KR102066322B1 - 유기태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents
유기태양전지 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102066322B1 KR102066322B1 KR1020160163556A KR20160163556A KR102066322B1 KR 102066322 B1 KR102066322 B1 KR 102066322B1 KR 1020160163556 A KR1020160163556 A KR 1020160163556A KR 20160163556 A KR20160163556 A KR 20160163556A KR 102066322 B1 KR102066322 B1 KR 102066322B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- solar cell
- organic solar
- organic
- regions
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 16
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XQNMSKCVXVXEJT-UHFFFAOYSA-N 7,14,25,32-tetrazaundecacyclo[21.13.2.22,5.03,19.04,16.06,14.08,13.020,37.024,32.026,31.034,38]tetraconta-1(36),2,4,6,8,10,12,16,18,20(37),21,23(38),24,26,28,30,34,39-octadecaene-15,33-dione 7,14,25,32-tetrazaundecacyclo[21.13.2.22,5.03,19.04,16.06,14.08,13.020,37.025,33.026,31.034,38]tetraconta-1(37),2,4,6,8,10,12,16,18,20,22,26,28,30,32,34(38),35,39-octadecaene-15,24-dione Chemical compound O=c1c2ccc3c4ccc5c6nc7ccccc7n6c(=O)c6ccc(c7ccc(c8nc9ccccc9n18)c2c37)c4c56.O=c1c2ccc3c4ccc5c6c(ccc(c7ccc(c8nc9ccccc9n18)c2c37)c46)c1nc2ccccc2n1c5=O XQNMSKCVXVXEJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
-
- H01L51/424—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/043—Mechanically stacked PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/206—Particular processes or apparatus for continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes, multi-chamber deposition
-
- H01L51/4253—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L2031/0344—Organic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
- H10K39/12—Electrical configurations of PV cells, e.g. series connections or parallel connections
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
- H10K85/215—Fullerenes, e.g. C60 comprising substituents, e.g. PCBM
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/655—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only sulfur as heteroatom
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
본 출원은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 두께가 상이한 2 이상의 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 명세서는 2015년 12월 7일 한국 특허청에 제출된 한국 특허출원 제10-2015-0173537호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 출원은 유기태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
유기태양전지는 광기전력효과(photovoltaic effect)를 응용함으로써 태양에너지를 직접 전기에너지로 변환할 수 있는 소자이다. 태양전지는 박막을 구성하는 물질에 따라 무기태양전지와 유기태양전지로 나뉠 수 있다. 전형적인 태양전지는 무기 반도체인 결정성 실리콘(Si)을 도핑(doping)하여 p-n 접합으로 만든 것이다. 빛을 흡수하여 생기는 전자와 정공은 p-n 접합점까지 확산되고 그 전계에 의하여 가속되어 전극으로 이동한다. 이 과정의 전력변환 효율은 외부 회로에 주어지는 전력과 태양전지에 들어간 태양전력의 비로 정의되며, 현재 표준화된 가상 태양 조사 조건으로 측정 시 24%정도까지 달성되었다. 그러나 종래 무기 태양전지는 이미 경제성과 재료상의 수급에서 한계를 보이고 있기 때문에, 가공이 쉬우며 저렴하고 다양한 기능성을 가지는 유기물 반도체 태양전지가 장기적인 대체 에너지원으로 각광받고 있다.
따라서, 유기태양전지에 사용될 수 있는 재료의 개발과 유기태양전지의 다양한 활용에 대한 연구가 필요하다.
Two-layer organic photovoltaic cell (C.W.Tang, Appl. Phys. Lett., 48, 183.(1996))
Efficiencies via Network of Internal Donor-Acceptor Heterojunctions(G. Yu, J. Gao, J. C. Hummelen, F. Wudl, A. J. Heeger, Science, 270, 1789. (1995))
본 출원은 유기태양전지가 컬러풀한 색상을 표시할 수 있도록 설계함으로써, 유기태양전지를 다양한 용도에 활용할 수 있도록 하고자 한다.
본 출원의 일 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 두께가 상이한 2 이상의 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지를 제공한다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 두께가 상이한 2 이상의 영역은 서로 동일한 재료로 이루어진다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 두께가 상이한 2 이상의 영역은 구성하는 물질 중 적어도 하나가 서로 상이하다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 두께가 상이한 2 이상의 영역은 가시광선 중 적어도 일부에 대하여 흡광도가 상이하다.
본 출원의 또 하나의 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기태양전지의 제조방법에 있어서, 상기 유기물층 중 1층 이상을 코팅 방법에 의하여 두께가 상이한 2 이상의 영역을 포함하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 코팅 방법은 스프레이 코팅이다.
