KR102096511B1 - 2종 이상의 염료를 포함하는 점착 조성물, 점착 시트, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가시광선 영역의 광에 대한 투과율 및 점착성은 저해하지 않으면서 자외선 영역의 광을 효과적으로 차단하는 점착 시트와, 바인더 수지 및 바인더 수지에 분산된 광흡수 염료를 포함하는 점착 조성물을 개시하며, 410 nm 이하 파장 영역의 광을 효과적으로 차단할 수 있으며, 다양한 종류의 디스플레이 장치에 적용 가능하다.

Description

2종 이상의 염료를 포함하는 점착 조성물, 점착 시트, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치{PRESSURE SENSITIVE ADHESIVE COMPOSITION COMPRISING AT LEAST TWO TYPES OF DYES, PRESSURE SENSITIVE ADHESIVE SHEET, AND DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 자외선 차단 기능이 우수한 점착 시트, 점착 조성물 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근 디스플레이 소자로 평판표시장치(Flat Panel Display)가 각광받고 있다. 이러한 평판표시장치에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel) 및 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Device) 등과 같은 디스플레이 장치가 있다.
그 중에서 유기 발광 표시 장치는 시야각이 넓고, 빠른 응답속도를 가지고 있어, 고화질의 디스플레이 구현이 가능하다. 특히, 마이크로캐비티(microcavity) 구조를 가지는 유기 발광 표시 장치는 상하 전극 사이의 광의 공진 효과를 이용하여 출력 효율을 높일 수 있고, 광의 색순도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판상에 형성된 투광성의 제 1 전극, 제 1 전극 상에 형성된 유기물 레이어 및 유기물 레이어 상에 형성되며 반사율이 높은 제 2 전극을 포함한다. 통상적으로 기판은 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 사용한다. 그리고 유기물층으로는 정공 주입층, 정공 수송층, 광 생성층, 정공 저지층 및 전자 수송층을 포함한다. 즉 제 1 전극과 제2 전극 사이에 복수의 유기물층이 적층됨에 따라, 다층 구조의 유기 발광 표시 장치가 제작된다.
그러나, 이러한 디스플레이 장치들은 자외선 영역의 광을 효과적으로 차단하지 못하는 문제가 있고, 이는 해당 장치의 시인성을 저하시키며, 특히 태양광이 조사되는 야외 사용 환경에서 장치의 내구성을 떨어뜨리는 원인으로 작용한다.
미국 공개특허 제2015-0197670호
본 발명의 목적은 가시광선 영역의 광에 대한 투과율 및 점착성은 저해하지 않으면서 자외선 영역의 광을 효과적으로 차단하는 점착 시트와 점착 조성물을 제공하고자 한다.
본 발명의 다른 목적은 상기 점착 시트 또는 점착 조성물을 포함하는 디스플레이 장치를 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 목적을 해결하기 위하여,
본 발명은 일실시예에서,
점착성 바인더 수지 내에 제1 및 제2 광흡수 염료가 분산된 구조이며,
점착성 바인더 수지 100 중량부 기준으로, 제1 및 제2 광흡수 염료의 합산 함량은 90 중량부 이하이며,
상기 제1 광흡수 염료는 하기 화학식 1로 표시되고, 상기 제2 광흡수 염료는 하기 화학식 2로 표시되는 점착 시트를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112017131014754-pat00001
화학식 1에서,
A1, A2 및 A3는 각각 독립적으로, 페닐기 또는 화학식 1-a이고,
A1, A2 및 A3 중 어느 하나 이상은 하기 화학식 1-a이며,
[화학식 1-a]
Figure 112017131014754-pat00002
화학식 1-a에서,
B1 내지 B5는 각각 독립적으로, 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기 또는 화학식 1-b이고,
[화학식 1-b]
Figure 112017131014754-pat00003
화학식 1-b에서,
R1은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌이고, R2는 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 16의 알콕시기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬아민기이며,
상기 화학식 1의 A1, A2 및 A3의 하나 이상의 수소는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시카르보닐기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나로 치환되거나 비치환되고,
[화학식 2]
Figure 112017131014754-pat00004
화학식 2에서,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 시아노기 또는 하기 화학식 2-a로 나타내며,
[화학식 2-a]
Figure 112017131014754-pat00005
화학식 2-a에서,
a1 내지 a5는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기이고,
R4는 수소, 시아노기 또는 하기 화학식 2-b이며,
[화학식 2-b]
Figure 112017131014754-pat00006
화학식 2-b에서,
a6는 수소 또는 탄소수 1 내지 18의 알킬기이고,
상기 화학식 2의 R1 내지 R4의 하나 이상의 수소는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시카르보닐기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나로 치환되거나 비치환된다.
또 다른 일실시예에서, 본 발명은,
바인더 수지; 및
상기 바인더 수지에 분산된 제1 및 제2 광흡수 염료 중 적어도 하나이상을 포함하며,
상기 제1 광흡수 염료는 하기 화학식 1로 표시되고, 상기 제2 광흡수 염료는 하기 화학식 2로 표시되는 점착 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112017131014754-pat00007
화학식 1에서,
A1, A2 및 A3는 각각 독립적으로, 페닐기 또는 화학식 1-a이고,
A1, A2 및 A3 중 어느 하나 이상은 하기 화학식 1-a이며,
[화학식 1-a]
Figure 112017131014754-pat00008
화학식 1-a에서,
B1 내지 B5는 각각 독립적으로, 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기 또는 화학식 1-b이고,
[화학식 1-b]
Figure 112017131014754-pat00009
화학식 1-b에서,
R1은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌이고, R2는 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 16의 알콕시기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬아민기이며,
상기 화학식 1의 A1, A2 및 A3의 하나 이상의 수소는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시카르보닐기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나로 치환되거나 비치환되고,
[화학식 2]
Figure 112017131014754-pat00010
화학식 2에서,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 시아노기 또는 하기 화학식 2-a로 나타내며,
[화학식 2-a]
Figure 112017131014754-pat00011
화학식 2-a에서,
a1 내지 a5는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기이고,
R4는 수소, 시아노기 또는 하기 화학식 2-b이며,
[화학식 2-b]
Figure 112017131014754-pat00012
화학식 2-b에서,
a6는 수소 또는 탄소수 1 내지 18의 알킬기이고,
상기 화학식 2의 R1 내지 R4의 하나 이상의 수소는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시카르보닐기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나로 치환되거나 비치환된다.
또 다른 일실시예에서, 본 발명은 앞서 설명한 점착 조성물로 형성된 점착층을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 점착 조성물 및/또는 점착 시트는, 가시광선 영역의 광에 대한 광투과도 및 점착성능을 저하하지 않으면서, 자외선 파장 영역의 광을 효과적으로 차단할 수 있으며, 다양한 종류의 디스플레이 장치에 적용 가능하다.
도 1은 발명의 하나의 실시예에 따른 점착 시트의 단면 구조를 나타낸 모식도이다.
도 2는 본 발명의 또 다른 하나의 실시예에 따른 점착 시트의 단면 구조를 나타낸 모식도이다.
도 3 및 4는 각각 본 발명의 하나의 실시예에 따른 이형 필름이 부착된 점착 시트의 단면 구조를 나타낸 모식도이다.
도 5 내지 7은 각각 본 발명의 하나의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 단면 구조를 나타낸 모식도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 구체적인 내용에 상세하게 설명하고자 한다.
그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명에서, "포함한다", "가지다" 또는 "구성하다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 본 발명에서 첨부된 도면은 설명의 편의를 위하여 확대 또는 축소하여 도시된 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 대하여 도면을 참고하여 상세하게 설명하고, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
나아가, 본 발명에서 "알킬기(alkyl group)"란 직쇄(linear) 또는 분지(branched) 형태의 포화 탄화수소로부터 유도된 치환기를 의미한다.
이때, 상기 "알킬기"로는 예를 들면, 메틸기(methyl group), 에틸기(ethyl group), n-프로필기(n-propyl group), 이소프로필기(iso-propyl group), n-부틸기(n-butyl group), sec-부틸기(sec-butyl group), t-부틸기(tert-butyl group), n-펜틸기(n-pentyl group), 1,1-디메틸프로필기(1,1-dimethylpropyl group), 1,2-디메틸프로필기(1,2-dimethylpropyl group), 2,2-디메틸프로필기(2,2-dimethylpropyl group), 1-에틸프로필기(1-ethylpropyl group), 2-에틸프로필기(2-ethylpropyl group), n-헥실기(n-hexyl group), 1-메틸-2-에틸프로필기(1-methyl-2-ethylpropyl group), 1-에틸-2-메틸프로필기(1-ethyl-2-methylpropyl group), 1,1,2-트리메틸프로필기(1,1,2-trimethylpropyl group), 1-프로필프로필기(1-propylpropyl group), 1-메틸부틸기(1-methylbutyl group), 2-메틸부틸기(2-methylbutyl group), 1,1-디메틸부틸기(1,1-dimethylbutyl group), 1,2-디메틸부틸기(1,2-dimethylbutyl group), 2,2-디메틸부틸기(2,2-dimethylbutyl group), 1,3-디메틸부틸기(1,3-dimethylbutyl group), 2,3-디메틸부틸기(2,3-dimethylbutyl group), 2-에틸부틸기(2-ethylbutyl group), 2-메틸펜틸기(2-methylpentyl group), 3-메틸펜틸기(3-methylpentyl group), n-옥틸기(n-octyl group), 2-에틸헥실기(2-ethylhexyl group) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 "알킬기"는 1 내지 20의 탄소수, 예를 들어 1 내지 12의 탄소수, 1 내지 6의 탄소수, 또는 1 내지 4의 탄소수를 가질 수 있다.
아울러, 본 발명에서 "사이클로알킬기"란 단일고리(monocyclic)의 포화 탄화수소로부터 유도된 치환기를 의미한다.
