의 무기 흡착제, 활성탄, 상기한 무기 흡착제를 담체로 하여 알칼리 화합물이나 산성 화합물을 처리한 첨착 무기 흡착제 또는 금속으로 코팅한 첨착 무기 흡착제, 상기한 활성탄에 화학 물질을 첨착한 첨착 활성탄을 흡착제로 사용하며, 상기한 무기 흡착제, 활성탄, 화합물이나 금속 첨착 무기 흡착제, 화학물질 첨착 활성탄을 다층 적층하여 사용하기도 한다.
한편, 습식 처리법 중에는 물 또는 염기성 수용액을 분사노즐 등에 의해 하방으로 분사하고 낙하하는 영역에 유해물질이 포함된 배기가스를 통과시키는 구조로 이루어져, 기체와 액체의 접촉에 의해 유해가스를 중화하거나 흡수하여 처리하는 방식이 있다.
여기서, 건식 처리법에 사용되던 기존의 가스 스크러버는 유해성 가스를 유입관에서 배기관까지 대략 직선 형태로 이동시키는 구조(편류 구조)로 되어 있음으로써, 유해성 가스와 흡착제가 상호간 균일하게 반응하지 못하여 가스 스크러버의 수명이 급격하게 감소하는 문제가 있었다.
또한, 기존의 가스 스크러버는 하단부에 반응 부산물을 걸러주는 필터 및 트랩 등을 갖고 있지 않음으로써, 반응 부산물에 의한 부분적 막힘 현상이 발생하고, 이에 따라 흡착제의 성능이 저하되는 문제가 있었다.
더욱이, 기존의 가스 스크러버는 유입관을 통해 유입되는 유해성 가스 및 배기관을 통해 배기되는 배기 가스의 균일하고 고른 가스 흐름을 유도하는 장치를 갖고 있지 않음으로써, 편류가 크게 발생하는 문제가 있었다. 통상적으로, 편류가 발생할 경우 흡착제가 하부 영역의 대략 50 ~ 60% 정도만 반응하고 나머지 상부 영역은 전혀 반응하지 않는 현상이 발생하는 문제가 있었다. 또한, 기존의 가스 스크러버는 하부 영역에 수분 제거 등을 위해 별도의 기능성 흡착제를 충진하여야 하는 문제도 있었다.
이러한 발명의 배경이 되는 기술에 개시된 상술한 정보는 본 발명의 배경에 대한 이해도를 향상시키기 위한 것뿐이며, 따라서 종래 기술을 구성하지 않는 정보를 포함할 수도 있다.
본 발명의 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 유입관을 통해 유입되는 유해성 가스 및 배기관을 통해 배기되는 배기 가스의 균일하고 고른 가스 흐름을 유도하는 가스 확산부를 적어도 하나 이상 구비하여 가스 흐름상의 편류를 제거할 수 있는 가스 스크러버를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 하단에 반응 부산물을 걸러주는 필터 및 트랩 등을 더 구비하여 반응 부산물을 흡착해 줌으로써, 상부 흡착제의 막힘을 방지하고 편류를 제거하며, 흡착제의 반응 성능을 유지할 수 있는 가스 스크러버를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 중간단에 버퍼 및 가스 확산부를 추가적으로 구비하여 편류 현상을 더욱 더 개선할 수 있는 가스 스크러버를 제공하는데 있다.
본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버는 유해성 가스가 유입되는 하부 커버; 상기 하부 커버로부터 상부로 연장되고 흡착제가 충진되어 상기 유해성 가스를 흡착하여 제거하되, 상기 유해성 가스의 균일한 흐름을 유도하여 상기 유해성 가스의 편류를 제거하도록 설치된 적어도 하나의 가스 확산부를 갖는 캐니스터; 및 상기 캐니스터의 상부에 설치되어 상기 유해성 가스로부터 흡착되고 남은 배기 가스가 배출되는 상부 커버를 포함할 수 있다.
