KR102104002B1 - Object processing apparatus and gas controler - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 내부 공간을 가지고, 피처리물을 통과시키는 공정 챔버, 공정 챔버의 일측에 연결되는 공급 챔버, 공정 챔버의 타측에 연결되는 회수 챔버, 공급 챔버와 공정 챔버의 연결부 및 공정 챔버와 회수 챔버의 연결부 중 적어도 하나에 설치되고, 챔버 간 가스의 흐름을 제어하는 가스 제어기를 포함하고, 피처리물을 처리하는 중에 피처리물이 이동하는 경로를 따라 가스가 유출되는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 피처리물 처리 장치가 제시된다.The present invention has an internal space, a process chamber through which a target object passes, a supply chamber connected to one side of the process chamber, a recovery chamber connected to the other side of the process chamber, a connection portion between the supply chamber and the process chamber, and a process chamber and recovery It is installed on at least one of the connection parts of the chamber, and includes a gas controller for controlling the flow of gas between the chambers, and can effectively prevent gas from flowing out along the path of the object during processing. An apparatus for treating an object is provided.

Description

피처리물 처리 장치 및 가스 제어기{OBJECT PROCESSING APPARATUS AND GAS CONTROLER}OBJECT PROCESSING APPARATUS AND GAS CONTROLER}

본 발명은 피처리물 처리 장치 및 가스 제어기에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 피처리물이 이동하는 경로를 따라 가스가 유출되는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 피처리물 처리 장치 및 가스 제어기에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a gas controller for processing an object to be treated, and more particularly, to an apparatus and an apparatus for treating an object that can effectively prevent gas from flowing out along a path through which the object is moved.

디스플레이 장치, 태양 전지 및 반도체 등은 기판상에 박막 적층, 이온 주입 및 열처리 등의 단위 공정을 반복하여 기판상에 원하는 회로의 동작 특성을 가지는 소자를 형성하는 방식으로 제조된다. 이때, 기능의 손실 없이 접거나 구부릴 수 있는 플렉서블 디스플레이 장치, 태양 전지 및 반도체 등의 제조에는 필름형의 기판이 사용된다.Display devices, solar cells and semiconductors are manufactured by repeating unit processes such as thin film lamination, ion implantation, and heat treatment on a substrate to form elements having desired circuit operation characteristics on the substrate. At this time, a film-type substrate is used for manufacturing flexible display devices, solar cells, and semiconductors that can be folded or bent without loss of function.

한편, 제조 원가를 낮추고 공정 효율을 높이기 위해 필름형의 기판은 일반적으로 롤투롤 타입의 각종 설비에서 각각의 단위 공정을 수행한다.On the other hand, in order to lower the manufacturing cost and increase the process efficiency, the film-type substrate generally performs each unit process in various equipment of a roll-to-roll type.

그중 롤투롤 타입의 증착 설비를 이용하여, 필름형의 기판의 박막 적층 공정을 수행할 때, 박막 증착이 수행되는 공정 챔버의 내부와, 기판의 공급이 수행되는 공급 챔버의 내부와, 기판의 회수가 수행되는 회수 챔버의 내부를 필름형의 기판이 계속해서 통과해야 하므로 이들 챔버 사이를 게이트로 차단할 수 없다.Among them, when performing a thin film lamination process of a film-type substrate using a roll-to-roll type deposition facility, the inside of a process chamber in which thin film deposition is performed, the inside of a supply chamber in which supply of the substrate is performed, and the recovery of the substrate Since the film-like substrate must continuously pass through the interior of the recovery chamber in which is performed, the gate between these chambers cannot be blocked.

또한, 이들 챔버의 내부는 모두 소정 크기의 진공으로 유지되나, 실질적으로 압력 차이가 있다. 예컨대 공정 챔버의 내부로 박막 증착을 위한 가스가 샤워 헤드를 통하여 계속 주입되므로, 공정 챔버의 압력이 상대적으로 높다.In addition, all of the interiors of these chambers are maintained in a vacuum of a predetermined size, but there is substantially a pressure difference. For example, since the gas for thin film deposition is continuously injected into the process chamber through the shower head, the pressure in the process chamber is relatively high.

따라서, 상대적으로 압력이 높은 공정 챔버의 내부에서 상대적으로 압력이 낮은 공급 챔버 및 회수 챔버의 내부로 박막 증착용 가스 및 이로부터 기인하는 파티클이 확산될 수 있다. 한편, 공정 챔버로부터의 가스 및 파티클 확산을 방지하기 위해, 공정 챔버의 내부 압력보다 공급 챔버와 회수 챔버의 내부 압력을 높게 제어하면, 공급 챔버와 회수 챔버의 내부에 존재하는 미량의 가스가 공정 챔버로 유입되어 박막의 특성 및 증착률에 영향을 끼친다.Accordingly, the gas for thin film deposition and particles resulting therefrom can be diffused from the inside of the process chamber having a relatively high pressure to the inside of the supply chamber and the recovery chamber having a relatively low pressure. On the other hand, in order to prevent gas and particle diffusion from the process chamber, if the internal pressure of the supply chamber and the recovery chamber is controlled higher than the internal pressure of the process chamber, a small amount of gas existing inside the supply chamber and the recovery chamber causes the process chamber to Flows into and affects the properties and deposition rate of the thin film.

본 발명의 배경이 되는 기술은 하기의 특허문헌에 게재되어 있다.The technology underlying the present invention is published in the following patent documents.

KRKR 10-2014-010059110-2014-0100591 AA KRKR 10-2008-002020210-2008-0020202 AA

본 발명은 피처리물의 이동 경로를 따라 가스가 유출되는 것을 억제 또는 방지할 수 있는 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a treatment device capable of suppressing or preventing the outflow of gas along the movement path of the object to be treated.

본 발명은 피처리물의 이동 경로에 적어도 한겹 이상의 가스 커튼을 형성하여 가스 유출을 방지할 수 있는 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a treatment device capable of preventing gas leakage by forming at least one or more gas curtains in a path of movement of a target object.

본 발명은 가스 차단 효율을 높일 수 있는 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a treatment device capable of increasing gas blocking efficiency.

본 발명은 복수겹의 가스 커튼 사이에 가스 벽을 형성하여 가스 차단 효율을 높일 수 있는 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a processing device capable of increasing gas blocking efficiency by forming a gas wall between a plurality of gas curtains.

본 발명은 가스 커튼의 분사 압력을 줄이지 않으면서 가스 커튼에 의한 기판의 충격을 완화할 수 있는 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a processing apparatus capable of alleviating the impact of a substrate by a gas curtain without reducing the injection pressure of the gas curtain.

본 발명의 실시 형태에 따른 피처리물 처리 장치는, 내부 공간을 가지고, 피처리물을 통과시키는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 일측에 연결되는 공급 챔버; 상기 공정 챔버의 타측에 연결되는 회수 챔버; 상기 공급 챔버와 공정 챔버의 연결부 및 상기 공정 챔버와 회수 챔버의 연결부 중 적어도 하나에 설치되고, 챔버 간 가스의 흐름을 제어하는 가스 제어기;를 포함한다.An apparatus for treating an object according to an embodiment of the present invention includes: a process chamber having an internal space and allowing an object to pass through; A supply chamber connected to one side of the process chamber; A recovery chamber connected to the other side of the process chamber; And a gas controller installed in at least one of the connection part of the supply chamber and the process chamber and the connection part of the process chamber and the recovery chamber, and controlling the flow of gas between the chambers.

상기 가스 제어기는 가스 분사 유닛 및 가스 흡입 유닛 중 적어도 하나를 구비할 수 있다.The gas controller may include at least one of a gas injection unit and a gas suction unit.

상기 연결부들을 통과하여 상기 공급 챔버, 공정 챔버 및 회수 챔버의 내부를 가로지르며 피처리물이 이동하는 경로가 형성되고, 상기 가스 제어기는 복수개 구비되고, 각각의 연결부에서 상기 경로의 상측 및 하측으로 이격되며, 서로 마주보도록 배치될 수 있다.A path through which the object moves through the supply chamber, the process chamber, and the recovery chamber through the connecting portions is formed, and a plurality of gas controllers are provided, and the respective connecting portions are spaced upward and downward from the path. And may be arranged to face each other.

상기 연결부는 상기 공급 챔버, 공정 챔버 및 회수 챔버의 서로 접촉하는 측벽들 및 피처리물을 통과시키도록 상기 측벽들에 형성되는 개구들을 포함하고, 상기 가스 제어기는 상기 측벽들에 설치되거나 상기 개구들에 설치될 수 있다.The connection portion includes sidewalls in contact with each other in the supply chamber, the process chamber, and the recovery chamber, and openings formed in the sidewalls to pass the object to be processed, and the gas controller is installed in the sidewalls or the openings Can be installed on.

상기 연결부는 상기 공급 챔버와 공정 챔버를 연결시키는 제1 연결 챔버 및 상기 공정 챔버와 회수 챔버를 연결시키는 제2 연결 챔버를 포함하고, 상기 제1 연결 챔버 및 제2 연결 챔버에 상기 가스 제어기가 설치될 수 있다.The connection part includes a first connection chamber connecting the supply chamber and the process chamber, and a second connection chamber connecting the process chamber and the recovery chamber, and the gas controller is installed in the first connection chamber and the second connection chamber Can be.

상기 가스 제어기는 가스 분사 유닛 및 가스 흡입 유닛을 구비하고, 상기 가스 분사 유닛 및 가스 흡입 유닛 중 적어도 어느 하나를 복수개 구비할 수 있다.The gas controller may include a gas injection unit and a gas suction unit, and may include a plurality of at least one of the gas injection unit and the gas suction unit.

상기 가스 흡입 유닛은 복수개 구비되고, 피처리물의 이동 방향으로 서로 이격되며, 상기 가스 분사 유닛은 가스 흡입 유닛들 사이에 위치하고, 서로 다른 방향으로 복수겹의 가스 커튼을 형성할 수 있다.A plurality of the gas suction units are provided, spaced apart from each other in the moving direction of the object to be processed, and the gas injection units are positioned between the gas suction units, and may form a plurality of gas curtains in different directions.

상기 가스 제어기는 피처리물이 이동하는 경로의 폭방향으로 연장되고, 상기 경로의 길이방향으로, 상기 가스 제어기의 중심에 상기 경로를 항하여 분사 노즐이 구비되며, 양측 가장자리에 상기 경로를 향하여 흡입 노즐이 구비될 수 있다.The gas controller extends in the width direction of the path through which the object is to be moved, and in the longitudinal direction of the path, an injection nozzle is provided in the center of the gas controller to navigate the path, and suction is directed toward the path at both edges. Nozzles may be provided.

상기 분사 노즐은 홀 형태로 형성되고, 복수개 구비되어 폭방향을 따라 나열되며, 상기 흡입 노즐을 슬릿 형태로 형성되고, 폭방향으로 연장될 수 있다.The injection nozzle is formed in a hole shape, is provided with a plurality of are arranged along the width direction, the suction nozzle is formed in a slit shape, it may be extended in the width direction.

상기 경로에서 이격되고, 상기 경로를 사이에 두고 서로 마주보는 가스 제어기들을 연결시키는 연결블록;을 더 포함할 수 있다.A connection block spaced apart from the path and connecting the gas controllers facing each other with the path interposed therebetween may be further included.

상기 가스 제어기는 상기 연결부를 통과하는 피처리물의 온도를 조절하는 온도 조절 유닛;을 더 포함할 수 있다.The gas controller may further include a temperature control unit that controls the temperature of the object to be passed through the connecting portion.

상기 피처리물은 필름형의 기판이고, 상기 공급 챔버에 롤 형태로 구비되고, 상기 공정 챔버를 통과하여 상기 회수 챔버에 롤 형태로 회수되며, 상기 공정 챔버의 내부에는 상기 기판에 막을 증착할 수 있도록 샤워 헤드가 구비될 수 있다.The object to be treated is a film-shaped substrate, is provided in a roll form in the supply chamber, passes through the process chamber and is recovered in a roll form to the recovery chamber, and a film can be deposited on the substrate inside the process chamber. So that the shower head may be provided.

