KR101993940B1 - Euv 리소그래피용 반사 광학 요소의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 EUV 리소그래피용 반사 광학 요소의 제조 방법에 관한 것이다. 반응성 수소가 존재할 때 다중층 시스템의 최상층에서 블리스터링 및 균열 및 치핑(chipping)되는 경향을 감소시키기 위해, 요소는 5nm 내지 20nm 범위의 작동 파장에서 최대 반사율을 갖는 EUV 리소그래피용 반사 광학 요소(50)를 제조하는 방법이 이하의 단계를 포함할 것이 제안된다: 차례로 쌓인 30 내지 60개의 스택(53)으로 구성된 다중층 시스템(51)을 기판(52)에 적용하는 단계로서, 각각의 스택은 작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 재료로 구성되는 두께 dMLs의 층(54)과 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 재료로 구성되는 두께 dMLa의 층(55)을 갖고, 두께 비율은 dMLa/(dMLa+ dMLs) = ΓML인 단계; 다중층 시스템에 1개, 2개, 3개, 4개 또는 5개의 추가 스택(56)을 적용하는 단계로서, 상기 적어도 하나의 추가 스택은 작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 재료로 구성되는 두께 ds의 층(54)과 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 재료로 구성되는 두께 da의 층(55)을 갖고, 두께 비율은 da/(da+ ds) = Γ이고 Γ≠ΓML인 단계.

Description

EUV 리소그래피용 반사 광학 요소의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING A REFLECTIVE OPTICAL ELEMENT FOR EUV LITHOGRAPHY}
본 발명은 5nm 내지 20nm 범위의 작동 파장에서 최대 반사율을 갖는 EUV 리소그래피용 반사 광학 요소를 제조하는 방법에 관한 것이다.
EUV 리소그래피 장치에서, 예를 들어 다중층 시스템에 기초한 포토마스크 또는 거울와 같은, 극 자외선(EUV) 파장 범위(예를 들어, 약 5nm 내지 20nm 사이의 파장)를 위한 반사 광학 요소가 반도체 구성요소의 리소그래피에 이용된다. EUV 리소그래피 장치는 대체로 복수의 반사 광학 요소를 갖기 때문에, 반사 광학 요소는 충분히 높은 총 반사율을 보증하기 위해 가능한 한 높은 반사율을 가져야만 한다. 단파 조사와 작동 분위기 중의 잔류 가스 때문에 반사 광학 요소의 광학적으로 이용되는 반사 표면이 오염되어 반사 광학 요소의 반사율과 수명이 감소될 수 있다. 복수의 반사 광학 요소가 EUV 리소그래피 장치 내에 보통 차례로 정렬되기 때문에, 각각의 개별 반사 광학 요소 상의 비교적 작은 오염조차도 총 반사율에 이미 비교적 크게 영향을 미친다.
오염은 예를 들어 수분 잔류물 때문에 발생할 수 있다. 이 경우에, 물 분자는 EUV 방사선에 의해 분해되고, 생성된 산소 라디칼은 반사 광학 요소의 광학 작용 표면을 산화시킨다. 오염의 또 다른 원인은 예를 들어 EUV 리소그래피 장치에서 이용되는 진공 펌프로부터, 또는 패터닝 될 반도체 기판 상에 이용되는 포토레지스트의 잔유물로부터 비롯될 수 있는 중합체이며, 이것은 작동 방사선의 영향으로 반사 광학 요소 상의 탄소 오염을 유발한다. 산화 오염은 대체로 돌이킬 수 없는 반면, 특별히 탄소 오염은 특히 반응성 수소로 처리하면, 반응성 수소가 탄소 오염 잔류물과 반응하여 휘발성 화합물을 형성하는 덕분에 제거될 수 있다. 반응성 수소는 수소 라디칼이거나 그 밖에 이온화된 수소 원자 또는 수소 분자일 수 있다.
그러나, 세정에 이용되거나 또는 잔류 분위기에 존재하는 수소와 EUV 방사선의 상호 작용으로 발생할 수 있는 반응성 수소의 영향으로, 특히 다중층 시스템의 표면 가까이에서 개별 층들의 블리스터링(blistering) 및 심지어 분리가 발생할 수 있음이 관찰되었다.
따라서, 본 발명의 목적은 반응성 수소가 존재할 때에도 EUV 리소그래피에 이용될 수 있는 반사 광학 요소를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
이 목적을 달성하기 위해, 5nm 내지 20nm의 범위의 작동 파장에서 최대 반사율을 갖는 EUV 리소그래피용 반사 광학 요소를 제조하는 방법은 이하의 단계를 포함한다:
차례로 쌓인 30 내지 60개의 스택으로 구성된 다중층 시스템을 기판에 적용하는 단계로서, 각각의 스택은 작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 재료로 구성되는 두께 dMLs의 층과 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 재료로 구성되는 두께 dMLa의 층을 갖고, 두께 비율은 dMLa/(dMLa+ dMLs) = ΓML인 단계,
다중층 시스템에 1개, 2개, 3개, 4개 또는 5개의 추가 스택을 적용하는 단계로서, 상기 적어도 하나의 추가 스택은 작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 재료로 구성되는 두께 ds의 층과 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 재료로 구성되는 두께 da의 층을 갖고, 두께 비율은 da/(da+ ds) = Γ이고 Γ≠ΓML인 단계.
