KR102107516B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102107516B1 KR1020180066784A KR20180066784A KR102107516B1 KR 102107516 B1 KR102107516 B1 KR 102107516B1 KR 1020180066784 A KR1020180066784 A KR 1020180066784A KR 20180066784 A KR20180066784 A KR 20180066784A KR 102107516 B1 KR102107516 B1 KR 102107516B1
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Abstract

세정 효과가 향상된 기판 처리 장치가 제공된다. 상기 기판 처리 장치는 챔버 내에 설치되고, 기판이 안착되는 지지 부재; 상기 챔버 내에 설치되고, 상기 기판에 약액 증기를 분사하는 약액 분사부; 상기 챔버 내에 설치되고, 상기 기판에 약액을 토출하는 약액 토출부; 및 상기 지지 부재에 설치되어, 상기 기판을 냉각하는 냉각부를 포함하되, 제1 구간 동안 상기 냉각부가 상기 기판을 냉각시키면서 상기 약액 분사부는 상기 기판에 약액 증기를 분사하고, 상기 제1 구간과 일부 오버랩되는 제2 구간 동안 상기 약액 토출부가 상기 기판에 상기 약액을 토출하는 것을 포함한다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for processing substrate}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치(또는 디스플레이 장치)를 제조할 때에는, 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착 등 다양한 공정이 수행된다. 그런데, 기판 표면에 잔류하는 물질, 예를 들어, 파티클, 유기 오염물, 금속 오염물 등은 소자의 특성 및 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 따라서, 반도체 장치를 제조하는 각 공정 전후에서, 기판을 세정하여 기판 표면의 잔류물을 제거한다.
한편, 기판에 형성되어 있는 회로 패턴의 간격이 50nm 이하의 나노 패턴이고 소수성 표면을 갖는 경우에는, 세정액이 회로 패턴 사이로 잘 침투되지 않아 세정 효과가 상당히 떨어진다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 세정 효과를 높일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 챔버 내에 설치되고, 기판이 안착되는 지지 부재; 상기 챔버 내에 설치되고, 상기 기판에 약액 증기를 분사하는 약액 분사부; 상기 챔버 내에 설치되고, 상기 기판에 약액을 토출하는 약액 토출부; 및 상기 지지 부재에 설치되어, 상기 기판을 냉각하는 냉각부를 포함하되, 제1 구간 동안 상기 냉각부가 상기 기판을 냉각시키면서 상기 약액 분사부는 상기 기판에 약액 증기를 분사하고, 상기 제1 구간과 일부 오버랩되는 제2 구간 동안 상기 약액 토출부가 상기 기판에 상기 약액을 토출하는 것을 포함한다.
상기 제2 구간의 적어도 일부동안, 상기 냉각부가 상기 기판을 냉각시킬 수 있다.
상기 제1 구간은 순차적으로 연속되는 제1 부분 구간과 제2 부분 구간을 포함하고, 상기 제1 부분 구간에서 상기 냉각부는 제1 온도의 냉각수를 상기 기판의 후면에 제공하고, 상기 제2 부분 구간에서 상기 냉각부는 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도의 냉각수를 상기 기판의 후면에 제공할 수 있다.
상기 약액 분사부는, 상기 기판보다 10mm 높은 위치에서 상기 약액이 상기 약액의 포화증기량의 80% 이상이 되도록 약액을 분사할 수 있다.
상기 제1 구간의 상기 챔버의 배기압력은, 상기 제2 구간의 상기 챔버의 배기압력보다 작을 수 있다.
상기 챔버 내에, 외부의 공기를 공급하는 팬필터유닛과, 상기 챔버 내의 공기를 강제 배기하는 배기팬을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 구간의 상기 배기팬의 배기속도는, 상기 제1 구간과 오버랩되지 않는 상기 제2 구간의 상기 배기팬의 배기속도보다 느릴 수 있다.
상기 제1 구간의 상기 팬필터유닛의 공급속도는, 상기 제1 구간과 오버랩되지 않는 상기 제2 구간의 상기 팬필터유닛의 공급속도보다 느릴 수 있다.
상기 지지 부재는 상기 기판을 회전시키고, 상기 약액 분사부는 상기 지지 부재 상에 위치하는 원판형 바디를 포함하고, 상기 원판형 바디에는, 상기 원판형 바디를 관통하는 슬릿이 형성되고, 상기 약액 토출부는 상기 원판형 바디의 슬릿을 통해서, 상기 기판에 약액을 토출할 수 있다.
또는, 상기 지지 부재는 상기 기판을 회전시키고, 상기 약액 분사부는 상기 지지 부재 상에 위치하는 부채꼴형 바디를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 약액 분사부는, 원판형 바디 또는 부채꼴형 바디에 설치된 히터를 더 포함할 수 있다.
상기 약액 증기를 분사하기 전에, 상기 기판에는 소수성 표면의 패턴이 형성되어 있고, 상기 소수성 표면의 패턴은 컨택 앵글(contact angle)이 70° 이상일 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 면(aspect)은, 챔버 내에 설치되고, 기판이 안착되는 지지 부재; 상기 챔버 내에 설치되고, 상기 기판에 약액 증기를 분사하는 약액 분사부; 상기 챔버 내에 설치되고, 상기 기판에 약액을 토출하는 약액 토출부; 및 상기 지지 부재에 설치되어, 상기 기판을 냉각하는 냉각부를 포함하되, 제1 구간 동안 상기 약액 분사부는 상기 기판에 약액 증기를 분사하고, 상기 제1 구간과 일부 오버랩되는 제2 구간 동안 상기 약액 토출부가 상기 기판에 상기 약액을 토출하고, 상기 제1 구간 동안 상기 냉각부는 상기 기판의 후면에 냉각수를 제공하여, 상기 기판을 냉각시키고, 상기 제1 구간의 상기 챔버의 배기압력은, 상기 제1 구간과 오버랩되지 않는 상기 제2 구간의 상기 챔버의 배기압력보다 작을 수 있다.
상기 챔버 내에 외부의 공기를 공급하는 팬필터유닛과, 상기 챔버 내의 공기를 강제 배기하는 배기팬을 더 포함하고, 상기 제1 구간동안 상기 배기팬의 배기속도가, 상기 제1 구간과 오버랩되지 않는 상기 제2 구간동안 상기 배기팬의 배기속도보다 느리거나, 상기 제1 구간동안 상기 팬필터유닛의 공급속도는, 상기 제1 구간과 오버랩되지 않는 상기 제2 구간동안 상기 팬필터유닛의 공급속도보다 느릴 수 있다.
상기 지지 부재는 상기 기판을 회전시키고, 상기 약액 분사부는 상기 지지 부재 상에 위치하는 원판형 바디를 포함하고, 상기 원판형 바디에는, 상기 원판형 바디를 관통하는 슬릿이 형성되고, 상기 약액 토출부는 상기 원판형 바디의 슬릿을 통해서, 상기 기판에 약액을 토출할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 약액 분사를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 약액 분사부의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 1에 도시된 약액 분사부의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 1에 도시된 약액 분사부의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 6 내지 도 9는 각각 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 11은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 개념도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치는 지지 부재(11), 약액 분사부(41), 약액 토출부(31), 냉각부(61) 등을 포함한다.
지지 부재(11)는 챔버 내에 설치되고, 기판(W)이 지지 부재(11) 상에 안착된다. 지지 부재(11)는 예를 들어, 기판(W)의 후면 및/또는 측면을 지지하고, 기판(W)을 흡착하여 안정적으로 기판(W)의 수평 자세를 유지시킬 수 있다. 또한, 기판(W)은 회전축(12)을 통해서 구동 장치(13)와 연결된다. 지지 부재(11)는 구동 장치(13) 및 회전축(12)에 의해서, 회전하거나 승강/하강할 수 있다.
처리 용기(21)는 기판(W)를 둘러싸고 상방측이 개구된 형상일 수 있다. 또한, 처리 용기(21)는 몇 겹으로 둘러싸인 용기(22, 23)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 처리 용기(21)는 상부측이 사각형이고 하부측이 원통형인 외측 용기(22)과, 상부측이 내측으로 경사진 통 형상의 내측 용기(23)를 포함할 수 있다. 외측 용기(22)의 하단부에 연결된 승강부(24)에 의해 외측 용기(22)가 승강/하강할 수 있고, 또한 내측 용기(23)는 외측 용기(22)의 하단측 내주면에 형성된 단차부로 밀어 올려져 승강 가능할 수 있다.