본 발명의 실시 형태에 따른 가스 제어기는, 피처리물이 이동하는 경로를 향하여 배치되는 하우징; 상기 하우징에 설치되는 가스 분사 유닛; 및 상기 하우징에 설치되는 가스 흡입 유닛;을 포함하고, 상기 경로에 교차하는 적어도 하나 이상의 가스 흐름을 형성하도록 상기 가스 분사 유닛 및 가스 흡입 유닛 중 적어도 하나를 복수개 구비한다.A gas controller according to an embodiment of the present invention includes a housing disposed toward a path through which a target object moves; A gas injection unit installed in the housing; And a gas suction unit installed in the housing, and includes at least one of the gas injection unit and the gas suction unit to form at least one gas flow crossing the path.

상기 가스 흡입 유닛은 복수개 구비되고, 상기 가스 분사 유닛을 사이에 두고 상기 경로의 길이방향으로 이격되며, 상기 가스 분사 유닛과 가스 흡입 유닛들을 이용하여 상기 경로에 적어도 한겹 이상의 가스 커튼을 형성할 수 있다.A plurality of the gas suction units are provided, spaced apart in the longitudinal direction of the path with the gas injection units interposed therebetween, and at least one or more gas curtains can be formed in the path using the gas injection units and the gas suction units. .

상기 가스 분사 유닛은 적어도 일부가 상기 경로의 폭방향으로 연장되고, 상기 경로를 향하는 분사 노즐을 구비하고, 상기 가스 흡입 유닛은 적어도 일부가 상기 경로의 폭방향으로 연장되고, 상기 경로를 향하는 흡입 노즐을 구비할 수 있다.The gas injection unit has at least a portion extending in the width direction of the path, and an injection nozzle facing the path, and the gas suction unit at least partially extending in the width direction of the path, and the suction nozzle facing the path It may be provided.

상기 분사 노즐은 홀 형태로 형성되고, 복수개 구비되어 폭방향을 따라 나열되며, 상기 흡입 노즐을 슬릿 형태로 형성되고, 폭방향으로 연장될 수 있다.The injection nozzle is formed in a hole shape, is provided with a plurality of are arranged along the width direction, the suction nozzle is formed in a slit shape, it may be extended in the width direction.

상기 분사 노즐과 흡입 노즐은 상기 경로에 대하여 서로 다른 높이에 위치할 수 있다.The injection nozzle and the suction nozzle may be located at different heights with respect to the path.

상기 분사 노즐의 폭방향 양측 가장자리 사이의 너비보다 상기 흡입 노즐의 폭방향 양측 가장자리 사이의 너비가 클 수 있다.A width between both edges in the width direction of the suction nozzle may be greater than a width between both edges in the width direction of the spray nozzle.

상기 가스 분사 유닛과 상기 경로 사이에 위치하는 커튼 분할부재;를 더 포함할 수 있다.And a curtain dividing member positioned between the gas injection unit and the path.

상기 커튼 분할부재는 상기 경로의 폭방향으로 연장되고, 횡단면의 형상이 원형이며, 그 표면에서 상기 가스 분사 유닛으로부터 발생하는 가스 흐름을 박리시킬 수 있도록 상기 횡단면의 지름이 형성될 수 있다.The curtain dividing member extends in the width direction of the path, the shape of the cross section is circular, and the diameter of the cross section can be formed to exfoliate the gas flow generated from the gas injection unit on the surface.

본 발명의 실시 형태에 따르면, 피처리물의 이동 경로에 적어도 한겹 이상의 가스 커튼을 형성하여 피처리물이 이동하는 경로를 따라 공정 챔버로부터 가스가 유출되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 상술한 경로에 서로 다른 방향으로 복수겹의 가스 커튼을 형성하고, 이때, 적어도 한 겹의 가스 커튼이 흐르는 방향을 피처리물이 이동하는 방향과 반대 방향으로 하여 가스 차단 효율을 높일 수 있다. 또한, 복수겹의 가스 커튼 사이에 가스 벽을 형성하여 가스 차단 효율을 더 높일 수 있다. 또한, 가스 커튼의 분사 압력을 줄이지 않으면서 가스 커튼에 의한 기판의 충격을 완화할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, at least one or more gas curtains may be formed on a path of movement of a target object to prevent the gas from flowing out of the process chamber along the path of the target object. In particular, a plurality of layers of gas curtains are formed in different directions in the above-described path, and at this time, the gas blocking efficiency can be increased by setting the direction in which the at least one layer of gas curtains flows in a direction opposite to the direction in which the object is moved. . In addition, the gas barrier efficiency can be further increased by forming a gas wall between the plurality of gas curtains. Further, the impact of the substrate by the gas curtain can be alleviated without reducing the injection pressure of the gas curtain.

따라서, 롤투롤 타입의 증착 설비에 적용되면, 공정 챔버의 압력을 상대적으로 높게 하면서도 공정 챔버와 공급 챔버 및 회수 챔버 사이의 가스 확산을 효과적으로 방지할 수 있다. 즉, 챔버 간 원하지 않는 가스의 흐름을 원활하게 차단할 수 있다. 특히, 증착에 참여하는 공정 가스인 막 증착용 가스가 공급 챔버 및 회수 챔버로 유출되어 기판을 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 이에, 공정 챔버에서 증착되는 기판의 박막 품질을 높일 수 있고, 공급 챔버와 회수 챔버의 오염을 방지할 수 있고, 박막의 증착률을 높일 수 있으며, 박막의 특성 변화를 방지할 수 있다.Therefore, when applied to a roll-to-roll type deposition facility, it is possible to effectively prevent gas diffusion between the process chamber, the supply chamber, and the recovery chamber while increasing the pressure in the process chamber. That is, it is possible to smoothly block unwanted gas flow between chambers. In particular, it is possible to prevent the film deposition gas, which is a process gas participating in the deposition, from flowing into the supply chamber and the recovery chamber to contaminate the substrate. Accordingly, the quality of the thin film of the substrate deposited in the process chamber can be improved, contamination of the supply chamber and the recovery chamber can be prevented, the deposition rate of the thin film can be increased, and changes in characteristics of the thin film can be prevented.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 처리 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 처리 장치의 가스 제어기 부분을 확대하여 도시한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제어기의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 제1변형 예에 따른 가스 제어기의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 제2변형 예에 따른 가스 제어기의 개략도이다.
도 6은 본 발명의 제3변형 예에 따른 가스 제어기의 개략도이다.
도 7은 본 발명의 제4변형 예에 따른 가스 제어기 어셈블리의 개략도이다.
도 8은 본 발명의 제2실시 예에 따른 피처리물 처리 장치의 개략도이다.1 is a schematic diagram of an apparatus for treating an object according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged schematic diagram of a gas controller portion of an apparatus for treating an object according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic diagram of a gas controller according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic diagram of a gas controller according to a first modification of the present invention.
5 is a schematic diagram of a gas controller according to a second modification of the present invention.
6 is a schematic diagram of a gas controller according to a third modification of the present invention.
7 is a schematic diagram of a gas controller assembly according to a fourth modification of the present invention.
8 is a schematic diagram of an apparatus for treating an object according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이다. 단지 본 발명의 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 본 발명의 실시 예를 설명하기 위하여 도면은 과장될 수 있고, 도면상의 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, and will be implemented in various different forms. Only the embodiments of the present invention are provided to make the disclosure of the present invention complete, and to fully inform the scope of the invention to those skilled in the art. The drawings may be exaggerated to describe embodiments of the present invention, and the same reference numerals in the drawings refer to the same elements.

본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 처리 장치 및 가스 제어기는 피처리물을 처리하는 중에 피처리물이 이동하는 경로를 따라 공정 챔버로부터 가스가 유출되는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 기술적 특징을 제시한다.The apparatus for treating an object and a gas controller according to an embodiment of the present invention provide technical features that can effectively prevent gas from flowing out of a process chamber along a path in which the object is moved while processing the object. .

본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 처리 장치는, 롤투롤 타입의 막 증착 설비에 적용될 수 있다. 물론, 이 외에도 각종 기판의 다양한 처리 설비들에도 본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 처리 장치가 사용될 수 있다. 이하, 롤투롤 타입의 막 증착 설비를 기준으로 본 발명의 실시 예를 상세하게 설명한다.The apparatus for treating an object according to an embodiment of the present invention may be applied to a roll-to-roll type film deposition facility. Of course, in addition to this, an apparatus for treating an object according to an embodiment of the present invention may be used in various treatment facilities of various substrates. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on a roll-to-roll type film deposition facility.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 처리 장치의 개략도이다. 또한, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 처리 장치의 가스 제어기를 확대하여 도시한 개략도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제어기의 개략도이다.1 is a schematic diagram of an apparatus for treating an object according to an embodiment of the present invention. In addition, FIG. 2 is a schematic diagram showing an enlarged gas controller of an apparatus for treating an object according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a schematic diagram of a gas controller according to an embodiment of the present invention.

여기서, 도 3의 (a)는 가스 제어기의 전체 형상을 도시한 개략도이고, (b)는 가스 제어기의 횡단면 형상을 도시한 단면도이며, 또한, (c)는 가스 제어기의 저면 형상을 도시한 평면도이다.Here, Fig. 3 (a) is a schematic diagram showing the overall shape of the gas controller, (b) is a cross-sectional view showing the cross-sectional shape of the gas controller, and (c) is a plan view showing the bottom shape of the gas controller to be.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 처리 장치 및 가스 제어기를 설명한다.Hereinafter, an apparatus for treating an object and a gas controller according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 처리 장치는 피처리물에 막을 증착하는 피처리물 처리 장치로서, 내부 공간을 가지며, 일측과 타측에서 피처리물을 통과시키는 공정 챔버(110), 공정 챔버(110)의 일측에 연결되는 공급 챔버(210), 및 공정 챔버(110)의 타측에 연결되는 회수 챔버(310)를 포함하고, 공급 챔버(110)와 공정 챔버(210)의 연결부 및 공정 챔버(210)와 회수 챔버(310)의 연결부 중 적어도 하나에 설치되고, 챔버 간 가스의 흐름을 제어하는 가스 제어기(5000)를 포함한다.An apparatus for processing an object according to an embodiment of the present invention is an object processing device for depositing a film on an object, has an internal space, and includes a process chamber 110 and a process chamber for passing the object through one side and the other side It includes a supply chamber 210 connected to one side of the (110), and a recovery chamber 310 connected to the other side of the process chamber 110, the connection portion and the process chamber of the supply chamber 110 and the process chamber 210 It is installed on at least one of the connection portion of the 210 and the recovery chamber 310, and includes a gas controller 5000 for controlling the flow of gas between the chambers.

피처리물은 기판(S)일 수 있고, 특히, 필름형의 기판(S)일 수 있다. 기판(S)은 각종 전자 소자가 제조되는 필름형의 베이스재, 또는, 이들 전자 소자가 제조되는 공정이 진행 중이거나 공정이 종료된 필름형의 기판(S)일 수 있다. 필름형의 기판(S)을 가요성 기판 또는 플렉서블 기판이라고도 한다.The object to be treated may be a substrate S, and in particular, may be a film-shaped substrate S. The substrate S may be a film-like base material on which various electronic devices are manufactured, or a film-like substrate S on which the process in which these electronic devices are manufactured is in progress or the process has ended. The film-shaped substrate S is also called a flexible substrate or a flexible substrate.

한편, 기판(S)은 디스플레이 장치, 태양 전지 및 반도체 등의 제조에 사용되는 다양한 기판일 수도 있다.Meanwhile, the substrate S may be various substrates used for manufacturing display devices, solar cells, and semiconductors.

기판(S)은 공급 챔버(210)내에 설치되는 공급 롤러(220)에 권취되어 롤 형태로 준비될 수 있다. 또한, 기판(S)은 롤투롤 방식으로 공정 챔버(110)에 공급되고, 공정 챔버(110)를 통과하며, 회수 챔버(310)내의 회수 롤러(320)에 권취되며 롤 형태로 회수될 수 있다.The substrate S may be wound on a supply roller 220 installed in the supply chamber 210 to be prepared in a roll form. In addition, the substrate S is supplied to the process chamber 110 in a roll-to-roll manner, passes through the process chamber 110, is wound on a recovery roller 320 in the recovery chamber 310 and can be recovered in a roll form. .

공정 챔버(110)는 기판(S)을 처리하기 위한 내부 공간을 가질 수 있다. 여기서, 이때, 내부 공간은 화학기상증착 방식으로 기판(S)에 박막을 증착하는 공정이 수행될 수 있는 내부 공간을 의미할 수 있다. 공정 챔버(110)는 단면이 사각형인 통 형상일 수 있다. 물론, 공정 챔버(110)는 기판(S)의 형상에 따라 다양한 크기와 형상을 가질 수 있다.The process chamber 110 may have an internal space for processing the substrate S. Here, the internal space may mean an internal space in which a process of depositing a thin film on the substrate S by a chemical vapor deposition method can be performed. The process chamber 110 may have a cylindrical shape having a rectangular cross section. Of course, the process chamber 110 may have various sizes and shapes according to the shape of the substrate S.

