KR102075675B1 - Unit for supplying fluid and Apparatus for treating substrate with the unit - Google Patents

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KR102075675B1 KR1020180084756A KR20180084756A KR102075675B1 KR 102075675 B1 KR102075675 B1 KR 102075675B1 KR 1020180084756 A KR1020180084756 A KR 1020180084756A KR 20180084756 A KR20180084756 A KR 20180084756A KR 102075675 B1 KR102075675 B1 KR 102075675B1
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Abstract

본 발명은 유체를 공급하는 장치를 제공한다. 유체 공급 유닛은 챔버에 상기 유체를 공급하는 유체 공급 라인, 상기 유체 공급 라인에 설치되며, 상기 유체가 상기 챔버에 공급되도록 상기 유체 공급 라인을 가압하는 펌프, 상기 유체 공급 라인에서 상기 펌프와 상기 챔버 사이에 설치되며, 내부에 상기 유체를 저장하는 버퍼 공간을 가지는 버퍼 탱크, 상기 유체 공급 라인에서 상기 펌프와 상기 버퍼 탱크의 사이인 상류 영역의 압력을 측정하는 제1압력기, 상기 제1압력기와 상기 상류 영역을 연결하며, 제1길이를 가지는 제1측정 라인, 상기 버퍼 공간의 압력을 측정하는 제2압력기, 그리고 상기 제2압력기와 상기 버퍼 탱크를 연결하며, 제2길이를 가지는 제2측정 라인을 포함하되, 상기 제1길이와 상기 제2길이는 서로 상이하다.
이로 인해 압력기가 고온 또는 저온에 의해 손상 및 오측정되는 것을 방지할 수 있다.
The present invention provides an apparatus for supplying a fluid. The fluid supply unit is a fluid supply line for supplying the fluid to the chamber, a pump which is installed in the fluid supply line, pressurizes the fluid supply line to supply the fluid to the chamber, the pump and the chamber in the fluid supply line A buffer tank having a buffer space for storing the fluid therein; a first pressure device for measuring a pressure in an upstream region between the pump and the buffer tank in the fluid supply line; A first measurement line connecting the upstream region, a first measuring line having a first length, a second pressure gauge for measuring pressure in the buffer space, and a second length connecting the second pressure device and the buffer tank and having a second length And a measuring line, wherein the first length and the second length are different from each other.
This makes it possible to prevent the pressurizer from being damaged and erroneously measured by high or low temperatures.

Figure R1020180084756
Figure R1020180084756

Description

유체 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치{Unit for supplying fluid and Apparatus for treating substrate with the unit}Unit for supplying fluid and Apparatus for treating substrate with the unit

본 발명은 유체를 공급하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초임계 유체를 공급하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device for supplying a fluid, and more particularly to a device for supplying a supercritical fluid.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성한다. 각각의 공정에는 다양한 처리액들이 사용되며, 공정 진행 중에는 오염물 및 파티클이 생성된다. 이를 해결하기 위해 각각의 공정 전후에는 오염물 및 파티클을 세정 처리하기 위한 세정 공정이 필수적으로 수행된다.In order to manufacture a semiconductor device, a desired pattern is formed on a substrate through various processes such as photographing, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition on the substrate. Various treatment solutions are used in each process, and contaminants and particles are generated during the process. In order to solve this problem, a cleaning process for cleaning contaminants and particles is essentially performed before and after each process.

일반적으로 세정 공정은 기판을 케미칼 및 린스액으로 처리한 후에 건조 처리한다. 건조 처리 단계에는 기판 상에 잔류된 린스액을 건조하기 위한 공정으로, 이소프로필알코올(IPA)과 같은 유기 용제로 기판을 건조 처리한다. 그러나 기판에 형성된 패턴과 패턴과의 거리(CD:Critical Dimension)가 미세화됨에 따라, 그 패턴들의 사이 공간에 유기 용제가 잔류된다. Generally, the cleaning process is followed by drying of the substrate with the chemical and the rinse liquid. In the drying treatment step, the substrate is dried by an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) in a step of drying the rinse liquid remaining on the substrate. However, as the distance between the pattern formed on the substrate and the pattern (CD) is miniaturized, an organic solvent remains in the space between the patterns.

최근에는 기판 상에 잔류된 유기 용제를 제거하기 위해, 초임계 처리 공정을 수행한다. 초임계 처리 공정은 초임계 유체를 이용한 공정으로, 상압 상온에 비해 높은 고온 고압인 특정 조건이 갖추어져야 한다. Recently, in order to remove the organic solvent remaining on the substrate, a supercritical treatment process is performed. Supercritical treatment process is a process using a supercritical fluid, it is required to meet the specific conditions of high temperature and high pressure compared to the normal pressure room temperature.

따라서 유체가 기판에 공급되기 전에는 유체를 임계 온도 이상으로 가열하거나, 유체를 기상에서 액상으로 변환시키는 작업이 수행되어야 하며, 유체가 공급되는 공급 라인에는 유체의 온도를 조절하는 히터 및 쿨러가 설치된다. Therefore, before the fluid is supplied to the substrate, the fluid must be heated above the critical temperature or the fluid is converted from the gas phase to the liquid phase. A heater and a cooler for controlling the temperature of the fluid are installed in the supply line to which the fluid is supplied. .

또한 공급 라인에는 유체의 압력을 측정하기 위한 압력기들이 히터의 인접 영역 및 쿨러의 인접 영역에 각각 설치되며, 유체의 압력을 설정 압력이 이하로 떨어지는 것을 감지한다.In addition, in the supply line, pressurizers for measuring the pressure of the fluid are respectively installed in an adjacent region of the heater and an adjacent region of the cooler, and detect the pressure of the fluid that the set pressure falls below.

그러나 유체가 가지는 온도나 쿨러 및 히터로부터 발생되는 열에 의해 공급 라인은 영역에 따라 고온 또는 저온을 가지며, 이러한 고온 또는 저온이 압력기에 직접적으로 전달되어 압력기의 손상을 발생시킨다. However, due to the temperature of the fluid or the heat generated from the cooler and the heater, the supply line has a high temperature or a low temperature depending on the area, and the high temperature or the low temperature is transmitted directly to the pressure device, causing damage to the pressure device.

한국 공개 특허 번호 2011-0101045Korean Unexamined Patent Number 2011-0101045

본 발명은 유체의 압력을 측정하는 압력기가 손상되는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a device capable of preventing damage to a pressure gauge that measures the pressure of a fluid.

또한 본 발명은 압력기가 고온 또는 저온에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a device capable of preventing the pressure group from being damaged by high or low temperatures.

본 발명의 실시예는 유체를 공급하는 장치를 제공한다. 유체 공급 유닛은 챔버에 상기 유체를 공급하는 유체 공급 라인, 상기 유체 공급 라인에 설치되며, 상기 유체가 상기 챔버에 공급되도록 상기 유체 공급 라인을 가압하는 펌프, 상기 유체 공급 라인에서 상기 펌프와 상기 챔버 사이에 설치되며, 내부에 상기 유체를 저장하는 버퍼 공간을 가지는 버퍼 탱크, 상기 유체 공급 라인에서 상기 펌프와 상기 버퍼 탱크의 사이인 상류 영역의 압력을 측정하는 제1압력기, 상기 제1압력기와 상기 상류 영역을 연결하며, 제1길이를 가지는 제1측정 라인, 상기 버퍼 공간의 압력을 측정하는 제2압력기, 그리고 상기 제2압력기와 상기 버퍼 탱크를 연결하며, 제2길이를 가지는 제2측정 라인을 포함하되, 상기 제1길이와 상기 제2길이는 서로 상이하다. Embodiments of the present invention provide an apparatus for supplying a fluid. The fluid supply unit includes a fluid supply line for supplying the fluid to the chamber, a pump installed in the fluid supply line, for pressurizing the fluid supply line to supply the fluid to the chamber, the pump and the chamber in the fluid supply line. A buffer tank having a buffer space for storing the fluid therein, a first pressure device for measuring a pressure in an upstream region between the pump and the buffer tank in the fluid supply line, and the first pressure device A first measurement line connecting the upstream region, a first measuring line having a first length, a second pressure gauge for measuring pressure in the buffer space, and a second length connecting the second pressure device and the buffer tank and having a second length And a measuring line, wherein the first length and the second length are different from each other.

상기 제1길이는 상기 제2길이보다 길게 제공될 수 있다. 상기 제1측정 라인은 1 회 또는 복수 회 말아진 형상을 가질 수 있다. The first length may be provided longer than the second length. The first measurement line may have a shape that is rolled up once or a plurality of times.

선택적으로 상기 제1측정 라인은 지그재그 형상을 가질 수 있다. Optionally, the first measurement line may have a zigzag shape.

상기 제1길이는 100 mm 이상으로 제공될 수 있다. The first length may be provided at 100 mm or more.

