KR102076772B1 - 금속파우더의 전해도금 방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 도금액과 금속파우더를 수용할 수 있는 반응기; 도금액 내에 금속파우더를 교반할 수 있도록 반응기의 상부에서 반응기 내부의 하방으로 신장하도록 배치된 교반용 임펠라; 및 교반용 임펠라에 의하여 금속파우더가 도금액 내에서 교반되는 동안 금속파우더의 표면에 도금층을 형성할 수 있는 전해도금 공정의 전류를 인가할 수 있도록 배치되되, 적어도 말단부가 도금액에 침지될 수 있도록 반응기의 상부에서 반응기 내부의 하방으로 신장하도록 서로 이격되어 배치된 양극과 음극;을 구비하는, 금속파우더의 전해도금 장치를 제공한다.

Description

금속파우더의 전해도금 방법 및 장치{Methods and apparatus for electrolytic plating of metal powder}

본 발명은 전해도금 방법 및 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 금속파우더의 전해도금 방법 및 장치에 관한 것이다.

전해도금은 오래된 기술 중 하나지만, 기존 방법들은 벌크(bulk)한 물질에 대한 도금에 적합하다. 미세 물질을 음극에 접촉시키는 것이 어렵기 때문이다. 한편, 전자부품이 소형화됨에 따라 부품에 전해도금을 적용하기 위한 바렐 도금 기술이 개발되었지만, 마이크로 수준의 금속파우더 손실을 최소화하면서 도금액이 순환될 수 있는 메쉬(Mesh) 적용이 어려워 파우더 도금은 구현하기가 용이하지 않다. 바렐 도금이 수행되는 낮은 회전속도에서 금속파우더를 도금할 경우 입자 응집 및 도금층 불균일 등의 문제가 발생한다.

1. 한국공개특허 제20170090271호 2. 한국공개특허 제20140030581호

본 발명은 파우더가 응집되지 않고 도금층이 균일하게 형성될 수 있는 금속파우더의 전해도금 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 관점에 의한 금속파우더의 전해도금 방법이 제공된다. 상기 금속파우더의 전해도금 방법은 반응기 내에 도금액과 복수의 금속파우더를 제공하는 단계; 및 복수의 금속파우더가 도금액 내에서 교반되는 동안, 적어도 말단부가 도금액에 침지된 양극 및 음극에 전류를 인가하여 금속파우더의 표면에 도금층을 형성하는 단계; 를 포함한다.

상기 금속파우더의 전해도금 방법에서, 상기 금속파우더의 교반은 상기 도금액 내에 침지된 교반용 임펠라의 회전운동으로 구현될 수 있다. 상기 교반용 임펠라의 회전운동은 정방향과 역방향 운동을 모두 포함하여 상기 도금액 내에 와류를 유발하게 할 수 있다. 한편, 이와는 달리, 상기 교반용 임펠라의 회전운동은 정방향 및 역방향 운동 중에서 선택된 어느 하나의 일방향으로만 수행될 수도 있다.

상기 교반용 임펠라는 상기 금속파우더가 교반되지 않고 자중에 의하여 상기 반응기 내에 모두 침전된 상태에서 상기 복수의 금속파우더 내에 파묻히도록 배치될 수 있다. 상기 교반용 임펠라의 회전속도는 상기 복수의 금속파우더 중 10% 내지 50%가 상기 도금액 내에 부유되도록 설정될 수 있다. 자중에 의하여 침전되는 상기 금속파우더가 상기 교반용 임펠라에 인접하여 모일 수 있도록 상기 반응기는 적어도 하부의 일부가 둥근 형상을 가질 수 있다.

