KR102054351B1 - 활성화제 수용액 및 레이저-직접 구조화된 기판 위에 구리를 무전해 침착하는 방법 - Google Patents

활성화제 수용액 및 레이저-직접 구조화된 기판 위에 구리를 무전해 침착하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 활성화제 수용액 및 레이저 직접 구조화된 기판 표면 위에 구리를 무전해 침착시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 강 환원제를 함유하는 활성화제 수용액이 LDS 기판의 방사선조사된 표면 영역의 촉매 활성을 향상시키는 것으로 제안된다.

Description

활성화제 수용액 및 레이저-직접 구조화된 기판 위에 구리를 무전해 침착하는 방법{AQUEOUS ACTIVATOR SOLUTION AND PROCESS FOR ELECTROLESS COPPER DEPOSITION ON LASER-DIRECT STRUCTURED SUBSTRATES}
개시된 본 발명은 활성화제(activator) 수용액 및 레이저 직접 구조화된 기판 표면 위에 구리를 무전해 침착하는 방법에 관한 것이다.
레이저 직접 구조화(laser direct structuring: LDS)는 전기 및 전자 장치 생산 분야에 공지된 방법이다. 특히 소형화를 목적으로 하는 경우, LDS는 장치의 크기를 축소시킬 수 있게 하고, 동시에 더 큰 기능성, 예컨대 고밀도 회로를 구비할 수 있게 한다. 이러한 전자 장치의 예는 성형된 상호접속 장치(MID)라고도 알려진 사출-성형된 회로 캐리어이다. MID는 3차원으로 설계된다(3D-MID). 이러한 3D-MID의 1가지 의도는 단일 부품에 전기적 기능성과 기계적 기능성을 결합시키는 것이다. 이러한 장치에서 회로 경로(path)는 하우징에 통합되어, 종래의 회로판을 대체한다. 이러한 장치의 중량과 패키지 크기는 고전적인 전자 장치에 비해 훨씬 축소되고, 추가 기능의 통합, 예컨대 센서 또는 안테나의 통합이 간단해진다. MID 기술은 더 큰 설계 자유 및 단축된 공정 체인으로 인한 유의적인 합리화 가능성을 제공한다. MID의 레이저 구조화 방법에 의하면, 복합 3차원 캐리어 구조 위에 고해상 회로 레이아웃도 생산할 수 있어, 종래 한 장치에서 별도의 단위였던 회로판과 케이싱(casing)을 통합시킬 수 있다.
MID 기술의 주요 이용분야는 자동차 전자장치 및 전기통신 분야이다. 하지만, 컴퓨터 기술 분야, 가사 분야, 뿐만 아니라 의료 장치 분야에서도 MID 기술의 이점이 활용된다.
이러한 MID를 생산하는 다양한 기술 중에서, 부가(additive) 또는 삭감(subtractive) 레이저 구조화가 잘 알려져 있다.
US 2004/0241422에 따르면, 회로 경로의 레이저 구조화 방법이 개시된다. 이 방법에서 회로 경로 구조는 전기적 비전도성 캐리어 물질 위에 생성되고, 여기서 경로들은 금속 씨드(seed)로 이루어지며, 이어서 이 씨드에 금속화가 이루어진다. 이 금속 씨드는 캐리어 물질에 미분쇄된 형태로 함유되는 전기적 비전도성 금속 화합물이 전자기 복사선에 의해 융기(raising)되어 생성되었다. 이로써, 전기적 비전도성 금속 화합물은 수성 산성 또는 알칼리성 금속화 배쓰(bath)에서 불용성이고 안정하며 레이저가 조사되지 않은 영역에서 변경되지 않은 채 유지되는 열적으로 매우 안정한 무기 금속 화합물로 형성되어 있다. 이 공정은 회로 경로가 집속된 레이저 빔에 의해 활성화될 때 실현되어야 하는 트랙 위의 점재된(doted) 열가소성 물질을 기반으로 한다. 이와 같이 활성화된 트랙은 이어서 무전해 구리 도금조와 같은 도금조에서 금속화된다.
오늘날, 레이저 활성화 시 필요한 금속 씨드를 방출하는 합성된 금속-유기 착물이 이미 도핑되어 있는 캐리어 물질은 여러 가지가 이용가능하다. 이러한 캐리어 물질의 예는 폴리카보네이트, 폴리카보네이트 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌 블렌드, 폴리아미드, 폴리우레탄 수지, 액정 중합체, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 이의 공중합체이다.
