KR102007745B1 - 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질 및 이를 포함하는 수지 조성물 - Google Patents

증폭된 단파장광에 의한 변색 물질 및 이를 포함하는 수지 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 증폭된 단파장광에 대한 높은 흡수율을 가지는 변색 물질에 관한 것으로서, 수지 조성물 내에 포함되어 성형된 수지 조성물에 선명한 마킹이 가능하도록 하는 것을 특징으로 하는 발명이다.

Description

증폭된 단파장광에 의한 변색 물질 및 이를 포함하는 수지 조성물 {Color changing material by amplified single wavelength light and resin composion containing this material}
본 발명은 증폭된 단파장광에 의하여 색상이 변하는 변색 물질에 관한 것으로서, 특히 수지 조성물에 포함되어 사용되는 변색 물질에 관한 발명이다.
제품의 라벨링은 거의 모든 산업 분야에서 중요성이 커지고 있다. 제품에 제조일, 만료일, 바코드, 회사 로고, 제조 번호 등을 제품에 표기하는 것은 매우 중요하며, 레이저라고도 불리우는 증폭된 단파장광에 의하여 수지 제품에 이러한 라벨링을 표기하는 기술은 더욱 발전하고 있다. 또한, 단순 라벨링을 넘어서서 소비자의 감성을 만족시키고 기존 제품과의 차별성을 가지도록 하기 위한 제품의 표면 처리에 대한 중요성도 높아지고 있다.
이를 위하여 다양한 재료들이 수지, 즉 플라스틱에 포함되어 사용되어 왔으나, 기존의 재료들은 라벨링 또는 마킹시의 변색 과정에서 만족스러운 선명도를 제공하지 못하는 문제가 있었다. 또한, 광증폭된 단파장이 조사되는 영역 외에도 변색 또는 착색이 일어나서 제품의 깔끔한 표면 처리에서도 문제가 있었다. 그리고, 환경 오염이나 독성 면에서도 문제가 있었다. 더 나아가, 기존의 플라스틱 마킹을 위하여 첨가되는 물질들은 단순 명도 조절에 의한 표기 정도 밖에 지원이 안되어, 생산자 및 소비자의 다양한 니즈를 반영하지 못하는 한계가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 기존의 변색 물질에 비하여 증폭된 단파장광에 대한 흡수율이 더 커서 선명한 마킹이 가능한 변색 물질을 제공하고자 한다.
또한, 증폭된 단파장광에 대한 감도는 증가되나 광 산란은 감소되어, 증폭된 단파장광을 흡수한 부분과 그렇지 않은 부분 사이에 높은 콘트라스트비를 달성할 수 있는 변색 물질을 제공하고자 한다.
또한, 독성이 매우 낮은 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공하고자 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 열가소성 중합체, 무기 산화물, 감광성 물질, 무기 화합물, 비스무트 화합물,
Figure 112018104833888-pat00001
로 표현되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기 열가소성 중합체는 폴리아세탈, 폴리에스터, 폴리아미드, 폴리아릴렌 에테르, 폴리아릴렌 설파이드, 폴리에테르 설폰, 폴리설폰, 폴리아릴 에테르 케톤, 폴리올레핀, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 액정 중합체 중에서 어느 하나 이상을 포함하여 조성되는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기 열가소성 중합체는 1 내지 90 중량%로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기 열가소성 중합체의 입자 크기는 0.1 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기 무기 산화물은 300 nm 미만의 평균 입자 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기 무기 산화물은 산화알루미늄, 이산화규소, 산화규소, 알리미노실리카, 실리카유리, 이산화타이타늄, 산화아연, 이산화아연, 산화주석, 삼산화안티모니, 오산화안티모니 중에서 어느 하나 이상을 포함하여 조성되는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기 감광성 물질은 필로실리케이트, 천연 운모, 합성 운모, 금속 니트레이트, 금속 설페이트, 금속 설파이드, 금속 옥시드 중 어느 하나 이상을 포함하여 조성되는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기 감광성 물질은 0.1 내지 50 중량%로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기 무기 화합물은 무수 금속 붕산염, 염기성 탄산 아연, 염기성 탄산 마그네슘 중 어느 하나 이상을 포함하여 조성되는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기 무수 금속 붕산염은 무수 붕산 아연, 무수 붕산 알루미늄, 무수 붕산 리튬, 무수 붕산 칼슘 중의 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기 무수 금속 붕산염은 경화 후 굴절률이 1.43 내지 1.70인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한,
Figure 112018104833888-pat00002
으로 표현되는 화합물에서, A는 바나듐, 마그네슘, 베릴륨, 알루미늄, 바륨, 나트륨, 칼륨, 게르마늄, 칼슘, 인듐 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한,
