KR102065683B1 - Method of fabricating mask and deposition method - Google Patents

Method of fabricating mask and deposition method Download PDF

Info

Publication number
KR102065683B1
KR102065683B1 KR1020180040171A KR20180040171A KR102065683B1 KR 102065683 B1 KR102065683 B1 KR 102065683B1 KR 1020180040171 A KR1020180040171 A KR 1020180040171A KR 20180040171 A KR20180040171 A KR 20180040171A KR 102065683 B1 KR102065683 B1 KR 102065683B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
support
forming
forming layer
layer
Prior art date
Application number
KR1020180040171A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180131377A (en
Inventor
오윤석
이기연
윤준로
이경진
조서영
Original Assignee
코닝 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닝 인코포레이티드 filed Critical 코닝 인코포레이티드
Publication of KR20180131377A publication Critical patent/KR20180131377A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102065683B1 publication Critical patent/KR102065683B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • G03F1/14—
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0338—Process specially adapted to improve the resolution of the mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

마스크 제조방법은, 마스크로 사용될 마스크 형성층(200)을 기판(300) 상에 형성하는 것과, 상기 기판(300)과 대향하는 상기 마스크 형성층(200)의 제1 면(201)과 반대되는 상기 마스크 형성층(201)의 제2 면(202) 상에 지지체(100)를 형성하는 것과, 상기 마스크 형성층(200)으로부터 상기 기판(300)을 제거하는 것을 포함할 수 있다. 상기 마스크를 사용하여 증착을 수행할 수 있다. The mask manufacturing method may include forming a mask forming layer 200 on a substrate 300 to be used as a mask, and forming the mask opposite to the first surface 201 of the mask forming layer 200 facing the substrate 300. Forming the support 100 on the second surface 202 of the formation layer 201 and removing the substrate 300 from the mask formation layer 200. Deposition may be performed using the mask.

Description

마스크 제조방법 및 증착방법{METHOD OF FABRICATING MASK AND DEPOSITION METHOD}Mask manufacturing method and deposition method {METHOD OF FABRICATING MASK AND DEPOSITION METHOD}

본 개시는 마스크 제조방법 및 증착방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 얇은 두께의 마스크를 제조하는 방법과 제조된 마스크를 이용하여 증착하는 방법에 관한 것이다. The present disclosure relates to a mask manufacturing method and a deposition method, and more particularly, to a method of manufacturing a mask having a thin thickness and a method of depositing using the manufactured mask.

도 1 내지 도 2는 종래의 지지체(100)에 의하여 지지되는 마스크의 제조방법을 순차적으로 보여주는 단면도이다.1 to 2 are cross-sectional views sequentially showing a method of manufacturing a mask supported by a conventional support 100.

도시한 바와 같이, 글라스 패널의 국부적 영역을 관통시켜 관통 영역(110)을 갖는 지지체(100)를 얻고(도 1), 금속의 프리 스탠딩 마스크 형성층(200)을 상기 지지체(100) 상에 용접(welding)하여(도 2), 지지체(100)에 지지되는 마스크(200a)를 제조한다. As shown, the support 100 having the through region 110 is obtained by penetrating the local region of the glass panel (FIG. 1), and the metal free standing mask forming layer 200 is welded onto the support 100 ( 2), a mask 200a supported by the support 100 is manufactured.

그러나, 이러한 종래의 방법은, 얇은 두께, 예컨대 나노 미터 또는 마이크로 미터 스케일의 두께의 금속의 프리 스탠딩 마스크 형성층(200)을 제조하기가 쉽지 않다. 제조한다고 하더라도 제조 비용이 비효율적으로 높아지며, 지지체(100)에 웰딩하기 전 까지는 얇은 두께의 금속의 프리 스탠딩 마스크 형성층(200)의 취급이 용이하지 않다는 한계가 존재한다. 따라서, 종래의 방법을 통하여 얻어지는 마스크(200a)는 상대적으로 두꺼운 두께를 가지고 있다. However, this conventional method is not easy to fabricate a free standing mask forming layer 200 of metal of thin thickness, such as nanometer or micrometer scale. Even if manufactured, the manufacturing cost increases inefficiently, and there is a limit that the handling of the free standing mask forming layer 200 having a thin thickness of metal is not easy until welding to the support 100. Therefore, the mask 200a obtained through the conventional method has a relatively thick thickness.

도 3은 도 2의 마스크(200a)를 증착 마스크로 사용할 때, 마스크(200a)의 두께 증가에 따른 영향을 개념적으로 보여주는 도면이다.3 is a diagram conceptually illustrating an effect of increasing thickness of the mask 200a when the mask 200a of FIG. 2 is used as a deposition mask.

마스크(200a)에 형성된 복수 개의 관통 홀(220)을 통과하여 증착 물질(D)이 대상물(700)에 증착되어 증착층 내지는 증착패턴(710)을 형성한다. 이때, 마스크(200a)의 두께가 두꺼울수록, 증착층 내지는 증착패턴(710)의 쉐이디 영역(shady region)(S)은 넓어진다. 이러한 쉐이디 영역(S)은 증착 정밀도를 저하시킨다. The deposition material D is deposited on the object 700 by passing through the plurality of through holes 220 formed in the mask 200a to form a deposition layer or a deposition pattern 710. At this time, the thicker the mask 200a, the wider the shady region S of the deposition layer or the deposition pattern 710. This shade region S lowers the deposition accuracy.

결론적으로, 도 1 및 도 2의 방법은, 지지체에 의하여 지지되는 마스크의 제조방법으로서 효과적이지 않고, 따라서 상기한 한계점을 극복할 수 있는 다른 방법이 요구된다.In conclusion, the method of FIGS. 1 and 2 is not effective as a method of manufacturing a mask supported by a support, and therefore, another method is required which can overcome the above limitations.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명은 지지체에 의하여 지지되는 얇은 두께의 마스크를 얻는데 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the present invention has an object to obtain a mask of a thin thickness supported by a support.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 개시는 마스크로 사용될 마스크 형성층을 기판 상에 형성하는 것과, 상기 기판과 대향하는 상기 마스크 형성층의 제1 면과 반대되는 상기 마스크 형성층의 제2 면 상에 지지체를 형성하는 것과, 상기 마스크 형성층으로부터 상기 기판을 제거하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법을 제공한다. In order to achieve the above object, the present disclosure provides a support for forming a mask forming layer to be used as a mask on a substrate, and supporting the support on a second surface of the mask forming layer opposite to the first surface of the mask forming layer opposite the substrate. It provides a mask manufacturing method supported by a support comprising forming and removing the substrate from the mask forming layer.

또한, 본 개시는 상기 마스크를 사용하는 방법을 제공하는데, 예컨대, 상기 마스크는 증착 마스크로 사용될 수 있다. The present disclosure also provides a method of using the mask, for example, the mask can be used as a deposition mask.

도 1 내지 도 2는 종래의 마스크 제조방법을 순차적으로 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 마스크를 증착 마스크로 사용할 때, 마스크의 두께 증가에 따른 문제점을 개념적으로 보여주는 도면이다.
도 4 내지 도 7은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 마스크 제조방법을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 지지체에 의하여 지지되는 마스크를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 9 내지 도 10는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 마스크 제조방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 11은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 마스크 제조방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 12은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 마스크 제조방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 13는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 마스크 제조방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 14 및 도 15는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 마스크 제조방법을 개략적으로 보여주는 단면도 및 평면도이다.
도 16는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 마스크 제조방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 17은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 증착방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 18은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 증착방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 19은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 증착방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 20 및 도 21은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 증착방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 1 to 2 are cross-sectional views sequentially showing a conventional mask manufacturing method.
3 is a diagram conceptually illustrating a problem of increasing thickness of a mask when the mask of FIG. 2 is used as a deposition mask.
4 through 7 are views sequentially showing an exemplary mask manufacturing method according to embodiments of the present disclosure.
8 is a plan view schematically illustrating a mask supported by the support of FIG. 7.
9 to 10 are cross-sectional views schematically illustrating an exemplary mask manufacturing method according to embodiments of the present disclosure.
11 is a cross-sectional view schematically illustrating an exemplary mask manufacturing method according to embodiments of the present disclosure.
12 is a cross-sectional view schematically illustrating an exemplary mask manufacturing method according to embodiments of the present disclosure.
13 is a schematic cross-sectional view of an exemplary mask manufacturing method according to embodiments of the present disclosure.
14 and 15 are cross-sectional views and plan views schematically illustrating an exemplary mask manufacturing method according to embodiments of the present disclosure.
16 is a cross-sectional view schematically illustrating an exemplary mask manufacturing method according to embodiments of the present disclosure.
17 is a schematic cross-sectional view of an exemplary deposition method in accordance with embodiments of the present disclosure.
18 is a schematic cross-sectional view of an exemplary deposition method in accordance with embodiments of the present disclosure.
19 is a schematic cross-sectional view of an exemplary deposition method in accordance with embodiments of the present disclosure.
20 and 21 are cross-sectional views schematically illustrating an exemplary deposition method according to embodiments of the present disclosure.

