KR102082366B1 - Organic light emiiting diode device and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광차단패턴을 이용하여 액티브영역의 빛 차단 뿐만 아니라 보조전극과 제1소스전극을 한 공정으로 형성하는 것으로, 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 몰리브덴합금(MoTi)중 어느 하나 선택된 것과 구리를 증착하고, 하프톤 마스크를 이용하여 광차단패턴은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 몰리브덴합금(MoTi)중 어느 것 하나 선택하여 형성하고, 보조전극과 제1소스전극은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 몰리브덴합금(MoTi)중 어느 하나 선택한 것과 구리의 이중층으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
이후 버퍼층과 반도체층, 게이트전극, 소스 및 드레인전극, 층간절연막을 형성하고 층간절연막에 콘택홀을 구비하여 제1소스전극과 소스전극을 접촉시켜 배선의 저항을 줄이는 것을 특징으로 한다.
층간절연막에 다른 콘택홀을 구비하여 보조전극과 전원배선을 접촉시켜 전압강하를 최소화 하고, 소비전력을 감소시키는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, the light blocking pattern is used to form the auxiliary electrode and the first source electrode as well as the light blocking of the active region, and any one of molybdenum (Mo), titanium (Ti) and molybdenum alloy (MoTi) And copper are deposited, and the light blocking pattern is formed by selecting one of molybdenum (Mo), titanium (Ti), and molybdenum alloy (MoTi) using a halftone mask, and the auxiliary electrode and the first source electrode are formed of molybdenum ( Mo), titanium (Ti), molybdenum alloy (MoTi) any one selected from and characterized in that it is formed of a double layer of copper.
Thereafter, a buffer layer, a semiconductor layer, a gate electrode, a source and a drain electrode, and an interlayer insulating layer are formed, and contact holes are formed in the interlayer insulating layer to contact the first source electrode and the source electrode to reduce the resistance of the wiring.
Another contact hole is provided in the interlayer insulating film to contact the auxiliary electrode and the power supply wiring to minimize voltage drop and reduce power consumption.

Description

유기발광다이오드소자 및 이의 제조방법{Organic light emiiting diode device and method of fabricating the same}Organic light emitting diode device and method of manufacturing the same {Organic light emiiting diode device and method of fabricating the same}

본 발명은 유기발광다이오드소자에 관한 것으로, 전원배선의 저항을 감소시키고 전압 강하를 최소화하는 유기발광다이오드소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode device, and to an organic light emitting diode device and a method for manufacturing the same to reduce the resistance of the power supply wiring and minimize the voltage drop.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD : liquid crystal display), 플라즈마표시장치(PDP : plasma display panel), 유기발광다이오드소자(organic electro-luminescent device)와 같은 여러가지 평판표시장치(flat display device)가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. Recently, liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), and organic light emitting diodes are used. Various flat display devices such as organic electro-luminescent devices have been utilized.

유기발광다이오드소자는 전자(electron) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전극(anode)으로부터 각 각 전자(electron)와 정공(hole)을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.The organic light emitting diode device injects electrons and holes into the light emitting layer from an electron injection electrode and a hole injection electrode, thereby injecting the injected electrons and It is a device that emits light when excitons combined with holes fall from the excited state to the ground state.

이러한 원리로 인해, 종래의 액정표시장치(LCD)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 소자의 부피와 무게를 줄일 수 있는 장점이 있다.Due to this principle, unlike a conventional liquid crystal display (LCD) it does not require a separate light source has the advantage of reducing the volume and weight of the device.

또한, 유기발광다이오드소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 가지며, 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하므로 최근 평판표시장치로서 주목 받고 있다. In addition, the organic light emitting diode device has a high brightness and low operating voltage characteristics, and because it is a self-luminous type that emits light by itself, it has a high contrast ratio, an ultra-thin display, and a response time of several microseconds ( Iii) It is easy to implement a moving image, there is no limit of viewing angle, it is stable even at low temperature, and it is attracting attention as a flat panel display device because it is easy to manufacture and design a driving circuit because it is driven at a low voltage of DC 5 to 15V.

이러한 유기발광다이오드소자를 구동하는 방식은 수동 매트릭스형(passive matrix type)과 능동 매트릭스형(active matrix type)으로 나눌 수 있다.The method of driving the organic light emitting diode device can be classified into a passive matrix type and an active matrix type.

수동 매트릭스형 유기발광다이오드소자는 그 구성이 단순하여 제조방법 또한 단순 하나 높은 소비전력과 표시소자의 대면적화에 어려움이 있으며, 배선의 수가 증가하면 할수록 개구율이 저하되는 단점이 있다.The passive matrix type organic light emitting diode device has a simple structure and a simple manufacturing method. However, the passive matrix type organic light emitting diode device has a high power consumption and a large area of the display device, and the opening ratio decreases as the number of wirings increases.

반면, 능동 매트릭스형 유기발광다이오드소자는 높은 발광효율과 고화질을 제공할 수 있는 장점이 있다.On the other hand, an active matrix organic light emitting diode device has an advantage of providing high luminous efficiency and high image quality.

또한, 이러한 유기발광다이오드소자에서는 빛을 방출하는 방향에 따라 상부발광형과 하부발광형으로 나뉠 수 있다.In addition, the organic light emitting diode device may be divided into an upper light emitting type and a lower light emitting type according to the light emitting direction.

도 1a는 능동 매트릭스 유기발광다이오드소자의 한 화소에 해당하는 등가회로도이고, 도 1b는 전원배선에 흐르는 전압의 전압강하를 간략하게 나타낸 그래프이다. 단 설명의 편의를 위해 도 1a는 한 화소에 대해서 나타냈지만, 도 1b의 전압강하가 나타나는 그래프는 다수의 화소가 연결된 패널에서 일어나는 전압강하를 예시로 한 것이다.FIG. 1A is an equivalent circuit diagram of one pixel of an active matrix organic light emitting diode device, and FIG. 1B is a graph briefly illustrating a voltage drop of a voltage flowing in a power supply wiring. For convenience of description, FIG. 1A is shown for one pixel, but the graph showing the voltage drop of FIG. 1B is an example of a voltage drop occurring in a panel to which a plurality of pixels are connected.

도시한 바와 같이, 기판(10)의 일 방향으로 게이트 배선(12)과 이와는 수직하게 교차하는 데이터 배선(14)이 구성된다.As shown in the drawing, the data line 14 intersects the gate line 12 perpendicularly to the gate line 12 in one direction of the substrate 10.

데이터 배선(14)과 게이트 배선(12)의 교차점에는 스위칭소자(Ts)가 구성되고, 스위칭소자(Ts)와 전기적으로 연결된 구동소자(Td)가 구성된다.The switching element Ts is formed at the intersection of the data line 14 and the gate line 12, and the driving element Td is electrically connected to the switching element Ts.

이때, 구동소자(Td)의 소스전극(24)과 게이트전극(26)사이에 스토리지 커패시터(Cst)가 구성되고, 구동소자(Td)의 드레인 전극(22)은 유기발광다이오드(E)의 양극전극(미도시)과 접촉하여 구성된다.At this time, the storage capacitor Cst is formed between the source electrode 24 and the gate electrode 26 of the driving element Td, and the drain electrode 22 of the driving element Td is an anode of the organic light emitting diode E. It is constructed in contact with an electrode (not shown).

또한, 구동소자(Td)의 소스전극(24)은 전원배선(16)에 연결된다.In addition, the source electrode 24 of the driving element Td is connected to the power supply wiring 16.

