KR100715983B1 - Apparatus and method for cleaning substrates - Google Patents

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KR100715983B1
KR100715983B1 KR1020050112505A KR20050112505A KR100715983B1 KR 100715983 B1 KR100715983 B1 KR 100715983B1 KR 1020050112505 A KR1020050112505 A KR 1020050112505A KR 20050112505 A KR20050112505 A KR 20050112505A KR 100715983 B1 KR100715983 B1 KR 100715983B1
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drying chamber
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최혜정
조중근
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 웨이퍼들을 세정하는 장치 및 방법을 제공한다. 상기 장치는 웨이퍼의 가장자리가 삽입되는 슬롯이 형성된 가이드와 건조 공정이 수행되는 공간을 제공하는 건조실을 가진다. 건조실 내에는 건조실 내로 건조가스를 공급하는 건조가스 공급부재를 가진다. 본 발명에 의하면, 건조가스 공급부재는 대체로 웨이퍼 전체면으로 건조가스를 공급하는 제 1분사관과 슬롯과 웨이퍼의 가장자리가 접촉되는 부분으로 직접 건조가스를 공급하는 제 2분사관을 가진다.The present invention provides an apparatus and method for cleaning wafers. The apparatus has a guide formed with a slot into which an edge of a wafer is inserted and a drying chamber providing a space in which a drying process is performed. The drying chamber has a drying gas supply member for supplying a drying gas into the drying chamber. According to the present invention, the dry gas supply member generally has a first spray pipe for supplying dry gas to the entire surface of the wafer and a second spray pipe for directly supplying dry gas to a portion where the slot and the edge of the wafer are in contact with each other.

본 발명에 의하면 슬롯과 접촉되는 웨이퍼 가장자리 영역에서 건조 효율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the drying efficiency can be improved in the wafer edge region in contact with the slot.

건조, 가이드, 슬롯, 건조가스, 웨이퍼 가장자리 Dry, Guide, Slot, Dry Gas, Wafer Edge

Description

기판 세정 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING SUBSTRATES}Substrate cleaning apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING SUBSTRATES}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치의 단면도;1 is a cross-sectional view of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 2는 도 1의 가이드의 사시도;2 is a perspective view of the guide of FIG. 1;

도 3a는 제 2분사관에 형성된 분사구의 일 예를 보여주는 도면;3A is a view showing an example of an injection hole formed in a second injection pipe;

도 3b는 제 2분사관에 형성된 분사구의 다른 예를 보여주는 도면;3B is a view showing another example of the injection hole formed in the second injection pipe;

도 4는 도 1의 장치를 사용하여 건조 공정 진행시 건조가스의 흐름 경로를 보여주는 도면이다.4 is a view showing a flow path of dry gas during the drying process using the apparatus of FIG.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 처리실 200 : 건조실100: processing chamber 200: drying chamber

220 : 제 1분사관 240 : 제 2분사관220: first injector 240: second injector

320 : 배기판 400 : 가이드320: exhaust plate 400: guide

428 : 슬롯428: slot

본 발명은 반도체 소자를 제조하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체 기판을 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to an apparatus and method for cleaning a semiconductor substrate.

웨이퍼와 같은 반도체 기판을 집적 회로로 제조할 때 제조공정 중에 발생하는 잔류 물질(residual chemicals), 작은 파티클(small particles), 오염물(contaminants) 등을 제거하기 위하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 공정이 요구된다. 반도체 웨이퍼의 세정 공정은 약액 처리 공정, 세척 공정, 그리고 건조 공정으로 이루어진다. 약액 처리 공정은 불산 등과 같은 화학 약액을 사용하여 웨이퍼 상의 오염물질을 화학적 반응에 의해 식각 또는 박리시키는 공정이며, 세척 공정은 약액 처리된 반도체 웨이퍼를 탈이온수로 세척하는 공정이며, 건조 공정은 최종적으로 웨이퍼를 건조하는 공정이다. When fabricating a semiconductor substrate such as a wafer into an integrated circuit, a process of cleaning the semiconductor wafer is required to remove residual chemicals, small particles, contaminants, and the like, which occur during the manufacturing process. The semiconductor wafer cleaning process includes a chemical liquid treatment process, a cleaning process, and a drying process. The chemical liquid treatment process is a process of etching or peeling contaminants on a wafer by a chemical reaction using a chemical liquid such as hydrofluoric acid. The cleaning process is a process of washing the chemically processed semiconductor wafer with deionized water. It is a process of drying a wafer.

건조 공정을 수행하는 장치로 종래에는 스핀 건조기(spin dryer)가 사용되었다. 그러나 원심력을 이용한 스핀 건조기(spin dryer)는 집적 회로가 복잡해짐에 따라 웨이퍼에 미세하게 남아 있는 물방울들을 완전히 제거하기 힘들고 웨이퍼의 고속회전에 따라 발생되는 와류에 의해 웨이퍼가 역오염되는 문제가 있다. 최근에는 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol : IPA)과 같은 알코올 증기(또는 액)를 사용하여 반도체 기판을 건조하는 방식들이 사용되고 있다. 이들 중 하나는 IPA 증기의 낮은 표면장력을 이용한 마란고니 효과에 의해 기판을 건조하는 마란고니 건조방식이고, 다른 하나는 웨이퍼를 공기 중에 노출시킨 후 IPA 증기를 공급하여 웨이퍼에 잔류하는 수분을 IPA 증기로 치환하는 스프레이 건조방식이다. 상술한 마란고니 건조 방식과 스프레이 건조 방식은 IPA 증기(액)을 이용하여 웨이퍼들 상에 부착된 세척액을 제거한 후, 가열된 질소가스를 이용하여 웨이퍼들 상에 남아 있는 IPA를 제거한다. As a device for performing a drying process, a spin dryer has been conventionally used. However, as a spin dryer using a centrifugal force has a complicated integrated circuit, it is difficult to completely remove water droplets remaining on the wafer, and the wafer is contaminated by vortices generated by high-speed rotation of the wafer. Recently, methods for drying a semiconductor substrate using alcohol vapor (or liquid) such as isopropyl alcohol (IPA) have been used. One of these is the Marangoni drying method which dries the substrate by the Marangoni effect using the low surface tension of the IPA vapor. The other is the IPA vapor after supplying the IPA vapor after exposing the wafer to air. It is spray drying method to substitute. In the above-described Marangoni drying method and spray drying method, the cleaning liquid attached to the wafers is removed by using IPA vapor (liquid), and then heated IP gas is used to remove the IPA remaining on the wafers.