상기 "사이클로알킬기(cycloalkyl group)"로는 예를 들면, 사이클로프로필기(cyclopropyl group), 사이클로부틸기(cyclobutyl group), 사이클로펜틸기(cyclopentyl group), 사이클로헥실기(cyclohexyl group), 사이클로헵틸기(cycloheptyl group), 사이클로옥틸기(cyclooctyl group) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 "사이클로알킬기"는 3 내지 20의 탄소수, 예를 들어 3 내지 12의 탄소수, 또는 3 내지 6의 탄소수를 가질 수 있다.
나아가, 본 발명에서 "아릴기(aryl group)"란 방향족 탄화수소로부터 유도된 1가의 치환기를 의미한다.
이때, 상기 "아릴기"로는 예를 들면, 페닐기(phenyl group), 나프틸기(naphthyl group), 안트라세닐기(anthracenyl group), 페난트릴기(phenanthryl group) 나프타세닐기(naphthacenyl group), 피레닐기(pyrenyl group), 톨릴기(tolyl group), 바이페닐기(biphenyl group), 터페닐기(terphenyl group), 크리세닐기(chrycenyl group), 스파이로바이플루오레닐기(spirobifluorenyl group), 플루오란테닐기(fluoranthenyl group), 플루오레닐기(fluorenyl group), 페릴레닐기(perylenyl group), 인데닐기(indenyl group), 아줄레닐기(azulenyl group), 헵타레닐기(heptalenyl group), 페날레닐기(phenalenyl group), 페난트레닐기(phenanthrenyl group) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 "아릴기"는 6 내지 30의 탄소수, 예를 들어, 6 내지 10의 탄소수, 6 내지 14의 탄소수, 6 내지 18의 탄소수, 또는 6 내지 12의 탄소수를 가질 수 있다.
이와 더불어, 본 발명에서, "헤테로아릴기(heteroaryl group)"란 단환 또는 축합환으로부터 유도된 "방향족 복소환"또는 "헤테로사이클릭"을 의미한다. 상기 "헤테로아릴기"는 헤테로 원자로서 질소(N), 황(S), 산소(O), 인(P), 셀레늄(Se) 및 규소(Si) 중에서 적어도 하나, 예를 들어 1개, 2개, 3개 또는 4개를 포함할 수 있다.
이때, 상기 "헤테로아릴기"로는 예를 들면, 피롤릴기(pyrrolyl group), 피리딜기(pyridyl group), 피리디닐기(pyridinyl group), 피리다지닐기(pyridazinyl group), 피리미디닐기(pyrimidinyl group), 피라지닐기(pyrazinyl group), 트리아졸릴기(triazolyl group), 테트라졸릴기(tetrazolyl group), 벤조트리아졸릴기(benzotriazolyl group), 피라졸릴기(pyrazolyl group), 이미다졸릴기(imidazolyl group), 벤즈이미다졸릴기(benzimidazolyl group), 인돌릴기(indolyl group), 인돌리닐기(indolinyl group), 이소인돌릴기(isoindolyl group), 인돌리지닐기(indolizinyl group), 푸리닐기(purinyl group), 인다졸릴기(indazolyl group), 퀴놀릴기(quinolyl group), 이소퀴놀리닐기(isoquinolinyl group), 퀴놀리지닐기(quinolizinyl group), 프탈라지닐기(phthalazinyl group), 나프틸리디닐기(naphthylidinyl group), 퀴녹살리닐기(quinoxalinyl group), 퀴나졸리닐기(quinazolinyl group), 신놀리닐기(cinnolinyl group), 프테리디닐기(pteridinyl group), 이미다조트리아지닐기(imidazotriazinyl group), 아크리디닐기(acridinyl group), 페난트리디닐기(phenanthridinyl group), 카바졸릴기(carbazolyl group), 카바졸리닐기(carbazolinyl group), 피리미디닐기(pyrimidinyl group), 페난트롤리닐기(phenanthrolinyl group), 페나지닐기(phenazinyl group), 이미다조피리디닐기(imidazopyridinyl group), 이미다조피리미디닐기(imidazopyrimidinyl group), 피라졸로피리디닐기(pyrazolopyridinyl group) 등을 포함하는 함질소 헤테로아릴기; 티에닐기(thienyl group), 벤조티에닐기(benzothienyl group), 디벤조티에닐기(dibenzothienyl group) 등을 포함하는 황 함유 헤테로아릴기; 퓨릴기(furyl group), 피라닐기(pyranyl group), 사이클로펜타피라닐기(cyclopentapyranyl group), 벤조퓨라닐기(benzofuranyl group), 이소벤조퓨라닐기(isobenzofuranyl group), 디벤조퓨라닐기(dibenzofuranyl group), 벤조디옥솔기(benzodioxole group), 벤조트리옥솔기(benzotrioxole group) 등을 포함하는 함산소 헤테로아릴기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 "헤테로아릴기"의 구체적인 예로서는, 티아졸릴기(thiazolyl group), 이소티아졸릴기(isothiazolyl group), 벤조티아졸릴기(benzothiazolyl group), 벤조티아디아졸릴기(benzothiadiazolyl group), 페노티아지닐기(phenothiazinyl group), 이소옥사졸릴기(isoxazolyl group), 퓨라자닐기(furazanyl group), 페녹사지닐기(phenoxazinyl group), 옥사졸릴기(oxazolyl group), 벤조옥사졸릴기(benzoxazolyl group), 옥사다이아졸릴기(oxadiazolyl group), 피라졸로옥사졸릴기(pyrazoloxazolyl group), 이미다조티아졸릴기(imidazothiazolyl group), 티에노퓨라닐기(thienofuranyl group), 퓨로피롤릴기(furopyrrolyl group), 피리독사지닐기(pyridoxazinyl group) 등의 적어도 2개 이상의 헤테로 원자를 포함하는 화합물들을 들 수 있다.
나아가, 상기 "헤테로아릴기"는 2 내지 20의 탄소수, 예를 들어 4 내지 19의 탄소수, 4 내지 15의 탄소수 또는 5 내지 11의 탄소수를 가질 수 있다. 예를 들어, 헤테로 원자를 포함하면, 헤테로아릴기는 5 내지 21의 환원(ring member)을 가질 수 있다.
또한, 본 발명에서 "아랄킬기(aralkyl group)"는 말단 탄화수소의 수소 자리에 방향족 탄화수소로부터 유도된 1가의 치환기가 결합된 포화 탄화수소 치환기를 의미한다. 즉, "아랄킬기"는 사슬 말단이 아릴기로 치환된 알킬기를 나타내며, 그 예로서 벤질기(benzyl group), 펜에틸기(phenethyl group), 페닐프로필기(phenylpropyl group), 나프탈레닐메틸기(naphthalenylmethyl group), 나프탈레닐에틸기(naphthalenylethyl group) 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명에서 "점착"은 인접하는 기재와의 점착성이 있는 경우를 총칭하며, 점착성의 정도에 따라 점착 또는 접착의 경우를 모두 포함한다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 점착성 바인더 수지 내에 광흡수 염료가 분산된 구조의 점착 시트를 제공한다. 본 발명에 따른 점착 시트는 광흡수 염료를 포함하는 구조이다. 하나의 예에서, 본 발명에 따른 점착 시트는, 수지 매트릭스 및 상기 수지 매트릭스에 분산된 광흡수 염료를 포함하는 구조이다. 구체적으로, 상기 광흡수 염료는 제1 및 제2 광흡수 염료 중 적어도 하나 이상을 포함하며, 예를 들어, 상기 제1 광흡수 염료는 트리아진계 염료이고, 제2 광흡수 염료는 이중 결합을 포함하는 염료이다.
하나의 예에서, 본 발명에 따른 점착 시트는,
점착성 바인더 수지 내에 제1 및 제2 광흡수 염료가
점착성 바인더 수지 100 중량부 기준으로, 제1 및 제2 광흡수 염료의 합산 함량은 90 중량부 이하이며,
상기 제1 광흡수 염료는 하기 화학식 1로 표시되고, 상기 제2 광흡수 염료는 하기 화학식 2로 표시된다.
[화학식 1]
Figure 112017131014754-pat00013
화학식 1에서,
A1, A2 및 A3는 각각 독립적으로, 페닐기 또는 화학식 1-a이고,
A1, A2 및 A3 중 어느 하나 이상은 하기 화학식 1-a이며,
[화학식 1-a]
Figure 112017131014754-pat00014
화학식 1-a에서,
B1 내지 B5는 각각 독립적으로, 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기 또는 화학식 1-b이고,
[화학식 1-b]
Figure 112017131014754-pat00015
화학식 1-b에서,
R1은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌이고, R2는 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 16의 알콕시기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬아민기이며,
상기 화학식 1의 A1, A2 및 A3의 하나 이상의 수소는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시카르보닐기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나로 치환되거나 비치환된다.
[화학식 2]
Figure 112017131014754-pat00016
화학식 2에서,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 시아노기 또는 하기 화학식 2-a로 나타내며,
[화학식 2-a]
Figure 112017131014754-pat00017
화학식 2-a에서,
a1 내지 a5는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기이고,
R4는 수소, 시아노기 또는 하기 화학식 2-b이며,
[화학식 2-b]
Figure 112017131014754-pat00018
화학식 2-b에서,
a6는 수소 또는 탄소수 1 내지 18의 알킬기이고,
상기 화학식 2의 R1 내지 R4의 하나 이상의 수소는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시카르보닐기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나로 치환되거나 비치환된다.
보다 구체적으로, 상기 제1 광흡수 염료는 상기 화학식 1-a에서, 예를 들어,
B1 내지 B5는 각각 독립적으로, 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기 또는 화학식 1-b이고,
B1 내지 B5 중 어느 하나 이상은 화학식 1-b인 경우를 제시한다.
하나의 예에서, 상기 점착 시트는, 바인더 수지 100 중량부를 기준으로, 상기 바인더 수지에 분산된 광흡수 염료의 함량은 90 중량부 이하일 수 있다. 보다 구체적으로는, 상기 광흡수 염료의 함량은 3 내지 90 중량부, 4 내지 87 중량부, 5 내지 75 중량부, 50 내지 90 중량부, 또는 55 내지 87 중량부 범위일 수 있다. 광흡수 염료의 함량을 상기 범위로 제어함으로써, 가시광선 영역의 광에 대한 투과율은 저해하지 않으면서, 자외선 영역의 광을 선택적이고 효과적으로 차단할 수 있다. 한편, 바인더 수지에 분산된 광흡수 염료의 함량이 너무 높은 경우에는 점착 시트의 점착력이 저하될 수 있으며, 광흡수 염료의 함량이 지나치게 낮은 경우에는 400~430nm 범위의 투과율이 상승하여 자외선 영역의 광을 효과적으로 차단하지 못하는 문제가 있다.
하나의 실시예에서, 본원에 따른 제1 광흡수 염료 및 제2 광흡수 염료의 혼합 비율은, 1:99 내지 99:1 중량비 범위일 수 있다. 구체적으로, 제1 광흡수 염료 및 제2 광흡수 염료의 혼합 비율은 1:3 내지 99:1 중량비, 1:2 내지 99:1 중량비, 1:1 내지 99:1 중량비, 1:10 내지 20:1, 또는 1:5 내지 15:1 중량비 범위일 수 있다. 본 발명은 상기 2종의 광흡수 염료의 함량을 앞서 언급한 범위로 혼합함으로써, 가시광선 영역의 광에 대한 투과율은 저해하지 않으면서, 자외선 영역의 광을 선택적이고 효과적으로 차단할 수 있다.
하나의 예에서, 상기 점착 시트는, 하기 조건 1 및 2를 만족한다.
[조건 1]
405 nm 파장에 대한 광투과도는 5% 이하;
410 nm 파장에 대한 광투과도는 10% 이하; 및
420 nm 파장에 대한 광투과도는 60% 이하,
[조건 2]
430 nm 파장에 대한 광투과도는 75% 이상
또한, 상기 점착 시트는 하기 조건 3을 만족할 수 있다.
[조건 3]
|T20% - T10%| < 5 (nm)
T20%은 405 내지 430 nm 파장 영역에서 광투과도가 20%인 지점의 파장값을 나타내고,
T10%은 405 내지 430 nm 파장 영역에서 광투과도가 10%인 지점의 파장값을 나타낸다.
본 발명에 따른 점착 시트는 위 조건 3을 통해 405 내지 430 nm 파장 영역에서 광흡수 스펙트럼의 기울기가 매우 가파른 것을 알 수 있다. 이를 통해, 405 nm 이하 파장 영역의 광은 효과적으로 차단하면서, 동시에 430 nm 이상의 파장 영역의 광에 대한 투과는 저해하지 않음을 알 수 있다.
특히, 본 발명에 따른 점착 시트는, 410nm 이하 파장 영역의 광을 효과적으로 차단하게 된다. 이를 통해, 상기 점착 시트를 디스플레이 장치에 적용함으로써, 태양광 노출시 자외선 조사에 따른 변색 내지 색좌표 시프트(shift)에 따른 색온도의 변화를 방지 혹은 저감할 수 있다.
구체적으로는, 상기 점착 시트는 하기 조건 4 및 5를 만족할 수 있다.
[조건 4]
405 nm 이하 파장에 대한 광투과도는 평균 0.5% 이하;
410 nm 파장에 대한 광투과도는 5% 이하; 및
420 nm 파장에 대한 광투과도는 52% 이하
[조건 5]
430 nm 파장에 대한 광투과도는 78% 이상.
상기 점착 시트의 두께는 디스플레이 장치에 적용 가능한 범위라면 특별히 제한되지 않으나, 평균 5 내지 350㎛ 범위일 수 있다. 구체적으로, 상기 점착 시트의 두께는 평균 100 내지 300 ㎛ 범위 혹은 10 내지 30 ㎛ 일 수 있다. 한편, 점착 시트의 두께가 평균 10 내지 30 ㎛ 범위일 경우, 점착력이 적절하게 유지될 수 있다.
한편, 점착 시트의 두께가 평균 10 내지 30㎛의 범위일 때, 상기 점착 시트는 유리(glass)에 대한 점착력이 360 gf/inch 이상일 수 있으며, 구체적으로, 점착 시트는 360 내지 500 gf/inch 범위 혹은 370 내지 450 gf/inch 범위일 수 있다. 예를 들어, 본 발명에 따른 점착 시트는, 평균 두께 18㎛인 경우, 유리에 대한 점착력은 360 내지 500 gf/inch 혹은 370 내지 450 gf/inch 범위일 수 있다. 본 발명에 따른 점착 시트는 점착력을 상기 범위로 제어함으로써, 공정 과정에서의 충분한 비산방지 효과를 얻을 수 있고, 나아가 공정 불량시 유리의 재할용을 위한 리워크 공정이 용이한 장점이 있다.
본 발명에 따른 점착 시트는, 점착 조성물을 필름 형태로 제조하거나, 혹은 대상 기판 상에 도포하여 제조한 경우를 모두 포함한다. 점착 조성물을 이용하여 필름을 제조하는 과정은 공지의 사항이므로, 구체적인 설명은 생략한다.
필요에 따라 본 발명에 따른 점착 시트는 입자상 성분을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층은, 평균 굴절률이 1.3 내지 2.1 범위인 입자상 성분을 더 포함한다.
또한, 상기 점착 시트는, 점착 시트의 일면 또는 양면에 형성된 이형 필름을 더 포함할 수 있다. 이는 운반의 용이성, 공정 단계별로 이동의 용이성을 위한 것이다.
상기 점착 시트는 광학 필름을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 필름으로는 편광 필름인 경우를 포함한다. 예를 들어, 이러한 점착 시트는 다양한 형태의 디스플레이 장치에 적용할 수 있다. 상기 편광 필름은, 편광자 및 위상차 필름을 포함하는 적층구조일 수 있다. 하나의 예로서, 상기 편광 필름은 편광자 및 위상차 필름 사이에 앞서 설명한 점착층 혹은 점착 시트를 포함할 수 있다. 상기 편광자는 예를 들어, TAC/PVA/TAC 구조일 수 있다. 또한, 상기 위상차 필름은 PC 또는 COP 또는 별도의 코팅층으로 형성된 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 위상차 필름은 λ/4 위상차 필름 또는 λ/2 위상차 필름일 수 있다.
본 발명에 따른 점착 시트는, 광흡수 염료를 혼합 사용함으로써, 자외선 영역의 광을 선택적으로 차단할 수 있음을 확인하였다. 본 발명에 따른 점착 시트는, 태양광 노출에 따른 분광 투과율 변화를 최소화함으로써, 우수한 내광성을 구현할 수 있어 디스플레이 장치상에서의 색변화 즉 색온도 변화를 최소화 할 수 있다. 구체적으로는, 상기 점착 시트를 온도 85℃ 조건하에, 태양광 조사 조건에서 8 시간 노출후 태양광 차단 조건에서 8시간 노출하는 과정을 45회 반복하는 실험을 실시하고, 상기 실험 전 405nm 파장의 광에 대한 분광 투과율(To, %)과 실험 후 동일 파장의 광에 대한 분광 투과율(T1, %)의 차이를 산출하게 된다. 태양광 조사는 조도 700~900W/㎡ 의 제논램프를 사용하였다.
하나의 예로서, 상기 점착 시트는, 태양광 조사 실험시, 하기 조건 6을 만족한다.
[조건 6]
|T1-T0| ≤ 5 (%)
조건 6에서,
T0는 시료를 태양광 노출 실험 전 측정한 405nm 파장의 광에 대한 투과율을 나타내고,
T1은 시료를 태양광 노출 실험 후 측정한 405nm 파장의 광에 대한 투과율을 나타낸다.
구체적으로, 상기 조건 6에 따른 분광 투과율 변화량은 5% 이하, 3% 이하, 또는 1% 이하 범위인 것을 실험적으로 확인하였다.
또한, 본 발명은 점착 조성물을 제공하며, 하나의 실시예에서, 상기 점착 조성물은, 바인더 수지; 및 상기 바인더 수지에 분산된 광흡수 염료를 포함한다. 구체적으로, 상기 점착 조성물은, 바인더 수지; 및 상기 바인더 수지에 분산된 제1 및 제2 광흡수 염료 중 적어도 하나 이상을 포함하며, 상기 제1 광흡수 염료는 하기 화학식 1로 표시되고, 상기 제2 광흡수 염료는 하기 화학식 2로 표시된다.
[화학식 1]
Figure 112017131014754-pat00019
화학식 1에서,
A1, A2 및 A3는 각각 독립적으로, 페닐기 또는 화학식 1-a이고,
A1, A2 및 A3 중 어느 하나 이상은 하기 화학식 1-a이며,
[화학식 1-a]
Figure 112017131014754-pat00020
화학식 1-a에서,
B1 내지 B5는 각각 독립적으로, 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기 또는 화학식 1-b이고,
[화학식 1-b]
Figure 112017131014754-pat00021
화학식 1-b에서,
R1은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌이고, R2는 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 16의 알콕시기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬아민기이며,
상기 화학식 1의 A1, A2 및 A3의 하나 이상의 수소는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시카르보닐기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나로 치환되거나 비치환된다.
[화학식 2]
Figure 112017131014754-pat00022
화학식 2에서,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 시아노기 또는 하기 화학식 2-a로 나타내며,
[화학식 2-a]
Figure 112017131014754-pat00023
화학식 2-a에서,
a1 내지 a5는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기이고,
R4는 수소, 시아노기 또는 하기 화학식 2-b이며,
[화학식 2-b]
Figure 112017131014754-pat00024
화학식 2-b에서,
a6는 수소 또는 탄소수 1 내지 18의 알킬기이고,
상기 화학식 2의 R1 내지 R4의 하나 이상의 수소는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시카르보닐기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나로 치환되거나 비치환된다.
상기 화학식 1로 나타내는 제1 광흡수 염료는, 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112017131014754-pat00025
화학식 3에서,
A1 및 A2는 각각 독립적으로 페닐기 또는 화학식 3-a이고,
A1, A2 및 A3 중 어느 하나 이상은 하기 화학식 3-a이며,
[화학식 3-a]
Figure 112017131014754-pat00026
화학식 3-a에서,
B1 내지 B5는 각각 독립적으로, 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기 또는 화학식 3-b이며,
[화학식 3-b]
Figure 112017131014754-pat00027
화학식 3-b에서,
R1은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌이고, R2는 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬아민기이다.
예를 들어, 제1 염료에 대한 화학식 1의 설명에서, A1, A2 및 A3는 아래 표 1에 개시된 1 내지 33의 구조 중 어느 하나이다.
No. A1 A2 A3
1
Figure 112017131014754-pat00028
Figure 112017131014754-pat00029
Figure 112017131014754-pat00030
2
Figure 112017131014754-pat00031
Figure 112017131014754-pat00032
Figure 112017131014754-pat00033
3
Figure 112017131014754-pat00034
Figure 112017131014754-pat00035
Figure 112017131014754-pat00036
4
Figure 112017131014754-pat00037
Figure 112017131014754-pat00038
Figure 112017131014754-pat00039
5
Figure 112017131014754-pat00040
Figure 112017131014754-pat00041
Figure 112017131014754-pat00042
6
Figure 112017131014754-pat00043
Figure 112017131014754-pat00044
Figure 112017131014754-pat00045
7
Figure 112017131014754-pat00046
Figure 112017131014754-pat00047
Figure 112017131014754-pat00048
8
Figure 112017131014754-pat00049
Figure 112017131014754-pat00050
Figure 112017131014754-pat00051
9
Figure 112017131014754-pat00052
Figure 112017131014754-pat00053
Figure 112017131014754-pat00054
10
Figure 112017131014754-pat00055
Figure 112017131014754-pat00056
Figure 112017131014754-pat00057
11
Figure 112017131014754-pat00058
Figure 112017131014754-pat00059
Figure 112017131014754-pat00060
12
Figure 112017131014754-pat00061
Figure 112017131014754-pat00062
Figure 112017131014754-pat00063
13
Figure 112017131014754-pat00064
Figure 112017131014754-pat00065
Figure 112017131014754-pat00066
14
Figure 112017131014754-pat00067
Figure 112017131014754-pat00068
Figure 112017131014754-pat00069
15
Figure 112017131014754-pat00070
Figure 112017131014754-pat00071
Figure 112017131014754-pat00072
16
Figure 112017131014754-pat00073
Figure 112017131014754-pat00074
Figure 112017131014754-pat00075
17
Figure 112017131014754-pat00076
Figure 112017131014754-pat00077
Figure 112017131014754-pat00078
18
Figure 112017131014754-pat00079
Figure 112017131014754-pat00080
Figure 112017131014754-pat00081
19
Figure 112017131014754-pat00082
Figure 112017131014754-pat00083
Figure 112017131014754-pat00084
20
Figure 112017131014754-pat00085
Figure 112017131014754-pat00086
Figure 112017131014754-pat00087
21
Figure 112017131014754-pat00088
Figure 112017131014754-pat00089
Figure 112017131014754-pat00090
22
Figure 112017131014754-pat00091
Figure 112017131014754-pat00092
Figure 112017131014754-pat00093
23
Figure 112017131014754-pat00094
Figure 112017131014754-pat00095
Figure 112017131014754-pat00096
24
Figure 112017131014754-pat00097
Figure 112017131014754-pat00098
Figure 112017131014754-pat00099
25
Figure 112017131014754-pat00100
Figure 112017131014754-pat00101
Figure 112017131014754-pat00102
26
Figure 112017131014754-pat00103
Figure 112017131014754-pat00104
Figure 112017131014754-pat00105
27
Figure 112017131014754-pat00106
Figure 112017131014754-pat00107
Figure 112017131014754-pat00108
28
Figure 112017131014754-pat00109
Figure 112017131014754-pat00110
Figure 112017131014754-pat00111
29
Figure 112017131014754-pat00112
Figure 112017131014754-pat00113
Figure 112017131014754-pat00114
30
Figure 112017131014754-pat00115
Figure 112017131014754-pat00116
Figure 112017131014754-pat00117
31
Figure 112017131014754-pat00118
Figure 112017131014754-pat00119
Figure 112017131014754-pat00120
32
Figure 112017131014754-pat00121
Figure 112017131014754-pat00122
Figure 112017131014754-pat00123
33
Figure 112017131014754-pat00124
Figure 112017131014754-pat00125
Figure 112017131014754-pat00126
또한, 상기 화학식 2로 나타내는 제2 광흡수 염료는, 하기 화학식 4로 표시될 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112017131014754-pat00127
화학식 4에서,
R2는 시아노기이고,
R3은 수소이며,
Ra는 하기 화학식 4-a로 표시되고,
[화학식 4-a]
Figure 112017131014754-pat00128
화학식 4-a에서,
a1 내지 a5는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기이고,
Rb는 하기 화학식 4-b로 표시되며,
[화학식 4-b]
Figure 112017131014754-pat00129
화학식 4-b에서,
a6는 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고,
상기 화학식 4의 R2, R3, Ra 및 Rb 의 하나 이상의 수소는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시카르보닐기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나로 치환되거나 비치환된다.
예를 들어, 상기 제2 염료에 대한 화학식 2의 설명에서, R1 내지 R4는 아래 표 2와 같은 경우를 포함한다.
No. R1 R2 R3 R4
1
Figure 112017131014754-pat00130
-H -H
Figure 112017131014754-pat00131
2
Figure 112017131014754-pat00132
-H -H
Figure 112017131014754-pat00133
3
Figure 112017131014754-pat00134
-CN -CN
Figure 112017131014754-pat00135
4
Figure 112017131014754-pat00136
-CN -CN
Figure 112017131014754-pat00137
5
Figure 112017131014754-pat00138
-H -CN
Figure 112017131014754-pat00139
6
Figure 112017131014754-pat00140
-H -CN
Figure 112017131014754-pat00141
7
Figure 112017131014754-pat00142
-CN -H
Figure 112017131014754-pat00143
8
Figure 112017131014754-pat00144
-CN -H
Figure 112017131014754-pat00145
9
Figure 112017131014754-pat00146
-H -H
Figure 112017131014754-pat00147
10
Figure 112017131014754-pat00148
-H -H
Figure 112017131014754-pat00149
11
Figure 112017131014754-pat00150
-CN -CN
Figure 112017131014754-pat00151
12
Figure 112017131014754-pat00152
-CN -CN
Figure 112017131014754-pat00153
13
Figure 112017131014754-pat00154
-H -CN
Figure 112017131014754-pat00155
14
Figure 112017131014754-pat00156
-H -CN
Figure 112017131014754-pat00157
15
Figure 112017131014754-pat00158
-CN -H
Figure 112017131014754-pat00159
16
Figure 112017131014754-pat00160
-CN -H
Figure 112017131014754-pat00161
17
Figure 112017131014754-pat00162
-H -H
Figure 112017131014754-pat00163
18
Figure 112017131014754-pat00164
-H -H
Figure 112017131014754-pat00165
19
Figure 112017131014754-pat00166
-CN -CN
Figure 112017131014754-pat00167
20
Figure 112017131014754-pat00168
-CN -CN
Figure 112017131014754-pat00169
21
Figure 112017131014754-pat00170
-H -CN
Figure 112017131014754-pat00171
22
Figure 112017131014754-pat00172
-H -CN
Figure 112017131014754-pat00173
23
Figure 112017131014754-pat00174
-CN -H
Figure 112017131014754-pat00175
24
Figure 112017131014754-pat00176
-CN -H
Figure 112017131014754-pat00177
25
Figure 112017131014754-pat00178
-H -H
Figure 112017131014754-pat00179
26
Figure 112017131014754-pat00180
-H -H
Figure 112017131014754-pat00181
27
Figure 112017131014754-pat00182
-CN -CN
Figure 112017131014754-pat00183
28
Figure 112017131014754-pat00184
-CN -CN
Figure 112017131014754-pat00185
29
Figure 112017131014754-pat00186
-H -CN
Figure 112017131014754-pat00187
30
Figure 112017131014754-pat00188
-H -CN
Figure 112017131014754-pat00189
31
Figure 112017131014754-pat00190
-CN -H
Figure 112017131014754-pat00191
32
Figure 112017131014754-pat00192
-CN -H
Figure 112017131014754-pat00193
33
Figure 112017131014754-pat00194
-H -H
Figure 112017131014754-pat00195
34
Figure 112017131014754-pat00196
-H -H
Figure 112017131014754-pat00197
35
Figure 112017131014754-pat00198
-CN -CN
Figure 112017131014754-pat00199
36
Figure 112017131014754-pat00200
-CN -CN
Figure 112017131014754-pat00201
37
Figure 112017131014754-pat00202
-H -CN
Figure 112017131014754-pat00203
38
Figure 112017131014754-pat00204
-H -CN
Figure 112017131014754-pat00205
39
Figure 112017131014754-pat00206
-CN -H
Figure 112017131014754-pat00207
40
Figure 112017131014754-pat00208
-CN -H
Figure 112017131014754-pat00209
41
Figure 112017131014754-pat00210
-H -H
Figure 112017131014754-pat00211
42
Figure 112017131014754-pat00212
-H -H
Figure 112017131014754-pat00213
43
Figure 112017131014754-pat00214
-CN -CN
Figure 112017131014754-pat00215
44
Figure 112017131014754-pat00216
-CN -CN
Figure 112017131014754-pat00217
45
Figure 112017131014754-pat00218
-H -CN
Figure 112017131014754-pat00219
46
Figure 112017131014754-pat00220
-H -CN
Figure 112017131014754-pat00221
47
Figure 112017131014754-pat00222
-CN -H
Figure 112017131014754-pat00223
48
Figure 112017131014754-pat00224
-CN -H
Figure 112017131014754-pat00225
49
Figure 112017131014754-pat00226
-H -H
Figure 112017131014754-pat00227
50
Figure 112017131014754-pat00228
-H -H
Figure 112017131014754-pat00229
51
Figure 112017131014754-pat00230
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-CN -H
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또 다른 하나의 실시예에서, 본 발명에 따른 점착 조성물은, 바인더 수지 100 중량부를 기준으로, 상기 바인더 수지에 분산된 광흡수 염료의 함량은 90 중량부 이하일 수 있다. 보다 구체적으로는, 상기 광흡수 염료의 함량은 3 내지 90 중량부, 4 내지 87 중량부, 혹은 5 내지 75 중량부 범위일 수 있다. 광흡수 염료의 함량을 상기 범위로 제어함으로써, 가시광선 영역의 광에 대한 투과율은 저해하지 않으면서, 자외선 영역의 광을 선택적이고 효과적으로 차단할 수 있다. 한편, 바인더 수지에 분산된 광흡수 염료의 함량이 너무 높은 경우에는 점착 시트의 점착력이 저하될 수 있으며, 광흡수 염료의 함량이 지나치게 낮은 경우에는 400~430nm 범위의 투과율이 상승하여 자외선 영역의 광을 효과적으로 차단하지 못하는 문제가 있다.
하나의 실시예에서, 본원에 따른 제1 광흡수 염료 및 제2 광흡수 염료의 혼합 비율은, 1:99 내지 99:1 중량비 범위일 수 있다. 구체적으로, 제1 광흡수 염료 및 제2 광흡수 염료의 혼합 비율은 1:3 내지 99:1 중량비, 1:2 내지 99:1 중량비 또는 1:2 내지 99:1 중량부 범위일 수 있다. 상기 2종의 광흡수 염료의 함량을 상기 범위로 혼합함으로써, 가시광선 영역의 광에 대한 투과율은 저해하지 않으면서, 자외선 영역의 광을 선택적이고 효과적으로 차단할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 점착 조성물은 바인더 수지 내에 분산된 입자상 성분을 더 포함할 수 있다. 구체적으로 상기 입자상 성분은 평균 굴절률이 1.3 내지 2.1 범위, 또는 1.4 내지 1.6 범위일 수 있다. 상기 입자상 성분은 상기 굴절률을 갖는 경우라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속 산질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 입자; 실리콘 및 아크릴 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유기 입자; 및 상기 금속 입자를 구성하는 성분 및 유기 입자를 구성하는 성분을 함유하는 유-무기 입자 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 입자는 Zr, Al, Fe, Cu, Ti, Au, Ag, Mg 및 Zn 중 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합이나 합금상일 수 있으며, 해당 금속의 산화물, 질화물 및/또는 산질화물을 포함한다. 예를 들어, 상기 유기 입자는 실리콘 입자 혹은 비드 형태의 아크릴 수지 입자일 수 있다. 또한, 상기 금속 입자를 구성하는 성분 및 유기 입자를 구성하는 성분을 함유하는 유-무기 입자를 배제하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 입자상 성분은 ZrO2, TiO2, Al2O3, MgO, 및 SiO2 중 적어도 어느 하나 이상일 수 있고, 입자의 형상은 구형 또는 다양한 다각형의 형상일 수 있다.
상기 입자상 성분은, 예를 들어, 입자상 성분의 평균 입경이 0.1 내지 5 ㎛, 0.5 내지 3 ㎛, 3 내지 5 ㎛, 또는 2 내지 4 ㎛ 범위일 수 있다. 상기 입자상 성분의 평균 입경은, 굴절률 수치 내지 가시광선 영역의 투과도 저해 여부를 고려한 것이다.
상기 범위의 평균 입경을 갖는 입자상 성분을 포함하면, 미산란(Mie Scattering) 효과를 극대화하여 전방 산란시킬 수 있고, 이에 따라 특정 파장의 광 직진성을 감소시킬 수 있어 디스플레이 장치를 바라보는 각도에 따라 색상이 왜곡되어 보이게 되는 컬러 시프트 현상을 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 입자상 성분과 바인더 수지의 굴절률 차이는 0.05 이상일 수 있다. 상기 입자상 성분과 바인더 수지의 굴절률 차이는, 구체적으로 0.05 내지 0.4, 0.07 내지 0.3, 또는 0.08 내지 0.15 범위일 수 있다. 상기 입자상 성분과 바인더 수지의 굴절률을 일정 수준 이상 차이가 나도록 설계함으로써, 가시광선 영역의 광투과도를 높이는 효과가 있다.
본 발명에 따른 점착 조성물에 포함된 바인더 수지는 점착성 수지라면 특별히 제한되지 않으며, 이들의 예로는 아크릴 수지, 고무 수지, 비닐 수지, 실리콘 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 우레탄 수지, 불소 수지, 에폭시 수지, 또는 상기 수지를 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 그 중에서, 내후성, 비용 및 점착제의 형태 자유도 측면에서, 아크릴 수지를 사용할 수 있다.
또한, 본 발명은 앞서 설명한 점착 조성물로 형성된 점착층이나 점착 시트를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 이하에서는, 디스플레이 장치의 적층구조와 연관하여 설명하되, 앞서 설명한 점착 조성물로 형성된 점착층이나 점착 시트를 총괄하여 편의상 '점착층'으로 표기한다.
하나의 예로서, 상기 디스플레이 장치는, 디스플레이 패널, 편광 필름, 터치 필름, 및 광투광성 윈도우층이 순차 적층된 구조이고,
상기 점착층은,
디스플레이 패널과 편광 필름 사이;
편광 필름 내부;
편광 필름과 터치 필름 사이; 및
터치 필름과 광투과성 윈도우층 사이;
중 어느 하나 이상의 위치에 형성된 구조일 수 있다.
다른 하나의 예로서, 상기 디스플레이 장치는, 디스플레이 패널, 터치 필름, 편광 필름, 및 광투광성 윈도우층이 순차 적층된 구조이고,
상기 점착층은
디스플레이 패널과 터치 필름 사이;
터치 필름과 편광 필름 사이; 및
편광 필름 내부; 및
편광 필름과 광투과성 윈도우층 사이;
중 어느 하나 이상의 위치에 형성된 구조일 수 있다.
상기 편광 필름은 편광자 및 위상차 필름 등을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 또한, 상기 점착층은, 편광자와 디스플레이 패널 사이에 위치함으로써, 디스플레이 장치의 성능에는 영향을 미치지 않으면서, 자외선 영역의 광을 효율적으로 차단 가능하다. 상기 점착층은, 디스플레이 패널과 편광자 사이에 위치하며, 구체적으로는, 디스플레이 패널과 편광자 사이에 여러 광학층이 존재하는 경우에는, 각 층들 사이의 계면 중 어느 하나 이상에 위치할 수 있다.
구체적으로, 상기 디스플레이 장치는, 디스플레이 패널; 편광 필름; 터치 필름, 및 광투과성 윈도우층을 포함하며,
상기 편광 필름은 편광자를 포함하는 다층 구조이고,
상기 점착층은, 편광자와 디스플레이 패널 사이에 형성된 구조일 수 있다.
여기서, 상기 디스플레이 장치는, 디스플레이 패널, 편광 필름, 터치 필름, 및 광투과성 윈도우층이 순차 적층된 구조이거나; 디스플레이 패널, 터치 필름, 편광 필름, 및 광투과성 윈도우층이 순차 적층된 구조인 경우를 포함한다.
또한, 상기 디스플레이 장치는, 예를 들어, OLED 장치일 수 있다. 최근 OLED 장치를 채용한 모바일 장치에 대한 수요가 증가하는 경향에 부합한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는 자외선 영역의 광에 대한 선택적인 차단이 가능하고, 태양광 노출에 따른 변색 내지 색온도 변화를 효과적으로 방지할 수 있다.
상기 디스플레이 장치는, 다양한 형태의 디스플레이 장치에 적용 가능하며, 예를 들어, TV, 모니터, 핸드폰, 네비게이션, 노트북 또는 테블릿 PC 등에 적용 가능하며, 구체적으로는 모바일 장치에 적용 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 앞서 설명한 점착 조성물로 형성된 점착층, 점착 시트 혹은 적층 구조 등을 포함하는 경우들을 모두 포괄한다.
이하, 본 발명을 도면을 통해 보다 상세히 설명한다. 단, 하기 도면에 대한 설명은 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 그에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 점착 시트(10)는 바인더 수지(11) 내에 광흡수 염료(12)가 분산된 구조이다. 도 2는 본 발명의 또 다른 하나의 실시예에 따른 점착 시트(20)로, 바인더 수지(21) 내에 광흡수 염료(22)와 입자상 성분(23)이 함께 분산된 구조이다.
도 3은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 점착 시트(10)의 적층구조를 도시한 것으로, 광흡수 염료가 분산된 점착 시트(10)의 일면에 이형 필름(30)이 적층된 구조이다. 혹은 도 4에 도시된 바와 같이, 점착 시트(10)의 양면에 이형 필름(31, 32)이 적층된 구조도 포함한다. 본 발명에 따른 점착 시트를 적용하여 디스플레이 장치를 제조하는 과정에서, 공정 단계에 따라 점착 시트(10)의 일면 또는 양면에 형성된 이형 필름(30, 31, 32)을 제거할 수 있다.
도 5는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)의 단면 구조를 나타낸 모식도이다. 도 5에서, 상기 디스플레이 장치(100)는 OLED 패널(110) 상에 편광 필름(120), 터치 필름(150), 점착층(130) 및 윈도우층(140)이 순차 적층된 구조이다. 상기 점착층(130)은 내부에 광흡수 염료가 분산된 구조이며, 별도로 표시하지 않았으나 입자상 성분이 함께 분산된 구조일 수 있다. 아울러, 터치 필름은(150)은 물체가 터치 필름에(150)에 접근하거나, 터치 필름(150)에 접촉하면 터치를 감지할 수 있다. 여기서, 접촉이란 사용자의 손과 같은 외부 물체가 터치 필름(150)에 직접적으로 닿는 경우뿐만 아니라 외부 물체가 터치 필름(150)에 접근하거나 접근한 상태에서 움직이는 경우도 포함한다.
도 6은 본 발명의 또 다른 하나의 실시예에 따른 디스플레이 장치(200)의 단면 구조를 나타낸 모식도이다. 도 6에서, 상기 디스플레이 장치(200)는 OLED 패널(210) 상에 제1 점착층(221), 편광 필름, 터치 필름(250), 제3 점착층(230) 및 윈도우층(240)이 순차 적층된 구조이다. 상기 윈도우층(240)은 광투과성의 플라스틱 혹은 유리 기판을 이용할 수 있다. 상기 편광 필름은 위상차 필름(222), 제2 점착층(223) 및 편광자(224)가 순차 적층된 구조이다. 정리하면, 도 6에 도시된 디스플레이 장치(200)는 OLED 패널(210)과 위상차 필름(222) 사이에 형성된 제1 점착층(221); 위상차 필름(222)과 편광자(224) 사이에 형성된 제2 점착층(223); 및 편광자(224)와 윈도우층(240) 사이에 형성된 제3 점착층(230)을 포함하며, 상기 제1 내지 제3 점착층(221, 223, 230) 중 어느 하나 이상은 내부에 분산된 광흡수 염료를 포함한다. 경우에 따라서는, 상기 제1 내지 제3 점착층(221, 223, 230) 중 어느 하나의 층이 광흡수 염료를 포함할 수 있고, 혹은 2개의 층이나 3개의 층 모두 광흡수 염료를 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 디스플레이 장치(300)의 단면 구조를 나타낸 모식도이다. 도 7에서, 상기 디스플레이 장치(300)는 OLED 패널(310) 상에 점착층(330), 편광 필름(320), 터치 필름(350) 및 윈도우층(340)이 순차 적층된 구조이다. 상기 점착층(330)은 내부에 광흡수 염료가 분산된 구조이며, 별도로 표시하지 않았으나 입자상 성분이 함께 분산된 구조일 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 및 실험예에 의해 보다 상세히 설명한다.
단, 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예 및 실험예에 한정되는 것은 아니다.
제조예 1: 제1 광흡수 염료의 제조
제1 광흡수 염료로 하기 화학식 구조의 염료를 사용하였다.
[ 제조예 1-1]
Figure 112017131014754-pat00242
250ml 3구 둥근 바닥 플라스크에, DMF (20ml)을 주입하고, 화학식 A1(10.0g, 0.0247mol) 및 화학식 B1(10.7g, 0.0789mol)을 투입한다. 탄산 칼륨(K2CO3, 3.4g)을 첨가하고 120℃로 승온하여 3시간 동안 환류시킨다. 반응혼합물에 EA(ethyl acetate, 100ml), 물을 넣어 세척한다. 용매를 제거하여 목적화합물(화학식 C1, 15.7g, 수율: 90.13%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 705.71 (C36H39N3O12 = 705.25)
[ 제조예 1-2]
Figure 112017131014754-pat00243
250ml 3구 둥근 바닥 플라스크에, DMF (20ml)을 주입하고, 화학식 A1(10.0g, 0.0247mol) 및 화학식 B2(15.5g, 0.1037mol)을 투입한다. 탄산 칼륨(K2CO3, 3.4g)을 첨가하고 120℃로 승온하여 6시간 동안 환류시킨다. 반응혼합물에 EA(ethyl acetate, 100ml), 물을 넣어 세척한다. 용매를 제거하여 목적화합물(화학식 C2, 18.3g, 수율: 86.00%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 861.93 (C45H55N3O14 = 861.37)
[ 제조예 1-3]
Figure 112017131014754-pat00244
250ml 3구 둥근 바닥 플라스크에, DMF (20ml)을 주입하고, 화학식 A1(10.0g, 0.0247mol) 및 화학식 B3(8.9g, 0.0542mol)을 투입한다. 탄산 칼륨(K2CO3, 3.4g)을 첨가하고 120℃로 승온하여 2시간 동안 환류시킨다. 반응혼합물에 EA(ethyl acetate, 100ml), 물을 넣어 세척한다. 용매를 제거하여 목적화합물(화학식 C3, 15.2g, 수율: 93.29%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 661.71 (C35H39N3O10 = 661.26)
[ 제조예 1-4]
Figure 112017131014754-pat00245
250ml 3구 둥근 바닥 플라스크에, DMF (20ml)을 주입하고, 화학식 A1(10.0g, 0.0247mol) 및 화학식 B3(12.9g, 0.0789mol)을 투입한다. 탄산 칼륨(K2CO3, 3.4g)을 첨가하고 120℃로 승온하여 3시간 동안 환류시킨다. 반응혼합물에 EA(ethyl acetate, 100ml), 물을 넣어 세척한다. 용매를 제거하여 목적화합물(화학식 C4, 17.9g, 수율: 91.75%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 789.87 (C42H51N3O12 = 789.35)
[ 제조예 1-5]
Figure 112017131014754-pat00246
250ml 3구 둥근 바닥 플라스크에, DMF (20ml)을 주입하고, 화학식 A1(10.0g, 0.0247mol) 및 화학식 B4(17.4g, 0.0789mol)을 투입한다. 탄산 칼륨(K2CO3, 3.4g)을 첨가하고 120℃로 승온하여 3시간 동안 환류시킨다. 반응혼합물에 EA(ethyl acetate, 100ml), 물을 넣어 세척한다. 용매를 제거하여 목적화합물(화학식 C5, 20.4g, 수율: 86.45%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 958.47 (C54H75N3O12 = 958.19).
[ 제조예 1-6]
Figure 112017131014754-pat00247
250ml 3구 둥근 바닥 플라스크에, DMF (20ml)을 주입하고, 화학식 A1(10.0g, 0.0247mol) 및 화학식 B5(15.2g, 0.0789mol)을 투입한다. 탄산 칼륨(K2CO3, 3.4g)을 첨가하고 120℃로 승온하여 3시간 동안 환류시킨다. 반응혼합물에 EA(ethyl acetate, 100ml), 물을 넣어 세척한다. 용매를 제거하여 목적화합물(화학식 C6, 19.3g, 수율: 89.48%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 874.03 (C48H63N3O12 = 873.44).
제조예 2: 제2 광흡수 염료의 제조
제2 광흡수 염료로 하기 화학식 구조의 염료를 사용하였다.
[ 제조예 2-1]
Figure 112017131014754-pat00248
250ml 3구 둥근 바닥 플라스크에 속슬렛(soxhlet)을 장치한 후, 톨루엔(toluene, 24ml)을 주입하고, 화학식 A1(18.0g, 0.065mol) 및 화학식 B1(21.9g, 0.295mol)을 투입한다. 40℃로 가열 후, 황산(H2SO4, 1.2g)을 첨가하고 120℃로 승온하여 12시간 동안 환류시킨다. 반응혼합물에 에테르(ether, 41ml)와 소듐바이카보네이트 수용액(49ml)을 넣어 유기층을 분리를 한다. 유기층은 증류수로 세척하고 용매를 제거하여 목적화합물(화학식 C1, 17.8g, 수율: 82%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 330.1368(C21H18N2O2 = 330.1).
[ 제조예 2-2]
Figure 112017131014754-pat00249
250ml 3구 둥근 바닥 플라스크에 속슬렛(soxhlet)을 장치한 후, 톨루엔(toluene, 26ml)을 주입하고, 화학식 A2(19.0g, 0.072mol) 및 화학식 B2(42.6g, 0.327mol)를 투입한다. 40℃로 가열 후, 황산(H2SO4, 1.4g)을 첨가하고 120℃로 승온하여 15시간 동안 환류시킨다. 반응혼합물에 에테르(ether, 44ml)와 소듐바이카보네이트 수용액(51ml)을 넣어 유기층을 분리를 한다. 유기층은 증류수로 세척하고 용매를 제거하여 목적화합물(화학식 C2, 20.9g, 수율: 80%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 373.2253 (C21H31NO4 = 373.2).
[ 제조예 2-3]
Figure 112017131014754-pat00250
250ml 3구 둥근 바닥 플라스크에 속슬렛(soxhlet)을 장치한 후, 톨루엔(toluene, 27ml)을 주입하고, 화학식 A3(20.0g, 0.083mol) 및 화학식 B3(38.6g, 0.377mol)을 투입한다. 40℃로 가열 후, 황산(H2SO4, 1.6g)을 첨가하고 120℃로 승온하여 12시간 동안 환류시킨다. 반응혼합물에 에테르(ether, 46ml)와 소듐바이카보네이트 수용액(54ml)을 넣어 유기층을 분리를 한다. 유기층은 증류수로 세척하고 용매를 제거하여 목적화합물(화학식 C3, 23.0g, 수율: 85%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 322.1933 (C22H26O2 = 322.2).
[ 제조예 2-4]
Figure 112017131014754-pat00251
250ml 3구 둥근 바닥 플라스크에 속슬렛(soxhlet)을 장치한 후, 톨루엔(toluene, 30ml)을 주입하고, 화학식 A4(22.0g, 0.111mol) 및 화학식 B1(37.0g, 0.499mol)을 투입한다. 40℃로 가열 후, 황산(H2SO4, 2.1g)을 첨가하고 120℃로 승온하여 10시간 동안 환류시킨다. 반응혼합물에 에테르(ether, 51ml)와 소듐바이카보네이트 수용액(59ml)을 넣어 유기층을 분리를 한다. 유기층은 증류수로 세척하고 용매를 제거하여 목적화합물(화학식 C4, 25.4g, 수율: 90%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 254.1055 (C15H14N2O2 = 254.1).
[ 제조예 2-5]
Figure 112017131014754-pat00252
250ml 3구 둥근 바닥 플라스크에 속슬렛(soxhlet)을 장치한 후, 톨루엔(toluene, 34ml)을 주입하고, 화학식 A5(25.0g, 0.104mol) 및 화학식 B3(48.2g, 0.472mol)을 투입한다. 40℃로 가열 후, 황산(H2SO4, 2.0g)을 첨가하고 120℃로 승온하여 10시간 동안 환류시킨다. 반응혼합물에 에테르(ether, 58ml)와 소듐바이카보네이트 수용액(68ml)을 넣어 유기층을 분리를 한다. 유기층은 증류수로 세척하고 용매를 제거하여 목적화합물(화학식 C5, 29.8g, 수율: 88%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 322.1165 (C15H18N2O6 = 322.1).
[ 제조예 2-6]
Figure 112017131014754-pat00253
250ml 3구 둥근 바닥 플라스크에 속슬렛(soxhlet)을 장치한 후, 톨루엔(toluene, 30ml)을 주입하고, 화학식 A6(22.0g, 0.094mol) 및 화학식 B4(55.3g, 0.424mol)을 투입한다. 40℃로 가열 후, 황산(H2SO4, 1.8g)을 첨가하고 120℃로 승온하여 10시간 동안 환류시킨다. 반응혼합물에 에테르(ether, 51ml)와 소듐바이카보네이트 수용액(58ml)을 넣어 유기층을 분리를 한다. 유기층은 증류수로 세척하고 용매를 제거하여 목적화합물(화학식 C6, 27.1g, 수율: 83%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 345.1940 (C20H27NO4 = 345.2).
실시예 1 내지 5: 점착 시트의 제조
광흡수 염료 제조예 1-1에 따른 제1 광흡수 염료와 제조예 2-2에 따른 제2광흡수 염료를 바인더 수지에 분산시켜 점착 조성물을 제조하였다.
하기 표 3에 나타낸 조성으로 각각의 광흡수 염료 함량을 변화시키면서 실시예 1 내지 5의 점착제 조성물을 제조하였다. 균일하게 혼합된 상기 조성물을 투명 기판상에 도포하여 두께 18 ㎛의 점착 시트를 제조하였다.
비교예 1 내지 3: 점착 시트의 제조
제1 광흡수 염료를 단독으로 사용하여 실시예 1과 동일한 과정으로 점착 시트를 제조하였다.
비교예 4 내지 6: 점착 시트의 제조
제2 광흡수 염료를 단독으로 사용하여 실시예 1과 동일한 과정으로 점착 시트를 제조하였다.
실시예 및 비교예에서 광흡수 염료와 바인더 수지의 함량의 비율은 아래 표 3의 조성으로 점착 시트를 제조하였다.
No.
제1 광흡수 염료 함량
(중량부)
제2 광흡수 염료 함량
(중량부)
바인더 수지 함량
(중량부)
비교예 1 30 - 70
비교예 2 35 - 65
비교예 3 42 - 58
비교예 4 - 11 89
비교예 5 - 24 76
비교예 6 - 28 72
실시예 1 9 37 54
실시예 2 14 27 59
실시예 3 18 22 60
실시예 4 22 14 64
실시예 5 35 3 62
실험예 : 점착 시트의 광투과도 , 색온도 변화량 및 점착력 측정
비교예 1 내지 6에서 제조된 점착 시트와 실시예 1 내지 5에서 제조된 점착 시트에 대해서, 405 내지 550nm 파장 영역의 광에 대한 투과도, 색온도 변화량 및 점착량을 측정하였다.
점착 시트의 색온도 변화량은 제조된 점착 시트를 온도 85℃, 태양광 조사(Xenon lamp 사용) 조건에서 8시간 노출 후, 태양광 차단 조건에서 8시간 노출하는 과정을 45회 반복하는 실험을 실시하고, 태양광을 조사한 전 대비 태양광 조사 후의 변화량을 측정하였다.
점착 시트의 점착력은 표준 사이즈의 시편을 PET Film에 라미네이션 한 후 30min 이 경과된 뒤에 만능인장시험기(UTM)로 박리력을 측정(박리속도 300mm/분, 박리각도 180°)하였다.
실험 결과는, 하기 표 4에 도시하였다.
No. 바인더 함량
(중량부)
염료 함량 (중량부) 405 nm 410 nm 420 nm 430 nm 440 nm 450 nm 550 nm 색온도 변화량
(K)
점착력
(gf/inch)
제1 염료 제2 염료
비교예 1 70 30 - 7.8 29.1 71.4 92.3 97.3 99.2 100.6 359 410
비교예 2 65 35 - 1.2 6.9 69.1 90.5 97.2 99.2 100.4 299 433
비교예 3 58 42 - - - - - - - - - -
비교예 4 89 - 11 7.4 30.9 81.7 96.2 99.3 100.1 100.5 372 399
비교예 5 76 - 24 0.4 7.5 60.4 91.7 98.5 100.1 100.8 303 376
비교예 6 72 - 28 0.1 4.2 52.8 87.6 97.0 99.0 100.0 256 350
실시예 1 54 9 37 - - - - - - - - -
실시예 2 59 14 27 0.1 3.4 40.4 77.9 91.5 96.1 99.3 173 376
실시예 3 60 18 22 0.3 4.1 42.5 81.0 92.5 95.9 99.5 180 413
실시예 4 64 22 14 0.2 3.7 45.0 81.9 93.1 98.0 99.2 196 435
실시예 5 62 35 3 0.1 3.9 51.7 87.4 96.8 99.3 100 255 446
표 4를 참조하면, 비교예 1에 따른 점착 시트는, 410 nm 파장의 광에 대한 투과도가 29.1%, 비교예 2에 따른 점착 시트는, 410nm 파장의 광에 대한 투과도가 6.9%로, 제1 광흡수 염료의 함량이 증가할수록 405 내지 420nm 의 파장 영역의 광에 대한 투과도가 낮아지고 색온도 변화량이 감소하는 것을 확인하였다. 그러나 비교예 3에 따른 점착 시트는 백탁현상이 발생하여 405 내지 550 nm 파장 영역의 광에 대한 투과도를 측정할 수 없었다.
아울러, 비교예 4 내지 6 에 따른 점착 시트는, 제2 광흡수 염료의 함량이 증가할수록 405 내지 420nm 의 파장 영역의 광에 대한 투과도가 낮아지고 색온도 변화량이 감소하는 것을 확인하였다.
그러나, 염료의 함량이 증가할수록, 즉, 비교예 4 내지 6에서 저온 및 열충격 신뢰성 시험에서 제2 광흡수 염료가 결정화되는 문제와 점착력이 저하되는 것을 확인하였다.
아울러, 실시예 1 내지 5 에 따른 점착 시트는, 제2 광흡수 염료의 함량이 증가할수록 405 내지 420nm 의 파장 영역의 광에 대한 투과도는 낮아지고, 색온도 변화량이 감소해 자외선 차단에 효과적인 것을 알 수 있다. 그러나, 비교예4, 5와 같은 이유로 점착력이 저하되는 것을 확인하였다. 제1 광흡수 염료의 함량이 증가할수록 405 내지 420nm 영역을 효과적으로 차단하며, 점착력이 높아지는 것을 알 수 있다. 한편, 실시예 1에 따른 점착 시트는 백탁현상이 발생하여 405 내지 550 nm 파장 영역의 광에 대한 투과도를 측정할 수 없었다.
참고로, 비교예 3과 실시예 1에서 백탁현상이 나타난 이유는 바인더 수지 내에 함유하는 광흡수 염료의 함량이 많아져서 바인더와 광흡수 염료와의 상용성문제로 백탁현상이 나타난 것으로 판단된다.
아울러, 실시예 2 내지 5에서 제조된 점착 시트를 405 내지 430 nm 파장 영역에서 광투과도가 20%인 지점의 파장값(T20%)을 측정하고, 405 내지 430 nm 파장 영역에서 광투과도가 10%인 지점의 파장값(T10%)을 측정하였다.
그 결과, 파장값의 차이(|T20% - T10%|)는 5nm 이하인 것을 확인하였다. 구체적으로, 1 내지 3nm 의 차이가 있었다.
10, 20: 점착 시트
11, 21: 바인더 수지
12, 22: 광흡수 염료
23: 입자상 성분
30, 31, 32: 이형 필름
100, 200, 300: 디스플레이 장치
110, 210, 310: OLED 패널
120, 320: 편광 필름
130, 330: 점착층
140, 240, 340: 윈도우층
150, 250, 350: 터치 필름
221: 제1 점착층
223: 제2 점착층
230: 제3 점착층
222: 위상차 필름
224: 편광자

Claims (15)

  1. 점착성 바인더 수지 내에 제1 및 제2 광흡수 염료가 분산된 구조이며,
    점착성 바인더 수지 100 중량부 기준으로, 제1 및 제2 광흡수 염료의 합산 함량은 90 중량부 이하이며,
    상기 제1 광흡수 염료는 하기 화학식 1로 표시되고, 상기 제2 광흡수 염료는 하기 화학식 2로 표시되며,
    하기 조건 1 및 2를 만족하는 점착 시트:
    [조건 1]
    405 nm 파장에 대한 광투과도는 5% 이하;
    410 nm 파장에 대한 광투과도는 10% 이하; 및
    420 nm 파장에 대한 광투과도는 60% 이하,

    [조건 2]
    430 nm 파장에 대한 광투과도는 75% 이상

    [화학식 1]
    Figure 112019114803124-pat00254

    화학식 1에서,
    A1, A2 및 A3는 각각 독립적으로, 페닐기 또는 화학식 1-a이고,
    A1, A2 및 A3 중 어느 하나 이상은 하기 화학식 1-a이며,
    [화학식 1-a]
    Figure 112019114803124-pat00255

    화학식 1-a에서,
    B1 내지 B5는 각각 독립적으로, 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기 또는 화학식 1-b이고,
    [화학식 1-b]
    Figure 112019114803124-pat00256

    화학식 1-b에서,
    R1은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌이고, R2는 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 16의 알콕시기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬아민기이며,
    상기 화학식 1의 A1, A2 및 A3의 하나 이상의 수소는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시카르보닐기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나로 치환되거나 비치환되고,

    [화학식 2]
    Figure 112019114803124-pat00257

    화학식 2에서,
    R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 시아노기 또는 하기 화학식 2-a로 나타내며,
    [화학식 2-a]
    Figure 112019114803124-pat00258

    화학식 2-a에서,
    a1 내지 a5는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기이고,
    R4는 수소, 시아노기 또는 하기 화학식 2-b이며,
    [화학식 2-b]
    Figure 112019114803124-pat00259

    화학식 2-b에서,
    a6는 수소 또는 탄소수 1 내지 18의 알킬기이고,
    상기 화학식 2의 R1 내지 R4의 하나 이상의 수소는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시카르보닐기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나로 치환되거나 비치환된다.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    하기 조건 3을 만족하는 점착 시트
    [조건 3]
    |T20% - T10%| < 5 (nm)
    T20%은 405 내지 430 nm 파장 영역에서 광투과도가 20%인 지점의 파장값을 나타내고,
    T10%은 405 내지 430 nm 파장 영역에서 광투과도가 10%인 지점의 파장값을 나타낸다.
  4. 바인더 수지; 및
    상기 바인더 수지에 분산된 제1 및 제2 광흡수 염료를 포함하며,
    상기 제1 광흡수 염료는 하기 화학식 1로 표시되고, 상기 제2 광흡수 염료는 하기 화학식 2로 표시되며,
    하기 조건 1 및 2를 만족하는 점착 조성물:
    [조건 1]
    405 nm 파장에 대한 광투과도는 5% 이하;
    410 nm 파장에 대한 광투과도는 10% 이하; 및
    420 nm 파장에 대한 광투과도는 60% 이하,

    [조건 2]
    430 nm 파장에 대한 광투과도는 75% 이상

    [화학식 1]
    Figure 112019114803124-pat00260

    화학식 1에서,
    A1, A2 및 A3는 각각 독립적으로, 페닐기 또는 화학식 1-a이고,
    A1, A2 및 A3 중 어느 하나 이상은 하기 화학식 1-a이며,
    [화학식 1-a]
    Figure 112019114803124-pat00261

    화학식 1-a에서,
    B1 내지 B5는 각각 독립적으로, 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기 또는 화학식 1-b이고,
    [화학식 1-b]
    Figure 112019114803124-pat00262

    화학식 1-b에서,
    R1은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌이고, R2는 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 16의 알콕시기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬아민기이며,
    상기 화학식 1의 A1, A2 및 A3의 하나 이상의 수소는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시카르보닐기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나로 치환되거나 비치환되고,

    [화학식 2]
    Figure 112019114803124-pat00263

    화학식 2에서,
    R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 시아노기 또는 하기 화학식 2-a로 나타내며,
    [화학식 2-a]
    Figure 112019114803124-pat00264

    화학식 2-a에서,
    a1 내지 a5는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기이고,
    R4는 수소, 시아노기 또는 하기 화학식 2-b이며,
    [화학식 2-b]
    Figure 112019114803124-pat00265

    화학식 2-b에서,
    a6는 수소 또는 탄소수 1 내지 18의 알킬기이고,
    상기 화학식 2의 R1 내지 R4의 하나 이상의 수소는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시카르보닐기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나로 치환되거나 비치환된다.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 광흡수 염료는 하기 화학식 3으로 표시되는 것을 특징으로 하는 점착 조성물:
    [화학식 3]
    Figure 112017131014754-pat00266

    화학식 3에서,
    A1 및 A2는 각각 독립적으로 페닐기 또는 화학식 3-a이고,
    A1, A2 및 A3 중 어느 하나 이상은 하기 화학식 3-a이며,
    [화학식 3-a]
    Figure 112017131014754-pat00267

    화학식 3-a에서,
    B1 내지 B5는 각각 독립적으로, 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기 또는 화학식 3-b이며,
    [화학식 3-b]
    Figure 112017131014754-pat00268

    화학식 3-b에서,
    R1은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌이고, R2는 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬아민기이다.
  6. 제4항에 있어서,
    화학식 1의 설명에서, A1, A2 및 A3는 아래 구조 1 내지 33 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 점착 조성물:
    <구조 1>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00269
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00270
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00271


    <구조 2>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00272
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00273
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00274


    <구조 3>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00275
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00276
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00277


    <구조 4>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00278
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00279
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00280


    <구조 5>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00281
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00282
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00283


    <구조 6>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00284
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00285
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00286


    <구조 7>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00287
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00288
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00289


    <구조 8>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00290
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00291
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00292


    <구조 9>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00293
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00294
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00295


    <구조 10>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00296
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00297
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00298


    <구조 11>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00299
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00300
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00301


    <구조 12>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00302
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00303
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00304


    <구조 13>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00305
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00306
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00307


    <구조 14>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00308
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00309
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00310


    <구조 15>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00311
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00312
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00313


    <구조 16>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00314
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00315
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00316


    <구조 17>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00317
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00318
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00319


    <구조 18>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00320
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00321
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00322


    <구조 19>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00323
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00324
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00325


    <구조 20>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00326
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00327
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00328


    <구조 21>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00329
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00330
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00331


    <구조 22>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00332
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00333
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00334


    <구조 23>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00335
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00336
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00337


    <구조 24>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00338
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00339
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00340


    <구조 25>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00341
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00342
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00343


    <구조 26>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00344
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00345
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00346


    <구조 27>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00347
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00348
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00349


    <구조 28>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00350
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00351
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00352


    <구조 29>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00353
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00354
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00355


    <구조 30>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00356
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00357
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00358


    <구조 31>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00359
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00360
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00361


    <구조 32>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00362
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00363
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00364


    <구조 33>
    A1=
    Figure 112017131014754-pat00365
    , A2=
    Figure 112017131014754-pat00366
    , A3=
    Figure 112017131014754-pat00367
    .
  7. 제4항에 있어서,
    제2 광흡수 염료는 하기 화학식 4로 표시되는 것을 특징으로 하는 점착 조성물:
    [화학식 4]
    Figure 112017131014754-pat00368

    화학식 4에서,
    R2는 시아노기이고,
    R3은 수소이며,
    Ra는 하기 화학식 4-a로 표시되고,
    [화학식 4-a]
    Figure 112017131014754-pat00369

    화학식 4-a에서,
    a1 내지 a5는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기이고,
    Rb는 하기 화학식 4-b로 표시되며,
    [화학식 4-b]
    Figure 112017131014754-pat00370

    화학식 4-b에서,
    a6는 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고,

    상기 화학식 4의 R2, R3, Ra 및 Rb 의 하나 이상의 수소는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시카르보닐기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나로 치환되거나 비치환된다.
  8. 제4항에 있어서,
    화학식 2의 설명에서, R1 내지 R4는 아래 구조 1 내지 56 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 점착 조성물:
    <구조 1>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00371
    , R2=-H, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00372


    <구조 2>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00373
    , R2=-H, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00374


    <구조 3>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00375
    , R2=-CN, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00376


    <구조 4>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00377
    , R2=-CN, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00378


    <구조 5>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00379
    , R2=-H, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00380


    <구조 6>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00381
    , R2=-H, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00382


    <구조 7>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00383
    , R2=-CN, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00384


    <구조 8>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00385
    , R2=-CN, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00386


    <구조 9>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00387
    , R2=-H, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00388


    <구조 10>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00389
    , R2=-H, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00390


    <구조 11>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00391
    , R2=-CN, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00392


    <구조 12>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00393
    , R2=-CN, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00394


    <구조 13>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00395
    , R2=-H, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00396


    <구조 14>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00397
    , R2=-H, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00398


    <구조 15>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00399
    , R2=-CN, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00400


    <구조 16>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00401
    , R2=-CN, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00402


    <구조 17>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00403
    , R2=-H, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00404


    <구조 18>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00405
    , R2=-H, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00406


    <구조 19>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00407
    , R2=-CN, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00408


    <구조 20>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00409
    , R2=-CN, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00410


    <구조 21>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00411
    , R2=-H, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00412


    <구조 22>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00413
    , R2=-H, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00414


    <구조 23>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00415
    , R2=-CN, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00416


    <구조 24>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00417
    , R2=-CN, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00418


    <구조 25>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00419
    , R2=-H, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00420


    <구조 26>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00421
    , R2=-H, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00422


    <구조 27>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00423
    , R2=-CN, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00424


    <구조 28>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00425
    , R2=-CN, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00426


    <구조 29>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00427
    , R2=-H, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00428


    <구조 30>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00429
    , R2=-H, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00430


    <구조 31>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00431
    , R2=-CN, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00432


    <구조 32>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00433
    , R2=-CN, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00434


    <구조 33>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00435
    , R2=-H, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00436


    <구조 34>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00437
    , R2=-H, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00438


    <구조 35>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00439
    , R2=-CN, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00440


    <구조 36>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00441
    , R2=-CN, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00442


    <구조 37>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00443
    , R2=-H, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00444


    <구조 38>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00445
    , R2=-H, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00446


    <구조 39>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00447
    , R2=-CN, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00448


    <구조 40>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00449
    , R2=-CN, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00450


    <구조 41>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00451
    , R2=-H, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00452


    <구조 42>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00453
    , R2=-H, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00454


    <구조 43>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00455
    , R2=-CN, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00456


    <구조 44>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00457
    , R2=-CN, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00458


    <구조 45>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00459
    , R2=-H, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00460


    <구조 46>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00461
    , R2=-H, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00462


    <구조 47>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00463
    , R2=-CN, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00464


    <구조 48>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00465
    , R2=-CN, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00466


    <구조 49>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00467
    , R2=-H, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00468


    <구조 50>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00469
    , R2=-H, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00470


    <구조 51>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00471
    , R2=-CN, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00472


    <구조 52>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00473
    , R2=-CN, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00474


    <구조 53>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00475
    , R2=-H, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00476


    <구조 54>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00477
    , R2=-H, R3=-CN, R4=
    Figure 112017131014754-pat00478


    <구조 55>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00479
    , R2=-CN, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00480


    <구조 56>
    R1=
    Figure 112017131014754-pat00481
    , R2=-CN, R3=-H, R4=
    Figure 112017131014754-pat00482
    .
  9. 제 4 항에 있어서,
    바인더 수지 100 중량부를 기준으로,
    상기 바인더 수지에 분산된 제1 및 제2 광흡수 염료의 합산 함량은 3 내지 90 중량부 범위인 점착 조성물.
  10. 제 4 항에 있어서,
    제1 광흡수 염료 및 제2 광흡수 염료의 함량 비율은 1:99 내지 99:1 중량비 범위인 점착 조성물.
  11. 제 4 항에 있어서,
    평균 굴절률이 1.3 내지 2.1 범위인 입자상 성분을 더 포함하는 점착 조성물.
  12. 제 11 항에 있어서,
    입자상 성분은,
    금속 산화물, 금속 질화물 및 금속 산질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 입자;
    실리콘 및 아크릴 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유기 입자; 및
    상기 금속 입자를 구성하는 성분 및 유기 입자를 구성하는 성분을 함유하는 유-무기 입자
    중 어느 하나 이상을 포함하는 점착 조성물.
  13. 제 11 항에 있어서,
    입자상 성분의 평균 입경은 0.1 내지 5 ㎛ 범위인 점착 조성물.
  14. 제 11 항에 있어서,
    입자상 성분과 바인더 수지의 굴절률 차이는 0.05 이상인 점착 조성물.
  15. 제 4 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 점착 조성물로 형성된 점착층을 포함하는 디스플레이 장치.
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