본 출원에 기재된 실시상태들에 따르면, 유기태양전지의 구동에 필요한 유기물층 재료를 이용하면서도, 유기물층의 두께를 변경함으로써 동일 층 내에서 2종 이상의 색상을 표현할 수 있고, 이에 의하여 표현하고자 하는 문자 또는 문양을 표현함으로써 유기태양전지의 외관을 시각적으로 개선할 수 있다. 이에 의하여, 유기태양전지 자체에 의한 에너지 저장 효과뿐만 아니라, 필요한 정보의 개시 또는 시각적 아름다움의 제공을 함께 제공할 수 있다. 또한, 이에 따라 불투명한 유기태양전지에 비하여, 보다 다양한 공간 또는 위치에 유기태양전지를 배치할 수 있다.
도 1은 실시예 1에서 제조된 유기태양전지의 외관사진이다.
도 2는 실시예 1에서 제조된 유기태양전지의 영역별 흡광도를 나타낸 그래프이다.
도 3은 실시예 2에서 제조된 유기태양전지의 외관사진이다.
도 4는 실시예 3에서 제조된 유기태양전지의 영역별 흡광도를 나타낸 그래프이다.
도 5 및 도 6은 본 출원의 실시상태들에 따른 유기태양전지들에 의해 표현할 수 있는 색상들의 예시이다.
도 7은 실시예에서 제조된 유기태양전지 모듈의 적층구조를 예시한 것이다.
도 8은 본 출원의 실시상태에 따른 유기태양전지 모듈의 적층구조를 예시한 것이다.
도 2는 실시예 1에서 제조된 유기태양전지의 영역별 흡광도를 나타낸 그래프이다.
도 3은 실시예 2에서 제조된 유기태양전지의 외관사진이다.
도 4는 실시예 3에서 제조된 유기태양전지의 영역별 흡광도를 나타낸 그래프이다.
도 5 및 도 6은 본 출원의 실시상태들에 따른 유기태양전지들에 의해 표현할 수 있는 색상들의 예시이다.
도 7은 실시예에서 제조된 유기태양전지 모듈의 적층구조를 예시한 것이다.
도 8은 본 출원의 실시상태에 따른 유기태양전지 모듈의 적층구조를 예시한 것이다.
이하에서 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기태양전지는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 두께가 상이한 2 이상의 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.
종래의 유기태양전지는 광활성층이 구비된 영역은 통상 검은색에 가까운 짙은 색이었다. 그러나, 본 발명자들은 유기태양전지의 유기물층 재료로 사용될 수 있는 유기물 중 유기물층의 두께를 조정하였을 때 가시광선 영역의 파장에 대하여 특정 흡수도를 가져, 특정 색상으로 표시되는 것을 밝혀내었다. 따라서, 적어도 1층의 유기물층을 두께가 서로 상이한 2 이상의 영역을 포함하도록 형성함으로써 2 이상의 색상을 표현할 수 있는 유기태양전지를 제공할 수 있다. 또한, 상기 2 이상의 영역을 문자나 문양을 표시하도록 형성함으로써, 도 5 및 도 6과 같이, 유기태양전지 자체의 기능을 하면서도, 문자나 문양을 통하여 정보를 표시하거나 시각적 아름다움을 제공할 수도 있다.
상기 두께의 차이는 그러한 차이에 의하여 구분하고자 하는 가시광선 흡광도, 즉 색상에 따라 결정될 수 있다. 일 예에 따르면, 본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 두께가 상이한 2 이상의 영역을 포함하는 유기물층의 두께는 30nm 내지 600nm일 수 있다.
예컨대, 상기 유기물층이 두께가 상이한 제1 영역 및 제2 영역을 포함할 경우, 제1 영역 및 제2 영역의 두께는 각각 30nm 내지 600nm일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 두께가 상이한 2 이상의 영역의 두께 차이는 10nm 내지 570nm일 수 있다. 상기 두께의 차이는 α-step 장비 또는 SEM 사진 등에 의하여 두께를 측정하는 방법으로 측정될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 두께가 상이한 2 이상의 영역을 포함한다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 유기물층 중 1층 이상은 두께가 상이한 3 이상의 영역을 포함할 수 있다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 유기물층 중 1층 이상은 두께가 상이한 4 이상의 영역을 포함할 수 있다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 두께가 상이한 2 이상의 영역은 구성하는 물질이 동일할 수도 있다. 상기 2 이상의 영역이 동일한 물질로 이루어진 경우에도, 두께를 달리함으로써 서로 상이한 색상을 표시하도록 할 수 있다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 두께가 상이한 2 이상의 영역은 구성하는 물질 중 적어도 하나가 서로 상이할 수 있다. 일 예에 따르면, 물질의 종류에 따라 원하는 색상을 표시하도록 하기 위하여 요구되는 두께가 다를 수 있으므로, 상기 2 이상의 영역은 구성하는 물질 중 적어도 하나가 서로 상이하고, 층의 두께가 서로 상이하다.