상술한 마란고니 건조 방식과 스프레이 건조 방식은 복수의 웨이퍼들에 대해 동시에 공정을 진행하는 배치식 장치이다. 이러한 배치식 장치에서 공정이 진행되는 동안 웨이퍼들은 웨이퍼 가이드에 지지된다. 웨이퍼 가이드는 웨이퍼 가장자리의 일부가 삽입되는 슬롯이 형성된 로드 형상의 가이드들을 가진다.The above-described marangoni drying method and spray drying method are batch devices that simultaneously process a plurality of wafers. In this batch device, the wafers are supported on a wafer guide during the process. The wafer guide has rod-shaped guides formed with slots into which a portion of the wafer edge is inserted.

그러나 일반적으로 사용되고 있는 배치식 장치는 다음과 같은 문제가 있다. 가열된 질소가스에 의해 웨이퍼들이 건조되는 동안, 가이드의 슬롯과 웨이퍼의 접촉 부분에는 질소가스 또는 IPA 증기가 충분히 공급되지 않는다. 이로 인해 건조공정이 완료된 후, 슬롯과 접촉되는 웨이퍼 가장자리 영역에서 건조불량이 발생된다.However, commonly used batch devices have the following problems. While the wafers are dried by heated nitrogen gas, nitrogen gas or IPA vapor is not sufficiently supplied to the slot of the guide and the contact portion of the wafer. As a result, after the drying process is completed, a drying failure occurs in the wafer edge region in contact with the slot.

본 발명은 기판의 가장자리 영역에서 건조 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 구조를 가지는 기판 세정 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a substrate cleaning apparatus and method having a structure capable of preventing drying defects from occurring in an edge region of a substrate.

본 발명은 기판 세정 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 일 예에 의하면, 상기 세정 장치는 건조실, 건조 공정 진행시 상기 건조실 내에 배치되며 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯이 형성되어 기판들을 지지하는 가이드 부재, 그리고 상기 건조실 내로 건조 가스를 공급하는 건조가스 분사부재를 포함한다. 상기 건조가스 분사부재는 기판들 전체 영역으로 건조가스를 공급하는 제 1분사관과 건조공정 수행시 기판과 상기 가이드 부재의 접촉 부분을 향해 직접 건조 가스를 분사하도록 상기 건조실 내에 배치되는 제 2분사관을 가진다. An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus and method. According to one example, the cleaning apparatus is a drying chamber, a guide member for supporting the substrates is formed in the drying chamber is formed in the drying chamber and the edges of the substrate is inserted into the drying chamber, and a dry gas injection member for supplying dry gas into the drying chamber It includes. The dry gas spraying member may include a first spray pipe for supplying dry gas to the entire areas of the substrates and a second spray pipe disposed in the drying chamber to spray dry gas directly toward a contact portion between the substrate and the guide member when the drying process is performed. Has

일 예에 의하면, 상기 가이드 부재는 상기 슬롯들이 형성되며 서로 나란하게 배치되는 지지로드들을 가지고, 상기 제 2분사관은 상기 지지로드를 따라 배치되며 상기 지지로드에 형성된 슬롯을 향하도록 형성된 분사구를 가진다. According to one example, the guide member has support rods in which the slots are formed and arranged in parallel with each other, and the second spray pipe has an injection hole disposed along the support rod and formed toward the slot formed in the support rod. .

상기 분사구는 서로 이격된 복수의 홀들로서 형성되며, 상기 복수의 홀들은 상기 슬롯들 각각에 대응되도록 제공될 수 있다. The injection hole may be formed as a plurality of holes spaced apart from each other, and the plurality of holes may be provided to correspond to each of the slots.

일 예에 의하면, 상기 제 2분사관으로부터 공급되는 건조가스는 이소프로필 알코올 증기 및/또는 질소가스일 수 있다. In one example, the dry gas supplied from the second injection pipe may be isopropyl alcohol vapor and / or nitrogen gas.

일 예에 의하면, 상기 제 2분사관은 상기 지지로드들 중 상기 제 1분사관으로부터 공급되는 건조가스의 량이 상대적으로 적은 지지로드로 건조가스를 공급하도록 배치된다. According to one example, the second injection pipe is arranged to supply dry gas to a support rod having a relatively small amount of dry gas supplied from the first injection pipe among the support rods.

