KR102017834B1 - Apparatus for Processing a Substrate and Method for Processing a Substrate - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 아래에 배치되는 기판을 향하여 약액을 분사할 수 있는 분사부를 포함한다. 그리고 상기 분사부가 상기 기판의 일측 단부로 향할 때 상기 분사부를 사선 방향으로 서서히 상승시킬 수 있는 구동력을 제공하는 상승 구동부와, 상기 기판의 일측 단부로 향하는 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도에 따라 상기 분사부의 상승 시점을 결정하도록 상기 상승 구동부를 제어하는 제어부를 포함한다.The substrate processing apparatus and the substrate processing method include an injection unit capable of injecting a chemical liquid toward a substrate disposed below. And according to the relative speed of the injection unit with respect to the injection unit for providing a driving force that can gradually raise the injection unit in the oblique direction when the injection unit is directed to one end of the substrate, And a controller for controlling the lift driver to determine the lift timing of the sprayer.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Apparatus for Processing a Substrate and Method for Processing a Substrate}Apparatus for Processing a Substrate and Method for Processing a Substrate}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 아래에 배치되는 기판을 향하여 약액을 분사할 수 있는 분사부를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method including an injection unit capable of injecting a chemical liquid toward a substrate disposed below.

반도체 소자, 평판 디스플레이 소자 등과 같은 집적회로 소자의 제조에서는 다양한 박막의 형성이 이루어진다. 상기 박막의 형성에서는 주로 기판을 향하여 약액을 분사는 분사부를 포함하는 기판 처리 장치를 사용한다. 상기 박막은 기판 전체에 걸쳐 균일한 두께를 갖도록 형성되어야 한다.Various thin films are formed in the manufacture of integrated circuit devices such as semiconductor devices and flat panel display devices. In the formation of the thin film, a substrate processing apparatus including an injection unit mainly for spraying a chemical liquid toward a substrate is used. The thin film should be formed to have a uniform thickness throughout the substrate.

종래 상기 기판 처리 장치의 사용시 상기 기판의 일측 단부에 상기 분사부가 도착하면 상기 약액의 공급을 중단하면서 상기 분사부를 수직 방향으로 상승시킨다.When the injection unit arrives at one end of the substrate in the conventional use of the substrate processing apparatus, the injection unit is raised in the vertical direction while the supply of the chemical liquid is stopped.

상기 분사부가 정지 위치인 상기 기판의 일측 단부에서 수직 방향으로 상승할 경우 상기 약액의 점성에 따라 상기 분사부의 단부에 딸려 올라가다가 끊어지는 현상 등이 발생할 수 있다. 이로 인해, 상기 기판의 일측 단부에 분사되는 약액이 뭉치는 현상이 발생하여 균일도가 나빠지는 결과를 초래할 수 있고, 상기 분사부의 단부에 오염도가 높아지는 결과를 초래할 수 있다.When the jetting portion rises in a vertical direction from one end of the substrate at the stop position, a phenomenon that the injection portion comes up to the end portion of the injection portion and breaks may occur according to the viscosity of the chemical liquid. As a result, a phenomenon of agglomeration of the chemical liquid injected at one end of the substrate may occur, which may result in a deterioration of uniformity, and may result in an increase in the degree of contamination at the end of the injection unit.

최근에는 상기 분사부가 상기 기판의 일측 단부로 향할 때 상기 분사부를 사선 방향으로 상승시켜서 상기 약액이 딸려 올라가는 상황을 줄이고 있다.Recently, when the injection unit is directed toward one end of the substrate, the injection unit is raised in an oblique direction to reduce the situation where the chemical liquid comes up.

그러나 상기 분사부의 사선 방향으로의 상승은 상승 시점이 정해져 있기 때문에 상기 약액의 점성 변화, 상기 분사부의 속도 변화 등에 능동적로 대처하지 못하는 상황이 발생할 수 있다.However, since the ascending time point is determined in the ascending direction of the jetting part, a situation in which viscous change of the chemical liquid, a change in the speed of the jetting part, and the like cannot be actively handled.

본 발명의 일 목적은 기판에 대한 분사부의 상대 속도에 따라 분사부의 상승 시점을 결정할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can determine the rise time of the injection unit in accordance with the relative speed of the injection unit relative to the substrate.

본 발명의 다른 목적은 기판에 대한 분사부의 상대 속도에 따라 분사부의 상승 시점을 결정할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing method capable of determining the rise time of the jetting part according to the relative speed of the jetting part with respect to the substrate.