상기 금속파우더의 전해도금 방법에서, 상기 양극 및 음극은 반응기의 상부에서 하방으로 신장하도록 배치되며, 상기 음극은 말단부를 제외하고 나머지는 절연 피복 처리될 수 있다. 상기 금속파우더가 교반되지 않고 자중에 의하여 반응기 내에 모두 침전된 상태에서는 상기 음극의 말단부가 상기 복수의 금속파우더 내에 파묻히도록 배치되며, 양극의 말단부는 도금액에는 침지되되 복수의 금속파우더 내에는 파묻히지 않고 나아가 금속파우더와 접촉되지 않도록 배치될 수 있다. 상기 음극은, 상기 음극의 표면에 금속이 석출되면서 발생하는 손실을 최소화하고, 교반되는 금속파우더와 균일하게 접촉될 수 있도록, 봉 형상을 가질 수 있다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 관점에 의한 금속파우더의 전해도금 장치가 제공된다. 상기 금속파우더의 전해도금 장치는 도금액과 금속파우더를 수용할 수 있는 반응기; 도금액 내에 금속파우더를 교반할 수 있도록 반응기의 상부에서 반응기 내부의 하방으로 신장하도록 배치된 교반용 임펠라; 및 교반용 임펠라에 의하여 금속파우더가 도금액 내에서 교반되는 동안 금속파우더의 표면에 도금층을 형성할 수 있는 전해도금 공정의 전류를 인가할 수 있도록 배치되되, 적어도 말단부가 도금액에 침지될 수 있도록 반응기의 상부에서 반응기 내부의 하방으로 신장하도록 서로 이격되어 배치된 양극과 음극;을 구비한다.

상기 금속파우더의 전해도금 장치에서, 자중에 의하여 침전되는 금속파우더가 교반용 임펠라에 인접하여 모일 수 있도록 상기 반응기는 적어도 하부의 일부가 둥근 형상을 가질 수 있다.

상기 금속파우더의 전해도금 장치에서, 상기 음극은 말단부를 제외하고 나머지는 절연 피복 처리될 수 있다.

상기 금속파우더의 전해도금 장치에서, 상기 음극은, 상기 음극의 표면에 금속이 석출되면서 발생하는 손실을 최소화하고, 교반되는 금속파우더와 균일하게 접촉될 수 있도록, 봉 형상을 가질 수 있다.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 파우더가 응집되지 않고 도금층이 균일하게 형성될 수 있는 금속파우더의 전해도금 방법 및 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속파우더의 전해도금 장치와 이를 이용한 금속파우더의 전해도금 방법을 도해하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 방법에 의하여 도금층이 형성된 금속파우더의 FE-SEM 이미지이다.
도 3은 본 발명의 비교예에 따른 전해도금 방법에 의하여 도금층이 형성된 금속파우더의 FE-SEM 이미지이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 방법에 의하여 도금층이 형성된 금속파우더에서 미도금 발생여부를 확인하기 위한 FE-SEM 이미지이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 방법에 의하여 도금층이 형성된 금속파우더에서 도금층의 균일도를 확인하기 위한 저배율 및 고배율의 FE-SEM 이미지이다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 적어도 일부의 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 도면에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속파우더의 전해도금 장치와 이를 이용한 금속파우더의 전해도금 방법을 도해하는 도면이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속파우더의 전해도금 장치(100)는 도금액(50)과 금속파우더(60)를 수용할 수 있는 반응기(30); 도금액(50) 내에 금속파우더(60)를 교반할 수 있도록 반응기(30)의 상부에서 반응기 내부의 하방으로 신장하도록 배치된 교반용 임펠라(42); 및 교반용 임펠라(42)에 의하여 금속파우더(60)가 도금액(50) 내에서 교반되는 동안 금속파우더(60)의 표면에 도금층을 형성할 수 있는 전해도금 공정의 전류를 인가할 수 있도록 배치되되, 적어도 말단부가 도금액(50)에 침지될 수 있도록 반응기(30)의 상부에서 반응기 내부의 하방으로 신장하도록 서로 이격되어 배치된 양극(10)과 음극(20);을 구비한다.

자중에 의하여 침전되는 금속파우더(60)가 교반용 임펠라(42)에 인접하여 모일 수 있도록 반응기(30)는 적어도 하부의 일부가 둥근 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 부유하지 않는 금속파우더(60) 입자들이 중앙에 모이도록 하부가 둥근 반응기(30)를 적용할 수 있다. 한편, 재질이나 크기에 큰 제약이 있는 것이 아니므로, 도금 용량 및 용도에 따라 다양한 반응조 적용이 가능함은 물론이다.

