KR102035626B1 - Guide device of drier for semiconductor wafer - Google Patents

Guide device of drier for semiconductor wafer Download PDF

Info

Publication number
KR102035626B1
KR102035626B1 KR1020180169356A KR20180169356A KR102035626B1 KR 102035626 B1 KR102035626 B1 KR 102035626B1 KR 1020180169356 A KR1020180169356 A KR 1020180169356A KR 20180169356 A KR20180169356 A KR 20180169356A KR 102035626 B1 KR102035626 B1 KR 102035626B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafers
bath
wafer
drying
guide
Prior art date
Application number
KR1020180169356A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
조인숙
안종팔
Original Assignee
조인숙
에이제이텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 조인숙, 에이제이텍 주식회사 filed Critical 조인숙
Priority to KR1020180169356A priority Critical patent/KR102035626B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102035626B1 publication Critical patent/KR102035626B1/en
Priority to PCT/KR2019/017859 priority patent/WO2020138812A1/en
Priority to CN201980065262.7A priority patent/CN112789715A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

The present invention relates to a guide device of a drier for a semiconductor wafer. The wafer guide device is arranged on an inner circumferential surface of a rising bath to prevent slightly twisted or bent wafers from sticking to each other by a surface tension gradient while the wafers leave a water surface in a memory device use process having numerous bending three-dimensional processes or a process of reclaiming the wafers when a chemical solution such as a cleaning solution used in cleaning with deionized (DI) water is lifted and moved from the rinsing bath for Marangoni drying to a drying bath to dry the processed semiconductor wafers. Normal wafers can be prevented from being damaged by slightly twisted or bents wafers.

Description

반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치{Guide device of drier for semiconductor wafer}Guide device for semiconductor wafer dryers {Guide device of drier for semiconductor wafer}

본 발명은 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치에 관한 것으로서, 보다 상게하게는 탈이온수(DI water)로 세척한 세정 용액 등의 화학 용액이 처리된 반도체 웨이퍼를 건조시키기 위해 마란고니(Marangoni) 건조를 위해 린스용 배쓰(rinsing bath)에서 건조용 배쓰(drying bath)로 승강되면서 이동될 때, 웨이퍼가 수면을 벗어나면서 표면 장력 그레디언트(gradient)에 의해 서로 달라붙는 것을 방지하도록 린스용 배쓰 내주면에 웨이퍼 가이드장치를 구성함으로써, 웨이퍼가 손상되는 것을 방지할 수 있도록 한 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a guide device for a semiconductor wafer dryer, and more specifically, to dry Marangoni for drying a semiconductor wafer treated with a chemical solution such as a cleaning solution washed with DI water. Wafer guide device on the inner circumferential surface of the rinse bath to prevent the wafers from sticking to each other by surface tension gradient as it moves from the rinsing bath to the drying bath. It is related with the guide apparatus of the dryer for semiconductor wafers which can prevent a wafer from being damaged by constructing this.

일반적으로 반도체를 제조하는 전체 공정 중에, 린스 및 건조 공정은 아주 많이 사용된다. 예컨대, 세정 공정에서 세정액으로 파티클 등의 불순물이나 자연 산화막을 제거한 다음, 잔류 세정액을 제거하기 위하여 린스 및 건조 공정을 사용한다. In general, during the overall process of manufacturing semiconductors, rinsing and drying processes are very much used. For example, in the cleaning process, impurities such as particles and natural oxide films are removed with the cleaning liquid, and then a rinsing and drying process is used to remove the residual cleaning liquid.

그리고, 소정의 물질막에 대한 식각 공정이나 애칭 공정 등에서도 마지막 단계로서 린스 및 건조 공정을 실시한다. 린스 공정은 세정 용액 등의 화학 용액이 처리된 반도체 웨이퍼를 탈이온수(DI water)로 세척하는 공정이며, 건조 공정은 린스 공정을 거친 반도체 웨이퍼를 건조하는 공정이다.The rinsing and drying steps are also performed as an end step in the etching process or the nicking process for the predetermined material film. The rinse step is a step of washing a semiconductor wafer treated with a chemical solution such as a cleaning solution with deionized water (DI water), and the drying step is a step of drying a semiconductor wafer subjected to a rinse step.

상기한 린스 및 건조 공정 중에는 실리콘 웨이퍼 상에 소위 물반점(water mark)이 발생하지 않도록 하는 것이 중요하다. During the rinsing and drying process described above, it is important that no so-called water marks occur on the silicon wafer.

상기한 물반점이란, 웨이퍼에 잔류하는 탈이온수에 대기 중의 산소가 용해되고, 그 용해된 산소가 실리콘 웨이퍼와 반응하여 생기는 실리콘 산화막을 가리킨다. The above water spot refers to a silicon oxide film produced by oxygen in the air dissolved in deionized water remaining on the wafer and reacted with the silicon wafer.

따라서, 물반점은 린스 처리된 웨이퍼를 린스용 배쓰(rinsing bath)에서 건조용 배쓰(drying bath)로 이동시킬 때, 웨이퍼가 대기에 노출됨으로 인하여 발생한다. 이러한 물반점은 웨이퍼가 대기에 노출되는 시간이 길어 질수록 많이 생긴다.Thus, water spots occur when the rinsed wafer is moved from a rinsing bath to a drying bath, and the wafer is exposed to the atmosphere. These water spots occur more and more as the wafers are exposed to the atmosphere.

웨이퍼에 물반점이 생기는 상기한 문제점을 해결하기 위해서는, 일반적으로 반도체 웨이퍼가 로딩되어 있는 배쓰에서 세정액 처리 및 린스 공정을 순차적으로 수행한 다음, 상기 배쓰의 상부에 설치된 마란고니 건조기(marangoni dryer)를 사용하여 건조 공정을 실시한다.In order to solve the above-mentioned problem of water spots on the wafer, a cleaning liquid treatment and a rinsing process are generally performed in a bath in which a semiconductor wafer is loaded, and then a marangoni dryer installed at the top of the bath is used. To carry out the drying step.