조사를 통해, 더 큰 굴절률 실수부 및 더 작은 실수부를 갖는 층들의 두께 비율이 아래에 놓인 다중층 시스템의 경우와 상이한 적어도 하나의 추가 스택이 5nm 내지 20nm 범위의 특정 작동 파장의 반사에 최적화된 다중층 시스템 상에 적용되면, 특히 잔류 가스 분위기 내에 수소가 존재하는 경우 다중층 시스템의 최상층의 블리스터링 또는 분리가 상당히 감소될 수 있음이 밝혀졌다. 목표가 되는 이 두께 비율의 변동은 최상층 영역에서 더 낮은 응력이 발생하여 최상층의 블리스터링 또는 분리 경향이 감소되는 효과를 갖는 것으로 추측된다.
1개 또는 최대 5개의 추가 스택이 다중층 시스템의 임의의 스택보다 기판으로부터 더 멀리에 위치하는 것이 주목되어야 한다.
기본적으로 반사 광학 요소의 광학 특성을 형성하고 유리하게 30 내지 60개의 스택을 포함하는 상기 다중층 시스템에 응력 보상 기능을 갖는 2개, 3개, 4개 또는 5개의 추가 스택을 적용하면 특히 유리한 것이 증명되었다. 경험을 통해 수소가 오직 최상층만 관통하는 것을 알았기 때문에, 블리스터링과 분리로부터의 효과적인 보호가 더 적은 개수의 추가 스택으로 이미 보장될 수 있다. 게다가, 동시에 아래에 놓인 다중층 시스템의 광학 특성의 가능한 손상은 최소로 제한된다. 추가 스택의 실제 개수는 EUV 리소그래피용으로 제조되는 반사 광학 요소가 EUV 리소그래피 공정 동안 노출될 것으로 예상되는 에너지와 반응성 수소의 농도를 고려하여 또한 결정될 수 있다.
바람직한 실시예에서, 적어도 하나의 추가 스택의 두께 비율 Γ은 다중층 시스템의 0.8*ΓML보다 작다. 특히 바람직하게, 적어도 하나의 추가 스택의 두께 비율 Γ는 다중층 시스템에서의 두께 비율 ΓML보다 1.2배 크다. 두번째로 언급된 변형에서, 특히 발생된 인장 응력이 광학 요소의 최상층에 축적되고, 이는 최상층의 블리스터링 및 분리되는 경향을 감소시키는데 특히 긍정적인 영향을 미치는 것이 관찰되었다.
특히, 본원에 제안된 제조 방법의 환경에서 작동 파장을 반사하는 역할을 하는 다중층 시스템 아래에 응력 보상용 추가 다중층 시스템을 갖는 반사 광학 요소의 경우에, 응력 보상 다중층 시스템 내의 층의 개수가 감소될 수 있으며, 이는 응력이 감소된 층이 진공으로 전이되는 위치에서 광학 작용 다중층 시스템 상에 또한 제공되기 때문이다는 것이 주목되어야 한다. Γ<ΓML를 선택하면, 응력 보상 다중층 시스템 내에 증가된 개수의 층을 제공할 필요가 있을 수 있다.
제조 방법의 바람직한 실시예에서, 적어도 하나의 추가 스택의 적어도 하나의 층은 전자 빔 증착 또는 이온 빔 보조 코팅[또한 이온 빔 보조 증착(IBAD)으로도 불린다] 또는 열적 입자를 이용하는 마그네트론 스퍼터링[또한 열적 입자 마그네트론 스퍼터링(TPM)으로도 불린다]에 의해 적용된다. 이온 빔 보조 코팅의 경우, 적용되는 동안 층은 100eV 미만의 에너지를 갖는 이온 빔에 노출되고, 이는 이 층의 조밀화를 유도한다. 이온 빔 보조 코팅은 바람직하게 전자 빔 증착과 결합된다. 열적 입자를 이용하는 마그네트론 스퍼터링의 경우, 대상과 기판 사이의 거리는 종래의 마그네트론 스퍼터링의 경우처럼 단지 수 센티미터가 아니라, 수십 센티미터 내지 약 1m이다. 이러한 특수 마그네트론 스퍼터링 또한 이온 빔 보조 방식으로 수행될 수 있다. 이러한 방법으로 작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 재료로 구성되는 적어도 하나 또는 복수의 층을 적용하는 것이 특히 바람직하며, 이는 이러한 층들이 특히 반응성 수소에 노출된 뒤에 갈라지기 쉬운 것으로 관찰되었기 때문이다. 바람직하게, 순수한 전자 빔 증착은 특히 더 높은 에너지, 즉 100eV보다 큰 에너지를 갖는 반응성 수소에 노출되도록 의도된 반사 광학 요소에 채용되는 경향이 있다.
