KR102008513B1

KR102008513B1 - Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same

Info

Publication number: KR102008513B1
Application number: KR1020120144379A
Authority: KR
Inventors: 이연경; 김영미; 허준영; 박용민
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2012-12-12
Filing date: 2012-12-12
Publication date: 2019-08-09
Also published as: KR20140080598A

Abstract

본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판 위에 가로 방향으로 배열하는 복수 개의 스캔 배선; 상기 기판 위에 세로 방향으로 배열하는 복수 개의 데이터 배선; 상기 데이터 배선 옆에서 세로 방향으로 배열하는 복수 개의 구동 전류 배선; 상기 복수 개의 스캔 배선, 상기 복수 개의 데이터 배선, 상기 복수 개의 구동 전류 배선으로 둘러싸인 복수 개의 화소 영역; 그리고 상기 데이터 배선에서 상기 화소 영역 쪽으로 일정 거리 떨어진 제1 측변과, 이웃하는 데이터 배선에서 이웃하는 화소 영역 쪽으로 상기 일정 거리 떨어진 제2 측변으로 둘러싸인 칼라 필터를 포함한다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법은, 리프트-오프 공정에서 포토레지스트가 정확한 역 테이퍼 구조를 가질 수 있어, 고 해상도 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다.The present invention relates to an organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same. An organic light emitting diode display according to the present invention comprises: a plurality of scan wirings arranged in a horizontal direction on a substrate; A plurality of data lines arranged in a vertical direction on the substrate; A plurality of driving current wirings arranged in a vertical direction beside the data wirings; A plurality of pixel regions surrounded by the plurality of scan wirings, the plurality of data wirings, and the plurality of driving current wirings; And a color filter surrounded by a first side edge spaced apart from the data line toward the pixel area and a second side edge spaced away from the data line toward the neighboring pixel area. In the method of manufacturing the organic light emitting diode display according to the present invention, the photoresist may have an accurate reverse taper structure in a lift-off process, thereby providing a high resolution organic light emitting diode display.

Description

Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same

본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 백색광 발현 유기발광물질 위에 칼라 필터를 패턴하거나, 원색(적, 녹, 청) 발현 유기발광물질을 패턴한 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same. In particular, the present invention relates to an organic light emitting diode display device in which a color filter is patterned on a white light emitting organic light emitting material, or a primary color (red, green, blue) expressing organic light emitting material is patterned, and a manufacturing method thereof.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치 (Electroluminescence Device, EL) 등이 있다. Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. Such flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs), field emission displays (FEDs), plasma display panels (PDPs), and electroluminescence devices (ELs). have.

전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광장치와 유기발광다이오드장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.Electroluminescent devices are classified into inorganic electroluminescent devices and organic light emitting diode devices according to the material of the light emitting layer. As the self-emitting devices emit light by themselves, they have fast response speed, high luminous efficiency, high luminance and viewing angle.

도 1은 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면이다. 유기발광 다이오드는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다. 1 is a view showing the structure of an organic light emitting diode. The organic light emitting diode includes an organic electroluminescent compound layer electroluminescent as shown in FIG. 1, and a cathode electrode and an anode electrode facing each other with the organic electroluminescent compound layer interposed therebetween. The organic electroluminescent compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (Electron injection). layer, EIL).

유기발광다이오드는 애노드 전극(Anode)과 캐소드 전극(Cathode)에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드의 발광층(EML)에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.The organic light emitting diode emits light due to energy from the excitons during the excitation process when holes and electrons injected into the anode electrode and the cathode electrode recombine in the emission layer EML. The organic light emitting diode display displays an image by electrically controlling the amount of light generated in the light emitting layer EML of the organic light emitting diode as shown in FIG. 1.

전계발광소자인 유기발광 다이오드의 특징을 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다.The organic light emitting diode display (OLED), which uses the characteristics of the organic light emitting diode, an electroluminescent device, has a passive matrix type organic light emitting diode display (PMOLED) and an active matrix. It is roughly classified into an active matrix type organic light emitting diode display (AMOLED).

액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(AMOLED)는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)를 이용하여 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다.An active matrix type organic light emitting diode display device (AMOLED) displays an image by controlling a current flowing through the organic light emitting diode using a thin film transistor (TFT).

도 2는 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도의 한 예이다. 도 3은 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 AMOLED의 구조를 나타내는 단면도이다.2 is an example of an equivalent circuit diagram showing the structure of one pixel in an AMOLED. 3 is a plan view showing the structure of one pixel in an AMOLED. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the structure of an AMOLED taken along the line II ′ of FIG. 3.

도 2 내지 3을 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막트랜지스터(Thin Film Transistor: 이하 "TFT"라 함)(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.2 to 3, the active matrix organic light emitting diode display includes a switching thin film transistor (TFT) (ST), a driving TFT (DT) connected to the switching TFT, and a driving TFT (DT). And an organic light emitting diode (OLED) connected to it.

스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 전송 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.The switching TFT ST is formed at a portion where the scan line SL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG branching from the scan line SL, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD. The driving TFT DT serves to drive the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA, the driving current transfer wiring VDD, and a drain electrode. (DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode ANO of the organic light emitting diode OLED.

좀 더 상세히 살펴보기 위해 도 4를 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치의 기판(SUB) 상에 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(SG, DG)이 형성되어 있다. 그리고 게이트 전극(SG, DG) 위에는 게이트 절연막(GI)이 덮고 있다. 게이트 전극(SG, DG)과 중첩되는 게이트 절연막(GI)의 일부에 반도체 층(SA, DA)이 형성되어 있다. 반도체 층(SA, DA) 위에는 일정 간격을 두고 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 마주보고 형성된다. 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)를 덮는 보호층(PAS)이 전면에 도포된다. 4, the gate electrodes SG and DG of the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed on the substrate SUB of the active matrix organic light emitting diode display. The gate insulating film GI is covered on the gate electrodes SG and DG. The semiconductor layers SA and DA are formed on a part of the gate insulating film GI overlapping the gate electrodes SG and DG. On the semiconductor layers SA and DA, source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are formed to face each other at a predetermined interval. The drain electrode SD of the switching TFT ST contacts the gate electrode DG of the driving TFT DT through a contact hole formed in the gate insulating layer GI. A protective layer PAS covering the switching TFT ST and the driving TFT DT having such a structure is coated on the entire surface.

나중에 형성될 애노드 전극(ANO)의 영역에 해당하는 부분에 칼라 필터(CF)가 형성된다. 칼라 필터(CF)는 가급적 넓은 면적을 차지하도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 데이터 배선(DL), 구동 전류배선(VDD) 및 전단의 스캔 배선(SL)의 많은 영역과 중첩하도록 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 칼라 필터(CF)가 형성된 기판은 여러 구성요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다.The color filter CF is formed at a portion corresponding to a region of the anode electrode ANO to be formed later. The color filter CF is preferably formed to occupy a large area as much as possible. For example, it is preferable to form so as to overlap many areas of the data line DL, the drive current line VDD, and the scan line SL at the front end. As described above, the substrate on which the color filter CF is formed has various components, and thus, the surface thereof is not flat and many steps are formed. Therefore, the overcoat layer OC is applied to the entire surface of the substrate for the purpose of flattening the surface of the substrate.

그리고 오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호층(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.An anode ANO of the organic light emitting diode OLED is formed on the overcoat layer OC. Here, the anode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through contact holes formed in the overcoat layer OC and the protective layer PAS.

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크패턴(BANK)을 형성한다.On the substrate on which the anode electrode ANO is formed, a bank pattern BANK is formed on the region where the switching TFT ST, the driving TFT DT, and the various wirings DL, SL, and VDD are formed to define a pixel region. .

뱅크 패턴(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다. 뱅크 패턴(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 백색 유기층(WOLE)과 캐소드 전극층(CAT)이 순차적으로 적층된다. 이때, 유기층(WOLE)은 백색광을 발하는 유기물질로 이루어지지만, 아래에 위치한 칼라 필터(CF)에 의해 각 화소에 배정된 색상을 나타낸다. 도 4와 같은 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치는 아래 방향으로 발광하는 하부 발광(Bottom Emission) 표시장치가 된다.The anode ANO exposed by the bank pattern BANK becomes a light emitting region. The white organic layer WOLE and the cathode electrode layer CAT are sequentially stacked on the anode ANO exposed by the bank pattern BANK. At this time, the organic layer WOLE is made of an organic material that emits white light, but represents the color assigned to each pixel by the color filter CF disposed below. The organic light emitting diode display having the structure as shown in FIG. 4 is a bottom emission display which emits light downward.

상부 발광(Top Emission) 유기발광 다이오드 표시장치를 만들기 위해서는, 도 4에서 칼라 필터를 캐소드 전극(CAT) 위에 형성하거나, 상부 기판에 별도로 형성하여야 한다. 즉, 종래 기술에서는 동일한 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치로 상부 발광 방식, 하부 발광 방식 또는 양방향 발광 방식을 동시에 구현할 수 없다.In order to make a top emission organic light emitting diode display, a color filter in FIG. 4 must be formed on the cathode electrode CAT or separately formed on the upper substrate. That is, in the related art, an organic light emitting diode display having the same structure cannot simultaneously implement an upper emission method, a lower emission method, or a bidirectional emission method.