상기 버퍼 탱크는 내부에 상기 버퍼 공간을 가지는 하우징, 상기 버퍼 공간을 임계 온도 이상으로 가열하는 히터, 그리고 상기 하우징을 감싸며, 상기 하우징을 단열하는 단열 부재를 포함하고, 상기 제2압력기는 상기 버퍼 공간의 외부에 위치되며 상기 제2측정 라인에 의해 상기 버퍼 공간에 연결될 수 있다. The buffer tank includes a housing having the buffer space therein, a heater for heating the buffer space above a critical temperature, and a heat insulating member surrounding the housing and insulating the housing, wherein the second pressurizer includes the buffer space. It is located outside of and can be connected to the buffer space by the second measurement line.

상기 유체 공급 유닛은, 상기 유체 공급 라인에서 상기 버퍼 탱크와 상기 챔버 사이에 설치되며, 상기 유체 공급 라인에 흐르는 상기 유체를 직접 가열하는 가열기, 상기 유체 공급 라인에서 상기 가열기와 상기 챔버의 사이인 하류 영역의 압력을 측정하는 제3압력기, 그리고 상기 제2압력기와 상기 하류 영역을 연결하며, 제3길이를 가지는 제3측정 라인을 더 포함하되, 상기 제3길이는 상기 제2길이보다 길게 제공될 수 있다. ,The fluid supply unit is provided between the buffer tank and the chamber in the fluid supply line, a heater for directly heating the fluid flowing in the fluid supply line, downstream between the heater and the chamber in the fluid supply line. And a third pressure gauge for measuring pressure in the region, and a third measuring line connecting the second pressure unit with the downstream region, the third measuring line having a third length, the third length being longer than the second length. Can be. ,

상기 유체 공급 유닛은, 상기 유체 공급 라인에서 상기 유체의 공급 방향에 대해 상기 펌프의 상류에 설치되며, 상기 유체를 기상에서 액상으로 냉각하는 냉각기, 상기 유체 공급 라인에서 상기 유체가 상기 냉각기에 공급되기 전인 최상류 영역의 압력을 측정하는 제4압력기, 그리고 상기 제4압력기와 상기 최상류 영역을 연결하며, 상기 제4길이를 가지는 제4측정 라인을 더 포함하되, 상기 제4길이는 상기 제1길이 및 상기 제3길이 각각보다 짧게 제공될 수 있다. The fluid supply unit is installed upstream of the pump with respect to the supply direction of the fluid in the fluid supply line, the cooler for cooling the fluid from the gas phase to the liquid phase, the fluid is supplied to the cooler in the fluid supply line And a fourth pressure line for measuring a pressure in the entire uppermost region, and a fourth measuring line connecting the fourth pressure unit and the uppermost region and having a fourth length, wherein the fourth length is the first length. And the third length may be provided shorter than each.

또한 기판을 초임계 유체로 처리하는 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 처리 공간에 초임계 유체를 공급하는 유체 공급 유닛을 포함하되, 상기 유체 공급 유닛은 챔버에 연결되는 유체 공급 라인, 상기 유체 공급 라인에 설치되며, 상기 유체가 상기 처리 공간에 공급되도록 상기 유체 공급 라인을 가압하는 펌프, 상기 유체 공급 라인에서 상기 펌프와 상기 챔버 사이에 설치되며, 내부에 상기 유체를 저장하는 버퍼 공간을 가지는 버퍼 탱크, 상기 유체 공급 라인에서 상기 펌프와 상기 버퍼 탱크의 사이인 상류 영역의 압력을 측정하는 제1압력기, 상기 제1압력기와 상기 상류 영역을 연결하며, 제1길이를 가지는 제1측정 라인, 상기 버퍼 공간의 압력을 측정하는 제2압력기, 그리고 상기 제2압력기와 상기 버퍼 탱크를 연결하며, 제2길이를 가지는 제2측정 라인을 포함하되, 상기 제1길이와 상기 제2길이는 서로 상이하다. The apparatus for treating a substrate with a supercritical fluid also includes a chamber having a processing space therein, a substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space, and a fluid supply unit for supplying a supercritical fluid to the processing space. The fluid supply unit is installed in the fluid supply line connected to the chamber, the fluid supply line, a pump for pressurizing the fluid supply line so that the fluid is supplied to the processing space, between the pump and the chamber in the fluid supply line A buffer tank having a buffer space for storing the fluid therein, a first pressure device for measuring a pressure in an upstream region between the pump and the buffer tank in the fluid supply line, the first pressure device and the upstream A first measuring line having a first length connecting a region, a second pressure gauge for measuring the pressure in the buffer space, and And a second measuring line connecting the second pressure unit to the buffer tank, the second measuring line having a second length, wherein the first length and the second length are different from each other.

상기 제1길이는 상기 제2길이보다 길게 제공될 수 있다. 상기 제1측정 라인은 1 회 또는 복수 회 말아진 형상을 가질 수 있다. The first length may be provided longer than the second length. The first measurement line may have a shape that is rolled up once or a plurality of times.

상기 버퍼 탱크는 내부에 상기 버퍼 공간을 가지는 하우징, 상기 버퍼 공간을 임계 온도 이상으로 가열하는 히터, 그리고 상기 하우징을 감싸며, 상기 하우징을 단열하는 단열 부재를 포함하고, 상기 제2압력기는 상기 버퍼 공간의 외부에 위치되며 상기 제2측정 라인에 의해 상기 버퍼 공간에 연결될 수 있다. The buffer tank includes a housing having the buffer space therein, a heater for heating the buffer space above a critical temperature, and a heat insulating member surrounding the housing and insulating the housing, wherein the second pressurizer includes the buffer space. It is located outside of and can be connected to the buffer space by the second measurement line.

본 발명의 실시예에 의하면, 압력기와 유체 공급 라인을 연결하는 측정라인은 유체 공급 라인의 영역 별 온도에 따라 그 길이가 상이하게 제공된다. 이로 인해 압력기가 고온 또는 저온에 의해 손상 및 오측정되는 것을 방지할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the measuring line connecting the pressure supply and the fluid supply line is provided different in length depending on the temperature of each region of the fluid supply line. This makes it possible to prevent the pressurizer from being damaged and erroneously measured by high or low temperatures.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 측정 라인은 말아진 형상을 가지거나 지그재그 형상을 가진다. 이로 인해 측정 라인의 공간 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the measuring line has a rolled shape or a zigzag shape. This can improve the space efficiency of the measuring line.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 제1공정 챔버에서 기판을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 제2공정 챔버에서 기판을 건조 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 3의 유체 공급 유닛을 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 유체 공급 유닛을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 냉각기를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 4의 버퍼 탱크를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 4의 제1측정 라인의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an apparatus for cleaning a substrate in the first process chamber of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view illustrating an apparatus for drying a substrate in the second process chamber of FIG. 1.
5 is a view showing the fluid supply unit of FIG.
4 is a view showing the fluid supply unit of FIG.
5 is a cross-sectional view showing the cooler of FIG.
6 is a cross-sectional view illustrating the buffer tank of FIG. 4.
7 is a view showing another embodiment of the first measurement line of FIG. 4.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape and the like of the components in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

본 발명은 도 1 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.The present invention will be described in detail an example of the present invention with reference to FIGS.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing facility 1 has an index module 10 and a process processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12, and when viewed from the top, perpendicular to the first direction 12. The direction is called the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction 16.

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 18 in which the substrate W is accommodated is mounted in the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are provided. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. A plurality of slots are provided in the third direction 16, and the substrates are positioned in the carrier to be stacked in a state spaced apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 제1공정 챔버(260), 그리고 제2공정 챔버(280)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송 챔버(240)의 일측에는 제1공정 챔버들(260)이 배치되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제2공정 챔버들(280)이 배치된다. 제1공정 챔버들(260)과 제2공정 챔버들(280)은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 제1공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 제1공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 제1공정 챔버들(260)이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 제1공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 제2공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 제1공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 제1공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 제1공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 제2공정 챔버들(280)도 제1공정 챔버들(260)과 유사하게 M X N(M과 N은 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기에서 M, N은 각각 A, B와 동일한 수일 수 있다. 상술한 바와 달리, 제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)은 모두 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)은 각각 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 또한, 제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다. The process module 20 includes a buffer unit 220, a transfer chamber 240, a first process chamber 260, and a second process chamber 280. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. First process chambers 260 are disposed at one side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, and second process chambers 280 are disposed at the other side of the transfer chamber 240. The first process chambers 260 and the second process chambers 280 may be provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the first process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the first process chambers 260 are disposed to be stacked on each other. That is, the first process chambers 260 may be arranged in an arrangement of A X B (A and B are one or more natural numbers) on one side of the transfer chamber 240. Where A is the number of first process chambers 260 provided in a line along the first direction 12, and B is the number of second process chambers 260 provided in a line along the third direction 16. When four or six first process chambers 260 are provided at one side of the transfer chamber 240, the first process chambers 260 may be arranged in an array of 2 × 2 or 3 × 2. The number of first process chambers 260 may increase or decrease. Similar to the first process chambers 260, the second process chambers 280 may be arranged in an array of M X N (M and N are each one or more natural numbers). Here, M and N may be the same number as A and B, respectively. Unlike the above, both the first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, unlike the above, the first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided as a single layer on one side and the other side of the transfer chamber 240, respectively. In addition, the first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided in various arrangements as described above.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)에서 이송 프레임(140)과 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 before the substrate W is transferred. The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. The surface facing the transfer frame 140 and the surface facing the transfer chamber 240 are opened in the buffer unit 220.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transports the substrate W between the carrier 18 seated at the load port 120 and the buffer unit 220. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in parallel with the second direction 14 in the longitudinal direction thereof. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. Body 144b is coupled to base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and provided to move forward and backward with respect to the body 144b. The plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked to be spaced apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used when conveying the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 18, and others are used to convey the substrate W from the carrier 18 to the process processing module 20. It can be used when conveying. This can prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from being attached to the substrate W after the process treatment while the index robot 144 loads and unloads the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220), 제1공정 챔버(260), 그리고 제2공정 챔버(280) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. The transfer chamber 240 transports the substrate W between the buffer unit 220, the first process chamber 260, and the second process chamber 280. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rail 242 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and moves linearly along the first direction 12 on the guide rail 242.