적어도 하나의 추가 스택의 적어도 하나의 층의 경우에, 층 표면을 매끄럽게 하기 위해 이온 빔을 이용하는 다른 관례적인 연마 과정을 생략하면 특히 유리한 것이 증명되었다. 이것이 전자 빔 증착 또는 열적 입자를 이용한 마그네트론 스퍼터링(적절한 경우에는 이온 보조 빔 코팅)에 의해 적용되는 층을 수반하면 특히 크게 유리하다. 그러나, 종래의 마그네트론 스퍼터링에 의해 적용되는 적어도 하나의 추가 스택의 경우 또한 블리스터링 또는 분리되는 경향에 긍정적인 효과가 관찰되었다. 대안적으로, 표면 거칠기에 관한 요건 때문에 연마 과정이 생략될 수 없다면, 이온 빔이 연마 과정 동안 연마되는 전체 층을 통과하도록 연마용 이온 빔 에너지를 설정하면 긍정적인 효과가 달성될 수 있다. 대체로, 관찰 결과는 개별 코팅 공정은 적용되는 각각의 층에 따라 가능한 한 같은 종류로 선택되어야 하는 것을 나타낸다. 이온 빔 연마를 위해 더 높은 에너지를 갖는 이온 빔을 사용할 때, 긍정적인 효과는 연마된 층이 아래에 놓인 층과 더 많이 섞이고, 그렇게 형성된 혼합층이 연마된 층의 치핑(chipping)을 상쇄시키기 때문인 것으로 짐작된다.
유리하게, 작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 재료로서 그리고/또는 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 재료로서, 다중층 시스템의 스택용으로 선택되는 재료는 적어도 하나의 추가 스택용으로 각각 선택되는 것들과 같다. 바람직하게, 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 재료와 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 재료 모두는 추가 스택용 및 다중층 시스템의 스택용과 같도록 선택된다. 특히 바람직한 실시예에서, 다중층 시스템과 적어도 하나의 추가 스택 모두에서, 규소가 작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 재료로서 선택되고, 몰리브덴이 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 재료로서 선택된다. 다중층 시스템용과 추가 스택용 모두에 같은 재료 조합을 선택함에 의해, 전체적으로 제조 방법이 더 간단하고 더 비용 효율적으로 수행될 수 있다. 규소와 몰리브덴의 구체적인 선택은 12.5nm와 15nm 사이의 파장 범위에서 특히 높은 반사율이 이 재료 조합으로 성취될 수 있다는 이점을 제공한다. 게다가, 이러한 두 재료를 이용한 코팅은 본원에 제안된 방법에 따라 다수의 반사 광학 요소를 제조하는 동안 높은 재현성이 성취될 수 있었다. 물론, 광학 다중층 시스템에서 그리고 적어도 하나의 추가 스택에서, 상이한 재료가 채용될 수 있고, 규소와 몰리브덴 이외에 5nm 내지 20nm 범위의 작동 파장에서 높은 반사율을 위해 이용될 수 있다고 알려진 모든 추가 재료 조합이 가능함이 주목되어야 한다.
또 다른 바람직한 실시예에서, 생성된 반사 광학 요소를 계획된 사용 조건에 특히 잘 적응시킬 수 있도록 하고 그리고 반응성 수소가 존재할 때 특히 작은 블리스터링되는 경향을 이미 나타내는 적어도 하나의 추가 스택을 위한 층 재료를 선택할 수 있도록 하기 위해, 작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 재료로서, 그리고 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 재료로서, 다중층 시스템의 스택용으로 선택되는 재료는 적어도 하나 이상의 추가 스택용으로 선택되는 것과 상이하다.
특히 생성된 광학 요소가 저에너지 수소 라디칼 및 이온 상태에 있고 그리고/또는 상승된 온도에서 노광이 수행되는 리소그래피 공정에서의 사용에 있어서, 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 층과 작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 층 사이의 적어도 하나의 추가 스택에 확산 장벽으로서 추가층을 적용하는 것이 유리한 것으로 증명되었고, 추가층은 작동 파장에서 반사 광학 요소의 반사율에 또한 긍정적인 효과를 가질 수 있다.
바람직한 실시예에서, 적어도 하나의 추가 스택 상에 저밀도 및 저응력을 갖는 재료로 구성된 층이 적용되는 것이 유리한 것으로 증명되었다. 상기 층은 특히 다중층 시스템의 광학 특성에 상당한 영향을 주지 않으면서 그리고 비교적 큰 추가 응력을 유도하지 않으면서 수소를 흡수할 수 있다. 유리하게, 상기 층은 규소, 질화 규소, 산화 규소, 탄화 규소, 붕소, 탄화 붕소, 질화 붕소, 베릴륨 및 탄소를 포함하는 그룹으로부터의 재료로 구성된다.