이하 첨부 도면을 참조하여 본 개시의 실시예들을 상세히 설명한다. 가능한, 동일 또는 유사한 구성부들을 지칭하는데, 도면 전체에 걸쳐 동일한 도면 부호가 사용될 것이다. 첨부 도면의 구성부들은 정확한 축척에 맞춰 도시된 것은 아니고, 그 보다는 예시적인 실시예들의 원리들을 도시하는데 주안점을 둔 것이다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Wherever possible, the same or similar components are referred to, where the same reference numerals will be used throughout the drawings. The components of the accompanying drawings are not drawn to scale, but rather focus on illustrating the principles of exemplary embodiments.

도 4 내지 도 7은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 마스크 제조방법을 순차적으로 보여주는 도면이고, 도 8은 도 7의 지지체(100)에 의하여 지지되는 마스크(200a)를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 4 to 7 are views sequentially showing an exemplary mask manufacturing method according to embodiments of the present disclosure, Figure 8 is a plan view schematically showing a mask 200a supported by the support 100 of FIG. .

본 개시의 마스크 제조방법은, 마스크(200a)로 사용될 마스크 형성층(200)을 기판(300) 상에 형성하는 것 (도 5)과, 기판(300)과 대향하는 마스크 형성층(200)의 제1 면(201)과 두께 방향을 따라 반대되는 마스크 형성층(200)의 제2 면(202) 상에 지지체(100)를 형성하는 것 (도 6)과, 마스크 형성층(200)으로부터 기판(300)을 제거하는 것(도 7)을 순차적으로 포함할 수 있다. In the mask manufacturing method of the present disclosure, the mask forming layer 200 to be used as the mask 200a is formed on the substrate 300 (FIG. 5), and the first mask forming layer 200 facing the substrate 300 is formed. Forming the support member 100 on the second surface 202 of the mask formation layer 200 opposite to the surface 201 in the thickness direction (FIG. 6) and removing the substrate 300 from the mask formation layer 200. Removing may be sequentially included (FIG. 7).

어떠한 실시예들에서, 마스크 형성층(200)은 코팅 또는 라미네이션 방법을 통하여 기판(300) 상에 형성될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 개시의 사상과 범위를 벗어남이 없이, 기판(300)에 마스크 형성층(200)을 일시적으로 고정할 수 있도록 하는 다양한 방법이 사용될 수 있다. 여기서, 상기 코팅은 건식 코팅 및 습식 코팅을 포함할 수 있고, 예컨대, 상기 코팅은 전기도금, 화학기상증착 또는 물리기상증착을 포함할 수 있다. 도 1 및 도 2의 종래의 방법에서는 일반적으로 압연 공정을 통하여 마스크 형성층(200)을 얻어야 하였으나, 본 개시의 마스크 형성층(200)은 압연 공정이 요구되지 않아 비용 절감 및 대형화에 유리하다. (그러나, 본 개시가 마스크 형성층(200)을 압연 공정에 의하여 얻는 것을 배제하는 것은 아니다.) 어떠한 실시예들에서, 마스크 형성층(200)은 100nm~1mm의 두께를 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 마스크 형성층(200)은 20㎛ 이하의 얇은 두께를 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 마스크 형성층(200)은 10㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 마스크 형성층(200)은 1~5㎛의 두께를 가질 수 있다. 따라서, 마스크(200a)를 도 17 내지 도 19와 관련하여 후술하는 증착 공정에서 증착 마스크로 사용할 때, 균일한 두께를 갖고 더 정밀하고 더 미세한 증착층 내지는 증착 패턴을 증착할 수 있게 된다. 어떠한 실시예들에서는, 기판(300)에 마스크 형성층(200)을 형성한 후, 마스크 형성층(200)의 표면의 스트레스 이완을 위해 마스크 형성층(200)을 열처리하고 서냉할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 마스크 형성층(200)은 금속을 포함할 수 있다. 예컨대, 어떠한 실시예들에서, 마스크 형성층(200)은 Ni-Fe 합금, Ni-Fe-Co 합금, Co, Ti, Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서 마스크 형성층(200)은 단일 층으로 형성되나, 어떠한 다른 실시예들에서 마스크 형성층(200)은 다층으로 형성될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 마스크 형성층(200)은 i) Cr sigle layer, ii) Cr-Hf alloy single layer iii) Cr-Ag multilayer 또는 Cr-Ti-Cu multilayer 등일 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 마스크 형성층(200)은 높은 탄성계수(modulus)와 낮은 열팽창계수를 가질 수 있다. In some embodiments, the mask forming layer 200 may be formed on the substrate 300 through a coating or lamination method, but the present invention is not limited thereto. In addition, various methods may be used to temporarily fix the mask forming layer 200 to the substrate 300 without departing from the spirit and scope of the present disclosure. Here, the coating may include a dry coating and a wet coating, for example, the coating may include electroplating, chemical vapor deposition or physical vapor deposition. 1 and 2, in general, the mask forming layer 200 has to be obtained through a rolling process. However, the mask forming layer 200 of the present disclosure does not require a rolling process, which is advantageous in cost reduction and large size. (However, the present disclosure does not exclude obtaining the mask forming layer 200 by a rolling process.) In some embodiments, the mask forming layer 200 may have a thickness of 100 nm to 1 mm. In some embodiments, the mask forming layer 200 may have a thin thickness of 20 μm or less. In some embodiments, the mask forming layer 200 may have a thickness of 10 μm or less. In some embodiments, the mask forming layer 200 may have a thickness of 1-5 μm. Therefore, when the mask 200a is used as a deposition mask in a deposition process described below with reference to FIGS. 17 to 19, a more precise and finer deposition layer or deposition pattern can be deposited with a uniform thickness. In some embodiments, after the mask forming layer 200 is formed on the substrate 300, the mask forming layer 200 may be heat-treated and slowly cooled in order to relax the surface of the mask forming layer 200. In some embodiments, mask forming layer 200 may comprise a metal. For example, in some embodiments, the mask forming layer 200 may include at least one of Ni—Fe alloy, Ni—Fe—Co alloy, Co, Ti, Cr. In some embodiments, the mask forming layer 200 may be formed of a single layer, but in some other embodiments, the mask forming layer 200 may be formed of multiple layers. In some embodiments, the mask forming layer 200 may be i) Cr sigle layer, ii) Cr-Hf alloy single layer iii) Cr-Ag multilayer or Cr-Ti-Cu multilayer, or the like. In some embodiments, the mask forming layer 200 may have a high modulus and a low coefficient of thermal expansion.