또한, 상부 발광 방식을 구현하기 위해서는, 캐소드 전극(CAT) 혹은 유기층(WOLE) 위에 칼라 필터(CF)를 형성하여야 한다. 또 다른 방법으로는, 원색광(적, 녹, 청)을 발생하는 유기층을 이용하여 유기발광 다이오드(OLED)를 형성할 수도 있다. 그러나 칼라 필터(CF) 혹은 원색 발현 유기층을 형성하기 위한 포토 공정에서 사용하는 광산발생제에 의해 강산 물질이 발생하고, 이에 의해 백색광 발현 유기층(WOLE) 혹은 원색 발현 유기층이 손상될 위험이 크다.In addition, to implement the top emission method, the color filter CF must be formed on the cathode electrode CAT or the organic layer WOLE. Alternatively, the organic light emitting diode OLED may be formed using an organic layer that generates primary color light (red, green, blue). However, a strong acid material is generated by the photoacid generator used in the color filter (CF) or the photo process for forming the primary color developing organic layer, and there is a high risk that the white light emitting organic layer (WOLE) or the primary color developing organic layer is damaged.

따라서, 광산발생제를 사용하는 포토리소그래피 공정이 아닌 다른 공정을 사용하기도 한다. 그러나 다른 공정들은 비용이 비싸며, 양산에 적합하지 않다. 그래도 현재까지 안정된 기술로 사용하는 것으로는 프린팅 기법이 있다. 하지만, 프린팅 기법은 정밀도가 포토 공정에 비해 현저히 떨어지기 때문에 고 해상도 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 데에는 적합하지 못하다.Therefore, a process other than the photolithography process using a photoacid generator may be used. However, other processes are expensive and not suitable for mass production. Nevertheless, there is a printing technique to use as a stable technology to date. However, the printing technique is not suitable for manufacturing high resolution organic light emitting diode display devices because the precision is significantly lower than the photo process.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써, 포토 공정을 이용하여 고 해상도로 구현한, 칼라 필터를 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 직접 형성한 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 포토 공정을 이용하여 고 해상도로 구현한, 원색광 발현 유기층을 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 직접 형성한 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은, 리프트-오프 방식의 포토 공정을 이용하여 고 해상도로 구현한, 칼라 필터 혹은 원색광 발현 유기층을 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 직접 형성한 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to solve the problems of the prior art, an organic light emitting diode display and a manufacturing method of a color filter directly formed between an anode electrode and a cathode electrode, which is implemented at high resolution using a photo process To provide a way. Another object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display and a method of manufacturing the organic light emitting organic layer directly formed between the anode electrode and the cathode electrode, which is implemented at high resolution using a photo process. It is still another object of the present invention to manufacture an organic light emitting diode display including a color filter or primary color light-emitting organic layer directly formed between an anode electrode and a cathode electrode, which is realized at high resolution by using a lift-off type photo process. To provide a way.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판 위에 가로 방향으로 배열하는 복수 개의 스캔 배선; 상기 기판 위에 세로 방향으로 배열하는 복수 개의 데이터 배선; 상기 데이터 배선 옆에서 세로 방향으로 배열하는 복수 개의 구동 전류 배선; 상기 복수 개의 스캔 배선, 상기 복수 개의 데이터 배선, 상기 복수 개의 구동 전류 배선으로 둘러싸인 복수 개의 화소 영역; 그리고 상기 데이터 배선에서 상기 화소 영역 쪽으로 일정 거리 떨어진 제1 측변과, 이웃하는 데이터 배선에서 이웃하는 화소 영역 쪽으로 상기 일정 거리 떨어진 제2 측변으로 둘러싸인 칼라 필터를 포함한다.In order to achieve the above object, the organic light emitting diode display according to the present invention, a plurality of scan wiring arranged in the horizontal direction on the substrate; A plurality of data lines arranged in a vertical direction on the substrate; A plurality of driving current wirings arranged in a vertical direction beside the data wirings; A plurality of pixel regions surrounded by the plurality of scan wirings, the plurality of data wirings, and the plurality of driving current wirings; And a color filter surrounded by a first side edge spaced apart from the data line toward the pixel area and a second side edge spaced away from the data line toward the neighboring pixel area.

상기 스캔 배선, 상기 데이터 배선, 상기 구동 전류 배선을 덮는 오버코트 층; 상기 오버코트 층 위에 형성되고, 상기 화소 영역과 중첩하는 제1 전극; 상기 제1 전극의 테두리부를 덮으며, 중앙부를 개방하여 개구 영역을 정의하는 뱅크 패턴; 상기 제1 전극 위와 상기 칼라 필터 아래에 도포된 백색 유기 발광층; 그리고 상기 칼라 필터 위에 도포된 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.An overcoat layer covering the scan wiring, the data wiring, and the driving current wiring; A first electrode formed on the overcoat layer and overlapping the pixel region; A bank pattern covering an edge portion of the first electrode and defining an opening area by opening a central portion thereof; A white organic light emitting layer coated on the first electrode and below the color filter; And a second electrode coated on the color filter.

상기 칼라 필터의 상기 제1 측변 및 상기 제2 측변은 각각 상기 개구 영역을 정의하는 상기 뱅크 패턴 위에 배치되는 것을 특징으로 한다.The first side and the second side of the color filter are each disposed on the bank pattern defining the opening area.

상기 제1 전극은, 상기 데이터 배선에서 상기 화소 영역 쪽으로 떨어진 제1 외곽선과, 이웃하는 데이터 배선과 중첩하는 제2 외곽선을 포함하며, 상기 구동 전류 배선을 덮는 것을 특징으로 한다.The first electrode may include a first outline away from the data line toward the pixel area and a second outline overlapping the neighboring data line, and cover the driving current line.

상기 일정 거리는 최소 2㎛ 이상인 것을 특징으로 한다.The predetermined distance is characterized in that at least 2㎛.

또한, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 방법은, 기판 위에서 화소 영역을 정의하는 배선들을 형성하는 단계; 상기 배선들을 덮는 오버코트 층을 도포하는 단계; 상기 오버코트 층 위에서 상기 화소 영역과 중첩하는 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극의 테두리부를 덮으며, 중앙부를 개방하여 개구 영역을 정의하는 뱅크 패턴을 형성하는 단계; 상기 뱅크 패턴이 형성된 전체 표면 위에 백색 유기층을 도포하는 단계; 상기 백색 유기층 위에, 상기 배선들의 외곽에서 상기 화소 영역 쪽으로 일정 거리 떨어진 제1 측변과, 이웃하는 배선들의 외곽에서 이웃하는 화소 영역 쪽으로 상기 일정 거리 떨어진 제2 측변으로 둘러싸인 칼라 필터를 형성하는 단계; 그리고 상기 칼라 필터가 형성된 상기 전체 표면 위에 제2 전극을 도포하는 단계를 포함한다.In addition, a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to the present invention may include forming wirings defining a pixel area on a substrate; Applying an overcoat layer covering the wires; Forming a first electrode on the overcoat layer, the first electrode overlapping the pixel region; Forming a bank pattern covering an edge portion of the first electrode and opening a central portion to define an opening region; Applying a white organic layer over the entire surface of the bank pattern; Forming a color filter on the white organic layer surrounded by a first side edge at a distance from the outside of the wirings toward the pixel area and a second side edge at a distance from the outside of the wiring toward the neighboring pixel area; And applying a second electrode over the entire surface on which the color filter is formed.

상기 배선들을 형성하는 단계는, 상기 기판의 가로 방향으로 배열하는 복수 개의 스캔 배선, 상기 기판 위에 세로 방향으로 배열하는 복수 개의 데이터 배선, 그리고 상기 데이터 배선 옆에서 세로 방향으로 배열하는 복수 개의 구동 전류 배선을 형성하는 것을 특징으로 한다.The forming of the wires may include a plurality of scan wires arranged in a horizontal direction of the substrate, a plurality of data wires arranged in a vertical direction on the substrate, and a plurality of driving current wires arranged in a vertical direction next to the data wires. It characterized in that to form.

상기 칼라 필터를 형성하는 단계는, 상기 백색 유기층 위에 포토레지스트를 도포하고 패턴하여, 상기 제1 측변과 상기 제2 측변이 역 테이퍼 진 단면 형상을 갖도록 상기 칼라 필터에 대응하는 영역의 상기 포토레지스트를 제거하는 단계; 상기 포토레지스트가 패턴된 전체 표면 위에 칼라 필터를 도포하는 단계; 그리고 상기 포토레지스트를 제거하여 상기 포토레지스트가 제거된 영역에만 상기 칼라 필터를 남기는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The forming of the color filter may include applying and patterning a photoresist on the white organic layer to form the photoresist in a region corresponding to the color filter such that the first side and the second side have an inverse tapered cross-sectional shape. Removing; Applying a color filter over the entire surface of the photoresist patterned; And removing the photoresist to leave the color filter only in the region from which the photoresist has been removed.

상기 포토레지스트는 광산발생제를 포함하지 않고, 광이합체화 반응을 통해 용해도가 변화하는 성질을 갖는 고불소계 감광제인 FDMA-r-AHMA random polymer를 포함하는 것을 특징으로 한다.The photoresist does not contain a photoacid generator, and is characterized in that it comprises a FDMA-r-AHMA random polymer, a high fluorine-based photosensitive agent having a property of changing solubility through a photodimerization reaction.

본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 광산발생제를 사용하지 않는 포토레지스트를 이용하여 칼라 필터 혹은 원색광 발현 유기층을 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 직접 형성한 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 또한, 고 해상도 구현을 위한 고 정밀 패턴 기법 중 하나인 리프트-오프 공정에 의한 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 특히, 하부 배선 경계선으로부터 일정 거리 이격하여 칼라 필터 혹은 원색광 발현 유기층의 외곽선이 위치한 구조를 갖는다. 따라서, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법은, 리프트-오프 공정에서 포토레지스트가 정확한 역 테이퍼 구조를 가질 수 있어, 고 해상도 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다.The organic light emitting diode display according to the present invention is an organic light emitting diode display using a photoresist that does not use a photoacid generator, and a color filter or primary color light emitting organic layer formed directly between an anode electrode and a cathode electrode, and a manufacturing method thereof. to provide. The present invention also provides an organic light emitting diode display by a lift-off process, which is one of high precision pattern techniques for realizing high resolution, and a manufacturing method thereof. In particular, it has a structure in which the outline of the color filter or the primary color light-expressing organic layer is positioned away from the lower wiring boundary. Accordingly, the method of manufacturing the organic light emitting diode display according to the present invention can provide a high resolution organic light emitting diode display because the photoresist may have an accurate reverse taper structure in a lift-off process.

도 1은 유기발광다이오드소자를 나타내는 도면.
도 2는 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.
도 3은 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 AMOLED의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 나타내는 평면도.
도 6은 도 5의 절취선 II-II'로 자른 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 7a 내지 7c는, 도 6에 도시한 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 과정을 도시한 단면도들.
도 8은 도 7b에서 점선으로 표시한 영역 A를 확대한 것으로, 패턴된 포토레지스트 및 그 위에 도포된 칼라 필터의 적층 상태를 나타내는 확대 단면도.
도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 화소 구조를 보여주는 평면도.
도 10은 도 9에서 절취선 III-III'으로 자른, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 11a 내지 11c는, 도 10에 도시한 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 과정을 도시한 단면도들.
도 12는 도 11b에서 점선으로 표시한 영역 B를 확대한 것으로, 패턴된 포토레지스트 및 그 위에 도포된 칼라 필터의 적층 상태를 나타내는 확대 단면도.1 is a view showing an organic light emitting diode device.
2 is an equivalent circuit diagram showing the structure of one pixel in an AMOLED.
3 is a plan view showing the structure of one pixel in an AMOLED.
4 is a cross-sectional view illustrating a structure of an AMOLED taken along the line II ′ of FIG. 3.
5 is a plan view illustrating an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention taken along the line II-II ′ of FIG. 5.
7A to 7C are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention shown in FIG. 6.
FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view showing the laminated state of the patterned photoresist and the color filter applied thereon, in which the region A indicated by the dotted line in FIG. 7B is enlarged;
9 is a plan view illustrating a pixel structure of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention, taken along the line III-III ′ of FIG. 9.
11A through 11C are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode display according to a second embodiment of the present invention shown in FIG. 10.
FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view showing a laminated state of a patterned photoresist and a color filter applied thereon, wherein the region B indicated by a dotted line in FIG. 11B is enlarged;

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Like numbers refer to like elements throughout. In the following description, when it is determined that the detailed description of the known technology or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

이하, 도 5 및 6을 참조하여 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 설명한다. 도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 나타내는 평면도이다. 도 5의 원형으로 표시한 부분 확대도에서는 뱅크 패턴(BANK)에 의해 결정되는 본 발명에 의한 화소 영역에 대한 상세한 구조를 보여준다. 도 6은 도 5의 절취선 II-II'로 자른 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.Hereinafter, an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6. 5 is a plan view illustrating an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention. 5 shows a detailed structure of the pixel area according to the present invention, which is determined by the bank pattern BANK. FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention taken along the line II-II ′ of FIG. 5.

도 5 및 6을 참조하면, 제1 실시 예에 의한 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.5 and 6, the active matrix organic light emitting diode display according to the first embodiment includes a switching thin film transistor ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode connected to the driving TFT DT. (OLED).

박막 트랜지스터(ST, DT)의 구조는 도 2 및 3에서 설명한 유기발광 다이오드 표시장치의 것과 거의 동일하기 때문에 상세한 설명은 생략한다. 본 발명의 주요 특징은 유기발광 다이오드를 형성하는 방법 및 그에 따른 화소 영역의 구조에 관련된 것이므로, 도 5에서 절취선 II-II'으로 자른 단면인 도 6을 참조하여 화소 영역에 대해서 설명한다.Since the structure of the thin film transistors ST and DT is substantially the same as that of the organic light emitting diode display described with reference to FIGS. 2 and 3, a detailed description thereof will be omitted. Since the main features of the present invention are related to the method of forming the organic light emitting diode and the structure of the pixel region according to the present invention, the pixel region will be described with reference to FIG. 6, which is taken along the line II-II ′ of FIG.

도 6을 더 참조하면, 화소 영역은 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL), 그리고 구동 전류 배선(VDD)에 의해 정의된다. 즉, 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 전단의 스캔 배선(SL)으로 둘러싸인 화소 영역 내에 애노드 전극(ANO)을 형성한다. 고 개구율을 구현하기 위해서는 애노드 전극(ANO)의 크기를 가급적 크게 형성하는 것이 필요하다.Referring to FIG. 6, the pixel area is defined by the gate line GL, the data line DL, and the driving current line VDD. That is, the anode electrode ANO is formed in the pixel region surrounded by the data wiring DL, the driving current wiring VDD, and the scan wiring SL in the previous stage. In order to realize a high aperture ratio, it is necessary to form the size of the anode electrode ANO as large as possible.

본 발명에서는, 보호막(PAS) 위에 오버코트 층(OC)이 도포되어, 여러 구성요소들이 형성되어 평탄하지 못하고 단차가 많이 형성된 표면을 평탄하게 한다. 그 결과, 가급적 넓은 면적을 차지하도록 형성하기 위해, 애노드 전극(ANO)을 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 전단의 스캔 배선(GL)의 많은 영역과 중첩하도록 형성할 수 있다.In the present invention, the overcoat layer OC is applied on the passivation layer PAS, so that various components are formed to smooth the uneven surface and the stepped surface. As a result, the anode electrode ANO can be formed so as to overlap a large area of the data line DL, the drive current line VDD, and the scan line GL at the front end in order to form as large an area as possible.

즉, 오버코트 층(OC) 위에는 주변 배선들(DL, VDD, SL)과 일부 중첩하는 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호층(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.That is, the anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLED partially overlapping with the peripheral lines DL, VDD, and SL is formed on the overcoat layer OC. Here, the anode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through contact holes formed in the overcoat layer OC and the protective layer PAS.

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 실제 발광 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크 패턴(BANK)을 형성한다.On the substrate on which the anode electrode ANO is formed, a bank pattern BANK is formed on the region where the switching TFT ST, the driving TFT DT, and the various wirings DL, SL, and VDD are formed to define an actual light emitting region. do.

뱅크 패턴(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다. 발광 영역의 크기를 가급적 크게 형성하기 위해 뱅크 패턴(BANK)은 이웃하는 애노드 전극(ANO)의 사이에 형성하면서, 그 외곽 경계선이 배선들(DL, VDD, SL)과 중첩되도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 데이터 배선(DL)과 구동 전류 배선(VDD)에 걸쳐 중첩되도록 형성하여, 개방된 애노드 전극(ANO)의 영역은, 일측 외곽변이 데이터 배선(DL)의 일부분과 중첩하고, 타측 변이 구동 전류 배선(VDD)의 일부분과 중첩하도록 형성하는 것이 바람직하다.The anode ANO exposed by the bank pattern BANK becomes a light emitting region. In order to form the size of the light emitting area as large as possible, it is preferable that the bank pattern BANK is formed between the neighboring anode electrodes ANO while the outer boundary lines overlap the wirings DL, VDD, and SL. . For example, the area of the anode electrode ANO, which is formed so as to overlap the data line DL and the driving current line VDD, overlaps one part of the outer side data line DL and the other side side. It is preferable to form so as to overlap a part of the driving current wiring (VDD).

뱅크 패턴(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 백색 유기층(WOLE)과 캐소드 전극층(CAT)이 순차적으로 적층된다. 이때, 백색 유기층(WOLE) 대신에, 각 화소별로 적색, 녹색 혹은 청색 광을 발현하는 유기물질을 형성할 수도 있다. 본 실시 예에서는, 편의상, 백색 유기층(WOLE)과 칼라 필터(CF)를 사용하여 천연색을 구현하는 경우에 대해서 설명한다.The white organic layer WOLE and the cathode electrode layer CAT are sequentially stacked on the anode ANO exposed by the bank pattern BANK. In this case, instead of the white organic layer WOLE, an organic material that expresses red, green, or blue light may be formed for each pixel. In the present embodiment, for convenience, a case of implementing a natural color using the white organic layer WOLE and the color filter CF will be described.

백색 유기층(WOLE) 위에는 칼라 필터(CF)가 형성된다. 특히, 칼라 필터(CF)는 각 화소별로 적색, 녹색 혹은 청색 중 어느 한 색상의 칼라 필터(CF)가 배치된다. 특히, 적색(R)-녹색(G)-청색(B)의 배열 순서를 가질 수 있다. 또는. 필요에 따라, 적색(R)-녹색(G)-청색(B)-백색(W)의 배열 순서를 가질 수도 있다.The color filter CF is formed on the white organic layer WOLE. In particular, in the color filter CF, a color filter CF of any one color of red, green, or blue is disposed for each pixel. In particular, it may have an order of red (R)-green (G)-blue (B). or. If necessary, the order may be red (R)-green (G)-blue (B)-white (W).

칼라 필터(CF)는 뱅크 패턴(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)의 개구 영역보다 약간 크게 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 칼라 필터(CF)의 크기는 애노드 전극(ANO)의 크기와 거의 동일하도록 형성하는 것이 바람직하다. 그 결과, 칼라 필터(CF)는 애노드 전극(ANO)과 마찬가지로, 일측 외곽변이 데이터 배선(DL)의 일부분과 중첩하고, 타측 변이 구동 전류 배선(VDD)의 일부분과 중첩하도록 형성할 수 있다.The color filter CF is preferably formed slightly larger than the opening area of the anode electrode ANO exposed by the bank pattern BANK. For example, the size of the color filter CF is preferably formed to be substantially the same as the size of the anode ANO. As a result, like the anode ANO, the color filter CF may be formed such that one outer edge overlaps a portion of the data line DL and the other edge overlaps a portion of the driving current wire VDD.

이하, 도 7a 내지 7c를 참조하여, 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 방법을 설명한다. 도 7a 내지 7c는, 도 6에 도시한 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 과정을 도시한 단면도들이다.Hereinafter, a method of manufacturing the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7A to 7C. 7A to 7C are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention illustrated in FIG. 6.

도 7a를 참조하면, 편의상, 본 발명의 핵심 내용이 아닌, 박막 트랜지스터들(ST, DT)를 제조하는 과정에 대해서는 설명을 생략하였다. 박막 트랜지스터들(ST, DT)을 포함하여, 데이터 배선(DL) 및 구동 배선(VDD)이 형성된 기판(SUB) 위에 보호막(PAS)과 오버 코트 층(OC)을 도포한다. 필요하다면, 보호막(PAS)을 생략하고, 오버코트 층(OC)만 도포할 수도 있다. 보호막(PAS)과 오버코트 층(OC)을 패턴하여, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)을 노출한다. 오버코트 층(OC) 위에서, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)과 접촉하는, 애노드 전극(ANO)을 형성한다. 애노드 전극(ANO)은, 화소 영역의 일측에 배치된 데이터 배선(DL)과 타측에 배치된 구동 전류 배선(VDD)과 중첩하도록 가급적 넓은 면적을 갖는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 7A, a description of a process of manufacturing the thin film transistors ST and DT, which is not the core of the present invention, is omitted for convenience. The passivation layer PAS and the overcoat layer OC are coated on the substrate SUB including the thin film transistors ST and DT and on which the data line DL and the driving line VDD are formed. If necessary, the protective film PAS may be omitted, and only the overcoat layer OC may be applied. The passivation film PAS and the overcoat layer OC are patterned to expose the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT. On the overcoat layer OC, an anode ANO, which contacts the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT, is formed. The anode electrode ANO preferably has a large area so as to overlap the data line DL disposed on one side of the pixel region and the driving current line VDD disposed on the other side.

애노드 전극(ANO)에서 개구 영역을 노출하도록 뱅크 패턴(BANK)을 형성한다. 뱅크 패턴은, 화소 영역의 일측에 서로 이웃하도록 배치된 데이터 배선(DL)과 구동 전류 배선(VDD)을 포함하는 형태를 갖는 것이 바람직하다. 뱅크 패턴(BANK)의 크기가 크면 애노드 전극(ANO)의 개구 영역이 줄어드므로, 데이터 배선(DL)과 구동 전류 배선(VDD)의 일부를 포함하고, 타부를 노출하도록 형성하는 것이 더 바람직하다.The bank pattern BANK is formed to expose the opening region in the anode electrode ANO. The bank pattern preferably has a form including a data line DL and a driving current line VDD arranged on one side of the pixel area so as to be adjacent to each other. If the size of the bank pattern BANK is large, the opening area of the anode electrode ANO is reduced, and therefore, it is more preferable to include a part of the data line DL and the driving current line VDD and to expose the other part. .

뱅크 패턴(BANK)이 형성된 기판(SUB) 위의 전체 표면에, 백색 유기층(WOLE)을 도포한다. 그리고 연속으로 포토레지스트(PR)를 전체 표면 위에 도포한다. 여기서, 포토레지스트(PR)는 종래에 사용하던 광산발생제를 포함하지 않는 것을 특징으로 한다. 예를 들어, FDMA-r-AHMA random polymer와 같은 새로운 합성 포토레지스트를 포함할 수 있다. 이 새로운 포토레지스트는 고불소계 감광제로서, 광산발생제 없이 광이합체화 반응을 통해 용해도가 변화하는 성질을 갖는다. 또한, 광산발생제를 포함하지 않음으로써, 현상과정에서 강산 물질이 발생하지 않는다. 그 결과, 유기 발광재료에 영향을 거의 주지 않는 고불소계 용제만을 사용하여 대면적 고해상도 사양을 만족하는 유기발광 화소를 제작할 수 있다.The white organic layer WOLE is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the bank pattern BANK is formed. Subsequently, photoresist PR is applied over the entire surface. Here, the photoresist (PR) is characterized in that it does not contain a conventional photoacid generator. For example, it may include new synthetic photoresists such as FDMA-r-AHMA random polymer. This new photoresist is a high fluorine-based photoresist that has a property of changing solubility through photodimerization without a photoacid generator. In addition, by not including a photoacid generator, no strong acid material is generated during development. As a result, an organic light emitting pixel that satisfies a large area high resolution specification can be manufactured using only a high fluorine-based solvent that hardly affects the organic light emitting material.

도 7b를 참조하면, 마스크 공정으로, 포토레지스트(PR)를 패턴한다. 제1 실시 예에서는 미세 정밀 패턴에 유리한 리프트-오프 공정을 적용한다. 따라서, 칼라 필터(CF)를 형성하고자 하는 영역을 덮는 포토레지스트(PR)를 제거하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 적색 칼라 필터(R)를 형성하고자 하는 영역을 노출하기 위해, 해당 화소 영역을 둘러싸는 뱅크 패턴(BANK) 위에서 포토레지스트(PR)가 역 테이퍼진 형상을 갖도록 패턴할 수 있다.Referring to FIG. 7B, the photoresist PR is patterned by a mask process. In the first embodiment, a lift-off process that is advantageous to fine precision patterns is applied. Therefore, it is preferable to remove the photoresist PR covering the region where the color filter CF is to be formed. For example, in order to expose an area where the red color filter R is to be formed, the photoresist PR may be patterned to have an inverse tapered shape on the bank pattern BANK surrounding the pixel area.

패턴된 포토레지스트(PR)를 포함하는 기판(SUB)의 전체 표면 위에 칼라 필터(CF)를 도포한다. 예를 들어, 적색 칼라 필터(R)를 전체 표면에 도포할 수 있다. 그러면, 역 테이퍼진 부분에서 적색 칼라 필터(R)가 끊어지도록 도포되고, 역 테이퍼 진 포토레지스트(PR)가 노출된 형상을 갖는다.The color filter CF is applied on the entire surface of the substrate SUB including the patterned photoresist PR. For example, the red color filter R can be applied to the entire surface. Then, the red color filter R is applied so that the reverse tapered portion is cut off, and the reverse tapered photoresist PR is exposed.

그 후에, 스트립 공정으로 포토레지스트(PR)를 제거한다. 그 결과, 도 7c에 도시한 바와 같이, 포토레지스트(PR)가 제거되면서, 적색 칼라 필터(R) 중에서 포토레지스트(PR) 위에 도포된 부분들이 같이 제거된다. 즉, 포토레지스트(PR)가 패턴되어 제거된 후에 노출된 백색 유기층(WOLE) 위에 도포된 적색 칼라 필터(R) 만 남는다.Thereafter, the photoresist PR is removed by a stripping process. As a result, as shown in FIG. 7C, while the photoresist PR is removed, portions of the red color filter R coated on the photoresist PR are removed together. That is, only the red color filter R applied on the exposed white organic layer WOLE after the photoresist PR is patterned and removed remains.

이와 같은 공정을, 나머지 색상을 갖는 녹색 칼라 필터(G) 및 청색 칼라 필터(B)에도 적용하여, 도 6에 도시한 것과 같이, 유기발광 다이오드 표시장치를 형성할 수 있다. 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT)의 배치에 따라서, 동일한 구조를 가지면서도, 상부 발광 방식, 하부 발광 방식 혹은 양면 발광 방식 중 선택한 어느 한 방식의 유기발광 다이오드 표시 장치를 구현할 수 있다.
Such a process can be applied to the green color filter G and the blue color filter B having the remaining colors, to form an organic light emitting diode display as shown in FIG. 6. According to the arrangement of the anode electrode ANO and the cathode electrode CAT, an organic light emitting diode display device having any one of the top emission type, the bottom emission type, or the double-sided emission type may be implemented.

상기 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서는 리프트-오프 방식의 포토리소그래피 공정을 이용하는 제조 방법에 대해서 설명하였다. 그런데 제1 실시 예에 의한 제조 방법에서는 패턴 형성에 문제가 발생할 수 있다. 리프트-오프 공정은 포토레지스트(PR)를 역 테이퍼 진 단면 형상을 갖도록 패턴하는 것이 중요하다.In the organic light emitting diode display according to the first embodiment, a manufacturing method using a lift-off type photolithography process has been described. However, in the manufacturing method according to the first embodiment, a problem may occur in pattern formation. In the lift-off process, it is important to pattern the photoresist PR to have a reverse tapered cross-sectional shape.

하지만, 제1 실시 예에서는 칼라 필터(CF) 형성을 위한 포토레지스트(PR)의 패턴에서 역 테이퍼 단면 형상이 정상적으로 이루어지지 않는 문제가 있다. 도 8을 참조하여, 이 문제점에 대해 설명한다. 도 8은 도 7b에서 점선으로 표시한 영역 A를 확대한 것으로, 패턴된 포토레지스트 및 그 위에 도포된 칼라 필터의 적층 상태를 나타내는 확대 단면도이다. However, in the first embodiment, there is a problem that the reverse tapered cross-sectional shape is not normally formed in the pattern of the photoresist PR for forming the color filter CF. With reference to FIG. 8, this problem is demonstrated. FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view illustrating the stacked state of the area A indicated by the dotted lines in FIG. 7B and the patterned photoresist and the color filter applied thereon.

도 8을 참조하면, 제1 실시 예에서 적색 칼라 필터(R)의 외곽 테두리는 실질적으로 애노드 전극(ANO)과 거의 일치한다. 즉, 적색 칼라 필터(R)의 외곽 테두리는 화소 영역의 일측에 배치되는 데이터 배선(DL)과 타측에 배치되는 구동 전류 배선(VDD)와 중첩된다. 따라서, 포토레지스트(PR)의 역 테이퍼 단면 형상이 이루어지는 부분도 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDD)과 중첩된 부분에 형성된다.Referring to FIG. 8, in the first embodiment, the outer edge of the red color filter R substantially coincides with the anode electrode ANO. That is, the outer edge of the red color filter R overlaps the data line DL disposed on one side of the pixel region and the driving current line VDD disposed on the other side. Therefore, the part where the reverse taper cross-sectional shape of the photoresist PR is formed is also formed in the part which overlaps with the data wiring DL and the drive current wiring VDD.

이와 같이, 불투명한 금속성 배선들(DL, VDD)과 중첩된 위치에서 포토레지스트(PR)을 패턴할 경우, 노광에 사용하는 빛이 배선들(DL, VDD)에서 반사되어, 정확하게 역 테이퍼 형상을 가지지 못하는 경우가 발생한다. 즉, 포토레지스트(PR)의 패턴된 단면 형상이 역 테이퍼 형상을 갖지 못하고, 정 테이퍼에 가까운 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 적색 칼라 필터(R)를 도포하면, 포토레지스트(PR)의 측면이 노출되지 못하고, 적색 칼라 필터(R)에 의해 덮여질 수 있다. 그 결과, 포토레지스트(PR)의 스트립 공정에서 스트립 액이 포토레지스트(PR)와 정상적인 접촉을 하지 못하여, 패턴 불량이 발생할 수 있다.
As such, when the photoresist PR is patterned at a position overlapping with the opaque metallic wirings DL and VDD, the light used for exposure is reflected from the wirings DL and VDD, thereby accurately inverting the tapered shape. There is a case that you do not have. That is, the patterned cross-sectional shape of the photoresist PR may not have an inverse tapered shape, but may have a shape close to the positive taper. In this case, when the red color filter R is applied, the side surface of the photoresist PR may not be exposed and may be covered by the red color filter R. As a result, the strip liquid may not be in normal contact with the photoresist PR in the stripping process of the photoresist PR, and a pattern defect may occur.

이하, 본 발명의 제2 실시 예에서는, 도 9 내지 도 12를 참조하여, 제1 실시 예에서 발생할 수 있는 패턴 불량을 방지하기 위한 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 방법을 제안한다. 또한, 그 방법에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 새로운 구조를 제안한다. 도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 화소 구조를 보여주는 평면도이다. 도 10은 도 9에서 절취선 III-III'으로 자른, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.Hereinafter, in the second embodiment of the present disclosure, a method of manufacturing an organic light emitting diode display for preventing a pattern defect that may occur in the first embodiment is described with reference to FIGS. 9 through 12. In addition, a new structure of the organic light emitting diode display device is proposed. 9 is a plan view illustrating a pixel structure of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention. FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention, taken along the line III-III ′ of FIG. 9.

제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 화소 영역이 데이터 배선(DL)과 구동 전류 배선(VDD) 중 어느 한쪽 방향으로 더 치우친 구조를 갖는다. 화소 영역을 정의하는 기본적인 요소인 애노드 전극(ANO)으로 설명한다. 예를 들어, 애노드 전극(ANO)이 구동 전류 배선(VDD) 방향으로 치우친 경우, 화소 영역의 일측변(S1)은 데이터 배선(DL)에서 화소 영역 쪽으로 일정 거리 떨어져 위치하고, 타측변(S2)은 구동 전류 배선(VDD)을 넘어, 이웃하는 데이터 배선(DL)과 중첩하여 위치할 수 있다. 또는, 도면으로 도시하지 않았지만, 타측변(S2)도 구동 전류 배선(VDD)과 이웃하는 데이터 배선(DL)을 넘어, 이웃하는 화소 영역 쪽으로 일정 거리 떨어져 위치할 수도 있다.In the organic light emitting diode display according to the second embodiment, the pixel region has a structure in which the pixel area is further biased in one of the direction of the data line DL and the driving current line VDD. A description will be given of the anode ANO, which is a basic element defining the pixel region. For example, when the anode ANO is biased toward the driving current line VDD, one side S1 of the pixel area is located at a distance away from the data line DL toward the pixel area, and the other side S2 is The driving current line VDD may be positioned to overlap the neighboring data line DL. Alternatively, although not shown in the drawing, the other side S2 may also be positioned at a predetermined distance away from the driving current line VDD and the data line DL adjacent to the neighboring pixel area.

한편, 도면으로 도시하지 않았지만, 애노드 전극(ANO) 데이터 배선(DL) 방향으로 치우친 경우에는, 화소 영역의 일측변(S1)은 데이터 배선(DL)을 넘어 이웃하는 구동 전류 배선(VDD)과 중첩하여 위치할 수 있고, 타측변(S2)은 구동 전류 배선(VDD)에서 화소 영역 쪽으로 일정 거리 떨어져 위치할 수 있다. 이 경우에도, 일측변(S1)이 데이터 배선(DL) 및 이웃하는 구동 전류 배선(VDD)을 넘어 이웃하는 화소 영역 쪽으로 일정 거리 떨어져 위치할 수도 있다.On the other hand, although not shown in the drawing, when the anode electrode ANO is biased toward the data wiring DL direction, one side S1 of the pixel region overlaps the driving current wiring VDD beyond the data wiring DL. The other side S2 may be positioned at a predetermined distance away from the driving current line VDD toward the pixel area. Even in this case, the one side S1 may be positioned at a predetermined distance away from the data line DL and the neighboring driving current line VDD toward the neighboring pixel region.

편의상, 도 9에 도시한 바와 같이, 화소 영역의 일측변(S1)이 데이터 배선(DL)에서 화소 영역 쪽으로 일정 거리 떨어져 위치하고, 타측변(S2)이 구동 전류 배선(VDD)을 넘어, 이웃하는 데이터 배선(DL)과 중첩하여 위치한 경우를 중심으로 설명한다.For convenience, as shown in FIG. 9, one side S1 of the pixel area is located at a predetermined distance away from the data line DL toward the pixel area, and the other side S2 crosses the driving current line VDD and neighbors. A case where the data lines DL overlap each other will be described.

도 10을 더 참조하면, 애노드 전극(ANO)은 데이터 배선(DL)에서 화소 영역 내측으로 일정 거리 떨어진 곳에서 시작하여 구동 전류 배선(VDD)을 포함하고, 이웃하는 데이터 배선(DL)과 중첩하는 곳까지 형성된다. 뱅크 패턴(BANK)은 이웃하는 애노드 전극(ANO)들의 마주보는 경계변들 일부를 각각 포함하도록 형성되며, 애노드 전극(ANO)의 중앙부분을 노출한다. 애노드 전극(ANO) 위에는 기판 전체 표면에 걸쳐 백색 유기층(WOLE)이 도포된다. 그리고 백색 유기층(WOLE) 위에서 뱅크 패턴(BANK)에 의해 노출된 영역과 접촉하는 칼라 필터(CF)가 형성된다. 칼라 필터(CF) 위에는 기판 전체 표면에 걸쳐 캐소드 전극(CAT)이 도포된다. 특히, 칼라 필터(CF)는 각 화소별로 적색, 녹색 혹은 청색 중 어느 한 색상의 칼라 필터(CF)가 배치된다. 특히, 적색(R)-녹색(G)-청색(B)의 배열 순서를 가질 수 있다. 또는. 필요에 따라, 적색(R)-녹색(G)-청색(B)-백색(W)의 배열 순서를 가질 수도 있다.Referring to FIG. 10, the anode ANO includes a driving current line VDD starting at a predetermined distance inside the pixel area from the data line DL, and overlaps the neighboring data line DL. Where it is formed. The bank pattern BANK is formed to include some of the edges facing each other of the neighboring anode electrodes ANO, and exposes a central portion of the anode electrode ANO. The white organic layer WOLE is coated on the entire surface of the substrate on the anode ANO. The color filter CF is formed on the white organic layer WOLE to contact a region exposed by the bank pattern BANK. On the color filter CF, the cathode electrode CAT is applied over the entire surface of the substrate. In particular, in the color filter CF, a color filter CF of any one color of red, green, or blue is disposed for each pixel. In particular, it may have an order of red (R)-green (G)-blue (B). or. If necessary, the order may be red (R)-green (G)-blue (B)-white (W).

칼라 필터(CF)는 뱅크 패턴(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)의 개구 영역보다 약간 크게 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 칼라 필터(CF)의 크기는 애노드 전극(ANO)의 크기와 거의 동일하거나 크게 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 칼라 필터(CF)는 일측 외곽변이 애노드 전극(ANO)과 마찬가지로, 데이터 배선(DL)에서 화소 영역 쪽으로 일정 거리 떨어져 위치할 수 있다. 또한, 타측 외곽변은 구동 전류 배선(VDD)과 이웃하는 데이터 배선(DL)을 넘어, 이웃하는 데이터 배선(DL)에서 이웃하는 화소 영역 내측으로 일정거리 떨어진 곳에 위치할 수 있다.The color filter CF is preferably formed slightly larger than the opening area of the anode electrode ANO exposed by the bank pattern BANK. For example, the size of the color filter CF may be formed to be substantially the same as or larger than the size of the anode ANO. For example, the color filter CF may be positioned at a distance from the data line DL toward the pixel area, similarly to the anode of the one side. In addition, the other outer side may be positioned at a distance away from the driving current line VDD and the data line DL adjacent to the neighboring data line DL.

특히, 본 발명의 제2 실시 예에서는, 칼라 필터(CF)의 외곽선이 데이터 배선(DL) 및/또는 구동 전류 배선(VDD)와 중첩하지 않고, 일정 거리 이격하는 위치에 배치되도록 구성하는 것이 핵심이다. 바람직하게는, 패턴 형성에서 발생할 수 있는 패턴 오차 범위를 고려하여, 칼라 필터(CF)의 외곽선이 배선들(DL, VDD)의 외곽선과 떨어진 일정 거리는 적어도 2㎛ 이상 떨어지는 것이 바람직하다.Particularly, in the second embodiment of the present invention, it is essential to configure the outline of the color filter CF to be disposed at a position spaced apart from the data line DL and / or the driving current line VDD by a predetermined distance. to be. Preferably, in consideration of a pattern error range that may occur in pattern formation, a predetermined distance from which the outline of the color filter CF is separated from the outline of the wirings DL and VDD is preferably at least 2 μm or more apart.

그 결과, 칼라 필터(CF)는 그 외곽 경계선이 배선들(DL, VDD)과 중첩하지 않도록 배치되는 것을 특징으로 한다. 즉, 칼라 필터(CF)는 그 외곽 경계선이 해당 화소 영역과 어느 한쪽으로 이웃하는 화소 영역에 걸쳐서 형성한다. 즉, 해당 화소의 데이터 배선(DL)에서 화소 영역 쪽으로 일정 거리 이격한 위치에서, 어느 한쪽 방향으로 이웃하는 화소의 데이터 배선(DL)에서 그 이웃하는 화소 영역쪽으로 일정거리 떨어진 위치까지 걸쳐서 형성한다. 이와 같이 칼라 필터(CF)는 배선들(DL, VDD)과 중첩되지 않도록 배치하기 때문에 애노드 전극(ANO)보다 크다. 그러나 발광 영역은 애노드 전극(ANO)과 백색 유기층(WOEL)이 접촉하는 면적에 의해 정의되므로 실제로는 뱅크 패턴(BANK)의 크기가 발광 영역을 정의한다.As a result, the color filter CF may be arranged such that its outer boundary does not overlap the wirings DL and VDD. In other words, the color filter CF has an outer boundary line formed over the pixel region adjacent to the pixel region. That is, at a position spaced a predetermined distance away from the data line DL of the pixel toward the pixel area, it is formed from a data line DL of a neighboring pixel in one direction to a position spaced a predetermined distance toward the neighboring pixel area. As such, the color filter CF is larger than the anode electrode ANO because the color filter CF is disposed not to overlap the wirings DL and VDD. However, since the light emitting area is defined by the area where the anode electrode ANO and the white organic layer WOEL contact each other, the size of the bank pattern BANK actually defines the light emitting area.

이러한 배치 조건에 따르면, 데이터 배선(DL)과 구동 전류 배선(VDD)은 뱅크 패턴(BANK)의 어느 한쪽으로 치우쳐 배치된 결과를 갖는다. 그리고 칼라 필터(CF)의 외곽 경계선은 뱅크 패턴(BANK) 위에 배치되는 것이 바람직하다.According to such an arrangement condition, the data line DL and the driving current line VDD are arranged to be biased toward either bank pattern BANK. The outer boundary line of the color filter CF may be disposed on the bank pattern BANK.

이하, 도 11a 내지 11c를 참조하여, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 방법을 설명한다. 도 11a 내지 11c는, 도 10에 도시한 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 과정을 도시한 단면도들이다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11A through 11C. 11A through 11C are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode display according to a second embodiment of the present invention illustrated in FIG. 10.

편의상, 본 발명의 핵심 내용이 아닌, 박막 트랜지스터들(ST, DT)을 제조하는 과정에 대해서는 설명을 생략하였다. 도 11a를 참조하면, 박막 트랜지스터들(ST, DT)을 포함하여, 데이터 배선(DL) 및 구동 배선(VDD)이 형성된 기판(SUB) 위에 보호막(PAS)과 오버 코트 층(OC)을 도포한다. 필요하다면, 보호막(PAS)을 생략하고, 오버코트 층(OC)만 도포할 수도 있다. 보호막(PAS)과 오버코트 층(OC)을 패턴하여, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)을 노출한다. 오버코트 층(OC) 위에서, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)과 접촉하는, 애노드 전극(ANO)을 형성한다. 애노드 전극(ANO)은, 일측변(S1)은 데이터 배선(DL)에서 화소 영역 방향으로 일정 거리 떨어져 배치될 수 있다. 반면 타측변(S2)은 일측변(S1)의 반대방향에 있는 구동 전류 배선(VDD)을 타고 넘어 연장되고, 이웃하는 화소의 데이터 배선(DL)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 개구 영역을 크게 확보하기 위해서는 가능한 큰 면적을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.For convenience, a description of a process of manufacturing the thin film transistors ST and DT, which is not the core of the present invention, is omitted. Referring to FIG. 11A, the passivation layer PAS and the overcoat layer OC are coated on the substrate SUB including the thin film transistors ST and DT and on which the data line DL and the driving line VDD are formed. . If necessary, the protective film PAS may be omitted, and only the overcoat layer OC may be applied. The passivation film PAS and the overcoat layer OC are patterned to expose the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT. On the overcoat layer OC, an anode ANO, which contacts the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT, is formed. One side S1 of the anode ANO may be disposed at a predetermined distance away from the data line DL in the pixel area direction. On the other hand, the other side S2 extends over the driving current line VDD in the opposite direction to the one side S1 and may be disposed to overlap the data line DL of the neighboring pixel. In order to ensure large opening area, it is preferable to form so that it may have an area as large as possible.

애노드 전극(ANO)에서 개구 영역을 노출하도록 뱅크 패턴(BANK)을 형성한다. 뱅크 패턴(BANK)은, 화소 영역의 일측에 서로 이웃하도록 배치된 배선들(데이터 배선(DL)과 구동 전류 배선(VDD))과 직접 중첩하지 않도록 어긋나는 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 그리고 서로 이웃하는 애노드 전극(ANO)의 마주보는 변들에 걸쳐서 형성하는 것이 바람직하다. 따라서, 뱅크 패턴(BANK)은 애노드 전극(ANO)의 테두리부를 덮으며, 중앙부를 개방하여 개구 영역을 정의한다.The bank pattern BANK is formed to expose the opening region in the anode electrode ANO. The bank pattern BANK is preferably disposed at a position shifted so as not to directly overlap the wirings (data wiring DL and driving current wiring VDD) arranged to be adjacent to each other on one side of the pixel region. And it is preferable to form over the opposite sides of the anode ANO adjacent to each other. Accordingly, the bank pattern BANK covers the edge portion of the anode electrode ANO and opens the center portion to define an opening region.

도 11b를 참조하면, 마스크 공정으로, 포토레지스트(PR)를 패턴한다. 제2 실시 예에서도 미세 정밀 패턴에 유리한 리프트-오프 공정을 적용한다. 따라서, 칼라 필터(CF)를 형성하고자 하는 영역을 덮는 포토레지스트(PR)를 제거하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 적색 칼라 필터(R)를 형성하고자 하는 영역을 노출하기 위해, 해당 화소 영역을 둘러싸는 뱅크 패턴(BANK) 위에서 포토레지스트(PR)가 역 테이퍼진 형상을 갖도록 패턴할 수 있다.Referring to FIG. 11B, the photoresist PR is patterned by a mask process. In the second embodiment, a lift-off process that is advantageous for fine precision patterns is applied. Therefore, it is preferable to remove the photoresist PR covering the region where the color filter CF is to be formed. For example, in order to expose an area where the red color filter R is to be formed, the photoresist PR may be patterned to have an inverse tapered shape on the bank pattern BANK surrounding the pixel area.

제2 실시 예에서는 포토레지스트(PR) 패턴의 형상에 있어서, 제1 실시 예와 큰 차이를 갖는다. 즉, 포토레지스트(PR)가 제거된 영역은, 일측변이 데이터 배선(DL)의 경계선에서 화소 영역 내측으로 일정거리 떨어진 곳에 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 타측변은 이웃하는 데이터 배선(DL)의 경계선에서 이웃하는 화소 영역 내측으로 일정 거리 떨어진 곳에 배치되는 것이 바람직하다.In the second embodiment, the shape of the photoresist PR pattern is significantly different from that of the first embodiment. That is, the region from which the photoresist PR has been removed is preferably disposed at a distance away from the boundary line of the data line DL to the inside of the pixel region. In addition, the other side is preferably disposed at a distance away from the boundary of the neighboring data line DL to the inside of the neighboring pixel area.

여기서, 이웃하는 화소 영역 및 이웃하는 데이터 배선(DL)은 해당 포토레지스트(PR) 패턴(포토레지스트(PR)가 제거되어 형성되는 패턴)의 좌측 혹은 우측에 이웃하는 화소 영역 및 데이터 배선(DL)을 의미한다. 도 11b에서는 편의상 오른쪽에 이웃하는 화소 영역 및 데이터 배선(DL)으로 도시하였지만, 왼쪽에 이웃하는 화소 영역 및 데이터 배선(DL)일 수도 있다. 또한, 데이터 배선(DL)의 경계선과 포토레지스트(PR)의 경계선이 떨어진 거리는 포토리소그래피 공정의 마진 등을 고려하여 최소 2㎛인 것이 바람직하다.Here, the neighboring pixel areas and the neighboring data lines DL are adjacent to the left or right side of the corresponding photoresist PR pattern (pattern formed by removing the photoresist PR) and the data lines DL. Means. In FIG. 11B, the pixel area and the data line DL adjacent to the right side are shown for convenience, but the pixel area and the data line DL adjacent to the left side may be used. In addition, the distance between the boundary of the data line DL and the boundary of the photoresist PR is preferably at least 2 μm in consideration of the margin of the photolithography process.

그 후에, 스트립 공정으로 포토레지스트(PR)를 제거한다. 그 결과, 도 11c에 도시한 바와 같이, 포토레지스트(PR)가 제거되면서, 적색 칼라 필터(R) 중에서 포토레지스트(PR) 위에 도포된 부분들이 같이 제거된다. 즉, 포토레지스트(PR)가 패턴되어 제거된 후에 노출된 백색 유기층(WOLE) 위에 도포된 적색 칼라 필터(R) 만 남는다.Thereafter, the photoresist PR is removed by a stripping process. As a result, as shown in FIG. 11C, while the photoresist PR is removed, portions of the red color filter R coated on the photoresist PR are removed together. That is, only the red color filter R applied on the exposed white organic layer WOLE after the photoresist PR is patterned and removed remains.

이와 같은 공정을, 나머지 색상을 갖는 칼라 필터들인 녹색 칼라 필터(G) 및 청색 칼라 필터(B)에도 적용하여, 도 10에 도시한 것과 같이, 유기발광 다이오드 표시장치를 형성할 수 있다. 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT)의 배치에 따라서, 동일한 구조를 가지면서도, 상부 발광 방식, 하부 발광 방식 혹은 양면 발광 방식 중 선택한 어느 한 방식의 유기발광 다이오드 표시 장치를 구현할 수 있다.Such a process may be applied to the green color filter G and the blue color filter B, which are color filters having the remaining colors, to form an organic light emitting diode display as shown in FIG. 10. According to the arrangement of the anode electrode ANO and the cathode electrode CAT, an organic light emitting diode display device having any one of the top emission type, the bottom emission type, or the double-sided emission type may be implemented.

이와 같이 제2 실시 예는 제1 실시 예와 비교하여, 칼라 필터(CF)와 배선들(DL, VDD)의 상관 관계에 큰 차이가 있다. 도 12를 참조하여, 이 차이점에 대해 좀 더 상세히 설명한다. 도 12는 도 11b에서 점선으로 표시한 영역 B를 확대한 것으로, 패턴된 포토레지스트 및 그 위에 도포된 칼라 필터의 적층 상태를 나타내는 확대 단면도이다.As described above, the second embodiment has a large difference in correlation between the color filter CF and the wirings DL and VDD. 12, this difference will be described in more detail. FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view illustrating the laminated state of the patterned photoresist and the color filter applied thereon, enlarged in the region B indicated by the dotted lines in FIG.

도 12를 참조하면, 제2 실시 예에서 적색 칼라 필터(R)의 외곽 테두리 중 일측변은 애노드 전극(ANO)과 거의 일치하지만, 타측변은 애노드 전극(ANO)보다 더 연장된 구조를 갖는다. 즉, 적색 칼라 필터(R)의 외곽 테두리 중 좌측변은 뱅크 패턴(BANK) 위에 형성하되, 데이터 배선(DL)에서 화소 영역 쪽으로 일정 거리(최소 2㎛) 이격한 애노드 전극(ANO)의 일측변과 거의 일치하는 위치에 배치될 수 있다. 한편, 우측변은 구동 전류 배선(VDD)과 우측에 이웃하는 데이터 배선(DL)을 모두 덮고, 우측에 이웃하는 데이터 배선(DL)의 외곽선에서 이웃하는 화소 영역 내측으로 일정 거리(최소 2㎛) 이격한 위치에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 12, one side of the outer edge of the red color filter R substantially matches the anode electrode ANO in the second embodiment, but the other side has a structure that extends more than the anode electrode ANO. That is, the left side of the outer edge of the red color filter R is formed on the bank pattern BANK, but one side of the anode ANO is spaced a predetermined distance (at least 2 μm) toward the pixel area from the data line DL. It may be placed in a position almost coincident with the. On the other hand, the right side covers both the driving current wiring VDD and the data wiring DL adjacent to the right side, and has a predetermined distance (at least 2 μm) into the neighboring pixel area from the outline of the data wiring DL neighboring to the right side. It may be placed at a spaced position.

이와 같이, 포토레지스트(PR)를 패턴할 때 패턴 경계선이 금속 물질인 배선들(DL, VDD)과 중첩하지 않는 위치에서 이루어진다. 그 결과, 포토레지스트(PR)의 패턴 경계선에서는 정확하게 역 테이퍼 진 단면 형상을 갖는다. 제2 실시 예는 제1 실시 예보다 더 진보한 것으로 패턴 불량을 방지하여, 고 미세, 고 정밀의 패턴을 갖는 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다.
As such, when the photoresist PR is patterned, the pattern boundary lines are formed at positions not overlapping with the wirings DL and VDD which are metal materials. As a result, in the pattern boundary of the photoresist PR, it has a cross-sectional shape which was exactly reverse tapered. The second embodiment is more advanced than the first embodiment and can prevent a bad pattern, thereby providing an organic light emitting diode display having a high fine pattern and a high precision pattern.

본 발명의 제2 실시 예에서는, 칼라 필터(CF)의 형성 위치가 배선들(DL, VDD)의 형성 위치와 상관 관계가 있다. 즉, 배선들(DL, VDD)의 외곽선에서 더 외측으로 적어도 2㎛ 이상 이격된 위치에 칼라 필터(CF)의의 외곽선이 위치한다. 이는 상호관계인 것으로, 이러한 관계를 이룩하기 위해서, 설계하는 방법은 여러 가지가 있을 수 있다. 제조하고자 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구체적인 구조 및 제조 조건 등에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.In the second embodiment of the present invention, the formation position of the color filter CF is correlated with the formation position of the wirings DL and VDD. That is, the outline of the color filter CF is positioned at a position spaced at least 2 μm or more outward from the outline of the wirings DL and VDD. This is a mutual relationship, and there are many ways to design to achieve this relationship. The organic light emitting diode display may be properly selected and used according to the specific structure and manufacturing conditions of the organic light emitting diode display to be manufactured.

예를 들어, 유기발광 다이오드(OLED)의 위치를 고정하고, 배선들(DL, VDD)의 위치를 어느 한 방향으로 일괄적으로 이동시켜 설계할 수 있다. 이 경우, 배선들(DL, VDD)와 관련이 있는 박막 트랜지스터들(ST, DT) 및 보조 용량에 대한 위치 설계도 변경되어야 한다. 따라서, 위치 변경이 용이하지 않다. 그러나 다른 방법으로, 박막 트랜지스터들(ST, DT) 및 배선들(DL, VDD)의 위치는 고정하고, 유기발광 다이오드(OLED)의 위치를 어느 한 방향으로 일괄적으로 이동시켜 설계할 수도 있다. 이 경우, 보호막(PAS) 및/또는 오버코트 층(OC) 이후의 설계에서만 위치 변경을 하면 되기 때문에 상대적으로 더욱 용이하다.
For example, the position of the organic light emitting diode OLED may be fixed, and the positions of the wirings DL and VDD may be collectively moved in either direction. In this case, the positional design for the thin film transistors ST and DT and the storage capacitors associated with the wirings DL and VDD must also be changed. Therefore, position change is not easy. However, alternatively, the positions of the thin film transistors ST and DT and the wirings DL and VDD may be fixed, and the positions of the organic light emitting diode OLED may be collectively moved in either direction. In this case, it is relatively easier because the position only needs to be changed in the design after the protective film PAS and / or the overcoat layer OC.

또한, 본 발명에서는 칼라 필터(CF)와 백색 유기층(WOLE)을 구비한 유기발광 다이오드 표시장치에서 칼라 필터를 패턴하는 방식을 중심으로 설명하였다. 하지만, 원색광을 발현하는 유기층(칼라 유기층)을 구비한 유기발광 다이오드 표시장치에서 칼라 유기층을 패턴하는데에도 적용할 수 있다.In addition, the present invention has been described based on a method of patterning the color filter in the organic light emitting diode display having the color filter CF and the white organic layer WOLE. However, the present invention can also be applied to patterning the color organic layer in an organic light emitting diode display having an organic layer (color organic layer) expressing primary color light.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description but should be defined by the claims.

DL: 데이터 배선 SL: 스캔 배선
VDD: 구동 전류 배선 ST: 스위칭 TFT
DT: 구동 TFT OLED: 유기발광 다이오드
CAT: 캐소드 전극(층) ANO: 애노드 전극(층)
BANK: 뱅크 패턴 CF: 칼라 필터
WOLE: 백색 유기층 SUB: 기판
PR: 포토레지스트 R: 적색 칼라 필터
G: 녹색 칼라 필터 B: 청색 칼라 필터
PAS: 보호막 OC: 오버코트 층
S1: (애노드 전극의) 일측 외곽선 S2: (애노드 전극의) 타측 외곽선DL: data wiring SL: scan wiring
VDD: drive current wiring ST: switching TFT
DT: driving TFT OLED: organic light emitting diode
CAT: cathode electrode (layer) ANO: anode electrode (layer)
BANK: Bank Pattern CF: Color Filter
WOLE: White Organic Layer SUB: Substrate
PR: photoresist R: red color filter
G: green color filter B: blue color filter
PAS: Shield OC: Overcoat Layer
S1: One side outline (of anode electrode) S2: One side outline (of anode electrode)

Claims

A plurality of scan wires arranged in a horizontal direction on the substrate;
A plurality of data lines arranged in a vertical direction on the substrate;
A plurality of driving current wirings arranged in a vertical direction beside the data wirings;
A plurality of pixel regions surrounded by the plurality of scan wirings, the plurality of data wirings, and the plurality of driving current wirings;
An overcoat layer covering the scan wiring, the data wiring, and the driving current wiring;
A first electrode formed on the overcoat layer and overlapping the pixel region;
A bank pattern covering an edge portion of the first electrode and defining an opening area by opening a central portion thereof;
An organic layer on the first electrode and formed over the plurality of pixel areas;
A color organic layer disposed on the bank pattern and the organic layer and partitioned to correspond to the plurality of pixel regions, respectively; And
And a second electrode on the color organic layer.

The method of claim 1,
The color organic layer corresponding to the first pixel area of the plurality of pixel areas may be formed from one side of the plurality of data wires, the one of which is spaced apart from the first data wire corresponding to the first pixel area. The organic light emitting diode display device which extends through the second data line corresponding to the neighboring second pixel area to the other side of the one pixel area and extends to the other side spaced apart from the second data line, is formed to be offset from one side in the first pixel area. .

The method of claim 1,
And the color organic layer is disposed on the bank pattern, wherein both edges of the color organic layer define the opening region, respectively.

The method of claim 2,
The first electrode corresponding to the first pixel region is spaced apart from the first data wiring, and covers the first driving current wiring corresponding to the first pixel region among the plurality of driving current wirings, and the second data. An organic light emitting diode display, which overlaps with at least a portion of the wiring.

The method of claim 2,
And the other side of the color organic layer corresponding to the first pixel area is spaced apart from the second data line by at least 2 μm or more.

Forming interconnects defining a plurality of pixel regions on the substrate;
Applying an overcoat layer covering the wires;
Forming a first electrode on the overcoat layer, the first electrode overlapping the pixel region;
Forming a bank pattern covering an edge portion of the first electrode and opening a central portion to define an opening region;
Applying an organic layer on the entire surface of the bank pattern;
Forming a color organic layer on the bank pattern and the organic layer, the color organic layer being partitioned to correspond to the plurality of pixel regions, respectively; And
And applying a second electrode on the entire surface of the color organic layer.

The method of claim 6,
In the forming of the wires, a plurality of scan wires arranged in a horizontal direction of the substrate, a plurality of data wires arranged in a vertical direction on the substrate, and a plurality of driving current wires arranged in a vertical direction next to the data wires Form the
In the forming of the color organic layer, the color organic layer corresponding to the first pixel area among the plurality of pixel areas is formed from one side spaced apart from the first data line corresponding to the first pixel area among the plurality of data wires. And extending to the other side spaced apart from the second data line through a second data line corresponding to a second pixel area adjacent to the other side of the first pixel area among the plurality of data lines. A method of manufacturing an organic light emitting diode display, characterized in that it is formed in one side.

The method of claim 6,
Forming the color organic layer,
A photoresist is applied and patterned on the organic layer to correspond to the color organic layer such that one side and the other side of the photoresist formed in a direction parallel to the data lines arranged in the vertical direction on the substrate have an inverse tapered cross-sectional shape. Removing said photoresist in said region;
Applying a color organic light emitting material over the entire surface of the photoresist patterned; And
And removing the photoresist to leave the color organic light emitting material only in the region from which the photoresist has been removed.

The method of claim 8,
The photoresist does not include a photoacid generator, and a method of manufacturing an organic light emitting diode display device, comprising a FDMA-r-AHMA random polymer, a high fluorine-based photosensitive agent having a property of changing solubility through a photodimerization reaction. .

The method of claim 7, wherein
And the other side of the color organic layer corresponding to the first pixel area is spaced apart from the second data line by at least 2 μm or more.