KR101982518B1 - Apparatus for testing of semiconductor including structures that improve wind direction - Google Patents

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Abstract

According to the present invention, provided is a wind direction improvement semiconductor inspection apparatus, which tests the weather resistance of a plurality of semiconductor elements. The wind direction improvement semiconductor inspection apparatus comprises: an experiment chamber including the plurality of semiconductor elements and capable of controlling internal temperatures; a blowing unit generating the flow of air in the test chamber; and a guiding unit guiding the flow of air in a direction in which the plurality of semiconductor elements are located, and in a direction perpendicular to a direction in which the plurality of semiconductor elements are arranged. According to the present invention, the air which raised or lowered the temperature can be supplied to each of the semiconductor elements in the test chamber.

Description

풍향 개선 반도체 검사 장치{APPARATUS FOR TESTING OF SEMICONDUCTOR INCLUDING STRUCTURES THAT IMPROVE WIND DIRECTION}Wind direction improvement semiconductor inspection device {APPARATUS FOR TESTING OF SEMICONDUCTOR INCLUDING STRUCTURES THAT IMPROVE WIND DIRECTION}

본 발명은 복수의 반도체 소자 각각에 온도를 상승 또는 하강시킨 공기를 공급하는 것이 가능한 풍향 개선 반도체 검사 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wind direction improving semiconductor inspection device capable of supplying air having a temperature increased or decreased to each of a plurality of semiconductor elements.

반도체 검사 장치는 온도조절장치를 이용하여 챔버 내부에 공기를 가열시키거나 냉각시켜 챔버 내부에 위치하는 반도체가 고온 또는 저온의 환경에서 어떠한 성능의 변화가 발생하는지에 대해 테스트하는 장치로서, 그 검사결과에 따라 고장 또는 불량의 반도체를 분류할 수 있도록 한다.The semiconductor inspection device is a device that tests whether a change in performance occurs in a high or low temperature environment of a semiconductor located inside the chamber by heating or cooling air in the chamber using a temperature control device. It is possible to classify faulty or defective semiconductors.

즉, 반도체 검사 장치는 반도체의 성능을 테스트하기 위해 반도체가 위치하는 챔버 내부의 온도를 가열시키거나 냉각시키므로, 테스트가 종료된 이후에는 챔버 내부 및 반도체가 불필요하게 고온 또는 저온으로 유지되는 것을 방지하기 위하여 가열 또는 냉각된 내부 온도로 인해 온도가 상승 또는 하강한 챔버 내부 및 반도체의 온도를 상온으로 되돌리는 과정을 필요로 한다.That is, the semiconductor inspection apparatus heats or cools the temperature inside the chamber in which the semiconductor is located to test the performance of the semiconductor, thereby preventing the chamber and the semiconductor from being unnecessarily maintained at a high or low temperature after the test is completed. To this end, a process of returning the temperature of the inside of the chamber and the semiconductor to which the temperature rises or falls due to the heated or cooled internal temperature is returned to room temperature.

종래에는 챔버 내부 및 반도체의 온도를 상온으로 되돌리기 위해 현재 챔버 내부의 온도에 기초하여 냉각기 또는 가열기를 동작시킨 후, 냉각기 또는 가열기에 의해 온도가 상승 또는 하강한 공기를 모터를 이용해 챔버 내부 및 반도체에 공급하는 방법을 사용하였다.Conventionally, in order to return the temperature of the chamber and the semiconductor to room temperature, the cooler or the heater is operated based on the temperature of the current chamber, and the air whose temperature rises or falls by the cooler or the heater is applied to the chamber and the semiconductor using a motor. The feeding method was used.

예를 들어, 대한민국 특허 제10-2010-0022168호에서는 히터와 증발기를 이용하여 반도체 소자를 포함하는 테스트룸의 온도를 낮추거나 높이되, 순환모터 및 덕트를 이용하여 가열 또는 냉각된 공기를 테스트룸의 각부로 이송시킴으로써, 반도체 소자를 포함하는 테스트룸의 온도를 보다 효율적으로 변화시킬 수 있도록 하는 방법이 제안되고 있다.For example, Korean Patent No. 10-2010-0022168 uses a heater and an evaporator to lower or raise the temperature of a test room including a semiconductor device, and to test the heated or cooled air using a circulation motor and a duct. By transferring to each part of the method, the method of changing the temperature of the test room containing a semiconductor element more efficiently is proposed.

그러나 이러한 방법은 단순히 온도를 상승 또는 하강시킨 공기를 모터를 이용해 이송시키는 것으로서, 모터로부터 발생한 공기의 흐름이 복수의 반도체가 나열되는 방향으로 이송되므로, 일반적으로 서로 간의 간격이 조밀하게 형성되는 복수의 반도체들로 인해 공기가 이송되는 지점으로부터 먼 쪽에 위치하는 반도체까지는 공기가 온전히 이송되지 못하는 문제가 있었다.However, this method simply transfers the air whose temperature is raised or lowered by using a motor, and since the air flow generated from the motor is transferred in a direction in which a plurality of semiconductors are arranged, a plurality of densely formed gaps are generally formed. Due to the semiconductors, there is a problem in that air is not completely transferred from the point where air is transported to the semiconductor located at the far side.

아울러, 이러한 경우, 챔버 내부에 포함되는 복수의 반도체 중 공기가 이송되는 지점으로부터 가까운 쪽에 위치하는 반도체와 먼 쪽에 위치하는 반도체간의 온도 차가 극명하게 발생하게 되므로 반도체 검사 장치의 오류가 발생할 수 있을 뿐만 아니라, 반도체에 손상이 발생할 수 있는 문제가 있었다.In addition, in this case, the temperature difference between the semiconductor located near and the semiconductor located far from the point where air is transported among the plurality of semiconductors included in the chamber may occur in a clear manner, thereby causing errors in the semiconductor inspection apparatus. There was a problem that damage may occur in the semiconductor.

대한민국 공개특허공보 제10-2010-0022168호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2010-0022168

본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 온도를 상승 또는 하강시킨 공기의 흐름을 복수의 반도체 소자가 위치하는 방향으로 유도하되, 복수의 반도체 소자가 나열된 방향과 수직하는 방향으로 유도함으로써, 복수의 반도체 소자 각각에 온도를 상승 또는 하강시킨 공기를 공급할 수 있는 풍향 개선 반도체 검사 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, while guiding the flow of air to increase or decrease the temperature in a direction in which the plurality of semiconductor elements are located, induces a direction perpendicular to the direction in which the plurality of semiconductor elements are listed This is to provide a wind direction improving semiconductor inspection device capable of supplying air having a temperature increased or decreased to each of a plurality of semiconductor elements.

다만, 본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.However, the technical problem to be achieved by the present embodiment is not limited to the technical problems as described above, and other technical problems may exist.

본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치는, 복수의 반도체 소자에 대한 내후성을 테스트하는 반도체 검사 장치로서, 상기 복수의 반도체 소자를 포함하고, 내부의 온도를 제어할 수 있는 실험 챔버; 상기 실험 챔버 내부에서 공기의 흐름을 발생시키는 송풍부; 및 상기 공기의 흐름을 상기 복수의 반도체 소자가 위치하는 방향으로 유도하되, 상기 복수의 반도체 소자가 나열된 방향과 수직하는 방향으로 유도하는 유도부를 포함할 수 있다.In order to achieve the object of the present invention, the wind direction improving semiconductor inspection apparatus according to the present invention is a semiconductor inspection apparatus for testing weather resistance of a plurality of semiconductor elements, including the plurality of semiconductor elements, and controls the temperature inside. An experimental chamber; A blower to generate a flow of air in the test chamber; And an induction part for guiding the flow of air in a direction in which the plurality of semiconductor devices are located, and in a direction perpendicular to a direction in which the plurality of semiconductor devices are arranged.

일 실시예에서, 상기 반도체 검사 장치는 상기 실험 챔버 내부의 온도를 감지하는 온도감지부를 더 포함할 수 있다.In an embodiment, the semiconductor inspection apparatus may further include a temperature detector configured to detect a temperature inside the experiment chamber.

일 실시예에서, 상기 실험 챔버는 내부의 온도를 고온 또는 저온으로 제어하는 가열기 및 냉동기를 포함할 수 있다.In one embodiment, the experimental chamber may include a heater and a freezer to control the temperature of the interior to a high or low temperature.

일 실시예에서, 상기 가열기 및 냉동기는 상기 온도감지부의 온도 감지 결과에 기초하여 상기 실험 챔버 내부의 온도를 고온 또는 저온으로 제어할 수 있다.In one embodiment, the heater and the freezer may control the temperature inside the experiment chamber to a high or low temperature based on the temperature sensing result of the temperature sensing unit.

일 실시예에서, 상기 냉동기는 상기 가열기보다 앞서 동작할 수 있다.In one embodiment, the freezer may operate before the heater.

일 실시예에서, 상기 송풍부는 상기 온도감지부의 온도 감지 결과에 기초하여 공기의 흐름을 발생시킬 수 있다.In one embodiment, the blower may generate a flow of air based on the result of the temperature detection of the temperature sensor.

일 실시예에서, 상기 송풍부는 상기 실험 챔버 내부의 고온 또는 저온으로 제어된 공기의 흐름을 발생시킬 수 있다.In one embodiment, the blower may generate a flow of air controlled to a high temperature or low temperature inside the experiment chamber.

일 실시예에서, 상기 송풍부는 상기 실험 챔버의 양측에 각각 형성될 수 있다.In one embodiment, the blower may be formed on both sides of the experiment chamber, respectively.

일 실시예에서, 상기 유도부는 상기 실험 챔부 내부로부터 공기가 유입되는 유도공을 포함할 수 있다.In one embodiment, the induction part may include an induction hole through which air is introduced from the inside of the experiment chamber.

일 실시예에서, 상기 송풍부는 상기 유도부 내부에 형성되며, 상기 유도공을 통해 유입된 공기의 흐름을 발생시킬 수 있다.In one embodiment, the blower is formed in the induction part, it may generate a flow of air introduced through the induction hole.

일 실시예에서, 상기 송풍부는 상기 유도부 내부의 양측에 각각 형성될 수 있다.In one embodiment, the blower may be formed on both sides of the inside of the guide portion.

일 실시예에서, 상기 반도체 검사 장치는 상기 유도부 내부에 형성되며, 상기 유도부 내부를 일정 부분 폐쇄하여 상기 유도부 내부에 압력을 생성하는 압력생성부를 더 포함할 수 있다.In an embodiment, the semiconductor inspection apparatus may further include a pressure generating part formed inside the induction part and generating a pressure in the induction part by closing a portion of the induction part.

전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 본 발명은 온도를 상승 또는 하강시킨 공기의 흐름을 복수의 반도체 소자가 위치하는 방향으로 유도하되, 복수의 반도체 소자가 나열된 방향과 수직하는 방향으로 유도함으로써, 복수의 반도체 소자 각각에 온도를 상승 또는 하강시킨 공기를 공급할 수 있으며, 그로 인해, 복수의 반도체 소자 및 챔버 내부의 온도를 보다 용이하고 정확하게 변화시킬 수 있다.According to any one of the problem solving means of the present invention described above, the present invention is to guide the flow of air to increase or decrease the temperature in the direction in which the plurality of semiconductor elements are located, the direction perpendicular to the direction in which the plurality of semiconductor elements are listed By inducing to, it is possible to supply the air having the temperature increased or decreased to each of the plurality of semiconductor elements, whereby the temperature inside the plurality of semiconductor elements and the chamber can be changed more easily and accurately.

또한, 본 발명은 적어도 둘 이상의 송풍기를 이용하여 발생시킨 공기의 흐름을 복수의 반도체 소자가 위치하는 방향으로 유도하되, 복수의 반도체 소자가 나열된 방향과 수직하는 방향으로 유도함으로써, 복수의 반도체 소자 및 챔버 내부의 온도를 보다 신속히 변화시킬 수 있다.In addition, the present invention induces a flow of air generated by using at least two blowers in a direction in which a plurality of semiconductor elements are located, in a direction perpendicular to the direction in which the plurality of semiconductor elements are arranged, thereby a plurality of semiconductor elements and The temperature inside the chamber can be changed more quickly.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실험 챔버의 구성을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
1 and 2 are views showing the configuration of the wind direction improving semiconductor inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing the configuration of an experimental chamber according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating a configuration of a wind direction improving semiconductor inspection apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating a configuration of a wind direction improving semiconductor inspection apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 중간에 다른 부분을 개재하여 연결되어 있는 경우도 포함한다. 나아가, 본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the specification, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding other components unless specifically stated otherwise. In addition, when a part in the specification is said to be "connected" to another part, this includes not only the case in which it is directly connected, but also connected through the other part in the middle. Furthermore, throughout this specification, when a member is located "on" another member, this includes not only when one member is in contact with another member but also when another member is present between the two members.

본 명세서에 있어서 '부(部)'란, 하드웨어에 의해 실현되는 유닛(unit), 소프트웨어에 의해 실현되는 유닛, 양방을 이용하여 실현되는 유닛을 포함한다. 또한, 1 개의 유닛이 2 개 이상의 하드웨어를 이용하여 실현되어도 되고, 2 개 이상의 유닛이 1 개의 하드웨어에 의해 실현되어도 된다.In the present specification, the term 'unit' includes a unit realized by hardware, a unit realized by software, and a unit realized by both. In addition, one unit may be realized using two or more pieces of hardware, and two or more units may be realized by one piece of hardware.

