KR102089527B1 - 크리스탈 바이올렛 및 은 나노 와이어를 포함하는 전도성 막 및 크리스탈 바이올렛 및 은 나노 와이어 잉크를 포함하는 전도성 막 형성용 조성물 - Google Patents

크리스탈 바이올렛 및 은 나노 와이어를 포함하는 전도성 막 및 크리스탈 바이올렛 및 은 나노 와이어 잉크를 포함하는 전도성 막 형성용 조성물 Download PDF

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Abstract

크리스탈 바이올렛 및 은 나노 와이어를 포함하는 전도성 막 및 크리스탈 바이올렛 및 은 나노 와이어 잉크를 포함하는 전도성 막 형성용 조성물에 관한 것으로, 상기 전도성 막 형성용 조성물은 크리스탈 바이올렛을 더 포함함으로써, 은 나노와이어를 포함하는 전도성 막 또는 투명 전도성 막을 제조하였을 때, 전도성 막의 황변현상이 개선됨으로써, 광학 특성이 우수할 뿐만 아니라, 면저항, UV 내광성 및 내열성도 우수하여, 액정 표시장치, 플라즈마 표시장치, 터치패널, 전계발광 장치, 박막태양전지, 염료감응태양전지, 무기물 결정질 태양전지 등의 전극에 유용하게 사용될 수 있다.

Description

크리스탈 바이올렛 및 은 나노 와이어를 포함하는 전도성 막 및 크리스탈 바이올렛 및 은 나노 와이어 잉크를 포함하는 전도성 막 형성용 조성물{A conductive film comprising crystal violet and silver nano wire and a composition for forming conductive film comprising crystal violet and silver nano wire ink}
크리스탈 바이올렛 및 은 나노 와이어를 포함하는 전도성 막 및 크리스탈 바이올렛 및 은 나노 와이어 잉크를 포함하는 전도성 막 형성용 조성물에 관한 것이다.
투명 도전성 기재는 유리 기판 또는 플라스틱 필름 등의 일면에 ITO와 같은 투명한 도전성 박막을 형성하여 가시광선 영역에서 투명하고, 도전성을 갖는 기재를 말하는 것으로, 현재 터치 패널 등에 널리 사용되고 있다.
이러한 투명 도전성 기재에 있어서, 중요한 성능은 도전성과 투명성으로, 도전성이 떨어지면 원활한 구동이 어렵고, 투명성이 저하되면 디스플레이 성능이 떨어지게 된다. 그러나 도전성 기재의 도전성을 향상시키기 위해 도전성 박막의 두께를 두껍게 형성하면 도전성 박막의 표면 반사율과 흡수율이 증가하면서 투과율이 떨어져 투명성이 저하되기 때문에, 도전성과 투명성을 모두 향상시키는 것은 매우 어려운 일이다.
ITO를 대체할 수 있는 차세대 투명전극 물질 중 하나인 은 나노와이어(Silver nanowire)는 길이는 수십 마이크로, 직경은 수십 나노의 크기인 가늘고 긴 와이어(wire) 형태의 금속물질이다. 나노와이어의 재료 물질인 은(Silver)은 다양한 금속들 중 전기전도도가 매우 높은 물질이며, 매장량이 일부 국가에 편중되어 있지 않고 부존량 또한 많아 균일한 가격을 형성하고 있다. 그리고 은 나노와이어는 제조 공정이 단순하고 제작 단가가 낮아 ITO를 대체하는 물질 중 큰 경쟁력을 갖추고 있다. 또한, 은을 1차원적 구조인 나노와이어의 형태로 제작할 경우 곡률을 가진 필름위에도 전극을 형성시킬수 있어 ITO의 단점으로 꼽히는 플렉서블 디스플레이 제품에도 적용 가능해 높은 디자인 자유도를 가지고 있다.
하지만 은 나노와이어 전극의 많은 장점에도 불구하고 은 나노와이어 전극은 전극 제작 시 전극 표면이 은 나노와이어에 의해 노랗게 변하는 현상이 나타나 투명전극에 필요한 높은 투과도에 큰 단점으로 작용한다. 더 나아가 전극 표면의 노란 색상은 터치 스크린과 같은 패턴 전극에 도입 시 전극 패턴이 눈에 보이는 문제가 발생해 시인성이 떨어진다[15]. 또한 은 나노와이어는 금속 물질의 특징으로 은 나노와이어 이전의 상태인 산화은으로 다시 돌아가려는 성질이 있으며 전극이 산화되면 전기전도성을 잃어 저항이 상승하는 문제점이 발생한다.
S. Ye, et al. "Metal Nanowire Networks: The Next Generation of Transparent Conductors"Adv. Mater. 1-18 (2014) E. H. Cho, et al. "Low-visibility patterning of transparent conductive silver-nanowire films" Electro-optical materials 26095-26103 (2015)
본 발명의 일 목적은 은 나노와이어를 포함하는 황변현상이 개선된 전도성 막을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 은 나노와이어 잉크를 포함하는 전도성 막 형성용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 은 나노와이어를 포함하는 황변현상이 개선된 투명 전도성 막을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 투명 전도성 막의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명의 일 측면에 따라, 은 나노와이어를 포함하는 전도성 막으로서,
상기 전도성 막이 크리스탈 바이올렛을 포함하는, 전도성 막이 제공된다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 은 나노와이어 잉크를 포함하는 전도성 막 형성용 조성물로서,
상기 조성물이 용매에 분산된 크리스탈 바이올렛을 포함하는, 상기 조성물이 크리스탈 바이올렛을 포함하는, 전도성 막 형성용 조성물이 제공된다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 투명 기재; 및
상기 투명 기재의 일면에 은 나노와이어 및 크리스탈 바이올렛을 포함하는 투명 전도성 막이 제공된다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 투명 기재를 준비하는 단계(단계 1);
상기 투명 기재의 일면에 은 나노와이어 및 크리스탈 바이올렛을 포함하는 전도성 막을 증착하는 단계(단계 2);를 포함하는 투명 전도성 막의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 은 나노와이어를 포함하는 전도성 막 형성용 조성물은 크리스탈 바이올렛을 더 포함함으로써, 은 나노와이어를 포함하는 전도성 막 또는 투명 전도성 막을 제조하였을 때, 전도성 막의 황변현상이 개선됨으로써, 광학 특성이 우수할 뿐만 아니라, 면저항, UV 내광성 및 내열성도 우수하여, 액정 표시장치, 플라즈마 표시장치, 터치패널, 전계발광 장치, 박막태양전지, 염료감응태양전지, 무기물 결정질 태양전지 등의 전극에 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명의 일 측면은 황변현상이 개선된 은 나노와이어를 포함하는 전도성 막을 제공하는 것으로,
구체적으로, 은 나노와이어를 포함하는 전도성 막으로서, 상기 전도성 막이 크리스탈 바이올렛을 포함하는, 전도성 막을 제공한다.
상기 전도성 막에서, 크리스탈 바이올렛은 전도성 막 내에 분산되어 있을 수 있다.
또한, 상기 전도성 막은 KOH를 더 포함할 수 있으며, KOH는 전도성 막 내에 분산되어 있을 수 있다.
본 발명에 따른 은 나노와이어를 포함하는 전도성 막은 다른 염료가 아닌 크리스탈 바이올렛을 포함함으로써 탁도(Haze), b* 및 a*값을 모두 고려하였을 때 가장 우수한 광학적 특성을 나타낸다(실험예 1 및 표 2 참조).
또한, 본 발명에 따른 은 나노와이어를 포함하는 전도성 막은 크리스탈 바이올렛을 포함하고, KOH를 더 포함함으로써 크리스탈 바이올렛으로 단독으로 포함할 경우보다, 광학특성 및 면저항, UV 내광성 및 내열성이 향상되는 특성을 나타낸다(실험예 4 및 표 5 참조)
상기 본 발명에 따른 은 나노와이어를 포함하는 전도성 막은 크리스탈 바이올렛을 포함함으로써, 면저항이 40 Ω/sq 이하이며, b* 값이 1.0 이하이고, 광투과도가 85% 이상이며, 헤이즈 값이 0.8% 이하로서, 전도성 막, 특히, 투명 전도성 막으로 유용하게 사용될 수 있다.
또한, 농도 조절을 통해 넓은 범위의 투명 전도막 구현이 가능하므로, 전기장치 또는 광학장치에 유용하게 활용될 수 있다. 구체적인 예로는 액정 표시장치, 플라즈마 표시장치, 터치패널, 전계발광 장치, 박막태양전지, 염료감응태양전지, 무기물 결정질 태양전지 등의 전극에 유용하게 활용될 수 있다.
본 발명의 다른 측면은, 은 나노와이어 잉크를 포함하는 전도성 막 형성용 조성물로서,
상기 조성물이 용매에 분산된 크리스탈 바이올렛을 포함하는, 상기 조성물이 크리스탈 바이올렛을 포함하는, 전도성 막 형성용 조성물을 제공한다.
상기 조성물은, 구체적으로, 은 나노와이어 잉크에 용매에 분산된 크리스탈 바이올렛을 홈합한 것으로, 용매에 분산된 크리스탈 바이올렛은 크리스탈 바이올렛은 용매에 분산시킨 크리스탈 바이올렛 용액을 나타낸다.
상기 전도성 막 형성용 조성물에서,
용매는 물, 에탄올, DMSO(Dimethylsulfoxide), 아세토니트릴, 디아세톤 알콜(diacetone alcohol) 및 테트라하이드로퓨란으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있고, 아세토니트릴일 수 있다.
아세토니트릴을 용매로 사용할 때, b*값이 가장 감소하는 것을 알 수 있으며, 다른 용매의 경우 UV 내광성을 나타내지 않는 바, 아세토니트릴을 용매로 사용하는 것이 투과도, Haze, b*, 면저항 및 UV 내광성값을 모두 고려하였을 때, 적합할 수 있다(실험예 2 및 표 3 참조).
크리스탈 바이올렛은 상기 용매 100 wt%에 대하여 1 내지 1.7 wt%로 포함될 수 있다. 크리스탈 바이올렛을 1 wt% 미만으로 첨가할 경우, b*값의 감소가 적고, 1.7 wt%를 초과할 경우, 면저항 값이 급격히 상승하고, 용해도가 떨어지는 문제가 있다.
또한, 크리스탈 바이올렛은 상기 용매 100 wt%에 대하여 1.2 내지 1.5 wt%로 포함될 수 있다. 크리스탈 바이올렛을 용매 100 wt%에 대하여 1.2 내지 1.5 wt%로 포함할 경우, 광학적 특성, 면저항, 용해도가 모두 우수한 효과를 나타낼 수 있다.
상기 조성물은 KOH를 더 포함할 수 있다. KOH는 용매에 분산된 크리스탈 바이올렛에 포함되어 은 나노와이어 잉크에 혼합된다.
KOH는 상기 용매 100 wt%에 대하여 0.5 내지 1.0 wt%로 포함될 수 있다. KOH가 0.5 wt% 미만으로 포함될 경우, 내열성이 개선되지 않고, 1.0 wt% 초과로 포함될 경우, 면저항 값이 급격히 상승하고, 용해도가 떨어지며, b*값이 오히려 상승하는 효과가 있을 수 있다.
또한, KOH는 상기 용매 100 wt%에 대하여 1.0 wt%로 포함할 경우, 광학적 특성, 면저항, 용해도. 내광성 및 내열성이 모두 우수한 효과를 나타낼 수 있다.
한편, 용매에 분산된 크리스탈 바이올렛, 즉, 크리스탈 바이올렛 용액은, 은 나노와이어 잉크 100 wt%에 대하여 0.3 내지 0.7 wt%로 포함할 수 있다. 0.3 wt% 미만으로 포함될 경우, b*값의 감소가 적어, 황변현상 개선 효과를 기대할 수 없고, 0.7 wt% 초과로 포함될 경우, 면저항 값이 급격히 상승하는 문제가 있을 수 있다.
본 발명의 다른 측면은, 투명 기재; 및
상기 투명 기재의 일면에 은 나노와이어 및 크리스탈 바이올렛을 포함하는 투명 전도성 막을 제공한다.
상기 투명 기재는 경성 또는 연성일 수 있다. 예를 들어, 실리콘 기판, 유리 기판, 폴리 메틸 메타크릴레이트(Poly methyl methacrylate, PMMA) 기판, 폴리 비닐 피롤리돈(Poly vinyl pirrolidone, PVP) 기판, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS) 기판, 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC) 기판, 폴리에테르술폰(Polyethersulfone, PES)기판, 고리형 올레핀 고분자(Cyclic olefin copolymer, COC) 기판, TAC(Triacetylcellulose) 기판, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol) 기판, 폴리이미드(Polyimide, PI) 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET) 기판, 폴리에테르설폰(Polyether sulfone, PES) 기판 및 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate, PEN) 기판 등이 사용될 수 있다.
상기 투명 전도성 막은 크리스탈 바이올렛을 포함함으로써, 면저항이 40 Ω/sq 이하이며, b* 값이 1.0 이하이고, 광투과도가 85% 이상이며, 헤이즈 값이 0.8% 이하로서, 투명 전도성 막으로 유용하게 사용될 수 있고, 농도 조절을 통해 넓은 범위의 투명 전도막 구현이 가능하므로, 전자기기, 전기장치 또는 광학장치에 유용하게 활용될 수 있다. 구체적인 예로는 액정 표시장치, 플라즈마 표시장치, 터치패널, 전계발광 장치, 박막태양전지, 염료감응태양전지, 무기물 결정질 태양전지 등의 전극에 유용하게 활용될 수 있다.
또한, 전자기기의 구체적인 예로서, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 유기 전계발광(electroluminescence) 디스플레이나 전자 페이퍼 등의 표시 디바이스, 터치 패널 등의 입력 센서, 박막형 비정질 Si 태양 전지나 색소 증감(增感) 태양 전지 등의 태양광을 이용한 태양 전지 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면은, 투명 기재를 준비하는 단계(단계 1);
상기 투명 기재의 일면에 은 나노와이어 및 크리스탈 바이올렛을 포함하는 전도성 막을 증착하는 단계(단계 2);를 포함하는 투명 전도성 막의 제조방법을 제공한다.
이하, 상기 본 발명에 따른 투명 전도성 막의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.
상기 단계 1은 투명 기재를 준비하는 단계로서, 상기 투명 기재로는 실리콘 기판, 유리 기판, 폴리 메틸메타크릴레이트(Poly methyl methacrylate, PMMA) 기판, 폴리 비닐 피롤리돈(Poly vinyl pirrolidone, PVP) 기판, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS) 기판, 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC) 기판, 폴리에테르술폰(Polyethersulfone, PES) 기판, 고리형 올레핀 고분자(Cyclic olefin copolymer, COC) 기판, 트리아세틸셀룰로오스 (Triacetylcellulose, TAC) 기판, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol) 기판, 폴리이미드(Polyimide, PI)기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET) 기판 및 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate, PEN) 기판을 준비할 수 있다.
상기 단계 2는 투명 기재의 일면에 은 나노와이어 및 크리스탈 바이올렛을 포함하는 전도성 막을 증착하는 단계로서, 구체적으로, 본 발명에 따른 전도성 막 형성용 조성물을 투명기재에 도포하고, 건조하여 전도성 막을 증착하는 단계이다.
전도성 막 형성용 조성물을 상기 투명 기재 상에 증착하는 단계는, 예를 들어 바코팅, 슬롯-다이코팅, 딥코팅, 나이프코팅, 스크린 코팅, 그라비아코팅, 또는 에어-나이프 코팅 등 다양한 방법을 사용할 수 있다. 전도성 막의 두께에 따라 건조 시간은 1 내지 3분, 온도는 50 내지 150 ℃ 범위에서 조절할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 일 실시예에서는, 전도성 막 형성용 조성물을 투명 기재에 토포하고, 50 ℃ 오븐에서 3분간 건조하고, 120 ℃ 오븐에서 2분간 건조하여 수행하였으나, 이는 일례일 뿐, 이에 한정되는 것은 아니다.
이하, 본 발명을 실시예 및 실험예에 의해 상세히 설명한다.
단, 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예 및 실험예에 한정되는 것은 아니다.
<전도성 막 형성용 조성물의 제조>
<제조예> 은 나노와이어 잉크의 제조
탈이온수에 은 나노와이어를 0.23 wt%가 되도록 무게분율로 계산하여 첨가하여 은 나노와이어 잉크를 제조하여 하기 실시예 A에서 사용하였다.
<실시예 A-1> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
단계 1: 아세토니트릴에 크리스탈 바이올렛(Crystal Violet)이 1.0 wt%가 되도록 무게분율로 계산하여 첨가하여 크리스탈 바이올렛 용액을 제조하였다.
단계 2: 제조예에서 얻은 은 나노와이어 잉크에 상기 크리스탈 바이올렛 용액이 0.5 wt%가 되도록 무게분율로 계산하여 첨가하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-2> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
아세토니트릴 대신 탈이온수를 사용한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-1과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-2> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
아세토니트릴 대신 에탄올을 사용한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-1과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-4> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
아세토니트릴 대신 DMSO(Dimethyl Sulfoxide)를 사용한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-1과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-5> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
아세토니트릴 대신 디아세톤 알콜(diacetone alcohol, DAA)을 사용한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-1과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-6> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
아세토니트릴 대신 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran, THF)을 사용한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-1과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-7> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
상기 실시예 A-1의 단계 1에서, 크리스탈 바이올렛을 0.5 wt%가 되도록 첨가한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-1과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-8> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
상기 실시예 A-1의 단계 1에서, 크리스탈 바이올렛을 0.7 wt%가 되도록 첨가한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-1과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-9> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
상기 실시예 A-1의 단계 1에서, 크리스탈 바이올렛을 1.2 wt%가 되도록 첨가한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-1과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-9> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
상기 실시예 A-1의 단계 1에서, 크리스탈 바이올렛을 1.2 wt%가 되도록 첨가한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-1과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-10> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
상기 실시예 A-1의 단계 1에서, 크리스탈 바이올렛을 1.5 wt%가 되도록 첨가한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-1과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-11> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
상기 실시예 A-1의 단계 1에서, 크리스탈 바이올렛을 2.0 wt%가 되도록 첨가한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-1과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-12> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
단계 1: 아세토니트릴에 크리스탈 바이올렛(Crystal Violet)이 1.2 wt%가 되도록, KOH가 0.5 wt% 되도록 각각 무게분율로 계산하여 첨가하여 크리스탈 바이올렛 용액을 제조하였다.
단계 2: 제조예에서 얻은 은 나노와이어 잉크에 상기 크리스탈 바이올렛 용액이 0.5 wt%가 되도록 무게분율로 계산하여 첨가하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-13> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
상기 실시예 A-12의 단계 1에서, KOH를 0.7 wt%가 되도록 첨가한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-12와 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-14> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
상기 실시예 A-12의 단계 1에서, KOH를 1.0 wt%가 되도록 첨가한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-12와 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-15> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
상기 실시예 A-12의 단계 1에서, KOH를 1.2 wt%가 되도록 첨가한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-12와 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-16> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
단계 1: 아세토니트릴에 크리스탈 바이올렛(Crystal Violet)이 1.2 wt%가 되도록, KOH가 1.0 wt% 되도록 각각 무게분율로 계산하여 첨가하여 크리스탈 바이올렛 용액을 제조하였다.
단계 2: 제조예에서 얻은 은 나노와이어 잉크에 상기 크리스탈 바이올렛 용액이 0.1 wt%가 되도록 무게분율로 계산하여 첨가하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-17> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
상기 실시예 A-16의 단계 2에서, 크리스탈 바이올렛 용액을 0.3 wt%가 되도록 첨가한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-16과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-18> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
상기 실시예 A-16의 단계 2에서, 크리스탈 바이올렛 용액을 0.7 wt%가 되도록 첨가한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-16과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<실시예 A-19> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
상기 실시예 A-16의 단계 2에서, 크리스탈 바이올렛 용액을 1.0 wt%가 되도록 첨가한 것을 제외하고 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-16과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<비교예 A-1> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
비교예로 아무것도 첨가하지 않은 제조예에서 얻은 은 나노와이어 잉크를 추가 첨가제 없이 사용하였다.
<비교예 A-2> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
크리스탈 바이올렛 대신 로다민 B(Rhodamine B)를 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-1과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<비교예 A-3> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
크리스탈 바이올렛 대신 로다민 6G(Rhodamine 6G)를 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-1과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<비교예 A-4> 전도성 막 형성용 조성물의 제조
크리스탈 바이올렛 대신 메틸렌 블루(Methylene Blue)를 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 A-1과 동일한 방법을 수행하여 전도성 막 형성용 조성물을 제조하였다.
<투명 전도성 막의 제조>
<실시예 B-1> ~ <실시예 B-19> 투명 전도성 막의 제조
단계 1: PET 기판을 준비하였다.
단계2: 상기 실시예 A-1 내지 A-19의 전도성 막 형성용 조성물을 상기 단계 1에서 준비한 PET 기판에 각각 도포하여 50 ℃ 오븐에서 3분간 건조하고, 120 ℃ 오븐에서 2분간 건조하여 실시예 B-1 내지 B-19의 투명 전도성 막을 제조하였다.
<비교예 B-1> ~ <비교예 B-4> 투명 전도성 막의 제조
단계 1: PET 기판을 준비하였다.
단계2: 상기 비교예 A-1 내지 A-4의 전도성 막 형성용 조성물을 상기 단계 1에서 준비한 PET 기판에 각각 도포하여 50 ℃ 오븐에서 3분간 건조하고, 120 ℃ 오븐에서 2분간 건조하여 비교예 B-1 내지 B-4의 투명 전도성 막을 제조하였다.
하기 표 1에 상기 제조한 전도성 막 형성용 조성물의 제조 조건을 정리하여 나타내었으며, 각 전도성 막 형성용 조성물을 사용하여 제조한 전도성 막의 실시예 번호도 함께 나타내었다.
전도성막 조성물 단계 1 단계 1 단계 1 단계 1 단계 1 단계 2
실시예 실시예 염료
종류		 염료
첨가량		 용매
종류		 KOH
첨가여부		 KOH
첨가량		 염료 용액
사용량
B-1 A-1 크리스탈
바이올렛		 1.0 wt% 아세토
니트릴		 X - 0.5 wt%
B-2 A-2 “ “ 탈이온수 X - “
B-3 A-3 “ “ 에탄올 X - “
B-4 A-4 “ “ DMSO X - “
B-5 A-5 “ “ DAA X - “
B-6 A-6 “ “ THF X - “
B-7 A-7 “ 0.5 wt% 아세토
니트릴		 X - “
B-8 A-8 “ 0.7 wt% “ X - “
B-9 A-9 “ 1.2 wt% “ X - “
B-10 A-10 “ 1.5 wt% “ X - “
B-11 A-11 “ 2.0 wt% “ X - “
B-12 A-12 “ 1.2 wt% “ O 0.5 wt% “
B-13 A-13 “ “ “ O 0.7 wt% “
B-14 A-14 “ “ “ O 1.0 wt% “
B-15 A-15 “ “ “ O 1.2 wt% “
B-16 A-16 “ “ “ O 1.0 wt% 0.1 wt%
B-17 A-17 “ 0.3 wt%
B-18 A-18 “ 0.7 wt%
B-19 A-19 “ 1.0 wt%
비교예
B-2		 비교예
A-2		 로다민 B 1.0 wt% 아세토
니트릴		 X - 0.5 wt%
비교예
B-3		 비교예
A-3		 로다민 6G 1.0 wt% 아세토
니트릴		 X - 0.5 wt%
비교예
B-4		 비교예
A-4		 메틸렌
블루		 1.0 wt% 아세토
니트릴		 X - 0.5 wt%
<실험예 1> 염료의 종류에 따른 광학적 특성 및 면저항 분석
염료 종류에 따른 전도성 막의 광학적 특성(투과도, Haze(탁도), b* 및 a*) 및 면저항을 분석하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. CM-5(Konica minolta사)를 이용해 투과도 및 헤이즈를 측정하였다.
염료종류 T.T (%) Haze b* a* 면저항
Bare PET - 92.17 0.12 0.48 -0.01 N/A
비교예 B-1 염료
사용없음		 90.06 0.92 1.61 -0.21 40
비교예 B-2 로다민 B 89.10 0.95 0.05 1.11 40
비교예 B-3 로다민 6G 88.85 1.05 0.01 0.91 41
비교예 B-4 메틸렌블루 89.50 0.89 0.78 -1.21 40
실시예 B-1 크리스탈
바이올렛		 89.81 0.71 0.18 -0.21 35
상기 표 2에서,
T.T (%)는 투과도이고,
b*는 황색도이고,
a*는 적색도이다.
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 염료 용액을 첨가하지 않은 은 나노와이어 잉크(비교예 1)을 사용할 때보다, 염료 용액을 첨가할 경우에 b* 감소 효과는 나타내고, 투과도는 전체적으로 유사한 값을 나타내는 것을 알 수 있다.
그러나, 크리스탈 바이올렛을 염료로 사용한 본 발명에 따른 전도성 막 형성용 조성물을 사용하여 제조한 실시예 B-1의 전도성 막이 탁도(Haze), b* 및 a*값을 모두 고려하였을 때 가장 우수한 광학적 특성을 나타내는 바, 크리스탈 바이올렛이 가장 적합한 염료임을 알 수 있다.
<실험예 2> 용매의 종류에 따른 광학적 특성, 면저항, 용해도 및 UV 내광성 분석
용매 종류에 따른 전도성 막의 광학적 특성(투과도, Haze(탁도) 및 b*), 면저항, 용해도 및 UV 내광성을 분석하여 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다. CM-5(Konica minolta사)를 이용해 투과도 및 헤이즈를 측정하였다.
용매종류 T.T (%) Haze b* 면저항 용해도 내광성
비교예 B-1 - 90.06 0.92 1.61 40 - -
실시예 B-2 탈이온수 89.43 0.78 0.89 36 O X
실시예 B-3 에탄올 89.33 0.76 0.78 38 O X
실시예 B-4 DMSO 89.32 0.74 0.68 37 O X
실시예 B-1 아세토
니트릴		 89.81 0.71 0.18 35 O Δ
실시예 B-5 DAA 89.46 0.73 0.59 38 O X
실시예 B-6 THF X X X X X X
상기 표 3에서,
T.T (%)는 투과도이고,
b*는 황색도이다.
상기 표 3에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예의 전도성 막은 염료 용액을 첨가하지 않은 은 나노와이어 잉크(비교예 1)을 사용할 때보다, 다양한 용매에 분산된 크리스탈 바이올렛 용액을 첨가할 경우에 b* 감소 효과는 나타내는 것을 알 수 있다.
그러나, 아세토니트릴을 용매로 사용할 때, 투과도가 가장 높고, 헤이즈 값이 가장 낮은 것을 알 수 있으며, b*값이 가장 감소하는 것을 알 수 있다. 또한, 다른 용매의 경우 UV 내광성을 나타내지 않는 바, 아세토니트릴을 용매로 사용하는 것이 투과도, Haze, b*, 면저항 및 UV 내광성값을 모두 고려하였을 때, 가장 적합함을 알 수 있다.
<실험예 3> 염료의 사용량에 따른 광학적 특성, 면저항 및 용해도 분석
전도성 막 형성용 조성물 실시예 A의 단계 1에서, 크리스탈 바이올렛 용액 제조시, 크리스탈 바이올렛의 사용량에 따른 전도성 막의 광학적 특성(투과도, Haze(탁도) 및 b*), 면저항 및 용해도를 분석하여 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다. CM-5(Konica minolta사)를 이용해 투과도 및 헤이즈를 측정하였다.
염료
첨가량		 T.T (%) Haze b* 면저항 용해도
비교예 B-1 - 90.06 0.92 1.61 40 -
실시예 B-7 0.5 wt% 89.73 0.77 1.19 35 O
실시예 B-8 0.7 wt% 89.56 0.73 0.74 35 O
실시예 B-1 1.0 wt% 89.81 0.71 0.18 35 O
실시예 B-9 1.2 wt% 89.28 0.72 0.11 34 O
실시예 B-10 1.5 wt% 89.15 0.71 0.01 34 O
실시예 B-11 2.0 wt% 88.80 0.69 -0.31 51 X
상기 표 4에서,
T.T (%)는 투과도이고,
b*는 황색도이다.
상기 표 4에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예의 전도성 막은, 염료 용액을 첨가하지 않은 은 나노와이어 잉크(비교예 1)을 사용할 때보다, 크리스탈 바이올렛을 첨가할 경우에 b* 감소 효과를 나타낸다.
또한, 크리스탈 바이올렛의 첨가량이 늘어날수록 투과도, 헤이즈 및 b* 값이 감소하는 경향을 나타내나, 2.0 wt% 이상 첨가할 경우, 아세토니트릴에서 용해가 되지않으며, b*값이 과도하게 감소하고, 면저항이 급격히 상승하는 것을 알 수 있다.
또한, 0.5 wt% 이하로 첨가할 경우, b*값이 감소함에도 불구하고 여전히 높은 값을 유지하여, 황변현상을 방지하기에 무리가 있다.
따라서, 광학적 특성, 면저항, 용해도를 모두 고려하였을 때, 0.5 내지 2.0 wt%로 크리스탈 바이올렛을 사용하는 것이 적합하며, 1.2 내지 1.5 wt%로 크리스탈 바이올렛을 사용하는 경우가 가장 적합하다.
<실험예 4> KOH의 사용량에 따른 광학적 특성, 면저항, 용해도, 내광성 및 내열성 분석
전도성 막 형성용 조성물 실시예 A의 단계 1에서, 크리스탈 바이올렛 용액 제조시, KOH의 사용량에 따른 전도성 막의 광학적 특성(투과도, Haze(탁도) 및 b*), 면저항, 용해도, 내광성 및 내열성을 분석하여 그 결과를 하기 표 5에 나타내었다. CM-5(Konica minolta사)를 이용해 투과도 및 헤이즈를 측정하였다.
KOH 첨가량 T.T (%) Haze b* 면저항 용해도 내광성 내열성
비교예 B-1 - 90.06 0.91 1.61 40
실시예 B-9 - 89.28 0.72 0.11 34 O Δ X
실시예 B-12 0.5 wt% 89.36 0.73 0.74 38 O Δ Δ
실시예 B-13 0.7 wt% 89.53 0.73 0.65 37 O Δ O
실시예 B-14 1.0 wt% 89.53 0.73 0.18 35 O O O
실시예 B-15 1.2 wt% 89.53 2.19 0.34 62 X O O
상기 표 5에서,T.T (%)는 투과도이고,
b*는 황색도이다.
상기 표 5에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예의 전도성 막은, 염료 용액을 첨가하지 않은 은 나노와이어 잉크(비교예 1)을 사용할 때보다, 본 발명에 따른 전도성 막 형성용 조성물을 사용할 경우, 모든 실시예에서 b* 감소 효과를 나타낸다.
여기에, KOH를 0.5 wt%로 첨가할 경우(실시예 B-12)에는 b*값은 첨가하지 않은 경우(실시예 B-9)보다 상승되나, 내열성이 현저하게 상승하는 효과를 나타내는 것을 알 수 있다. 이로부터 KOH가 내열성 및 내광성의 개선효과는 가져올 수 있으나, 염료의 효과는 감소시킴을 알 수 있다.
한편, KOH를 0.7 wt%로 첨가할 경우(실시예 B-13), b*값이 0.5 wt%로 KOH를 첨가하였을 때(실시예 B-12)보다 감소하며, 내열성이 0.5 wt%첨가시보다 현저하게 상승하는 것을 알 수 있다.
또한, KOH를 1.0 wt%로 첨가할 경우(실시예 B-14), b*값이 0.5 wt%로 KOH를 첨가하였을 때(실시예 B-12)보다 b*값이 현저하게 감소하며, 내열성 뿐만 아니라, UV 내광성도 현저하게 상승하는 효과를 나타내었다.
한편, KOH를 1.2 wt%로 첨가할 경우(실시예 B-15), b*값이 오히려 1.0 wt% 첨가할시보다 증가하는 현상을 나타낼 뿐만 아니라, 헤이즈 값이 급격히 상승하고, 면저항이 현저하게 높은 값을 나타내고, 용해도가 급격하게 낮아지는 효과를 나타내었다.
따라서, 광학적 특성, 면저항, 용해도. 내광성 및 내열성을 모두 고려하였을 때, 0.5 내지 1.0 wt%로 KOH를 사용하는 것이 적합하며, 1.0 wt%로 KOH 사용하는 경우가 가장 적합하다.
<실험예 5> 은 나노와이어 잉크에 크리스탈 바이올렛 용액의 첨가량에 따른 광학적 특성, 면저항, 용해도, 내광성 및 내열성 분석
전도성 막 형성용 조성물 실시예 A의 단계 2에서, 단계 1에서 제조된 크리스탈 바이올렛 용액의 은 나노와이어 잉크에의 첨가량에 따른 광학적 특성(투과도, Haze(탁도) 및 b*), 면저항, 용해도, 내광성 및 내열성을 분석하여 그 결과를 하기 표 6에 나타내었다. CM-5(Konica minolta사)를 이용해 투과도 및 헤이즈를 측정하였다.
크리스탈
바이올렛 용액
첨가량		 T.T (%) Haze b* 면저항 용해도 내광성 내열성
비교예 B-1 - 90.06 0.91 1.61 40
실시예 B-16 0.1 wt% 89.90 0.77 1.43 36 O O O
실시예 B-17 0.3 wt% 89.57 0.73 0.71 38 O O O
실시예 B-14 0.5 wt% 89.53 0.73 0.18 35 O O O
실시예 B-18 0.7 wt% 89.39 0.71 0.08 35 O O O
실시예 B-19 1.0 wt% 89.19 0.69 -0.01 60 O O O
상기 표 6에서,
T.T (%)는 투과도이고,
b*는 황색도이다.
상기 표 6에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예의 전도성 막은, 염료 용액을 첨가하지 않은 은 나노와이어 잉크(비교예 1)을 사용할 때보다, 본 발명에 따른 전도성 막 형성용 조성물을 사용할 경우, 모든 실시예에서 b* 감소 효과를 나타낸다.
구체적으로,
전도성 막 형성용 조성물 실시예 A의 단계 2에서, 은 나노와이어 잉크에 크리스탈 바이올렛 용액을 0.1 wt%로 첨가할 경우(실시예 B-16)에는 b*값의 감소정도가 첨가하지 않은 경우(비교예 B-1)보다 크게 개선되는 효과를 나타내지는 않았으나, 헤이즈 값이 감소되는 효과를 나타내는 것을 알 수 있다.
또한, 전도성 막 형성용 조성물 실시예 A의 단계 2에서, 은 나노와이어 잉크에 크리스탈 바이올렛 용액을 0.3 wt%로 첨가할 경우(실시예 B-17), b*값이 첨가하지 않은 경우(비교예 B-1)보다 55% 이상 현저히 감소됨을 알 수 있다.
또한, 전도성 막 형성용 조성물 실시예 A의 단계 2에서, 은 나노와이어 잉크에 크리스탈 바이올렛 용액을 0.5 wt%로 첨가할 경우(실시예 B-14), b*값이 첨가하지 않은 경우(비교예 B-1)보다 80% 이상 현저히 감소됨을 알 수 있다.
또한, 전도성 막 형성용 조성물 실시예 A의 단계 2에서, 은 나노와이어 잉크에 크리스탈 바이올렛 용액을 0.7 wt%로 첨가할 경우(실시예 B-18), b*값이 첨가하지 않은 경우(비교예 B-1)보다 90% 이상 현저히 감소됨을 알 수 있다.
한편, 전도성 막 형성용 조성물 실시예 A의 단계 2에서, 은 나노와이어 잉크에 크리스탈 바이올렛 용액을 1.0 wt%로 첨가할 경우(실시예 B-19), b*값이 첨가하지 않은 경우(비교예 B-1)보다 95% 이상 현저히 감소되나, 면저항이 급격하게 상승되는 효과도 동시에 나타내었다.
따라서, 광학적 특성 및 면저항을 모두 고려하였을 때, 전도성 막 형성용 조성물 실시예 A의 단계 2에서, 은 나노와이어 잉크에 크리스탈 바이올렛 용액을 0.3 내지 0.7 wt%로 하는 것이 적합하다.

Claims (12)

  1. 은 나노와이어 잉크인 제1 용액 및
    크리스탈 바이올렛, KOH 및 아세토니트릴인 용매로 이루어진 제2 용액을 포함하고,
    상기 제2 용액에서 크리스탈 바이올렛은 용매 100 wt%에 대하여 1.2 wt% 내지 1.5 wt%로 포함하며,
    상기 제2 용액에서 KOH는 용매 100 wt%에 대하여 1.0 wt%로 포함하고,
    상기 제2 용액은 제1 용액 100 wt%에 대하여 0.5 wt% 내지 0.7 wt%로 혼합되는 것을 특징으로 하는 전도성 막 형성용 키트.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 은 나노와이어 잉크를 포함하는 전도성 막 형성용 조성물로서,
    상기 조성물은 크리스탈 바이올렛, KOH 및 아세토니트릴인 용매를 포함하는 크리스탈 바이올렛 용액을 포함하고,
    상기 크리스탈 바이올렛은 용매 100 wt%에 대하여 1.2 wt% 내지 1.5 wt%로 포함하고,
    상기 KOH는 용매 100 wt%에 대하여 1.0 wt%로 포함하고,
    상기 조성물에서 크리스탈 바이올렛 용액은 은 나노와이어 잉크 100 wt%에 대하여 0.5 wt% 내지 0.7 wt%로 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 막 형성용 조성물.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 크리스탈 바이올렛은 조성물 내에 분산되어 있는, 전도성 막 형성용 조성물.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 투명 기재; 및
    상기 투명 기재의 일면에 제4항의 전도성 막 형성용 조성물이 도포 및 건조되어 형성된 전도성 막을 포함하는 투명 전도성 막.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 크리스탈 바이올렛은 전도성 막 내에 분산되어 있는, 투명 전도성 막.
  11. 삭제
  12. 투명 기재를 준비하는 단계(단계 1);
    상기 투명 기재의 일면에 제4항의 전도성 막 형성용 조성물을 포함하는 전도성 막을 증착하는 단계(단계 2);를 포함하는 투명 전도성 막의 제조방법.
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015510146A (ja) * 2012-02-16 2015-04-02 コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔａ Ｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ 表示画面およびその製造方法
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