언급한 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 아래에 배치되는 기판을 향하여 약액을 분사할 수 있는 분사부를 포함하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 분사부가 상기 기판의 일측 단부로 향할 때 상기 분사부를 사선 방향으로 서서히 상승시킬 수 있는 구동력을 제공하는 상승 구동부; 및 상기 기판의 일측 단부로 향하는 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도에 따라 상기 분사부의 상승 시점을 결정하도록 상기 상승 구동부를 제어하는 제어부;를 포함할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the object described above, the substrate processing apparatus including an injection unit for injecting the chemical liquid toward the substrate disposed below, wherein the injection unit is one side of the substrate An upward driving unit providing a driving force capable of gradually raising the injection unit in an oblique direction when directed toward an end portion; And a controller configured to control the lift driver to determine a rising time of the jet in accordance with a relative speed of the jet to the substrate toward one end of the substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 제어부는 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도가 상대적으로 느릴 경우에는 상기 기판의 일측 단부와 상대적으로 가까운 위치가 상기 분사부의 상승 시점이 되도록 제어하고, 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도가 상대적으로 빠를 경우에는 상기 기판의 일측 단부와 상대적으로 먼 위치가 상기 분사부의 상승 시점이 되도록 제어할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the exemplary embodiment of the present disclosure, when the relative speed of the jetting part relative to the substrate is relatively slow, the controller controls the position where the end of the jetting part is relatively close to the edge of the jetting part. When the relative speed of the jetting part with respect to the substrate is relatively high, the position of the jetting part may be controlled to be relatively far from the one end of the substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 제어부는 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도가 동일할 경우 상기 분사부의 상승 높이를 서로 달리하도록 상기 상승 구동부를 제어할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the exemplary embodiment of the present disclosure, the controller may control the lift driver so that the lift heights of the jet parts are different from each other when the relative speeds of the jet parts with respect to the substrate are the same.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 분사부의 상승 높이는 상기 약액의 점성에 따라 달리할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the exemplary embodiment of the present disclosure, the rising height of the jetting part may vary depending on the viscosity of the chemical liquid.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 약액을 분사할 때에 상기 분사부는 고정된 상태를 유지하면서 상기 기판이 이동하도록 구비되거나, 상기 기판이 고정된 상태를 유지하면서 상기 분사부가 이동하도록 구비되거나, 또는 상기 기판 및 상기 분사부가 서로 반대 방향으로 이동하도록 구비될 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention, the spraying unit is provided to move the substrate while maintaining the fixed state when the chemical liquid is injected, or the spraying unit moves while maintaining the fixed state of the substrate. Alternatively, the substrate and the injection unit may be provided to move in opposite directions to each other.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 약액의 분사는 상기 기판의 타측 단부로부터 상기 기판의 일측 단부로 이루어지는 스캔 방식에 의해 달성될 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention, the injection of the chemical liquid may be achieved by a scanning method consisting of one end of the substrate from the other end of the substrate.

언급한 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에서, 아래에 배치되는 기판을 향하여 약액을 분사할 수 있는 분사부를 사용하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 분사부가 상기 기판의 일측 단부로 향하는 단계; 및 상기 기판의 일측 단부로 향하는 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도에 따라 상기 분사부의 상승 시점을 결정하는 단계;를 포함할 수 있다.In the substrate processing method according to an embodiment of the present invention for achieving the other object mentioned, in the substrate processing method using an injection unit capable of injecting a chemical liquid toward the substrate disposed below, the injection unit of the substrate Heading to one end; And determining an elevation time of the jetting part according to a relative speed of the jetting part with respect to the substrate toward the one end of the substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에서, 상기 분사부의 상승 시점을 결정하는 단계는 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도가 상대적으로 느릴 경우에는 상기 기판의 일측 단부와 상대적으로 가까운 위치에서 상기 분사부를 상승시키고, 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도가 상대적으로 빠를 경우에는 상기 기판의 일측 단부와 상대적으로 먼 위치에서 상기 분사부를 상승시킬 수 있다.In the substrate processing method according to the exemplary embodiment of the present disclosure, the determining of the rising time of the jetting part may be performed when the relative speed of the jetting part with respect to the substrate is relatively low. When the injection unit is raised and the relative speed of the injection unit relative to the substrate is relatively fast, the injection unit may be raised at a position relatively far from one end of the substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에서, 상기 분사부의 상승 시점을 결정하는 단계는 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도가 동일할 경우에는 상기 분사부의 상승 시점을 동일하게 하면서 상기 분사부의 상승 높이를 서로 달리하도록 할 수 있다.In the substrate processing method according to the exemplary embodiment of the present disclosure, the determining of the rising point of the jetting unit may include raising the jetting unit while equalizing the rising point of the jetting unit when the relative speed of the jetting unit is the same relative to the substrate. You can have different heights.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에서, 상기 분사부의 상승 높이는 상기 약액의 점성에 따라 달리할 수 있다.In the substrate processing method according to an embodiment of the present invention, the rising height of the jetting part may vary depending on the viscosity of the chemical liquid.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에서, 상기 약액의 분사는 상기 분사부가 고정된 상태를 유지하면서 상기 기판이 이동함에 의해 달성되거나, 상기 기판이 고정된 상태를 유지하면서 상기 분사부가 이동함에 의해 달성되거나, 또는 상기 기판 및 상기 분사부가 서로 반대 방향으로 이동함에 의해 달성될 수 있다.In the substrate processing method according to an embodiment of the present invention, the injection of the chemical liquid is achieved by moving the substrate while the sprayed part is fixed, or the sprayed part is moved while the substrate is fixed Or by moving the substrate and the jet in opposite directions.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에서, 상기 약액의 분사는 상기 기판의 타측 단부로부터 상기 기판의 일측 단부로 이루어지는 스캔 방식에 의해 달성될 수 있다.In the substrate processing method according to an embodiment of the present invention, the injection of the chemical liquid may be achieved by a scan method consisting of one end of the substrate from the other end of the substrate.