바람직한 실시예의 일 변형에서, 산화 오염 또는 탄소함유 오염과 같은 추가적인 영향으로부터 또한 보호하거나 또는 수소 세정으로 오염이 쉽게 세정될 수 있는 재료로 구성된 층이 적어도 하나의 추가 스택에 적용된다. 바람직한 재료는 루테늄, 세륨, 이트륨, 몰리브덴 실리사이드, 산화 이트륨, 황화 몰리브덴, 지르코늄, 니오븀, 탄화 몰리브덴, 산화 지르코늄, 로듐 및 레늄을 포함하는 그룹에 속한다. 충돌 수소의 많은 부분이 상기 층에서 흡수되어 적어도 하나의 추가 스택 또는 다중층 시스템의 아래에 놓인 층을 관통하지 않는다.
특히 바람직하게, 생성되는 반사 광학 요소는 더 높은 에너지를 갖는 반응성 수소에 대부분 노출되고, 저밀도 및 저응력을 갖는 재료로 구성된 층과 상술된 재료로 구성된 보호층이 적어도 하나의 추가 스택 상에 적용된다.
본 발명은 바람직한 실시예를 참조하여 상세하게 설명될 것이다.
도 1a 및 도 1b는 본원에서 제안된 방법에 따라 제조되는 EUV 리소그래피용 반사 광학 요소의 개략도이다.
도 2a 및 도 2b는 EUV 리소그래피용 반사 광학 요소를 제조하기 위해 본원에 제안된 방법의 예시적인 변형예의 흐름도이다.
도 1a 및 도 1b는 본원에서 제안된 방법에 따라 제조되는 예시적인 반사 광학 요소(50)의 구조를 개략적으로 도시한다. 도시된 실시예는 다중층 시스템(51)을 기초로 하는 반사 광학 요소를 포함한다. 이는 교번 적용되는, 예를 들어 리소그래픽 노광이 수행되는 작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 재료의 층[스페이서(54)로도 불린다] 및 흡수기-스페이서 쌍이 스택(53)을 형성하는 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 재료의 층[흡수기(55)로도 불린다]을 포함한다. 어느 면에서, 브래그 반사(Bragg reflection)가 발생하는 흡수기 층에 그 격자면이 대응하는 결정(crystal)이 모의 실험된다(simulated). 각각의 스택(53)은 그 중에서도 스페이서 층 두께 dMLs 에 대한 흡수기 층의 층 두께 비율 dMLa 에 의해 특징지어진다. 특히, 층 두께 비율은 ΓML= dMLa/(dMLa+dMLs)로 정의될 수 있다. 다중층 시스템(51)이 기판(52) 상에 적용된다. 낮은 열팽창 계수를 갖는 재료가 기판 재료로서 바람직하게 선택된다.
도 1a에 도시된 실시예와 도 1b에 도시된 실시예 모두에서, 2개의 추가 스택(56)이 다중층 시스템(51) 상에 적용되며, 따라서 기판(52)으로부터 광학 작용 다중층 시스템(50)의 스택(53)보다 멀리에 위치한다. 또 다른 실시예에서는 오직 하나의 추가 스택(56) 또는 그 밖에 3개, 4개 또는 5개의 추가 스택(56)이 제공될 수 있음이 주목되어야 한다. 본원에 도시된 2개의 실시예에서, 각각의 추가 스택(56)은 각각 스페이서 층(54)과 흡수기 층(55)을 포함한다. 본원에 도시된 실시예에서, 아래에 놓인 다중층 시스템(51)을 위한 것과 같은 재료가 흡수기와 스페이서 재료로서 선택된다. 구체적이고 바람직한 실시예에서, 흡수기 재료는 몰리브덴이고 스페이서 재료는 규소이다. 그러한 다중층 시스템(51)을 기초로 하는 EUV 리소그래피용 반사 광학 요소(50)는 특히 12.5nm 내지 15nm 범위의 작동 파장에서 특히 높은 반사율을 갖도록 최적화될 수 있다.
요구되는 작동 파장의 위치에 따라 그리고 광학 특성과 수명으로 이루어진 요건에 따라, 몰리브덴 및 규소 이외의 다른 흡수기 및 스페이서 재료가 다중층 시스템(51)과 추가 스택(56) 양자 모두를 위해 선택될 수 있다. 특히, 스페이서 층 및 흡수기 층을 위한 상이한 재료가 한편으로는 다중층 시스템(51)을 위해, 다른 한편으로는 추가 스택(56)을 위해 선택될 수 있다. 추가 스택(56)의 재료의 선택과 개수의 선택에 있어서, 반사 광학 요소가 얼마의 반응성 수소의 농도에, 그리고 리소그래피 공정 동안 얼마나 오래 노출될 것으로 기대되는지, 그리고 상기 수소는 평균적으로 얼마의 에너지를 가질 것인지가 유리하게 고려된다. 게다가, 추가 스택(56)의 결과로서 얼마의 반사율 손실이 수용되어야 하는지가 유리하게 고려된다.