상기한 마란고니 건조는 표면 장력 그래디언트 (gradient) 힘들을 기반으로 한다. 이 기법에서, 물보다 더 낮은 표면 장력을 가진 이소프로필 알콜(IPA:isopropyl alcohol)과 같은 휘발성 유기 화합물이 기판 반도체 웨이퍼 근방에, 그 기판 웨이퍼가 물로부터 느리게 회수될 때에 증기의 모습으로 도입된다. The Marangoni drying described above is based on surface tension gradient forces. In this technique, volatile organic compounds such as isopropyl alcohol (IPA) having a lower surface tension than water are introduced in the form of vapor near the substrate semiconductor wafer when the substrate wafer is slowly recovered from water.

작은 양의 알콜 증기가 계속하여 보충되는 물 메니스커스(water meniscus)와 접촉하게 되기 때문에, 그 알콜 증기는 그 물로 흡수되어 표면 장력 그레디언트(gradient)를 생성한다. 이 그레디언트는 상기 메니스커스가 부분적으로 수축하도록 하고 그리고 명백한 유한의 흐름 각도를 나타낸다. As a small amount of alcohol vapor comes into contact with a water meniscus that is continuously replenished, the alcohol vapor is absorbed into the water to create a surface tension gradient. This gradient causes the meniscus to partially contract and exhibit an apparent finite flow angle.

이것은 얇은 물 박막이 기판 표면으로부터 흐르도록 하며 그리고 그것을 건조하게 한다. 이 흐름은 비-휘발성 오염물들 및 부유 운반된(entrained) 입자들을 제거하는데 있어서 또한 도움을 줄 것이다.This allows a thin film of water to flow out of the substrate surface and allow it to dry. This flow will also help in removing non-volatile contaminants and suspended entrained particles.

알려진 마란고니 건조기에서, 반도체 웨이퍼들은 탈이온화된 물(DI 물)에 잠긴다. 밀폐 커버 또는 뚜껑이 상기 잠겨진 웨이퍼들을 포함하는 욕조 위에 위치하여, 밀봉된 프로세스 챔버를 생성한다. 공기가 질소가스와 함께 그 챔버로부터 제거되며 그리고 IPA(isopropyl alcohol) 기포기는 IPA 증기를 산출하며, 그 IPA 증기는 질소가스와 함께 상기 챔버로 인입된다. In known Marangoni dryers, semiconductor wafers are submerged in deionized water (DI water). An airtight cover or lid is placed over the bath containing the submerged wafers to create a sealed process chamber. Air is removed from the chamber with nitrogen gas and the IPA (isopropyl alcohol) bubbler produces IPA vapor, which is introduced into the chamber with nitrogen gas.

다른 알려진 접근 방식에서, 상기 웨이퍼들은 플루오르화 수소산의 희석된 농도의 욕조 내에 잠긴다. 상기 산욕조에 의한 처리에 이어서, 탈이온화된 물이 상기 욕조로 도입되어, 오버플로우를 통해서 상기 플루오르화 수소산을 씻어낸다. In another known approach, the wafers are submerged in a bath of diluted concentration of hydrofluoric acid. Following treatment with the acid bath, deionized water is introduced into the bath to flush the hydrofluoric acid through the overflow.

위에서 설명된 마란고니 건조가 그 후에 수행된다.The marangoni drying described above is then carried out.

마란고니 건조가 없는 경우에, 작은 크기의 반도체 웨이퍼 피처들(예를 들면, 30 나노미터 피처들)상의 DI 물의 표면 장력은 이 표면 장력으로 인한 점착성의, 당기는, 구부리는 또는 절단하는 구조들에 의한 피처 손상을 초래할 수 있다.In the absence of marangoni drying, the surface tension of DI water on small size semiconductor wafer features (e.g., 30 nanometer features) is due to sticky, pulling, bending or cutting structures due to this surface tension. Can cause feature damage.

즉, 마란고니 건조를 통하여 피처 손상이 초래하는 것을 방지할 수 있다.That is, it is possible to prevent the damage of the feature through the marangoni drying.

이러한 점을 감안하여, 특허출원번호 10-2017-7028571호에 웨이퍼 건조기 장치 및 방법이 게시된 바 있다.In view of this, a wafer dryer apparatus and method have been published in Patent Application No. 10-2017-7028571.