공정 챔버(110)는 바닥판과 이의 가장자리를 둘러 설치되는 측벽들을 구비하며, 상부가 개방되는 몸체(111), 몸체(111)의 상부 개구에 부합하는 형상과 면적의 리드(112)를 구비할 수 있다. 몸체(111)와 리드(112)는 서로 탈착 가능하게 결합될 수 있다. 물론, 공정 챔버(110)는 일체형 구조일 수도 있다.The process chamber 110 includes a bottom plate and side walls installed around an edge thereof, and includes a body 111 with an open top and a lead 112 having a shape and area corresponding to the top opening of the body 111. You can. The body 111 and the lead 112 may be detachably coupled to each other. Of course, the process chamber 110 may be of an integral structure.

공정 챔버(110)는 기판(S)을 통과시키도록 일측 및 타측에 각각 개구가 형성될 수 있다. 예컨대 몸체(111)의 측벽들 중 공급 챔버(210)와 접촉하는 일 측벽 및 이에 대향하고, 회수 챔버(310)와 접촉하는 타 측벽에 기판(S)을 통과시키기 위한 개구가 각각 형성될 수 있다.The process chamber 110 may have openings on one side and the other side to pass the substrate S, respectively. For example, openings for passing the substrate S may be formed on one sidewall of the sidewalls of the body 111 that contacts the supply chamber 210 and the other sidewall that opposes it and contact the recovery chamber 310. .

기판(S)은 공정 챔버(110)의 내부에서 막이 증착될 수 있다. 기판(S)이 공정 챔버(110)의 내부를 연속적으로 통과하며, 막의 증착이 연속적으로 이루어질 수 있다. 즉, 기판(S)은 공정 챔버(110)를 통과하며 연속적으로 처리되고, 기판(S)의 처리는 연속 공정으로 이루어질 수 있다. 이를테면 본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 처리 장치가 적용되는 공정은 기판(S)을 이동시키면서 막을 연속하여 증착하는 연속 공정일 수 있고, 피처리물 처리 장치가 적용되는 설비는 연속 공정을 수행하는 롤투롤 타입의 막 증착 설비일 수 있다.A film may be deposited on the substrate S inside the process chamber 110. The substrate S continuously passes through the interior of the process chamber 110, and deposition of the film may be continuously performed. That is, the substrate S passes through the process chamber 110 and is continuously processed, and the substrate S may be processed in a continuous process. For example, the process to which the apparatus to be processed according to an embodiment of the present invention is applied may be a continuous process of continuously depositing a film while moving the substrate S, and the equipment to which the apparatus to be processed is subjected to a continuous process It may be a roll-to-roll type film deposition equipment.

물론, 기판(S)은 공정 챔버(110)의 내부로 공급되면서 이동과 정지를 반복할 수도 있고, 막의 증착이 반복적으로 또는 순차적으로 이루어질 수 있다.Of course, the substrate S may be repeatedly moved and stopped while being supplied to the interior of the process chamber 110, and deposition of the film may be repeatedly or sequentially performed.

공정 챔버(110)는 기판(S)에 막을 증착할 수 있도록, 내부에 샤워 헤드(120)가 구비될 수 있다. 샤워 헤드(120)는 지지축(130)에 지지될 수 있다. 지지축(130)은 공정 챔버(110)를 관통하여 장착될 수 있다. 샤워 헤드(120)는 기판(S)에 막 증착용 가스를 분사할 수 있다. 샤워 헤드(120)는 공정 챔버(110)의 일측 개구 및 타측 개구보다 높은 높이에 형성될 수 있다. 이때, 샤워 헤드(120)는 하면에 막 증착용 가스의 분사홀(121)들이 형성된다. 또는, 샤워 헤드(120)는 공정 챔버(110)의 일측 개구 및 타측 개구보다 낮은 높이에 형성될 수 있다. 이때, 샤워 헤드(120)는 상면에 막 증착용 가스의 분사홀(121)들이 형성될 수 있다.The process chamber 110 may be provided with a shower head 120 therein to deposit a film on the substrate S. The shower head 120 may be supported on the support shaft 130. The support shaft 130 may be mounted through the process chamber 110. The shower head 120 may inject gas for film deposition onto the substrate S. The shower head 120 may be formed at a height higher than one opening and the other opening of the process chamber 110. At this time, the shower head 120 is formed with the injection holes 121 of the film deposition gas on the lower surface. Alternatively, the shower head 120 may be formed at a height lower than one side opening and the other side opening of the process chamber 110. At this time, the shower head 120 may be formed with the injection holes 121 of the gas for film deposition on the upper surface.

공정 챔버(110)는 내부에 히터(미도시)가 구비될 수 있다. 히터는 기판(S)에 원하는 품질의 막을 고르게 증착시킬 수 있도록 기판(S)을 가열할 수 있다. 히터는 샤워 헤드(120)를 향하여 배치될 수 있다. 이때, 샤워 헤드(120)가 공정 챔버(110)의 개구들보다 높은 높이에 있으면, 샤워 헤드(120)의 하측에 히터가 구비될 수 있다. 또는, 샤워 헤드(120)가 공정 챔버(110)의 개구들보다 낮은 높이에 있으면, 샤워 헤드(120)의 상측에 히터가 구비될 수 있다. 히터는 예컨대 롤러 형상이나 판 형상일 수 있다. 히터의 구성 및 열 생성 방식은 특별히 한정할 필요가 없다.The process chamber 110 may be provided with a heater (not shown) therein. The heater may heat the substrate S so as to uniformly deposit a desired quality film on the substrate S. The heater can be arranged towards the shower head 120. At this time, if the shower head 120 is at a height higher than the openings of the process chamber 110, a heater may be provided below the shower head 120. Alternatively, if the shower head 120 is at a height lower than the openings of the process chamber 110, a heater may be provided above the shower head 120. The heater may be, for example, a roller shape or a plate shape. The configuration of the heater and the method for generating heat are not particularly limited.

한편, 샤워 헤드(120) 및 히터의 배치는 상술한 배치 외에도 다양하게 변형될 수 있다.Meanwhile, the arrangement of the shower head 120 and the heater may be variously modified in addition to the arrangement described above.

공급 챔버(210)는 공정 챔버(110)의 일측 개구에 연결된다. 공급 챔버(210)는 내부에 기판(S)이 롤(R1) 형태로 수납될 수 있는 공간을 가질 수 있다. 공급 챔버(210)는 다양한 통 형상일 수 있다.The supply chamber 210 is connected to one side opening of the process chamber 110. The supply chamber 210 may have a space in which the substrate S may be accommodated in the form of a roll R1. The supply chamber 210 may have various cylindrical shapes.

공정 챔버(210)는 상부가 개방된 통 형상의 본체(211), 및 본체(211)의 상부에 탈착 가능하게 장착되어 본체(211)의 내부를 밀폐시키는 리드(212)를 포함할 수 있다. 물론, 공급 챔버(210)는 일체형일 수도 있다.The process chamber 210 may include a cylinder-shaped body 211 with an open top, and a lid 212 detachably mounted on the top of the body 211 to seal the inside of the body 211. Of course, the supply chamber 210 may be integral.

공급 챔버(210)의 내부에 공급 롤러(220)가 설치되고, 공급 롤러(220)에 롤 형태로 기판(S)이 권취되는 방식으로 공급 챔버(210)에 기판(S)이 수납될 수 있다. 공급 챔버(210)에는 적어도 하나의 이송 롤러(230)가 구비될 수 있고, 이송 롤러(230)에 의해 공급 챔버(210)의 내부에 기판(S)의 공급 경로가 형성될 수 있다.The supply roller 220 is installed inside the supply chamber 210, and the substrate S can be accommodated in the supply chamber 210 in a manner in which the substrate S is wound in a roll form on the supply roller 220. . At least one transfer roller 230 may be provided in the supply chamber 210, and a supply path of the substrate S may be formed inside the supply chamber 210 by the transfer roller 230.

공급 챔버(210)의 측벽들 중 공정 챔버(110)에 접촉하는 측벽에는 기판(S)을 통과시킬 수 있는 개구(H2)가 형성될 수 있다. 이때, 공급 챔버(210)의 개구(H2)는 공정 챔버(110)의 일측 개구(H1)와 직접 연통할 수 있다.An opening H2 through which the substrate S may pass may be formed on a sidewall of the sidewalls of the supply chamber 210 that contacts the process chamber 110. In this case, the opening H2 of the supply chamber 210 may directly communicate with one side opening H1 of the process chamber 110.

회수 챔버(310)는 공정 챔버(110)의 타측 개구에 연결된다. 회수 챔버(310)는 내부에 기판(S)이 롤(R2) 형태로 수납될 수 있는 공간을 가질 수 있다. 회수 챔버(310)는 다양한 통 형상일 수 있다.The recovery chamber 310 is connected to the other opening of the process chamber 110. The recovery chamber 310 may have a space in which the substrate S may be accommodated in the form of a roll R2. The recovery chamber 310 may have various cylindrical shapes.

회수 챔버(310)는 상부가 개방된 통 형상의 본체(311), 및 본체(311)의 상부에 탈착 가능하게 장착되어 본체(311)의 내부를 밀폐시키는 리드(312)를 포함할 수 있다. 물론, 회수 챔버(310)는 일체형일 수도 있다.The recovery chamber 310 may include a cylinder-shaped body 311 with an open top, and a lid 312 detachably mounted on the top of the body 311 to seal the inside of the body 311. Of course, the recovery chamber 310 may be integral.

회수 챔버(310)는 내부에 회수 롤러(320)가 설치되고, 회수 롤러(320)에 롤 형태로 기판(S)이 권취되어 회수 챔버(310)에 기판(S)이 수납될 수 있다. 회수 챔버(310)는 내부에 적어도 하나의 롤러(330)가 구비될 수 있다. 롤러(330)에 의해 회수 챔버(310)의 내부에 기판(S)의 회수 경로가 형성될 수 있다.The recovery chamber 310 has a recovery roller 320 installed therein, and the substrate S is wound in a roll form on the recovery roller 320 so that the substrate S may be accommodated in the recovery chamber 310. The recovery chamber 310 may be provided with at least one roller 330 therein. A recovery path of the substrate S may be formed inside the recovery chamber 310 by the roller 330.

회수 챔버(310)는 공정 챔버(110)에 접촉하는 측벽에 기판(S)을 통과시킬 수 있도록 개구가 형성된다. 회수 챔버(310)의 개구는 공정 챔버(110)의 타측 개구와 직접 연통할 수 있다.The recovery chamber 310 is formed with an opening to allow the substrate S to pass through the sidewall contacting the process chamber 110. The opening of the recovery chamber 310 may communicate directly with the other opening of the process chamber 110.

한편, 공정 챔버(110), 공급 챔버(210) 및 회수 챔버(310) 중 적어도 하나에는 진공의 제어를 위한 진공 제어부(400)가 연결된다. 진공 제어부(400)는 진공 펌프(430), 진공 펌프(430)와 공정 챔버(110), 공급 챔버(210) 및 회수 챔버(310) 중 어느 하나를 연결하는 진공 포트(420), 및 진공 포트(420)의 입구측에 설치되는 진공 밸브(410)를 포함할 수 있다. 이때, 진공 제어부(400)는 구성을 특별히 한정할 필요가 없다. 또한, 공정 챔버(110), 공급 챔버(210) 및 회수 챔버(310) 중 적어도 하나에는 배기를 위한 배기 포트(미도시) 및 내부 분위기 제어를 위한 유틸리티 라인(미도시) 등이 더 구비될 수도 있다. 또한 이들 챔버의 내부에는 기판(S)의 두께를 모니터링할 수 있는 각종 센서가 부착될 수 있다. 예컨대 레이저나, 적외선 등을 이용하여 기판의 두께를 측정할 수 있는 비접촉식의 센서나 카메라와 같은 광학 센서가 구비될 수 있다. 센서(미도시)는 기판(S)을 향하여 설치될 수 있다.Meanwhile, a vacuum control unit 400 for controlling the vacuum is connected to at least one of the process chamber 110, the supply chamber 210, and the recovery chamber 310. The vacuum control unit 400 includes a vacuum pump 430, a vacuum port 420 connecting one of the vacuum pump 430 and the process chamber 110, the supply chamber 210 and the recovery chamber 310, and a vacuum port It may include a vacuum valve 410 installed on the inlet side of (420). At this time, the vacuum control unit 400 does not need to specifically limit the configuration. Further, at least one of the process chamber 110, the supply chamber 210, and the recovery chamber 310 may further be provided with an exhaust port (not shown) for exhaust and a utility line (not shown) for controlling the internal atmosphere. have. In addition, various sensors capable of monitoring the thickness of the substrate S may be attached to the interior of these chambers. For example, an optical sensor such as a camera or a non-contact sensor capable of measuring the thickness of the substrate using a laser or infrared rays may be provided. A sensor (not shown) may be installed toward the substrate S.