상기 두께가 상이한 2 이상의 영역을 포함하는 유기물층에서, 영역별로 두께를 조절하여 표현하고자 하는 색상, 다시 말하면 원하는 가시광선 투과율을 얻기 위하여, 후술하는 스프레이 코팅을 1회 또는 2회 이상 반복할 수 있다. 스프레이 코팅을 1회 또는 2회 이상 반복함으로써 두꺼운 층을 형성할 수 있다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 두께가 상이한 2 이상의 영역은 가시광선 중 적어도 일부에서의 흡광도가 상이하다. 이와 같이 흡광도가 상이한 2 이상의 영역을 포함함으로써 유기태양전지는 2 이상의 색상을 표시할 수 있다. 상기 유기태양전지에 의하여 표현할 수 있는 색상은 유기물층의 재료, 유기물층의 두께, 전극의 투명도 등에 의하여 결정될 수 있다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 두께가 상이한 2 이상의 영역을 포함하는 유기물층은 광활성층이다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 광활성층은 전자 주개 물질 및 전자 받개 물질을 포함할 수 있다.
상기 전자 주개 물질로는 전자 주개 역할을 하는 것 중 유기태양전지에서 표시하고자 하는 색상에 따라 선택될 수 있다. 전자 주개 물질로는 두께 조절에 의하여 가시광선 영역 중 적어도 일부를 흡수하지 않아, 특정 색상을 나타내는 재료 중에서 선택될 수 있다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전자 주개 물질은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6 중 적어도 하나일 수 있다.
[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
[화학식 1-3]
[화학식 1-4]
[화학식 1-5]
[화학식 1-6]
상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에 있어서,
X1 내지 X8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 SiRR' 또는 NR이고,
R, R' 및 R1 내지 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기이며,
a, b, c, d, e, f, g 및 h는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 1의 실수이고,
a+b=1이며,
c+d=1이고,
e+f=1이며,
g+h=1이고,
n은 1 내지 10,000의 정수이다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전자 받개 물질로 하기 표 1의 재료를 사용할 수 있으나, 이들로만 한정되는 것은 아니다.
구조 | 색상 (MAX 흡광파장) |
|
중합체 A | (Mn: 1,000 ~ 100,000) |
주황색 (λmax: 487 nm) |
중합체 B | (Mn: 69280) |
붉은색 (λmax: 531 nm) |
중합체 C | (Mn: 44612) |
초록색 (λmax: 744 nm) |
중합체 D | (Mn: 21315) |
보라색 (λmax: 591 nm) |
중합체 E | (Mn: 32400) |
진청색 (λmax: 628 nm) |
중합체 F | (Rieke, cat# 4002-EE, P3HT) |
붉은색 (λmax: 525 nm) |
상기 표 1에는 상기 재료들로부터 표현할 수 있는 색상을 기재하였으나, 이는 상기 재료들로 이루어진 층의 두께에 따라 조절될 수 있다.