살펴보면, 상기한 종래의 일반적인 반도체 웨이퍼 건조 장치는, 내부 탱크 챔버를 한정한 탱크 몸체를 포함하는 웨이퍼 수납 탱크로서, 상기 내부 탱크 챔버는 상단 챔버 부분 및 하단 챔버 부분, 제일 윗 부분 그리고 바닥 부분을 포함하며, 제일 윗 부분은 상기 탱크 챔버와 통하는 웨이퍼 캐리어 수납 개방부를 구비하며 제1 웨이퍼 캐리어를 그 제1 웨이퍼 캐리어 상의 하나 이상의 반도체 웨이퍼들과 함께 수납하기 위해 크기 조절되며, 상기 탱크는 상기 하단 탱크 챔버 부분과 통하며 클리닝 액체의 소스에 연결하기 위한 액체 입구를 더 포함하며, 상기 탱크 챔버는 상기 상단 탱크 챔버 부분에 적어도 하나의 오버플로우 배출구를 구비하여, 상기 액체 입구로부터의 액체가 상기 적어도 하나의 오버플로우 배출구로 위로 향하여 흐르게 하며, 상기 탱크는 상기 하단 탱크 챔버 부분과 통하는 드레인 배출구를 구비한, 웨이퍼 수납 탱크와, 상기 탱크 챔버 내에 위치하며 그리고 제1 웨이퍼 캐리어를 그 위의 하나 이상의 반도체 웨이퍼들과 함께 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부를 통해 수납하기 위해 배치된 웨이퍼 캐리어 리프터로서, 상기 웨이퍼 캐리어 리프터는 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 그 위에 있는 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들을 제1 하단 웨이퍼 캐리어 위치로부터 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부 위의 제2 거양된 웨이퍼 캐리어 전달 위치까지 들어 올리고 낮추도록 동작할 수 있으며, 상기 제1 하단 웨이퍼 캐리어 위치에서 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 그 위의 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들이 상기 내부 탱크 챔버 내 액체에 잠길 때에, 상기 웨이퍼 캐리어 리프터는 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들과 함께 제어된 웨이퍼 리프팅 속도로 상기 제1 웨이퍼 캐리어 위치로부터 상기 제2 거양된 웨이퍼 캐리어 전달 위치로 들어올리도록 또한 동작할 수 있는, 웨이퍼 캐리어 리프터와, 상기 탱크에 연결되며 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부를 덮고 커버하는 제1 건조 챔버 위치로부터, 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부로부터 오프셋된 제2 건조 챔버 위치로 이동가능한 웨이퍼 건조 챔버로서, 상기 제2 거양된 웨이퍼 캐리어 전달 위치로 들어 올려진 상기 제1 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 수납하도록 동작할 수 있는 상기 웨이퍼 건조 챔버내에 제2 웨이퍼 캐리어가 놓여지며, 상기 웨이퍼 건조 챔버는 상기 웨이퍼들이 상기 웨이퍼 캐리어 리프터에 의해 상기 제2 거양된 웨이퍼 전달 위치로 향하여 상기 액체 밖으로 끌어 올려질 때에 혼합된 이소프로필 알콜 및 질소를 상기 웨이퍼들의 표면들로 제공하기 위해서, 혼합된 이소프로필 알콜 및 질소의 소스에 연결하기 위한 제1 가스 입구를 포함하며, 상기 웨이퍼들이 상기 액체 밖으로 들어 올려질 때에 표면 장력 그레디언트 건조에 의해 상기 웨이퍼들의 표면들을 적어도 부분적으로 건조시키기 위해 상기 이소프로필 알콜 및 질소 혼합물 내에 충분한 IPA가 존재하는, 웨이퍼 건조 챔버와, 상기 웨이퍼 건조 챔버를 상기 제1 건조 챔버 위치와 제2 건조 챔버 위치 사이에서 이동시키기 위한 웨이퍼 건조 챔버 이동기와, 상기 탱크 챔버에 연결되며 그리고 상기 제1 캐리어 및 웨이퍼 리프터를 노출시키기 위해 탱크가 배출될 때에 상기 이소프로필 알콜 및 질소가 상기 제1 캐리어 및 웨이퍼 리프터의 표면들을 적어도 부분적으로 건조시키는 속도로 상기 드레인을 통해 상기 탱크로부터 액체를 배출하도록 동작할 수 있는 밸브를 포함하며, 상기 웨이퍼 건조 챔버 이동기는 상기 웨이퍼 건조 챔버 및 상기 제2 웨이퍼 캐리어를 상기 수납된 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 상기 제1 건조 챔버 위치로부터 상기 제2 건조 챔버 위치로 그리고 상기 제2 건조 챔버 위치로부터 상기 제1 건조 챔버 위치로 이동시키도록 동작할 수 있으며 그리고 상기 제2 건조 챔버 위치 내 웨이퍼 건조 챔버와 함께 웨이퍼 리프터 및 제1 웨이퍼 캐리어의 노출에 이어서 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 웨이퍼 리프터 건조를 계속하기 위해 질소를 상기 제1 웨이퍼 캐리어로 운반하기 위해서 질소의 소스에 연결시키기 위해 상기 탱크 챔버 내에 배치된 적어도 하나의 가스 애플리케이터(applicator)를 포함하는 것으로 구성된다.In view of the above, the conventional general semiconductor wafer drying apparatus is a wafer storage tank including a tank body defining an inner tank chamber, wherein the inner tank chamber includes an upper chamber portion and a lower chamber portion, a top portion and a bottom portion. The top portion having a wafer carrier receiving opening in communication with the tank chamber and sized to receive a first wafer carrier with one or more semiconductor wafers on the first wafer carrier, the tank being the bottom tank chamber; A liquid inlet in communication with the portion and for connecting to a source of cleaning liquid, wherein the tank chamber has at least one overflow outlet in the upper tank chamber portion such that liquid from the liquid inlet Upward flow to the overflow outlet, the tang A wafer receiving tank having a drain outlet in communication with the lower tank chamber portion, the first wafer carrier being located in the tank chamber and containing the first wafer carrier with one or more semiconductor wafers thereon through the wafer carrier receiving opening. A wafer carrier lifter arranged for transferring the first wafer carrier and the one or more semiconductor wafers thereon from a first bottom wafer carrier location to a second lifted wafer carrier above the wafer carrier receiving opening. Operable to raise and lower to a position, and when the first wafer carrier and the one or more semiconductor wafers thereon are submerged in liquid in the inner tank chamber at the first lower wafer carrier position, the wafer carrier lifter First wafer A wafer carrier lifter, operable to lift a rear with the one or more semiconductor wafers from the first wafer carrier position to the second lifted wafer carrier transfer position at a controlled wafer lifting speed, coupled to the tank And move from a first drying chamber position covering and covering the wafer carrier receiving opening to a second drying chamber position offset from the wafer carrier receiving opening, wherein the wafer drying chamber is moved into the second lifted wafer carrier delivery position. A second wafer carrier is placed in the wafer drying chamber operable to receive the one or more wafers on the raised first wafer carrier, the wafer drying chamber wherein the wafers are lifted by the wafer carrier lifter. Wafer to delivery position A first gas inlet for connecting to a source of mixed isopropyl alcohol and nitrogen to provide mixed isopropyl alcohol and nitrogen to the surfaces of the wafers when being pulled out of the liquid, the wafers being The wafer drying chamber and the wafer drying chamber, wherein there is sufficient IPA in the isopropyl alcohol and nitrogen mixture to at least partially dry the surfaces of the wafers by surface tension gradient drying when lifted out of the liquid. A wafer drying chamber mover for moving between a first drying chamber position and a second drying chamber position, the isopropyl alcohol and nitrogen connected to the tank chamber and when the tank is discharged to expose the first carrier and wafer lifter The first carrier and wafer lifter A valve operable to drain liquid from the tank through the drain at a rate of at least partially drying the surfaces, wherein the wafer drying chamber mover includes the received one of the wafer drying chamber and the second wafer carrier; Operable to move from the first drying chamber position to the second drying chamber position and from the second drying chamber position to the first drying chamber position with the wafers above and to a wafer in the second drying chamber position. Exposure to a wafer lifter and first wafer carrier with a drying chamber in the tank chamber to connect to a source of nitrogen for transporting nitrogen to the first wafer carrier to continue drying the first wafer carrier and wafer lifter. Deployed at least one gas application It is configured to include (applicator).