전술한 바와 같이 구성된 유기발광다이오드소자의 동작특성을 간략히 설명한다.The operation characteristics of the organic light emitting diode device constructed as described above will be briefly described.

먼저, 스위칭소자(Ts)의 게이트전극(36)에 게이트 신호가 인가되면 데이터 배선(14)을 흐르는 신호가 스위칭소자(Ts)를 통해 전압 신호로 바뀌어 구동소자(Td)의 게이트전극(26)에 인가된다.First, when a gate signal is applied to the gate electrode 36 of the switching element Ts, the signal flowing through the data line 14 is converted into a voltage signal through the switching element Ts, thereby driving the gate electrode 26 of the driving element Td. Is applied to.

이와 같이 하면, 구동소자(Td)가 동작되어 전원배선(16)으로부터 유기 발광다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 유기발광다이오드(E)는 그레이 스케일(grey scale)을 구현할 수 있게 된다.In this way, the driving element Td is operated to determine the level of the current flowing from the power supply wiring 16 to the organic light emitting diode E. As a result, the organic light emitting diode E can realize gray scale. Will be.

이때, 스토리지 캐패시터(Cst)에 저장된 신호는 구동소자(Td)의 게이트 전극(26)의 신호를 유지하는 역할을 하기 때문에, 스위칭소자(Ts)가 오프 상태(off state)가 되더라도 다음 신호가 인가될 때까지, 유기 발광부(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.At this time, since the signal stored in the storage capacitor Cst serves to maintain the signal of the gate electrode 26 of the driving element Td, the next signal is applied even if the switching element Ts is in an off state. Until this, the level of the current flowing through the organic light emitting portion E can be kept constant.

그런데, 전원배선(16)에서 시작점(SP)과 끝점(EP)에 전압강하(Vdrop)가 발생하게 된다. 이는 배선저항에 의한 전압강하(Vdrop)로 휘도나 화상 특성의 불균일을 일으킬 수 있으며, 소비 전력이 상승하는 문제점이 발생한다.However, the voltage drop V drop occurs at the start point SP and the end point EP in the power supply line 16. This may cause unevenness in brightness or image characteristics due to voltage drop (V drop ) due to wiring resistance, and causes a problem in that power consumption increases.

특히, 표시패널의 크기가 증가할수록 전압강하가 심화되어 중대형 크기의 유기발광다이오드소자에 적용하기 어려운 문제점이 있다.In particular, as the size of the display panel increases, the voltage drop deepens, making it difficult to apply to an organic light emitting diode device having a medium to large size.

따라서, 전원배선의 선폭을 증가시켜 배선저항을 낮추는 방법이 사용된다.Therefore, a method of decreasing the wiring resistance by increasing the line width of the power supply wiring is used.

그러나 전원배선의 선폭을 증가하는 경우 선폭에 의해 발광영역이 감소하여 개구율이 감소되는 문제점이 발생한다.
However, when the line width of the power supply wiring is increased, the light emitting area is decreased due to the line width, thereby reducing the aperture ratio.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전원배선의 선폭 증가 없이 전원배선의 전압 강하를 최소화시킬 수 있는 유기발광다이오드소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
An object of the present invention is to provide an organic light emitting diode device capable of minimizing the voltage drop of power supply wiring without increasing the line width of the power supply wiring.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기발광다이오드소자는 기판과; 상기 기판 일면에 선택적으로 형성된 광차단패턴 및 제1소스전극 및 보조전극과; 상기 기판 일면에 형성되어 상기 광차단패턴, 상기 제1소스전극, 상기 보조전극을 덮고 상기 제1소스전극을 노출하는 제1콘택홀을 갖는 버퍼층과; 상기 버퍼층 상부의 전원배선과; 상기 버퍼층 상부에 형성되며, 상기 제1콘택홀을 통해 상기 제1소스전극에 연결되고 상기 전원배선으로부터 연장되는 제2소스전극을 포함하는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 연결되며, 상기 버퍼층 상부에 형성되는 유기발광다이오드 포함한다.An organic light emitting diode device according to the present invention for achieving the above object is a substrate; A light blocking pattern, a first source electrode and an auxiliary electrode selectively formed on one surface of the substrate; A buffer layer formed on one surface of the substrate and having a first contact hole covering the light blocking pattern, the first source electrode and the auxiliary electrode and exposing the first source electrode; A power supply wiring on the buffer layer; A thin film transistor formed on the buffer layer, the thin film transistor including a second source electrode connected to the first source electrode through the first contact hole and extending from the power line; The organic light emitting diode is connected to the thin film transistor and is formed on the buffer layer.

상기 광차단패턴은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 몰리브덴합금(MoTi) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징한다.The light blocking pattern may be formed of any one of molybdenum (Mo), titanium (Ti), and molybdenum alloy (MoTi).

상기 제1소스전극과 상기 보조전극은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 몰리브덴합금(MoTi)중 어느 것 하나로 선택한 것과 구리(Cu)의 이중층으로 형성되는 것을 특징으로 한다.The first source electrode and the auxiliary electrode is selected from one of molybdenum (Mo), titanium (Ti), molybdenum alloy (MoTi) and is formed of a double layer of copper (Cu).

상기 박막트랜지스터는, 상기 광차단패턴에 대응하여 형성된 산화물 반도체층과; 상기 산화물 반도체층을 덮는 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 상에서, 상기 산화물 반도체층에 대응되는 게이트 전극과; 상기 게이트 전극을 덮고, 상기 산화물 반도체층의 양측을 노출하는 층간절연막과; 상기 층간절연막상에 형성되며, 상기 산화물 반도체층의 양측에 각각 형성되는 상기 제2소스 및 상기 제2소스전극과 이격하는 드레인전극을 포함한다.The thin film transistor may include an oxide semiconductor layer formed corresponding to the light blocking pattern; A gate insulating film covering the oxide semiconductor layer; A gate electrode corresponding to the oxide semiconductor layer on the gate insulating layer; An interlayer insulating film covering the gate electrode and exposing both sides of the oxide semiconductor layer; And a drain electrode formed on the interlayer insulating layer and spaced apart from the second source electrode and the second source electrode respectively formed on both sides of the oxide semiconductor layer.

상기 산화물 반도체층은 상기 광차단패턴의 면적과 같거나 이보다 작은 것을 특징으로 하고, 상기 보조전극은 상기 기판의 표시영역을 둘러싸는 형태인 것을 특징으로 한다.The oxide semiconductor layer may be equal to or smaller than the area of the light blocking pattern, and the auxiliary electrode may be shaped to surround the display area of the substrate.

상기 버퍼층은 상기 보조전극을 노출하는 제2콘택홀을 갖고, 상기 전원배선의 양단은 상기 제2콘택홀을 통해 상기 보조전극에 연결되는 것을 특징으로 한다.
The buffer layer has a second contact hole exposing the auxiliary electrode, and both ends of the power line are connected to the auxiliary electrode through the second contact hole.

본 발명의 특징에 따른 유기발광다이오드 소자의 제조방법은 기판 일면에 광차단패턴과 보조전극, 제1소스전극을 형성하는 단계와; 상기 광차단패턴과 상기 보조전극, 상기 제1소스전극을 덮는 버퍼층을 형성하는 단계와; 상기 버퍼층 상부에 상기 제1소스전극과 연결되는 제2소스전극을 포함하는 박막트랜지스터와 상기 제2소스전극으로부터 연장되는 전원배선을 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting diode device, including forming a light blocking pattern, an auxiliary electrode, and a first source electrode on one surface of a substrate; Forming a buffer layer covering the light blocking pattern, the auxiliary electrode, and the first source electrode; Forming a thin film transistor including a second source electrode connected to the first source electrode and a power line extending from the second source electrode on the buffer layer; And forming an organic light emitting diode connected to the thin film transistor.