추가 스택은 스페이서 층(54) 및 흡수기 층(55)을 제외한 추가층을 가질 수 있음이 주목되어야 한다. 특히 바람직하게, 확산 장벽으로서 추가층이 스페이서 층과 흡수기 층 사이의 계면 또는 흡수기 층과 스페이서 층 사이의 계면에 적용된다. 스페이서 재료로서 규소를 사용하고 흡수기 재료로서 몰리브덴을 사용할 때, 예를 들어 탄화 붕소가 확산 장벽의 재료로 유리한 것이 증명되었다. 반사 광학 요소(50)가 100eV 미만의 저에너지 수소 원자 및 라디칼에 대부분 노출되면, 추가 스택(56) 내에 확산 장벽을 제공하는 것이 특히 유리하다. 게다가, 실온보다 상당히 높은 온도에서 작동하는 반사 광학 요소의 경우에 유리하다.
da는 추가 스택(56) 내의 흡수기 층(55) 두께이고, ds는 추가 스택(56) 내의 스페이서 층(54)의 두께일 때 두께 비율 Γ= da/(da+ds)은 대응하는 다중층 시스템(51) 내 두께 비율 ΓML과 상이하다는 것이 매우 중요하다. ΓML가 다중층 시스템과 그것의 개별 스택(53) 내에서 변해야 한다면, 그리고/또는 두께 비율 Γ이 개별 추가 스택(56)에 걸쳐 변해야 한다면, 모든 Γ가 모든 ΓML과 상이하다는 것이 중요하다. 바람직하게, Γ과 ΓML은 상당히 상이하다; Γ는 바람직하게 1.2*ΓML 보다 크고 0.8*ΓML 보다 작다. 본원에 도시된 실시예에서, 다중층 시스템(51)은 모두 7.2nm의 스택 두께와, 0.4의 ΓML를 갖는 50개의 스택(53)을 포함하는 종래의 몰리브덴-규소 시스템이다. 반면에, 2개의 추가 스택(56)은 마찬가지로 7.2nm의 스택 두께와, 0.6의 Γ를 갖는다. 이는 결과적으로 2개의 추가 스택(56)에 걸쳐 200MPa의 응력을 유도하고, 이는 아래에 놓인 다중층 시스템(51) 내의 응력을 보상한다. 특히, 응력은 다중층 시스템(51)의 최상 스택(53) 영역에서 보상된다. 이는 반응성 수소의 작용으로 개별 층, 특히 규소 층의 블리스터링과 분리 경향이 상당히 감소되는 이유인 것으로 보인다. 그 외에 전체 반사 광학 요소에 걸친 응력 감소를 위해 응력 감소층이 기판(52)과 다중층 시스템(51) 사이에 또한 배치될 수 있음이 주목되어야 한다.
도 1b에 도시된 실시예는 도 1a에 도시된 실시예와 2개의 추가적인 추가층(57, 58)이 2개의 추가 스택(56) 상에 또한 적용되었다는 점에서 상이하다. 진공과 접하는 곳에 위치한 추가층(58)은 오염으로부터 보호하기 위한 종래의 보호층이며, 이것은 수소 세정에 대해 이상적으로 불활성이기도하며, 게다가 다중층 시스템까지 반응성 수소가 관통하는 것을 억제하기 위해 반응성 수소에 대한 버퍼층의 역할을 한다. 적절한 재료는 루테늄, 세륨, 이트륨, 몰리브덴 실리사이드, 산화 이트륨, 황화 몰리브덴, 지르코늄, 니오븀, 탄화 몰리브덴, 산화 지르코늄, 로듐 및 레늄이다. 본원에 도시된 실시예에서, 루테늄이 보호층(58)의 재료로서 선택되었다.
아래에 놓인 층(57)은 저밀도를 갖는 저응력 재료로 구성되고 수소를 흡수할 수 있다. 상기 층은 본원에 도시된 실시예처럼, 보호층(58) 아래에 배치될 수 있고; 다른 변형에서 보호층(58) 위에 배치될 수도 있다. 적절한 재료는 예를 들어 규소, 질화 규소, 산화 규소, 탄화 규소, 붕소, 탄화 붕소, 질화 붕소, 베릴륨 또는 탄소이다. 본원에 도시된 실시예에서, 질화 규소는 층(57)의 층 재료로서 선택되었다. 같은 추가층(57, 58) 두께를 선택함으로써, 개별 최상층의 블리스터링과 분리로부터의 반사 광학 요소(50)의 저항을 증가시킬 수 있을 뿐 아니라 다중층 시스템(51) 상에 위치한 스택(56)과 층(57, 58)으로 인한 반사율 손실이 과도하게 높게 나타나지 않도록 반사 광학 요소(50)를 최적화시킬 수 있다. 추가층(57 그리고/또는 58)의 제공은 특히 더 높은 에너지를 갖는 반응성 수소의 더 높은 유속에서 대응 반사 광학 요소(50)의 수명을 증가시킨다. 또 다른 실시예에서, 오직 저밀도, 저응력 층(57) 또는 오직 보호층(58)이 하나 또는 5개까지의 추가 스택(56) 상에 제공될 수 있음이 주목되어야 한다.