제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 제1공정 챔버(260)에서 케미칼 공정, 린스 공정, 그리고 1차 건조 공정이 수행되고, 제2공정 챔버(260)에서 2차 건조 공정이 수행될 수 있다. 이 경우, 1차 건조 공정은 유기 용제에 의해 이루어지고, 2차 건조 공정은 초임계 유체에 의해 이루어질 수 있다. 유기 용제로는 이소프로필 알코올(IPA) 액이 사용되고, 초임계 유체로는 이산화탄소(CO2)가 사용될 수 있다. 이와 달리 제1공정 챔버(260)에서 1차 건조 공정은 생략될 수 있다.The first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided to sequentially process one substrate (W). For example, the substrate W may be subjected to a chemical process, a rinse process, and a first drying process in the first process chamber 260, and a second drying process may be performed in the second process chamber 260. In this case, the primary drying process may be performed by an organic solvent, and the secondary drying process may be performed by a supercritical fluid. Isopropyl alcohol (IPA) is used as the organic solvent, and carbon dioxide (CO 2 ) may be used as the supercritical fluid. Alternatively, the first drying process may be omitted in the first process chamber 260.

아래에서는 제1공정 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)에 대해 설명한다. 도 2는 도 1의 제1공정 챔버에서 기판을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강 유닛(360), 그리고 분사 부재(380)를 가진다. 처리 용기(320)는 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 외부 회수통(326)과 내부 회수통(322)의 사이 공간(326a)은 각각 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.Hereinafter, the substrate processing apparatus 300 provided in the first process chamber 260 will be described. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an apparatus for cleaning a substrate in the first process chamber of FIG. 1. Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 300 includes a processing container 320, a spin head 340, a lifting unit 360, and an injection member 380. The processing container 320 provides a space in which a substrate processing process is performed, and an upper portion thereof is opened. The processing container 320 has an inner recovery container 322 and an outer recovery container 326. Each recovery container 322, 326 recovers different treatment liquids from among treatment liquids used in the process. The inner recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340, and the outer recovery container 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery container 322. The inner space 322a of the inner waste container 322 and the space 326a between the outer waste container 326 and the inner waste container 322 are respectively treated with the inner waste container 322 and the outer waste container 326. It functions as an inlet for inflow. Each recovery container 322, 326 is connected with recovery lines 322b, 326b extending vertically in the bottom direction thereof. Each recovery line 322b and 326b discharges the treatment liquid introduced through the respective recovery bins 322 and 326. The discharged treatment liquid may be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).

스핀 헤드(340)는 처리 용기(320) 내에 배치된다. 스핀 헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(334), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.Spin head 340 is disposed within processing vessel 320. The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 334, a chuck pin 346, and a support shaft 348. Body 342 has a top surface that is provided generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by the motor 349 is fixedly coupled to the bottom of the body 342. A plurality of support pins 334 are provided. The support pins 334 are spaced apart at predetermined intervals from the edge of the upper surface of the body 342 and protrudes upward from the body 342. The support pins 334 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combining with each other. The support pin 334 supports the rear edge of the substrate so that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the body 342 by a predetermined distance. A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther from the support pin 334 in the center of the body 342. The chuck pins 346 are provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from the home position when the spin head 340 is rotated. The chuck pins 346 are provided to be linearly movable between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a position far from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded onto the spin head 340, the chuck pins 346 are positioned at the standby position, and when the process is performed on the substrate W, the chuck pins 346 are positioned at the support position. The chuck pins 346 are in contact with the side of the substrate W at the support position.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀 헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. The lifting unit 360 linearly moves the processing container 320 in the vertical direction. As the processing vessel 320 is moved up and down, the relative height of the processing vessel 320 relative to the spin head 340 is changed. The elevating unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the processing container 320, and the moving shaft 364 that is moved in the vertical direction by the driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The processing container 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes above the processing container 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or is lifted from the spin head 340. In addition, when the process is in progress, the height of the processing container 320 is adjusted to allow the processing liquid to flow into the predetermined recovery container 360 according to the type of processing liquid supplied to the substrate W.

상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.Unlike the above, the lifting unit 360 may move the spin head 340 in the vertical direction instead of the processing container 320.

분사 부재(380)는 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 분사 부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치로 정의한다. 분사 부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사 부재(380)가 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 그리고 유기 용제 각각은 서로 상이한 분사 부재(380)를 통해 제공될 수 있다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 액일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다. 유기 용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.The injection member 380 supplies the processing liquid onto the substrate W. The injection member 380 has a nozzle support 382, a nozzle 384, a support shaft 386, and a driver 388. The support shaft 386 has a longitudinal direction along the third direction 16, and a driver 388 is coupled to a lower end of the support shaft 386. The driver 388 rotates and lifts the support shaft 386. The nozzle support 382 is vertically coupled with the opposite end of the support shaft 386 coupled with the driver 388. The nozzle 384 is provided at the bottom end of the nozzle support 382. The nozzle 384 is moved by the driver 388 to a process position and a standby position. The process position is the position where the nozzle 384 is disposed vertically above the processing vessel 320, and the standby position is defined as the position where the nozzle 384 deviates from the vertical upper portion of the processing vessel 320. One or more spraying members 380 may be provided. When a plurality of spray members 380 are provided, each of the chemical, the rinse liquid, and the organic solvent may be provided through different spray members 380. The chemical may be a liquid having the properties of a strong acid or a strong base. The rinse liquid may be pure. The organic solvent may be a mixture of isopropyl alcohol vapor and inert gas or isopropyl alcohol liquid.

제2공정 챔버에는 기판의 2차 건조 공정이 수행하는 기판 처리 장치(400)가 제공된다. 기판 처리 장치(400)는 제1공정 챔버에서 1차 건조 처리된 기판(W)을 2차 건조 처리한다. 기판 처리 장치(400)는 유기 용제가 잔류된 기판(W)을 건조 처리한다. 기판 처리 장치(400)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W)을 건조 처리할 수 있다. 도 3은 도 1의 제2공정 챔버에서 기판을 건조 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(400)는 고압 챔버(410), 기판 지지 유닛(미도시), 바디 승강 부재(450), 가열 부재(460), 차단 부재(미도시), 배기 유닛(470), 그리고 유체 공급 유닛(500)을 포함한다.The second process chamber is provided with a substrate processing apparatus 400 for performing a secondary drying process of the substrate. The substrate processing apparatus 400 performs a second drying treatment on the substrate W that has been subjected to the first drying treatment in the first process chamber. The substrate processing apparatus 400 dry-processes the board | substrate W in which the organic solvent remained. The substrate processing apparatus 400 may dry process the substrate W using a supercritical fluid. 3 is a cross-sectional view illustrating an apparatus for drying a substrate in the second process chamber of FIG. 1. Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus 400 includes a high pressure chamber 410, a substrate support unit (not shown), a body lifting member 450, a heating member 460, a blocking member (not shown), and an exhaust unit ( 470, and fluid supply unit 500.

고압 챔버(410)는 내부에 기판(W)을 처리하는 처리 공간(412)을 형성한다. 고압 챔버(410)는 기판(W)을 처리하는 동안에 그 처리 공간(412)을 외부로부터 밀폐한다. 고압 챔버(410)는 하부 바디(420) 및 상부 바디(430)를 포함한다. The high pressure chamber 410 forms a processing space 412 for processing the substrate W therein. The high pressure chamber 410 seals the processing space 412 from the outside while processing the substrate W. The high pressure chamber 410 includes a lower body 420 and an upper body 430.

상부 바디(430)는 하부 바디(420)와 조합되어 내부에 처리 공간(412)을 형성한다. 상부 바디(430)는 하부 바디(420)의 위에 위치된다. 상부 바디(430)는 사각의 판 형상으로 제공되고, 하부 바디(420)는 상부가 개방된 사각의 컵 형상을 가질 수 있다.The upper body 430 is combined with the lower body 420 to form a processing space 412 therein. The upper body 430 is positioned above the lower body 420. The upper body 430 may be provided in a rectangular plate shape, and the lower body 420 may have a rectangular cup shape in which an upper portion thereof is open.