다른 예에 의하면, 본 발명인 세정 장치는 기판들에 대해 수세 공정이 수행되는 공간을 제공하는 처리실, 상기 처리실로 세정액을 공급하는 세정액 분사관, 상기 처리실의 상부에 배치되며 기판들에 대해 건조 공정을 수행하는 공간을 제공하는 건조실, 상기 건조실 내로 건조가스를 공급하는 건조가스 분사부재, 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯이 형성되어 기판들을 지지하며 상기 처리실과 상기 건조실 간에 이동가능한 가이드, 그리고 건조공정 진행시 상기 처리실과 상기 건조실 사이에 배치되도록 이동가능하며 상기 건조실로 공급된 건조가스를 배기하는 통로 가 형성된 배기판을 포함한다. 상기 건조가스 분사부재는 기판들 전체 영역으로 건조가스를 공급하는 제 1분사관과 건조공정 수행시 기판과 상기 가이드 부재의 접촉 부분을 향해 직접 건조 가스를 분사하도록 상기 건조실 내에 배치되는 제 2분사관을 가진다. According to another example, the cleaning apparatus of the present invention includes a process chamber providing a space in which a washing process is performed on substrates, a cleaning liquid spray tube supplying a cleaning liquid to the process chamber, and a drying process on the substrates. A drying chamber providing a space to be performed, a drying gas injection member supplying dry gas into the drying chamber, a slot into which edges of the substrates are inserted to support the substrates, and a guide movable between the processing chamber and the drying chamber, and during a drying process And an exhaust plate that is movable to be disposed between the processing chamber and the drying chamber and has a passage for exhausting the dry gas supplied to the drying chamber. The dry gas spraying member may include a first spray pipe for supplying dry gas to the entire areas of the substrates and a second spray pipe disposed in the drying chamber to spray dry gas directly toward a contact portion between the substrate and the guide member when the drying process is performed. Has

이하, 첨부된 도면 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 위해 과장되어진 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below. This example is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated for clarity.

아래의 예에서는 세정 장치가 건조실 및 처리실을 각각 구비하여, 세척 및 건조 공정을 모두 수행하는 구조인 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 웨이퍼 가장자리를 삽입하는 슬롯이 형성된 가이드로 웨이퍼들을 지지하고, 이들 웨이퍼들로 건조가스를 공급하여 공정을 수행하는 다양한 구조의 장치에 모두 적용 가능하다.In the following example, a case where the cleaning apparatus has a drying chamber and a processing chamber, respectively, and performs a washing and drying process is described as an example. However, the technical concept of the present invention is applicable to all devices having various structures for supporting wafers with guides having slots for inserting wafer edges and supplying dry gas to these wafers to perform a process.

도 1은 본 발명의 기판 세정 장치(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 세정 장치(1)는 처리실(100), 건조실(200), 배기부재(300), 가이드(400), 그리고 건조가스 분사부재(500)를 가진다. 처리실(100)은 웨이퍼들(W)에 대해 약액 처리 공정 또는 세척 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 처리실(100)의 상 부에는 건조실(200)이 배치된다. 건조실(200)은 웨이퍼들(W)에 대해 건조 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 건조실(200)과 처리실(100) 사이에는 이들 사이를 개폐하고, 건조실(200)내 건조가스를 외부로 배출하는 배기부재(300)가 제공된다. 공정 진행시 웨이퍼들(W)은 가이드(400)에 의해 지지되며, 가이드(400)는 처리실(100)과 건조실(200) 사이를 이동한다. 1 schematically shows a substrate cleaning apparatus 1 of the present invention. Referring to FIG. 1, the cleaning apparatus 1 includes a processing chamber 100, a drying chamber 200, an exhaust member 300, a guide 400, and a drying gas injection member 500. The processing chamber 100 provides a space in which a chemical treatment process or a cleaning process is performed on the wafers W. FIG. The drying chamber 200 is disposed above the processing chamber 100. The drying chamber 200 provides a space in which a drying process is performed on the wafers W. FIG. An exhaust member 300 is provided between the drying chamber 200 and the processing chamber 100 to open and close them, and discharge the dry gas in the drying chamber 200 to the outside. The wafers W are supported by the guide 400 during the process, and the guide 400 moves between the processing chamber 100 and the drying chamber 200.

도 2는 가이드(400)의 일 예를 보여주는 사시도이다. 도 2를 참조하면, 가이드(400)는 서로 평행하게 배치된 지지로드들(420), 이들의 일단을 연결하는 연결판(440), 그리고 이들의 타단을 연결하는 구동판(460)을 가진다. 각각의 지지로드(420)에는 웨이퍼(W)의 가장자리 일부가 삽입되는 슬롯(428)들이 형성된다. 가이드(400)는 웨이퍼(W)의 패턴면이 측 방향을 향하고, 웨이퍼들(W)이 일방향으로 서로 나란하게 배열되도록 웨이퍼들(W)을 지지한다. 2 is a perspective view illustrating an example of a guide 400. Referring to FIG. 2, the guide 400 includes support rods 420 arranged in parallel with each other, a connecting plate 440 connecting one end thereof, and a driving plate 460 connecting the other ends thereof. Each supporting rod 420 is formed with slots 428 into which a portion of the edge of the wafer W is inserted. The guide 400 supports the wafers W so that the pattern surface of the wafer W faces in the lateral direction, and the wafers W are arranged side by side in one direction.