반응성 수소의 특히 높은 유속 그리고/또는 반응성 수소의 특히 높은 에너지에서, 반사 광학 요소 상에 충돌하는 입자의 에너지를 사전에 감소시키기 위해, 반사 광학 요소가 이용되는 EUV 리소그래피 장치 내부의 잔류 가스 분위기에 버퍼 가스를 추가적으로 도입함으로써, 이용되는 반사 광학 요소의 수명 또한 다소 연장될 수 있다는 것이 주목되어야 한다.
도 1b에 도시된 실시예는 예를 들어 도 2a에 도시된 것처럼 본원에 설명된 제조 방법의 변형에 따라 제조될 수 있다. 이러한 목적으로, 먼저 ΓML 의 층 두께 비율을 갖는 다중층 시스템을 기판에 임의의 종래의 방식으로 적용시킨다(단계 201). 그 후에, 본 실시예에서 Γ=1.5*ΓML의 층 두께 비율을 갖는 2개의 추가 스택(56)이 다중층 시스템(51) 상에 유도되고, 스페이서 층이 이온 빔 연마 과정 없이 전자 빔 증착에 의해 적용된다(단계 203). 변경에서, 흡수기 층 또한 이온 빔 연마 과정 없이 전자 빔 증착에 의해 적용될 수 있다. 그러나, 특히 스페이서 재료로서 규소가 사용되고 흡수기 재료로서 몰리브덴이 사용될 때, 블리스터링과 분리는 더 높은 에너지를 갖는 반응성 수소의 더 높은 유속이 존재하더라도 이온 빔 연마 과정 없이 전자 빔 증착으로 스페이서 층을 적용함으로써 이미 상당히 감소될 수 있다. 따라서 제조 방법을 전체적으로 더 효율적으로 만들기 위해, 흡수기 층은 전자 빔 증착보다 더 높은 성장률을 갖는 종래의 코팅 방법에 의해 적용될 수도 있다. 특히 몰리브덴과 규소의 재료 조합의 경우에 흡수기 층의 이온 빔 연마가 스페이서 층의 이온 연마 경우보다 블리스터링과 분리 거동에 현저히 더 적은 영향을 미치는 것으로 관찰되었다. 따라서, 표면 거칠기에 대한 높은 요건을 갖는 반사 광학 요소의 경우와 추가 스택(56) 내의 추가층인 경우에, 흡수기 층은 이온 빔으로 통상적으로 연마될 수 있다.
그 후에, 저밀도와 저응력을 갖는 재료로 구성된 층(57)(스텝 205)과 보호층(58)(단계 207)이 통상적인 방식으로 2개의 하부 스택(56)에 적용되었다.
본원에 설명된 제조 방식의 또 다른 변형이 예를 들어 도 1a에 도시된 것처럼 반사 광학 요소의 제조를 위해 사용될 수 있다. 이는 도 2b의 흐름도에 개략적으로 도시된다. ΓML의 층 두께 비율을 갖는 다중층 시스템(51)이 기판에 적용되는 첫번째 단계(201) 후에, 본 실시예에서 Γ=1.5*ΓML의 층 두께 비율을 갖는 2개의 추가 스택(56)이 특히 스페이서 층이 각각의 경우에 이온 빔 보조에 의해 적용되고 그 후에 고에너지 이온 빔으로 연마되는 공정으로 다중층 시스템(51)에 적용된다(단계 204). 이온 빔 보조 적용은 매우 느린 이온 빔 증착 보다 다소 더 높은 성장률을 갖지만, 전자 빔 증착으로 얻어지는 것과 거의 동질의 층을 유도한다. 전체 스페이서 층이 이온 빔에 의해 관통되도록 이온 빔의 에너지가 설정되는 고에너지 이온 빔 연마에 의해, 흡수기 층 구조의 동질성(homogeneity)이 또한 유지된다. 게다가, 고에너지 이온 빔을 이용한 연마는 스페이서 층과 아래에 놓인 흡수기 층 사이의 경계층에서 혼합층이 형성되는 효과를 가질 수 있고, 상기 혼합층은 스페이서 층의 최상의 가능한 동질성과 마찬가지로, 반응성 수소가 존재할 때 최상층의 블리스터링과 분리에 대응한다.
도 2a에 도시된 실시예에 따른 방법과 도 2b에 도시된 실시예에 따른 방법 모두에 있어서, 추가 스택의 층이 전자 빔 증착 대신에 열적 입자를 이용하는 마그네트론 스퍼터링에 의해 적용될 수 있다는 것이 주목되어야 한다. 전자 빔 증착, 비 이온 빔 연마, 이온 보조 적용 및 고에너지 이온을 이용한 연마와 같은 방법들이 임의의 원하는 방식으로 서로 조합될 수 있다.
게다가, 반응성 수소에 노출되는 동안 반사 광학 요소의 온도는 층의 블리스터링 또는 분리되는 경향에 또한 영향을 줄 수 있음이 주목되어야 한다. 특히 100eV 미만의 에너지를 갖는 반응성 수소에 노출되는 경우, 층의 블리스터링 또는 분리되는 경향은 약 50°C 보다 낮거나 약 250°보다 높은 온도에서 감소되는 것으로 관찰되었다.