상부 바디(430)는 하부 바디(420)와 중심축이 서로 일치하는 위치에서, 그 하단이 하부 바디(420)의 상단과 마주보도록 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 각각은 금속 재질로 제공될 수 있다.The upper body 430 may be provided such that the lower end thereof faces the upper end of the lower body 420 at a position where the lower body 420 and the central axis coincide with each other. In an example, each of the upper body 430 and the lower body 420 may be provided with a metal material.

공급 포트(432)는 처리 공간(412)에 초임계 유체가 공급되는 유로로 기능한다. 일 예로, 공급 포트(432)는 상부 바디(430)에 형성될 수 있고, 나아가 상부 바디(430)의 중앙에 위치할 수 있다.The supply port 432 functions as a flow path through which the supercritical fluid is supplied to the processing space 412. For example, the supply port 432 may be formed in the upper body 430, and may be further positioned in the center of the upper body 430.

또는 공급 포트(432)는 상부 바디(430)에 형성되는 상부 공급 포트(432)와 하부 바디(420)에 형성되는 하부 공급 포트(미도시)를 포함할 수 있다. 후술할 유체 공급 라인(510)은 도중에 분기되어 상부 공급 포트(432)와 하부 공급 포트(미도시)에 연통될 수 있다. 그리고 상부 공급 포트(432)로 분기되는 공급 라인과 하부 공급 포트(미도시)로 분기되는 공급 라인에는 각각 유체 조절밸브가 설치될 수 있다.Alternatively, the supply port 432 may include an upper supply port 432 formed in the upper body 430 and a lower supply port (not shown) formed in the lower body 420. The fluid supply line 510, which will be described later, may be branched and communicate with the upper supply port 432 and the lower supply port (not shown). In addition, a fluid control valve may be installed in the supply line branched to the upper supply port 432 and the supply line branched to the lower supply port (not shown).

배기 포트(426)는 처리 공간(412) 내의 초임계 유체가 배기되는 유로로 기능한다. 일 예로, 배기 포트(426)는 하부 바디(420)에 형성될 수 있고, 나아가 하부 바디(420)의 중앙에 위치할 수 있다.The exhaust port 426 functions as a flow path through which the supercritical fluid in the processing space 412 is exhausted. For example, the exhaust port 426 may be formed in the lower body 420, and may be located in the center of the lower body 420.

그리고 하부 바디(420)에 하부 공급 포트(미도시)가 형성되는 경우, 하부 공급 포트(미도시)는 배기 포트(426)와 간섭되지 않는 위치에 마련될 수 있다. 예를 들어, 배기 포트(426)가 하부 바디(420)의 중앙에 위치하는 경우 하부 배기 포트(미도시)는 중앙에서 소정 거리 벗어나 위치할 수 있다.When a lower supply port (not shown) is formed in the lower body 420, the lower supply port (not shown) may be provided at a position that does not interfere with the exhaust port 426. For example, when the exhaust port 426 is located at the center of the lower body 420, the lower exhaust port (not shown) may be positioned away from the center by a predetermined distance.

한편, 도면에 도시되지는 않았지만, 처리 공간(412) 내부에는 기판(W)을 지지하는 기판 지지 유닛(미도시)이 마련될 수 있다. 기판 지지 유닛(미도시)은 기판(W)의 처리면이 위를 향하도록 기판(W)을 지지한다. Although not shown in the drawings, a substrate support unit (not shown) supporting the substrate W may be provided in the processing space 412. The substrate support unit (not shown) supports the substrate W so that the processing surface of the substrate W faces upward.

기판 지지 유닛(미도시)는 하부 바디(420)에 설치되어 기판(W)을 지지할 수 있다. 이 경우 기판 지지 유닛(미도시)은 기판(W)을 들어올려 지지하는 형태일 수 있다. 또는 기판 지지 유닛(미도시)는 상부 바디(430)에 설치되어 기판(W)을 지지할 수 있다. 이 경우 기판 지지 유닛(미도시)은 기판(W)을 매달아 지지하는 형태일 수 있다.The substrate support unit (not shown) may be installed on the lower body 420 to support the substrate W. FIG. In this case, the substrate support unit (not shown) may have a form of lifting and supporting the substrate (W). Alternatively, the substrate support unit (not shown) may be installed on the upper body 430 to support the substrate W. In this case, the substrate support unit (not shown) may have a form in which the substrate W is suspended.

기판 지지 유닛(미도시)은 지지대 및 기판 유지대를 포함할 수 있다. 지지대는 상부 바디(430)의 저면으로부터 아래로 연장된 바 형상으로 제공될 수 있다. 지지대는 복수 개로 제공될 수 있다. 예컨대, 지지대는 4 개일 수 있다. 기판 유지대는 기판(W)의 저면 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 기판 유지대는 복수 개로 제공되며, 각각은 기판(W)의 서로 상이한 영역을 지지한다. 예컨대, 기판 유지대는 2 개일 수 있다. 상부에서 바라볼 때 기판 유지대는 라운드진 플레이트 형상으로 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 기판 유지대는 지지대의 내측에 위치된다. 각각의 기판 유지대는 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 각각의 기판 유지대는 서로 이격되게 위치된다.The substrate support unit (not shown) may include a support and a substrate holder. The support may be provided in a bar shape extending downward from the bottom of the upper body 430. The support may be provided in plurality. For example, there may be four supports. The substrate holder may support the bottom edge region of the substrate W. As shown in FIG. A plurality of substrate holders are provided, each supporting different regions of the substrate W. For example, there may be two substrate holders. The substrate holder may be provided in a rounded plate shape when viewed from the top. When viewed from the top, the substrate holder is located inside the support. Each substrate holder may be provided in combination with each other to have a ring shape. Each substrate holder is located spaced from each other.

다시 도 3을 참조하면, 바디 승강 부재(450)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 간에 상대 위치를 조절한다. 바디 승강 부재(450)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 중 하나를 상하 바향으로 이동시킨다. 본 실시예에는 상부 바디(430)의 위치가 고정되고, 하부 바디(420)을 이동시켜 상부 바디(430)와 하부 바디(420) 간에 거리를 조절하는 것으로 설명한다. 선택적으로, 고정된 하부 바디(420)에 기판 지지 유닛(미도시)이 설치되고, 상부 바디(430)가 이동될 수 있다. 바디 승강 부재(450)는 바디 승강 부재(450)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 간에 상대 위치가 개방 위치 및 밀폐 위치로 이동되도록 하부 바디(420)를 이동시킨다. 여기서 개방 위치는 처리 공간(412)이 외부와 서로 통하도록 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)가 서로 이격되는 위치이고, 밀폐 위치는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)가 서로 접촉되어 이들에 의해 처리 공간(412)을 외부로부터 밀폐하는 위치로 정의한다. 바디 승강 부재(450)는 하부 바디(420)를 승하강시켜 처리 공간(412)을 개방 또는 밀폐시킨다. 바디 승강 부재(450)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)를 서로 연결하는 복수 개의 승강 축들(452)을 포함한다. 승강 축들(452)은 하부 바디(420)의 상단과 상부 바디(430) 사이에 위치된다. 승강 축들(452)은 하부 바디(420)의 상단의 가장 자리를 따라 배열되게 위치된다. 각각의 승강 축(452)은 상부 바디(430)를 관통하여 하부 바디(420)의 상단에 고정 결합될 수 있다. 승강 축들(452)이 승강 또는 하강 이동함에 따라 하부 바디(420)의 높이가 변경되고, 상부 바디(430)와 하부 바디(420) 간에 거리를 조절할 수 있다.Referring back to FIG. 3, the body lifting member 450 adjusts the relative position between the upper body 430 and the lower body 420. The body lifting member 450 moves one of the upper body 430 and the lower body 420 upward and downward. In this embodiment, the position of the upper body 430 is fixed, and the lower body 420 is moved to adjust the distance between the upper body 430 and the lower body 420. Optionally, a substrate support unit (not shown) may be installed on the fixed lower body 420, and the upper body 430 may be moved. The body elevating member 450 moves the lower body 420 such that the body elevating member 450 moves the relative position between the upper body 430 and the lower body 420 to an open position and a closed position. The open position is a position where the upper body 430 and the lower body 420 are spaced apart from each other so that the processing space 412 communicates with the outside, and the closed position is in contact with the upper body 430 and the lower body 420. As a result, the processing space 412 is defined as a position where the processing space 412 is sealed from the outside. The body lifting member 450 raises and lowers the lower body 420 to open or close the processing space 412. The body lifting member 450 includes a plurality of lifting shafts 452 connecting the upper body 430 and the lower body 420 to each other. The lifting shafts 452 are located between the top of the lower body 420 and the upper body 430. The lifting shafts 452 are positioned to be arranged along the edge of the top of the lower body 420. Each lifting shaft 452 may be fixedly coupled to an upper end of the lower body 420 through the upper body 430. As the lifting shafts 452 move up or down, the height of the lower body 420 is changed, and the distance between the upper body 430 and the lower body 420 may be adjusted.