처리실(100)은 내조(120)와 외조(140)를 가진다. 처리실(100)에서 공정이 진행되는 동안, 가이드(400)는 내조(120) 내에 배치된다. 내조(120)의 바닥면 중앙에는 내조(120)에 채워진 세정액이 배출되는 배출관(122)이 연결된다. 배출관(122)에는 그 내부 통로를 개폐하는 개폐 밸브 또는 유량을 조절하는 유량 조절 밸브(122a)가 설치될 수 있다. 세정액은 중력에 의해 자연 배출되거나 펌프(도시되지 않음) 등에 의해 강제 배출될 수 있다. 내조(120) 내 하부에는 내조(120) 내부로 세정액을 공급하는 세정액 분사관(160)이 배치된다. 세정액은 처리실(100) 외부에 제공된 세정액 공급관(162)으로부터 세정액을 공급받는다. 세정액 공급관(162)에는 개폐밸브 또는 유량 조절 밸브(162a)가 설치된다. 세정액은 불산이나 암모니아 등 과 같은 화학 약액이거나, 탈이온수 등과 같은 세척액일 수 있다. The processing chamber 100 has an inner tank 120 and an outer tank 140. During the process in the processing chamber 100, the guide 400 is disposed in the inner tank 120. At the center of the bottom surface of the inner tank 120, the discharge pipe 122 for discharging the cleaning liquid filled in the inner tank 120 is connected. The discharge pipe 122 may be provided with an on-off valve for opening and closing the inner passage or a flow control valve 122a for adjusting the flow rate. The cleaning liquid may be naturally discharged by gravity or forcedly discharged by a pump (not shown) or the like. The lower portion of the inner tank 120, the cleaning liquid injection pipe 160 for supplying the cleaning liquid into the inner tank 120 is disposed. The cleaning liquid is supplied with the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe 162 provided outside the processing chamber 100. The cleaning liquid supply pipe 162 is provided with an on / off valve or a flow control valve 162a. The cleaning liquid may be a chemical liquid such as hydrofluoric acid or ammonia, or a cleaning liquid such as deionized water.

내조(120)의 외측벽에는 외조(140)가 결합된다. 외조(140)는 린스공정시 내조(120)로부터 넘쳐흐르는 탈이온수를 수용한다. 외조(140)의 바닥면에는 탈이온수를 외부로 배출하는 배출관(142)이 연결된다. 배출관(142)에는 그 통로를 개폐하는 개폐밸브(142a)가 설치된다. 건조실(200)은 상술한 바와 같이 처리실(100)의 상부에 위치된다. The outer tank 140 is coupled to the outer wall of the inner tank 120. The outer tub 140 receives deionized water overflowing from the inner tub 120 during the rinsing process. The bottom surface of the outer tub 140 is connected to the discharge pipe 142 for discharging the deionized water to the outside. The discharge pipe 142 is provided with an on-off valve 142a for opening and closing the passage. The drying chamber 200 is located above the processing chamber 100 as described above.

건조실(200)은 몸체(220)와 덮개(240)를 가진다. 건조실(200)에는 건조실(200) 내부로 건조가스를 공급하는 건조가스 분사부재(500)이 설치된다. 건조가스는 알코올 증기와 불활성 가스를 포함한다. 알코올 증기로는 이소프로필 알코올 증기가 사용되고, 불활성 가스로는 질소 가스가 사용될 수 있다. The drying chamber 200 has a body 220 and a cover 240. The drying chamber 200 is provided with a drying gas injection member 500 for supplying a drying gas into the drying chamber 200. Dry gas includes alcohol vapor and inert gas. Isopropyl alcohol vapor is used as the alcohol vapor, and nitrogen gas may be used as the inert gas.

건조실(200)과 처리실(100) 사이에는 배기부재(300)가 제공된다. 배기부재(300)는 배기판(320)과 배기판 저장실(340)을 가진다. 배기판(320)은 건조 공정 진행시 건조실(200) 내 가스를 건조실(200) 외부로 배기한다. 배기판(320) 내에는 건조실(200) 내부와 통하는 배기통로(322)가 제공된다. 배기통로(322)는 건조가스가 건조실(200)내 상부에서 아래로 대체로 수직방향으로 흐를 수 있도록 배기판(320)의 전체 영역에 균일하게 제공될 수 있다. 배기통로(322)에는 펌프(도시되지 않음) 등이 설치된 배기관(324)이 연결된다. 웨이퍼들(W)이 처리실(100) 또는 건조실(200)에서 공정 진행시 배기판(320)은 처리실(100)과 건조실(200) 사이에 제공된다. 그러나 웨이퍼들(W)이 처리실(100)로 이동되거나, 처리실(100)에서 건조실(200)로 이동되는 동안에는 배기판(320)이 웨이퍼들(W)의 이동경로를 차단하지 않 도록 배기판(320)은 측방향으로 이동된다. 배기판 저장실(340)은 처리실(100) 및 건조실(200)의 외측 방향으로 돌출되도록 제공된다. 배기판 저장실(340)의 내부에는 웨이퍼들(W)이 건조실(200)과 처리실(100) 사이를 이동할 때, 배기판(320)이 머무르는 공간이 제공된다. An exhaust member 300 is provided between the drying chamber 200 and the processing chamber 100. The exhaust member 300 has an exhaust plate 320 and an exhaust plate storage chamber 340. The exhaust plate 320 exhausts the gas in the drying chamber 200 to the outside of the drying chamber 200 during the drying process. An exhaust passage 322 communicating with the interior of the drying chamber 200 is provided in the exhaust plate 320. The exhaust passage 322 may be uniformly provided in the entire region of the exhaust plate 320 so that the dry gas flows in the vertical direction from the top to the bottom in the drying chamber 200. The exhaust passage 322 is connected to an exhaust pipe 324 provided with a pump (not shown). When the wafers W are processed in the processing chamber 100 or the drying chamber 200, the exhaust plate 320 is provided between the processing chamber 100 and the drying chamber 200. However, the exhaust plate 320 does not block the movement path of the wafers W while the wafers W are moved to the processing chamber 100 or the processing chamber 100 is moved from the processing chamber 100 to the drying chamber 200. Is moved laterally. The exhaust plate storage chamber 340 is provided to protrude in an outward direction of the processing chamber 100 and the drying chamber 200. The inside of the exhaust plate storage chamber 340 is provided with a space in which the exhaust plate 320 stays when the wafers W move between the drying chamber 200 and the processing chamber 100.

건조가스 분사부재(500)는 제 1분사관(520)과 제 2분사관(540)을 가진다. 제 1분사관(520)은 대체로 웨이퍼(W) 전체 영역으로 건조가스를 공급하고, 제 2분사관(540)은 가이드(400)의 슬롯(428)과 웨이퍼(W)가 접촉하는 영역으로 직접 건조가스를 공급한다. 제 1분사관(520)은 건조실(200) 내 상부에 배치되며, 제 2분사관(540)은 건조공정 진행시 건조실(200) 내에 배치된 가이드(400)의 슬롯(428)과 인접한 영역에 배치된다. The dry gas injection member 500 has a first injection pipe 520 and a second injection pipe 540. The first injection pipe 520 generally supplies dry gas to the entire area of the wafer W, and the second injection pipe 540 directly contacts the slot 428 of the guide 400 and the area where the wafer W contacts. Supply dry gas. The first spray pipe 520 is disposed above the drying chamber 200, and the second spray pipe 540 is adjacent to the slot 428 of the guide 400 disposed in the drying chamber 200 during the drying process. Is placed.

제 1분사관(520)은 대체로 긴 로드 형상을 가지며, 웨이퍼들(W)의 배열 방향과 평행하게 배치된다. 제 1분사관(520)은 복수개가 제공되며, 이들은 서로 나란하게 배치된다. 일 예에 의하면, 제 1분사관(520)들은 덮개(240)의 하단에 장착된다. 제 1분사관(520)에는 건조가스 공급관(560)이 연결된다. 건조가스 공급관(560)은 제 1분사관(520)으로 알코올 증기를 공급하는 증기 공급관(562)과 가열된 불활성 가스를 공급하는 가스 공급관(564)을 가진다. 증기 공급관(562)과 가스 공급관(564) 각각에는 개폐 밸브 또는 유량 조절 밸브(562a, 564a)가 설치된다. 각각의 제 1분사관(520)은 증기 공급관(562) 및 가스 공급관(564)과 연결될 수 있다. 선택적으로 제 1분사관(520)들 중 일부는 증기 공급관(562)과 연결되고, 다른 일부는 가스 공급관(564)과 연결될 수 있다.The first injection pipe 520 has a generally long rod shape and is disposed in parallel with the arrangement direction of the wafers W. As shown in FIG. A plurality of first injection pipes 520 are provided, and they are arranged in parallel with each other. In one example, the first spray pipes 520 are mounted to the bottom of the cover 240. The dry gas supply pipe 560 is connected to the first injection pipe 520. The dry gas supply pipe 560 has a steam supply pipe 562 for supplying alcohol vapor to the first spray pipe 520 and a gas supply pipe 564 for supplying a heated inert gas. Each of the steam supply pipe 562 and the gas supply pipe 564 is provided with an on-off valve or a flow control valve 562a, 564a. Each first injection pipe 520 may be connected to the steam supply pipe 562 and the gas supply pipe 564. Optionally, some of the first injection pipes 520 may be connected to the steam supply pipe 562, and other parts of the first injection pipes 520 may be connected to the gas supply pipe 564.

제 2분사관(540)은 대체로 긴 로드 형상을 가지며, 지지로드(420)와 평행하게 배치된다. 제 2분사관(540)에는 건조가스가 분사되는 분사구(542)가 형성된다. 분사구(542)는 건조가스가 지지로드(420)의 슬롯(428)으로 직접 분사되도록 형성된다. The second injection pipe 540 has a generally long rod shape and is disposed in parallel with the support rod 420. The second injection pipe 540 is formed with an injection port 542 to which the dry gas is injected. The injection hole 542 is formed so that the dry gas is directly injected into the slot 428 of the support rod 420.

도 3a는 제 2분사관(540)에 형성된 분사구(542a)의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 3a를 참조하면, 제 2분사관(540)에는 원형의 홀 형상의 분사구들(542a)이 형성된다. 분사구들(542a)은 지지로드(420)의 슬롯(428)과 동일한 수로 제공되고, 하나의 슬롯(428)에 하나의 분사구(542a)가 대응되도록 위치된다. 이와 달리 분사구들(542a)의 수는 슬롯(428)들보다 적거나 많은 수로 제공될 수 있다.3A is a view illustrating an example of the injection hole 542a formed in the second injection pipe 540. Referring to FIG. 3A, circular hole-shaped injection holes 542a are formed in the second injection pipe 540. The injection holes 542a are provided in the same number as the slots 428 of the support rod 420 and are positioned so that one injection hole 542a corresponds to one slot 428. Alternatively, the number of jets 542a may be provided in fewer or more than the slots 428.

도 3b는 제 2분사관(540)에 형성된 분사구(542b)의 다른 예를 보여주는 사시도이다. 도 3b를 참조하면, 분사구(542b)는 슬릿 형상으로 제공되며, 지지로드(420)에 형성된 슬롯(428)들 전체에 건조가스를 공급하도록 충분히 길게 형성된다. 3B is a perspective view illustrating another example of the injection hole 542b formed in the second injection pipe 540. Referring to FIG. 3B, the injection hole 542b is provided in a slit shape and is formed long enough to supply dry gas to all of the slots 428 formed in the support rod 420.

