KR102002580B1 - 태양전지의 전자 전달층의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 태양전지의 전자 전달층의 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 태양전지의 전자 전달층의 제조 방법은, 고온 공정을 사용하지 않으면서도 공극이 적고 균일한 두께의 전자 전달층을 제조할 수 있다는 특징이 있다.
Description
본 발명은 태양전지의 전자 전달층의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
화석 에너지의 고갈과 이의 사용에 의한 지구 환경적인 문제를 해결하기 위하여 태양 에너지, 풍력, 수력과 같은 재생 가능하며, 청정한 대체 에너지원에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이중, 태양광으로부터 직접 전기적 에너지를 변화시키는 태양전지에 대한 관심이 크게 증가하고 있다. 여기서 태양전지란, 태양광으로부터 광 에너지를 흡수하여 전자와 정공을 발생시키는 광기전 효과를 이용하여 전류-전압을 생성하는 전지를 의미한다.
현재 광에너지 변환효율이 20%가 넘는 n-p 다이오드형 실리콘(Si) 단결정 기반 태양전지의 제조가 가능하여 실제 태양광 발전에 사용되고 있으며, 이보다 더 변환효율이 우수한 갈륨아세나이드(GaAs)와 같은 화합물 반도체를 이용한 태양전지도 있다. 그러나 이러한 무기 반도체 기반의 태양전지는 고효율화를 위하여 매우 고순도로 정제한 소재가 필요하므로 원소재의 정제에 많은 에너지가 소비되고, 또한 원소재를 이용하여 단결정 또는 박막화하는 과정에 고가의 공정 장비가 요구되어 태양전지의 제조 비용을 낮게 하는데 한계가 있어 대규모적인 활용에 걸림돌이 되어 왔다. 이에 따라 태양전지를 저가로 제조하기 위해서 태양전지의 핵심 소재 또는 제조 공정의 비용을 대폭 감소시킬 필요가 있으며, 무기 반도체 기반 태양전지의 대안으로 저가의 소재와 공정으로 제조 가능한 염료감응태양전지와 유기태양전지가 활발히 연구되고 있다.
염료감응태양전지(DSSC; dye-sensitized solar cell)는 1991년 스위스 로잔공대(EPFL)의 미카엘 그라첼(Michael Gratzel) 교수가 처음 개발에 성공하여 네이쳐지(Vol. 353, p. 737)에 소개되었다. 염료감응태양전지의 작동 원리는, 다공성 광음극 표면에 화학적으로 흡착된 염료 분자가 태양광을 흡수하면 염료 분자가 전자-홀 쌍을 생성하며, 전자는 다공성 광음극으로 사용된 반도체 산화물의 전도띠로 주입되어 투명 전도성 막으로 전달되어 전류가 발생한다. 염료 분자에 남아 있는 홀은 액체 또는 고체형 전해질의 산화-환원 반응에 의한 홀전도 또는 홀전도성 고분자에 의하여 광양극(photocathode)으로 전달되는 형태로 완전한 태양전지 회로를 구성하여 외부에 일(work)을 하게 된다.
한편, 1990년 중반부터 본격적으로 연구되기 시작한 유기 태양전지(OPV; organic photovoltaic)는 전자주개(electron donor, D 또는 종종 hole acceptor로 불림) 특성과 전자 받개(electron acceptor, A) 특성을 갖는 유기물들로 구성된다. 유기 분자로 이루어진 태양전지가 빛을 흡수하면 전자와 홀이 형성되는데 이것을 엑시톤(exiton)이라 한다. 엑시톤은 D-A 계면으로 이동하여 전하가 분리되고 전자는 억셉터(electron acceptor)로, 홀은 도너(electron donor)로 이동하여 광전류가 발생한다. 전자 공여체에서 발생한 엑시톤이 통상 이동할 수 있는 거리는 10 nm 안팎으로 매우 짧기 때문에 광할성 유기 물질을 두껍게 쌓을 수 없어 광흡수도가 낮아 효율이 낮았다. 그러나, 최근에는 계면에서의 표면적을 증가시키는 소위 BHJ(bulk heterojuction) 개념의 도입과 넓은 범위의 태양광 흡수에 용이한 밴드갭이 작은 전자 공여체(donor) 유기물의 개발과 함께 효율이 크게 증가하여, 8%가 넘는 효율을 가진 유기 태양전지가 보고되고 있다(Advanced Materials, 23 (2011) 4636).