가열 부재(460)는 처리 공간(412)을 가열한다. 가열 부재(460)는 처리 공간(412)에 공급된 초임계 유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계 유체 상으로 유지한다. 가열 부재(460)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 예를 들어, 가열 부재(460)는 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터(460)로 제공될 수 있다. The heating member 460 heats the processing space 412. The heating member 460 maintains the supercritical fluid by heating the supercritical fluid supplied to the processing space 412 above a critical temperature. The heating member 460 may be embedded in at least one wall of the upper body 430 and the lower body 420. For example, the heating member 460 may be provided as a heater 460 that receives heat from the outside and generates heat.

한편, 도면에 도시되지는 않았지만, 하부 바디(420)에 형성되는 하부 공급 포트(미도시)로부터 공급되는 초임계 유체가 기판(W)의 비처리면에 직접적으로 공급되는 것을 방지하는 차단 부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 차단 부재(미도시)는 하부 바디(420)의 저면으로부터 소정 높이 이격되어 위치하는 차단 플레이트와 이를 지지하는 지지대를 포함할 수 있다. 차단 플레이트는 하부 공급 포트(미도시)와 기판 지지 유닛 사이에 위치될 수 있다. 차단 플레이트는 원형의 판 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 차단 플레이트는 하부 바디(420)의 내경보다 작은 직경을 가진다. 상부에서 바라볼 때 차단 플레이트는 하부 공급 포트(미도시) 및 배기 포트(426)를 모두 가리는 직경을 가진다. 예컨대, 차단 플레이트는 기판(W)의 직경과 대응되거나, 이보다 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 지지대는 복수 개로 제공되며, 차단 플레이트의 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. 각각의 지지대는 서로 일정 간격으로 이격되게 배열된다. On the other hand, although not shown in the figure, the blocking member for preventing the supercritical fluid supplied from the lower supply port (not shown) formed in the lower body 420 to be directly supplied to the untreated surface of the substrate (W) Not shown) may be further included. The blocking member (not shown) may include a blocking plate which is spaced apart from the bottom of the lower body 420 by a predetermined height and a support for supporting the blocking plate. The blocking plate may be located between the lower feed port (not shown) and the substrate support unit. The blocking plate may be provided to have a circular plate shape. The blocking plate has a diameter smaller than the inner diameter of the lower body 420. When viewed from the top, the blocking plate has a diameter that covers both the lower feed port (not shown) and the exhaust port 426. For example, the blocking plate may be provided to correspond to the diameter of the substrate W or to have a diameter larger than this. The support is provided in plurality, and may be arranged along the circumferential direction of the blocking plate. Each support is arranged spaced apart from one another.

배기 유닛(470)은 처리 공간(412)의 분위기를 자연 배기한다. 처리 공간(412)에 발생된 공정 부산물은 배기 유닛(470)을 통해 배기된다. 또한 배기 유닛(470)은 공정 부산물을 배기하는 동시에, 처리 공간(412)의 압력을 조절 가능하다. 배기 유닛(470)은 배기 라인(472) 및 압력 측정 부재(474)를 포함한다. 배기 라인(472)은 배기 포트(426)에 연결된다. 배기 라인(472)에 설치된 배기 밸브(476)는 처리 공간(412)의 배기량을 조절 가능하다. 압력 측정 부재(474)는 배기 라인(472)에 설치되며, 배기 라인(472)의 압력을 측정한다. 압력 측정 부재(474)는 배기 방향에 대해 배기 밸브(476)보다 상류에 위치된다. The exhaust unit 470 naturally exhausts the atmosphere of the processing space 412. Process byproducts generated in the processing space 412 are exhausted through the exhaust unit 470. In addition, the exhaust unit 470 may exhaust the process by-product and at the same time adjust the pressure of the processing space 412. The exhaust unit 470 includes an exhaust line 472 and a pressure measuring member 474. Exhaust line 472 is connected to exhaust port 426. The exhaust valve 476 provided in the exhaust line 472 can adjust the displacement of the processing space 412. The pressure measuring member 474 is installed in the exhaust line 472 and measures the pressure of the exhaust line 472. The pressure measuring member 474 is located upstream of the exhaust valve 476 with respect to the exhaust direction.

유체 공급 유닛(500)은 처리 공간(412)에 처리 유체를 공급한다. 처리 유체는 임계 온도 및 임계 압력에 의해 초임계 상태로 공급된다. 도 4는 도 3의 유체 공급 유닛을 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 유체 공급 유닛(500)은, 유체 공급 라인(510), 냉각기(520), 펌프(530), 버퍼 탱크(540), 가열기(550), 그리고 압력 측정 부재(600)를 포함한다. The fluid supply unit 500 supplies the processing fluid to the processing space 412. The processing fluid is supplied in the supercritical state by the critical temperature and the critical pressure. 4 is a view showing the fluid supply unit of FIG. Referring to FIG. 4, the fluid supply unit 500 may include a fluid supply line 510, a cooler 520, a pump 530, a buffer tank 540, a heater 550, and a pressure measuring member 600. Include.

유체 공급 라인(510)은 고압 챔버(410)에 처리 유체를 공급한다. 유체 공급 라인(510)은 일부가 분기되어 상부 공급 포트(432) 및 하부 공급 포트(422) 각각에 연결된다. 유체 공급 라인(510)에는 냉각기(520), 펌프(530), 버퍼 탱크(540), 가열기(550), 그리고 압력 측정 부재(600)가 설치된다. 냉각기(520), 펌프(530), 버퍼 탱크(540), 그리고 가열기(550)는 처리 유체가 공급되는 방향에 따라 순차적으로 유체 공급 라인(510)에 설치되고, 압력 측정 부재(600)는 유체 공급 라인(510)의 복수 영역들 각각에 설치되어 영역들 각각의 압력을 측정한다. The fluid supply line 510 supplies the processing fluid to the high pressure chamber 410. The fluid supply line 510 is partially branched and connected to each of the upper supply port 432 and the lower supply port 422. The fluid supply line 510 is provided with a cooler 520, a pump 530, a buffer tank 540, a heater 550, and a pressure measuring member 600. The cooler 520, the pump 530, the buffer tank 540, and the heater 550 are sequentially installed in the fluid supply line 510 according to the direction in which the processing fluid is supplied, and the pressure measuring member 600 is a fluid. Installed in each of the plurality of regions of the supply line 510 to measure the pressure of each of the regions.

또한 유체 공급 라인(510) 상에는 필터가 설치되어 초임계 유체에 포함된 불순물을 제거할 수 있다. 필터는 복수 개로 제공되며, 초임계 유체의 온도나 압력이 조절된 후에 불순물을 여과할 수 있는 위치에 설치될 수 있다.In addition, a filter may be installed on the fluid supply line 510 to remove impurities contained in the supercritical fluid. The filter may be provided in plurality, and may be installed at a position capable of filtering impurities after the temperature or pressure of the supercritical fluid is adjusted.

냉각기(520)는 처리 유체의 상을 변화시킨다. 냉각기(520)는 처리 유체가 기상에서 액상으로 변화되도록 처리 유체를 냉각한다. 처리 유체는 냉각기(520)에 의해 상온보다 낮은 냉각 온도로 냉각시킬 수 있다. 도 5는 도 4의 냉각기를 보여주는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 냉각기(520)는 냉각 탱크(522) 및 냉각 몸체(524)를 포함한다. 냉각 탱크(522)는 내부에 공간을 가지는 통 형상으로 제공된다. 예컨대, 냉각 탱크(522)는 길이 방향이 상하 방향을 향하는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 처리 유체는 냉각 탱크(522)의 상단부로 유입되어 하단부로 유출될 수 있다.Cooler 520 changes the phase of the processing fluid. Cooler 520 cools the processing fluid such that the processing fluid changes from gaseous to liquid phase. The processing fluid may be cooled to a cooling temperature lower than room temperature by the cooler 520. 5 is a cross-sectional view showing the cooler of FIG. Referring to FIG. 5, the cooler 520 includes a cooling tank 522 and a cooling body 524. The cooling tank 522 is provided in the shape of a cylinder having a space therein. For example, the cooling tank 522 may be provided in a cylindrical shape in the longitudinal direction of the vertical direction. The processing fluid may enter the upper end of the cooling tank 522 and flow out to the lower end.