상기 광차단패턴은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 몰리브덴합금(MoTi)중 어느 하나 선택하여 단일층으로 형성되고, 상기 제1소스전극과 상기 보조전극은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 몰리브덴합금(MoTi)중 어느 하나 선택하여 구리와 이중층으로 형성되는 것을 포함한다.The light blocking pattern may be formed of a single layer by selecting one of molybdenum (Mo), titanium (Ti), and molybdenum alloy (MoTi), and the first source electrode and the auxiliary electrode may include molybdenum (Mo) and titanium (Ti). And one selected from the group consisting of molybdenum alloy (MoTi) and copper and a double layer.

상기 광차단패턴과, 상기 제1소스전극과 상기 보조전극은 하프톤 마스크를 이용하여 형성되는 것을 포함한다.The light blocking pattern, the first source electrode and the auxiliary electrode may be formed using a halftone mask.

상기 박막트랜지스터의 형성단계는, 상기 버퍼층 일면에 산화물 반도체를 이용한 산화물 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 산화물 반도체층 일면에 게이트절연막 및 게이트전극을 형성하는 단계와; 상기 산화물 반도체층과 게이트 절연막 및 게이트전극을 덮는 층간절연막을 형성하는 단계와; 상기 층간절연막을 선택적으로 식각하여 상기 보조전극과, 상기 제1소스전극을 노출시키는 다수의 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 제1소스전극과 연결되는 상기 제2소스전극과, 상기 제2소스전극으로부터 이격된 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전원배선은 상기 제2소스전극 및 상기 드레인 전극과 동시에 형성되는 것을 포함한다.The forming of the thin film transistor may include forming an oxide semiconductor layer using an oxide semiconductor on one surface of the buffer layer; Forming a gate insulating film and a gate electrode on one surface of the oxide semiconductor layer; Forming an interlayer insulating film covering the oxide semiconductor layer, the gate insulating film and the gate electrode; Selectively etching the interlayer insulating layer to form a plurality of contact holes exposing the auxiliary electrode and the first source electrode; And forming a drain electrode spaced apart from the second source electrode and the second source electrode connected to the first source electrode, wherein the power line is formed simultaneously with the second source electrode and the drain electrode. It includes.

상기 전원배선의 양단은 상기 제1보조전극과 연결되는 것을 포함한다.Both ends of the power line include a connection with the first auxiliary electrode.

본 발명의 특징은 마스크 공정 추가 없이 보조전극, 제1소스전극, 광차단패턴을 형성할 수 있는 효과를 갖는다.A feature of the present invention has the effect of forming the auxiliary electrode, the first source electrode, the light blocking pattern without the addition of a mask process.

또한, 보조전극과 전원배선을 연결함으로써 전압강하를 최소화할 수 있는 효과를 갖는다.In addition, by connecting the auxiliary electrode and the power supply wiring has the effect of minimizing the voltage drop.

또한, 제1소스전극과 제2소스전극을 연결시킴으로써 배선의 두께가 증가하여 배선저항을 감소할 수 있는 효과를 갖는다.In addition, by connecting the first source electrode and the second source electrode has an effect that the thickness of the wiring increases to reduce the wiring resistance.

또한, 최소화된 전압강하와 줄어든 배선저항으로 인하여 유기발광다이오드의 소비전력이 줄어드는 효과를 갖는다.In addition, the power consumption of the organic light emitting diode is reduced due to the minimized voltage drop and reduced wiring resistance.

또한, 광차단패턴을 통해 산화물반도체를 이용한 박막트랜지스터의 특성 저하를 방지하는 효과를 갖는다.In addition, the light blocking pattern has an effect of preventing the deterioration of characteristics of the thin film transistor using the oxide semiconductor.

도 1a는 종래의 능동매트릭스 유기발광다이오드소자의 한 화소에 해당하는 등가회로도이다.
도 1b는 종래의 유기발광다이오드소자의 전원배선에 흐르는 전압의 전압강하를 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 하부발광형 산화물반도체 유기발광다이오드소자 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3a 내지 3j는 본 발명의 실시예에 따른 하부발광형 산화물반도체 유기발광다이오드소자의 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 광차단패턴과 제1소스전극과 제1보조전극이 형성된 제1기판의 평면도를 도시한 도면이다.1A is an equivalent circuit diagram of one pixel of a conventional active matrix organic light emitting diode device.
1B is a graph showing a voltage drop of a voltage flowing in a power line of a conventional organic light emitting diode device.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a display device of a bottom light emitting oxide semiconductor organic light emitting diode device according to an exemplary embodiment of the present invention.
3A to 3J are views illustrating a method of manufacturing a bottom light emitting oxide semiconductor organic light emitting diode device according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view of a first substrate on which a light blocking pattern, a first source electrode, and a first auxiliary electrode are formed according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 하부발광(Bottom emission)형 산화물반도체 유기발광다이오드소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically illustrating a bottom emission type oxide semiconductor organic light emitting diode device according to an embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광다이오드소자(300)는 구동박막트랜지스터(Td)와 제1소스전극(317)과 유기발광다이오드(337)가 형성된 제1기판(301)이 제2기판(345)과 점착필름(343)을 통해 인캡슐레이션(Encapsulation)된다.As illustrated, the organic light emitting diode device 300 according to the present invention includes a first substrate 301 having a driving thin film transistor Td, a first source electrode 317, and an organic light emitting diode 337 formed as a second substrate. It is encapsulated through the 345 and the adhesive film 343.

이에 좀더 자세히 살펴보면, 제1기판(301)상에는 광차단패턴(315)과, 제1소스전극(317) 그리고 보조전극(313)이 형성되어 있다.In detail, the light blocking pattern 315, the first source electrode 317, and the auxiliary electrode 313 are formed on the first substrate 301.

제1기판에(301)에는 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역(350a)과 표시영역(350a) 외측의 비표시영역(350b)이 정의되어 있으며, 광차단패턴(315)을 각 화소영역에 위치하고, 제1소스전극(317)은 표시영역(350a)에서 일방향을 따라 연장된다.On the first substrate 301, a display area 350a including a plurality of pixel areas and a non-display area 350b outside the display area 350a are defined, and the light blocking pattern 315 is defined in each pixel area. The first source electrode 317 extends in one direction in the display area 350a.

또한 보조전극(313)은 비표시영역(350b)에 형성되며, 표시영역(350a)을 둘러 싸도록 구성된다.In addition, the auxiliary electrode 313 is formed in the non-display area 350b and is configured to surround the display area 350a.

그리고, 광차단패턴(315), 제1소스전극(317), 보조전극(313)이 형성된 제1기판(301)상으로 버퍼층(303)이 형성된다.The buffer layer 303 is formed on the first substrate 301 on which the light blocking pattern 315, the first source electrode 317, and the auxiliary electrode 313 are formed.

버퍼층(303)은 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNX)으로 형성될 수 있다.The buffer layer 303 may be formed of an inorganic insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN X ).

광차단패턴(315)상부로는 반도체층(319)이 형성되는데, 반도체층(319)은 산화물 반도체로 이루어지며, 채널을 이루는 액티브영역(319a)과 액티브영역(319a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(319b, 319c)으로 구성된다.The semiconductor layer 319 is formed on the light blocking pattern 315, and the semiconductor layer 319 is formed of an oxide semiconductor, and a high concentration of impurities are formed on both sides of the active region 319a and the active region 319a forming a channel. Doped source and drain regions 319b and 319c.