EP1584708 A2는 레이저에 의해 구조화된 플라스틱 기판을 처리하는 방법 또는 후속 금속화에 적합한 씨드 구조를 표면 위에 생성하는 방법을 개시한다. 레이저 구조화 후 기판은 레이저 구조화 시 발생하는 의도치 않은 침착물의 제거에 적합한 공정 용액(process solution)과 접촉시킨다. 레이저-구조화된 기판의 금속화전 클리닝을 지원하는 조성물과 습윤화제 혼합물에 의한 처리는 의도치 않게 침착된 금속 씨드를 충분히 제거하여, 계획된 구조화된 표면 경로 위에 지속적인 손상 효과를 미치지 않는다.
US 2007/0163887 A1은 회로 캐리어를 제조하는 방법 및 이 방법의 용도를 개시하며, 상기 방법은 인쇄회로판을 제공한 후(a), 이 회로판의 한 면 이상에 유전체(dielectric)를 코팅하고(b), 이 유전체를 레이저 융삭(ablation)으로 구조화하여 트렌치(trench)와 비아(via)를 생성하는 것(c)을 포함한다. 그 다음, 유전체 전체 표면 위에 또는 생성된 트렌치와 비아 내에만 프라이머(primer) 층이 침착된다(d). 이 프라이머 층 위에 금속 층이 침착되어, 트렌치와 비아는 금속으로 완전히 충전되어 내부에 전도체 구조를 형성한다(e). 마지막으로, 만일 전체 표면 위에 프라이머 층이 침착되었다면, 유전체가 노출될 때까지 과량의 금속 및 프라이머 층은 제거하고, 전도체 구조는 무손상(intact) 상태로 유지된다(f).
LDS용 촉매 충전된 플라스틱은 무전해 구리 도금 용액을 사용하여 레이저-활성화된 영역에 구리 도금될 수 있다. 실제로, 레이저 구조화된 기판 영역 위에서 구리 성장의 개시는 플라스틱 기판 위의 팔라듐 활성화된 구리 도금에 비해 느리다. 이것은 모바일폰 안테나 등에 널리 사용되는 ABS 또는 ABS/PC 블렌드와 같은 플라스틱인 경우에 특히 그러하다. 긴 침착 시간 및/또는 활성화된 영역의 불충분한 도포율(coverage)이 관찰된다. 이러한 단점을 극복하기 위해, 오늘날의 공정에서는 종종 2단계 도금 구상이 사용된다. 제1 단계에서는 고활성이나 불안정한 도금 전해질 용액이 사용되어, 빠른 도포율(플래시 구리)을 제공한다. 이어서, 도금될 표면에 이미 구리가 침착되어 있는 경우에만 작용하는 더욱 안정한 전해질 용액이 사용된다. 이러한 2단계 구상은 시간 및 비용 집약적이다.
따라서, 본 발명의 목적은 레이저 직접 구조화된 장치 위에 구리를 침착시키는 방법을 개량하는, 특히 구리 침착 공정에 필요한 시간을 단축시키는 수단을 제공하는 것이다.
다른 관점에서, 본 발명의 목적은 레이저 직접 구조화된 기판 위에 구리를 무전해 침착시키는 개량된 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 구리 침착 방법을 개량하기 위한 수단과 관련하여, 강한 환원제를 함유하는, 레이저 직접 구조화된 기판용 활성화제 수용액을 제안한다.
놀랍게도, 무전해 도금 전에 레이저 직접 구조화된 기판을 강한 환원제를 함유하는 활성화제 용액과 접촉시키면 구리 침착이 유의적으로 향상된다는 것을 발견했다. 환원제는 LDS 기판의 방사선조사된(irradiated) 표면의 촉매 활성을 증진시키고, 이로 인해 결과적으로 무전해 구리 침착의 개시가 향상되는 것으로 생각된다. 결과적으로, 개시 및 도금 시간이 훨씬 단축된다. 또한, 무전해 구리 전해질은 침착 공정뿐 아니라 사용된 전해질의 안정성이 증가되는 낮은 에너지 수준에서 열역학적 및 동역학적으로 작동할 수 있다. 이것은 당업계의 현 상태에서 공지된 무전해 공정에 비해 유의적인 환경적 및 경제적 이점이 있는 공정을 제공한다.