공정 챔버(110)의 일측 개구와 타측 개구를 통과하여, 공급 챔버(210), 공정 챔버(110) 및 회수 챔버(310)의 내부를 가로지르며, 기판(S)이 이동하는 경로가 형성될 수 있다. 기판(S)은 경로를 따라서 롤투롤 방식으로 공정 챔버(110)에 공급되고, 이때, 개구들이 기판(S)의 통로 역할을 하므로, 개구들은 서로 연통되어야 한다. 또한, 각 챔버에 진공을 효율적으로 형성하기 위하여 각 챔버를 서로 연결하는 개구들이 연통하여 있는 것이 좋다.The passage through the inside of the supply chamber 210, the process chamber 110 and the recovery chamber 310, through one opening and the other opening of the process chamber 110, and a path through which the substrate S moves may be formed. have. The substrate S is supplied to the process chamber 110 in a roll-to-roll manner along the path. At this time, since the openings serve as a passage for the substrate S, the openings must be in communication with each other. Also, in order to efficiently form a vacuum in each chamber, it is preferable that the openings connecting each chamber are in communication.

이에, 기판(S)이 이동하는 경로를 따라, 공정 챔버(110)에서 공급 챔버(210) 및 회수 챔버(310)로 원하지 않는 가스의 흐름이 발생할 수 있다. 예를 들어, 공정 챔버(110)에서 기판(S)을 처리하는 중에, 막 증착용 가스가 개구를 통과하여 공급 챔버(210)나 회수 챔버(310)로 흐르거나, 공급 챔버(210)나 회수 챔버(310)내의 잔여 가스나 이물이 개구를 통과하여 공정 챔버(110)내로 흐를 수 있다. 이를 방지하기 위해, 즉, 챔버 간 가스 흐름을 제어하기 위하여, 가스 제어기(5000)가 공급 챔버(210)와 공정 챔버(110)의 연결부 및 공정 챔버(110)와 회수 챔버(310)의 연결부 중 적어도 하나에 설치될 수 있다.Accordingly, an undesired gas flow may occur from the process chamber 110 to the supply chamber 210 and the recovery chamber 310 along the path in which the substrate S moves. For example, while processing the substrate S in the process chamber 110, the gas for film deposition passes through the opening and flows into the supply chamber 210 or the recovery chamber 310, or the supply chamber 210 or the recovery Residual gas or foreign matter in the chamber 310 may pass through the opening and flow into the process chamber 110. In order to prevent this, that is, to control the gas flow between the chambers, the gas controller 5000 is connected between the supply chamber 210 and the process chamber 110 and the connection between the process chamber 110 and the recovery chamber 310 It can be installed in at least one.

여기서, 연결부는 공급 챔버(210), 공정 챔버(110) 및 회수 챔버(310)의 서로 접촉하는 측벽들 및 기판(S)을 통과시키도록 각 챔버의 서로 접촉하는 측벽들에 형성되는 개구들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 연결부는 공정 챔버(110)에 접하는 공급 챔버(210)의 측벽 및 이에 형성된 개구, 공급 챔버(210)에 접하는 공정 챔버(110)의 일 측벽 및 이에 형성된 일측 개구, 회수 챔버(310)와 접하는 공정 챔버(110)의 타 측벽 및 이에 형성된 타측 개구, 그리고 공정 챔버(110)와 접하는 회수 챔버(310)의 측벽 및 이에 형성된 회수 챔버(310)의 개구를 포함할 수 있다. 이 경우, 기판(S)이 이동하는 경로(이하, "경로"라 함)는 연결부들을 통과하여, 공급 챔버(210), 공정 챔버(110) 및 회수 챔버(310)의 내부를 가로질러 형성될 수 있다.Here, the connection part includes openings formed in the side walls contacting each other of the supply chamber 210, the process chamber 110, and the recovery chamber 310 and the side walls contacting each other to pass the substrate S. can do. For example, the connection portion may include a side wall of the supply chamber 210 contacting the process chamber 110 and an opening formed therein, a side wall of the process chamber 110 contacting the supply chamber 210 and one side opening formed therein, and a recovery chamber 310 ), The other sidewall of the process chamber 110 in contact with the other side opening formed therein, and the sidewall of the recovery chamber 310 contacting the process chamber 110 and the opening of the recovery chamber 310 formed therein. In this case, the path through which the substrate S travels (hereinafter referred to as “path”) will be formed across the interior of the supply chamber 210, the process chamber 110 and the recovery chamber 310 through the connections. You can.

가스 제어기(5000)는 상술한 측벽들에 설치되거나, 상술한 개구들에 설치될 수 있다. 공정 챔버(110)를 기준으로 하면, 가스 제어기(5000)는 공정 챔버(110)의 내부나 외부에 설치되거나, 공정 챔버(110)의 내부와 외부에 모두 설치될 수 있다.The gas controller 5000 may be installed on the side walls described above, or may be installed on the above-described openings. Based on the process chamber 110, the gas controller 5000 may be installed inside or outside the process chamber 110, or may be installed both inside and outside the process chamber 110.

가스 제어기(5000)는 복수개 구비되고, 각각의 연결부에서 경로의 상측 및 하측으로 이격되어, 서로 마주보도록 배치될 수 있다. 경로를 기준으로 하여, 가스 제어기(5000)는 경로의 상하측에 모두 설치될 수 있다.The gas controller 5000 may be provided in plural, and spaced apart from the upper and lower sides of the path at each connection portion, so as to face each other. On the basis of the route, the gas controller 5000 may be installed both above and below the route.

상술한 바에 따르면, 가스 제어기(5000)는 공정 챔버(110)의 일측 개구 부근에 위치하도록 공정 챔버(110) 및 공급 챔버(210) 중 적어도 하나의 챔버 내부에 적어도 하나 이상 설치될 수 있다.According to the above, the gas controller 5000 may be installed in at least one of the chambers of at least one of the process chamber 110 and the supply chamber 210 so as to be located near one opening of the process chamber 110.

또한, 가스 제어기(5000)는 공정 챔버(110)의 타측 개구 부근에 위치하도록 공정 챔버(110) 및 회수 챔버(310) 중 적어도 하나의 챔버 내부에 적어도 하나 이상 설치될 수 있다. 이하, 가스 제어기(5000)의 설치 위치의 일 예시를 설명한다.Further, the gas controller 5000 may be installed in at least one of the chambers of at least one of the process chamber 110 and the recovery chamber 310 to be located near the other opening of the process chamber 110. Hereinafter, an example of the installation position of the gas controller 5000 will be described.

물론, 가스 제어기(5000)는 연결부 부근을 포함하여, 챔버 간 가스 흐름을 제어할 수 있는 다양한 위치에 설치될 수 있다.Of course, the gas controller 5000 may be installed at various locations to control gas flow between chambers, including near the connection.

가스 제어기(5000)들은 공정 챔버(110)의 일측 개구 및 타측 개구 부근에 기판(S)의 이동 경로의 상측 및 하측으로 이격되어 서로 마주보도록 설치될 수 있다. 여기서, "부근"은 가스 제어기(5000)가 경로를 따라 흐르는 가스의 흐름에 충분히 간섭 및 제어할 수 있는 소정 범위의 공간내를 의미한다. The gas controllers 5000 may be installed to be spaced apart from the upper side and the lower side of the movement path of the substrate S near one opening and the other opening of the process chamber 110 to face each other. Here, "nearby" means within a predetermined range of space where the gas controller 5000 can sufficiently interfere and control the flow of gas flowing along the path.

공정 챔버(110)의 일측 개구 부근의 가스 제어기(5000)들은 공정 챔버(110)의 일 측벽에 설치되고, 일측 개구의 상측 및 하측으로 이격되고, 일측 개구의 상부벽 및 하부벽에 접하여 설치되며, 상하방향으로 마주보도록 설치될 수 있다. 즉, 가스 제어기(5000)는 두 개가 한 쌍을 이루어 일 측벽에 설치되며, 기판(S)의 통로 역할을 하는 일측 개구의 상하측에 위치할 수 있다.Gas controllers 5000 in the vicinity of one opening of the process chamber 110 are installed on one side wall of the process chamber 110, spaced upwardly and downwardly on one side of the opening, and in contact with the upper and lower walls of one opening. , It can be installed to face in the vertical direction. That is, the gas controller 5000 is installed on one side wall in a pair of two, it may be located on the upper and lower sides of one opening serving as a passage of the substrate (S).

또는, 가스 제어기(5000)들은 공정 챔버(110)의 일측 개구 부근에 위치하도록 공급 챔버(210)의 내부에 설치될 수 있다. 즉, 공급 챔버(210)의 내부에서 공정 챔버(110)와 접촉하는 공급 챔버(210)의 측벽에 설치되고, 공급 챔버(210)의 개구의 상부벽과 하부벽에 접하며, 서로 상하방향으로 마주볼 수 있다.Alternatively, the gas controllers 5000 may be installed inside the supply chamber 210 to be located near one opening of the process chamber 110. That is, the inside of the supply chamber 210 is installed on the side wall of the supply chamber 210 contacting the process chamber 110, contacting the upper and lower walls of the opening of the supply chamber 210, facing each other in the vertical direction can see.

물론, 가스 제어기(5000)들은 공정 챔버(110)의 일측 개구 부근에서 공정 챔버(110)의 일 측벽에 설치되고, 공정 챔버(110)와 접촉하는 공급 챔버(210)의 측벽에도 설치될 수 있다. 즉, 일측 개구 부근에 두 쌍의 가스 제어기(5000)가 이중 설치될 수 있다.Of course, the gas controllers 5000 are installed on one side wall of the process chamber 110 in the vicinity of one side opening of the process chamber 110 and may be installed on the side wall of the supply chamber 210 contacting the process chamber 110. . That is, two pairs of gas controllers 5000 may be installed near one opening.

또한, 공정 챔버(110)의 타측 개구 부근의 가스 제어기(5000)들은 타측 개구의 상측 및 하측으로 이격되고, 타 측벽에 설치되고, 이때, 타측 개구의 상부벽 및 하부벽에 접하여 설치된다. 즉, 두 개의 가스 제어기(5000)가 한 쌍을 이루어 공정 챔버(110)의 타측 개구 부근에 상하로 이격될 수 있다.In addition, the gas controllers 5000 in the vicinity of the other opening of the process chamber 110 are spaced to the upper and lower sides of the other opening, and are installed on the other sidewall, and in this case, are installed in contact with the upper and lower walls of the other opening. That is, two gas controllers 5000 may be paired to be spaced up and down near the other opening of the process chamber 110.

또는, 가스 제어기(5000)들은 공정 챔버(110)의 타측 개구 부근에 위치하도록 회수 챔버(310)의 내부에 설치될 수도 있다. 즉, 회수 챔버(310)의 내부에서 공정 챔버(110)의 타측 개구 부근에 위치하도록 공정 챔버(110)에 접촉하는 회수 챔버(310)의 측벽에 설치되고, 회수 챔버(310)의 개구의 상하측에 위치할 수 있다.Alternatively, the gas controllers 5000 may be installed inside the recovery chamber 310 to be located near the other opening of the process chamber 110. That is, the inside of the recovery chamber 310 is installed on the sidewall of the recovery chamber 310 contacting the process chamber 110 so as to be located near the other opening of the process chamber 110, the upper and lower of the opening of the recovery chamber 310 Can be located on the side.

또한, 가스 제어기(5000)들은 공정 챔버(110)의 타측 개구 부근에서 공정 챔버(110)의 타 측벽에 서로 마주보고 설치되고, 공정 챔버(110)에 접촉하는 회수 챔버(310)의 측벽에도 서로 마주보고 설치될 수 있다. 즉, 타측 개구 부근에 두 쌍의 가스 제어기(5000)가 이중 설치될 수 있다.In addition, the gas controllers 5000 are installed facing each other on the other side wall of the process chamber 110 in the vicinity of the other side opening of the process chamber 110, and also on the side walls of the recovery chamber 310 contacting the process chamber 110. It can be installed facing each other. That is, two pairs of gas controllers 5000 may be installed in the vicinity of the other opening.

가스 제어기(5000)는 적어도 일부가 경로의 폭방향으로 연장되고, 경로를 향하는 분사 노즐(5110)을 구비하는 가스 분사 유닛 및 적어도 일부가 경로의 폭방향으로 연장되고, 경로를 향하는 흡입 노즐(5120, 5130)을 구비하는 가스 흡입 유닛 중 적어도 하나를 구비할 수 있다. 가스 제어기(5000)는 이들 유닛을 이용하여 다양한 방식으로 챔버 간 가스 흐름을 제어할 수 있다. 예컨대 가스 제어기(5000)는 경로에 적어도 한겹 이상의 가스 커튼(g)을 형성하고, 이를 이용하여 챔버 간 가스의 흐름을 제어할 수 있다.The gas controller 5000 includes a gas injection unit having at least a portion extending in the width direction of the path, an injection nozzle 5110 facing the path, and at least a portion extending in the width direction of the path, and a suction nozzle 5120 facing the path , 5130) may be provided. The gas controller 5000 can control the gas flow between chambers in various ways using these units. For example, the gas controller 5000 may form at least one or more gas curtains g in the path, and control gas flow between the chambers using the gas curtain g.

이때, 가스 제어기(5000)는 가스 분사 유닛 및 가스 흡입 유닛을 모두 구비하고, 이들 유닛 중 적어도 어느 하나를 복수개 구비할 수 있다. 이에, 가스 제어기(5000)는 경로에 복수겹의 가스 커튼(g)을 형성할 수 있다.At this time, the gas controller 5000 may include both a gas injection unit and a gas suction unit, and a plurality of at least one of these units. Accordingly, the gas controller 5000 may form a plurality of gas curtains g in the path.

특히, 가스 제어기(5000)는 가스 흡입 유닛을 복수개 구비할 수 있다. 이때, 가스 흡입 유닛들은 가스 분사 유닛을 사이에 두고 경로의 길이방향으로 서로 이격될 수 있다. 여기서, 경로의 길이방향은 기판(S)이 이동하는 방향과 나란한 방향이다. 즉, 가스 분사 유닛이 가스 흡입 유닛들 사이에 위치할 수 있다. 가스 제어기(5000)는 이들 유닛을 이용하여, 경로에 서로 다른 방향으로 복수겹의 가스 커튼(g)을 형성할 수 있다. 더욱 상세하게는, 가스 제어기(5000)는 복수겹의 가스 커튼(g) 중 어느 하나의 흐름을 기판(S)의 이동 방향으로 형성하고, 또한, 다른 하나의 흐름을 기판(S)의 이동 방향과 반대 방향으로 형성할 수 있다. 이에, 복수겹의 가스 커튼(g) 중 적어도 하나는 항상 기판(S)의 이동 방향과 반대 방향으로 흐름이 형성될 수 있고, 따라서, 기판(S)의 이동에 의해 기판(S)의 상하측에 기판(S)의 이동 방향으로 형성되는 소정의 기류도 원활하게 차단할 수 있다. 여기서, 상술한 가스 커튼(g)은 가스 커튼(g)의 시점부터 종점에 이르는 전체 흐름 중, 가스 커튼(g)이 기판(S)에 접촉하여 전환되는 부분의 흐름을 기준으로 흐름의 방향을 구분한다.In particular, the gas controller 5000 may include a plurality of gas suction units. At this time, the gas suction units may be spaced apart from each other in the longitudinal direction of the path with the gas injection unit interposed therebetween. Here, the longitudinal direction of the path is a direction parallel to the direction in which the substrate S moves. That is, a gas injection unit can be located between the gas intake units. The gas controller 5000 can use these units to form a plurality of gas curtains g in different directions in the path. More specifically, the gas controller 5000 forms a flow of any one of a plurality of gas curtains g in the movement direction of the substrate S, and furthermore, the other flow of the gas curtain 5000 in the movement direction of the substrate S It can be formed in the opposite direction. Accordingly, at least one of the plurality of gas curtains g may always have a flow formed in a direction opposite to the movement direction of the substrate S, and thus, the upper and lower sides of the substrate S by movement of the substrate S The predetermined airflow formed in the moving direction of the substrate S can be smoothly blocked. Here, the above-described gas curtain (g) is the entire flow from the starting point to the end point of the gas curtain (g), the gas curtain (g) is in contact with the substrate (S), the direction of the flow based on the flow of the portion to be switched To distinguish.

예컨대 가스 커튼(g)의 시점에서 그 흐름은 가스 분사 유닛에서 경로를 향하는 방향으로 형성되고, 이후, 경로를 지나는 기판(S)에 의해 흐름의 방향이 경로와 나란하게 전환된 후, 가스 흡입 유닛의 흡입에 의해 경로에서 멀어지면서, 경로에서 가스 흡입 유닛을 향하여 흐름의 방향이 전환된다. 이후, 가스 커튼(g)은 최종적으로 종점에서 가스 흡입 유닛에 흡입된다.For example, at the point of time of the gas curtain g, the flow is formed in a direction toward the path in the gas injection unit, and thereafter, the direction of the flow is switched parallel to the path by the substrate S passing through the path, and then the gas suction unit The direction of the flow is diverted from the path towards the gas intake unit as it moves away from the path by the suction of. Thereafter, the gas curtain g is finally sucked into the gas suction unit at the end point.

복수겹의 가스 커튼(g) 중 적어도 하나는 기판(S)에 의해 그 흐름이 전환될 때, 기판(S)이 이동하는 방향과 반대 방향으로 기판(S)과 나란하게 흐를 수 있다. 이에, 기판(S)의 이동에 의해 기판(S)의 상하측에 기판(S)의 이동 방향으로 형성되는 소정의 기류를 가스 커튼(g)이 원활하게 차단할 수 있다.At least one of the plurality of gas curtains g may flow side by side with the substrate S in a direction opposite to the direction in which the substrate S moves when its flow is switched by the substrate S. Accordingly, the gas curtain g can smoothly block a predetermined air flow formed in the moving direction of the substrate S on the upper and lower sides of the substrate S by the movement of the substrate S.

가스 제어기(5000)는 경로의 폭방향으로 연장될 수 있다. 경로의 길이방향으로, 가스 제어기(5000)의 중심에 경로를 향하여 분사 노즐(5110)이 구비되고, 양측 가장자리에 경로를 향하여 흡입 노즐(5120, 5130)이 구비될 수 있다.The gas controller 5000 may extend in the width direction of the path. In the longitudinal direction of the path, the injection nozzle 5110 may be provided toward the path at the center of the gas controller 5000, and the suction nozzles 5120 and 5130 may be provided at both edges toward the path.

분사 노즐(5110)은 커튼 형성용 가스를 분사할 수 있다. 이때, 가스 커튼(g)의 형성이 용이하도록, 분사 노즐(5110)은 홀 형태로 형성될 수 있고, 복수개 구비되어 폭방향으로 나열될 수 있다. 한편, 커튼 형성용 가스를 퍼지 가스라고도 하며, 질소 또는 다양한 불활성 가스가 사용될 수 있다. 흡입 노즐은 제1흡입 노즐(5120) 및 제2흡입 노즐(5130)을 포함할 수 있다. 흡입 노즐은 슬릿 형태로 형성되고, 폭방향을 따라 연장될 수 있다. 이에, 흡입 노즐을 통한 가스 커튼(g)의 배기가 원활할 수 있다. 분사 노즐(5110)의 폭방향 양측 가장자리 사이의 너비(L1)보다 흡입 노즐의 폭방향 양측 가장자리 사이의 너비(L2)가 클 수 있고, 이에, 흡입 노즐을 통한 가스 커튼(g)의 배기가 더욱 원활할 수 있다.The spray nozzle 5110 may spray gas for forming a curtain. At this time, to facilitate the formation of the gas curtain (g), the injection nozzle 5110 may be formed in a hole shape, and may be provided in a plurality to be arranged in the width direction. Meanwhile, the gas for curtain formation is also referred to as a purge gas, and nitrogen or various inert gases may be used. The suction nozzle may include a first suction nozzle 5120 and a second suction nozzle 5130. The suction nozzle is formed in a slit shape and may extend along the width direction. Accordingly, the exhaust of the gas curtain g through the suction nozzle may be smooth. The width L2 between both edges in the width direction of the suction nozzle may be larger than the width L1 between both edges in the width direction of the injection nozzle 5110, and thus, the exhaust of the gas curtain g through the suction nozzle is more It can be smooth.

상술한 바를 만족하는 범주 내에서 가스 제어기(5000)의 구체적인 구조가 다양하게 형성될 수 있다. 이하에서 가스 제어기(5000)의 구체적인 구조를 예시한다.The specific structure of the gas controller 5000 may be variously formed within a range that satisfies the above. Hereinafter, a specific structure of the gas controller 5000 will be exemplified.

가스 제어기(5000)는, 경로를 향하여 배치되고, 폭방향으로 연장되는 하우징(5100), 하우징(5100)에 설치되고, 경로를 향하여 커튼 형성용 가스를 분사하는 가스 분사 유닛, 하우징(5100)에 설치되고, 경로를 향하여 분사된 후 기판(S)에 접촉하여 방향이 전환된 가스 커튼을 흡입하는 가스 흡입 유닛을 포함할 수 있다.The gas controller 5000 is disposed in the path, and is installed in the housing 5100 and the housing 5100 extending in the width direction, and the gas injection unit and the housing 5100 for injecting gas for curtain formation toward the path. It may be installed, and may include a gas suction unit that inhales toward the path and then inhales the gas curtain whose direction is switched by contacting the substrate S.

여기서, 앞서 설명한 것처럼, 가스 분사 유닛 및 가스 흡입 유닛 중 적어도 하나를 복수개 구비하여, 경로에 교차하는 적어도 하나 이상의 가스 흐름을 형성하고, 이를 이용하여 경로를 따라 흐르는 가스 흐름을 제어할 수 있다.Here, as described above, a plurality of at least one of a gas injection unit and a gas intake unit may be provided to form at least one gas flow crossing the path, and to control the gas flow flowing along the path.

하우징(5100)은 바 형상으로 형성될 수 있고, 기판의 이동 경로를 향하여 배치될 수 있다. 가스 분사 유닛은 복수개의 분사 노즐(5110), 분사 매니폴드(5140), 공급관(5170)을 포함할 수 있다.The housing 5100 may be formed in a bar shape, and may be disposed toward a movement path of the substrate. The gas injection unit may include a plurality of injection nozzles 5110, an injection manifold 5140, and a supply pipe 5170.

분사 매니폴드(5140)는 하우징(5100)의 내부에 설치되며, 경로의 길이방향으로, 하우징(5100)의 중심에 설치되고, 경로의 폭방향으로 연장될 수 있다. 분사 노즐(5110)은 경로를 향하는 하우징(5100)의 일면을 관통하여 설치되고, 분사 매니폴드(5140)에 연결될 수 있다. 공급관(5170)은 하우징(5100)을 관통하여 장착되고, 일단이 분사 매니폴드(5140)에 연결되고, 타단이 커튼 형성용 가스 공급 펌프(미도시)에 연결될 수 있다.The injection manifold 5140 is installed inside the housing 5100, is installed in the center of the housing 5100 in the longitudinal direction of the path, and may extend in the width direction of the path. The injection nozzle 5110 is installed through one surface of the housing 5100 facing the path, and may be connected to the injection manifold 5140. The supply pipe 5170 is mounted through the housing 5100, one end is connected to the injection manifold 5140, and the other end can be connected to a gas supply pump (not shown) for curtain formation.

가스 공급 펌프에 의해 공급관(5170)으로 공급되는 커튼 형성용 가스는 분사 매니폴드(5140)를 통과하고, 각각의 분사 노즐(5110)을 통하여 기판의 이동 경로에 수직 분사되어 폭방향의 가스 커튼(g)을 형성할 수 있다.The gas for forming a curtain supplied to the supply pipe 5170 by the gas supply pump passes through the injection manifold 5140, and is vertically sprayed to the movement path of the substrate through each injection nozzle 5110, and thus the gas curtain in the width direction ( g).