음극(20)은 말단부(22)를 제외하고 나머지는 절연 피복 처리될 수 있다. 한편, 음극(20)은, 상기 음극의 표면에 금속이 석출되면서 발생하는 손실을 방지 내지는 최소화하고, 교반되는 금속파우더(60)와 균일하게 접촉될 수 있도록, 봉 형상을 가질 수 있다.

이하에서는, 상술한 금속파우더의 전해도금 장치(100)를 이용하여 금속파우더를 전해도금하는 방법을 설명한다. 상기 금속파우더의 전해도금 방법은 반응기(30) 내에 도금액(50)과 복수의 금속파우더(60)를 제공하는 단계(S100); 및 복수의 금속파우더(60)가 도금액(50) 내에서 교반되는 동안, 적어도 말단부가 도금액(50)에 침지된 양극(10) 및 음극(20)에 전류를 인가하여 금속파우더(60)의 표면에 도금층을 형성하는 단계(S200); 를 포함한다.

본 실시예의 전해도금 공정에서 교반용 임펠라(42)는 도금액의 조성/농도/온도를 균일하게 유지하기 위하여 도금액을 순환시키는 역할도 수행한다. 다만, 금속파우더(60)의 전해도금 공정에서 도금액만 교반할 경우 도금 과정에서 입자간 응집이 발생하므로 금속파우더(60) 입자의 교반이 반드시 수반되어야 한다.

본 실시예에서는 도금 공정 중 교반용 임펠라(42)를 적용함으로써 금속파우더(60) 분산을 효과적으로 유발할 수 있음을 확인하였다. 예를 들어, 금속파우더(60)의 교반은 도금액(50) 내에 침지된 교반용 임펠라(42)의 회전운동으로 구현될 수 있다. 한편, 금속파우더(60)의 분산이 일어나면서 전류가 잘 흐를 수 있도록 그리고 금속파우더(60) 입자 간의 접촉이 일정량으로 유지되도록 교반 속도를 조절하는 것이 필요하다. 또한, 금속파우더(60)의 크기가 작을수록 교반용 임펠라(42)의 낮은 회전속도에도 교반이 활발히 일어나므로, 금속파우더(60)의 입자크기 및 형태에 따라 최적의 조건을 설정하는 것이 필요하다. 본 발명자는 1㎛ 내지 70㎛의 입자크기를 가지는 금속파우더(60)의 전해도금 공정에서 상술한 구성의 교반용 임펠라(42)를 적용하는 것이 효과적임을 확인하였다.

또한, 금속파우더(60) 입자의 효과적인 교반을 위하여 교반용 임펠라(42)를적용하되 반응기(30) 하부와 가깝게 배치할 수 있다. 특히, 금속파우더(60)가 교반되지 않고 자중에 의하여 반응기(30) 내에 모두 침전된 상태에서, 교반용 임펠라(42)는 도금하고자 하는 복수의 금속파우더(60) 내에 파묻히도록 배치되는 것이 효과적이다.

그러나, 금속파우더(60)의 입자가 도금액(50) 중에 너무 잘 분산되는 경우, 입자끼리의 접촉이 일어나기 어려워 통전이 되지 않으므로 도금이 효과적으로 되지 않는 현상이 발생할 수 있다. 따라서, 일정 비율의 금속파우더(60) 입자가 서로 접촉되어 있으면서 동시에 입자 응집을 최소화하기 위한 입자 교반이 수반되어야 한다. 예를 들어, 도금하려는 금속파우더(60)의 입자의 비중, 크기 및 모양을 고려해서, 교반용 임펠라(42)의 회전속도는 복수의 금속파우더(60) 중 10% 내지 50%가 도금액(50) 내에 부유되도록 설정될 수 있다. 금속파우더(60)의 입자 크기가 큰 경우 더욱 쉽게 침강하므로 입자 크기가 커짐에 따라 교반 회전속도를 더욱 상향 조정할 수도 있다.

