KR102058754B1 - 세정 장치 - Google Patents

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야스토모 기무라
히로시 요시무라
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은 엣지 클램프식의 세정 장치에 있어서, 판형 워크의 유지와 유지의 개방을 행하는 유지 동작 기구, 및 세정중에서의 세정액의 비산을 방지하는 비산 방지 커버를 상하 이동시키는 상하 동작 기구의 제어를 용이화하는 것을 과제로 한다.
세정 장치(1)에서는, 판형 워크(W)의 세정 개시시에는, 비산 방지 커버(5)를 상승시키면, 클램프 아암(27)이 임시 배치부에 임시 배치되는 판형 워크(W)의 외측 둘레를, 스프링부(28)의 압박에 의해서 유지부(271)에서 클램프하여 유지하고, 세정 종료후에는, 비산 방지 커버(5)를 하강시키면, 누름부(52)가 작용부(272)를 누름으로써 유지부(271)가 판형 워크(W)의 외측 둘레측으로 이동하여 판형 워크(W)를 개방한다. 따라서, 판형 워크(W)를 클램프하기 위한 기구와 비산 방지 커버(5)를 상하 이동시키기 위한 기구를 개별로 설치하여 별개로 동작시킬 필요가 없어져, 동작 기구부를 적게 할 수 있다.

Description

세정 장치{CLEANING APPARATUS}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 판형 워크를 세정하는 세정 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 판형 워크에 대하여 연마 가공을 하면, 연마 부스러기 등이 판형 워크에 부착되기 때문에, 연마후에는, 세정 장치를 이용하여 판형 워크에 세정액을 분무하여 세정을 할 필요가 있다.
판형 워크를 세정하는 세정 장치에 있어서는, 세정 대상의 판형 워크를 유지하는 유지 수단이 필요로 되지만, 이러한 유지 수단으로는, 판형 워크의 하면을 흡인 유지하는 유지 테이블과, 판형 워크의 외측 둘레를 유지하는 엣지 클램프가 있다. 어느 정도의 두께가 확보되어 있는 판형 워크의 양면을 세정하는 경우는, 판형 워크의 외측 둘레부를 유지하는 엣지 클램프가 사용된다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 평11-031643호 공보
그러나, 엣지 클램프는, 판형 워크의 유지와 유지의 개방을 행하는 유지 동작 기구와, 세정중에서의 세정액의 비산을 방지하는 비산 방지 커버를 상하 이동시키는 상하 동작 기구를 구비하고 있고, 이들 2개의 동작 기구를 개별로 제어시킬 필요가 있었다.
본 발명은, 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 엣지 클램프식의 세정 장치에 있어서, 판형 워크의 유지와 유지의 개방을 행하는 유지 동작 기구 및 세정중에서의 세정액의 비산을 방지하는 비산 방지 커버를 상하 이동시키는 상하 동작 기구의 제어를 용이화하는 것을 과제로 한다.
본 발명은, 원반형의 판형 워크의 외측 둘레를 클램프하여 유지하는 클램프 수단과, 클램프 수단에 의해서 유지된 판형 워크를 판형 워크의 중심을 통과하는 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 수단과, 회전하는 판형 워크에 세정액을 분사하여 판형 워크를 세정하는 세정 수단과, 판형 워크를 세정 수단에 의해서 세정할 때에 세정액의 비산을 방지하는 비산 방지 커버와, 비산 방지 커버를 상하로 이동시키는 상하 동작 수단으로 적어도 구성되는 세정 장치에 관해, 클램프 수단은, 회전축에 연결되는 클램프 베이스와, 회전축을 중심으로 하여 균등한 각도로 클램프 베이스에 적어도 3개 배치되며 지점과 역점(力點)과 작용점을 구비하는 클램프 아암과, 클램프 베이스에 판형 워크의 외측 둘레 하면을 지지하여 임시 배치시키는 임시 배치부로 구성되고, 클램프 아암은, 중앙부를 지점으로 하여 회전 가능하게 지지되고, 지점보다 상측의 일단이 작용점이 되어 판형 워크의 외측 둘레를 클램프하는 유지부와, 타단이 외력을 받는 역점이 되어 유지부를 개폐시키는 작용부와, 클램프 아암에 압박되는 스프링력에 의해서 유지부에 판형 워크의 외측 둘레를 클램프시키는 스프링부로 구성되고, 비산 방지 커버는, 클램프 수단을 둘러싸는 링형상의 비산 방지부와, 상하 동작 수단에 의해서 하강할 때에 클램프 아암의 작용부를 누르는 누름부를 구비하고, 판형 워크의 세정 개시시에는, 비산 방지 커버를 상승시키고, 클램프 아암은, 임시 배치부에 임시 배치되는 판형 워크의 외측 둘레를 스프링부의 압박에 의해서 유지부에 있어서 클램프하여 유지하고, 세정 종료후에는, 비산 방지 커버를 하강시키고, 누름부가 작용부를 누름으로써 유지부가 판형 워크의 외측 둘레측으로 이동하여 판형 워크를 개방하고 판형 워크를 임시 배치부에 임시 배치한다.