지지체(100)는 지지체(100)의 두께 방향으로 관통되는 관통 영역(110)을 가지고, 마스크 형성층(200)은 관통 영역(110)을 통하여 마스크 형성층(200)과 반대되는 지지체(100)의 측 (도 6에서는 상측) 에 노출되는 노출 영역(210)을 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 관통 영역(110)은 지지체(100)를 에칭하거나 CNC(Computer numerical control) 머신을 이용하거나 레이저 커팅을 이용하여 형성될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 상기 관통 영역(110)은 그 전 둘레가 지지체(100)에 의하여 둘러싸인 구조를 가질 수 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는 관통 영역(110)의 일부 둘레만이 지지체(100)에 의하여 둘러싸인 구조를 가질 수도 있다. 어떠한 실시예들에서, 관통 영역(110)은 그 두께 방향 단면 상에서 관통 영역(110)의 측 방향 (두께 방향을 가로지르는 방향)을 따라 상호 이격되어 마주보는 양 벽면의 프로파일이 도 6에 도시하는 바와 같이, 두께 방향을 따라 연장된 직선을 이룰 수 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서, 관통 영역(110)의 상기 양 벽면의 프로파일은 두께 방향과 경사를 가질 수도 있고, 더 나아가 직선이 아닐 수도 있다. 어떠한 실시예들에서, 지지체(100)는 마스크 형성층(200)을 대향하는 면의 일부만이 마스크 형성층(200)과 접촉하여 마스크 형성층(200)을 지지할 수 있다. 이 경우, 마스크 형성층(200)을 대향하는 지지체(100)의 면은 마스크 형성층(200)과 접촉하는 접촉 부위와 마스크 형성층(200)과 접촉하지 않는 비접촉 부위를 포함하는데, 어떠한 실시예들에서, 비접촉 부위는 접촉 부위를 서로 연결하는 뼈대 역할을 할 수 있다. 이 밖에도, 지지체(100)는 마스크 형성층(200)을 안정적으로 지지할 수 있는 한 다양한 구조를 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 관통 영역(110)의 외접원의 직경은, 적어도 약 1 인치, 적어도 약 2 인치, 적어도 약 3 인치, 또는 적어도 약 4인치일 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 관통 영역(110)은 예컨대 추후 마스크(200a)가 증착 마스크로 사용될 때 증착 대상물의 형상과 대응되는 사이즈를 가질 수 있다. 예컨대 증착 대상물이 증착된 후 후속 공정을 통하여 최종적으로 모바일 폰을 생산하기 위한 것이라면, 현재 상업적으로 생산되어 판매되는 모바일 폰의 크기 (대각선의 크기)가 4 인치 이상임을 감안할 때, 관통 영역(110)의 외접원의 크기는 4 인치 이상일 수 있다. 그러나, 당업자라면 본 개시의 관통 영역(110)의 외접의 크기가 4 인치 이상의 크기에 한정되지 않음을 쉽게 이해할 수 있을 것이다. 관통 영역(110)의 외접원의 크기는 후술하는 관통 홀(220)의 크기와는 명확히 구별되는 크기를 가지고, 적어도 인치 스케일의 사이즈를 가진다. The support 100 has a through area 110 penetrated in the thickness direction of the support 100, and the mask forming layer 200 is opposite to the mask forming layer 200 through the through area 110. It may have an exposed area 210 exposed to (upper side in FIG. 6). In some embodiments, the through region 110 may be formed by etching the support 100, using a computer numerical control (CNC) machine, or using laser cutting. In some embodiments, the through region 110 may have a structure whose entire circumference is surrounded by the support 100, but in some other embodiments, only a part of the perimeter of the through region 110 may be supported by the support 100. It may have a structure surrounded by. In some embodiments, the through regions 110 are spaced apart from each other along the lateral direction (direction across the thickness direction) of the through region 110 on its thickness direction cross section as shown in FIG. 6. As shown, a straight line extending along the thickness direction may be formed, but in some other embodiments, the profile of both wall surfaces of the through area 110 may have an inclination with the thickness direction and may not be a straight line. . In some embodiments, the support 100 may support only the portion of the surface facing the mask forming layer 200 in contact with the mask forming layer 200 to support the mask forming layer 200. In this case, the surface of the support body 100 facing the mask forming layer 200 includes a contact portion in contact with the mask forming layer 200 and a non-contact portion not in contact with the mask forming layer 200, in some embodiments, The non-contacting site may serve as a skeleton to connect the contacting sites to each other. In addition, the support 100 may have various structures as long as it can stably support the mask formation layer 200. In some embodiments, the diameter of the circumscribed circle of the through area 110 may be at least about 1 inch, at least about 2 inches, at least about 3 inches, or at least about 4 inches. In some embodiments, the through region 110 may have a size that corresponds to the shape of the deposition object, for example when the mask 200a is later used as a deposition mask. For example, if the target is to produce a mobile phone through a subsequent process after the deposition object is deposited, the through area 110, considering that the size (diagonal size) of the mobile phone currently commercially produced and sold is 4 inches or more. The size of the circumscribed circle may be at least 4 inches. However, those skilled in the art will readily understand that the size of the circumference of the through area 110 of the present disclosure is not limited to the size of 4 inches or more. The size of the circumscribed circle of the through area 110 has a size that is clearly distinguished from the size of the through hole 220 described later, and has a size of at least an inch scale.

어떠한 실시예에서, 지지체(100)는 마스크 형성층(200)에 웰딩될 수 있다. 이를 대체하여, 또는 이에 추가적으로 지지체(100)는 접착제 (예컨대 유기 접착제)를 이용하여 마스크 형성층(200)에 접착될 수 있다. 그러나, 본 개시가 이에 한정되는 것은 아니며, 지지체(100)가 마스크 형성층(200)을 지지할 수 있도록 하는 한 다양한 방법이 사용될 수 있다. 어떠한 실시예에서, 상기 웰딩은 레이저 웰딩, 아크 웰딩 등을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예에서, 상기 레이저 웰딩은, 지지체(100)를 통과하여 마스크 형성층(200)과 지지체(100)의 접촉 부위에 레이저(L1), 예컨대 적외선 레이저 또는 자외선 레이저를 조사할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 어떠한 실시예들에서, 상기 레이저 웰딩은 700nm 이상의 파장의 광을 사용할 수 있다. 어떠한 다른 실시예들에서, 상기 레이저 웰딩은 300~400nm의 파장의 광을 사용할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 지지체(100)는 레이저(L1), 예컨대, 자외선 레이저 또는 적외선 레이저를 투과시키는 물질을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 지지체(100)의 자외선 레이저 투과율은, 적어도 약 10%, 적어도 약 15%, 적어도 약 20%, 적어도 약 25% 또는 적어도 약 30%일 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 지지체(100)의 적외선 레이저 투과율은, 적어도 약 10%, 적어도 약 15%, 적어도 약 20%, 적어도 약 25% 또는 적어도 약 30%일 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 지지체(100)는 소다라임 글라스 또는 무알칼리 글라스(non-alkali glass)와 같은 글라스, 폴리이미드(PI)와 같은 폴리머를 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서 지지체(100)는 마스크 형성층(200)에 비하여 처짐(sagging)이 적은 성질을 가질 수 있다. 처짐이 적은 지지체(100)로 마스크 형성층(200)을 지지함으로써, 마스크 형성층(200)의 변형을 방지할 수 있게 된다. 따라서 도 17 내지 도 19와 관련하여 후술하는 바와 같이 마스크 형성층(200)을 증착 마스크로 사용하는 경우, 마스크(200a)가 증착 대상물에 밀착될 것이 요구되는 경우, 마스크 형성층(200a)이 그 전면적에 걸쳐 증착 대상물에 밀착될 수 있어 높은 증착 정밀도를 얻을 수 있게 된다. 한편, 증착 공정 중 온도의 증가는 마스크(200a)의 팽창을 쉽게 야기하고, 미세 진동 또는 미소 스트레스에도 관통 홀(220)의 위치 변화를 쉽게 야기할 수 있다. 이러한 문제점은 마스크 형성층(200)의 두께가 얇을수록 더 악화된다. 마스크 형성층(200)은 지지체(100)에 의하여 안정적으로 지지됨으로써, 상기한 문제점들의 발생을 미연에 방지하여, 정밀한 증착층 또는 증착패턴의 증착을 가능하게 한다. 어떠한 실시예들에서, 상기 글라스 지지체(100)는 강화 글라스 지지체(100)를 포함할 수 있다. 이 경우, 지지체(100)/마스크 형성층(200) 구조물의 전체적인 강도가 증가하여 안정성을 더욱 제고할 수 있게 된다. 어떠한 실시예에서 웰딩은 연속 또는 불연속적으로 수행될 수 있다. 예컨대, 웰딩은 기설정된 라인을 따라 연속적으로 이동하면서 수행될 수도 있고, 복수 개의 스팟에서 불연속적으로 수행될 수도 있다. 어떠한 실시예들에서, 웰딩은 마스크 형성층(200) 및/또는 지지체(100)의 둘레를 따라 수행되거나, 관통 영역(110)의 둘레를 따라 수행될 수 있으나, 레이저 투과성 지지체(100)를 통하여 레이저를 조사하여 웰딩을 수행하는 실시예를 포함하는 어떠한 다른 실시예들에서는, 마스크 형성층(200) 및/또는 지지체(100)의 둘레와 관통 영역(110)의 둘레의 사이의 어느 부위가 웰딩될 수 있다. 어떠한 실시예에서, 상기 적외선 레이저 웰딩은, 글라스-금속 간의 충분한 웰딩 접합력을 제공할 수 있는 pico second ~ femto second laser의 펄스 폭을 갖는 적외선 펄스 레이저를 사용할 수 있다. In some embodiments, the support 100 may be welded to the mask forming layer 200. Alternatively, or in addition thereto, the support 100 may be adhered to the mask forming layer 200 using an adhesive (eg, an organic adhesive). However, the present disclosure is not limited thereto, and various methods may be used as long as the support 100 may support the mask forming layer 200. In some embodiments, the welding may include laser welding, arc welding, and the like. In some embodiments, the laser welding may irradiate a laser L1, such as an infrared laser or an ultraviolet laser, to the contact portion of the mask forming layer 200 and the support 100 through the support 100. This is not limited to this. In some embodiments, the laser welding may use light having a wavelength of 700 nm or more. In some other embodiments, the laser welding may use light of a wavelength of 300-400 nm. In some embodiments, the support 100 may comprise a material that transmits a laser L1, such as an ultraviolet laser or an infrared laser. In some embodiments, the ultraviolet laser transmission of the support 100 may be at least about 10%, at least about 15%, at least about 20%, at least about 25% or at least about 30%. In some embodiments, the infrared laser transmission of the support 100 may be at least about 10%, at least about 15%, at least about 20%, at least about 25% or at least about 30%. In some embodiments, the support 100 may comprise a glass, such as soda-lime glass or non-alkali glass, or a polymer, such as polyimide (PI). In some embodiments, the support 100 may have less sagging than the mask forming layer 200. By supporting the mask forming layer 200 with the support 100 having less sag, deformation of the mask forming layer 200 can be prevented. Therefore, when the mask forming layer 200 is used as the deposition mask as described below with reference to FIGS. 17 to 19, when the mask 200a is required to be in close contact with the deposition object, the mask forming layer 200a is applied to the entire area. It can be in close contact with the deposition target over the high deposition accuracy can be obtained. On the other hand, an increase in temperature during the deposition process may easily cause the expansion of the mask 200a, and may easily cause a change in the position of the through hole 220 even under minute vibration or micro stress. This problem becomes worse as the thickness of the mask forming layer 200 becomes thinner. The mask forming layer 200 is stably supported by the support 100, thereby preventing the above-mentioned problems from occurring, thereby enabling the deposition of a precise deposition layer or a deposition pattern. In some embodiments, the glass support 100 may include a tempered glass support 100. In this case, the overall strength of the support 100 / mask forming layer 200 structure is increased to further improve the stability. In some embodiments the welding may be performed continuously or discontinuously. For example, welding may be performed while continuously moving along a predetermined line, or may be performed discontinuously in a plurality of spots. In some embodiments, the welding may be performed along the circumference of the mask forming layer 200 and / or the support 100 or along the circumference of the through region 110, but the laser through the laser transmissive support 100 In some other embodiments, including an embodiment in which irradiation is performed to perform welding, a portion between the periphery of the mask forming layer 200 and / or the support 100 and the perimeter of the through region 110 may be welded. have. In some embodiments, the infrared laser welding may use an infrared pulse laser having a pulse width of pico second to femto second laser that can provide sufficient welding adhesion between glass and metal.