그러나, 이와 같이 구성된 종래의 일반적인 반도체 웨이퍼 건조 장치는, 상기한 구성들로 인해 웨이퍼들 상에 물자국들을 뒤에 남기는 액체처럼, 처리되어 건조된 웨이퍼들 상에 물질들이 침전되는 것에 대한 문제점은 해소될 수 있으나, 여전히, 하단탱크부에서 상단탱크부로 승강되면서 웨이퍼가 수면을 벗어날 때, 상기 웨이퍼가 여러 공정 예를 들면, 휨이 큰 3D 공정이 많은 메모리 디바이스(memory device)사용 공정 또는 웨이퍼를 재생(reclaim)하는 과정에서 미세한 비틀림 또는 구부림된 상기 웨이퍼가 표면 장력 그레디언트(gradient)에 의해 서로 달라붙는 문제가 여전히 발생되어 정상적인 웨이퍼까지 손상되는 문제점이 있었다.However, the conventional general semiconductor wafer drying apparatus configured as described above solves the problem of depositing materials on processed and dried wafers, such as liquid leaving behind material stations on the wafers due to the above configurations. However, when the wafer is out of the water while being lifted from the lower tank portion to the upper tank portion, the wafer may be used in many processes, for example, in the process of using a memory device having many warped 3D processes or reproducing the wafer ( In the process of reclaiming, fine twisting or bending of the wafers is still a problem of sticking to each other by surface tension gradients, and thus there is a problem of damage to normal wafers.

특허출원번호 10-2017-7028571호, 출원일(국제);2016년03월03일Patent Application No. 10-2017-7028571, Application Date (International); March 03, 2016

이에, 본 발명은 상술한 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 탈이온수(DI water)로 세척한 세정 용액 등의 화학 용액이 처리된 반도체 웨이퍼를 건조시키기 위해 마란고니(Marangoni) 건조를 위해 린스용 배쓰(rinsing bath)에서 건조용 배쓰(drying bath)로 승강되면서 이동될 때, 휨이 큰 3D 공정이 많은 메모리 디바이스(memory device)사용 공정 또는 웨이퍼를 재생(reclaim)하는 과정에서 미세한 비틀림 또는 구부림된 상기 웨이퍼가 수면을 벗어나면서 표면 장력 그레디언트(gradient)에 의해 서로 달라붙는 것을 방지하도록 린스용 배쓰 내주면에 웨이퍼 가이드장치를 구성함으로써, 미세한 비틀림 또는 구부림된 웨이퍼로 인해 정상적인 웨이퍼까지 손상되는 것을 방지할 수 있도록 한 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치를 제공하는 것에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, rinsing for Marangoni drying to dry a semiconductor wafer treated with a chemical solution such as a cleaning solution washed with DI water When moving from a rinsing bath to a drying bath, a large warp 3D process is used for many warped memory devices or microscopic twists or bends in the process of reclaiming the wafer. By configuring the wafer guide device on the inner circumferential surface of the rinse bath to prevent the wafer from sticking to each other by the surface tension gradient while leaving the water surface, it is possible to prevent damage to the normal wafer due to the fine twisted or bent wafer. It is an object of the present invention to provide a guide device for a semiconductor wafer dryer.