상기 가스 확산부는 상기 캐니스터의 하단, 중간 및 상단에 상호간 이격되어 각각 설치될 수 있다.
상기 가스 확산부는 상기 유해성 가스가 유입되는 메쉬망; 상기 메쉬망 위에 제1지지대를 통해 설치된 제1확산판; 및 상기 제1확산판 위에 제2지지대를 통해 설치된 제2확산판을 포함할 수 있다.
상기 제1확산판은 중앙에 형성되어 상기 유해성 가스가 통과하는 관통홀을 포함하고, 상기 제2확산판의 직경이 상기 제1확산판의 직경보다 작을 수 있다.
상기 제2확산판 위에 설치되고 상부에 상기 흡착제가 위치되는 타공판을 더 포함할 수 있다.
상기 가스 확산부는 상기 유해성 가스가 유입되는 메쉬망; 상기 메쉬망 위에 제1지지대를 통해 설치된 제1확산판 및 상기 제1확산판 아래에 제2지지대를 통해 설치된 제2확산판을 포함할 수 있다.
상기 제1확산판은 중앙에 설치되어 상기 배기 가스가 통과하는 배기관을 포함하고, 상기 제2확산판의 직경이 상기 제1확산판의 직경보다 작을 수 있다.
상기 캐니스터는 하단에 설치되어 상기 유해성 가스의 반응 부산물을 필터링 및 트랩하는 필터링부를 더 포함할 수 있다.
상기 필터링부는 상기 유해성 가스가 통과하는 타공판 및 상기 타공판 위에 설치된 부직포 필터를 포함할 수 있다.
상기 하부 커버에 연결되어 상기 유해성 가스가 유입되는 제1유입관, 상기 제1유입관과 상기 캐니스터에 연결되어 상기 유해성 가스가 유입되는 제2유입관을 포함하고, 상기 제1유입관과 상기 제2유입관의 연결 지점에 설치되어 상기 제1유입관 또는 상기 제2유입관으로 상기 유해성 가스가 유입되도록 하는 밸브를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예는 유입관을 통해 유입되는 유해성 가스 및 배기관을 통해 배기되는 배기 가스의 균일하고 고른 가스 흐름을 유도하는 가스 확산부를 적어도 하나 이상 구비하여 가스 흐름상의 편류를 제거할 수 있는 가스 스크러버를 제공한다.
또한, 본 발명의 실시예는 하단에 반응 부산물을 걸러주는 필터 및 트랩 등을 더 구비하여 반응 부산물을 흡착해 줌으로써, 상부 흡착제의 막힘을 방지하고 편류를 제거하며, 흡착제의 반응 성능을 유지할 수 있는 가스 스크러버를 제공한다.
또한, 본 발명의 실시예는 중간단에 버퍼 및 가스 확산부를 추가적으로 구비하여 편류 현상을 더욱 더 개선할 수 있는 가스 스크러버를 제공한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버를 도시한 사시도 및 정면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버를 도시한 단면도 및 사시 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버 중에서 하단 및 상단에 구비된 가스 확산부를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 스크러버를 도시한 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다"라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise, include)" 및/또는 "포함하는(comprising, including)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및 /또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.
"하부(beneath)", "아래(below)", "낮은(lower)", "상부(above)", "위(upper)"와 같은 공간에 관련된 용어가 도면에 도시된 한 요소 또는 특징과 다른 요소 또는 특징의 용이한 이해를 위해 이용될 수 있다. 이러한 공간에 관련된 용어는 본 발명의 다양한 공정 상태 또는 사용 상태에 따라 본 발명의 용이한 이해를 위한 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 예를 들어, 도면의 요소 또는 특징이 뒤집어지면, "하부" 또는 "아래"로 설명된 요소 또는 특징은 "상부" 또는 "위에"로 된다. 따라서, "아래"는 "상부" 또는 "아래"를 포괄하는 개념이다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)를 도시한 사시도 및 정면도이다.