교반용 임펠라(42)는 반응기(30)의 상부에서 반응기(30) 내부의 하방으로 신장되는 교반봉(44)에 연결될 수 있다. 교반용 임펠라(42)의 회전운동이 정방향(F)과 역방향(R) 운동을 모두 포함하도록 제공됨으로써 도금액(50) 내에 와류(A)를 유발하게 할 수 있으며, 이에 따라 도금 공정 중에 금속파우더(60) 분산이 효과적으로 일어날 수 있다. 와류를 효과적으로 발생시키기 위하여 도금 중 정방향(F)과 역방향(R)으로 교반 방향을 교번적으로 전환하면 금속파우더(60)의 입자 분산에 효과적임을 확인하였다.

하지만, 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 교반용 임펠라(42)의 회전운동은 정방향(F) 및 역방향(R) 운동 중에서 선택된 어느 하나의 일방향으로만 수행될 수도 있다.

즉, 교반용 임펠라(42)의 회전 운동은 정방향 역방향 운동을 모두 포함하여 상기 도금액(50) 내에 와류를 유발하는 양방향일 수 있으나, 이와는 달리, 한 방향으로만 적용할 수도 있다. 직경이 큰 입자의 경우 와류를 유발하는 것이 입자 분산 측면에서 효율적이나, 직경이 작은 입자의 경우 과도한 와류 유발 시 입자와 음극 접촉이 잘 이루어지지 않을 수 있으므로 한 방향으로 진행하는 것이 바람직함을 확인하였다.

음극(20)은, 상기 음극의 표면에 금속이 석출되면서 발생하는 손실을 최소화하고, 교반되는 금속파우더(60)와 균일하게 접촉될 수 있도록, 봉 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 음극(20)은 음극봉으로 이해될 수 있다. 음극(20)은 도금 중 발열에 잘 견딜 수 있도록, 직경이 1cm 이상인 음극봉을 반응기(30)의 상부에서 삽입하여 적층된 금속파우더(60)의 입자들 사이에 꽂아서 통전을 유발할 수 있다. 즉, 금속파우더(60)가 교반되지 않고 자중에 의하여 반응기(30) 내에 모두 침전된 상태에서는 음극(20)의 말단부(22)가 복수의 금속파우더(60) 내에 파묻히도록 배치될 수 있다. 이 때, 음극(20)이 교반용 임펠라(42) 측면에 위치하게 되어 교반에 의한 와류와 진동의 영향을 받으므로, 도금 중 발생하는 음극(20) 상의 입자 손실도 최소화할 수 있다. 음극봉(20)의 대부분은 절연 피복처리를 하고, 금속파우더(60)의 입자와 접촉하는 음극봉(20)의 말단부(22)만 노출시켜 음극에 의한 금속 손실을 최소화할 수 있다. 절연 피복처리 되지 않고 노출되는 음극(20)의 말단부(22)의 크기는, 예를 들어, 0.1 내지 5cm일 수 있다.

양극(10)은 도금하려는 금속파우더(60)의 종류에 적합한 물질로 이루어질 수 있다. 입자 도금은 피도금체의 표면적이 크므로, 음극(20)과 양극(10)의 표면적 균형을 맞추기 위하여 양극(10)을 메쉬(mesh) 형태로 제작하여 적용하는 것이 효율적일 수 있다. 양극(10)이 부유 입자에 닿을 경우 스파크(spark)가 발생하면서 덴드라이트(dendrite) 형태의 도금이 나타날 수 있으므로 양극(10) 설치 시 주의해야 한다. 금속파우더(60)가 교반되지 않고 자중에 의하여 반응기 내에 모두 침전된 상태에서, 앞에서 설명한 바와 같이, 음극(20)의 말단부는 복수의 금속파우더 내에 파묻히도록 배치되지만, 양극(10)의 말단부는 도금액(50)에는 침지되되 복수의 금속파우더 내에는 파묻히지 않고 나아가 금속파우더와 접촉되지 않도록 배치될 수 있다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 방법에 의하여 도금층이 형성된 금속파우더의 FE-SEM 이미지이고, 도 3은 본 발명의 비교예에 따른 전해도금 방법에 의하여 도금층이 형성된 금속파우더의 FE-SEM 이미지이다.