가스 흡입 유닛은 제1 및 제2 가스 흡입 유닛을 포함할 수 있다. 가스 흡입 유닛들은 가스 공급 유닛을 사이에 두고 길이방향으로 이격된다. 제1 가스 흡입 유닛은 제1흡입 노즐(5120), 제1흡입관(5150) 및 제1배기관(5180)을 포함할 수 있다. 제1흡입관(5150)은 하우징(5100)의 내부에 설치되고, 분사 매니폴드(5140)에서 길이방향의 일측으로 이격되고, 폭방향으로 연장될 수 있다. 제1흡입 노즐(5120)은 하우징(5100)의 기판의 이동 경로를 향하는 일면을 관통하여 폭방향으로 연장되고, 제1흡입관(5150)에 연결된다. 제1배기관(5180)은 하우징(5100)을 관통하고, 일단이 제1흡입관(5150)에 연결되고, 타단이 배기 펌프(미도시)에 연결될 수 있다. 배기 펌프는 가스 후처리 설비(미도시)로 연결될 수도 있다.The gas intake unit can include first and second gas intake units. The gas suction units are spaced in the longitudinal direction with the gas supply unit interposed therebetween. The first gas suction unit may include a first suction nozzle 5120, a first suction pipe 5150 and a first exhaust pipe 5180. The first suction pipe 5150 is installed inside the housing 5100, is spaced from one side of the longitudinal direction in the injection manifold 5140, may be extended in the width direction. The first suction nozzle 5120 extends in the width direction through a surface facing the movement path of the substrate of the housing 5100 and is connected to the first suction pipe 5150. The first exhaust pipe 5180 may penetrate the housing 5100, one end may be connected to the first suction pipe 5150, and the other end may be connected to an exhaust pump (not shown). The exhaust pump may be connected to a gas aftertreatment facility (not shown).

제2 가스 흡입 유닛은 제2흡입 노즐(5130), 제2흡입관(5160) 및 제2배기관(5190)을 포함할 수 있다. 제2흡입관(5160)은 하우징(5100)의 내부에 설치되고, 분사 매니폴드(5140)에서 길이방향의 타측으로 이격되며, 폭방향으로 연장될 수 있다. 제2흡입 노즐(5130)은 하우징(5100)의 기판의 이동 경로를 향하는 일면을 관통하여 폭방향으로 연장되고, 제2흡입관(5160)에 연결된다. 제2배기관(5190)은 하우징(5100)을 관통하고, 일단이 제2흡입관(5160)에 연결되고, 타단이 배기 펌프에 연결될 수 있다.The second gas suction unit may include a second suction nozzle 5130, a second suction pipe 5160 and a second exhaust pipe 5190. The second suction pipe 5160 is installed inside the housing 5100, is spaced apart from the injection manifold 5140 to the other side in the longitudinal direction, may be extended in the width direction. The second suction nozzle 5130 extends in the width direction through one surface facing the movement path of the substrate of the housing 5100 and is connected to the second suction pipe 5160. The second exhaust pipe 5190 penetrates the housing 5100, one end of which is connected to the second suction pipe 5160, and the other end of which can be connected to the exhaust pump.

가스 분사 유닛에서 기판의 이동 경로로 분사되는 폭방향의 가스 커튼(g)은 기판의 이동 경로를 지나는 기판에 접촉하여 길이방향으로 방향이 전환된다. 이때, 가스 흡입 유닛이 복수개이고, 가스 분사 유닛을 사이에 두고 양측으로 이격되었기 때문에 가스 커튼은 길이방향의 양측으로 각기 방향이 전환될 수 있다. 즉, 적어도 서로 다른 두 방향으로 가스 커튼이 분기되어, 복수겹 예컨대 적어도 두겹의 가스 커튼이 형성될 수 있다. 이후, 가스 커튼은 각각의 흡입 노즐에 흡입되고, 흡입관에 수집되어 배기관을 통해 배기될 수 있다.The gas curtain g in the width direction, which is injected from the gas injection unit to the movement path of the substrate, contacts the substrate passing through the movement path of the substrate and is switched in the longitudinal direction. At this time, since there are a plurality of gas suction units, and spaced apart on both sides with the gas injection unit interposed therebetween, the gas curtains can be switched to both sides in the longitudinal direction. That is, the gas curtains are branched in at least two different directions, so that a plurality of layers, for example, at least two layers of gas curtains, can be formed. Thereafter, the gas curtain can be sucked into each suction nozzle, collected in the suction pipe, and exhausted through the exhaust pipe.

본 발명의 실시 예에 따른 상술한 가스 제어기(5000)는 아래의 변형 예들을 포함하여 다양하게 변형될 수 있다.The above-described gas controller 5000 according to an embodiment of the present invention can be variously modified, including the following modification examples.

도 4는 본 발명의 제1변형 예에 따른 가스 제어기의 개략도이다. 도 4의 (a)는 가스 제어기의 전체 형상을 도시한 개략도이고, (b)는 가스 제어기의 횡단면 형상을 도시한 단면도이며, (c)는 가스 제어기의 저면 형상을 도시한 평면도이다.4 is a schematic diagram of a gas controller according to a first modification of the present invention. 4 (a) is a schematic view showing the overall shape of the gas controller, (b) is a sectional view showing the cross-sectional shape of the gas controller, and (c) is a plan view showing the bottom shape of the gas controller.

본 발명의 제1 변형 예에 따른 가스 제어기(5000A)는 분사 노즐(5110)과 흡입 노즐(5120, 5130)이 기판의 이동 경로에 대하여 서로 다른 높이에 위치할 수 있다. 상세하게는, 분사 노즐(5110)의 높이(t1)가 흡입 노즐(5120, 5130)의 높이(t2)보다 높을 수 있다. 이 경우, 하우징(5100)의 길이방향의 일면 중심에 폭방향의 오목홈(5101A)이 형성될 수 있고, 분사 노즐(5110)의 기판측 단부는 오목홈(5101A)내에 위치할 수 있다. 또한, 하우징(5100)의 일면의 길이방향의 양측가장자리에 각각 경사면(5102A, 5103A)이 형성될 수 있다. 여기서, 경사면(5102A, 5103A)들은 각각 오목홈(5101A)에서 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 형성될 수 있고, 서로 마주볼 수 있다. 오목홈(5101A)과 경사면(5102A, 5103A)은 가스 커튼의 생성과 배기를 더욱 원활하게 제어할 수 있다. 특히, 오목홈(5101A)에 의해 가스 커튼의 두께를 증가시킬 수 있고, 경사면들에 의해 가스 커튼의 흡입이 원활하면서 가스의 길이방향으로의 이탈을 방지할 수 있다.In the gas controller 5000A according to the first modification of the present invention, the injection nozzles 5110 and the suction nozzles 5120 and 5130 may be positioned at different heights with respect to the movement path of the substrate. In detail, the height t1 of the injection nozzle 5110 may be higher than the height t2 of the suction nozzles 5120 and 5130. In this case, the concave groove 5101A in the width direction may be formed at the center of one surface in the longitudinal direction of the housing 5100, and the substrate-side end of the spray nozzle 5110 may be located in the concave groove 5101A. In addition, inclined surfaces 5102A and 5103A may be formed on both sides of the longitudinal direction of one surface of the housing 5100, respectively. Here, the inclined surfaces 5102A and 5103A may be formed to be inclined downward in a direction away from the concave groove 5101A, and may face each other. The concave groove 5101A and the inclined surfaces 5102A, 5103A can more smoothly control the generation and exhaust of the gas curtain. In particular, the thickness of the gas curtain can be increased by the concave groove 5101A, and suction of the gas curtain is smooth by the inclined surfaces while preventing the gas from escaping in the longitudinal direction.

한편, 분사 노즐(5110)의 높이(t1)가 흡입 노즐(5120, 5130)의 높이(t2)보다 낮을 수도 있다. 이 경우, 오목홈(5101A)이 경로의 길이방향으로, 하우징(5100)의 일면의 양측 가장자리에 형성될 수 있다.Meanwhile, the height t1 of the injection nozzle 5110 may be lower than the height t2 of the suction nozzles 5120 and 5130. In this case, the concave groove 5101A may be formed at both edges of one surface of the housing 5100 in the longitudinal direction of the path.

도 5는 본 발명의 제2변형 예에 따른 가스 제어기의 개략도이다. 도 5의 (a)는 가스 제어기의 전체 형상을 도시한 개략도이고, (b)는 가스 제어기의 횡단면 형상을 도시한 단면도이며, (c)는 가스 제어기의 저면 형상을 도시한 평면도이다.5 is a schematic diagram of a gas controller according to a second modification of the present invention. 5 (a) is a schematic view showing the overall shape of the gas controller, (b) is a sectional view showing the cross-sectional shape of the gas controller, and (c) is a plan view showing the bottom shape of the gas controller.

본 발명의 제2변형 예에 따른 가스 제어기(5000B)는 하우징(5100B)이 내부가 하측으로 개방된 덕트 형상일 수 있다. 이때, 하우징(5100B)도 가스 커튼의 생성과 배기에 간섭할 수 있고, 즉, 하우징은 그 연직 상측 또는 하측으로 가스 커튼을 원활히 모아줄 수 있다. 한편, 이러한 구조에서 분사 노즐(5110)과 흡입 노즐(5120, 5130)의 높이를 원활하게 조절할 수 있다.The gas controller 5000B according to the second modification example of the present invention may have a duct shape in which the housing 5100B is opened downward. At this time, the housing 5100B can also interfere with the production and exhaust of the gas curtain, that is, the housing can smoothly collect the gas curtain to the vertical upper or lower side. Meanwhile, in this structure, the heights of the injection nozzles 5110 and the suction nozzles 5120 and 5130 can be smoothly adjusted.

도 6은 본 발명의 제3변형 예에 따른 가스 제어기의 개략도이다. 도 6의 (a)는 가스 제어기의 전체 형상을 도시한 개략도이고, (b)는 가스 제어기의 횡단면 형상을 도시한 단면도이며, (c)는 가스 제어기의 저면 형상을 도시한 평면도이다.6 is a schematic diagram of a gas controller according to a third modification of the present invention. 6 (a) is a schematic view showing the overall shape of the gas controller, (b) is a sectional view showing the cross-sectional shape of the gas controller, and (c) is a plan view showing the bottom shape of the gas controller.

본 발명의 제3변형 예에 따른 가스 제어기(5000C)는 분사 노즐(5110)에서 기판의 이동 경로측으로 이격된 위치에 형성되는 커튼 분할부재(5200)를 더 구비할 수 있다.The gas controller 5000C according to the third modification example of the present invention may further include a curtain dividing member 5200 formed at a position spaced apart from the injection nozzle 5110 toward the moving path of the substrate.

커튼 분할부재(5200)는, 가스 분사 유닛과 경로 사이에 위치하고, 경로의 폭방향으로 연장되고, 횡단면의 형상이 원형이며, 가스 커튼이 표면에서 박리될 수 있도록 횡단면의 지름이 형성되는 커튼 분할용의 로드(5210) 및 로드(5210)와 하우징(5100)을 연결하는 수직 지지축(5220)을 포함할 수 있다. 로드(5210)의 높이(t3)는 하기의 가스 벽을 원하는 크기로 형성할 수 있는 소정의 높이일 수 있다.The curtain dividing member 5200 is located between the gas injection unit and the path, extends in the width direction of the path, has a circular cross-sectional shape, and divides the curtain to form a diameter of the cross-section so that the gas curtain can be peeled off the surface. It may include a rod 5210 and a vertical support shaft 5220 connecting the rod 5210 and the housing 5100. The height t3 of the rod 5210 may be a predetermined height capable of forming the following gas wall to a desired size.

분사 노즐(5110)의 하측으로 분사되는 가스 커튼은 로드(5210)의 상부에 접촉하여 그 외주면을 타고 흐르다가, 로드(5210)의 하부를 지나면서 외주면에서 박리되어 분할될 수 있다. 이 경우, 로드(5210)의 하측, 즉, 로드(5210)와 경로의 사이에는 난류 또는 와류에 의하여 폭방향의 정체 영역이 형성될 수 있다.The gas curtain injected to the lower side of the injection nozzle 5110 may contact the upper portion of the rod 5210 and flow through the outer circumferential surface, and may be separated and separated from the outer circumferential surface while passing through the lower portion of the rod 5210. In this case, a stagnant region in the width direction may be formed by turbulence or vortex under the rod 5210, that is, between the rod 5210 and the path.

