KR101991513B1 - Touch panel, method for producing touch panel, and conductive film - Google Patents

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KR101991513B1 KR1020110119521A KR20110119521A KR101991513B1 KR 101991513 B1 KR101991513 B1 KR 101991513B1 KR 1020110119521 A KR1020110119521 A KR 1020110119521A KR 20110119521 A KR20110119521 A KR 20110119521A KR 101991513 B1 KR101991513 B1 KR 101991513B1
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Abstract

표시 패널 (158) 상에 설치되는 도전성 필름 (10) 으로서, 금속 세선 (16) 에 의한 메시 패턴 (20) 을 갖는 도전부 (14) 를 구비하고, 메시 패턴 (20) 의 교차부 (24) 에, 모아레 억지부 (26) 가 형성되고, 교차부 (24) 의 면적을 Sa, 모아레 억지부 (26) 의 면적을 Sb 로 했을 때, Sa×0.01<Sb≤Sa×5.00 을 만족한다. 도전성 필름 (10) 은, 투명 기체 (12) 와, 그 투명 기체 (12) 의 일주면 (12a) 상에 접착층 (62) 을 개재하여 형성된 금속 세선 (16) 에 의한 도전부 (14) 와, 그 도전부 (14) 와 접착층 (62) 이 노출된 부분을 피복하도록 형성된 투명 피복층 (64) 을 갖고, 접착층 (62) 과 투명 피복층 (64) 의 굴절률의 차가 0.1 이하이다.The conductive film 10 provided on the display panel 158 is provided with the conductive portion 14 having the mesh pattern 20 of the metal thin line 16 and the intersection portion 24 of the mesh pattern 20, Satisfies Sa x 0.01 <Sb? Sa x 5.00 when the moire interference portion 26 is formed and the area of the intersection portion 24 is Sa and the area of the moire interference portion 26 is Sb. The conductive film 10 includes a transparent substrate 12, a conductive portion 14 formed of a thin metal wire 16 formed on a principal surface 12a of the transparent substrate 12 with an adhesive layer 62 interposed therebetween, And a difference in refractive index between the adhesive layer 62 and the transparent coating layer 64 is 0.1 or less. The conductive coating layer 64 is formed to cover the exposed portion of the conductive part 14 and the adhesive layer 62.

Description

터치 패널, 터치 패널의 제조 방법 및 도전성 필름{TOUCH PANEL, METHOD FOR PRODUCING TOUCH PANEL, AND CONDUCTIVE FILM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a touch panel, a method of manufacturing a touch panel, and a conductive film,

본 발명은, 모아레의 발생을 억제할 수 있는 도전성 필름을 구비하는 터치 패널, 가시광 투과율이나 시인성 등의 광학 특성이 양호한 도전성 필름을 사용한 터치 패널의 제조 방법 및 도전성 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a touch panel having a conductive film capable of suppressing generation of moire, a method of manufacturing a touch panel using the conductive film having good optical characteristics such as visible light transmittance and visibility, and a conductive film.

최근, 터치 패널이 주목받고 있다.Recently, a touch panel has attracted attention.

이러한 터치 패널에 있어서, 매트릭스상으로 배열된 전극이 눈에 띄지 않도록 하기 위해, 전극을 ITO (산화인듐주석) 로 구성하는 예가 개시되어 있다 (예를 들어 일본 공개특허공보 2010-86684호 참조).In order to prevent the electrodes arranged in a matrix shape from being conspicuous in such a touch panel, an example in which the electrodes are made of indium tin oxide (ITO) is disclosed (see, for example, JP-A-2010-86684).

터치 패널은, PDA (휴대 정보 단말) 나 휴대 전화 등의 소사이즈에 대한 적용이 주가 되어 있는데, PC 용 디스플레이 등에 대한 적용에 의한 대사이즈화가 진행될 것으로 생각된다.The touch panel is mainly applied to a small size such as a PDA (portable information terminal) or a mobile phone, but it is thought that the size of the touch panel will be increased by application to a PC display or the like.

이러한 장래의 동향에 있어서, 종래의 전극은, ITO (산화인듐주석) 를 사용하고 있으므로, 저항이 크고, 적용 사이즈가 커짐에 따라, 전극간의 전류의 전달 속도가 느려지고, 응답 속도 (손가락 끝을 접촉하고 나서 그 위치를 검출할 때까지의 시간) 가 느려진다는 문제가 있다.In this future trend, since the conventional electrode uses ITO (indium tin oxide), as the resistance increases and the application size increases, the transfer speed of the current between the electrodes becomes slower and the response speed And the time from detection of the position to detection of the position) is slowed.

그래서, 금속제의 세선 (금속 세선) 으로 구성한 격자를 다수 정렬시켜 전극을 구성함으로써 표면 저항을 저하시키는 것을 생각할 수 있다. 금속 세선을 전극에 사용한 터치 패널로는, 예를 들어 미국특허 제5113041호 명세서, 국제공개 제95/27334호 팜플렛, 미국특허출원공개 제2004/0239650호 명세서, 미국특허 제7202859호 명세서가 알려져 있다.Therefore, it is conceivable to reduce the surface resistance by arranging a large number of gratings made of metal fine wires (metal fine wires) to construct an electrode. As a touch panel using metal thin wire as an electrode, for example, U.S. Patent No. 5,113,041, U.S. Patent Application No. 95/27334, U.S. Patent Application Publication No. 2004/0239650, and U.S. Patent No. 720,2859 are known .

또한, 종래, 터치 패널용 도전성 필름으로서, 일본 공개특허공보 2010-108878호 및 일본 공개특허공보 2010-108877호가 개시되어 있다. 이들 공보에는, 지지체 (12) 상에 은염 유제층 (16) 을 노광 현상하여 형성된 은을 함유하는 도전층 (14) 을 갖는 도전막 (10) 으로서, 도전층 (14) 을 피치 600 ㎛ 이상의 메시 패턴으로 형성한 예가 기재되어 있다. 이들 일본 공개특허공보 2010-108878호 및 일본 공개특허공보 2010-108877호에 관련된 도전막에 의하면, 터치 패널용 도전막으로서 바람직한 도전성을 갖고, 모아레가 충분히 저감되고, 터치 패널 특성이 우수하다.Further, as a conductive film for a touch panel, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2010-108878 and Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-108877 have been disclosed. These publications disclose a conductive film 10 having a conductive layer 14 containing silver formed by exposing and developing a silver chloride emulsion layer 16 on a support 12 so that the conductive layer 14 is patterned with a mesh pattern As shown in Fig. According to the conductive films related to Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2010-108878 and 2010-108877, the conductive film for a touch panel has preferable conductivity, the moire is sufficiently reduced, and the touch panel characteristics are excellent.

그러나, 금속 세선을 전극에 사용하는 경우, 금속 세선이 불투명한 재료로 제조되므로 투명성이나 시인성이 문제가 된다. 또한, 터치 패널에 사용하는 경우에는, 터치 위치를 검출하는 능력을 향상시키는 것이 요구되고 있다.However, when the metal thin wire is used for an electrode, since the metal thin wire is made of an opaque material, transparency and visibility are a problem. In addition, when the touch panel is used, it is required to improve the ability to detect the touch position.

본 발명은 이러한 과제를 고려하여 이루어진 것으로, 터치 위치를 검출하는 능력이 향상된 터치 패널, 표시 장치의 표시 패널 상에 장착해도 모아레의 발생을 억제할 수 있는 도전성 필름을 구비하는 터치 패널, 금속 세선 패턴으로 전극을 구성한 경우에 있어서도, 높은 투명성을 확보할 수 있는 터치 패널의 제조 방법 및 도전성 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a touch panel having an improved ability to detect a touch position, a touch panel having a conductive film capable of suppressing occurrence of moire even when mounted on a display panel, And also to provide a method for manufacturing a touch panel and a conductive film which can secure high transparency even when the electrode is constituted by an electrode.

[1] 제 1 본 발명에 관련된 터치 패널은, 터치 위치를 검출하는 도전성 필름을 구비하는 터치 패널로서, 상기 도전성 필름은, 금속제의 세선에 의한 메시 패턴을 갖는 도전부를 구비하고, 상기 메시 패턴의 교차부에, 터치 위치의 검출 능력을 향상시키는 터치 위치 검출 능력 향상부가 형성되고, 상기 교차부의 면적을 Sa, 상기 터치 위치 검출 능력 향상부의 면적을 Sb 로 했을 때,[1] A touch panel according to a first aspect of the present invention is a touch panel comprising a conductive film for detecting a touch position, wherein the conductive film has a conductive portion having a mesh pattern of fine metal wires, When the area of the intersection is Sa and the area of the touch position detection capability improving section is Sb,

Sa×0.01<Sb≤Sa×5.00Sa x 0.01 < Sb &amp;le; Sa 5.00

인 것을 특징으로 한다..

[2] 제 1 본 발명에 있어서, 상기 교차부의 면적을 Sa, 상기 터치 위치 검출 능력 향상부의 면적을 Sb 로 했을 때,[2] In the first aspect of the present invention, when the area of the intersection is Sa and the area of the touch position detection capability improving section is Sb,

Sa×0.50≤Sb≤Sa×5.00Sa x 0.50? Sb? Sa 5.00

인 것이 바람직하다..

[3] 제 1 본 발명에 있어서, 상기 교차부의 면적을 Sa, 상기 터치 위치 검출 능력 향상부의 면적을 Sb 로 했을 때,[3] In the first aspect of the present invention, when the area of the intersection is Sa and the area of the touch position detecting capability improving section is Sb,

Sa×0.50≤Sb≤Sa×1.50Sa x 0.50? Sb? Sa 1.50

인 것이 바람직하다..

[4] 제 1 본 발명에 있어서, 상기 교차부의 면적을 Sa, 상기 터치 위치 검출 능력 향상부의 면적을 Sb 로 했을 때,[4] In the first aspect of the present invention, when the area of the intersection is Sa and the area of the touch position detection capability improving section is Sb,

Sa×0.90≤Sb≤Sa×1.10Sa x 0.90? Sb? Sa 1.10

인 것이 바람직하다..

[5] 제 2 본 발명에 관련된 터치 패널은, 표시 패널 상에 설치된 도전성 필름을 구비하는 터치 패널로서, 상기 도전성 필름은, 금속제의 세선에 의한 메시 패턴을 갖는 도전부를 구비하고, 상기 메시 패턴의 교차부에, 모아레 억지부가 형성되고, 상기 교차부의 면적을 Sa, 상기 모아레 억지부의 면적을 Sb 로 했을 때,[5] A touch panel according to a second aspect of the present invention is a touch panel comprising a conductive film provided on a display panel, wherein the conductive film has a conductive portion having a mesh pattern of fine metal wires, When the moire interference portion is formed at the intersection portion and the area of the intersection portion is Sa and the area of the moire interference portion is Sb,

Sa×0.01<Sb≤Sa×5.00Sa x 0.01 < Sb &amp;le; Sa 5.00

인 것을 특징으로 한다..

[6] 제 2 본 발명에 있어서, 상기 교차부의 면적을 Sa, 상기 모아레 억지부의 면적을 Sb 로 했을 때,[6] In the second aspect of the present invention, when the area of the intersection is Sa and the area of the moiré interference is Sb,

Sa×0.50≤Sb≤Sa×5.00Sa x 0.50? Sb? Sa 5.00

인 것이 바람직하다..

[7] 제 2 본 발명에 있어서, 상기 교차부의 면적을 Sa, 상기 모아레 억지부의 면적을 Sb 로 했을 때,[7] In the second aspect of the present invention, when the area of the intersection is Sa and the area of the moire preventing portion is Sb,

Sa×0.50≤Sb≤Sa×1.50Sa x 0.50? Sb? Sa 1.50

인 것이 바람직하다..

[8] 제 2 본 발명에 있어서, 상기 교차부의 면적을 Sa, 상기 모아레 억지부의 면적을 Sb 로 했을 때,[8] In the second aspect of the present invention, when the area of the intersection is Sa and the area of the moiré suppression is Sb,

Sa×0.90≤Sb≤Sa×1.10Sa x 0.90? Sb? Sa 1.10

인 것이 바람직하다..

[9] 제 3 본 발명에 관련된 터치 패널의 제조 방법은, 도전성 필름을 제조하는 도전성 필름 제조 공정을 포함하는 터치 패널의 제조 방법에 있어서, 상기 도전성 필름 제조 공정은, 투명 기체 (基體) 의 일주면 상에 접착층을 개재하여 그 접착층에 대한 첩합 (貼合) 면이 조면화 (粗面化) 되어 있는 도전성 재료의 금속박을 첩합하여 상기 접착층에 금속박의 첩합면의 조면 형상이 전사되는 공정과, 첩합한 상기 금속박을 케미컬 에칭 프로세스에 의해 일부 제거하여, 선폭이 9 ㎛ 이하, 두께가 3 ㎛ 이하인 상기 금속박으로 이루어지는 도전 패턴을 형성하는 공정과, 상기 도전 패턴과 상기 접착층이 노출되는 부분에 걸쳐, 상기 접착층과의 굴절률의 차가 0.1 이하인 투명 피복층을 피복하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.[9] A manufacturing method of a touch panel according to a third aspect of the present invention is a manufacturing method of a touch panel including a manufacturing process of a conductive film for manufacturing a conductive film, wherein the manufacturing process of the conductive film comprises: A step of bonding a metal foil of a conductive material having a roughened surface to a bonding surface of the adhesive layer on the main surface to transfer the roughened surface of the metal foil to the adhesive layer; Forming a conductive pattern made of the metal foil having a line width of 9 占 퐉 or less and a thickness of 3 占 퐉 or less by partially removing the metal foil by a chemical etching process; And a step of coating a transparent coating layer having a refractive index difference of 0.1 or less with the adhesive layer.

[10] 제 3 본 발명에 있어서, 상기 투명 피복층으로 피복하는 공정은, 상기 접착층에 전사된 금속박의 첩합면의 조면 형상이 상기 투명 피복층으로 평활하게 도포되도록 해도 된다.[10] In the third aspect of the present invention, in the step of coating with the transparent coating layer, the rough surface of the surface of the metal foil transferred to the adhesive layer may be smoothly coated with the transparent coating layer.

[11] 제 3 본 발명에 있어서, 상기 금속박이 금박이어도 된다.[11] In the third aspect of the present invention, the metal foil may be gold leaf.

[12] 제 4 본 발명에 관련된 도전성 필름은, 표시 장치의 표시 패널 상에 설치되는 도전성 필름으로서, 금속제의 세선에 의한 메시 패턴을 갖는 도전부를 구비하고, 상기 메시 패턴의 교차부에, 모아레 억지부가 형성되고, 상기 교차부의 면적을 Sa, 상기 모아레 억지부의 면적을 Sb 로 했을 때,[12] A conductive film according to a fourth aspect of the present invention is a conductive film provided on a display panel of a display device, wherein the conductive film has a conductive portion having a mesh pattern of fine metal wires, Wherein when the area of the intersection is Sa and the area of the moiré suppression is Sb,

Sa×0.01<Sb≤Sa×5.00Sa x 0.01 < Sb &amp;le; Sa 5.00

인 것을 특징으로 한다..

[13] 제 4 본 발명에 있어서, 상기 교차부의 면적을 Sa, 상기 모아레 억지부의 면적을 Sb 로 했을 때,[13] In the fourth aspect of the present invention, when the area of the intersection is Sa and the area of the moiré suppression is Sb,

Sa×0.50≤Sb≤Sa×5.00Sa x 0.50? Sb? Sa 5.00

인 것이 바람직하다..

[14] 제 4 본 발명에 있어서, 상기 교차부의 면적을 Sa, 상기 모아레 억지부의 면적을 Sb 로 했을 때,[14] In the fourth aspect of the present invention, when the area of the intersection is Sa and the area of the moire interference portion is Sb,

Sa×0.50≤Sb≤Sa×1.50Sa x 0.50? Sb? Sa 1.50

인 것이 바람직하다..

[15] 제 4 본 발명에 있어서, 상기 교차부의 면적을 Sa, 상기 모아레 억지부의 면적을 Sb 로 했을 때,[15] In the fourth aspect of the present invention, when the area of the intersection is Sa and the area of the moiré suppression is Sb,

Sa×0.90≤Sb≤Sa×1.10Sa x 0.90? Sb? Sa 1.10

인 것이 바람직하다..

[16] 제 4 본 발명에 있어서, 상기 메시 패턴을 구성하는 금속제의 제 1 세선과 제 2 세선이 교차함으로써 상기 교차부가 구성되고, 상기 모아레 억지부는, 상기 제 1 세선의 일방의 측면과, 상기 제 2 세선의 일방의 측면 사이에 형성된 제 1 억지부와, 상기 제 1 세선의 일방의 측면과, 상기 제 2 세선의 타방의 측면 사이에 형성된 제 2 억지부와, 상기 제 1 세선의 타방의 측면과, 상기 제 2 세선의 일방의 측면 사이에 형성된 제 3 억지부와, 상기 제 1 세선의 타방의 측면과, 상기 제 2 세선의 타방의 측면 사이에 형성된 제 4 억지부를 갖도록 해도 된다.[16] In the fourth aspect of the present invention, the crossing portion is formed by intersecting the first and second fine lines made of metal constituting the mesh pattern, and the moire suppressing portion is formed by one side face of the first fine line, A second inhibition portion formed between one side surface of the second fine wire and a second inhibition portion formed between one side surface of the first fine wire and the other side surface of the second fine wire, And a fourth inhibiting portion formed between the other side of the first fine line and the other side of the second fine line.

[17] 제 4 본 발명에 있어서, 상기 제 1 억지부, 상기 제 2 억지부, 상기 제 3 억지부, 상기 제 4 억지부의 각 면적을 Sb1, Sb2, Sb3, Sb4 로 했을 때,[17] In the fourth aspect of the present invention, when the respective areas of the first inhibiting portion, the second inhibiting portion, the third inhibiting portion, and the fourth inhibiting portion are Sb1, Sb2, Sb3, Sb4,

Sb=Sb1+Sb2+Sb3+Sb4Sb = Sb1 + Sb2 + Sb3 + Sb4

이어도 된다..

[18] 제 4 본 발명에 있어서, 상기 세선의 선폭이 1∼15 ㎛ 인 것이 바람직하다.[18] In the fourth aspect of the present invention, it is preferable that the line width of the fine line is 1 to 15 μm.

[19] 제 4 본 발명에 있어서, 상기 세선의 선폭이 1∼9 ㎛ 인 것이 바람직하다.[19] In the fourth aspect of the present invention, it is preferable that the line width of the fine line is 1 to 9 μm.

[20] 제 4 본 발명에 있어서, 상기 세선의 선 간격이 65∼500 ㎛ 인 것이 바람직하다.[20] In the fourth aspect of the present invention, it is preferable that the line interval of the fine lines is 65 to 500 μm.

[21] 제 5 본 발명에 관련된 도전성 필름은, 투명 기체와, 상기 투명 기체의 일주면 상에 접착층을 개재하여 형성된 금속 세선에 의한 도전부와, 상기 도전부와 상기 접착층이 노출된 부분을 피복하도록 형성된 투명 피복층을 갖고, 상기 접착층과 상기 투명 피복층의 굴절률의 차가 0.1 이하인 것을 특징으로 한다.A conductive film according to a fifth aspect of the present invention is a conductive film comprising a transparent substrate, a conductive portion formed by a metal thin wire formed on a main surface of the transparent substrate with an adhesive layer interposed therebetween, And a difference in refractive index between the adhesive layer and the transparent coating layer is 0.1 or less.

[22] 제 5 본 발명에 있어서, 상기 금속 세선의 선폭이 9 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.[22] In the fifth aspect of the present invention, it is preferable that the line width of the metal thin wire is 9 μm or less.

[23] 제 5 본 발명에 있어서, 상기 금속 세선의 두께가 3 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.[23] In the fifth aspect of the present invention, it is preferable that the thin metal wire has a thickness of 3 μm or less.

[24] 제 5 본 발명에 있어서, 상기 도전부는, 각각 제 1 방향으로 연장되고, 또한, 상기 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 배열된 상기 금속 세선에 의한 2 이상의 도전 패턴을 갖도록 해도 된다.In the fifth aspect of the present invention, the conductive portion may have two or more conductive patterns formed by the metal thin wires arranged in a second direction extending in the first direction and orthogonal to the first direction, respectively .

[25] 제 5 본 발명에 있어서, 상기 도전 패턴은, 상기 금속 세선과 개구부에 의한 메시 형상이 다수 배열된 패턴을 갖도록 해도 된다.In the fifth aspect of the present invention, the conductive pattern may have a pattern in which a plurality of mesh shapes are formed by the metal wire and the opening.

[26] 제 5 본 발명에 있어서, 상기 도전 패턴은, 2 이상의 대격자가 상기 제 1 방향으로 각각 상기 금속 세선에 의한 접속부를 개재하여 접속되어 구성되고, 각 상기 대격자는, 각각 2 이상의 소격자가 조합되어 구성되어 있어도 된다.In the fifth aspect of the present invention, it is preferable that the conductive pattern is constituted such that at least two catastrophes are connected to each other in the first direction via connection portions made of the metal thin wires, .

본 발명에 관련된 터치 패널에 의하면, 터치 위치 검출 능력 향상부를 갖는 도전성 필름을 구비하고 있기 때문에, 터치 위치 검출 능력 향상부에서 전기적인 감지를 높일 수 있어, 터치 위치의 검출 능력을 높일 수 있다.According to the touch panel of the present invention, since the conductive film having the touch position detection capability enhancer is provided, the touch position detection capability enhancer can increase the electrical sensibility and improve the ability to detect the touch position.

또한, 본 발명에 관련된 터치 패널에 의하면, 모아레의 발생을 억제할 수 있는 도전성 필름을 구비하고 있기 때문에, 표시 화면이 모아레로 보기 어려워진다는 경우가 없어, 표시 품질의 향상, 조작성의 향상을 도모할 수 있다.Further, according to the touch panel according to the present invention, since the conductive film capable of suppressing generation of moiré is provided, there is no case that the display screen is difficult to be seen as moir, and the display quality is improved and the operability is improved .

또한, 본 발명에 관련된 도전성 필름에 의하면, 간단한 구성으로, 표시 장치의 표시 패널 상에 장착해도 모아레의 발생을 억제할 수 있고, 따라서, 터치 패널의 표시 품질을 양호하게 할 수 있고, 그에 따라, 조작성도 향상시킬 수 있다.Further, according to the conductive film of the present invention, the generation of moire can be suppressed even when the conductive film is mounted on the display panel of the display device with a simple structure, and therefore, the display quality of the touch panel can be improved, Operability can also be improved.

또, 본 발명에 관련된 터치 패널의 제조 방법 및 도전성 필름에 의하면, 터치 패널에 있어서, 금속 세선 패턴으로 전극을 구성한 경우에 있어서도, 특정한 투명 피복층으로 피복했기 때문에, 양호한 시인성을 유지할 수 있다. 통상, 접착층 상의 도전성 재료가 제거된 부분은, 도전성 재료의 첩합면의 조면 형상이 전사되므로, 조면 형상에 있어서 광이 산란되고, 투명성이 저해되게 되는데, 본 발명에서는, 접착층과 굴절률이 가까운 투명 피복층이 평활하게 도포되면 난반사가 최소한으로 억제되고, 투명성이 발현하게 된다. 또한, 투명 기체를 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 함으로써, 투명성, 내열성이 양호하고, 또한 저가이며 취급성이 우수한 투명성을 갖는 도전성 필름을 제공할 수 있다. 투명 기체 상의 도전 패턴을 금속박에 대한 케미컬 에칭 프로세스에 의해 형성함으로써, 가공성이 우수한 투명성을 갖는 도전성 필름을 제공할 수 있다.Further, according to the method of manufacturing a touch panel and the conductive film according to the present invention, even when electrodes are formed of a metal thin line pattern in a touch panel, good visibility can be maintained because they are covered with a specific transparent coating layer. In general, the portion of the adhesive layer on which the conductive material is removed is transferred to the rough surface of the concave surface of the conductive material, so light is scattered in the rough surface shape and transparency is impaired. In the present invention, Is smoothly applied, diffuse reflection is suppressed to the minimum, and transparency is developed. Further, by forming the transparent gas as a polyethylene terephthalate film, it is possible to provide a conductive film having good transparency, heat resistance, low cost, and excellent handling properties and transparency. By forming the transparent conductive pattern on the metal foil by a chemical etching process, it is possible to provide a conductive film having transparency excellent in workability.

첨부한 도면과 협동하는 다음의 바람직한 실시형태예의 설명으로부터, 상기의 목적 및 다른 목적, 특징 및 이점이 보다 명확해질 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages will become more apparent from the following description of a preferred embodiment example taken in conjunction with the accompanying drawings.

도 1 은, 제 1 실시형태에 관련된 도전성 필름의 일례를 나타내는 평면도.
도 2 는, 도전성 필름을 일부 생략하여 나타내는 단면도.
도 3 은, 도전성 필름의 일례를 일부 확대하여 나타내는 평면도.
도 4 는, 도전성 필름의 다른 예를 일부 확대하여 나타내는 평면도.
도 5 는, 도전성 필름의 또 다른 예를 일부 확대하여 나타내는 평면도.
도 6 은, 도전성 필름의 또 다른 예를 일부 확대하여 나타내는 평면도.
도 7a∼도 7c 는, 제 1 실시형태에 관련된 도전성 필름의 제조 방법의 일례를 나타내는 공정도.
도 8 은, 은염 감광층에 대한 디지털 기입 노광에 있어서의 노광 에너지와 이미지 농도의 관계를 나타내는 특성도.
도 9a 및 도 9b 는, 제 1 실시형태에 관련된 도전성 필름의 제조 방법의 다른 예를 나타내는 공정도.
도 10a 및 도 10b 는, 제 1 실시형태에 관련된 도전성 필름의 제조 방법의 또 다른 예를 나타내는 공정도.
도 11 은, 제 1 실시형태에 관련된 도전성 필름의 제조 방법의 또 다른 예를 나타내는 공정도.
도 12 는, 제 2 실시형태에 관련된 도전성 필름을 일부 생략하여 나타내는 단면도.
도 13a∼도 13b 는, 도전성 필름의 제조 방법을 나타내는 공정도.
도 14 는, 터치 패널의 구성을 나타내는 분해 사시도.
도 15 는, 적층 도전성 필름을 일부 생략하여 나타내는 분해 사시도.
도 16a 는 제 1 실시형태에 관련된 도전성 필름에 의한 적층 도전성 필름의 일례를 일부 생략하여 나타내는 단면도이고, 도 16b 는 적층 도전성 필름의 다른 예를 일부 생략하여 나타내는 단면도.
도 17a 는 제 2 실시형태에 관련된 도전성 필름에 의한 적층 도전 필름의 일례를 일부 생략하여 나타내는 단면도이고, 도 17b 는 적층 도전 필름의 다른 예를 일부 생략하여 나타내는 단면도.
도 18 은, 제 1 도전성 필름에 형성되는 제 1 도전 패턴의 패턴예를 나타내는 평면도.
도 19 는, 제 2 도전성 필름에 형성되는 제 2 도전 패턴의 패턴예를 나타내는 평면도.
도 20 은, 제 1 도전성 필름과 제 2 도전성 필름을 조합하여 적층 도전성 필름으로 한 예를 일부 생략하여 나타내는 평면도.
도 21 은, 제 1 보조선과 제 2 보조선에 의해 1 개의 라인이 형성된 상태를 나타내는 설명도.
1 is a plan view showing an example of a conductive film according to the first embodiment.
2 is a cross-sectional view showing a part of the conductive film omitted.
Fig. 3 is a plan view partially showing an enlarged example of the conductive film. Fig.
4 is a plan view partially showing another example of the conductive film.
Fig. 5 is a plan view partially showing an enlarged example of another example of the conductive film. Fig.
Fig. 6 is a plan view partially showing another example of the conductive film. Fig.
7A to 7C are process drawings showing an example of a method of manufacturing a conductive film according to the first embodiment;
8 is a characteristic diagram showing the relationship between the exposure energy and the image density in the digital writing exposure of the silver salt photosensitive layer.
Figs. 9A and 9B are process drawings showing another example of the method for producing a conductive film according to the first embodiment; Fig.
10A and 10B are process drawings showing still another example of a method of manufacturing a conductive film according to the first embodiment;
11 is a process chart showing still another example of a method for producing a conductive film according to the first embodiment.
12 is a cross-sectional view showing a part of the conductive film according to the second embodiment omitted.
13A to 13B are process drawings showing a manufacturing method of a conductive film.
14 is an exploded perspective view showing a configuration of a touch panel;
15 is an exploded perspective view showing a part of the laminated conductive film omitted.
Fig. 16A is a cross-sectional view showing a part of the laminated conductive film formed by the conductive film according to the first embodiment, and Fig. 16B is a cross-sectional view partially showing another example of the laminated conductive film.
Fig. 17A is a cross-sectional view partially showing an example of the laminated conductive film by the conductive film according to the second embodiment, and Fig. 17B is a cross-sectional view partially showing another example of the laminated conductive film.
18 is a plan view showing a pattern example of a first conductive pattern formed on a first conductive film;
19 is a plan view showing a pattern example of a second conductive pattern formed on a second conductive film;
20 is a plan view showing an example in which the first conductive film and the second conductive film are combined to form an example of a laminated conductive film.
21 is an explanatory view showing a state in which one line is formed by the first auxiliary line and the second auxiliary line;

이하, 본 발명에 관련된 도전성 필름, 도전성 필름을 구비하는 터치 패널 및 터치 패널의 제조 방법의 실시형태예를 도 1∼도 21 을 참조하면서 설명한다. 또, 본 명세서에 있어서 수치 범위를 나타내는 「∼」는, 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로서 사용된다.Embodiments of a method of manufacturing a touch panel and a touch panel including the conductive film and the conductive film according to the present invention will be described below with reference to Figs. In the present specification, &quot; &quot; representing the numerical range is used as a meaning including the numerical values described before and after the lower limit and the upper limit.