상기 전자 받개 물질로는 플러렌, 플러렌 유도체, 바소쿠프로인, 반도체성 원소, 반도체성 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것들이 사용될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 구체적으로, 상기 전자 받개 물질로서 플러렌(fullerene), 플러렌 유도체(PCBM((6,6)-phenyl-C61-butyric acid-methylester) 또는 PCBCR((6,6)-phenyl-C61-butyric acid-cholesteryl ester), 페릴렌(perylene) PBI(polybenzimidazole), 및 PTCBI(3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic bis-benzimidazole)로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 화합물이 사용될 수 있다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 광활성층은 가시광선 영역 중 적어도 일부의 흡광도가 2 이하이다. 예컨대, 상기 전자 주개 물질 및 전자 받개 물질을 포함하는 광활성층의 두께가 30nm 내지 600nm일 때, 가시광선 영역 중 적어도 일부의 흡광도가 2 이하일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드이다. 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드이다. 본 명세서의 실시상태에 따른 유기태양전지는 애노드측 또는 캐소드측에 접하는 기판을 더 포함할 수도 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 유기태양전지는 캐소드, 광활성층 및 애노드 순으로 배열될 수도 있고, 애노드, 광활성층 및 캐소드 순으로 배열될 수도 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 광활성층과 애노드 사이에 정공수송층을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 광활성층과 캐소드 사이에 전자수송층을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 유기태양전지는 애노드, 정공수송층, 광활성층, 전자수송층 및 캐소드 순으로 배열될 수도 있고, 캐소드, 전자수송층, 광활성층, 정공수송층 및 애노드 순으로 배열될 수도 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기태양전지는 노멀(Normal)구조이다. 상기 노말 구조는 기판 상에 애노드가 형성되는 것을 의미할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기태양전지가 노말 구조인 경우, 기판 상에 형성되는 제1 전극이 애노드일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기태양전지는 인버티드(Inverted) 구조이다. 상기 인버티드 구조는 기판 상에 캐소드가 형성되는 것을 의미할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기태양전지가 인버티드 구조인 경우, 기판 상에 형성되는 제1 전극이 캐소드일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기태양전지는 탠덤 (tandem) 또는 적층(stack) 구조이다. 이 경우 상기 유기태양전지는 2 층 이상의 광활성층을 포함할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기태양전지는 광활성층이 1층 또는 2층 이상일 수 있다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 있어서, 버퍼층이 광활성층과 정공수송층 사이 또는 광활성층과 전자수송층 사이에 구비될 수 있다. 이때, 정공 주입층이 애노드와 정공수송층사이에 더 구비될 수 있다. 또한, 전자주입층이 캐소드와 전자수송층 사이에 더 구비될 수 있다.
본 명세서에서 상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 유기태양전지에 통상적으로 사용되는 기판이면 제한되지 않는다. 구체적으로 유리, PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PP(polypropylene), PI(polyimide), TAC(triacetyl cellulose) 등이 있으나. 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 애노드 전극은 투명하고 전도성이 우수한 물질이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸싸이오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)싸이오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드 전극은 일함수가 작은 금속이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 구체적으로 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Fe, Al:Li, Al:BaF2, Al:BaF2:Ba와 같은 다층 구조의 물질이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공수송층 및/또는 전자수송층 물질은 광활성층에서 분리된 전자와 정공을 전극으로 효율적으로 전달시키는 역할을 담당하며, 물질을 특별히 제한하지는 않는다.
상기 정공수송층 물질은 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenediocythiophene) doped with poly(styrenesulfonic acid)), 몰리브데늄 산화물(MoOx); 바나듐 산화물(V2O5); 니켈 산화물(NiO); 및 텅스텐 산화물(WOx) 등이 될 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자수송층 물질은 전자추출금속 산화물(electron-extracting metal oxides)이 될 수 있으며, 구체적으로 8-히드록시퀴놀린의 금속착물; Alq3를 포함한 착물; Liq를 포함한 금속착물; LiF; Ca; 티타늄 산화물(TiOx); 아연 산화물(ZnO); 및 세슘 카보네이트(Cs2CO3) 등이 될 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 또 하나의 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기태양전지의 제조방법에 있어서, 상기 유기물층 중 1층 이상을 코팅 방법에 의하여 두께가 상이한 2 이상의 영역을 포함하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 출원의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 코팅 방법은 스프레이 코팅이다.
일 예로서, 상기 두께가 상이한 영역별로 스프레이 코팅할 수 있도록 제작된 마스크를 2개 이상 이용하여 각 영역별로 순차적으로 스프레이 코팅을 수행할 수 있다. 스프레이 코팅은, 상기 층을 형성하고자 하는 유기물을 유기 용매에 용해시킨 용액을 이용하여 수행할 수 있다. 필요에 따라 유기물층의 두께를 조절하기 위하여, 스프레이 분사량을 조절하거나, 1회 또는 2회 이상 코팅을 반복할 수 있다. 1회 또는 2회 이상 코팅을 반복함으로써 원하는 두께를 형성하는 데 유리하다.
상기 두께가 상이한 2 이상의 영역을 포함하는 유기물층을 제외하고는 당기술분야에 있는 방법 및 재료를 이용하여 전극 및 유기물층을 형성할 수 있다.
상기 애노드 전극의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 스퍼터링, E-빔, 열증착, 스핀코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 닥터 블레이드 또는 그라비아 프린팅법을 사용하여 기판의 일면에 도포되거나 필름형태로 코팅됨으로써 형성될 수 있다.
상기 애노드 전극을 기판 상에 형성하는 경우, 이는 세정, 수분제거 및 친수성 개질 과정을 거칠 수 있다.