지지 부재(11)의 하방측에는 원형판(25)이 설치되어 있다. 원형판(25)의 외측에는 단면이 오목부 형상으로 형성된 액 수용부(26)가 전체 둘레에 걸쳐 설치될 수 있다. 액 수용부(26)의 바닥면에는 드레인 배출구(27)가 형성된다. 기판(W)으로부터 흘러 넘치거나 또는 비산되어 액 수용부(26)에 저류된 약액은 드레인 배출구(27)를 통해 외부로 배출된다. 또한, 원형판(25)의 외측에는 단면이 산 형상인 링 부재(28)가 설치된다.
또한, 약액 분사부(41)는 지지 부재(11) 상에 설치되어, 기판(W)에 약액 증기를 분사한다. 약액 증기 제공부(45)로부터 제공되는 약액 증기는 배관(44)을 따라서 약액 분사부(41)에 전달된다. 배관(44)에는 약액 증기의 양을 조절하기 위한, 밸브나 매스플로우 컨트롤러(MFC, mass flow controller)와 같은 유량 제어부(43)가 설치되어 있다.
약액 증기 제공부(45)는 약액 증기를 다양한 방법으로 생성할 수 있고, 특정 방법에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 약액 증기 제공부(45)는 약액이 저류하는 탱크와, 저류된 약액에 초음파를 인가하여 약액 증기를 생성시키기 위한 진동자를 구비할 수 있다. 생성된 약액 증기는 불활성 기체(예를 들어, N2)와 함께 배관(44)을 따라 이동할 수 있다. 또는, 약액 증기 제공부(45)는 약액을 가열하여 기화시켜, 약액 증기를 생성할 수도 있다.
약액 토출부(31)는 지지 부재(11) 상에 설치되어, 기판(W)에 약액을 토출한다. 약액 제공부(35)로부터 제공되는 약액은 배관(34)을 따라서 약액 토출부(31)에 전달된다. 배관(34)에는 약액의 양을 조절하기 위한 유량 제어부(33)가 설치되어 있다.
여기서, 약액 분사부(41)에서 분사되는 약액 증기와, 약액 토출부(31)에서 토출되는 약액은 동일한 물질일 수 있다. 또한, 기판(W)을 처리하기 위한 약액이면 어떤 것이든 가능하다. 예를 들어, 세정액, 현상액, 식각액 등일 수 있다. 여기에서는, 약액이 세정액(DI, 알칼리성 약액, 산성 약액, 린스액, 건조가스(IPA가 포함된 가스)) 등인 경우를 예로 들어 설명한다.
냉각부(61)는 지지 부재(11)에 설치되어, 기판(W)을 냉각한다. 예를 들어, 냉각부(61)는 기판(W)을 상온(Room Temperature, 약 25℃)보다 5~10℃ 낮게 냉각할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 기판(W)의 후면에 냉각수(cooling water) 또는 불활성 기체(N2)를 제공하여, 기판(W)을 냉각한다. 냉각 소스(65)로부터 제공되는 냉각수 또는 불활성 기체는 배관(64)을 따라서 냉각부(61)에 전달된다. 배관(64)에는 냉각수 또는 불활성 기체의 양을 조절하기 위한 유량 제어부(63)가 설치되어 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치에서, 제1 구간동안 약액 분사부(41)는 기판(W)에 약액 증기를 분사시키고, 제1 구간과 오버랩되는 제2 구간동안 약액 토출부(31)가 기판(W)에 약액을 토출시킨다. 특히, 제1 구간 동안, 냉각부(61)는 기판(W)을 냉각시킨다. 또는, 제1 구간이 시작되기 전에(즉, 약액 증기를 분사하기 전에) 기판(W)을 충분히 냉각시킨 상태에서, 약액 증기가 분사될 수 있다. 약액 증기가 분사되는 제1 구간과 약액이 토출되는 제2 구간이 오버랩됨으로써, 약액 증기에 의해서 기판(즉, 회로 패턴(P)) 상에 생기는 액적의 증발을 방지할 수 있다.
도 2에 도시된 것과 같이, 기판(W) 상에 형성되어 있는 회로 패턴(P)의 간격(A)이 50nm 이하의 나노 패턴일 수 있다. 또한, 회로 패턴(P)의 표면은 소수성 표면을 가질 수 있다. 여기서, 소수성 표면은 컨택 앵글(contact angle)이 70° 이상인 표면을 의미한다. 예를 들어, 회로 패턴(P)은 HF와 같은 식각액으로 패터닝된 것일 수 있다. 기존의 세정 방법을 이용하면, 전술한 회로 패턴(P)에 약액(세정액)이 잘 침투되지 않는다.
그런데, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치에서, 냉각된 기판(W)에 약액 증기(49)를 분사하면, 약액이 회로 패턴(P)에 잘 침투할 수 있다. 회로 패턴(P)에 약액 증기(49)가 접촉하고, 접촉된 약액 증기(49)는 냉각된 회로 패턴(P)의 표면에 응축한다. 약액 증기(49)는 회로 패턴(P)에 얇은 액막으로 흡착(absorption)되면서, 액적이 성장할 수 있다.
충분히 냉각된 기판(W)에 약액 증기(49)를 분사하기 때문에(또는, 기판(W)을 충분히 냉각하면서 약액 증기(49)를 분사하기 때문에), 기판(W) 주위의 약액의 포화증기량(즉, 기판(W) 주위의 공기가 포함할 수 있는 최대약액량)은 상당히 작다. 예를 들어, 약액 분사부(41)는, 챔버 내에서 기판(W)보다 10mm 높은 위치(HP)에서 약액이 약액의 포화증기량의 80% 이상이 되도록 약액을 분사할 수 있다. 약액이 약액의 포화증기량의 80% 이상일 때, 약액은 회로 패턴(P)에 잘 침투할 수 있다. 약액이 약액의 포화증기량의 90% 이상일 경우, 약액은 회로 패턴(P)에 더 잘 침투할 수 있다.
한편, 약액의 포화증기량을 충분히 높게 유지하기 위해서, 약액 증기를 분사하는 제1 구간에서의 챔버의 배기압력은, 약액을 토출하는 제2 구간에서의 챔버의 배기압력보다 작다. 제1 구간에서 챔버의 배기압력이 높으면, 기판(W) 상에 분포하는 약액 증기가 쉽게 배기될 수 있다. 이를 방지하기 위해서, 제1 구간에서 챔버의 배기압력을 낮추어서 약액 증기의 배기 속도를 낮춘다.
본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치에서, 이와 같이 약액(세정액)이 회로 패턴(P)에 잘 침투할 수 있으므로, 세정 효과를 높일 수 있다.
이하에서, 도 3 내지 도 5를 참조하여, 약액 분사부(41)와 약액 토출부(31)의 구체적인 형상에 대해서 설명한다.
도 3은 도 1에 도시된 약액 분사부의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 약액 분사부(41)는 지지 부재(도 1의 11 참조) 상에 위치하는 원판형 바디(41a)를 포함하고, 원판형 바디(41a)에는, 원판형 바디(41a)를 관통하는 슬릿(41c)이 형성된다. 원판형 바디(41a)는 기판(W)의 형상과 유사한 형태일 수 있다. 원판형 바디(41a)의 상측에는 약액 증기를 제공받는 인입구(미도시)가 설치되고, 원판형 바디(41a)의 하측(즉, 지지 부재(11)와 마주보는 측)에는 약액 증기를 배출하기 위한 노즐이 설치된다. 바디(41a)의 형상이 기판(W)과 유사한 원판형인 이유는, 빠른 시간 내에 기판(W)의 상측 분위기를 높은 농도의 약액 분위기로 만들기 위해서이다.
약액 토출부(31)는 아암(32)의 일측에 설치되어 이동(예를 들어, 호(arc) 이동(M1))할 수 있다.
한편, 약액 토출부(31)는 원판형 바디(41a)의 슬릿(41c)을 통해서, 기판(W)에 약액을 토출한다. 전술한 것과 같이, 약액 증기를 분사하는 제1 구간과 약액을 토출하는 제2 구간은 서로 오버랩된다. 즉, 약액 분사부(41)가 약액 증기를 분사하는 것과, 약액 토출부(31)가 약액을 제공하는 것이 동시에 진행될 수 있다. 약액 분사부(41)가 약액 증기를 분사하는 동안, 약액 토출부(31)는 원판형 바디(41a)의 슬릿(41c) 사이로 이동하여(도면부호 M1) 슬릿(41c)을 통해서 기판(W)에 약액을 토출할 수 있다.
또한, 원판형 바디(41a)에는 히터(41b)가 설치되어 있을 수 있다. 히터(41b)는 약액 증기가 원판형 바디(41a) 내에서 액화되는 것을 방지할 수 있다.
도 3에서는 바디(41a)를 원판형으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 바디(41a)가 기판(W) 전체에 약액 증기를 골고루 분사할 수 있도록 바디(41a)가 충분히 크면, 어떤 형상이든 사용될 수 있다.
도 4는 도 1에 도시된 약액 분사부의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 약액 분사부(41)는 지지 부재(도 1의 11 참조) 상에 위치하는 부채꼴형 바디(41d)를 포함한다. 지지 부재(11)가 회전하기 때문에, 부채꼴형 바디(41d)가 지지 부재(11)의 일부 상에만 위치하더라도, 기판(W) 전체에 골고루 약액 증기를 분사할 수 있다. 특히, 부채꼴형 바디(41d) 중에서 지지 부재(11)의 중심에 가까운 영역의 폭(W11)은, 부채꼴형 바디(41d) 중에서 지지 부재(11)의 외곽에 가까운 영역의 폭(W12)보다 좁을 수 있다. 바디(41d)가 이와 같은 형상을 가짐으로써, 기판(W) 전체에 골고루 약액 증기를 분사할 수 있다.
또한, 부채꼴형 바디(41d)는 전방/후방/좌우로 이동할 수 있다(도면부호 M2 참조).
또한, 부채꼴형 바디(41d)에는 히터(41b)가 설치되어 있을 수 있다. 히터(41b)는 약액 증기가 부채꼴형 바디(41d) 내에서 액화되는 것을 방지할 수 있다.
도 5는 도 1에 도시된 약액 분사부의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 약액 분사부(41)는 아암(42)의 일측에 설치되어, 이동(예를 들어, 호 이동(M3))할 수도 있다. 약액 분사부(41)의 바디는 원판형으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 사각형, 부채꼴, 타원형 등 다양한 형상으로 구현될 수 있다. 약액 토출부(31)는 아암(32)의 일측에 설치되어 이동(예를 들어, 호 이동(M1))할 수 있다.
이하에서, 도 6 내지 도 9를 참조하여, 도 1의 기판 처리 장치의 동작을 설명한다. 도 6 내지 도 9는 각각 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 5를 이용하여 설명한 것과 중복되는 것은 생략한다.
도 6을 참조하면, 시간 t1에서 약액 분사부(41)의 약액 분사가 시작되고, 시간 t2에서 약액 토출부(31)의 약액 토출이 시작된다. 시간 t3에서 약액 분사부(41)의 약액 분사가 정지되고, 시간 t4에서 약액 토출부(31)의 약액 토출이 정지된다. 즉, 약액 분사부(41)가 동작하는 제1 구간은 시간 t1에서 시간 t3 사이이고, 약액 토출부(31)가 동작하는 제2 구간은 시간 t2에서 시간 t4 사이이다. 제1 구간과 제2 구간의 오버랩하는 구간은, 시간 t2에서 시간 t3 사이이다. 제1 구간과 오버랩되지 않는 제2 구간은, 시간 t3에서 시간 t4 사이이다.
도 6에서, 냉각부(61)가 냉각하는 구간은 약액 분사부(41)가 약액 분사하는 구간과 동일할 수 있다. 즉, 냉각부(61)는 시간 t1 에서 시간 t3 사이에서 냉각 동작을 수행할 수 있다. 즉, 제2 구간의 적어도 일부동안(시간 t2 에서 시간 t3 사이)도, 냉각부(61)가 기판(W)을 냉각시킬 수 있다.
냉각부(61)는 예를 들어, 일정한 온도로(예를 들어, 상온보다 약 5~10 ℃ 낮게) 기판(W)을 냉각시킬 수 있다(도 6의 case 1 참조).
또는, 냉각부(61)는 예를 들어, 계단식으로 기판(W)을 냉각시킬 수 있다(도 6의 case 2 참조). 예를 들어, 시간 t1 에서 시간 t11 사이에서, 냉각부(61)는 상온보다 약 5℃ 낮게 기판(W)을 냉각하고, 시간 t11 에서 시간 t3 사이에서, 냉각부(61)는 상온보다 약 10℃ 낮게 기판(W)을 냉각할 수 있다. 정리하면, 제1 구간(시간 t1 에서 시간 t3 사이)은 순차적으로 연속되는 제1 부분 구간(시간 t1 에서 시간 t11 사이)과 제2 부분 구간(시간 t11 에서 시간 t3 사이)을 포함한다. 제1 부분 구간에서 냉각부(61)는 제1 온도의 냉각수를 기판(W)의 후면에 제공하고, 제2 부분 구간에서 냉각부(61)는 제1 온도보다 낮은 제2 온도의 냉각수를 기판(W)의 후면에 제공할 수 있다.
또는, 도시하지 않았으나, 냉각부(61)는 일정한 기울기로, 기판(W)을 서서히 냉각시킬 수도 있다.
도 7을 참조하면, 약액 토출부(31)가 약액을 토출할 때, 냉각부(61)는 냉각 동작을 정지할 수 있다. 즉, 냉각부(61)는 시간 t1 에서 시간 t2 사이에서 냉각 동작을 수행할 수 있다. 전술한 것과 같이, 냉각부(61)는 일정한 온도로 또는 계단식으로 기판(W)을 냉각시킬 수 있다.
도 8을 참조하면, 약액 분사부(41)와 약액 토출부(31)가 동작하는 동안, 냉각부(61)는 냉각 동작을 수행할 수 있다. 즉, 냉각부(61)는 시간 t1 에서 시간 t4 사이에서 냉각 동작을 수행할 수 있다. 냉각부(61)는 일정한 온도로 또는 계단식으로 기판(W)을 냉각시킬 수 있다.
도 9를 참조하면, 냉각부(61)는 약액 분사부(41)가 동작을 시작하기 전에 미리 냉각 동작을 시작할 수 있다. 즉, 냉각부(61)는 시간 t1 보다 빠른 시간 t0에서 냉각 동작을 시작할 수 있다. 기판(W)을 미리 냉각시켜서, 약액 분사부(41)에서 분사된 약액 증기가 쉽게 회로 패턴(P)의 표면에 응축되게 한다. 약액 증기는 빠르게 회로 패턴(P)에 얇은 액막으로 흡착(absorption)되면서, 액적이 성장할 수 있다. 냉각부(61)는 일정한 온도로 또는 계단식으로 기판(W)을 냉각시킬 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개념도이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 9를 이용하여 설명한 것과 중복되는 것은 생략한다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치에서, 챔버의 상측에는 팬필터유닛(FFU, Fan Filter Unit)(91)이 설치되고, 챔버의 하측에는 배기팬(92)이 설치될 수 있다.
팬필터유닛(91)은 챔버 내에, 외부의 공기를 공급하고, 배기팬(92)은 챔버 내의 공기를 강제 배기한다.
약액의 포화증기량을 충분히 높게 유지하기 위해서, 약액 증기를 분사하는 제1 구간에서의 챔버의 배기압력은, 약액을 토출하는 제2 구간에서의 챔버의 배기압력보다 작게 한다.
이를 위해서, 제1 구간의 배기팬(92)의 배기속도는, 제1 구간과 오버랩되지 않는 제2 구간의 배기팬(92)의 배기속도보다 느리도록 할 수 있다. 또한, 제1 구간의 팬필터유닛(91)의 외부 공기의 공급속도는, 제1 구간과 오버랩되지 않는 제2 구간의 팬필터유닛(91)의 외부 공기의 공급속도보다 느리다. 즉, 챔버 내에 외부 공기를 느리게 공급하고, 챔버 내부의 공기를 느리게 빼 낸다. 약액 증기를 공급하는 동안에는, 챔버 내의 약액 증기가 쉽게 밖으로 빠지지 않게 한다. 이와 같이 하여 약액의 포화증기량을 충분히 높여, 약액이 회로 패턴(P) 사이로 쉽게 침투하도록 한다.
도 11은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 개념도이다. 도 11은 도 1 내지 도 10을 이용하여 설명한 기판 처리 장치가 적용된 시스템이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(110), 버퍼부(120), 처리부(150) 등을 포함할 수 있다. 인덱스부(110), 버퍼부(120) 그리고 처리부(150)는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(110), 버퍼부(120) 그리고 처리부(150)가 배열된 방향을 제1 방향이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1 방향의 수직인 방향을 제2 방향이라 하며, 제1 방향과 제2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3 방향이라 정의한다.
인덱스부(110)는 기판 처리 시스템(1000)의 제1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(110)는 4개의 로드 포트(112) 및 1개의 인덱스 로봇(113)을 포함한다.
4개의 로드 포트(112)는 제1 방향으로 인덱스부(110)의 전방에 배치된다. 로드 포트(112)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(112)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 로드 포트(112)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(예컨대, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(116)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.
인덱스 로봇(113)은 로드 포트(112)와 이웃하여 제1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(113)은 로드 포트(112)와 버퍼부(120) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(113)은 버퍼부(120)의 상층에 대기하는 기판(W)을 캐리어(116)로 이송하거나, 캐리어(116)에서 대기하는 기판(W)을 버퍼부(120)의 하층으로 이송한다.
버퍼부(120)는 인덱스부(110)와 처리부(150) 사이에 설치된다. 버퍼부(120)는 인덱스 로봇(113)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(W) 또는 메인 이송 로봇(130)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다.
메인 이송 로봇(130)은 이동 통로(140)에 설치되며, 각 기판 처리 장치(1)들 및 버퍼부(120) 간에 기판을 이송한다. 메인 이송 로봇(130)은 버퍼부(120)에서 대기하는 공정에 제공될 기판을 각 기판 처리 장치(1)로 이송하거나, 각 기판 처리 장치(1)에서 공정 처리가 완료된 기판을 버퍼부(120)로 이송한다.
이동 통로(140)는 처리부 내의 제1 방향을 따라 배치되며, 메인 이송 로봇(130)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(140)의 양측에는 기판 처리 장치(1)들이 서로 마주보며 제1 방향을 따라 배치된다. 이동 통로(140)에는 메인 이송 로봇(130)이 제1 방향을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(1)의 상하층, 그리고 버퍼부(120)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다.
기판 처리 장치(1)는 메인 이송 로봇(130)이 설치되는 이동 통로(140)의 양측에 서로 마주하게 배치된다. 기판 처리 시스템(1000)은 상하층으로 된 다수개의 기판 처리 장치(1)를 구비하나, 기판 처리 장치(1)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 기판 처리 장치(1)는 독립적인 하우징으로 구성되며, 이에 각각의 기판 처리 장치 내에서는 독립적인 형태로 기판을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다.
여기서, 기판 처리 장치(1)는 도 1 내지 도 10을 이용하여 설명한 기판 처리 장치가 적용될 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(1)는 챔버 내에 설치되고, 기판이 안착되는 지지 부재(11), 챔버 내에 설치되고 기판(W)에 약액 증기를 분사하는 약액 분사부(41), 챔버 내에 설치되고 기판(W)에 약액을 토출하는 약액 토출부(31), 및 지지 부재(11)에 설치되어 기판(W)을 냉각하는 냉각부(61)를 포함할 수 있다. 제1 구간 동안 냉각부(61)가 기판(W)을 냉각시키면서 약액 분사부(41)는 기판(W)에 약액 증기를 분사한다. 제1 구간과 오버랩되는 제2 구간 동안 약액 토출부(31)가 기판(W)에 약액을 토출한다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
11: 지지 부재 21: 처리 용기
31: 약액 토출부 41: 약액 분사부
61: 냉각부

Claims (15)

  1. 챔버 내에 설치되고, 기판이 안착되는 지지 부재;
    상기 챔버 내에 설치되고, 상기 기판에 약액 증기를 분사하는 약액 분사부;
    상기 챔버 내에 설치되고, 상기 기판에 약액을 토출하는 약액 토출부; 및
    상기 지지 부재에 설치되어, 상기 기판을 냉각하는 냉각부를 포함하되,
    제1 구간 동안 상기 냉각부가 상기 기판을 냉각시키면서 상기 약액 분사부는 상기 기판에 약액 증기를 분사하고, 상기 제1 구간과 일부 오버랩되는 제2 구간 동안 상기 약액 토출부가 상기 기판에 상기 약액을 토출하는 것을 포함하고
    상기 약액 토출부는 상기 약액 분사부와 분리되어, 상기 약액 토출부는 상기 약액 분사부와 별개로 이동 가능한, 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 구간의 적어도 일부동안, 상기 냉각부가 상기 기판을 냉각시키는, 기판 처리 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 구간은 순차적으로 연속되는 제1 부분 구간과 제2 부분 구간을 포함하고,
    상기 제1 부분 구간에서 상기 냉각부는 제1 온도의 냉각수를 상기 기판의 후면에 제공하고, 상기 제2 부분 구간에서 상기 냉각부는 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도의 냉각수를 상기 기판의 후면에 제공하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 약액 분사부는, 상기 기판보다 10mm 높은 위치에서 상기 약액이 상기 약액의 포화증기량의 80% 이상이 되도록 약액을 분사하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 구간의 상기 챔버의 배기압력은, 상기 제2 구간의 상기 챔버의 배기압력보다 작은, 기판 처리 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버 내에, 외부의 공기를 공급하는 팬필터유닛과,
    상기 챔버 내의 공기를 강제 배기하는 배기팬을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제1 구간의 상기 배기팬의 배기속도는, 상기 제1 구간과 오버랩되지 않는 상기 제2 구간의 상기 배기팬의 배기속도보다 느린, 기판 처리 장치.
  8. 제 6항 또는 제 7항에 있어서,
    상기 제1 구간의 상기 팬필터유닛의 공급속도는, 상기 제1 구간과 오버랩되지 않는 상기 제2 구간의 상기 팬필터유닛의 공급속도보다 느린, 기판 처리 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 지지 부재는 상기 기판을 회전시키고,
    상기 약액 분사부는 상기 지지 부재 상에 위치하는 원판형 바디를 포함하고,
    상기 원판형 바디에는, 상기 원판형 바디를 관통하는 슬릿이 형성되고,
    상기 약액 토출부는 상기 원판형 바디의 슬릿을 통해서, 상기 기판에 약액을 토출하는, 기판 처리 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 지지 부재는 상기 기판을 회전시키고,
    상기 약액 분사부는 상기 지지 부재 상에 위치하는 부채꼴형 바디를 포함하는, 기판 처리 장치.
  11. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 약액 분사부는, 원판형 바디 또는 부채꼴형 바디에 설치된 히터를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 약액 증기를 분사하기 전에, 상기 기판에는 소수성 표면의 패턴이 형성되어 있고, 상기 소수성 표면의 패턴은 컨택 앵글(contact angle)이 70° 이상인, 기판 처리 장치.
  13. 챔버 내에 설치되고, 기판이 안착되는 지지 부재;
    상기 챔버 내에 설치되고, 상기 기판에 약액 증기를 분사하는 약액 분사부;
    상기 챔버 내에 설치되고, 상기 기판에 약액을 토출하는 약액 토출부; 및
    상기 지지 부재에 설치되어, 상기 기판을 냉각하는 냉각부를 포함하되,
    제1 구간 동안 상기 약액 분사부는 상기 기판에 약액 증기를 분사하고,
    상기 제1 구간과 일부 오버랩되는 제2 구간 동안 상기 약액 토출부가 상기 기판에 상기 약액을 토출하고,
    상기 제1 구간 동안 상기 냉각부는 상기 기판의 후면에 냉각수를 제공하여, 상기 기판을 냉각시키고,
    상기 제1 구간의 상기 챔버의 배기압력은, 상기 제1 구간과 오버랩되지 않는 상기 제2 구간의 상기 챔버의 배기압력보다 작은, 기판 처리 장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 챔버 내에 외부의 공기를 공급하는 팬필터유닛과, 상기 챔버 내의 공기를 강제 배기하는 배기팬을 더 포함하고,
    상기 제1 구간동안 상기 배기팬의 배기속도가, 상기 제1 구간과 오버랩되지 않는 상기 제2 구간동안 상기 배기팬의 배기속도보다 느리거나,
    상기 제1 구간동안 상기 팬필터유닛의 공급속도는, 상기 제1 구간과 오버랩되지 않는 상기 제2 구간동안 상기 팬필터유닛의 공급속도보다 느린, 기판 처리 장치.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 지지 부재는 상기 기판을 회전시키고,
    상기 약액 분사부는 상기 지지 부재 상에 위치하는 원판형 바디를 포함하고,
    상기 원판형 바디에는, 상기 원판형 바디를 관통하는 슬릿이 형성되고,
    상기 약액 토출부는 상기 원판형 바디의 슬릿을 통해서, 상기 기판에 약액을 토출하는, 기판 처리 장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008194653A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd ２流体洗浄制御方法及び２流体洗浄装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08236497A (ja) * 1995-03-01 1996-09-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの洗浄・乾燥方法およびその装置
KR101853376B1 (ko) * 2011-09-01 2018-04-30 세메스 주식회사 기판 처리 설비

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008194653A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd ２流体洗浄制御方法及び２流体洗浄装置

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