Figure 112018104833888-pat00003
으로 표현되는 화합물에서, x는 1 내지 18인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한,
Figure 112018104833888-pat00004
으로 표현되는 화합물에서, y는 1 내지 12인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한,
Figure 112018104833888-pat00005
으로 표현되는 화합물에서, z는 0 내지 12인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한,
Figure 112018104833888-pat00006
으로 표현되는 화합물은 0.001 내지 10 중량%로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기 비스무트 화합물은
Figure 112018104833888-pat00007
로 표현되는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한,
Figure 112018104833888-pat00008
로 표현되는 화합물에서, C는 알루미늄, 스트론튬, 칼슘, 마그네슘, 바륨, 아연, 지르코늄 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한,
Figure 112018104833888-pat00009
로 표현되는 화합물에서, w는 0.2 내지 71인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한,
Figure 112018104833888-pat00010
로 표현되는 화합물에서, v는 0.04 내지 9인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한,
Figure 112018104833888-pat00011
로 표현되는 화합물에서, u는 0.1 내지 101인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 본 발명의 변색 물질이 0.1 내지 10 중량%로 함유하는 수지 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 열가소성 중합체, 무기 산화물, 감광성 물질, 무기 화합물, 비스무트 화합물,
Figure 112018104833888-pat00012
로 표현되는 화합물을 포함하며, 열가소성 중합체는 액정 중합체이며, 상기 액정 중합체는 p-하이드록시벤조산, 6-하이드록시-2-나프토산계 액정 코폴리에스터, 코폴리에스터아미드 중 어느 하나 이상을 포함하여 조성되는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기 무기 산화물의 굴절률은 상기 열가소성 중합체의 굴절률과 상이한 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기 감광성 물질은 필로실리케이트, 천연 운모, 합성 운모, 금속 포스페이트, 금속 니트레이트, 금속 설페이트, 금속 설파이드, 금속 옥시드 중 어느 하나 이상을 포함하여 조성되는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기 천연 운모는 탈크 플레이트 또는 유리 플레이크인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한,
Figure 112018104833888-pat00013
으로 표현되는 화합물의 입자 크기는 6 um 미만인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기 비스무트 화합물은
Figure 112018104833888-pat00014
로 표현되는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 상기
Figure 112018104833888-pat00015
로 표현되는 화합물에서, v 대비 w의 비는 1.5보다 큰 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
또한, 결정화 조절 물질, 핵 형성제, 난연제, 충격 조절제, 충전제, 가소제, 착색제, 금형 이형제, 주형 제거 보조제, 빛에 대한 내성을 개선하기 위한 안정제, 열에 대한 내성을 개선하기 위한 안정제가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 제공한다.
본 발명에 따른 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질 및 이를 포함하는 수지 조성물은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 증폭된 단파장광에 대한 흡수율이 큰 변색 물질을 제공할 수 있는 효과가 있다. 특히, 700 내지 1500 nm 의 파장의 광에 대한 흡수율이 높은 변색 물질을 제공할 수 있는 효과가 있다. 이를 통하여, 부가적으로 플라스틱에 대한 용접이 보다 잘 진행되도록 하는 효과도 달성할 수 있다.
둘째, 기존의 변색 물질에 비하여, 보다 선명한 마킹이 가능토록 하는 효과가 있다. 즉, 증폭된 단파장광을 흡수한 부분과 미흡수한 부분 사이의 명도 차이가 40 이상이 되도록 하여 선명한 마킹이 가능토록 하는 효과가 있다.
셋째, 증폭된 단파장광이 조사되지 않은 부분은 착색되지 않고, 본래의 색이나 투명한 색이 그대로 유지되도록 하는 효과가 있다.
넷째, 독성이 매우 낮은 변색 물질을 제공할 수 있는 효과가 있다.
다섯째, 조성물로 포함되는 무기 산화물을 통하여, 증폭된 단파장광에 대한 감도 증가와 함께 적은 광 산란이라는 효과를 달성할 수 있다. 또한, 빛을 흡수시 함께 포함되는 착색제 화합물의 형성을 촉진하는 효과도 달성할 수 있다.