Claims (11)

  1. 5nm 내지 20nm 범위의 작동 파장에서 최대 반사율을 갖는 EUV 리소그래피용 반사 광학 요소의 제조 방법이며,
    차례로 쌓인 30 내지 60개의 스택으로 구성된 다중층 시스템을 기판에 적용하는 단계로서, 각각의 스택은 작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 재료로 구성되는 두께 dMLs의 층과 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 재료로 구성되는 두께 dMLa의 층을 갖고, 두께 비율은 dMLa/(dMLa+ dMLs) = ΓML인 단계,
    다중층 시스템에 2개, 3개, 4개 또는 5개의 추가 스택들을 적용하는 단계로서, 상기 적어도 두 개의 추가 스택들은 작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 재료로 구성되는 두께 ds의 층과 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 재료로 구성되는 두께 da의 층을 갖고, 두께 비율은 da/(da+ ds) = Γ이고 Γ>1.2*ΓML 또는 Γ<0.8*ΓML인 단계를 포함하는
    EUV 리소그래피용 반사 광학 요소의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    적어도 두 개의 추가 스택들의 적어도 하나의 층은 전자 빔 증착 또는 열적 입자를 이용하는 마그네트론 스퍼터링 또는 이온 빔 보조 코팅으로 적용되는
    EUV 리소그래피용 반사 광학 요소의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    적어도 두 개의 추가 스택들의 적어도 하나의 층은 이온 빔 연마되지 않거나, 이온 빔이 전체 층을 관통하도록 에너지 설정된 이온 빔을 이용하여 연마되는
    EUV 리소그래피용 반사 광학 요소의 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 재료 그리고/또는 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 재료로서, 다중층 시스템의 스택용으로 선택되는 재료는 적어도 두 개의 추가 스택들용으로 각각 선택되는 재료와 동일한
    EUV 리소그래피용 반사 광학 요소의 제조 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    다중층 시스템의 스택과 적어도 두 개의 추가 스택들 양자 모두에 대해 작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 재료로서 규소가 선택되고, 다중층 시스템의 스택과 적어도 두 개의 추가 스택들 양자 모두에 대해 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 재료로서 몰리브덴이 선택되는
    EUV 리소그래피용 반사 광학 요소의 제조 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 재료 및 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 재료로서, 다중층 시스템의 스택용으로 선택되는 재료는 적어도 두 개의 추가 스택들용으로 선택되는 재료와 상이한
    EUV 리소그래피용 반사 광학 요소의 제조 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    확산 장벽으로서 추가층이 적어도 두 개의 추가 스택들에 작동 파장에서 더 작은 굴절률 실수부를 갖는 층과 작동 파장에서 더 큰 굴절률 실수부를 갖는 층 사이로 적용되는
    EUV 리소그래피용 반사 광학 요소의 제조 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    저밀도 및 저응력을 갖는 재료로 구성되는 층이 적어도 두 개의 추가 스택들 상에 적용되는
    EUV 리소그래피용 반사 광학 요소의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    규소, 질화 규소, 산화 규소, 탄화 규소, 붕소, 탄화 붕소, 질화 붕소, 베릴륨 및 탄소를 포함하는 그룹으로부터의 재료로 구성되는 층이 적용되는
    EUV 리소그래피용 반사 광학 요소의 제조 방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    루테늄, 세륨, 이트륨, 몰리브덴 실리사이드, 산화 이트륨, 황화 몰리브덴, 지르코늄, 니오븀, 탄화 몰리브덴, 산화 지르코늄, 로듐 및 레늄을 포함하는 그룹으로부터의 재료로 구성된 추가의 층이 적어도 두 개의 추가 스택들 상에 적용되는
    EUV 리소그래피용 반사 광학 요소의 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    루테늄, 세륨, 이트륨, 몰리브덴 실리사이드, 산화 이트륨, 황화 몰리브덴, 지르코늄, 니오븀, 탄화 몰리브덴, 산화 지르코늄, 로듐 및 레늄을 포함하는 그룹으로부터의 재료로 구성된 추가의 층이 적어도 두 개의 추가 스택들 상에 적용되는
    EUV 리소그래피용 반사 광학 요소의 제조 방법.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2905637A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-12 ASML Netherlands B.V. EUV optical element having blister-resistant multilayer cap
CN104237985B (zh) * 2014-09-19 2016-05-11 电子科技大学 一种全介质反射膜及其制备方法
EP3317886A4 (en) * 2015-06-30 2019-07-24 Jaiswal, Supriya COATINGS FOR EXTREME ULTRAVIOLETTE AND SOFT X-RAY OPTICS
US10128016B2 (en) * 2016-01-12 2018-11-13 Asml Netherlands B.V. EUV element having barrier to hydrogen transport
DE102016213831A1 (de) 2016-07-27 2018-02-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element für die EUV-Lithographie
DE102016223206A1 (de) 2016-11-23 2017-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur aufarbeitung reflektiver optischer elemente für ultraviolette strahlung oder weiche röntgenstrahlung
DE102016224200A1 (de) * 2016-12-06 2018-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Reparieren von reflektiven optischen Elementen für die EUV-Lithographie
DE102016226202A1 (de) 2016-12-23 2018-06-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102017200667A1 (de) 2017-01-17 2018-07-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage oder ein Inspektionssystem
CN109613637B (zh) * 2017-09-30 2021-10-26 张家港康得新光电材料有限公司 装饰膜
WO2019077735A1 (ja) * 2017-10-20 2019-04-25 ギガフォトン株式会社 極端紫外光用ミラー及び極端紫外光生成装置