상기 세정 장치에 있어서는, 클램프 수단을 구성하는 모든 부품이 도전성 부재로 형성되는 것이 바람직하다. 또, 세정 수단은, 클램프 수단에 의해서 유지되는 판형 워크의 상면에 세정액을 분사하는 제1 세정 노즐과, 판형 워크의 하면에 세정액을 분사하는 제2 세정 노즐을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 세정 장치에서는, 비산 방지 커버가, 클램프 수단을 둘러싸는 링형상의 비산 방지부와, 상하 동작 수단에 의해서 하강할 때에 클램프 아암의 작용부를 누르는 누름부를 구비하고 있고, 판형 워크의 세정 개시시에는, 비산 방지 커버를 상승시키면, 클램프 아암이 임시 배치부에 임시 배치되는 판형 워크의 외측 둘레를 스프링부의 압박에 의해서 유지부에서 클램프하여 유지하고, 세정 종료후에는, 비산 방지 커버를 하강시키면, 누름부가 작용부를 누름으로써 유지부가 판형 워크의 외측 둘레측으로 이동하여 판형 워크를 개방한다. 따라서, 판형 워크를 클램프하기 위한 기구와, 비산 방지 커버를 상하 이동시키기 위한 기구를 개별로 설치하여 별개로 동작시킬 필요가 없어져, 동작 기구부를 적게 할 수 있고, 동작 미스가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 세정 장치의 일례를 나타내는 종단면도이다.
도 2는 세정 장치의 클램프 수단 및 비산 방지 커버를 나타내는 평면도이다.
도 3은 판형 워크를 유지하지 않는 상태에서의 클램프 수단 및 비산 방지 커버의 일부를 확대하여 약시적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 클램프 수단이 판형 워크를 클램프한 상태의 세정 장치를 나타내는 종단면도이다.
도 5는 판형 워크를 유지한 상태에서의 클램프 수단 및 비산 방지 커버의 일부를 확대하여 약시적으로 나타내는 단면도이다.
도 1에 나타내는 세정 장치(1)는, 원반형으로 형성된 판형 워크(W)를 유지하여 세정하는 장치이며, 원반형의 판형 워크(W)의 외측 둘레를 클램프하여 유지하는 클램프 수단(2)과, 클램프 수단(2)에 의해서 유지된 판형 워크(W)를 회전시키는 회전 수단(3)과, 회전하는 판형 워크(W)에 세정액을 분사하는 세정 수단(4)과, 판형 워크를 세정 수단(4)에 의해서 세정할 때에 세정액의 비산을 방지하는 비산 방지 커버(5)와, 비산 방지 커버(5)를 상하로 이동시키는 상하 동작 수단(6)을 구비하고 있다.