또한, 개량된 침착으로 인해, 바람직한 두께의 침착된 구리 층을 구축하기 위한 제2 구리 공정의 사용을 더 이상 필요치 않는다. 이는 구리 도금 단계의 전체 공정 시간을 단축시켜, 본 발명에 추가적인 경제적 이점을 제공한다.
본 발명의 한 양태에 따르면, 활성화제 용액은 네른스트(Nernst) 환원 전위 E°가 ≤+0.35V인 환원제를 포함한다.
네른스트 환원 전위는 다음과 같은 식에 따라 계산한다:
Figure 112014044400797-pct00001
여기서, E는 환원 전위이고, E°는 표준 환원 전위이며, R은 보편 기체 상수이고, T는 절대온도 K이며, a는 산화환원 파트너의 단순 농도로 치환될 수 있는 관련 산화환원 파트너의 화학적 활성이고, F는 패러데이 상수이고, ze는 산화환원 반응에서 전이된 전자 수이다.
이러한 환원 전위를 가진 환원제는 LDS 기판의 방사선조사된 표면의 촉매 활성을 증진시킬 수 있는 것으로 발견되었다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 활성화제 용액에 포함된 환원제는 알칼리 보로하이드라이드, 알칼리 설파이트, 알칼리 디티오나이트, 알칼리 티오설페이트, 및 아연 또는 이의 혼합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 적어도 1종의 화합물이다. 바람직하게는, 활성화제 용액에 포함된 환원제는 소듐 보로하이드라이드, 리튬 보로하이드라이드, 디메틸아미노보란, 소듐 설파이트, 리튬 설파이트, 소듐 디티오나이트, 리튬 디티오나이트, 소듐 티오설페이트, 소듐 하이포포스파이트, 및 리튬 티오설페이트, 포름알데하이드, 암모늄 포미에이트, 글리옥살산, 레조신(resorcin), 하이드라진, 하이드라진 수화물, 또는 이의 혼합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 적어도 1종의 화합물이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 환원제는 활성화제 용액에 0.001mol/l 이상 내지 5.0 mol/l 이하 사이의 범위로 포함될 수 있다. 0.001 mol/l 이상의 농도에서 이미 LDS 기판의 방사선조사된 표면의 촉매 활성은 유의적으로 향상된 것으로 발견되었다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 활성화제 용액은 추가로 안정제, 착물화제 및 계면활성제로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 적어도 1종의 첨가제를 포함한다. 이러한 첨가제의 예는 페난트롤린, 예컨대 1,10-페난트롤리늄 클로라이드, 바이피리딘, 페난트렌, 예컨대 네오쿠프로인, 치놀린, 예컨대 벤조치놀린 및 쿠프로인-2,2'-바이치놀린, 바소쿠프로인디설폰산, 디티존, 디페닐카바존, 디페닐카바지드, 아조 화합물, 예컨대 메틸 오렌지, 5원 복소환식 고리, 예컨대 피롤, 피라졸, 이미다졸, 1,2,4-트리아졸, 1,2,4-벤조트리아졸, 티오펜 및 티아졸, 6원 복소환식 고리, 예컨대 피리딘 및 니코틴산, 티오우레아, 우레아, 디티오옥사미드, 2-머캅토벤조티아졸, 아세트아미드, 시안화나트륨, 레이네케(reinecke) 염 (NH4[Cr(NCS)4(NH3)2]·H2O), 쿠프론(α-벤조인 옥심)[알파-벤조인 옥심], 및 쿠페론(N-니트로소-N-페닐하이드록실아민의 암모늄 염)이다.
본 발명의 다른 바람직한 양태에 따르면, 활성화제는 pH 값이 pH 0 이상, pH 14 이하 범위이다. 놀랍게도, 본 발명의 활성화제 용액은 포함된 환원제에 따라 강산부터 강알칼리에 이르기까지 pH 값의 전체 범위 상에서 작업할 수 있다.
다른 관점에 따르면, 본 발명은 레이저 직접 구조화된 기판 표면 위에 구리 층을 무전해 침착하는 방법으로서,
- 레이저 직접 구조화된 기판을 제공하는 단계;
- 제공된 기판을 레이저 직접 구조화된 기판용 활성화제 수용액과 접촉시키되, 상기 용액이 강 환원제를 함유하여 활성화된 기판을 달성하는 단계; 및
- 활성화된 기판을 무전해 구리 도금 전해질과 접촉시키는 단계를 포함하는 방법에 관한 것이다.