이하, 첨부된 구성도 또는 처리 흐름도를 참고하여, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 설명하도록 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying configuration diagram or processing flow chart, it will be described in detail for the practice of the present invention.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치의 구성을 나타낸 도면이다. 보다 구체적으로, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치 및 이에 포함되는 구성을 측면에서 바라본 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치 및 이에 포함되는 구성을 상측에서 바라본 도면이다.1 and 2 are views showing the configuration of the wind direction improving semiconductor inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. More specifically, FIG. 1 is a side view of a wind direction improvement semiconductor inspection apparatus and a configuration included therein according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a wind direction improvement semiconductor inspection apparatus and an embodiment thereof according to an embodiment of the present invention. It is a figure which looked at the structure contained from the upper side.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치(100)는 내부에 공간을 가지도록 이루어진 실험 챔버(110)와, 동력을 이용하여 실험 챔버 내부의 공기의 흐름을 발생시키는 송풍부(120) 및 송풍부로부터 생성된 공기의 흐름을 일정 방향으로 유도하는 유도부(130)를 포함할 수 있다. 1 and 2, the wind direction improving semiconductor inspection apparatus 100 according to the present invention includes a test chamber 110 configured to have a space therein and a flow of air inside the test chamber using power. It may include a blowing unit 120 and the induction unit 130 to guide the flow of air generated from the blowing unit in a predetermined direction.

또한, 본 발명에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치(100)는 그 구성요소로서 온도감지부(140) 및 압력생성부(150)를 더 포함할 수 있다.In addition, the wind direction improving semiconductor inspection apparatus 100 according to the present invention may further include a temperature sensing unit 140 and a pressure generating unit 150 as its components.

이하에서는 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치(100)에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, the wind direction improving semiconductor inspection apparatus 100 according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실험 챔버의 구성을 나타낸 도면이다.3 is a view showing the configuration of an experimental chamber according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 실험 챔버(110)는 내부 공간에 복수의 반도체 소자(a)를 포함하며, 내부의 온도를 고온 또는 저온으로 제어할 수 있다. 여기서, 실험 챔버(110)의 내부 공간에 포함되는 복수의 반도체 소자(a)는 일정 방향으로 나열될 수 있다.1 to 3, the experiment chamber 110 may include a plurality of semiconductor devices a in an internal space, and may control a temperature inside or outside at a high temperature or a low temperature. Here, the plurality of semiconductor devices a included in the internal space of the experiment chamber 110 may be arranged in a predetermined direction.

실험 챔버(110)는 내부의 온도를 고온 또는 저온으로 제어하는 가열기(미도시) 및 냉동기(미도시)를 포함할 수 있다.The experiment chamber 110 may include a heater (not shown) and a freezer (not shown) for controlling the temperature of the interior to a high temperature or a low temperature.

실험 챔버(110)는 냉동기(미도시)를 동작시킨 후, 가열기(미도시)를 동작시켜 내부의 온도를 고온 또는 저온으로 제어할 수 있다. 예를 들어, 실험 챔버(110)는 내부의 온도를 상승시키고자 하는 경우, 냉동기(미도시)를 동작시킨 후 가열기(미도시)를 동작시키되, 가열기(미도시)의 출력을 냉동기(미도시)의 출력보다 높게 하여 내부의 온도를 상승시킬 수 있다. 여기서, 냉동기(미도시)를 가열기(미도시)보다 앞서 동작시키는 것은 실험 챔버(110) 내부에 수증기 및 결로 현상 등이 발생하는 것을 방지하기 위함일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아님에 유의해야 한다.The experiment chamber 110 may operate a refrigerator (not shown), and then operate a heater (not shown) to control the internal temperature at a high temperature or a low temperature. For example, when the experiment chamber 110 intends to increase the internal temperature, the experiment chamber 110 operates a refrigerator (not shown) and then operates a heater (not shown), and outputs the output of the heater (not shown). The internal temperature can be raised by making it higher than the output of). Here, the operation of the refrigerator (not shown) in advance of the heater (not shown) may be to prevent the occurrence of water vapor and condensation in the experiment chamber 110, but is not limited thereto. .

실험 챔버(110)는 고온 또는 저온의 상태에서 반도체 소자(a)의 성능을 테스트하기 위해 내부의 온도를 고온 또는 저온으로 제어하는 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 그 구성 및 특징을 충분히 이해하고 있을 것이므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.The experiment chamber 110 is to control the internal temperature to a high temperature or a low temperature to test the performance of the semiconductor device (a) in a high temperature or low temperature state, if one of ordinary skill in the art Since the configuration and features will be fully understood, detailed description thereof will be omitted.

송풍부(120)는 실험 챔버(110)의 내부 일측에 형성되고, 동력을 이용하여 실험 챔버(110) 내부 에서 공기의 흐름을 발생시킬 수 있다. 이를 위해, 송풍부(120)의 일측에는 동력 장치(Motor)가 연결될 수 있다. 도 1을 참조하면, 송풍부(120)는 실험 챔버(110)의 내부 공간에서 공기의 흐름을 발생시키는 팬(Fan) 및 팬(Fan)의 일측(도 1에는 팬(Fan)의 상측)에 연결되며 동력을 발생시키는 동력 장치(Motor)를 포함하여 구성될 수 있다.The blowing unit 120 may be formed at one side of the experiment chamber 110 and generate a flow of air in the experiment chamber 110 by using power. To this end, a motor may be connected to one side of the blower 120. Referring to FIG. 1, the blower 120 may be disposed at one side of a fan and a side of the fan in which the air flows in the inner space of the experiment chamber 110 (the upper side of the fan in FIG. 1). It may be configured to include a motor that is connected and generates power.