반도체층(319)을 이루는 산화물 반도체물질은 Zn, Cd, Ga,In, Sn, Hf 및 Zr 중 적어도 하나와 산소(O)를 포함하는 결정질 또는 비정질의 물질이다. 예를들면, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, InZnHfO, SnInO 및 SnO 중에서 선택될 수 있으나, 본 발명은 이에 국한되지 않는다.The oxide semiconductor material constituting the semiconductor layer 319 is a crystalline or amorphous material including at least one of Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, and Zr and oxygen (O). For example, ZnO, InGaZnO 4, ZnInO, ZnSnO, InZnHfO, SnInO, and SnO may be selected, but the present invention is not limited thereto.

이러한 반도체층(319)상부에는 게이트절연막(320a)이 형성되고, 게이트절연막(320a)상부에는 반도체층(319)의 액티브영역(319a)에 대응하여 게이트전극(320b)이 형성된다. The gate insulating layer 320a is formed on the semiconductor layer 319, and the gate electrode 320b is formed on the gate insulating layer 320a to correspond to the active region 319a of the semiconductor layer 319.

도면에 나타나지 않았지만 일방향으로 연장하는 게이트배선이 형성된다.Although not shown in the figure, a gate wiring extending in one direction is formed.

또한, 게이트 전극(320b)과 게이트배선(미도시) 상부에 층간절연막(305)이 형성되어 있으며, 이 때 층간절연막(305)은 액티브영역(319a)양측에 위치한 소스 및 드레인영역(319a, 319b)을 각각 노출시키는 제2콘택홀(CH2)을 구비한다.In addition, an interlayer insulating layer 305 is formed on the gate electrode 320b and the gate wiring (not shown), and the interlayer insulating layer 305 is formed of source and drain regions 319a and 319b located at both sides of the active region 319a. ) Are respectively provided with a second contact hole (CH2).

다음으로, 제2콘택홀(CH2)을 포함하는 층간절연막(305) 상부에는 서로 이격하며 제2콘택홀(CH2)을 통해 노출된 제2소스 및 드레인 영역(319b, 319c)과 각각 접촉하는 제2소스 및 드레인 전극(323a, 323b)이 형성되어 있다.Next, an interlayer insulating layer 305 including the second contact hole CH2 is spaced apart from each other and contacts the second source and drain regions 319b and 319c exposed through the second contact hole CH2, respectively. Two source and drain electrodes 323a and 323b are formed.

제2소스 및 드레인전극(323a, 323b)은 도전성을 갖는 금속으로 이루어질수 있다. 예를 들어 Al, Cu, Mo, Nd, Ti, Pt, Ag, Nb, Cr, W, Ta 과 이들의 합금 중 적어도 하나의 단일층 또는 적어도 둘 이상의 이중층 구조일 수 있다.The second source and drain electrodes 323a and 323b may be made of a conductive metal. For example, it may be a single layer or at least two or more bilayer structures of at least one of Al, Cu, Mo, Nd, Ti, Pt, Ag, Nb, Cr, W, Ta and their alloys.

이때, 제2소스 및 드레인 전극(323a, 323b)과 이들 전극과 각각 접속하는 제2소스 및 드레인영역(319b, 319c)을 포함하는 반도체층(319)과, 반도체층(319)상부에 형성된 게이트 절연막(320a) 및 게이트전극(320b)은 구동박막트랜지스터(Td)를 이루게 된다.At this time, the semiconductor layer 319 including the second source and drain electrodes 323a and 323b and the second source and drain regions 319b and 319c respectively connected to the electrodes, and a gate formed on the semiconductor layer 319. The insulating layer 320a and the gate electrode 320b form a driving thin film transistor Td.

한편, 도시하지는 않았지만, 게이트배선(미도시)과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선(미도시)이 형성되어 있으며, 데이터배선(미도시)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(325a)이 형성되어 구비된다.Although not shown, a data line (not shown) defining a pixel area is formed to cross the gate line (not shown), and the power line 325a is spaced apart from the data line (not shown) to apply a power voltage. ) Is formed and provided.

그리고, 각 화소영역에는 게이트배선(미도시)과 데이터배선(미도시)이 교차하는 부분에 이들 두 배선과 연결되는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 형성되며, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 구동박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터(미도시)와 연결되고, 구동 박막트랜지스터(Td)는 전원배선(325a)과 연결된다.In each pixel area, a switching thin film transistor (not shown) connected to the two wires is formed at a portion where the gate wiring (not shown) and the data wiring (not shown) intersect, and the switching thin film transistor (not shown) is driven. The thin film transistor Td and the storage capacitor (not shown) are connected, and the driving thin film transistor Td is connected to the power line 325a.

제2소스 및 드레인전극(323a, 323b)상부에는 평탄화막(Over Coat)(330)이 형성되어 있고, 평탄화막(330)상부에는 보호막(333)이 형성되어 있다.An overcoat 330 is formed on the second source and drain electrodes 323a and 323b, and a protective film 333 is formed on the planarization film 330.

이어서, 발광영역(350)의 평탄화막(330)상부에는 드레인전극(323b)과 연결되는 제1전극(337a)이 발광영역(350)으로 연장되어 형성되어 있다.Subsequently, a first electrode 337a connected to the drain electrode 323b is formed on the planarization layer 330 of the emission region 350 to extend to the emission region 350.

제1전극(337a)은 애노드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어질 수 있다.
The first electrode 337a may be made of a transparent conductive material having a large work function value, for example, indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), to serve as an anode electrode.

그리고 제1전극(337a)의 가장자리에 뱅크(353)가 형성되어 제1전극(337a)의 중앙부를 노출시키고, 노출된 제1전극(337a)의 중앙부에는 유기발광층(337)이 형성된다.A bank 353 is formed at the edge of the first electrode 337a to expose the center portion of the first electrode 337a, and the organic light emitting layer 337 is formed at the center portion of the exposed first electrode 337a.

유기발광층(337b)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수 있다.The organic light emitting layer 337b may be composed of a single layer made of a light emitting material.

한편, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(Hole injection layer), 전공수송층(Hole transport layer), 발광층(Emitting material layer), 전자수송층(electron transport layer), 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.On the other hand, in order to increase the luminous efficiency, a multiple of a hole injection layer, a hole transport layer, a hole transport layer, an emission material layer, an electron transport layer, and an electron injection layer It may be composed of layers.

유기발광층(337b)의 상부에는 제2전극(337c)이 형성되어 있다. 제2전극(337c)은 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로 이루어지고 있다.The second electrode 337c is formed on the organic light emitting layer 337b. The second electrode 337c is a metal material having a relatively low work function, such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), and aluminum magnesium alloy (AlMg). It is made of any one or two or more materials.

이때, 제1, 제2전극(337a, 337c)과 그 사이에 형성된 유기발광층(337b)은 유기발광다이오드(337)를 이루게 된다.In this case, the first and second electrodes 337a and 337c and the organic light emitting layer 337b formed therebetween form the organic light emitting diode 337.

그리고, 제2전극(337c)상부에는 보호절연막(340)이 형성된다.A protective insulating film 340 is formed on the second electrode 337c.

보호절연막(340)은 수분과 산소로부터 유기발광층(337b)을 보호하는 역할을 하며, 특히 게터(Getter)로 이루어질 수 있다.The protective insulating film 340 serves to protect the organic light emitting layer 337b from moisture and oxygen, and may be formed as a getter.

보호절연막(340)상부에는 점착필름(343)이 형성되고, 점착필름(343)을 통해 제1기판(301)과 제2기판(345)이 인캡슐레이션 된다.An adhesive film 343 is formed on the protective insulating film 340, and the first substrate 301 and the second substrate 345 are encapsulated through the adhesive film 343.

발광영역(350a)외측의 비표시영역(350b)에 형성된 보조전극(313)상부에는 보조전극(313)을 노출시키는 제3콘택홀(CH3)이 구비된다.A third contact hole CH3 is disposed on the auxiliary electrode 313 formed in the non-display area 350b outside the emission area 350a to expose the auxiliary electrode 313.

제3콘택홀(CH3)을 통해 노출된 보조전극(313)에는 전원배선(325a)이 형성되어 있다. 전원배선(325a)은 제2소스 및 드레인전극(323a)과 동일한 물질로 구성되고, 전원배선(325a) 상부에는 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를 들면 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 투명전극(325b)이 형성된다.The power wiring 325a is formed in the auxiliary electrode 313 exposed through the third contact hole CH3. The power source wiring 325a is made of the same material as the second source and drain electrodes 323a, and a transparent conductive material having a relatively large work function value, for example, indium tin oxide (ITO), is formed on the power source wiring 325a. The transparent electrode 325b is formed.

전원배선(325a)과 투명전극(325b)은 표시영역(350a)을 둘러 싸도록 구성된 보조전극(313)과 표시영역(350a)에서 일방향을 따라 연장된 제1소스전극(317)을 통해 제2소스전극(319b)과 전기적으로 연결되며, 구동박막트랜지스터(Td)를 통해 전원배선(325a)의 전원이 제1전극(337a)에 공급된다. 그리고 전원배선(325a)은 표시영역(350a)을 둘러 싸도록 구성된 보조전극(313)과 양단으로 연결된다.The power line 325a and the transparent electrode 325b are connected to each other by the auxiliary electrode 313 configured to surround the display area 350a and the first source electrode 317 extending in one direction in the display area 350a. It is electrically connected to the source electrode 319b, and the power of the power line 325a is supplied to the first electrode 337a through the driving thin film transistor Td. The power line 325a is connected to both ends of the auxiliary electrode 313 configured to surround the display area 350a.

이러한 구성을 갖는 유기발광다이오드소자(300)은 광차단패턴(315)의 특성에 의해 외부에서 입사되는 외부광이 반도체층(319)에 입사되는 것을 차단함으로써 산화물 반도체로 이루어진 반도체층(319)의 특성이 저하되는 것을 방지하는 효과를 갖는다.The organic light emitting diode device 300 having such a structure prevents external light incident from the outside from being incident on the semiconductor layer 319 due to the characteristics of the light blocking pattern 315. It has an effect of preventing a characteristic from falling.

즉, 본 발명의 유기발광다이오드소자는 발광층의 빛이 제1전극(337a)을 통해 외부로 표시되는 하부발광형 유기발광다이오드소자이기 때문에 외부광이 제1기판(301)을 통해 반도체층(319)에 입사가 가능하며, 이 경우 반도체층(319)의 특성이 저하되는 문제점을 광차단패턴(315)을 형성하므로서 방지 할 수 있다.That is, since the organic light emitting diode device of the present invention is a lower light emitting organic light emitting diode device in which the light of the light emitting layer is displayed to the outside through the first electrode 337a, the external light passes through the first substrate 301 and the semiconductor layer 319. ), And in this case, the problem of deterioration of the characteristics of the semiconductor layer 319 can be prevented by forming the light blocking pattern 315.

또한, 제1소스전극(317)과 제2소스전극(323a)이 중첩되어 연결됨으로써 실질적으로 두께가 증가하게 되어 전극의 저항이 저감되는 효과를 갖는다. In addition, since the first source electrode 317 and the second source electrode 323a are overlapped and connected, the thickness is substantially increased, thereby reducing the resistance of the electrode.

또한, 보조전극(313)과 투명전극(325b)이 전원배선(325a)과 양단에서 연결됨으로써 전압강하가 최소화 되는 효과를 갖는다.In addition, since the auxiliary electrode 313 and the transparent electrode 325b are connected at both ends of the power line 325a, the voltage drop is minimized.

결과적으로 배선저항이 줄어들며 전압강하가 저감되어 유기발광다이오드소자(300)의 소비전력이 줄어드는 효과를 갖는다.
As a result, the wiring resistance is reduced and the voltage drop is reduced, thereby reducing the power consumption of the organic light emitting diode device 300.

이러한 구성과 효과를 갖는 본 발명의 실시예의 따른 유기발광다이오드소자의 제조방법에 대해 설명한다.A method of manufacturing an organic light emitting diode device according to an embodiment of the present invention having such a configuration and effect will be described.

도 3a 내지 3j는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드소자의 제조방법을 나타낸 도면이다.3A to 3J illustrate a method of manufacturing an organic light emitting diode device according to an embodiment of the present invention.

도 3a에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드소자의 제1기판(301)상에 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 몰리브덴합금(MoTi)중 어느 하나 선택하여 증착하고, 그 상부에 구리(Cu)를 순차 증착하여 몰리브덴층(203a)과 구리층(203b)을 형성한다.As shown in FIG. 3A, one of molybdenum (Mo), titanium (Ti), and molybdenum alloy (MoTi) is selected and deposited on the first substrate 301 of the organic light emitting diode device according to the embodiment of the present invention. Copper (Cu) is sequentially deposited on the upper portion, thereby forming the molybdenum layer 203a and the copper layer 203b.

이후, 구리층(203b)상에 포토레지스트(미도시)를 도포하고, 하프톤 마스크(M)를 포토 레지스트 상부에 위치시킨다.Thereafter, a photoresist (not shown) is applied on the copper layer 203b, and the halftone mask M is positioned on the photoresist.

이 때, 포토레지스트는 네가티브 포토레지스트를 이용한 노광법과, 포지티브 포토레지스트를 이용한 노광법 중 어느 하나를 선택하여 이용할 수 있다. 본 실시예에서는 네가티브 포토레지스트를 이용한 노광법을 예로써 설명한다.At this time, a photoresist can select and use either the exposure method using a negative photoresist and the exposure method using a positive photoresist. In this embodiment, an exposure method using a negative photoresist will be described as an example.

다음, 하프톤 마스크(M)에 광(237)을 조사하여 노광을 실시한다.Next, light 237 is irradiated to the halftone mask M to perform exposure.

이 때, 하프톤 마스크(M)는 광투과량을 조절할 수 있는 투과영역(TA), 반투과영역(HTA), 차단영역(BA)을 포함하고, 이를 이용한 노광, 노광된 포토레지스트의 현상을 진행하여 두께가 다른 제1포토레지스트패턴(207)과 제2포토레지스트패턴(209)을 형성한다.In this case, the halftone mask M includes a transmissive area TA, a transflective area HTA, and a blocking area BA that can control light transmittance, and develop the exposed and exposed photoresist using the same. Thus, the first photoresist pattern 207 and the second photoresist pattern 209 having different thicknesses are formed.

이 때, 반투과영역(HTA)는 슬릿으로 이루어져 노광을 진행하게 되는데, 슬릿은 모자이크 형상의 슬릿, 수직형상의 슬릿 및 수평형상의 슬릿 중 어느 하나 중 선택하여 사용하는 것이 특징이다.At this time, the semi-transmissive area (HTA) is made of a slit to be exposed, the slit is characterized by using any one of the mosaic-shaped slits, vertical slits and horizontal slits.