정체 영역은 제1가스 커튼(g1) 및 제2가스 커튼(g2)과 유속이 서로 다르고, 유동도 분리되기 때문에, 가스 커튼과는 별도로 기판상에 가스 벽 예컨대 정체 구간을 더 형성할 수 있다.Since the stagnation region has a different flow rate from the first gas curtain g 1 and the second gas curtain g 2 , and the flow is also separated, a gas wall such as a stagnation section can be further formed on the substrate separately from the gas curtain. have.

따라서, 커튼 분할부재(5200)를 이용하여 복수겹의 가스 커튼 사이에 정체 구간(D3)을 형성할 수 있다. 이 경우, 막 증착용 가스 또는 잔여 가스가 가스 커튼 구간(D1, D2)를 통과하더라도 정체 구간(D3)에 의해 더이상의 이동이 차단될 수 있다. 즉, 가스 커튼의 가스 차단 효율을 높일 수 있다.Therefore, a stagnant section D3 may be formed between a plurality of gas curtains using the curtain dividing member 5200. In this case, even if the gas for film deposition or the residual gas passes through the gas curtain sections D1 and D2, further movement may be blocked by the stagnation section D3. That is, it is possible to increase the gas blocking efficiency of the gas curtain.

한편, 커튼 분할부재(5200)는 그 자체로 기판보다 먼저 가스 커튼에 충돌하므로, 이를 이용하여, 가스 커튼의 분사 압력을 줄이지 않으면서 가스 커튼에 의한 기판의 충격을 완화시킬 수 있다.On the other hand, since the curtain partition member 5200 itself collides against the gas curtain before the substrate, by using this, it is possible to alleviate the impact of the substrate by the gas curtain without reducing the injection pressure of the gas curtain.

도 7은 본 발명의 제4변형 예에 따른 가스 제어기의 개략도이다.7 is a schematic diagram of a gas controller according to a fourth modification of the present invention.

본 발명의 제4변형 예에 따른 피처리물 처리 장치는 연결블록(5300)을 더 포함한다. 연결블록(5300)은 상하방향으로 연장되고, 경로에서 이격되며, 경로를 사이에 두고 서로 마주보는 가스 제어기(5000)들의 폭방향의 일 단부들을 연결하는 제1 연결 블록(5310), 상하방향으로 연장되고, 경로에서 이격되며, 경로를 사이에 두고 상하방향으로 서로 마주보는 가스 제어기(5000)들의 폭방향의 타 단부들을 연결하는 제2 연결 블록(5320)을 포함할 수 있다. 본 발명의 제4변형 예에서는 연결블록(5300)에 의해 가스 제어기(5000)들이 어셈블리의 형태로 구성되어, 설치가 더 원활할 수 있다. 특히, 연결블록(5300)에 의해 경로의 측면도 커버됨에 따라, 커튼 가스(g)가 가스 제어기(5000)의 양단부에서도 균일하게 높은 밀도를 유지할 수 있고, 따라서, 가스 커튼(g)이 기판(S)의 전체를 균일하게 감싸며 형성될 수 있다.The apparatus for processing an object according to the fourth modified example of the present invention further includes a connection block 5300. The connection block 5300 extends in the vertical direction, is spaced apart from the path, and the first connection block 5310, which connects one end of the width direction of the gas controllers 5000 facing each other across the path, in the vertical direction It may be extended, spaced apart from the path, and may include a second connection block 5320 connecting the other ends in the width direction of the gas controllers 5000 facing each other in the vertical direction with the path therebetween. In the fourth modified example of the present invention, the gas controllers 5000 are configured in the form of an assembly by the connection block 5300, so that the installation may be smoother. In particular, as the side surface of the path is also covered by the connection block 5300, the curtain gas g can maintain a uniformly high density even at both ends of the gas controller 5000, so that the gas curtain g is a substrate S ) Can be formed by wrapping the whole uniformly.

본 발명의 제5변형 예에 따른 피처리물 처리 장치의 가스 제어기(5000)는 연결부를 통과하는 기판(S)의 온도를 조절하기 위한 온도 조절 유닛(미도시)을 더 포함할 수 있다.The gas controller 5000 of the apparatus for processing an object according to the fifth modification example of the present invention may further include a temperature control unit (not shown) for adjusting the temperature of the substrate S passing through the connection portion.

온도 조절 유닛은 하우징(5100)에 설치되거나, 하우징(5100)의 외측에 별도로 구비될 수 있다. 온도 조절 유닛은 독립적으로 작동하며 기판(S)의 온도를 조절할 수 있고, 또는, 가스 분사 유닛과 연계하여 기판(S)의 온도를 조절할 수 있다.The temperature control unit may be installed in the housing 5100 or separately provided outside the housing 5100. The temperature control unit operates independently and can control the temperature of the substrate S, or, in conjunction with the gas injection unit, the temperature of the substrate S.

예컨대 온도 조절 유닛은 기판(S)에 직접 접촉하여 기판(S)을 승온 또는 냉각시키거나, 기판(S)에서 이격되고, 기판(S)에 승온 또는 냉각용 가스를 분사하여, 기판(S)의 온도를 조절할 수 있다. 또는, 온도 조절 유닛은 가스 분사 유닛을 통과하는 커튼 형성용 가스의 온도를 조절하는 방식으로, 가스 커튼(g)이 온도 조절의 역할도 수행하도록 하여, 즉, 가스 분사 유닛과 연계하여 기판(S)의 온도를 조절할 수 있다.For example, the temperature control unit directly contacts the substrate S to heat or cool the substrate S, or is spaced apart from the substrate S, and injects a gas for heating or cooling the substrate S, thereby allowing the substrate S to You can adjust the temperature. Alternatively, the temperature control unit is a method of controlling the temperature of the gas for forming the curtain passing through the gas injection unit, so that the gas curtain g also performs the role of temperature control, that is, in connection with the gas injection unit, the substrate S ) Temperature can be adjusted.

온도 조절 유닛은 승온부(미도시) 및 냉각부(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 공급 챔버(210)와 공정 챔버(110)의 사이의 연결부에 설치된 가스 제어기(5000)에는 승온부 및 냉각부 중 적어도 승온부가 설치될 수 있다. 또한, 공정 챔버(110)와 회수 챔버(310)의 사이의 연결부에 설치된 가스 제어기(5000)에는 승온부 및 냉각부 중 적어도 냉각부가 설치될 수 있다.The temperature control unit may include at least one of a heating unit (not shown) and a cooling unit (not shown). The gas controller 5000 installed in the connection portion between the supply chamber 210 and the process chamber 110 may be provided with at least a heating portion of a heating portion and a cooling portion. In addition, at least a cooling part of a heating part and a cooling part may be installed in the gas controller 5000 installed in the connection part between the process chamber 110 and the recovery chamber 310.

승온부는 공정 챔버(110)로 공급되는 기판(S)을 가열하여 기판(S)에 고품위의 박막이 증착될 수 있도록 한다. 냉각부는 막이 증착된 기판(S)이 롤 형태로 회수되기 전에, 기판(S)을 냉각시켜 박막이 단단하게 형성되도록 하여 기판(S)이 회수될 때, 박막에 미세 균열이 발생하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.The heating part heats the substrate S supplied to the process chamber 110 so that a high-quality thin film can be deposited on the substrate S. The cooling unit suppresses the occurrence of micro-cracks in the thin film when the substrate S is recovered by cooling the substrate S so that the thin film is firmly formed before the substrate S on which the film is deposited is recovered in a roll form or Can be prevented.

승온부 및 냉각부는 예컨대 롤러 형태로 형성되어 하우징(5100)의 외측에 설치되고, 각각 기판(S)에 접촉하여 온도를 조절할 수 있다. 또는, 승온부 및 냉각부는 각각 분사 매니폴드(5140) 및 공급관(5170) 중 적어도 하나를 감싸며 형성되고, 각각 가스 분사 유닛을 지나는 커튼 형성용 가스의 온도를 승온 및 냉각시킬 수 있다. 또는, 승온부 및 냉각부는 별도의 승온 가스 및 냉각 가스를 기판(S)에 분사하도록 노즐의 형태로 형성될 수 있다. 물론, 승온부 및 냉각부는 이 외에도 다양한 구성과 방식을 가질 수 있다. 예컨대 펠티에 소자를 이용한 승온 및 냉각 방식이 승온부와 냉각부에 적용될 수 있고, 열선이나 열 전달 파이프 또는 유체 유동 파이프를 이용한 온도 조절 방식이 적용될 수도 있다. 한편, 승온부는 승온용 광을 기판(S)에 조사하도록 형성될 수도 있다.The heating part and the cooling part are formed in the form of rollers, for example, and installed on the outside of the housing 5100, and each of them can be in contact with the substrate S to control the temperature. Alternatively, the heating part and the cooling part may be formed by surrounding at least one of the injection manifold 5140 and the supply pipe 5170, respectively, and heat and cool the temperature of the gas for forming a curtain passing through the gas injection unit, respectively. Alternatively, the heating part and the cooling part may be formed in the form of a nozzle to inject separate heating gas and cooling gas to the substrate S. Of course, the heating part and the cooling part may have various configurations and methods in addition to this. For example, a heating and cooling method using a Peltier element may be applied to the heating and cooling portions, and a temperature control method using a heating wire, a heat transfer pipe, or a fluid flow pipe may also be applied. Meanwhile, the heating unit may be formed to irradiate the substrate S with the light for heating.

도 8은 본 발명의 제2실시 예에 따른 피처리물 처리 장치의 개략도이다. 본 발명의 제2실시 예에서는 피처리물 처리 장치의 구성이 달라질 수 있다.8 is a schematic diagram of an apparatus for treating an object according to a second embodiment of the present invention. In the second embodiment of the present invention, the configuration of the apparatus to be processed may be different.

본 발명의 제2실시 예에 따른 피처리물 처리 장치는 공정 챔버(110)의 일측 개구와 공급 챔버(210) 사이에서, 공정 챔버(110)의 일측 개구와 공급 챔버(210)를 연결시키는 제1 연결 챔버(610), 공정 챔버(110)의 타측 개구와 회수 챔버(310) 사이에서, 공정 챔버(110)의 타측 개구와 회수 챔버(310)를 연결시키는 제2 연결 챔버(710)를 더 포함할 수 있다. 이때, 가스 제어기(5000)는 제1 연결 챔버 및 제2 연결 챔버의 내부에 각각 설치될 수 있다.The apparatus for treating an object according to the second exemplary embodiment of the present invention includes an agent connecting one side opening of the process chamber 110 and the supply chamber 210 between one side opening of the process chamber 110 and the supply chamber 210. 1 between the connection chamber 610 and the other opening of the process chamber 110 and the recovery chamber 310, a second connection chamber 710 connecting the other opening of the process chamber 110 and the recovery chamber 310 is further provided. It can contain. At this time, the gas controller 5000 may be installed inside the first connection chamber and the second connection chamber, respectively.

연결 챔버들에 가스 제어기(5000)가 설치될 때, 가스 제어기(5000)를 중심으로 길이방향의 양측이 가스 커튼에 의해 차단될 수 있도록, 각 연결 챔버들의 리드(612, 712)의 하면에 접촉하여 한 쌍의 가스 제어기(5000) 중 상측의 가스 제어기(5000)들이 설치되고, 각 연결 챔버들의 몸체(611, 711)의 바닥에 접촉하여 나머지 하측의 가스 제어기(5000)들이 설치될 수 있다. 또한, 가스 제어기(5000)들의 폭방향의 너비와 각 연결 챔버들의 내부의 폭방향의 너비가 같을 수 있다. 연결 챔버들의 내부에는 기판의 이동을 보조하기 위한 롤러(미도시)들이 구비될 수 있다.When the gas controller 5000 is installed in the connection chambers, it contacts the lower surface of the leads 612 and 712 of the connection chambers so that both sides of the longitudinal direction of the gas controller 5000 can be blocked by the gas curtain. Thus, the upper gas controllers 5000 of the pair of gas controllers 5000 are installed, and the other lower gas controllers 5000 may be installed in contact with the bottoms of the bodies 611 and 711 of the respective connection chambers. In addition, the width in the width direction of the gas controllers 5000 and the width in the width direction inside the connection chambers may be the same. Rollers (not shown) may be provided inside the connection chambers to assist the movement of the substrate.