냉각 몸체(524)는 냉각 탱크(522)의 내부 공간에 위치된다. 냉각 몸체(524)는 냉각 탱크(522)에 흐르는 처리 유체를 냉각시킨다. 냉각 몸체(524)는 냉각 탱크(522)와 평행한 길이 방향을 가지는 통 형상으로 제공된다. 냉각 몸체(524)에는 유체 유로(526a) 및 냉각 유로(526b)가 형성된다. 유체 유로(526a)는 처리 유체가 흐르는 유로로 기능하고, 냉각 유로(526b)는 냉각수가 흐르는 유로로 기능한다. 유체 유로(526a)는 냉각 몸체(524)의 양단을 관통하는 직선 형상으로 제공된다. 예컨대 유체 유로(526a)는 냉각 몸체(524)와 평행한 길이 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 유체 유로(526a)는 복수 개로 제공되며, 냉각 몸체(524)의 길이 방향을 향하는 방향으로 바라볼 때 균등하게 배열될 수 있다. 냉각 유로(526b)에는 냉각 몸체(524)에 설치된 유입 포트(528a)를 통해 냉각수가 유입되고, 유출 포트(528b)를 통해 냉각수가 유출된다. 유입 포트(528a)는 냉각 몸체(524)의 상부 영역과 하부 영역 중 어느 하나에 설치되고, 유출 포트(528b)는 다른 하나에 설치될 수 있다. 본 실시예에는 유입 포트(528a)가 냉각 몸체(524)의 하부 영역에 설치되고, 유출 포트(528b)가 상부 영역에 설치되는 것으로 설명한다. 냉각 유로(526b)에 유입된 냉각수는 처리 유체를 상변화시킨다. 처리 유체는 냉각수에 의해 기상에서 액상으로 상변화된다. The cooling body 524 is located in the interior space of the cooling tank 522. The cooling body 524 cools the processing fluid flowing in the cooling tank 522. The cooling body 524 is provided in a cylindrical shape having a longitudinal direction parallel to the cooling tank 522. The fluid passage 526a and the cooling passage 526b are formed in the cooling body 524. The fluid flow path 526a functions as a flow path through which the processing fluid flows, and the cooling flow path 526b functions as a flow path through which the cooling water flows. The fluid flow path 526a is provided in a straight shape penetrating both ends of the cooling body 524. For example, the fluid flow path 526a may be provided to face in the longitudinal direction parallel to the cooling body 524. The fluid flow path 526a is provided in plural and may be evenly arranged when viewed in the longitudinal direction of the cooling body 524. Cooling water flows into the cooling flow path 526b through an inflow port 528a installed in the cooling body 524, and the cooling water flows out through the outflow port 528b. The inlet port 528a may be installed in either the upper region or the lower region of the cooling body 524, and the outlet port 528b may be installed in the other. In the present embodiment, it will be described that the inlet port 528a is installed in the lower region of the cooling body 524, and the outlet port 528b is installed in the upper region. Cooling water introduced into the cooling flow path 526b changes the processing fluid. The processing fluid phase changes from the gaseous phase to the liquid phase by the cooling water.

다시 도 4를 참조하면, 펌프(530)는 냉각기(520)에 의해 액화된 처리 유체가 처리 공간(412)에 공급되도록 유체 공급 라인(510)을 가압한다. 펌프(530)는 유체 공급 라인(510)에서 고압 챔버(410)와 냉각기(520) 사이에 설치된다. Referring again to FIG. 4, the pump 530 pressurizes the fluid supply line 510 such that the processing fluid liquefied by the cooler 520 is supplied to the processing space 412. The pump 530 is installed between the high pressure chamber 410 and the cooler 520 in the fluid supply line 510.

버퍼 탱크(540)는 처리 유체를 저장 및 상변화시킨다. 버퍼 탱크(540)는 처리 유체를 가열 온도로 가열시킬 수 있다. 버퍼 탱크(540)는 내부에 처리 유체가 저장되는 버퍼 공간(546)을 가진다. 도 6은 도 4의 버퍼 탱크를 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 버퍼 탱크(540)는 유체 공급 라인(510)에서 펌프(530)와 고압 챔버(410) 사이에 설치된다. 버퍼 탱크(540)는 하우징(542), 히터(544) 그리고 단열 부재(548)를 포함한다. 하우징(542)은 내부에 버퍼 공간(546)을 가지는 통 형상으로 제공된다. 하우징(542)에는 히터(544)가 설치되며, 히터(544)는 버퍼 공간(546)을 가열한다. 예컨대, 히터(544)는 하우징(542)에 내설될 수 있다. 히터(544)는 버퍼 공간(546)을 처리 유체의 임계 온도 이상으로 가열할 수 있다. 이에 따라 버퍼 공간(546)에 저장된 처리 유체는 임계 온도보다 높게 가열될 수 있다. 단열 부재(548)는 하우징(542)의 외면을 감싸도록 제공된다. 단열 부재(548)는 버퍼 공간(546)의 온도가 하우징(542)의 외부에 전달되는 것을 방지한다. 단열 부재(548)는 하우징(542)에 인접하게 위치된 장치가 히터(544)에 의해 열변형 또는 열에 의해 손상되는 것을 방지한다. 예컨대, 단열 부재(548)는 하우징(544)을 감싸는 자켓일 수 있다.Buffer tank 540 stores and phase changes the processing fluid. The buffer tank 540 may heat the processing fluid to a heating temperature. The buffer tank 540 has a buffer space 546 in which a processing fluid is stored. 6 is a cross-sectional view illustrating the buffer tank of FIG. 4. Referring to FIG. 6, a buffer tank 540 is installed between the pump 530 and the high pressure chamber 410 in the fluid supply line 510. The buffer tank 540 includes a housing 542, a heater 544 and a heat insulating member 548. The housing 542 is provided in a cylindrical shape having a buffer space 546 therein. The heater 544 is installed in the housing 542, and the heater 544 heats the buffer space 546. For example, the heater 544 may be embedded in the housing 542. The heater 544 may heat the buffer space 546 above the threshold temperature of the processing fluid. As a result, the processing fluid stored in the buffer space 546 may be heated above the critical temperature. The heat insulating member 548 is provided to surround the outer surface of the housing 542. The thermal insulation member 548 prevents the temperature of the buffer space 546 from being transmitted to the exterior of the housing 542. The thermal insulation member 548 prevents the device located adjacent the housing 542 from being thermally deformed or damaged by heat by the heater 544. For example, the insulating member 548 may be a jacket surrounding the housing 544.

가열기(550)는 유체 공급 라인(510)에 흐르는 처리 유체를 직접 가열한다. 가열기(550)는 처리 유체를 임계 온도보다 높은 가열 온도로 가열한다. 가열기(550)는 유체 공급 라인(510)에서 버퍼 탱크(540)와 고압 챔버(410) 사이에 위치된다. 이에 따라 처리 유체는 초임계 상태로 고압 챔버(410)에 공급될 수 있다. Heater 550 directly heats the processing fluid flowing in fluid supply line 510. Heater 550 heats the processing fluid to a heating temperature higher than the threshold temperature. Heater 550 is located between buffer tank 540 and high pressure chamber 410 in fluid supply line 510. Accordingly, the processing fluid may be supplied to the high pressure chamber 410 in a supercritical state.

다음은 압력 측정 부재(600)에 대해 상세히 설명한다. 압력 측정 부재(600)는 유체 공급 라인(510)의 영역 별 압력을 측정한다. 압력 측정 부재(600)는 복수의 압력기(610a 내지 610d) 및 복수의 측정 라인(630a 내지 630d)을 포함한다. 압력기는 압력을 측정하는 장치로 제공되며, 측정 라인(630a 내지 630d)은 압력기(610a 내지 610d)와 측정하고자 하는 영역을 연결하는 라인으로 기능한다. 일 예에 의하면, 압력 측정 부재(600)는 유체 공급 라인(510)에서 냉각기(520)의 상류 영역, 펌프(530)와 버퍼 탱크(540) 사이 영역, 그리고 가열기(550)와 고압 챔버(410) 사이 영역 각각의 압력을 측정하고, 버퍼 공간(546)의 압력을 측정할 수 있다. 측정하고자 하는 영역에 따라 측정 라인(630a 내지 630d)의 길이는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 측정 라인(630a 내지 630d)은 측정하고자 하는 영역으로부터 압력기(610a 내지 610d)에 열 전달이 최소화되도록 서로 다른 길이를 가질 수 있다. Next, the pressure measuring member 600 will be described in detail. The pressure measuring member 600 measures the pressure for each region of the fluid supply line 510. The pressure measuring member 600 includes a plurality of pressure units 610a to 610d and a plurality of measuring lines 630a to 630d. The pressure gauge is provided as a device for measuring pressure, and the measurement lines 630a to 630d function as a line connecting the pressure gauges 610a to 610d with the area to be measured. According to one example, the pressure measuring member 600 includes an upstream region of the cooler 520 in the fluid supply line 510, an area between the pump 530 and the buffer tank 540, and the heater 550 and the high pressure chamber 410. The pressure in each of the regions between the top and bottom edges may be measured, and the pressure in the buffer space 546 may be measured. The lengths of the measurement lines 630a to 630d may be provided differently depending on the area to be measured. The measuring lines 630a to 630d may have different lengths to minimize heat transfer from the region to be measured to the pressures 610a to 610d.