다음, 도 3b에 도시된 바와 같이, 각 포토레지스트패턴을 이용하여 구리층(203b)과 몰리브덴층(203a)를 식각하여, 제1구리패턴(217b)과 제1몰리브덴패턴(217a)으로 이루어지는 제1소스전극(317), 제2구리패턴(213b)과 제2몰리브덴패턴(213a)으로 이루어지는 보조전극(313)과 제3구리패턴(215)과 제3몰리브덴패턴(221)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3B, the copper layer 203b and the molybdenum layer 203a are etched using the respective photoresist patterns to form a first copper pattern 217b and a first molybdenum pattern 217a. The auxiliary electrode 313 including the first source electrode 317, the second copper pattern 213b, and the second molybdenum pattern 213a, the third copper pattern 215, and the third molybdenum pattern 221 are formed.

이후, 도 3c에 도시된 바와 같이 각 제1, 2포토레지스트패턴(207, 209)에 대해 에싱(Ashing)공정을 진행함으로써, 제2포토레지스트패턴(209)을 제거하고 제3구리패턴(221)을 노출시킨다.Subsequently, an ashing process is performed on each of the first and second photoresist patterns 207 and 209 as shown in FIG. 3C to remove the second photoresist pattern 209 and the third copper pattern 221. ).

이 상태에서 제3구리패턴(221)을 식각하여 광차단패턴(315)을 형성한다.In this state, the third copper pattern 221 is etched to form the light blocking pattern 315.

이후, 도 3d에 도시된 바와 같이, 제1포토레지스트패턴(207)을 제거한다.Thereafter, as shown in FIG. 3D, the first photoresist pattern 207 is removed.

이러한 공정을 거쳐 결과적으로 도 3d에 도시한 바와 같이, 제1기판(301) 상에 광차단패턴(315), 제1소스전극(317), 보조전극(313)이 구비된다. Through this process, as a result, as shown in FIG. 3D, the light blocking pattern 315, the first source electrode 317, and the auxiliary electrode 313 are provided on the first substrate 301.

제1기판(301)상에 형성된 제1소스전극(317), 광차단패턴(315), 보조전극(313)의 평면을 도시한 평면도인 도 4를 참조하면, 제1기판(301)의 테두리를 따라 보조전극(313)이 형성되고, 그리고 그 내부로 매트릭스형태로 광차단패턴(315)이 형성되고, 광차단패턴(315)과 열방향으로 연장되어 제1소스전극(317)이 형성된다.Referring to FIG. 4, which is a plan view showing a plane of the first source electrode 317, the light blocking pattern 315, and the auxiliary electrode 313 formed on the first substrate 301, an edge of the first substrate 301 is formed. The auxiliary electrode 313 is formed along the light blocking pattern 315 in a matrix form, and extends in the column direction with the light blocking pattern 315 to form the first source electrode 317. .

다시 도 3e를 참고하여 설명한다. 도시한 바와 같이, 광차단패턴(315), 제1소스전극(317), 보조전극(313)이 형성된 제1기판(301)전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNX)을 적층하여, 광차단패턴(315), 제1소스전극(317), 보조전극(313)을 덮는 버퍼층(303)을 형성한다.This will be described with reference to FIG. 3E again. As shown, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride is formed on the entire surface of the first substrate 301 on which the light blocking pattern 315, the first source electrode 317, and the auxiliary electrode 313 are formed. (SiN X ) is stacked to form a buffer layer 303 covering the light blocking pattern 315, the first source electrode 317, and the auxiliary electrode 313.

도 3f에 도시한 바와 같이, 버퍼층(303)의 전면에 산화물 반도체(Oxide Semiconductor)물질을 적층하여, 산화물 반도체층(미도시)을 형성하고, 마스크 공정을 통해 선택적으로 패터닝함으로써 광차단패턴(315)에 대응되는 상부에 반도체층(319)을 형성한다. As shown in FIG. 3F, an oxide semiconductor material is stacked on the entire surface of the buffer layer 303 to form an oxide semiconductor layer (not shown), and the light blocking pattern 315 is selectively patterned through a mask process. The semiconductor layer 319 is formed on the upper side.

이 때, 반도체층(319)은 광차단패턴(315)보다 형성되는 면적이 같거나 작게 형성하는 것이 특징이다. 다시 말해, 반도체층(319)으로 입사되는 외광을 방지하기 위해 광차단패턴(315)이 반도체층(319)을 가릴 수 있을 정도로 형성로 형성할 수 있다.In this case, the semiconductor layer 319 is formed to have the same or smaller area than the light blocking pattern 315. In other words, in order to prevent external light incident on the semiconductor layer 319, the light blocking pattern 315 may be formed to a degree such that the semiconductor layer 319 may be covered.

여기서 반도체층(319)을 이루는 산화물 반도체물질는 Zn, Cd, Ga,In, Sn, Hf 및 Zr 중 적어도 하나와 산소(O)를 포함하는 결정질 또는 비정질의 물질이다. 예를 들어, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, InZnHfO, SnInO 및 SnO 중에서 선택될 수 있으나, 본 발명은 이에 국한되지 않는다.The oxide semiconductor material constituting the semiconductor layer 319 is a crystalline or amorphous material including at least one of Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, and Zr and oxygen (O). For example, ZnO, InGaZnO 4, ZnInO, ZnSnO, InZnHfO, SnInO, and SnO may be selected, but the present invention is not limited thereto.

이어서 도 3g에 도시한 바와 같이, 반도체층(319)를 포함한 제1기판(301)전면에 절연물질과 금속박막을 차례대로 적층하고, 이를 반도체층(319)의 액티브영역(319a)에 대응되도록 패터닝 하여 게이트절연막(320a)과 게이트전극(320b)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 3G, an insulating material and a metal thin film are sequentially stacked on the entire surface of the first substrate 301 including the semiconductor layer 319 so as to correspond to the active region 319a of the semiconductor layer 319. The gate insulating film 320a and the gate electrode 320b are formed by patterning.

한편, 도시하지는 않았지만 게이트 전극(320b)과 연결되는 게이트배선(미도시)이 형성되어 있고, 게이트배선과(미도시) 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선(미도시)을 형성한다.Although not shown, a gate wiring (not shown) connected to the gate electrode 320b is formed, and the data wiring (not shown) defining the pixel area is formed by crossing the gate wiring (not shown).

이후 게이트전극 및 게이트절연막(320b, 320a)을 도핑 마스크로 하여, 반도체층(319)에 불순물을 도핑하여, 액티브영역(319a), 소스 및 드레인영역(319b, 319c)을 형성한다. Afterwards, the semiconductor layer 319 is doped with impurities using the gate electrodes and the gate insulating layers 320b and 320a as doping masks to form the active regions 319a, the source and drain regions 319b and 319c.

이어서 도 3h에 도시한 바와 같이, 게이트전극(320b)이 형성된 제1기판 전면에 절연물질을 적층하여, 게이트전극(320b)을 덮는 층간절연막(305)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3H, an insulating material is stacked on the entire surface of the first substrate on which the gate electrode 320b is formed to form an interlayer insulating film 305 covering the gate electrode 320b.

도 3i에 도시한 바와 같이 층간절연막(305)을 형성 한 후, 마스크 공정을 통해 층간절연막(305)을 패터닝함으로써 제1소스전극(317), 소스 및 드레인영역(319b, 319c) 그리고 보조전극(313)을 노출시키는 제1콘택홀, 제2콘택홀, 제3콘택홀(CH1, CH2, CH3)을 형성한다.After forming the interlayer insulating film 305 as shown in FIG. 3I, the interlayer insulating film 305 is patterned through a mask process to form the first source electrode 317, the source and drain regions 319b and 319c, and the auxiliary electrode ( The first contact hole, the second contact hole, and the third contact hole CH1, CH2, and CH3 exposing 313 are formed.