제 2분사관(540)에는 건조가스 공급관(580)이 연결된다. 건조가스 공급관(580)은 제 2분사관(540)으로 알코올 증기를 공급하는 증기 공급관(582)과 가열된 불활성 가스를 공급하는 가스 공급관(584)을 가진다. 증기 공급관(582)과 가스 공급관(584) 각각에는 개폐 밸브 또는 유량 조절 밸브(582a, 584a)가 설치된다. 각각의 제 2분사관(540)은 증기 공급관(582) 및 가스 공급관(584)과 연결될 수 있다. 선택적으로 증기 공급관(582)과 가스 공급관(584)은 서로 상이한 제 2분사관(540)에 결합될 수 있다. The dry gas supply pipe 580 is connected to the second injection pipe 540. The dry gas supply pipe 580 has a steam supply pipe 582 for supplying alcohol vapor to the second injection pipe 540 and a gas supply pipe 584 for supplying a heated inert gas. Each of the steam supply pipe 582 and the gas supply pipe 584 is provided with an on-off valve or a flow control valve 582a, 584a. Each second injection pipe 540 may be connected to the steam supply pipe 582 and the gas supply pipe 584. Optionally, the steam supply pipe 582 and the gas supply pipe 584 may be coupled to the second injection pipe 540 different from each other.

제 2분사관(540)은 지지로드(420)의 수와 동일하게 제공될 수 있다. 이 경 우, 하나의 지지로드(420)에는 하나의 제 2분사관(540)이 대응되도록 배치된다. 이와 달리, 제 2분사관(540)은 지지로드들(420)의 수보다 적은 수로 제공되고, 제 2분사관(540)은 상대적으로 건조 불량이 높은 지지로드들(420)에만 대응되도록 배치될 수 있다. The second injection pipe 540 may be provided in the same number as the support rod 420. In this case, one second injection pipe 540 is disposed to correspond to one support rod 420. Alternatively, the second injection pipe 540 may be provided in a smaller number than the number of the supporting rods 420, and the second injection pipe 540 may be arranged to correspond only to the supporting rods 420 having a relatively high dry failure. Can be.

예컨대, 가이드(400)가 중앙에 위치되는 중앙 지지로드(420)와 이의 양측에 위치되는 측부 지지로드들을 구비하고, 건조실(200) 내부에서 건조가스의 흐름이 중앙 지지로드를 향하도록 형성되는 경우, 제 2분사관(540)은 측부 지지로드들에만 대응되도록 제공될 수 있다.For example, when the guide 400 has a central support rod 420 positioned at the center and side support rods positioned at both sides thereof, and a flow of dry gas is formed in the drying chamber 200 toward the central support rod. The second injection pipe 540 may be provided to correspond only to the side support rods.

선택적으로, 도 1의 장치와 달리 건조실 내 가스가 배기되는 배기관이 건조실 내 하부 양측에 배기관이 설치되어 건조실(200) 내부에서 건조가스의 흐름이 측부 지지로드를 향하도록 형성되는 경우, 제 2분사관(540)은 중앙 지지로드에만 대응되도록 제공될 수 있다.Optionally, unlike the apparatus of FIG. 1, when the exhaust pipe through which the gas in the drying chamber is exhausted is provided with exhaust pipes installed at both lower sides of the drying chamber, the flow of the drying gas in the drying chamber 200 is directed to the side support rod. The officer 540 may be provided to correspond only to the central support rod.

또한, 상술한 예에서는 제 1분사관(520)과 제 2분사관(540)으로 건조가스를 공급하는 건조가스 공급관(560, 580)이 각각 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 제 1분사관(520)과 제 2분사관(540)이 동일한 건조가스 공급관으로부터 건조가스를 공급받도록 구성될 수 있다.In addition, in the above-described example, it has been described that dry gas supply pipes 560 and 580 are respectively provided for supplying dry gas to the first injection pipe 520 and the second injection pipe 540. Alternatively, the first injection pipe 520 and the second injection pipe 540 may be configured to receive a dry gas from the same dry gas supply pipe.

다음에는 세정 공정이 수행되는 과정을 설명한다. 처음에 웨이퍼들(W)이 처리실(100) 내에 위치된 가이드(400)의 슬롯(428)에 삽입된다. 처리실(100) 내에서 약액 처리 공정과 린스 공정이 수행된다. 린스 공정이 완료되면, 처리실(100)과 건조실(200) 사이의 공간이 통하도록 배기판(320)이 측방향으로 이동된다. 가이드 (400)가 승강하여 웨이퍼들(W)이 건조실(200) 내로 위치된다. 배기판(320)이 처리실(100)과 건조실(200) 사이의 공간으로 이동되어, 배기판(320)이 건조실(200) 아래에 위치된다. Next, a process in which the cleaning process is performed will be described. The wafers W are initially inserted into the slot 428 of the guide 400 located in the processing chamber 100. The chemical liquid treatment process and the rinse process are performed in the treatment chamber 100. When the rinsing process is completed, the exhaust plate 320 is moved laterally so that the space between the processing chamber 100 and the drying chamber 200 passes. The guide 400 is lifted to position the wafers W into the drying chamber 200. The exhaust plate 320 is moved into the space between the processing chamber 100 and the drying chamber 200, so that the exhaust plate 320 is positioned below the drying chamber 200.

이후 웨이퍼(W)들을 건조하는 공정이 수행된다. 처음에 알코올 증기를 이용하여 웨이퍼(W) 상에 부착된 세척액을 제거한다. 제 1분사관(520)과 제 2분사관(540)으로 알코올 증기가 공급된다. 제 1분사관(520)은 웨이퍼들(W)을 향해 알코올 증기를 공급한다. 제 1분사관(520)으로부터 분사된 알코올 증기는 건조실(200) 내 위에서 아래 방향으로 흐르며, 대체로 웨이퍼(W) 전체 영역으로 공급된다. 제 2분사관(540)은 지지로드(420)의 슬롯(428)으로 직접 알코올 증기를 공급하여, 슬롯(428)과 접촉되는 웨이퍼(W) 가장자리 영역을 집중적으로 건조한다. Thereafter, a process of drying the wafers W is performed. Initially, the cleaning liquid attached to the wafer W is removed using alcohol vapor. Alcohol vapor is supplied to the first injection pipe 520 and the second injection pipe 540. The first injection pipe 520 supplies alcohol vapor toward the wafers W. As shown in FIG. The alcohol vapor injected from the first injection pipe 520 flows from the top to the bottom in the drying chamber 200 and is generally supplied to the entire area of the wafer W. The second injection pipe 540 supplies alcohol vapor directly to the slot 428 of the support rod 420 to intensively dry the wafer W edge region in contact with the slot 428.

알코올 증기에 의한 건조가 완료되면, 가열된 불활성 가스에 의해 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 세척액 및 알코올을 제거한다. 제 1분사관(520)과 제 2분사관(540)으로 가열된 불활성 가스가 공급된다. 제 1분사관(520)은 대체로 웨이퍼(W) 전체 영역으로 불활성 가스를 공급한다. 제 2분사관(540)은 슬롯(428)과 접촉되는 웨이퍼(W) 가장자리 영역으로 직접 불활성 가스를 공급하여, 웨이퍼(W)와 슬롯(428)이 접촉되는 부분을 집중적으로 건조한다. When the drying by alcohol vapor is completed, the cleaning liquid and alcohol remaining on the wafer W are removed by heated inert gas. The heated inert gas is supplied to the first injection pipe 520 and the second injection pipe 540. The first injection pipe 520 generally supplies an inert gas to the entire area of the wafer W. FIG. The second injection pipe 540 supplies an inert gas directly to the edge of the wafer W in contact with the slot 428 to intensively dry the portion where the wafer W and the slot 428 contact.

제 1분사관(520)과 제 2분사관(540)은 건조가스를 동시에 공급할 수 있다. 이와 달리 제 1분사관(520)으로부터 건조가스가 먼저 분사되고, 이후에 제 2분사관(540)으로부터 건조가스가 분사될 수 있다. 도 4는 제 1분사관과 제 2분사관에서 건조가스가 공급될 때, 건조실 내에서 건조가스가 흐르는 경로를 보여준다.The first injection pipe 520 and the second injection pipe 540 may supply a dry gas at the same time. Alternatively, dry gas may be injected first from the first injection pipe 520, and then dry gas may be injected from the second injection pipe 540. Figure 4 shows the flow path of the dry gas in the drying chamber when the dry gas is supplied from the first injection pipe and the second injection pipe.

상술한 예에서는 제 2분사관(540)이 알코올 증기와 불활성 가스를 모두 공급하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 제 2분사관(540)은 알코올 증기와 불활성 가스 중 어느 하나만을 분사할 수 있다.In the above-described example, it has been described that the second injection pipe 540 supplies both the alcohol vapor and the inert gas. Alternatively, the second injection pipe 540 may spray only one of alcohol vapor and an inert gas.

상술한 예에서는 스프레이 건조 방식을 이용하여 웨이퍼들을 건조하는 경우를 예로 들어 설명하였다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 마란고니 건조 방식을 이용하여 웨이퍼들을 건조하는 경우에도 적용가능하다. In the above example, the case of drying the wafers using the spray drying method has been described as an example. However, the technical idea of the present invention is applicable to the case of drying wafers using the Marangoni drying method.

본 발명에 의하면, 슬롯과 접촉되는 웨이퍼 가장자리 영역에서 건조 효율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the drying efficiency can be improved in the wafer edge region in contact with the slot.

Claims (9)

삭제delete 기판을 세정하는 장치에 있어서,In the apparatus for cleaning a substrate, 건조실과;Drying chamber; 건조 공정 진행시 상기 건조실 내에 배치되며, 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯이 형성되어 기판들을 지지하는 가이드 부재와;A guide member disposed in the drying chamber during the drying process and having slots into which edges of the substrates are inserted to support the substrates; 상기 건조실 내로 건조 가스를 공급하는 건조가스 분사부재를 포함하되,Including a dry gas injection member for supplying a dry gas into the drying chamber, 상기 가이드 부재는,The guide member, 상기 슬롯들이 형성되며 서로 나란하게 배치되는 지지로드들을 가지고,The support rods are formed and have support rods arranged next to each other, 상기 건조가스 분사부재는,The dry gas injection member, 기판들 전체 영역으로 건조가스를 공급하는 제 1분사관과;A first injection pipe for supplying dry gas to the entire area of the substrates; 건조공정 수행시 기판과 상기 가이드 부재의 접촉 부분을 향해 직접 건조 가스를 분사하도록, 상기 건조실 내부에서 상기 제 2분사관은 상기 지지로드를 따라 배치되며 상기 지지로드에 형성된 슬롯을 향하도록 형성된 분사구들을 가지는 제 2분사관을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.In the drying chamber, the second injection pipe is disposed along the support rod and is formed to face a slot formed in the support rod so that the drying gas is directly injected toward the contact portion of the substrate and the guide member during the drying process. The substrate cleaning apparatus characterized by having a 2nd injection pipe which has a branch. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 분사구는,The injection hole, 서로 이격된 복수의 홀들로서 형성되며, 상기 복수의 홀들은 상기 슬롯들 각각에 대응되도록 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치. And a plurality of holes spaced apart from each other, wherein the plurality of holes are provided to correspond to each of the slots. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,The method of claim 2 or 3, 상기 제 2분사관으로부터 공급되는 건조가스는,Dry gas supplied from the second injection pipe, 이소프로필 알코올 증기 및/또는 질소가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.A substrate cleaning apparatus comprising isopropyl alcohol vapor and / or nitrogen gas. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 2분사관은,The second spray pipe, 상기 지지로드들 중 상기 제 1분사관으로부터 공급되는 건조가스의 량이 상대적으로 적은 지지로드로 건조가스를 공급하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.Substrate cleaning apparatus, characterized in that arranged to supply a dry gas to the support rod relatively small amount of dry gas supplied from the first injection pipe of the support rods. 기판들에 대해 수세 공정이 수행되는 공간을 제공하는 처리실과;A processing chamber providing a space in which the washing process is performed on the substrates; 상기 처리실로 세정액을 공급하는 세정액 분사관과;A cleaning liquid injection tube for supplying a cleaning liquid to the processing chamber; 상기 처리실의 상부에 배치되며, 기판들에 대해 건조 공정을 수행하는 공간을 제공하는 건조실과;A drying chamber disposed above the processing chamber and providing a space for performing a drying process on the substrates; 상기 건조실 내로 건조가스를 공급하는 건조가스 분사부재와;A dry gas injection member supplying a dry gas into the drying chamber; 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯이 형성되어 기판들을 지지하는, 그리고 상기 처리실과 상기 건조실 간에 이동가능한 가이드와; 그리고A guide in which a slot into which edges of the substrates are inserted is formed to support the substrates and is movable between the processing chamber and the drying chamber; And 건조공정 진행시 상기 처리실과 상기 건조실 사이에 배치되도록 이동가능하며, 상기 건조실로 공급된 건조가스를 배기하는 통로가 형성된 배기판을 포함하되,It includes a exhaust plate which is movable so as to be disposed between the processing chamber and the drying chamber during the drying process, a passage for exhausting the dry gas supplied to the drying chamber, 상기 가이드 부재는,The guide member, 상기 슬롯들이 형성되며 서로 나란하게 배치되는 지지로드들을 가지고,The support rods are formed and have support rods arranged next to each other, 상기 건조가스 분사부재는,The dry gas injection member, 기판들 전체 영역으로 건조가스를 공급하는 제 1분사관과;A first injection pipe for supplying dry gas to the entire area of the substrates; 건조공정 수행시 기판과 상기 가이드 부재의 접촉 부분을 향해 직접 건조 가스를 분사하도록 상기 건조실 내부에서 상기 제 2분사관은 상기 지지로드를 따라 배치되며 상기 지지로드에 형성된 슬롯을 향하도록 형성된 분사구들을 가지는 제 2분사관을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.In the drying chamber, the second injection pipe is disposed along the support rod and has injection holes formed to face a slot formed in the support rod so that the drying gas is injected directly toward the contact portion of the substrate and the guide member during the drying process. It has a 2nd injection pipe, The board | substrate cleaning apparatus characterized by the above-mentioned. 기판들에 대해 수세 공정이 수행되는 공간을 제공하는 처리실, 상기 처리실의 상부에 배치되며 기판들에 대해 건조 공정을 수행하는 공간을 제공하는 건조실, 그리고 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯이 형성되어 기판들을 지지하고 상기 처리실과 상기 건조실 간에 이동가능한 가이드를 사용하여 기판을 세정하되,A processing chamber providing a space in which the washing process is performed with respect to the substrates, a drying chamber disposed above the processing chamber and providing a space for performing the drying process with respect to the substrates, and a slot into which the edges of the substrates are inserted. Using a guide that is supported and movable between the processing chamber and the drying chamber, 상기 기판의 세정은,The cleaning of the substrate, 상기 가이드의 슬롯에 기판을 삽입시켜 고정한 후 상기 처리실에서 약액 처리 공정과 린스 공정을 수행하는 단계와,Inserting and fixing a substrate into a slot of the guide to perform a chemical liquid treatment process and a rinse process in the treatment chamber; 상기 가이드를 상기 처리실로부터 상기 건조실로 상승시키는 단계와,Elevating the guide from the processing chamber to the drying chamber; 상기 건조실에서 기판 전체 영역의 건조와 상기 슬롯과 접촉되는 기판의 가장자리 영역의 건조를 수행하는 단계를 특징으로 하는 기판 세정 방법.And drying the entire area of the substrate in the drying chamber and drying the edge area of the substrate in contact with the slot. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 기판 전체 영역의 건조와 상기 슬롯과 접촉되는 기판 가장자리 영역의 건조는,Drying of the entire substrate region and drying of the substrate edge region in contact with the slot, 서로 다른 분사관을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.A substrate cleaning method comprising the use of different injection tubes. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,The method according to claim 7 or 8, 상기 건조 공정시 분사되는 건조가스는,Dry gas is injected during the drying process, 상기 처리실과 상기 건조실 사이에서 상기 가이드의 이동경로를 차단 및 개방하는 배기판에 의해 배기되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.And exhausted by an exhaust plate which blocks and opens the movement path of the guide between the processing chamber and the drying chamber.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101517152B1 (en) * 2013-08-29 2015-04-30 주식회사 케이씨텍 A wafer processing apparatus and a controlling method thereof
KR101598321B1 (en) * 2015-01-16 2016-02-26 주식회사 엘지실트론 Method and apparatus for removing impurity in wafer
KR102035626B1 (en) * 2018-12-26 2019-10-23 조인숙 Guide device of drier for semiconductor wafer

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030054016A (en) * 2001-12-24 2003-07-02 동부전자 주식회사 Spin dryer for semiconductor wafer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030054016A (en) * 2001-12-24 2003-07-02 동부전자 주식회사 Spin dryer for semiconductor wafer

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101517152B1 (en) * 2013-08-29 2015-04-30 주식회사 케이씨텍 A wafer processing apparatus and a controlling method thereof
KR101598321B1 (en) * 2015-01-16 2016-02-26 주식회사 엘지실트론 Method and apparatus for removing impurity in wafer
KR102035626B1 (en) * 2018-12-26 2019-10-23 조인숙 Guide device of drier for semiconductor wafer
WO2020138812A1 (en) * 2018-12-26 2020-07-02 조인숙 Apparatus for guiding drier for semiconductor wafer

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