도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)는 유해성 가스 유입관(111)을 갖는 하부 커버(110)와, 하부 커버(110)로부터 상부로 일정 높이 연장된 캐니스터(120)와, 캐니스터(120)의 상부에 설치되고 배출 가스 배기관(125d)을 갖는 상부 커버(130)를 포함할 수 있다.
여기서, 하부 커버(110), 캐니스터(120) 및 상부 커버(130)는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 모두 원형 또는 원통 형태로 형성될 수 있다. 더불어, 하부 커버(110)의 하단에는 가스 스크러버(100)의 자유로운 이동을 위해 다수의 바퀴(112)가 더 설치될 수 있다. 또한, 하부 커버(110), 캐니스터(120) 및 상부 커버(130)는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 유해성 가스 등과 반응하지 않는 스텐레스 스틸, 알루미늄, 니켈, 구리, 몰리브데늄, 하스텔로이 및 이들의 합금 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다.
이와 같이 하여, 하부 커버(110)의 유입관(111)이 반도체 제조 공정 라인 또는 디스플레이 제조 공정 라인의 유해성 가스관(폐가스관)에 연결됨으로써, 캐니스터(120)의 내측에서 유해성 가스의 유해성 성분이 흡착되어 제거되고, 최종적으로 상부 커버(130)의 배기관(125d)을 통해 유해성 성분이 제거된 배출 가스가 외부로 배기된다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)를 도시한 단면도 및 사시 단면도이다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)는 유해성 가스가 유입되는 하부 커버(110)와, 하부 커버(110)로부터 상부로 일정 높이 연장되고 내부에 흡착제(미도시)가 충진되어 유해성 가스를 흡착하여 제거하는 캐니스터(120)와, 캐니스터(120)의 상부에 설치되어 유해성 가스로부터 흡착되고 남은 배기 가스가 배출되는 상부 커버(130)를 포함할 수 있다.
여기서, 하부 커버(110), 캐니스터(120) 및 상부 커버(130)는 상호간 플랜지 방식으로 결합되거나, 상호간 중첩 방식으로 결합되나, 또는 상호간 용접 방식으로 결합될 수 있으며, 이밖에도 다양한 방식으로 상호간 결합될 수 있다. 더욱이, 캐니스터(120)는 낱개의 긴 원통 형태로 형성되거나, 또는 다수의 짧은 원통이 플랜지 방식, 중첩 방식 또는 용접 방식 등으로 결합되어 미리 정해진 높이를 이룰 수 있다.
구체적으로, 캐니스터(120)는 하단에 설치되어 유해성 가스의 반응 부산물을 필터링 및 트랩하는 필터링부(121)를 포함할 수 있다. 이러한 필터링부(121)는 유해성 가스가 통과하는 타공판(121a) 및 타공판(121a) 위에 설치된 부직포 필터(121b)를 포함할 수 있다. 여기서, 타공판(121a)의 둘레는 하부 커버(110)의 내벽 또는 캐니스터(120)의 내벽에 결합되어 고정될 수 있다. 더욱이, 타공판(121a)에는 다수의 타공홀이 균일하게 또는 비균일하게 배열되어 형성될 수 있다.
따라서, 하부 커버(110)에 설치된 유입관(111)을 통해 유입된 유해성 가스가 타공판(121a)을 통해 부직포 필터(121b)를 통과하게 되는데, 이때 다양한 부산물이 부직포 필터(121b)에 의해 필터링될 수 있다. 물론, 타공판(121a) 및 부직포 필터(121b)의 구조적 특성에 의해 필터링부(121)의 전체를 통해 균일하게 유해성 가스가 상부로 흐르게 된다.
이와 같이 하여, 가스 스크러버(100)는 하단부에 반응 부산물을 걸러주는 필터링부(121)를 더 포함함으로써, 반응 부산물에 의한 부분적 막힘 현상을 방지하고, 또한 흡착제의 흡착 성능이 저하되지 않도록 한다.