본 발명의 다른 목적들은 기술이 진행되면서 명확해질 것이다.Other objects of the present invention will become clear as the technology proceeds.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치는, 외관을 형성하는 하우징의 내측 하부에 설치되되, 바닥에는 배관된 탈이온화 물 공급구를 통하여 탈이온화 물이 공급되면 저장시킬 수 있도록 형성되고, 상부는 공급된 탈이온화 물이 오버플러우되도록 개구되며, 외측면 상부에는 오버플러우된 탈이온화 물을 배출구측으로 안내시키기 위한 배출부가 형성되어 구비되는 린스용 배쓰와, 상기 린스용 배쓰에 위치되어 상부에 복수의 웨이퍼를 일정 간격으로 안착시킬 수 있도록 다수의 안착홈이 형성된 슬롯터를 리프팅시킬 수 있도록 구비되는 리프터와, 상기 하우징의 내부에 설치됨에 따른 린스용 배쓰 상부에 위치되어 상기 리프터에 의해 리프팅된 복수의 웨이퍼측으로 스프레이공급부를 통하여 이소 프로필 알코올 및 고온의 질소를 스프레이시켜 건조시킬 수 있도록 구비되는 건조용 배쓰를 포함하여 구성된 반도체 웨이퍼용 건조기를 통하여, 상기 웨이퍼들을 마란고니 건조시 표면 장력 그레디언트에 의해 서로 달라붙는 것을 방지하도록 상기 린스용 배쓰의 내주면에 설치되어 복수의 웨이퍼가 안착된 슬롯터가 리프터의 구동에 의해 건조용 배쓰측으로 이동시 상기 복수의 웨이퍼를 각각 개별적으로 안내시킬 수 있도록 각 일면에는 안내용 홈이 일정 간격으로 다수 형성되어 서로에 대하여 마주보도록 구비된 안내부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.Guide device for a semiconductor wafer dryer of the present invention for achieving the above object, is installed in the inner lower portion of the housing to form the outer appearance, the bottom can be stored when the deionized water is supplied through the piped deionized water supply port It is formed so that, the upper portion is opened so that the supplied deionized water is over-flushed, the rinse bath and the rinse bath provided with a discharge portion for guiding the over-floured deionized water to the outlet side in the upper portion A lifter provided to lift a slotter formed with a plurality of seating grooves so as to seat a plurality of wafers at a predetermined interval thereon; and a lifter positioned above the rinse bath according to the inside of the housing; Isopropyl alcohol through the spray supply to the plurality of wafer sides lifted by Through the semiconductor wafer dryer including a drying bath provided to dry by spraying high temperature nitrogen, the inner circumferential surface of the rinse bath to prevent the wafers from sticking together by surface tension gradient when drying the marangoni A plurality of guide grooves are formed on each surface at predetermined intervals so that the slotters having the plurality of wafers seated thereon can guide the plurality of wafers individually when they are moved to the drying bath side by driving the lifter. It characterized in that it comprises a guide member provided to face.

또한, 상기한 안내부재는 복수의 웨이퍼가 안착된 슬롯터가 리프터를 통하여 건조용 배쓰측으로 이동시에만 상기 복수의 웨이퍼를 안내하도록 이동수단의 의해 상기 린스용 배쓰의 배출부측으로 이동가능하게 구비된 것을 특징으로 한다. In addition, the guide member is provided to be movable to the discharge side of the rinse bath by a moving means to guide the plurality of wafers only when the slotter on which the plurality of wafers are seated moves to the drying bath side through the lifter. It features.

상기한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치에 따르면, 린스용 배쓰의 내측면에 안내부재가 설치됨으로 인해, 마란고니 건조를 위해 린스용 배쓰에서 건조용 배쓰로 승강되면서 이동될 때, 휨이 큰 3D 공정이 많은 메모리 디바이스사용 공정 또는 웨이퍼를 재생하는 과정에서 미세한 비틀림 또는 구부림된 웨이퍼와 정상적인 웨이퍼들이 각각 개별적으로 안내되면서 상승되므로 표면 장력 그레디언트에 의해 서로 달라붙지 않아 미세한 비틀림 또는 구부림된 웨이퍼로 인해 정상적인 웨이퍼까지 손상되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the guide device of the semiconductor wafer dryer according to the present invention as described above, because the guide member is installed on the inner surface of the rinse bath, when moved while moving to the drying bath from the rinse bath for drying marangoni In the process of using a large number of 3D processes with large warpage or during wafer regeneration, fine torsional or bent wafers and normal wafers are raised as they are guided individually, so that they are not attached to each other by surface tension gradients. There is an effect that can prevent the wafer damage to the normal wafer.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치가 설치된 반도체 웨이퍼용 건조기를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치가 린스용 배쓰에 설치된 상태를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치가 설치된 반도체 웨이퍼용 건조기의 슬롯터와 리프터를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치가 설치된 반도체 웨이퍼용 건조기의 건조용 배쓰를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치가 린스용 배쓰에 설치된 상태를 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치가 이동수단에 연결된 상태를 도시한 단면도이다.1 is a perspective view showing a semiconductor wafer dryer provided with a guide device for a semiconductor wafer dryer according to the present invention.
2 is a perspective view showing a state in which a guide device for a semiconductor wafer dryer according to the present invention is installed in a rinse bath.
3 is a view showing a slotter and a lifter of a semiconductor wafer dryer provided with a guide device for a semiconductor wafer dryer according to the present invention.
4 is a view showing a drying bath of a semiconductor wafer dryer provided with a guide device for a semiconductor wafer dryer according to the present invention.
5 is a cross-sectional view showing a state in which a guide device for a semiconductor wafer dryer according to the present invention is installed in a rinse bath.
6 is a cross-sectional view showing a state in which a guide device of a dryer for a semiconductor wafer according to the present invention is connected to a moving means.

이하에서는, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치의 일실시 예를 들어 상세하게 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the guide device for a semiconductor wafer dryer according to the present invention will be described in detail.

우선, 도면들 중, 동일한 구성요소 또는 부품들은 가능한 한 동일한 참조부호를 나타내고 있음에 유의하여야 한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략한다. First, it should be noted that in the drawings, the same components or parts denote the same reference numerals as much as possible. In describing the present invention, detailed descriptions of related well-known functions or configurations are omitted in order not to obscure the subject matter of the present invention.