먼저, 제 1 실시형태에 관련된 도전성 필름 (10a) 은, 터치 패널 등의 전극으로도 사용되고, 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 투명 기체 (12) (도 2 참조) 와, 투명 기체 (12) 의 일방의 주면에 형성된 도전부 (14) 를 갖는다. 도전부 (14) 는, 금속제의 세선 (이하, 금속 세선 (16) 이라고 기재한다) 과 개구부 (18) 에 의한 예를 들어 메시 패턴 (20) 을 갖는다. 금속 세선 (16) 은 예를 들어 금 (Au), 은 (Ag) 또는 구리 (Cu) 로 구성되어 있다.First, the conductive film 10a according to the first embodiment is also used as an electrode of a touch panel or the like. As shown in Figs. 1 and 2, a transparent substrate 12 (see Fig. 2) And a conductive portion 14 formed on one of the main surfaces of the base portion 11a. The conductive portion 14 has a mesh pattern 20 made of a metal thin wire (hereinafter referred to as a metal thin wire 16) and an opening portion 18, for example. The metal wire 16 is made of, for example, gold (Au), silver (Ag), or copper (Cu).

구체적으로는, 도전부 (14) 는, 제 1 방향 (도 1 에 있어서 x 방향) 으로 연장되고, 또한, 제 2 방향 (도 1 에 있어서 y 방향) 으로 배열된 복수의 제 1 금속 세선 (16a) 과, 제 2 방향으로 연장되고, 또한, 제 1 방향으로 배열된 복수의 제 2 금속 세선 (16b) 이 각각 교차하여 형성된 메시 패턴 (20) 을 갖는다. 메시 패턴 (20) 의 1 개의 메시 형상 (22), 즉, 1 개의 개구부 (18) 와, 그 1 개의 개구부 (18) 를 둘러싸는 4 개의 금속 세선 (16) 의 조합 형상은, 도 1 에 나타내는 바와 같이 정방형이어도 되고, 마름모꼴이어도 된다. 그 밖에, 정육각형 등의 다각 형상으로 해도 된다. 또, 1 변의 형상을 직선상 외에, 만곡 형상이어도 되고, 원호상으로 해도 된다. 원호상으로 하는 경우에는, 예를 들어 대향하는 2 변에 관해서는, 외측으로 볼록한 원호상으로 하고, 다른 대향하는 2 변에 대해서는, 내측으로 볼록한 원호상으로 해도 된다. 또, 각 변의 형상을, 외측으로 볼록한 원호와 내측으로 볼록한 원호가 연속된 파선 형상으로 해도 된다. 물론, 각 변의 형상을 사인 곡선으로 해도 된다.Specifically, the conductive portion 14 includes a plurality of first metal thin lines 16a (in the x direction in Fig. 1) arranged in the second direction (y direction in Fig. 1) And a mesh pattern 20 extending in the second direction and formed by intersecting a plurality of second metal thin lines 16b arranged in the first direction, respectively. The combination shape of one mesh shape 22 of the mesh pattern 20, that is, one opening 18 and four metal thin lines 16 surrounding the one opening 18, And may be square or rhomboid. Alternatively, a polygonal shape such as a regular hexagon may be used. The shape of one side may be a linear shape, a curved shape, or an arc shape. In the case of forming a circle, for example, two opposing sides may be formed into an outwardly convex circular arc shape, and other opposite sides may be formed into an inward convex circular arc. The shape of each side may be a broken line shape in which an outward convex arc and an inwardly convex arc are continuous. Of course, the shape of each side may be a sinusoidal curve.

그리고, 이 도전성 필름 (10a) 은, 도 1 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 도전부 (14) 를 구성하는 메시 패턴 (20) 의 교차부 (24) 에 인접하여 모아레 억지부 (26) (터치 위치 검출 능력 향상부) 가 형성되고, 교차부 (24) 의 면적을 Sa, 모아레 억지부 (26) 의 면적을 Sb 로 했을 때,1 and 3, the conductive film 10a is formed so as to be adjacent to the intersection 24 of the mesh pattern 20 constituting the conductive portion 14 and to be opposed to the moire suppression portion 26 When the area of the intersection 24 is Sa and the area of the moire interference portion 26 is Sb,

Sa×0.01<Sb≤Sa×5.00Sa x 0.01 < Sb &amp;le; Sa 5.00

을 만족한다. 바람직하게는, Sa×0.50≤Sb≤Sa×5.00 이고, 더욱 바람직하게는, Sa×0.50≤Sb≤Sa×1.50 이고, 보다 바람직하게는 Sa×0.90≤Sb≤Sa×1.20 이고, 특히 바람직하게는 Sa×0.90≤Sb≤Sa×1.10 이다.. Sa? 0.50? Sb? Sa? 5.00, more preferably Sa? 0.50? Sb? Sa 1.50, more preferably Sa? 0.90? Sb? Sa x 0.90? Sb? Sa 1.10.

모아레 억지부 (26) 는, 제 1 금속 세선 (16a) 의 일방의 측면과, 제 2 금속 세선 (16b) 의 일방의 측면 사이에 형성된 제 1 억지부 (26a) 와, 제 1 금속 세선 (16a) 의 일방의 측면과, 제 2 금속 세선 (16b) 의 타방의 측면 사이에 형성된 제 2 억지부 (26b) 와, 제 1 금속 세선 (16a) 의 타방의 측면과, 제 2 금속 세선 (16b) 의 일방의 측면 사이에 형성된 제 3 억지부 (26c) 와, 제 1 금속 세선 (16a) 의 타방의 측면과, 제 2 금속 세선 (16b) 의 타방의 측면 사이에 형성된 제 4 억지부 (26d) 를 갖는다.The moire interference portion 26 includes a first inhibition portion 26a formed between one side face of the first metal fine line 16a and one side face of the second metal fine line 16b and a first metal thin line 16a And the other side surface of the first metal thin line 16a and the second side surface of the second metal thin line 16b are formed between the other side surface of the second metal thin line 16b and the other side surface of the second metal thin line 16b, A fourth inhibiting portion 26d formed between the other side surface of the first metal fine wire 16a and the other side surface of the second metal fine wire 16b, .

그리고, 제 1 억지부 (26a), 제 2 억지부 (26b), 제 3 억지부 (26c), 제 4 억지부 (26d) 의 각 면적을 Sb1, Sb2, Sb3, Sb4 로 했을 때,When the areas of the first tension piece 26a, the second force piece 26b, the third force piece 26c, and the fourth force piece 26d are Sb1, Sb2, Sb3, Sb4,

Sb=Sb1+Sb2+Sb3+Sb4Sb = Sb1 + Sb2 + Sb3 + Sb4

를 만족한다..

이 경우, 제 1 금속 세선 (16a) 의 선폭 (La) 및 제 2 금속 세선 (16b) 의 선폭 (Lb) 은 1∼15 ㎛ 이고, 바람직하게는 1∼9 ㎛ 이다. 제 1 금속 세선 (16a) 및 제 2 금속 세선 (16b) 의 선폭은 모두 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 제 1 금속 세선 (16a) 의 선 간격 그리고 제 2 금속 세선 (16b) 의 선 간격은 60∼500 ㎛ 이다. 제 1 금속 세선 (16a) 및 제 2 금속 세선 (16b) 의 선 간격은 모두 동일해도 되고, 상이해도 된다.In this case, the line width La of the first metal fine line 16a and the line width Lb of the second metal fine line 16b are 1 to 15 占 퐉, preferably 1 to 9 占 퐉. The line widths of the first metal fine line 16a and the second metal fine line 16b may be the same or different. The line spacing of the first metal thin line 16a and the line spacing of the second metal thin line 16b is 60 to 500 占 퐉. The line intervals of the first metal fine wire 16a and the second metal fine wire 16b may be the same or different.

이와 같이, 제 1 실시형태에 있어서는, 도전부 (14) 를 구성하는 메시 패턴 (20) 의 교차부 (24) 에 인접하여 모아레 억지부 (26) 를 형성하고, 또한, 교차부 (24) 의 면적과 모아레 억지부 (26) 의 면적을 최적화하도록 하고 있다. 그 결과, 도전부 (14) 를 투과하는 광의 적분량이, 교차부 (24) 와 교차부 (24) 이외의 부분에서 거의 동일해져, 메시 패턴 (20) 이 마치 소멸된 것처럼 되고, 이것에 의해, 모아레의 발생이 억제되게 된다. 또한, 금속 세선 (16) 의 선폭을 1∼15 ㎛ 로 하고, 금속 세선 (16) 의 선 간격을 65∼500 ㎛ 로 했기 때문에, 높은 투광성과 양호한 시인성 (메시 패턴 (20) 이 눈에 띄기 어렵다) 을 동시에 갖게 할 수 있다.As described above, in the first embodiment, the moiré suppression portion 26 is formed adjacent to the intersection portion 24 of the mesh pattern 20 constituting the conductive portion 14, The area and the area of the moire interference portion 26 are optimized. As a result, the amount of light transmitted through the conductive portion 14 becomes almost the same at the portions other than the intersection portion 24 and the intersection portion 24, so that the mesh pattern 20 appears to have disappeared , Generation of moiré is suppressed. Further, since the line width of the metal thin line 16 is set to 1 to 15 m and the line interval of the metal thin line 16 is set to 65 to 500 m, high light transmittance and good visibility (the mesh pattern 20 is not noticeable ) At the same time.

또, 모아레 억지부 (26) 를 구성하는 제 1 억지부 (26a)∼제 4 억지부 (26d) 의 평면 형상으로서, 도 1 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 삼각 형상이어도 되는데, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 직사각 형상이어도 되고, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 삼각형에 원호상의 노치가 형성된 형상이어도 되고, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 원형을 1/4 로 한 형상이어도 되다. 물론, 비대칭 형상으로 해도 된다.1 and 3, the first inhibiting portion 26a to the fourth inhibiting portion 26d constituting the moire preventing portion 26 may have a triangular shape as shown in Fig. 4, As shown in Fig. 5, a circular notch may be formed in a triangle, or a circle may be formed in a quarter, as shown in Fig. 6, as shown in Fig. Of course, it may be asymmetric.

다음으로, 도전성 필름 (10a) 의 제조 방법에 관해서 도 7a∼도 11 을 참조하면서 설명한다.Next, a method for manufacturing the conductive film 10a will be described with reference to Figs. 7A to 11B.

제 1 제조 방법은, 도 7a 에 나타내는 바와 같이, 투명 기체 (12) 상에 은염 감광층 (30) 을 형성하고, 또한, 도 7b 에 나타내는 바와 같이, 은염 감광층 (30) 에 대하여 노광을 실시한 후, 현상 처리하여 금속 은부 (32) 와 광투과성부 (34) 의 조합에 의한 도전부 (14) (메시 패턴 (20) 등) 를 형성한다. 이 경우, 금속 은부 (32) 는, 할로겐화은을 현상하여 형성된 현상 은으로 이루어지는 것이 바람직하다. 그 후, 도 7c 에 나타내는 바와 같이, 금속 은부 (32) 에 도금층 등의 도전성 금속 (36) 을 담지하도록 해도 된다.7A, the silver salt photosensitive layer 30 is formed on the transparent substrate 12, and the silver salt photosensitive layer 30 is exposed as shown in Fig. 7B, A conductive portion 14 (mesh pattern 20 or the like) is formed by a combination of the metal silver portion 32 and the light-transmitting portion 34. Then, In this case, it is preferable that the metal silver halide portion 32 is composed of silver halide silver which is formed by developing silver halide. Thereafter, as shown in Fig. 7C, the conductive metal 36 such as a plating layer may be carried on the metal silver part 32. Fig.

은염 감광층 (30) 에 대한 노광에서 사용되는 마스크는, 메시 패턴 (20) 의 교차부 (24) 에 모아레 억지부 (26) 가 형성된 패턴에 대응한 마스크 패턴을 갖도록 해도 된다.The mask used in the exposure to the silver halide photosensitive layer 30 may have a mask pattern corresponding to the pattern in which the moiré inhibition portion 26 is formed at the intersection portion 24 of the mesh pattern 20. [

또는, 은염 감광층 (30) 에 대한 디지털 기입 노광에 의해, 은염 감광층 (30) 에, 메시 패턴 (20) 의 교차부 (24) 에 모아레 억지부 (26) 가 형성된 패턴을 노광하도록 해도 된다.Alternatively, a pattern in which the moire preventing portion 26 is formed at the intersection 24 of the mesh pattern 20 may be exposed to the silver salt photosensitive layer 30 by digital write exposure to the silver salt photosensitive layer 30 .

이 경우, 도 8 에 나타내는 노광 에너지와 이미지 농도 분포의 특성에서 보았을 때, 제 1 금속 세선 (16a) 및 제 2 금속 세선 (16b) 을 디지털 기입 노광하는 경우, 이미지 농도가 포화되는 영역의 제 1 노광 에너지 (E1) 로 노광을 실시하고, 교차부 (24) 에 대한 디지털 기입 노광시에, 이미지 농도가 포화되는 영역의 제 2 노광 에너지 (E2) 로 노광을 실시한다. 이 때, 제 1 노광 에너지 (E1)<제 2 노광 에너지 (E2) 로 한다.In this case, when the first metal thin line 16a and the second metal thin line 16b are subjected to the digital write exposure in view of the characteristics of the exposure energy and the image density distribution shown in Fig. 8, Exposure is performed with the exposure energy E1 and exposure is performed with the second exposure energy E2 in the region where the image density is saturated at the time of digital write exposure of the intersection portion 24. [ At this time, the first exposure energy E1 is smaller than the second exposure energy E2.

노광 에너지를 높게 함으로써, 교차부 (24) 의 인접 부분에 대한 광누설이 발생하고, 이것에 의해, 광의 번짐 영역이 발생하고, 그 후의 현상 처리에서, 광의 번짐 영역이, 교차부 (24) 에 인접하여 모아레 억지부 (26) 로서 구현되게 된다. 이 수법은, 노광 에너지를 위치에 따라 선택적으로 전환하는 것만으로 되기 때문에, 교차부 (24) 에 인접하여 모아레 억지부 (26) 를 용이하게 형성할 수 있어, 제조 비용의 저렴화도 도모할 수 있다.By increasing the exposure energy, light leakage to the adjacent portion of the intersection 24 occurs, thereby causing a light bleed region. In the subsequent developing process, the light bleed region is formed at the intersection 24 And is implemented as a moire inhibition unit 26 adjacent to each other. In this method, since the exposure energy is selectively switched depending on the position, the moire preventing portion 26 can be easily formed adjacent to the intersection portion 24, and the manufacturing cost can be reduced .

그 밖의 형성 방법으로는, 도 9a 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어 투명 기체 (12) 상에 형성된 동박 (40) 상의 포토레지스트막 (42) 을 노광, 현상 처리하여 레지스트 패턴 (44) 을 형성하고, 도 9b 에 나타내는 바와 같이, 레지스트 패턴 (44) 으로부터 노출되는 동박 (40) 을 에칭함으로써, 도전부 (14) (메시 패턴 (20) 등) 를 형성하도록 해도 된다. 이 경우, 포토레지스트막 (42) 에 대한 노광에서 사용되는 마스크는, 메시 패턴 (20) 의 교차부 (24) 에 모아레 억지부 (26) 가 형성된 패턴에 대응한 마스크 패턴을 갖도록 해도 된다.9A, a resist pattern 44 is formed by exposing and developing the photoresist film 42 on the copper foil 40 formed on the transparent substrate 12, for example, The conductive portion 14 (the mesh pattern 20 or the like) may be formed by etching the copper foil 40 exposed from the resist pattern 44 as shown in Fig. 9B. In this case, the mask used in the exposure to the photoresist film 42 may have a mask pattern corresponding to the pattern in which the moire interference portion 26 is formed at the intersection portion 24 of the mesh pattern 20.

또는, 포토레지스트막 (42) 에 대한 디지털 기입 노광에 의해, 포토레지스트막 (42) 에, 메시 패턴 (20) 의 교차부 (24) 에 모아레 억지부 (26) 가 형성된 패턴을 노광하도록 해도 된다.Alternatively, a digital write exposure of the photoresist film 42 may expose a pattern in which the moire preventing portion 26 is formed at the intersection 24 of the mesh pattern 20 in the photoresist film 42 .

또한, 도 10a 에 나타내는 바와 같이, 투명 기체 (12) 상에 금속 미립자를 포함하는 페이스트 (50) 를 인쇄함으로써 도전부 (14) 의 패턴 (52) 을 형성하고, 도 10b 에 나타내는 바와 같이, 패턴 (52) 에 금속 도금 (54) 을 실시함으로써, 도전부 (14) (메시 패턴 (20) 등) 를 형성하도록 해도 된다.10A, a pattern 52 of the conductive portion 14 is formed by printing a paste 50 containing fine metal particles on the transparent substrate 12, and as shown in FIG. 10B, (The mesh pattern 20 or the like) may be formed by applying a metal plating 54 to the conductive part 52. [

또는, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 투명 기체 (12) 에 금속 박막 (60) 을 스크린 인쇄판 또는 그라비아 인쇄판 또는 잉크젯에 의해 인쇄 형성하여 도전부 (14) (메시 패턴 (20) 등) 를 구성하도록 해도 된다.Alternatively, as shown in Fig. 11, even when the metal thin film 60 is printed and formed on the transparent substrate 12 by a screen printing plate, a gravure printing plate, or an inkjet to constitute the conductive portion 14 (the mesh pattern 20 or the like) do.

다음으로, 제 1 실시형태에 관련된 도전성 필름 (10a) 에서, 특히 바람직한 양태인 할로겐화은 사진 감광 재료를 사용하는 방법을 중심으로 하여 서술한다.Next, in the conductive film 10a according to the first embodiment, description will be made mainly on a method of using a silver halide photographic photosensitive material, which is a particularly preferable embodiment.

도전성 필름 (10a) 의 제조 방법은, 감광 재료와 현상 처리의 형태에 따라, 다음의 3 가지의 형태가 포함된다.The manufacturing method of the conductive film 10a includes the following three types depending on the form of the photosensitive material and the developing process.

(1) 물리 현상 핵을 포함하지 않는 감광성 할로겐화은 흑백 감광 재료를 화학 현상 또는 열 현상하여 금속 은부를 그 감광 재료 상에 형성시키는 양태.(1) Physical phenomenon The photosensitive silver halide silver-free photosensitive material not containing nuclei is chemically developed or thermally developed to form a metal silver halide on the photosensitive material.

(2) 물리 현상 핵을 할로겐화은 유제층 중에 포함하는 감광성 할로겐화은 흑백 감광 재료를 용해 물리 현상하여 금속 은부를 그 감광 재료 상에 형성시키는 양태.(2) A mode of dissolving physical development of a photosensitive silver halide silver / silver photosensitive material containing a physical phenomenon nucleus in a silver halide emulsion layer to form a silver halide on the photosensitive material.

(3) 물리 현상 핵을 포함하지 않는 감광성 할로겐화은 흑백 감광 재료와, 물리 현상 핵을 포함하는 비감광성층을 갖는 수상 (受像) 시트를 겹치고 확산 전사 현상하여 금속 은부를 비감광성 수상 시트 상에 형성시키는 양태.(3) A photosensitive silver halide silver-free photosensitive material containing no physical phenomenon nuclei and an image receiving sheet having a non-photosensitive layer containing physical phenomenon nuclei are overlapped and subjected to diffusion transfer development to form a metal silver halide on the non- mode.

상기 (1) 의 양태는, 일체형 흑백 현상 타입이고, 감광 재료 상에 광투과성 도전막 등의 투광성 도전성막이 형성된다. 얻어지는 현상 은은 화학 현상 은 또는 열 현상 은이고, 고비표면의 필라멘트인 점에서 후속하는 도금 또는 물리 현상 과정에서 활성이 높다.The mode (1) is an integrated monochrome developing type, and a light transmitting conductive film such as a light transmitting conductive film is formed on the photosensitive material. The obtained phenomenon is a chemical phenomenon or a heat phenomenon, and since the filament is a high-surface surface, the activity is high in the subsequent plating or physical development process.

상기 (2) 의 양태는, 노광부에서는, 물리 현상 핵 근연 (近緣)의 할로겐화은 입자가 용해되어 현상 핵 상에 침적함으로써 감광 재료 상에 광투과성 도전성막 등의 투광성 도전성막이 형성된다. 이것도 일체형 흑백 현상 타입이다. 현상 작용이, 물리 현상 핵 상에 대한 석출이기 때문에 고활성인데, 현상 은은 비표면이 작은 구형이다.In the aspect (2), in the exposed portion, the silver halide particles near the physical development nuclei are dissolved and deposited on the developing nuclei, so that a light transmissive electroconductive film such as a light transmissive electroconductive film is formed on the photosensitive material. This is also an integral type of black and white phenomenon. Since the developing action is precipitation on the physical phenomenon nucleus, it is highly active, but the phenomenon is spherical with a small specific surface.

상기 (3) 의 양태는, 미노광부에서 할로겐화은 입자가 용해되고 확산되어 수상 시트 상의 현상 핵 상에 침적함으로써 수상 시트 상에 광투과성 도전성막 등의 투광성 도전성막이 형성된다. 이른바 세퍼레이트 타입으로서, 수상 시트를 감광 재료로부터 박리하여 사용하는 양태이다.In the embodiment (3), the silver halide particles are dissolved and diffused in the unexposed portion, and the silver halide particles are deposited on the developing nuclei on the image receiving sheet to form a light transmitting conductive film such as a light transmitting conductive film on the image receiving sheet. In the so-called separate type, the image-receiving sheet is peeled from the photosensitive material and used.

어느 양태도 네거티브형 현상 처리 및 반전 현상 처리의 어느 현상을 선택할 수도 있다 (확산 전사 방식의 경우에는, 감광 재료로서 오토포지티브형 감광 재료를 사용함으로써 네거티브형 현상 처리가 가능해진다).Any of the embodiments can be selected from negative development processing and reversal development processing (in the case of the diffusion transfer method, negative type development processing becomes possible by using an auto-positive photosensitive material as the photosensitive material).

여기서 말하는 화학 현상, 열 현상, 용해 물리 현상, 확산 전사 현상은, 당업계에서 통상 사용되고 있는 용어 그대로의 의미로서, 사진 화학의 일반 교과서, 예를 들어 키쿠치 신이치 저 「사진 화학」(쿄리츠 출판사, 1955 년 간행), C.E.K.Mees 편 「The Theory of Photographic Processes, 4th ed.」 (Mcmillan 사, 1977 년 간행) 에 해설되어 있다. 본건은 액 처리에 관련된 발명인데, 그 밖의 현상 방식으로서 열 현상 방식을 적용하는 기술도 참고로 할 수 있다. 예를 들어, 일본 공개특허공보 2004-184693호, 일본 공개특허공보 2004-334077호, 일본 공개특허공보 2005-010752호의 각 공보, 일본 특허출원 2004-244080호, 일본 특허출원 2004-085655호의 각 명세서에 기재된 기술을 적용할 수 있다.The chemical phenomenon, thermal phenomenon, dissolution physical phenomenon, and diffusion transfer phenomenon referred to herein are the same as those commonly used in the art, and they are generally used in photochemical textbooks such as "Photochemistry" (Kyoritsu Publishing Co., (Published in 1955), CEKMees edition The Theory of Photographic Processes, 4th ed. (Published by Mcmillan, 1977). The present invention relates to a liquid processing method. As another developing method, a technique of applying a thermal developing method can be referred to. For example, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2004-184693, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-334077, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2005-010752, Japanese Patent Application No. 2004-244080, Japanese Patent Application No. 2004-085655 Can be applied.

여기서, 본 실시형태에 관련된 도전성 필름 (10a) 의 각 층의 구성에 관해서, 이하에 상세하게 설명한다.Here, the constitution of each layer of the conductive film 10a according to the present embodiment will be described in detail below.

[투명 기체 (12)][Transparent gas (12)]

투명 기체 (12) 로는, 플라스틱 필름, 플라스틱판, 유리판 등을 들 수 있다.Examples of the transparent substrate 12 include a plastic film, a plastic plate, and a glass plate.

상기 플라스틱 필름 및 플라스틱판의 원료로는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 등의 폴리에스테르류 ; 폴리에틸렌 (PE), 폴리프로필렌 (PP), 폴리스티렌, EVA 등의 폴리올레핀류 ; 비닐계 수지 ; 그 밖에, 폴리카보네이트 (PC), 폴리아미드, 폴리이미드, 아크릴 수지, 트리아세틸셀룰로오스 (TAC) 등을 사용할 수 있다.The raw materials of the plastic film and the plastic plate include, for example, polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN); Polyolefins such as polyethylene (PE), polypropylene (PP), polystyrene and EVA; Vinyl resin; In addition, polycarbonate (PC), polyamide, polyimide, acrylic resin, triacetyl cellulose (TAC) and the like can be used.

투명 기체 (12) 로는, PET (융점 : 258 ℃), PEN (융점 : 269 ℃), PE (융점 : 135 ℃), PP (융점 : 163 ℃), 폴리스티렌 (융점 : 230 ℃), 폴리염화비닐 (융점 : 180 ℃), 폴리염화비닐리덴 (융점 : 212 ℃) 이나 TAC (융점 : 290 ℃) 등의 융점이 약 290 ℃ 이하인 플라스틱 필름, 또는 플라스틱판이 바람직하고, 특히, 광투과성이나 가공성 등의 관점에서, PET 가 바람직하다. 터치 패널용의 도전성 필름 (10a) 은 투명성이 요구되기 때문에, 투명 기체 (12) 의 투명도는 높은 것이 바람직하다.As the transparent substrate 12, PET (melting point: 258 ° C), PEN (melting point: 269 ° C), PE (melting point: 135 ° C), PP (melting point: 163 ° C), polystyrene A plastic film or a plastic plate having a melting point of not higher than about 290 DEG C such as polyvinylidene chloride (melting point: 212 DEG C) or TAC (melting point: 290 DEG C) From the viewpoint of PET, PET is preferable. Since transparency is required for the conductive film 10a for the touch panel, it is preferable that the transparency of the transparent substrate 12 is high.

[은염 감광층 (30)][Silver Photosensitive Layer (30)]

도전성 필름 (10a) 의 도전부 (14) (메시 패턴 (20) 등) 가 되는 은염 감광층 (30) 은, 은염과 바인더 외에, 용매나 염료 등의 첨가제를 함유한다.The silver salt photosensitive layer 30 which is the conductive portion 14 (mesh pattern 20 or the like) of the conductive film 10a contains additives such as a solvent and a dye in addition to a silver salt and a binder.

본 실시형태에 사용되는 은염으로는, 할로겐화은 등의 무기 은염 및 아세트산은 등의 유기 은염을 들 수 있다. 본 실시형태에 있어서는, 광센서로서의 특성이 우수한 할로겐화은을 사용하는 것이 바람직하다.Examples of the silver salt used in the present embodiment include inorganic silver salts such as silver halide and organic silver salts such as acetic acid silver. In the present embodiment, it is preferable to use silver halide having excellent characteristics as an optical sensor.

은염 감광층 (30) 의 도포 은량 (은염의 도포량) 은, 은으로 환산하여 1∼30 g/㎡ 가 바람직하고, 1∼25 g/㎡ 가 보다 바람직하고, 5∼20 g/㎡ 가 더욱 바람직하다. 이 도포 은량을 상기 범위로 함으로써, 도전성 필름 (10a) 으로 한 경우에 원하는 표면 저항을 얻을 수 있다.The coating amount (the amount of the silver salt applied) of the silver salt photosensitive layer 30 is preferably 1 to 30 g / m 2 in terms of silver, more preferably 1 to 25 g / m 2, further preferably 5 to 20 g / Do. By setting the coating amount in the above range, desired surface resistance can be obtained when the conductive film 10a is used.

본 실시형태에 사용되는 바인더로는, 예를 들어 젤라틴, 폴리비닐알코올 (PVA), 폴리비닐피롤리돈 (PVP), 전분 등의 다당류, 셀룰로오스 및 그 유도체, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리비닐아민, 키토산, 폴리리신, 폴리아크릴산, 폴리알긴산, 폴리히알루론산, 카르복시셀룰로오스 등을 들 수 있다. 이들은, 관능기의 이온성에 따라 중성, 음이온성, 양이온성의 성질을 갖는다.Examples of the binder used in this embodiment include gelatin, polyvinyl alcohol (PVA), polyvinylpyrrolidone (PVP), polysaccharides such as starch, cellulose and its derivatives, polyethylene oxide, polyvinylamine, chitosan, Polylysine, polyacrylic acid, polyalginic acid, polyhyaluronic acid, carboxycellulose and the like. They have neutral, anionic, and cationic properties depending on the ionic properties of the functional groups.

본 실시형태의 은염 감광층 (30) 중에 함유되는 바인더의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 분산성과 밀착성을 발휘할 수 있는 범위에서 적절히 결정할 수 있다. 은염 감광층 (30) 중의 바인더의 함유량은, 은/바인더 체적비로 1/4 이상이 바람직하고, 1/2 이상이 보다 바람직하다. 은/바인더 체적비는, 100/1 이하가 바람직하고, 50/1 이하가 보다 바람직하다. 또한, 은/바인더 체적비는 1/1∼4/1 인 것이 더욱 바람직하다. 1/1∼3/1 인 것이 가장 바람직하다. 은염 감광층 (30) 중의 은/바인더 체적비를 이 범위로 함으로써, 도포 은량을 조정한 경우라도 저항값의 격차를 억제하고, 균일한 표면 저항을 갖는 도전성 필름 (10a) 을 얻을 수 있다. 또, 은/바인더 체적비는, 원료의 할로겐화은량/바인더량 (중량비) 을 은량/바인더량 (중량비) 으로 변환하고, 또한, 은량/바인더량 (중량비) 을 은량/바인더량 (체적비) 으로 변환함으로써 구할 수 있다.The content of the binder contained in the silver halide photosensitive layer 30 of the present embodiment is not particularly limited and can be appropriately determined within a range capable of exhibiting dispersibility and adhesion. The content of the binder in the silver salt photosensitive layer 30 is preferably 1/4 or more, more preferably 1/2 or more, in terms of silver / binder volume ratio. The silver / binder volume ratio is preferably 100/1 or less, more preferably 50/1 or less. Further, it is more preferable that the volume ratio of silver / binder is 1/1 to 4/1. Most preferably from 1/1 to 3/1. By setting the silver / binder volume ratio in the silver salt photosensitive layer 30 within this range, it is possible to suppress the variation in the resistance value and obtain the conductive film 10a having a uniform surface resistance even when the amount of application is adjusted. The silver / binder volume ratio is obtained by converting the silver halide amount / binder amount (weight ratio) of the raw material into the silver amount / binder amount (weight ratio) and further converting the silver amount / binder amount (weight ratio) into the silver amount / Can be obtained.

<용매><Solvent>

은염 감광층 (30) 의 형성에 사용되는 용매는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 물, 유기 용매 (예를 들어, 메탄올 등의 알코올류, 아세톤 등의 케톤류, 포름아미드 등의 아미드류, 디메틸술폭시드 등의 술폭시드류, 아세트산에틸 등의 에스테르류, 에테르류 등), 이온성 액체, 및 이들의 혼합 용매를 들 수 있다.The solvent used for forming the silver salt photosensitive layer 30 is not particularly limited, and examples thereof include water, an organic solvent (for example, alcohols such as methanol, ketones such as acetone, amides such as formamide, Sulfoxides such as dimethyl sulfoxide and the like, esters such as ethyl acetate, and ethers), ionic liquids, and mixed solvents thereof.

본 실시형태의 은염 감광층 (30) 에 사용되는 용매의 함유량은, 은염 감광층 (30) 에 포함되는 은염, 바인더 등의 합계 질량에 대하여 30∼90 질량% 의 범위이고, 50∼80 질량% 의 범위인 것이 바람직하다.The content of the solvent used in the silver halide photosensitive layer 30 of the present embodiment is in the range of 30 to 90 mass% with respect to the total mass of the silver salt, binder and the like contained in the silver halide photosensitive layer 30, .

<그 밖의 첨가제><Other additives>

본 실시형태에 사용되는 각종 첨가제에 관해서는, 특별히 제한은 없고, 공지된 것을 바람직하게 사용할 수 있다.The various additives used in the present embodiment are not particularly limited and well-known ones can be preferably used.

[그 밖의 층 구성][Other Layers]

은염 감광층 (30) 상에 도시하지 않은 보호층을 형성해도 된다. 본 실시형태에 있어서 「보호층」이란, 젤라틴이나 고분자 폴리머 등의 바인더로 이루어지는 층을 의미하고, 찰상 방지나 역학 특성을 개량하는 효과를 발현하기 위해 감광성을 갖는 은염 감광층 (30) 상에 형성된다. 그 두께는 0.5 ㎛ 이하가 바람직하다. 보호층의 도포 방법 및 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 도포 방법 및 형성 방법을 적절히 선택할 수 있다. 또한, 은염 감광층 (30) 보다 아래에, 예를 들어 하도층을 형성할 수도 있다.A protective layer (not shown) may be formed on the silver salt photosensitive layer 30. In the present embodiment, the &quot; protective layer &quot; means a layer comprising a binder such as gelatin or a polymer, and is formed on the silver salt photosensitive layer 30 having photosensitivity to exhibit an effect of preventing scratching and improving mechanical properties do. The thickness is preferably 0.5 占 퐉 or less. The coating method and the forming method of the protective layer are not particularly limited, and known coating methods and forming methods can be appropriately selected. Further, a subbing layer may be formed below the silver salt photosensitive layer 30, for example.

다음으로, 도전성 필름 (10a) 의 제조 방법의 각 공정에 관해서 설명한다.Next, each step of the method for producing the conductive film 10a will be described.

[노광][Exposure]

본 실시형태에서는, 메시 패턴 (20) 을 인쇄 방식에 의해 형성하는 경우를 포함하는데, 인쇄 방식 이외에는, 메시 패턴 (20) 을 노광과 현상 등에 의해 형성한다. 즉, 투명 기체 (12) 상에 형성된 은염 감광층 (30) 을 갖는 감광 재료 또는 포토리소그래피용 포토폴리머를 도공한 감광 재료에 대한 노광을 실시한다. 노광은, 전자파를 이용하여 실시할 수 있다. 전자파로는, 예를 들어 가시광선, 자외선 등의 광, X 선 등의 방사선 등을 들 수 있다. 또한, 노광에는 파장 분포를 갖는 광원을 이용해도 되고, 특정한 파장의 광원을 이용해도 된다.In the present embodiment, the case where the mesh pattern 20 is formed by a printing method is included, but the mesh pattern 20 is formed by exposure and development other than the printing method. That is, the photosensitive material having the silver salt photosensitive layer 30 formed on the transparent substrate 12 or the photosensitive material coated with the photopolymer for photolithography is exposed. The exposure can be carried out using electromagnetic waves. Examples of the electromagnetic wave include light such as visible light, ultraviolet light, and radiation such as X-rays. A light source having a wavelength distribution may be used for exposure, or a light source having a specific wavelength may be used.

[현상 처리][Development processing]

본 실시형태에서는, 은염 감광층 (30) 을 노광한 후, 추가로 현상 처리가 실시된다. 현상 처리는, 은염 사진 필름이나 인화지, 인쇄 제판용 필름, 포토마스크용 에멀전 마스크 등에 사용되는 통상의 현상 처리 기술을 사용할 수 있다. 현상액에 관해서는 특별히 한정은 되지 않지만, PQ 현상액, MQ 현상액, MAA 현상액 등을 사용할 수도 있고, 시판품에서는, 예를 들어 후지 필름사 처방의 CN-16, CR-56, CP45X, FD-3, 파피톨, KODAK 사 처방의 C-41, E-6, RA-4, D-19, D-72 등의 현상액, 또는 그 키트에 포함되는 현상액을 사용할 수 있다. 또한, 리스 현상액을 사용할 수도 있다.In this embodiment, after the silver salt photosensitive layer 30 is exposed, further development processing is performed. Conventional development processing techniques used for silver salt photographic film, photo paper, film for printing plate, and emulsion mask for photomask can be used for the development processing. Although there is no particular limitation on the developer, a PQ developer, an MQ developer, a MAA developer, or the like can be used. In the case of commercial products, for example, CN-16, CR-56, CP45X, FD- T-1, C-41, E-6, RA-4, D-19 and D-72 of KODAK Corporation or a developer contained in the kit. A lease developer may also be used.

본 실시형태에 있어서의 현상 처리는, 미노광 부분의 은염을 제거하여 안정화시킬 목적으로 실시되는 정착 처리를 포함할 수 있다. 본 실시형태에 있어서의 정착 처리는, 은염 사진 필름이나 인화지, 인쇄 제판용 필름, 포토마스크용 에멀전 마스크 등에 사용되는 정착 처리 기술을 사용할 수 있다.The developing treatment in the present embodiment may include a fixing treatment carried out for the purpose of removing and stabilizing the silver salt of the unexposed portion. The fixing treatment in this embodiment can be performed using a fixing treatment technique used for a silver salt photographic film, a photo paper, a film for printing plate, and an emulsion mask for a photomask.

이상의 공정을 거쳐 도전성 필름 (10a) 은 얻어지는데, 얻어진 도전성 필름 (10a) 의 표면 저항은 0.1∼100 옴/sq. 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 상기 하한값은, 1 옴/sq. 인 것이 바람직하고, 10 옴/sq. 인 것이 더욱 바람직하다. 상기 상한값은, 70 옴/sq. 인 것이 바람직하고, 50 옴/sq. 인 것이 더욱 바람직하다. 또, 현상 처리 후의 도전성 필름 (10a) 에 대해서는, 추가로 캘린더 처리를 실시해도 되고, 캘린더 처리에 의해 원하는 표면 저항으로 조정할 수 있다.The conductive film 10a is obtained through the above-described steps. The surface resistance of the conductive film 10a obtained is 0.1 to 100 ohms / sq. Is preferable. The lower limit value is 1 ohm / sq. And preferably 10 ohms / sq. Is more preferable. The upper limit is 70 ohms / sq. And preferably 50 ohms / sq. Is more preferable. The electroconductive film 10a after the development treatment may be further subjected to calendering or may be adjusted by a desired surface resistance by calendering.

[물리 현상 및 도금 처리][Physical phenomenon and plating treatment]

본 실시형태에서는, 상기 노광 및 현상 처리에 의해 형성된 금속 은부 (32) 의 도전성을 향상시킬 목적으로, 상기 금속 은부 (32) 에 도전성 금속 입자를 담지시키기 위한 물리 현상 및/또는 도금 처리를 실시해도 된다. 본 실시형태에서는 물리 현상 또는 도금 처리 중 어느 일방만으로 도전성 금속 입자를 금속 은부 (32) 에 담지시켜도 되고, 물리 현상과 도금 처리를 조합하여 도전성 금속 입자를 금속 은부에 담지시켜도 된다. 또, 금속 은부에 물리 현상 및/또는 도금 처리를 실시한 것을 포함하여 「도전성 금속부」라고 한다.In the present embodiment, for the purpose of improving the conductivity of the metal silver part 32 formed by the above exposure and development processing, even if physical development and / or plating treatment for supporting the conductive metal particles on the metal silver part 32 is performed do. In the present embodiment, the conductive metal particles may be supported on the metal silver part 32 only by either physical development or plating, or the conductive metal particles may be supported on the metal silver part by combining physical development and plating. It is also referred to as a &quot; conductive metal part &quot; including a part subjected to physical development and / or plating treatment.

[도전성 금속부][Conductive metal part]

본 실시형태의 도전성 금속부의 선폭 (금속 세선 (16) 의 선폭) 은, 하한은 1 ㎛ 이상, 3 ㎛ 이상, 4 ㎛ 이상, 또는 5 ㎛ 이상이 바람직하고, 상한은 15 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이하, 9 ㎛ 이하, 8 ㎛ 이하가 바람직하다. 선폭이 상기 하한값 미만인 경우에는, 도전성이 불충분해지므로 터치 패널에 사용한 경우, 검출 감도가 불충분해진다. 한편, 상기 상한값을 초과하면 메시 패턴 (20) 에서 기인되는 모아레가 현저해지거나, 터치 패널에 사용했을 때 시인성이 나빠진다. 또, 상기 범위에 있음으로써, 메시 패턴 (20) 의 모아레가 개선되고, 시인성이 특히 좋아진다. 금속 세선 (16) 의 선 간격은 65 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 100 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하, 가장 바람직하게는 210 ㎛ 이상 250 ㎛ 이하이다. 또한, 도전성 금속부는, 어스 접속 등의 목적에 있어서는, 선폭은 200 ㎛ 보다 넓은 부분을 갖고 있어도 된다.The line width of the conductive metal part (line width of the metal thin line 16) of the present embodiment is preferably 1 占 퐉 or more, 3 占 퐉 or more, 4 占 퐉 or more, or 5 占 퐉 or more and the upper limit is preferably 15 占 퐉 or less and 10 占 퐉 or less , 9 μm or less, and 8 μm or less. When the line width is less than the above lower limit value, the conductivity becomes insufficient, and thus the detection sensitivity becomes insufficient when used in a touch panel. On the other hand, if the upper limit value is exceeded, the moiré caused by the mesh pattern 20 becomes noticeable, or the visibility is deteriorated when used in a touch panel. Also, in the above range, the moire of the mesh pattern 20 is improved, and visibility is particularly improved. The line spacing of the metal thin wires 16 is preferably 65 占 퐉 to 500 占 퐉, more preferably 100 占 퐉 to 400 占 퐉, more preferably 150 占 퐉 to 300 占 퐉, and most preferably 210 占 퐉 to 250 占 퐉 Or less. The conductive metal portion may have a portion having a line width larger than 200 占 퐉 for the purpose of connecting the earth or the like.

본 실시형태에 있어서의 도전성 금속부는, 가시광 투과율 면에서 개구율은 85 % 이상인 것이 바람직하고, 90 % 이상인 것이 더욱 바람직하고, 95 % 이상인 것이 가장 바람직하다. 개구율이란, 도전 부분 (후술하는 제 1 대격자 (202A), 제 1 접속부 (106A), 제 2 대격자 (202B), 제 2 접속부 (106B), 소격자 (104) 등의 도전 부분 : 도 15 참조) 을 제외한 투광성 부분이 전체에 차지하는 비율이고, 예를 들어 선폭 15 ㎛, 피치 300 ㎛ 의 정방형 격자상의 개구율은 90 % 이다.In the conductive metal part in the present embodiment, the opening ratio is preferably 85% or more, more preferably 90% or more, and most preferably 95% or more in terms of visible light transmittance. The aperture ratio is the ratio of the conductive portion of the conductive portion (the first major grating 202A, the first connecting portion 106A, the second major grating 202B, the second connecting portion 106B, the sub grating 104, , And the aperture ratio on a square lattice pattern having a line width of 15 占 퐉 and a pitch of 300 占 퐉, for example, is 90%.

[광투과성부][Light transmitting portion]

본 실시형태에 있어서의 「광투과성부」란, 도전성 필름 (10a) 중 도전성 금속부 이외의 투광성을 갖는 부분을 의미한다. 광투과성부에서의 투과율은, 전술한 바와 같이, 투명 기체 (12) 의 광흡수 및 반사의 기여를 제외한 380∼780 ㎚ 의 파장 영역에서의 투과율의 최소값으로 나타내는 투과율이 90 % 이상, 바람직하게는 95 % 이상, 더욱 바람직하게는 97 % 이상이고, 더욱 더 바람직하게는 98 % 이상이고, 가장 바람직하게는 99 % 이상이다.The "light-transmitting portion" in the present embodiment means a portion of the conductive film 10a having a light-transmitting property other than the conductive metal portion. As described above, the transmittance in the light transmissive portion is 90% or more, which is represented by the minimum value of the transmittance in the wavelength region of 380 to 780 nm excluding the contribution of light absorption and reflection of the transparent substrate 12, 95% or more, more preferably 97% or more, still more preferably 98% or more, and most preferably 99% or more.

노광 방법에 관해서는, 유리 마스크를 개재한 방법이나 레이저 묘화에 의한 패턴 노광 방식이 바람직하다.Regarding the exposure method, a method using a glass mask or a pattern exposure method by laser imaging is preferable.

[도전성 필름 (10a)][Conductive film (10a)]

본 실시형태에 관련된 도전성 필름 (10a) 에서의 투명 기체 (12) 의 두께는, 5∼350 ㎛ 인 것이 바람직하고, 30∼150 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 5∼350 ㎛ 의 범위이면 원하는 가시광의 투과율이 얻어지고, 또한, 취급도 용이하다.The thickness of the transparent substrate 12 in the conductive film 10a according to the present embodiment is preferably 5 to 350 占 퐉, more preferably 30 to 150 占 퐉. A transmittance of a desired visible light is obtained in a range of 5 to 350 mu m, and handling is also easy.

투명 기체 (12) 상에 형성되는 금속 은부의 두께는, 투명 기체 (12) 상에 도포되는 은염 감광층용 도료의 도포 두께에 따라 적절히 결정할 수 있다. 금속 은부 (32) 의 두께는, 0.001 ㎜∼0.2 ㎜ 에서 선택 가능한데, 30 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.01∼9 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하고, 0.05∼5 ㎛ 인 것이 가장 바람직하다. 또한, 금속 은부 (32) 는 패턴상인 것이 바람직하다. 금속 은부 (32) 는 1 층이어도 되고, 2 층 이상의 중층 구성이어도 된다. 금속 은부 (32) 가 패턴상이고, 또한 2 층 이상의 중층 구성인 경우, 상이한 파장에 감광할 수 있도록, 상이한 감색성 (感色性) 을 부여할 수 있다. 이것에 의해, 노광 파장을 바꿔 노광하면, 각 층에 있어서 상이한 패턴을 형성할 수 있다.The thickness of the metal silver portion formed on the transparent substrate 12 can be appropriately determined according to the coating thickness of the silver salt photosensitive layer coating material applied on the transparent substrate 12. [ The thickness of the metal silver part 32 can be selected from 0.001 mm to 0.2 mm, preferably 30 占 퐉 or less, more preferably 20 占 퐉 or less, even more preferably 0.01 to 9 占 퐉, and most preferably 0.05 to 5 占 퐉 desirable. It is also preferable that the metal silver part 32 is a patterned one. The metallic silver portion 32 may be a single layer or an intermediate layer of two or more layers. In the case where the metal silver part 32 is in a patterned state and has a middle-layer structure of two or more layers, a different darkness can be imparted so that it can be sensitized to different wavelengths. Thus, when the exposure wavelength is changed and exposed, different patterns can be formed in each layer.

도전성 금속부의 두께는, 터치 패널의 용도로는, 얇을수록 표시 패널의 시야각이 넓어지기 때문에 바람직하고, 시인성의 향상 면에서도 박막화가 요구된다. 이러한 관점에서, 도전성 금속부에 담지된 도전성 금속으로 이루어지는 층의 두께는, 9 ㎛ 미만인 것이 바람직하고, 0.1 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만인 것이 보다 바람직하고, 0.1 ㎛ 이상 3 ㎛ 미만인 것이 더욱 바람직하다.In the use of a touch panel, the thickness of the conductive metal part is preferably because the viewing angle of the display panel becomes wider as the thickness of the conductive metal part is thinner. From this viewpoint, the thickness of the layer made of the conductive metal supported on the conductive metal part is preferably less than 9 占 퐉, more preferably 0.1 占 퐉 or more and less than 5 占 퐉, and still more preferably 0.1 占 퐉 or more and less than 3 占 퐉.

본 실시형태에서는, 상기 서술한 은염 감광층 (30) 의 도포 두께를 컨트롤함으로써 원하는 두께의 금속 은부 (32) 를 형성하고, 또한 물리 현상 및/또는 도금 처리에 의해 도전성 금속 입자로 이루어지는 층의 두께를 자유롭게 컨트롤할 수 있기 때문에, 5 ㎛ 미만, 바람직하게는 3 ㎛ 미만의 두께를 갖는 도전성 필름 (10a) 이어도 용이하게 형성할 수 있다.In this embodiment, the metal silver part 32 having a desired thickness is formed by controlling the coating thickness of the silver salt photosensitive layer 30 described above, and the thickness of the layer made of the conductive metal particles by physical development and / It is possible to easily form the conductive film 10a having a thickness of less than 5 mu m, preferably less than 3 mu m.

또, 본 실시형태에 관련된 도전성 필름 (10a) 의 제조 방법에서는, 도금 등의 공정은 반드시 실시할 필요는 없다. 본 실시형태에 관련된 도전성 필름 (10a) 의 제조 방법에서는 은염 감광층 (30) 의 도포 은량, 은/바인더 체적비를 조정함으로써 원하는 표면 저항을 얻을 수 있기 때문이다. 또, 필요에 따라 캘린더 처리 등을 실시해도 된다.In the method for manufacturing the conductive film 10a according to the present embodiment, it is not always necessary to perform a step such as plating. This is because, in the method for producing the conductive film 10a according to the present embodiment, desired surface resistance can be obtained by adjusting the application amount of silver halide photosensitive layer 30 and the silver / binder volume ratio. It is also possible to perform calendering or the like as necessary.

(현상 처리 후의 경막 처리)(Durability treatment after development)

은염 감광층 (30) 에 대하여 현상 처리를 실시한 후, 경막제에 침지하여 경막 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 경막제로는, 예를 들어 글루타르알데히드, 아디포알데히드, 2,3-디하이드록시-1,4-디옥산 등의 디알데히드류 및 붕산 등의 일본 공개특허공보 평2-141279호에 기재된 것을 들 수 있다.It is preferable that the silver halide photosensitive layer 30 is subjected to developing treatment, and then immersed in a dyestuff to be subjected to a dyestuff treatment. As the film-forming agent, for example, those described in JP-A-2-141279 such as glutaraldehyde, adipoaldehyde, 2,3-dihydroxy-1,4-dioxane and other dialdehydes and boric acid .

도전성 필름 (10a) 및 후술하는 적층 도전성 필름 (154) 에는, 반사 방지층이나 하드코트층 등의 기능층을 부여해도 된다.A functional layer such as an antireflection layer or a hard coat layer may be imparted to the conductive film 10a and the later-described laminated conductive film 154. [

또, 본 발명은, 하기 표 1 및 표 2 에 기재된 공개공보 및 국제공개 팜플렛의 기술과 적절히 조합하여 사용할 수 있다. 「일본 공개특허공보」, 「호 공보」, 「호 팜플렛」등의 표기는 생략한다.The present invention can be suitably used in combination with the techniques disclosed in the open publications and international publication pamphlets described in Tables 1 and 2 below. , "Japanese Patent Laid-Open Publication", "Patent Gazette", "Ho-pamphlet" and the like will be omitted.

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Figure 112011090541689-pat00002
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다음으로, 제 2 실시형태에 관련된 도전성 필름 (10b) 은, 터치 패널 등의 전극으로도 사용되고, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 투명 기체 (12) 와, 그 투명 기체 (12) 상에 형성된 접착층 (62) 과, 접착층 (62) 상에 형성된 금속 세선 (16) 에 의한 도전부 (14) 와, 도전부 (14) 와 접착층 (62) 이 노출된 부분을 피복하도록 형성된 투명 피복층 (64) 을 갖는다. 특히, 접착층 (62) 과 투명 피복층 (64) 의 굴절률의 차는 0.1 이하이고, 0.08 이하가 보다 바람직하고, 0.05 이하가 더욱 바람직하다. 이 도전성 필름 (10b) 에서도, 상기 서술한 모아레 억지부 (26) 가 형성되어 있어도 된다.12, the conductive film 10b according to the second embodiment is also used as an electrode of a touch panel or the like and includes a transparent substrate 12 and an adhesive layer (not shown) formed on the transparent substrate 12 And a transparent covering layer 64 formed so as to cover the exposed portion of the conductive portion 14 and the adhesive layer 62. The transparent cover layer 64 is formed of a metal thin wire 16 formed on the adhesive layer 62, . In particular, the difference in refractive index between the adhesive layer 62 and the transparent coating layer 64 is preferably 0.1 or less, more preferably 0.08 or less, and even more preferably 0.05 or less. In this conductive film 10b, the moiré inhibition portion 26 described above may also be formed.

여기서, 도전성 필름 (10b) 의 제조 방법에 관해서 도 13a∼도 13c 를 참조하면서 설명한다.Here, a method of manufacturing the conductive film 10b will be described with reference to Figs. 13A to 13C.

먼저, 도 13a 에 나타내는 바와 같이, 투명 기체 (12) 의 일주면 (12a) 상에 접착층 (62) 을 개재하여 도전성 재료의 금속박 (66) 을 첩합한다. 이 때, 접착층 (62) 에 대한 첩합면이 조면화되어 있는 금속박 (66) 을 접착층 (62) 에 첩합한다. 이것에 의해, 접착층 (62) 중, 금속박 (66) 과의 첩합면에, 금속박 (66) 의 상기 조면 형상이 전사된다.First, as shown in Fig. 13A, a metal foil 66 made of a conductive material is bonded onto the main surface 12a of the transparent base 12 with an adhesive layer 62 interposed therebetween. At this time, the metal foil 66 having the roughened surface of the adhesive layer 62 is bonded to the adhesive layer 62. Thus, the roughened surface of the metal foil 66 is transferred to the surface of the adhesive layer 62 that is adhered to the metal foil 66.

도 13b 에 나타내는 바와 같이, 접착층 (62) 상의 금속박 (66) 을 케미컬 에칭 프로세스에 의해 일부 제거하여, 선폭이 9 ㎛ 이하, 두께가 3 ㎛ 이하인 금속박 (66) (금속 세선 (16)) 으로 이루어지는 도전 패턴 (120) 을 형성한다. 즉, 금속 세선 (16) 에 의한 도전부 (14) 를 형성한다.The metal foil 66 on the adhesive layer 62 is partially removed by a chemical etching process to form a metal foil 66 having a line width of 9 mu m or less and a thickness of 3 mu m or less Conductive pattern 120 is formed. That is, the conductive portion 14 is formed by the metal thin wire 16.

도 13c 에 나타내는 바와 같이, 도전 패턴 (120) 과 접착층 (62) 이 노출되는 부분에 걸쳐, 접착층 (62) 과의 굴절률의 차가 0.1 이하인 투명 피복층 (64) 으로 피복한다.As shown in Fig. 13C, the transparent cover layer 64 covering the conductive pattern 120 and the adhesive layer 62 with a difference in refractive index from the adhesive layer 62 is 0.1 or less.

접착층 (62) 상의 금속박 (66) 이 제거된 부분은, 금속박 (66) 의 첩합면의 조면 형상이 전사되므로, 조면 형상에 있어서 광이 산란되고, 투명성이 저해되게 된다. 그러나, 본 실시형태에 관련된 제조 방법에서는, 상기 서술한 조면 형상 위에, 접착층 (62) 과의 굴절률의 차가 0.1 이하인 투명 피복층 (64) 을 피복하도록 하고 있기 때문에, 조면 형상에서의 난반사가 최소한으로 억제되고, 투명성이 발현하게 된다.In the portion of the adhesive layer 62 where the metal foil 66 is removed, since the rough surface shape of the metal foil 66 is transferred, the light is scattered in the rough surface shape, and transparency is impaired. However, in the manufacturing method according to the present embodiment, since the transparent cover layer 64 having a refractive index difference of 0.1 or less from the adhesive layer 62 is coated on the above-described rough surface shape, irregular reflection on the rough surface shape is minimized And transparency is developed.

상기 서술한 제조 방법에 있어서, 투명 기체 (12) 상에 형성된 도전 패턴 (120) 은, 선폭이 9 ㎛ 이하, 두께가 3 ㎛ 이하인 금속 세선 (16) 으로 구성되어 있기 때문에, 육안으로 시인되기 어렵다는 효과도 나타낸다.In the above-described manufacturing method, since the conductive pattern 120 formed on the transparent substrate 12 is composed of the thin metal wires 16 having a line width of 9 m or less and a thickness of 3 m or less, It also shows the effect.

다음으로, 본 실시형태에 관련된 도전성 필름 (10b) 의 구성 부재의 바람직한 양태에 관해서 이하에 설명한다.Next, preferred embodiments of the constituent members of the conductive film 10b according to the present embodiment will be described below.