본 발명의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 상기 기판의 일측 단부로 향하는 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도에 따라 상기 분사부의 상승 시점을 결정한다. 즉, 본 발명의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서는 상기 분사부의 상승 시점을 정해진 위치가 아닌 상기 분사부의 상대 속도에 따라 결정할 수 있거나 또는 상기 분사부의 상승 높이를 서로 달리할 수 있다.According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention, the rising time of the jetting part is determined according to the relative speed of the jetting part with respect to the substrate toward one end of the substrate. That is, in the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention, the rising time of the jetting unit may be determined according to the relative speed of the jetting unit instead of the predetermined position, or the rising height of the jetting unit may be different.

이에, 본 발명의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 집적회로 소자의 제조에 적용할 경우 상기 약액의 점성, 상기 분사부의 속도 변화 등이 발생하여도 상기 분사부의 상승 시점 또는 상승 높이를 달리함으로써 상기 기판에 분사되는 약액의 분사량 등을 보다 균일하게 확보할 수 있고, 그 결과 상기 기판의 일측 단부에 까지도 균일한 두께를 갖는 박막을 형성할 수 있다.Therefore, when the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention are applied to the manufacture of integrated circuit devices, even when the viscosity of the chemical liquid, the speed change of the jetting part, etc. occur, the rising time or the height of the jetting part is changed by changing the substrate. The injection amount of the chemical liquid sprayed on can be ensured more uniformly, and as a result, a thin film having a uniform thickness can be formed even at one end of the substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 분사부의 상승 방법에 대하여 설명하기 위한 도면들이다.1 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are views for explaining a method of raising the injection unit of FIG.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예를 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야한다.As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, the embodiments will be described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to a specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar components. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "consist of" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described on the specification, but one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

이하, 첨부하는 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 기판(15)을 향하여 약액(13)을 분사하기 위한 장치로써, 주로 포토레지스트 박막 등을 형성하기 위한 장치 등을 포함할 수 있다. 상기 기판 처리 장치(10)는 반도체 소자 제조용으로도 적합할 수 있지만 평판 디스플레이 소자 제조용으로 더 적합할 수 있다.Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention is an apparatus for injecting a chemical liquid 13 toward a substrate 15. The apparatus for forming a photoresist thin film or the like is mainly used. It may include. The substrate processing apparatus 10 may also be suitable for manufacturing semiconductor devices, but may be more suitable for manufacturing flat panel display devices.

상기 기판 처리 장치(10)는 기판(15)을 향하여 약액(13)을 분사할 수 있는 분사부(11), 상기 분사부(11)를 사선 방향으로 서서히 상승시킬 수 있는 구동력을 제공하는 상승 구동부(17), 상기 상승 구동부(17)의 상승 시점, 상승 높이 등을 제어하는 제어부(19) 등을 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus 10 may include an injection unit 11 capable of injecting the chemical liquid 13 toward the substrate 15, and a lift driver providing driving force capable of gradually raising the injection unit 11 in an oblique direction. (17), the control unit 19 for controlling the rising time, the rising height, and the like of the lift drive unit 17 may be included.

상기 기판 처리 장치(10)는 포토레지스트 박막 등을 형성하기 위한 포토레지스트를 도포하는 공정 등에 적용할 수 있기 때문에 아래에 배치되는 기판(15)을 향하도록 상기 분사부(11)가 배치될 수 있다. 즉, 상기 기판(15) 상부에 상기 분사부(11)가 배치될 수 있는 것이다.Since the substrate processing apparatus 10 may be applied to a process of applying a photoresist for forming a photoresist thin film or the like, the injection unit 11 may be disposed to face the substrate 15 disposed below. . That is, the injection unit 11 may be disposed on the substrate 15.

또한, 상기 기판 처리 장치(10)는 상기 포토레지스트를 도포하는 공정에 적용할 수 있기 때문에 상기 분사부(11)는 스캔 방식으로 상기 약액(13)을 분사할 수 있을 것이다. 상기 분사부(11)를 사용한 약액(13)의 분사는 상기 기판(15)의 타측 단부로부터 상기 기판(15)의 일측 단부까지로 이루어지는 스캔 방식에 의해 달성될 수 있다. 이에, 상기 분사부(11)는 상기 기판(15)의 폭 방향과 동일한 길이를 갖는 노즐 등으로 이루어질 수 있다.In addition, since the substrate processing apparatus 10 may be applied to a process of applying the photoresist, the injection unit 11 may inject the chemical liquid 13 in a scanning manner. Injection of the chemical liquid 13 using the injection unit 11 may be achieved by a scan method consisting of the other end of the substrate 15 to one end of the substrate 15. Thus, the injection unit 11 may be formed of a nozzle having the same length as the width direction of the substrate 15, and the like.

상기 기판 처리 장치(10)를 사용하여 약액(13)을 분사할 때에는 상기 기판(15)은 고정된 상태에서 상기 분사부(11)가 상기 기판(15)의 타측 단부로부터 상기 기판(15)의 일측 단부까지 이동하도록 구동하거나, 상기 분사부(11)가 고정된 상태에서 상기 기판(15)이 타측 단부를 시작점으로 일측 단부까지 이동하도록 구동하거나, 또는 상기 분사부(11)와 상기 기판(15)이 서로 반대 방향으로 이동하도록 구동할 수 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)를 사용한 약액(13)의 분사에서는 상기 분사부(11)가 이동하는 속도를 상기 기판(15)에 대한 상기 분사부(11)의 상대 속도로 표현할 수 있다.When the chemical liquid 13 is jetted using the substrate processing apparatus 10, the jetting part 11 is fixed to the substrate 15 from the other end of the substrate 15 while the substrate 15 is fixed. Drive to move to one end, or drive the substrate 15 to move from one end to the other end from the starting point in the state in which the injection unit 11 is fixed, or the injection unit 11 and the substrate 15 ) Can be driven to move in opposite directions. Thus, in the injection of the chemical liquid 13 using the substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention, the speed at which the injection unit 11 is moved is measured by the injection unit 11 relative to the substrate 15. Can be expressed at relative speed.

상기 기판 처리 장치(10)를 사용하여 형성하는 포토레지스트 박막 등은 상기 기판(15) 전체에 균일한 두께를 가져야 한다. 상기 기판(15) 전체에 균일한 두께를 갖는 박막을 형성하기 위해서는 상기 분사부(11)를 사용한 약액(13)의 분사량이 기판(15) 전체에 걸쳐 거의 동일해야 한다.A photoresist thin film or the like formed using the substrate processing apparatus 10 should have a uniform thickness over the entire substrate 15. In order to form a thin film having a uniform thickness throughout the substrate 15, the injection amount of the chemical liquid 13 using the injection unit 11 should be substantially the same throughout the substrate 15.

그러나 상기 기판 처리 장치(10)를 사용한 약액(13)의 분사시 상기 기판(15)의 일측 단부에 상기 분사부(11)가 도착하면 상기 약액(13)의 공급을 중단하면서 상기 분사부(11)를 수직 방향으로 곧장 상승시키거나 정해진 상승 시점에서 사선 방향으로 상승하면서 동일한 높이까지로 상승시키기 때문에 상기 기판(15)의 일측 단부에 분사되는 약액(13)이 뭉치는 현상이 발생하여 균일도가 나빠지는 결과를 초래할 수 있고, 상기 분사부(11)의 단부에 오염도가 높아지는 결과를 초래할 수 있다.However, when the injection unit 11 arrives at one end of the substrate 15 during the injection of the chemical liquid 13 using the substrate processing apparatus 10, the injection unit 11 is stopped while the supply of the chemical liquid 13 is stopped. ) Rises straight up in the vertical direction or up to the same height while rising in the oblique direction at a predetermined rising time, resulting in agglomeration of the chemical liquid 13 injected at one end of the substrate 15, resulting in poor uniformity. May cause a result, and may result in a high degree of contamination at the end of the injection portion (11).

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)를 사용하는 약액(13)의 분사에서는 상기 기판(15)의 일측 단부로 향하는 상기 기판(15)에 대한 상기 분사부(11)의 상대 속도에 따라 상기 분사부(11)의 상승 시점을 결정할 수 있다.In the injection of the chemical liquid 13 using the substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention, the relative speed of the injection unit 11 with respect to the substrate 15 toward one end of the substrate 15 is increased. As a result, a rise time of the injection unit 11 may be determined.

이에, 상기 기판 처리 장치(10)는 상기 분사부(11)가 상기 기판(15)의 일측 단부로 향할 때 상기 분사부(11)를 사선 방향으로 서서히 상승시킬 수 있는 구동력을 제공하는 상승 구동부(17)를 상기 제어부(19)가 제어하도록 구비될 수 있다. 특히, 상기 제어부(19)는 상기 기판(15)의 일측 단부로 향하는 상기 기판(15)에 대한 상기 분사부(11)의 상대 속도에 따라 상기 분사부(11)의 상승 시점을 결정하도록 상기 상승 구동부(17)를 제어하게 구비될 수 있다.Accordingly, the substrate processing apparatus 10 may include an upward driving unit that provides a driving force to gradually raise the injection unit 11 in an oblique direction when the injection unit 11 is directed toward one end of the substrate 15. 17 may be provided to control the control unit 19. In particular, the control unit 19 is configured to determine the rising time of the injection unit 11 according to the relative speed of the injection unit 11 with respect to the substrate 15 toward one end of the substrate 15. It may be provided to control the drive unit 17.

도 2 및 도 3은 도 1의 분사부의 상승 방법에 대하여 설명하기 위한 도면들이다.2 and 3 are views for explaining a method of raising the injection unit of FIG.

먼저 도 2를 참조하면, 상기 분사부(11)의 상대 속도가 서로 다를 경우 상기 분사부(11)의 상승 시점을 서로 다르게 결정하는 것으로써, 상기 제어부(19)는 상기 기판(15)에 대한 상기 분사부(11)의 상대 속도가 상대적으로 느릴 경우에는 상기 기판(15)의 일측 단부와 상대적으로 가까운 위치(B)가 상기 분사부(11)의 상승 시점이 되도록 제어하고, 상기 기판(15)에 대한 상기 분사부(11)의 상대 속도가 상대적으로 빠를 경우에는 상기 기판(15)의 일측 단부와 상대적으로 먼 위치(A)가 상기 분사부(11)의 상승 시점이 되도록 제어한다. 상기 기판(15)의 일측 단부에 상대적으로 가까운 위치(B)에서 상승할 경우 상기 분사부(11)는 상대적으로 급속한 곡선(23)을 따라 상승하고 상기 기판(15)의 일측 단부와 상대적으로 먼 위치(A)에서 상승할 경우 상기 분사부(11)는 상대적으로 완만한 곡선(21)을 따라 상승한다. 즉, 상기 분사부(11)의 상대 속도가 상대적으로 느릴 경우 상기 분사부(11)가 상승되는 구간을 줄이는 것이고, 상기 분사부(11)의 상대 속도가 상대적으로 빠를 경우 상기 분사부(11)가 상승되는 구간을 늘이는 것이다. 다시 말해, 상기 기판 처리 장치(10)를 사용한 약액(13)의 분사에서는 분사가 이루어지는 전체 시간은 동일하게 유지하면서 상기 분사부(11)가 상승되는 시간을 상기 분사부(11)의 상대 속도에 따라 달리하는 것이다.First, referring to FIG. 2, when the relative speeds of the sprayers 11 are different from each other, the rising points of the sprayers 11 are determined differently, so that the controller 19 may determine the substrate 15. When the relative speed of the sprayer 11 is relatively slow, the position B relatively close to the one end of the substrate 15 is controlled to be the rising point of the sprayer 11, and the substrate 15 is controlled. When the relative speed of the jetting unit 11 is relatively high with respect to), the position A is relatively far from the one end of the substrate 15 so as to be a rising point of the jetting unit 11. When rising at a position B relatively close to one end of the substrate 15, the jet 11 rises along a relatively rapid curve 23 and is relatively far from one end of the substrate 15. When ascending at position A, the jet 11 rises along a relatively gentle curve 21. That is, when the relative speed of the injection unit 11 is relatively slow, it is to reduce the section in which the injection unit 11 is raised, and when the relative speed of the injection unit 11 is relatively fast, the injection unit 11 is used. Is to increase the interval to rise. In other words, in the injection of the chemical liquid 13 using the substrate processing apparatus 10, the time at which the injection unit 11 is raised is maintained at the relative speed of the injection unit 11 while maintaining the same overall time for the injection. To follow.

이에, 도 2에서와 같이 상기 기판 처리 장치(10)를 사용할 경우 상기 기판(15)에 대한 상기 분사부(11)의 상대 속도까지 고려하여 약액(13)을 분사하기 때문에 상기 기판(15)의 일측 단부에서도 약액(13)의 분사량을 균일하게 유지할 수 있을 것이다.Therefore, when the substrate processing apparatus 10 is used as shown in FIG. 2, the chemical liquid 13 is sprayed in consideration of the relative speed of the injection unit 11 with respect to the substrate 15. Even at one end, the injection amount of the chemical liquid 13 may be maintained uniformly.

그리고 도 3을 참조하면, 상기 분사부(11)의 상대 속도가 동일한 경우 상기 제어부(19)는 상기 분사부(11)의 상승 높이를 서로 다르게 결정하도록 제어할 수 있다. 즉, 상기 제어부(19)는 상기 분사부(11)의 상대 속도가 동일한 경우 상기 분사부(11)의 상승 높이가 서로 다르게 상기 상승 구동부(17)를 제어할 수 있는 것이다. 상기 분사부(11)의 상대 속도가 동일한 경우 상기 분사부(11)가 상승되는 시점(C)은 동일하지만 상기 분사부(11)가 상승되는 높이가 다른 것으로써 상대적으로 높은 위치까지 상승할 경우에는 상대적으로 급속한 곡선(31)을 따라 상승하고 상대적으로 낮은 위치까지 상승할 경우에는 상대적으로 완만한 곡선(33)을 따라 상승한다.3, when the relative speeds of the injection units 11 are the same, the controller 19 may control to determine differently the rising heights of the injection units 11. That is, the controller 19 may control the lift driver 17 to have different heights of lift of the jet 11 when the relative speeds of the jet 11 are the same. When the relative speeds of the injection unit 11 are the same When the injection unit 11 is raised (C) is the same, but the height of the injection unit 11 is different to rise to a relatively high position R rises along a relatively rapid curve 31 and rises along a relatively gentle curve 33 when rising to a relatively low position.

여기서 상기 분사부의 상승 높이는 상기 약액의 특성, 특히 상기 약액의 점성 등에 따라 달리할 수 있다. 일예로, 상기 약액의 점성이 상대적으로 높을 경우에는 상기 분사부의 높이를 상대적으로 낮게 상승시킬 수 있고 상기 약액의 점성이 상대적으로 낮을 경우에는 상기 분사부의 높이를 상대적으로 높게 상승시킬 수 있다. 이와 달리 상기 약액의 점성이 상대적으로 높을 경우에는 상기 분사부의 높이를 상대적으로 높게 상승시킬 수도 있을 것이고 상기 약액의 점성이 상대적으로 낮을 경우에는 상기 분사부의 높이를 상대적으로 낮게 상승시킬 수도 있을 것이다. Here, the rising height of the injection unit may vary depending on the characteristics of the chemical liquid, especially the viscosity of the chemical liquid. For example, when the viscosity of the chemical liquid is relatively high, the height of the injection portion can be increased relatively low, and if the viscosity of the chemical liquid is relatively low, the height of the injection portion can be increased relatively high. On the contrary, when the viscosity of the chemical liquid is relatively high, the height of the spraying part may be relatively high, and when the viscosity of the chemical liquid is relatively low, the height of the spraying part may be relatively low.

따라서 도 3에서와 같이 상기 기판 처리 장치(10)를 사용할 경우 상기 기판(15)에 대한 상기 분사부(11)의 상승 높이까지 고려하여 약액(13)을 분사하기 때문에 상기 기판(15)의 일측 단부에서도 약액(13)의 분사량을 균일하게 유지할 수 있을 것이다.Therefore, when the substrate processing apparatus 10 is used as shown in FIG. 3, one side of the substrate 15 is injected because the chemical liquid 13 is sprayed in consideration of the rising height of the injection unit 11 with respect to the substrate 15. Even at the end, the injection amount of the chemical liquid 13 may be kept uniform.

또한 상기 기판 처리 장치(10)를 사용한 약액(13)의 분사에서는 상기 분사부(11)의 상대 속도가 달리할 경우에도 상기 분사부(11)의 상승 시점을 동일하게 유지하면서 상기 분사부(11)의 상승 높이가 서로 다르게 되도록 제어할 수도 있다.In addition, in the injection of the chemical liquid 13 using the substrate processing apparatus 10, even when the relative speed of the injection unit 11 is different, the injection unit 11 is maintained while maintaining the same rising time point of the injection unit 11. It is also possible to control so that the rising height of the) is different.

이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)의 사용에서는 상기 분사부(11)의 상대 속도에 따라 상기 분사부(11)의 상승 시점을 달리하거나 상승 높이를 달리하여 약액(13)을 분사함으로써 약액(13)의 점성, 공정 조건의 변화 등에 보다 능동적으로 대처할 수 있기 때문에 상기 기판(15)의 일측 단부를 포함하는 상기 기판(15) 전체에 보다 균일한 두께를 갖는 박막을 형성할 수 있을 것이다.As described above, in the use of the substrate processing apparatus 10 according to the exemplary embodiment of the present invention, the chemical liquid 13 may be changed by changing the rising time of the jetting part 11 or the rising height according to the relative speed of the jetting part 11. By spraying), a thin film having a more uniform thickness can be formed on the whole of the substrate 15 including one end of the substrate 15 because the chemical liquid 13 can more actively cope with the viscosity of the chemical liquid 13 and the change of the process conditions. You can do it.

이하, 첨부하는 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

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먼저 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 도 1에서의 기판 처리 장치(10)를 사용함에 의해 달성된다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에서는 도 1에서의 기판 처리 장치(10)와 동일 부재에 대해서는 동일 부호를 사용하고 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.First, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention is achieved by using the substrate processing apparatus 10 in FIG. Therefore, in the substrate processing method according to the exemplary embodiment of the present invention, the same reference numerals are used for the same members as the substrate processing apparatus 10 of FIG. 1, and the detailed description thereof will be omitted.

약액(13)의 분사가 이루어지는 기판(15)을 분사부(11) 아래에 배치시킨다. 상기 분사부(11)가 상기 기판(15)의 일측 단부로 향하면서 상기 기판(15)으로 약액(13)을 분사한다. 상기 분사부(11)는 상기 기판(15)의 타측 단부로부터 일측 단부로 향하면서 스캔 방식으로 상기 기판(15)을 향하여 약액(13)을 분사한다.The substrate 15 on which the chemical liquid 13 is sprayed is disposed below the spraying portion 11. The sprayer 11 sprays the chemical liquid 13 onto the substrate 15 while moving toward the one end of the substrate 15. The injection unit 11 injects the chemical liquid 13 toward the substrate 15 in a scanning manner from the other end of the substrate 15 to the one end.

그리고 상기 기판(15)의 일측 단부로 향하는 상기 기판(15)에 대한 상기 분사부(11)의 상대 속도에 따라 상기 분사부(11)의 상승 시점을 결정한다.The rising time of the jetting unit 11 is determined according to the relative speed of the jetting unit 11 with respect to the substrate 15 toward the one end of the substrate 15.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에서는 상기 분사부(11)의 상대 속도가 서로 다를 경우 상기 분사부(11)의 상승 높이는 동일하지만 상승 시점을 달리할 수 있거나 또는 상기 분사부(11)의 상대 속도가 동일할 경우 상기 분사부(11)의 상승 시점은 동일하지만 상승 높이를 달리할 수 있다.In the substrate processing method according to the exemplary embodiment of the present invention, when the relative speeds of the jetting parts 11 are different from each other, the rising heights of the jetting parts 11 are the same but may be different from each other. When the relative speed of the same is the rise time of the injection portion 11 is the same, but the rise height may be different.

이에, 상기 기판(15)에 대한 상기 분사부(11)의 상대 속도가 상대적으로 느릴 경우에는 상기 기판(15)의 일측 단부와 상대적으로 가까운 위치에서 상기 분사부(11)를 상승시키고, 상기 기판(15)에 대한 상기 분사부(11)의 상대 속도가 상대적으로 빠를 경우에는 상기 기판(15)의 일측 단부와 상대적으로 먼 위치에서 상기 분사부(11)를 상승시킨다.Thus, when the relative speed of the sprayer 11 relative to the substrate 15 is relatively slow, the sprayer 11 is raised at a position relatively close to one end of the substrate 15, and the substrate When the relative speed of the spray unit 11 with respect to 15 is relatively high, the spray unit 11 is raised at a position relatively far from one end of the substrate 15.

또한, 상기 기판(15)에 대한 상기 분사부(11)의 상대 속도가 동일할 경우에는 상기 분사부(11)의 상승 시점을 동일하게 하면서 상기 분사부(11)의 상승 높이를 서로 달리할 수 있다.In addition, when the relative speed of the injection unit 11 with respect to the substrate 15 is the same, the rising height of the injection unit 11 may be different from each other while maintaining the same rising time of the injection unit 11. have.

이외에, 상기 분사부(11)의 상대 속도가 달리할 경우에도 상기 분사부(11)의 상승 시점을 동일하게 유지하면서 상기 분사부(11)의 상승 높이가 서로 다르게 되도록 할 수도 있다.In addition, even when the relative speed of the injection unit 11 is different, the rising height of the injection unit 11 may be different from each other while maintaining the same rising time of the injection unit 11.

이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에서도 상기 분사부(11)의 상대 속도에 따라 상기 분사부(11)의 상승 시점을 달리하거나 상승 높이를 달리하여 약액(13)을 분사함으로써 약액(13)의 점성, 공정 조건의 변화 등에 보다 능동적으로 대처할 수 있기 때문에 상기 기판(15)의 일측 단부를 포함하는 상기 기판(15) 전체에 보다 균일한 두께를 갖는 박막을 형성할 수 있을 것이다.As described above, in the substrate processing method according to the exemplary embodiment of the present invention, the chemical liquid is injected by spraying the chemical liquid 13 by changing the rising time of the injection portion 11 or changing the rising height according to the relative speed of the injection portion 11. Since it is possible to more actively cope with the change in viscosity, process conditions, and the like of (13), a thin film having a more uniform thickness may be formed on the entire substrate 15 including one end of the substrate 15.

본 발명의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 집적회로 소자의 제조에 적용할 경우 약액의 점성, 분사부의 속도 변화 등이 발생하여도 분사부의 상승 시점 또는 상승 높이를 달리함으로써 기판에 분사되는 약액의 분사량 등을 보다 균일하게 확보할 수 있다.When the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention are applied to the manufacture of integrated circuit devices, even if the viscosity of the chemical liquid, the speed change of the injection portion, etc. occurs, the injection amount of the chemical liquid injected to the substrate by changing the rising time or the rising height of the injection portion Etc. can be ensured more uniformly.

따라서 기판의 일측 단부에 까지도 균일한 두께를 갖는 박막을 형성할 수 있기 때문에 집적회로 소자 제품 자체에 대한 품질 경쟁력까지도 확보할 수 있을 것이다.Therefore, since a thin film having a uniform thickness can be formed even at one end of the substrate, quality competitiveness of the integrated circuit device product itself can be secured.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

10 : 기판 처리 장치
11 : 분사부 13 : 약액
15 : 기판 17 : 상승 구동부
19 : 제어부10: substrate processing apparatus
11: injection portion 13: chemical
15 substrate 17 lift drive
19: control unit

Claims (12)

아래에 배치되는 기판을 향하여 약액을 분사할 수 있는 분사부를 포함하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 분사부가 상기 기판의 일측 단부로 향할 때 상기 분사부를 사선 방향으로 서서히 상승시킬 수 있는 구동력을 제공하는 상승 구동부; 및
상기 기판의 일측 단부로 향하는 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도에 따라 상기 분사부의 상승 시점을 결정하도록 상기 상승 구동부를 제어하는 제어부;를 포함하고,
상기 분사부를 사용한 분사가 이루어지는 전체 시간은 동일하게 유지하면서 상기 분사부가 상승되는 시간을 상기 분사부의 상대 속도에 따라 달리하도록 상기 제어부는 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도가 상대적으로 느릴 경우에는 상기 기판의 일측 단부와 상대적으로 가까운 위치가 상기 분사부의 상승 시점이 되도록 상기 상승 구동부를 제어하고, 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도가 상대적으로 빠를 경우에는 상기 기판의 일측 단부와 상대적으로 먼 위치가 상기 분사부의 상승 시점이 되도록 상기 상승 구동부를 제어하고, 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도가 동일할 경우 상기 분사부의 상승 높이를 서로 달리하게 상기 상승 구동부를 제어하고,
상기 분사부는 상기 기판 전체에 걸쳐 동일한 분사량으로 상기 약액을 분사하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus including the injection part which can inject the chemical liquid toward the board | substrate arrange | positioned below,
An upward driving unit providing a driving force to gradually raise the jetting portion in an oblique direction when the jetting portion is directed toward one end of the substrate; And
And a controller configured to control the lift driver to determine a rising time of the jet in accordance with a relative speed of the jet to the substrate toward one end of the substrate.
If the relative speed of the injection unit relative to the substrate is relatively low so that the time for which the injection unit rises is different according to the relative speed of the injection unit while maintaining the total time that the injection using the injection unit is the same, the substrate The lift driving unit is controlled such that a position relatively close to one end of the injector is a rising point of the ejection unit, and when the relative speed of the ejector unit relative to the substrate is relatively high, the position relatively far from the one end of the substrate is increased. The lift drive unit is controlled to be a rising point of the jetting unit, and when the relative speed of the jetting unit relative to the substrate is the same, the lift driving unit is controlled to have different elevation heights of the jetting unit.
And the spraying portion sprays the chemical liquid at the same spraying amount over the entire substrate. 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 분사부의 상승 높이는 상기 약액의 점성에 따라 달리하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
And a rising height of the jetting part varies depending on the viscosity of the chemical liquid. 제1 항에 있어서,
상기 약액을 분사할 때에 상기 분사부는 고정된 상태를 유지하면서 상기 기판이 이동하도록 구비되거나, 상기 기판이 고정된 상태를 유지하면서 상기 분사부가 이동하도록 구비되거나, 또는 상기 기판 및 상기 분사부가 서로 반대 방향으로 이동하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
When spraying the chemical liquid, the spraying unit is provided to move the substrate while maintaining a fixed state, or the spraying unit is provided to move while maintaining the fixed state of the substrate, or the substrate and the spraying unit are opposite to each other. Substrate processing apparatus, characterized in that provided to move. 제1 항에 있어서,
상기 약액의 분사는 상기 기판의 타측 단부로부터 상기 기판의 일측 단부로 이루어지는 스캔 방식에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The injection of the chemical liquid is a substrate processing apparatus, characterized in that achieved by the scanning method consisting of one end of the substrate from the other end of the substrate. 아래에 배치되는 기판을 향하여 약액을 분사할 수 있는 분사부를 사용하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 분사부가 상기 기판의 일측 단부로 향하는 단계; 및
상기 기판의 일측 단부로 향하는 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도에 따라 상기 분사부의 상승 시점을 결정하는 단계;를 포함하고,
상기 분사부의 상승 시점을 결정하는 단계는
상기 분사부를 사용한 분사가 이루어지는 전체 시간은 동일하게 유지하면서 상기 분사부가 상승되는 시간을 상기 분사부의 상대 속도에 따라 달리하도록 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도가 상대적으로 느릴 경우에는 상기 기판의 일측 단부와 상대적으로 가까운 위치에서 상기 분사부를 상승시키고, 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도가 상대적으로 빠를 경우에는 상기 기판의 일측 단부와 상대적으로 먼 위치에서 상기 분사부를 상승시키고, 상기 기판에 대한 상기 분사부의 상대 속도가 동일할 경우에는 상기 분사부의 상승 시점을 동일하게 하면서 상기 분사부의 상승 높이를 서로 달리하게 하고,
상기 분사부는 상기 기판 전체에 걸쳐 동일한 분사량으로 상기 약액을 분사하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.In the substrate processing method using the injection part which can inject the chemical liquid toward the board | substrate arrange | positioned below,
Directing the jetting portion toward one end of the substrate; And
Determining an elevation time of the jetting part according to a relative speed of the jetting part with respect to the substrate toward the one end of the substrate;
Determining the rise time of the injection unit
One end of the substrate when the relative speed of the injection unit relative to the substrate is relatively slow so that the time for which the injection unit is raised depends on the relative speed of the injection unit while maintaining the total time for the injection using the injection unit is the same. Raise the jetting portion at a position relatively close to and raise the jetting portion at a position relatively far from one end of the substrate when the relative speed of the jetting portion relative to the substrate is relatively fast, and the jetting to the substrate. When the negative relative speeds are the same, the rising heights of the injection parts are made different while the rising time of the injection parts is the same.
And the ejecting portion is configured to eject the chemical liquid with the same ejection amount over the entire substrate. 삭제delete 삭제delete 제7 항에 있어서,
상기 분사부의 상승 높이는 상기 약액의 점성에 따라 달리하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 7, wherein
The rising height of the jetting part is different depending on the viscosity of the chemical liquid. 제7 항에 있어서,
상기 약액의 분사는
상기 분사부가 고정된 상태를 유지하면서 상기 기판이 이동함에 의해 달성되거나, 상기 기판이 고정된 상태를 유지하면서 상기 분사부가 이동함에 의해 달성되거나, 또는 상기 기판 및 상기 분사부가 서로 반대 방향으로 이동함에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 7, wherein
Injection of the chemical liquid
Is achieved by moving the substrate while keeping the jets fixed, or by moving the jets while keeping the substrate fixed, or by moving the substrate and the jets in opposite directions A substrate processing method characterized by the above-mentioned. 제7 항에 있어서,
상기 약액의 분사는
상기 기판의 타측 단부로부터 상기 기판의 일측 단부로 이루어지는 스캔 방식에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 7, wherein
Injection of the chemical liquid
A substrate processing method, characterized in that achieved by a scanning method consisting of one end of the substrate from the other end of the substrate.
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