KR102112971B1 - Ath 충전제를 가진 실리콘 고무 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, SiR (5) 중에 여과 한계치 미만으로 분산된 충전제 (4) 로서 적어도 20 wt% 의 알루미나 삼수화물 (ATH) 을 포함하는 충전된 실리콘 고무 (SiR) 재료 (2) 에 관한 것이다. ATH 는 제 1 ATH 분말과 제 2 ATH 분말의 혼합물이다. 제 1 ATH 분말 및 제 2 ATH 분말의 입자 크기 분포는, 제 2 ATH 분말의 d90 값이 제 1 ATH 분말의 d10 값보다 작도록 된다. 본 발명은 또한 충전된 SiR 재료 (2) 로 제조된 절연체 (1) 및 고전압 직류 (HVDC) 적용시에 절연체의 용도에 관한 것이다.

Description

ATH 충전제를 가진 실리콘 고무
본 발명은 충전제로서, 특히 전기 절연체로서, 예를 들어 고전압 직류 (HVDC) 적용시, 알루미나 삼수화물 (ATH) 을 포함하는 실리콘 고무 (SiR) 에 관한 것이다.
오늘날 HVDC 부싱 및 HVDC 케이블 단자들과 같은 HVDC 제품들은 종종 공기에 노출된 외부 절연체로서 SiR 을 사용한다.
누설 전류를 최소화하기 위해 실리콘 고무의 소수성 표면 특성들이 중요한 것으로 알려져 있으며, 이에 따라 습식 또는 오염된 조건에서 표면 섬락 (surface flashovers) 을 방지한다.
특정 유형의 실리콘 고무들의 저항률은 환경으로부터 수분을 흡수하도록 되면 현저하게 감소될 수 있음에 주목하였다. 이는 다양한 온도 및 습도에서 실리콘 고무 플레이트들의 저항률 측정에 의해 입증되었다. ATH 충전된 실리콘 고무 재료의 저항률은, 극한 환경 조건 (-15 ℃ 및 25 % 상대 습도 (RH) ~ 70 ℃ 및 95 % RH) 에서 최대 60 년까지 변할 수 있다. 임의의 ATH 충전제가 없는 실리콘 고무 재료는 저항률이 덜 변하기 때문에, 수분이 ATH 입자들과 실리콘 고무 사이의 계면으로 유인되어, 재료를 통한 전류를 증가시키는 것으로 가정된다. 보다 현실적인 환경 조건에서, 저항률의 변화는 낮지만, 여전히 수십년 동안 변한다. HVDC 절연 시스템의 전계 분포는 주로 다른 절연 재료의 저항률에 의해 제어되고 결국 절연 시스템의 직류 (DC) 내성 특성을 제공하므로, 저항률은 제어에 중요한 파라미터이다.
오늘날의 HVDC 절연체들에 사용되는 충전된 SiR 재료는 주변 습도 및 SiR 재료 내부에서 습도가 어떻게 확산되는지에 대한 세부사항에 크게 의존하는 저항률을 가진다. 더욱이, SiR 절연체 내부의 임의의 습도 구배는 절연체 내부의 저항률의 큰 구배를 야기할 것이다. 이는 시험하는 동안 및 작동 동안 절연체 내부 및 주위의 전기 응력의 불확실성을 야기한다. 이러한 불확실성은 고장의 위험을 증가시키고 절연체의 증가된 크기에 의해 어느 정도 방지될 수 있다. 이러한 저항률의 변화에 대한 한 가지 이유는 4.5 kV 에서 필요한 전기 침식 시험들, 예를 들어 IEC 60587 을 통과하기 위해 필요한 미립자 ATH 형태의 난연제가 첨가될 수 있다.