더불어, 상부 커버(130)와 하부 커버(110)의 사이에 설치된 캐니스터(120)의 내측에는 유해성 가스 및 배출 가스의 균일한 흐름을 유도하여 유해성 가스 및 배출 가스의 편류를 제거하도록 다수의 가스 확산부(122,124,125)가 더 설치될 수 있다.
여기서, 각각의 가스 확산부(122,124,125)는 상호간 일정 거리 이격되어 설치되고, 또한 각각의 가스 확산부(122,124,125) 위에 유해성 가스를 흡착하는 흡착제(미도시)가 수용될 수 있다.
일례로, 한정하는 것은 아니지만, 가스 확산부(122,124,125)는 캐니스터(120)의 대략 하단, 중간 및 상단에 상호간 이격되어 각각 설치될 수 있다.
여기서, 하단, 중간 및 상단에 설치된 가스 확산부(122,124,125)의 구조는 상호간 동일하거나 또는 약간씩 상이할 수 있다.
우선 캐니스터(120)의 하단에 설치된 가스 확산부(122)는 하부에 설치되어 필터링부(121)로부터 유해성 가스가 유입되는 메쉬망(122a)과, 메쉬망(122a) 위에 이격되어 설치된 제1확산판(122b)과, 제1확산판(122b) 위에 이격되어 설치된 제2확산판(122c)을 포함할 수 있다.
여기서, 메쉬망(122a) 및 제1확산판(122b)은 그 둘레가 캐니스터(120)의 내벽에 고정될 수 있다. 또한, 제1확산판(122b)은 중앙에 형성되어 상기 유해성 가스가 통과하는 관통홀(122d)을 더 포함할 수 있다. 더불어, 상기 제2확산판(122c)의 직경이 상기 제1확산판(122b)의 직경보다 작을 수 있다. 즉, 제2확산판(122c)의 둘레가 캐니스터(120)의 내벽에 접촉하지 않고 이격될 수 있다. 또한, 제2확산판(122c)의 위에 타공판(123)이 이격되어 설치됨으로써, 타공판(123) 위에 흡착제가 위치될 수 있다. 이러한 타공판(123) 역시 그 둘레가 캐니스터(120)의 내벽에 고정될 수 있고, 또한 다수의 균일한 또는 비균일한 타공홀(미도시)을 갖는다.
이와 같이 하여, 하단 가스 확산부(122)는 필터링부(121)로부터 유입된 유해성 가스가 일부 영역으로만 흐르게 하는 게 아니라, 전체 영역을 통해 균일하게 흐르게 하여(편류 발생 억제), 유해성 가스가 상부의 흡착제에 균일하게 접촉하도록 함으로써, 흡착제의 흡착 효율이 향상되도록 한다.
다음으로 캐니스터(120)의 중간에 설치된 가스 확산부(124)는 하부에 설치되어 유해성 가스가 유입되는 메쉬망(124a)과, 메쉬망(124a) 위에 이격되어 설치된 제1확산판(124b)과, 제1확산판(1224)과 메쉬망(124a) 사이에 이격되어 설치된 제2확산판(124c)을 포함할 수 있다.
여기서, 메쉬망(124a) 및 제1확산판(124b)은 캐니스터(120)의 내벽에 고정될 수 있다. 따라서, 제1확산판(124b) 위에 흡착제가 직접 위치될 수 있다. 더불어, 제2확산판(124c)은 그 직경이 제1확산판(124b)보다 작음으로써, 캐니스터(120)의 내벽으로부터 일정 거리 이격된다.
이와 같이 하여, 중간 가스 확산부(124)는 하단 가스 확산부(122) 및 하부 흡착제로부터 유입된 유해성 가스가 일부 영역으로만 흐르게 하는 게 아니라, 전체 영역을 통해 균일하게 흐르게 하여(편류 발생 억제), 유해성 가스가 상부의 흡착제에 균일하게 접촉하도록 함으로써, 흡착제의 흡착 효율이 향상되도록 한다. 더욱이, 이러한 중간 가스 확산부(124)는 버퍼 역할을 함으로써, 유해성 가스가 캐니스터(120)의 내부에 오래 머무르도록 하여 흡착제의 흡착 효율이 더욱 향상되도록 한다.