클램프 수단(2)은, 도 2에 나타낸 바와 같이 원형으로 형성된 클램프 베이스(20)를 구비하고 있다. 클램프 베이스(20)의 외측 둘레측에는, 판형 워크(W)의 엣지를 고정하는 엣지 고정부(21)가 배치되어 있다. 엣지 고정부(21)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 클램프 베이스(20)의 둘레 방향으로 적어도 3개 등간격으로 배치되어 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 클램프 베이스(20)의 외측 둘레 단부 상측에는, 판형 워크(W)의 외측 둘레 하면을 하측으로부터 지지하는 임시 배치부(22)가 배치되어 있다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 임시 배치부(22)는, 클램프 베이스(20)의 둘레 방향으로 적어도 3개 등간격으로, 그리고 엣지 고정부(21)의 중간에 배치되어 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 세정 수단(4)은, 클램프 수단(2)에 의해서 클램프된 판형 워크(W)의 상측에 배치되어 있고, 세정액을 저장하는 탱크(40)와, 세정액을 하측을 향해서 분출하는 제1 세정 노즐(41)을 구비하고 있다.
클램프 베이스(20)의 중심 하부에는, 회전 수단(3)을 구성하는 회전축(30)이 연결되어 있다. 회전축(30)은 모터(31)에 연결되어 있고, 모터(31)는 회전축(30) 및 클램프 베이스(20)를 회전 구동시킨다. 또, 모터(31)에는, 전원(310) 및 인코더(311)가 접속되어 있다. 회전축(30)의 중심은, 클램프 수단(2)에 의해서 유지되는 판형 워크(W)의 중심과 일치한다.
회전축(30)의 내부에는, 세정액을 통과시키기 위한 액로(300)가 형성되어 있다. 액로(300)에는, 액체 도입구(301)로부터 액체를 도입할 수 있다. 이 액로(300)는, 클램프 베이스(20)의 중심을 통과하여 그 상측에 위치하는 제2 세정 노즐(200)에 연통하고 있어, 액체 도입구(301)로부터 도입된 액체는, 제2 세정 노즐(200)로부터 상측을 향해서 분사된다.
회전축의 주위에는, 클램프 베이스(20)를 회전 가능하게 하측으로부터 지지하는 받침 부재(29)가 배치되어 있다. 받침 부재(29)는, 원형으로 세워진 내측 둘레벽(290)과 외측 둘레벽(291)을 구비하고, 내측 둘레벽(290)의 하단과 외측 둘레벽(291)의 하단이 링형상의 바닥판(292)에 의해서 연결된 형상으로 되어 있다. 내측 둘레벽(290)과 외측 둘레벽(291)과 바닥판(292)에 의해 둘러싸인 공간은 오목부(293)를 형성하고 있고, 오목부(293)에는 사용한 세정액을 저장해 놓을 수 있다.
바닥판(292)에는 승강 부재(24)가 관통하고 있고, 승강 부재(24)의 상단에는 비산 방지 커버(5)가 나사 체결에 의해 고정되어 있다. 한편, 승강 부재(24)의 하단에는 승강판(23)이 연결되고, 승강판(23)은, 상하 동작 수단(6)에 의해서 구동되어 승강 가능하게 되어 있다. 상하 동작 수단(6)은, 승강판(23)에 연결된 로드(60)와, 로드(60)를 승강시키는 실린더(61)로 구성되어 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 비산 방지 커버(5)는, 클램프 수단(2)을 외측 둘레측으로부터 둘러싸는 링형상으로 형성되며 내측 둘레측을 향해서 상승하는 경사를 갖는 커버 부재인 비산 방지부(50)와, 승강 부재(24)에 고정되는 피고정부(51)를 구비하고 있다. 비산 방지 커버(5)는, 상하 동작 수단(6)에 의해서 구동되어 승강 가능하게 되어 있다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 엣지 고정부(21)는, 클램프 베이스(20)에 고정된 베이스부(26)와, 중앙부가 베이스부(26)에 의해서 축부(260)를 중심으로 하여 회전 가능하게 지지된 클램프 아암(27)을 구비하고 있다.
클램프 아암(27)은, 회전축(30)을 중심으로 하는 클램프 베이스(20)의 둘레 방향으로 적어도 3개 균등한 각도로 배치되고, 각각이 거의 연직 방향으로 세로로 길게 형성되어 있고, 축부(260)의 하측이자 클램프 베이스(20)측의 면에 오목부(270)가 형성되어 있다. 클램프 아암(27)의 상단부에는, 클램프 베이스(20)측으로부터 멀어짐에 따라서 상승하는 경사면을 갖는 움푹 패인 형상의 유지부(271)가 형성되어 있다. 유지부(271)는, 클램프 아암(27)의 지점인 축부(260)보다 상측의 일단에 형성되어 있고, 축부(260)를 중심으로 한 회전에 의해 판형 워크의 외측 둘레를 클램프하는 작용점이 된다. 또, 클램프 아암(27)의 하측의 타단에는, 외측 둘레측으로 돌출되고, 외력을 받는 역점이 되어 클램프 아암(27)을 회전시켜 유지부(271)를 개폐시키는 작용부(272)와, 하측으로 돌출된 로드(273)가 형성되어 있다.
베이스부(26)에는 스프링부(28)의 일단측이 수용되고, 클램프 아암(27)의 오목부(270)에는 스프링부(28)의 타단측이 수용되어 있고, 클램프 아암(27)은, 그 하부가 스프링부(28)에 의해서 클램프 베이스(20)의 외측 둘레측을 향해서 압박되고 있다. 스프링부(28)는, 클램프 아암(27)을 압박하여 스프링력에 의해서 유지부(271)에 판형 워크의 외측 둘레를 클램프시킨다.
클램프 아암(27)의 하측에는, 클램프 아암(27)의 상태를 검출하는 센서(7)가 배치되어 있다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 센서(7)는, 예컨대 광학식의 센서이며, 로드(273)가 바로 위에 존재하는지의 여부에 따라서, 클램프 아암(27)이 판형 워크(W)의 엣지를 클램프하고 있는지의 여부를 판단할 수 있다.
클램프 수단(2)을 구성하는 모든 부품, 즉, 적어도 클램프 베이스(20), 엣지 고정부(21) 및 임시 배치부(22)는, 도전성 부재에 의해서 형성되어 있어, 세정시에 판형 워크(W)에 정전기가 발생한 경우에 그 정전기를 방출할 수 있다.
비산 방지부(50)의 선단에는, 비산 방지 커버(5)가 하강했을 때에 클램프 아암(27)의 작용부(272)를 누르는 누름부(52)가 형성되어 있다.
판형 워크(W)의 세정시에는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 우선, 임시 배치부(22) 위에 판형 워크(W)를 배치함으로써, 클램프 베이스(20)에 판형 워크(W)를 임시 배치한다.
클램프 베이스(20)에 임시 배치된 판형 워크(W)의 세정 개시시에는, 상하 동작 수단(6)이 비산 방지 커버(5)를 상승시켜, 세정액이 외측 둘레측으로 비산하는 것을 방지할 수 있는 위치에 비산 방지부(50)를 위치시킨다.
비산 방지 커버(5)가 상승하면, 도 5에 나타낸 바와 같이, 스프링부(28)의 압박력에 의해서 클램프 아암(27)의 하부가 압박되기 때문에, 클램프 아암(27)이 축부(260)를 중심으로 하여 회전하고, 클램프 아암(27)의 일단의 유지부(271)가 판형 워크(W)의 외측 둘레를 클램프하여 유지한다. 유지부(271)가 판형 워크(W)의 외측 둘레를 클램프하면, 판형 워크(W)는, 유지부(271)의 경사면을 따라서 약간 상승함으로써 임시 배치부(22)로부터 이격되어, 임시 배치부(22)에 배치된 상태가 해제된다. 이와 같이, 비산 방지 커버(5)가 상승함으로써, 클램프 아암(27)이 연동하여 판형 워크(W)가 자동적으로 클램프 수단(2)에 의해서 클램프되기 때문에, 판형 워크를 클램프하기 위한 기구와, 비산 방지 커버를 상하 이동시키기 위한 기구를 개별로 설치하여 별개로 동작시킬 필요가 없어진다. 또, 개별의 제어가 불필요해짐으로써, 장치의 동작 미스가 생기는 것을 방지할 수 있다.
클램프 아암(27)의 유지부(271)가 판형 워크(W)의 외측 둘레를 클램프하면, 도 5에 나타낸 바와 같이 로드(273)가 센서(7)의 바로 위에 위치한다. 센서(7)는, 로드(273)가 바로 위에 존재하는 것을 검지하면, 클램프 아암(27)이 판형 워크(W)의 엣지를 클램프했다고 판단한다. 한편, 센서(7)가 로드(273)를 검지할 수 없는 경우는, 어떠한 이유에 의해 클램프 아암(27)이 원하는 회전을 하지 않고 판형 워크(W)를 클램프하지 않았다고 판단하여, 판형 워크(W)의 세정을 개시하지 않도록 한다. 이와 같이, 센서(7)에 의해서 클램프 아암(27)의 상태를 검출함으로써, 판형 워크(W)가 유지되어 있지 않은 상태로 세정이 개시되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
판형 워크(W)가 클램프 수단(2)에 유지되면, 도 4에 나타내는 회전 수단(3)이 클램프 베이스(20)를 회전시키고, 세정 수단(4)을 구성하는 제1 세정 노즐(41)로부터 세정액이 분사되어, 판형 워크(W)의 상면이 세정된다. 또, 액체 도입구(301)로부터 회전축(30)의 내부에 형성된 액로(300)에 액체가 도입되고, 그 액체가 제2 세정 노즐(200)로부터 상측으로 분출되어, 판형 워크(W)의 하면도 세정된다.
세정 종료후에는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 상하 동작 수단(6)이 비산 방지 커버(5)를 하강시킨다. 그리고, 누름부(52)가 작용부(272)를 누름으로써, 유지부(271)가 판형 워크(W)의 외측 둘레측으로 이동하여 판형 워크(W)의 클램프 상태를 개방한다. 이 때, 판형 워크(W)는, 유지부(271)의 경사면을 따라서 약간 하강하여, 임시 배치부(22) 위에 임시 배치된 상태로 되돌아간다.
1 : 세정 장치 2 : 클램프 수단
20 : 클램프 베이스 200 : 제2 세정 노즐
21 : 엣지 고정부 22 : 임시 배치부
24 : 승강 부재 23 : 승강판
26 : 베이스부 260 : 축부(지점)
27 : 클램프 아암 270 : 오목부
271 : 유지부(작용점) 272 : 작용부(역점)
273 : 로드 28 : 스프링부
29 : 받침 부재 290 : 내측 둘레벽
291 : 외측 둘레벽 292 : 바닥판
293 : 오목부 3 : 회전 수단
30 : 회전축 300 : 액로
31 : 모터 310 : 전원
311 : 인코더 4 : 세정 수단
40 : 탱크 41 : 제1 세정 노즐
5 : 비산 방지 커버 50 : 비산 방지부
51 : 피고정부 52 : 누름부
6 : 상하 동작 수단 60 : 로드
61 : 실린더 7 : 센서

Claims (3)

  1. 원반형의 판형 워크의 외측 둘레를 클램프하여 유지하는 클램프 수단과, 상기 클램프 수단에 의해서 유지된 판형 워크를, 상기 판형 워크의 중심을 통과하는 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 수단과, 회전하는 상기 판형 워크에 세정액을 분사하여 상기 판형 워크를 세정하는 세정 수단과, 상기 판형 워크를 상기 세정 수단에 의해서 세정할 때에 상기 세정액의 비산을 방지하는 비산 방지 커버와, 상기 비산 방지 커버를 상하로 이동시키는 상하 동작 수단으로 적어도 구성되는 세정 장치로서,
    상기 클램프 수단은, 상기 회전축에 연결되는 클램프 베이스와, 상기 회전축을 중심으로 하여 균등한 각도로 상기 클램프 베이스에 적어도 3개 배치되며 지점과 역점(力點)과 작용점을 구비하는 클램프 아암과, 상기 클램프 베이스에 판형 워크의 외측 둘레 하면을 지지하여 임시 배치시키는 임시 배치부로 구성되고,
    상기 클램프 아암은, 중앙부를 지점으로 하여 회전 가능하게 지지되고, 상기 지점보다 상측의 일단이 작용점이 되어 판형 워크의 외측 둘레를 클램프하는 유지부와, 타단이 외력을 받는 역점이 되어 상기 유지부를 개폐시키는 작용부와, 상기 클램프 아암에 압박되는 스프링력에 의해서 상기 유지부에 판형 워크의 외측 둘레를 클램프시키는 스프링부와, 상기 지점보다도 아래쪽으로 돌출된 로드로 구성되고,
    상기 로드가 바로 위에 존재하는지 여부에 기초하여 상기 클램프 아암이 판상 워크의 외측 둘레를 클램프하고 있는지 여부를 판단하는 센서를 구비하며,
    상기 비산 방지 커버는, 상기 클램프 수단을 둘러싸는 링형상의 비산 방지부와, 상기 상하 동작 수단에 의해서 하강할 때에 상기 클램프 아암의 상기 작용부를 누르는 누름부를 구비하고,