KR102402767B1 (ko) 2017-12-21 2022-05-26 삼성전자주식회사 극자외선 마스크 블랭크, 극자외선 마스크 블랭크를 이용하여 제조된 포토마스크, 포토마스크를 이용한 리소그래피 장치 및 포토마스크를 이용한 반도체 장치 제조 방법
CN108359950B (zh) * 2018-02-28 2019-12-31 同济大学 一种单色器用钌/碳化硼多层膜反射镜制备方法
DE102018211980A1 (de) * 2018-07-18 2019-09-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element
CN111736249B (zh) * 2020-08-17 2020-11-17 深圳市汇顶科技股份有限公司 红外带通滤光器和传感器系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060062348A1 (en) * 2003-06-02 2006-03-23 Nikon Corporation Multilayer film reflector and X-ray exposure system
US20070171327A1 (en) * 2005-11-09 2007-07-26 Seiken Matsumodo Optical element having multilayer film, and exposure apparatus having the optical element
WO2010118928A1 (en) * 2009-04-15 2010-10-21 Carl Zeiss Smt Ag Mirror for the euv wavelength range, projection objective for microlithography comprising such a mirror, and projection exposure apparatus for microlithography comprising such a projection objective

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1138192A (ja) * 1997-07-17 1999-02-12 Nikon Corp 多層膜反射鏡
US6134049A (en) * 1998-09-25 2000-10-17 The Regents Of The University Of California Method to adjust multilayer film stress induced deformation of optics
DE10019045B4 (de) * 2000-04-18 2005-06-23 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum Herstellen von Viellagensystemen
US20020171922A1 (en) * 2000-10-20 2002-11-21 Nikon Corporation Multilayer reflective mirrors for EUV, wavefront-aberration-correction methods for same, and EUV optical systems comprising same
WO2003005377A2 (en) * 2001-07-03 2003-01-16 The Regents Of The University Of California Passivating overcoat bilayer
US20030008148A1 (en) 2001-07-03 2003-01-09 Sasa Bajt Optimized capping layers for EUV multilayers
EP1306698A1 (en) * 2001-10-26 2003-05-02 Nikon Corporation Multilayer reflective mirrors for EUV, wavefront-aberration-correction methods for the same, and EUV optical systems comprising the same
DE10155711B4 (de) * 2001-11-09 2006-02-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Im EUV-Spektralbereich reflektierender Spiegel
US6756163B2 (en) * 2002-06-27 2004-06-29 Intel Corporation Re-usable extreme ultraviolet lithography multilayer mask blank
JP2006203095A (ja) * 2005-01-24 2006-08-03 Nikon Corp 光学素子の製造方法、並びに、光学素子及び投影露光装置
KR100699858B1 (ko) * 2005-08-03 2007-03-27 삼성전자주식회사 극자외선 리소그래피용 반사 디바이스 및 그 제조 방법 및이를 적용한 극자외선 리소그래피용 마스크, 프로젝션광학계 및 리소그래피 장치
JP2007057450A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Nikon Corp 多層膜反射鏡および露光装置
JP2007329368A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Canon Inc 多層膜ミラー、評価方法、露光装置及びデバイス製造方法
TWI427334B (zh) * 2007-02-05 2014-02-21 Zeiss Carl Smt Gmbh Ｅｕｖ蝕刻裝置反射光學元件
JP2009156863A (ja) * 2007-12-05 2009-07-16 Canon Inc Ｘ線用光学素子
US20090148695A1 (en) 2007-12-05 2009-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Optical element for x-ray
DE102008042212A1 (de) 2008-09-19 2010-04-01 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102009032779A1 (de) * 2009-07-10 2011-01-13 Carl Zeiss Smt Ag Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv
DE102009045170A1 (de) * 2009-09-30 2011-04-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element und Verfahren zum Betrieb einer EUV-Lithographievorrichtung
DE102009054986B4 (de) 2009-12-18 2015-11-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektive Maske für die EUV-Lithographie

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060062348A1 (en) * 2003-06-02 2006-03-23 Nikon Corporation Multilayer film reflector and X-ray exposure system
US20070171327A1 (en) * 2005-11-09 2007-07-26 Seiken Matsumodo Optical element having multilayer film, and exposure apparatus having the optical element
WO2010118928A1 (en) * 2009-04-15 2010-10-21 Carl Zeiss Smt Ag Mirror for the euv wavelength range, projection objective for microlithography comprising such a mirror, and projection exposure apparatus for microlithography comprising such a projection objective

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