다음으로 캐니스터(120)의 상단에 설치된 가스 확산부(125) 역시 유해성 가스가 유입되는 메쉬망(125a)과, 메쉬망(125a) 위에 이격되어 설치된 제1확산판(125b)과, 제1확산판(125b) 아래에 이격되어 설치된 제2확산판(125c)을 포함할 수 있다. 즉, 제2확산판(125c)은 메쉬망(125a)과 제1확산판(125b) 사이에 설치된다.
여기서, 제1확산판(125b)은 중앙에 설치되어 배기 가스가 통과하는 배기관(125d)을 더 포함하고, 제2확산판(125c)의 직경이 상기 제1확산판(125b)의 직경보다 작을 수 있다. 즉, 제1확산판(125b)은 가스 스크러버(100)의 상부 영역을 정의하고, 이러한 제1확산판(125b)은 실질적으로 상부 커버(130)의 내벽에 결합될 수 있다. 더불어, 메쉬망(125a)은 캐니스터(120)의 내벽에 고정되고, 제2확산판(125c)은 캐니스터(120)로부터 이격되어 설치될 수 있다.
한편, 상술한 캐니스터(120)의 내부에 장착된 각종 구조물 즉, 타공판(121a, 123) 및 확산부(122,124,125)는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 유해성 가스 등과 반응하지 않는 스텐레스 스틸, 알루미늄, 니켈, 구리, 몰리브데늄, 하스텔로이 및 이들의 합금 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다.
이와 같이 하여, 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)는 유해성 가스를 유입관(111)에서 배기관(125d)까지 대략 직선 형태로 이동시키게 아니라, 다수회 방향 전환을 시키며 편류가 발생하지 않도록 하여 이동시킴으로써, 유해성 가스와 흡착제가 상호간 균일하게 반응하여 가스 스크러버(100)의 수명이 증가되도록 한다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)는 유입관(111)을 통해 유입되는 유해성 가스 및 배기관(125d)을 통해 배기되는 배기 가스의 균일하고 고른 가스 흐름을 유도하는 다수의 가스 확산부(122,124,125)를 더 포함함으로써, 가스 흐름상에 편류가 발생하지 않도록 한다. 구체적으로, 캐니스터(120)의 하부 영역, 중간 영역 및 상부 영역에 각각 충진된 흡착제가 유해성 가스와 대략 90~100%의 영역에서 반응함으로써, 흡착제의 흡착 효율이 상당히 향상된다. 물론, 이에 따라 별도의 수분 제거를 위한 기능성 흡착제도 필요로 하지 않는다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)는 중간단에 버퍼 역할을 하는 가스 확산부(124)를 더 포함함으로써, 편류 현상을 더욱 더 개선할 수 있도록 한다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100) 중에서 하단 및 상단에 구비된 가스 확산부(122,125)를 도시한 단면도이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 하단에 구비된 가스 확산부(122)는 유해성 가스가 유입되는 메쉬망(122a)과, 메쉬망(122a) 위에 제1지지대(122e)를 통해 이격되어 설치되고 지지되는 제1확산판(122b)과, 제1확산판(122b) 위에 제2지지대(122f)를 통해 이격되어 설치되고 지지되는 제2확산판(122c)을 포함할 수 있다.
여기서, 제1확산판(122b)의 대략 중앙에는 유해성 가스가 통과하는 관통홀(122d)이 형성되고, 제2확산판(122c)의 직경이 제1확산판(122b)의 직경보다 작을 수 있다. 더불어, 제2확산판(122c) 위에 흡착제가 위치되는 타공판(123)이 이격되어 설치될 수 있다.
또한, 메쉬망(122a), 제1확산판(122b) 및 타공판(123)은 그 둘레가 캐니스터(120)의 내벽에 결합되어 고정 및 지지된다.
이러한 구조에 의해 유해성 가스는 메쉬망(122a)의 전체 영역을 통해 상부로 이동하고, 상부로 이동된 유해성 가스는 제1확산판(122b)에 의해 수평 방향으로 이동한 후 중앙에 설치된 관통홀(122d)을 통해 상부로 이동하며, 이어서 제2확산판(122c)의 둘레쪽으로 수평 방향으로 확산된다. 물론, 확산된 유해성 가스는 다시 타공판(123)의 전체 영역을 통해 상부의 흡착제 쪽으로 이동하게 된다. 따라서, 캐니스터(120)의 하단에 유입되는 유해성 가스는 하단에 설치된 가스 확산부(122)에 의해 균일하고 고른 가스 흐름을 나타내고, 이에 따라 유해성 가스 흐름상의 편류가 제거된다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 상단에 구비된 가스 확산부(125)는 유해성 가스가 유입되는 메쉬망(125a)과, 메쉬망(125a) 위에 제1지지대(125e)를 통해 이격되어 설치되고 지지되는 제1확산판(125b)과, 제1확산판(125b) 아래에 제2지지대(125f)를 통해 이격되어 설치되고 지지되는 제2확산판(125c)을 포함할 수 있다.
여기서, 제2확산판(125c)은 메쉬망(125a)과 제1확산판(125b)의 사이에 이격되어 위치되며, 제2확산판(125c)의 직경이 제1확산판(125b)의 직경보다 작다. 더불어, 제1확산판(125b)의 중앙에 배기 가스가 통과하는 배기관(125d)이 형성된다. 여기서, 메쉬망(125a) 및 제1확산판(125b)은 그 둘레가 상부 커버(130)의 내벽 또는 캐니스터(120)의 내벽에 결합되어 지지되어 지지될 수 있다. 물론, 제2확산판(125c)은 그 둘레가 캐니스터(120)의 내벽으로 이격된 형태 또는 상부 커버(130)의 내벽으로부터 이격된 형태를 한다.
이러한 구조에 의해 유해성 가스는 메쉬망(125a)의 전체 영역을 통해 상부로 이동하고, 상부로 이동된 유해성 가스는 제2확산판(125c)의 둘레를 통해 상부로 이동하며, 또한 제1확산판(125b)과 제2확산판(125c) 사이의 틈으로 유해성 가스가 수평 방향으로 이동한 후, 제1확산판(125b)의 중앙에 구비된 배기관(125d)을 통해 외부로 배출된다. 따라서, 캐니스터(120)의 상단에 유입되는 배출 가스는 상단에 설치된 가스 확산부(125)에 의해 균일하고 고른 가스 흐름을 나타내고, 이에 따라 배출 가스 흐름상의 편류가 제거된다.
이와 같이 하여, 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)는 하단 및 상단에 유입되는 유해성 가스 및 배출되는 배기 가스의 균일하고 고른 가스 흐름을 유도하는 가스 확산부를 적어도 하나 이상 포함함으로써, 캐니스터(120)의 내부에서 가스 흐름상의 편류를 제거할 수 있도록 한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 스크러버(200)를 도시한 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 하부 커버(110)에는 유해성 가스가 유입되는 제1유입관(201)이 연결되어 있는데, 추가적으로 캐니스터(120)에도 유해성 가스가 유입되는 제2유입관(202)이 연결될 수 있다. 일례로, 제2유입관(202)은 일단이 제1유입관(201)에 연결되고 타단이 캐니스터(120)에 연결되어 중간 확산부(124)에 연결될 수 있다. 더불어, 제1유입관(201)과 제2유입관(202)의 연결 지점에는 밸브(204), 예를 들면, 3-웨이 밸브(204)가 연결될 수 있다.