다음은 압력기(610a 내지 610d) 및 측정 라인(630a 내지 630d)에 대해 보다 상세히 설명한다. 설명의 편의를 위해 압력 측정 부재(600)는 제1압력기(610a), 제2압력기(610b), 제3압력기(610c), 제4압력기(610d), 제1측정 라인(630a), 제2측정 라인(630b), 제3측정 라인(630c), 그리고 제4측정 라인(630d)을 포함하는 것으로 설명한다. The following describes in more detail the pressures 610a through 610d and the measuring lines 630a through 630d. For convenience of description, the pressure measuring member 600 includes a first pressure unit 610a, a second pressure unit 610b, a third pressure unit 610c, a fourth pressure unit 610d, and a first measurement line 630a. ), A second measurement line 630b, a third measurement line 630c, and a fourth measurement line 630d.

제1압력기(610a)는 유체 공급 라인(510)에서 펌프(530)와 버퍼 탱크(540)의 사이 영역의 압력을 측정한다. 제1측정 라인(630a)은 제1압력기(610a)와 유체 공급 라인(510)을 서로 연결한다. 제1측정 라인(630a)은 제1길이를 가지도록 제공된다. The first pressurizer 610a measures the pressure in the region between the pump 530 and the buffer tank 540 in the fluid supply line 510. The first measurement line 630a connects the first pressure 610a and the fluid supply line 510 to each other. The first measurement line 630a is provided to have a first length.

제2압력기(610b)는 버퍼 공간(546)의 압력을 측정한다. 제2측정 라인(630b)은 제2압력기(610b)와 버퍼 탱크(540)를 연결한다. 제2측정 라인(630b)은 제2길이를 가지도록 제공된다. 예컨대, 제2길이는 제1길이보다 짧게 제공될 수 있다.The second pressurizer 610b measures the pressure of the buffer space 546. The second measurement line 630b connects the second pressure gauge 610b and the buffer tank 540. The second measurement line 630b is provided to have a second length. For example, the second length may be provided shorter than the first length.

제3압력기(610c)는 유체 공급 라인(510)에서 가열기(550)와 고압 챔버(410)의 사이 영역의 압력을 측정한다. 제3측정 라인(630c)은 제3압력기(610c)와 유체 공급 라인(510)을 서로 연결한다. 제3측정 라인(630c)은 제3길이를 가지도록 제공된다. 예컨대, 제3길이는 제2길이보다 길게 제공될 수 있다.The third pressurizer 610c measures the pressure in the region between the heater 550 and the high pressure chamber 410 in the fluid supply line 510. The third measurement line 630c connects the third pressure unit 610c and the fluid supply line 510 with each other. The third measurement line 630c is provided to have a third length. For example, the third length may be provided longer than the second length.

제4압력기(610d)는 유체 공급 라인(510)에서 냉각기(520)의 상류 영역의 압력을 측정한다. 제4측정 라인(630d)은 제4압력기(610d)와 유체 공급 라인(510)을 서로 연결한다. 제4측정 라인(630d)은 제4길이를 가지도록 제공된다. 예컨대, 제4길이는 제1길이 및 제3길이 각각보다 짧게 제공될 수 있다.The fourth pressurizer 610d measures the pressure in the upstream region of the cooler 520 in the fluid supply line 510. The fourth measurement line 630d connects the fourth pressure unit 610d and the fluid supply line 510 with each other. The fourth measurement line 630d is provided to have a fourth length. For example, the fourth length may be provided shorter than each of the first length and the third length.

상술한 실시예에서 제1길이 및 제3길이 각각은 제2길이 및 제4길이보다 길게 제공된다. 제1압력기(610a)는 냉각 온도의 처리 유체가 흐르는 유체 공급 라인(510)의 영역의 압력을 측정한다. 이에 따라 제1압력기(610a)는 냉각 온도에 의해 유체 공급 라인(510)의 압력을 오측정하거나 손상될 수 있다. 그러나 제1측정 라인(630a)이 가지는 제1길이에 의해 제1압력기(610a)는 냉각 온도에 대한 영향이 최소화되어 오측정 및 손상을 방지할 수 있다.In the above-described embodiment, each of the first length and the third length is provided longer than the second length and the fourth length. The first pressurizer 610a measures the pressure in the region of the fluid supply line 510 through which the processing fluid at the cooling temperature flows. Accordingly, the first pressure 610a may incorrectly measure or damage the pressure of the fluid supply line 510 by the cooling temperature. However, due to the first length of the first measuring line 630a, the first pressure 610a may minimize the influence on the cooling temperature, thereby preventing the measurement and the damage.

이와 달리 제2압력기(610b)는 버퍼 탱크(540)의 외부에 위치되며, 하우징(542)은 단열 부재(548)에 의해 단열된다. 이로 인해 단열 부재(548)는 버퍼 공간(546)의 가열 온도가 제2압력기(610b)에 전달되는 것을 방지하며, 제2길이가 제1길에 비해 짧게 제공되더라도, 제2압력기(610b)가 가열 온도에 의해 손상 또는 오측정되는 것을 방지할 수 있다.In contrast, the second pressurizer 610b is located outside the buffer tank 540, and the housing 542 is insulated by the heat insulating member 548. As a result, the heat insulating member 548 prevents the heating temperature of the buffer space 546 from being transmitted to the second pressure unit 610b, and even if the second length is shorter than the first length, the second pressure unit 610b. ) Can be prevented from being damaged or incorrectly measured by the heating temperature.

이와 달리, 제3압력기(610c)는 가열 온도의 처리 유체가 흐르는 유체 공급 라인(510)의 영역의 압력을 측정한다. 이에 따라 제3압력기(610c)는 가열 온도에 의해 유체 공급 라인(510)의 압력을 오측정하거나 손상될 수 있다. 그러나 제3측정 라인(630c)이 가지는 제3길이에 의해 제3압력기(610c)는 가열 온도에 대한 영향이 최소화되어 오측정 및 손상을 방지할 수 있다.In contrast, the third pressurizer 610c measures the pressure in the region of the fluid supply line 510 through which the processing fluid at the heating temperature flows. Accordingly, the third pressure unit 610c may incorrectly measure or damage the pressure of the fluid supply line 510 by the heating temperature. However, due to the third length of the third measuring line 630c, the third pressure unit 610c may minimize the influence on the heating temperature, thereby preventing the measurement and the damage.

이와 달리, 제4압력기(610d)는 냉각기(520)의 상류 영역에 해당되는 유체 공급 라인(510)의 압력을 측정한다. 즉, 상온의 처리 유체가 흐르는 유체 공급 라인(510)의 압력을 측정한다. 이에 따라 제4압력기(610d)가 상온보다 높은 고온 또는 상온보다 낮은 저온에 의한 영향이 적으며, 제4길이를 가지는 제4측정 라인(630d)을 통해 유체 공급 라인(510)의 압력을 측정 가능하다.In contrast, the fourth pressurizer 610d measures the pressure of the fluid supply line 510 corresponding to the upstream region of the cooler 520. That is, the pressure of the fluid supply line 510 through which the processing fluid at room temperature flows is measured. Accordingly, the pressure of the fluid supply line 510 is measured through the fourth measuring line 630d of the fourth pressure unit 610d, which is less affected by the high temperature higher than the room temperature or the low temperature lower than the room temperature, and has a fourth length. It is possible.

예컨대, 제1길이 및 제3길이는 100mm 이상으로 제공될 수 있으며, 제1측정 라인(630a) 및 제3측정 라인(630c)은 1 회 또는 복수 회 말아진 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 이에 따라 제1측정 라인(630a)과 제3측정 라인(630c)이 제2측정 라인(630b) 또는 제4측정 라인(630d)에 비해 긴 길이를 가지더라도, 연결된 압력기의 온도 영향을 최소화하면서 공간 효율을 향상시킬 수 있다.For example, the first length and the third length may be provided to be 100 mm or more, and the first measurement line 630a and the third measurement line 630c may be provided to have a rolled shape once or a plurality of times. Accordingly, even if the first measurement line 630a and the third measurement line 630c have a longer length than the second measurement line 630b or the fourth measurement line 630d, the temperature influence of the connected pressure regulator is minimized. Space efficiency can be improved.

상술한 실시예에는 제1측정 라인(630a) 및 제3측정 라인(630c) 각각이 말아진 형상을 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 도 8과 같이, 제1측정 라인(630a) 및 제3측정 라인(630c)은 지그재그 형상으로 제공될 수 있다. In the above-described embodiment, each of the first and third measurement lines 630a and 630c has a rolled shape. However, as shown in FIG. 8, the first measurement line 630a and the third measurement line 630c may be provided in a zigzag shape.

선택적으로 제1측정 라인(630a) 및 제3측정 라인(630c)은 직관 형상으로 제공될 수 있다.Optionally, the first measurement line 630a and the third measurement line 630c may be provided in a straight line shape.

또한 상술한 실시예에는 4 개의 압력기 및 측정 라인이 제공되는 것으로 설명하였으나, 압력기 및 측정 라인은 5 개 이상으로 서로 다른 영역의 압력을 측정하도록 제공될 수 있다.In addition, while the above-described embodiment has been described that four pressure gauges and measuring lines are provided, the pressure gauge and measuring lines may be provided to measure pressure in different areas with five or more pressure gauges.

