BR112019022155B1

BR112019022155B1 - Isolante elétrico feito a partir de um material de borracha de silicone preenchido, uso do isolante e método para preparar um isolante de um material sir preenchido

Info

Publication number: BR112019022155B1
Application number: BR112019022155-7A
Authority: BR
Inventors: Henrik Hillborg; Olof Hjortstam; Henrik Lofas; Jonas Birgerson
Original assignee: Hitachi Energy Switzerland Ag
Priority date: 2017-05-19
Filing date: 2018-05-10
Publication date: 2023-11-07
Also published as: EP3404060A1; BR112019022155A8; BR112019022155A2; KR20190140481A; WO2018210687A1; CA3063485C; US20200411209A1; CN110678509A; CA3063485A1; KR102112971B1; CN110678509B; US11037697B2; EP3404060B1

Abstract

a presente descrição refere-se a um material de borracha de silicone preenchido (sir) (2) compreendendo pelo menos 20% em peso de tri-hidrato de alumina (ath) como um enchimento (4) disperso em sir (5) para abaixo do limite de percolação. o ath é uma mistura de um primeiro pó ath e um segundo pó ath. a distribuição de tamanho de partícula dos primeiro e segundo pós ath é tal que o valor d90 do segundo pó ath seja inferior ao valor d10 do primeiro pó ath. a descrição também se refere a um isolante 1 feito a partir do material sir preenchido (2) e a um uso do isolante em uma aplicação de corrente direta de alta tensão (hvdc).

Description

Campo Técnico

[001] A presente descrição refere-se uma borracha de silicone (SiR) compreendendo tri-hidrato de alumina (ATH) como um enchimento, especialmente como um isolante elétrico, por exemplo, em aplicações de corrente direta de alta tensão (HVDC).

Antecedentes

[002] Produtos HVDC, tal como buchas HVDC e terminações de cabo HVDC hoje em dia utilizam, com frequência, SiR como um isolante externo exposto ao ar.

[003] É conhecido que as propriedades de superfície hidrofóbica da borracha de silicone são muito importantes para minimizar as correntes de vazamento, impedindo, assim, descargas elétricas de superfície durante condições molhadas ou poluídas.

Sumário

[004] Foi notado agora que a resistividade de determinados tipos de borrachas de silicone pode ser significativamente reduzida se puder adsorver a umidade do ambiente. Isso foi demonstrado pelas medições de resistividade das placas de borracha de silicone em várias temperaturas e umidade. A resistividade de um material de borracha de silicone preenchido com ATH pode variar por até seis décadas durante condições ambientais extremas (-15 C e 25% de umidade relativa (RH) a 70 C e 95% de RH). Visto que os materiais de borracha de silicone sem qualquer enchimento ATH variam menos em resistividade, é considerado que a umidade seja atraída para a interface entre as partículas ATH e a borracha de silicone, aumentando, assim, a corrente através do material. Durante condições ambientais mais realísticas, a variação na resistividade é inferior, mas ainda varia por várias décadas. Visto que a distribuição de campo elétrico em um sistema de isolamento HVDC é basicamente controlada pela resistividade dos diferentes materiais de isolamento e isso, no final, fornece as propriedades para suportar a corrente direta (DC) do sistema de isolamento, a resistividade é um parâmetro importante a ser controlado.

[005] O material SiR preenchido utilizado nos isolantes HVDC atuais apresenta uma resistividade que depende em muito da umidade circundante e dos detalhes sobre como a umidade se difunde dentro do material SiR. Ainda, qualquer gradiente de umidade dentro de um isolante SiR causará grandes gradientes de resistividade dentro do isolante. Isso resulta na incerteza da tensão elétrica dentro e em torno do isolante, durante o teste e durante a operação. Essa incerteza aumenta o risco de falha e pode, até determinado ponto, ser contornada por dimensões aumentadas do isolante. Uma razão para essa variação na resistividade pode ser o retardante de chama adicionado na forma de ATH particulado que é necessário a fim de passar nos testes de erosão elétrica exigidos, por exemplo, IEC 60587, em 4.5 kV.

[006] As formulações de borracha de silicone de Vulcanização em Alta Temperatura (HTV) para isolamento externo HV são normalmente preenchidas pesadamente (ca 50% em peso) com ATH. As partículas de enchimento criam uma estrutura percolada através do material, onde a umidade pode penetrar ao longo das interfaces entre as partículas ATH e a borracha de silicone. Visto que a borracha de silicone é altamente permeável, a umidade pode adsorver/dessorver com facilidade das superfícies de enchimento, dependendo da temperatura e umidade do ambiente circundante. Em condições úmidas, a resistividade do material SiR preenchido com ATH é tipicamente da ordem de 1E9-1E13 Ohm-m. O mecanismo de condução é dominado por umidade adsorvida de forma isolada na interface das partículas ATH percoladas. Essa camada pode ser removida pela redução da umidade do ar circundante. Durante as condições secas, ou em temperaturas abaixo de 0 C, a resistividade é mais alta (tipicamente na faixa de 1E13- 1E15 Ohm-m) e controlada por uma camada fina de moléculas de água limítrofes, além da condutividade do enchimento ATH. Se as borrachas de silicone não contiverem enchimentos ATH, a resistividade é significativamente mais alta em comparação com os materiais avaliados, tipicamente > 1E14 Ohm-m, com baixa influência da umidade ambiente.

[007] É, dessa forma, importante, e a fim de se alcançar uma resistividade alta e relativamente estável, também em condições úmidas, se reduzir ou evitar a percolação através do material SiR preenchido, isto é, para que esteja abaixo do limite de percolação. Uma forma direta de se evitar a percolação é reduzir a quantidade de enchimento ATH para abaixo do limite de percolação. No entanto, uma alta quantidade de enchimento ATH é necessária para que o material passe pelos testes de erosão elétrica exigidos. Foi percebido agora, de acordo com a presente invenção, que a percolação pode ser evitada, enquanto ainda apresenta uma quantidade alta o suficiente de ATH (como percentual em peso, % em peso), pela combinação de partículas ATH de dois pós ATH diferentes possuindo tamanhos diferentes, onde um primeiro pó ATH possui um tamanho de partícula relativamente grande e um segundo pó ATH possui um tamanho de partícula relativamente pequeno. O conteúdo de abastecimento de ATH pode, então, estar acima do que é exigido para uma resistência suficiente à erosão elétrica, por exemplo, pelo menos 20% em peso ou pelo menos 30% em peso, enquanto ainda está abaixo do limite de percolação.

[008] De acordo com um aspecto da presente invenção, é fornecido um material SiR preenchido compreendendo pelo menos 20% em peso de ATH como um enchimento disperso em SiR para abaixo do limite de percolação. O ATH é uma mistura de um primeiro pó ATH e um segundo pó ATH. A distribuição de tamanho de partícula dos primeiro e segundo pós ATH é tal que o valor d90 do segundo pó ATH é inferior ao valor d10 do primeiro pó ATH.

[009] De acordo com outro aspecto da presente invenção, é fornecido um isolante elétrico de alta tensão (HV), feito a partir de uma modalidade do material SiR preenchido da presente descrição.

[010] De acordo com outro aspecto da presente invenção, é fornecido um uso de uma modalidade do isolante da presente descrição em uma aplicação HVDC.

[011] De acordo com outro aspecto da presente invenção, é fornecido um método para preparar um material SiR preenchido. O método compreendendo fornecer um primeiro pó ATH, fornecer um segundo pó ATH, dispersar os primeiro e segundo pós ATH no SiR para pelo menos 20% em peso e abaixo do limite de percolação do material SiR preenchido formado dessa maneira. A distribuição de tamanho de partícula dos primeiro e segundo pós ATH é tal que o valor d90 do segundo pó ATH seja inferior ao valor d10 do primeiro pó ATH.

[012] É notado que qualquer característica de qualquer um dos aspectos pode ser aplicada a qualquer outro aspecto, sempre que adequado. Da mesma forma, qualquer vantagem de qualquer um dos aspectos pode ser aplicada a qualquer um dos outros aspectos. Outros objetivos, características e vantagens das modalidades encerradas serão aparentes a partir da descrição detalhada a seguir, a partir das reivindicações dependentes em anexo além de a partir dos desenhos.

[013] Geralmente, todos os termos utilizados nas reivindicações devem ser interpretados de acordo com seu significado normal no campo técnico, a menos que explicitamente definido o contrário aqui. Todas as referências a "um/uma" elemento, aparelho, componente, meio, etapa, etc." devem ser interpretadas de forma ampla como fazendo referência a pelo menos um caso do elemento, aparelho, componente, meio, etapa, etc., a menos que explicitamente mencionado o contrário. As etapas de qualquer método descrito aqui não precisam ser realizadas na ordem exata descrita, a menos que explicitamente mencionado. O uso de "primeiro", "segundo", etc. para diferentes características/componentes da presente descrição só serve para distinguir as características/componentes de outras características/componentes similares e não imprimir qualquer ordem ou hierarquia às características/componentes.

Breve Descrição dos Desenhos

[014] As modalidades serão descritas, por meio de exemplo, com referência aos desenhos em anexo nos quais: figura 1 ilustra de forma esquemática uma modalidade de um isolante feito de material SiR preenchido da presente descrição e disposto em torno de um condutor de um sistema de eletricidade; figura 2 é um fluxograma esquemático das modalidades do método da presente descrição.

Descrição Detalhada

[015] As modalidades serão descritas agora mais completamente doravante com referência aos desenhos em anexo, nos quais determinadas modalidades são ilustradas. No entanto, outras modalidades em muitas formas diferentes são possíveis dentro do escopo da presente descrição. Em vez disso, as modalidades a seguir são fornecidas por meio de exemplo de modo que essa descrição seja profunda e completa, e porte totalmente o escopo da descrição aos versados na técnica. Números similares se referem a elementos similares por toda a descrição.

[016] Por meio das modalidades da presente invenção, um material SiR preenchido, possuindo sensibilidade reduzida à umidade circundante, é fornecido. Além de combinar as partículas de pó ATH de tamanhos diferentes, as partículas ATH podem ser submetidas ao tratamento de superfície para torna-las mais hidrofóbicas (por exemplo, tratamento com vinil-silano) e o teor de enchimento ATH pode ser reduzido (enquanto ainda é suficiente em vista da erosão elétrica), para reduzir a influência da umidade na resistividade do material SiR preenchido.

[017] De acordo com as modalidades da presente invenção, o teor de enchimento de ATH está abaixo do limite de percolação para uma determinada temperatura e umidade. Uma função de percolação P pode ser definida a partir da dependência de resistividade p no teor de enchimento (% em peso de ATH no material SiR preenchido). P = log(p)-log(pSiR)/log(pFill)-log(pSiR) (Eq. 1) Onde p = resistividade do material SiR preenchido, por exemplo, SiR grau HVDC; pSiR = resistividade da formulação SiR puro ou "base de silicone" (normalmente uma mistura de polidimietilsiloxano e sílica defumada ou qualquer outro enchimento que não ATH), pFill = resistividade de SiR puro preenchido com 50% em volume de ATH.

[018] Todas as resistividades (p, pFill e pSiR) devem ser avaliadas em temperatura ambiente (20 C) e com uma umidade relativa (RH) de 50%.

[019] Abaixo do limite de percolação P se aproxima de O, ao passo que acima do limite de percolação P se aproxima de 1. Preferivelmente, P está no máximo em 0,5, tal como abaixo de 0,4, 0,3, 0,2 ou 0,1, para ser considerado abaixo do limite de percolação. Pela combinação de partículas ATH relativamente grandes com partículas ATH relativamente pequenas, o teor de enchimento pode ser aumentado enquanto ainda é considerado como abaixo do limite de percolação.

[020] Nas modalidades da presente invenção, o material SiR preenchido compreende pelo menos 20% em peso de ATH, a fim de passar no teste de erosão elétrica, por exemplo, dentro da faixa de 20 a 50% em peso de ATH, ou pelo menos 20 % em peso, 25% em peso ou 30% em peso de ATH, e/ou no máximo 50% em peso, 45% em peso ou 40% em peso, por exemplo, dentro da faixa de 25 a 50% em peso, 30 a 50% em peso, 20 a 40% em peso, 25 a 40% em peso, ou 30 a 40% em peso.

[021] Nas modalidades da presente invenção, as distribuições de tamanho de partícula respectivas dos primeiro e segundo pós ATH são tais que o valor d90 do segundo pó ATH seja inferior ao valor d10 do primeiro pó ATH. Dessa forma, tipicamente apenas 10% das partículas de cada pó se sobrepõem ao outro pó.

[022] Em algumas modalidades da presente invenção, o primeiro ou o segundo pós ATH possuem um tamanho de partícula de média (d50 que é o diâmetro de partícula média por massa) dentro da faixa de 1 a 3 μm, tal como dentro da faixa de 1,3 a 2,3 μm, e/ou um valor dio dentro da faixa de 0,3 a 1 μm, tal como dentro da faixa de 0,6 a 0,9 μm, e/ou um valor d90 dentro da faixa de 2 a 7 μm, tal como dentro da faixa de 2,2 a 5,2 μm, que pode, aqui, ser considerado um pó padrão que pode ser utilizado como o primeiro ou o segundo pó ATH. Preferivelmente, o primeiro ou o segundo pó ATH possui um tamanho médio de partícula (d50) dentro da faixa de 1,3 a 2,3 μm, um valor d10 dentro da faixa de 0,6 a 0,9 μm, e um valor d90 dentro da faixa de 2,2 a 5,2 μm. O valor d10 é o diâmetro no qual 10% da massa da amostra é constituída de partículas com um diâmetro de menos do dito valor. De forma similar, o valor d90 é o diâmetro no qual 90% da massa da amostra é constituída de partículas com um diâmetro inferior ao dito valor.

[023] Em algumas modalidades, por exemplo, se o pó-padrão ou o nano-pó (ver abaixo) for utilizado como o segundo pó possuindo partículas relativamente pequenas, o primeiro pó ATH pode ser um micro-pó possuindo um tamanho de partícula médio (d50) dentro da faixa de 5 a 15 μm, por exemplo, dentro da faixa de 6 a 12 μm, tal como dentro da faixa de 8 a 10 μm, tal como em torno de 9 μm. Tal micro-pó pode, por exemplo, possuir um percentual que atravessa um 325 mech (44 micrômetros) de 99,98% e uma área de superfície BET de 2 m2/g.

[024] Em algumas modalidades, por exemplo, se o pó padrão ou o pó micrométrico for utilizado como o primeiro pó possuindo partículas relativamente grandes, o segundo pó ATH pode ser um nano-pó possuindo um tamanho médio de partícula (d50) dentro da faixa de 5 a 200 nm, por exemplo, dentro da faixa de 10 a 100 nm, ou dentro da faixa de 5 a 20 nm, tal como em torno de 10 nm, ou dentro da faixa de 40 a 60 nm, tal como em torno de 50 nm, ou dentro da faixa de 80 a 120 nm, tal como dentro da faixa de 90 a 110 nm, tal como em torno de 100 nm. Tal nano-pó pode, por exemplo, possuir um percentual que atravessa um 325 mech (44 micrômetros) de 99,99% e uma área de superfície BET de 12 m2/g.

[025] Em algumas modalidades da presente invenção, um ou ambos o primeiro e o segundo pós ATH foram tratados para apresentarem uma superfície hidrofóbica, por exemplo, por meio de um tratamento com silano, de modo que a superfície hidrofóbica seja alcançada por meio do silano.

[026] Em algumas modalidades da presente invenção, o primeiro pó ATH constitui entre 50 e 90% em peso de mistura ATH e onde o segundo pó ATH constitui entre 10 e 50% em peso da dita mistura ATH. O uso maior (em % em peso) de partículas maiores do primeiro pó ATH do que de partículas menores no segundo pó ATH tem sido vantajoso a fim de se obter um teor de alto enchimento abaixo do limite de percolação. Deve-se notar que o número de partículas menores utilizadas a partir do segundo pó ATH ainda pode ser maior do que o número de partículas utilizadas do primeiro pó ATH, visto que as partículas do segundo pó ATH são muito menores e, dessa forma, pesam menos do que as partículas do primeiro pó ATH.

[027] O material SiR preenchido pode, convenientemente, ser utilizado para fabricar isolantes elétricos HV. Em algumas modalidades, tal isolante é configurado para uma tensão dentro da faixa de 0,1 a 10 kV/mm, tal como dentro da faixa de 0,1 a 1 kV/mm.

[028] O isolante pode ser configurado para utilizar um isolante em aplicações HVDC e/ou para encapsular dispositivos eletrônicos de energia, isso é, componentes semicondutores, por exemplo, em um conversor ou sensor. Em algumas modalidades, o isolante está na forma de ou constituído de outra forma em um dispositivo isolante, tal como uma bucha de parede, uma bucha de transformador, uma terminação de cabo, um isolante de suporte, conector de cabo de cabo ou um supressor de oscilação, preferivelmente uma bucha de parede ou uma terminação de cabo, por exemplo, em uma aplicação HVDC, especialmente quando o material SiR preenchido é disposto com uma superfície externa exposta ao ar e umidade ambiente. O dispositivo isolante também pode compreender partes convencionais tal como isolantes de epóxi, corpo de capacitor e/ou fluido de isolamento tal como óleo ou gás. As modalidades do isolante podem ser especialmente úteis em aplicações DC, onde a resistividade variável do isolante possui um efeito mais prejudicial.

[029] A figura 1 ilustra uma modalidade de um isolante 1 formado de uma modalidade do material SiR preenchido 2. O isolante 1 cerca um condutor elétrico 3, por exemplo, de um sistema HVDC ou outro sistema de energia elétrica (por exemplo, instalação elétrica ou rede elétrica), e pode, por exemplo, ser parte de uma bucha de parede, uma bucha de transformador, uma terminação de cabo, um isolante de suporte, conector de cabo de cabo ou um supressor de oscilação, preferivelmente uma bucha de parede ou uma terminação de cabo. O exterior do isolante 1 é exposto ao ar ambiente e à umidade, tornando o mesmo suscetível à absorção de umidade. O isolante 1 é feito de material SiR preenchido 2 da presente descrição a fim de reduzir a absorção de umidade. O material SiR preenchido 2 compreende partículas de pó ATH, aqui ilustradas de forma esquemática por pontos 4, a partir do primeiro e segundo pós, dispersos em SiR 5.

[030] A figura 2 é um fluxograma esquemático ilustrando as modalidades do método da presente invenção. Um primeiro pó ATH é fornecido S1, e um segundo pó ATH é fornecido S2. Os primeiro e segundo pós ATH 4 são, então, dispersos S3 em SiR5 para pelo menos 20% em peso e abaixo do limite de percolação do material SiR preenchido 2 formado assim. As primeira e segunda partículas de pó 4 podem ser misturadas antes da dispersão S3, ou podem ser dispersas separadamente S3 em SiR5. Como discutido aqui, a distribuição de tamanho de partícula dos primeiro e segundo pós ATH 4 dispersos S3 é tal que o valor d90 do segundo pó ATH seja inferior ao valor d10 do primeiro pó ATH.

[031] Dessa forma, o material SiR preenchido 2 pode ser preparado por uma modalidade do método da presente descrição. Em algumas modalidades, o método compreende tratar S4 pelo menos um dentre o primeiro e o segundo pós ATH para obter uma superfície hidrofóbica, antes da dispersão S3 dos primeiro e segundo pós ATH em SiR.

[032] O material SiR preenchido resultante pode, então, ser utilizado para fabricar uma modalidade do isolante da presente descrição, por exemplo, para aplicações HVDC, por exemplo, pela utilização da moldagem por injeção, fundição ou extrusão; possivelmente seguida por reticulação utilizando peróxido ou um catalisador de platina.

[033] As modalidades da presente invenção possuem pelo menos algumas das vantagens da confiabilidade reduzida, devido à complexidade reduzida e previsibilidade aumentada da tensão DC dentro e em torno dos produtos isolados SiR, por exemplo, para aplicações HVDC e projeto otimizado e custo reduzido.

Exemplo

[034] Diferentes tipos de enchimentos ATH 4, com e sem o tratamento de superfície hidrofóbica S4 foram compostos S3 na borracha de silicone 5 e comparados com SiR não preenchido a 25 C e RH diferente variando de 10 a 90%.

[035] A influência da umidade e da temperatura na resistividade foi avaliada e comparada com a borracha de silicone não preenchida. Utilizando-se ATH hidrofóbico com superfície tratada (tratamento com vinil-silano), ambos a adsorção de umidade, bem como o vazamento de contaminação iônica do enchimento foram reduzidos. Isso resultou em uma borracha de silicone com uma resistividade na faixa de 1E12 a 1E14 Ohm-m. Da mesma forma, um grau hidrofílico de baixa resistividade do ATH pode ser utilizado para a fabricação de borracha de silicone com resistividade inferior (1E10 - 1E12 Ohm-m). Esses resultados ilustram como a condutividade da borracha de silicone pode ser influenciada pelo tipo de enchimento ATH utilizado.

[036] A presente descrição foi basicamente descrita acima com referência a algumas modalidades. No entanto, como é rapidamente apreciado pelos versados na técnica, outras modalidades além das descritas acima são igualmente possíveis dentro do escopo da presente descrição, como definido pelas reivindicações em anexo.

Claims

1. Isolante elétrico feito a partir de um material de borracha de silicone preenchido, SiR (2) que compreende de 20 a 50% em peso de tri-hidrato de alumina, ATH, como um enchimento (4) disperso em SiR (5) para abaixo do limite de percolação, onde o ATH é uma mistura de um primeiro pó ATH e um segundo pó ATH, a distribuição de tamanho de partícula dos primeiro e segundo pós ATH (4) sendo tal que o valor d90 do segundo pó ATH seja inferior ao valor d10 do primeiro pó ATH; caracterizado pelo fato de que o segundo pó ATH possui um tamanho médio de partícula d50, dentro d a faixa de 5 a 200 nm, por exemplo, dentro d a faixa de 10 a 100 nm, ou dentro da faixa de 5 a 20 nm, tal como em torno de 10 nm, ou dentro da faixa de 40 a 60 nm, tal como em torno de 50 nm, ou dentro da faixa de 80 a 120 nm, tal como dentro da faixa de 90 a 110 nm, tal como em torno de 100 nm.

2. Isolante, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de o primeiro ou o segundo pó ATH possuírem um tamanho médio de partícula, d50, dentro da faixa de 1 a 3 μm, tal como dentro da faixa de 1,3 a 2,3 μm, e/ou um valor dio dentro da faixa de 0,3 a 1 μm, tal como dentro da faixa de 0,6 a 0,9 μm, e/ou um valor d90 dentro da faixa de 2 a 7 μm, tal como dentro da faixa de 2,2 a 5,2 μm.

3. Isolante, de acordo com a reivindicação 1 ou 2, caracterizado pelo fato de o primeiro pó ATH possuir um tamanho médio de partícula, d50, dentro da faixa de 5 a 15 μm, por exemplo, dentro da faixa de 6 a 12 μm, tal como dentro da faixa de 8 a 10 μm.

4. Isolante, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 3, caracterizado pelo fato de um ou ambos o primeiro e segundo pós ATH terem sido tratados para apresentarem uma superfície hidrofóbica.

5. Isolante, de acordo com a reivindicação 4, caracterizado pelo fato de a superfície hidrofóbica ser criada por meio de silano.

6. Isolante, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 5, caracterizado pelo fato de o material SiR compreender pelo menos 25% em peso, tal como pelo menos 30% em peso de ATH.

7. Isolante, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 6, caracterizado pelo fato de o primeiro pó ATH constituir de 50 a 90% em peso de mistura ATH, e onde o segundo pó ATH constitui de 10 a 50% em peso da dita mistura ATH.

8. Isolante, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 7, caracterizado pelo fato de o isolante (1) ser um isolante elétrico de alta tensão, HV.

9. Isolante, de acordo com a reivindicação 8, caracterizado pelo fato de ser configurado para uma tensão dentro da faixa de 0,1 a 10 kV/mm, tal como dentro da faixa de 0,1 a 1 kV/mm.

10. Isolante, de acordo com a reivindicação 8 ou 9, caracterizado pelo fato de ser configurado para encapsular os dispositivos eletrônicos de energia.

11. Uso do isolante (1) como definido em qualquer uma das reivindicações 8 a 10, caracterizado pelo fato de que ocorre em uma aplicação de corrente direta de alta tensão, HVDC.

12. Uso, de acordo com a reivindicação 11, caracterizado pelo fato de que o isolante (1) é compreendido em uma bucha de parede, uma bucha de transformador, uma terminação de cabo, um isolante de suporte, conector de cabo de cabo ou um para-raios, preferivelmente uma bucha de parede ou uma terminação de cabo.

13. Método para preparar um isolante (1) de um material SiR preenchido (2) como definido em qualquer uma das reivindicações 1 a 10, que compreende as etapas de: fornecer (S1) um primeiro pó ATH; fornecer (S2) um segundo pó ATH; dispersar (S3) os primeiro e segundo pós ATH (4) em SiR (5) para 20 a 50% em peso e abaixo do limite de percolação do material SiR preenchido (2), formado assim; onde a distribuição de tamanho de partícula dos primeiro e segundo pós ATH (4) é tal que o valor d90 do segundo pó ATH é inferior ao valor d10 do primeiro pó ATH. caracterizado pelo fato de que o segundo pó ATH possuir um tamanho médio de partícula d50, dentro d a faixa de 5 a 200 nm, por exemplo, dentro d a faixa de 10 a 100 nm, ou dentro da faixa de 5 a 20 nm, tal como em torno de 10 nm, ou dentro da faixa de 40 a 60 nm, tal como em torno de 50 nm, ou dentro da faixa de 80 a 120 nm, tal como dentro da faixa de 90 a 110 nm, tal como em torno de 100 nm.

14. Método, de acordo com a reivindicação 13, caracterizado pelo fato de que compreende ainda tratar (S4) pelo menos um dos primeiro e segundo pós ATH (2) para obter uma superfície hidrofóbica, antes da dispersão.