송풍부(120)는 동력 장치로부터 발생하는 동력을 이용하여 가열기(미도시) 또는 냉동기(미도시)에 의해 온도가 상승 또는 하강된 공기의 흐름을 발생시킬 수 있다. 여기서, 송풍부(120)가 온도가 상승 또는 하강된 공기의 흐름을 발생시키는 것은 실험 챔버(110) 내부 및 실험 챔버(110) 내부에 포함되는 복수의 반도체 소자(a)의 온도를 상승 또는 하강시키기 위함일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아님에 유의해야 한다.The blower 120 may generate a flow of air whose temperature is raised or lowered by a heater (not shown) or a freezer (not shown) using power generated from the power unit. Here, the air blowing unit 120 generates a flow of air whose temperature is raised or lowered increases or decreases the temperature of the plurality of semiconductor elements a included in the experiment chamber 110 and the experiment chamber 110. It may be intended to be, but should not be limited to this.

도 2 및 도 3을 참조하면, 송풍부(120)는 실험 챔버(110) 내부 양측에 각각 형성될 수 있다. 즉, 실험 챔버(110)의 내부 양측에 각각 형성되는 두 개의 송풍부(120)는 각각의 위치에서 동력을 이용하여 공기의 흐름을 발생시킬 수 있다.2 and 3, the blower 120 may be formed on both sides of the experiment chamber 110, respectively. That is, the two blowers 120 respectively formed on both sides of the experiment chamber 110 may generate a flow of air by using power at each position.

송풍부(120)는 후술되는 유도부(130)의 내부에 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아님에 유의해야 한다.Blower 120 may be formed in the induction unit 130 to be described later, it should be noted that it is not limited thereto.

유도부(130)는 내부에 공기의 유로로 사용되는 공간을 가지도록 형성될 수 있으며, 내부 공간을 이용하여 송풍부(120)로부터 생성된 공기의 흐름을 복수의 반도체 소자(a)가 위치하는 방향으로 유도하되, 복수의 반도체 소자(a)가 나열된 방향과 수직하는 방향으로 유도할 수 있다.The induction part 130 may be formed to have a space used as an air flow path therein, and a direction in which the plurality of semiconductor elements a are located in the flow of air generated from the blower 120 using the internal space. In this case, the plurality of semiconductor devices a may be guided in a direction perpendicular to the direction in which the plurality of semiconductor devices are arranged.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 유도부(130)의 내부 공간 일측에는 송풍부(120)가 형성될 수 있고, 내부 공간을 통해 송풍부(120)로부터 발생된 공기의 흐름을 복수의 반도체 소자(a)가 위치하는 방향으로 유도하되, 복수의 반도체 소자(a)가 나열된 방향과 수직하는 방향으로 유도할 수 있다.1 to 3, a blower 120 may be formed at one side of the inner space of the induction part 130, and a plurality of semiconductor devices may be configured to control the flow of air generated from the blower 120 through the inner space. It may be guided in the direction in which a) is located, but in a direction perpendicular to the direction in which the plurality of semiconductor devices a are listed.

즉, 실험 챔버(110)는 내부에 공간을 가지도록 이루어질 수 있으며, 그 내부 공간에 복수의 반도체 소자(a), 송풍부(120) 및 유도부(130)를 포함할 수 있다. 또한, 송풍부(120)는 유도부(130)의 내부 일측에 형성될 수 있으며, 동력을 이용하여 실험 챔버(110) 내부에서 공기의 흐름을 발생시킬 수 있다. 또한, 유도부(130)는 송풍부(120)로부터 발생된 공기의 흐름을 복수의 반도체 소자(a)가 위치하는 방향으로 유도하되, 복수의 반도체 소자(a)가 나열된 방향과 수직하는 방향으로 유도함으로써, 송풍부(120)로부터 발생된 공기의 흐름이 각각의 복수의 반도체 소자(a)로 이송되도록 할 수 있다.That is, the experiment chamber 110 may be formed to have a space therein, and may include a plurality of semiconductor elements a, a blower 120, and an induction part 130 in the space. In addition, the blower 120 may be formed on one side of the induction unit 130, and may generate a flow of air in the experiment chamber 110 by using power. In addition, the induction part 130 guides the flow of air generated from the blower part 120 in a direction in which the plurality of semiconductor elements a is located, but in a direction perpendicular to the direction in which the plurality of semiconductor elements a is arranged. As a result, the flow of air generated from the blower 120 may be transferred to each of the plurality of semiconductor devices a.

도 3을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면, 예컨대, 실험 챔버(110)의 내부 공간에는 y1 및 y2의 방향으로 나열된 복수의 반도체 소자(a)가 배치될 수 있다. 또한, 유도부(130)의 내부 공간 일측에 형성되는 하나 이상의 송풍부(120)는 동력을 이용하여 유도부(130)의 내부 공간에서 공기의 흐름을 발생시킬 수 있다. 아울러, 송풍부(120)에 의해 발생된 공기의 흐름은 유도부(130)의 내부 공간을 따라 x1 방향 및 y2 방향으로 이송된 후, x2 방향으로 이송될 수 있다. 즉, 유도부(130)는 송풍부(120)에 의해 발생된 공기의 흐름을 복수의 반도체 소자(a)가 위치하는 방향으로 유도하되, 복수의 반도체 소자(a)가 나열된 방향(y1 방향 및 y2 방향)과 수직하는 방향(x2 방향)으로 유도할 수 있다.Referring to FIG. 3, for example, a plurality of semiconductor devices a arranged in the directions of y1 and y2 may be disposed in the internal space of the experiment chamber 110. In addition, the one or more blowers 120 formed on one side of the inner space of the induction part 130 may generate a flow of air in the inner space of the induction part 130 using power. In addition, the flow of air generated by the blower 120 may be transported in the x1 direction and the y2 direction along the inner space of the induction part 130, and then transported in the x2 direction. That is, the induction unit 130 induces the flow of air generated by the blower 120 in the direction in which the plurality of semiconductor elements a is located, but the directions in which the plurality of the semiconductor elements a are arranged (y1 direction and y2). Direction) and in a direction perpendicular to the direction (x2 direction).

이하에서는 도 4를 참조하여 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치(100)에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, the wind direction improving semiconductor inspection apparatus 100 according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4.

도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치(100)의 구성을 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating the configuration of the wind direction improving semiconductor inspection apparatus 100 according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치(100)는 실험 챔버(110), 송풍부(120) 및 내부 공간에서 공기의 흐름이 분산되는 것을 방지할 수 있도록 공기가 흐르는 다수의 길을 포함하는 형태로 형성되는 유도부(130)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the wind direction improving semiconductor inspection apparatus 100 according to another embodiment of the present invention may prevent the air flow from being dispersed in the experiment chamber 110, the blower 120, and the internal space. It may include an induction part 130 formed in a shape including a plurality of paths through which air flows.

유도부(130)는 공기의 흐름을 복수의 반도체 소자(a)가 위치하는 방향으로 유도하되, 공기가 다수의 공기가 흐르는 길을 통해 복수의 반도체 소자(a)가 위치하는 지점으로부터 소정 거리 이내까지 이송되도록 함으로써, 유도부(130) 내부에서 공기의 흐름이 분산되는 것을 방지할 수 있다.The induction unit 130 guides the flow of air in a direction in which the plurality of semiconductor elements a are located, but the air is within a predetermined distance from a point where the plurality of semiconductor elements a is located through a plurality of air flow paths. By being conveyed, it is possible to prevent the flow of air in the induction part 130 to be dispersed.

또한, 유도부(130)의 내부 공간 일측에는 실험 챔버(110)의 내부로부터 공기가 유입되는 유도공(131)이 형성될 수 있다. 즉, 유도부(130) 내부에 형성되는 송풍부(120)는 유도공(131)을 통해 유입되는 공기로부터 공기의 흐름을 발생시킬 수 있다.In addition, an induction hole 131 through which air is introduced from the inside of the experiment chamber 110 may be formed at one side of the inner space of the induction part 130. That is, the blower 120 formed inside the induction part 130 may generate a flow of air from the air introduced through the induction hole 131.

송풍부(120)는 유도부(130) 내부의 양측에 형성될 수 있다. 즉, 두 개의 송풍부(120)가 유도부(130) 내부의 양측에 형성되어 유도공(131)을 통해 유입되는 공기의 흐름을 발생시킬 수 있다.The blowing unit 120 may be formed at both sides of the induction unit 130. That is, two blowers 120 may be formed at both sides of the induction part 130 to generate a flow of air introduced through the induction hole 131.

이하에서는 도 5를 참조하여 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, an apparatus for improving wind direction semiconductor inspection according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5.

도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치의 구성을 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating a configuration of a wind direction improving semiconductor inspection apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치(100)는 실험 챔버(110)의 내부 공간의 온도를 감지하는 온도감지부(140) 및 유도부(130)의 내부 공간에 압력을 발생시키는 압력생성부(150)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the wind direction improving semiconductor inspection apparatus 100 according to an exemplary embodiment of the present invention may include an internal space of a temperature sensing unit 140 and an induction unit 130 that sense a temperature of an internal space of an experiment chamber 110. The pressure generating unit 150 for generating a pressure may be further included.

온도감지부(140)는 실험 챔버(110)의 내부 공간에 형성되며, 내부 공간의 온도를 감지할 수 있다.The temperature sensing unit 140 is formed in the interior space of the experiment chamber 110 and can sense the temperature of the interior space.

실험 챔버(110)는 가열기(미도시) 또는 냉동기(미도시)를 이용하여 내부 공간의 온도를 제어하되, 온도감지부(140)의 온도 감지 결과에 기초하여 내부 공간의 온도를 제어할 수 있다. 예를 들어, 실험 챔버(110)는 사용자로부터 설정된 온도와 온도감지부(140)로부터 감지되는 온도의 차이에 기초하여 가열기(미도시) 또는 냉동기(미도시)를 동작시켜 내부 공간의 온도를 제어할 수 있다.The experiment chamber 110 may control the temperature of the internal space using a heater (not shown) or a freezer (not shown), but may control the temperature of the internal space based on a result of the temperature sensing of the temperature sensing unit 140. . For example, the experiment chamber 110 controls a temperature of an internal space by operating a heater (not shown) or a freezer (not shown) based on a difference between a temperature set by a user and a temperature detected by the temperature detector 140. can do.

송풍부(120)는 온도감지부(140)의 온도 감지 결과에 기초하여 공기의 흐름을 발생시킬 수 있다. 예를 들어, 사용자로부터 설정된 온도와 온도감지부(140)로부터 감지되는 온도간의 차이가 발생하는 경우, 실험 챔버(110)가 가열기(미도시) 또는 냉동기(미도시)를 동작시켜 내부 공간의 온도를 상승 또는 하강시키되, 사용자로부터 설정된 온도와 온도감지부(140)로부터 감지되는 온도간의 차이가 소정 값 이상 차이나는 경우, 송풍부(120)의 동력을 높여 내부 공간의 온도를 보다 신속히 상승 또는 하강시킬 수 있다.The blower 120 may generate an air flow based on a result of temperature sensing of the temperature detector 140. For example, when a difference between the temperature set by the user and the temperature detected by the temperature sensing unit 140 occurs, the experiment chamber 110 operates a heater (not shown) or a freezer (not shown) to control the temperature of the internal space. To raise or lower, but if the difference between the temperature set by the user and the temperature detected from the temperature sensing unit 140 is more than a predetermined value, by increasing the power of the blower 120 to raise or lower the temperature of the internal space more quickly You can.

압력생성부(150)는 유도부(130)의 내부에 형성되며, 유도부(130)의 내부를 일정 부분 폐쇄함으로써, 유도부(130)의 내부 공간에 압력을 생성할 수 있다.The pressure generator 150 is formed in the induction part 130, and closes the inside of the induction part 130 to generate a pressure in the internal space of the induction part 130.

압력생성부(150)에는 공기가 통과하는 다수의 공(Hole)이 형성될 수 있다. 즉, 압력생성부(150)가 유도부(130) 내부 공간에 형성되는 경우, 유도부(130) 내부 공간의 공기의 흐름은 압력생성부(150)로부터 발생하는 압력으로 인해 직진성을 가질 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 풍향 개선 반도체 검사 장치(100)는 압력생성부(150)를 통해 복수의 반도체 소자(a)로 공급되는 공기의 흐름의 세기를 상승시킴으로써, 실험 챔버(110) 내부에서 공기의 흐름이 분산되는 것을 방지할 수 있다.The pressure generating unit 150 may be formed with a plurality of holes (Hole) through which air passes. That is, when the pressure generating unit 150 is formed in the space inside the induction part 130, the flow of air in the space inside the induction part 130 may have straightness due to the pressure generated from the pressure generating part 150. That is, the wind direction improving semiconductor inspection apparatus 100 according to the embodiment of the present invention increases the intensity of the flow of air supplied to the plurality of semiconductor elements a through the pressure generating unit 150, thereby experiment chamber 110. The flow of air can be prevented from being dispersed inside.

이상에서 설명한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The description of the present invention described above is for illustrative purposes, and those skilled in the art can understand that the present invention can be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. There will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.

또한, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.In addition, the scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, it should be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts thereof are included in the scope of the present invention. do.

100: 풍향 개선 반도체 검사 장치
110: 실험 챔버
120: 송풍부
130: 유도부
131: 유도공
140: 온도감지부
150: 압력생성부
100: wind direction improvement semiconductor inspection device
110: experimental chamber
120: blower
130: induction part
131: guide ball
140: temperature detection unit
150: pressure generating unit

Claims (12)

복수의 반도체 소자에 대한 내후성을 테스트하는 풍향 개선 반도체 검사 장치에 있어서,
상기 복수의 반도체 소자를 포함하고, 내부의 온도를 제어할 수 있는 실험 챔버;
상기 실험 챔버 내부에서 공기의 흐름을 발생시키는 송풍부;
상기 공기의 흐름을 상기 복수의 반도체 소자가 위치하는 방향으로 유도하되, 상기 복수의 반도체 소자가 나열된 방향과 수직하는 방향으로 유도하는 유도부; 및
상기 유도부 내부에 형성되며, 상기 유도부 내부를 일정 부분 폐쇄하여 상기 유도부 내부에 압력을 생성하는 압력생성부를 포함하는 풍향 개선 반도체 검사 장치.
In the wind direction improving semiconductor inspection device for testing weather resistance for a plurality of semiconductor elements,
An experiment chamber including the plurality of semiconductor elements and capable of controlling internal temperatures;
A blower to generate a flow of air in the test chamber;
An induction part for guiding the flow of air in a direction in which the plurality of semiconductor devices are located, and in a direction perpendicular to a direction in which the plurality of semiconductor devices are arranged; And
And a pressure generation unit formed in the induction part to generate a pressure in the induction part by closing a portion of the induction part.
제 1 항에 있어서,
상기 반도체 검사 장치는 상기 실험 챔버 내부의 온도를 감지하는 온도감지부를 더 포함하는 풍향 개선 반도체 검사 장치.
The method of claim 1,
The semiconductor inspection apparatus further includes a temperature sensing unit configured to sense a temperature inside the experiment chamber.
제 2 항에 있어서,
상기 실험 챔버는 내부의 온도를 고온 또는 저온으로 제어하는 가열기 및 냉동기를 포함하는 풍향 개선 반도체 검사 장치.
The method of claim 2,
The experimental chamber is improved wind direction semiconductor inspection apparatus including a heater and a freezer to control the temperature inside or at a high temperature.
제 3 항에 있어서,
상기 가열기 및 냉동기는 상기 온도감지부의 온도 감지 결과에 기초하여 상기 실험 챔버 내부의 온도를 고온 또는 저온으로 제어하는 것인 풍향 개선 반도체 검사 장치.
The method of claim 3, wherein
And the heater and the freezer are configured to control the temperature inside the test chamber to a high temperature or a low temperature based on a temperature sensing result of the temperature sensing unit.
제 3 항에 있어서,
상기 냉동기는 상기 가열기보다 앞서 동작하는 것인 풍향 개선 반도체 검사 장치.
The method of claim 3, wherein
And the freezer is operated before the heater.
제 2 항에 있어서,
상기 송풍부는 상기 온도감지부의 온도 감지 결과에 기초하여 공기의 흐름을 발생시키는 것인 풍향 개선 반도체 검사 장치.
The method of claim 2,
And the air blowing unit generates air flow based on a result of temperature sensing of the temperature sensing unit.
제 1 항에 있어서,
상기 송풍부는 상기 실험 챔버 내부의 고온 또는 저온으로 제어된 공기의 흐름을 발생시키는 것인 풍향 개선 반도체 검사 장치.
The method of claim 1,
The blower is a wind direction improved semiconductor inspection device to generate a flow of air controlled to a high temperature or low temperature inside the experiment chamber.
제 1 항에 있어서,
상기 송풍부는 상기 실험 챔버의 양측에 각각 형성되는 것인 풍향 개선 반도체 검사 장치.
The method of claim 1,
The blowing unit is a wind direction improvement semiconductor inspection apparatus is formed on both sides of the experimental chamber, respectively.
제 1 항에 있어서,
상기 유도부는 상기 실험 챔버 내부로부터 공기가 유입되는 유도공을 포함하는 것인 풍향 개선 반도체 검사 장치.
The method of claim 1,
The induction part is improved wind direction semiconductor inspection apparatus that includes an induction hole through which air is introduced from the inside of the experiment chamber.
제 9 항에 있어서,
상기 송풍부는 상기 유도부 내부에 형성되며, 상기 유도공을 통해 유입된 공기의 흐름을 발생시키는 것인 풍향 개선 반도체 검사 장치.
The method of claim 9,
The blower is formed in the guide portion, and the wind direction improving semiconductor inspection device to generate a flow of air introduced through the guide hole.
제 10 항에 있어서,
상기 송풍부는 상기 유도부 내부의 양측에 각각 형성되는 것인 풍향 개선 반도체 검사 장치.
The method of claim 10,
The blower is formed on both sides of the inside of the guide portion wind direction improving semiconductor inspection device.
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