어떠한 실시예들에서, 마스크 형성층(200)은 관통 영역(110)을 통하여 노출될 마스크 형성층(200)의 노출 영역(210)에서 마스크 형성층(200)의 두께 방향으로 관통되는 복수 개의 관통 홀(220)을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서 관통 홀(220)의 외접원은 1~100㎛의 직경을 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서 관통 홀(220)은 마스크 형성층(200)의 제1 면(201) 및/또는 제2 면(202)에서 원형을 형상을 가질 수 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는 원형이 아닌 형상을 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 관통 홀(220)은 도 5에 도시한 바와 같이, 마스크 형성층(200)을 기판(300)에 형성하는 중에 형성될 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 예컨대, 포토레지스트 공정을 이용하여 관통 홀(220)에 대응하는 부위 이외의 부위에만 마스크 형성층(200)을 선택적으로 형성하여, 관통 홀(220)을 갖는 마스크 형성층(200)을 기판(300)에 직접 코팅할 수 있다. 그러나, 본 개시가 이에 한정되는 것은 아니고, 어떠한 다른 실시예들에서는, i) 마스크 형성층(200)을 기판(300)에 형성하기에 앞서, ii) 마스크 형성층(200)을 기판(300)에 형성한 후 지지체(100)를 형성하기에 앞서, iii) 지지체(100)를 형성한 후 기판(300)을 제거하기 전, 또는 iv) 기판(300)을 제거한 후에 형성될 수 있다. 예컨대, 어떠한 실시예들에서는, 관통 홀(220)을 갖는 마스크 형성층(200)을 별도로 형성하고, 그 마스크 형성층(200)을 기판(300)에 라미네이션할 수 있다. 예컨대, 어떠한 다른 실시예들에서는, 마스크 형성층(200)을 형성한 후 지지체(100)를 형성하기 전에, 포토레지스트 공정 등에 의하여 관통 홀(220)을 형성할 수 있다. 예컨대, 어떠한 다른 실시예들에서는, 지지체(100)를 형성한 후 기판(300)을 제거하기에 앞서 포토레지스트 공정 등에 의하여 관통 홀(220)을 형성할 수 있다. 예컨대, 어떠한 다른 실시예들에서는, 지지체(100)를 형성하고 기판(300)을 제거한 후 포토레지스트 공정 등에 의하여 관통 홀(220)을 형성할 수 있다. 관통 홀(220)을 갖는 마스크 형성층(200)은 마스크(200a)로 사용될 수 있다. 본 명세서에서, "마스크 형성층(200)"과 "마스크(200a)"는 구별되는 용어로 사용되며, "마스크 형성층(200)"은 특정 시점에 관통 홀(200)을 가질 수도, 가지지 않을 수도 있는데 반하여, "마스크(200a)"는 본 개시의 실시예들의 마스크 제조방법에 의하여 제조된 최종 상태의 것을 가리키며, 관통 홀(220)을 가진다. 예컨대, 전술한 바와 같이 마스크 형성층(200)을 형성한 후 지지체(100)를 형성하기에 앞서 관통 홀(220)을 형성하는 실시예에서는, 마스크 형성층(200)은 최초에는 관통 홀(220)을 구비하지 않으나, 지지체(100)를 형성하는 시점에는 관통 홀(220)을 구비한다.  In some embodiments, the mask forming layer 200 includes a plurality of through holes 220 penetrating in the thickness direction of the mask forming layer 200 in the exposed region 210 of the mask forming layer 200 to be exposed through the through region 110. ) May be included. In some embodiments, the circumscribed circle of the through hole 220 may have a diameter of about 1 μm to about 100 μm. In some embodiments, the through hole 220 may have a circular shape on the first surface 201 and / or the second surface 202 of the mask forming layer 200, but in some other embodiments, the through hole 220 is not circular. It may have a shape. In some embodiments, the through hole 220 may be formed during formation of the mask forming layer 200 on the substrate 300, as shown in FIG. 5. In some embodiments, the mask forming layer 200 having the through hole 220 is selectively formed by selectively forming the mask forming layer 200 only at a portion other than the portion corresponding to the through hole 220 using, for example, a photoresist process. May be directly coated on the substrate 300. However, the present disclosure is not limited thereto, and in some other embodiments, i) prior to forming the mask forming layer 200 on the substrate 300, ii) forming the mask forming layer 200 on the substrate 300. Then, prior to forming the support 100, it may be formed after iii) removing the substrate 300 after forming the support 100, or iv) removing the substrate 300. For example, in some embodiments, the mask forming layer 200 having the through hole 220 may be formed separately, and the mask forming layer 200 may be laminated to the substrate 300. For example, in some other embodiments, after forming the mask forming layer 200 and before forming the support 100, the through hole 220 may be formed by a photoresist process or the like. For example, in some other embodiments, after the support 100 is formed, the through hole 220 may be formed by a photoresist process or the like prior to removing the substrate 300. For example, in some other embodiments, the through hole 220 may be formed by a photoresist process after forming the support 100 and removing the substrate 300. The mask forming layer 200 having the through holes 220 may be used as the mask 200a. In the present specification, the "mask forming layer 200" and "mask 200a" are used as distinct terms, and the "mask forming layer 200" may or may not have a through hole 200 at a specific point in time. In contrast, “mask 200a” refers to the final state manufactured by the mask manufacturing method of the embodiments of the present disclosure, and has a through hole 220. For example, in the embodiment in which the through hole 220 is formed after the mask forming layer 200 is formed before the support 100 is formed as described above, the mask forming layer 200 initially forms the through hole 220. Although not provided, a through hole 220 is provided at the time of forming the support 100.

도 9 내지 도 10은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 마스크 제조방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 9 to 10 are cross-sectional views schematically illustrating an exemplary mask manufacturing method according to embodiments of the present disclosure.

어떠한 실시예들에서는, 마스크 형성층(200)을 형성하는 것에 앞서, 기판(300) 상에 먼저 릴리이즈막(400)을 형성할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 릴리이즈막(400)을 형성하기에 앞서, 기판(300)을 세정할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 세정은 기판(300)의 표면을 플라즈마 처리하는 것을 포함할 수 있다. 릴리이즈막(400)이란 기판(300)을 마스크 형성층(200)으로부터 제거할 때 기판(300)과 함께 또는 기판과는 별개로 마스크 형성층(200)으로부터 릴리이즈되는 막을 의미한다. 기판(300)과 마스크 형성층(200) 사이에 릴리이즈막(400)을 개재시킴으로써, 마스크 형성층(200)에 손상을 주지 않고 기판(300)을 마스크 형성층(200)으로부터 쉽게 제거할 수 있게 된다. 어떠한 실시예들에서 릴리이즈막(400)은 액제 또는 페이스트제로서 도포될 수도 있고, 어떠한 다른 실시예들에서는 독립적인 시트 형태의 릴리이즈막이 개재될 수도 있다. 어떠한 실시예들에서, 릴리이즈막(400)은 포토레지스트막, 폴리머막 등을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 상기 폴리머막은 폴리이미드를 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 릴리이즈막(400)을 형성한 후 베이킹을 하여 막 형태를 고정시키고, 그 위에 마스크 형성층(200)을 형성할 수 있다. In some embodiments, prior to forming the mask formation layer 200, the release film 400 may be first formed on the substrate 300. In some embodiments, the substrate 300 may be cleaned prior to forming the release film 400. In some embodiments, the cleaning can include plasma treating the surface of the substrate 300. The release film 400 refers to a film that is released from the mask formation layer 200 together with or separate from the substrate 300 when the substrate 300 is removed from the mask formation layer 200. By interposing the release film 400 between the substrate 300 and the mask formation layer 200, the substrate 300 can be easily removed from the mask formation layer 200 without damaging the mask formation layer 200. In some embodiments, the release film 400 may be applied as a liquid or paste, and in some other embodiments, an independent sheet-type release film may be interposed. In some embodiments, the release film 400 may include a photoresist film, a polymer film, or the like. In some embodiments, the polymer film may include polyimide. In some embodiments, the release film 400 may be formed and then baked to fix the film shape, and the mask forming layer 200 may be formed thereon.