    판형 워크의 세정 개시시에는, 상기 비산 방지 커버를 상승시키고, 상기 클램프 아암은, 상기 임시 배치부에 임시 배치되는 판형 워크의 외측 둘레를 상기 스프링부의 압박에 의해서 상기 유지부에서 클램프하여 유지하고, 상기 센서의 바로 위에 상기 로드가 존재하는 것을 상기 센서가 검지하면 판상 워크의 외측 둘레를 클램프할 수 있다고 판단하여 판상 워크를 세정하고, 세정 종료후에는, 상기 비산 방지 커버를 하강시키고, 상기 누름부가 상기 작용부를 누름으로써 상기 유지부가 판형 워크의 외측 둘레측으로 이동하여 판형 워크를 개방하고 상기 판형 워크를 상기 임시 배치부에 임시 배치하는 것인 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 클램프 수단을 구성하는 모든 부품은 도전성 부재로 형성되는 것인 세정 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 세정 수단은, 상기 클램프 수단에 의해서 유지되는 판형 워크의 상면에 세정액을 분사하는 제1 세정 노즐과, 상기 판형 워크의 하면에 세정액을 분사하는 제2 세정 노즐을 포함하여 구성되는 것인 세정 장치.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105222562A (zh) * 2015-09-22 2016-01-06 桂林市鑫隆机电工程有限责任公司 一种干燥设备的冲洗装置
JP6554392B2 (ja) * 2015-11-12 2019-07-31 株式会社ディスコ スピンナー装置
KR101770221B1 (ko) * 2016-05-03 2017-08-22 (주)에스티아이 기판지지장치
CN112230006A (zh) * 2020-09-30 2021-01-15 柳州市妇幼保健院 一种尿液检测设备
CN112103239B (zh) * 2020-11-23 2021-02-12 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种用于在硅片目视检测过程中夹持硅片的装置
CN114203600A (zh) * 2021-12-14 2022-03-18 北京烁科精微电子装备有限公司 一种工件处理装置及具有其的cmp后清洗设备
CN115090458A (zh) * 2022-08-29 2022-09-23 深圳市圭华智能科技有限公司 一种半导体激光切割喷胶涂覆组件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200238129Y1 (ko) 1998-12-28 2001-11-15 김영환 반도체웨이퍼세정장비의웨이퍼뒷면이물제거장치
JP2007049005A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Speedfam Co Ltd スピン乾燥機のためのワーク把持装置
JP2012004320A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
KR101344143B1 (ko) 2011-12-02 2013-12-20 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 스핀 처리 장치 및 스핀 처리 방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3831043B2 (ja) * 1997-01-24 2006-10-11 東京エレクトロン株式会社 回転処理装置
TWI373804B (en) * 2007-07-13 2012-10-01 Lam Res Ag Apparatus and method for wet treatment of disc-like articles

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200238129Y1 (ko) 1998-12-28 2001-11-15 김영환 반도체웨이퍼세정장비의웨이퍼뒷면이물제거장치
JP2007049005A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Speedfam Co Ltd スピン乾燥機のためのワーク把持装置
JP2012004320A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
KR101344143B1 (ko) 2011-12-02 2013-12-20 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 스핀 처리 장치 및 스핀 처리 방법

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