도시된 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치(100)는 외관을 형성하는 하우징(11)의 내측 하부에 설치되되, 바닥에는 배관된 탈이온화 물 공급구(12a)를 통하여 탈이온화 물(DI)이 공급되면 저장시킬 수 있도록 형성되고, 상부는 공급된 탈이온화 물(DI)이 오버플러우되도록 개구되며, 외측면 상부에는 오버플러우된 탈이온화 물(DI)을 배출구(12b)측으로 안내시키기 위한 배출부(12c)가 형성되어 구비되는 린스용 배쓰(rinsing bath)(12)와, 상기 린스용 배쓰(12)에 위치되어 상부에 복수의 웨이퍼를 일정 간격으로 안착시킬 수 있도록 다수의 안착홈이 형성된 슬롯터(13)를 리프팅시킬 수 있도록 구비되는 리프터(14)와, 상기 하우징(11)의 내부에 설치됨에 따른 린스용 배쓰(12) 상부에 위치되어 상기 리프터(14)에 의해 리프팅된 복수의 웨이퍼측으로 스프레이공급부(미도시함)를 통하여 이소 프로필 알코올(IPA) 및 고온의 질소를 스프레이시켜 건조시킬 수 있도록 구비되는 건조용 배쓰(drying bath)(15)를 포함하여 구성된 반도체 웨이퍼용 건조기(10)를 통하여 상기한 웨이퍼들을 마란고니 건조시 표면 장력 그레디언트(gradient)에 의해 서로 달라붙는 것을 방지하도록 상기 린스용 배쓰(12)의 내주면에 설치되어 복수의 웨이퍼가 안착된 슬롯터(13)가 리프터(14)의 구동에 의해 건조용 배쓰(15)측으로 이동시 상기 복수의 웨이퍼를 각각 개별적으로 안내시킬 수 있도록 각 일면에는 안내용 홈(111)이 일정 간격으로 다수 형성되어 서로에 대하여 마주보도록 구비된 안내부재(110)를 포함하여 이루어진다.As shown, the guide device 100 of the dryer for semiconductor wafers according to the present invention is installed in the inner lower portion of the housing 11 to form an appearance, the deionization through the deionized water supply port 12a piped to the bottom When water (DI) is supplied, it is formed so that it can be stored, and the upper part is opened so that the supplied deionized water (DI) is overflowed, and the upper side of the outflow deionized water (DI) is discharged to the outlet 12b. A rinsing bath 12 in which a discharge part 12c for guiding is formed and a rinsing bath 12 are disposed, and a plurality of wafers are positioned on the rinse bath 12 to allow a plurality of wafers to be seated at predetermined intervals. A lifter 14 provided to lift a slotter 13 having a seating groove formed therein, and positioned above the rinse bath 12 installed in the housing 11, by the lifter 14. Multiple lifted wafer sides Dryer 10 for semiconductor wafers comprising a drying bath 15 which is provided to spray and dry isopropyl alcohol (IPA) and high temperature nitrogen through a spray supply unit (not shown). The slotter 13 is installed on the inner circumferential surface of the rinse bath 12 to prevent the wafers from sticking together by surface tension gradient when drying the marangoni through the lifter. 14, a plurality of guide grooves 111 are formed on each surface at predetermined intervals so as to guide the plurality of wafers individually when moving to the drying bath 15 by the driving of the guide. It comprises a member 110.

여기서, 상기한 안내부재(110)는 복수의 웨이퍼가 안착된 슬롯터(13)가 리프터(14)를 통하여 건조용 배쓰(15)측으로 이동시에만 상기 복수의 웨이퍼를 안내하도록 이동수단(130)의 의해 상기 린스용 배쓰(12)의 배출부(12b)측으로 이동가능하게 구비된다.Here, the guide member 110 of the moving means 130 to guide the plurality of wafers only when the slotter 13 on which the plurality of wafers are seated moves to the drying bath 15 through the lifter 14. It is provided to be movable to the discharge portion (12b) side of the rinse bath (12).

이하에서, 반도체 웨이퍼용 건조기는 공지의 것으로 이에 대한 상세한 설명은 생략하고, 상기한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치에 대해서만 첨부된 도면 도 1 내지도 6을 참조하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a dryer for a semiconductor wafer is well known, and a detailed description thereof will be omitted, and only a guide device for a semiconductor wafer dryer according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 6. As follows.

즉, 상기한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치의 안내부재(110)는 린스용 배쓰(12)의 서로 마주보는 양내측면에 각각 설치가능하도록 사각 형상의 판상으로 형성되되, 각 일면에는 상기 웨이퍼가 탈이온화 물(DI)의 수면을 벗어날 때, 표면 장력 그레디언트(gradient)에 의해 서로 달라붙지 않고 서로에 대하여 이격된 거리를 유지하면서 수직 상승되도록 슬롯터(13)에 형성된 안착홈에 대응되게 종방향으로 일정 간격 다수의 안내용 홈(111)이 각각 형성되어 구비된다. That is, the guide member 110 of the guide device for a semiconductor wafer dryer according to the present invention is formed in a plate shape of a square shape so as to be installed on each of the inner side surfaces of the rinse bath 12 facing each other, respectively, When the wafer leaves the surface of the deionized water (DI), it corresponds to a seating groove formed in the slotter 13 so that the wafer does not stick to each other by surface tension gradients and is vertically maintained while being spaced apart from each other. In order to be provided in the longitudinal direction a plurality of guide grooves 111 are formed at regular intervals, respectively.

상기한 이동수단(130)은 린스용 배쓰(12)의 배출부 외측면에 고정 설치되어 제어부의 제어에 의해 공압 또는 유압이 유입 및 유출가능하게 구비되는 이동용실린더(131)와, 상기 이동용실린더(131)에 일단이 삽입되고 타단은 상기 배출부(12b)와 연통되게 천공된 이동용홀(133)을 통하여 린스용 배쓰(12)의 양내측면에 위치된 안내부재(110)에 고정되어 상기 이동용실린더(131)가 구동하는 것에 대응되게 상기 안내부재(110)를 배출부(12b)측으로 이동시킬 수 있도록 구비되는 연결부재(135)로 구성된다. The moving means 130 is fixed to the outer surface of the discharge portion of the rinse bath 12, the moving cylinder 131 is provided with a pneumatic or hydraulic pressure inlet and outlet under the control of the control unit and the moving cylinder ( One end is inserted into the 131 and the other end is fixed to the guide members 110 located at both inner sides of the rinse bath 12 through the moving hole 133 which is in communication with the discharge part 12b. It is composed of a connecting member 135 provided to move the guide member 110 to the discharge portion (12b) side corresponding to the 131 is driven.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치를 린스용 배쓰(12)의 내주면에 서로 마주보는 위치에 설치하여, 린스용 배쓰(12)에 저장되어 배출부(12b)측으로 오버플러우되고 있는 탈이온화 물(DI)를 통하여 린스된 후, 린스된 상기한 다수의 웨이퍼를 건조시키기 위해 리프터(14)가 구동하게 되면, 첨부된 도면 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이 안착홈에 일정 간격으로 다수의 웨이퍼가 안착된 슬롯터(13)가 건조용 배쓰(15)측으로 이동하게 위해 상승하게 된다.The guide device of the semiconductor wafer dryer according to the present invention configured as described above is provided at positions facing each other on the inner circumferential surface of the rinse bath 12, and is stored in the rinse bath 12 and overflushed to the discharge part 12b side. After being rinsed through the deionized water (DI), the lifter 14 is driven to dry the plurality of wafers rinsed, which is fixed in the seating groove as shown in FIGS. 1 to 5. At intervals, the slotters 13 on which a plurality of wafers are seated are raised to move toward the drying bath 15.