510: 유체 공급 라인 520: 냉각기
530: 펌프 540: 버퍼 탱크
550: 가열기 600: 압력 측정 부재
610a 내지 610d: 압력기 630a 내지 630d: 측정 라인
510: fluid supply line 520: cooler
530: pump 540: buffer tank
550: heater 600: pressure measuring member
610a to 610d: pressure gauges 630a to 630d: measuring line

Claims (12)

유체를 공급하는 장치에 있어서,
챔버에 상기 유체를 공급하는 유체 공급 라인과;
상기 유체 공급 라인에 설치되며, 상기 유체가 상기 챔버에 공급되도록 상기 유체 공급 라인을 가압하는 펌프와;
상기 유체 공급 라인에서 상기 펌프와 상기 챔버 사이에 설치되며, 내부에 상기 유체를 저장하는 버퍼 공간을 가지는 버퍼 탱크와;
상기 유체 공급 라인에서 상기 펌프와 상기 버퍼 탱크의 사이인 상류 영역의 압력을 측정하는 제1압력기와;
상기 제1압력기와 상기 상류 영역을 연결하며, 제1길이를 가지는 제1측정 라인과;
상기 버퍼 공간의 압력을 측정하는 제2압력기와;
상기 제2압력기와 상기 버퍼 탱크를 연결하며, 제2길이를 가지는 제2측정 라인을 포함하되,
상기 제1길이와 상기 제2길이는 서로 상이한 유체 공급 유닛.
In the device for supplying a fluid,
A fluid supply line for supplying the fluid to the chamber;
A pump installed in the fluid supply line and pressurizing the fluid supply line to supply the fluid to the chamber;
A buffer tank installed between the pump and the chamber in the fluid supply line and having a buffer space for storing the fluid therein;
A first pressure device for measuring a pressure in an upstream region between the pump and the buffer tank in the fluid supply line;
A first measurement line connecting the first pressure unit and the upstream region and having a first length;
A second pressure device for measuring the pressure in the buffer space;
A second measuring line connecting the second pressure unit to the buffer tank and having a second length;
And the first length and the second length are different from each other.
제1항에 있어서,
상기 제1길이는 상기 제2길이보다 길게 제공되는 유체 공급 유닛.
The method of claim 1,
And the first length is provided longer than the second length.
제2항에 있어서,
상기 제1측정 라인은 1 회 또는 복수 회 말아진 형상을 가지는 유체 공급 유닛.
The method of claim 2,
And the first measurement line has a shape that is rolled up once or a plurality of times.
제3항에 있어서,
상기 제1측정 라인은 지그재그 형상을 가지는 유체 공급 유닛.
The method of claim 3,
And the first measurement line has a zigzag shape.
제3항에 있어서,
상기 제1길이는 100 mm 이상으로 제공되는 유체 공급 유닛.
The method of claim 3,
And the first length is provided at least 100 mm.
제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 버퍼 탱크는,
내부에 상기 버퍼 공간을 가지는 하우징과;
상기 버퍼 공간을 임계 온도 이상으로 가열하는 히터와;
상기 하우징을 감싸며, 상기 하우징을 단열하는 단열 부재를 포함하고,
상기 제2압력기는 상기 버퍼 공간의 외부에 위치되며 상기 제2측정 라인에 의해 상기 버퍼 공간에 연결되는 유체 공급 유닛.
The method according to any one of claims 2 to 5,
The buffer tank,
A housing having the buffer space therein;
A heater for heating the buffer space above a threshold temperature;
A heat insulating member surrounding the housing and insulating the housing;
And the second pressurizer is located outside of the buffer space and is connected to the buffer space by the second measuring line.
제6항에 있어서,
상기 유체 공급 유닛은,
상기 유체 공급 라인에서 상기 버퍼 탱크와 상기 챔버 사이에 설치되며, 상기 유체 공급 라인에 흐르는 상기 유체를 직접 가열하는 가열기와;
상기 유체 공급 라인에서 상기 가열기와 상기 챔버의 사이인 하류 영역의 압력을 측정하는 제3압력기와;
상기 제2압력기와 상기 하류 영역을 연결하며, 제3길이를 가지는 제3측정 라인을 더 포함하되,
상기 제3길이는 상기 제2길이보다 길게 제공되는 유체 공급 유닛.
The method of claim 6,
The fluid supply unit,
A heater installed between the buffer tank and the chamber in the fluid supply line and configured to directly heat the fluid flowing in the fluid supply line;
A third pressure device for measuring a pressure in a downstream region between said heater and said chamber in said fluid supply line;
And a third measuring line connecting the second pressure unit with the downstream region and having a third length.
And the third length is provided longer than the second length.
제7항에 있어서,
상기 유체 공급 유닛은,
상기 유체 공급 라인에서 상기 유체의 공급 방향에 대해 상기 펌프의 상류에 설치되며, 상기 유체를 기상에서 액상으로 냉각하는 냉각기와;
상기 유체 공급 라인에서 상기 유체가 상기 냉각기에 공급되기 전인 최상류 영역의 압력을 측정하는 제4압력기와;
상기 제4압력기와 상기 최상류 영역을 연결하며, 제4길이를 가지는 제4측정 라인을 더 포함하되,
상기 제4길이는 상기 제1길이 및 상기 제3길이 각각보다 짧게 제공되는 유체 공급 유닛.
The method of claim 7, wherein
The fluid supply unit,
A cooler installed upstream of the pump with respect to the supply direction of the fluid in the fluid supply line, for cooling the fluid from the gas phase to the liquid phase;
A fourth pressure unit for measuring a pressure in an uppermost region before the fluid is supplied to the cooler in the fluid supply line;
A fourth measurement line connecting the fourth pressure unit with the most upstream region and having a fourth length;
And the fourth length is shorter than each of the first length and the third length.
기판을 초임계 유체로 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 처리 공간에 초임계 유체를 공급하는 유체 공급 유닛을 포함하되,
상기 유체 공급 유닛은,
챔버에 연결되는 유체 공급 라인과;
상기 유체 공급 라인에 설치되며, 상기 유체가 상기 처리 공간에 공급되도록 상기 유체 공급 라인을 가압하는 펌프와;
상기 유체 공급 라인에서 상기 펌프와 상기 챔버 사이에 설치되며, 내부에 상기 유체를 저장하는 버퍼 공간을 가지는 버퍼 탱크와;
상기 유체 공급 라인에서 상기 펌프와 상기 버퍼 탱크의 사이인 상류 영역의 압력을 측정하는 제1압력기와;
상기 제1압력기와 상기 상류 영역을 연결하며, 제1길이를 가지는 제1측정 라인과;
상기 버퍼 공간의 압력을 측정하는 제2압력기와;
상기 제2압력기와 상기 버퍼 탱크를 연결하며, 제2길이를 가지는 제2측정 라인을 포함하되,
상기 제1길이와 상기 제2길이는 서로 상이한 기판 처리 장치.
An apparatus for treating a substrate with a supercritical fluid,
A chamber having a processing space therein;
A substrate support unit for supporting a substrate in the processing space;
A fluid supply unit for supplying a supercritical fluid to the processing space,
The fluid supply unit,
A fluid supply line connected to the chamber;
A pump installed in the fluid supply line and pressurizing the fluid supply line to supply the fluid to the processing space;
A buffer tank installed between the pump and the chamber in the fluid supply line and having a buffer space for storing the fluid therein;
A first pressure device for measuring a pressure in an upstream region between the pump and the buffer tank in the fluid supply line;
A first measurement line connecting the first pressure unit and the upstream region and having a first length;
A second pressure device for measuring the pressure in the buffer space;
A second measurement line connecting the second pressure unit to the buffer tank and having a second length;
And said first length and said second length are different from each other.
제9항에 있어서,
상기 제1길이는 상기 제2길이보다 길게 제공되는 기판 처리 장치.
The method of claim 9,
And the first length is provided longer than the second length.
제10항에 있어서,
상기 제1측정 라인은 1 회 또는 복수 회 말아진 형상을 가지는 기판 처리 장치.
The method of claim 10,
And the first measurement line has a shape that is rolled once or a plurality of times.
제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 버퍼 탱크는,
내부에 상기 버퍼 공간을 가지는 하우징과;
상기 버퍼 공간을 임계 온도 이상으로 가열하는 히터와;
상기 하우징을 감싸며, 상기 하우징을 단열하는 단열 부재를 포함하고,
상기 제2압력기는 상기 버퍼 공간의 외부에 위치되며 상기 제2측정 라인에 의해 상기 버퍼 공간에 연결되는 기판 처리 장치.
The method according to claim 10 or 11,
The buffer tank,
A housing having the buffer space therein;
A heater for heating the buffer space above a threshold temperature;
A heat insulating member surrounding the housing and insulating the housing;
And the second pressure device is located outside the buffer space and connected to the buffer space by the second measurement line.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101931181B1 (en) * 2012-02-09 2019-03-13 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
JP6804278B2 (en) * 2016-12-06 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 Supercritical fluid manufacturing equipment and substrate processing equipment

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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