바람직하게는, LDS 기판은 활성화제 용액과 5℃ 이상 내지 95℃ 이하의 온도 범위에서 접촉되고, 바람직한 범위는 15℃ 내지 40℃이다.
또한, LDS 기판은 활성화제 용액과 10초 이상 내지 60분 이하 범위의 시간 동안 접촉시키는 것이 바람직하다. 접촉시킨다 란, 예컨대 기판을 활성화제 용액에 침지시키는 것, 활성화제 용액을 기판 위에 분무하는 것 또는 LDS 기판의 방사선조사된 표면 영역과 활성화제 용액에 포함된 환원제를 화학 반응시킬 수 있는 임의의 다른 적당한 방식인 것으로 이해되어야 한다.
놀랍게도, 본 발명의 방법은 임의의 통상의 LDS 기판 물질, 예컨대 폴리아미드(PA), 폴리우레탄 수지(PU), 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 액정 중합체(LCP), 폴리프탈아미드(PPA), 블렌드, 공중합체 또는 이들의 복합 구조물 위에 무전해 구리 침착을 향상시킬 수 있는 것으로 발견되었다. 시판 물질의 예는 Ultramid® T4381 LDS, Ultramid® T 4381 LDS sw 23215, Ultradur® B4300GM24 LDS(모두 BASF AG 제품); Pocan® DP7102 LDS, Pocan® DPT7140 LDS(둘 모두 Lanxess 제품); Vectra® E840i LDS(Ticona GmbH 제품); RTP 2599 X 113384A, RTP 2599 X 113384 C, RTP 2599 X 113384D, RTP 399 X 113385B, RTP 3499-3 X 113393A, RTP 4099 X 117359 D(모두 RTP Co. 제품); Stanyl®ForTii™ NC 1107A, Stanyl®ForTii™ NC 1119D(DSM Engeneering Plastics B.V. 제품); Xantar® LDS 3710, Xantar® RC 3711, Xantar® LDS 3720, Xantar® RC 3722, Xantar® RC 3723, Xantar® LDS 3730, Xantar® RX 3732, Xantar® RX 3733, Lupilon MTB1000R 8920F(모두 Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation 제품); Vestodur® X9423, Vestamid® HTplus TGP 3586, Vestamid® HTplus TGP 3586(Evonik Industries 제품); TPJF231F(Wah Hong Industrial Corp. 제품); NX07354, NX07354P, NX10302, UX08325, NX11302(모두 Sabic Innovative Plastics 제품); 및 Grilamid 1SBVX-50H LDS(EMS-Chemie AG 제품)이다.
이하, 본 발명은 다음 실시예를 통해 더 상세히 설명된다.
LDS(레이저 직접 구조화된) 기판은 다음과 같은 공정 단계에 따라 처리한다(단계 간의 세정(Rinsing)은 임의적이어서 별도로 나열하지 않는다):
1) 기판을 플라스틱의 안정성에 따라 산 또는 알칼리 클렌저(cleanser) 용액에서 상온 내지 50℃ 이하의 온도 하에 5분 내지 20분 동안 클렌징하는 단계;
2) 클렌징된 기판을 환원제를 함유하는 본 발명의 활성화제 용액에서 25℃ 내지 90℃ 이하의 온도에서 5분 내지 1h 동안 침지시키는 단계;
3) 선택 단계: 활성화된 기판을 금속 염 함유 용액에서 상온 내지 약 50℃의 온도에서 5분 내지 30분 동안 침지시키는 단계;
4) 전처리된 기판을 LDS Cu400(Enthone Corp. 제품)과 같은 무전해 구리 도금 용액에서 달성하고자 하는 침착 두께에 따라, 30℃ 내지 70℃ 이하의 온도에서 30분 내지 2시간 동안 침지시키는 단계.
선택 단계 3)에서 사용된 금속염 함유 용액은 CuSO4, PdCl2, 또는 또 다른 적당한 금속의 염과 같은 금속 염을 0.0001 mol/l 내지 0.1 mol/l의 농도로 함유한다.
단계 2)에서 사용된 활성화제 용액이 알칼리 용액이라면, 후속 산 세정 단계 또는 산 침지후 단계는 권장된다.
다음 표는 본 발명에 따른 활성화제 용액 조성물의 예를 포함한다. 산성 환경은 약 pH 2 또는 그 이하를 의미하고, 중성 환경은 약 pH 5 내지 8을 의미하며, 알칼리성 환경은 약 pH 12 또는 그 이상을 의미한다. 활성화제 용액 내의 환원제의 농도는 0.01 mol/l였다.
Figure 112014044400797-pct00002
Figure 112014044400797-pct00003
본 발명의 구성요소 또는 이의 바람직한 양태(들)을 소개할 때, 단수적 표현과 "상기"란 표현은 구성요소들이 하나 이상 존재한다는 것을 의미하려는 것이다. "함유하는", "포함하는" 및 "보유하는"이란 표현은 개방적 표현으로서, 나열된 구성요소 외에 다른 추가 구성요소가 있을 수 있음을 의미한다.
본 발명의 범위를 벗어남이 없이 상기한 것에 다양한 변화가 있을 수 있으므로, 상기 명세서에 함유된 모든 구성부재는 예시적인 것으로 해석되어야 하며, 제한적 의미가 아닌 것이다. 본 발명의 범위는 후속 특허청구범위에 의해 한정되고 상기 양태들에 대한 변형은 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위에서 이루어질 수 있다.

Claims (19)

  1. 레이저 직접 구조화된(LDS) 기판의 금속 씨드를 활성화시킨 후, 레이저 직접 구조화된 기판의 표면 상에 구리층을 무전해 증착하는 방법에 있어서,
    - 상기 레이저 직접 구조화된 기판을 상기 레이저 직접 구조화된 기판에서 노출된 금속 씨드를 활성화시키기 위해 네른스트(Nernst) 환원 전위 E°≤+0.35V를 갖는 환원제를 포함하는 활성화제 용액과 접촉시키는 단계; 및
    - 노출된 금속 씨드에 구리를 침착시키기 위해 활성화된 기판을 무전해 구리 도금 조성물과 접촉시키는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 기판이 ≥5℃내지 ≤95℃사이의 범위인 온도에서 활성화제 용액과 접촉되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 기판이 활성화제 용액과 ≥10초와 ≤30분 사이의 범위의 시간 동안 접촉하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 기판이 적어도 부분적으로 폴리아미드(PA), 폴리우레탄 수지(PU), 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 액정 중합체(LCP), 폴리프탈아미드(PPA), 블렌드, 공중합체, 또는 이들의 복합 구조물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 물질로 제조된 것인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 기판을 활성화제 용액을 접촉시킨 후, 활성화된 기판을 무전해 구리 도금 조성물과 접촉시키기 전에, 기판을 금속 염 용액과 접촉시키는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 기판이 CuSO4 및 PdCl2 중 적어도 하나를 함유하는 금속 염 용액과 접촉되는 방법.
  7. 제5항에 있어서, 금속 염 용액 중의 금속 염의 농도가 ≥0.0001mol/l 내지 ≤0.1mol/l 사이의 범위인 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 환원제가 알칼리 보로하이드라이드, 알칼리 설파이트, 알칼리 디티오나이트, 알칼리 티오설페이트 및 아연 또는 이의 혼합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나인 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 환원제가 소듐 보로하이드라이드, 리튬 보로하이드라이드, 디메틸아미노보란, 소듐 설파이트, 리튬 설파이트, 소듐 디티오나이트, 리튬 디티오나이트, 소듐 티오설페이트, 소듐 하이포포스파이트, 및 리튬 티오설페이트, 포름알데하이드, 암모늄 포미에이트, 글리옥살산, 레조신(resorcin), 하이드라진, 하이드라진 수화물, 또는 이의 혼합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나인 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 환원제는 활성화제 용액에 0.001mol/l 이상 내지 5.0mol/l 이하 사이의 범위인 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 활성화제 용액은 추가로 안정제, 착물화제 및 계면활성제로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 적어도 1종의 첨가제를 포함하는 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 활성화제 용액은 pH 값이 pH 0 이상, pH 14 이하의 범위를 가지는 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 레이저 직접 구조화된 기판을 상기 활성화제 용액과 접촉시키기 전에,