이때, 다수의 웨이퍼는 린스용 배쓰(12)의 양내측면에 설치된 안내부재(110)의 안내용 홈(111)에 각각 안내되면서 상승하게 된다.At this time, the plurality of wafers are raised while being guided to the guide groove 111 of the guide member 110 provided on both inner side surfaces of the rinse bath 12, respectively.

이후, 상기 다수의 웨이퍼가 탈이온화 물(DI)의 수면을 벗어날 때까지 안내부재(110)의 안내용 홈(111)을 따라 각각 안내되면서 상승하게 하게 되므로 표면 장력 그레디언트(gradient)에 의해 서로 달라붙지 않게 된다.Since the plurality of wafers are guided along the guide grooves 111 of the guide member 110 until the plurality of wafers are out of the water surface of the deionized water DI, the plurality of wafers are different from each other by the surface tension gradient. It will not stick.

그로 인해 미세한 비틀림 또는 구부림된 웨이퍼로 인해 정상적인 웨이퍼까지 손상되는 것을 방지할 수 있다.This can prevent damage to the normal wafer due to fine twisted or bent wafers.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

10 ; 반도체 웨이퍼용 건조기 11 ; 하우징
12 ; 린스용 배쓰 13 ; 슬롯터
14 ; 리프터 15 ; 건조용 배쓰
100 ; 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치 110 ; 안내부재
130 ; 이동수단10; Dryer 11 for semiconductor wafers; housing
12; Rinse baths 13; Slotter
14; Lifter 15; Drying Bath
100; A guide device 110 for a semiconductor wafer dryer; Guide member
130; transportation

Claims (3)

반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치는,
외관을 형성하는 하우징(11)의 내측 하부에 설치되되, 바닥에는 배관된 탈이온화 물 공급구(12a)를 통하여 탈이온화 물(DI)이 공급되면 저장시킬 수 있도록 형성되고, 상부는 공급된 탈이온화 물이 오버플러우되도록 개구되며, 외측면 상부에는 오버플러우된 탈이온화 물을 배출구(12b)측으로 안내시키기 위한 배출부(12c)가 형성되어 구비되는 린스용 배쓰(12)와, 상기 린스용 배쓰(12)에 위치되어 상부에 복수의 웨이퍼를 일정 간격으로 안착시킬 수 있도록 다수의 안착홈이 형성된 슬롯터(13)를 리프팅시킬 수 있도록 구비되는 리프터(14)와, 상기 하우징(11)의 내부에 설치됨에 따른 린스용 배쓰(12) 상부에 위치되어 상기 리프터(14)에 의해 리프팅된 복수의 웨이퍼측으로 스프레이공급부를 통하여 이소 프로필 알코올 및 고온의 질소를 스프레이시켜 건조시킬 수 있도록 구비되는 건조용 배쓰(15)를 포함하여 구성된 반도체 웨이퍼용 건조기(10)를 통하여,
상기 웨이퍼들을 마란고니 건조시 표면 장력 그레디언트에 의해 서로 달라붙는 것을 방지하도록 상기 린스용 배쓰(12)의 내주면에 설치되어 복수의 웨이퍼가 안착된 슬롯터(13)가 리프터(14)의 구동에 의해 건조용 배쓰(15)측으로 이동시 상기 복수의 웨이퍼를 각각 개별적으로 안내시킬 수 있도록 각 일면에는 안내용 홈(111)이 일정 간격으로 다수 형성되어 서로에 대하여 마주보도록 구비된 안내부재(110)를 포함하되,
상기 안내부재(110)는 복수의 웨이퍼가 안착된 슬롯터(13)가 리프터(14)를 통하여 건조용 배쓰(15)측으로 이동시에만 상기 복수의 웨이퍼를 안내하도록 이동수단(130)의 의해 상기 린스용 배쓰(12)의 배출부(12b)측으로 이동가능하게 구비되고,
상기한 이동수단(130)은 린스용 배쓰(12)의 배출부 외측면에 고정 설치되어 제어부의 제어에 의해 공압 또는 유압이 유입 및 유출가능하게 구비되는 이동용실린더(131)와, 상기 이동용실린더(131)에 일단이 삽입되고 타단은 상기 배출부(12b)와 연통되게 천공된 이동용홀(133)을 통하여 린스용 배쓰(12)의 양내측면에 위치된 안내부재(110)에 고정되어 상기 이동용실린더(131)가 구동하는 것에 대응되게 상기 안내부재(110)를 배출부(12b)측으로 이동시킬 수 있도록 구비되는 연결부재(135)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치. The guide device of the dryer for semiconductor wafers,
It is installed in the inner lower portion of the housing 11 forming the appearance, the bottom is formed to be stored when the deionized water (DI) is supplied through the de-ionized water supply port 12a piped, the upper portion is supplied The rinse bath 12 is formed so that the ionized water is opened to be overflushed, and an outlet part 12c is formed at the upper portion of the outer surface to guide the de-ionized water to the discharge port 12b side, and the rinse bath. A lifter 14 positioned at a position 12 and provided to lift a slotter 13 having a plurality of seating grooves formed thereon to allow a plurality of wafers to be seated at a predetermined interval, and the interior of the housing 11. Located in the upper rinse bath (12) as installed in the isopropyl alcohol and high temperature nitrogen to spray through the spray supply to the plurality of wafers lifted by the lifter 14 to dry Through the dryer for a semiconductor wafer (10) configured to include a drying bath (15) which is provided so that,
To prevent the wafers from sticking to each other by surface tension gradient when drying the marangoni, a slotter 13 having a plurality of wafers seated on the inner circumferential surface of the rinse bath 12 is driven by driving the lifter 14. In order to guide each of the plurality of wafers individually when moving toward the drying bath 15, each surface includes a guide member 110 formed to face each other by forming a plurality of guide grooves 111 at regular intervals. But
The guide member 110 is rinsed by the moving means 130 to guide the plurality of wafers only when the slotter 13 on which the plurality of wafers are seated moves to the drying bath 15 through the lifter 14. It is provided to be movable to the discharge part 12b side of the bath 12,
The moving means 130 is fixed to the outer surface of the discharge portion of the rinse bath 12, the moving cylinder 131 is provided with a pneumatic or hydraulic pressure inlet and outlet under the control of the control unit and the moving cylinder ( One end is inserted into the 131 and the other end is fixed to the guide members 110 located at both inner sides of the rinse bath 12 through the moving hole 133 which is in communication with the discharge part 12b. And a connecting member (135) provided to move the guide member (110) to the discharge part (12b) side so as to correspond to the driving of the guide member (131). 삭제delete 삭제delete
KR1020180169356A 2018-12-26 2018-12-26 Guide device of drier for semiconductor wafer KR102035626B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180169356A KR102035626B1 (en) 2018-12-26 2018-12-26 Guide device of drier for semiconductor wafer
PCT/KR2019/017859 WO2020138812A1 (en) 2018-12-26 2019-12-17 Apparatus for guiding drier for semiconductor wafer
CN201980065262.7A CN112789715A (en) 2018-12-26 2019-12-17 Guide device of dryer for semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180169356A KR102035626B1 (en) 2018-12-26 2018-12-26 Guide device of drier for semiconductor wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102035626B1 true KR102035626B1 (en) 2019-10-23