도 2를 참조하면, 금속파우더가 응집되지 않고 도금층이 양호하게 형성됨을 알 수 있고, 도 3을 참조하면, 금속파우더 도금 중 응집이 발생하여 도금이 불량한 양상을 확인할 수 있다.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 방법에 의하여 도금층이 형성된 금속파우더에서 미도금 발생여부를 확인하기 위한 FE-SEM 이미지이다.

도 4를 참조하면, 금속파우더 상에 도금이 되지 않는 미도금 현상은 발생하지 않음을 확인할 수 있다. 금속파우더의 입자가 도금액 중에 너무 잘 분산되는 경우, 입자끼리의 접촉이 일어나기 어려워 통전이 되지 않으므로 도금이 효과적으로 되지 않는 현상이 발생할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 금속파우더의 전해도금 방법에 의하면, 일정 비율의 금속파우더 입자가 서로 접촉되어 있으면서 동시에 입자 응집을 최소화하기 위한 입자 교반이 발생하였음을 알 수 있다.

도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 방법에 의하여 도금층이 형성된 금속파우더에서 도금층의 균일도를 확인하기 위한 저배율 및 고배율의 FE-SEM 이미지이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 금속파우더 표면에 전해도금 공정으로 형성된 도금층의 두께는 전체 표면에 걸쳐 균일함을 확인할 수 있다.

상술한 본 발명의 실시예에 따른 금속파우더의 전해도금 방법 및 금속파우더의 전해도금 장치에 의하면, 금속파우더가 응집되지 않고 도금층이 균일하게 형성될 수 있다는 유리한 효과를 기대할 수 있다.

기존 파우더 도금에 사용되는 기상 증착법에 비해 초기 설비 투자 비용을 줄일 수 있고, 무전해 도금에 비해 금(Au) 수율을 높여 금속 파우더 코팅 공정의 제조 단가 절감이 가능하다. 또한, 바렐 도금 시 발생하는 입자 응집 및 도금층 불균일 문제 개선도 가능하다.

이외에도, 본 발명의 실시예에 따른 금속파우더의 전해도금 방법 및 금속파우더의 전해도금 장치에서 기대되는 부수적인 효과는 다음과 같다.

1) 도금액 유출 가능성이 없다. 대부분의 전해 도금액은 강산 또는 강알칼리성 용액으로 부식성이 매우 강하다. 따라서 도금액의 유출을 막기 위해 설치한 오링(O-ring)이 도금액에 의해 쉽게 손상된 가능성이 매우 높다. 본 실시예에서는, 도금조를 변형해서 음극을 도금조와 별도로 연결하지 않고 개방된 상부에서 음극봉을 적용했기 때문에 도금액 유출 가능성이 없다.

2) 음극봉을 쉽게 꺼낼 수 있으므로, 음극 끝에 흡착된 파우더를 제거하기 용이하다. 전해도금 특성 상 도금 중 파우더가 음극에 소량 흡착될 수 밖에 없는데, 음극이 하부에 고정되어 있다면 음극에 흡착된 손실 파우더를 제거하기 쉽지 않아, 음극 상의 입자 적층이 수반될 수 있다. 본 실시예에서는, 반응기로부터 음극봉을 분리하여 쉽게 꺼낼 수 있으므로, 음극 끝에 흡착된 파우더를 제거하기 용이하다.

3) 도금 조건을 변경하기 용이하다. 본 실시예에서는, 입자가 쉽게 모일 수 있는 둥근 바닥 형태의 반응기는 모두 적용할 수 있으므로, 간단하게는 둥근바닥 플라스크에서도 도금이 가능하다. 챔버의 크기 및 모양을 변경하기 용이하고, 음극의 노출정도도 변경하기 용이하다. 나아가, 반응기의 크기나 직경에 상관없이 음극봉을 꽂아서 도금을 진행하는 방식이므로, 도금 조건을 변경하기 용이하다.