    비전도성 기판에 매립된 비전도성 금속-유기 화합물을 포함하는 기판을 레이저 구조화하여 상기 레이저 직접 구조화된 기판을 제조하기 위해 금속 씨드를 방출시키는 단계를 더 포함하며,
    상기 레이저 직접 구조화된 기판을 상기 활성화제 용액과 접촉시키는 단계는 구리의 후속적인 무전해 증착을 위해 금속 씨드를 활성화시키는 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 기판을 5 ℃이상 95 ℃이하 범위의 온도에서 상기 활성화제 용액과 접촉시키고;
    상기 기판은 10 초 이상 30 분 이하 범위의 시간 동안 상기 활성화제 용액과 접촉되며;
    상기 기판은 적어도 부분적으로 폴리 아미드(PA), 폴리 우레탄 수지(PU), 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 액정 중합체(LCP), 폴리프탈아미드(PPA), 블렌드, 공중합체 또는 이들의 복합 구조물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 물질로 제조되고;
    상기 환원제가 알칼리 보로하이드라이드, 알칼리 설파이트, 알칼리 디티오나이트, 알칼리 티오설페이트 및 아연 또는 이의 혼합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나이고, 상기 환원제는 활성화제 용액에 0.001mol/l 이상 및 5.0mol/l 이하 사이의 범위로 포함되는 방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 기판을 5 ℃이상 95 ℃이하 범위의 온도에서 상기 활성화제 용액과 접촉시키고;
    상기 기판은 10 초 이상 30 분 이하 범위의 시간 동안 상기 활성화제 용액과 접촉되며;
    상기 기판은 적어도 부분적으로 폴리 아미드(PA), 폴리 우레탄 수지(PU), 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 액정 중합체(LCP), 폴리프탈아미드(PPA), 블렌드, 공중합체 또는 이들의 복합 구조물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 물질로 제조되고;
    상기 환원제가 소듐 보로하이드라이드, 리튬 보로하이드라이드, 디메틸아미노보란, 소듐 설파이트, 리튬 설파이트, 소듐 디티오나이트, 리튬 디티오나이트, 소듐 티오설페이트, 소듐 하이포포스파이트, 및 리튬 티오설페이트, 포름알데하이드, 암모늄 포미에이트, 글리옥살산, 레조신(resorcin), 하이드라진, 하이드라진 수화물, 또는 이의 혼합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나이고, 상기 환원제는 활성화제 용액에 0.001mol/l 이상 내지 5.0mol/l 이하 사이의 범위로 포함되는 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 활성화제 용액과 상기 기판을 접촉시킨 후, 활성화된 기판을 무전해 구리 도금 조성물과 접촉시키기 전에,
    상기 기판을 CuSO4 및 PdCl2 중 적어도 하나를 함유하는 금속 염 용액과 접촉시키고,
    상기 금속 염 용액 중의 금속 염의 농도가 ≥0.0001mol/l 내지 ≤0.1mol/l 사이의 범위인 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 활성화제 용액과 상기 기판을 접촉시킨 후, 활성화된 기판을 무전해 구리 도금 조성물과 접촉시키기 전에,
    상기 기판을 CuSO4 및 PdCl2 중 적어도 하나를 함유하는 금속 염 용액과 접촉시키고,
    상기 금속 염 용액 중의 금속 염의 농도가 ≥0.0001mol/l 내지 ≤0.1mol/l 사이의 범위인 방법.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 레이저 직접 구조화된 기판을 상기 활성화제 용액과 접촉시키기 전에,
    비전도성 기판에 매립된 비전도성 금속-유기 화합물을 포함하는 기판을 레이저 구조화하여 상기 레이저 직접 구조화된 기판을 제조하기 위해 금속 씨드를 방출시키는 단계를 더 포함하며,
    상기 레이저 직접 구조화된 기판을 상기 활성화제 용액과 접촉시키는 단계는 구리의 후속적인 무전해 증착을 위해 금속 씨드를 활성화시키는 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 레이저 직접 구조화된 기판을 상기 활성화제 용액과 접촉시키기 전에,
    비전도성 기판에 매립된 비전도성 금속-유기 화합물을 포함하는 기판을 레이저 구조화하여 상기 레이저 직접 구조화된 기판을 제조하기 위해 금속 씨드를 방출시키는 단계를 더 포함하며,
    상기 레이저 직접 구조화된 기판을 상기 활성화제 용액과 접촉시키는 단계는 구리의 후속적인 무전해 증착을 위해 금속 씨드를 활성화시키는 방법.
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