HV 실외 절연을 위한 고온 가황 (HTV) 실리콘 고무 제형은 일반적으로 ATH 로 과도하게 충전 (약 50 wt.%) 된다. 충전제 입자들은 재료를 통하여 여과된 (percolated) 구조물을 생성하고, 여기서 수분은 ATH 입자들과 실리콘 고무 사이의 계면들을 따라서 침투할 수 있다. 실리콘 고무는 투과성이 높기 때문에, 주변 환경의 온도와 습도에 따라서, 수분이 충전제 표면들에서 쉽게 흡착/탈착될 수 있다. 습한 조건에서, ATH 충전된 SiR 재료의 저항률은 일반적으로 1E9 ~ 1E13 Ohm·m 정도이다. 전도 메커니즘은 여과된 ATH 입자들의 계면에서 느슨하게 흡착된 수분에 의해 지배된다. 이러한 층은 주변 공기의 습도를 감소시킴으로써 제거될 수 있다. 건조 조건 또는 0 ℃ 미만의 온도에서, 저항률은 더 높고 (일반적으로 1E13 ~ 1E15 Ohm·m 범위) 그리고 ATH 충전제의 전도성 뿐만 아니라 결합된 물 분자의 얇은 층에 의해 제어된다. 실리콘 고무들에 ATH 충전제들이 포함되지 않으면, 저항률은, 주변 습도의 영향이 적은 상태에서, 평가된 재료에 비하여 상당히 높은데, 일반적으로 1E14 Ohm·m 초과이다.
따라서, 또한 습한 조건에서도 높고 비교적 안정적인 저항률을 달성하기 위해, 충전된 SiR 재료를 통한 여과를 감소시키거나 방지하는 것, 즉 여과 한계치 (percolation threshold) 미만이 되는 것이 중요하다. 여과를 방지하는 간단한 방법은 ATH 충전제의 양을 여과 한계치 미만으로 감소시키는 것이다. 하지만, 재료가 필요한 전기 침식 시험들을 통과하기 위해서는 많은 양의 ATH 충전제가 필요하다. 본 발명에 따라서, 상이한 크기들을 가진 2 개의 상이한 ATH 분말들로부터 ATH 입자들을 조합함으로써, 여전히 충분한 양의 ATH (중량%, wt% 로) 를 가지면서, 여과가 방지될 수 있음을 알았고, 여기서 제 1 ATH 분말은 비교적 큰 입자 크기를 가지고, 제 2 ATH 분말은 비교적 작은 입자 크기를 가진다. 그리고 나서, ATH 의 충전 함량은, 여전히 여과 한계치 미만이면서, 전기 침식에 대한 충분한 저항, 예를 들어 적어도 20 wt% 또는 적어도 30 wt% 이 필요한 것보다 높을 수 있다.
본 발명의 일 양태에 따라서, SiR 중에 여과 한계치 미만으로 분산된 충전제로서 ATH 의 적어도 20 wt% 을 포함하는 충전된 SiR 재료가 제공된다. ATH 는 제 1 ATH 분말과 제 2 ATH 분말의 혼합물이다. 제 1 ATH 분말 및 제 2 ATH 분말의 입자 크기 분포는, 제 2 ATH 분말의 d90 값이 제 1 ATH 분말의 d10 값보다 작도록 된다.
본 발명의 다른 양태에 따라서, 본 발명의 충전된 SiR 재료의 일 실시형태로 제조된 고전압 (HV) 전기 절연체가 제공된다.
본 발명의 다른 양태에 따라서, HVDC 적용시에 본 발명의 절연체의 일 실시형태의 사용이 제공된다.
본 발명의 다른 양태에 따라서, 충전된 SiR 재료를 제조하는 방법이 제공된다. 방법은 제 1 ATH 분말을 제공하는 단계, 제 2 ATH 분말을 제공하는 단계, SiR 중에 제 1 ATH 분말 및 제 2 ATH 분말을 적어도 20 wt% 및 그리하여 형성된 충전된 SiR 재료의 여과 한계치 미만으로 분산시키는 단계를 포함한다. 제 1 ATH 분말 및 제 2 ATH 분말의 입자 크기 분포는, 제 2 ATH 분말의 d90 값이 제 1 ATH 분말의 d10 값보다 작도록 된다.
임의의 양태들의 임의의 특징은 적절하다면 임의의 다른 양태에 적용될 수도 있음을 유의해야 한다. 마찬가지로, 임의의 양태들의 임의의 장점이 임의의 다른 양태들에 적용될 수도 있다. 첨부된 실시형태들의 다른 목적, 특징 및 장점은 다음의 상세한 개시, 첨부된 종속항들뿐만 아니라 도면들로부터 명백해질 것이다.
일반적으로, 청구항들에서 사용된 모든 용어들은 본 명세서에서 달리 명시적으로 정의되지 않는 한, 기술 분야에서의 일반적인 의미에 따라 해석되어야 한다. "단수/정관사의 엘리먼트, 장치, 컴포넌트, 수단, 단계 등" 에 대한 모든 참조들은 달리 명시적으로 언급되지 않는 한, 엘리먼트, 장치, 컴포넌트, 수단, 단계 등의 적어도 하나의 경우를 지칭하는 것으로 개방적으로 해석되어야 한다. 본 명세서에 개시된 임의의 방법의 단계들은 달리 명시적으로 언급되지 않는 한, 개시된 정확한 순서로 수행될 필요는 없다. 본 개시의 상이한 특징들/컴포넌트들에 대한 "제 1", "제 2" 등의 사용은 특징들/컴포넌트들을 다른 유사한 특징들/컴포넌트들과 구별하기 위해서만 의도되고 특징들/컴포넌트들에 임의의 순서 또는 계층을 부여하도록 의도되지 않는다.
실시형태들은 첨부 도면들을 참조하여 예로서 설명될 것이다.
도 1 은 본 발명의 충전된 SiR 재료로 제조되고 전기 시스템의 전도체 주위에 배열된 절연체의 일 실시형태를 개략적으로 도시한다.
도 2 는 본 발명의 방법의 실시형태들의 개략적 플로우 차트이다.
이하, 소정의 실시형태들이 도시되어 있는 첨부 도면들을 참조하여, 이제 실시형태들이 보다 충분히 설명될 것이다. 그러나, 본 개시의 범위 내에서 많은 상이한 형태들의 다른 실시형태들이 가능하다. 오히려, 다음의 실시형태들은 본 개시가 철저하고 완전해지고 본 개시의 범위를 당업자에게 충분히 전달하도록 예로서 제공된다. 설명 전체에 걸쳐 같은 번호들은 같은 엘리먼트들을 지칭한다.
본 발명의 실시형태들에 의해, 주변 습도에 대한 감도가 감소된 충전된 SiR 재료가 제공된다. 상이한 크기들의 ATH 분말 입자들을 조합하는 것에 더하여, ATH 입자들은 보다 소수성을 갖도록 표면 처리를 받을 수 있고 (예를 들어 비닐-실란 처리), ATH 충전제 함량은 충전된 SiR 재료의 저항률에 대한 습도의 영향을 감소시키도록 (전기 침식의 관점에서 여전히 충분하면서) 감소될 수 있다.
본 발명의 실시형태들에 따라서, ATH 의 충전 함량은 주어진 온도 및 습도에 대해서 여과된 한계치 미만이다. 여과 함수 (P) 는 충전 함량 (충전된 SiR 재료에서 ATH 의 wt%) 에 따라서 저항률 (ρ) 로부터 규정될 수 있다.
Figure 112019126215674-pct00001
(식 1)
여기서
ρ = 충전된 SiR 재료, 예를 들어 HVDC 등급 SiR 의 저항률,
ρSiR = 순수 (neat) SiR 제형 또는 '베이스 실리콘' 의 저항률 (통상적으로 폴리디메틸실록산 및 발연 실리카 또는 ATH 가 아닌 임의의 다른 충전제의 혼합물),
ρFill = ATH 의 50 vol% 로 충전된 순수 SiR 의 저항률.
모든 저항률들 (ρ, ρFill 및 ρSiR) 은 실온 (20 ℃) 및 50 % 의 상대 습도 (RH) 에서 평가되어야 한다.
여과 한계값 (P) 미만에서는 0 에 근접하거나 접근하는 반면, 여과 한계값 (P) 초과에서는 1 에 근접하거나 접근한다. 바람직하게는, P 는 여과 한계치 미만으로 간주되도록 최대 0.5 이고, 예를 들어 0.4, 0.3, 0.2 또는 0.1 미만이다. 비교적 큰 ATH 입자들을 비교적 작은 ATH 입자들과 조합함으로써, 충전 함량은 여전히 여과 한계치 미만으로 간주되면서 증가될 수 있다.
본 발명의 실시형태들에서, 충전된 SiR 재료는 전기 침식 시험을 통과하기 위해, 적어도 20 wt% ATH, 예를 들어 20 ~ 50 wt% ATH, 또는 적어도 20 wt%, 25 wt% 또는 30 wt% ATH, 및/또는 최대 50 wt%, 45 wt% 또는 40 wt%, 예를 들어 25 ~ 50 wt%, 30 ~ 50 wt%, 20 ~ 40 wt%, 25 ~ 40 wt% 또는 30 ~ 40 wt% 범위내를 포함한다.
본 발명의 실시형태들에서, 제 1 ATH 분말 및 제 2 ATH 분말의 각각의 입자 크기 분포는, 제 2 ATH 분말의 d90 값이 제 1 ATH 분말의 d10 값보다 작도록 된다. 따라서, 일반적으로 각각의 분말 입자들의 10 % 만이 다른 분말과 겹쳐진다.
본 발명의 일부 실시형태들에서, 제 1 ATH 분말 또는 제 2 ATH 분말은, 1 ~ 3 ㎛ 범위내, 예를 들어 1.3 ~ 2.3 ㎛ 범위내의 평균 입자 크기 (질량으로 평균 입자 직경인 d50), 및/또는 0.3 ~ 1 ㎛ 범위내, 예를 들어 0.6 ~ 0.9 ㎛ 범위내의 d10 값, 및/또는 2 ~ 7 ㎛ 범위내, 예를 들어 2.2 ~ 5.2 ㎛ 범위내의 d90 값을 가지고, 여기서 이는 제 1 ATH 분말 또는 제 2 ATH 분말로서 사용될 수 있는 표준 분말로서 간주될 수 있다. 바람직하게는, 제 1 ATH 분말 또는 제 2 ATH 분말은 1.3 ~ 2.3 ㎛ 범위내의 평균 입자 크기 (d50), 0.6 ~ 0.9 ㎛ 범위내의 d10 값 및 2.2 ~ 5.2 ㎛ 범위내의 d90 값을 가진다. d10 값은 샘플 질량의 10 % 가 상기 값보다 작은 직경을 가진 입자들로 구성되는 직경이다. 유사하게, d90 값은 샘플 질량의 90% 가 상기 값보다 작은 직경을 가진 입자들로 구성되는 직경이다.
일부 실시형태들에서, 예를 들어 표준 분말 또는 나노 분말 (하기 참조) 이 비교적 작은 입자들을 가진 제 2 분말로서 사용되면, 제 1 ATH 분말은 5 ~ 15 ㎛ 범위내, 예를 들어 6 ~ 12 ㎛ 범위내, 예를 들어 8 ~ 10 ㎛ 범위내, 예를 들어 약 9 ㎛ 의 평균 입자 크기 (d50) 를 가진 마이크로분말일 수 있다. 이러한 마이크로분말은, 예를 들어 325 mech (44 마이크로미터) 을 통과하는 백분율 99.98 % 및 BET 표면적 2 ㎡/g 을 가질 수 있다.
일부 실시형태들에서, 예를 들어 표준 분말 또는 마이크로미터 분말이 비교적 큰 입자들을 가진 제 1 분말로서 사용되면, 제 2 ATH 분말은 5 ~ 200 nm 범위내, 예를 들어 10 ~ 100 nm 범위내, 또는 5 ~ 20 nm 범위내, 예를 들어 약 10 nm, 또는 40 ~ 60 nm 범위내, 예를 들어 약 50 nm, 또는 80 ~ 120 nm 범위내, 예를 들어 90 ~ 110 nm 범위내, 예를 들어 약 100 nm 의 평균 입자 크기 (d50) 를 가진 나노분말일 수 있다. 이러한 나노분말은, 예를 들어 325 mech (44 마이크로미터) 을 통과하는 백분율 99.99 % 및 BET 표면적 12 ㎡/g 을 가질 수 있다.
본 발명의 일부 실시형태들에서, 제 1 ATH 분말 및 제 2 ATH 분말 중 하나 또는 모두는, 소수성 표면을 가지도록 처리되어, 예를 들어 실란 처리에 의해 처리되어, 소수성 표면이 실란에 의해 달성된다.
본 발명의 일부 실시형태들에서, 제 1 ATH 분말은 ATH 혼합물의 50 ~ 90 wt% 를 구성하고, 제 2 ATH 분말은 상기 ATH 혼합물의 10 ~ 50 wt% 를 구성한다. 제 2 ATH 분말중의 작은 입자들 보다 제 1 ATH 분말의 더 큰 입자들을 더 많이 (wt% 로) 사용하는 것이 여과 한계치 미만의 높은 충전 함량을 얻기 위해 유리하다. 제 2 ATH 분말로부터 사용된 작은 입자들의 개수는 제 1 ATH 분말로부터 사용된 입자들의 개수보다 여전히 더 클 수 있음에 유의해야 하는데, 이는 제 2 ATH 분말의 입자들이 제 1 ATH 분말의 입자들보다 훨씬 더 작고 그리하여 중량도 적기 때문이다.
충전된 SiR 재료는 HV 전기 절연체들을 제조하는데 편리하게 사용될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 이러한 절연체는 0.1 ~ 10 kV/mm 범위내, 예를 들어 0.1 ~ 1 kV/mm 범위내의 전압을 위해 구성된다.
절연체는 HVDC 적용시 절연체로서 사용하도록 및/또는 전력 전자 장치(들), 즉 반도체 컴포넌트들, 예를 들어 컨버터 또는 센서를 캡슐화하도록 구성될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 절연체는 예를 들어 HVDC 적용시, 특히 충전된 SiR 재료가 외부 표면이 공기 및 주변 수분에 노출되어 배열될 때, 벽 부싱, 변압기 부싱, 케이블 단자, 지지 절연체, 케이블 조인트 또는 서지 어레스터, 바람직하게는 벽 부싱 또는 케이블 단자 등과 같은 절연체 디바이스의 형태이거나 또는 그렇지 않으면 이에 포함된다. 절연체 디바이스는 또한 종래의 부품들, 예를 들어 에폭시 절연체(들), 커패시터 본체 및/또는 절연 유체, 예를 들어 오일 또는 가스를 포함할 수 있다. 절연체의 실시형태들은 DC 적용시에 특히 유용할 수 있으며, 절연체의 가변 저항률은 보다 해로운 영향을 미친다.
도 1 은 충전된 SiR 재료 (2) 의 일 실시형태로 형성된 절연체 (1) 의 실시형태를 도시한다. 절연체 (1) 는, 예를 들어 HVDC 시스템 또는 다른 전력 시스템 (예를 들어 전력망 또는 네트워크) 의 도전체 (3) 를 둘러싸고, 예를 들어 벽 부싱, 변압기 부싱, 케이블 단자, 지지 절연체, 케이블 조인트 또는 서지 어레스터, 바람직하게는 벽 부싱 또는 케이블 단자의 일부일 수 있다. 절연체 (1) 의 외부측은 주변 공기 및 수분에 노출되어, 수분 흡수하기 쉽다. 절연체 (1) 는 수분 흡수를 감소시키기 위해 본 발명의 충전된 SiR 재료 (2) 로 제조된다. 충전된 SiR 재료 (2) 는 SiR (5) 중에 분산된 제 1 분말 및 제 2 분말로부터 여기서 점 (4) 으로 개략적으로 도시된 ATH 분말 입자들을 포함한다.