Family

ID=68460929

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180169356A KR102035626B1 (en) 2018-12-26 2018-12-26 Guide device of drier for semiconductor wafer

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102035626B1 (en)
CN (1) CN112789715A (en)
WO (1) WO2020138812A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115031509A (en) * 2022-05-18 2022-09-09 扬州思普尔科技有限公司 Lifting type semiconductor wafer drying device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07297165A (en) * 1994-04-22 1995-11-10 Nippon Steel Corp Method of drying cleaning liquid for semiconductor substrate
KR20040022091A (en) * 2002-09-06 2004-03-11 삼성전자주식회사 Apparatus for drying a semiconductor wafer using vapor dry method
KR100715983B1 (en) * 2005-11-23 2007-05-08 세메스 주식회사 Apparatus and method for cleaning substrates
KR100872995B1 (en) * 2007-09-07 2008-12-09 주식회사 케이씨텍 Apparatus for treating substrate, and method for treating substrate using the same
KR20150009487A (en) * 2014-08-26 2015-01-26 오진성 Substrate dryer

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07297165A (en) * 1994-04-22 1995-11-10 Nippon Steel Corp Method of drying cleaning liquid for semiconductor substrate
KR20040022091A (en) * 2002-09-06 2004-03-11 삼성전자주식회사 Apparatus for drying a semiconductor wafer using vapor dry method
KR100715983B1 (en) * 2005-11-23 2007-05-08 세메스 주식회사 Apparatus and method for cleaning substrates
KR100872995B1 (en) * 2007-09-07 2008-12-09 주식회사 케이씨텍 Apparatus for treating substrate, and method for treating substrate using the same
KR20150009487A (en) * 2014-08-26 2015-01-26 오진성 Substrate dryer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115031509A (en) * 2022-05-18 2022-09-09 扬州思普尔科技有限公司 Lifting type semiconductor wafer drying device
CN115031509B (en) * 2022-05-18 2023-06-30 扬州思普尔科技有限公司 Lifting type semiconductor wafer drying device

Also Published As

Publication number Publication date
CN112789715A (en) 2021-05-11
WO2020138812A1 (en) 2020-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10473396B2 (en) Wafer dryer apparatus and method
JP7336955B2 (en) Substrate processing system and substrate processing method
KR101377194B1 (en) Substrate processing apparatus
JP7336956B2 (en) Substrate processing system and substrate processing method
US11721565B2 (en) Multi-chamber apparatus
KR102414340B1 (en) Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers
US20200406311A1 (en) Apparatus and method for treating a substrate
JP4404720B2 (en) Semiconductor substrate cleaning apparatus and cleaning method
KR102035626B1 (en) Guide device of drier for semiconductor wafer
JP7165754B2 (en) Semiconductor wafer cleaning device and cleaning method
KR20210046049A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
TW202226340A (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP2023105681A (en) Substrate processing method and ionic liquid
KR101052821B1 (en) Substrate processing apparatus and method
KR100757329B1 (en) Substrate processing apparatus of a single substrate type
TWI830205B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102584514B1 (en) Apparatus for transferring substrate, apparatus and method for treating substrate
KR101910798B1 (en) Drain assembly and Apparatus for treating substrate with the unit
CN115704648A (en) Supercritical fluid-based drying device and method
KR101842120B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
JP2024053341A (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
CN117160955A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2024053261A (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
KR100481157B1 (en) Method and apparatus for drying a substrate
KR20080057088A (en) Wet cleaning equipmemt of wafer and wet cleaning method of the same

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant