KR101988737B1 - Photosensitive resin composition for black column spacer, black column spacer, display device, and forming method for the black column spacer - Google Patents
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Abstract
본 발명은 하프톤 마스크를 개재하여 노광을 실시하는 경우에, 충분히 높이의 차이가 있는 블랙 컬럼 스페이서를 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물, 상기 조성물을 이용하여 형성된 블랙 컬럼 스페이서, 상기 블랙 컬럼 스페이서를 구비하는 표시장치 및 상기 조성물을 이용한 블랙 컬럼 스페이서의 형성 방법을 제공한다.
구체적으로, 본 발명은 알칼리 가용성 수지, 광 중합성 모노머, 광 중합 개시제 및 차광제를 함유하는, 블랙 컬럼 스페이서용 감광성 수지 조성물에 있어서, 알칼리 가용성 수지로서, 카르도 구조를 갖는 수지와 아크릴계 수지를 포함하는 수지를 제공한다.The present invention relates to a photosensitive resin composition capable of forming a black column spacer having a sufficiently high height in the case of performing exposure through a halftone mask, a black column spacer formed using the composition, a black column spacer And a method of forming a black column spacer using the composition.
Specifically, the present invention provides a photosensitive resin composition for a black column spacer comprising an alkali-soluble resin, a photopolymerizable monomer, a photopolymerization initiator, and a light-shielding agent, wherein the resin having a cardo structure and the acrylic resin / RTI >
Description
본 발명은 블랙 컬럼 스페이서용 감광성 수지 조성물, 상기 조성물을 이용하여 형성된 블랙 컬럼 스페이서, 상기 블랙 컬럼 스페이서를 구비하는 표시장치, 및 상기 조성물을 이용한 블랙 컬럼 스페이서의 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition for a black column spacer, a black column spacer formed using the composition, a display device having the black column spacer, and a method of forming a black column spacer using the composition.
액정 표시장치, 유기 EL표시장치 등의 표시장치에서는, 2매의 기판 간의 간격(셀 갭)을 일정하게 유지하기 위해서 스페이서가 이용되고 있다. In a display device such as a liquid crystal display device or an organic EL display device, a spacer is used to maintain a constant gap (cell gap) between two substrates.
종래 스페이서를 형성하려면, 기판의 전면에 스페이서가 되는 비드 입자를 산포하는 방법이 채택되고 있었다. 그러나, 이 방법에서는 높은 위치정밀도의 스페이서를 형성하는 것이 곤란하고. 화소 표시 부분에도 비드가 부착하기 때문에, 화상의 콘트라스트나 표시 화질이 저하되는 문제가 있었다.Conventionally, in order to form a spacer, a method of dispersing bead particles as spacers on the entire surface of a substrate has been adopted. However, in this method, it is difficult to form a spacer having a high positional accuracy. Since the beads adhere to the pixel display portion, the contrast of the image and the display quality deteriorate.
그래서 이들 문제를 해결하기 위해, 스페이서를 감광성 수지 조성물에 의해 형성하는 방법이 여러 가지로 제안되고 있다. 이 방법은 감광성 수지 조성물을 기판상에 도포하고 소정의 마스크를 개재하여 노광한 후 현상하여 컬럼 모양 등의 스페이서를 형성하는 것이며, 화소 표시 부분 이외의 소정의 부분에만 스페이서를 형성할 수 있다. 또 근래에는 카본 블랙 등의 차광제에 의해 스페이서에 차광성을 가지게 한, 이른바 블랙 컬럼 스페이서도 제안되어 있다(특허문헌 1 등).Therefore, in order to solve these problems, various methods for forming spacers by photosensitive resin compositions have been proposed. In this method, a photosensitive resin composition is coated on a substrate, exposed through a predetermined mask and then developed to form a spacer such as a column shape, and a spacer can be formed only at a predetermined portion other than the pixel display portion. In recent years, a so-called black column spacer has been proposed in which spacers are shielded by a light-shielding agent such as carbon black (Patent Document 1, etc.).
그런데, 액정 표시장치 등의 표시장치에서는, 기판 상에 소자가 형성된 TFT 기판 등의 기판이 사용되는 것도 많다. 상기의 기판을 이용하는 경우, 기판에 형성된 소자 상, 또는 소자가 형성된 기판과 짝을 이루는 기판의 소자와 대향하는 개소에 블랙 컬럼 스페이서를 형성할 필요가 있는 경우가 있다. 상기와 같은 경우, 소자의 높이를 고려하여, 소자가 형성된 개소와 그 외의 개소에서, 블랙 컬럼 스페이서의 높이를 바꿀 필요가 있다.However, in a display device such as a liquid crystal display device, a substrate such as a TFT substrate on which elements are formed is often used. In the case of using the above substrate, it may be necessary to form a black column spacer on the element formed on the substrate, or on the portion facing the element of the substrate mating with the substrate on which the element is formed. In such a case, it is necessary to change the height of the black column spacer at the portion where the element is formed and other portions in consideration of the height of the element.
이러한 경우, 블랙 컬럼 스페이서가 형성되는 장소에 따라 노광량을 변화시킴으로써, 상이한 높이의 블랙 컬럼 스페이서를 한 번에 형성할 수 있기 때문에, 하프톤 마스크를 개재하여 노광을 실시하는 것이 바람직하다. 그렇지만, 본 발명자들이 검토한 결과, 알칼리 가용성 수지로서 특허문헌 1에서 이용되고 있는 카르도 구조를 갖는 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물에서는, 하프톤 마스크를 개재하여 노광을 실시해도, 높이 차이가 있는 블랙 컬럼 스페이서를 형성하기 어려운 것이 판명되었다.In this case, since the black column spacer having different heights can be formed at one time by changing the exposure amount depending on the place where the black column spacer is formed, it is preferable to perform the exposure through the halftone mask. However, as a result of a study by the present inventors, it has been found that a photosensitive resin composition containing a resin having a cardo structure, which is used in Patent Document 1 as an alkali-soluble resin, It has been found that it is difficult to form a column spacer.
이에 본 발명은, 하프톤 마스크를 개재하여 노광을 실시하는 경우에, 충분히 높이 차이가 있는 블랙 컬럼 스페이서를 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물, 상기 조성물을 이용하여 형성된 블랙 컬럼 스페이서, 상기 블랙 컬럼 스페이서를 구비하는 표시장치 및 상기 조성물을 이용한 블랙 컬럼 스페이서의 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, the present invention provides a photosensitive resin composition capable of forming a black column spacer having a sufficiently high height in the case of performing exposure through a halftone mask, a black column spacer formed using the composition, a black column spacer And a method of forming a black column spacer using the composition.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 열심히 연구를 거듭하였다. 그 결과, 알칼리 가용성 수지, 광 중합성 모노머, 광 중합 개시제 및 차광제를 함유하는, 블랙 컬럼 스페이서용 감광성 수지 조성물에 있어서, 알칼리 가용성 수지로서 카르도 구조를 갖는 수지와 아크릴계 수지를 포함하는 수지를 이용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 찾아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.The inventors of the present invention have studied hard to achieve the above object. As a result, in the photosensitive resin composition for a black column spacer containing an alkali-soluble resin, a photopolymerizable monomer, a photopolymerization initiator and a light-shielding agent, a resin comprising a resin having a cardo structure and an acrylic resin as an alkali- And the present invention has been accomplished based on this finding.
구체적으로, 본 발명은 이하의 것을 제공한다.Specifically, the present invention provides the following.
본 발명의 제1의 태양은 알칼리 가용성 수지, 광 중합성 모노머, 광 중합 개시제, 및 차광제를 함유하고, 상기 알칼리 가용성 수지가, 카르도 구조를 갖는 수지와 아크릴계 수지를 포함하는 블랙 컬럼 스페이서용 감광성 수지 조성물이다.A first aspect of the present invention is a method for producing a black column spacer comprising an alkali soluble resin, a photopolymerizable monomer, a photopolymerization initiator and a light shielding agent, wherein the alkali soluble resin comprises a resin having a cardo structure and an acrylic resin Sensitive resin composition.
본 발명의 제2의 태양은, 제1의 태양과 관련된 블랙 컬럼 스페이서용 감광성 수지 조성물로부터 형성된 블랙 컬럼 스페이서이며, 본 발명의 제3 태양은, 제2의 태양과 관련된 블랙 컬럼 스페이서를 구비하는 표시장치이다.A second aspect of the present invention is a black column spacer formed from a photosensitive resin composition for a black column spacer related to the first aspect and a third aspect of the present invention is a black column spacer formed from a black column spacer having a black column spacer Device.
본 발명의 제4의 태양은, 제1의 태양과 관련된 블랙 컬럼 스페이서용 감광성 수지 조성물을 기판상에 도포하고, 감광성 수지층을 형성하는 도포 공정과, 상기 감광성 수지층을 소정의 스페이서의 패턴에 따라 노광하는 노광 공정과, 노광 후의 감광성 수지층을 현상하여 스페이서의 패턴을 형성하는 현상 공정을 포함하는 블랙 컬럼 스페이서의 형성 방법이다.A fourth aspect of the present invention is a method for manufacturing a black column spacer, comprising the steps of: applying a photosensitive resin composition for a black column spacer according to the first aspect onto a substrate to form a photosensitive resin layer; And a developing step of developing the exposed photosensitive resin layer to form a pattern of spacers.
본 발명에 의하면, 하프톤 마스크를 개재하여 노광을 실시하는 경우에, 충분히 높이 차이가 있는 블랙 컬럼 스페이서를 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물, 상기 조성물을 이용하여 형성된 블랙 컬럼 스페이서, 상기 블랙 컬럼 스페이서를 구비하는 표시장치 및 상기 조성물을 이용한 블랙 컬럼 스페이서의 형성 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, there is provided a photosensitive resin composition capable of forming a black column spacer having a sufficiently high height in the case of performing exposure through a halftone mask, a black column spacer formed using the composition, And a method of forming a black column spacer using the composition.
≪블랙 컬럼 스페이서용 감광성 수지 조성물≫«Photosensitive resin composition for black column spacer»
본 발명에 관한 블랙 컬럼 스페이서용 감광성 수지 조성물(이하, 단순히 「감광성 수지 조성물」이라고 한다.)은 알칼리 가용성 수지, 광 중합성 모노머, 광 중합 개시제, 및 차광제를 함유하고, 상기 알칼리 가용성 수지는 카르도 구조를 갖는 수지와 아크릴계 수지를 포함한다. 이하, 본 발명에 관한 감광성 수지 조성물에 함유되는 각 성분에 대해서 설명한다.The photosensitive resin composition for a black column spacer according to the present invention (hereinafter simply referred to as "photosensitive resin composition") contains an alkali-soluble resin, a photopolymerizable monomer, a photopolymerization initiator and a light- A resin having a cardo structure and an acrylic resin. Each component contained in the photosensitive resin composition according to the present invention will be described below.
알칼리 가용성 수지란, 수지 농도 20 질량%의 수지 용액(용매:프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트)에 의해 막 두께 1μm의 수지막을 기판 상에 형성하고, 농도 0.05 질량%의 KOH 수용액에 1분간 침지 하였을 때, 막 두께가 0.01μm 이상 용해하는 것을 말한다.The alkali-soluble resin means a resin film having a thickness of 1 mu m formed on a substrate by a resin solution (solvent: propylene glycol monomethyl ether acetate) having a resin concentration of 20 mass% and immersed in a KOH aqueous solution having a concentration of 0.05 mass% for 1 minute , And a film thickness of 0.01 占 퐉 or more.
<(A) 알칼리 가용성 수지><(A) Alkali-soluble resin>
본 발명에 관한 감광성 수지 조성물은, (A) 알칼리 가용성 수지로서 (A1) 카르도 구조를 갖는 수지와 (A2) 아크릴계 수지를 함유한다. (A1) 카르도 구조를 갖는 수지와 (A2) 아크릴계 수지의 양쪽을 함유함으로써, 하프톤 마스크를 개재하여 노광을 하는 경우에, 충분히 높이의 차이가 있는 블랙 컬럼 스페이서를 형성할 수 있다. 보다 구체적으로는, 이에 관계되는 (A) 알칼리 가용성 수지를 이용함으로써, 감광성 수지 조성물로 이루어지는 막 두께 3μm의 감광성 수지층을 50 mJ/cm2의 노광량으로 노광하였을 때에 얻어지는 블랙 컬럼 스페이서의 막 두께 HFT와, 10 mJ/cm2의 노광량으로 노광하였을 때에 얻어지는 블랙 컬럼 스페이서의 막두께 HHT와의 차이ΔH(=HFT-HHT)가 7000~8000Å이 되는, 감광성 수지 조성물을 조제할 수 있다.The photosensitive resin composition according to the present invention contains (A) a resin having (A1) a cardo structure and (A2) an acrylic resin as an alkali-soluble resin. By containing both a resin having a cardo structure (A1) and an acrylic resin (A2), it is possible to form a black column spacer having a sufficiently different height when exposed through a halftone mask. More specifically, by using the (A) alkali-soluble resin which is related to the above, the thickness H of the black column spacer obtained when the photosensitive resin layer made of the photosensitive resin composition having a thickness of 3 탆 is exposed at an exposure amount of 50 mJ / cm 2 The difference ΔH (= H FT -H HT ) between the FT and the film thickness H HT of the black column spacer obtained when exposed at an exposure of 10 mJ / cm 2 is 7000 to 8000 Å.
(A1) 카르도 구조를 갖는 수지로서는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 종래 공지의 수지를 이용할 수 있다. 이 중에서도, 하기 식 (a-1)로 나타내는 수지가 바람직하다.The resin having (A1) cardo structure is not particularly limited, and conventionally known resins can be used. Among them, a resin represented by the following formula (a-1) is preferable.
상기 식 (a-1) 중, Xa는 하기 식 (a-2)로 표시되는 기를 나타낸다.In the above formula (a-1), X a represents a group represented by the following formula (a-2).
상기 식 (a-2) 중, Ra1는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~6의 탄화수소기 또는 할로겐 원자를 나타내고, Ra2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고 Wa는 단일결합 또는 하기 식 (a-3)으로 표시되는 기를 나타낸다.R a2 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group, and W a represents a single bond or a group represented by the following formula (a-2): wherein R a1 independently represents a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or a halogen atom, Represents a group represented by the formula (a-3).
또, 상기 식 (a-1) 중, Ya는 디카르복시산 무수물로부터 산무수물기(-CO-O-CO-)를 제외한 잔기를 나타낸다. 디카르복시산 무수물의 예로서는, 무수말레인산, 무수숙신산, 무수이타콘산, 무수프탈산, 무수테트라히드로프탈산, 무수헥사히드로프탈산, 무수메틸-endo-메틸렌테트라히드로프탈산, 무수클로렌드산, 메틸테트라히드로 무수프탈산, 무수글루타르산 등을 들 수 있다.In the formula (a-1), Y a represents a residue other than an acid anhydride group (-CO-O-CO-) from a dicarboxylic acid anhydride. Examples of the dicarboxylic acid anhydride include maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyl-undo-methylene tetrahydrophthalic anhydride, chlorodic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, And anhydrous glutaric acid.
또, 상기 식 (a-1) 중, Za는 테트라카르본산 2무수물로부터 2가의 산무수물기를 제외한 잔기를 나타낸다. 테트라카르본산 2무수물의 예로서는, 피로메리트산 2무수물, 벤조페논테트라카르본산 2무수물, 비페닐테트라카르본산 2무수물, 비페닐에테르테트라카르본산 2무수물 등을 들 수 있다. In the above formula (a-1), Z a represents a residue other than a divalent acid anhydride group from a tetracarboxylic dianhydride. Examples of tetracarboxylic dianhydrides include pyromellitic dianhydride, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, and biphenyl ether tetracarboxylic dianhydride.
또, 상기 식 (a-1) 중, m은 0~20의 정수를 나타낸다.In the above formula (a-1), m represents an integer of 0 to 20.
(A1) 카르도 구조를 갖는 수지의 질량 평균 분자량은 1000~40000인 것이 바람직하고, 2000~30000인 것이 보다 바람직하다. 상기의 범위로 함으로써 양호한 현상성을 얻으면서, 충분한 내열성, 막강도를 얻을 수 있다.The mass average molecular weight of the resin (A1) having a cardo structure is preferably 1000 to 40000, more preferably 2,000 to 30,000. Within the above range, sufficient heat resistance and film strength can be obtained while achieving good developability.
(A2) 아크릴계 수지로서는, (메타)아크릴산에 유래하는 구성 단위, 및/또는 (메타)아크릴산에스테르에 유래하는 구성 단위를 포함하는 것을 이용한다. (메타)아크릴산은, 아크릴산 또는 (메타)아크릴산이다. (메타)아크릴산에스테르는, 하기 식 (a-4)로 나타내는 것으로서 본 발명의 목적을 저해하지 않는 한 특별히 한정되지 않는다.As the acrylic resin (A2), those containing a constituent unit derived from (meth) acrylic acid and / or a constituent unit derived from a (meth) acrylic acid ester are used. (Meth) acrylic acid is acrylic acid or (meth) acrylic acid. (Meth) acrylic acid ester is represented by the following formula (a-4), and is not particularly limited as long as it does not hinder the object of the present invention.
상기 식 (a-4) 중 Ra3는 수소 원자 또는 메틸기이며, Ra4는 에틸렌성 또는 아세틸렌성 불포화 결합을 포함하지 않는 1가의 유기기이다. 이 유기기는, 상기 유기기 중에 헤테로 원자 등의 탄화수소기 이외의 결합이나 치환기를 포함해도 된다. 또한 이 유기기는, 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이라도 된다.In the formula (a-4), R a3 is a hydrogen atom or a methyl group, and R a4 is a monovalent organic group which does not contain an ethylenic or acetylenic unsaturated bond. The organic group may contain a bond or a substituent other than a hydrocarbon group such as a hetero atom in the organic group. The organic group may be any of straight chain, branched chain and cyclic groups.
Ra4의 유기기 중의 탄화수소기 이외의 치환기로서는, 본 발명의 효과가 손상되지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 설피드기, 시아노기, 이소시아노기, 시아네이트기, 이소시아네이트기, 티오시아네이트기, 이소티오시아네이트기, 실릴기, 실라놀기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 티오카르바모일기, 니트로기, 니트로소기, 카르복실기, 카르복실레이트기, 아실기, 아실옥시기, 설폰산기, 설폰기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 히드록시이미노기, 알킬 에테르기, 알킬티오에테르기, 아릴에테르기, 아릴 티오에테르기, 아미노기(-NH2,-NHR,-NRR': R 및 R'는 각각 독립적으로 탄화수소기를 나타낸다) 등을 들 수 있다. 상기 치환기에 포함되는 수소 원자는, 탄화수소기에 의해 치환되어 있어도 된다. 또, 상기 치환기에 포함되는 탄화수소기는 직쇄상, 분기쇄상 및 환상의 어느 것이어도 된다.The substituent other than the hydrocarbon group in the organic group of R a4 is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired and includes a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a cyano group, an isocyano group, A silyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, a carbamoyl group, a thiocarbamoyl group, a nitro group, a nitroso group, a carboxyl group, a carboxylate group, a cyano group, A sulfonyl group, a sulfonyl group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonate group, a hydroxyimino group, an alkyl ether group, an alkylthioether group, an aryl ether group , An aryl thioether group, and an amino group (-NH2, -NHR, -NRR ': R and R' each independently represent a hydrocarbon group). The hydrogen atom contained in the substituent may be substituted by a hydrocarbon group. The hydrocarbon group contained in the substituent may be any of straight chain, branched chain and cyclic.
Ra4로서는, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 또는 복소환기가 바람직하고, 이러한 기는, 할로겐 원자, 수산기, 알킬기, 또는 복소환기로 치환되어 있어도 된다. 또, 이러한 기가 알킬렌 부분을 포함하는 경우, 알킬렌 부분은 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합에 의해 중단되어 있어도 된다.As R a4 , an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or a heterocyclic group is preferable, and these groups may be substituted with a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, or a heterocyclic group. When such a group contains an alkylene moiety, the alkylene moiety may be interrupted by an ether bond, a thioether bond, or an ester bond.
알킬기가 직쇄상 또는 분기쇄상인 경우, 그 탄소수는 1~20이 바람직하고, 1~15가 보다 바람직하고, 1~10이 특히 바람직하다. 바람직한 알킬기의 예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, sec-옥틸기, tert-옥틸기, n-노닐기, 이소노닐기, n-데실기, 이소데실기 등을 들 수 있다.When the alkyl group is straight chain or branched chain, the number of carbon atoms thereof is preferably from 1 to 20, more preferably from 1 to 15, and particularly preferably from 1 to 10. Preferred examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec- , n-hexyl, n-heptyl, n-octyl, isooctyl, sec-octyl, tert-octyl, n-nonyl, isononyl, And practical training.
알킬기가, 지환식기 또는 지환식기를 포함하는 기인 경우, 알킬기에 포함되는 바람직한 지환식기로서는 시클로펜틸기 및 시클로헥실기 등 단환의 지환식기나 아다만틸기, 노르보닐기, 이소보닐기, 트리시클로노닐기, 트리시클로데실기 및 테트라시클로도데실기 등의 다환의 지환식기를 들 수 있다.When the alkyl group is a group containing an alicyclic group or an alicyclic group, preferred alicyclic groups contained in the alkyl group include monocyclic alicyclic groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group, adamantyl group, norbornyl group, isobonyl group, tricyclo A tricyclodecyl group, and a tetracyclododecyl group; and the like.
알킬기가, 지환식기 또는 지환식기인, (메타)아크릴산에스테르의 바람직한 예로서는, 예를 들면 하기 식 (a4-1)~(a4-7)로 나타내는 화합물을 들 수 있다. 이들 중에는 현상성이 뛰어난 감광성 수지 조성물을 얻기 쉬운 점에서, 하기 식 (a4-3)~(a4-8)로 나타내는 화합물이 바람직하고, 하기 식 (a4-3), 또는 (a4-4)로 나타내는 화합물이 보다 바람직하다.Preferable examples of the (meth) acrylic acid ester in which the alkyl group is an alicyclic group or an alicyclic group include, for example, compounds represented by the following formulas (a4-1) to (a4-7). Among these, compounds represented by the following formulas (a4-3) to (a4-8) are preferable from the standpoint of obtaining a photosensitive resin composition having excellent developability, and the following formulas (a4-3) and Are more preferable.
상기 식 (a4-1)~(a4-8) 중, Ra3는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Ra5는 단일결합 또는 탄소수 1~6의 2가의 지방족 포화 탄화수소기를 나타내고, Ra6는 수소 원자 또는 탄소수 1~5의 알킬기를 나타낸다. Ra5로서는, 단일결합, 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬렌기, 예를 들면 메틸렌기, 에틸기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 에틸에틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기가 바람직하다. Ra6로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기가 바람직하다.In the formulas (a4-1) to (a4-8), R a3 represents a hydrogen atom or a methyl group, R a5 represents a single bond or a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and R a6 represents a hydrogen atom or Represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. As R a5 , a single bond, a linear or branched alkylene group such as methylene, ethyl, propylene, tetramethylene, ethylethylene, pentamethylene, As R a6 , for example, methyl group and ethyl group are preferable.
Ra4에서의 아릴기로서는, 탄소수 6~20의 것이 바람직하고, 탄소수 6~10의 것이 보다 바람직하다. 바람직한 아릴기의 구체적인 예로서는, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 에틸페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기 등을 들 수 있다.The aryl group in R a4 preferably has 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms. Specific examples of preferred aryl groups include phenyl, tolyl, xylyl, ethylphenyl, naphthyl, anthryl and phenanthryl groups.
Ra4에서의 아랄킬기로서는, 탄소수 7~20의 것이 바람직하고, 탄소수 7~12의 것이 보다 바람직하다. 아랄킬기의 예로서는, 벤질기,α-메틸벤질기,α,α-디메틸벤질기, 페닐에틸기, 페닐에테닐기 등을 들 수 있다.The aralkyl group in R a4 preferably has 7 to 20 carbon atoms, more preferably 7 to 12 carbon atoms. Examples of the aralkyl group include benzyl group,? -Methylbenzyl group,?,? - dimethylbenzyl group, phenylethyl group, phenylethenyl group and the like.
Ra4에서의 복소환기로서는, 질소 원자, 유황 원자 및 산소 원자의 적어도 1개의 원자를 포함하는 5원환 이상, 바람직하게는 5~7원환의 복소환기를 들 수 있다. 이 복소환기에는 축합환이 포함되어 있어도 된다. 복소환기의 예로서는, 피롤릴기, 피리딜기, 피리미딜기, 푸릴기, 티에닐기 등을 들 수 있다.As the heterocyclic group in R a4 , there can be mentioned a heterocyclic group having 5 or more members including at least one atom of a nitrogen atom, a sulfur atom and an oxygen atom, preferably a 5- to 7-membered ring. This heterocyclic group may contain a condensed ring. Examples of the heterocyclic group include a pyrrolyl group, a pyridyl group, a pyrimidyl group, a furyl group, and a thienyl group.
또, (A2) 아크릴계 수지는, (메타)아크릴산 및 (메타)아크릴산 에스테르 이외의 다른 화합물을 더 중합시킨 것이어도 된다. 이와 같은 다른 화합물로서는, (메타)아크릴아미드류, 불포화카르본산류, 아릴 화합물, 비닐에테르류, 비닐에스테르류, 스티렌류 등을 들 수 있다. 이러한 화합물은, 단독 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수도 있다.The (A2) acrylic resin may be obtained by further polymerizing a compound other than (meth) acrylic acid and (meth) acrylic acid ester. Examples of such another compound include (meth) acrylamides, unsaturated carboxylic acids, aryl compounds, vinyl ethers, vinyl esters and styrenes. These compounds may be used alone or in combination of two or more.
(메타)아크릴아미드류로서는, (메타)아크릴아미드, N-알킬(메타) 아크릴아미드, N-아릴(메타)아크릴아미드, N, N-디알킬(메타)아크릴아미드, N, N-아릴(메타)아크릴아미드, N-메틸-N-페닐(메타)아크릴아미드, N-히드록시에틸-N-메틸(메타)아크릴아미드 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylamides include (meth) acrylamide, N-alkyl (meth) acrylamide, N-aryl (meth) acrylamide, N, N-dialkyl (Meth) acrylamide, N-methyl-N-phenyl (meth) acrylamide and N-hydroxyethyl-N-methyl (meth) acrylamide.
불포화 카르본산류로서는, 크로톤산 등의 모노카르본산;말레인산, 푸말산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산등의 디카르본산; 이들 디카르본산의 무수물; 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated carboxylic acids include monocarboxylic acids such as crotonic acid and the like; dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid; Anhydrides of these dicarboxylic acids; And the like.
아릴 화?d물로서는, 아세트산아릴, 카프로산아릴, 카프릴산 아릴, 라우르산아릴, 팔미틴산아릴, 스테아린산아릴, 벤조산아릴, 아세토아세트산아릴, 유산아릴 등의 아릴 에스테르류;아릴옥시에탄올; 등을 들 수 있다.Examples of the aryl halide include aryl esters such as aryl acetate, aryl caproate, aryl caprylate, aryl laurate, aryl palmitate, aryl stearate, aryl benzoate, aryl acetoacetate, and aryl aryl; aryloxyethanol; And the like.
비닐에테르류로서는, 헥실비닐에테르, 옥틸비닐에테르, 데실비닐 에테르, 에틸헥실비닐에테르, 메톡시에틸비닐에테르, 에톡시에틸비닐에테르, 크롤 에틸비닐에테르, 1-메틸-2,2-디메틸프로필비닐에테르, 2-에틸부틸비닐에테르, 히드록시에틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜비닐에테르, 디메틸아미노에틸비닐에테르, 디에틸아미노에틸비닐에테르, 부틸아미노에틸비닐에테르, 벤질비닐에테르, 테트라 히드로퍼프릴비닐에테르등의 알킬비닐에테르; 비닐페닐에테르, 비닐톨릴에테르, 비닐클로로페닐에테르, 비닐-2,4-디클로로페닐에테르, 비닐나프틸에테르, 비닐안트라닐에테르 등의 비닐아릴에테르; 등을 들 수 있다.Examples of vinyl ethers include hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethylhexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether, ethoxyethyl vinyl ether, chloroethyl vinyl ether, 1-methyl-2,2- But are not limited to, ether, 2-ethylbutyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, diethylene glycol vinyl ether, dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, tetrahydroperfuryl vinyl ether Alkyl vinyl ethers such as methyl vinyl ether; Vinyl aryl ethers such as vinyl phenyl ether, vinyl tolyl ether, vinyl chlorophenyl ether, vinyl-2,4-dichlorophenyl ether, vinyl naphthyl ether and vinyl anthranyl ether; And the like.
비닐에스테르류로서는, 비닐부틸레이트, 비닐이소부틸레이트, 비닐트리메틸아세테이트, 비닐디에틸아세테이트, 비닐발레이트, 비닐카프로에이트, 비닐클로로아세테이트, 비닐디클로로아세테이트, 비닐메톡시아세테이트, 비닐부톡시아세테이트, 비닐페닐아세테이트, 비닐아세토아세테이트, 비닐락테이트, 비닐-β-페닐부티레이트, 벤조산비닐, 살리실산비닐, 클로로벤조산비닐, 테트라클로로벤조산비닐, 나프토산비닐 등을 들 수 있다.Examples of the vinyl esters include vinyl butyrate, vinyl isobutylate, vinyl trimethylacetate, vinyl diethyl acetate, vinyl valerate, vinyl caproate, vinyl chloroacetate, vinyl dichloroacetate, vinyl methoxyacetate, vinyl butoxyacetate, vinyl Phenyl acetate, vinyl acetoacetate, vinyl lactate, vinyl-beta-phenylbutyrate, vinyl benzoate, vinyl salicylate, vinyl chlorobenzoate, vinyl tetrachlorobenzoate and vinyl naphthoate.
스티렌류로서는, 스티렌; 메틸스티렌, 디메틸스티렌, 트리메틸스티렌, 에틸스티렌, 디에틸스티렌, 이소프로필스티렌, 부틸스티렌, 헥실스티렌, 시클로헥실스티렌, 데실스티렌, 벤질스티렌, 크롤메틸스티렌, 트리플루오르메틸스티렌, 에톡시메틸스티렌, 아세톡시메틸스티렌 등의 알킬스티렌; 메톡시스티렌, 4-메톡시-3-메틸스티렌, 디메톡시스티렌 등의 알콕시스티렌; 클로로스티렌, 디클로로스티렌, 트리클로로스티렌, 테트라클로로스티렌, 펜타클로로스티렌, 브로모스티렌, 디브로모스티렌, 요오드스티렌, 플루오르스티렌, 트리플루오르스티렌, 2-브로모-4-트리플루오르메틸스티렌, 4-플루오르-3-트리플루오르메틸스티렌 등의 할로스티렌; 등을 들 수 있다.Examples of the styrenes include styrene; And examples thereof include methylstyrene, dimethylstyrene, trimethylstyrene, ethylstyrene, diethylstyrene, isopropylstyrene, butylstyrene, hexylstyrene, cyclohexylstyrene, decylstyrene, benzylstyrene, chloromethylstyrene, trifluoromethylstyrene, ethoxymethylstyrene, Alkyl styrenes such as acetoxymethyl styrene; Alkoxystyrene such as methoxystyrene, 4-methoxy-3-methylstyrene, and dimethoxystyrene; Bromostyrene, 4-trifluoromethylstyrene, 4-trifluoromethylstyrene, 4-trifluoromethylstyrene, 4-chlorostyrene, Halostyrenes such as fluoro-3-trifluoromethylstyrene; And the like.
(A2) 아크릴계 수지에서의, (메타)아크릴산에 유래하는 구성 단위의 양과 (메타)아크릴산에스테르에 유래하는 구성 단위의 양은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. (A2) 아크릴계 수지에서의, (메타)아크릴산에 유래하는 구성 단위의 양은, 아크릴계 수지의 질량에 대해서 5~50 질량%가 바람직하고, 10~30 질량%가 보다 바람직하다. 또 (A2) 아크릴계 수지에서의, (메타)아크릴산에스테르에 유래하는 구성 단위의 양은, 아크릴계 수지의 질량에 대하여, 10~95 질량%가 바람직하고, 30~90 질량%가 보다 바람직하다.The amount of the constituent unit derived from (meth) acrylic acid and the amount of the constituent unit derived from the (meth) acrylic acid ester in the (A2) acrylic resin is not particularly limited within the range not hindering the object of the present invention. The amount of the constituent unit derived from (meth) acrylic acid in the (A2) acrylic resin is preferably from 5 to 50 mass%, more preferably from 10 to 30 mass%, based on the mass of the acrylic resin. The amount of the constituent unit derived from the (meth) acrylic acid ester in the (A2) acrylic resin is preferably from 10 to 95% by mass, more preferably from 30 to 90% by mass, based on the mass of the acrylic resin.
(A2) 아크릴계 수지에서의, (메타)아크릴산에 유래하는 구성 단위의 양과 (메타)아크릴산에스테르에 유래하는 구성 단위의 양의 합계는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않지만, (A2) 아크릴계 수지의 질량에 대해서, 5~100 질량%가 바람직하고, 10~50 질량%가 보다 바람직하다. (A2) 아크릴계 수지가, (메타)아크릴산에 유래하는 구성 단위와 (메타)아크릴산에스테르에 유래하는 구성 단위를, 이러한 범위의 양으로 함유함으로써, 하프톤 특성이 뛰어난 감광성 수지 조성물을 쉽게 얻을 수 있다. 감광성 수지 조성물이 하프톤 특성이 뛰어난 경우, 하프톤 마스크를 개재하여 노광함으로써 광선투과율에 따라 충분히 높이의 차이가 있는 블랙 컬럼 스페이서를 형성하기 쉽다.The sum of the amount of the constituent unit derived from (meth) acrylic acid and the amount of the constituent unit derived from the (meth) acrylic acid ester in the (A2) acrylic resin is not particularly limited within the range not hindering the object of the present invention, Is preferably 5 to 100 mass%, more preferably 10 to 50 mass%, with respect to the mass of the acrylic resin (A2). When the (A2) acrylic resin contains a constituent unit derived from (meth) acrylic acid and a constituent unit derived from a (meth) acrylic acid ester in an amount within this range, a photosensitive resin composition excellent in halftone characteristics can be easily obtained . When the photosensitive resin composition has excellent halftone characteristics, it is easy to form a black column spacer having a height difference sufficiently according to the light transmittance by exposure through a halftone mask.
(A2) 아크릴계 수지로서는, 불포화 결합을 갖는 것을 이용할 수도 있다. 불포화 결합을 갖는 아크릴계 수지를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, (메타)아크릴산에 유래하는 구성 단위와 (메타)아크릴산에스테르에 유래하는 구성 단위를 포함하는 수지 등의 카르복실기를 포함하는 아크릴계 수지의 카르복실기의 적어도 일부와 에폭시기 함유 불포화 화합물을 반응시키는 방법을 들 수 있다.As the (A2) acrylic resin, those having an unsaturated bond may be used. The method for producing an acrylic resin having an unsaturated bond is not particularly limited. For example, a method of producing a resin containing a carboxyl group such as a resin containing a constituent unit derived from (meth) acrylic acid and a constituent unit derived from a (meth) And a method of reacting at least part of the carboxyl groups of the acrylic resin with an epoxy group-containing unsaturated compound.
에폭시기 함유 불포화 화합물은, 불포화 결합과 에폭시기를 함유하는 화합물이면 특별히 한정되지 않지만, 지환식기를 갖지 않는 (a-5) 에폭시기 함유 불포화 화합물, 또는 (a-6) 지환식 에폭시기 함유 불포화 화합물이 바람직하다.The epoxy group-containing unsaturated compound is not particularly limited as long as it is a compound containing an unsaturated bond and an epoxy group, but an unsaturated compound (a-5) having no alicyclic group or an unsaturated compound containing an alicyclic epoxy group (a-6) .
지환식기를 갖지 않는 (a-6) 에폭시기 함유 불포화 화합물로서는, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 2-메틸글리시딜(메타)아크릴레이트, 3, 4-에폭시 부틸(메타)아크릴레이트, 6, 7-에폭시헵틸(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 에폭시알킬에스테르류;α-에틸아크릴산글리시딜,α-n-프로필아크릴산글리시딜,α-n-부틸아크릴산글리시딜,α-에틸아크릴산 6, 7-에폭시헵틸 등의 α-알킬아크릴산에폭시알킬에스테르류;등을 들 수 있다. 이 중에서도 글리시딜(메타)아크릴레이트, 2-메틸글리시딜(메타)아크릴레이트 및 6, 7-에폭시헵틸(메타)아크릴레이트가 바람직하다. 이러한 (a-6) 에폭시기 함유 불포화 화합물은 단독 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수도 있다.Examples of the (a-6) epoxy group-containing unsaturated compound having no alicyclic group include glycidyl (meth) acrylate, 2-methylglycidyl (meth) acrylate, 3,4-epoxybutyl (Meth) acrylic acid epoxyalkyl esters such as 7-epoxyheptyl (meth) acrylate, glycidyl α-ethyl acrylate, glycidyl α-n-propyl acrylate, glycidyl α- -? - alkyl acrylate epoxy alkyl esters such as ethyl acrylate 6, 7-epoxy heptyl and the like. Among these, glycidyl (meth) acrylate, 2-methylglycidyl (meth) acrylate and 6,7-epoxyheptyl (meth) acrylate are preferable. These (a-6) epoxy group-containing unsaturated compounds may be used alone or in combination of two or more.
(a-6) 지환식 에폭시기 함유 불포화 화합물에서, 지환식 에폭시기를 구성하는 지환식기는 단환이거나 다환이어도 된다. 단환의 지환식기로서는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다. 또 다환의 지환식기로서는, 노르보닐기, 이소보닐기, 트리시클로노닐기, 트리시클로데실기, 테트라시클로도데실기 등을 들 수 있다. 이러한 (a-6) 지환식 에폭시기 함유 불포화 화합물은 단독 또는 2종 이상 조합해 이용할 수도 있다.In the (a-6) unsaturated alicyclic epoxy group-containing compound, the alicyclic group constituting the alicyclic epoxy group may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic alicyclic group include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group. Examples of the polycyclic alicyclic group include a norbornyl group, an isobonyl group, a tricyclononyl group, a tricyclodecyl group, and a tetracyclododecyl group. These unsaturated compounds containing the (a-6) alicyclic epoxy group may be used singly or in combination of two or more.
구체적으로 (a-6) 지환식 에폭시기 함유 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 하기 화학식 (a-6-1)~(a-6-16)로 나타내는 화합물을 들 수 있다. 이 중에서도, 감광성 수지 조성물의 현상성을 적당하게 하기 위해서는, 하기 화학식 (a-6-1)~(a-6-6)로 나타내는 화합물이 바람직하고, 하기 화학식 (a-6-1)~(a-6-4)로 나타내는 화합물이 보다 바람직하다.Examples of the (a-6) alicyclic epoxy group-containing unsaturated compound specifically include compounds represented by the following formulas (a-6-1) to (a-6-16). Among them, the compounds represented by the following formulas (a-6-1) to (a-6-6) are preferable, and the compounds represented by the following formulas (a-6-1) to a-6-4) is more preferable.
상기 화학식 중, Ra3는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Ra8는 탄소수 1~6의 2가의 지방족 포화 탄화수소기를 나타내고, Ra9는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Ra10는 탄소수 1~10의 2가의 탄화수소기를 나타내고, n은 0~10의 정수를 나타낸다. Ra8로서는 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬렌기, 예를 들면 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 에틸에틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기가 바람직하다. R13로서는 예를 들면 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 에틸에틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 페닐렌기, 시크로헥실렌기,-CH2-Ph-CH2-(Ph는 페닐렌기를 나타낸다)가 바람직하다.R a9 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R a10 represents a divalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms; and R a3 represents a hydrogen atom or a methyl group, R a8 represents a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, A hydrocarbon group, and n represents an integer of 0 to 10. R a8 is preferably a linear or branched alkylene group such as methylene, ethylene, propylene, tetramethylene, ethylethylene, pentamethylene or hexamethylene. Examples of R 13 include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a tetramethylene group, an ethylethylene group, a pentamethylene group, a hexamethylene group, a phenylene group, a cyclohexylene group, -CH 2 -Ph- Phenylene group) is preferable.
(A2) 아크릴계 수지가 불포화 결합을 갖는 것인 경우, 아크릴계 수지에 있어서 불포화 결합을 갖는 구성 단위의 양은 (A2) 아크릴계 수지의 질량에 대해 1~20 질량%가 바람직하고, 1~10 질량%인 것이 보다 바람직하다. 이러한 범위의 양의 불포화 결합을 갖는 구성 단위를 포함하는 아크릴계 수지를 (A2) 아크릴계 수지로 사용하는 경우, 하프톤 특성이 뛰어난 감광성 수지 조성물을 얻기 쉽다.(A2) When the acrylic resin has an unsaturated bond, the amount of the structural unit having an unsaturated bond in the acrylic resin is preferably from 1 to 20% by mass, more preferably from 1 to 10% by mass, based on the mass of the acrylic resin (A2) Is more preferable. When an acrylic resin containing a constituent unit having a positive unsaturated bond in this range is used as the acrylic resin (A2), it is easy to obtain a photosensitive resin composition having excellent halftone characteristics.
(A2) 아크릴계 수지의 질량 평균 분자량은, 2000~200000인 것이 바람직하고, 5000~30000인 것이 보다 바람직하다. 상기의 범위로 함으로써 감광성 수지 조성물의 막형성능, 노광 후의 현상성의 밸런스를 얻기 쉬운 경향이 있다.The mass average molecular weight of the (A2) acrylic resin is preferably from 2,000 to 200,000, more preferably from 5,000 to 30,000. When the amount is in the above-mentioned range, there is a tendency that the film forming ability of the photosensitive resin composition and the balance of developability after exposure tends to be easily obtained.
또한, (A) 알칼리 가용성 수지는, 상기 (A1) 카르도 구조를 갖는 수지, 상기 (A2) 아크릴계 수지 외에, 종래 공지의 다른 알칼리 가용성 수지를 포함하고 있어도 된다. 다만, (A) 알칼리 가용성 수지에서 차지하는, 상기 (A1) 카르도 구조를 갖는 수지와 상기 (A2) 아크릴계 수지와의 합계 비율은, 80 질량% 이상인 것이 바람직하고, 90 질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 100질량%인 것이 가장 바람직하다.The alkali-soluble resin (A) may contain other conventionally known alkali-soluble resins in addition to the resin (A1) having a cardo structure and the acrylic resin (A2). However, the total proportion of the resin (A1) having a cardo structure and the acrylic resin (A2) in the alkali-soluble resin (A) is preferably 80% by mass or more, more preferably 90% , And most preferably 100 mass%.
상기 (A) 알칼리 가용성 수지 100 질량부 중 상기 (A1) 카르도 구조를 갖는 수지의 비율은, 10~90 질량부인 것이 바람직하고, 20~70 질량부인 것이 보다 바람직하다. 한편, 상기 (A) 알칼리 가용성 수지 100 질량부 중 상기 (A2) 아크릴계 수지의 비율은, 10~90 질량부인 것이 바람직하고, 20~70 질량부인 것이 보다 바람직하다.The proportion of the resin (A1) having a cardo structure in the above 100 parts by mass of the alkali-soluble resin (A) is preferably 10 to 90 parts by mass, and more preferably 20 to 70 parts by mass. On the other hand, the proportion of the acrylic resin (A2) in the 100 parts by mass of the alkali-soluble resin (A) is preferably 10 to 90 parts by mass, and more preferably 20 to 70 parts by mass.
또, 상기 (A1) 카르도 구조를 갖는 수지와 상기 (A2) 아크릴계 수지와의 비는, 질량 기준으로 99:1 ~ 1:99인 것이 바람직하고, 95:5 ~ 40:60인 것이 보다 바람직하고, 90:10 ~ 45:55인 것이 더 바람직하고, 85:15 ~ 50:50인 것이 특히 바람직하고, 80:20 ~ 60:40인 것이 가장 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 하프톤 특성이 양호한 감광성 수지 조성물을 얻기 쉽다.The ratio of the resin (A1) having a cardo structure to the acrylic resin (A2) is preferably 99: 1 to 1:99, more preferably 95: 5 to 40:60, More preferably 90:10 to 45:55, particularly preferably 85:15 to 50:50, and most preferably 80:20 to 60:40. Within the above range, it is easy to obtain a photosensitive resin composition having good halftone characteristics.
(A) 알칼리 가용성 수지의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 고형분에 대해서 20~85 질량%인 것이 바람직하고, 30~75 질량%인 것이 보다 바람직하다. 상기의 범위로 함으로써, 현상성의 밸런스를 얻기 쉬운 경향이 있다.The content of the alkali-soluble resin (A) in the photosensitive resin composition is preferably 20 to 85% by mass, more preferably 30 to 75% by mass, based on the solid content of the photosensitive resin composition. In the above range, there is a tendency that a balance of developability is easily obtained.
<(B) 광 중합성 모노머>≪ (B) Photopolymerizable monomer >
광 중합성 모노머에는, 단관능 모노머와 다관능 모노머가 있다. 단관능 모노머로서, (메타)아크릴아미드, 메틸올(메타)아크릴아미드, 메톡시메틸(메타)아크릴아미드, 에톡시메틸(메타)아크릴아미드, 프로폭시메틸(메타)아크릴아미드, 부톡시메톡시메틸(메타)아크릴아미드, N-메틸올(메타)아크릴아미드, N-히드록시메틸(메타) 아크릴 아미드, (메타)아크릴산, 푸말산, 말레인산, 무수말레인산, 이타콘산, 무수 이타콘산, 시트라콘산, 무수시트라콘산, 크로톤산, 2-아크릴아미드-2-메틸프로판설폰산, tert-부틸아크릴아미드설폰산, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 2-페녹시-2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-(메타)아크릴로일옥시-2-히드록시프로필프탈레이트, 글리세린모노(메타)아크릴레이트, 테트라히드로퍼프릴(메타)아크릴레이트, 디메틸아미노(메타)아크릴레이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 2,2,2-트리플루오르에틸 (메타)아크릴레이트, 2,2,3,3-테트라플루오르프로필(메타)아크릴레이트, 프탈산 유도체의 하프(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이러한 단관능 모노머는 단독 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수도 있다.The photopolymerizable monomers include monofunctional monomers and polyfunctional monomers. Examples of the monofunctional monomer include (meth) acrylamide, methylol (meth) acrylamide, methoxymethyl (meth) acrylamide, ethoxymethyl (meth) acrylamide, propoxymethyl (Meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, itaconic acid, itaconic anhydride, citracon (meth) acrylamide, N-methylol (Meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, Hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl 2-phenoxy-2-hydroxypropyl < / RTI > (Meth) acrylate, trimethylolpropane (meth) acrylate, 2- (meth) acryloyloxy-2-hydroxypropyl phthalate, glycerin mono (meth) acrylate, tetrahydroperfuryl (Meth) acrylate of 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate, phthalic acid derivative, etc. . These monofunctional monomers may be used alone or in combination of two or more.
한편, 다관능 모노머로서는, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로릴렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1, 6-헥산글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 글리세린디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 2,2-비스(4-(메타)아크릴옥시폴리에톡시페닐)프로판, 2,2-비스(4-(메타)아크릴옥시디에톡시페닐)프로판, 2-히드록시-3-(메타)아크릴로일옥시프로필(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르디(메타)아크릴레이트, 프탈산디글리시딜에스테르디(메타)아크릴레이트, 글리세린트리아크릴레이트, 글리세린폴리글리시딜에테르폴리(메타)아크릴레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트(즉, 톨릴렌디이소시아네이트), 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트와 헥사메틸렌디이소시아네이트와 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트와의 반응물, 메틸렌비스(메타)아크릴아미드, (메타)아크릴아미드메틸렌에테르, 다가 알코올과 N-메틸올(메타)아크릴아미드와의 축합물 등의 다관능 모노머나, 트리아크릴레이트포르말 등을 들 수 있다. 이러한 다관능 모노머는, 단독 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수도 있다.Examples of the polyfunctional monomer include ethylene glycol di (meth) acrylate, diethyl glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (Meth) acrylate, butylene glycol di (meth) acrylate, neopentylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexane glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (Meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, pentaerythritol di (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol Bis (4- (meth) acryloxypolyethoxyphenyl) propane, 2,2-bis (4- (meth) acryloxypolyethoxyphenyl) propane, (Meth) acryloyloxypropyl (meth) acrylate, ethyleneglycol diglycidylether di (meth) acrylate, diethyleneglycol diglycidylether di (meth) acrylate, phthalic acid diglyme (Meth) acrylate, glycerin triacrylate, glycerin polyglycidyl ether poly (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate (i.e., tolylene diisocyanate), trimethylhexamethylene diisocyanate and hexamethylene (Meth) acrylamide, (meth) acrylamide methylene ether, a condensation product of a polyhydric alcohol and N-methylol (meth) acrylamide, a reaction product of a diisocyanate and 2-hydroxyethyl , And triacrylate formal, and the like. These multifunctional monomers may be used alone or in combination of two or more.
(B) 광 중합성 모노머의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 고형분에 대해서 1~30 질량%인 것이 바람직하고, 5~20 질량%인 것이 보다 바람직하다. 상기의 범위로 함으로써, 감도, 현상성, 해상성의 밸런스를 얻기 쉬운 경향이 있다.The content of the (B) photopolymerizable monomer is preferably 1 to 30 mass%, more preferably 5 to 20 mass%, based on the solid content of the photosensitive resin composition. When the concentration is in the above range, a balance of sensitivity, developability and resolution tends to be easily obtained.
<(C) 광 중합 개시제>≪ (C) Photopolymerization initiator >
광 중합 개시제로서는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 광 중합 개시제를 이용할 수 있다.The photo polymerization initiator is not particularly limited, and conventionally known photo polymerization initiators can be used.
광 중합 개시제로서 구체적으로는, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-〔4-(2-히드록시에톡시)페닐〕-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-도데실페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 비스(4-디메틸아미노페닐)케톤, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 4-벤조일-4'-메틸디메틸설피드, 4-디메틸아미노벤조산, 4-디메틸아미노벤조산메틸, 4-디메틸아미노벤조산에틸, 4-디메틸아미노벤조산부틸, 4-디메틸아미노-2-에틸헥실벤조산, 4-디메틸아미노-2-이소아밀벤조산, 벤질-β-메톡시에틸아세탈, 벤질디메틸케탈, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카보닐)옥심, o-벤조일벤조산메틸, 2,4-디에틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 1-클로로-4-프로폭시티옥산톤, 티옥산텐, 2-클로로티옥산텐, 2,4-디에틸티옥산텐, 2-메틸티옥산텐, 2-이소프로필티옥산텐, 2-에틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일퍼옥시드, 큐민퍼옥시드, 2-머캅토벤조이미다졸, 2-머캅토벤조옥사졸, 2-머캅토벤조티아졸, 2-(o-클로로페닐)-4, 5-디페닐이미다졸 2량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 2량체, 2-(o-플루오르페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체, 벤조페논, 2-클로로벤조페논, 4,4'-비스디메틸아미노벤조페논(즉, 미힐러케톤), 4,4'-비스디에틸아미노벤조페논(즉, 에틸미힐러케톤), 4,4'-디클로로벤조페논, 3,3-디메틸-4-메톡시벤조페논, 벤질, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인부틸에테르, 아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, p-디메틸아세토페논, p-디메틸아미노프로피오페논, 디클로로아세토페논, 트리클로로아세토페논, p-tert-부틸아세토페논, p-디메틸아미노아세토페논, p-tert-부틸트리클로로아세토페논, p-tert-부틸디클로로아세토페논, α,α-디클로로-4-페톡시아세토페논, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 디벤조스베론, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 9-페닐아크리딘, 1,7-비스-(9-아크리디닐)헵탄, 1,5-비스-(9-아크리디닐)펜탄, 1,3-비스-(9-아크리디닐)프로판, p-메톡시트리아진, 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸퓨란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(퓨란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(3, 4-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-에톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-n-부톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)스티릴페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)스티릴페닐-s-트리아진, 「IRGACURE OXE02」, 「IRGACURE OXE01」, 「IRGACURE 369」, 「IRGACURE 651」, 「IRGACURE 907」(상품명:BASF제), 「NCI-831」(상품명:ADEKA제) 등을 들 수 있다. 이러한 광 중합 개시제는, 단독 또는 2종 이상 조합해 이용할 수도 있다.Specific examples of the photopolymerization initiator include 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1- [4- (2-hydroxyethoxy) 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1- 2-methylpropane-1-one, bis (4-dimethylaminophenyl) ketone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 4-benzoyl- Dimethylaminobenzoic acid, 4-dimethylaminobenzoic acid, methyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, butyl 4-dimethylaminobenzoate, 4-dimethylamino- Benzyl-β-methoxyethyl acetal, benzyldimethyl ketal, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, methyl o-benzoylbenzoate, Oxantone, 2-claw Propyloxyoctone, 2-chlorothioxanthene, 2,4-diethylthioxanthene, 2-methylthioxanthone, 2-methylthioxanthone, There may be mentioned, for example, oxides such as oxalic acid, oxalic acid, oxalic acid, oxalic acid, oxalic acid, oxanthene, 2-isopropylthioxanthene, 2-ethylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 2-mercaptobenzothiazole, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2-mercaptobenzothiazole, 2- (O-chlorophenyl) -4,5-di (methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- Diphenylimidazole dimer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2,4,5-triarylimidazole 2 Benzophenone, 2-chlorobenzophenone, 4,4'-bisdimethylaminobenzophenone (i.e., Michler's ketone), 4, 4'-dichlorobenzophenone, 3,3-dimethyl-4-methoxybenzophenone, benzyl, benzoin, benzoin methyl ether, Benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin-n-butyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin butyl ether, acetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, p- P-tert-butyltrichloroacetophenone, p-tert-butyldichloroacetophenone, p-tert-butyl acetophenone, p-dimethylaminoacetophenone, , alpha -dichloro-4-phenoxyacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, dibenzosuberone, pentyl-4-dimethylaminobenzoate, (9-acridinyl) heptane, 1,5-bis- (9-acridinyl) pentane, Methoxy triazine, 2,4,6-tris (trichloromethyl) -s-triazine, 2-methyl-4,6-bis ( (Trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] (Trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (4-diethylamino-2-methylphenyl) ethenyl] -4,6 (Trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3,4-dimethoxyphenyl) ethenyl] -4,6-bis 4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-ethoxystyryl) Bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6- (3-bromo-4-methoxy ) Phenyl-s-triazine, 2,4-bis Bromo-4-methoxy) phenyl-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6- (3- IRGACURE OXE02 ", " IRGACURE OXE01 ", " IRGACURE 369 ", & IRGACURE 651 "," IRGACURE 907 "(trade name, manufactured by BASF), and" NCI-831 "(trade name, manufactured by ADEKA). These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
이 중에서도, 옥심계 광중합 개시제를 이용하는 것이 감도의 면에서 특히 바람직하고, 카르바졸 골격을 갖는 옥심계 광중합 개시제를 이용하는 것이 특히 바람직하다.Among them, it is particularly preferable to use an oxime-based photopolymerization initiator in view of sensitivity, and it is particularly preferable to use an oxime-based photopolymerization initiator having a carbazole skeleton.
옥심계 광 중합 개시제의 바람직한 예로서는, 하기 식 (c-1)로 나타내는 광중합 개시제를 들 수 있다.Preferable examples of the oxime-based photopolymerization initiator include photopolymerization initiators represented by the following formula (c-1).
상기 식 (c-1) 중, Rc1 은, 치환기를 가지고 있어도 되는, 복소환기, 축합환식 방향족기, 또는 방향족기를 나타낸다. Rc2~Rc4는 각각 독립적으로 1가의 유기기를 나타낸다.In the formula (c-1), R c1 Represents a heterocyclic group, a condensed cyclic aromatic group, or an aromatic group which may have a substituent. R c2 to R c4 each independently represent a monovalent organic group.
Rc1에서의 복소환기로서는, 질소 원자, 유황 원자, 및 산소 원자의 적어도 1개의 원자를 포함하는 5원환이상, 바람직하게는 5원환 또는 6원환의 복소환기를 들 수 있다. 복소환기의 예로서는, 피롤릴기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기 등의 함질소 5원환기; 피리딜기, 피라지닐기, 피리미딜기, 피리다지닐기 등의 함질소 6원환기; 티아졸릴기, 이소티아졸릴기등의 함질소 함유황기; 옥사졸릴기, 이소옥사졸릴기등의 함질소 함산소기;티에닐기, 티오피라닐기등의 함유황기; 푸릴기, 피라닐기등의 함산소기; 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 질소 원자 또는 유황 원자를 1개 포함하는 것이 바람직하다. 상기 복소환에는 축합환이 포함되어 있어도 된다. 축합환이 포함되는 복소환기의 예로서는 벤조티에닐기 등을 들 수 있다.As the heterocyclic group in R c1 , a heterocyclic group having 5 or more members, preferably a 5-membered or 6-membered ring containing at least one atom of a nitrogen atom, a sulfur atom and an oxygen atom can be mentioned. Examples of the heterocyclic group include a nitrogen-containing five-membered ring group such as a pyrrolyl group, an imidazolyl group, and a pyrazolyl group; A nitrogen-containing 6-membered ring group such as a pyridyl group, a pyrazinyl group, a pyrimidyl group, and a pyridazinyl group; A nitrogen-containing oxygen-containing group such as a thiazolyl group and an isothiazolyl group; A nitrogen-containing oxygen group such as an oxazolyl group and an isoxazolyl group, a sulfur containing group such as a thienyl group, a thiopyranyl group and the like; An impurity group such as a furyl group and a pyranyl group; And the like. Among them, it is preferable to include one nitrogen atom or sulfur atom. The heterocyclic ring may contain a condensed ring. Examples of the heterocyclic group containing a condensed ring include a benzothienyl group and the like.
Rc1에서의 축합환식 방향족기로서는, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기 등을 들 수 있다. 또, Rc1에서의 방향족기로서는, 페닐기를 들 수 있다. Examples of the condensed cyclic aromatic group in R c1 include a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. As the aromatic group in R c1 , a phenyl group can be exemplified.
복소환기, 축합환식 방향족기, 또는 방향족기는, 치환기를 가지고 있어도 된다. 특히 Rc1가 방향족기인 경우에는, 치환기를 가지고 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 치환기로서는 -NO2,-CN,-SO2Rc5,-CORc5,-NRc6Rc7,-Rc8,-ORc8,-O-Rc9-O-Rc10 등을 들 수 있다.The heterocyclic group, the condensed cyclic aromatic group, or the aromatic group may have a substituent. Particularly, when R c1 is an aromatic group, it is preferable to have a substituent. Examples of such substituents include -NO 2 , -CN, -SO 2 R c5 , -COR c5 , -NR c6 R c7 , -R c8 , -OR c8 , -O-R c9 -O-R c10 .
Rc5는, 각각 독립적으로 알킬기를 나타내고, 이것들은 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되고, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합에 의해 중단되고 있어도 된다. Rc5에서의 알킬기는, 탄소수 1~5의 것이 바람직하고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기 등을 들 수 있다.R c5 each independently represents an alkyl group, which may be substituted with a halogen atom, or may be interrupted by an ether bond, a thioether bond or an ester bond. The alkyl group in R c5 preferably has 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, and an isobutyl group.
Rc6 및 Rc7는, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고, 이것들은 할로겐 원자로 치환되고 있어도 되고, 이것들 중 알킬기 및 알콕시기의 알킬렌 부분은, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 또는 에스테르 결합에 의해 중단되고 있어도 된다. 또, Rc6와 Rc7가 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 된다. Rc6 및 Rc7에서의 알킬기 또는 알콕시기는, 탄소수 1~5의 것이 바람직하고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기 등을 들 수 있다.R c6 and R c7 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group, which may be substituted with a halogen atom, and the alkylene moiety of the alkyl group and the alkoxy group may be an ether bond, a thioether bond, As shown in Fig. R c6 and R c7 may combine to form a ring structure. The alkyl group or alkoxy group in R c6 and R c7 is preferably a group having 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, And a width period.
Rc6와 Rc7가 결합하여 형성 할 수 있는 환 구조로서는, 복소환을 들 수 있다. 이 복소환으로서는, 적어도 질소 원자를 포함하는 5원환 이상, 바람직하게는 5~7원환의 복소환을 들 수 있다. 이 복소환에는 축합환이 포함되어 있어도 된다. 복소환의 예로서는, 피페리딘환, 모르폴린환, 티오모르폴린환 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, 모르폴린환이 바람직하다.As the ring structure which R c6 and R c7 can bond to each other, a heterocyclic ring can be exemplified. As the heterocyclic ring, there can be mentioned a heterocyclic ring of at least a 5-membered ring containing at least a nitrogen atom, preferably a 5- to 7-membered ring. The heterocyclic ring may contain a condensed ring. Examples of the heterocycle include a piperidine ring, a morpholine ring, and a thiomorpholine ring. Among them, a morpholine ring is preferable.
Rc8는, 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환되고 있어도 되는 알킬기를 나타낸다. Rc8에서의 알킬기는, 탄소수 1~6의 것이 바람직하고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기 등을 들 수 있다.R c8 represents an alkyl group in which a part or all of the hydrogen atoms may be substituted with a halogen atom. The alkyl group for R c8 preferably has 1 to 6 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, and an isobutyl group.
Rc9 및 Rc10는, 각각 독립적으로 알킬기를 나타내고, 이것들은 할로겐 원자로 치환되고 있어도 된다, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합에 의해 중단되고 있어도 된다. 바람직한 탄소수나 그 구체예는, 상기 Rc1의 설명과 같다.R c9 and R c10 each independently represent an alkyl group, which may be substituted with a halogen atom, or may be interrupted by an ether bond, a thioether bond or an ester bond. The preferable number of carbon atoms and the specific examples thereof are the same as those of R c1 .
이것들 중에서도, Rc1로서는, 피롤릴기, 피리딜기, 티에닐기, 티오피라닐기, 벤조티에닐기, 나프틸기, 치환기를 갖는 페닐기를 바람직한 예로 들 수 있다.Among these, preferred examples of R c1 include a pyrrolyl group, a pyridyl group, a thienyl group, a thiopyranyl group, a benzothienyl group, a naphthyl group, and a phenyl group having a substituent.
상기 식 (c-1) 중, Rc2는 1가의 유기기를 나타낸다. 이 유기기로서는,-Rc11,-ORc11,-CORc11,-SRc11,-NRc11Rc12로 나타내는 기가 바람직하다. Rc11 및 Rc12는, 각각 독립적으로 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아랄킬기, 또는 복소환기를 나타내고, 이것들은 할로겐 원자, 알킬기, 또는 복소환기로 치환되고 있어도 된다. 이것들 중 알킬기 및 아랄킬기의 알킬렌 부분은, 불포화 결합, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합에 의해 중단되고 있어도 된다. 또, Rc11와 Rc12가 결합해 질소 원자와 함께 환 구조를 형성하고 있어도 된다.In the formula (c-1), R c2 represents a monovalent organic group. The organic group is preferably a group represented by -R c11 , -OR c11 , -COR c11 , -SR c11 , or -NR c11 R c12 . R c11 and R c12 each independently represent an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an aralkyl group or a heterocyclic group, which may be substituted with a halogen atom, an alkyl group or a heterocyclic group. Of these, the alkylene moiety of the alkyl group and the aralkyl group may be interrupted by an unsaturated bond, an ether bond, a thioether bond, or an ester bond. R c11 and R c12 may combine with each other to form a ring structure together with the nitrogen atom.
Rc11 및 Rc12에서의 알킬기로서는, 탄소수 1~20의 것이 바람직하고, 탄소수 1~5의 것이 보다 바람직하다. 알킬기의 예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, sec-옥틸기, tert-옥틸기, n-노닐기, 이소노닐기, n-데실기, 이소데실기등의 직쇄상 또는 분지쇄상의 기를 들 수 있다. 또, 이 알킬기는 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기를 갖는 것의 예로서는, 메톡시에톡시에틸기, 에톡시에톡시에틸기, 프로필옥시에톡시에틸기, 메톡시프로필기 등을 들 수 있다.The alkyl group for R c11 and R c12 preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec- n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, isooxyl group, sec-octyl group, tert-octyl group, n-nonyl group, isononyl group, , And the like. The alkyl group may have a substituent. Examples of the substituent having a substituent include methoxyethoxyethyl, ethoxyethoxyethyl, propyloxyethoxyethyl and methoxypropyl.
Rc11 및 Rc12에서의 알케닐기로서는, 탄소수 1~20의 것이 바람직하고, 탄소수 1~5의 것이 보다 바람직하다. 알케닐기의 예로서는, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 에테닐기, 프로피닐기등의 직쇄상 또는 분지쇄상의 기를 들 수 있다. 또, 이 알케닐기는 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기를 갖는 것의 예로서는, 2-(벤조옥사졸-2-일)에테닐기 등을 들 수 있다. The alkenyl group for R c11 and R c12 preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms. Examples of the alkenyl group include a linear or branched group such as a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, an ethenyl group, and a propynyl group. The alkenyl group may have a substituent. Examples of the substituent include a 2- (benzoxazol-2-yl) ethenyl group and the like.
Rc11 및 Rc12에서의 아릴기로서는, 탄소수 6~20의 것이 바람직하고 탄소수 6~10의 것이 보다 바람직하다. 아릴기의 예로서는, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 에틸페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기 등을 들 수 있다.The aryl group in Rc11 and Rc12 preferably has 6 to 20 carbon atoms and more preferably 6 to 10 carbon atoms. Examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, an ethylphenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group.
Rc11 및 Rc12에서의 아랄킬기로서는, 탄소수 7~20의 것이 바람직하고, 탄소수 7~12의 것이 보다 바람직하다. 아랄킬기의 예로서는, 벤질기, α-메틸벤질기, α,α-디메틸벤질기, 페닐에틸기, 페닐에테닐기 등을 들 수 있다.The aralkyl group in Rc11 and Rc12 preferably has 7 to 20 carbon atoms, more preferably 7 to 12 carbon atoms. Examples of the aralkyl group include benzyl group,? -Methylbenzyl group,?,? - dimethylbenzyl group, phenylethyl group, phenylethenyl group and the like.
Rc11 및 Rc12에서의 복소환기로서는, 질소 원자, 유황 원자 및 산소 원자의 적어도 1개의 원자를 포함하는 5원환 이상, 바람직하게는 5~7원환의 복소환기를 들 수 있다. 이 복소환기에는 축합환이 포함되어 있어도 된다. 복소환기의 예로서는, 피롤릴기, 피리딜기, 피리미딜기, 푸릴기, 티에닐기 등을 들 수 있다.As the heterocyclic group for R c11 and R c12 , a heterocyclic group having 5 or more, preferably 5 to 7 membered rings containing at least one atom of a nitrogen atom, a sulfur atom and an oxygen atom can be mentioned. This heterocyclic group may contain a condensed ring. Examples of the heterocyclic group include a pyrrolyl group, a pyridyl group, a pyrimidyl group, a furyl group, and a thienyl group.
이러한 Rc11 및 Rc12 가운데, 알킬기 및 아랄킬기의 알킬렌 부분은, 불포화 결합, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합에 의해 중단되어 있어도 된다.Among these R c11 and R c12 , the alkylene moiety of the alkyl group and the aralkyl group may be interrupted by an unsaturated bond, an ether bond, a thioether bond, or an ester bond.
또, Rc11와 Rc12가 결합해 형성할 수 있는 환 구조로서는, 복소환을 들 수 있다. 이 복소환으로서는, 적어도 질소 원자를 포함하는 5원환 이상, 바람직하게는 5~7원환의 복소환을 들 수 있다. 이 복소환에는 축합환이 포함되어 있어도 된다. 복소환의 예로서는, 피페리딘환, 모르폴린환, 티오모르폴린환 등을 들 수 있다.As the ring structure that R c11 and R c12 can bond to form, a heterocyclic ring can be mentioned. As the heterocyclic ring, there can be mentioned a heterocyclic ring of at least a 5-membered ring containing at least a nitrogen atom, preferably a 5- to 7-membered ring. The heterocyclic ring may contain a condensed ring. Examples of the heterocycle include a piperidine ring, a morpholine ring, and a thiomorpholine ring.
이것들 중에서도, Rc2로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 페닐기인 것이 가장 바람직하다.Of these, R c2 is most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a phenyl group.
상기 식 (c-1) 중, Rc3는 1가의 유기기를 나타낸다. 이 유기기로서는 탄소수 1~6의 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 6~12의 아릴기, 하기 식 (c-2)로 나타내는 기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 복소환기가 바람직하다. 치환기로서는, 상기 Rc1의 경우와 같은 기를 들 수 있다. 탄소수 6~12의 아릴기로서는, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기 등을 들 수 있다.In the above formula (c-1), R c3 represents a monovalent organic group. The organic group is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms which may have a substituent, a group represented by the following formula (c-2), or a heterocyclic group optionally having a substituent. As the substituent, the same groups as those in the case of R c1 can be mentioned. Examples of the aryl group having 6 to 12 carbon atoms include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group.
상기 식 (c-2) 중, Rc13는 산소 원자로 중단되어 있어도 되는 탄소수 1~5의 알킬렌기를 나타낸다. 이와 같은 알킬렌기로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, 이소부틸렌기, sec-부틸렌기, n-펜틸렌기, 이소펜틸렌기, sec-펜틸렌기등의 직쇄상 또는 분지쇄상의 기를 들 수 있다. 이것들 중에서도, Rc13는 이소프로필렌기인 것이 가장 바람직하다.In the formula (c-2), R c13 represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may be interrupted by an oxygen atom. Examples of such alkylene groups include methylene, ethylene, n-propylene, isopropylene, n-butylene, isobutylene, sec-butylene, n-pentylene, A straight chain or branched chain group. Among them, R c13 is most preferably an isopropylene group.
상기 식 (c-2) 중, Rc14는 -NRc15Rc16로 나타내어지는 1가의 유기기를 나타낸다(Rc15 및 Rc16는, 각각 독립적으로 1가의 유기기를 나타낸다). 그러한 유기기 중에서도, Rc14의 구조가 하기 식 (c-3)으로 나타내는 것이면, 광 중합 개시제의 용해성을 향상할 수 있다는 점에서 바람직하다.The formula (c-2) of, R c14 represents a monovalent organic group represented by -NR c15 R c16 (R c15 and R c16 are each independently a monovalent organic group). Among such organic groups , it is preferable that the structure of R c14 is represented by the following formula (c-3) in that the solubility of the photo polymerization initiator can be improved.
상기 식 (c-3) 중, Rc17 및 Rc18는 각각 독립적으로 탄소수 1~5의 알킬기를 나타낸다. 이와 같은 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, Rc17 및 Rc18은 메틸기인 것이 가장 바람직하다.In the formula (c-3), R c17 and R c18 each independently represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Examples of such an alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec- , tert-pentyl group, and the like. Of these, R c17 and R c18 are most preferably a methyl group.
Rc3에서의 복소환기로서는, 질소 원자, 유황 원자 및 산소 원자의 적어도 1개의 원자를 포함하는 5원환 이상, 바람직하게는 5원환 또는 6원환의 복소환기를 들 수 있다. 복소환기의 예로서는, 피롤릴기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기 등의 함질소 5원환기; 피리딜기, 피라지닐기, 피리미딜기, 피리다지닐기 등의 함질소 6원환기 티아졸릴기, 이소티아졸릴기 등의 함질소함유황기; 옥사졸릴기, 이소옥사졸릴기 등의 함질소 함산소기; 티에닐기, 티오피라닐기 등의 함유황기; 푸릴기, 피라닐기등의 함산소기; 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, 질소 원자 또는 유황 원자를 1개 포함하는 것이 바람직하다. 이 복소환에는 축합환이 포함되어 있어도 된다. 축합환이 포함되는 복소환기의 예로서는 벤조티에닐기 등을 들 수 있다.As the heterocyclic group in R c3 , a heterocyclic group having 5 or more members including at least one atom of a nitrogen atom, a sulfur atom and an oxygen atom, preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring, may be mentioned. Examples of the heterocyclic group include a nitrogen-containing five-membered ring group such as a pyrrolyl group, an imidazolyl group, and a pyrazolyl group; A nitrogen-containing nitrogen-containing group such as a nitrogen-containing six-membered ring thiazolyl group such as a pyridyl group, a pyrazinyl group, a pyrimidyl group, and a pyridazinyl group, or an isothiazolyl group; A nitrogen-containing oxygen group such as an oxazolyl group and an isoxazolyl group; A thienyl group, and a thiopyranyl group; An impurity group such as a furyl group and a pyranyl group; And the like. Of these, it is preferable to include one nitrogen atom or sulfur atom. The heterocyclic ring may contain a condensed ring. Examples of the heterocyclic group containing a condensed ring include a benzothienyl group and the like.
또, 복소환기는 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기로서는, 상기 Rc1의 경우와 같은 기를 들 수 있다.The heterocyclic group may have a substituent. As the substituent, the same groups as those in the case of R c1 can be mentioned.
상기 식 (c-1) 중, Rc4는 1가의 유기기를 나타낸다. 이것들 중에서도 탄소수 1~5의 알킬기인 것이 바람직하다. 이와 같은 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도 Rc4는 메틸기인 것이 가장 바람직하다.In the above formula (c-1), R c4 represents a monovalent organic group. Of these, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable. Examples of such an alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec- , tert-pentyl group, and the like. Of these, R c4 is most preferably a methyl group.
또, 옥심계 광 중합 개시제의 바람직한 다른 예로서는, 특개 2010-15025호 공보로 제안되어 있는 하기 식 (c-4)로 나타내는 광 중합 개시제를 들 수 있다.As another preferable example of the oxime-based photopolymerization initiator, there can be mentioned a photopolymerization initiator represented by the following formula (c-4) proposed in JP-A-2010-15025.
상기 식 (c-4) 중, Rc21 및 Rc22는 각각 독립적으로, Rc31, ORc31, CORc31, SRc31, CONRc32Rc33, 또는 CN을 나타낸다.In formula (c-4), R c21 and R c22 each independently represent R c31 , OR c31 , COR c31 , SR c31 , CONR c32 R c33 , or CN.
Rc31, Rc32 및 Rc33는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 6~30의 아릴기, 탄소수 7~30의 아릴알킬기, 또는 탄소수 2~20의 복소환기를 나타낸다. 알킬기, 아릴기, 아릴알킬기 및 복소환기의 수소 원자는 ORc41, CORc41, SRc41, NRc42Rc43, CONRc42Rc43,-NRc42-ORc43,-NCORc42-OCORc43, -C(=N-ORc41)-Rc42, -C(=N-OCORc41)-Rc42, CN, 할로겐 원자, -CRc41=CRc42Rc43, -CO-CRc41=CRc42Rc43, 카르복실기, 또는 에폭시기로 더 치환되어 있어도 된다. Rc41, Rc42 및 Rc43는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 6~30의 아릴기, 탄소수 7~30의 아릴알킬기, 또는 탄소수 2~20의 복소환기를 나타낸다.R c31 , R c32 and R c33 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 30 carbon atoms, or a heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms. Hydrogen atoms of the alkyl group, aryl group, arylalkyl group and heterocyclic group c41 OR, COR c41, c41 SR, NR c42 R c43, CONR c42 R c43, -NR c42 c43 -OR, -OCOR -NCOR c42 c43, -C ( = N-OR c41) -R c42 , -C (= N-OCOR c41) -R c42, CN, halogen atom, -CR = CR c41 c42 R c43, -CO-CR = CR c41 c42 R c43, a carboxyl group, Or may be further substituted with an epoxy group. R c41 , R c42 and R c43 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 30 carbon atoms, or a heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms.
상기 Rc31, Rc32, Rc33, Rc41, Rc42 및 Rc43에서의 치환기의 알킬렌 부분의 메틸렌기는, 불포화 결합, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합, 티오 에스테르 결합, 아미드 결합, 또는 우레탄 결합에 의해 1~5회 중단되고 있어도 된다. 상기 치환기의 알킬 부분은 분기사슬이 있어도 되고, 환상 알킬이어도 되고, 상기 치환기의 알킬 말단은 불포화 결합이어도 되고, 또, Rc32와 Rc33, 및 Rc42와 Rc43 은 각각 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 된다.Wherein R c31, R c32, R c33, Rc 41, groups a methylene of the alkylene portion of the substituent in R c42 and R c43, an unsaturated bond, an ether bond, a thioether bond, an ester bond, a thioester bond, an amide bond, or May be interrupted 1 to 5 times by urethane bonding. The alkyl moiety of the substituent may be branched or cyclic, the alkyl terminus of the substituent may be an unsaturated bond, R c32 and R c33 , and R c42 and R c43 May be combined with each other to form a ring structure.
상기 식 (c-4) 중, Rc23 및 Rc24는 각각 독립적으로, Rc31, ORc31, CORc31, SRc31, CONRc32Rc33, NRc31CORc32, OCORc31, COORc31, SCORc31, OCSRc31, COSRc31, CSORc31, CN, 할로겐 원자, 또는 수산기를 나타낸다. a 및 b는, 각각 독립적으로 0~4의 정수를 나타낸다. The formula (c-4) of, R c23 and R c24 are each independently, R c31, OR c31, COR c31, SR c31, CONR c32 R c33, NR c31 COR c32, OCOR c31, COOR c31, SCOR c31, OCSR c31 , COSR c31 , CSOR c31 , CN, a halogen atom, or a hydroxyl group. a and b each independently represent an integer of 0 to 4;
Rc23은, -Xc2-를 통하여 인접하는 벤젠환의 탄소 원자의 1개와 결합해 환 구조를 형성하고 있어도 되고, Rc23와 Rc24가 결합해 환 구조를 형성하고 있어도 된다.R c23 may combine with one of the carbon atoms of adjacent benzene rings through -X c2 - to form a ring structure, or R c23 and R c24 may combine to form a ring structure.
상기 식 (c-4) 중, Xc1는 단일결합 또는 CO를 나타낸다.In the formula (c-4), X c1 represents a single bond or CO.
상기 식 (c-4) 중, Xc2는 산소 원자, 유황 원자, 셀레늄 원자, CRc51Rc52, CO, NRc53, 또는 PRc54를 나타낸다. Rc51, Rc52, Rc53 및 Rc54는, 각각 독립적으로, Rc31, ORc31, CORc31, SRc31, CONRc32Rc33 또는 CN를 나타낸다. Rc51, Rc53 및 Rc54는 각각 독립적으로, 인접하는 어느 쪽의 벤젠환과 함께 이루어져 환 구조를 형성하고 있어도 된다.In the formula (c-4), X c2 represents an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom, CR c51 R c52 , CO, NR c53 or PR c54 . R c51 , R c52 , R c53 and R c54 each independently represent R c31 , OR c31 , COR c31 , SR c31 , CONR c32 R c33 or CN. R c51 , R c53 and R c54 each independently may form a cyclic structure together with any adjacent benzene ring.
상기 식 (c-4) 중, Rc31, Rc32, Rc33, Rc41, Rc42 및 Rc43에서의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기 등을 들 수 있다.In the formula (c-4), R c31 , R c32 , R c33 , R c41 , R c42 Examples of the alkyl group in R c43 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert- - pentyl group, tert-pentyl group and the like.
상기 식 (c-4) 중, Rc31, Rc32, Rc33, Rc41, Rc42 및 Rc43에서의 아릴기로서는, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 에틸페닐기, 클로로페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트레닐기 등을 들 수 있다.In the formula (c-4), examples of the aryl group in R c31 , R c32 , R c33 , R c41 , R c42 and R c43 include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, an ethylphenyl group, a chlorophenyl group, Anthryl group, phenanthrenyl group and the like.
상기 식 (c-4) 중, Rc31, Rc32, Rc33, Rc41, Rc42, 및 Rc43에서의 아릴알킬기로서는, 벤질기, 클로로벤질기,α-메틸벤질기, α,α-디메틸벤질기, 페닐에틸기, 페닐에테닐기 등을 들 수 있다.Examples of the arylalkyl group in R c31 , R c32 , R c33 , R c41 , R c42 and R c43 in the above formula (c-4) include a benzyl group, a chlorobenzyl group, A dimethylbenzyl group, a phenylethyl group, and a phenylethenyl group.
상기 식 (c-4) 중, Rc31, Rc32, Rc33, Rc41, Rc42 및 Rc43에서의 복소환기로서는, 피리딜기, 피리미딜기, 푸릴기, 티에닐기, 테트라히드로푸릴기, 디옥소라닐기, 벤조옥사졸-2-일기, 테트라히드로피라닐기, 피롤리딜기, 이미다졸리딜기, 피라졸리딜기, 티아졸리딜기, 이소티아졸리딜기, 옥사졸리딜기, 이소옥사졸리딜기, 피페리딜기, 피페라질기, 모르폴리닐기 등의 5~7원환을 바람직하게 들 수 있다.Examples of the heterocyclic group in R c31 , R c32 , R c33 , R c41 , R c42 and R c43 in the above formula (c-4) include pyridyl , pyrimidyl , furyl, thienyl, tetrahydrofuryl, A thiazolyl group, an isoxazolyl group, an isoxazolyl group, an isoxazolyl group, a piperazino group, a benzooxazol-2-yl group, a tetrahydropyranyl group, a pyrrolidyl group, an imidazolididyl group, A 5- to 7-membered ring such as a furanyl group, a furfuryl group, a furfuryl group, a furfuryl group, a furfuryl group,
상기 식 (c-4) 중, Rc32와 Rc33가 결합해 형성할 수 있는 환, Rc42와 Rc43이 결합해 형성할 수 있는 환 및 Rc23가 인접하는 벤젠환과 함께 이루어져 형성할 수 있는 환으로서는, 시클로펜탄환, 시클로헥산환, 시클로펜텐환, 벤젠환, 피페리딘환, 모르폴린환, 락톤환, 락탐환 등의 5~7원환을 들 수 있다. In the formula (c-4), a ring formed by combining R c32 and R c33 , a ring formed by bonding R c42 and R c43 together with R c23 and an adjacent benzene ring can be formed Examples of the ring include a 5- to 7-membered ring such as cyclopentane ring, cyclohexane ring, cyclopentene ring, benzene ring, piperidine ring, morpholine ring, lactone ring, and lactam ring.
또한, Xc2가 NRc53이고, Rc23가 인접하는 벤젠환의 탄소 원자의 하나와 결합하여, Xc2와 함께 5원환구조를 형성하는 경우, 광 중합 개시제는 카르바졸 골격을 가지게 된다.When X c2 is NR c53 and R c23 is bonded to one of the carbon atoms of adjacent benzene rings to form a 5-membered ring structure together with X c2 , the photopolymerization initiator has a carbazole skeleton.
상기 식 (c-4) 중 Rc31, Rc32, Rc33, Rc41, Rc42 및 Rc43를 치환해도 되는 할로겐 원자 및 Rc24, Rc25에서의 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.Examples of the halogen atom which may be substituted for R c31 , R c32 , R c33 , R c41 , R c42 and R c43 in the formula (c-4) and the halogen atom for R c24 and R c25 include a fluorine atom, Atoms, and iodine atoms.
상기 치환기의 알킬렌 부분의 메틸렌기는, 불포화 결합, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합, 티오에스테르 결합, 아미드 결합 또는 우레탄 결합에 의해 1~5회 중단되고 있어도 된다. 이 경우, 중단하는 결합기는 1종 또는 2종 이상의 기이어도 되고, 연속하여 중단할 수 있는 기의 경우는 2개 이상 연속하여 중단해도 된다. 또, 상기 치환기의 알킬 부분은 분기사슬이 있어도 되고, 환상 알킬이어도 되고, 상기 치환기의 알킬 말단은 불포화 결합이어도 된다.The methylene group of the alkylene moiety of the substituent may be interrupted one to five times by an unsaturated bond, an ether bond, a thioether bond, an ester bond, a thioester bond, an amide bond or a urethane bond. In this case, the couplers to be interrupted may be one kind or two or more types, and in the case of a group capable of being continuously interrupted, two or more groups may be interrupted continuously. The alkyl moiety of the substituent may be branched or cyclic, and the alkyl terminus of the substituent may be an unsaturated bond.
(C) 광 중합 개시제의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 고형분 100 질량부에 대해서 0.5~20 질량부인 것이 바람직하다. 상기의 범위로 함으로써, 충분한 내열성, 내약품성을 얻을 수 있고 도막 형성능을 향상시켜, 경화 불량을 억제할 수 있다.The content of the photopolymerization initiator (C) is preferably 0.5 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the solid content of the photosensitive resin composition. When the content is in the above range, sufficient heat resistance and chemical resistance can be obtained, coating film forming ability can be improved, and curing defects can be suppressed.
<(D) 차광제><(D) Shading agent>
본 발명에 관한 감광성 수지 조성물은 차광제를 함유한다. 차광제로서는 흑색 안료를 이용하는 것이 바람직하다. 차광제로서 사용되는 흑색 안료로서는, 카본 블랙, 페릴렌계 안료, 은주석 합금, 티탄 블랙, 구리, 철, 망간, 코발트, 크롬, 니켈, 아연, 칼슘, 은 등의 금속 산화물, 복합 산화물, 금속 황화물, 금속 유산염 또는 금속 탄산염 등, 유기물, 무기물을 불문하고 각종의 안료를 들 수 있다. 이러한 흑색 안료는 2종 이상을 조합해 이용할 수도 있다.The photosensitive resin composition according to the present invention contains a light-shielding agent. As the light-shielding agent, it is preferable to use a black pigment. Examples of the black pigment used as a light shielding agent include metal oxides such as carbon black, a perylene pigment, a silver tin alloy, titanium black, copper, iron, manganese, cobalt, chromium, nickel, zinc, calcium, silver, , Metal sulfates or metal carbonates, organic materials, and inorganic pigments. These black pigments may be used in combination of two or more.
(D) 차광제로서는, 감광성 수지 조성물을 이용해 형성되는 블랙 컬럼 스페이서의 기판과의 밀착성을 양호하게 하기 쉽다는 점에서, 페릴렌계 안료를 포함하는 것이 바람직하다. (D) 차광제에서의 페릴렌계 안료의 함유량은, (D) 차광제의 전체 질량에 대해서, 85 질량% 이상이 바람직하고, 90 질량% 이상이 바람직하고, 100 질량% 이상인 것이 특히 바람직하다.As the light-shielding agent (D), it is preferable to include a perylene pigment in that the adhesion of the black column spacer formed by using the photosensitive resin composition to the substrate can be easily improved. The content of the perylene pigment in the light-shielding agent (D) is preferably 85% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, and particularly preferably 100% by mass or more with respect to the total mass of the light-shielding agent (D).
페릴렌계 안료의 구체예로서는, 하기 일반식 (d-1)로 나타내는 페릴렌계 안료 및 하기 일반식 (d-2)로 나타내는 페릴렌계 안료를 들 수 있다. 또 시판품으로는 BASF사 제의 제품명 K0084, 및 K0086나, PIGMENT BLACK 21, 30, 31, 32, 33 및 34 등을 바람직하게 이용할 수 있다.Specific examples of the perylene pigments include perylene pigments represented by the following formula (d-1) and perylene pigments represented by the following formula (d-2). As commercial products, products K0084 and K0086 manufactured by BASF, PIGMENT BLACK 21, 30, 31, 32, 33 and 34 and the like can be preferably used.
(식 (d-1) 중, Rd1, Rd2는 각각 독립적으로 탄소수 1~3의 알킬렌기를 나타내고, Rd3, Rd4는 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, 메톡시기 또는 아세틸 기를 나타낸다.)(D-1), R d1 and R d2 each independently represent an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, and R d3 and R d4 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a methoxy group or an acetyl group.
(식 (d-2) 중, Rd5, Rd6는 각각 독립적으로 탄소수 1~7의 알킬렌기를 나타낸다.)(In the formula (d-2), R d5 and R d6 each independently represent an alkylene group having 1 to 7 carbon atoms.)
상기 일반식 (d-1)로 나타내는 화합물 및 일반식 (d-2)로 나타내는 화합물은, 예를 들면 특개소 62-1753호 공보, 특공소 63-26784호 공보에 기재된 방법을 이용하여 합성할 수 있다. 즉, 페릴렌-3,5,9,10-테트라카르본산 또는 그 2무수물과 아민류를 원료로 하여, 물 또는 유기 용매 중에서 가열 반응을 실시한다. 그리고 얻어진 조제물을 황산 중에서 재침전시키거나 또는, 물, 유기용매 또는 이들의 혼합 용매 중에서 재결정시켜서 목적물을 얻을 수 있다.The compound represented by the general formula (d-1) and the compound represented by the general formula (d-2) can be synthesized using the method described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-1753 and Japanese Patent Publication No. 63-26784 . Namely, a heating reaction is carried out in water or an organic solvent using perylene-3,5,9,10-tetracarboxylic acid or its dianhydride and amines as raw materials. The obtained preparation is re-precipitated in sulfuric acid or recrystallized in water, an organic solvent or a mixed solvent thereof to obtain the desired product.
또한, 감광성 수지 조성물 중에서 페릴렌계 안료를 양호하게 분산시키기 위해서는, 페릴렌계 안료의 평균 입경이 10~1000 nm인 것이 바람직하다.In order to disperse the perylene-based pigment well in the photosensitive resin composition, it is preferable that the average particle diameter of the perylene-based pigment is 10 to 1000 nm.
또한, (D) 차광제는 색조의 조정의 목적 등으로, 흑색 안료와 적색, 청색, 녹색, 황색, 자색 등의 색상의 색소를 병용할 수 있다. 흑색 안료 이외의 다른 색상의 색소는, 공지의 색소로부터 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 흑색 안료 이외의 다른 색상의 색소의 사용량은, (D) 차광제의 전체 질량에 대해서, 15 질량% 이하가 바람직하고, 10 질량% 이하가 보다 바람직하다.The light shielding agent (D) may be used in combination with a pigment of a color such as red, blue, green, yellow or purple for the purpose of adjusting the color tone. The pigment of a color other than the black pigment can be suitably selected from known pigments and used. The amount of the coloring matter other than the black pigment to be used is preferably 15 mass% or less, more preferably 10 mass% or less, with respect to the total mass of the light-shielding agent (D).
감광성 수지 조성물에서의 (D) 차광제의 함유량은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 적절히 선택할 수 있으며, 전형적으로는 감광성 수지 조성물의 고형분에 대해서 5~50 질량%가 바람직하다. 이러한 범위의 양의 차광제를 이용함으로써, 감광성 수지 조성물을 이용해 얻어지는 블랙 컬럼 스페이서의 차광성을 양호한 것으로 하면서, 감광성 수지 조성물을 노광할 때의 노광 불량이나 경화 불량을 억제할 수 있다.The content of the light-shielding agent (D) in the photosensitive resin composition can be appropriately selected within the range not impairing the object of the present invention, and is typically preferably from 5 to 50 mass% based on the solid content of the photosensitive resin composition. By using the light-shielding agent in such a range, it is possible to suppress the defective exposure and curing defects when the photosensitive resin composition is exposed while making the light-shielding property of the black column spacer obtained using the photosensitive resin composition good.
<(E) 광 흡수제><(E) Light absorber>
본 발명에 관한 감광성 수지 조성물은, 광 흡수제를 함유하는 것이 바람직하다. 광 흡수제로서는, 특별히 한정되지 않고, 노광광을 흡수할 수 있는 것을 이용할 수 있지만, 특히, 200~450 nm의 파장 영역의 광을 흡수하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 나프탈렌 화합물, 디나프탈렌 화합물, 안트라센 화합물, 페난트롤린 화합물, 염료 등을 들 수 있다.The photosensitive resin composition according to the present invention preferably contains a light absorbent. The light absorbing agent is not particularly limited, and those capable of absorbing exposure light can be used. In particular, it is preferable to absorb light in a wavelength range of 200 to 450 nm. Examples thereof include naphthalene compounds, dinaphthalene compounds, anthracene compounds, phenanthroline compounds, and dyes.
구체적으로는, 계피산2-에틸헥실, 파라메톡시계피산2-에틸헥실, 메톡시계피산이소프로필, 메톡시계피산이소아밀 등의 계피산 유도체; α-나프톨, β-나프톨, α-나프톨메틸에테르, α-나프톨에틸에테르, 1,2-디히드록시나프탈렌, 1,3-디히드록시나프탈렌, 1,4-디히드록시나프탈렌, 1,5-디히드록시나프탈렌, 1,6-디히드록시나프탈렌, 1,7-디히드록시나프탈렌, 1,8-디히드록시나프탈렌, 2,3-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 2,7-디히드록시 나프탈렌 등의 나프탈렌 유도체; 안트라센, 9,10-디히드록시안트라센 등의 안트라센 및 그 유도체; 아조계 염료, 벤조페논계 염료, 아미노케톤계 염료, 퀴놀린계 염료, 안트라퀴논계 염료, 디페닐시아노아크릴레이트계 염료, 트리아진계 염료, p-아미노벤조산계 염료 등의 염료; 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, 계피산 유도체, 나프탈렌 유도체를 이용하는 것이 바람직하고, 계피산 유도체를 이용하는 것이 특히 바람직하다. 이러한 광 흡수제는, 단독 또는 2종 이상 조합해 이용할 수도 있다.Specific examples include cinnamic acid derivatives such as 2-ethylhexyl cinnamate, 2-ethylhexyl paramethoxy cinnamate, isopropyl methoxy cinnamate, methoxy cinnamic acid and soya wheat; naphthol,? -naphthol methyl ether,? -naphthol ethyl ether, 1,2-dihydroxynaphthalene, 1,3-dihydroxynaphthalene, 1,4-dihydroxynaphthalene, 1,5 -Dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 1,7-dihydroxynaphthalene, 1,8-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene Naphthalene derivatives such as 2,7-dihydroxynaphthalene; anthracene and derivatives thereof such as anthracene and 9,10-dihydroxy anthracene; Dyes such as azo dyes, benzophenone dyes, amino ketone dyes, quinoline dyes, anthraquinone dyes, diphenylcyanoacrylate dyes, triazine dyes and p-aminobenzoic acid dyes; And the like. Of these, cinnamic acid derivatives and naphthalene derivatives are preferably used, and cinnamic acid derivatives are particularly preferred. These light absorbers may be used alone or in combination of two or more.
(E) 광 흡수제의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 고형분 100 질량부에 대해서 0.5~20 질량부인 것이 바람직하다. 상기의 범위로 함으로써, 경화 후의 파괴 강도를 양호하게 유지하면서, 노광량을 변화시켰을 때의 막 두께 변화의 비율을 크게 할 수 있다.The content of the (E) light absorber is preferably 0.5 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the solid content of the photosensitive resin composition. By setting the thickness within the above range, it is possible to increase the ratio of the film thickness change when the exposure amount is changed while keeping the fracture strength after curing well.
<(S) 유기용제><(S) Organic solvents>
본 발명에 관한 감광성 수지 조성물은, 희석을 위한 유기용제를 함유하는 것이 바람직하다. 유기용제로서는 예를 들면, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜-n-프로필에테르, 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라히드로퓨란 등의 다른 에테르류; 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 2-헵타논, 3-헵타논 등의 케톤류; 2-히드록시프로피온산메틸, 2-히드록시프로피온산에틸 등의 유산알킬에스테르류; 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 히드록시아세트산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 아세트산에틸, 아세트산n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 포름산n-펜틸, 아세트산이소펜틸, 프로피온산n-부틸, 부티르산에틸, 부티르산n-프로필, 부티르산이소프로필, 부티르산n-부틸, 피르빈산메틸, 피르빈산에틸, 피르빈산n-프로필, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 2-옥소부탄산에틸 등의 다른 에스테르류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드류 등을 들 수 있다. The photosensitive resin composition according to the present invention preferably contains an organic solvent for dilution. Examples of the organic solvent include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol-n-propyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, Diethylene glycol mono-n-propyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono- propyl ether, propylene glycol mono-n-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol mono-n-propyl ether, dipropylene glycol mono-n-butyl ether, (Poly) alcohols such as glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether and the like, Glycol monomethyl ether; (Poly) alkylene ethers such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether acetate. Glycol monoalkyl ether acetates; Other ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and tetrahydrofuran; Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, and 3-heptanone; Lactic acid alkyl esters such as methyl 2-hydroxypropionate and ethyl 2-hydroxypropionate; Methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl ethoxyacetate, Methyl-3-methoxybutyl propionate, ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n- Butyl acetate, isobutyl acetate, n-pentyl formate, isopentyl acetate, n-butyl propionate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, isopropyl butyrate, n-butyl butyrate, ethyl pyruvate, , Other esters such as methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate and ethyl 2-oxobutanoate; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; and amides such as N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide.
이것들 중에서도, 알킬렌글리콜모노알킬에테르류, 알킬렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 상술한 다른 에테르류, 유산알킬에스테르류, 상술한 다른 에스테르류가 바람직하고, 알킬렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 상술한 다른 에테르류, 상술한 다른 에스테르류가 보다 바람직하다. 이들 용제는, 단독 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수도 있다.Of these, alkylene glycol monoalkyl ether acetates, alkylene glycol monoalkyl ether acetates, the above-mentioned other ethers, lactic acid alkyl esters and the above-mentioned other esters are preferable, and alkylene glycol monoalkyl ether acetates, One other ether, and the other esters described above are more preferable. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
(S) 유기용제의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 고형분 농도가 1~50 질량%가 되는 양이 바람직하고, 5~30 질량%가 되는 양이 보다 바람직하다.The content of the organic solvent (S) is preferably such that the solid content concentration of the photosensitive resin composition is 1 to 50 mass%, more preferably 5 to 30 mass%.
<그 외의 성분><Other components>
본 발명에 관한 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라서, 각종의 첨가제를 함유해도 된다. 첨가제로서는, 증감제, 경화촉진제, 충전제, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 응집 방지제, 열중합 금지제, 소포제, 계면활성제 등을 들 수 있다.The photosensitive resin composition according to the present invention may contain various additives as required. Examples of the additive include a sensitizer, a curing accelerator, a filler, an adhesion promoter, an antioxidant, an aggregation inhibitor, a thermal polymerization inhibitor, a defoaming agent, and a surfactant.
<감광성 수지 조성물의 조제 방법>≪ Preparation method of photosensitive resin composition >
본 발명에 관한 감광성 수지 조성물은, 상기의 각 성분을 교반기로 혼합하여 조제된다. 또한, 조제된 감광성 수지 조성물이 균일한 것이 되도록, 멤브레인 필터 등을 이용해 여과해도 된다. The photosensitive resin composition according to the present invention is prepared by mixing each of the above components with a stirrer. Further, it may be filtered using a membrane filter or the like so that the prepared photosensitive resin composition becomes uniform.
≪스페이서, 표시장치, 블랙 컬럼 스페이서의 형성 방법≫ << Spacer, display device, method of forming black column spacer >>
본 발명에 관한 블랙 컬럼 스페이서는, 본 발명에 관한 감광성 수지 조성물로부터 형성되는 것을 제외하면, 종래의 블랙 컬럼 스페이서와 같다. 또, 본 발명에 관한 표시장치는, 본 발명에 관한 감광성 수지 조성물로부터 형성되는 스페이서를 구비하는 것을 제외하면, 종래의 표시장치와 같다. 이하에서는, 블랙 컬럼 스페이서의 형성 방법에 대해서만 설명한다.The black column spacer according to the present invention is the same as the conventional black column spacer except that it is formed from the photosensitive resin composition according to the present invention. The display device according to the present invention is the same as the conventional display device except that the display device is provided with a spacer formed from the photosensitive resin composition according to the present invention. Hereinafter, only the method of forming the black column spacer will be described.
본 발명에 관한 블랙 컬럼 스페이서의 형성 방법은, 본 발명에 관한 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하고, 감광성 수지층을 형성하는 도포 공정과, 감광성 수지층을 소정의 블랙 컬럼 스페이서의 패턴에 따라 노광하는 노광 공정과, 노광 후의 감광성 수지층을 현상하여, 블랙 컬럼 스페이서의 패턴을 형성하는 현상 공정을 포함한다.A method of forming a black column spacer according to the present invention is a method of forming a black column spacer by applying a photosensitive resin composition according to the present invention onto a substrate to form a photosensitive resin layer and a step of exposing the photosensitive resin layer to a predetermined black column spacer pattern And a developing step of developing the exposed photosensitive resin layer to form a pattern of black column spacers.
우선 도포 공정에서는, 블랙 컬럼 스페이서가 형성되어야 할 기판 상에, 롤 코터, 리버스 코터, 바 코터등의 접촉 전사형 도포 장치나 스피너(회전식 도포 장치), 커튼 플로우 코터 등의 비접촉형 도포 장치를 이용하여 본 발명에 관한 감광성 수지 조성물을 도포하고, 필요에 따라서, 건조하여 용매를 제거하여, 감광성 수지층을 형성한다.First, in the coating step, a non-contact type coating device such as a roll coater, a reverse coater, a bar coater or the like, a contact transfer type coating device such as a spinner (rotary coating device), or a curtain flow coater is used The photosensitive resin composition according to the present invention is applied and, if necessary, dried to remove the solvent to form a photosensitive resin layer.
계속하여, 노광 공정에서는, 네거티브형의 마스크를 개재하여, 감광성 수지층에 자외선, 엑시머 레이져 광 등의 활성 에너지선을 조사하여, 감광성 수지층을 블랙 컬럼 스페이서의 패턴에 따라 부분적으로 노광한다. 노광에는 고압 수은등, 초고압 수은등, 크세논 램프, 카본 아크등 등의 자외선을 발하는 광원을 이용할 수 있다. 노광량은 감광성 수지 조성물의 조성에 따라 다르지만, 예를 들어 10~600 mJ/cm2 정도가 바람직하다.Subsequently, in the exposure step, an active energy ray such as ultraviolet rays or excimer laser light is irradiated to the photosensitive resin layer through a negative type mask, and the photosensitive resin layer is partially exposed according to the pattern of the black column spacer. For exposure, a light source that emits ultraviolet rays such as a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a xenon lamp, a carbon arc, or the like can be used. The exposure dose varies depending on the composition of the photosensitive resin composition, but is preferably, for example, about 10 to 600 mJ / cm 2 .
그리고, 기판이 TFT 기판 등인 기판 상에 소자가 형성된 것인 경우, 소자 위에, 또는 소자가 형성된 기판과 짝이 되는 기판의 소자와 대향하는 개소에 블랙 컬럼 스페이서를 형성할 필요가 있는 경우가 있다. 이러한 경우, 소자의 높이를 고려하여 소자가 형성된 개소와, 그 외의 개소에서, 블랙 컬럼 스페이서의 높이를 변경할 필요가 있다. 이에 상기와 같은 경우에는, 하프톤 마스크를 개재하여 노광을 실시하는 것이 바람직하다. 본 발명에 관한 감광성 수지 조성물을 이용하면, 하프톤 마스크를 개재하여 노광을 실시함으로써, 높이가 상이한 블랙 컬럼 스페이서를 용이하게 형성할 수 있다.In the case where the substrate is formed on a substrate such as a TFT substrate, there is a case where it is necessary to form a black column spacer on the element or at a position facing the element of the substrate mated with the substrate on which the element is formed. In such a case, it is necessary to change the height of the black column spacer at the portion where the element is formed and at other portions in consideration of the height of the element. In such a case, it is preferable to perform exposure through a halftone mask. By using the photosensitive resin composition according to the present invention, black column spacers having different heights can be easily formed by performing exposure through a halftone mask.
계속하여, 현상 공정에서는, 노광 후의 감광성 수지층을 현상액으로 현상함으로써, 블랙 컬럼 스페이서를 형성한다. 현상 방법은 특별히 한정 되지 않고, 침지법, 스프레이법 등을 이용할 수 있다. 현상액의 구체예로는, 모노에탄올 아민, 디에탄올 아민, 트리에탄올 아민 등의 유기계, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 암모니아, 4급 암모늄염 등의 수용액을 들 수 있다.Subsequently, in the development step, the exposed photosensitive resin layer is developed with a developing solution to form a black column spacer. The developing method is not particularly limited, and a dipping method, a spraying method, or the like can be used. Specific examples of the developer include aqueous solutions such as organic solvents such as monoethanolamine, diethanolamine and triethanolamine, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, ammonia and quaternary ammonium salts.
그 후, 현상 후의 블랙 컬럼 스페이서에 포스트베이크를 실시하여 가열 경화한다. 포스트베이크는 150~250℃에서 15~60분간이 바람직하다.Thereafter, the black column spacer after development is subjected to post-baking and cured by heating. Post baking is preferably performed at 150 to 250 ° C for 15 to 60 minutes.
[실시예][Example]
이하, 실시예를 나타내어 본 발명을 한층 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples, but the scope of the present invention is not limited to these Examples.
<실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1~3>≪ Example 1, Example 2 and Comparative Examples 1 to 3 >
하기 표 1로 나타내는 각 성분을 혼합하고, 고형분 함유량이 20 질량%가 되도록 용제에 용해하여 감광성 수지 조성물을 조제하였다. 또한, 용제로서는 전체 용제 중, 메톡시부틸아세테이트 65 질량%, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PM) 10 질량%, 시클로헥산온 25 질량%가 되도록 조정하였다.Each component shown in Table 1 below was mixed and dissolved in a solvent such that the solid content was 20 mass%, to prepare a photosensitive resin composition. The solvent was adjusted to be 65% by mass of methoxybutyl acetate, 10% by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate (PM), and 25% by mass of cyclohexanone in the whole solvent.
[표 1][Table 1]
표 1 중, 각 약호는 각각 다음과 같은 것을 나타내고, 괄호 내의 수치는 감광성 수지 조성물 중 고형분의 부수(질량부)이다.In Table 1, the respective abbreviations each indicate the following, and the numerical values in parentheses are the number of parts (parts by mass) of the solid content in the photosensitive resin composition.
(알칼리 가용성 수지)(Alkali-soluble resin)
A-1 : 하기 제조 방법에 의해 얻어지는 수지(고형분 55%, 용제: 3-메톡시부틸아세테이트) A-1: A resin (solid content: 55%, solvent: 3-methoxybutyl acetate)
A-2 : 하기 구성단위로 이루어진 아크릴계 수지(각 구성단위의 하단의 숫자는, 아크릴계 수지를 구성하는 전체 구성단위에 있어서의, 각 구성단위의 몰비율이다.). 수지 A-2의 질량 평균 분자량은 8000이다.A-2: Acrylic resin having the following constitutional unit (the number of the lower end of each constitutional unit is the molar ratio of each constitutional unit in the total constitutional unit constituting the acrylic resin). The mass average molecular weight of Resin A-2 is 8,000.
A-3 : 하기 구성단위로 이루어진 불포화 결합을 가진 아크릴계 수지(각 구성단위의 하단의 숫자는, 아크릴계 수지를 구성하는 전체 구성단위에 있어서의, 각 구성단위의 몰비율이다.). 수지 A-3의 질량 평균 분자량은 8000이다.A-3: An acrylic resin having an unsaturated bond having the following constitutional unit (the number of the lower end of each constitutional unit is the molar ratio of each constitutional unit in the total constitutional unit constituting the acrylic resin). The weight average molecular weight of Resin A-3 is 8,000.
(광 중합성 모노머)(Photopolymerizable monomer)
DPHA:디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트 DPHA: dipentaerythritol hexaacrylate
(광 중합 개시제)(Photopolymerization initiator)
OXE02:에탄온, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일], 1-(O-아세틸옥심)(BASF제 「IRGACURE OXE02」) OXE02: ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-
(차광제)(Light-shielding agent)
하기 구조의 페릴렌계 안료의 분산액(고형분 함유량: 20 질량%, 용제: 3-메톡시 부틸아세테이트)를 이용하였다.(Solid content: 20 mass%, solvent: 3-methoxybutyl acetate) of the following structure was used.
또한, 상기 수지 (A-1)의 합성법은 다음과 같다.The synthesis method of the resin (A-1) is as follows.
우선, 500 ml 4구 플라스크 중에, 비스페놀 플루오렌형 에폭시 수지(에폭시 당량 235) 235 g, 테트라메틸암모늄 클로라이드 110 mg, 2,6-디-tert-부틸-4-메틸 페놀 100 mg 및 아크릴산 72.0 g를 투입하고, 여기에 25 ml/분의 속도로 공기를 불어넣으면서 90~100℃에서 가열 용해하였다. 다음에, 용액이 백탁한 상태인 채로 서서히 승온하여, 120℃에 가열하여 완전히 용해시켰다. 이 때, 용액은 점차 투명점성으로 되었지만, 그대로 교반을 계속하였다. 이 사이 산가를 측정하고, 1.0mgKOH/g 미만이 될 때까지 가열교반을 계속하였다. 산가가 목표치에 이를 때까지 12시간을 필요로 하였다. 그리고 실온까지 냉각하여, 무색 투명이고 고체상인 하기 식 (a-7)로 나타내는 비스페놀 플루오렌형 에폭시 아크릴레이트를 얻었다.First, 235 g of bisphenol fluorene type epoxy resin (epoxy equivalent 235), 110 mg of tetramethylammonium chloride, 100 mg of 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol and 72.0 g of acrylic acid And the mixture was heated and dissolved at 90 to 100 DEG C while blowing air at a rate of 25 ml / min. Then, the temperature of the solution was gradually elevated while the solution was cloudy, and the solution was completely dissolved by heating at 120 占 폚. At this time, the solution gradually became clear viscous, but stirring was continued. The acid value was measured, and the heating and stirring were continued until it was less than 1.0 mg KOH / g. The acid value required 12 hours to reach the target value. Then, the mixture was cooled to room temperature to obtain a bisphenol fluorene-type epoxy acrylate represented by the following formula (a-7) which was colorless transparent and solid.
계속하여, 이와 같이 실시하여 얻어진 상기의 비스페놀 플루오렌형 에폭시 아크릴레이트 307.0 g에 3-메톡시부틸아세테이트 600 g를 가하여 용해한 후, 벤조페논테트라카르본산 2무수물 80.5 g 및 브롬화테트라에틸암모늄 1 g를 혼합하여, 서서히 온도를 상승시켜 110~115℃에서 4시간 반응시켰다. 산무수물기의 소실을 확인한 후, 1,2,3,6-테트라히드로 무수프탈산 38.0 g를 혼합하고, 90℃에서 6시간 반응시켜, 수지 (A-1)를 얻었다. 산무수물기의 소실은 IR스펙트럼에 의해 확인하였다. 또한, 상기 수지 (A-1)는, 상기 식 (a-1)로 나타내는 수지에 상당한다.Then, 600 g of 3-methoxybutyl acetate was added to 307.0 g of the bisphenol fluorene-type epoxy acrylate thus obtained and dissolved. Then, 80.5 g of benzophenone tetracarboxylic dianhydride and 1 g of tetraethylammonium bromide The temperature was gradually raised, and the reaction was carried out at 110 to 115 ° C for 4 hours. After disappearance of the acid anhydride group was confirmed, 38.0 g of 1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride was mixed and reacted at 90 DEG C for 6 hours to obtain a resin (A-1). The disappearance of the acid anhydride group was confirmed by IR spectrum. The resin (A-1) corresponds to the resin represented by the formula (a-1).
[OD값의 평가][Evaluation of OD value]
6 인치의 유리 기판(다우코닝제, 1737 글래스) 상에, 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1~3의 감광성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 60초간 건조해 감광성 수지층을 형성하였다. 그 다음에, 이 감광성 수지층에 60 mJ/cm2의 노광량으로 ghi선을 조사하였다. 그리고, 230℃에서 20분간, 핫 플레이트 상에서 포스트베이크를 실시했다. 형성된 차광막의 막 두께는 0.8μm, 1.0μm, 1.2μm의 3 수준이었다. 상기 차광막 에 대해서, D200-II(Macbeth제)를 이용하여 각 막 두께에 있어서의 OD값을 측정하고, 근사 곡선으로 1μm 근처의 OD값을 산출했다.The photosensitive resin compositions of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 were coated on a 6-inch glass substrate (Dow Corning Co., 1737 glass), and then dried at 90 DEG C for 60 seconds to form a photosensitive resin layer Respectively. Then, this photosensitive resin layer was irradiated with a ghi ray at an exposure dose of 60 mJ / cm 2 . Post-baking was performed on a hot plate at 230 캜 for 20 minutes. The film thickness of the formed light-shielding film was three levels of 0.8 μm, 1.0 μm and 1.2 μm. The OD value at each film thickness was measured for the light-shielding film using D200-II (manufactured by Macbeth), and an OD value near 1 μm was calculated by an approximate curve.
결과를 표 2에 나타낸다.The results are shown in Table 2.
[형상의 평가][Evaluation of shape]
6 인치의 유리 기판(다우코닝제, 1737 글래스) 상에, 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1~3의 감광성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 60초간 건조하여, 막 두께 3.0μm의 감광성 수지층을 형성하였다. 그 다음에, 상기 감광성 수지층에, 마스크 사이즈 30μm의 네거티브 마스크를 개재하여, 50 mJ/cm2의 노광량으로 ghi선을 선택적으로 조사하였고, 0.05 질량%의 KOH 수용액을 이용해 23℃에서 70초간, 스프레이 현상하여, 블랙 컬럼 스페이서를 형성하였다. 그 후, 230℃에서 20분간, 핫 플레이트 상에서 포스트베이크를 실시하였다. The photosensitive resin compositions of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 were coated on a 6-inch glass substrate (Dow Corning Co., 1737 glass) and then dried at 90 占 폚 for 60 seconds to form a film having a thickness of 3.0 占 퐉 Of a photosensitive resin layer. Subsequently, the photosensitive resin layer was selectively irradiated with a ghi ray at an exposure dose of 50 mJ / cm 2 through a negative mask with a mask size of 30 탆, and was irradiated with a 0.05 wt% KOH aqueous solution at 23 캜 for 70 seconds, Spray-developed to form a black column spacer. Thereafter, post-baking was performed on a hot plate at 230 占 폚 for 20 minutes.
그리고, 포스트베이크 후의 블랙 컬럼 스페이서의 최하부에 있어서의 지름 B와 최상부 근방(최하부로부터 95%의 막두께 부분)에 있어서의 지름 T를 측정해, 하기 식에 의해 T/B비를 산출하였다. T/B비 50 초과를 「○」이라고 판정하였고, 50 이하를 「×」이라고 판정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.Then, the diameters B at the lowermost portion of the black column spacer after post-baking and the diameters T at the vicinity of the uppermost portion (95% of the thickness from the lowermost portion) were measured and the T / B ratio was calculated by the following formula. &Quot; & cir & &le; &le; 50 &le; The results are shown in Table 2.
T/B비=(T/B)×100T / B ratio = (T / B) x 100
[비유전율의 평가][Evaluation of relative dielectric constant]
6 인치 실리콘 웨이퍼 상에, 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1~3의 감광성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 60초간 건조하여 감광성 수지층을 형성하였다. 그 다음에, 이 감광성 수지층에 60 mJ/cm2의 노광량으로 ghi선을 조사하였다. 그리고, 230℃에서 20분간, 핫플레이트 상에서 포스트베이크를 실시하였다. 형성된 차광막의 막 두께는 1.0μm였다. 상기 차광막에 대해서, 유전율 측정 장치 SSM495(일본 SSM제)를 이용하여, 차광막의 막두께 방향의 진공에 대한 비유전률(1 kHz에서의 값)을 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.The photosensitive resin compositions of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 were coated on a 6-inch silicon wafer and then dried at 90 DEG C for 60 seconds to form a photosensitive resin layer. Then, this photosensitive resin layer was irradiated with a ghi ray at an exposure dose of 60 mJ / cm 2 . Post-baking was performed on a hot plate at 230 캜 for 20 minutes. The film thickness of the formed light-shielding film was 1.0 mu m. The relative dielectric constant (value at 1 kHz) of the light-shielding film with respect to the vacuum in the thickness direction of the light-shielding film was measured using a dielectric constant measuring device SSM495 (manufactured by SSM Japan). The results are shown in Table 2.
[하프톤(HT) 특성의 평가][Evaluation of Halftone (HT) Characteristic]
6 인치의 유리 기판(다우코닝제, 1737 글래스) 상에, 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1~3의 감광성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 60초간 건조하여, 막 두께 3.0μm의 감광성 수지층을 형성하였다. 그 다음에 이 감광성 수지층에, 마스크 사이즈 30μm의 네거티브 마스크를 개재하여, ghi선을 선택적으로 조사하였다. 노광량은 5~50 mJ/cm2로 하였다. 그 다음, 0.05 질량%의 KOH 수용액을 이용해 23℃에서 70초간, 스프레이 현상함으로써, 블랙 컬럼 스페이서를 형성하였다. 그 후, 230℃에서 20분간, 핫 플레이트 상에서 포스트베이크를 실시하였다. The photosensitive resin compositions of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 were coated on a 6-inch glass substrate (Dow Corning Co., 1737 glass) and then dried at 90 占 폚 for 60 seconds to form a film having a thickness of 3.0 占 퐉 Of a photosensitive resin layer. Then, the photosensitive resin layer was selectively irradiated with a ghi ray through a negative mask having a mask size of 30 mu m. The exposure dose was 5 to 50 mJ / cm 2 . Then, a black column spacer was formed by spraying at 0.05% by mass of KOH aqueous solution at 23 캜 for 70 seconds. Thereafter, post-baking was performed on a hot plate at 230 占 폚 for 20 minutes.
그리고, 노광량 5 mJ/cm2의 경우와 50 mJ/cm2의 경우에서의 포스트베이크 후의 블랙 컬럼 스페이서의 높이의 차이를 구함으로써 하프톤 특성(ΔH)의 지표로 하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.Then, the difference in height of the black column spacer after the post-baking in the case of the exposure amount of 5 mJ / cm 2 and the case of the 50 mJ / cm 2 was determined, and it was determined as an index of the halftone characteristic H. The results are shown in Table 2.
[밀착성의 평가][Evaluation of adhesion]
6 인치의 유리 기판(다우코닝제, 1737 글래스) 상에, 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1~3의 감광성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 60초간 건조하고, 막 두께 3.0μm의 감광성 수지층을 형성하였다. 그 다음에, 상기 감광성 수지층에, 마스크 사이즈 30μm의 네거티브 마스크를 개재하여, 50 mJ/cm2의 노광량으로 ghi선을 선택적으로 조사하여, 0.05 질량%의 KOH 수용액을 이용해 23℃에서 70초간 스프레이 현상하여, 블랙 컬럼 스페이서를 형성하였다. 현상 시간은, 미노광부가 완전하게 용해될 때까지의 시간(BP:브레이크 포인트)를 기준으로 BP의 약 1.5배로 하였다. 그 후, 230℃에서 20분간, 핫 플레이트상에서 포스트베이크를 실시하였다. The photosensitive resin compositions of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 were coated on a 6-inch glass substrate (Dow Corning, 1737 glass), and then dried at 90 占 폚 for 60 seconds to form a film having a thickness of 3.0 占 퐉 Of a photosensitive resin layer. Then, the photosensitive resin layer was selectively irradiated with a ghi ray at an exposure dose of 50 mJ / cm 2 through a negative mask having a mask size of 30 탆, sprayed at 23 캜 for 70 seconds using a 0.05 wt% aqueous KOH solution And developed to form a black column spacer. The development time was about 1.5 times the BP based on the time (BP: break point) until the unexposed portion was completely dissolved. Thereafter, post-baking was performed on a hot plate at 230 占 폚 for 20 minutes.
그리고, 노광량 50 mJ/cm2로 블랙 컬럼 스페이서가 형성 가능한 최소 마스크 치수를 조사하여 밀착성의 지표로 하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.Then, the minimum mask size at which the black column spacer can be formed at an exposure dose of 50 mJ / cm 2 was examined to be an index of adhesion. The results are shown in Table 2.
[표 2][Table 2]
표 2로부터 알 수 있듯이, 카르도 구조를 갖는 수지와 아크릴계 수지를 포함하는 실시예 1 및 2의 감광성 수지 조성물을 이용하는 경우, 감광성 수지 조성물로 이루어진 막 두께 3μm의 감광성 수지층을 50 mJ/cm2의 노광량으로 노광하였을 때 얻어지는 블랙 컬럼 스페이서의 막 두께 HFT와, 10 mJ/cm2의 노광량으로 노광하였을 때 얻어지는 블랙 컬럼 스페이서의 막 두께 HHT와의 차이ΔH(=HFT-HHT)가 7000~8000Å으로 커지는 것을 알 수 있다.As can be seen from Table 2, in the case of using the photosensitive resin compositions of Examples 1 and 2 including a resin having a cardo structure and an acrylic resin, the photosensitive resin layer having a thickness of 3 m made of a photosensitive resin composition was coated at 50 mJ / cm 2 (= H FT- H HT ) between the film thickness H FT of the black column spacer obtained when exposed at an exposure amount of 10 mJ / cm 2 and the film thickness H HT of the black column spacer obtained when exposed at an exposure amount of 10 mJ / cm 2 is 7000 To 8000 ANGSTROM.
즉, 표 2에 의하면, 실시예 1 및 2의 감광성 수지 조성물을 이용하는 경우, 하프톤 마스크를 개재하여 노광함으로써, 높이의 차이가 큰 블랙 컬럼 스페이서를 용이하게 형성할 수 있는 것을 알 수 있다.That is, according to Table 2, it can be seen that when using the photosensitive resin compositions of Examples 1 and 2, a black column spacer having a large height difference can be easily formed by exposure through a halftone mask.
한편, 카르도 구조를 갖는 수지만을 알칼리 가용성 수지로서 함유 하는 비교예 1의 감광성 수지 조성물은, ΔH가 7000Å미만이며, 하프톤 특성이 떨어졌다.On the other hand, in the photosensitive resin composition of Comparative Example 1 containing only water having a cardo structure as an alkali-soluble resin, the? H was less than 7000 占 and the halftone property was lowered.
또, 비교예 2 및 3에 의하면, 아크릴계 수지만을 알칼리 가용성 수지로서 이용한 감광성 수지 조성물은, 형성되는 블랙 컬럼 스페이서의 기판에 대한 밀착성이 크게 손상되는 것을 알 수 있다. 따라서, 비교예 2 및 3은 블랙 컬럼 스페이서의 기판으로부터의 박리 때문에, 하프톤 특성을 평가할 수 없었다.In addition, according to Comparative Examples 2 and 3, it can be seen that the photosensitive resin composition using only acrylic water as an alkali-soluble resin greatly impaired the adhesion of the formed black column spacer to the substrate. Therefore, in Comparative Examples 2 and 3, since the separation of the black column spacer from the substrate, the halftone characteristics could not be evaluated.
Claims (9)
상기 알칼리 가용성 수지가 카르도 구조를 갖는 수지와 아크릴계 수지를 포함하고,
상기 차광제가 페릴렌계 흑색 안료를 포함하는 블랙 컬럼 스페이서용 감광성 수지 조성물로서,
상기 블랙 컬럼 스페이서용 감광성 수지 조성물로 이루어진 막 두께 3μm의 감광성 수지층을 50 mJ/cm2의 노광량으로 노광하였을 때 얻어지는 블랙 컬럼 스페이서의 막 두께 HFT와, 5 mJ/cm2의 노광량으로 노광하였을 때에 얻어지는 블랙 컬럼 스페이서의 막 두께 HHT와의 차이ΔH(=HFT-HHT)가 7000~8000Å인 블랙 컬럼 스페이서용 감광성 수지 조성물.An alkali-soluble resin, a photopolymerizable monomer, a photopolymerization initiator, and a light-
Wherein the alkali-soluble resin comprises a resin having a cardo structure and an acrylic resin,
Wherein the light-shielding agent is a photosensitive resin composition for a black column spacer comprising a perylene black pigment,
The photosensitive resin layer of the photosensitive resin composition for a black column spacer having a thickness of 3 탆 was exposed at an exposure of 50 mJ / cm 2 and exposed to light with a film thickness H FT of the black column spacer and an exposure dose of 5 mJ / cm 2 (= H FT- H HT ) between the obtained black column spacer and the film thickness H HT of the obtained black column spacer is 7000 to 8000 Å.
상기 카르도 구조를 갖는 수지와 상기 아크릴계 수지와의 비가 질량 기준으로 99:1 ~ 1:99인 블랙 컬럼 스페이서용 감광성 수지 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the ratio of the resin having the cardo structure to the acrylic resin is 99: 1 to 1:99 on a mass basis.
광 흡수제를 더 함유하는 블랙 컬럼 스페이서용 감광성 수지 조성물.The method according to claim 1 or 2,
A photosensitive resin composition for a black column spacer further containing a light absorbent.
상기 감광성 수지층을 소정의 스페이서의 패턴에 따라 노광하는 노광 공정과,
노광 후의 감광성 수지층을 현상하여 스페이서의 패턴을 형성하는 현상 공정을 포함하는 블랙 컬럼 스페이서의 형성 방법.A coating step of coating the photosensitive resin composition for a black column spacer of claim 1 or 2 on a substrate to form a photosensitive resin layer,
An exposure step of exposing the photosensitive resin layer according to a predetermined spacer pattern,
And developing the exposed photosensitive resin layer to form a pattern of spacers.
상기 노광 공정에 있어서, 하프톤 마스크를 개재하여 노광이 이루어지는 블랙 컬럼 스페이서의 형성 방법.The method of claim 8,
A method of forming a black column spacer in which exposure is performed via a halftone mask in the exposure step.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2011-282397 | 2011-12-22 | ||
JP2011282397A JP2013134263A (en) | 2011-12-22 | 2011-12-22 | Photosensitive resin composition for black column spacer, black column spacer, display device, and method for forming black column spacer |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120146590A Division KR101966995B1 (en) | 2011-12-22 | 2012-12-14 | Photosensitive resin composition for black column spacer, black column spacer, display device, and forming method for the black column spacer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170118006A KR20170118006A (en) | 2017-10-24 |
KR101988737B1 true KR101988737B1 (en) | 2019-06-12 |
Family
ID=48911021
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120146590A KR101966995B1 (en) | 2011-12-22 | 2012-12-14 | Photosensitive resin composition for black column spacer, black column spacer, display device, and forming method for the black column spacer |
KR1020170131177A KR101988737B1 (en) | 2011-12-22 | 2017-10-11 | Photosensitive resin composition for black column spacer, black column spacer, display device, and forming method for the black column spacer |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120146590A KR101966995B1 (en) | 2011-12-22 | 2012-12-14 | Photosensitive resin composition for black column spacer, black column spacer, display device, and forming method for the black column spacer |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013134263A (en) |
KR (2) | KR101966995B1 (en) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140076320A (en) | 2012-12-12 | 2014-06-20 | 제일모직주식회사 | Photosensitive resin composition and black spacer using the same |
KR101658374B1 (en) * | 2013-01-25 | 2016-09-22 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | Colored photosensitive resin composition with dual property for column spacer and black matrix |
CN104345563B (en) * | 2013-08-09 | 2018-09-21 | 第一毛织株式会社 | Photosensitive resin composition and use its photoresist layer |
KR101686567B1 (en) | 2013-10-23 | 2016-12-14 | 제일모직 주식회사 | Photosensitive resin composition and light blocking layer using the same |
KR101474803B1 (en) | 2014-03-27 | 2014-12-19 | 제일모직주식회사 | Method of manufacturing black column spacer, black column spacer, and color filter |
KR101724607B1 (en) * | 2014-06-30 | 2017-04-07 | 제일모직 주식회사 | Method of manufacturing black column spacer, black column spacer, and color filter |
KR101767082B1 (en) | 2014-11-17 | 2017-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | Photosensitive resin composition, photosensitive resin film using the same and color filter |
JP6700710B2 (en) * | 2015-10-16 | 2020-05-27 | 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 | Photosensitive resin composition for black column spacer, black column spacer, liquid crystal display device, method for producing photosensitive resin composition for black column spacer, method for producing black column spacer, and method for producing liquid crystal display device |
JP6268508B2 (en) | 2015-12-24 | 2018-01-31 | 三菱ケミカル株式会社 | Photosensitive coloring composition, cured product, colored spacer, image display device |
CN111032720B (en) | 2017-10-10 | 2022-06-28 | 昭和电工株式会社 | Resin, photosensitive resin composition, resin cured film, and image display device |
JP7402034B2 (en) * | 2019-12-16 | 2023-12-20 | 東京応化工業株式会社 | Colored photosensitive composition, colored film, method for producing colored film, and method for producing patterned colored film |
CN114730129A (en) | 2020-02-06 | 2022-07-08 | 昭和电工株式会社 | Photosensitive resin composition and image display device |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011133851A (en) | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Lg Chem Ltd | Black matrix composition with high light-shielding property and improved adhesive force to substrate |
JP2011170075A (en) | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Photosensitive composition |
JP2011215270A (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Method for producing resin pattern |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4290483B2 (en) * | 2003-06-05 | 2009-07-08 | 新日鐵化学株式会社 | Photosensitive resin composition for black resist and light-shielding film formed using the same |
JP2007071994A (en) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Black photosensitive resin composition |
JP5180623B2 (en) * | 2008-03-07 | 2013-04-10 | 株式会社Dnpファインケミカル | Photosensitive resin composition for spacer and color filter |
JP2011039345A (en) * | 2009-08-13 | 2011-02-24 | Fujifilm Corp | Pressing ring fastener |
JP2011107707A (en) * | 2009-11-18 | 2011-06-02 | Kolon Industries Inc | Photosensitive resin composition |
CN103492948B (en) * | 2011-08-04 | 2016-06-08 | 株式会社Lg化学 | Light-sensitive compound and comprise its photosensitive resin composition |
-
2011
- 2011-12-22 JP JP2011282397A patent/JP2013134263A/en active Pending
-
2012
- 2012-12-14 KR KR1020120146590A patent/KR101966995B1/en active IP Right Grant
-
2017
- 2017-10-11 KR KR1020170131177A patent/KR101988737B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006235153A (en) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Photosensitive resin composition for forming light shielding layer, and light shielding layer and color filter |
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JP2011133851A (en) | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Lg Chem Ltd | Black matrix composition with high light-shielding property and improved adhesive force to substrate |
JP2011170075A (en) | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Photosensitive composition |
JP2011215270A (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Method for producing resin pattern |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130079165A (en) | 2013-07-10 |
JP2013134263A (en) | 2013-07-08 |
KR101966995B1 (en) | 2019-04-08 |
KR20170118006A (en) | 2017-10-24 |
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---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
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