[투명 기체 (12)][Transparent gas (12)]

투명 기체 (12) 는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르류, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, EVA 등의 폴리올레핀류, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴 등의 비닐계 수지, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리아미드, 폴리이미드, 아크릴 수지 등의 플라스틱으로 이루어지는 필름으로, 전체 가시광 투과율이 70 % 이상인 것이 바람직하다.The transparent substrate 12 may be made of a material selected from the group consisting of polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate, polyolefins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene and EVA, vinyl resins such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride, A film made of plastic such as polysulfone, polyethersulfone, polycarbonate, polyamide, polyimide, and acrylic resin, and has a total visible light transmittance of 70% or more.

투명 기체 (12) 는, 터치 패널의 기능을 방해하지 않을 정도로 착색되어 있어도 되고, 또한 단층으로 사용할 수도 있는데, 2 층 이상을 조합한 다층 필름으로서 사용해도 된다. 이 중 투명성, 내열성, 취급 용이성, 가격 면에서 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 가장 적합하다. 이 투명 기체 (12) 의 두께는, 얇으면 취급성이 나쁘고, 두꺼우면 가시광의 투과율이 저하되기 때문에 5∼200 ㎛ 가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 10∼100 ㎛ 이고, 보다 바람직하게는 25∼50 ㎛ 이다.The transparent substrate 12 may be colored to such an extent as not to interfere with the function of the touch panel, or may be used as a single layer, but may be used as a multilayer film in which two or more layers are combined. Among these, polyethylene terephthalate film is most suitable in terms of transparency, heat resistance, ease of handling, and price. The thickness of the transparent substrate 12 is preferably from 5 to 200 占 퐉 because the thickness of the transparent substrate 12 is poor when it is thin and the transmittance of visible light is low when the thickness is large. More preferably 10 to 100 占 퐉, and still more preferably 25 to 50 占 퐉.

[금속 세선 (16)][Metal fine wire (16)]

금속 세선 (16) 으로는, 구리, 알루미늄, 니켈, 철, 금, 은, 스테인리스, 텅스텐, 크롬, 티탄 등의 금속 중의 1 종 또는 2 종 이상을 조합한 합금을 사용할 수 있다. 이 중, 터치 패널의 전극으로서, 도전성, 회로 가공의 용이성 면에서 금 또는 은이 적합하고, 두께가 3 ㎛ 이하의 금박인 것이 바람직하다.As the metal thin wire 16, an alloy containing one or more of metals such as copper, aluminum, nickel, iron, gold, silver, stainless steel, tungsten, chrome and titanium may be used. Among them, it is preferable that gold or silver is suitable as the electrode of the touch panel in terms of conductivity and ease of circuit processing, and gold foil having a thickness of 3 占 퐉 or less.

금속 세선 (16) 으로서 은을 사용하는 경우에는, 경시적으로 산화되어 퇴색되는 것을 방지하기 위해, 표면을 흑화 처리하는 것이 바람직하다. 흑화 처리는, 도전 패턴 (120) 의 형성 전후에서 실시하면 되는데, 도전 패턴 (120) 의 형성 후에 있어서, 프린트 배선판 분야에서 실시되고 있는 방법을 사용하여 실시할 수 있다. 예를 들어, 아염소산나트륨 (31 g/ℓ), 수산화나트륨 (15 g/ℓ), 인산 3 나트륨 (12 g/ℓ) 의 수용액 중, 95 ℃ 에서 2 분간 처리함으로써 실시할 수 있다.In the case of using silver as the metal thin wire 16, it is preferable to blacken the surface in order to prevent the metal from being oxidized and discolored over time. The blackening treatment may be performed before or after the formation of the conductive pattern 120. This can be carried out after the formation of the conductive pattern 120 by using a method practiced in the field of printed wiring boards. For example, at 95 占 폚 for 2 minutes in an aqueous solution of sodium hypochlorite (31 g / l), sodium hydroxide (15 g / l) and trisodium phosphate (12 g / l).

금속 세선 (16) 을, 투명 기체 (12) 상에 밀착시키는 방법으로는, 아크릴이나 에폭시계 수지를 주성분으로 한 접착층 (62) 을 개재하여 첩합하는 것이 가장 간편하다. 금속 세선 (16) 의 막두께를 작게 할 필요가 있는 경우에는, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이트법, 화학 증착법, 무전해·전기 도금법 등의 박막 형성 기술 중의 1 개 또는 2 개 이상의 방법을 조합함으로써 달성할 수 있다.As a method of bringing the metal thin wires 16 into close contact with the transparent substrate 12, it is most convenient to join them via the adhesive layer 62 made mainly of acrylic or epoxy resin. When it is necessary to reduce the film thickness of the metal thin wire 16, one or two or more of thin film forming techniques such as a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a chemical vapor deposition method, and an electroless and electroplating method may be combined .

[도전 패턴 (120)][Conductive pattern 120]

투명 기체 (12) 상에 도전 패턴 (120) 을 형성하는 방법으로는, 상기 서술한 제조 방법과 같이, 투명 기체 (12) 상에 금속박 (66) 을 형성한 후, 케미컬 에칭 프로세스에 의해 금속 세선 (16) 에 의한 도전 패턴 (120) 을 형성하는 것이, 가공성 면에서 효과적이다. 그 밖에, 도전 패턴 (120) 을 그린 마스크를 사용하여 투명 기체 (12) 상에 배치한 감광성 수지층을 노광, 현상하고, 무전해 도금이나 전기 도금을 조합하여 금속 세선 (16) 에 의한 도전 패턴 (120) 을 형성하는 방법 등이 있다. 터치 패널에 적용한 도전 패턴 (120) 의 예는 후술한다.As a method of forming the conductive pattern 120 on the transparent substrate 12, a metal foil 66 is formed on the transparent substrate 12 as in the above-described manufacturing method, It is effective in terms of processability to form the conductive pattern 120 by the conductive pattern 16. In addition, the photosensitive resin layer disposed on the transparent substrate 12 is exposed and developed using a mask for drawing the conductive pattern 120, and a conductive pattern (not shown) formed by the thin metal wires 16 is formed by combining electroless plating and electroplating. And a method of forming the insulating layer 120 may be used. An example of the conductive pattern 120 applied to the touch panel will be described later.

[접착층 (62)][Adhesive layer (62)]

접착층 (62) 으로는, 예를 들어 에폭시계의 접착층이나, 아크릴계의 접착층을 사용할 수 있다.As the adhesive layer 62, for example, an epoxy adhesive layer or an acrylic adhesive layer can be used.

[투명 피복층 (64)][Transparent Coating Layer (64)]

본 실시형태에 관련된 제조 방법에 의해 제조한 도전성 필름 (10b) 은, 도전 패턴 (120) 을 피복하기 위한 투명 피복층 (64) 은 접착층 (62) 과의 굴절률의 차가 0.1 이하가 된다. 이것은, 접착층 (62) 과 투명 피복층 (64) 의 굴절률이 상이하면 가시광 투과율이 저하되기 때문이고, 굴절률의 차가 0.1 이하이면 가시광 투과율의 저하가 적어 양호해진다.The difference between the refractive index of the transparent cover layer 64 for covering the conductive pattern 120 and the adhesive layer 62 is 0.1 or less in the conductive film 10b produced by the manufacturing method according to the present embodiment. This is because the visible light transmittance is lowered when the refractive indexes of the adhesive layer 62 and the transparent coating layer 64 are different from each other, and when the difference in refractive index is 0.1 or less, the visible light transmittance is lowered.

이러한 요건을 만족하는 투명 피복층 (64) 의 재료로는, 투명 기체 (12) 가 폴리에틸렌테레프탈레이트 (n=1.575 : 굴절률) 인 경우, 비스페놀 A 형 에폭시 수지나 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 테트라하이드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 레조르신형 에폭시 수지, 폴리알코올·폴리글리콜형 에폭시 수지, 폴리올레핀형 에폭시 수지, 지환식이나 할로겐화비스페놀 등의 에폭시 수지 (모두 굴절률이 1.55∼1.60) 를 사용할 수 있다. 에폭시 수지 이외에는 천연 고무 (n=1.52), 폴리이소프렌 (n=1.521), 폴리-1,2-부타디엔 (n=1.50), 폴리이소부텐 (n=1.505∼1.51), 폴리부텐 (n=1.5125), 폴리-2-헵틸-1,3-부타디엔 (n=1.50), 폴리-2-t-부틸-1,3-부타디엔 (n=1.506), 폴리-1,3-부타디엔 (n=1.515) 등의 (디)엔류, 폴리옥시에틸렌 (n=1.4563), 폴리옥시프로필렌 (n=1.4495), 폴리비닐에틸에테르 (n=1.454), 폴리비닐헥실에테르 (n=1.4591), 폴리비닐부틸에테르 (n=1.4563) 등의 폴리에테르류, 폴리비닐아세테이트 (n=1.4665), 폴리비닐프로피오네이트 (n=1.4665) 등의 폴리에스테르류, 폴리우레탄 (n=1.5∼1.6), 에틸셀룰로오스 (n=1.479), 폴리염화비닐 (n=1.54∼1.55), 폴리아크릴로니트릴 (n=1.52), 폴리메타크릴로니트릴 (n=1.52), 폴리술폰 (n=1.633), 폴리술피드 (n=1.6), 페녹시 수지 (n=1.5∼1.6) 등을 들 수 있다. 이들은, 바람직한 가시광 투과율을 발현한다.When the transparent substrate 12 is made of polyethylene terephthalate (n = 1.575: refractive index), the material of the transparent coating layer 64 satisfying these requirements is preferably a bisphenol A epoxy resin, a bisphenol F epoxy resin, a tetrahydroxyphenyl Epoxy resins such as methane type epoxy resin, novolak type epoxy resin, resorcinol type epoxy resin, polyalcohol / polyglycol type epoxy resin, polyolefin type epoxy resin and alicyclic or halogenated bisphenol (both having a refractive index of 1.55 to 1.60) . (N = 1.52), polyisoprene (n = 1.521), poly-1,2-butadiene (n = 1.50), polyisobutene (n = 1.505 to 1.51) (N = 1.50), poly-2-heptyl-1,3-butadiene (n = 1.50) Polypropylene (n = 1.4495), polyvinyl ethyl ether (n = 1.454), polyvinylhexyl ether (n = 1.4591), polyvinyl butyl ether (n = 1.4563), polyesters such as polyvinyl acetate (n = 1.4665) and polyvinyl propionate (n = 1.4665), polyurethane (n = 1.5-1.6), ethyl cellulose (n = 1.479 ), Polyvinyl chloride (n = 1.54 to 1.55), polyacrylonitrile (n = 1.52), polymethacrylonitrile (n = 1.52), polysulfone (n = 1.633), polysulfide , Phenoxy resin (n = 1.5 to 1.6), and the like. They exhibit a desirable visible light transmittance.

한편, 투명 기체 (12) 가 아크릴 수지인 경우, 상기 수지 이외에, 폴리에틸아크릴레이트 (n=1.4685), 폴리부틸아크릴레이트 (n=1.466), 폴리-2-에틸헥실아크릴레이트 (n=1.463), 폴리-t-부틸아크릴레이트 (n=1.4638), 폴리-3-에톡시프로필아크릴레이트 (n=1.465), 폴리옥시카르보닐테트라메타크릴레이트 (n=1.465), 폴리메틸아크릴레이트 (n=1.472∼1.480), 폴리이소프로필메타크릴레이트 (n=1.4728), 폴리도데실메타크릴레이트 (n=1.474), 폴리테트라데실메타크릴레이트 (n=1.4746), 폴리-n-프로필메타크릴레이트 (n=1.484), 폴리-3,3,5-트리메틸시클로헥실메타크릴레이트 (n=1.484), 폴리에틸메타크릴레이트 (n=1.485), 폴리-2-니트로-2-메틸프로필메타크릴레이트 (n=1.4868), 폴리테트라카르바닐메타크릴레이트 (n=1.4889), 폴리-1,1-디에틸프로필메타크릴레이트 (n=1.4889), 폴리메틸메타크릴레이트 (n=1.4893) 등의 폴리(메트)아크릴산에스테르가 사용 가능하다. 이들 아크릴폴리머는 필요에 따라, 2 종 이상 공중합해도 되고, 2 종류 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.(N = 1.4665), polybutyl acrylate (n = 1.466), poly-2-ethylhexyl acrylate (n = 1.463), and the like were used in place of the above-mentioned resin in the case where the transparent substrate 12 was an acrylic resin. , Poly-t-butyl acrylate (n = 1.4638), poly-3-ethoxypropyl acrylate (n = 1.465), polyoxycarbonyltetramethacrylate (n = 1.465), polymethyl acrylate 1.472 to 1.480), polyisopropyl methacrylate (n = 1.4728), polydodecyl methacrylate (n = 1.474), polytetradecyl methacrylate (n = 1.4746), poly-n-propyl methacrylate n = 1.484), poly-3,3,5-trimethylcyclohexylmethacrylate (n = 1.484), polyethylmethacrylate (n = 1.485), poly-2-nitro-2-methylpropyl methacrylate n = 1.4868), polytetracarbanyl methacrylate (n = 1.4889), poly-1,1-diethylpropyl methacrylate (n = 1.4889), polymethyl methacrylate 893) can be used as the poly (meth) acrylate. These acrylic polymers may be copolymerized with two or more kinds, if necessary, or two or more kinds may be mixed and used.

또한, 아크릴 수지와 아크릴 이외의 공중합 수지로는 에폭시아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트 등도 사용할 수도 있다. 특히 접착성 면에서, 에폭시아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트가 우수하고, 에폭시아크릴레이트로는, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 알릴알코올디글리시딜에테르, 레조르시놀디글리시딜에테르, 아디프산디글리시딜에스테르, 프탈산디글리시딜에스테르, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 글리세린트리글리시딜에테르, 펜타에리트리톨테트라글리시딜에테르, 소르비톨테트라글리시딜에테르 등의 (메트)아크릴산 부가물을 들 수 있다. 에폭시아크릴레이트는 분자 내에 수산기를 갖기 때문에 접착성 향상에 유효하고, 이들 공중합 수지는 필요에 따라, 2 종 이상 병용할 수 있다. 투명 피복층 (64) 의 주성분이 되는 폴리머의 중량 평균 분자량은, 1,000 이상인 것이 사용된다. 분자량이 1,000 이하이면 조성물의 응집력이 지나치게 낮기 때문에 피착체 (투명 기체 (12), 접착층 (62), 도전 패턴 (120)) 에 대한 밀착성이 저하된다.As an acrylic resin and a copolymer resin other than acrylic, an epoxy acrylate, a urethane acrylate, a polyether acrylate, and a polyester acrylate may also be used. Particularly, from the viewpoint of adhesiveness, epoxy acrylate and polyether acrylate are excellent. Examples of the epoxy acrylate include 1,6-hexanediol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, allyl alcohol diglycidyl ether Diallyl ether, resorcinol diglycidyl ether, adipic acid diglycidyl ester, phthalic acid diglycidyl ester, polyethylene glycol diglycidyl ether, trimethylol propane triglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, pentaerythritol (Meth) acrylic acid adducts such as glycidyl glycidyl ether, lauryl tetraglycidyl ether, sorbitol tetraglycidyl ether and the like. The epoxy acrylate is effective for improving the adhesiveness because it has a hydroxyl group in the molecule, and these copolymer resins can be used in combination of two or more as needed. The weight average molecular weight of the polymer as the main component of the transparent coating layer 64 is 1,000 or more. If the molecular weight is 1,000 or less, the adhesion of the adherend to the adherend (the transparent substrate 12, the adhesive layer 62, and the conductive pattern 120) deteriorates because the cohesive force of the composition is excessively low.

투명 피복층 (64) 의 경화제로는 트리에틸렌테트라민, 자일렌디아민, 디아미노디페닐메탄 등의 아민류, 무수 프탈산, 무수 말레산, 무수 도데실숙신산, 무수 피로멜리트산, 무수 벤조페논테트라카르복실산 등의 산 무수물, 디아미노디페닐술폰, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 폴리아미드 수지, 디시안디아미드, 에틸메틸이미다졸 등을 사용할 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다. 이들 가교제의 첨가량은 상기 폴리머 100 중량부에 대하여 0.1∼50 중량부, 바람직하게는 1∼30 중량부의 범위에서 선택하는 것이 좋다. 이 첨가량이, 0.1 중량부 미만이면 경화가 불충분해지고, 50 중량부를 초과하면 과잉 가교가 되어, 접착성에 악영향을 주는 경우가 있다.Examples of the curing agent for the transparent coating layer 64 include amines such as triethylenetetramine, xylenediamine and diaminodiphenylmethane, phthalic anhydride, maleic anhydride, dodecylsuccinic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic anhydride Acid anhydrides such as acid, diaminodiphenylsulfone, tris (dimethylaminomethyl) phenol, polyamide resin, dicyandiamide, ethylmethylimidazole and the like can be used. These may be used alone or in combination of two or more. These crosslinking agents are preferably added in an amount of 0.1 to 50 parts by weight, preferably 1 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer. If the amount is less than 0.1 part by weight, curing becomes insufficient, and if it exceeds 50 parts by weight, excessive crosslinking may occur, and adherence may be adversely affected.

본 실시형태에서 사용하는 투명 피복층 (64) 의 수지 조성물에는 필요에 따라, 희석제, 가소제, 산화 방지제, 충전제, 점착 부여제 등의 첨가제를 배합해도 된다. 그리고, 이 투명 피복층 (64) 의 수지 조성물은, 투명 기체 (12) 상의 도전 패턴 (120) 을 포함하는 부분 또는 전체면을 피복하기 위해 도포되고, 용매 건조, 가열 경화 공정을 거친 후, 접착 필름으로 한다. 이 접착 필름의 투명 피복층 (64) 에 의해, 액정 표시 장치나 유기 EL, 무기 EL 등의 디스플레이에 직접 첩부하여 디스플레이용의 터치 패널로서 사용하거나, 미리 키버튼이나 숫자 등의 아이콘이나 마크가 그려진 아크릴판, 유리판 등의 판이나 시트에 첩부하여, 디스플레이와는 독립된 키보드나 텐키용 터치 패널로서 사용할 수 있다.Additives such as a diluent, a plasticizer, an antioxidant, a filler, and a tackifier may be added to the resin composition of the transparent coating layer 64 used in the present embodiment, if necessary. The resin composition of the transparent coating layer 64 is applied to cover a portion or an entire surface including the conductive pattern 120 on the transparent substrate 12 and subjected to a solvent drying and heat curing process, . The transparent coating layer 64 of the adhesive film can directly be applied to a display such as a liquid crystal display, an organic EL, or an inorganic EL to be used as a touch panel for a display, or an acrylic It can be used as a keyboard or a touch panel for a ten-key independent of the display by being attached to a plate or sheet such as a plate or a glass plate.

[터치 패널에 대한 응용예][Application example for touch panel]

다음으로, 도전성 필름 (10a), 도전성 필름 (10b) 을 사용하여 터치 패널 (150) 을 구성한 예에 관해서 도 14∼도 21 을 참조하면서 설명한다. 또, 터치 패널 (150) 로는, 저항막식이어도 되고, 정전 용량식의 터치 패널이어도 된다.Next, an example in which the touch panel 150 is formed using the conductive film 10a and the conductive film 10b will be described with reference to Figs. 14 to 21. Fig. The touch panel 150 may be a resistive type or a capacitive touch panel.

터치 패널 (150) 은, 센서 본체 (152) 와 도시하지 않은 제어 회로 (IC 회로 등으로 구성) 를 갖는다. 센서 본체 (152) 는, 도 14, 도 15 및 도 16a (또는 도 17a) 에 나타내는 바와 같이, 후술하는 제 1 도전성 필름 (10A) 과 제 2 도전성 필름 (10B) 을 적층하여 구성된 적층 도전성 필름 (154) 과, 그 위에 적층된 보호층 (156) 을 갖는다. 적층 도전성 필름 (154) 및 보호층 (156) 은, 예를 들어 액정 디스플레이 등의 표시 장치 (157) 에 있어서의 표시 패널 (158) 상에 배치되게 되어 있다. 제 1 도전성 필름 (10A) 및 제 2 도전성 필름 (10B) 은, 상기 서술한 도전성 필름 (10a) (도 1, 도 2, 도 16a 참조) 또는 도전성 필름 (10b) (도 12, 도 17a 참조) 으로 구성되어 있다. 센서 본체 (152) 는, 상면으로부터 보았을 때, 표시 패널 (158) 의 표시 화면 (158a) 에 대응한 영역에 배치된 센서부 (160) 와, 표시 패널 (158) 의 외주 부분에 대응하는 영역에 배치된 단자 배선부 (162) (이른바 액자) 를 갖는다.The touch panel 150 has a sensor main body 152 and a control circuit (composed of an IC circuit or the like) not shown. As shown in Figs. 14, 15 and 16A (or 17A), the sensor main body 152 is formed by laminating a first conductive film 10A and a second conductive film 10B, which will be described later 154, and a protective layer 156 stacked thereon. The laminated conductive film 154 and the protective layer 156 are disposed on the display panel 158 of the display device 157 such as a liquid crystal display. The first conductive film 10A and the second conductive film 10B may be formed by using the conductive film 10a described above (see Figs. 1, 2 and 16A) or the conductive film 10b (see Figs. 12 and 17A) . The sensor main body 152 has a sensor portion 160 disposed in an area corresponding to the display screen 158a of the display panel 158 as viewed from the top surface and a sensor portion 160 disposed in an area corresponding to the outer peripheral portion of the display panel 158 And a terminal wiring portion 162 (so-called frame) arranged therein.

터치 패널 (150) 에 적용한 제 1 도전성 필름 (10A) 은, 도 2 에 나타내는 도전성 필름 (10a) 을 사용한 경우, 도 15, 도 16a 및 도 18 에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 기체 (12A) (도 16a 참조) 의 일주면 상에 형성된 제 1 도전부 (14A) 를 갖는다. 도 12 에 나타내는 도전성 필름 (10b) 을 사용한 경우, 도 8, 도 17a 및 도 18 에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 기체 (12A) 와, 그 제 1 투명 기체 (12A) 의 일주면 (12Aa) 상에 제 1 접착층 (62a) 을 개재하여 형성된 금속 세선 (16) 에 의한 제 1 도전부 (14A) 와, 제 1 도전부 (14A) 와 노출되는 제 1 접착층 (62a) 을 피복하도록 형성되고, 제 1 접착층 (62a) 과의 굴절률의 차가 0.1 이하인 제 1 투명 피복층 (64a) 을 갖는다.When the conductive film 10a shown in Fig. 2 is used as the first conductive film 10A applied to the touch panel 150, as shown in Figs. 15, 16A, and 18, the first transparent substrate 12A (See Fig. 16A). The first conductive portion 14A is formed on one main surface of the first conductive portion 14A. When the conductive film 10b shown in Fig. 12 is used, as shown in Figs. 8, 17A, and 18, the first transparent substrate 12A and the first transparent substrate 12A, Is formed so as to cover the first conductive portion 14A formed by the thin metal wire 16 formed through the first adhesive layer 62a and the first adhesive layer 62a exposed to the first conductive portion 14A, And the first transparent coating layer 64a having a difference in refractive index from the one adhesive layer 62a of 0.1 or less.

제 1 도전부 (14A) 는, 도 18 에 나타내는 바와 같이, 각각 제 3 방향 (m 방향) 으로 연장되고, 또한, 제 3 방향과 직교하는 제 4 방향 (n 방향) 에 배열되고, 다수의 격자로 구성된 금속 세선 (16) 에 의한 2 이상의 제 1 도전 패턴 (120A) (메시 패턴 (20) 을 갖는다) 과, 각 제 1 도전 패턴 (120A) 의 주변에 배열된 금속 세선 (16) 에 의한 제 1 보조패턴 (200A) 을 갖는다.18, the first conductive portions 14A extend in the third direction (m direction) and are arranged in the fourth direction (n direction) orthogonal to the third direction, and the plurality of gratings Two or more first conductive patterns 120A (having a mesh pattern 20) formed by a metal thin wire 16 composed of a plurality of metal wires 16 and metal thin wires 16 arranged around the first conductive patterns 120A 1 auxiliary pattern 200A.

제 1 도전 패턴 (120A) 은, 2 이상의 제 1 대격자 (202A) 가 제 3 방향으로 직렬로 접속되어 구성되고, 각 제 1 대격자 (202A) 는, 각각 2 이상의 소격자 (204) 가 조합되어 구성되어 있다. 또한, 제 1 대격자 (202A) 의 변 주위에, 제 1 대격자 (202A) 와 비접속이 된 상기 서술한 제 1 보조 패턴 (200A) 이 형성되어 있다.The first conductive pattern 120A is formed by connecting two or more first major gratings 202A in series in a third direction and each first major grating 202A is formed by combining two or more minor gratings 204 . The above-described first auxiliary pattern 200A, which is not connected to the first large grid 202A, is formed around the sides of the first large grid 202A.

인접하는 제 1 대격자 (202A) 사이에는, 이들 제 1 대격자 (202A) 를 전기적으로 접속하는 제 1 접속부 (206A) 가 형성되어 있다. 제 1 접속부 (206A) 는, n 개 (n 은 1 보다 큰 실수) 의 소격자 (204) 가 제 2 방향 (y 방향) 으로 배열된 크기의 중격자 (208) 가 배치되어 구성되어 있다. 제 1 대격자 (202A) 의 제 1 방향 (x 방향) 을 따른 변 중, 중격자 (208) 와 인접하는 부분에는, 소격자 (204) 의 1 개의 변이 제거된 제 1 제거부 (210A) 가 형성되어 있다. 소격자 (204) 는, 여기서는 가장 작은 정방 형상으로 되어 있다. 중격자 (208) 는, 도 18 의 예에서는, 3 개분의 소격자 (204) 가 제 2 방향으로 배열된 크기를 갖는다.A first connecting portion 206A for electrically connecting these first large gratings 202A is formed between the adjacent first large gratings 202A. The first connecting portion 206A is configured by disposing a septum 208 having a size in which n (n is a real number greater than 1) small gratings 204 are arranged in a second direction (y direction). A first removal unit 210A in which one side of the sub grating 204 is removed is provided at a portion adjacent to the septum 208 among the sides along the first direction (x direction) of the first major grid 202A Respectively. The sub grating 204 has the smallest square shape here. In the example of FIG. 18, the septum 208 has a size in which three small gratings 204 are arranged in the second direction.

또한, 인접하는 제 1 도전 패턴 (120A) 사이는 전기적으로 절연된 제 1 절연부 (212A) 가 배치되어 있다.In addition, a first insulation portion 212A electrically insulated between adjacent first conductive patterns 120A is disposed.

상기 서술한 제 1 보조 패턴 (200A) 은, 제 1 대격자 (202A) 의 변 (203a) 중, 제 1 방향을 따른 변 (203a) 을 따라 배열된 복수의 제 1 보조선 (214A) (제 2 방향을 축선 방향으로 한다) 과, 제 1 대격자 (202A) 의 변 (203a) 중, 제 2 방향을 따른 변 (203a) 을 따라 배열된 복수의 제 1 보조선 (214A) (제 1 방향을 축선 방향으로 한다) 과, 제 1 절연부 (212A) 에서, 각각 2 개의 제 1 보조선 (214A) 이 L 자상으로 조합된 2 개의 제 1 의 L 자상 패턴 (216A) 이 서로 대향하여 배치된 패턴을 갖는다.The first auxiliary pattern 200A described above includes a plurality of first auxiliary lines 214A arranged along the side 203a along the first direction among the side 203a of the first large grid 202A A plurality of first auxiliary lines 214A arranged along the side 203a along the second direction among the side 203a of the first large grid 202A And two first L-shaped patterns 216A in which two first auxiliary lines 214A are combined in an L-shaped pattern are arranged so as to face each other in the first insulating portion 212A Pattern.

각 제 1 보조선 (214A) 의 축선 방향의 길이는, 소격자 (204) 의 내주를 따른 1 개의 변의 4/5 이하, 바람직하게는 1/2 이하의 길이를 갖는다. 또한, 각 제 1 보조선 (214A) 은, 제 1 대격자 (202A) 에서 소정 거리만큼 이간된 위치에 형성되어 있다. 소정 거리는, 소격자 (204) 의 내주를 따른 1 개의 변의 길이로부터 제 1 보조선 (214A) 의 축선 방향의 길이를 뺀 길이이다. 예를 들어 제 1 보조선 (214A) 의 축선 방향의 길이가, 소격자 (204) 의 내주를 따른 1 개의 변의 4/5 나 1/2 이면, 상기 소정 거리는, 소격자 (204) 의 내주를 따른 1 개의 변의 1/5 나 1/2 이 된다.The length of each first auxiliary line 214A in the axial direction has a length of 4/5 or less, preferably 1/2 or less of one side along the inner periphery of the sub-grating 204. [ Each of the first auxiliary lines 214A is formed at a position spaced apart from the first large grid 202A by a predetermined distance. The predetermined distance is a length obtained by subtracting the length in the axial direction of the first auxiliary line 214A from the length of one side along the inner periphery of the sub grating 204. [ For example, if the length of the first auxiliary line 214A in the axial direction is 4/5 or 1/2 of one side along the inner periphery of the sub-grating 204, Or one-half or one-half of one side.