이어서 도 3j에 도시한 바와 같이, 제1콘택홀(CH1)을 통해 제1소스전극(317)과 접촉하고 제2콘택홀(CH2)를 통해 소스영역(319b)과 접촉하는 제2소스전극(323a), 제2콘택홀(CH2)을 통해 드레인영역(319c)과 접촉하는 드레인전극(323b), 제3콘택홀(CH3)을 통해 보조전극(313)과 접촉하는 전원배선(325)을 형성한다. Subsequently, as illustrated in FIG. 3J, the second source electrode contacting the first source electrode 317 through the first contact hole CH1 and contacting the source region 319b through the second contact hole CH2. 323a, a drain electrode 323b contacting the drain region 319c through the second contact hole CH2, and a power wiring 325 contacting the auxiliary electrode 313 through the third contact hole CH3. do.

소스 및 드레인전극(323a, 323b) 그리고 전원배선(325)은 도전성을 갖는 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, Al, Cu, Mo, Nd, Ti, Pt, Ag, Nb, Cr, W 및 Ta 이들의 합금 중 적어도 하나의 단일층 또는 적어도 둘 이상의 이중층 구조 일 수 있다.The source and drain electrodes 323a and 323b and the power supply wiring 325 may be made of a conductive metal. For example, it may be a single layer or at least two or more bilayer structures of at least one of Al, Cu, Mo, Nd, Ti, Pt, Ag, Nb, Cr, W and Ta alloys thereof.

다시 도 4로 참조하여 설명하면 제1기판(301) 테두리를 따라 형성된 보조전극(313)이 데이터라인(미도시)과 이격하여 형성되는 전원배선(도 2의 325a)과 양측으로 연결된 형상을 갖게 되고, 이에 보조전극(313)에 의해 전원을 양측에서 각 화소영역으로 인가할 수 있게 되어 전압강하를 감소시킬 수 있는 효과를 갖는다.Referring to FIG. 4 again, the auxiliary electrode 313 formed along the edge of the first substrate 301 has a shape connected to both sides with the power line 325a of FIG. 2 spaced apart from the data line (not shown). As a result, the auxiliary electrode 313 can apply power to each pixel region from both sides, thereby reducing the voltage drop.

또한 제1기판(301)의 보조전극(313)내측으로 형성된 제1소스전극(317)에 제1콘택홀(도 3i의 CH1)이 구비되고, 제1콘택홀에 의해 제1소스전극(317)과 제2소스전극(323a)이 접촉되어 연결됨으로써, 전극의 길이는 일정하지만 단면적이 줄어들게 되어 전극의 저항이 감소하는 효과를 갖는다. In addition, a first contact hole (CH1 of FIG. 3I) is provided in the first source electrode 317 formed inside the auxiliary electrode 313 of the first substrate 301, and the first source electrode 317 is formed by the first contact hole. ) And the second source electrode 323a are in contact with each other, the length of the electrode is constant, but the cross-sectional area is reduced, thereby reducing the resistance of the electrode.

또한, 제2소스전극(323a)은 전원배선(도 2의 325a)으로부터 연장되므로, 전원배선(325a)의 저항이 감소되는 효과를 갖는다.In addition, since the second source electrode 323a extends from the power supply wiring 325a of FIG. 2, the resistance of the power supply wiring 325a is reduced.

이후 도 2에 도시한 바와 같이, 소스 및 드레인전극(323a, 323b)상부와 발광영역(350)에 평탄화막(Over Coat)(330)이 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 2, an overcoat 330 is formed on the source and drain electrodes 323a and 323b and the emission region 350.

소스 및 드레인전극(322a, 323b)상부의 평탄화막(330)의 상부에 보호막(333)을 형성하고, 이를 패터닝하여 드레인전극(323b)를 노출시킨다.The passivation layer 333 is formed on the planarization layer 330 on the source and drain electrodes 322a and 323b and is patterned to expose the drain electrode 323b.

이어서, 발광영역(350)의 평탄화막(330)상부에 드레인전극(323b)과 연결되는 제1전극(337a)을 형성한다.Subsequently, a first electrode 337a connected to the drain electrode 323b is formed on the planarization layer 330 of the emission region 350.

이후, 제1전극(337a)의 가장자리에 뱅크(353)을 형성하고 제1전극(337a)의 상부에 유기발광층(337b)을 형성한다.Thereafter, a bank 353 is formed at an edge of the first electrode 337a and an organic light emitting layer 337b is formed on the first electrode 337a.

유기발광층(337b)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(Hole injection layer), 전공수송층(Hole transport layer), 발광층(Emitting material layer), 전자수송층(electron transport layer), 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.The organic light emitting layer 337b may be composed of a single layer made of a light emitting material, and in order to increase light emission efficiency, a hole injection layer, a hole transport layer, an emitting material layer, and an electron transport layer ( It may be composed of multiple layers of an electron transport layer, and an electron injection layer.

이 때, 유기발광층(337b)이 백색 발광하는 경우 평탄화막(330)은 컬러필터 일수 있다. 즉 발광영역(350)에는 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러필터(Color Filter)중 어느 하나가 형성될 수 있다.그리고, 유기발광층(337b)의 상부로 제2전극(337c)이 형성한다. 이러한 제2전극(337c)은 도시하지는 않았지만, 이중층 구조로서 하부층(제1기판측)은 캐소드 전극의 역할을 하며, 상부층(제2기판측)은 반사판의 역할을 하도록 형성된다.In this case, when the organic light emitting layer 337b emits white light, the planarization layer 330 may be a color filter. That is, any one of color filters of red (R), green (G), and blue (B) may be formed in the emission area 350. The second electrode is formed on the organic emission layer 337b. 337c forms. Although not illustrated, the second electrode 337c is a double layer structure, and the lower layer (first substrate side) serves as a cathode electrode, and the upper layer (second substrate side) is formed to serve as a reflector.

그리고, 제2전극(337c)상부에 보호절연막(340)을 형성하고, 보호절연막(340)상부에 점착필름(343)을 형성하여 제2기판(345)을 합착시킨다. 이로써 유기발광다이오드 표시장치를 이룬다.
A protective insulating film 340 is formed on the second electrode 337c, and an adhesive film 343 is formed on the protective insulating film 340 to bond the second substrate 345. This constitutes an organic light emitting diode display device.

본 발명은 전술한 실시예 및 변형예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

301 : 제1기판 303 : 버퍼층
305 : 층간절연막 313 : 보조전극
315 : 광차단패턴 317 : 제1소스전극
319 : 반도체층 319a : 액티브영역
319b : 소스영역 319c : 드레인영역
320 : 게이트전극 323a : 제2소스전극
323b : 드레인전극 325a : 전원배선301: first substrate 303: buffer layer
305: interlayer insulating film 313: auxiliary electrode
315: Light blocking pattern 317: First source electrode
319: semiconductor layer 319a: active region
319b: source region 319c: drain region
320: gate electrode 323a: second source electrode
323b: drain electrode 325a: power supply wiring

Claims (12)

기판과;
상기 기판 일면에 선택적으로 형성된 광차단패턴 및 표시영역에서 일방향을 따라 연장된 제1소스전극, 상기 기판의 표시영역을 둘러싸는 형태인 보조전극과;
상기 기판 일면에 형성되어 상기 광차단패턴, 상기 제1소스전극, 상기 보조전극을 덮고 상기 제1소스전극을 노출하는 제1콘택홀을 갖는 버퍼층과;
상기 버퍼층 상부의 전원배선과;
상기 버퍼층 상부에 형성되며, 상기 제1콘택홀을 통해 상기 제1소스전극에 연결되는 제2소스전극을 포함하는 박막트랜지스터와;
상기 박막트랜지스터와 연결되며, 상기 버퍼층 상부에 형성되는 유기발광다이오드를 포함하며,
상기 전원배선은 상기 보조전극과 연결되는 유기발광다이오드소자.
A substrate;
A light blocking pattern selectively formed on one surface of the substrate, a first source electrode extending in one direction in a display area, and an auxiliary electrode surrounding the display area of the substrate;
A buffer layer formed on one surface of the substrate and having a first contact hole covering the light blocking pattern, the first source electrode, and the auxiliary electrode and exposing the first source electrode;
A power supply wiring on the buffer layer;
A thin film transistor formed on the buffer layer and including a second source electrode connected to the first source electrode through the first contact hole;
Is connected to the thin film transistor, and includes an organic light emitting diode formed on the buffer layer,
The power wiring is an organic light emitting diode device connected to the auxiliary electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 광차단패턴은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 몰리브덴합금(MoTi)중 어느 하나로 선택적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드소자.

The method of claim 1,
The light blocking pattern is an organic light emitting diode device, characterized in that made of any one of molybdenum (Mo), titanium (Ti), molybdenum alloy (MoTi).

제 1 항에 있어서,
상기 제1소스전극과 상기 보조전극은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 몰리브덴합금(MoTi)중 어느 하나와 구리(Cu)의 이중층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드소자.
The method of claim 1,
And the first source electrode and the auxiliary electrode are formed of a double layer of molybdenum (Mo), titanium (Ti), molybdenum alloy (MoTi) and copper (Cu).
제 1 항에 있어서,
상기 박막트랜지스터는,
상기 광차단패턴에 대응하여 형성된 산화물 반도체층과;
상기 산화물 반도체층을 덮는 게이트 절연막과;
상기 게이트 절연막 상에서, 상기 산화물 반도체층에 대응되는 게이트 전극과;
상기 게이트 전극을 덮고, 상기 산화물 반도체층의 양측을 노출하는 층간절연막과;
상기 층간절연막상에 형성되며, 상기 산화물 반도체층의 양측에 각각 형성되는 상기 제2소스 및 상기 제2소스전극과 이격하는 드레인전극을 포함하는 유기발광다이오드소자.

The method of claim 1,
The thin film transistor,
An oxide semiconductor layer formed corresponding to the light blocking pattern;
A gate insulating film covering the oxide semiconductor layer;
A gate electrode corresponding to the oxide semiconductor layer on the gate insulating layer;
An interlayer insulating film covering the gate electrode and exposing both sides of the oxide semiconductor layer;
An organic light emitting diode device formed on the interlayer insulating film and including a drain electrode spaced apart from the second source electrode and the second source formed on both sides of the oxide semiconductor layer.

제 4 항에 있어서,
상기 산화물 반도체층은 상기 광차단패턴의 면적과 같거나 이보다 작은 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드소자.
The method of claim 4, wherein
The oxide semiconductor layer is an organic light emitting diode device, characterized in that less than or equal to the area of the light blocking pattern.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 버퍼층은 상기 보조전극을 노출하는 제2콘택홀을 갖고, 상기 전원배선의 양단은 상기 제2콘택홀을 통해 상기 보조전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드소자.
The method of claim 1,
And the buffer layer has a second contact hole exposing the auxiliary electrode, and both ends of the power line are connected to the auxiliary electrode through the second contact hole.
기판 일면에 광차단패턴과 상기 기판의 표시영역을 둘러싸는 형태인 보조전극, 표시영역에서 일방향을 따라 연장된 제1소스전극을 형성하는 단계와;
상기 광차단패턴과 상기 보조전극, 상기 제1소스전극을 덮는 버퍼층을 형성하는 단계와;
상기 버퍼층 상부에 상기 제1소스전극과 연결되는 제2소스전극을 포함하는 박막트랜지스터와 상기 보조전극과 연결되는 전원배선을 형성하는 단계와;
상기 박막트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드소자의 제조방법.
Forming a light blocking pattern and an auxiliary electrode surrounding the display area of the substrate, and a first source electrode extending in one direction in the display area on one surface of the substrate;
Forming a buffer layer covering the light blocking pattern, the auxiliary electrode, and the first source electrode;
Forming a thin film transistor including a second source electrode connected to the first source electrode and a power line connected to the auxiliary electrode on the buffer layer;
A method of manufacturing an organic light emitting diode device comprising forming an organic light emitting diode connected to the thin film transistor.
제 8 항에 있어서,
상기 광차단패턴은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 몰리브덴합금(MoTi)중 어느 하나 선택하여 단일층으로 형성되고, 상기 제1소스전극과 상기 보조전극은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 몰리브덴합금(MoTi)중 어느 하나와 구리의 이중층으로 형성되는 유기발광다이오드소자의 제조방법.
The method of claim 8,
The light blocking pattern may be formed of a single layer by selecting one of molybdenum (Mo), titanium (Ti), and molybdenum alloy (MoTi), and the first source electrode and the auxiliary electrode may include molybdenum (Mo) and titanium (Ti). And a molybdenum alloy (MoTi) and a method of manufacturing an organic light emitting diode device formed of a double layer of copper.
제 9 항에 있어서,
상기 광차단패턴과, 상기 제1소스전극과 상기 보조전극은 하프톤 마스크를 이용하여 형성되는 유기발광다이오드소자의 제조방법.
The method of claim 9,
The light blocking pattern, the first source electrode and the auxiliary electrode are formed using a halftone mask.
제 8 항에 있어서,
상기 박막트랜지스터의 형성단계는,
상기 버퍼층 일면에 산화물 반도체를 이용한 산화물 반도체층을 형성하는 단계와;
상기 산화물 반도체층 일면에 게이트절연막 및 게이트전극을 형성하는 단계와;
상기 산화물 반도체층과 게이트 절연막 및 게이트전극을 덮는 층간절연막을 형성하는 단계와;
상기 층간절연막을 선택적으로 식각하여 상기 보조전극과, 상기 제1소스전극을 노출시키는 다수의 콘택홀을 형성하는 단계와;
상기 제1소스전극과 연결되는 상기 제2소스전극과, 상기 제2소스전극으로부터 이격된 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전원배선은 상기 제2소스전극 및 상기 드레인 전극과 동시에 형성되는 유기발광다이오드소자의 제조방법.
The method of claim 8,
Forming the thin film transistor,
Forming an oxide semiconductor layer using an oxide semiconductor on one surface of the buffer layer;
Forming a gate insulating film and a gate electrode on one surface of the oxide semiconductor layer;
Forming an interlayer insulating film covering the oxide semiconductor layer, the gate insulating film and the gate electrode;
Selectively etching the interlayer insulating layer to form a plurality of contact holes exposing the auxiliary electrode and the first source electrode;
And forming a second source electrode connected to the first source electrode and a drain electrode spaced apart from the second source electrode, wherein the power line is formed simultaneously with the second source electrode and the drain electrode. Method of manufacturing an organic light emitting diode device.
제 11 항에 있어서,
상기 전원배선의 양단은 상기 보조전극과 연결되는 유기발광다이오드소자의 제조방법.The method of claim 11,
A method of manufacturing an organic light emitting diode device, wherein both ends of the power line are connected to the auxiliary electrode.
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