어떠한 실시예들에서는, 마스크 형성층(200)으로부터 릴리즈막을 릴리이즈하는 것은, 릴리이즈막(400)에 광 또는 열(L2)을 인가하여 상기 릴리이즈막(400)의 접합력을 감소시키는 것을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 릴리이즈막(400)에 광 또는 열(L2)을 인가하여 경화시켜 접합력을 감소시킨 후 현상하여 릴리이즈막(400)을 제거할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는 광 또는 열(L2)의 인가에 의하여 릴리이즈막(400)이 마스크 형성층(200)으로부터 릴리이즈 될 수 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서 릴리이즈막(400)은 기판(300)으로부터 릴리이즈될 수 있다. 후자의 경우에는, 릴리이즈막(400)을 마스크 형성층(200)으로부터 분리시키기 위하여 추가의 공정이 요구될 수도 있다. 또한, 어떠한 실시예들에서, 릴리이즈막(400)은 동시에 기판(300)과 마스크 형성층(200)으로부터 분리되거나 제거될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 기판(300)을 통과하여 릴리이즈막(400)에 광을 조사할 수 있다. 이를 위하여, 어떠한 실시예들에서는, 기판(300)은 광을 투과할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 상기 광으로 자외선을 사용하는 실시예에 있어서, 기판(300)은 적어도 약 5%, 적어도 약 10%, 적어도 약 15%, 적어도 약 20%, 또는 적어도 약 25%의 자외선 투과율을 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서 기판(300)은 글라스, 폴리이미드와 같은 폴리머 등을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 상기 광은 자외선 광 또는 레이저 광을 포함할 수 있다. 예컨대, 어떠한 실시예들에서 릴리이즈막(400)은 포토레지스트를 포함하고, 상기 광은 자외선 광을 포함할 수 있다. In some embodiments, releasing the release film from the mask formation layer 200 may include applying light or heat L2 to the release film 400 to reduce the bonding force of the release film 400. In some embodiments, the release film 400 may be removed by applying light or heat L2 to the release film 400 to reduce the bonding force and developing the same. In some embodiments, the release film 400 may be released from the mask formation layer 200 by the application of light or heat L2. In some other embodiments, the release film 400 may be released from the substrate 300. Can be. In the latter case, an additional process may be required to separate the release film 400 from the mask formation layer 200. Further, in some embodiments, the release film 400 may be separated or removed from the substrate 300 and the mask formation layer 200 at the same time. In some embodiments, light may be irradiated to the release film 400 through the substrate 300. To this end, in some embodiments, the substrate 300 may include a material that can transmit light. In embodiments using ultraviolet light as the light, the substrate 300 may have an ultraviolet transmittance of at least about 5%, at least about 10%, at least about 15%, at least about 20%, or at least about 25%. In some embodiments, substrate 300 may include glass, a polymer such as polyimide, or the like. In some embodiments, the light may comprise ultraviolet light or laser light. For example, in some embodiments, the release film 400 may include a photoresist, and the light may include ultraviolet light.

도 11는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 마스크 제조방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 11 is a cross-sectional view schematically illustrating an exemplary mask manufacturing method according to embodiments of the present disclosure.

어떠한 실시예들에서는, 기판(300) 상에 전도성을 갖는 시드막(500)을 형성할 수 있다. 예컨대, 어떠한 실시예들에서는 기판(300) 상에 시드막(500)을 라미네이션 또는 코팅하여 시드막(500)을 형성할 수 있다. 특히, 전기도금에 의하여 마스크 형성층(200)을 형성하는 경우, 시드막(500)이 요구될 수 있다. 시드막(500)은 마스크 형성층(200)을 형성하기 위한 전기도금이 수행될 때 전극으로 기능할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 시드막은 전도성 금속을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 시드막은 크롬 및 티타늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 시드막의 두께는 1nm ~ 1㎛ 일 수 있다.In some embodiments, the seed film 500 having a conductivity may be formed on the substrate 300. For example, in some embodiments, the seed layer 500 may be formed by laminating or coating the seed layer 500 on the substrate 300. In particular, when the mask forming layer 200 is formed by electroplating, the seed film 500 may be required. The seed film 500 may function as an electrode when electroplating is performed to form the mask formation layer 200. In some embodiments, the seed film may comprise a conductive metal. In some embodiments, the seed layer may include at least one of chromium and titanium. In some embodiments, the thickness of the seed film may be 1 nm to 1 μm.

도 12은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 마스크 제조방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 12 is a cross-sectional view schematically illustrating an exemplary mask manufacturing method according to embodiments of the present disclosure.

어떠한 실시예들에서는, 릴리이즈막(400) 상에 시드막(500)을 형성할 수 있다. In some embodiments, the seed film 500 may be formed on the release film 400.

도 13는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 마스크 제조방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 13 is a schematic cross-sectional view of an exemplary mask manufacturing method according to embodiments of the present disclosure.

어떠한 실시예들에서는, 예컨대, 마스크 형성층(200)과 지지체(100)의 접촉 부위에 인터레이어(600)를 형성한 후 상기 인터레이어(600) 상에 지지체(100)를 형성할 수 있다. 이와 같은 실시예에서는, 지지체(100)와 마스크 형성층(200)의 웰딩 접합을 위하여 자외선 레이저를 사용할 수 있다. 어떠한 실시예들에서 인터레이어(600)는 자외선을 흡수하여 지지체(100)와 마스크 형성층(200)을 접합할 수 있는 무기 물질 또는 유무기 물질일 수 있다. 예컨대, 인터레이어(600)는 자외선 흡수가 가능한 로우멜팅 글라스를 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 인터레이어(600)는 자외선 흡수를 돕는 물질, 예컨대 블랙 색소 등을 포함할 수 있다. In some embodiments, for example, the interlayer 600 may be formed at a contact portion of the mask forming layer 200 and the support 100, and then the support 100 may be formed on the interlayer 600. In such an embodiment, an ultraviolet laser may be used for the welding bonding between the support 100 and the mask forming layer 200. In some embodiments, the interlayer 600 may be an inorganic material or an inorganic material capable of absorbing ultraviolet light to bond the support 100 to the mask forming layer 200. For example, the interlayer 600 may include a low melting glass capable of absorbing ultraviolet rays. In some embodiments, interlayer 600 may include a material that aids in ultraviolet absorption, such as a black pigment.

도 14 및 도 15은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 마스크 제조방법을 개략적으로 보여주는 단면도 및 평면도이다. 14 and 15 are cross-sectional views and plan views schematically illustrating an exemplary mask manufacturing method according to embodiments of the present disclosure.

어떠한 실시예들에서, 지지체(100)는 복수 개의 관통 영역(110i)을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 복수 개의 관통 영역(110i)은 도 16에 도시한 바와 같이 서로 분리된 개별 관통 영역들일 수도 있으나, 적어도 두 개의 관통 영역이 서로 연결된, 즉 서로에 대하여 개방된 관통 영역들 일 수도 있다. 어떠한 실시예들에서, 복수 개의 관통 영역(110i)은 도 16에 도시한 바와 같이 서로 동일한 형상과 크기를 가질 수 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는 다른 형상과 크기를 가질 수 있다. In some embodiments, the support 100 can include a plurality of through regions 110i. In some embodiments, the plurality of through regions 110i may be separate through regions separated from one another as shown in FIG. 16, but at least two through regions are connected to one another, that is, through regions opened to one another. It may be. In some embodiments, the plurality of through regions 110i may have the same shape and size as each other as shown in FIG. 16, but may have other shapes and sizes in some other embodiments.

도 16은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 마스크 제조방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 16 is a cross-sectional view schematically illustrating an exemplary mask manufacturing method according to embodiments of the present disclosure.

어떠한 실시예들에서, 지지체(100)는 복수 개의 관통 영역(110i)을 포함하고, 기판(300)은 상기 관통 영역(110)에 대응되는 수의 개별 기판(300i) 들을 포함하고, 마스크 형성층(200)은 복수 개의 관통 영역(110)에 대응되는 수의 마스크 형성층(200i) 들을 포함할 수 있다. 여기서, 개별 기판(300i) 들과 상기 마스크 형성층(200i) 들이 각각 대응되도록, 개별 기판(300i) 들 상에 마스크 형성층(200i) 들을 각각 형성할 수 있다. 또한, 마스크 형성층(200i) 들과 복수 개의 관통 영역(110i)들이 각각 대응되게 마스크 형성층(200i) 들 상에 지지체(100)를 형성할 수 있다. In some embodiments, the support 100 includes a plurality of through regions 110i, and the substrate 300 includes a number of individual substrates 300i corresponding to the through regions 110, and includes a mask forming layer ( 200 may include a number of mask formation layers 200i corresponding to the plurality of through regions 110. Here, the mask forming layers 200i may be formed on the individual substrates 300i such that the individual substrates 300i and the mask forming layers 200i correspond to each other. In addition, the support 100 may be formed on the mask forming layers 200i to correspond to the mask forming layers 200i and the plurality of through regions 110i, respectively.

이 밖에도, 본 개시는 다양한 실시예를 가질 수 있다. 예컨대, 복수 개의 기판이 제공되고, 마스크 형성층은 둘 이상의 기판 상에 형성될 수 있다. 예컨대, 복수 개의 기판과 복수 개의 마스크 형성층이 제공되고, 적어도 하나의 마스크 형성층은 둘 이상의 기판 상에 형성될 수 있다. 예컨대, 복수 개의 마스크 형성층이 제공되고, 기판 상에 둘 이상의 마스크 형성층이 형성될 수 있다. 예컨대, 복수 개의 기판과 복수 개의 마스크 형성층이 제공되고, 적어도 하나의 기판 상에 둘 이상의 마스크 형성층이 형성될 수 있다. In addition, the present disclosure may have various embodiments. For example, a plurality of substrates may be provided, and the mask forming layer may be formed on two or more substrates. For example, a plurality of substrates and a plurality of mask formation layers may be provided, and at least one mask formation layer may be formed on two or more substrates. For example, a plurality of mask formation layers may be provided, and two or more mask formation layers may be formed on the substrate. For example, a plurality of substrates and a plurality of mask formation layers may be provided, and two or more mask formation layers may be formed on at least one substrate.

복수 개의 기판 및/또는 복수 개의 마스크 형성층을 사용하는 경우, 제조 설비의 소형화의 이점을 얻을 수 있다. In the case of using a plurality of substrates and / or a plurality of mask formation layers, an advantage of miniaturization of manufacturing equipment can be obtained.

어떠한 실시예들에서는, 도 15의 실시예와 도 16의 실시예가 조합될 수도 있다. 예컨대, 크기가 상대적으로 작은 관통 영역들에 대응하여서는 도 15에서와 유사하게 하나의 공통 마스크 형성층 및/또는 하나의 공통 기판이 제공될 수 있고, 크기가 상대적으로 큰 관통 영역들에 대응하여서는 도 16에서와 유사하게 적어도 두 개의 마스크 형성층 및/또는 적어도 두 개의 기판이 제공될 수 있다. In some embodiments, the embodiment of FIG. 15 and the embodiment of FIG. 16 may be combined. For example, one common mask forming layer and / or one common substrate may be provided in correspondence with the relatively small through regions, and in FIG. 16 corresponding to the relatively large through regions. Similar to at least two mask forming layers and / or at least two substrates may be provided.

어떠한 실시예들에서, 기판(300i)들은 동일한 물질로 이루어지나, 어떠한 다른 실시예들에서, 기판(300i)들은 적어도 2종의 물질로 이루어질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 마스크 형성층(200i)들은 동일한 물질로 이루어지나, 어떠한 다른 실시예들에서, 마스크 형성층(200i)들은 적어도 2 종의 물질로 이루어질 수 있다. In some embodiments, the substrates 300i are made of the same material, but in some other embodiments, the substrates 300i may be made of at least two materials. In some embodiments, the mask forming layers 200i may be made of the same material, but in some other embodiments, the mask forming layers 200i may be made of at least two kinds of materials.

도 17은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 증착방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 17 is a schematic cross-sectional view of an exemplary deposition method in accordance with embodiments of the present disclosure.

어떠한 실시예들에서, 마스크(200a)는 증착 마스크로 사용될 수 있다. 예컨대, 디스플레이 장치 제조 공정, 반도체 소자 제조 공정 등에서, 마스크(200a)를 사용하여 대상물(700)에 증착물질(D)을 증착하여 증착층 내지는 증착패턴(710)을 형성할 수 있다. 예컨대, 마스크(200a)를 사용하여 증착되는 증착층 내지는 증착패턴(710)은, 유기발광다이오드의 발광층을 포함할 수 있다. 예컨대, 서브 픽셀마다 발광층들이 각각 제공되는 유기발광다이오드 디스플레이 장치의 발광층을 증착하기 위하여, 마스크(200a)의 관통 홀(220)은 서브 픽셀의 크기로 형성될 수 있다. 본 개시의 얇은 두께의 마스크(200a)을 증착 마스크로 사용하여, 고해상도의 디스플레이 장치를 제조할 수 있다. In some embodiments, mask 200a may be used as a deposition mask. For example, in a display device manufacturing process, a semiconductor device manufacturing process, or the like, the deposition material D may be deposited on the object 700 using the mask 200a to form a deposition layer or a deposition pattern 710. For example, the deposition layer or the deposition pattern 710 deposited using the mask 200a may include a light emitting layer of the organic light emitting diode. For example, the through hole 220 of the mask 200a may be formed to have a size of a subpixel in order to deposit the light emitting layer of the organic light emitting diode display device in which the light emitting layers are provided for each subpixel. By using the thin mask 200a of the present disclosure as a deposition mask, a high resolution display device can be manufactured.

도 18는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 증착방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 18 is a schematic cross-sectional view of an exemplary deposition method in accordance with embodiments of the present disclosure.

마스크(200a)를 사용하여 상기 복수 개의 관통 영역(110i)의 수에 대응하는 수의 대상물(700)에 증착을 수행할 수 있다. 여기서, 각각의 대상물(700)은 후속 공정을 거쳐 모바일 폰과 같은 디스플레이 장치, 반도체 소자, 등으로 제조될 수 있다. Deposition may be performed on the number of objects 700 corresponding to the number of the plurality of through regions 110i by using the mask 200a. Here, each object 700 may be manufactured into a display device such as a mobile phone, a semiconductor device, or the like through a subsequent process.

도 19은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 증착방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 19 is a schematic cross-sectional view of an exemplary deposition method in accordance with embodiments of the present disclosure.

어떠한 실시예들에서는, 단일 장치의 제조를 위하여, 복수 개의 관통 영역(110i)을 갖는 마스크(200a)를 사용하여 증착을 수행할 수도 있다. 예컨대, 사이즈가 큰 단일 장치를 위하여 증착을 수행하는 경우, 그 단일 장치의 테두리에 대응되는 영역에만 지지체(100)가 존재하는 경우, 마스크 형성층(200)의 안정적인 지지가 어려울 수 있다. 이 경우, 복수 개의 관통 영역(110i)을 갖도록 하여 충분한 지지가 이루어질 수 있도록 할 수 있다. 이때, 관통 영역들(110i)은 서로 분리된 개별 관통 영역일 수도 있으나, 적어도 두 개의 관통 영역이 서로 연결된, 즉 서로에 대하여 개방된 관통 영역일 수도 있다. In some embodiments, deposition may be performed using a mask 200a having a plurality of through regions 110i for the manufacture of a single device. For example, when the deposition is performed for a single large device, when the support 100 exists only in an area corresponding to the edge of the single device, stable support of the mask forming layer 200 may be difficult. In this case, the plurality of through regions 110i may be provided to allow sufficient support to be made. In this case, the through regions 110i may be separate through regions separated from each other, but at least two through regions may be connected to each other, that is, through regions opened to each other.

도 20 및 도 21는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 증착방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 20 and 21 are cross-sectional views schematically illustrating an exemplary deposition method according to embodiments of the present disclosure.

어떠한 실시예들에서는, 복수 개의 관통 영역(110)을 갖는 마스크(200a)를 사용하여 증착을 수행한 후, 증착된 대상물(700)을 다이싱한 뒤, 후속 공정을 거쳐 상기 복수 개의 관통 영역(110)에 대응하는 수의 개별 장치들을 얻을 수 있다. In some embodiments, after the deposition is performed using the mask 200a having the plurality of through regions 110, the deposited object 700 is diced and then subjected to a subsequent process to perform the plurality of through regions ( A number of individual devices corresponding to 110 may be obtained.

본 명세서에서 설명된 실시예들은 함께 조합되거나, 대체하여 실시될 수 있다. 예컨대, 도 10의 실시예는 도 13의 실시예와 조합되어 실시될 수 있다. 즉, 마스크 형성층(200)의 일 면에는 도 10의 실시예에서와 같이 릴리이즈막(400)이 형성되고, 타면에는 도 13의 실시예에서와 같이 인터레이어(600)이 형성될 수 있다. 본 명세서에서는 모든 가능한 조합 실시예들 및 대체 실시예들을 다 일일이 열거하고 있지는 않으나, 당업자라면 본 명세서에 기재된 내용을 바탕으로 하는 다양한 조합 실시예와 대체 실시예가 가능함을 쉽게 이해할 수 있을 것이다. 이 밖에도, 청구된 내용의 사상과 범위를 벗어남이 없이 다양한 수정과 변형이 이루어질 수 있음은 당업자에게 명백할 것이다. 따라서, 청구항 사항은 첨부된 청구범위 및 이들의 균등물에 기초하는 것을 제외하고는 제한되게 해석되어서는 안 된다. Embodiments described herein may be combined together or alternatively implemented. For example, the embodiment of FIG. 10 may be implemented in combination with the embodiment of FIG. 13. That is, the release layer 400 may be formed on one surface of the mask formation layer 200 as in the embodiment of FIG. 10, and the interlayer 600 may be formed on the other surface as in the embodiment of FIG. 13. Not all possible combinations and alternatives are listed in the specification, but those skilled in the art will readily appreciate that various combinations and alternatives are possible based on the teachings herein. In addition, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made without departing from the spirit and scope of the claimed subject matter. Accordingly, the claims should not be construed as limited except as by the appended claims and their equivalents.

Claims (38)

마스크를 형성하게 될 마스크 형성층을 기판 상에 형성하는 것과,
상기 기판과 대향하는 상기 마스크 형성층의 제1 면과 반대되는 상기 마스크 형성층의 제2 면 상에 지지체를 형성하는 것과,
상기 마스크 형성층으로부터 상기 기판을 제거하는 것을 포함하고,
상기 지지체는 상기 지지체의 두께 방향으로 관통되는 관통 영역을 가져, 상기 관통 영역을 통하여 상기 마스크 형성층과 반대되는 상기 지지체의 측에 상기 마스크 형성층이 노출되는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
Forming a mask forming layer on the substrate to form a mask;
Forming a support on a second surface of the mask formation layer opposite to the first surface of the mask formation layer opposite the substrate;
Removing the substrate from the mask forming layer,
The support has a through area penetrating in the thickness direction of the support, through which the mask forming layer is exposed to the side of the support opposite to the mask forming layer, the mask manufacturing method supported by the support .
제1 항에 있어서,
상기 마스크 형성층을 형성하는 것에 앞서, 상기 기판 상에 릴리이즈막을 형성하는 것을 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
According to claim 1,
Prior to forming the mask formation layer, a method for manufacturing a mask supported by a support, further comprising forming a release film on the substrate.
제2 항에 있어서,
상기 릴리이즈막을 형성하기에 앞서, 상기 기판을 플라즈마 표면 처리하는 것을 추가적으로 포함하는, 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 2,
Prior to forming the release film, further comprising subjecting the substrate to plasma surface treatment.
제2 항에 있어서,
상기 기판을 제거하는 것은, 상기 마스크 형성층으로부터 상기 릴리이즈막을 릴리이즈하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 2,
Removing the substrate includes releasing the release film from the mask formation layer.
제4 항에 있어서,
상기 마스크 형성층으로부터 상기 릴리이즈막을 릴리이즈하는 것은, 상기 릴리이즈막에 광 또는 열을 인가하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 4, wherein
And releasing said release film from said mask formation layer comprises applying light or heat to said release film.
제5 항에 있어서,
상기 릴리이즈막에 상기 광을 인가하는 것은 상기 기판을 통하여 상기 릴리이즈막에 상기 광을 조사하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 5,
The applying of the light to the release film comprises a step of irradiating the light to the release film through the substrate, the mask manufacturing method supported by the support.
제6 항에 있어서,
상기 기판은 글라스 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 6,
The substrate is a mask manufacturing method supported by a support, characterized in that it comprises a glass substrate.
제5 항에 있어서,
상기 광은 자외선 광을 또는 레이저 광을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 5,
And wherein the light comprises ultraviolet light or laser light.
제5 항에 있어서,
상기 릴리이즈막은 포토레지스트막 또는 폴리머막을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 5,
The release film is a mask manufacturing method supported by a support, characterized in that it comprises a photoresist film or a polymer film.
제9 항에 있어서,
상기 광은 자외선 광이고, 상기 릴리이즈막은 포토레지스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 9,
Wherein said light is ultraviolet light and said release film comprises a photoresist.
제9 항에 있어서,
상기 광은 레이저 광이고, 상기 폴리머막은 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 9,
The light is laser light, the polymer film is a mask manufacturing method supported by a support, characterized in that the polyimide.
제1 항에 있어서,
상기 마스크 형성층을 형성하는 것은, 코팅 또는 라미네이션 방법을 통하여 상기 마스크 형성층을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
According to claim 1,
Forming the mask forming layer comprises forming the mask forming layer through a coating or lamination method.
제12 항에 있어서,
상기 코팅은 전기도금, 화학기상증착 또는 물리기상증착을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 12,
The coating is a mask manufacturing method supported by a support, characterized in that it comprises electroplating, chemical vapor deposition or physical vapor deposition.
제1 항에 있어서,
상기 마스크 형성층을 형성하는 것은, 상기 기판 상에 전도성을 갖는 시드막을 형성하고, 상기 시드막 상에 전기도금에 의하여 상기 마스크 형성층을 형성하는 것을 포함하는 마스크 제조방법.
According to claim 1,
Forming the mask forming layer includes forming a conductive seed film on the substrate, and forming the mask forming layer on the seed film by electroplating.
제14 항에 있어서,
상기 시드막은 크롬 및 티타늄 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 14,
The seed film is a mask manufacturing method supported by a support, characterized in that it comprises at least one of chromium and titanium.
제1 항에 있어서,
상기 마스크 형성층은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
According to claim 1,
The mask forming layer is a mask manufacturing method supported by a support, characterized in that the metal.
제16 항에 있어서,
상기 금속은 Ni-Fe 합금, Ni-Fe-Co 합금, Co, Ti, Cr 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 16,
The metal is a mask manufacturing method supported by a support, characterized in that it comprises at least one of Ni-Fe alloy, Ni-Fe-Co alloy, Co, Ti, Cr.
제1 항에 있어서,
상기 지지체를 형성하는 것은, 상기 마스크 형성층에 상기 지지체를 웰딩하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
According to claim 1,
Forming the support includes a mask manufacturing method supported by the support, characterized in that for welding the support to the mask forming layer.
제18 항에 있어서,
상기 웰딩은 레이저 웰딩을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 18,
The welding is a mask manufacturing method supported by a support, characterized in that it comprises a laser welding.
제19 항에 있어서,
상기 레이저 웰딩은, 상기 지지체를 통과하여 상기 마스크 형성층과 상기 지지체의 접촉 부위에 레이저를 조사하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 19,
And said laser welding comprises irradiating a laser to a contact portion of said mask forming layer and said support through said support.
제19 항에 있어서,
상기 레이저 웰딩은, 피코 세컨드 ~ 펨토 세컨드의 펄스 폭을 갖는 적외선 펄스 레이저를 사용하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 19,
The laser welding is a mask manufacturing method supported by a support, characterized in that using an infrared pulse laser having a pulse width of picoseconds to femtoseconds.
제19 항에 있어서,
상기 지지체를 형성하는 것은, 상기 레이저 웰딩에 앞서 상기 마스크 형성층에 인터레이어를 형성하는 것을 추가적으로 포함하고, 상기 레이저 웰딩은 자외선 레이저를 사용하여 상기 인터레이어에 상기 지지체를 웰딩하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 19,
Forming the support further includes forming an interlayer on the mask forming layer prior to the laser welding, wherein the laser welding comprises welding the support to the interlayer using an ultraviolet laser. Mask manufacturing method supported by a support to be.
제1 항에 있어서,
상기 지지체는 글라스 지지체를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
According to claim 1,
The support is a mask manufacturing method supported by a support, characterized in that it comprises a glass support.
제23 항에 있어서,
상기 글라스 지지체는 강화 글라스 지지체를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 23, wherein
The glass support is a mask manufacturing method supported by a support, characterized in that it comprises a reinforced glass support.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 관통 영역은 복수 개의 관통 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
According to claim 1,
The through area is a mask manufacturing method supported by a support, characterized in that it comprises a plurality of through areas.
제26 항에 있어서,
상기 기판은 상기 복수 개의 관통 영역에 대응되는 수의 개별 기판 들을 포함하고, 상기 마스크 형성층은 상기 복수 개의 관통 영역에 대응되는 수의 마스크 형성층 들을 포함하고,
상기 마스크 형성층을 형성하는 것은 상기 개별 기판 들과 상기 마스크 형성층 들이 각각 대응되게 상기 개별 기판 들 상에 상기 마스크 형성층 들을 각각 형성하는 것을 포함하고,
상기 지지체를 형성하는 것은 상기 마스크 형성층 들과 상기 복수 개의 관통 영역들이 각각 대응되게 상기 마스크 형성층 들 상에 상기 지지체를 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
The method of claim 26,
The substrate includes a number of individual substrates corresponding to the plurality of through regions, the mask formation layer includes a number of mask formation layers corresponding to the plurality of through regions,
Forming the mask formation layer includes forming the mask formation layers on the individual substrates so that the individual substrates and the mask formation layers respectively correspond,
The forming of the support may include forming the support on the mask forming layers such that the mask forming layers and the plurality of through regions correspond to each other.
제1 항에 있어서,
상기 관통 영역은 그 외접원의 직경이 1 인치 이상인 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
According to claim 1,
The through area is a mask manufacturing method supported by a support, characterized in that the diameter of the circumscribed circle is 1 inch or more.
제1 항에 있어서,
상기 마스크 형성층을 형성하는 것은, 상기 관통 영역을 통하여 노출될 상기 마스크 형성층의 노출 영역에 상기 마스크 형성층의 두께 방향으로 관통되는 복수 개의 관통 홀을 갖는 마스크 형성층을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
According to claim 1,
The forming of the mask forming layer includes forming a mask forming layer having a plurality of through holes penetrating in the thickness direction of the mask forming layer in an exposed area of the mask forming layer to be exposed through the through area. Mask manufacturing method supported by.
제1 항에 있어서,
상기 지지체를 형성하는 것 이후에, 그리고 상기 기판을 제거하기에 앞서 또는 이후에, 상기 관통 영역을 통하여 노출되는 상기 마스크 형성층의 노출 영역에 상기 마스크 형성층의 두께 방향으로 관통되는 복수 개의 관통 홀을 형성하는 것을 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
According to claim 1,
After forming the support and before or after removing the substrate, a plurality of through holes penetrated in the thickness direction of the mask forming layer are formed in the exposed area of the mask forming layer exposed through the through region. Mask manufacturing method supported by the support characterized in that it further comprises.
제1 항에 있어서,
상기 마스크 형성층은 100nm~1mm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
According to claim 1,
The mask forming layer is a mask manufacturing method supported by a support, characterized in that having a thickness of 100nm ~ 1mm.
제1 항에 있어서,
상기 마스크 형성층을 형성하는 것은, 상기 마스크 형성층을 열처리하고 서냉하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체에 의하여 지지되는 마스크 제조방법.
According to claim 1,
Forming the mask formation layer comprises a heat treatment and slow cooling the mask formation layer, the mask manufacturing method supported by the support.
마스크를 형성하게 될 마스크 형성층을 기판 상에 형성하는 것과,
상기 기판과 대향하는 상기 마스크 형성층의 제1 면과 반대되는 상기 마스크 형성층의 제2 면 상에 지지체를 형성하는 것과,
상기 마스크 형성층으로부터 상기 기판을 제거하는 것과,
상기 마스크를 사용하여 대상물에 증착을 수행하는 것을 포함하고,
상기 지지체는 상기 지지체의 두께 방향으로 관통되는 관통 영역을 가져, 상기 관통 영역을 통하여 상기 마스크 형성층과 반대되는 상기 지지체의 측에 상기 마스크 형성층이 노출되는 것을 특징으로 하는 증착방법.
Forming a mask forming layer on the substrate to form a mask;
Forming a support on a second surface of the mask formation layer opposite to the first surface of the mask formation layer opposite the substrate;
Removing the substrate from the mask forming layer;
Performing deposition on an object using the mask,
And the support has a through area penetrating in the thickness direction of the support, and the mask forming layer is exposed to the side of the support opposite to the mask forming layer through the through area.
제33 항에 있어서,
상기 관통 영역은 복수 개의 관통 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착방법.
The method of claim 33, wherein
And the through region comprises a plurality of through regions.
제34 항에 있어서,
상기 대상물은 상기 복수 개의 관통 영역에 대응되는 수의 대상물들을 포함하고,
상기 증착은, 상기 마스크를 사용하여 상기 대상물 들에 증착을 수행하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착방법.
The method of claim 34, wherein
The object includes a number of objects corresponding to the plurality of through areas,
And the deposition comprises performing deposition on the objects using the mask.
제34 항에 있어서,
상기 증착을 수행한 이후에, 상기 대상물을 다이싱하는 것을 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
The method of claim 34, wherein
After performing the deposition, further comprising dicing the object.
제33 항에 있어서,
상기 증착을 수행하는 것은 유기발광다이오드의 발광층을 증착하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착방법.
The method of claim 33, wherein
And performing the deposition comprises depositing a light emitting layer of an organic light emitting diode.
기판,
상기 기판 상에 형성되는 릴리이즈 가능하게 형성된 마스크 형성층 및
상기 마스크 형성층 상에 형성된 지지체를 포함하고,
상기 지지체는 상기 지지체의 두께 방향으로 관통되는 관통 영역을 가져, 상기 관통 영역을 통하여 상기 마스크 형성층과 반대되는 상기 지지체의 측에 상기 마스크 형성층이 노출되는 것을 특징으로 하는 구조체.
Board,
A mask forming layer formed on the substrate to be releasable; and
A support formed on the mask forming layer,
And the support has a through area penetrating in the thickness direction of the support, so that the mask forming layer is exposed on the side of the support opposite to the mask forming layer through the through area.
KR1020180040171A 2017-05-30 2018-04-06 Method of fabricating mask and deposition method KR102065683B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170066864 2017-05-30
KR20170066864 2017-05-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180131377A KR20180131377A (en) 2018-12-10
KR102065683B1 true KR102065683B1 (en) 2020-01-13

Family

ID=64670972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180040171A KR102065683B1 (en) 2017-05-30 2018-04-06 Method of fabricating mask and deposition method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102065683B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004349541A (en) * 2003-05-23 2004-12-09 Seiko Epson Corp Method for peeling and manufacturing thin film device, electrooptic device, and electronic equipment
JP2005236211A (en) * 2004-02-23 2005-09-02 Process Lab Micron:Kk Method for manufacturing conductive ball fixing mask

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3306963B2 (en) * 1993-03-09 2002-07-24 住友電気工業株式会社 Stencil mask forming method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004349541A (en) * 2003-05-23 2004-12-09 Seiko Epson Corp Method for peeling and manufacturing thin film device, electrooptic device, and electronic equipment
JP2005236211A (en) * 2004-02-23 2005-09-02 Process Lab Micron:Kk Method for manufacturing conductive ball fixing mask

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180131377A (en) 2018-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2904636B1 (en) Method and system for providing a releasable substrate on a carrier
TWI618805B (en) Deposition mask, method for manufacturing deposition mask, and method for manufacturing organic EL display device
JP6897734B2 (en) Transfer substrate
KR20210013337A (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask precursor, vapor deposition mask manufacturing method, and organic semiconductor element manufacturing method
JP6681739B2 (en) Method for manufacturing shadow mask and method for manufacturing display device
JP6357777B2 (en) Method for manufacturing laminated mask
TW201716601A (en) Method for producing deposition mask, deposition mask preparation body, method for producing organic semiconductor element, method for producing organic el display, and deposition mask
JP6424521B2 (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, and method of manufacturing organic semiconductor device
CN112267091B (en) Method for manufacturing vapor deposition mask, method for manufacturing organic semiconductor element, method for manufacturing organic EL display, vapor deposition mask preparation body, and vapor deposition mask
US10773427B2 (en) Roll type imprint master mold, method of manufacturing the same, and imprint method using the same
KR20200094094A (en) Vapor deposition mask and method of manufacture thereof, vapor deposition mask device and method of manufacture thereof, intermediate, vapor deposition method, and method for manufacturing organic el display device
JP6059575B2 (en) Method for producing substrate with transparent electrode, and laminate
CN108914056A (en) A kind of mask plate and preparation method thereof
KR102065683B1 (en) Method of fabricating mask and deposition method
KR20200065576A (en) Template for supporting mask, template for supporting mask metal sheet and producing methoe thereof and producing method of mask integrated frame
CN111485194A (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask device, method for manufacturing vapor deposition mask device, intermediate, vapor deposition method, and method for manufacturing organic E L display device
JP6566065B2 (en) Method for manufacturing vapor deposition mask, resin layer with metal mask, and method for manufacturing organic semiconductor element
CN113874539A (en) Method for producing resin thin film having fine pattern, method for producing organic EL display device, base film for forming fine pattern, and resin thin film with support member
KR20190132941A (en) Method for producing deposition mask and deposition method for organic light-emitting material
US20210210702A1 (en) Mask plate and manufacturing method thereof, flexible substrate stripping apparatus and flexible substrate stripping method
JP3120783B2 (en) Method of manufacturing mask for LIGA process
JP2017125264A (en) Method of manufacturing vapor deposition mask, resin layer with metal mask, and method of manufacturing organic semiconductor element
WO2021082183A1 (en) Dustproof structure and manufacturing method therefor
KR102560422B1 (en) Design method of frame used for mask integrated frame, reduce method of amount of deformation and frame
CN114133889B (en) Ultrathin shading adhesive tape and preparation method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant