KR102083140B1 - 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 투명기재 상의 한 면에 전자파쉴드층과 반사방지층이 동시 존재함으로써, 제조공정이 간소화되어 비용절감 및 완제품의 불량률 개선 효과가 있으며, 특히 완제품의 전체 두께 감소와 함께 투과율 및 시인성 개선의 효과를 갖는 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름은 투명한 기재필름과, 상기 기재필름 상의 한 면에 도포된 고굴절 전자파쉴드층 및 상기 고굴절 전자파쉴드층 상에 도포된 저굴절층이 순차적으로 코팅되어 반사방지필름과 전자파쉴드필름이 일체화된 복합필름이되, 상기 고굴절 전자파쉴드층은 굴절률이 1.58 내지 1.78이하이고, 두께는 0.1 내지 20㎛이하인 것을 특징으로 한다.

Description

터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름{ANTI-REFLECTIVE FILM OF ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELD FOR TOUCH PANEL}
본 발명은 투명기재 상의 한 면에 전자파쉴드층과 반사방지층이 동시 존재함으로써, 제조공정이 간소화되어 비용절감 및 완제품의 불량률 개선 효과가 있으며, 특히 완제품의 전체 두께 감소와 함께 투과율 및 시인성 개선의 효과를 갖는 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름에 관한 것이다.
최근, 각종 전자 기기를 효율적으로 사용하기 위하여 리모콘이나 별도의 입력 장치 없이, 표시 장치의 표시면에서 신호를 입력할 수 있는 터치 패널이 널리 사용되고 있는 추세이다. 즉, 휴대폰, 전자수첩, 액정 표시 장치(LCD, Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), EL(Electro Luminescence) 등의 평판 디스플레이 장치 및 CRT(Cathode Ray Tube) 등과 같은 화상 표시 장치의 표시면에 설치되어 사용자가 화상을 보면서 원하는 정보를 선택하도록 하는데 터치 패널이 널리 이용되고 있다.
특히 컴퓨터, 휴대용 전송 장치, 구면 또는 비구면 디스플레이 장치 그 밖의 개인전용 정보처리장치 등에 일체화되거나 부가되는 터치 패널은 입력 장치가 하나이지만, 마우스나 키보드 등과 같은 다른 입력 장치들에 비해 입력이 간단하고 오조작이 적으며 손으로 문자 입력까지 가능한 입력 특성이 있어 다양한 형태와 방식으로 알려져 있다.
현재의 터치 패널은 입력 장치로서의 일반적 기능보다는 고신뢰성, 새로운 기능의 제공, 내구성, 재료나 물질을 포함한 설계 및 가공과 관련된 제조 기술 등과 같이 미세한 기술로 관심이 바뀌는 실정이다.
이와 같은 터치 패널을 검출 방식에 따라 간단히 살펴보면, 상판 또는 하판에 금속 전극을 형성하여 직류 전압을 인가한 상태에서 눌려진 위치를 저항에 따른 전압 구배로 판단하는 저항막 방식과, 도전막에 등전위를 형성하여 상하판의 접촉시 전압 변화가 일어난 위치를 감지하는 정전용량 방식, 전자펜으로 도전막을 접촉하여 유도된 LC 값을 읽어 들여 위치를 감지하는 전자 유도 방식 등이 있다. 최근에는, 저항막 방식에 비교하여 내구성 및 투과율 측면에서 특성이 우수한 정전용량 방식이 각광받고 있다.
이러한 정전용량 방식 터치패널의 일반적인 구조를 살펴보면 도 2과 같다. 도 2은 종래 기술에 따른 정전용량 방식의 터치스크린패널 단면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이 액정표시장치(200)의 상부에 터치 패널부(100)가 위치하고, 상기 터치 패널부(100)와 액정표시장치(200) 사이에는 접착층(150)이 구비된다. 또한 상기 터치 패널(100)의 상부에는 기판(110)이 위치하고, 상기 기판(110)의 바닥면에는 상부점착층(120a)이, 상기 상부점착층(120a) 바닥면에는 인듐-주석 산화물로 구성될 수 있는 상부 투명 도전층(130a)이 설치된다. 또한, 상기 상부 투명 도전층(130a) 바닥면에는 하부점착층(120b)이, 상기 하부점착층(120b) 바닥면에는 하부 투명 도전층(130b)을 설치하고, 상기 하부 투명 도전층(130b) 바닥면에는 투명보호 코팅층(140a)이 구비되되, 상기 투명보호 코팅층(140a)은 절연물질(예 : 질화규소, 이산화규소, 레지스트 등과 같은 물질)로 구성된다. 이러한 투명보호 코팅층(140a)은 상기 하부 투명도전층(130b)이 긁혀서 망가지지 않게 보호하는 기능을 수행한다. 여기서 상기 상부 투명도전층(130a)과 하부 투명도전층(130b)의 테두리에는 최소한 하나의 금속도선(160)이 연결 설치될 수 있다.
또한 상기 액정표시장치(200)는 전기장 구동을 운용하여 액정분자의 비틀림에 의한 전장효과를 생성하고 광원의 투과 및 차단을 제어하며, 칼라필터를 투과하여 이미지 혹은 문자로 표시될 수 있다. 따라서 사용자가 유리기판(110) 상의 디스플레이부(10)에 표시된 이미지나 문자의 위치와 대응되는 곳을 터치하는 방식으로 터치패널을 조작 및 입력을 진행할 수 있다.
그러나 터치 패널부(100)와 액정표시장치(200) 사이에 구비된 접착층(150)에 의해, 상기 접착층(150)의 높이만큼 공기층으로 이루어진 공극이 형성된다. 위와 같은 이유 때문에, 액정표시장치(200)에서 생성된 광원이 터치 패널부(100)를 투과할 때 상기의 공극을 통과한 후 투명보호 코팅층(140a)을 투과하게 되고, 이때 공극에 존재하는 공기층(굴절률)과 투명보호 코팅층(140a)의 높은 굴절률 차이로 인하여 투과된 광원에 표면 반사율이 높아지게 된다. 게다가 이로 인하여 최종 유리기판(110)에 표시된 이미지에 투과도가 떨어지는 문제점이 발생되고, 투명보호 코팅층(140a)의 높은 표면거칠기로 인하여 난반사 심화에 따른 탁도가 증가하는 등 고투과 및 저탁도 이미지를 구현하기 위해 개선할 점이 많은 실정이다.
또한, 일반적인 투명기재 및 하드코팅층 경우 표면의 반사율이 480 내지 680㎚의 파장 영역 중 5° 입사각에서 4 ~ 6%의 평균 경면 반사율(avergae specular reflectance)을 가지기 때문에, 외부 광원에 의한 반사율이 높아 표면에서 반사가 많이 이루어지며, 반사된 빛에 의해 디스플레이의 화질을 떨어뜨리는 문제가 발생하게 된다.
게다가 최근 터치패널의 터치센서를 고감도 효과로 내기위해서 저저항치 투명도전성 필름을 사용하게 되는데, 이와 같은 현상으로 LCD 내부에서 발생하는 전자파 노이즈로 인해 터치패널의 오작동을 유발시키는 문제가 발생하게 된다. 이런 문제를 해결하기 위해서 투명 전자파쉴드필름이 필요하게 되며, 이에 더해 시인성 향상을 위해 반사방지필름의 기능의 요구도 급속도로 급증하고 있다.
일본 공개특허공보 제2006-17870호 일본 공개특허공보 제2001-233611호 일본 공개특허공보 제2002-79616호 일본 공개특허공보 제2006-30740호
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 투명기재 상의 한 면에 전자파쉴드층과 반사방지층이 동시 존재함으로써, 제조공정이 간소화되어 비용절감 및 완제품의 불량률 개선 효과가 있으며, 특히 완제품의 전체 두께 감소와 함께 투과율 및 시인성 개선의 효과를 갖는 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름을 제공하고자 하는 것이다.
상기 목적은, 투명한 기재필름과 상기 기재필름 상의 한 면에 도포된 고굴절 전자파쉴드층 및 상기 고굴절 전자파쉴드층 상에 도포된 저굴절층이 순차적으로 코팅되어 반사방지필름과 전자파쉴드필름이 일체화된 복합필름이되, 상기 고굴절 전자파쉴드층은 굴절률이 1.58 내지 1.78 이하이고, 두께는 0.1 내지 20㎛이하인 것을 특징으로 하는 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름에 의해 달성된다.
여기서, 기재필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 트리아세테이트셀룰로오스(TAC), 폴리프로필렌(PP) 또는 폴리에틸렌(PE) 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
여기서, 고굴절 전자파쉴드층은 금속의 산화물을 포함하는 무기 미립자와 음이온성 분산제와 3관능 이상의 중합성기를 함유하는 자외선 경화성 수지를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 금속의 산화물은 Ti, Zr, In, Zn, Sn, Al 및 Sb에서 선택되는 적어도 하나의 금속의 산화물인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 무기 미립자는 분산 매체 속에 분산될 수 있으며, 질량 평균 입자 직경은 10 내지 120㎚인 것을 특징으로 한다.
여기서, 저굴절층의 두께는 90 내지 130㎚ 이하이고, 헤이즈는 3% 이하인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 저굴절층은 중공 실리카 미립자, 음이온성 분산제와 3관능 이상의 중합성기를 함유하는 자외선 경화성 수지를 포함하고, 굴절률이 1.28 내지 1.36이하이되, 상기 중공 실리카 미립자의 직경은 상기 저굴절층 두께에 대하여 30 내지 150% 이하인 것을 특징으로 한다.
여기서, 반사방지필름은 평균 경면 반사율(average specular reflectance)이 480~680㎚의 파장 영역 중 5° 입사각으로 0.5 내지 1.0%이하이고, 수접촉각이 60° 내지 80°이내인 것을 특징으로 한다.
여기서, 반사방지필름은 표면 저항치가 E^7Ω/□ 이하이고, 투과율 및 탁도가 각각 93% 이상 및 0.8% 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름은 투명도전성필름과 반사방지필름이 일체화된 복합필름으로써, 보다 상세하게는 투명기재 상의 한 면에 전자파쉴드층과 반사방지층이 동시 존재함으로써, 제조공정이 간소화되어 비용절감 및 완제품의 불량률 개선 효과가 있으며, 특히 완제품의 전체 두께 감소와 함께 투과율 및 시인성이 개선되는 등의 효과를 가진다.
도 1은 본 발명에 따른 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름 단면도이다.
도 2는 종래 기술에 따른 정전용량 방식의 터치스크린패널 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 실험예의 반사 스펙트럼이다.
이하, 본 발명의 실시예와 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 자에 있어서 자명할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름 단면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름은 기재필름(1)과, 상기 기재필름(1) 상의 한 면에 도포된 고굴절 전자파쉴드층(2) 및 상기 고굴절 전자파쉴드층(2) 상에 도포된 저굴절층(3)이 순차적으로 코팅되어 반사방지필름과 전자파쉴드필름이 일체화된 복합필름이다.
본 발명에 의하면, LCD 패널 내부에서 나오는 전자파로 인해 터치패널의 구동에 있어 오작동이 유발되기 때문에 이와 같은 문제를 해결하기 위해서 본 발명은 전자파쉴드층(2)을 포함하고 있으며, 상기 전자파쉴드층(2)과 터치패널의 화질향상(투과율 향상)을 위해 필요한 반사방지 기능의 저굴절층(3)이 일체화된 필름이다. 이에 따라 기존 각각의 필름 두 장을 합지하는 제조 공정이 간소화되어 비용절감 및 완제품의 불량률 개선 효과를 가지며, 완제품 전체 두께의 감소로 인하여 투과율 및 시인성이 개선되는 효과를 가진다.
1. 고굴절 전자파쉴드층 제조
1.1 고굴절 전자파쉴드층
본 발명에 따른 반사방지필름의 필수 박막층인 고굴절 전자파쉴드층의 굴절률은 1.58 내지 1.78이며, 보다 바람직하게는 1.60 내지 1.73이다. 이러한 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하는 방법으로서, 화학 기상 증착(CVD) 또는 물리 기상 증착(PVD), 특히 물리 기상 증착법의 한 종류인 진공 증착 또는 스퍼터링에 의해 형성된 무기 산화물의 투명 박막을 사용할 수도 있지만, 올-웨트 코팅(all-wet coating)에 의해 형성된 박막이 바람직하다.
또한, 고굴절의 전자파쉴드층은 Ti, Zr, In, Zn, Sn, Al 및 Sb에서 선택되는 적어도 하나의 금속의 산화물을 포함하는 무기 미립자와 음이온성 분산제와 3관능 이상의 중합성기를 함유하는 경화성 수지(이후, "바인더"라고 칭하는 경우도 있음)와 중합개시제 및 용매를 함유하는 코팅 조성물로 도포 한 후, 용매를 건조하여 가열 또는 전리 방사선 조사 중 어느 하나의 수단, 또는 양쪽 수단으로 코팅을 경화시킴으로써 형성되는 것이 바람직하다. 경화성 수지 또는 개시제를 사용하는 경우, 경화성 수지는 코팅 이후 가열 또는 전리 방사선의 영향에 의한 중합 반응을 통해 경화되므로, 내찰상성 및 접착성이 우수한 고굴절의 전자파쉴드층을 형성할 수 있다.
1.2 무기 미립자
무기 미립자로는 금속(예컨대 Ti, Zr, In, Zn, Sn, Sb, Al)의 산화물이 바람직하되, 굴절률 관점에서 산화지르코늄의 미립자가 가장 바람직하다. 그러나 도전성의 관점에서는 Sb, In 및 Sn 중 적어도 하나의 금속 산화물을 주성분으로 하는 무기 미립자를 사용하는 것이 바람직하며, 굴절률은 무기 미립자의 양을 변경함으로써 소정 범위로 조정될 수 있다.
여기서 산화지르코늄을 주성분으로서 사용하는 경우, 층 내의 무기 미립자의 평균 입자 직경은 1 내지 120㎚가 바람직하고 1 내지 60㎚가 더욱 바람직하며, 가장 바람직하게는 2 내지 40㎚이다. 상기의 범위는 헤이즈를 감소시키고 분산 안정성 및 표면상의 적절한 요철에 의해 상부층으로의 접착성을 개선하기 때문에 바람직하다. 또한 산화지르코늄을 주성분으로서 포함하는 무기 미립자의 굴절률은 1.90 내지 2.80이 바람직하고 2.10 내지 2.80이 더욱 바람직하며, 가장 바람직하게는 2.20 내지 2.80이다.
여기서, 무기 미립자의 첨가량은 무기 미립자가 첨가되는 층에 따라 다르며, 고굴절층에서의 첨가량은 전체 고굴절층의 고형분에 대하여 40 내지 85질량%이고 50 내지 75질량%가 더욱 바람직하며, 60 내지 70질량%가 가장 바람직하다. 여기서 무기 미립자의 입자 직경은 광산란법 또는 전자 현미경 사진에 의해 측정될 수 있다. 또한 무기 미립자의 비표면적은 10 내지 400㎡/g이 바람직하고 20 내지 200㎡/g이 더욱 바람직하며, 30 내지 150㎡/g이 가장 바람직하다.
한편, 분산액 또는 코팅 용액에서의 분산을 안정화하거나 또는 바인더 성분과의 친화성 또는 결합성을 향상시키기 위해, 무기 미립자에 대해 플라즈마 방전 처리 및 코로나 방전 처리와 같은 물리적 표면 처리, 또는 계면활성제, 커플링제 등에 의한 화학적 표면 처리를 실시할 수도 있다. 바람직하게는 커플링제를 사용하여 실시한다.
상기 커플링제로서, 알콕시 금속 화합물(예컨대, 티타늄 커플링제, 실란 커플링제)을 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 아크릴로일 또는 메타크릴로일기를 갖는 실란 커플링제에 의한 처리가 효과적이다. 무기 미립자의 화학적 표면 처리제, 용매, 촉매 및 분산 안정제는 일본 공개특허공보 제2006-17870호의 단락 [0058] 내지 [0083]에 기재되어 있다.
1.3 경화성 수지
경화성 수지로는 중합성 화합물이 바람직하고, 중합성 화합물로서 전리 방사선-경화성 다관능 모노머 또는 다관능 올리고머를 사용하는 것이 바람직하다. 이 화합물 중 관능기로는 광-, 전자선- 또는 방사선-중합성 관능기가 바람직하고, 광중합성 관능기가 더욱 바람직하다.
상기 광중합성 관능기의 예로는 (메타)아크릴기, 비닐기, 스티릴기 및 알릴기와 같은 불포화 중합성 관능기를 포함한다. 이 중에서도 (메타)아크릴기가 바람직하다.
보다 상세하게 광중합성 관능기를 갖는 광중합성 다관능 모노머의 구체적인 예을 들면, 네오펜틸 글리콜 아크릴레이트, 1,6-헥산디올 (메타)아크릴레이트 및 프로필렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트와 같은 알킬렌 글리콜의 (메타)아크릴산 디에스테르류와 트리에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디프로필렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트 및 폴리프로필렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트와 같은 폴리옥시알킬렌 글리콜의 (메타)아크릴산 디에스테르류와 펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트와 같은 다가 알콜의 (메타)아크릴산 디에스테르류, 그리고 2,2-비스{4-아크릴옥시.디에톡시)페닐}프로판 및 2-2-비스{4-(아크릴옥시.폴리프로폭시)페닐}프로판과 같은 에틸렌 산화물 또는 프로필렌 산화물 부가물의 (메타)아크릴산 디에스테르류를 포함한다.
또한, 에폭시 (메타)아크릴레이트류, 우레탄 (메타)아크릴레이트류 및 폴리에스테르 (메타)아크릴레이트류도 광중합성 다관능 모노머로서 바람직하게 사용된다.
이들 중에서, 다가 알콜과 (메타)아크릴산의 에스테르류가 바람직하고, 1 분자내에 3개 이상의 (메타)아크릴기를 갖는 다관능 모노머가 더욱 바람직하다. 그 구체적인 예로는, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올에탄 트리(메타)아크릴레이트, 1,2,4-시클로헥산 테트라(메타)아크릴레이트, 펜타글리세롤 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨 트리아크릴레이트 및 트리펜타에리트리톨 헥사트리아크릴레이트를 포함한다. 다관능 모노머들 중 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
1.4 중합 개시제
중합 개시제로서 광중합 개시제를 사용하는 것이 바람직하되, 광중합 개시제로는 광라디칼 중합 개시제 또는 광양이온 중합 개시제가 바람직하고, 광라디칼 중합 개시제가 더욱 바람직하다.
상기 광라디칼 중합 개시제의 예로는 아세토페논류, 벤조페논류, 미힐러 (Michler)의 벤조일 벤조에이트, α-아밀옥심 에스테르, 테트라메틸티우람 모노술피드 및 티옥산톤류를 포함한다. 시판되는 광라디칼 중합 개시제의 예로는, Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조의 KAYACURE(예컨대 DETX-S, BP-100, BDMK, CTX, BMS, 2-EAQ, ABQ, CPTX, EPD, ITX, QTX, BTC, MCA); Ciba Specialty Chemicals Corp. 제조의 Irgacure(예컨대 651, 184, 127, 500, 907, 369, 1173, 2959, 4265, 4263); 및 Sartomer Company Inc. 제조의 Esacure(KIP100F, KB1, EB3, BP, X33, KT046, KT37, KIP150, TZT)를 포함한다. 여기서 광분열형 (photocleavage-type) 광라디칼 중합 개시제가 바람직하며, 시판되는 광분열형 광라디칼 중합 개시제의 예로는 Ciba Specialty Chemicals Corp. 제조의 Irgacure(예컨대 651, 184, 127, 907)를 포함한다. 광중합 개시제의 사용량은 경화성 수지 100질량부에 대하여 0.1 내지 15질량부가 바람직하고, 1 내지 10질량부가 더욱 바람직하다.
상기 광중합 개시제에 추가하여 광증감제를 사용할 수도 있다. 광증감제의 구체예로는 n-부틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-부틸포스핀, 미힐러의 케톤 및 티옥산톤을 포함한다. 시판되는 광증감제의 예로는 Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조의 KAYACURE(예컨대 DMBI, EPA)를 포함한다.
한편, 광중합 반응은 고굴절의 전자파쉴드층을 코팅하고 건조시킨 후에 자외선 조사에 의해 수행되는 것이 바람직하다.
또한 고굴절의 전자파쉴드층에는, 상술한 성분들(예컨대 무기 미립자, 경화성 수지, 중합 개시제, 광증감제) 이외에, 계면활성제, 산화방지제, 커플링제, 증점제, 착색 방지제, 착색제(예컨대 안료, 염료), 소포제, 레벨링제, 난연제, 자외선 흡수제, 적외선 흡수제, 접착부여제, 중합금지제, 산화방지제, 표면 개질제, 도전성 금속 미립자 등을 첨가할 수도 있다.
1.5 용매
용매로서는, 비점이 60 내지 170℃인 액체를 사용하는 것이 바람직하다. 그 구체예로는 물, 알콜(예컨대 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 벤질 알콜), 케톤(예컨대 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 시클로헥사논), 에스테르(예컨대 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 프로필 아세테이트, 부틸 아세테이트, 메틸 포르메이트, 에틸 포르메이트, 프로필 포르메이트, 부틸 포르메이트), 지방족 탄화수소(예컨대 헥산, 시클로헥산), 할로겐화 탄화수소(예컨대 메틸렌 클로라이드, 클로로포름, 사염화탄소), 방향족 탄화수소(예컨대 벤젠, 톨루엔, 크실렌), 아미드(예컨대 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, n-메틸피롤리돈), 에테르(예컨대 디에틸 에테르, 디옥산, 테트라히드로푸란), 및 에테르 알콜(예컨대 1-메톡시-2-프로판올)을 포함한다. 이 중에서도 톨루엔, 크실렌, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 시클로헥사논 및 부탄올이 바람직하다. 특히 분산 매체로서는 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤 또는 시클로헥사논이 바람직하다.
상기 용매는 고굴절률층용 코팅 조성물이 고형분 농도 2 내지 30 질량%가 되도록 사용하는 것이 바람직하고, 고형분 농도 3 내지 20 질량%가 되도록 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
1.6 고굴절 전자파쉴드층의 형성방법
고굴절의 전자파쉴드층에 사용되는 산화지르코늄을 주성분으로서 포함하는 무기 미립자는, 분산물 상태로 사용되는 것이 바람직하다. 상기 무기 미립자는 분산기를 사용하여 분산될 수 있다. 분산기의 예로는, 샌드 그라인더 밀(예컨대 핀을 가진 비드 밀), 고속 임펠러 밀, 페블 밀, 롤러 밀, 어트라이터 및 콜로이드 밀을 포함한다. 이들 중에서도 샌드 그라인더 밀 및 고속 임펠러 밀이 바람직하고, 예비 분산 처리를 수행할 수도 있다. 예비 분산 처리에 사용되는 분산기의 예로는 볼 밀, 3-롤 밀, 니더 및 압출기를 포함한다.
상기 무기 미립자는 분산 매체 속에 가능한 한 작은 입자크기를 가지도록 분산되는 것이 바람직하다. 질량 평균 입자직경은 10 내지 120㎚이고, 20 내지 100㎚가 바람직하며, 30 내지 90㎚가 더욱 바람직하고, 30 내지 80㎚가 가장 바람직하다. 무기 미립자를 200㎚ 이하의 작은 입자크기로 분산시킴으로써, 투명성을 손상시키지 않고 고굴절의 전자파쉴드층을 형성할 수 있다.
본 발명에 사용되는 고굴절의 전자파쉴드층은 다음과 같이 형성된다. 상술한 바와 같은 분산 매체 속에 무기 미립자를 분산시킴으로써 획득된 분산액에, 매트릭스 형성에 필요한 바인더 전구체로서의 경화성 수지(예컨대 상술한 전리 방사선-경화성 다관능 모노머 또는 다관능 올리고머), 광중합 개시제 등을 첨가하여, 고굴절률층 또는 중굴절률층 형성용 코팅 조성물을 제작하고, 획득된 고굴절률층 또는 중굴절률층 형성용 코팅 조성물을 투명 지지체 상에 코팅한 후, 경화성 수지의 가교 반응 또는 중합 반응을 통해 경화시킨다. 고굴절의 전자파쉴드층의 코팅과 동시에 또는 코팅 이후에, 층의 바인더는 분산제와 가교 또는 중합되는 것이 바람직하다.
이와 같이 제조된 고굴절률층 또는 중굴절률층의 바인더는, 예컨대 상술한 바람직한 분산제와 전리 방사선-경화성 다관능 모노머 또는 다관능 올리고머의 가교 반응 또는 중합 반응의 결과로서, 바인더에 분산제의 음이온성기가 취해지는 형태가 된다. 고굴절률층 또는 중굴절률층의 바인더에 취해진 음이온성기는 무기 미립자의 분산 상태를 유지하는 기능을 가지며, 가교 또는 중합 구조가 바인더에 필름-형성 능력을 부여하고, 이로써 무기 미립자를 함유하는 고굴절의 전자파쉴드층은 물리적 강도, 내약품성 및 내후성이 개선된다.
여기서, 고굴절의 전자파쉴드층 형성 시에, 경화성 수지의 가교 또는 중합 반응은 산소 농도 10체적% 이하인 분위기에서 수행되는 것이 바람직하다. 산소 농도 10체적% 이하인 분위기에서 고굴절의 전자파쉴드층을 형성함으로써, 고굴절의 전자파쉴드층은 물리적 강도, 내약품성, 내후성 및 고굴절층과 이 고굴절층에 인접한 층 간의 접착성이 개선될 수 있다.
상기 경화성 수지의 가교 반응 또는 중합 반응을 통한 층 형성은 산소 농도 6체적% 이하인 분위기에서 수행되는 것이 바람직하고, 산소 농도 4체적% 이하인 분위기에서 수행되는 것이 더욱 바람직하며, 산소 농도 2체적% 이하인 분위기에서 수행되는 것이 더욱 더 바람직하나, 산소 농도 1체적% 이하인 분위기에서 수행되는 것이 가장 바람직하다.
상기 고굴절의 전자파쉴드층의 두께는 0.1 내지 20㎛가 바람직하고, 2 내지 8㎛가 더욱 바람직하다. 여기서 고굴절의 전자파쉴드층의 필름 두께 및 굴절률을 만족할 수 있도록, 미립자의 종류 및 수지의 종류를 선택하고 이들의 배합비율을 결정함으로써 주요 조성이 정해질 수 있다.
2. 저굴절층 제조
2.1 저굴절층
본 발명에 따른 반사방지필름의 저굴절층은 1.28 내지 1.38이하의 굴절률을 갖는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1.38 이하이다. 이 범위는 반사율을 감소시키면서 필름 강도를 유지할 수 있기 때문에 바람직하다. 저굴절층을 형성하는 방법은, 화학 기상 증착 (CVD) 또는 물리 기상 증착 (PVD), 특히 물리 기상 증착법의 한 종류인 진공 증착 또는 스퍼터링에 의해 형성된 무기 산화물의 투명 박막을 사용할 수도 있지만, 저굴절층 형성용 코팅 조성물을 사용하는 올-웨트 코팅에 의한 방법이 바람직하다. 올-웨트 코팅 방법은 공지된 기술이므로 자세한 설명은 생략하기로 한다. 저굴절층은 무기 미립자를 함유하는 것이 바람직하고, 무기 미립자 중에서 적어도 한 종류의 무기 미립자가 중공 입자인 것이 바람직하며, 실리카를 주성분으로서 포함하는 중공 입자(이후, "중공 실리카 입자"라고도 함)가 가장 바람직하다.
이러한 저굴절층의 두께는 90 내지 130㎚가 바람직하고, 100 내지 120㎚가 더욱 바람직하다. 또한, 저굴절층의 헤이즈는 3%이하가 바람직하고, 2%이하가 더욱 바람직하고, 1%이하가 가장 바람직하다.
또한, 저굴층까지의 층들이 형성된 반사방지필름의 강도는, 500g 하중의 연필 경도 시험에서, H 이상이 바람직하고, 2H 이상이 더욱 바람직하고, 3H 이상이 가장 바람직하다.
여기서, 반사방지필름의 지문방지 성능을 향상시키기 위해, 표면의 물에 대한 수접촉각이 60° 내지 80°인 것이 바람직하다.
2.2 무기 미립자
저굴절층에 사용될 수 있는 무기 미립자는 중공 입자가 바람직하다.
상기 중공 입자의 굴절률은 1.40이하가 바람직하고, 1.28 내지 1.38가 더욱 바람직하며, 1.32 내지 1.36이 가장 바람직하다. 중공 입자는 중공 실리카 입자가 바람직하고, 무기 미립자에 대해 이하 중공 실리카 입자를 참조하면서 설명한다. 여기서 사용되는 굴절률은 전체 입자의 굴절률을 나타내며, 중공 실리카 입자를 형성하는 외측 셸로서의 실리카만의 굴절률을 나타내는 것은 아니다. 이때, 입자 내부의 캐비티의 반경을 a라 가정하고 입자의 외측 셸의 반경을 b라 가정하면, 다음 식 (1) 에 의해 나타내지는 공극률 x는 10 내지 60%가 바람직하고, 20 내지 60%가 더욱 바람직하고, 30 내지 60%가 가장 바람직하다.
식 (1) : x=(4πa3/3)(4πb3/3)×100
상기의 중공 실리카 입자가 보다 낮은 굴절률 및 보다 높은 공극률을 가지도록 의도될 경우, 외측 셸의 두께가 얇아지고 입자로서의 강도가 저하된다. 따라서, 내찰상성의 관점에서 상술한 범위내의 굴절률을 갖는 입자가 바람직하다.
여기서, 중공 실리카 입자의 굴절률은 아베 굴절계(ATAGO K.K. 제조)에 의해 측정될 수 있다. 중공 실리카의 제조방법은, 일본 공개특허공보 제2001-233611호 및 제2002-79616호에 이미 공지되어 있으며 시판되는 중공 실리카 입자를 사용할 수도 있다.
또한, 중공 실리카 입자의 코팅량은 1 내지 100㎎/㎡이 바람직하고, 5 내지 80㎎/㎡이 더욱 바람직하며, 가장 바람직하게는 10 내지 60㎎/㎡이다. 상기의 코팅양 범위 내에서는 굴절률을 감소시키거나, 내찰상성을 개량시키는 양호한 효과를 얻을 수 있으며, 저굴절층 표면상의 미세한 요철 발생을 방지할 수 있고 외관(예컨대 농후한 블랙외관) 및 적분 반사율을 양호하게 유지할 수 있다.
여기서, 중공 실리카 입자의 평균 입자 직경은 저굴절층의 두께에 대하여 30 내지 150%가 바람직하고, 35 내지 80%가 더욱 바람직하며, 40 내지 60%가 가장 바람직하다. 즉, 저굴절층의 두께가 100㎚이라면 중공 실리카 입자의 입자직경은 30 내지 150㎚가 바람직하고, 35 내지 80㎚가 더욱 바람직하며, 40 내지 60㎚가 가장 바람직하다. 입자 직경이 상기 범위 내에 포함되면, 캐비티의 비율이 만족스럽게 유지될 수 있고 굴절률을 충분히 감소시킬 수 있다. 또한 저굴절층 표면상의 미세한 요철 발생을 방지할 수 있고, 외관(예컨대, 농후한 블랙 외관) 및 적분 반사율을 양호하게 유지할 수 있다. 상기 실리카 미립자는 결정질 또는 비정질일 수도 있고, 단분산입자가 가장 바람직하다. 그 형상은 구형이 가장 바람직하지만, 부정형이더라도 문제는 없다. 여기서 중공 실리카 입자의 평균 입자직경은 전자 현미경 사진으로부터 결정될 수 있다.
한편, 본 발명에 있어서 중공 실리카 입자와 조합하여 캐비티가 없는 실리카 입자를 사용할 수도 있다. 캐비티가 없는 실리카의 입자크기는 5 내지 150㎚가 바람직하고, 10 내지 80㎚가 더욱 바람직하며, 가장 바람직하게는 15 내지 60㎚이다.
또한, 저굴절층의 두께의 25% 미만인 평균 입자직경을 갖는 적어도 1 종류의 실리카 미립자("소 입자크기 실리카 미립자"라고도 함)를, 상술한 입자직경을 갖는 실리카 미립자("대 입자크기 실리카 미립자"라고도 함)와 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 상기 소 입자크기 실리카 미립자는, 대 입자크기 실리카 미립자들 사이의 간극에 존재할 수도 있으므로, 대 입자크기 실리카 미립자에 대한 유지제로서 기여할 수 있다. 상기 소 입자크기 실리카 미립자의 평균 입자직경은 1 내지 20㎚가 바람직하고, 5 내지 15㎚가 더욱 바람직하며, 10 내지 15㎚가 가장 바람직하다. 이러한 실리카 미립자의 사용은 원료 비용 및 유지제 효과의 관점에서 효과적이다 할 수 있다.
한편, 분산액 또는 코팅 용액내의 분산을 안정화시키거나 또는 바인더 성분과의 친화성 또는 결합성을 향상시키기 위해, 중공 입자에 대해 플라즈마 방전 처리 및 코로나 방전 처리와 같은 물리적 표면 처리 또는 계면활성제, 커플링제 등에 의한 화학적 표면 처리를 수행할 수도 있다. 여기서 커플링제의 사용이 가장 바람직하며, 커플링제로서는 알콕시 금속 화합물(예컨대 티타늄 커플링제, 실란 커플링제)을 사용하는 것이 바람직하고, 이 중에서도 아크릴로일 또는 메타크릴로일기를 갖는 실란 커플링제에 의한 처리가 효과적이다. 중공 입자의 화학적 표면 처리제, 용매, 촉매 및 분산 안정제는 일본 공개특허공보 제2006-17870호의 단락 [0058] 내지 [0083]에 기재되어 있으므로 여기서는 생략하다.
또한, 저굴절층은 필름-형성 용질 및 1 종류 이상의 용매를 함유하는 코팅 조성물을 도포하고, 용매를 건조하여 가열 또는 전리 방사선의 조사 중 어느 한 수단 또는 양 수단에 의해 코팅을 경화시킴으로써 형성되는 것이 바람직하다. 상기의 용질로는 열-경화성 또는 전리 방사선-경화성 불소 함유 경화성 수지를 함유하는 조성물, 유기실릴 화합물의 가수분해물, 또는 그 부분 축합물이 바람직하다. 또한 저굴절층은 불소 함유 경화성 수지를 함유하는 조성물을 사용하는 것이 바람직하고, 유기실릴 화합물의 가수분해물 또는 그 부분 축합물을 보조적으로 사용하는 양태가 더욱 바람직하다. 보조적으로 사용되는 유기실릴 화합물의 가수분해물 또는 그 부분 축합물의 첨가량은 불소 함유 경화성 수지에 대하여 10 내지 40질량%이다.
2.3 저굴절층 형성용 코팅 조성물
통상적으로 저굴절층 형성용 코팅 조성물은 액체 형태이되, 적절한 용매에 상술한 무기 미립자 및 불소 함유 경화성 수지를 용해시키고, 필요에 따라 다양한 첨가제 및 라디칼 중합 개시제를 용해시킴으로써 제조할 수 있다. 여기서, 고형분의 농도는 용도에 따라서 적절하게 선택될 수도 있지만, 대략 0.01 내지 60질량%가 일반적이고 0.5 내지 50질량%가 더욱 바람직하며, 대략 1 내지 20질량%가 가장 바람직하다.
상기 라디칼 중합 개시제는, 열 작용하에서 라디칼을 발생시키는 유형 또는 광 작용하에서 라디칼을 발생시키는 유형 중 어느 것일 수도 있다.
여기서 열 작용하에서 라디칼 중합을 개시하는 화합물은 유기 또는 무기 과산화물, 유기 아조 또는 디아조 화합물 등이 이용될 수도 있다. 더욱 상세하게는, 유기 과산화물의 예로는 과산화벤조일, 과산화할로겐벤조일, 과산화라우로일, 과산화아세틸, 과산화디부틸, 쿠멘 히드로퍼옥사이드 및 부틸 히드로퍼옥사이드를 포함하고, 무기 과산화물의 예로는 과산화수소, 과황산암모늄 및 과황산칼륨을 포함하며, 아조 화합물의 예로는 2-아조-비스-이소부티로니트릴, 2-아조-비스-프로피오니트릴 및 2-아조-비스-시클로헥산디니트릴을, 디아조 화합물의 예로는 디아조아미노벤젠 및 p-니트로벤젠디아조늄을 포함한다.
또한, 광 작용하에서 라디칼 중합을 개시하는 화합물을 이용하는 경우에는 전리 방사선의 조사에 의해 필름이 경화된다. 이러한 광라디칼 중합 개시제의 예로는 아세토페논류, 벤조인류, 벤조페논류, 포스핀 옥사이드류, 케탈류, 안트라퀴논류, 티옥산톤류, 아조 화합물류, 과산화물류, 2,3-디알킬디온 화합물류, 디술피드 화합물류, 플루오로아민 화합물류 및 방향족 술포늄류를 포함한다. 여기서, 아세토페논류의 예로는 2,2-디에톡시아세토페논, p-디메틸아세토페논, 1-히드록시디메틸 페닐 케톤, 1-히드록시시클로헥실 페닐 케톤, 2-메틸-4-메틸티오-2-모르포리노프로피오페논 및 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르포리노페닐)부타논을 포함한다. 벤조인류의 예로는 벤조인 벤젠술폰산 에스테르, 벤조인 톨루엔술폰산 에스테르, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르 및 벤조인 이소프로필 에테르를 포함한다. 또한 벤조페논류의 예로는 벤조페논, 2,4-디클로로벤조페논, 4,4-디클로로벤조페논 및 p-클로로벤조페논을 포함한다. 마지막으로, 포스핀 옥사이드류의 예로는 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀 옥사이드를 포함한다.
상기와 같은 광라디칼 중합 개시제와 조합하여 저굴절층 형성용 코팅 조성물을 바람직하게 제조할 수 있다.
한편, 열 또는 광의 작용하에서 라디칼 중합을 개시하는 화합물의 첨가량은 탄소-탄소 이중 결합의 중합을 개시하기에 충분히 큰 양이라면 족하고, 그 첨가량은 저굴절층 형성용 조성물의 전체 고형분에 대해 0.1 내지 15질량%인 것이 바람직하고, 0.5 내지 10질량% 인 것이 더욱 바람직하며, 가장 바람직하게는 2 내지 5질량% 이다.
2.4 용매
저굴절층 형성용 코팅 조성물에 함유된 용매는, 경화성 수지가 침전을 유발하지 않고 균일하게 용해 또는 분산될 수 있는 한 특별히 제한하지 않으며, 2 종 이상 용매를 조합하여 제조할 수도 있다. 그 바람직한 예는 케톤류(예를 들어 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤), 에스테르류(예를 들어 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트), 에테르류(예를 들어 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산), 알콜류(예를 들어 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알콜, 부탄올, 에틸렌 글리콜), 방향족 탄화수소류(예를 들어 톨루엔, 크실렌) 및 물을 포함한다.
2.5 저굴절층 형성용 코팅 조성물에 적절히 함유된 그 밖의 화합물
지문방지 특성, 내수성, 내약품성 및 미끄럼성과 같은 특성을 부여하기 위해, 공지된 화합물인 실리콘계 또는 불소계 지문방지제, 윤활제 등이 적절하게 첨가될 수도 있다. 이러한 첨가제를 첨가하는 경우, 첨가제의 첨가량은 저굴절층의 전체 고형분에 기초하여 0 내지 20질량%가 바람직하고, 0 내지 10질량%가 더욱 바람직하며, 0 내지 5질량% 가 가장 바람직하다.
본 발명의 저굴절층은 무기 필러, 실란 커플링제, 윤활제, 계면활성제 등을 함유할 수도 있으며 특히, 무기 미립자, 실란 커플링제 및 윤활제가 함유되는 것이 바람직하다.
상기 실란 커플링제에 대한 예로서 히드록실기, 메르캅토기, 카르복시기, 에폭시기, 알킬기, 알콕시실릴기, 아실옥시기 또는 아실아미노기를 함유하는 실란 커플링제가 바람직하고, 에폭시기, 중합성 아실옥시기(예를 들어 (메타)아크릴로일) 또는 중합성 아실아미노기(예를 들어 아크릴아미노, 메타크릴아미노)를 함유하는 실란 커플링제가 더욱 바람직하다.
상기 윤활제는 디메틸실리콘과 같은 실리콘 화합물 또는 폴리실록산 부분이 도입된 불소 함유 화합물인 것이 바람직하다.
2.6 유기실릴 화합물
유기실릴 화합물은 저굴절층 형성용 코팅 조성물에서 가수분해 및 축합에 의해 가수분해물 또는 부분 축합물이 된다. 또한 조성물 중 바인더로서 작용할 뿐만 아니라 필름 코팅의 유연성 및 내알칼리성을 향상시킨다.
본 발명에서 저굴절층 형성용 코팅 조성물에 바람직하게 이용되는 유기실릴 화합물로는 이하의 화학식 1으로 표현된 화합물을 포함한다.
[화학식 1] R11mSi(X11)n
여기서 X11는 -OH, 할로겐 원자, -OR12기 또는 -OCOR12기를 나타내고, R11은 알킬기, 알케닐기 또는 아릴기를 나타내고, m+n 은 4 이고, m 과 n 은 각각 양의 정수를 나타낸다. 더욱 상세하게는 R11는 1 내지 10 의 탄소수를 가지는 치환 또는 미치환 알킬기(예를 들어 메틸, 에틸, 프로필, i-프로필, 부틸, 헥실, 옥틸), 2 내지 10의 탄소수를 가지는 치환 또는 미치환 알케닐기(예를 들어 비닐, 알릴 또는 2-부텐-1-일) 또는 6 내지 10의 탄소수를 가지는 치환 또는 미치환 아릴기(예를 들어 페닐, 나프틸)를 나타낸다. R11로 표현된 기가 치환기를 가지는 경우, 치환기의 바람직한 예로는 할로겐(예를 들어 불소, 염소, 브롬), 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 에폭시기, 알킬기(예를 들어 메틸, 에틸, i-프로필, 프로필, tert-부틸), 아릴기(예를 들어 페닐, 나프틸), 방향족 복소환식기(예를 들어 퓨릴, 피라졸릴, 피리딜), 알콕시기(예를 들어 메톡시, 에톡시, i-프로폭시, 헥실옥시), 아릴옥시기(예를 들어 페녹시), 알킬티오기(예를 들어 메틸티오, 에틸티오), 아릴티오기(예를 들어 페닐티오), 알케닐기(예를 들어 비닐, 알릴), 아실옥시기(예를 들어 아세톡시, 아크릴로일옥시, 메타크릴로일옥시), 알콕시카르보닐기(예를 들어 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐), 아릴옥시카르보닐기 (예를 들어, 페녹시카르보닐), 카르바모일기(예를 들어 카르바모일, N-메틸카르바모일, N,N-디메틸카르바모일, N-메틸-N-옥틸카르바모일) 및 아실아미노기(예를 들어 아세틸아미노, 벤조일아미노, 아크릴아미노, 메타크릴아미노)를 포함한다.
상기 화학식 1의 화합물은 가수분해 및 상호 축합을 포함하는 소위 졸-겔법에 의해 매트릭스를 형성한다. 화학식 1의 화합물은 이하의 4개의 식으로 표현될 수 있다.
[화학식 1a] Si(X11)4
[화학식 1b] R11Si(X11)3
[화학식 1c] R11 2Si(X11)2
[화학식 1d] R11 3SiX11
여기서, 화학식 1a의 성분에 대해 상세하게 설명하면, 화학식 1a로 표현된 화합물의 구체적인 예로는 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-i-프로폭시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 테트라-s-부톡시실란 및 테트라-tert-부톡시실란을 포함한다. 특히, 테트라메톡시실란 및 테트라에톡시실란이 바람직하다.
여기서, 화학식 1b의 성분에 대해 설명하면, 화학식 1b의 성분에서 R11은 화학식 1의 R11과 동일한 의미를 가지는 기를 나타낸다. 그 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기 및 i-프로필기와 같은 알킬기, γ-클로로프로필기, 비닐기, CF3CH2CH2CH2-, C2F5CH2CH2CH2-, C3F7CH2CH2CH2-, C2F5CH2CH2-, CF3OCH2CH2CH2-, C2F5OCH2CH2CH2-, C3F7OCH2CH2CH2-, (CF3)2CHOCH2CH2CH2-, C4F9CH2OCH2CH2CH2-, 3-(퍼플루오로시클로헥실옥시)프로필기, H(CF2)4CH2OCH2CH2CH2-, H(CF2)4CH2CH2CH2-, 3-글리시독시프로필기, 3-아크릴옥시프로필기, 3-메타크릴옥시프로필기, 3-메르캅토프로필기, 페닐기 및 3,4-에폭시시클로헥실에틸기를 포함한다. X11는 -OH, 할로겐 원자, -OR12기 또는 -OCOR12기를 나타낸다. 화학식 1b의 성분의 구체 예로는 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, i-프로필트리메톡시실란, i-프로필트리에톡시실란, 클로로프로필트리메톡시실란, 3-클로로프로필트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 3,4-에폭시시클로헥실에틸트리메톡시실란, 3,4-에폭시시클로헥실에틸트리에톡시실란, CF3CH2CH2CH2Si(OCH3)3-, C2H5CH2CH2CH2Si(OCH3)3-, C2F5CH2CH2Si(OCH3)3-, C3F7CH2CH2CH2Si(OCH3)3-, C2F5OCH2CH2CH2Si(OCH3)3-, C3F7OCH2CH2CH2Si(OC2H5)3-, (CF3)2CHOCH2CH2CH2Si(OCH3)3-, C4F9CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)3-, H(CF2)4CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)3- 및 3-(퍼플루오로시클로헥실옥시) 프로필실란을 포함한다.
이들 중에서, 불소 원자를 가지는 유기실릴 화합물이 바람직하다.
한편, R11로서 불소 원자를 가지지 않는 유기실 화합물을 이용하는 경우, 메틸트리메톡시실란 또는 메틸트리에톡시실란을 이용하는 것이 바람직하다. 이들 유기실릴 화합물들 중 1종을 단독으로 이용할 수도 있고 또는 2 종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.
여기서, 화학식 1c의 성분에 대해 설명하면, 화학식 1c의 성분은 식 R11 2Si(X11)2로 표현된 유기실릴 화합물이다(R11및 X11은 화학식 1b의 성분으로 이용된 유기실릴 화합물에 정의된 R11및 X11과 동일한 의미를 갖는다). 여기서 복수의 R11들은 동일한 기가 아닐 수도 있다. 상기 유기실릴 화합물의 구체예로는 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디-n-프로필디메톡시실란, 디-n-프로필디에톡시실란, 디-i-프로필디메톡시실란, 디-i-프로필디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, (CF3CH2CH2)2Si(OCH3)2, (CF3CH2CH2CH2)2Si(OCH3)2, (C3F7OCH2CH2CH2)2Si(OCH3)2, [H(CF2)6CH2OCH2CH2CH2]2Si(OCH3)2 및 (C2F5OCH2CH2)2Si(OCH3)2를 포함하며, 불소원자를 가지는 유기실릴 화합물이 바람직하다.
한편, R11로서 불소 원자를 가지지 않는 유기실릴 화합물을 이용하는 경우, 디메틸디메톡시실란 또는 디메틸디에톡시실란이 바람직하다.
여기서, 화학식 1c의 성분으로 표현된 유기실릴 화합물들 중 1종을 단독으로 이용할 수도 있고 또는 2 종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.
마지막으로, 화학식 1d의 성분에 대해 설명하면, 화학식 1d의 성분은 식 R11 3SiX11로 표현된 유기실릴 화합물이다(여기서, R11및 X11은 화학식 1b의 성분으로 이용되는 유기실릴 화합물에 정의된 R11및 X11과 동일한 의미를 갖는다). 여기서 복수의 R11는 동일하지 않을 수도 있다. 이 유기실릴 화합물의 구체 예로는 트리메틸메톡시실란, 트리메틸에톡시실란, 트리에틸메톡시실란, 트리에틸에톡시실란, 트리-n-프로필메톡시실란, 트리-n-프로필에톡시실란, 트리-i-프로필메톡시실란, 트리-i-프로필에톡시실란, 트리페닐메톡시실란 및 트리페닐에톡시실란을 포함한다.
본 발명에서, 화학식 1a 내지 화학식 1d의 성분 각각은 단독으로 이용될 수도 있지만 혼합물로서 이용될 수도 있다. 혼합물로 이용 될 경우, 화학식 1b 성분의 혼합 비율은 화학식 1a의 100 질량부에 대해 0 내지 100 질량부이고 바람직하게는 1 내지 60 질량부이며, 더욱 바람직하게는 1 내지 40 질량부이다. 또한, 화학식 1c 성분은 화학식 1a 성분의 100 질량부에 대해 바람직하게는 0 내지 10 질량부이고, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 5 질량부이고, 가장 바람직하게는 0.5 내지 3 질량부이다. 마지막으로, 화학식 1d 성분은 화학식 1a 성분 100 질량부에 대해 0 내지 10 질량부이고 바람직하게는 0.1 내지 5 질량부이며, 가장 바람직하게는 0.5 내지 3 질량부이다. 화학식 1a 성분 내지 화학식 1d 성분 중에서 화학식 1a 성분의 비율은 전체 유기실릴 화합물의 100질량% 중 30질량% 이상인 것이 바람직하다. 화학식 1a 성분의 비율이 30질량% 이상인 경우, 획득되는 필름 코팅의 접착성 또는 경화성의 감소와 같은 문제가 발생하지 않아서 바람직하다. 화학식 1a 내지 화학식 1d 성분 이외에, 일본 공개특허공보 제2006-30740호 단락 [0039] 및 [0052] 내지 [0067]에 기재된 화합물을 바람직하게 첨가할 수도 있고 또는 여기 기재된 저굴절층 형성용 코팅 조성물을 바람직하게 제작할 수도 있다.
2.7 저굴절층의 형성
저굴절층은 중공 입자, 불소 함유 경화성 수지, 유기실릴 화합물 및 필요에 따라 그 밖의 임의의 성분이 그 내부에 용해 또는 분산된 코팅 조성물을 도포하고, 코팅과 동시에 또는 코팅 및 건조 후에 전리 방사선 조사(예를 들어 광 조사 또는 전자 빔의 조사) 또는 가열 하에서 가교 또는 중합 반응을 통해서 그 코팅을 경화시킴으로써 형성되는 것이 바람직하다.
특히, 저굴절층이 전리 방사선-경화성 화합물의 가교 또는 중합 반응을 통해서 형성되는 경우, 그 가교 또는 중합 반응은 10체적% 이하의 산소 농도를 가지는 분위기에서 수행되는 것이 바람직하다. 10체적% 이하의 산소 농도를 가지는 분위기에서 저굴절층을 형성함으로써, 물리적 강도 및 내약품성이 우수한 최외층이 획득될 수 있다. 여기서 산소 농도는 6체적% 이하인 것이 바람직하고, 4체적% 이하인 것이 더욱 바람직하며, 2체적% 이하인 것이 더욱 더 바람직하고, 1체적% 이하인 것이 가장 바람직하다. 10체적% 이하로 산소 농도를 감소시키기 위한 수단으로는, 대기(질소 농도: 약 79체적%, 산소 농도: 약 21체적%)를 다른 기체로 치환시키는 것이 바람직하고, 질소(질소 퍼지)로의 치환이 가장 바람직하다.
또한, 저굴절층은 중공 실리카 미립자, 음이온성 분산제와 3관능 이상의 중합성기를 함유하는 자외선 경화성 수지를 포함할 수도 있다.
3. 투명 기재필름
본 발명의 투명 기재필름은 특별히 한정되는 것은 아니고, 공지의 플라스틱 기재필름에 이용되는 수지 소재 중에서 적절히 선택해서 사용할 수 있다. 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 트리아세테이트셀룰로오스(TAC), 폴리프로필렌(PP) 또는 폴리에틸렌(PE) 중 어느 하나를 이용할 수 있으며, 상기 기재는 투명성, 강도 및 두께의 균일성이 우수하기 때문에 투명 기재필름으로서 바람직하며, 구성 수지 성분은 1종 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수도 있다.
본 발명에 따른 반사방지필름은 표면 저항치가 E^7Ω/□ 이하가 바람직하다. 만약, 표면 저항치가 E^7Ω/□ 이상일 경우 전자파 차폐효과가 현저히 떨어지는 문제점이 있을 수 있다. 또한, 투과율 및 탁도가 각각 93% 이상 및 0.8% 이하인 것이 바람직하다.
이하, 실시예와 비교예를 통하여 본 발명의 구성 및 그에 따른 효과를 보다 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 본 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물(업체: Toyo Ink社, 제품명: TYZ-100(직경이20 내지 40㎚의 지르코니아 무기입자와 우레탄아크릴레이트 수지가 1.5 : 1 중량비))을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하여 100 ℃ 에서 2분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 2.8㎛이고, 굴절률이 1.67인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
다음으로, 저굴절층용 코팅 조성물(중공 실리카 입자와 전리방사선 경화타입 우레탄아크릴계(9관능 아크릴계 모노머와 5관능기 우레탄아크릴레이트계 올리고머를 1 : 3.5 중량비로 구성)의 수지비를 1.52 : 1 중량비로 하고, 광개시제(Ciba社 Igarcure184, 전체수지대비 2.8 중량비)와 용매(MIBK와 MEK 비를 1 : 1 중량비로 구성)를 혼합하여, 고형분 5.5wt%로 희석)을 상기 고굴절층에 180메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 다음, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 110㎚ 이고, 굴절률이 1.33인 저굴절층을 형성하였다. 이에 따라 본 발명의 반사방지필름을 수득하였다.
[실시예 2]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물(업체: Toyo Ink社, 제품명: TYZ-100(직경이20 내지 40㎚의 지르코니아 무기입자와 우레탄아크릴레이트 수지가 1.8 : 1중량비))을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 2.8㎛이고, 굴절률이 1.69인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
그 외는 상기 실시예 1의 저굴절층 형성과 동일한 방법으로 저굴절층을 형성하였고, 이에 따라 반사방지필름을 수득하였다.
[실시예 3]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물(업체: Toyo Ink社, 제품명: TYZ-100(직경이20 내지 40㎚의 지르코니아 무기입자와 우레탄아크릴레이트 수지가 2.1 : 1 중량비))을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 2.8㎛이고, 굴절률이 1.72인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
그 외는 상기 실시예 1의 저굴절층 형성과 동일한 방법으로 저굴절층을 형성하였고, 이에 따라 반사방지필름을 수득하였다.
[실시예 4]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물(업체: Toyo Ink社, 제품명: TYZ-100(직경이 20 내지 40㎚의 지르코니아 무기입자와 우레탄아크릴레이트 수지가 2.4 : 1 중량비))을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 2.8㎛이고, 굴절률이 1.75인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
그 외는 상기 실시예 1의 저굴절층 형성과 동일한 방법으로 저굴절층을 형성하였고, 이에 따라 반사방지필름을 수득하였다.
[실시예 5]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물(업체: Toyo Ink社, 제품명: TYZ-100(직경이20 내지 40㎚의 지르코니아 무기입자와 우레탄아크릴레이트 수지가 2.7 : 1 중량비))을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 2.8㎛이고, 굴절률이 1.81인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
그 외는 상기 실시예 1의 저굴절층 형성과 동일한 방법으로 저굴절층을 형성하였고, 이에 따라 반사방지필름을 수득하였다.
[비교예 1]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물(업체: Toyo Ink社, 제품명: TYZ-100(직경이20 내지 40㎚의 지르코니아 무기입자와 우레탄아크릴레이트 수지가 0.8 : 1 중량비))을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 2.8㎛이고, 굴절률이 1.58인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
다음으로, 저굴절층용 코팅 조성물을 상기 고굴절층에 180메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 다음, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 110㎚이고, 굴절률이 1.33인 저굴절층을 형성하였다. 이에 따라 본 발명의 반사방지필름을 수득하였다.
[비교예 2]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물(업체: Toyo Ink社, 제품명: TYZ-100(직경이20 내지 40㎚의 지르코니아 무기입자와 우레탄아크릴레이트 수지가 1.0 : 1 중량비))을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 2.8㎛이고, 굴절률이 1.61인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
그 외는 상기 비교예 1의 저굴절층 형성과 동일한 방법으로 저굴절층을 형성하였고, 이에 따라 반사방지필름을 수득하였다.
[비교예 3]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물(업체: Toyo Ink社, 제품명: TYZ-100(직경이20 내지 40㎚의 지르코니아 무기입자 와 우레탄아크릴레이트 수지가 3.3 : 1 중량비))을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 2.8㎛이고, 굴절률이 1.92인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
그 외는 상기 비교예 1의 저굴절층 형성과 동일한 방법으로 저굴절층을 형성하였고, 이에 따라 반사방지필름을 수득하였다.
[비교예 4]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물(업체: Toyo Ink社, 제품명: TYZ-100(직경이20 내지 40㎚의 지르코니아 무기입자 와 우레탄아크릴레이트 수지가 3.5 : 1 중량비))을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 2.8㎛이고, 굴절률이 1.95인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
그 외는 상기 비교예 1의 저굴절층 형성과 동일한 방법으로 저굴절층을 형성하였고, 이에 따라 반사방지필름을 수득하였다.
[비교예 5]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물(업체: Toyo Ink社, 제품명: TYZ-100(직경이20 내지 40㎚의 지르코니아 무기입자 와 우레탄아크릴레이트 수지가 3.7 : 1 중량비))을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 2.8㎛이고, 굴절률이 1.97인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
그 외는 상기 비교예 1의 저굴절층 형성과 동일한 방법으로 저굴절층을 형성하였고, 이에 따라 반사방지필름을 수득하였다.
[실험예 1 : 표면 반사율의 평가]
380 내지 780㎚의 파장 영역 중 입사각(=반사각) 5°에서의 표면 반사율을 어댑터가 장치 된 UV Spectrophometer[Shimazu UV-PC3600]를 이용하여 측정하였다. 반사방지필름 반대면에 검은색 무광택 테이프나 무광택 페인트를 사용하여, 검은색으로 배면처리한 후 표면 반사율을 측정하였다.
이하 수득된 반사 스펙트럼을 도 3에 나타내었다. 또한, 480 내지 680 ㎚ 파장 범위에서 평균 경면 반사율을 계산하여 아래의 표 1과 같이 반사방지 성능을 평가하였다.
고굴절의 전자파쉴드층의 굴절률 저굴절층의
굴절률		 480~680㎚에서의
평균경면반사율(%)
실시예 1 1.67 1.33 0.65
실시예 2 1.69 1.33 0.56
실시예 3 1.72 1.33 0.54
실시예 4 1.75 1.33 0.51
실시예 5 1.81 1.33 0.52
비교예 1 1.58 1.33 1.63
비교예 2 1.61 1.33 1.55
비교예 3 1.92 1.33 1.23
비교예 4 1.95 1.33 1.56
비교예 5 1.97 1.33 1.88
[ 실시예 6]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 2.3㎛이고, 굴절률이 1.75인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
그 외는 상기 실시예 1의 저굴절층 형성과 동일한 방법으로 저굴절층을 형성하였고, 이에 따라 반사방지필름을 수득하였다.
[실시예 7]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 2.8㎛이고, 굴절률이 1.75인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
그 외는 상기 실시예 1의 저굴절층 형성과 동일한 방법으로 저굴절층을 형성하였고, 이에 따라 반사방지필름을 수득하였다.
[실시예 8]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 3.2㎛이고, 굴절률이 1.75인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
그 외는 상기 실시예 1의 저굴절층 형성과 동일한 방법으로 저굴절층을 형성하였고, 이에 따라 반사방지필름을 수득하였다.
[비교예 6]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 1.1㎛이고, 굴절률이 1.75인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
그 외는 상기 실시예 1의 저굴절층 형성과 동일한 방법으로 저굴절층을 형성하였고, 이에 따라 반사방지필름을 수득하였다.
[비교예 7]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 1.6㎛이고, 굴절률이 1.75인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
그 외는 상기 실시예 1의 저굴절층 형성과 동일한 방법으로 저굴절층을 형성하였고, 이에 따라 반사방지필름을 수득하였다.
[비교예 8]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 3.8㎛이고, 굴절률이 1.75인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
그 외는 상기 실시예 1의 저굴절층 형성과 동일한 방법으로 저굴절층을 형성하였고, 이에 따라 반사방지필름을 수득하였다.
[비교예 9]
고굴절 전자파쉴드 코팅 조성물을 50㎛ 두께의 폴리에스테르 기재(PET Film, 굴절률: 1.64, Torayamk inc. 에 의해 제조)에 110메쉬의 그라비어 코팅기를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분 동안 건조시킨 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 두께가 4.6㎛이고, 굴절률이 1.75인 고굴절의 전자파쉴드층을 형성하였다.
그 외는 상기 실시예 1의 저굴절층 형성과 동일한 방법으로 저굴절층을 형성하였고, 이에 따라 반사방지필름을 수득하였다.
[실험예 2 : 투과율/HAZE/표면저항]
투과율/HAZE 측정장비: Nippon Denshoku NDH-5000 (D65/10°) 와 표면저항 측정 장비: ADVANTEST R8340A를 이용하여 투과율, HAZE 및 표면저항을 측정하였고, 표 2에 나타내었다.
고굴절 전자파쉴드층 두께(㎛) 투과율(%) HAZE(%) 표면저항(Ω/□)
실시예6 2.3 95.01 0.46 E^7
실시예7 2.8 95.03 0.54 E^6
실시예8 3.2 94.89 0.69 E^6
비교예6 1.1 94.68 0.42 E^9
비교예7 1.6 94.76 0.43 E^9
비교예8 3.8 94.88 0.89 E^5
비교예9 4.6 94.67 1.05 E^5
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만, 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
1: 기재필름 2: 고굴절 전자파쉴드층
3: 저굴절층 10: 디스플레이부
100: 터치 패널부 110: 기판
120a: 상부점착층 130a: 상부 투명 도전층
120b: 하부점착층 130b: 하부 투명 도전층
140a: 투명보호 코팅층 150: 접착층
160: 금속도선 200: 액정표시장치

Claims (9)

  1. 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름에 있어서,
    투명한 기재필름;
    상기 기재필름 상의 한 면에 도포된 고굴절 전자파쉴드층; 및
    상기 고굴절 전자파쉴드층 상에 도포된 굴절률이 1.28 내지 1.38인 저굴절층이 순차적으로 코팅되어 반사방지필름과 전자파쉴드필름이 일체화된 복합필름이되,
    상기 고굴절 전자파쉴드층은 굴절률이 1.67 내지 1.78이고, 두께는 2.3 내지 3.2㎛이고,
    상기 고굴절 전자파쉴드층은 금속의 산화물을 포함하는 무기 미립자 및 3관능 이상의 중합성기를 함유하는 자외선 경화성 수지를 1.5 내지 2.7:1의 중량비로 포함하며,
    상기 반사방지필름은 투과율이 93% 이상이고, 탁도가 0.8%이하이며, 지문방지 성능을 위한 수접촉각이 60° 내지 80°인 것을 특징으로 하는 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기재필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 트리아세테이트셀룰로오스(TAC), 폴리프로필렌(PP) 또는 폴리에틸렌(PE) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 고굴절 전자파쉴드층은 음이온성 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 금속의 산화물은 Ti, Zr, In, Zn, Sn, Al 및 Sb에서 선택되는 적어도 하나의 금속의 산화물인 것을 특징으로 하는 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 무기 미립자는 분산 매체 속에 분산될 수 있으며, 질량 평균 입자 직경은 10 내지 120㎚인 것을 특징으로 하는 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 저굴절층의 두께는 90 내지 130㎚이고, 헤이즈는 3%이하인 것을 특징으로 하는 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 저굴절층은 중공 실리카 미립자, 음이온성 분산제와 3관능 이상의 중합성기를 함유하는 자외선 경화성 수지를 포함하고,
    상기 중공 실리카 미립자의 직경은 상기 저굴절층 두께에 대하여 30 내지 150%인 것을 특징으로 하는 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 반사방지필름은 평균 경면 반사율(average specular reflectance)이 480~680㎚의 파장 영역 중 5° 입사각으로 0.5 내지 1.0%인 것을 특징으로 하는 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 반사방지필름은 표면 저항치가 E^7Ω/□이하인 것을 특징으로 하는 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름.
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