여섯째, 추가적으로 본 발명에 따른 변색 물질이 수지 조성물에 포함되면 방염 성능이 향상되는 효과도 달성할 수 있다.
도면 1도는 본 발명에 따른 변색 물질이 포함된 수지 조성물에 증폭된 단파장광이 조사됨에 따라 변색이 일어나는 과정을 보여주는 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들은 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 본 발명의 설명에서 "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용되는 것이며,어떠한 의미를 한정하기 위하여 사용되는 것이 아니다. 그리고, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함하며,"포함 하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명에 따른 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질은 열가소성 중합체, 무기 산화물, 감광성 물질, 무기 화합물, 비스무트 화합물,
Figure 112018104833888-pat00016
로 표현되는 화합물을 포함하여 조성될 수 있다.
먼저, 본 발명에 따른 변색 물질에 포함되는 다양한 물질 중
Figure 112018104833888-pat00017
로 표현되는 화합물을 살펴보고자 한다.
Figure 112018104833888-pat00018
로 표현되는 화합물에서, A는 바나듐, 마그네슘, 베릴륨, 알루미늄, 바륨, 나트륨, 칼륨, 게르마늄, 칼슘, 인듐 중에서 선택되는 어느 하나가 될 수 있으며, x는 1 내지 18, y는 1 내지 12, z는 0 내지 12가 될 수 있다. 그리고, 이러한
Figure 112018104833888-pat00019
로 표현되는 화합물은 6 ㎛ 미만의 입자 크기를 가질 수 있으며, 본 발명에 따른 변색 물질에 0.001 내지 10 중량%로 포함될 수 있다.
Figure 112018104833888-pat00020
로 표현되는 화합물은 증폭된 단파장광에 대한 높은 흡수도를 제공하는 역할을 수행한다. 즉,
Figure 112018104833888-pat00021
로 표현되는 화합물은 400 내지 700 nm 파장대의 가시광선은 잘 흡수하지 않지만, 700 내지 1500 nm 파장대의 광선에 대한 흡수도는 400 내지 700 nm 파장대의 가시광선에 대한 흡수도보다 2배 이상 커서 본 발명에 의한 변색 물질이 이 파장 대역에 있는 증폭된 단파장광을 잘 흡수하도록 하는 역할을 수행한다. 그리고, 이러한 효과는 부가적으로 레이저를 이용한 플라스틱 용접이 보다 효율적으로 일어나도록 하는 효과를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질에 포함되는 다른 물질인 비스무트 화합물은
Figure 112018104833888-pat00022
로 표현될 수 있다. 여기서, C는 알루미늄, 스트론튬, 마그네슘, 바륨, 아연, 지르코늄 중에 하나일 수 있으며, w는 0.2 내지 71일 수 있으며, v는 0.04 내지 9, u는 0.1 내지 101 일 수 있다. 그리고, 더 나아가, v 대비 w의 비는 1.5 보다 더 클 수 있다.
Figure 112018104833888-pat00023
로 표현되는 비스무트 화합물은 증폭된 단파장광, 다시 말하면 레이저에 대하여 선명하고 시인성이 높은 마킹이 가능토록 하는 화합물로서, 레이저가 조사된 부분과 미조사된 부분의 명도 차이(ΔL)가 40 이상 되도록 하는 역할을 수행한다.
또한, 본 발명에 따른 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질은 무기 화합물을 포함할 수 있는데, 무기 화합물로 염기성 탄산 마그네슘, 염기성 탄산 아연, 무수 금속 붕산염 중 어느 하나 이상이 선택하여 포함할 수 있다. 특히, 무수 금속 붕산염으로는 무수 붕산 아연, 무수 붕산 알루미늄, 무수 붕산 리튬, 무수 붕산 칼슘 중의 어느 하나가 선택되어 포함될 수 있다. 그리고, 무수 금속 붕산염은 경화 후 굴절률이 1.43 내지 1.70이 될 수 있다.
이러한 무기 산화물을 포함한 본 발명에 따른 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질을 포함한 수지 조성물에서는 증폭된 단파장광인 레이저 빔이 조사되는 영역만이 변색되고, 비조사되는 부분은 착색되지 않고 본래의 색이나 투명한 색을 그대로 유지된다.
본 발명에 따른 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질은 감광성 물질을 추가로 포함할 수 있는데, 추가되는 감광성 물질은 필로실리케이트, 천연 운모, 합성 운모, 금속 니트레이트, 금속 설파이드, 금속 옥시드 중 어느 하나 이상을 포함하여 조성될 수 있다. 특히, 위에서 천연 운모는 탈크 플레이크 또는 유리 플레이크일 수 있다. 그리고, 이러한 감광성 물질은 본 발명에 따른 변색 물질 내에 0.1 내지 50 중량%로 포함될 수 있으며, 이렇게 추가되는 감광성 물질을 통하여 본 발명에 따른 변색 물질은 레이저 표시성의 개선이 향상되는 효과를 달성할 수 있다.
본 발명에 따른 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질에 포함되는 다른 물질로는 열가소성 중합체가 있는데, 열가소성 중합체는 반 결정성으로 정의될 수 있으며, 1 내지 90 중량%로 함유될 수 있다. 사용될 수 있는 열가소성 중합체로는 폴리아세탈, 폴리에스터, 폴리아미드, 폴리아릴렌 에테르, 폴리아릴렌 설파이드, 폴리에테르 설폰, 폴리설폰, 폴리알리 에테르 케톤, 폴리올레핀, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 액정 중합체가 될 수 있으며, 이들은 0.1 내지 90 중량%로 변색 물질에 함유될 수 있다. 또한, 바람직하게 열가소성 중합체의 입자 크기는 0.1 내지 100 ㎛가 될 수 있다. 특히, 액정 중합체로는 p-하이드록시벤조산- 및/또는 6-하이드록시-2-나프토산계 액정 코폴리에스터, 코폴리에스터아미드 중 어느 하나 이상이 포함되어 조성될 수 있다.
본 발명에 따른 변색 물질은 이러한 열가소성 중합체를 포함함으로써, 레이저 표시와 연관되어 높은 콘트라스트를 얻을 수 있는 효과를 달성할 수 있다.
본 발명에 따른 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질은 평균 입자 직경이 300 nm 미만인 무기 산화물을 포함할 수 있는데, 이러한 무기 산화물로는 산화알루미늄, 이산화규소, 산화규소, 알리미노실리카, 실리카유리, 이산화타이타늄, 산화아연, 이산화아연, 산화주석, 삼산화안티모니, 오산화안티모니 중에서 어느 하나 이상을 포함하여 조성되는 것일 수 있다. 그리고, 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질에 포함되는 무기 산화물의 굴절률과 열가소성 중합체의 굴절률은 상이할 수 있다.
이러한 무기 산화물을 통하여, 본 발명에 따른 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질은 레이저 빔에 대한 감도 증가와 함께 적은 광 산란이라는 효과를 달성할 수 있다. 또한, 무기 산화물은 레이저 빔을 흡수시 함께 포함되는 착색제 화합물의 형성을 촉진하는 역할도 수행한다.
추가적으로, 본 발명에 따른 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질은 성능 개선을 위하여, 결정화 조절 물질, 핵 형성제, 난연제, 충격 조절제, 충전제, 가소제, 착색제, 금형 이형제, 주형 제거 보조제, 빛에 대한 내성을 개선하기 위한 안정제, 열에 대한 내성을 개선하기 위한 안정제 등을 더 포함할 수 있다. 빛에 대한 내성을 개선하기 위한 안정제로는 벤조트라이아졸 유도체, 벤조페논 유도체, 옥사닐리드 유도체, 방향족 벤조에이트, 예를 들어 살리실레이트, 시아노아크릴레이트, 레소르시놀 유도체, 입체 장애 아민 중 하나 이상의 물질이 선택될 수 있으며, 열에 대한 내성을 개선하기 위한 안정제로는 입체 장애 페놀, 페놀 에테르, 유기 또는 인 함유 산의 페놀 에스터, 예를 들어 펜타에리쓰리틸 테트라키스, 트라이에틸렌 글리콜 비스, 3,3'-비스 프로피오노하이드라지드, 헥사메틸렌 글리콜 비스프로피오네이트,3,5-다이3급-부틸-4-하이드록시톨루엔, 하이드로퀴논, 방향족 2 차 아민 중의 하나 이상의 물질이 선택될 수 있다. 그리고, 착색제로는 유기 또는 무기 안료, 그 밖의 안료가 선택될 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질은 다양한 수지에 포함되어 사용될 수 있는데, 바람직하게는 0.1 내지 10 중량%로 포함되어 사용될 수 있다.
마지막으로, 본 발명에 따른 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질이 포함된 수지 조성물에 레이저가 조사됨으로써 마킹이 일어나는 과정을 도면을 통하여 살펴보도록 한다.
도면 1도는 본 발명에 따른 변색 물질이 포함된 수지 조성물에 증폭된 단파장광이 조사됨에 따라 변색이 일어나는 과정을 보여주는 도면이다.
도면을 통하여 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 변색 물질이 포함된 수지 조성물(10)에 증폭된 단파장광(B)인 레이저를 조사하면, 증폭된 단파장광을 흡수한 영역(11)은 선명한 콘트라스트를 지니며 변색되고, 비조사된 부분은 그대로 유지됨을 알 수 있다. 이를 이용하여, 본 발명에 따른 변색 물질을 포함한 수지 조성물에 다양한 문자, 도형 등을 마킹할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 수지 조성물
11 : 증폭된 단파장광을 흡수한 영역

Claims (22)

  1. 열가소성 중합체, 무기 산화물, 감광성 물질, 무기 화합물, 비스무트 화합물,
    Figure 112019040262457-pat00036
    로 표현되는 화합물을 포함하고,
    상기
    Figure 112019040262457-pat00037
    로 표현되는 화합물에서,
    A는 바나듐, 마그네슘, 베릴륨, 알루미늄, 바륨, 나트륨, 칼륨, 게르마늄, 칼슘, 인듐 중에서 어느 하나이고,
    x는 1 내지 18이며,
    y는 1 내지 12이고,
    z는 0 내지 12인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열가소성 중합체는 폴리아세탈, 폴리에스터, 폴리아미드, 폴리아릴렌 에테르, 폴리아릴렌 설파이드, 폴리에테르 설폰, 폴리설폰, 폴리아릴 에테르 케톤, 폴리올레핀, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 액정 중합체 중에서 어느 하나 이상을 포함하여 조성되는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 열가소성 중합체는 1 내지 90 중량%로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 열가소성 중합체의 입자 크기는 0.1 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 무기 산화물은 300 nm 미만의 평균 입자 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 무기 산화물은 산화알루미늄, 이산화규소, 산화규소, 알리미노실리카, 실리카유리, 이산화타이타늄, 산화아연, 이산화아연, 산화주석, 삼산화안티모니, 오산화안티모니 중에서 어느 하나 이상을 포함하여 조성되는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 물질은 필로실리케이트, 천연 운모, 합성 운모, 금속 니트레이트, 금속 설페이트, 금속 설파이드, 금속 옥시드 중 어느 하나 이상을 포함하여 조성되는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 물질은 0.1 내지 50 중량%로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 무기 화합물은 무수 금속 붕산염, 염기성 탄산 아연, 염기성 탄산 마그네슘 중 어느 하나 이상을 포함하여 조성되는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 무수 금속 붕산염은 무수 붕산 아연, 무수 붕산 알루미늄, 무수 붕산 리튬, 무수 붕산 칼슘 중의 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 무수 금속 붕산염은 경화 후 굴절률이 1.43 내지 1.70인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질.
  12. 제1항에 있어서,
    Figure 112019040262457-pat00038
    으로 표현되는 화합물은 0.001 내지 10 중량%로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 비스무트 화합물은
    Figure 112019040262457-pat00039
    표현되고,
    C는 알루미늄, 스트론튬, 칼슘, 마그네슘, 바륨, 아연, 지르코늄 중에서 어느 하나이고,
    w는 0.2 내지 71이며,
    v는 0.04 내지 9이고,
    u는 0.1 내지 101인 것을 특징으로 하는 증폭된 단파장광에 의한 변색 물질.
  14. 제1항의 변색 물질이 0.1 내지 10 중량%로 함유하는 수지 조성물.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0725154A (ja) * 1993-04-22 1995-01-27 Somar Corp レーザービームの照射により変色する樹脂組成物
KR20070085324A (ko) * 2004-10-15 2007-08-27 케미쉐 파브릭 부덴하임 카게 고도의 방염 제품의 제조를 위한 성형 물질, 이를 위한안료 및 상기 물질의 용도

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