상기 서술한 바와 같이 구성된 제 1 도전성 필름 (10A) 은, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 각 제 1 도전 패턴 (120A) 의 일방의 단부측에 존재하는 제 1 대격자 (202A) 의 개방단은, 제 1 접속부 (206A) 가 존재하지 않는 형상으로 되어 있다. 각 제 1 도전 패턴 (120A) 의 타방의 단부측에 존재하는 제 1 대격자 (202A) 의 단부는, 제 1 결선부 (184a) 를 개재하여 금속 세선 (16) 에 의한 제 1 단자 배선 패턴 (186a) 에 전기적으로 접속되어 있다.15, the open end of the first large grid 202A, which is present on one end side of each first conductive pattern 120A, is connected to the first conductive film 10A, So that the first connecting portion 206A does not exist. The end portion of the first major grid 202A existing on the other end side of each first conductive pattern 120A is electrically connected to the first terminal wiring pattern (not shown) formed by the thin metal wire 16 via the first wire connecting portion 184a 186a.

즉, 터치 패널 (150) 에 적용한 제 1 도전성 필름 (10A) 은, 도 14 및 도 15 에 나타내는 바와 같이, 센서부 (160) 에 대응한 부분에, 상기 서술한 다수의 제 1 도전 패턴 (120A) 이 배열되고, 단자 배선부 (162) 에는 각 제 1 결선부 (184a) 로부터 도출된 복수의 제 1 단자 배선 패턴 (186a) 이 배열되어 있다.14 and 15, the first conductive film 10A applied to the touch panel 150 is provided with a plurality of first conductive patterns 120A And a plurality of first terminal wiring patterns 186a led out from the first wiring portions 184a are arranged in the terminal wiring portion 162. [

도 14 의 예에서는, 제 1 도전성 필름 (10A) 의 외형은, 상면으로부터 보아 장방 형상을 갖고, 센서부 (160) 의 외형도 장방 형상을 갖는다. 단자 배선부 (162) 중, 제 1 도전성 필름 (10A) 의 일방의 장변측의 주연부에는, 그 길이 방향 중앙 부분에, 복수의 제 1 단자 (188a) 가 상기 일방의 장변의 길이 방향으로 배열 형성되어 있다. 또한, 센서부 (160) 의 일방의 장변 (제 1 도전성 필름 (10A) 의 일방의 장변에 가장 가까운 장변 : n 방향) 을 따라 복수의 제 1 결선부 (184a) 가 직선상으로 배열되어 있다. 각 제 1 결선부 (184a) 에서 도출된 제 1 단자 배선 패턴 (186a) 은, 제 1 도전성 필름 (10A) 의 일방의 장변에서의 거의 중앙부를 향하여 주회되고, 각각 대응하는 제 1 단자 (188a) 에 전기적으로 접속되어 있다.In the example of Fig. 14, the outer shape of the first conductive film 10A has a rectangular shape as viewed from the upper surface, and the outer shape of the sensor portion 160 also has a rectangular shape. A plurality of first terminals 188a are arranged in the longitudinal direction of one long side of the first conductive film 10A in the longitudinally central portion of the one long side of the first conductive film 10A among the terminal wiring portions 162 . A plurality of first connection portions 184a are arranged in a straight line along one long side of the sensor portion 160 (long side nearest to one long side of one side of the first conductive film 10A: n direction). The first terminal wiring patterns 186a led out from the respective first connection portions 184a are routed toward the substantially central portion on one long side of the first conductive film 10A and are connected to the corresponding first terminals 188a, As shown in Fig.

터치 패널 (150) 에 적용한 제 1 도전성 필름 (10A) 은, 도 2 에 나타내는 도전성 필름 (10a) 을 사용한 경우, 도 15, 도 16a 및 도 18 에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 기체 (12A) (도 16a 참조) 의 일주면 상에 형성된 제 1 도전부 (14A) 를 갖는다. 도 12 에 나타내는 도전성 필름 (10b) 을 사용한 경우, 도 15, 도 17a 및 도 18 에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 기체 (12A) 와, 그 제 1 투명 기체 (12A) 의 일주면 (12Aa) 상에 제 1 접착층 (62a) 을 개재하여 형성된 금속 세선 (16) 에 의한 제 1 도전부 (14A) 와, 제 1 도전부 (14A) 와 노출되는 제 1 접착층 (62a) 을 피복하도록 형성되고, 제 1 접착층 (62a) 과의 굴절률의 차가 0.1 이하인 제 1 투명 피복층 (64a) 을 갖는다.When the conductive film 10a shown in Fig. 2 is used as the first conductive film 10A applied to the touch panel 150, as shown in Figs. 15, 16A, and 18, the first transparent substrate 12A (See Fig. 16A). The first conductive portion 14A is formed on one main surface of the first conductive portion 14A. When the conductive film 10b shown in Fig. 12 is used, as shown in Figs. 15, 17A, and 18, the first transparent substrate 12A and the first transparent substrate 12A Is formed so as to cover the first conductive portion 14A formed by the thin metal wire 16 formed through the first adhesive layer 62a and the first adhesive layer 62a exposed to the first conductive portion 14A, And the first transparent coating layer 64a having a difference in refractive index from the one adhesive layer 62a of 0.1 or less.

한편, 제 2 도전성 필름 (10B) 은, 도 2 에 나타내는 도전성 필름 (10a) 을 사용한 경우, 도 15, 도 16a 및 도 19 에 나타내는 바와 같이, 제 2 투명 기체 (12B) 의 일주면 상에 형성된 제 2 도전부 (14B) 를 갖는다. 도 12 에 나타내는 도전성 필름 (10b) 을 사용한 경우, 도 15, 도 17a 및 도 19 에 나타내는 바와 같이, 제 2 투명 기체 (12B) 와, 그 제 2 투명 기체 (12B) 의 일주면 (12Ba) 상에 제 2 접착층 (62b) 을 개재하여 형성된 금속 세선 (16) 에 의한 제 2 도전부 (14B) 와, 제 2 도전부 (14B) 와 노출되는 제 2 접착층 (62b) 을 피복하도록 형성되고, 제 2 접착층 (62b) 과의 굴절률의 차가 0.1 이하인 제 2 투명 피복층 (64b) 을 갖는다.On the other hand, when the conductive film 10a shown in Fig. 2 is used, the second conductive film 10B is formed on the main surface of the second transparent base body 12B as shown in Figs. 15, 16A and 19 And a second conductive portion 14B. When the conductive film 10b shown in Fig. 12 is used, as shown in Figs. 15, 17A and 19, the second transparent base body 12B and the second transparent base body 12B, The second conductive portion 14B formed by the thin metal wire 16 formed through the second adhesive layer 62b and the second adhesive layer 62b exposed by the second conductive portion 14B, And the second transparent coating layer 64b in which the difference in refractive index from the second adhesive layer 62b is 0.1 or less.

제 2 도전부 (14B) 는, 각각 제 4 방향 (n 방향) 으로 연장되고, 또한, 제 3 방향 (m 방향) 에 배열되고, 다수의 격자로 구성된 금속 세선 (16) 에 의한 2 이상의 제 2 도전 패턴 (120B) (메시 패턴 (20) 을 갖는다) 과, 각 제 2 도전 패턴 (120B) 의 주변에 배열된 금속 세선 (16) 에 의한 제 2 보조 패턴 (200B) 을 갖는다.The second conductive portions 14B extend in the fourth direction (n direction) and are arranged in the third direction (m direction), respectively. The second conductive portions 14B are formed by the metal thin wires 16, A conductive pattern 120B having a mesh pattern 20 and a second auxiliary pattern 200B formed of metal thin lines 16 arranged around the second conductive patterns 120B.

제 2 도전 패턴 (120B) 은, 2 이상의 제 2 대격자 (202B) 가 제 4 방향으로 직렬로 접속되어 구성되고, 각 제 2 대격자 (202B) 는, 각각 2 이상의 소격자 (204) 가 조합되어 구성되어 있다. 또한, 제 2 대격자 (202B) 의 변의 주위에, 제 2 대격자 (202B) 와 비접속이 된 상기 서술한 제 2 보조 패턴 (200B) 이 형성되어 있다.The second conductive pattern 120B is constituted by connecting two or more second major gratings 202B in series in the fourth direction and each of the second major gratings 202B is formed by combining two or more minor gratings 204 . The above-described second auxiliary pattern 200B, which is not connected to the second major grating 202B, is formed around the side of the second major grating 202B.

인접하는 제 2 대격자 (202B) 사이에는, 이들 제 2 대격자 (202B) 를 전기적으로 접속하는 제 2 접속부 (206B) 가 형성되어 있다. 제 2 접속부 (206B) 는, n 개 (n 은 1 보다 큰 실수) 의 소격자 (204) 가 제 1 방향 (x 방향) 으로 배열된 크기의 중격자 (208) 가 배치되어 구성되어 있다. 제 2 대격자 (202B) 의 제 2 방향 (y 방향) 을 따른 변 중, 중격자 (208) 와 인접하는 부분에는, 소격자 (204) 의 1 개의 변이 제거된 제 2 제거부 (210B) 가 형성되어 있다.A second connecting portion 206B for electrically connecting these second large gratings 202B is formed between the adjacent second large gratings 202B. The second connecting portion 206B is configured by disposing a septum 208 having a size in which n small gratings 204 (n is a real number larger than 1) are arranged in the first direction (x direction). A second removal unit 210B in which one side of the sub grating 204 is removed is provided at a portion adjacent to the septum 208 among the sides along the second direction (y direction) of the second major grid 202B Respectively.

또한, 인접하는 제 2 도전 패턴 (120B) 사이는 전기적으로 절연된 제 2 절연부 (212B) 가 배치되어 있다.Further, a second insulation portion 212B electrically insulated between the adjacent second conductive patterns 120B is disposed.

상기 서술한 제 2 보조 패턴 (200B) 은, 제 2 대격자 (202B) 의 변 (203b) 중, 제 2 방향을 따른 변 (203b) 을 따라 배열된 복수의 제 2 보조선 (214B) (제 1 방향을 축선 방향으로 한다) 과, 제 2 대격자 (202B) 의 변 (203b) 중, 제 1 방향을 따른 변 (203b) 을 따라 배열된 복수의 제 2 보조선 (214B) (제 2 방향을 축선 방향으로 한다) 과, 제 2 절연부 (212B) 에서, 각각 2 개의 제 2 보조선 (214B) 이 L 자상으로 조합된 2 개의 제 2 의 L 자상 패턴 (216B) 이 서로 대향하여 배치된 패턴을 갖는다.The second auxiliary pattern 200B described above includes a plurality of second auxiliary lines 214B arranged along the side 203b along the second direction among the side 203b of the second large grid 202B A plurality of second auxiliary lines 214B arranged along the side 203b along the first direction among the side 203b of the second major grid 202B Two second L-stapling patterns 216B in which two second auxiliary lines 214B are combined in an L-shape in the second insulating portion 212B are arranged so as to face each other Pattern.

각 제 2 보조선 (214B) 의 축선 방향의 길이는, 상기 서술한 제 1 보조선 (214A) 과 동일하게, 소격자 (204) 의 내주를 따른 1 개의 변의 4/5 이하, 바람직하게는 1/2 이하의 길이를 갖는다. 또한, 각 제 2 보조선 (214B) 은, 제 2 대격자 (202B) 에서 소정 거리만큼 이간된 위치에 형성되어 있다. 이 소정 거리에 관해서도, 상기 서술한 제 1 보조선 (214A) 과 동일하게, 소격자 (204) 의 내주를 따른 1 개의 변의 길이로부터 제 2 보조선 (214B) 의 축선 방향의 길이를 뺀 길이이다. 예를 들어 제 2 보조선 (214B) 의 축선 방향의 길이가, 소격자 (204) 의 내주를 따른 1 개의 변의 4/5 나 1/2 이면, 상기 소정 거리는, 소격자 (204) 의 내주를 따른 1 개의 변의 1/5 나 1/2 가 된다.The length of each second auxiliary line 214B in the axial direction is set to 4/5 or less of one side along the inner periphery of the sub-grating 204, preferably, 1 / / 2 or less. Each second auxiliary line 214B is formed at a position spaced a predetermined distance from the second major grid 202B. The predetermined distance is the length obtained by subtracting the length in the axial direction of the second auxiliary line 214B from the length of one side along the inner periphery of the sub-grating 204, similarly to the above-described first auxiliary line 214A . For example, if the length of the second auxiliary line 214B in the axial direction is 4/5 or 1/2 of one side along the inner periphery of the sub-grating 204, the predetermined distance corresponds to the inner periphery of the sub- 1/5 or 1/2 of one side.

상기 서술한 바와 같이 구성된 제 2 도전성 필름 (10B) 은, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 각 제 2 도전 패턴 (120B) 의 일방의 단부측에 존재하는 제 2 대격자 (202B) 의 개방단은, 제 2 접속부 (206B) 가 존재하지 않는 형상으로 되어 있다. 한편, 홀수번째의 각 제 2 도전 패턴 (120B) 의 타방의 단부측에 존재하는 제 2 대격자 (202B) 의 단부, 그리고 짝수번째의 각 제 2 도전 패턴 (120B) 의 일방의 단부측에 존재하는 제 2 대격자 (202B) 의 단부는, 각각 제 2 결선부 (184b) 를 개재하여 금속 세선 (16) 에 의한 제 2 단자 배선 패턴 (186b) 에 전기적으로 접속되어 있다.15, the second conductive film 10B constructed as described above has an open end of the second major grid 202B which is present on one end side of each second conductive pattern 120B, And the second connecting portion 206B does not exist. On the other hand, the ends of the second major grating 202B on the other end side of each odd-numbered second conductive pattern 120B and the end of the second major conductive grating 202B on the other end side of the even- The ends of the second large grid 202B are electrically connected to the second terminal wiring patterns 186b by the thin metal wires 16 via the second wire connecting portions 184b.

즉, 터치 패널 (150) 에 적용한 제 2 도전성 필름 (10B) 은, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 센서부 (160) 에 대응한 부분에, 다수의 제 2 도전 패턴 (120B) 이 배열되고, 단자 배선부 (162) 에는 각 제 2 결선부 (184b) 에서 도출된 복수의 제 2 단자 배선 패턴 (186b) 이 배열되어 있다.15, the second conductive film 10B applied to the touch panel 150 includes a plurality of second conductive patterns 120B arranged at portions corresponding to the sensor portions 160, A plurality of second terminal wiring patterns 186b led out from the respective second wiring portions 184b are arranged in the wiring portion 162. [

도 14 에 나타내는 바와 같이, 단자 배선부 (162) 중, 제 2 도전성 필름 (10B) 의 일방의 장변측의 주연부에는, 그 길이 방향 중앙 부분에, 복수의 제 2 단자 (188b) 가 상기 일방의 장변의 길이 방향으로 배열 형성되어 있다. 또한, 센서부 (160) 의 일방의 단변 (제 2 도전성 필름 (10B) 의 일방의 단변에 가장 가까운 단변 : m 방향) 을 따라 복수의 제 2 결선부 (184b) (예를 들어 홀수번째의 제 2 결선부 (184b)) 가 직선상으로 배열되고, 센서부 (160) 의 타방의 단변 (제 2 도전성 필름 (10B) 의 타방의 단변에 가장 가까운 단변 : m 방향) 을 따라 복수의 제 2 결선부 (184b) (예를 들어 짝수번째의 제 2 결선부 (184b)) 가 직선상으로 배열되어 있다.As shown in Fig. 14, a plurality of second terminals 188b are formed in a longitudinally central portion of one of the terminal wirings 162 on the long side of one side of the second conductive film 10B, And are arranged in the longitudinal direction of the long side. In addition, a plurality of second connection portions 184b (for example, an odd-numbered portion) is formed along one short side of the sensor portion 160 (short side nearest one side of one side of the second conductive film 10B) (The short side of the second conductive film 10B closest to the other short side of the second conductive film 10B in the direction of m) of the sensor portion 160 is arranged in a straight line, (For example, the even-numbered second connection portions 184b) are arranged in a straight line.

복수의 제 2 도전 패턴 (120B) 중, 예를 들어 홀수번째의 제 2 도전 패턴 (120B) 이, 각각 대응하는 홀수번째의 제 2 결선부 (184b) 에 접속되고, 짝수번째의 제 2 도전 패턴 (120B) 이, 각각 대응하는 짝수번째의 제 2 결선부 (184b) 에 접속되어 있다. 홀수번째의 제 2 결선부 (184b) 에서 도출된 제 2 단자 배선 패턴 (186b) 그리고 짝수번째의 제 2 결선부 (184b) 에서 도출된 제 2 단자 배선 패턴 (186b) 은, 제 2 도전성 필름 (10B) 의 일방의 장변에서의 거의 중앙부를 향하여 주회되고, 각각 대응하는 제 2 단자 (188b) 에 전기적으로 접속되어 있다.For example, the odd-numbered second conductive patterns 120B of the plurality of second conductive patterns 120B are connected to the corresponding odd-numbered second connection portions 184b, and the even- Numbered second connection portions 184b are connected to the corresponding even-numbered second connection portions 184b, respectively. The second terminal wiring pattern 186b derived from the odd-numbered second wiring portion 184b and the second terminal wiring pattern 186b derived from the even-numbered second wiring portion 184b are electrically connected to the second conductive film 10B, and are electrically connected to the corresponding second terminals 188b, respectively.

또, 제 1 단자 배선 패턴 (186a) 의 도출 형태를 상기 서술한 제 2 단자 배선 패턴 (186b) 과 동일하게 하고, 제 2 단자 배선 패턴 (186b) 의 도출 형태를 상기 서술한 제 1 단자 배선 패턴 (186a) 과 동일하게 해도 된다.The first terminal wiring pattern 186a may be formed in the same manner as the above-described second terminal wiring pattern 186b and the second terminal wiring pattern 186b may be formed in the above- (186a).

제 1 대격자 (202A) 및 제 2 대격자 (202B) 의 1 변의 길이는, 3∼10 ㎜ 인 것이 바람직하고, 4∼6 ㎜ 인 것이 보다 바람직하다. 1 변의 길이가, 상기 하한값 미만이면, 검출시의 제 1 대격자 (202A) 및 제 2 대격자 (202B) 의 정전 용량이 줄기 때문에, 검출 불량이 될 가능성이 높아진다. 한편, 상기 상한값을 초과하면, 위치 검출 정밀도가 저하될 우려가 있다. 동일한 관점에서, 제 1 대격자 (202A) 및 제 2 대격자 (202B) 를 구성하는 소격자 (204) 의 1 변의 길이는 50∼500 ㎛ 인 것이 바람직하다. 소격자 (204) 가 상기 범위인 경우에는, 더욱 투명성도 양호하게 유지하는 것이 가능하고, 표시 장치 (157) 의 표시 패널 (158) 상에 장착했을 때, 위화감 없이 표시를 시인할 수 있다.The length of one side of the first major lattice 202A and the second major lattice 202B is preferably 3 to 10 mm, more preferably 4 to 6 mm. If the length of one side is less than the lower limit value, the capacitance of the first major grating 202A and the second major grating 202B at the time of detection is reduced, so that the probability of detection failure increases. On the other hand, if the upper limit value is exceeded, there is a fear that the position detection accuracy is lowered. From the same viewpoint, the length of one side of the sub grating 204 constituting the first major grating 202A and the second major grating 202B is preferably 50 to 500 mu m. When the sub grating 204 is within the above range, the transparency can be maintained more favorably, and the display can be visually perceived without discomfort when mounted on the display panel 158 of the display device 157.

또한, 제 1 도전 패턴 (120A) (제 1 대격자 (202A), 중격자 (208)) 의 선폭, 제 2 도전 패턴 (120B) (제 2 대격자 (202B), 중격자 (208)) 의 선폭, 제 1 보조 패턴 (200A) (제 1 보조선 (214A)) 및 제 2 보조 패턴 (200B) (제 2 보조선 (214B)) 의 선폭은 각각 1∼15 ㎛ 이다. 이 경우, 제 1 도전 패턴 (120A) 의 선폭이나 제 2 도전 패턴 (120B) 의 선폭과 동일해도 되고, 상이해도 된다. 단지, 제 1 도전 패턴 (120A), 제 2 도전 패턴 (120B), 제 1 보조 패턴 (200A) 및 제 2 보조 패턴 (200B) 의 각 선폭을 동일하게 하는 것이 바람직하다.The line width of the first conductive pattern 120A (the first major grid 202A and the septum 208), the width of the second conductive pattern 120B (the second major grid 202B, the septum 208) The line widths of the first auxiliary pattern 200A (the first auxiliary line 214A) and the second auxiliary pattern 200B (the second auxiliary line 214B) are 1 to 15 mu m, respectively. In this case, the line width of the first conductive pattern 120A or the line width of the second conductive pattern 120B may be the same or different. It is preferable that the line widths of the first conductive pattern 120A, the second conductive pattern 120B, the first auxiliary pattern 200A, and the second auxiliary pattern 200B are the same.

즉, 금속 세선 (16) 의 선폭은 1∼15 ㎛ 가 바람직하다. 선 간격 (인접하는 금속 세선 (16) 의 간격) 은 50∼500 ㎛ 인 것이 바람직하다. 또한, 제 1 도전성 필름 (10A) 및 제 2 도전성 필름 (10B) 은, 가시광 투과율 면에서 개구율은 85 % 이상인 것이 바람직하다.That is, the line width of the metal thin line 16 is preferably 1 to 15 mu m. It is preferable that the line spacing (the interval between adjacent metal thin lines 16) is 50 to 500 mu m. It is preferable that the first conductive film 10A and the second conductive film 10B have an opening ratio of 85% or more in terms of visible light transmittance.

그리고, 예를 들어 제 2 도전성 필름 (10B) 상에 제 1 도전성 필름 (10A) 을 적층하여 적층 도전성 필름 (154) 으로 했을 때, 도 20 에 나타내는 바와 같이, 제 1 도전 패턴 (120A) 과 제 2 도전 패턴 (120B) 이 교차하여 배치된 형태가 되고, 구체적으로는, 제 1 도전 패턴 (120A) 의 제 1 접속부 (206A) 와 제 2 도전 패턴 (120B) 의 제 2 접속부 (206B) 가 제 1 투명 기체 (12A) (도 16a 또는 도 17a 참조) 를 사이에 두고 대향하고, 제 1 도전부 (14A) 의 제 1 절연부 (212A) 와 제 2 도전부 (14B) 의 제 2 절연부 (212B) 가 제 1 투명 기체 (12A) 를 사이에 두고 대향한 형태가 된다.When the first conductive film 10A is laminated on the second conductive film 10B to form the laminated conductive film 154, as shown in Fig. 20, the first conductive pattern 120A and the first conductive film 10A Specifically, the first connecting portion 206A of the first conductive pattern 120A and the second connecting portion 206B of the second conductive pattern 120B are arranged so as to cross each other, The first insulating portion 212A of the first conductive portion 14A and the second insulating portion 12B of the second conductive portion 14B (see FIG. 16A or FIG. 17A) 212B are opposed to each other with the first transparent substrate 12A interposed therebetween.

적층 도전성 필름 (154) 을 상면으로부터 보았을 때, 도 20 에 나타내는 바와 같이, 제 1 도전성 필름 (10A) 에 형성된 제 1 대격자 (202A) 의 간극을 메우도록, 제 2 도전성 필름 (10B) 의 제 2 대격자 (202B) 가 배열된 형태가 된다. 이 때, 제 1 대격자 (202A) 와 제 2 대격자 (202B) 사이에, 제 1 보조 패턴 (200A) 과 제 2 보조 패턴 (200B) 이 대향하는 것에 의한 조합 패턴 (218) 이 형성된다. 조합 패턴 (218) 은, 도 21 에 나타내는 바와 같이, 제 1 보조선 (214A) 의 제 1 축선 (220A) 과 제 2 보조선 (214B) 의 제 2 축선 (220B) 이 일치하고, 또한, 제 1 보조선 (214A) 과 제 2 보조선 (214B) 이 겹쳐지지 않고, 또한, 제 1 보조선 (214A) 의 일단과 제 2 보조선 (214B) 의 일단이 일치하고, 이것에 의해, 소격자 (204) 의 1 개의 변을 구성하게 된다. 요컨대, 조합 패턴 (218) 은, 2 이상의 소격자 (204) 가 조합된 형태가 된다. 그 결과, 적층 도전성 필름 (154) 을 상면으로부터 보았을 때, 도 20 에 나타내는 바와 같이, 다수의 소격자 (204) 가 깔린 형태가 된다.The second conductive film 10B is formed so as to fill the gap of the first large grid 202A formed on the first conductive film 10A when the laminated conductive film 154 is viewed from above, And the two large gratings 202B are arranged. At this time, a combination pattern 218 is formed between the first major grating 202A and the second major grating 202B, in which the first auxiliary pattern 200A and the second auxiliary pattern 200B face each other. The combination pattern 218 is formed such that the first axis 220A of the first auxiliary line 214A and the second axis 220B of the second auxiliary line 214B coincide with each other, One auxiliary line 214A and the second auxiliary line 214B do not overlap and one end of the first auxiliary line 214A and one end of the second auxiliary line 214B coincide with each other, (204). In short, the combination pattern 218 is a combination of two or more sub-gratings 204. As a result, when the laminated conductive film 154 is viewed from above, a plurality of sub-gratings 204 are laid down as shown in Fig.

여기서, 예를 들어 제 1 보조선 (214A) 및 제 2 보조선 (214B) 을 형성하지 않은 경우에는, 조합 패턴 (218) 의 폭에 상당하는 공백 영역이 형성되고, 이것에 의해, 제 1 대격자 (202A) 의 경계, 제 2 대격자 (202B) 의 경계가 눈에 띄어, 시인성이 열화된다는 문제가 발생한다. 이것을 피하기 위해, 제 1 대격자 (202A) 의 각 변 (203a) 에 제 2 대격자 (202B) 의 변 (203b) 을 겹쳐, 공백 영역을 없애는 것도 생각할 수 있는데, 겹치는 위치 정밀도의 약간의 어긋남에 의해, 직선 형상끼리의 겹쳐지는 부분의 폭이 커지고 (선이 굵어지고), 이것에 의해, 제 1 대격자 (202A) 와 제 2 대격자 (202B) 의 경계가 눈에 띄어, 시인성이 열화된다는 문제가 발생한다.Here, for example, when the first auxiliary line 214A and the second auxiliary line 214B are not formed, a blank area corresponding to the width of the combination pattern 218 is formed, The boundary of the lattice 202A and the boundary of the second large lattice 202B are conspicuous, and the visibility deteriorates. To avoid this, it is also conceivable to eliminate the blank areas by overlapping the sides 203b of the second major grating 202B with the sides 203a of the first large grating 202A. However, a slight deviation in the overlapping positional accuracy (The lines become thicker) and the boundaries between the first large lattice 202A and the second large lattice 202B become conspicuous and the visibility deteriorates A problem arises.

이것에 대하여, 본 실시형태에서는, 상기 서술한 바와 같이, 제 1 보조선 (214A) 과 제 2 보조선 (214B) 이 겹쳐지는 것에 의해, 제 1 대격자 (202A) 와 제 2 대격자 (202B) 의 경계가 눈에 띄지 않게 되어, 시인성이 향상된다.On the other hand, in the present embodiment, as described above, the first auxiliary line 214A and the second auxiliary line 214B are overlapped with each other so that the first major grid 202A and the second major grid 202B ) Is not conspicuous, and visibility is improved.

또한, 상기 서술한 바와 같이, 예를 들어 제 1 대격자 (202A) 의 변 (203a) 에 제 2 대격자 (202B) 의 변 (203b) 을 겹쳐, 공백 영역을 없앤 경우, 제 1 대격자 (202A) 의 각 변 (203a) 의 바로 아래에 제 2 대격자 (202B) 의 변 (203b) 이 위치하게 된다. 이 때, 제 1 대격자 (202A) 의 변 (203a) 그리고 제 2 대격자 (202B) 의 변 (203b) 도 각각 도전 부분으로서 기능하므로, 제 1 대격자 (202A) 의 변 (203a) 과 제 2 대격자 (202B) 의 변 (203b) 사이에 기생 용량이 형성되고, 이 기생 용량의 존재가 전하 정보에 대하여 노이즈 성분으로서 기능하고, S/N 비의 현저한 저하를 야기한다. 또한, 각 제 1 대격자 (202A) 와 각 제 2 대격자 (202B) 사이에 기생 용량이 형성되므로, 제 1 도전 패턴 (120A) 과 제 2 도전 패턴 (120B) 에 다수의 기생 용량이 병렬로 접속된 형태가 되고, 그 결과, CR 시정수가 커진다는 문제가 있다. CR 시정수가 커지면, 제 1 도전 패턴 (120A) (및 제 2 도전 패턴 (120B)) 에 공급된 전압 신호의 파형의 상승 시간이 느려지고, 소정의 스캔 시간에 있어서 위치 검출을 위한 전계의 발생이 거의 행해지지 않게 될 우려가 있다. 또, 제 1 도전 패턴 (120A) 및 제 2 도전 패턴 (120B) 으로부터의 전달 신호의 파형의 상승 시간 또는 하강 시간도 느려지고, 소정의 스캔 시간에 있어서 전달 신호의 파형의 변화를 파악할 수 없게 될 우려가 있다. 이것은, 검출 정밀도의 저하, 응답 속도의 저하로 이어진다. 요컨대, 검출 정밀도의 향상, 응답 속도의 향상을 도모하기 위해서는, 제 1 대격자 (202A) 및 제 2 대격자 (202B) 의 수를 줄이거나 (분해능의 저감), 적응시키는 표시 화면의 사이즈를 작게 할 수 밖에 없고, 예를 들어 B5 판, A4 판, 그 이상의 대화면에 적용시킬 수 없다는 문제가 발생한다.As described above, for example, when the side 203b of the second major grating 202B is overlapped with the side 203a of the first major grating 202A to eliminate the blank region, the first major grating 202A The side 203b of the second major grating 202B is positioned immediately below each side 203a of the first main grating 202A. At this time, the side 203a of the first major grating 202A and the side 203b of the second major grating 202B each also function as a conductive portion, so that the side 203a of the first major grating 202A, A parasitic capacitance is formed between the sides 203b of the two large gratings 202B and the presence of this parasitic capacitance functions as a noise component with respect to the charge information and causes a remarkable decrease in the S / N ratio. Since the parasitic capacitance is formed between each first major grid 202A and each second major grid 202B, a large number of parasitic capacitances can be applied to the first and second conductive patterns 120A and 120B in parallel So that there is a problem that the CR time constant becomes large. When the CR time constant is increased, the rising time of the waveform of the voltage signal supplied to the first conductive pattern 120A (and the second conductive pattern 120B) becomes slow, and the generation of the electric field for detecting the position is almost There is a fear that it will not be done. Also, the rise time or fall time of the waveform of the transfer signal from the first conductive pattern 120A and the second conductive pattern 120B is also slowed down, and it is feared that the change of the waveform of the transfer signal in a predetermined scan time can not be grasped . This leads to a decrease in the detection precision and a decrease in the response speed. That is, in order to improve the detection precision and the response speed, it is necessary to reduce the number of the first major grating 202A and the second major grating 202B (reduce the resolution) For example, a problem that it is not applicable to a B5 size, an A4 size, or a larger screen.

이것에 대하여, 본 실시형태에서는, 예를 들어 도 16a 에 나타내는 바와 같이, 제 1 대격자 (202A) 의 변 (203a) 과, 제 2 대격자 (202B) 의 변 (203b) 의 투영 거리 (Lf) 를 소격자 (204) 의 1 변의 길이와 거의 동일하게 하고 있다. 그 때문에, 제 1 대격자 (202A) 와 제 2 대격자 (202B) 사이에 형성되는 기생 용량은 작아진다. 그 결과, CR 시정수도 작아지고, 검출 정밀도의 향상, 응답 속도의 향상을 도모할 수 있다. 또, 제 1 보조선 (214A) 과 제 2 보조선 (214B) 의 조합 패턴 (218) 에서는, 제 1 보조선 (214A) 의 단부와 제 2 보조선 (214B) 의 단부가 각각 대향하는 경우도 있지만, 제 1 보조선 (214A) 은 제 1 대격자 (202A) 로부터 비접속이 되어 전기적으로 절연으로 되어 있고, 제 2 보조선 (214B) 도 제 2 대격자 (202B) 로부터 비접속이 되어 전기적으로 절연으로 되어 있기 때문에, 제 1 대격자 (202A) 와 제 2 대격자 (202B) 사이에 형성되는 기생 용량의 증가로는 이어지지 않는다.On the other hand, in the present embodiment, as shown in Fig. 16A, the projection distance Lf between the side 203a of the first large grid 202A and the side 203b of the second large grid 202B, for example, Is made to be substantially equal to the length of one side of the sub grating 204. Therefore, the parasitic capacitance formed between the first large grating 202A and the second large grating 202B becomes small. As a result, the number of times of CR correction becomes small, and detection accuracy and response speed can be improved. In the combination pattern 218 of the first auxiliary line 214A and the second auxiliary line 214B, the end portion of the first auxiliary line 214A and the end portion of the second auxiliary line 214B are opposed to each other However, the first auxiliary line 214A is electrically disconnected from the first large grid 202A and electrically insulated, and the second auxiliary line 214B is also disconnected from the second large grid 202B, The increase in parasitic capacitance formed between the first major grating 202A and the second major grating 202B does not lead to an increase in the parasitic capacitance formed between the first major grating 202A and the second major grating 202B.

상기 서술한 투영 거리 (Lf) 의 최적 거리는, 제 1 대격자 (202A) 및 제 2 대격자 (202B) 의 사이즈보다는, 제 1 대격자 (202A) 및 제 2 대격자 (202B) 를 구성하는 소격자 (204) 의 사이즈 (선폭 및 1 변의 길이) 에 따라 적절히 설정하는 것이 바람직하다. 이 경우, 일정한 사이즈를 갖는 제 1 대격자 (202A) 및 제 2 대격자 (202B) 에 대하여, 소격자 (204) 의 사이즈가 지나치게 크면, 투광성은 향상되는데, 전달 신호의 다이나믹 레인지가 작아지므로, 검출 감도의 저하를 야기할 우려가 있다. 반대로, 소격자 (204) 의 사이즈가 지나치게 작으면, 검출 감도는 향상되는데, 선폭의 저감에는 한계가 있기 때문에, 투광성이 열화될 우려가 있다.The optimum distance of the projection distance Lf described above is smaller than the size of the first major grating 202A and the second major grating 202B but smaller than the sizes of the first major grating 202A and the second major grating 202B It is preferable to set them appropriately according to the size (line width and length of one side) of the grating 204. In this case, if the size of the sub grating 204 is excessively large with respect to the first major grating 202A and the second major grating 202B having a constant size, the light transmittance is improved. Since the dynamic range of the transmitted signal is small, There is a fear that the detection sensitivity is lowered. On the other hand, if the size of the sub grating 204 is too small, the detection sensitivity is improved. However, there is a limit to the reduction of the line width, so that the light transmittance may deteriorate.

그래서, 상기 서술한 투영 거리 (Lf) 의 최적값 (최적 거리) 은, 소격자 (204) 의 선폭을 1∼9 ㎛ 로 했을 때, 100∼400 ㎛ 가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 200∼300 ㎛ 이다. 소격자 (204) 의 선폭을 좁게 하면, 상기 서술한 최적 거리도 짧게 할 수 있는데, 전기 저항이 높아지므로, 기생 용량이 작아도, CR 시정수가 높아져, 결과적으로 검출 감도의 저하, 응답 속도의 저하를 야기할 우려가 있다. 따라서, 소격자 (204) 의 선폭은 상기 서술한 범위가 바람직하다.Therefore, the optimal value (optimum distance) of the projection distance Lf described above is preferably 100 to 400 mu m, more preferably 200 to 300 mu m, more preferably 200 to 300 mu m when the line width of the small grating 204 is 1 to 9 mu m Mu m. When the linewidth of the sub grating 204 is narrowed, the above-described optimum distance can be shortened. Since the electric resistance is increased, even if the parasitic capacitance is small, the CR time constant is increased. As a result, There is fear that it may cause. Therefore, the line width of the sub-grating 204 is preferably in the above-described range.

그리고, 예를 들어 표시 패널 (158) 의 사이즈 또는 센서부 (160) 의 사이즈와 터치 위치 검출의 분해능 (구동 펄스의 펄스 주기 등) 에 기초하여, 제 1 대격자 (202A) 및 제 2 대격자 (202B) 의 사이즈 그리고 소격자 (204) 의 사이즈가 결정되고, 소격자 (204) 의 선폭을 기준으로 제 1 대격자 (202A) 와 제 2 대격자 (202B) 사이의 최적 거리가 산출되게 된다.Based on the size of the display panel 158 or the size of the sensor portion 160 and the resolution of the touch position detection (such as the pulse period of the drive pulse), the first large grid 202A and the second large grid The size of the small grating 204 and the size of the small grating 204 are determined and the optimum distance between the first large grating 202A and the second large grating 202B is calculated based on the line width of the small grating 204 .

또한, 본 실시형태에서는, 모아레 억지부 (26) 가 형성된 도전성 필름 (10a) 또는 모아레 억지부 (26) 가 형성된 도전성 필름 (10b) 을 사용했기 때문에, 예를 들어 도 1, 도 3 등에 나타내는 바와 같이, 제 1 도전부 (14A) 를 구성하는 제 1 도전 패턴 (120A) (메시 패턴 (20)) 및 제 2 도전부 (14B) 를 구성하는 제 2 도전 패턴 (120B) (메시 패턴 (20)) 은, 메시 패턴 (20) 의 교차부 (24) 에 인접하여 상기 서술한 관계를 갖는 모아레 억지부 (26) 가 위치하게 된다. 그 결과, 제 1 도전부 (14A) 및 제 2 도전부 (14B) 를 투과하는 광의 적분량을, 교차부 (24) 와 교차부 (24) 이외의 부분에서 거의 동일하게 할 수 있고, 모아레 등에 의한 화질 열화를 최소로 할 수 있다. 즉, 표시 화면이 모아레로 보기 어려워진다는 경우가 없어, 표시 품질의 향상, 조작성의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 금속 세선 (16) 의 선폭을 1∼15 ㎛ 로 하고, 금속 세선 (16) 의 선 간격을 50∼500 ㎛ 로 했기 때문에, 높은 투광성과 양호한 시인성 (메시 패턴 (20) 이 눈에 띄기 어렵다) 을 동시에 갖게 할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 상기 모아레 억지부 (26) 가 존재함으로써, 그 개소가 전기적인 감지를 높일 수 있기 때문에, 터치 위치의 검출 능력을 높일 수 있다. 특히, 정전 용량식 터치 패널에서는, 정전 용량의 검지 능력이 향상되기 때문에 바람직하다. 요컨대, 모아레 억지부 (26) 는, 터치 위치 검출 능력 향상부로도 기능한다.In this embodiment, the conductive film 10a on which the moire interference portion 26 is formed or the conductive film 10b on which the moire interference portion 26 is formed is used. Therefore, for example, as shown in Figs. 1 and 3 Likewise, the first conductive pattern 120A (mesh pattern 20) constituting the first conductive portion 14A and the second conductive pattern 120B (the mesh pattern 20) constituting the second conductive portion 14B, , The moire inhibition portion 26 having the above-described relationship is positioned adjacent to the intersection portion 24 of the mesh pattern 20. As a result, the amount of light transmitted through the first conductive portion 14A and the second conductive portion 14B can be substantially the same at portions other than the intersection portion 24 and the intersection portion 24, It is possible to minimize the degradation of the image quality. That is, there is no case in which the display screen is difficult to be seen as moir, so that the display quality can be improved and the operability can be improved. In addition, since the line width of the metal thin line 16 is 1 to 15 占 퐉 and the line spacing of the metal thin line 16 is 50 to 500 占 퐉, a high light transmittance and good visibility (the mesh pattern 20 is difficult to notice ) At the same time. Further, in the present embodiment, since the moire inhibition portion 26 exists, the portion can increase the electrical detection, and therefore, the detection capability of the touch position can be enhanced. Particularly, in the capacitive touch panel, it is preferable because the capacitance detection ability improves. In short, the moire inhibition section 26 also functions as a touch position detection capability improving section.

또, 도 12 에 나타내는 도전성 필름 (10b) 을 사용함으로써, 예를 들어 도 17a 에 나타내는 바와 같이, 제 1 도전성 필름 (10A) 의 제 1 도전 패턴 (120A) 과 노출되는 제 1 접착층 (62a) 상에, 제 1 접착층 (62a) 과의 굴절률의 차가 0.1 이하인 제 1 투명 피복층 (64a) 이 피복되고, 제 2 도전성 필름 (10B) 의 제 2 도전 패턴 (120B) 과 노출되는 제 2 접착층 (62b) 상에, 제 2 접착층 (62b) 과의 굴절률의 차가 0.1 이하인 제 2 투명 피복층 (64b) 이 피복되기 때문에, 제 1 접착층 (62a) 및 제 2 접착층 (62b) 상에 형성된 요철면이나 조면 형상에서의 난반사가 최소한으로 억제되고, 적층 도전성 필름 (154) 으로 했을 때 전체적으로 투명성이 발현하게 된다.17A, the first conductive pattern 120A of the first conductive film 10A and the exposed portion of the first adhesive layer 62a exposed on the upper surface of the first conductive pattern 120A are exposed, for example, A first transparent coating layer 64a having a refractive index difference of 0.1 or less with respect to the first adhesive layer 62a is coated and a second adhesive layer 62b exposed to the second conductive pattern 120B of the second conductive film 10B, Since the second transparent coating layer 64b having a refractive index difference of 0.1 or less with the second adhesive layer 62b is coated on the first adhesive layer 62a and the second adhesive layer 62b in the uneven surface or the roughened surface formed on the first adhesive layer 62a and the second adhesive layer 62b The laminated conductive film 154 exhibits transparency as a whole.

그리고, 이 적층 도전성 필름 (154) 을 터치 패널 (150) 로서 사용하는 경우에는, 제 1 도전성 필름 (10A) 상에 보호층 (156) 을 적층하고, 제 1 도전성 필름 (10A) 의 다수의 제 1 도전 패턴 (120A) 에서 도출된 제 1 단자 배선 패턴 (186a) 과, 제 2 도전성 필름 (10B) 의 다수의 제 2 도전 패턴 (120B) 에서 도출된 제 2 단자 배선 패턴 (186b) 을, 예를 들어 스캔을 컨트롤하는 제어 회로에 접속한다.When the laminated conductive film 154 is used as the touch panel 150, the protective layer 156 is laminated on the first conductive film 10A, and a plurality of the first conductive films 10A The first terminal wiring pattern 186a derived from the first conductive pattern 120A and the second terminal wiring pattern 186b derived from the plurality of second conductive patterns 120B of the second conductive film 10B To the control circuit for controlling the scan.

터치 위치의 검출 방식으로는, 자기 용량 방식이나 상호 용량 방식을 바람직하게 채용할 수 있다. 즉, 자기 용량 방식이면, 제 1 도전 패턴 (120A) 에 대하여 순서대로 터치 위치 검출을 위한 전압 신호를 공급하고, 제 2 도전 패턴 (120B) 에 대하여 순서대로 터치 위치 검출을 위한 전압 신호를 공급한다. 손가락 끝을 보호층 (156) 의 상면에 접촉 또는 근접시킴으로써, 터치 위치에 대향하는 제 1 도전 패턴 (120A) 및 제 2 도전 패턴 (120B) 과 GND (그라운드) 사이의 용량이 증가하므로, 당해 제 1 도전 패턴 (120A) 및 제 2 도전 패턴 (120B) 으로부터의 전달 신호의 파형이 다른 도전 패턴으로부터의 전달 신호의 파형과 상이한 파형이 된다. 따라서, 제어 회로에서는, 제 1 도전 패턴 (120A) 및 제 2 도전 패턴 (120B) 에서 공급된 전달 신호에 기초하여 터치 위치를 연산한다. 한편, 상호 용량 방식의 경우에는, 예를 들어 제 1 도전 패턴 (120A) 에 대하여 순서대로 터치 위치 검출을 위한 전압 신호를 공급하고, 제 2 도전 패턴 (120B) 에 대하여 순서대로 센싱 (전달 신호의 검출) 을 실시한다. 손가락 끝을 보호층 (156) 의 상면에 접촉 또는 근접시킴으로써, 터치 위치에 대향하는 제 1 도전 패턴 (120A) 과 제 2 도전 패턴 (120B) 사이의 기생 용량에 대하여 병렬로 손가락의 부유 용량이 가해지므로, 당해 제 2 도전 패턴 (120B) 으로부터의 전달 신호의 파형이 다른 제 2 도전 패턴 (120B) 으로부터의 전달 신호의 파형과 상이한 파형이 된다. 따라서, 제어 회로에서는, 전압 신호를 공급하고 있는 제 1 도전 패턴 (120A) 의 순서와, 공급된 제 2 도전 패턴 (120B) 으로부터의 전달 신호에 기초하여 터치 위치를 연산한다. 이러한 자기 용량 방식 또는 상호 용량 방식의 터치 위치의 검출 방법을 채용함으로써, 보호층 (156) 의 상면에 동시에 2 개의 손가락 끝을 접촉 또는 근접시켜도, 각 터치 위치를 검출하는 것이 가능해진다. 또, 투영형 정전 용량 방식의 검출 회로에 관한 선행 기술 문헌으로서, 미국특허 제4,582,955호 명세서, 미국특허 제4,686,332호 명세서, 미국특허 제4,733,222호 명세서, 미국특허 제5,374,787호 명세서, 미국특허 제5,543,588호 명세서, 미국특허 제7,030,860호 명세서, 미국공개특허 2004/0155871호 명세서 등이 있다.As a detection method of the touch position, a magnetic capacitance method or a mutual capacitance method can be preferably employed. That is, in the case of the magnetic capacitance type, a voltage signal for touch position detection is supplied to the first conductive pattern 120A in order and a voltage signal for touch position detection is supplied to the second conductive pattern 120B in order . Since the capacitance between the first conductive pattern 120A and the second conductive pattern 120B opposed to the touch position and the GND (ground) is increased by bringing the fingertip into contact with or close to the upper surface of the protection layer 156, The waveform of the transfer signal from the first conductive pattern 120A and the second conductive pattern 120B becomes a waveform different from the waveform of the transfer signal from the other conductive pattern. Therefore, the control circuit calculates the touch position based on the transfer signal supplied from the first conductive pattern 120A and the second conductive pattern 120B. On the other hand, in the case of the mutual capacitance type, for example, a voltage signal for touch position detection is sequentially supplied to the first conductive pattern 120A, and a sensing signal is applied to the second conductive pattern 120B Detection). The stray capacitance of the finger is applied in parallel to the parasitic capacitance between the first conductive pattern 120A and the second conductive pattern 120B opposed to the touch position by bringing the fingertip into contact with or close to the upper surface of the protective layer 156 The waveform of the transfer signal from the second conductive pattern 120B is different from the waveform of the transfer signal from the second conductive pattern 120B. Therefore, in the control circuit, the touch position is calculated based on the order of the first conductive pattern 120A supplying the voltage signal and the transfer signal from the supplied second conductive pattern 120B. By adopting such a method of detecting the touch position of the magnetic capacitance method or the mutual capacitance method, it is possible to detect each touch position even when two fingertips touch or come close to the upper surface of the protective layer 156 at the same time. As a prior art relating to a detection type circuit of a projection type electrostatic capacitance type, there are disclosed in US Pat. No. 4,582,955, U.S. Patent No. 4,686,332, U.S. Patent No. 4,733,222, U.S. Patent No. 5,374,787, U.S. Patent No. 5,543,588 Specification, U.S. Patent No. 7,030,860, U.S. Patent Application Publication No. 2004/0155871, and the like.

상기 서술한 적층 도전성 필름 (154) 에서는, 도 2 에 나타내는 도전성 필름 (10a) 을 사용한 경우에 있어서, 도 15 및 도 16a 에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 기체 (12A) 의 일주면에 제 1 도전부 (14A) 를 형성하고, 제 2 투명 기체 (12B) 의 일주면에 제 2 도전부 (14B) 를 형성하도록 했는데, 그 밖에, 도 16b 에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 기체 (12A) 의 일주면에 제 1 도전부 (14A) 를 형성하고, 제 1 투명 기체 (12A) 의 타주면에 제 2 도전부 (14B) 를 형성하도록 해도 된다. 이 경우, 제 2 투명 기체 (12B) 가 존재하지 않고, 제 2 도전부 (14B) 상에, 제 1 투명 기체 (12A) 가 적층되고, 제 1 투명 기체 (12A) 상에 제 1 도전부 (14A) 가 적층된 형태가 된다. 또한, 제 1 도전성 필름 (10A) 과 제 2 도전성 필름 (10B) 은 그 사이에 다른 층이 존재해도 되고, 제 1 도전부 (14A) 와 제 2 도전부 (14B) 사이가 절연 상태이면, 그것들이 대향하여 배치되어도 된다.15 and 16A, in the case of using the conductive film 10a shown in Fig. 2, the laminated conductive film 154 described above has a structure in which the first conductive film 12A is formed on one main surface of the first transparent substrate 12A, The second conductive portion 14B is formed on one main surface of the second transparent base 12B while the second conductive portion 14B is formed on the other surface of the second transparent base 12B as shown in Fig. The first conductive portion 14A may be formed on the main surface and the second conductive portion 14B may be formed on the rubbing surface of the first transparent base 12A. In this case, the first transparent substrate 12A is laminated on the second conductive portion 14B without the second transparent substrate 12B, and the first conductive portion 12A is formed on the first transparent substrate 12A 14A are stacked. The first conductive film 10A and the second conductive film 10B may have another layer therebetween. If the first conductive portion 14A and the second conductive portion 14B are in an insulating state, May be disposed opposite to each other.

또, 상기 서술한 적층 도전성 필름 (154) 에서는, 도 12 에 나타내는 도전성 필름 (10b) 을 사용한 경우에 있어서, 도 15 및 도 17a 에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 기체 (12A) 의 일주면에 제 1 도전부 (14A) 를 형성하고, 제 2 투명 기체 (12B) 의 일주면에 제 2 도전부 (14B) 를 형성하도록 했는데, 그 밖에, 도 17b 에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 기체 (12A) 의 일주면 (12Aa) 에 제 1 접착층 (62a) 을 개재하여 제 1 도전부 (14A) 를 형성하고, 제 1 투명 기체 (12A) 의 타주면 (12Ab) 에 제 2 접착층 (62b) 을 개재하여 제 2 도전부 (14B) 를 형성하도록 해도 된다. 이 경우, 제 2 투명 기체 (12B) 가 존재하지 않고, 제 2 도전부 (14B) 상에, 제 1 투명 기체 (12A) 가 적층되고, 제 1 투명 기체 (12A) 상에 제 1 도전부 (14A) 가 적층된 형태가 된다. 이 경우도, 제 1 도전부 (14A) 와 노출되는 제 1 접착층 (62a) 을 피복하도록 제 1 투명 피복층 (64a) 이 형성되고, 제 2 도전부 (14B) 와 노출되는 제 2 접착층 (62b) 을 피복하도록 제 2 투명 피복층 (64b) 이 형성된다. 또한, 제 1 도전성 필름 (10A) 과 제 2 도전성 필름 (10B) 은 그 사이에 다른 층이 존재해도 되고, 제 1 도전부 (14A) 와 제 2 도전부 (14B) 가 절연 상태이면, 그것들이 대향하여 배치되어도 된다.In the above-described laminated conductive film 154, when the conductive film 10b shown in Fig. 12 is used, as shown in Figs. 15 and 17A, the first transparent base body 12A The second conductive portion 14B is formed on one main surface of the second transparent base 12B. In addition, as shown in Fig. 17B, the first transparent base 12A, The first conductive portion 14A is formed on the principal surface 12Aa of the first transparent substrate 12A with the first adhesive layer 62a interposed therebetween and the second adhesive layer 62b is provided on the other principal surface 12Ab of the first transparent substrate 12A The second conductive portion 14B may be formed. In this case, the first transparent substrate 12A is laminated on the second conductive portion 14B without the second transparent substrate 12B, and the first conductive portion 12A is formed on the first transparent substrate 12A 14A are stacked. Also in this case, the first transparent cover layer 64a is formed so as to cover the first adhesive layer 62a exposed to the first conductive portion 14A, the second adhesive layer 62b exposed to the second conductive portion 14B, The second transparent coating layer 64b is formed. The first conductive film 10A and the second conductive film 10B may have different layers therebetween. If the first conductive portion 14A and the second conductive portion 14B are in an insulating state, Or may be disposed opposite to each other.

또한, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 제 1 도전성 필름 (10A) 과 제 2 도전성 필름 (10B) 을 조합하여 적층 도전성 필름 (154) 을 제조하고, 또한, 이 적층 도전성 필름을 표시 장치 (157) 의 표시 패널 (158) 에 장착함으로써, 터치 패널 (150) 이 제조된다. 이 경우, 제 1 도전성 필름 (10A) 과 제 2 도전성 필름 (10B) 의 예를 들어 각 코너부에, 제 1 도전성 필름 (10A) 과 제 2 도전성 필름 (10B) 의 첩합시에 사용하는 위치 결정용 제 1 얼라인먼트 마크 (194a) 및 제 2 얼라인먼트 마크 (194b) 를 형성하는 것이 바람직하다. 이 제 1 얼라인먼트 마크 (194a) 및 제 2 얼라인먼트 마크 (194b) 는, 제 1 도전성 필름 (10A) 과 제 2 도전성 필름 (10B) 을 첩합하여 적층 도전성 필름 (154) 으로 한 경우, 새로운 복합 얼라인먼트 마크가 되고, 이 복합 얼라인먼트 마크는, 그 적층 도전성 필름 (154) 을 표시 패널 (158) 에 설치할 때 사용하는 위치 결정용 얼라인먼트 마크로도 기능하게 된다.14, the laminated conductive film 154 is produced by combining the first conductive film 10A and the second conductive film 10B, and the laminated conductive film is laminated on the display device 157 By attaching the display panel 158 to the display panel 158, the touch panel 150 is manufactured. In this case, for example, in the corner portions of the first conductive film 10A and the second conductive film 10B, the positioning used for the application of the first conductive film 10A and the second conductive film 10B It is preferable to form the first alignment mark 194a and the second alignment mark 194b. The first alignment mark 194a and the second alignment mark 194b are formed so that when the first conductive film 10A and the second conductive film 10B are combined to form a laminated conductive film 154, And this composite alignment mark also functions as a positioning alignment mark used when the laminated conductive film 154 is provided on the display panel 158. [

상기 서술한 예에서는, 제 1 도전성 필름 (10A) 및 제 2 도전성 필름 (10B) 을 투영형 정전 용량 방식의 터치 패널 (150) 에 적용한 예를 나타냈는데, 그 밖에, 표면형 정전 용량 방식의 터치 패널이나, 저항막식의 터치 패널에도 적용할 수 있다.In the example described above, the first conductive film 10A and the second conductive film 10B are applied to the touch panel 150 of the projection type capacitance type. In addition, the surface type capacitance type touch Panel, or a resistive film type touch panel.

제 1 도전성 필름 (10A) 이나 제 2 도전성 필름 (10B) 에 형성되는 도전 패턴으로는, 상기 서술한 것 외에, 메시 패턴이 절연부에서 띠상으로 구획되고, 그것이 평행하게 복수 배치된 도전 패턴을 사용할 수 있다.As the conductive pattern formed on the first conductive film 10A or the second conductive film 10B, in addition to the above, a mesh pattern is divided into strips in the insulating portion, and a plurality of parallel conductive patterns are used .

즉, 제 1 변형예에 관련된 패턴으로서, 각각 단자로부터 제 1 방향 (x 방향) 으로 연장되고, 또한, 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향 (y 방향) 으로 배열된 2 이상의 띠상의 제 1 도전 패턴을 갖도록 해도 된다. 또, 제 2 변형예에 관련된 패턴으로서, 제 1 변형예와는 반대로, 각각 단자로부터 제 2 방향 (y 방향) 으로 연장되고, 또한, 제 1 방향 (x 방향) 으로 배열된 2 이상의 띠상의 제 2 도전 패턴을 갖도록 해도 된다. 각 도전 패턴은, 1 개의 개구부를 금속 세선으로 둘러싼 닫힌 복수의 메시 형상이 다수 배열된 패턴으로 할 수 있다. 메시 형상으로는, 예를 들어 정방 형상, 장방 형상, 정육각형상 등을 들 수 있다.That is, as a pattern related to the first modification, two or more stripe-shaped first conductors extending in a first direction (x direction) from the terminals and arranged in a second direction (y direction) orthogonal to the first direction, Pattern. As a pattern related to the second modified example, as opposed to the first modified example, two or more band-shaped members extending in the second direction (y direction) and arranged in the first direction (x direction) 2 conductive pattern. Each conductive pattern can be a pattern in which a plurality of closed mesh shapes surrounding one opening portion with metal thin lines are arranged. Examples of the mesh shape include a square shape, a rectangular shape, a square shape, and the like.

그리고, 상기 서술한 제 1 변형예에 관련된 패턴과 제 2 변형예에 관련된 패턴을 예를 들어 투명 기체를 사이에 두고 겹침으로써, 띠상의 제 1 도전 패턴과 띠상의 제 2 도전 패턴이 교차하는 형태가 되고, 이것은, 예를 들어 투영형 정전 용량 방식의 터치 패널의 도전 패턴에 사용하기에 바람직해진다.By overlapping the pattern relating to the first modification described above and the pattern relating to the second modification with, for example, a transparent substrate interposed therebetween, a pattern in which the first conductive pattern on the strip and the second conductive pattern on the strip intersect each other Which is preferable for use in a conductive pattern of a touch panel of projection type capacitance type, for example.

이하에, 본 발명의 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또, 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 적절히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 의해 한정적으로 해석되어야 하는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples of the present invention. The materials, amounts used, ratios, processing contents, processing procedures and the like shown in the following examples can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. Accordingly, the scope of the present invention should not be construed as being limited by the following specific examples.

[제 1 실시예][First Embodiment]

제 1 실시예는, 실시예 1∼32, 비교예 1∼20, 참고예 1∼8 에 관련된 도전성 필름에 관해서, 표면 저항 및 투과율을 측정하고, 모아레 및 시인성을 평가하였다. 실시예 1∼32, 비교예 1∼20, 참고예 1∼8 의 내역 그리고 측정 결과 및 평가 결과를 하기 표 3 및 표 4 에 나타낸다.In the first embodiment, the surface resistance and the transmittance of the conductive films related to Examples 1 to 32, Comparative Examples 1 to 20, and Reference Examples 1 to 8 were measured, and moire and visibility were evaluated. Details of the examples 1 to 32, comparative examples 1 to 20, and reference examples 1 to 8, and measurement results and evaluation results are shown in Tables 3 and 4 below.

<실시예 1∼32, 비교예 1∼20, 참고예 1∼8><Examples 1 to 32, Comparative Examples 1 to 20, Reference Examples 1 to 8>

(할로겐화은 감광 재료)(Silver halide photosensitive material)

물 매체 중의 Ag 150 g 에 대하여 젤라틴 10.0 g 을 포함하는, 구 (球) 상당 직경 평균 0.1 ㎛ 의 요오드브롬염화은 입자 (I=0.2 몰%, Br=40 몰%) 를 함유하는 유제를 조제하였다.(I = 0.2 mol%, Br = 40 mol%) having an average spherical equivalent diameter of 0.1 mu m and containing 10.0 g of gelatin relative to 150 g of Ag in an aqueous medium was prepared.

또, 이 유제 중에는 K3Rh2Br9 및 K2IrCl6 을 농도가 10-7 (몰/몰은) 이 되도록 첨가하고, 브롬화은 입자에 Rh 이온과 Ir 이온을 도프하였다. 이 유제에 Na2PdCl4 를 첨가하고, 추가로 염화금산과 티오황산나트륨을 사용하여 금황 증감을 실시한 후, 젤라틴 경막제와 함께, 은의 도포량이 10 g/㎡ 가 되도록 제 1 투명 기체 (12A) 및 제 2 투명 기체 (12B) (여기서는, 모두 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET)) 상에 도포하였다. 이 때, Ag/젤라틴 체적비는 2/1 로 하였다.K 3 Rh 2 Br 9 and K 2 IrCl 6 were added to the emulsion so that the concentration was 10 -7 (mol / mol), and the silver bromide grains were doped with Rh ions and Ir ions. Na 2 PdCl 4 was added to the emulsion, and further chlorine / potassium sulfate and sodium thiosulfate were used to increase / decrease the pH value. Then, the first transparent substrate 12A and the second transparent substrate 12A were coated with the gelatin epidermal agent so that the application amount of silver was 10 g / And applied on the second transparent base body 12B (here, all of them are polyethylene terephthalate (PET)). At this time, the Ag / gelatin volume ratio was 2/1.

폭 30 ㎝ 의 PET 지지체에 25 ㎝ 의 폭으로 20 m 만큼 도포를 실시하고, 도포의 중앙부 24 ㎝ 를 남기도록 양단을 3 ㎝ 씩 잘라내어 롤상의 할로겐화은 감광 재료를 얻었다.A PET support having a width of 30 cm was coated with a width of 25 cm by 20 m, and both ends were cut by 3 cm so as to leave a center of 24 cm of the coating, thereby obtaining a silver halide photosensitive material on the roll.

(노광)(Exposure)

할로겐화은 감광 재료의 노광은 일본 공개특허공보 2004-1224호의 발명의 실시형태에 기재된 DMD (디지털·미러·디바이스) 를 사용한 노광 헤드를 25 ㎝ 폭이 되도록 정렬시키고, 감광 재료의 은염 감광층 (30) 상에 레이저광이 결상하도록 노광 헤드 및 노광 스테이지를 만곡시켜 배치하고, 감재 (感材) 송출 기구 및 권취 기구를 장착한 후, 노광면의 텐션 제어 및 권취, 송출 기구의 속도 변동이 노광 부분의 속도에 영향을 미치지 않도록 버퍼 작용을 갖는 휨을 형성한 연속 노광 장치로 실시하였다. 노광의 파장은 400 ㎚ 이고, 빔형은 12 ㎛ 의 대략 정방형, 및 레이저 광원의 출력은 100 μJ 였다.To expose the silver halide photosensitive material, an exposure head using a DMD (Digital Mirror Device) described in the embodiment of the invention of Japanese Patent Laid-Open No. 2004-1224 was aligned to a width of 25 cm, and a silver halide photosensitive layer 30 (Photosensitive material) feeding mechanism and a winding mechanism are mounted so that the speed variation of the exposure surface and the speed fluctuation of the winding and feeding mechanism are the same as those of the exposure section And a continuous exposure apparatus in which warping with a buffer action was formed so as not to affect the speed. The wavelength of the exposure light was 400 nm, the beam type was approximately square of 12 占 퐉, and the output of the laser light source was 100 占..

노광은, 은염 감광층 (30) 에 메시 패턴 (20) 이 전사되도록, 나중에 금속 세선 (16) 이 되는 세선 패턴 사이의 간격 (선 간격) 을 300 ㎛ 로 하여, 하기의 설정에 따라서 실시하였다. 메시 패턴 (20) 을 구성하는 금속 세선 (16) 의 선폭, 교차부 (24) 의 면적 (Sa), 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 등은 표 3 에 나타냈다.Exposure was carried out in accordance with the following setting such that the mesh pattern 20 was transferred to the silver halide photosensitive layer 30 and the interval (line spacing) between the fine line patterns to be the metal fine lines 16 later became 300 mu m. Table 3 shows the line width of the fine metal wire 16 constituting the mesh pattern 20, the area Sa of the intersection 24, the area Sb of the moire preventing portion 26, and the like.

은염 감광층 (30) 에 대하여, 메시 패턴 (20) 의 교차부 (24) 에 인접하여 모아레 억지부 (26) 가 형성된 패턴이 되도록 노광을 실시하기 위해서는, 3 개의 노광 헤드를 연동시키는 노광 방식을 채용하였다.In order to expose the silver halide photosensitive layer 30 to a pattern in which the moire inhibition portion 26 is formed adjacent to the intersection portion 24 of the mesh pattern 20, .

즉, 제 1 노광 헤드는, 레이저빔이 은염 감광층 (30) 의 반송 방향에 직각인 방향으로 왕복 운동하면서 단일의 빔을 조사하여 은염 감광층 (30) 상에 노광 패턴을 묘화한다. 따라서, 빔은 은염 감광층 (30) 의 반송 속도와 반송 방향과 직각 방향에 대한 헤드의 이동 속도의 비에 따른 사선 형상으로 은염 감광층 (30) 에 45°경사 묘화를 실시하고, 은염 감광층 (30) 의 단부에 도달하면 헤드의 왕복 운동에 연동하여 반전 경사 방향으로 묘화를 실시한다.That is, the first exposure head irradiates a single beam while drawing the exposure pattern on the silver halide photosensitive layer 30 while the laser beam reciprocates in a direction perpendicular to the conveying direction of the silver halide photosensitive layer 30. Therefore, the beam is inclined at 45 degrees to the silver halide photosensitive layer 30 in a slant shape corresponding to the ratio of the conveying speed of the silver halide photosensitive layer 30 to the moving speed of the head in the direction perpendicular to the conveying direction, (30), the image is drawn in the reverse warp direction in conjunction with the reciprocating motion of the head.

제 2 노광 헤드는, 레이저빔이 은염 감광층 (30) 의 반송 방향에 직각인 방향으로 왕복 운동하면서 단일의 빔을 조사하여 은염 감광층 (30) 상에 노광 패턴을 묘화하는 점에서는 제 1 노광 헤드와 동일한데, 헤드의 이동 개시기가 제 1 헤드와 이동 개시기와 180 도 또는 그 배수 주기만큼 떨어져 있다. 따라서, 제 1 노광 헤드가 은염 감광층 (30) 의 일방의 단부로부터 경사 묘화할 때, 제 2 노광 헤드가 은염 감광층 (30) 의 타방의 단부로부터 제 1 노광 헤드의 이동 방향과 반대 방향으로 이동하면서, 은염 감광층 (30) 상에 역경사 묘화한다. 이렇게 하여, 메시 패턴 (20) 이 형성된다.In the second exposure head, in the point that a laser beam is reciprocating in a direction perpendicular to the conveying direction of the silver halide photosensitive layer 30 and a single beam is irradiated to draw an exposure pattern on the silver halide photosensitive layer 30, Head, where the movement initiator of the head is 180 degrees or a multiple of the first head and the movement initiator. Therefore, when the first exposure head is inclined from one end of the silver halide photosensitive layer 30, the second exposure head is moved from the other end of the silver halide photosensitive layer 30 in the direction opposite to the moving direction of the first exposure head And reversely tilts the silver halide photosensitive layer 30 while moving. Thus, the mesh pattern 20 is formed.

제 3 노광 헤드는, 상기 제 1 과 제 2 노광 헤드의 레이저빔이 은염 감광층 (30) 의 반송 방향에 직각인 방향으로 왕복 운동하는 이동형 헤드인 것에 대하여 고정형 헤드로서, 상기 제 1 과 제 2 노광 헤드의 레이저빔의 교차부를 헤드가 통과하도록 형성된다. 은염 감광층 (30) 의 폭 방향으로 복수의 교차부가 묘화되는 경우에는, 그 수에 대응하는 제 3 헤드가 형성된다. 제 3 헤드로부터 조사되는 레이저빔은 상기 교차부를 제 3 헤드가 통과할 때에만 단시간의 간헐 레이저빔 조사가 실시되도록 레이저 발진 주기가 설정된다. 또한, 조사 시간은 원하는 사이즈의 모아레 억지부 (26) 가 묘화될 수 있는 시간으로 설정된다.The third exposure head is a fixed head in that the laser beam of the first and second exposure heads is a movable head reciprocating in a direction perpendicular to the conveying direction of the silver halide photosensitive layer 30, So that the head passes the intersection of the laser beam of the exposure head. When a plurality of intersection portions are drawn in the width direction of the silver salt photosensitive layer 30, a third head corresponding to the number is formed. The laser oscillation period is set so that the laser beam irradiated from the third head is irradiated with the intermittent laser beam only for a short time only when the third head passes the intersection. Further, the irradiation time is set to a time at which the moire resistance portion 26 of the desired size can be imaged.

(현상 처리)(Development processing)

·현상액 1 ℓ 처방· Prescription 1 ℓ of developer

하이드로퀴논 20 g20 g of hydroquinone

아황산나트륨 50 g50 g of sodium sulfite

탄산칼륨 40 gPotassium carbonate 40 g

에틸렌디아민·4 아세트산 2 g2 g of ethylenediaminetetraacetic acid

브롬화칼륨 3 g3 g of potassium bromide

폴리에틸렌글리콜 2000 1 gPolyethylene glycol 2000 1 g

수산화칼륨 4 gPotassium hydroxide 4 g

pH 10.3 으로 조정Adjusted to pH 10.3

·정착액 1 ℓ 처방· Prescription 1 L prescription

티오황산암모늄액 (75 %) 300 ㎖Ammonium thiosulfate (75%) 300 ml

아황산암모늄·1 수염 25 gAmmonium sulfite · 1 beard 25 g

1,3-디아미노프로판·4 아세트산 8 g8 g of 1,3-diaminopropane-4-acetic acid

아세트산 5 gAcetic acid 5 g

암모니아수 (27 %) 1 gAmmonia water (27%) 1 g

pH 6.2 로 조정Adjusted to pH 6.2

상기 처리제를 사용하여 노광이 끝난 감재를, 후지 필름사 제조 자동 현상기 FG-710PTS 를 사용하여 처리 조건 : 현상 35 ℃ 30 초, 정착 34 ℃ 23 초, 수세 유수 (5 ℓ/분) 의 20 초 처리로 실시하였다.The exposed photosensitive material was subjected to 20 seconds of treatment with 35 ° C for 30 seconds, fixation at 34 ° C for 23 seconds, and washing with running water (5 L / min) using an automatic developing machine FG-710PTS manufactured by Fuji Film Co., Respectively.

(참고예 1)(Reference Example 1)

제조한 참고예 1 에 관련된 도전성 필름은, 메시 패턴 (20) 의 선폭이 0.5 ㎛ (선 간격 300 ㎛), 교차부 (24) 의 면적 (Sa) 이 0.25 ㎛2, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 이 0.0050 ㎛2 이었다.The conductive film according to Reference Example 1 manufactured in the same manner as that of Reference Example 1 has a line width of 0.5 탆 (line spacing 300 탆) of mesh pattern 20, an area Sa of intersection 24 of 0.25 탆 2 , And the area Sb was 0.0050 mu m &lt; 2 & gt ;.

(참고예 2∼4)(Reference Examples 2 to 4)

참고예 2, 3 및 4 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 0.2250 ㎛2, 0.2750 ㎛2 및 1.2500 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 참고예 1 과 동일하게 하여 제조하였다.The conductive films related to Reference Examples 2, 3 and 4 are the same as Reference Example 1 described above except that the area Sb of the moiré suppressing portion 26 is 0.2250 탆 2 , 0.2750 탆 2 and 1.2500 탆 2 , respectively Respectively.

(비교예 1, 2)(Comparative Examples 1 and 2)

비교예 1 및 2 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 0.0025 ㎛2 및 1.5000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 참고예 1 과 동일하게 하여 제조하였다.The conductive films relating to Comparative Examples 1 and 2 were produced in the same manner as in Reference Example 1 described above except that the area Sb of the moire inhibition portion 26 was set to 0.0025 탆 2 and 1.5000 탆 2 , respectively.

(실시예 1)(Example 1)

제조한 실시예 1 에 관련된 도전성 필름은, 메시 패턴 (20) 의 선폭이 1.0 ㎛ (선 간격 300 ㎛), 교차부 (24) 의 면적 (Sa) 이 1.00 ㎛2, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 이 0.0200 ㎛2 이었다.The conductive film according to Example 1 manufactured in Example 1 is such that the line width of the mesh pattern 20 is 1.0 占 퐉 (line spacing 300 占 퐉), the area Sa of the intersection portion 24 is 1.00 占 퐉 2 , And the area Sb was 0.0200 mu m &lt; 2 & gt ;.

(실시예 2∼4)(Examples 2 to 4)

실시예 2, 3 및 4 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 0.9000 ㎛2, 1.1000 ㎛2 및 5.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 1 과 동일하게 하여 제조하였다.Carried out similar to Example 2, 3 and 4 the conductive film, except that the an area (Sb) of the moire billion portion 26 respectively to 0.9000 ㎛ 2, 1.1000 ㎛ 2 and 5.0000 ㎛ 2, the embodiment described above in Example 1 related to the Respectively.

(비교예 3, 4)(Comparative Examples 3 and 4)

비교예 3 및 4 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 0.0100 ㎛2 및 6.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 1 과 동일하게 하여 제조하였다.Comparative Examples 3 and 4, the conductive film is related to, except that the an area (Sb) of the moire billion portion 26 respectively 0.0100 and 6.0000 ㎛ 22, was prepared in the same manner as in Example 1 described above.

(실시예 5)(Example 5)

제조한 실시예 5 에 관련된 도전성 필름은, 메시 패턴 (20) 의 선폭이 3.0 ㎛ (선 간격 300 ㎛), 교차부 (24) 의 면적 (Sa) 이 9.00 ㎛2, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 이 0.1800 ㎛2 이었다.The conductive film according to Example 5 manufactured in Example 5 is such that the line width of the mesh pattern 20 is 3.0 占 퐉 (line spacing 300 占 퐉), the area Sa of the intersection portion 24 is 9.00 占 퐉 2 , And the area Sb was 0.1800 占 퐉 2 .

(실시예 6∼8)(Examples 6 to 8)

실시예 6, 7 및 8 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 8.1000 ㎛2, 9.9000 ㎛2 및 45.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 5 와 동일하게 하여 제조하였다.The conductive films related to Examples 6, 7, and 8 are the same as Example 5 described above except that the area Sb of the moire inhibition portion 26 is set to 8.1000 탆 2 , 9.9000 탆 2, and 45.0000 탆 2 , respectively Respectively.

(비교예 5, 6)(Comparative Examples 5 and 6)

비교예 5 및 6 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 0.0900 ㎛2 및 54.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 5 와 동일하게 하여 제조하였다.The conductive films relating to Comparative Examples 5 and 6 were produced in the same manner as in Example 5 except that the area Sb of the moire inhibition portion 26 was 0.0900 탆 2 and 54.0000 탆 2 , respectively.

(실시예 9)(Example 9)

제조한 실시예 9 에 관련된 도전성 필름은, 메시 패턴 (20) 의 선폭이 4.0 ㎛ (선 간격 300 ㎛), 교차부 (24) 의 면적 (Sa) 이 16.00 ㎛2, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 이 0.3200 ㎛2 이었다.The conductive film according to Example 9 produced was such that the line width of the mesh pattern 20 was 4.0 占 퐉 (line spacing 300 占 퐉), the area Sa of the intersection portion 24 was 16.00 占 퐉 2 , And the area Sb was 0.3200 mu m &lt; 2 & gt ;.

(실시예 10∼12)(Examples 10 to 12)

실시예 10, 11 및 12 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 14.4000 ㎛2, 17.6000 ㎛2 및 80.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 9 와 동일하게 하여 제조하였다.The conductive films related to Examples 10, 11 and 12 are the same as Example 9 described above except that the area Sb of the moiré suppressing portion 26 is 14.4000 탆 2 , 17.6000 탆 2 and 80.0000 탆 2 , respectively Respectively.

(비교예 7, 8)(Comparative Examples 7 and 8)

비교예 7 및 8 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 0.1600 ㎛2 및 96.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 9 와 동일하게 하여 제조하였다.Comparative conductive film relating to Examples 7 and 8, except that an area (Sb) of the moire billion portion 26, respectively, and 96.0000 0.1600 ㎛ 22, was manufactured in the same manner as the ninth embodiment described above.

(실시예 13)(Example 13)

제조한 실시예 13 에 관련된 도전성 필름은, 메시 패턴 (20) 의 선폭이 5.0 ㎛ (선 간격 300 ㎛), 교차부 (24) 의 면적 (Sa) 이 25.00 ㎛2, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 이 0.5000 ㎛2 이었다.The conductive film according to Example 13 produced was such that the line width of the mesh pattern 20 was 5.0 占 퐉 (line spacing 300 占 퐉), the area Sa of the intersection portion 24 was 25.00 占 퐉 2 , And the area Sb was 0.5000 mu m &lt; 2 & gt ;.

(실시예 14∼16)(Examples 14 to 16)

실시예 14, 15 및 16 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 22.5000 ㎛2, 27.5000 ㎛2 및 125.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 13 과 동일하게 하여 제조하였다.The conductive films related to Examples 14, 15, and 16 are the same as Example 13 described above except that the area Sb of the moire inhibition portion 26 is set to 22.5000 탆 2 , 27.5000 탆 2, and 125.0000 탆 2 , respectively Respectively.

(비교예 9, 10)(Comparative Examples 9 and 10)

비교예 9 및 10 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 0.2500 ㎛2 및 150.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 13 과 동일하게 하여 제조하였다.Comparative Examples 9 and 10 associated with the conductive film is, except that the an area (Sb) of the moire billion portion 26 respectively to 0.2500 ㎛ 2 and 150.0000 ㎛ 2, was prepared in the same manner as in the Example 13 described above.

(실시예 17)(Example 17)

제조한 실시예 17 에 관련된 도전성 필름은, 메시 패턴 (20) 의 선폭이 8.0 ㎛ (선 간격 300 ㎛), 교차부 (24) 의 면적 (Sa) 이 64.00 ㎛2, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 이 1.2800 ㎛2 이었다.The conductive film according to Example 17 produced was such that the line width of the mesh pattern 20 was 8.0 占 퐉 (line spacing 300 占 퐉), the area Sa of the intersection portion 24 was 64.00 占 퐉 2 , And the area Sb was 1.2800 占 퐉 2 .

(실시예 18∼20)(Examples 18 to 20)

실시예 18, 19 및 20 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 57.6000 ㎛2, 70.4000 ㎛2, 및 320.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 17 과 동일하게 하여 제조하였다.The conductive films relating to Examples 18, 19 and 20 were obtained in the same manner as in Example 17 except that the area Sb of the moire inhibition portion 26 was 57.6000 탆 2 , 70.4000 탆 2 , and 320.0000 탆 2 , respectively. .

(비교예 11, 12)(Comparative Examples 11 and 12)

비교예 11 및 12 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 0.6400 ㎛2 및 384.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 17 과 동일하게 하여 제조하였다.Conductive film relating to Comparative Examples 11 and 12, except that an area (Sb) of the moire billion portion 26 respectively to 0.6400 ㎛ 2 and 384.0000 ㎛ 2, was prepared in the same manner as in the Example 17 described above.

(실시예 21)(Example 21)

제조한 실시예 21 에 관련된 도전성 필름은, 메시 패턴 (20) 의 선폭이 9.0 ㎛ (선 간격 300 ㎛), 교차부 (24) 의 면적 (Sa) 이 81.00 ㎛2, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 이 1.6200 ㎛2 이었다.The conductive film according to Example 21 produced was such that the line width of the mesh pattern 20 was 9.0 占 퐉 (line spacing 300 占 퐉), the area Sa of the intersection 24 was 81.00 占 퐉 2 , And the area Sb was 1.6200 mu m &lt; 2 & gt ;.

(실시예 22∼24)(Examples 22 to 24)

실시예 22, 23 및 24 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 72.9000 ㎛2, 89.1000 ㎛2 및 405.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 21 과 동일하게 하여 제조하였다.The conductive films related to Examples 22, 23 and 24 are the same as Example 21 described above except that the area Sb of the moiré suppressing portion 26 is 72.9000 탆 2 , 89.1000 탆 2 and 405.0000 탆 2 , respectively Respectively.

(비교예 13, 14)(Comparative Examples 13 and 14)

비교예 13 및 14 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 0.8100 ㎛2 및 486.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 21 과 동일하게 하여 제조하였다.Conductive film relating to Comparative Examples 13 and 14, except that an area (Sb) of the moire billion portion 26 respectively to 0.8100 ㎛ 2 and 486.0000 ㎛ 2, was prepared in the same manner as in the Example 21 described above.

(실시예 25)(Example 25)

제조한 실시예 25 에 관련된 도전성 필름은, 메시 패턴 (20) 의 선폭이 10.0 ㎛ (선 간격 300 ㎛), 교차부 (24) 의 면적 (Sa) 이 100.00 ㎛2, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 이 2.0000 ㎛2 이었다.The conductive film according to the produced Example 25 has the line width of the mesh pattern 20 of 10.0 占 퐉 (line spacing 300 占 퐉), the area Sa of the intersection 24 of 100.00 占 퐉 2 , And the area Sb was 2.0000 탆 2 .

(실시예 26∼28)(Examples 26 to 28)

실시예 26, 27 및 28 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 90.0000 ㎛2, 110.0000 ㎛2 및 500.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 25 와 동일하게 하여 제조하였다.Examples 26, 27 and 28, the conductive film relating to the, except that the an area (Sb) of the moire billion portion 26 respectively to 90.0000 ㎛ 2, 110.0000 ㎛ 2 and 500.0000 ㎛ 2, the same as the above-mentioned Example 25 Respectively.

(비교예 15, 16)(Comparative Examples 15 and 16)

비교예 15 및 16 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 1.0000 ㎛2 및 600.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 25 와 동일하게 하여 제조하였다.The conductive films relating to Comparative Examples 15 and 16 were produced in the same manner as in Example 25 except that the area Sb of the moire preventing portion 26 was set to 1.0000 탆 2 and 600.0000 탆 2 , respectively.

(실시예 29)(Example 29)

제조한 실시예 29 에 관련된 도전성 필름은, 메시 패턴 (20) 의 선폭이 15.0 ㎛ (선 간격 300 ㎛), 교차부 (24) 의 면적 (Sa) 이 225.00 ㎛2, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 이 4.5000 ㎛2 이었다.The conductive film according to Example 29 produced had a line width of 15.0 占 퐉 (line spacing 300 占 퐉) of the mesh pattern 20, an area Sa of 225 占 퐉 2 of the intersection portion 24, And the area Sb was 4.5000 mu m &lt; 2 & gt ;.

(실시예 30∼32)(Examples 30 to 32)

실시예 30, 31 및 32 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 202.5000 ㎛2, 247.5000 ㎛2 및 1125.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 29 와 동일하게 하여 제조하였다.Exemplary conductive film relating to Examples 30, 31 and 32, except that an area (Sb) of the moire billion portion 26 respectively 202.5000 ㎛ 2, 247.5000 ㎛ 2 and 1125.0000 ㎛ 2, the same as that of Example 29 described above Respectively.

(비교예 17, 18)(Comparative Examples 17 and 18)

비교예 17 및 18 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 2.2500 ㎛2 및 1350.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 실시예 29 와 동일하게 하여 제조하였다.The conductive films relating to Comparative Examples 17 and 18 were produced in the same manner as in Example 29 except that the area Sb of the moiré hold portion 26 was set to 2.2500 탆 2 and 1350.0000 탆 2 , respectively.

(참고예 5)(Reference Example 5)

제조한 참고예 5 에 관련된 도전성 필름은, 메시 패턴 (20) 의 선폭이 20.0 ㎛ (선 간격 300 ㎛), 교차부 (24) 의 면적 (Sa) 이 400.00 ㎛2, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 이 8.0000 ㎛2 이었다.The conductive film according to Reference Example 5 manufactured in the same manner as in Reference Example 5 has a line width of 20.0 占 퐉 (line spacing 300 占 퐉) of mesh pattern 20, an area Sa of intersection 24 of 400.00 占 퐉 2 , The area Sb was 8.0000 탆 2 .

(참고예 6∼8)(Reference Examples 6 to 8)

참고예 6, 7 및 8 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 360.0000 ㎛2, 440.0000 ㎛2 및 2000.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 참고예 5 와 동일하게 하여 제조하였다.The conductive films related to Reference Examples 6, 7, and 8 are the same as Reference Example 5 described above except that the area Sb of the moiré hold portion 26 is 360.0000 탆 2 , 440.0000 탆 2, and 2000.0000 탆 2 , respectively Respectively.

(비교예 19, 20)(Comparative Examples 19 and 20)

비교예 19 및 20 에 관련된 도전성 필름은, 모아레 억지부 (26) 의 면적 (Sb) 을 각각 4.0000 ㎛2 및 2400.0000 ㎛2 로 한 점 이외에는, 상기 서술한 참고예 5 와 동일하게 하여 제조하였다.The conductive films relating to Comparative Examples 19 and 20 were produced in the same manner as in Reference Example 5 described above, except that the area Sb of the moire inhibition portion 26 was 4.0000 탆 2 and 2400.0000 탆 2 , respectively.

(표면 저항 측정)(Surface resistance measurement)

검출 정밀도의 양부를 확인하기 위해, 도전성 필름의 표면 저항률을 다이아 인스트루먼트사 제조 로레스타 GP (형번 MCP-T610) 직렬 4 탐침 프로브 (ASP) 로 임의의 10 개소 측정한 값의 평균값이다.The surface resistivity of the conductive film is an average value measured at arbitrary 10 points by a Lester GP (model MCP-T610) serial four probe probe (ASP) manufactured by Dia Instruments Inc. in order to confirm the accuracy of the detection accuracy.

(투과율의 측정)(Measurement of transmittance)

투명성의 양부를 확인하기 위해, 도전성 필름을 분광 광도계를 사용하여 투과율을 측정하였다.In order to confirm the transparency, the transmittance of the conductive film was measured using a spectrophotometer.

(모아레의 평가)(Evaluation of moiré)

실시예 1∼32, 비교예 1∼20, 참고예 1∼8 에 관해서, 각각 도전성 필름을 표시 장치 (157) 의 표시 패널 (158) 상에 첩부한 후, 표시 장치 (157) 를 회전반에 설치하고, 표시 장치 (157) 를 구동하여 백색을 표시시킨다. 그 상태에서, 회전반을 바이어스각 -20°∼+20°사이에서 회전하고, 모아레의 육안 관찰·평가를 실시하였다. 또, 평가용 디스플레이로서 HP 사 제조의 Pavilion Notebook PC dm1a (11.6 inch 광택 액정 WXGA/1366×768) 를 사용하였다.Each of the conductive films was attached to the display panel 158 of the display device 157 with respect to each of Examples 1 to 32 and Comparative Examples 1 to 20 and Reference Examples 1 to 8, And drives the display device 157 to display white. In this state, the rotating disk was rotated between the bias angles of -20 ° and + 20 °, and visual observation and evaluation of the moiré were carried out. In addition, Pavilion Notebook PC dm1a (11.6 inch glossy liquid crystal WXGA / 1366 x 768) manufactured by HP was used as the evaluation display.

모아레의 평가는, 표시 장치 (157) 의 표시 화면으로부터 관찰 거리 0.5 m 에서 실시하고, 모아레가 현재화 (顯在化) 되지 않은 경우를 ○, 모아레가 문제가 없는 레벨로 그저 조금 보인 경우를 △, 모아레가 현재화된 경우를 × 로 하였다. 그리고, 종합 평점으로서, ○ 가 되는 각도 범위가 10°이상인 경우를 A, ○ 가 되는 각도 범위가 10°미만인 경우에는 B, ○ 가 되는 각도 범위가 없고 × 가 되는 각도 범위가 30°미만인 경우에는 C, ○ 가 되는 각도 범위가 없고 × 가 되는 각도 범위가 30°이상인 경우를 D 로 하였다.The evaluation of the moiré was carried out at an observation distance of 0.5 m from the display screen of the display device 157. The case where the moire is not displayed at present is represented by o, , And the case where the moire is present is indicated by x. When the angular range of A and B is less than 10 degrees and the angular range of B is less than 30 degrees, C, &amp; cirf &amp; &amp; cir &amp; and the angular range of x is 30 DEG or more.

Figure 112011090541689-pat00003
Figure 112011090541689-pat00003

Figure 112011090541689-pat00004
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표 3 및 표 4 로부터, Sa×0.01<Sb≤Sa×5.00 을 만족하는 실시예 1∼32 는 모두 모아레, 도전성, 투광성 모두 양호했다. 특히, Sa×0.90≤Sb≤Sa×1.10 을 만족하는 실시예 2, 3, 6, 7, 10, 11, 14, 15, 18, 19, 22, 23, 26, 27, 30, 31 은 모아레의 발생은 없었다. 이것에 대하여, 비교예 1∼20 은 모두 모아레가 현재화되었다.From Table 3 and Table 4, all of Examples 1 to 32 satisfying Sa x 0.01 < Sb &amp;le; Sa 5.00 were all good in both moire, conductivity and light transmittance. In particular, Examples 2, 3, 6, 7, 10, 11, 14, 15, 18, 19, 22, 23, 26, 27, 30, and 31 satisfying Sa x 0.90? There was no occurrence. On the other hand, in all of Comparative Examples 1 to 20, moire was present.

상기 서술한 실시예 1∼32 에 관련된 도전성 필름을 사용하여 각각 투영형 정전 용량 방식의 터치 패널을 제조하였다. 모두 모아레는 현재화되지 않았다. 또한, 손가락으로 접촉하여 조작한 결과, 응답 속도가 빠르고, 검출 감도가 우수한 것을 알았다. 또한, 2 점 이상을 터치하여 조작한 결과, 동일하게 양호한 결과가 얻어지고, 멀티 터치에도 대응할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.Using the conductive films according to the above-described Examples 1 to 32, a projection type capacitance type touch panel was manufactured. All moirés have not been turned on. Further, as a result of operating by touching with a finger, it was found that the response speed was fast and the detection sensitivity was excellent. In addition, when two or more points were touched and operated, it was confirmed that the same good result was obtained, and that it was possible to cope with multi-touch.

[제 2 실시예][Second Embodiment]

제 2 실시예는, 실시예 41∼50, 비교예 21∼27 에 관련된 접착 필름을 사용한 구성물의 가시광 투과율, 시인성을 측정하였다. 결과를 표 5 와 표 6 에 나타낸다.In the second example, the visible light transmittance and visibility of the components using the adhesive films relating to Examples 41 to 50 and Comparative Examples 21 to 27 were measured. The results are shown in Tables 5 and 6.

(실시예 41)(Example 41)

<접착 필름 (1) 의 제조예>&Lt; Production example of adhesive film (1) >

투명 기체 (12) 로서 두께 50 ㎛ 의 투명 PET 필름 (굴절률 n=1.575) 을 사용하고, 그 위에 접착층 (62) 이 되는 에폭시계 접착 시트 (니카프렉스 SAF ; 닛칸 공업 (주) 제조, n=1.58) 를 개재하여 도전성 재료인 두께 2 ㎛ 의 금박의 조화면이 에폭시계 접착 시트측이 되도록 하여, 180 ℃, 30 kgf/㎠ 의 조건에서 가열 라미네이트하여 접착시켰다. 얻어진 금박 부착 PET 필름에 포토리소 공정 (레지스트 필름 첩부-노광-현상-케미컬 에칭-레지스트 필름 박리) 을 거쳐, 금속 세선 (16) 에 의한 다수의 격자 (정방 형상) 가 배열된 도전 패턴을 PET 필름 상에 형성하고, 구성 재료 (1) 를 얻었다. 금속 세선 (16) 의 선폭은 6 ㎛, 금속 세선 (16) 사이의 간격 (선 간격) 은 300 ㎛ 이다. 이 구성 재료 (1) 상에 후술하는 투명 피복층 (1) 을 건조 도포 두께가 약 10 ㎛ 가 되도록 도포, 건조시켜 투명성을 갖는 접착 필름 (1) 을 얻었다. 그리고, 접착 필름 (1) 을 롤 라미네이터를 사용하여, 시판되는 아크릴판 (코모그라스 ; (주) 쿠라레 제조, 두께 3 ㎜) 에 110 ℃, 20 kgf/㎠ 의 조건에서 가열 압착하였다.A transparent PET film (refractive index n = 1.575) having a thickness of 50 占 퐉 was used as the transparent substrate 12 and an epoxy adhesive sheet (Nikafrex SAF; manufactured by Nikkan Kogyo Co., Ltd., n = 1.58 ), The surface of the gold foil having a thickness of 2 占 퐉, which is a conductive material, was adhered to the epoxy-based adhesive sheet side by heating lamination under the conditions of 180 占 폚 and 30 kgf / cm2. The obtained gold foil-attached PET film was subjected to a photolithography process (resist film sticking-exposure-development-chemical etching-resist film peeling) and a conductive pattern in which a plurality of lattices (square shapes) To obtain the constituent material (1). The line width of the metal thin line 16 is 6 占 퐉 and the interval (line spacing) between the metal thin lines 16 is 300 占 퐉. A transparent coating layer 1 to be described later was coated on the constituent material 1 so as to have a dry coating thickness of about 10 占 퐉 and dried to obtain an adhesive film 1 having transparency. Then, the adhesive film 1 was heat-pressed on a commercially available acrylic plate (Comogras; manufactured by Kuraray Co., Ltd., thickness 3 mm) under the conditions of 110 캜 and 20 kgf / cm 2 using a roll laminator.

(실시예 42)(Example 42)

<접착 필름 (2) 의 제조예>&Lt; Production example of adhesive film (2) >

투명 기체 (12) 로서 두께 25 ㎛ 의 투명 PET 필름을 사용하고, 이 위에 도전성 재료인 두께 3 ㎛ 의 금박을, 접착층 (62) 이 되는 파이라락스 LF-0200 (듀퐁·재팬 리미티드 제조, 아크릴계 접착 필름, n=1.47) 을 개재하여, 롤 라미네이터에 의해 170 ℃, 20 kg/㎠ 의 조건에서 라미네이트하였다. 이 금박 부착 PET 필름에 접착 필름 (1) 의 제조예와 동일한 포토리소 공정을 거쳐, 금속 세선 (16) 에 의한 다수의 격자 (정방 형상) 가 배열된 도전 패턴을 PET 필름 상에 형성하고, 구성 재료 (2) 를 얻었다. 금속 세선 (16) 의 선폭은 6 ㎛, 선 간격은 200 ㎛ 이다. 이 구성 재료 (2) 위에 후술하는 투명 피복층 (2) 을 건조 도포 두께가 약 10 ㎛ 가 되도록 도포, 건조시켜 투명성을 갖는 접착 필름 (2) 을 얻었다. 그리고, 접착 필름 (2) 을 시판되는 아크릴판에 110 ℃, 30 kgf/㎠, 30 분의 조건에서 열 프레스기를 사용하여 가열 압착하였다.A transparent PET film having a thickness of 25 占 퐉 was used as the transparent base body 12 and a 3 占 퐉 -thick gold foil having a thickness of 3 占 퐉 as a conductive material was formed thereon by using Pairlax LF-0200 (manufactured by DuPont Japan Limited, Film, n = 1.47) at 170 캜 under a condition of 20 kg / cm 2 by a roll laminator. This gold-plated PET film was subjected to the same photolithographic process as in the production example of the adhesive film 1 to form a conductive pattern on the PET film in which a plurality of lattices (tetrahedrons) of metal thin wires 16 were arranged, Material (2) was obtained. The line width of the metal thin line 16 is 6 占 퐉 and the line spacing is 200 占 퐉. A transparent coating layer 2 to be described later was coated on the constituent material 2 so as to have a dry coating thickness of about 10 占 퐉 and dried to obtain an adhesive film 2 having transparency. Then, the adhesive film 2 was heat-pressed on a commercially available acrylic plate at 110 DEG C and 30 kgf / cm2 for 30 minutes using a hot press machine.

(실시예 43)(Example 43)

<접착 필름 (3) 의 제조예><Production Example of Adhesive Film (3)> [

투명 기체 (12) 로서 두께 50 ㎛ 의 투명 PET 필름을 사용하고, 이 위에 도전성 재료인 두께 1 ㎛ 의 금박을, 접착층 (62) 이 되는 파이라락스 LF-0200 (듀퐁·재팬 리미티드 제조, 아크릴계 접착 필름, n=1.47) 을 개재하여, 롤 라미네이터에 의해 170 ℃, 20 kg/㎠ 의 조건에서 라미네이트하였다. 이 금박 부착 PET 필름에 접착 필름 (1) 의 제조예와 동일한 포토리소 공정을 거쳐, 금속 세선 (16) 에 의한 다수의 격자 (정방 형상) 가 배열된 도전 패턴을 PET 필름 상에 형성하고, 구성 재료 (3) 를 얻었다. 금속 세선 (16) 의 선폭은 1 ㎛, 선 간격은 300 ㎛ 이다. 이 구성 재료 (3) 위에 후술하는 투명 피복층 (3) 을 건조 도포 두께가 약 10 ㎛ 가 되도록 도포, 건조시켜 투명성을 갖는 접착 필름 (3) 을 얻었다. 그리고, 접착 필름 (3) 을 시판되는 아크릴판에 110 ℃, 30 kgf/㎠, 30 분의 조건에서 열 프레스기를 사용하여 가열 압착하였다.A transparent PET film having a thickness of 50 占 퐉 was used as the transparent base body 12 and gold foil having a thickness of 1 占 퐉 as a conductive material was formed thereon by using Pairlacx LF-0200 (produced by DuPont Japan Limited, acrylic adhesive Film, n = 1.47) at 170 캜 under a condition of 20 kg / cm 2 by a roll laminator. This gold-plated PET film was subjected to the same photolithographic process as in the production example of the adhesive film 1 to form a conductive pattern on the PET film in which a plurality of lattices (tetrahedrons) of metal thin wires 16 were arranged, Material (3) was obtained. The line width of the metal thin line 16 is 1 mu m and the line spacing is 300 mu m. A transparent coating layer 3 to be described later was applied onto the constituent material 3 so as to have a dry coating thickness of about 10 mu m and dried to obtain an adhesive film 3 having transparency. Then, the adhesive film 3 was heat-pressed on a commercially available acrylic plate at 110 DEG C, 30 kgf / cm &lt; 2 &gt; for 30 minutes using a hot press machine.

<투명 피복층 (1) 의 조성물>&Lt; Composition of transparent coating layer (1)

TBA-HME (히타치 화성 공업 (주) 제조 ; 고분자량 에폭시 수지, Mw=30만) 100 중량부, YD-8125 (토토 화성 (주) 제조 ; 비스페놀 A 형 에폭시 수지) 25 중량부, IPDI (히타치 화성 공업 (주) 제조 ; 마스크 이소시아네이트) 12.5 중량부, 2-에틸-4-메틸이미다졸 0.3 중량부, MEK 330 중량부, 시클로헥사논 15 중량부 상기 투명 피복층의 성분을 MEK 과 시클로헥사논에 용해시키고, 투명 피복층 (1) 의 바니시를 제조하였다. 이 바니시를 유리판에 유연하고, 가열 건조시켜 얻어지는 필름의 굴절률은 1.57 이었다., 100 parts by weight of TBA-HME (high molecular weight epoxy resin, Mw = 300,000 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), 25 parts by weight of YD-8125 (Bisphenol A type epoxy resin, 12.5 parts by weight of a mask isocyanate), 0.3 parts by weight of 2-ethyl-4-methylimidazole, 330 parts by weight of MEK, and 15 parts by weight of cyclohexanone The components of the transparent coating layer were mixed with MEK and cyclohexanone To prepare a varnish of the transparent coating layer (1). The varnish was softened on a glass plate and heated and dried to obtain a refractive index of 1.57.

<투명 피복층 (2) 의 조성물>&Lt; Composition of transparent coating layer (2)

YP-30 (토토 화성 (주) 제조 ; 페녹시 수지, Mw=6만) 100 중량부, YD-8125 (토토 화성 (주) 제조 ; 비스페놀 A 형 에폭시 수지) 10 중량부, IPDI (히타치 화성 공업 (주) 제조 ; 마스크 이소시아네이트) 5 중량부, 2-에틸-4-메틸이미다졸 0.3 중량부, MEK 285 중량부, 시클로헥사논 5 중량부, 상기 투명 피복층의 성분을 MEK 와 시클로헥사논에 용해시키고, 투명 피복층 (2) 의 바니시를 제조하였다. 이 바니시를 유리판에 유연하고, 가열 건조시켜 얻어지는 필름의 굴절률은 1.55 였다.100 parts by weight of YP-30 (phenoxy resin, Mw = 60,000), 10 parts by weight of YD-8125 (bisphenol A type epoxy resin manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.), 10 parts by weight of IPDI 5 parts by weight of 2-ethyl-4-methylimidazole, 285 parts by weight of MEK, and 5 parts by weight of cyclohexanone. The components of the transparent coating layer were dissolved in MEK and cyclohexanone And a varnish of a transparent coating layer (2) was prepared. The varnish was softened on a glass plate and heated and dried to obtain a refractive index of 1.55.

<투명 피복층 (3) 의 조성물>&Lt; Composition of transparent coating layer (3)

HTR-600LB (테이코쿠 화학 산업 (주) 제조 ; 폴리아크릴산에스테르, Mw=70만) 100 중량부, 콜로네이트 L (닛폰 폴리우레탄 (주) 제조 ; 3 관능 이소시아네이트) 4.5 중량부, 디부틸주석디라우릴레이트 0.4 중량부, 톨루엔 450 중량부, 아세트산에틸 10 중량부, 상기 투명 피복층의 성분을 톨루엔과 아세트산에틸에 용해시키고, 투명 피복층 (3) 의 바니시를 제조하였다. 이 바니시를 유리판에 유연하고, 가열 건조시켜 얻어지는 필름의 굴절률은 1.47 이었다., 100 weight parts of HTR-600LB (polyacrylic acid ester, Mw = 70,000, manufactured by Teikoku Chemical Industry Co., Ltd.), 4.5 weight parts of Colonate L (trifunctional isocyanate manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) 0.4 parts by weight of laurelate, 450 parts by weight of toluene, 10 parts by weight of ethyl acetate, and the components of the transparent coating layer were dissolved in toluene and ethyl acetate to prepare a varnish of the transparent coating layer (3). The varnish was softened on a glass plate and dried by heating to obtain a refractive index of 1.47.

(실시예 44)(Example 44)

금속 세선 (16) 의 선폭을 9 ㎛ 로 한 점 이외에는 실시예 41 과 동일하게 하여 접착 필름을 얻었다.An adhesive film was obtained in the same manner as in Example 41 except that the line width of the metal thin line 16 was changed to 9 탆.

(실시예 45)(Example 45)

금속 세선 (16) 의 선폭을 1 ㎛ 로 한 점 이외에는 실시예 42 와 동일하게 하여 접착 필름을 얻었다.An adhesive film was obtained in the same manner as in Example 42 except that the wire width of the thin metal wire 16 was 1 占 퐉.

(실시예 46)(Example 46)

금속 세선 (16) 의 선 간격을 500 ㎛ 로 한 점 이외에는 실시예 43 과 동일하게 하여 접착 필름을 얻었다.An adhesive film was obtained in the same manner as in Example 43 except that the line interval of the metal thin line 16 was set to 500 mu m.

(실시예 47)(Example 47)

금속 세선 (16) 의 선 간격을 200 ㎛ 로 한 점 이외에는 실시예 41 과 동일하게 하여 접착 필름을 얻었다.An adhesive film was obtained in the same manner as in Example 41 except that the wire interval of the metal thin line 16 was set to 200 mu m.

(실시예 48)(Example 48)

투명 기체 (12) 의 두께를 25 ㎛ 로 한 점 이외에는 실시예 41 과 동일하게 하여 접착 필름을 얻었다.An adhesive film was obtained in the same manner as in Example 41 except that the thickness of the transparent base body 12 was 25 占 퐉.

(실시예 49)(Example 49)

투명 기체 (12) 의 두께를 50 ㎛, 금속 세선 (16) 의 선 간격을 300 ㎛, 두께를 2 ㎛ 로 한 점 이외에는 실시예 42 와 동일하게 하여 접착 필름을 얻었다.An adhesive film was obtained in the same manner as in Example 42 except that the thickness of the transparent base body 12 was 50 占 퐉, the line spacing of the metal thin line 16 was 300 占 퐉, and the thickness was 2 占 퐉.

(실시예 50)(Example 50)

금속 세선 (16) 의 선폭을 6 ㎛, 두께를 2 ㎛ 로 한 점 이외에는 실시예 43 과 동일하게 하여 접착 필름을 얻었다.An adhesive film was obtained in the same manner as in Example 43 except that the line width of the metal thin line 16 was 6 mu m and the thickness was 2 mu m.

(비교예 21)(Comparative Example 21)

금속 세선 (16) 의 선폭을 20 ㎛ 로 한 점 이외에는 실시예 41 과 동일하게 하여 접착 필름을 얻었다.An adhesive film was obtained in the same manner as in Example 41 except that the line width of the metal thin wire 16 was changed to 20 占 퐉.

(비교예 22)(Comparative Example 22)

금속 세선 (16) 의 선 간격을 20 ㎛ 로 한 점 이외에는 실시예 42 와 동일하게 하여 접착 필름을 얻었다.An adhesive film was obtained in the same manner as in Example 42 except that the line interval of the metal thin line 16 was 20 占 퐉.

(비교예 23)(Comparative Example 23)

금속 세선 (16) 의 두께를 15 ㎛ 로 한 점 이외에는 실시예 42 와 동일하게 하여 접착 필름을 얻었다.An adhesive film was obtained in the same manner as in Example 42 except that the thickness of the thin metal wire 16 was 15 占 퐉.

(비교예 24)(Comparative Example 24)

투명 피복층 (64) 으로서, 투명 피복층 (4) {페놀-포름알데히드 수지 (Mw=5 만, n=1.73)} 을 사용한 점 이외에는, 실시예 41 과 동일하게 하여 접착 필름을 얻었다.An adhesive film was obtained in the same manner as in Example 41 except that a transparent coating layer 4 (phenol-formaldehyde resin (Mw = 50,000, n = 1.73) was used as the transparent coating layer 64.

(비교예 25)(Comparative Example 25)

투명 피복층 (64) 으로서, 투명 피복층 (5) {폴리디메틸실록산 (Mw=4.5만, n=1.43)} 을 사용한 점 이외에는, 실시예 43 과 동일하게 하여 접착 필름을 얻었다.An adhesive film was obtained in the same manner as in Example 43 except that a transparent coating layer 5 (polydimethylsiloxane (Mw = 4.5 million, n = 1.43) was used as the transparent coating layer 64.

(비교예 26)(Comparative Example 26)

투명 피복층 (64) 으로서, 투명 피복층 (6) {폴리비닐리덴플루오라이드 (Mw=12만, n=1.42)} 을 사용한 점 이외에는, 실시예 43 과 동일하게 하여 접착 필름을 얻었다.An adhesive film was obtained in the same manner as in Example 43 except that a transparent coating layer 6 (polyvinylidene fluoride (Mw = 120,000, n = 1.42) was used as the transparent coating layer 64.

(비교예 27)(Comparative Example 27)

투명 기체 (12) 로서 두께 60 ㎛ 의 충전제 함유 폴리에틸렌 필름 (가시광 투과율 20 % 이하) 을 사용한 점 이외에는, 실시예 41 과 동일하게 하여 접착 필름을 얻었다.An adhesive film was obtained in the same manner as in Example 41 except that a filler-containing polyethylene film (visible light transmittance: 20% or less) having a thickness of 60 占 퐉 was used as the transparent substrate 12.

이상과 같이 하여 얻어진 접착 필름을 사용한 구성물의 가시광 투과율, 시인성을 측정하였다. 결과를 표 5 와 표 6 에 나타낸다.Visible light transmittance and visibility of the composition using the thus obtained adhesive film were measured. The results are shown in Tables 5 and 6.

Figure 112011090541689-pat00005
Figure 112011090541689-pat00005

Figure 112011090541689-pat00006
Figure 112011090541689-pat00006

가시광 투과율의 측정은, 더블빔 분광 광도계 ((주) 히타치 제작소 제조, 200-10 형) 를 사용하여, 400∼800 ㎚ 의 투과율의 평균값을 사용하였다. 시인성은, 아크릴판에 첩부한 접착 필름을 0.5 m 떨어진 장소에서 육안으로 도전성 재료로 그려진 도전 패턴을 인식할 수 있는지로 평가하고, 인식할 수 없는 것을 「양호」라고 하고, 인식할 수 있는 것을 NG 로 하였다.The visible light transmittance was measured using an average value of the transmittance of 400 to 800 nm using a double beam spectrophotometer (200-10 type, manufactured by Hitachi, Ltd.). The visibility was evaluated by evaluating whether the adhesive film pasted on the acrylic plate could recognize a conductive pattern drawn with a conductive material visually at a distance of 0.5 m, and what can not be recognized is referred to as &quot; good &quot; Respectively.

또, 본 발명에 관련된 터치 패널, 터치 패널의 제조 방법 및 도전성 필름은, 상기 서술한 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않고, 여러 가지 구성을 채용할 수 있는 것은 물론이다.It is needless to say that the touch panel, the method of manufacturing the touch panel, and the conductive film according to the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.

Claims (26)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 도전성 필름 (10) 을 제조하는 도전성 필름 제조 공정을 포함하는 터치 패널 (150) 의 제조 방법으로서,
상기 도전성 필름 제조 공정은,
투명 기체 (12) 의 일주면 (12a) 상에 접착층 (62) 을 개재하여 그 접착층 (62) 에 대한 첩합면이 조면화되어 있는 도전성 재료의 금속박 (66) 을 첩합하여 상기 접착층 (62) 에 금속박 (66) 의 첩합면의 조면 형상이 전사되는 공정과,
첩합한 상기 금속박 (66) 을 케미컬 에칭 프로세스에 의해 일부 제거하여, 선폭이 9 ㎛ 이하, 두께가 3 ㎛ 이하인 상기 금속박 (66) 으로 이루어지는 도전 패턴 (120) 을 형성하는 공정과,
상기 도전 패턴 (120) 과 상기 접착층 (62) 이 노출되는 부분에 걸쳐, 상기 접착층 (62) 과의 굴절률의 차가 0.1 이하인 투명 피복층 (64) 을 피복하는 공정과,
상기 투명 피복층의 피복 후에, 용매 건조 처리 및 가열 경화 처리를 행하여 접착 필름으로서의 상기 도전성 필름을 제작하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널의 제조 방법.
A manufacturing method of a touch panel (150) including a conductive film manufacturing process for manufacturing a conductive film (10)
In the conductive film production process,
A metal foil 66 of a conductive material having a roughened surface to which the adhesive layer 62 is adhered is adhered to the adhesive layer 62 via the adhesive layer 62 on the principal surface 12a of the transparent substrate 12, A step of transferring the rough surface shape of the concave surface of the metal foil 66,
A step of forming a conductive pattern 120 made of the metal foil 66 having a line width of 9 mu m or less and a thickness of 3 mu m or less by partially removing the metal foil 66 by the chemical etching process,
Covering the transparent covering layer (64) having a refractive index difference of 0.1 or less from the adhesive layer (62) over the conductive pattern (120) and the exposed portion of the adhesive layer (62)
And a step of forming a conductive film as an adhesive film by performing a solvent drying treatment and a heat hardening treatment after coating the transparent coating layer.
제 9 항에 있어서,
상기 투명 피복층 (64) 으로 피복하는 공정은, 상기 접착층 (62) 에 전사된 금속박 (66) 의 첩합면의 조면 형상이 상기 투명 피복층 (64) 으로 평활하게 도포되는 것을 특징으로 하는 터치 패널의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the step of coating with the transparent coating layer (64) is performed such that the rough surface of the surface of the metal foil (66) transferred to the adhesive layer (62) is smoothly coated with the transparent coating layer (64) Way.
제 9 항에 있어서,
상기 금속박 (66) 이 금박인 것을 특징으로 하는 터치 패널의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the metal foil (66) is a gold foil.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 투명 기체 (12) 와,
상기 투명 기체 (12) 의 일주면 (12a) 상에 접착층 (62) 을 개재하여 형성된, 선폭이 9 ㎛ 이하이고 두께가 3 ㎛ 이하인 금속 세선 (16) 에 의한 도전부 (14) 와,
상기 도전부 (14) 와 상기 접착층 (62) 이 노출된 부분을 피복하도록 형성된 투명 피복층 (64) 을 갖고,
상기 접착층 (62) 과 상기 투명 피복층 (64) 의 굴절률의 차가 0.1 이하이고,
상기 금속 세선은, 금속박을 패터닝하는 것에 의하여 형성되고,
상기 접착층이 노출된 부분의 표면은, 상기 금속박의 상기 접착층에의 첩합면의 조면형상이 전사되고,
상기 투명 피복층이 접착성을 가지는 것을 특징으로 하는 도전성 필름.
A transparent substrate 12,
A conductive portion 14 formed by a thin metal wire 16 having a line width of 9 占 퐉 or less and a thickness of 3 占 퐉 or less and formed on the main surface 12a of the transparent base 12 with an adhesive layer 62 therebetween,
And a transparent coating layer (64) formed to cover the conductive part (14) and the exposed part of the adhesive layer (62)
The difference in refractive index between the adhesive layer (62) and the transparent coating layer (64) is 0.1 or less,
The metal thin wire is formed by patterning a metal foil,
Wherein the surface of the portion where the adhesive layer is exposed is transferred with the rough surface shape of the surface of the metal foil adhered to the adhesive layer,
Wherein the transparent coating layer has adhesiveness.
삭제delete 삭제delete 제 21 항에 있어서,
상기 도전부 (14) 는, 각각 제 1 방향으로 연장되고, 또한, 상기 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 배열된 상기 금속 세선 (16) 에 의한 2 이상의 도전 패턴 (120) 을 갖는 것을 특징으로 하는 도전성 필름.
22. The method of claim 21,
The conductive portions 14 each have two or more conductive patterns 120 extending in a first direction and formed by the metal thin wires 16 arranged in a second direction orthogonal to the first direction .
제 24 항에 있어서,
상기 도전 패턴 (120) 은, 상기 금속 세선 (16) 과 개구부에 의한 메시 형상이 다수 배열된 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 도전성 필름.
25. The method of claim 24,
Wherein the conductive pattern (120) has a pattern in which a plurality of mesh shapes are formed by the thin metal wires (16) and openings.
제 24 항에 있어서,
상기 도전 패턴 (120) 은, 2 이상의 대격자가 상기 제 1 방향으로 각각 상기 금속 세선 (16) 에 의한 접속부를 개재하여 접속되어 구성되고,
각 상기 대격자는, 각각 2 이상의 소격자 (204) 가 조합되어 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 도전성 필름.
25. The method of claim 24,
The conductive pattern 120 is configured such that at least two catheters are connected to each other in the first direction via connection portions of the metal thin wires 16,
Wherein each of said catastrophic bodies is formed by combining at least two sublattices (204).
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