따라서, 밸브(204)의 조작에 의해 유해성 가스를 제1유입관(201)을 통해 스크러버(100)의 하부 커버(110)에 공급하거나, 또는 유해성 가스를 제2유입관(202)을 통해 스크러버(100)의 캐니스터(120), 즉, 중간 확산부(124)에 직접 공급할 수 있다. 또한, 중간 확산부(124)와 상부 확산부(124)의 사이에도 제2유입관(202)이 직접 연결됨으로써, 하부 확산부(122)을 통한 유해성 가스가 제3유입관(203)을 통해 상부 확산부(125)로 직접 전달될 수 있다.
이와 같이 하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 스크러버(200)는 밸브(204)를 조정하여 유해성 가스가 제1유입관(201)으로 흐르도록 하거나 또는 제2유입관(202)으로 흐르도록 도록 함으로써, 반도체 및/또는 디스플레이 제조 공정의 특성에 맞게 가스 스크러버(200)를 운영할 수 있다. 더불어, 제3유입관(203)이 중간 확산부(124)와 상부 확산부(125)를 직접 연결함으로써, 유해성 가스가 신속하게 하부 확산부(122)로부터 상부 확산부(125)로 전달된다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 가스 스크러버를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
100; 가스 스크러버
110; 하부 커버 111; 유입관
112; 바퀴 120; 캐니스터
121; 필터링부 121a; 타공판
121b; 부직포 필터 122; 하단 확산부
122a; 메쉬망 122b; 제1확산판
122c; 제2확산판 122d; 관통홀
122e; 제1지지대 122f; 제2지지대
123; 타공판 124; 중간 확산부
124a; 메쉬망 124b; 타공판
124c; 확산판 124d; 제1지지대
124e; 제2지지대 125; 상부 확산부
125a; 메쉬망 125b; 제1확산판
125c; 제2확산판 125d; 배기관
125e; 제1지지대 125f; 제2지지대
130; 상부 커버 200; 가스 스크러버
201; 제1유입관 202; 제2유입관
203; 제3유입관 204; 밸브

Claims (10)

  1. 유해성 가스가 유입되는 하부 커버;
    상기 하부 커버로부터 상부로 연장되고 흡착제가 충진되어 상기 유해성 가스를 흡착하여 제거하되, 상기 유해성 가스의 균일한 흐름을 유도하여 상기 유해성 가스의 편류를 제거하도록 설치된 적어도 하나의 가스 확산부를 갖는 캐니스터; 및
    상기 캐니스터의 상부에 설치되어 상기 유해성 가스로부터 흡착되고 남은 배기 가스가 배출되는 상부 커버를 포함하며
    상기 가스 확산부는 상기 캐니스터의 하단, 중간 및 상단에 상호간 이격되어 각각 설치되며,
    상기 가스 확산부는
    상기 유해성 가스가 유입되는 메쉬망;
    둘레가 상기 캐니스터의 내벽에 고정되며, 중앙에 상기 유해성 가스가 통과하는 관통 홀을 구비하며 상기 메쉬망 위에 제1지지대를 통해 설치된 제1확산판; 및
    상기 제1확산판보다 작은 직경으로 형성되어 상기 캐니스터의 내벽과 접촉되지 않도록 이격되며, 상기 제1확산판 위에 제2지지대를 통해 설치된 제2확산판을 포함하며,
    상기 가스 확산부는 상기 유해성 가스가 상기 제1확산판에 의하여 수평 방향으로 이동한 후에 중앙에 형성된 상기 관통홀을 통하여 상부로 이동하며, 상기 제2확산판에 의하여 상기 제2확산판의 둘레쪽으로 수평 방향으로 확산되도록 하여 상기 유해성 가스의 흐름상의 편류를 제거함을 특징으로 하는 가스 스크러버.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2확산판 위에 설치되고 상부에 상기 흡착제가 위치되는 타공판을 더 포함함을 특징으로 하는 가스 스크러버.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐니스터는 하단에 설치되어 상기 유해성 가스의 반응 부산물을 필터링 및 트랩하는 필터링부를 더 포함함을 특징으로 하는 가스 스크러버.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 필터링부는 상기 유해성 가스가 통과하는 타공판 및 상기 타공판 위에 설치된 부직포 필터를 포함함을 특징으로 하는 가스 스크러버.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 커버에 연결되어 상기 유해성 가스가 유입되는 제1유입관, 상기 제1유입관과 상기 캐니스터에 연결되어 상기 유해성 가스가 유입되는 제2유입관을 포함하고, 상기 제1유입관과 상기 제2유입관의 연결 지점에 설치되어 상기 제1유입관 또는 상기 제2유입관으로 상기 유해성 가스가 유입되도록 하는 밸브를 포함함을 특징으로 하는 가스 스크러버.