4) 도금 중 음극 상의 입자 응집을 최소화할 수 있다. 만약, 음극이 반응기의 하부에 연결되어 위치한다면, 중앙 하부에 침강되어 있는 입자들을 순환시키기 위해 교반기(shaker)가 별도로 필요하다. 본 실시예에서는, 음극이 교반 임펠라 측면부에 위치하므로 음극 주변 입자들의 교반이 효율적으로 일어나 도금 중 나타나는 음극 상의 입자 응집을 최소화할 수 있다.

5) 도금 과정을 육안으로 관찰 가능하다. 만약, 음극이 반응기의 하부에 연결되어 위치한다면, 실제 도금이 일어나는 반응기는 음극으로 작용하므로, 전도체로 구성되어야 한다. 따라서 투명한 챔버를 적용하기 어렵기 때문에 실제 도금이 진행되는 과정을 육안으로 관찰하는 것이 불가능하다. 본 실시예에서는, 음극이 반응기와 별개로 구성되며, 반응기가 전도체일 필요가 없으므로 유리반응기를 사용할 수 있는 바, 이 경우, 도금 과정을 육안으로 관찰할 수 있다.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

100: 금속파우더의 전해도금 장치
10 : 양극
20 : 음극
22 : 음극의 말단부
30 : 반응기
42 : 교반용 임펠라
50 : 도금액
60 : 금속파우더

Claims (14)

1. 반응기 내에 도금액과 복수의 금속파우더를 제공하는 단계; 및
   도금액 내에 침지된 교반용 임펠라의 회전운동으로 도금액 내에서 복수의 금속파우더가 교반되는 동안, 적어도 말단부가 도금액에 침지된 양극 및 음극에 전류를 인가하여 금속파우더의 표면에 도금층을 형성하는 단계; 를 포함하되,
   상기 양극 및 상기 음극은 상기 반응기의 상부에서 상기 반응기 내부의 하방으로 신장하도록 배치되되,
   상기 음극은, 상기 음극의 표면에 금속이 석출되면서 발생하는 손실을 최소화하고 교반되는 금속파우더와 균일하게 접촉될 수 있도록 봉 형상을 가지며, 상기 반응기의 하부에 연결되어 배치되지 않고 이격되어 제공되며, 상기 말단부를 제외하고 나머지는 절연 피복 처리되어 제공되며,
   상기 음극의 말단부가 상기 교반용 임펠라의 측면부에 위치하도록 상기 음극은 상기 양극 보다 상기 반응기 내부의 하방으로 더 깊게 신장하며,
   금속파우더가 교반되지 않고 자중에 의하여 상기 반응기 내에 모두 침전된 상태에서, 상기 음극의 말단부 및 상기 교반용 임펠라는 복수의 금속파우더 내에 파묻히도록 배치되며, 양극의 말단부는 도금액에는 침지되되 복수의 금속파우더 내에는 파묻히지 않고 나아가 금속파우더와 접촉되지 않도록 배치되며,
   상기 도금층을 형성하는 단계 동안 상기 교반용 임펠라의 회전속도는 복수의 금속파우더 중 10% 내지 50%가 도금액 내에 부유되며 상기 복수의 금속파우더 중 나머지는 부유하지 않고 자중에 의하여 침전되도록 설정되는 것을 특징으로 하는,
   금속파우더의 전해도금 방법.
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 교반용 임펠라의 회전운동은 정방향과 역방향 운동을 모두 포함하여 도금액 내에 와류를 유발하게 하는 것을 특징으로 하는,
   금속파우더의 전해도금 방법.
   
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 교반용 임펠라의 회전운동은 정방향 및 역방향 운동 중에서 선택된 어느 하나의 일방향으로만 수행되는 것을 특징으로 하는,
   금속파우더의 전해도금 방법.
   
5. 삭제
6. 삭제
7. 제 1 항에 있어서,
   자중에 의하여 침전되는 금속파우더가 교반용 임펠라에 인접하여 모일 수 있도록 상기 반응기는 적어도 하부의 일부가 둥근 형상을 가지는 것을 특징으로 하는, 금속파우더의 전해도금 방법.
   
   
   
8. 삭제
9. 삭제
10. 삭제
11. 삭제
12. 삭제
13. 삭제
14. 삭제

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