도 2 은 본 발명의 방법의 실시형태들을 설명하는 개략적 플로우 차트이다. 제 1 ATH 분말이 제공되고 (S1), 제 2 ATH 분말이 제공된다 (S2). 그리고 나서, 제 1 ATH 분말 및 제 2 ATH 분말 (4) 은 그리하여 형성된 충전된 SiR 재료 (2) 의 적어도 20 wt% 및 여과 한계치 미만으로 SiR (5) 중에 분산된다 (S3). 제 1 분말 입자 및 제 2 분말 입자 (4) 는 분산 (S3) 전에 혼합될 수 있거나, 또는 SiR (5) 중에 별도로 분산될 수 있다. 본원에 개시된 바와 같이, 제 1 ATH 분말 및 제 2 ATH 분말 (4) 의 입자 크기 분포는, 제 2 ATH 분말의 d90 값이 제 1 ATH 분말의 d10 값보다 작도록 된다.
따라서, 충전된 SiR 재료 (2) 는 본 발명의 방법의 실시형태에 의해 제조될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 방법은 SiR 중에 제 1 ATH 분말 및 제 2 ATH 분말의 분산 (S3) 전에, 소수성 표면을 얻기 위해 제 1 ATH 분말 및 제 2 ATH 분말 중 적어도 하나를 처리하는 것 (S4) 을 포함한다.
그 결과 충전된 SIR 재료는, 그 후에 예를 들어 사출 성형, 주조 또는 압출을 사용함으로써, 예를 들어 HVDC 적용시에 본 발명의 절연체의 실시형태를 제조하는데 사용될 수 있고; 가능하다면 그 후에 퍼옥사이드 또는 백금 촉매를 사용하여 가교될 수 있다.
본 발명의 실시형태들은, 예를 들어 HVDC 적용을 위해 SiR 절연 제품들 내부 및 주위의 DC 응력의 예측성 증가 및 복잡성 감소 그리고 최적화된 설계 및 비용 감소로 인해, 신뢰성 증가의 장점 중 적어도 일부를 가진다.
실시예
소수성 표면 처리 (S4) 를 가지고 그리고 갖지 않는 상이한 유형의 ATH 충전제들 (4) 은 실리콘 고무 (5) 에 배합되었고 (S3) 그리고 10 ~ 90 % 에서 변하는 상이한 RH 및 25 ℃ 에서 충전되지 않은 SiR 과 비교되었다.
저항률에 대한 습도 및 온도의 영향이 평가되었고 충전되지 않은 실리콘 고무와 비교되었다. 표면 처리된 (비닐-실란 처리) 소수성 ATH 를 사용하여, 수분 흡착 뿐만 아니라 충전제로부터의 이온 오염물의 누출이 감소되었다. 그 결과 1E12 ~ 1E14 Ohm·m 범위의 저항률을 가진 실리콘 고무가 만들어졌다. 동일한 방식으로, 친수성, 낮은 저항률 등급의 ATH 는 낮은 저항률 (1E10 ~ 1E12 Ohm·m) 을 가진 실리콘 고무를 제조하기 위해 사용될 수 있다. 그 결과 사용된 ATH-충전제의 유형에 의해 실리콘 고무의 전도성이 어떻게 영향을 받을 수 있는지를 설명한다.
본 발명은 주로 몇몇 실시형태들을 참조하여 설명되었다. 그러나, 당업자에 의해 쉽게 이해되는 바와 같이, 위에 개시된 것 이외의 다른 실시형태들이 첨부된 청구항들에 의해 정의된 바와 같은, 본 개시의 범위 내에서 동등하게 가능하다.