본 발명의 제2실시 예의 경우, 롤투롤 방식의 증착 설비에 적용되어 설비의 구성을 신속하게 할 수 있다. 즉, 설비의 공정 챔버와 공급 챔버 및 회수 챔버를 유지하고, 이들 사이에 가스 제어기(5000)를 구비하는 연결 챔버(600, 700)들을 설치하는 방식으로, 설비의 구성을 신속하고 간단하게 할 수 있다.In the case of the second embodiment of the present invention, it can be applied to a roll-to-roll type deposition facility to quickly configure the facility. That is, by maintaining the process chamber and the supply chamber and the recovery chamber of the equipment, and by installing the connection chambers (600, 700) with a gas controller 5000 between them, it is possible to quickly and simply configure the equipment. have.

물론, 제2실시 예의 변형 예에서는 공정 챔버(110)의 일측 개구와 타측 개구에 가스 커튼을 형성할 수 있는 것을 만족하는 다양한 위치에 가스 제어기(5000)가 설치될 수 있다. 즉, 본 발명의 제2실시 예 및 그에 따른 변형 예들의 가스 제어기(5000)는 앞서 설명한 실시 예의 가스 제어기(5000)의 기술적 특징을 동일하게 가지므로, 그 설명을 생략한다.Of course, in the modified example of the second embodiment, the gas controller 5000 may be installed at various positions satisfying that a gas curtain can be formed in one opening and the other opening of the process chamber 110. That is, the gas controller 5000 of the second embodiment of the present invention and modifications according to the present invention have the same technical characteristics of the gas controller 5000 of the above-described embodiment, and thus a description thereof will be omitted.

본 발명의 상기 실시 예는 본 발명의 설명을 위한 것이고, 본 발명의 제한을 위한 것이 아니다. 본 발명의 상기 실시 예들 및 그 변형 예들에 개시된 구성과 방식은 서로 결합하거나 교차하여 다양한 형태로 변형될 것이고, 이 같은 변형 예들도 본 발명의 범주로 볼 수 있음을 주지해야 한다. 즉, 본 발명은 청구범위 및 이와 균등한 기술적 사상의 범위 내에서 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 본 발명이 해당하는 기술 분야에서의 업자는 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.The above embodiments of the present invention are for the purpose of describing the present invention and not for the limitation of the present invention. It should be noted that the above-described embodiments of the present invention and the configurations and methods disclosed in the modified examples may be modified in various forms by combining or crossing each other, and such modified examples can be seen as the scope of the present invention. That is, the present invention will be implemented in a variety of different forms within the scope of the claims and equivalent technical spirit, and various embodiments are possible within the scope of the technical spirit of the present invention. Will be able to understand.

110: 공정 챔버 210: 공급 챔버
310: 회수 챔버 120: 샤워 헤드
5000: 가스 제어기110: process chamber 210: supply chamber
310: recovery chamber 120: shower head
5000: gas controller

Claims (20)

내부 공간을 가지고, 피처리물을 통과시키는 공정 챔버;
상기 공정 챔버의 일측에 연결되는 공급 챔버;
상기 공정 챔버의 타측에 연결되는 회수 챔버;
상기 공급 챔버와 공정 챔버의 연결부 및 상기 공정 챔버와 회수 챔버의 연결부 중 적어도 하나에 설치되고, 챔버 간 가스의 흐름을 제어하는 가스 제어기;를 포함하고,
상기 가스 제어기는, 피처리물의 이동 방향 및 피처리물의 이동 방향의 반대 방향으로 복수겹의 가스 커튼을 형성할 수 있도록, 피처리물의 이동 방향으로 서로 이격된 복수개의 가스 흡입 유닛과, 상기 복수개의 가스 흡입 유닛 사이에 위치하는 가스 분사 유닛을 구비하는 피처리물 처리 장치.A process chamber having an interior space and passing the object to be processed;
A supply chamber connected to one side of the process chamber;
A recovery chamber connected to the other side of the process chamber;
It is installed on at least one of the connection between the supply chamber and the process chamber and the connection between the process chamber and the recovery chamber, and a gas controller for controlling the flow of gas between the chambers.
The gas controller may include a plurality of gas suction units spaced apart from each other in the moving direction of the object to be formed so as to form a plurality of gas curtains in opposite directions of the moving direction of the object and the moving direction of the object, and the plurality of gas suction units. An apparatus for treating an object having a gas injection unit positioned between the gas suction units. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 연결부들을 통과하여 상기 공급 챔버, 공정 챔버 및 회수 챔버의 내부를 가로지르며 피처리물이 이동하는 경로가 형성되고,
상기 가스 제어기는 복수개 구비되고, 각각의 연결부에서 상기 경로의 상측 및 하측으로 이격되며, 서로 마주보도록 배치되는 피처리물 처리 장치.The method according to claim 1,
A path through which the workpiece is moved is formed by passing through the connecting parts and traversing the inside of the supply chamber, the process chamber and the recovery chamber,
The gas controller is provided with a plurality, spaced apart from each connection to the upper and lower sides of the path, and disposed to face each other. 청구항 1에 있어서,
상기 연결부는 상기 공급 챔버, 공정 챔버 및 회수 챔버의 서로 접촉하는 측벽들 및 피처리물을 통과시키도록 상기 측벽들에 형성되는 개구들을 포함하고,
상기 가스 제어기는 상기 측벽들에 설치되거나 상기 개구들에 설치되는 피처리물 처리 장치.The method according to claim 1,
The connection portion includes sidewalls in contact with each other in the supply chamber, the process chamber, and the recovery chamber, and openings formed in the sidewalls to pass through an object to be processed,
The gas controller is an apparatus for treating a workpiece, which is installed on the side walls or installed in the openings. 청구항 1에 있어서,
상기 연결부는 상기 공급 챔버와 공정 챔버를 연결시키는 제1 연결 챔버 및 상기 공정 챔버와 회수 챔버를 연결시키는 제2 연결 챔버를 포함하고, 상기 제1 연결 챔버 및 제2 연결 챔버에 상기 가스 제어기가 설치되는 피처리물 처리 장치.The method according to claim 1,
The connection part includes a first connection chamber connecting the supply chamber and the process chamber, and a second connection chamber connecting the process chamber and the recovery chamber, and the gas controller is installed in the first connection chamber and the second connection chamber Device to be processed. 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 가스 제어기는 피처리물이 이동하는 경로의 폭방향으로 연장되고, 상기 경로의 길이방향으로, 상기 가스 제어기의 중심에 상기 경로를 항하여 상기 가스 분사 유닛의 분사 노즐이 구비되며, 양측 가장자리에 상기 경로를 향하여 상기 가스 흡입 유닛의 흡입 노즐이 구비되는 피처리물 처리 장치.The method according to claim 1,
The gas controller extends in a width direction of a path through which the object is to be processed, and in the longitudinal direction of the path, an injection nozzle of the gas injection unit is provided at the center of the gas controller to navigate the path, and at both edges An apparatus for treating an object to which the suction nozzle of the gas suction unit is provided toward the path. 청구항 8에 있어서,
상기 분사 노즐은 홀 형태로 형성되고, 복수개 구비되어 폭방향을 따라 나열되며, 상기 흡입 노즐을 슬릿 형태로 형성되고, 폭방향으로 연장되는 피처리물 처리 장치.The method according to claim 8,
The injection nozzle is formed in a hole shape, is provided with a plurality of are arranged along the width direction, the suction nozzle is formed in a slit shape, and the apparatus for processing an object extending in the width direction. 청구항 3에 있어서,
상기 경로에서 이격되고, 상기 경로를 사이에 두고 서로 마주보는 가스 제어기들을 연결시키는 연결블록;을 더 포함하는 피처리물 처리 장치.The method according to claim 3,
And a connection block spaced apart from the path and connecting gas controllers facing each other with the path interposed therebetween. 청구항 1에 있어서,
상기 가스 제어기는 상기 연결부를 통과하는 피처리물의 온도를 조절하는 온도 조절 유닛;을 더 포함하는 피처리물 처리 장치.The method according to claim 1,
The gas controller further comprises a temperature control unit that controls the temperature of the object to be passed through the connection part. 청구항 1에 있어서,
상기 피처리물은 필름형의 기판이고, 상기 공급 챔버에 롤 형태로 구비되고, 상기 공정 챔버를 통과하여 상기 회수 챔버에 롤 형태로 회수되며,
상기 공정 챔버의 내부에는 상기 기판에 막을 증착할 수 있도록 샤워 헤드가 구비되는 피처리물 처리 장치.The method according to claim 1,
The object to be processed is a film-shaped substrate, is provided in a roll form in the supply chamber, passes through the process chamber, and is recovered in a roll form to the recovery chamber,
An apparatus to be processed inside the process chamber is provided with a shower head to deposit a film on the substrate. 피처리물이 이동하는 경로를 향하여 배치되는 하우징;
상기 하우징에 설치되는 가스 분사 유닛; 및
상기 하우징에 설치되는 가스 흡입 유닛;을 포함하고,
상기 경로상에서 피처리물의 이동 방향 및 피처리물의 이동 방향의 반대 방향으로 복수의 가스 흐름을 형성할 수 있도록, 상기 가스 흡입 유닛은 복수개 구비되고, 상기 가스 분사 유닛을 사이에 두고 상기 경로의 길이 방향으로 이격되는 가스 제어기.A housing disposed toward a path through which the object to be processed moves;
A gas injection unit installed in the housing; And
It includes; a gas suction unit installed in the housing,
In order to form a plurality of gas flows in a direction opposite to the direction of movement of the object to be processed and the direction of movement of the object to be processed on the path, a plurality of the gas suction units are provided, and the gas injection unit is interposed therebetween, and the longitudinal direction of the path Gas controller spaced apart. 청구항 13에 있어서,
상기 가스 분사 유닛과 가스 흡입 유닛들을 이용하여 상기 경로에 복수겹의 가스 커튼을 형성하는 가스 제어기.The method according to claim 13,
A gas controller that forms a plurality of gas curtains in the path using the gas injection unit and the gas suction units. 청구항 13에 있어서,
상기 가스 분사 유닛은 적어도 일부가 상기 경로의 폭방향으로 연장되고, 상기 경로를 향하는 분사 노즐을 구비하고,
상기 가스 흡입 유닛은 적어도 일부가 상기 경로의 폭방향으로 연장되고, 상기 경로를 향하는 흡입 노즐을 구비하는 가스 제어기.The method according to claim 13,
The gas injection unit at least partially extends in the width direction of the path, and includes an injection nozzle facing the path,
The gas suction unit is at least a portion of the gas controller extending in the width direction of the path, and having a suction nozzle toward the path. 청구항 15에 있어서,
상기 분사 노즐은 홀 형태로 형성되고, 복수개 구비되어 폭방향을 따라 나열되며, 상기 흡입 노즐을 슬릿 형태로 형성되고, 폭방향으로 연장되는 가스 제어기.The method according to claim 15,
The injection nozzle is formed in a hole shape, is provided with a plurality of arranged along the width direction, the suction nozzle is formed in a slit shape, the gas controller extending in the width direction. 청구항 15에 있어서,
상기 분사 노즐과 흡입 노즐은 상기 경로에 대하여 서로 다른 높이에 위치하는 가스 제어기.The method according to claim 15,
The injection nozzle and the suction nozzle are gas controllers located at different heights with respect to the path. 청구항 15에 있어서,
상기 분사 노즐의 폭방향 양측 가장자리 사이의 너비보다 상기 흡입 노즐의 폭방향 양측 가장자리 사이의 너비가 큰 가스 제어기.The method according to claim 15,
A gas controller having a larger width between both edges in the width direction of the suction nozzle than a width between both edges in the width direction of the spray nozzle. 청구항 13에 있어서,
상기 가스 분사 유닛과 상기 경로 사이에 위치하는 커튼 분할부재;를 더 포함하는 가스 제어기.The method according to claim 13,
A gas controller further comprising; a curtain dividing member positioned between the gas injection unit and the path. 청구항 19에 있어서,
상기 커튼 분할부재는 상기 경로의 폭방향으로 연장되고, 횡단면의 형상이 원형이며, 그 표면에서 상기 가스 분사 유닛으로부터 발생하는 가스 흐름을 박리시킬 수 있도록 상기 횡단면의 지름이 형성되는 가스 제어기.The method according to claim 19,
The curtain dividing member extends in the width direction of the path, the shape of the cross section is circular, and the gas controller is formed with a diameter of the cross section so as to exfoliate the gas flow generated from the gas injection unit from the surface.
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