이외에 순수한 무기물로 된 양자점이 아닌, 유무기 하이브리드 페로브스카이트 구조를 가진 물질을 염료감응태양전지의 염료 대신 사용하여 약 9%의 효율이 보고된 바 있다(Scientific Reports 2, 591).
한편, 상기와 같은 태양전지에서 발생한 전자-홀 쌍에서 전자는 반도체 산화물의 전도띠로 주입되어 투명 전도성 막으로 전달되는데, 이때 반도체 산화물로 TiO2가 널리 사용되고 있다. 일반적으로 Ti 전구체(titanium precursor)를 기판 상에 코팅한 후 이를 고온 소결시켜, 수 nm 크기의 결정성을 가지는 TiO2 입자를 기판에 코팅하는 방식으로 제조한다. 상기와 같은 고온 소결 방식은, 균일한 TiO2 코팅층 및 TiO2 입자간 연결성(interconnection)이 우수하게 할 수 있다는 이점이 있으나, 소결시 약 500℃의 고온이 필요하여, 고온에서 견딜 수 있는 기판만 사용이 가능하다는 문제가 있다. 예를 들어, 연성의 고분자 기판 등의 사용이 제한될 수 밖에 없다.
한편, 상기 보다 낮은 온도에서 TiO2 코팅층을 제조하기 위하여, TiO2 입자를 용액에 분산시키고 이를 기판 상에 코팅한 후, 낮은 온도로 열처리하는 방식도 사용되고 있다. 그러나, 상기의 방법은 고온을 사용하지 않는다는 이점이 있으나, 균일한 TiO2 코팅층을 얻기 어렵고, 또한 TiO2 코팅층에 공극이 발생하여 태양전지의 효율을 떨어뜨리는 문제가 있다.
이에 본 발명자는, 고온 조건을 사용하지 않으면서도 태양전지의 효율을 높일 수 있는 전자 전달층을 제조하기 위하여 예의 노력한 결과, 후술할 바와 같이 산화티탄 입자, 티타늄 알콕사이드, 및 유기산의 혼합물을 기판 상에 코팅하고 광 소결을 진행하게 되면, 상기를 만족함을 확인하여 본 발명을 완성하였다.
본 발명은, 고온 조건을 사용하지 않으면서도 태양전지의 효율을 높일 수 있는 전자 전달층의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 상기의 제조 방법으로 제조된 전자 전달층을 포함하는, 태양전지를 제공하기 위한 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 하기의 단계를 포함하는 태양전지의 전자 전달층 제조 방법을 제공한다:
산화티탄 입자, 티타늄 알콕사이드, 및 유기산을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계(단계 1);
상기 혼합물을 기판 상에 코팅하는 단계(단계 2); 및
상기 혼합물이 코팅된 기판을 광 소결하는 단계(단계 3).
본 발명에서 제조하고자 하는 태양전지의 전자 전달층이란, 감광체가 태양광을 흡수하여 발생한 전자와 정공 중 전자를 전달시키는 역할을 하는 것을 의미하는 것으로, 산화티탄 입자를 주요 성분으로 포함한다.
종래에는 Ti 전구체(titanium precursor)를 기판 상에 코팅한 후 이를 약 500℃의 고온으로 소결시켜 전자 전달층을 제조하였으나, 고온을 사용하기 때문에 기판 종류 등 많은 제약이 있었다. 또한, 고온을 사용하지 않기 위하여, 산화티탄 입자를 용매에 분산시킨 후 이를 기판에 코팅하는 방법으로 전자 전달층을 제조하였으나, 공극이 적고 균일한 두께의 전자 전달층을 얻기 어렵다.
이에 본 발명에서는 산화티탄 입자를 사용하되, 공극이 적고 균일한 두께의 전자 전달층을 얻기 위하여 티타늄 알콕사이드 및 유기산을 함께 사용하며, 또한 광소결을 통하여 전자 전달층의 결정성을 높이는 것을 특징으로 한다.
이에 각 단계 별로 본 발명을 상세히 설명한다.
산화티탄 입자, 티타늄
알콕사이드
, 및 유기산을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계(단계 1)
상기 단계 1은, 기판 상에 코팅할 물질을 준비하는 단계로서, 산화티탄 입자, 티타늄 알콕사이드, 및 유기산을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계이다.
상기 혼합물의 용매는 물, C1-5 알코올, 또는 이의 혼합 용매를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 에탄올을 사용할 수 있다. 상기 산화티탄 입자는, 본 발명에서 제조하는 전자 전달층을 구성하는 주요 성분으로서, 종래 저온 공정으로 태양전지의 전자 전달층을 제조하는데 사용되던 산화티탄 입자이면 특별히 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 산화티탄 입자의 직경은 5 nm 내지 20 nm인 것이 바람직하다. 상기 산화티탄 입자의 사용량은 필요에 따라 적절히 조절할 수 있으며, 구체적으로 상기 혼합물 내 상기 산화티탄 입자를 0.01 내지 1 중량%, 또는 0.1 내지 0.5 중량%로 포함하는 것이 바람직하다.
상기 티타늄 알콕사이드는, 상기 산화티탄 입자 간의 연결성(interconnection) 및 전자 전달층의 공극을 채우는 역할을 한다. 상기 산화티탄 입자만 기판에 코팅하고 고온 소결하지 않으면, 산화티탄 입자간 공극이 발생하여 태양전지의 효율이 떨어지는 문제가 발생한다. 따라서, 본 발명에서는 상기 산화티탄 입자 외에 티타늄 알콕사이드를 함께 사용함으로써, 상기의 문제를 해결할 수 있다.
구체적으로, 상기 티타늄 알콕사이드로는 티타늄 디이소프로폭사이드 비스(아세틸아세토네이트), 티타늄 아이소프로폭사이드, 티타늄 부톡사이드 등을 사용할 수 있다. 또한, 상기 티타늄 알콕사이드의 사용량은 필요에 따라 적절히 조절할 수 있으며, 구체적으로 상기 혼합물 내 상기 티타늄 알콕사이드를 20 내지 70몰%, 또는 30 내지 60 몰%로 포함하는 것이 바람직하다.
상기 유기산은, 티타늄 알콕사이드가 상기 산화티탄 입자간 연결이 잘 일어나도록 촉매 역할을 한다. 상기 유기산으로는 아세트산, 프로피온산 등을 사용할 수 있다. 상기 유기산의 사용량은 필요에 따라 적절히 조절할 수 있으며, 구체적으로 상기 혼합물 내 0 초과 1 몰%, 또는 0.01 내지 0.1 몰%로 포함하는 것이 바람직하다.
상기 단계 1은 상온에서 수행할 수 있으며, 그 혼합 방법에 제한은 없다. 또한, 필요에 따라 균일한 혼합을 위하여 초음파 처리를 동시에 수행할 수도 있다.
상기 혼합물을
기판 상에
코팅하는 단계(단계 2)
상기 단계 2는, 상기 단계 1에서 제조한 혼합물을 기판 상에 코팅하는 단계이다.
상기 기판은 태양전지에 사용되는 기판이면 특별히 제한되지 않으며, 일례로 ITO, FTO, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3 및 주석계 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 유리 기판 또는 플라스틱 기판에, Pt, Au, Ni, Cu, Ag, In, Ru, Pd, Rh, Ir, Os, C 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 도전층이 형성될 수 있다. 특히, 본 발명에서는 전자 전달층을 제조하는데 고온 조건을 사용하지 않기 때문에, 플라스틱 기판과 같은 기판의 사용이 가능하다.
상기 코팅의 방법은 특별히 제한되지 않으며, 일례로 스핀-코팅, 딥코팅, 스크린코팅, 스프레이코팅, 전기방사 등의 방법으로 코팅할 수 있다. 또한, 코팅량을 조절하여 제조하고자 하는 전자 전달층의 두께를 조절할 수 있다.
또한, 필요에 따라 상기 기판 상에 코팅된 혼합물에 사용된 용매를 제거하기 위하여 건조하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
상기 혼합물이 코팅된 기판을 광 소결하는 단계(단계 3)
상기 단계 3은, 상기 단계 2에서 기판 상에 코팅된 혼합물을 광 소결하여 전자 전달층을 형성하는 단계이다.
상기 단계 2에 의하여, 기판 상에는 산화티탄 입자가 분포되어 있고, 산화티탄 입자 사이에는 티타늄 알콕사이드가 매개하고 있다. 여기에 광 소결을 진행하게 되면, 유기산의 촉매 하에 티타늄 알콕사이드가 반응하여 산화티탄 입자 간의 공극을 메울 수 있게 된다.
상기 광 소결은 티타늄 알콕사이드가 반응할 수 있는 파장대의 빛을 조사하는 것을 의미하는 것으로, 바람직하게는 300 nm 내지 1000 nm의 파장의 빛을 기판 상에 조사한다.
상기 조사 시간은 티타늄 알콕사이드가 충분히 반응할 수 있는 시간이면 특별히 제한되지 않으며, 일례로 80 ms 내지 100 ms의 시간 동안 조사하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 조사에 의하여 온도가 올라가지 않도록, 상기 조사를 여러 번 나누어 진행하는 것이 바람직하다. 또한, 광 소결을 진행하기 때문에 고온 조건이 필요없으며, 구체적으로 상기 단계 3의 반응은 100℃ 이하, 바람직하게는 70℃ 이하의 온도 하에 수행할 수 있다. 또한, 상기 조사의 효율을 위하여 상기 단계 3의 반응은 0℃ 이상, 10℃ 이상, 또는 20℃ 이상이 바람직하다.
태양전지의 전자
전달층
상기 제조되는 전자 전달층의 두께는 필요에 따라 적절히 조절할 수 있으며, 앞서 단계 2의 혼합물 코팅량을 조절하는 방법으로 조절할 수 있다. 바람직하게는, 상기 전자 전달층의 두께는 50 nm 내지 100 nm이다.
상술한 본 발명에 따라 제조되는 전자 전달층은 태양전지에 적용할 수 있다. 상기 태양전지의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 염료감응형 태양전지, 유기 태양전지, 및 페로브스카이트 태양전지 등에 적용할 수 있다. 특히, 본 발명에서는 전자 전달층의 제조를 위하여 고온 조건이 적용되지 않기 때문에, 유연성이 있는 플라스틱 기판을 사용하는 태양전지에도 적용할 수 있다.
본 발명에 따른 태양전지는, 본 발명에서 제조한 전자 전달층을 사용한다는 점을 제외하고는, 일반적으로 사용되는 태양전지의 구성을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 전극, 본 발명에 따른 전자 전달층, 감광층, 정공 전달층, 및 제2 전극을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 태양전지의 전자 전달층의 제조 방법은, 고온 공정을 사용하지 않으면서도 공극이 적고 균일한 두께의 전자 전달층을 제조할 수 있다는 특징이 있다.
도 1은, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 전자 전달층의 표면을 나타낸 것이다.
도 2는, 본 발명의 비교예에 따라 제조된 전자 전달층의 표면을 나타낸 것이다.
도 3은, 본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 제조된 전자 전달층의 XRD 데이터를 나타낸 것이다.
도 2는, 본 발명의 비교예에 따라 제조된 전자 전달층의 표면을 나타낸 것이다.
도 3은, 본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 제조된 전자 전달층의 XRD 데이터를 나타낸 것이다.
이하, 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예들을 제시한다. 그러나 하기의 실시예들은 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 발명을 이들만으로 한정하는 것은 아니다.
실시예
(단계 1)
25 × 25 mm 크기의 ITO 기판의 끝 부분을 에칭하여 부분적으로 ITO를 제거하였다. 에탄올을 용매로 사용한 0.15 wt%의 TiO2 용액에, 티타늄 디이소프로폭사이드 비스(아세틸아세토네이트)(titanium diisopropoxide bis(acetylacetonate)) 60 몰%, 아세트산 0.01 몰%의 농도가 되도록 첨가하였다. 상기 용액을 700 rpm으로 10초 및 2000 rpm으로 60초 동안 ITO 기판에 60 nm의 두께로 코팅하고, 100℃에서 30분 동안 열처리하였다. 이어, 상기 ITO 기판을 광소결하여, n-type 물질인 block TiO2 층을 형성하였다. 상기 광소결은 Zenon lamp(Novacentrix, PluseForge 1200)를 광원으로 사용하여, 330 V 및 0.1 Hz의 조건으로 1 ms 동안 빛을 조사하고, 20 ms를 쉬는 방법을 총 81회 진행(총 130J 에너지)하였다.
(단계 2)
MAI(methylammonium iodide) 및 PbI2를 1:1의 몰 비로 DMSO에 용해시켜 50 wt%의 용액을 제조하였다. 상기 용액을 60℃에서 1시간 동안 교반한 후 이를 상기 block TiO2 층 상에 500 rpm으로 5초, 1000 rpm으로 90초, 및 5000 rpm으로 30초 동안 각각 코팅하고, 150℃에서 10분 동안 건조 및 열처리하여 광흡수층을 형성하였다. 상기 광흡수층 상에 58 mM spiro-OMeTAD(72.3 mg/mL), 188 mM TBP(4-tert-butylpyridine, 28.8 uL), 및 29.9 mM LiTFSi(17.5 uL)가 용해된 클로로벤젠 용액(30 uL)을 6000 rpm으로 30초 동안 스핀 코팅하여 정공전달층을 형성하였다. 여기에 Au를 진공 증착하여 전극을 형성하여, 태양전지를 제조하였다.
비교예
1
상기 실시예와 동일한 방법으로 제조하되, 상기 단계 1에서 티타늄 디이소프로폭사이드 비스(아세틸아세토네이트)(titanium diisopropoxide bis(acetylacetonate)) 및 아세트산을 사용하지 않고, 또한 광소결을 진행하지 않는 것을 제외하여, 태양전지를 제조하였다.
비교예
2
상기 실시예와 동일한 방법으로 제조하되, 상기 단계 1에서 티타늄 디이소프로폭사이드 비스(아세틸아세토네이트)(titanium diisopropoxide bis(acetylacetonate)) 및 아세트산을 사용하지 않는 것을 제외하여, 태양전지를 제조하였다.
비교예
3
상기 실시예와 동일한 방법으로 제조하되, 상기 단계 1에서 광소결을 진행하지 않는 것을 제외하여, 태양전지를 제조하였다.
비교예
4
25 × 25 mm 크기의 FTO 기판의 끝 부분을 에칭하여 부분적으로 FTO를 제거하였다. 0.1 M의 [(CH3)2CHO)2Ti(C5H7O2)2] 1-부탄올 용액을 700 rpm으로 10초 및 2000 rpm으로 60초 동안 FTO 기판에 40 nm의 두께로 코팅하고, 500℃에서 15분 동안 소결하여, n-type 물질인 block TiO2 층을 형성하였다. 이어, 상기 실시예의 단계 2와 동일한 방법으로, 태양전지를 제조하였다.
실험예
1: 전자
전달층의
표면 관찰
상기 실시예 및 비교예 1에서 제조한 전자 전달층의 표면을 SEM 이미지로 확인하였으며, 그 결과를 도 1(실시예) 및 도 2(비교예 1)에 각각 나타내었다.
도 1에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예의 경우 공극이 실질적으로 발생하지 않은 반면, 도 2에 나타난 바와 같이, 티타늄 알콕사이드 및 유기산을 사용하지 않은 비교예 1의 경우 공극이 발생함을 확인할 수 있었다. 이로부터, 본 발명과 같이 티타늄 알콕사이드 및 유기산을 사용하고 광소결을 진행할 경우, 산화티탄 입자 간에 형성되는 공극을 충분히 메울 수 있음을 확인할 수 있었다.
실험예
2:
XRD
데이터 분석
상기 실시예, 비교예 1 및 비교예 4에서 제조한 전자 전달층의 결정성을 확인하기 위하여 XRD 데이터를 측정하였으며, 그 결과를 도 3에 나타내었다.
도 3의 실시예 및 비교예 1의 결과를 비교하면, 광 소결을 통하여 결정성이 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 실시예의 결정성 정도는 고온 소결로 처리한 비교예 4와 실질적으로 동일하여, 광 소결을 통하여 결정성이 충분히 이루어짐을 확인할 수 있었다.
실험예
3: 태양전지의 특성 평가
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 태양전지를 이용하여, 각 태양전지의 특성을 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
| JSC(mA/cm2) | Voc(V) | FF | PCE(%) | |
| 실시예 | 22.36 | 1.085 | 0.69 | 16.75 |
| 비교예 1 | 23.90 | 0.719 | 0.50 | 8.68 |
| 비교예 2 | 23.61 | 0.762 | 0.53 | 9.58 |
| 비교예 3 | 25.17 | 0.824 | 0.62 | 12.79 |
| 비교예 4 | 21.55 | 1.118 | 0.71 | 17.10 |
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 광소결을 진행하지 않은 비교예 1 및 2에 비하여, 본 발명에 따른 실시예의 경우 광변환 효율이 현저히 높음을 확인할 수 있었다. 또한, 광소결을 진행하되, 티타늄 알콕사이드 및 유기산을 사용하지 않은 비교예 3에 비하여도 광변환 효율이 현저히 높음을 확인할 수 있었다. 또한, 본 발명에 따른 실시예는 고온 소결 방식으로 제조한 비교예 4에 상응할 정도의 광변환 효율을 나타냄을 확인할 수 있는바, 기존 고온 소결 방식을 적용할 수 없는 플라스틱 기판 등에도 유용하게 적용할 수 있음을 확인할 수 있었다.
Claims (10)
- 산화티탄 입자, 티타늄 알콕사이드, 및 유기산을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계;
상기 혼합물을 기판 상에 코팅하는 단계; 및
상기 혼합물이 코팅된 기판을 광 소결하는 단계를 포함하고,
상기 혼합물 내 상기 티타늄 알콕사이드의 함량이 20 내지 70 몰%인,
태양전지의 전자 전달층 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 산화티탄 입자의 직경은 5 nm 내지 20 nm인 것을 특징으로 하는,
제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 티타늄 알콕사이드는 티타늄 디이소프로폭사이드 비스(아세틸아세토네이트), 티타늄 아이소프로폭사이드, 또는 티타늄 부톡사이드인 것을 특징으로 하는,
제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 유기산은 아세트산, 또는 프로피온산인 것을 특징으로 하는,
제조 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 혼합물 내 상기 유기산의 함량이 0 초과 1 몰%인 것을 특징으로 하는,
제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 기판은 ITO, FTO, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3 및 주석계 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 유리 기판; 또는 Pt, Au, Ni, Cu, Ag, In, Ru, Pd, Rh, Ir, Os, C 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 도전층이 형성된 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는,
제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 광 소결은, 300 nm 내지 1000 nm의 파장의 빛을 기판 상에 조사하는 것을 특징으로 하는,
제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 광 소결은 80 ms 내지 100 ms의 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는,
제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 태양전지의 정공 전달층의 두께는 50 nm 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는,
제조 방법.
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2016
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