Claims (15)

  1. 충전된 실리콘 고무 (SiR) 재료 (2) 로 제조된 전기 절연체로서,
    여과 한계치 미만으로 SiR (5) 중에 분산된 충전제 (4) 로서 20 ~ 50 wt% 의 알루미나 삼수화물 (ATH) 를 포함하고,
    상기 ATH 는 제 1 ATH 분말 및 제 2 ATH 분말의 혼합물이며,
    제 1 및 제 2 ATH 분말 (4) 의 입자 크기 분포는 상기 제 2 ATH 분말의 d90 값이 상기 제 1 ATH 분말의 d10 값보다 작도록 되는, 전기 절연체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 ATH 분말 또는 상기 제 2 ATH 분말은, 1 ~ 3 ㎛ 범위내, 또는 1.3 ~ 2.3 ㎛ 범위내의 평균 입자 크기 d50 와, 0.3 ~ 1 ㎛ 범위내, 또는 0.6 ~ 0.9 ㎛ 범위내의 d10 값과, 2 ~ 7 ㎛ 범위내, 또는 2.2 ~ 5.2 ㎛ 범위내의 d90 값 중 하나 이상을 가지는, 전기 절연체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 ATH 분말은 5 ~ 15 ㎛ 범위내, 또는 6 ~ 12 ㎛ 범위내, 또는 8 ~ 10 ㎛ 범위내 평균 입자 크기 d50 을 가지는, 전기 절연체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 ATH 분말은 5 ~ 200 nm 범위내, 또는 10 ~ 100 nm 범위내, 또는 5 ~ 20 nm 범위내, 또는 약 10 nm, 또는 40 ~ 60 nm 범위내, 또는 약 50 nm, 또는 80 ~ 120 nm 범위내, 또는 90 ~ 110 nm 범위내, 또는 약 100 nm 의 평균 입자 크기 d50 를 가지는, 전기 절연체.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 ATH 분말 또는 상기 제 2 ATH 분말 중 하나 또는 둘 다는 소수성 표면을 갖도록 처리되는, 전기 절연체.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 소수성 표면은 실란에 의한 것인, 전기 절연체.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 SiR 재료는 적어도 25 wt%, 또는 적어도 30 wt% 의 ATH 를 포함하는, 전기 절연체.
  8. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 ATH 분말은 ATH 혼합물의 50 ~ 90 wt% 를 구성하고, 상기 제 2 ATH 분말은 상기 ATH 혼합물의 10 ~ 50 wt% 를 구성하는, 전기 절연체.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 전기 절연체 (1) 는 고전압 (HV) 전기 절연체인, 전기 절연체.
  10. 제 9 항에 있어서,
    0.1 ~ 10 kV/mm 범위내, 또는 0.1 ~ 1 kV/mm 범위내의 전압을 위해 구성되는, 전기 절연체.
  11. 제 9 항에 있어서,
    전력 전자 디바이스(들)를 캡슐화하도록 구성되는, 전기 절연체.
  12. 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전기 절연체 (1) 는 고전압 직류 (HVDC) 적용에 사용되는, 전기 절연체.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 절연체 (1) 는 벽 부싱, 변압기 부싱, 케이블 단자, 지지 절연체, 케이블 조인트 또는 서지 어레스터에 포함되는, 전기 절연체.
  14. 충전된 SiR 재료 (2) 의 전기 절연체 (1) 를 제조하는 방법으로서,
    제 1 ATH 분말을 제공하는 단계 (S1),
    제 2 ATH 분말을 제공하는 단계 (S2),
    제 1 및 제 2 ATH 분말 (4) 을 SiR (5) 중에 20 ~ 50 wt% 로 그리고 그리하여 형성된 전기 절연성 충전된 SiR 재료 (2) 의 여과 한계치 미만으로 분산시키는 단계 (S3)
    를 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 ATH 분말 (4) 의 입자 크기 분포는, 상기 제 2 ATH 분말의 d90 값이 상기 제 1 ATH 분말의 d10 값보다 작도록 되는, 전기 절연체 (1) 를 제조하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 분산시키는 단계 전에, 상기 제 1 및 제 2 ATH 분말 (2) 중 적어도 하나를 처리하여 소수성 표면을 얻는 단계 (S4) 를 더 포함하는, 전기 절연체 (1) 를 제조하는 방법.
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