KR1020170181382A 2017-12-27 2017-12-27 가스 스크러버 KR102124090B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170181382A KR102124090B1 (ko) 2017-12-27 2017-12-27 가스 스크러버

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170181382A KR102124090B1 (ko) 2017-12-27 2017-12-27 가스 스크러버

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190079288A KR20190079288A (ko) 2019-07-05
KR102124090B1 true KR102124090B1 (ko) 2020-06-17

Family

ID=67225123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170181382A KR102124090B1 (ko) 2017-12-27 2017-12-27 가스 스크러버

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102124090B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102139437B1 (ko) 2019-11-20 2020-07-30 환경에너지솔루션 주식회사 효율적 악취처리가 가능한 복합 임핀젯 3단 약액 세정탑

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200227523Y1 (ko) * 2000-11-15 2001-06-15 이후근 필터여재와 와이어 메쉬를 이용한 파우더 트랩 제작방법
KR100907697B1 (ko) * 2007-03-14 2009-07-14 주식회사 카엘 가스 스크러버

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200227523Y1 (ko) * 2000-11-15 2001-06-15 이후근 필터여재와 와이어 메쉬를 이용한 파우더 트랩 제작방법
KR100907697B1 (ko) * 2007-03-14 2009-07-14 주식회사 카엘 가스 스크러버

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190079288A (ko) 2019-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101823897B1 (ko) 배기가스 정화시스템
JP2020114588A (ja) フィルターバッグアッセンブリ
US9440184B2 (en) Apparatus for removing air contaminants
JP2011214554A (ja) キャニスタ
KR102124090B1 (ko) 가스 스크러버
JPH0712423B2 (ja) 移動層反応装置及びその運転方法
KR101546227B1 (ko) 다단 원통형 구조물을 구비하는 스크러버
JP3209628U (ja) 排ガス処理装置の交換式吸着塔
CN105169910B (zh) 炉窑烟气除尘及有害气体协同净化装置
KR20230099131A (ko) 공기 흐름성과 정화 성능이 우수한 경사진 케미칼 지지 구조를 포함하는 스크러버
KR101277569B1 (ko) 다단 스프레이구조를 갖는 습식 흡수탑
KR20130023438A (ko) 악취제거시스템
KR100436449B1 (ko) 도장부스용 휘발성유기화합물 흡탈착장치 및 과포화증기를이용한 활성탄필터의 재생방법
KR101684097B1 (ko) 캐니스터용 필터유닛
KR100645946B1 (ko) 가스 스크러버
JP5301482B2 (ja) キャニスタ
KR101625029B1 (ko) 휘발성 유기화합물 산화장치
WO2018119812A1 (zh) 一种活性炭吸收塔及气体净化装置
TW201641152A (zh) 廢氣處理裝置及其方法
KR20090131548A (ko) 이중 분리형 캐니스터
RU2536749C2 (ru) Комплексное устройство для очистки выхлопных газов судового двигателя
CN108368798A (zh) 用于减少来自车辆的碳氢化合物排放的设备
CN106215584A (zh) 废气净化装置
CN220513794U (zh) 一种玻璃微珠加热炉用废气处理装置
CN205323444U (zh) 废气净化装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant