KR102083961B1 - 그래핀의 제조 장치, 제조 방법 및 그 그래핀 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 그래핀에 관한 것으로 특히, 고품질의 그래핀을 형성할 수 있는 그래핀의 제조 장치, 제조 방법 및 그 그래핀에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명은, 그래핀의 제조 장치에 있어서, 제 1조건으로 탄소 공급원을 공급하는 제 1챔버; 제 2조건으로 탄소 공급원을 공급하는 제 2챔버; 상기 제 1챔버 및 제 2챔버를 서로 연결하는 연결부; 및 상기 제 1챔버 및 제 2챔버를 통하여 연속적으로 촉매 금속을 공급하는 공급 장치를 포함하여 구성될 수 있다.

Description

그래핀의 제조 장치, 제조 방법 및 그 그래핀 {Apparatus for manufacturing graphene, the manufacturing method using the same and the graphene manufactured by the same}
본 발명은 그래핀에 관한 것으로 특히, 고품질의 그래핀을 형성할 수 있는 그래핀의 제조 장치, 제조 방법 및 그 그래핀에 관한 것이다.
탄소 원자들로 구성된 물질로는 풀러렌(fullerene), 탄소나노튜브(Carbon Nanotube), 그래핀(graphene), 흑연(Graphite) 등이 존재한다. 이 중에서 그래핀은 탄소 원자들이 2 차원 평면상으로 원자 한 층으로 이루어지는 구조이다.
특히, 그래핀은 전기적, 기계적, 화학적인 특성이 매우 안정적이고 뛰어날 뿐 아니라 우수한 전도성 물질로서 실리콘보다 매우 빠르게 전자를 이동시키며 구리보다도 매우 큰 전류를 흐르게 할 수 있는데, 이는 2004년 흑연으로부터 그래핀을 분리하는 방법이 발견되면서 실험을 통하여 증명되었으며 현재까지 많은 연구가 진행이 되고 있다.
이러한 그래핀은 대면적으로 형성할 수 있으며, 전기적, 기계적, 화학적인 안정성을 가지고 있을 뿐만 아니라 뛰어난 도전성의 성질을 가지므로, 전자 회로의 기초 소재로 관심을 받고 있다.
또한, 그래핀은 일반적으로 주어진 두께의 그래핀의 결정 방향성에 따라 전기적 특성이 변화할 수 있으므로 사용자가 선택 방향으로의 전기적 특성을 발현시킬 수 있고 이에 따라 쉽게 소자를 디자인할 수 있다. 따라서 그래핀은 탄소계 전기 또는 전자기 소자 등에 효과적으로 이용될 수 있다.
이러한 그래핀의 특성은 성장 조건에 따라 큰 차이를 나타낼 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 서로 다른 조건을 이용하여 그래핀을 형성함으로써 고품질의 그래핀을 연속적으로 성장시킬 수 있는 그래핀의 제조 장치, 제조 방법 및 그 그래핀을 제공하고자 한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 제 1관점으로서, 본 발명은, 그래핀의 제조 장치에 있어서, 제 1조건으로 탄소 공급원을 공급하는 제 1챔버; 제 2조건으로 탄소 공급원을 공급하는 제 2챔버; 상기 제 1챔버 및 제 2챔버를 서로 연결하는 연결부; 및 상기 제 1챔버 및 제 2챔버를 통하여 연속적으로 촉매 금속을 공급하는 공급 장치를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 제 1조건은, 그래핀의 시드의 크기를 키우기 위하여 설정될 수 있다.
또한, 제 1조건은, 상기 제 2조건에 비하여 탄소 공급원의 분압이 낮을 수 있다.
여기서, 제 2조건은, 상기 시드들의 사이를 매워 그래핀을 형성하기 위하여 설정될 수 있다.
한편, 공급 장치는, 상기 제 1챔버의 일측에 위치하여 촉매 금속을 공급하는 공급롤; 및 상기 제 2챔버의 타측에 위치하여 촉매 금속을 권취하는 권취롤을 포함하여 구성되어, 상기 촉매 금속을 롤 형태로 공급할 수 있다.
여기서, 제 1챔버의 일측에는, 전처리 과정을 위한 제 3챔버를 더 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 제 2관점으로서, 본 발명은, 그래핀의 제조 방법에 있어서, 공급 장치를 이용하여 촉매 금속을 제 1챔버 및 제 2챔버를 통하여 연속적으로 공급하는 단계; 제 1챔버 내에서 탄소 공급원을 공급하여 촉매 금속 상에 제 1조건으로 그래핀을 형성하는 단계; 및 제 2챔버 내에서 탄소 공급원을 공급하여 촉매 금속 상에 제 1조건으로 그래핀을 형성하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 제 1조건은, 그래핀의 시드의 크기를 키우기 위하여 설정될 수 있다.
이때, 제 1조건은, 상기 제 2조건에 비하여 탄소 공급원의 분압이 낮을 수 있다.
또한, 제 1조건은, 상기 제 2조건에 비하여 온도가 높을 수 있다.
여기서, 제 2조건은, 상기 시드들의 사이를 매워 그래핀을 형성하기 위하여 설정될 수 있다.
여기서, 촉매 금속을 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 위에서 설명한 방법으로 제조된 그래핀을 제공할 수 있다.
본 발명은 다음과 같은 효과가 있다.
먼저, 그래핀의 성장 시에 그래핀의 시드 밀도(seed density)를 조절하는 구간과, 이 시드들 사이를 매워 그래핀 성장을 완성시키는 구간을 나눠 그래핀을 성장시킴으로써 고품질의 그래핀 박막을 형성할 수 있다.
이와 같이, 두 개 또는 그 이상의 조건을 가지는 형성 영역을 제공함으로써 촉매 금속을 연속적으로 공급하면서 그래핀을 형성함으로써 그래핀의 품질을 크게 향상시킬 수 있다.
이러한 품질의 향상은 서로 다른 조건을 가지는 별도의 챔버를 제공함으로써 극대화될 수 있고, 이에 따라 그래핀의 성장 시간도 크게 단축할 수 있는 것이다.
도 1은 그래핀의 제조 장치의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2 내지 도 4는 성장 조건에 따른 그래핀의 시드 밀도를 나타내는 사진이다.
도 5는 그래핀의 제조 장치의 다른 예를 나타내는 개략도이다.
도 6은 그래핀의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명이 여러 가지 수정 및 변형을 허용하면서도, 그 특정 실시예들이 도면들로 예시되어 나타내어지며, 이하에서 상세히 설명될 것이다. 그러나 본 발명을 개시된 특별한 형태로 한정하려는 의도는 아니며, 오히려 본 발명은 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상과 합치되는 모든 수정, 균등 및 대용을 포함한다.
층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
비록 제1, 제2 등의 용어가 여러 가지 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들은 이러한 용어에 의해 한정되어서는 안 된다는 것을 이해할 것이다.
도 1은 그래핀의 제조 장치의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 1에서 도시하는 바와 같이, 그래핀의 제조 장치는, 두 개의 서로 다른 조건의 형성 영역(11, 12)과, 촉매 금속(70)이 이 형성 영역(11, 12)을 통과하도록 연속적으로 공급하는 공급 장치(40)를 포함할 수 있다.
즉, 그래핀의 제조 장치는, 각각의 형성 영역(11, 12)을 가지는 제 1챔버(10)와, 이 제 1챔버(10)에 연결되는 제 2챔버(20)를 포함하고, 이 제 1챔버(10) 및 제 2챔버(20)를 통하여 연속적으로 촉매 금속(70)을 공급할 수 있는 공급 장치(40)를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 제 1챔버(10)와 제 2챔버(20)는 각각 가스 유입구(12, 22)와 가스 배출구(13, 23)를 구비할 수 있다. 따라서, 이 유입구(12, 22)를 통하여 각각의 챔버(10, 20)에는 촉매 금속(70) 상에 그래핀을 형성할 수 있는 탄소 공급원을 주입할 수 있다.
또한, 각각의 챔버(10, 20)에는 가열부(50)를 포함하여, 각각의 챔버(10, 20)에는 이 가열부(50)에 인접한 형성 영역(11, 12)이 정의된다.
즉, 가열부(50)를 이용하여 촉매 금속(70)을 형성 영역(11, 12)에서 가열하고, 탄소를 함유한 가스인 반응 가스(원료 가스)를 탄소 공급원으로서 공급하여 촉매 금속(70) 상에 그래핀을 형성할 수 있다.
이러한 반응 가스(CxHx)는 탄소를 함유하는 화합물로서, 탄소 수 6개 이하의 화합물이나, 탄소 수 4개 이하의 화합물, 또는 탄소수 2개 이하의 화합물일 수 있다. 일례로서, 탄소와 수소의 화합물(CxHx)을 반응 가스로 이용할 수 있다.
경우에 따라, 이러한 형성 영역(11, 12)은 하나의 챔버에서 구현될 수도 있다.
한편, 제 1챔버(10)와 제 2챔버(20)는 연결부(30)에 의하여 서로 기밀성을 유지하면서 연결될 수 있다.
이러한 제 1챔버(10)와 제 2챔버(20)를 통하여 촉매 금속(70)을 연속적으로 공급할 수 있는 공급 장치(40)는 롤러(41, 42)를 이용하여 촉매 금속(70)을 롤 형태로 공급할 수 있다.
즉, 공급 장치(40)는 제 1챔버(10)의 일측에 위치하여 촉매 금속(70)을 공급하는 공급롤(41)을 포함할 수 있다.
또한, 공급롤(41)로부터 공급된 촉매 금속(70)이 제 1챔버(10) 및 제 2챔버(20)를 모두 통과한 위치인 제 2챔버(20)의 타측에 위치하여 촉매 금속(70)을 권취하는 권취롤(42)을 포함하여 구성될 수 있다.
따라서, 촉매 금속(70)은 공급롤(41)로부터 공급되어 제 1챔버(10) 및 제 2챔버(20)를 모두 통과하여 연속적으로 이송되면서, 이 촉매 금속(70) 상에 그래핀이 형성될 수 있는 것이다.
이때, 촉매 금속(70)이 이송되는 부분에는 기밀성을 유지시킬 수 있는 기밀부재(80)가 구비될 수 있다. 즉, 제 1챔버(10)에서 촉매 금속(70)이 투입되고 배출되는 부분, 그리고 제 2챔버(20)에서 촉매 금속(70)이 투입되고 배출되는 부분에 기밀부재(80)가 위치할 수 있는 것이다.
한편, 제 1챔버(10)와 제 2챔버(20)의 연결되는 부분에서는 연결부(30)에 의하여 기밀성이 유지될 수 있으므로, 이 부분에서는 기밀부재(80)가 생략될 수도 있다.
이와 같은 그래핀의 제조 장치에서, 제 1챔버(10)와 제 2챔버(20)에는 탄소 공급원이 각각 주입될 수 있는데, 이때, 제 1챔버(10)에서는 제 1조건으로 탄소 공급원이 공급될 수 있고, 제 2챔버(20)에는 제 2조건으로 탄소 공급원이 공급될 수 있다.
이러한 조건에는 온도, 가스의 분압, 압력, 분위기 가스의 조건을 포함할 수 있다.
이와 같이, 조건을 달리하여 제 1챔버(10)와 제 2챔버(20)에서는 그래핀이 성장되는 특정 조건을 만족하도록 하여, 촉매 금속(70)이 제 1챔버(10)와 제 2챔버(20)를 연속적으로 지나면서 그래핀이 성장될 수 있다.
예를 들어, 탄소 공급원의 분압(partial pressure)에 따라 그래핀 시드(seed)의 밀도가 달라질 수 있다. 일반적으로 탄소 공급원의 분압이 낮으면 시드 밀도(seed density)가 낮아질 수 있다.
여기서 시드(seed)는 그래핀의 초기 생성시 그래핀이 완전히 층을 이루기 전에 섬 형태로 존재하는 것으로서, 하나의 그레인(grain)을 이루는 플레이크 아일랜드(flake island)를 의미할 수 있다. 통상, 하나의 그레인은 하나의 결정면을 가지게 된다.
그래핀의 특성, 일례로, 전기적 특성은 이와 같은 그래핀의 성장 조건에 따라 큰 차이를 나타낼 수 있다.
그 중에서, 그래핀 플레이크 아일랜드(flake island)의 크기가 커질수록 그래핀의 그레인 경계(Grain boundary)가 줄어든다.
위에서 언급한 바와 같이, 하나의 그레인은 동일 결정면을 가지므로 그래핀의 그레인 경계가 많다는 것은 서로 다른 결정면을 가지는 것을 의미한다. 따라서, 그레인 경계가 많다는 것은 전기적 특성을 저하시키는 원인 중 하나이다. 즉, 그레인 경계가 적을수록 그래핀의 전기적 특성은 향상된다.
그러므로 그레인 경계가 적은 그래핀 성장을 시키면 고품질의 그래핀을 형성할 수 있다.
도 2 내지 도 4에서는 서로 다른 그래핀의 시드 밀도를 가지고 성장된 그래핀을 나타내고 있다. 이러한 그래핀은 성장이 완성되기 전의 상태를 나타내고 있다.
도 2는 시드의 밀도가 매우 낮은 상태, 즉, 그레인의 크기가 매우 작은 상태이고, 성장 조건을 달리함에 따라 도 3 및 도 4와 같은 상태로 그레인의 크기를 키울 수 있다.
즉, 도 3에서는 시드(81)의 크기가 도 2의 경우보다 크고, 도 4에서는 시드(82)의 크기가 더 크게 성장된 것을 알 수 있다.
그러나, 이와 같이, 시드의 밀도를 증가시키는 조건과, 이들 시드들의 사이를 매워 그래핀 성장을 완성하는 조건은 서로 다를 수 있다.
따라서, 이를 위하여 그래핀의 성장 시에 그래핀의 시드 밀도(seed density)를 조절하는 영역과, 이 시드들 사이를 매워 그래핀 성장을 완성시키는 영역을 나눠 그래핀을 성장시킴으로써 고품질의 그래핀 박막을 연속적으로 형성할 수 있다.
즉, 제 1챔버(10)에서는 제 1조건으로서, 그래핀의 시드의 크기를 키우기 위하여 설정되어, 그래핀을 이 제 1조건으로 성장시킬 수 있다.
또한, 제 2챔버(10)에서는 제 2조건으로서, 시드들의 사이를 매워 그래핀 성장을 완성할 수 있도록 설정되어, 그래핀을 이 제 2조건으로 성장시킬 수 있다.
이와 같이, 두 개 또는 그 이상의 조건을 가지는 형성 영역(11, 21)을 제공함으로써 촉매 금속(70)을 연속적으로 공급하면서 그래핀을 형성함으로써 그래핀의 품질을 크게 향상시킬 수 있다.
이러한 품질의 향상은 서로 다른 조건을 가지는 별도의 챔버를 제공함으로써 극대화될 수 있고, 이에 따라 그래핀의 성장 시간도 크게 단축할 수 있다.
이때, 제 1조건은, 제 2조건에 비하여 탄소 공급원의 분압이 낮을 수 있다. 경우에 따라, 탄소 공급원과 함께 캐리어 가스가 주입될 수 있다.
이러한 캐리어 가스는 수소(H2), 아르곤(Ar) 및 질소(N2)와 같은 가스가 단일 가스로 또는 혼합 가스로 이용될 수 있다.
그리고, 제 1조건은 제 2조건에 비하여 온도가 동일하거나 더 높을 수 있다.
한편, 위에서 언급한 바와 같이, 두 개 이상의 그래핀 성장 조건을 두 개 이상의 챔버를 구비하여 구현할 수 있음은 물론이다.
즉, 제 3조건 및 그 이상의 성장 조건을 구현할 수 있는 별도의 챔버가 연결될 수 있다.
도 5에서는 그래핀의 제조 장치의 다른 예로서, 제 1챔버(10)의 일측에 제 3챔버(60)가 더 구비된 경우를 나타내고 있다.
이러한 제 3챔버(60)에서는 그래핀 성장을 위한 촉매 금속(70)의 전처리 과정이 이루어질 수 있다.
전처리 과정의 일례는 촉매 금속(70)을 열처리하는 과정일 수 있다. 이 경우에 위에서 언급한 바 있는 캐리어 가스를 주입하면서 열처리하면 촉매 금속(70)에 형성되어 있던 산화물을 환원시킬 수 있다.
촉매 금속(70)을 공급하는 공급 장치(40)는 이 제 3챔버(60)를 통하여 제 1챔버(10) 및 제 2챔버(20)에 연속적으로 공급할 수 있다.
따라서, 위에서 언급한 바와 같이, 촉매 금속(70)이 유입되는 부분에 기밀부재(80)가 구비될 수 있다. 또한, 제 3챔버(50)에도 별도의 가스 유입구 및 배출구(도시되지 않음)가 구비될 수도 있음은 물론이다.
그외에 설명되지 않은 부분은 도 1을 참조하여 설명한 사항이 그대로 적용될 수 있다.
도 6은 위에서 설명한 제조 장치를 이용한 그래핀의 제조 방법을 나타내는 순서도로서, 이하, 도면을 참조하여 그래핀의 제조 과정을 설명한다.
먼저, 공급 장치(40)를 이용하여 촉매 금속(70)을 로딩하여 형성 영역(11, 12)에 공급하는 과정(S10)이 이루어진다.
즉, 공급롤(41)에서 촉매 금속(70)을 공급하여 제 1챔버(10) 및 제 2챔버(20)를 통과시켜 권취롤(42)에 감기도록 로딩하여 촉매 금속(70)을 공급한다.
이때, 제 3챔버(60)를 이용하는 경우에는 촉매 금속(70)이 이 제 3챔버(60)를 경유하도록 한다.
이후, 각각의 챔버(10, 20, 60)에 해당 조건에 따라 탄소 공급원 및/또는 캐리어 가스를 공급하고 가열부(50)를 이용하여 온도를 해당 조건에 맞게 설정한다.
즉, 제 3챔버(60)에서는 열처리 과정에 해당하는 조건에 따라, 온도 및 캐리어 가스의 유량을 조절한다.
또한, 제 1챔버(10)에서는 시드 밀도를 높일 수 있도록 설정된 조건으로 온도, 탄소 공급원 또는 캐리어 가스의 유량을 조절한다.
그리고, 제 2챔버(20)에서는 시드들 사이를 매워 그래핀 성장을 완성할 수 있도록 설정된 조건으로 온도, 탄소 공급원 또는 캐리어 가스의 유량을 조절한다.
제 3챔버(60)가 구비되는 경우에는 이 제 3챔버(60)에서 열처리 과정(S11)이 이루어질 수 있다. 그러나 제 3챔버(60)가 없는 경우라면 제 1챔버(10)에서 해당 열처리 과정이 이루어질 수도 있다.
이후, 모든 조건이 안정화되면 공급 장치(40)를 구동하여 촉매 금속(60)을 이동시키면서 연속적으로 그래핀을 성장시킨다.
즉, 촉매 금속(60)이 제 1챔버(10)를 지나면서 위에서 설명한 제 1조건으로 그래핀을 형성한다(S20).
이후, 촉매 금속(60)은 제 2챔버(20)를 지나면서 위에서 설명한 제 2조건으로 그래핀을 형성하여(S30) 그래핀 형성을 완성한다.
앞서 언급한 바와 같이, 제 1조건은, 제 2조건에 비하여 탄소 공급원의 분압이 낮을 수 있다. 또한, 제 1조건은, 제 2조건에 비하여 온도가 같거나 높을 수 있다.
이와 같은 그래핀의 제조 장치를 이용하여 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition; CVD)을 이용하여 촉매 금속(60) 상에 그래핀을 형성할 수 있다.
이때, 촉매 금속(60)은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr 등의 금속이 이용될 수 있다. 또한, 촉매 금속(60)은 대략 10 ㎛ 내지 10 mm 두께의 포일 형태로 이용할 수 있다.
이와 같이, 촉매 금속(60)은 공급롤(41)과 권취롤(42)을 이용하여 장력을 유지시킬 수 있다.
이러한 그래핀의 형성은 대략 300 내지 1500 ℃의 온도 조건에서 이루어질 수 있다.
이와 같은 과정에 의하여, 촉매 금속(60) 상에 그래핀을 형성시킨 후에는 가열부(50)의 온도를 하강시킨다.
이후에는 진공펌프(도시되지 않음)를 작동하여 배기부(13, 23)를 통하여 잔여 반응 가스를 제거할 수 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
10: 제 1챔버 11, 21: 형성 영역
12, 22: 유입구 13, 23: 배출구
20: 제 2챔버 30: 연결부
40: 공급 장치 41: 공급롤
42: 권취롤 50: 가열부
60: 제 3챔버 70: 촉매 금속
80: 기밀부재

Claims (13)

  1. 그래핀의 제조 장치에 있어서,
    그래핀의 시드의 크기를 키우기 위하여 설정된 제 1조건으로 탄소 공급원을 공급하는 제 1챔버;
    상기 제 1조건과 다른 제 2조건으로 탄소 공급원을 공급하는 제 2챔버;
    상기 제 1챔버 및 제 2챔버를 서로 연결하는 연결부; 및
    상기 제 1챔버 및 제 2챔버를 통하여 연속적으로 촉매 금속을 공급하는 공급 장치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제 1조건은, 상기 제 2조건에 비하여 탄소 공급원의 분압이 낮은 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 제 2조건은, 상기 시드들의 사이를 매워 그래핀을 형성하기 위하여 설정된 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 공급 장치는,
    상기 제 1챔버의 일측에 위치하여 촉매 금속을 공급하는 공급롤; 및
    상기 제 2챔버의 타측에 위치하여 촉매 금속을 권취하는 권취롤을 포함하여 구성되어, 상기 촉매 금속을 롤 형태로 공급하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 제 1챔버의 일측에는, 전처리 과정을 위한 제 3챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 장치.
  7. 그래핀의 제조 방법에 있어서,
    공급 장치를 이용하여 촉매 금속을 제 1챔버 및 제 2챔버를 통하여 연속적으로 공급하는 단계;
    제 1챔버 내에서 탄소 공급원을 공급하여 촉매 금속 상에 그래핀의 시드의 크기를 키우기 위하여 설정된 제 1조건으로 상기 그래핀을 형성하는 단계; 및
    제 2챔버 내에서 탄소 공급원을 공급하여 촉매 금속 상에 상기 제 1조건과 다른 제 2조건으로 그래핀을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 제 7항에 있어서, 상기 제 1조건은, 상기 제 2조건에 비하여 탄소 공급원의 분압이 낮은 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 방법.
  10. 제 7항에 있어서, 상기 제 1조건은, 상기 제 2조건에 비하여 온도가 높은 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 방법.
  11. 제 7항에 있어서, 상기 제 2조건은, 상기 시드들의 사이를 매워 그래핀을 형성하기 위하여 설정된 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 방법.
  12. 제 7항에 있어서, 상기 촉매 금속을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 방법.
  13. 삭제
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