예컨대, 패터닝된 ITO 기판을 세정제, 아세톤, 이소프로필 알코올(IPA)로 순차적으로 세정한 다음, 수분 제거를 위해 가열판에서 100~150℃에서 1~30분간, 바람직하게는 120℃에서 10분간 건조하고, 기판이 완전히 세정되면 기판 표면을 친수성으로 개질한다.
상기와 같은 표면 개질을 통해 접합 표면 전위를 광활성층의 표면 전위에 적합한 수준으로 유지할 수 있다. 또한, 개질 시 애노드 전극 위에 고분자 박막의 형성이 용이해지고, 박막의 품질이 향상될 수도 있다.
애노드 전극의 전 처리 기술로는 a) 평행 평판형 방전을 이용한 표면 산화법, b) 진공상태에서 UV 자외선을 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화하는 방법, 및 c) 플라즈마에 의해 생성된 산소 라디칼을 이용하여 산화하는 방법 등이 있다. 애노드 전극 또는 기판의 상태에 따라 상기 방법 중 한가지를 선택할 수 있다. 다만, 어느 방법을 이용하든지 공통적으로 애노드 전극 또는 기판 표면의 산소이탈을 방지하고 수분 및 유기물의 잔류를 최대한 억제하는 것이 바람직하다. 이 때, 전 처리의 실질적인 효과를 극대화할 수 있다.
구체적인 예로서, UV를 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화하는 방법을 사용할 수 있다. 이 때, 초음파 세정 후 패터닝된 ITO 기판을 가열판(hot plate)에서 베이킹(baking)하여 잘 건조시킨 다음, 챔버에 투입하고, UV 램프를 작용시켜 산소 가스가 UV 광과 반응하여 발생하는 오존에 의하여 패터닝된 ITO 기판을 세정할 수 있다.
그러나, 본 명세서에 있어서의 패터닝된 ITO 기판의 표면 개질 방법은 특별히 한정시킬 필요는 없으며, 기판을 산화시키는 방법이라면 어떠한 방법도 무방하다.
상기 캐소드 전극은 5x10- 7torr 이하의 진공도를 보이는 열증착기 내부에서 증착되어 형성될 수 있으나, 이 방법에만 한정되는 것은 아니다.
정공수송층, 전자수송층, 광활성층과 같은 유기물층은 층을 형성하고자 하는 물질을 유기용매에 용해시킨 후 용액을 바 코팅, 스핀 코팅, 딥코팅, 스크린 프린팅, 스프레이 코팅, 닥터 블레이드, 브러쉬 페인팅 등의 방법으로 형성할 수 있으나, 이들 방법에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 실시상태들에 따른 유기태양전지는 2이상의 색상을 통하여 문자 또는 문양을 표시할 수 있으므로, 특정 정보 또는 디자인을 표시하는 용도로 사용될 수 있다. 예컨대 유기태양전지의 기능을 갖는 블라인드, 커튼, 유리창, 시트지, 썬루프, 간판 등의 용도로 사용될 수도 있다.
이하에서 실시예를 통하여 본 발명을 예시한다. 그러나, 후술하는 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위를 한정할 것을 의도한 것은 아니다.
실시예 1
패턴된 ITO glass 또는 ITO PET 기판의 표면을 세정하기 위하여, 세정제, 아세톤, 및 이소프로판올 (IPA)을 사용해 순차적으로 각각 20분씩 초음파 세정을 실시한 후, 건조해 수분을 완전히 제거하였다. 패턴된 ITO 기판의 세정이 완료되면, UVO 세정기에서 15분 동안 표면을 개질하였다.
ITO 층이 구비된 유리 기판 상에, IPA(이소프로필알콜) 중에 2.5 wt%의 ZnO 나노입자(nanograde사)를 포함하는 용액을 바코팅 방식으로 수행하였다. 바코팅은 20 mm/sec의 속도로 왕복 코팅하였다. 이어서, 150℃ 오븐 내 공기 중에서 10분간 열처리하여 전자수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 전자수송층 상에 클로로벤젠(CB) 중에 하기 표 2의 전자 주개 물질 및 전자 받개 물질을 포함하는 용액을 80℃에서 깨끗하게 녹인 후, 공기 중의 실온에서 스프레이 코팅하여 영역 1 내지 영역 5를 포함하는 광활성층을 형성하였다. 영역 2 또는 3은 위치에 따라 용액의 농도 또는 코팅 횟수를 달리하여 동일한 재료로 상이한 가시광선 투과율(다른 색상)을 나타내었다.
전자 주개 물질:전자 받개 물질 | 농도 (% w/v) |
코팅 횟수 | 광활성층 두께 (nm) |
|
영역 1 | 중합체 F: PCBM | 1.0 | 2 | 46 ± 6 |
영역 2 | 중합체 F: PCBM | 1.0 | 2 | 219 ± 3 |
2.0 | 1 | |||
영역 3 | 중합체 F: PCBM | 1.0 | 2 | 565 ± 40 |
2.0 | 2 | |||
영역 4 | 중합체 A: PCBM | 1.5 | 4 | 244 ± 46 |
영역 5 | 중합체 E: PCBM | 2.0 | 4 | 420 ± 32 |
이어서, 정공수송층으로 MoO3층을 열증발(thermal evaporation) 방식으로 0.3 Å/s의 속도로 증착하여 두께 10 nm로 형성하였다.
상기 정공수송층 상에 Ag 금속을 열증발(thermal evaporation) 방식으로 1 Å/s의 속도로 두께 100 nm의 전극을 형성하여 도 7과 같은 구조의 유기태양전지 모듈을 제조하였다.
실시예 1에서 제조된 유기태양전지의 외관 사진을 도 1에 도시하였다. 이 유기태양전지의 영역별 흡광도(ITO 기판/ZnO/광활성층까지의 흡광도)를 도 2에 나타내었다.
실시예 2
전자수송층 상에 클로로벤젠(CB) 중에 하기 표 3의 전자 주개 물질 및 전자 받개 물질을 포함하는 용액을 공기 중에서 80℃에서 깨끗하게 녹인 후, 공기 중의 실온에서 스프레이 코팅하여 영역 1 내지 영역 4를 포함하는 광활성층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
전자 주개 물질:전자 받개 물질 | 농도 (% w/v) |
코팅 횟수 | 광활성층 두께 (nm) |
|
영역 1 | 중합체 A: PCBM | 1.5 | 3 | 217 ± 34 |
영역 2 | 중합체 B: PCBM | 3.0 | 2 | 409 ± 20 |
영역 3 | 중합체 C: PCBM | 2.0 | 2 | 348 ± 11 |
영역 4 | 중합체 E: PCBM | 2.5 | 3 | 516 ± 6 |
실시예 2에서 제조된 유기태양전지의 외관 사진을 도 3에 도시하였다. 이 유기태양전지의 영역별 흡광도(ITO 기판/ZnO/광활성층까지의 흡광도)를 도 4에 나타내었다.
Claims (13)
- 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 두께가 상이한 3 이상의 영역을 포함하며,
상기 두께가 상이한 3 이상의 영역을 포함하는 유기물층은 광활성층이고,
상기 광활성층은 전자 주개 물질 및 전자 받개 물질을 포함하고,
상기 두께가 상이한 3 이상의 영역은 구성하는 전자주개물질 중 적어도 하나가 서로 상이한 것인 유기태양전지. - 청구항 1에 있어서, 상기 두께가 상이한 3 이상의 영역은 가시광선 중 적어도 일부에서의 흡광도가 상이한 것인 유기태양전지.
- 삭제
- 삭제
- 청구항 1에 있어서, 상기 두께가 상이한 3 이상의 영역을 포함하는 유기물층의 두께는 30nm 내지 600nm인 것인 유기태양전지.
- 삭제
- 삭제
- 청구항 1에 있어서, 상기 전자 주개 물질은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6 중 적어도 하나를 포함하는 것인 유기태양전지:
[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
[화학식 1-3]
[화학식 1-4]
[화학식 1-5]
[화학식 1-6]
상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에 있어서,
X1 내지 X8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 SiRR' 또는 NR이고,
R, R' 및 R1 내지 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기이며,
a, b, c, d, e, f, g 및 h는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 1의 실수이고,
a+b=1이며,
c+d=1이고,
e+f=1이며,
g+h=1이고,
n은 1 내지 10,000의 정수이다. - 청구항 1에 있어서, 상기 광활성층은 가시광선 영역 중 적어도 일부의 흡광도가 2 이하인 것인 유기태양전지.
- 청구항 1에 있어서, 상기 유기태양전지는 탠덤(tandem) 또는 적층(stack) 구조인 유기태양전지.
- 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기태양전지의 제조방법에 있어서, 상기 유기물층 중 1층 이상을 코팅 방법에 의하여 두께가 상이한 3 이상의 영역을 포함하도록 형성하고,
상기 두께가 상이한 3 이상의 영역을 포함하는 유기물층은 광활성층이고,
상기 광활성층은 전자 주개 물질 및 전자 받개 물질을 포함하고,
상기 두께가 상이한 3 이상의 영역은 구성하는 전자주개물질 중 적어도 하나가 서로 상이한 것인 청구항 1, 2, 5, 및 8 내지 10 중 어느 한 항의 유기태양전지의 제조방법. - 청구항 11에 있어서, 상기 코팅 방법은 스프레이 코팅인 것인 유기태양전지의 제조방법.
- 청구항 12에 있어서, 두께가 상이한 3 이상의 영역 중 적어도 하나의 영역을 형성하기 위하여 상기 스프레이 코팅을 2회 이상 수행하는 것인 유기태양전지의 제조방법.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201680039503.7A CN107851719B (zh) | 2015-12-07 | 2016-12-05 | 有机太阳能电池及其制造方法 |
JP2017563515A JP6544544B2 (ja) | 2015-12-07 | 2016-12-05 | 有機太陽電池およびその製造方法 |
EP16873306.1A EP3389102B1 (en) | 2015-12-07 | 2016-12-05 | Organic solar cell and manufacturing method therefor |
PCT/KR2016/014183 WO2017099441A1 (ko) | 2015-12-07 | 2016-12-05 | 유기태양전지 및 이의 제조방법 |
US15/736,216 US11081603B2 (en) | 2015-12-07 | 2016-12-05 | Organic solar cell and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150173537 | 2015-12-07 | ||
KR20150173537 | 2015-12-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170067145A KR20170067145A (ko) | 2017-06-15 |
KR102066322B1 true KR102066322B1 (ko) | 2020-01-14 |
Family
ID=59217498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160163556A KR102066322B1 (ko) | 2015-12-07 | 2016-12-02 | 유기태양전지 및 이의 제조방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11081603B2 (ko) |
EP (1) | EP3389102B1 (ko) |
JP (1) | JP6544544B2 (ko) |
KR (1) | KR102066322B1 (ko) |
CN (1) | CN107851719B (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3367455B1 (en) * | 2017-02-24 | 2023-12-13 | Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) | Method for producing a multicolour optoelectronic device comprising multiple photoactive materials |
US11133479B2 (en) | 2017-06-23 | 2021-09-28 | Lg Chem, Ltd. | Organic solar cell comprising a phenyldithiophene polymer donor and a non-fullerene acceptor |
WO2018236101A1 (ko) | 2017-06-23 | 2018-12-27 | 주식회사 엘지화학 | 유기 태양 전지 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013222750A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Kuraray Co Ltd | 光電変換素子とその製造方法、及び太陽電池 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0215309D0 (en) | 2002-07-03 | 2002-08-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Combined information display and information input device |
CN2733597Y (zh) * | 2004-09-27 | 2005-10-12 | 西安佳阳新能源有限公司 | 彩色光伏组件 |
EP1672653B1 (en) * | 2004-12-20 | 2019-07-17 | Merck Patent GmbH | Patterned photovoltaic cell |
JP5023866B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2012-09-12 | ソニー株式会社 | 色素増感光電変換素子およびその製造方法ならびに電子機器 |
JP5252929B2 (ja) * | 2008-01-16 | 2013-07-31 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 色素増感太陽電池及びその製造方法 |
US20090194167A1 (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-06 | Konarka Technologies, Inc. | Methods of Forming Photoactive Layer |
KR101035188B1 (ko) * | 2008-08-11 | 2011-05-17 | 경북대학교 산학협력단 | 유기태양전지와 그 제조방법 및 이에 사용되는 금형장치 |
KR20100115848A (ko) | 2009-04-21 | 2010-10-29 | 주식회사 유나티앤이 | 태양전지를 이용한 광고방법 |
WO2011005370A2 (en) * | 2009-05-26 | 2011-01-13 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Earth-toned photovoltaic devices |
KR20100132787A (ko) * | 2009-06-10 | 2010-12-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 유기 태양 전지 및 그 제조방법 |
JP6017752B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2016-11-02 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ガラス飛散防止発電フィルム |
EP2507287A4 (en) * | 2009-11-30 | 2014-04-30 | Univ Laval | NOVEL PHOTOACTIVE POLYMER |
WO2011090336A2 (ko) * | 2010-01-25 | 2011-07-28 | (주)루미나노 | 전기장 향상 효과에 의하여 개선된 광전환 효율을 나타내는 태양전지 |
WO2011094015A1 (en) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | Molecular Imprints, Inc. | Solar cell fabrication by nanoimprint lithography |
KR100989285B1 (ko) | 2010-05-24 | 2010-10-22 | (주) 비제이파워 | 칼라 태양 전지를 이용한 형상화된 태양 전지 모듈 |
KR101181227B1 (ko) | 2010-10-11 | 2012-09-10 | 포항공과대학교 산학협력단 | 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
JP5724581B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2015-05-27 | 大日本印刷株式会社 | 導電性基板、太陽電池、及び表示装置 |
KR102030859B1 (ko) * | 2011-09-02 | 2019-10-10 | 바스프 에스이 | 디케토피롤로피롤 올리고머, 및 디케토피롤로피롤 올리고머를 포함하는 조성물 |
JP2011244020A (ja) * | 2011-09-09 | 2011-12-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池 |
KR20130117144A (ko) * | 2012-04-17 | 2013-10-25 | 삼성전자주식회사 | 인버티드 유기 태양전지 및 그 제조방법 |
WO2014051182A1 (ko) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 주식회사 엘지화학 | 광 활성층, 이를 포함한 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
KR101495152B1 (ko) * | 2013-03-19 | 2015-02-26 | 부산대학교 산학협력단 | 유기 반도체 화합물 및 제조방법과 이를 포함하는 유기전자소자 |
-
2016
- 2016-12-02 KR KR1020160163556A patent/KR102066322B1/ko active IP Right Grant
- 2016-12-05 CN CN201680039503.7A patent/CN107851719B/zh active Active
- 2016-12-05 JP JP2017563515A patent/JP6544544B2/ja active Active
- 2016-12-05 US US15/736,216 patent/US11081603B2/en active Active
- 2016-12-05 EP EP16873306.1A patent/EP3389102B1/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013222750A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Kuraray Co Ltd | 光電変換素子とその製造方法、及び太陽電池 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3389102B1 (en) | 2024-01-31 |
JP2018522406A (ja) | 2018-08-09 |
CN107851719A (zh) | 2018-03-27 |
US11081603B2 (en) | 2021-08-03 |
CN107851719B (zh) | 2021-01-29 |
EP3389102A1 (en) | 2018-10-17 |
JP6544544B2 (ja) | 2019-07-17 |
US20180175219A1 (en) | 2018-06-21 |
KR20170067145A (ko) | 2017-06-15 |
EP3389102A4 (en) | 2019-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Li et al. | Graphene oxide modified hole transport layer for CH3NH3PbI3 planar heterojunction solar cells | |
KR101557587B1 (ko) | 유기태양전지 및 이의 제조방법 | |
KR102295772B1 (ko) | 유-무기 복합 태양전지 및 유-무기 복합 태양전지 제조방법 | |
Cho et al. | MoO3/Ag/MoO3 top anode structure for semitransparent inverted organic solar cells | |
Guo et al. | Semitransparent polymer solar cells | |
JP2015515749A (ja) | 有機分子によりドープされた金属酸化物電荷輸送材料 | |
KR102066322B1 (ko) | 유기태양전지 및 이의 제조방법 | |
WO2018012825A1 (ko) | 유무기 복합 태양전지 | |
JP5585066B2 (ja) | 有機薄膜型太陽電池及びその製造方法 | |
JP6966036B2 (ja) | 有機太陽電池の製造方法 | |
Shah | Fabrication of bulk heterojunction organic solar cells with different configurations using electrospray | |
WO2017099441A1 (ko) | 유기태양전지 및 이의 제조방법 | |
JP7110537B2 (ja) | 光吸収層用前駆体、これを用いた有機-無機複合太陽電池の製造方法および有機-無機複合太陽電池 | |
Ahmad et al. | ZnO-based inverted organic solar cells: a comparative analysis of simulation and experimental devices | |
KR102416108B1 (ko) | 유-무기 복합 태양전지 및 유-무기 복합 태양전지 제조방법 | |
KR20160067340A (ko) | 유기 태양 전지 및 이의 제조방법 | |
KR102097517B1 (ko) | 반투명 유기 태양전지 및 이의 제조 방법 | |
JP2019521523A (ja) | 有機−無機複合太陽電池の製造方法 | |
KR20160133988A (ko) | 정공 수송층용 조성물, 정공 수송층 및 이를 포함하는 유기 태양 전지 | |
KR20180010874A (ko) | 유-무기 복합 태양전지용 적층체 제조방법 및 유무기 복합 태양전지 제조방법 | |
KR20200143897A (ko) | 유-무기 복합 태양전지 및 유-무기 복합 태양전지의 제조방법 | |
KR101632632B1 (ko) | 투명 전극 및 이를 구비하는 태양전지 | |
KR20180010065A (ko) | 유기 태양 전지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |