KR101998202B1 - 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 및 이의 제작방법 - Google Patents

반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 및 이의 제작방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마 포커스 링을 복수개로 나누어 제작 후 결합하게 되어 가공성 향상 및 수명을 연장하고 교체비를 절감할 수 있는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 및 이의 제작방법에 관한 것으로, 정전 척의 상부 외측에 놓여지는 상부 플라즈마 포커스 링과, 상기 상부 플라즈마 포커스 링의 하부에 밀착되어 가스의 흐름을 유도하도록 다수개의 슬롯이 형성되는 하부 플라즈마 포커스 링과, 상기 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링을 착탈 가능하게 결합하는 결합부를 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 제작방법은 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링을 이루도록 복수개의 원재료를 가공하는 단계와, 상기 상부 플라즈마 포커스 링을 이루는 가공물을 가공기를 이용하여 가공하고 하부 플라즈마 포커스 링을 이루는 가공물을 가공기를 이용하여 가공하는 단계와, 상기 가공된 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링을 착탈 가능하게 서로 결합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 및 이의 제작방법{PLASMA FOCUS RING FOR SEMICONDUCTOR ETCHING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 및 이의 제작방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 포커스 링을 복수개로 나누어 제작 후 결합하게 되어 가공성 향상 및 수명을 연장하고 교체비를 절감할 수 있는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 및 이의 제작방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체를 제조하기 위해 사용되는 식각 기술은 반도체 기판에 형성시킨 막질을 원하는 패턴으로 가공하는 기술이며, 이러한 가공을 위해 사용되는 것이 식각장치이다.
특히, 식각장치 중에서도 플라즈마를 이용하여 패턴을 형성하는 식각장치를 플라즈마 에칭장치 또는 건식식각장치라고 하며, 이러한 건식식각장치는 0.15㎛ 이하의 디자인 룰(design rule)이 요구되는 기술에 주로 이용된다.
도 1은 일반적인 건식식각장치를 도시한 것으로서, 프로세스 챔버(10)의 내부에는 웨이퍼(W)가 안착되도록 하는 정전 척(11)이 구비되고, 정전 척(11)의 저면에는 하부 전극(12)이 구비되며, 정전 척(11)으로부터 소정의 높이에는 상부 전극(13)이 구비된다.
그리고, 상부 전극(13)이 구비되는 프로세스 챔버(10)의 상부 또는 일측으로부터는 반응 가스가 공급되도록 한다.
따라서, 프로세스 챔버(10)의 정전 척(11)에 웨이퍼(W)를 안착시킨 상태에서 내부로 반응 가스를 공급하면서 하부 전극(12)과 상부 전극(13)으로 RF 바이어스를 인가하게 되면 웨이퍼(W)의 상부에서는 플라즈마가 발생되면서 이 플라즈마가 웨이퍼(W)의 막질과 충돌하여 식각이 이루어지게 되는 것이다.
플라즈마를 이용하여 웨이퍼(W)를 식각하는 공정 수행 중 정전 척(11)에서 웨이퍼(W)는 통상 에지링(14)에 의해 외측이 감싸지면서 플라즈마가 웨이퍼(W) 에지링(14)에까지 균일하게 분포하도록 하고 있다.
또한, 도 2에서와 같이 반도체 건식식각공정 중 절연 막(dielectric layer) 식각에서 현재 가장 앞선 기술을 보유한 미국 램리서치(Lam research)사의 절연 막 건식식각장치에서 식각 시 플라즈마의 밀도를 높여 식각속도(Etch rate)를 높이고, 식각 이온의 방향성을 좋게 하고, 선택비의 희생 없이, 또한 이물질(particle)을 줄이기 위해 실리콘으로 제작된 포커스 링(15)을 식각반응조(chamber)(10)에 사용한다.
도 2 내지 도 4에서와 같이, 종래의 포커스 링(15)은 다결정으로 된 단일체로 제작되며, 버전에 따라 차이가 있으나 통상의 경우 외경이 약 520㎜, 높이가 약 48㎜, 단면이 C 형태이고, 하부 단면에 250개의 슬롯(slot)(16)이 형성되며 측면 2곳에 배기 홀(vent)(17)이 형성되는 전체적으로 도넛 형태로 이루어진다.
도 5에서와 같이, 종래의 포커스 링 제조방법은 원판 형태의 원재료(가)를 상,하부가 관통되게 내경을 절단하여 도넛 형태로 가공(나)하고, 단면이 C형인 도넛 형태로 가공하기 위해 내측을 파내서 가공(다)하며, 가공물을 뒤집은 다음 레이저나 방전 등 고급 가공 장비(20)로 슬롯(16)을 가공(라)하여 포커스 링(15)을 제작하게 된다.
이러한 제조방법으로 포커스 링을 제조하게 되면 C형태로 가공하기 위해 많은 기계 가공이 필요하고 내부의 제한된 공간으로 인해 그에 따른 전용 공구가 필요하며 가공 시간이 많이 소요되는 문제점이 있었다.
또한, 슬롯을 가공 시 레이저나 방전 등 고급 장비 및 고도의 기술을 요하고, 슬롯 가공 부분이 공중에 떠 있는 상태로 별도의 고정 수단이 없어 안정적인 고정이 어려워 취성이 강한 실리콘의 경우 슬롯 부분이 쉽게 부서져 가공 수율이 나쁘고 재료 손실이 크게 되는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 포커스 링은 소정 부위에 식각으로 인해 닳아(worn out)지므로 공정불량이 발생되지 않도록 전체를 주기적으로 교체해야 하며, 이에 부품 소모 증가로 제조 단가가 상승하는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 그 목적은 플라즈마 포커스 링을 상,하 복수개로 나누어 각각 가공한 다음 결합하여 제작함으로써 가공성 및 작업의 편리성을 최대화하며, 교체시 플라즈마 포커스 링의 전체를 교체하지 않고 교체하고자 하는 하나의 부품만 교체가 가능하여 비용을 절감할 수 있다.
또한, 본 발명은 슬롯이 가공되는 플라스마 포커스 링을 가공물 고정 척에 흔들림없이 안정적으로 올려놓은 상태에서 슬롯을 가공함으로써 안정적인 작업으로 제품의 불량률을 최소화할 수 있는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 및 이의 제작방법을 제공할 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링은 정전 척의 상부 외측에 놓여지는 상부 플라즈마 포커스 링과, 상기 상부 플라즈마 포커스 링의 하부에 밀착되어 가스의 흐름을 유도하도록 다수개의 슬롯이 형성되는 하부 플라즈마 포커스 링과, 상기 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링을 착탈 가능하게 결합하는 결합부를 포함할 수 있다.
상기 결합부는 상부 플라즈마 포커스 링의 하부 테두리에 형성되는 체결홈과, 상기 하부 플라즈마 포커스 링의 테두리에 상,하를 관통하여 형성되는 결합홈과, 상기 결합홈으로 삽입되고 체결홈에 체결되어 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링을 서로 결합하게 되는 연결부재를 포함할 수 있다.
상기 결합부는 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링이 서로 안정적으로 결합될 수 있도록 일정 간격을 두고 복수 개로 구비될 수 있다.
상기 결합부는 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링의 접점 부위를 본딩(bonding)으로 접합하여 결합할 수 있다.
상기 결합부는 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링을 용융 접합하여 결합할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 제작방법은 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링을 이루도록 복수 개의 원재료를 절단 가공하는 단계와, 상기 상부 플라즈마 포커스 링을 이루는 가공물을 가공기를 이용하여 가공하고 하부 플라즈마 포커스 링을 이루는 가공물을 가공기를 이용하여 가공하는 단계와, 상기 가공된 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링을 착탈 가능하게 서로 결합하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링을 가공함에 있어, 상기 상부 플라즈마 포커스 링을 가공 시 가공물 고정 척 상에 상부 플라즈마 포커스 링을 밀착되게 올려놓고 가공하여 진동 없이 상부 플라즈마 포커스 링을 안정적으로 가공할 수 있다.
상기 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링을 가공함에 있어, 상기 하부 플라즈마 포커스 링을 가공 시 가공물 고정 척 상에 하부 플라즈마 포커스 링을 밀착되게 올려놓고 가공하여 진동 없이 하부 플라즈마 포커스 링을 안정적으로 가공할 수 있다.
상기 가공된 상,하부 플라즈마 포커스 링을 서로 결합하는 단계에 있어, 상기 상,하부 플라즈마 포커스 링을 착탈 가능하게 결합부로 결합할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 및 이의 제작방법에 의하면, 플라즈마 포커스 링을 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링의 복수 개로 나누어 각각 가공물 고정 척 상에 올려놓고 고정한 상태에서 가공한 후 상,하부 플라즈마 포커스 링을 결합하게 됨으로써 가공 시 가공물을 안정적으로 고정할 수 있어 불량률을 줄이고 가공성을 최대화할 수 있으며, 가공 공구의 접근성이 좋아 작업의 편리성 및 작업 효율성을 극대화할 수 있다.
또한, 본 발명은 플라즈마 포커스 링을 복수개로 나누어 착탈 가능하게 결합함으로써 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링의 수명이 달라 교체 주기를 달리하여 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 일반적인 식각장치를 도시한 측단면도이다.
도 2는 종래에 따른 포커스 링이 설치된 식각장치를 도시한 측단면도이다.
도 3은 종래에 따른 식각장치의 포커스 링을 도시한 사시도이다.
도 4는 종래에 따른 식각장치의 포커스 링을 도시한 절단면도이다.
도 5는 종래에 따른 식각장치의 포커스 링을 제조하는 방법을 도시한 공정도이다.
도 6은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링을 도시한 분해사시도이다.
도 7은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링을 도시한 결합사시도이다.
도 8은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링을 도시한 결합 전 단면도이다.
도 9는 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링을 도시한 결합단면도이다.
도 10은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링의 다른 실시예를 도시한 결합단면도이다.
도 11은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링을 제작하는 방법을 도시한 공정도이다.
도 12는 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링을 제작하는 방법을 도시한 순서도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도면들에 있어서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니며 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 본 명세서에서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이며, 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 권리 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다.
본 명세서에서 '및/또는'이란 표현은 전후에 나열된 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용된다. 또한, '연결되는/결합되는'이란 표현은 다른 구성요소와 직접적으로 연결되거나 다른 구성요소를 통해 간접적으로 연결되는 것을 포함하는 의미로 사용된다. 본 명세서에서 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 또한, 명세서에서 사용되는 '포함한다' 또는 '포함하는'으로 언급된 구성요소, 단계, 동작 및 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및 소자의 존재 또는 추가를 의미한다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 측(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 6은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링을 도시한 분해사시도이며, 도 7은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링을 도시한 결합사시도이고, 도 8은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링을 도시한 결합 전 단면도이며, 도 9는 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링을 도시한 결합단면도이고, 도 10은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링의 다른 실시예를 도시한 결합단면도이며, 도 11은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링을 제작하는 방법을 도시한 공정도이고, 도 12는 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링을 제작하는 방법을 도시한 순서도이다.
도 6 내지 도 9 및 도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링(100)은 상부 플라즈마 포커스 링(110)과, 하부 플라즈마 포커스 링(120)과, 결합부(200)를 포함하게 된다.
상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)은 반도체 식각장치의 정전 척 상부 외측에 놓여지게 된다.
또한, 상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)은 원판 형태의 가공물을 가공물 고정 척(400)에 올려놓고 고정한 상태에서 가공기(300)를 이용하여 흔들림 없이 안정적으로 가공할 수 있게 된다.
상기 하부 플라즈마 포커스 링(120)은 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 별도로 분리하여 가공하게 된다.
또한, 상기 하부 플라즈마 포커스 링(120)에 가스의 흐름을 유도할 수 있도록 다수개(250개)의 슬롯(122)을 가공하게 된다.
이때, 상기 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 가공 시 가공물 고정 척(400)에 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 올려놓고 고정한 상태에서 가공기(300)를 이용하여 흔들림 없이 안정적으로 가공할 수 있게 된다.
즉, 상기 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 가공물 고정 척(400)에 밀착되게 고정함으로써 상기 하부 플라즈마 포커스 링(120)의 슬롯(122)을 진동 없이 안정적으로 가공하게 되어 슬롯(122)의 부서짐 등 불량을 최소화할 수 있게 된다.
그리고, 상기 하부 플라즈마 포커스 링(120)이 상부 플라즈마 포커스 링(110)의 하부에 밀착되게 된다.
상기 결합부(200)는 서로 분리되어 가공된 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 착탈 가능하게 결합하는 것이다.
도 8 내지 도 9에서와 같이, 상기 결합부(200)는 체결홈(111)과, 결합홈(121)과, 연결부재(210)를 포함하게 된다.
상기 체결홈(111)은 상부 플라즈마 포커스 링(110)의 하부에 형성되게 된다.
또한, 상기 체결홈(111)은 연결부재(210)가 볼팅 체결될 수 있도록 나사 방식으로 형성되게 된다.
상기 결합홈(121)은 하부 플라즈마 포커스 링(120)의 테두리에 상,하를 관통하여 형성되게 된다.
또한, 상기 체결홈(111)과 결합홈(121)은 서로 연통되게 형성되는 것이다.
상기 연결부재(210)는 체결홈(111)에 나사 체결되는 볼트 형태로 이루어지게 된다.
즉, 상기 체결홈(111)과 결합홈(121)이 서로 연통된 상태에서 상기 연결부재(210)를 결합홈(121)으로 삽입하여 상기 체결홈(111)에 체결함으로써 상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 서로 연결시키거나 쉽게 분리할 수 있는 것이다.
그리고, 상기 결합부(200)는 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)의 결합력을 높일 수 있도록 상,하부 플라즈마 포커스 링(110.120)에 일정 간격을 두고 복수개로 연결되게 된다.
또한, 상기 결합부(200)를 통해 상,하부 플라즈마 포커스 링(110,120)을 연결시킬 때 상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)의 하단 면과 하부 플라즈마 포커스 링(120)의 상단 면이 최대한 밀착되도록 연결시키게 된다.
도 10에서와 같이, 상기 결합부(200)는 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)의 접점 부위를 본딩 또는 용융(220) 접합하여 서로 결합하게 된다.
도 11 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링을 제작하는 방법은 플라즈마 포커스 링(100)을 이루는 원재료를 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)으로 나누어 절단 가공하게 된다.(S100)
즉, 상기 플라즈마 포커스 링(100)을 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)으로 각각 별도로 절단 가공하게 된다.
그리고, 상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)으로 분리된 가공물을 가공기(300)를 이용하여 각각의 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 가공하게 된다.(S200)
즉, 상기 플라즈마 포커스 링(100)을 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)의 복수개로 나누어 제작함에 따라 상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 각각 별도로 가공하게 된다.
또한, 상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)을 가공(S200)함에 있어, 상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)을 가공 시 가공물 고정 척(400)에 상부 플라즈마 포커스 링(110)을 밀착되게 올려놓고 고정한 상태에서 가공기(300)를 이용하여 가공하게 된다.
그리고, 상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)을 가공 시 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 연결부재(210)로 연결시킬 수 있도록 체결홈(111)을 가공하게 된다.
이에 상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)을 가공물 고정 척(400)에 안정적으로 고정하게 되어 상부 플라즈마 포커스 링(110)을 진동 없이 가공하여 불량률을 줄일 수 있게 된다.
또한, 상기 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 가공(S200)함에 있어, 상기 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 가공 시 가공물 고정 척(400)에 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 밀착되게 올려놓고 고정한 상태에서 가공기(300)를 이용하여 가공하게 된다.
그리고, 상기 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 가공 시 상부 플라즈마 포커스 링(110)의 체결홈(111)과 연통되도록 상,하를 관통하여 결합홈(121)을 가공하게 된다.
즉, 상기 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 가공물 고정 척(400)에 흔들림 없이 안정적으로 고정하게 되어 하부 플라즈마 포커스 링(120)에 형성되는 다수개의 슬롯(122)을 진동 없이 가공하여 불량률을 줄일 수 있게 된다.
그리고, 상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 각각 분리하여 가공하게 되면 상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(12O)을 밀착한 상태에서 상,하부 플라즈마 포커스 링(110,120)을 착탈 가능하게 서로 결합하게 된다.(S300)
또한, 상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 서로 결합(S300)함에 있어, 상기 체결홈(111)과 결합홈(121)이 연통되도록 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 서로 밀착시키고 상기 연결부재(210)를 결합홈(121)과 체결홈(111)으로 체결하여 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 착탈 가능하게 결합부(200)로 결합할 수 있게 된다.
상기와 같은 제작방법으로 이루어진 본 발명의 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링에 따른 작용상태를 살펴보면 아래와 같다.
상기 플라즈마 포커스 링(100)을 하나의 가공물을 사용하여 가공하지 않고 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)의 복수개로 나누어 각각 별도로 가공함으로써 가공기(300)의 접근성이 좋아 가공이 편리하여 가공 공수 및 가공 시간을 최소화할 수 있게 된다.
그리고, 상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 가공물 고정 척(400)에 최대한 밀착된 상태에서 가공기(300)를 이용하여 가공하게 되어 진동이 발생되지 않아 안정적이고 정밀한 가공이 가능함에 따라 특히 상기 하부 플라즈마 포커스 링(120)에 슬롯(122)을 가공할 때 슬롯(122)의 부서짐 등의 파손을 방지할 수 있어 플라즈마 포커스 링(100)의 불량률을 최소화할 수 있게 된다.
또한, 상기 플라즈마 포커스 링(100)을 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)의 복수로 분리하여 가공한 다음 상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 결합부(200)로 착탈 가능하게 결합함으로써 어느 한 부분에 이상 발생시 플라즈마 포커스 링(100)의 전체를 교체할 필요 없이 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120)을 분리하여 해당 부품만 교체할 수 있게 된다.
이와 같이, 상기 상부 플라즈마 포커스 링(110)과 하부 플라즈마 포커스 링(120) 간에 서로 수명이 달라 교체 주기를 달리하여 교체비를 절감할 수 있어 사용자의 비용 부담을 줄일 수 있게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
100 : 플라즈마 포커스 링
110 : 상부 플라즈마 포커스 링
111 : 체결홈
120 : 하부 플라즈마 포커스 링
121 : 결합홈
122 : 슬롯
200 : 결합부
210 : 연결부재
300 : 가공기
400 : 가공물 고정 척

Claims (9)

  1. 정전 척의 상부 외측에 놓여지되, 내주면에 걸쳐 단턱이 형성된 "L"자형 단면 구조를 갖고, 상부전극과 결합되는 상부 플라즈마 포커스 링;
    상기 상부 플라즈마 포커스 링에 밀착되어 결합되고, 가스의 흐름을 유도하도록 다수개의 슬롯이 형성된 하부 플라즈마 포커스 링; 및
    상기 상부 플라즈마 포커스 링의 "L"자형 단면의 윗부분과 하부 플라즈마 포커스 링의 일면을 착탈 가능하도록 결합하는 결합부;를 포함하고,
    상기 상부 플라즈마 포커스링과 하부 플라즈마 포커스 링이 결합되어 형성되는 내부 공간에 플라즈마가 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 결합부는, 연결부재에 의한 체결 구조, 접점 본딩 또는 용융 본딩되며,
    상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링이 서로 안정적으로 결합될 수 있도록 일정 간격을 두고 복수 개로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 연결부재에 의한 체결 구조는,
    상기 상부 플라즈마 포커스 링의 하부 테두리에 형성되는 체결홈; 상기 하부 플라즈마 포커스 링의 테두리에 상,하를 관통하여 형성되는 결합홈; 및 상기 결합홈으로 삽입되고 체결홈에 체결되어 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링을 서로 결합하게 되는 연결부재;를 포함하는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 제작방법에 있어서,
    상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링을 이루도록 복수 개의 원재료를 절단 가공하는 단계;
    상기 상부 플라즈마 포커스 링을 이루는 가공물을 가공기를 이용하여 가공하고 하부 플라즈마 포커스 링을 이루는 가공물을 가공기를 이용하여 가공하는 단계; 및
    상기 가공된 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링을 착탈 가능하게 서로 결합하는 단계;를 포함하고,
    상부 플라즈마 포커스 링을 가공 시, 가공물 고정 척 상에 상부 플라즈마 포커스 링을 밀착되게 올려놓고 가공하여 진동 없이 상부 플라즈마 포커스 링을 안정적으로 가공하되, 내주면에 걸쳐 단턱이 형성된 "L"자형 단면 구조를 갖도록 가공하고,
    하부 플라즈마 포커스 링을 가공 시 가공물 고정 척 상에 하부 플라즈마 포커스 링을 밀착되게 올려놓고 가공하여 진동 없이 하부 플라즈마 포커스 링을 안정적으로 가공하여, 가스의 흐름을 유도하는 다수개의 슬롯을 형성하며,
    상기 서로 결합하는 단계는, 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링이 착탈 가능하도록, 일정 간격으로 이격된 복수개의 결합부로 결합하되, 상기 상부 플라즈마 포커스 링의 "L"자형 단면의 윗부분과 하부 플라즈마 포커스 링의 일면이 결합되어 플라즈마가 형성되는 내부 공간을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 제작방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 서로 결합하는 단계는, 연결부재에 의한 체결, 접점 본딩 또는 용융 본딩에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 제작방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 연결부재에 의한 체결은,
    상부 플라즈마 포커스 링의 하부 테두리에 형성된 체결홈과 하부 플라즈마 포커스 링의 결합홈이 정렬되도록 위치시킨 후,
    하부 플라즈마 포커스 링의 테두리에 상,하를 관통하여 형성된 결합홈으로 연결부재를 삽입하고, 삽입된 연결부재가 상부 플라즈마 포커스 링의 하부 테두리에 형성된 체결홈에 체결되도록 함으로써 상부 플라즈마 포커스 링과 하부 플라즈마 포커스 링을 서로 결합시키는 것을 특징으로 하는, 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 제작방법.
  9. 삭제
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