KR101973021B1 - 양자점 포토 다이오드, 그리고 이를 포함하는 광센서 및 태양 전지 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 127
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims description 8
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical class C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 claims description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N lead(ii) sulfide Chemical class [Pb]=S XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 3
- VIDTVPHHDGRGAF-UHFFFAOYSA-N selenium sulfide Chemical compound [Se]=S VIDTVPHHDGRGAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229960005265 selenium sulfide Drugs 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000006250 one-dimensional material Substances 0.000 description 5
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052958 orpiment Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 229920000638 styrene acrylonitrile Polymers 0.000 description 2
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 description 1
- 229920000120 polyethyl acrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
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- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
- H01L31/035218—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum dots
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 도전층, 상기 도전층 위에 위치하는 절연층, 상기 절연층 위에 위치하는 반도체층, 상기 반도체층 위에 위치하며 상기 반도체층과 접촉하는 양자점, 상기 도전층에 연결되는 소스 전극, 그리고 상기 반도체층에 연결되는 드레인 전극을 포함한다.
Description
본 발명은 양자점 포토 다이오드, 그리고 이를 포함하는 광센서 및 태양 전지에 관한 것이다.
포토 다이오드 및 포토 트랜지스터와 같은 광 센서는 실리콘 및 III-V 족 화합물 반도체 기반의 3차원 결정으로 이루어지므로 광 센서에 물리적인 힘이 가해지면 휘어지지 않고 쪼개진다. 따라서, 휘어지는 전자 소자에 이러한 포토 다이오드 및 포토 트랜지스터를 적용하기 어렵다.
그러나, 0, 1, 2 차원 나노 물질 등의 저차원 나노 물질로 이루어진 전자 소자의 경우, 쉽게 휘어지고 자유롭게 형상을 변화 시킬 수 있으므로 3차원 결정에 비해 적용 가능 범위가 넓다.
저 차원 나노 물질 중에서 0차원 물질인 양자점으로만 이루어진 포토 다이오드는 수 나노미터의 크기를 가지므로 휘어지는 전자 소자에 적용이 가능하다. 그러나, 0차원 물질인 양자점으로 이루어진 포토다이오드는 양자 효율은 높지만 캐리어 운송 과정에서 캐리어가 개별의 양자점을 뛰어 넘어야 하기 때문에 전기적 특성이 1, 2, 3차원 물질에 비해서 떨어진다.
또한, 저 차원 나노 물질 중에서 2차원 시트 물질로만 이루어진 포토 다이오드는 수 나노미터의 두께를 가지므로 휘어지는 전자 소자에 적용이 가능하다. 그러나, 2차원 시트 물질로만 이루어진 포토 다이오드는 캐리어 운송 원리를 예측할 수 있고 제어가 가능하지만 0차원 물질인 양자점으로만 이루어진 포토 다이오드에 비해 양자효율이 상대적으로 낮다.
본 발명은 전술한 배경 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 양자 효율이 높고, 안정된 캐리어 운송 특성을 가지는 플렉서블한 양자점 포토 다이오드, 그리고 이를 포함하는 광센서 및 태양 전지를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 도전층, 상기 도전층 위에 위치하는 절연층, 상기 절연층 위에 위치하는 반도체층, 상기 반도체층 위에 위치하며 상기 반도체층과 접촉하는 양자점, 상기 도전층에 연결되는 소스 전극, 그리고 상기 반도체층에 연결되는 드레인 전극을 포함한다.
상기 도전층은 상기 절연층과 접촉하고, 상기 절연층은 상기 반도체층과 접촉할 수 있다.
상기 양자점은 상기 드레인 전극과 접촉하지 않을 수 있다.
상기 기판은 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 필름 형상일 수 있다.
상기 도전층, 상기 절연층 및 상기 반도체층의 각각은 나노 미터의 두께를 가질 수 있다.
상기 양자점은 황화납(PbS) 양자점, 황화셀레늄(PbSe) 양자점, 황화구리인듐(CuInS2) 양자점, 텔루르화 수은(HgTe) 양자점, 황화수은(HgS) 양자점, InSb, HgTe/As2S3(코어쉘구조) 양자점, PbS/As2S3(코어쉘구조) 양자점, PbSe/ As2S3(코어쉘구조) 양자점 중에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 도전층은 그래핀을 포함할 수 있다.
상기 반도체층은 칼코겐화물을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드를 포함하는 광 센서는 광을 수신하는 광 섬유, 상기 광 섬유에 연결된 양자점 포토 다이오드, 그리고 상기 양자점 포토 다이오드에 연결되며 전기 신호를 감지하는 감지부를 포함하고, 상기 양자점 포토 다이오드는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 도전층, 상기 도전층 위에 위치하는 절연층, 상기 절연층 위에 위치하는 반도체층, 상기 반도체층 위에 위치하며 상기 반도체층과 접촉하는 양자점, 상기 도전층에 연결되는 소스 전극, 그리고 상기 반도체층에 연결되는 드레인 전극을 포함한다.
상기 광 섬유와 상기 양자점 포토 다이오드 사이에 위치하는 분광기를 더 포함할 수 있다.
상기 소스 전극은 상기 광 섬유에 연결되고, 상기 드레인 전극은 상기 감지부에 연결될 수 있다.
상기 도전층, 상기 절연층 및 상기 반도체층의 각각은 나노 미터의 두께를 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드를 포함하는 태양 전지는 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 양자점 포토 다이오드, 그리고 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 연결되며 상기 양자점 포토 다이오드에서 발생한 전기 에너지를 저장하는 에너지 저장부를 포함하고, 상기 양자점 포토 다이오드는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 도전층, 상기 도전층 위에 위치하는 절연층, 상기 절연층 위에 위치하는 반도체층, 상기 반도체층 위에 위치하며 상기 반도체층과 접촉하는 양자점, 상기 도전층에 연결되는 소스 전극, 그리고 상기 반도체층에 연결되는 드레인 전극을 포함한다.
상기 제1 전극과 상기 양자점 포토 다이오드를 연결하는 제1 연결부, 그리고 상기 제2 전극과 상기 양자점 포토 다이오드를 연결하는 제2 연결부를 더 포함하고, 상기 소스 전극은 상기 제1 연결부에 연결되고, 상기 드레인 전극은 상기 제2 연결부에 연결될 수 있다.
상기 도전층, 상기 절연층 및 상기 반도체층의 각각은 나노 미터의 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드는 1차원 물질인 양자점과 2차원 물질인 도전층, 절연층, 반도체층으로 이루어짐으로써, 양자 효율이 높고, 안정된 캐리어 운송 특성을 가지면서 플렉서블할 수 있다.
또한, 넓은 스펙트럼 영역의 빛을 흡수할 수 있기 때문에 태양 전지에도 적용 가능하다.
또한, 플렉서블하고 나노미터 스케일의 얇은 두께를 가지므로, 초 박막 태양전지, 바이오 센서에도 적용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드의 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드의 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드의 개략적인 설명도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드를 포함하는 광 센서의 개략도이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드를 포함하는 분광기 광 센서의 개략도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드를 포함하는 태양 전지의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드의 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드의 개략적인 설명도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드를 포함하는 광 센서의 개략도이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드를 포함하는 분광기 광 센서의 개략도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드를 포함하는 태양 전지의 개략도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
그러면 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드에 대하여 도 1 내지 도 4를 참고로 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드의 개략적인 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드의 평면도이며, 도 3은 도 2의 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드의 개략적인 설명도이다.
우선, 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드(100)는 기판(10), 도전층(21), 절연층(22), 반도체층(23), 양자점(30), 소스 전극(41) 및 드레인 전극(42)을 포함한다.
기판(10)은 플렉서블한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(10)은 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 필름 형태일 수 있다. 구체적으로, 기판(10)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리실란(polysilane), 폴리실록산(polysiloxane), 폴리실라잔(polysilazane), 폴리카르보실란(polycarbosilane), 폴리아크릴레이트 (polyacrylate), 폴리메타크릴레이트(polymethacrylate), 폴리메틸아크릴레이트 (polymethylacrylate), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmetacrylate), 폴리에틸아크릴레이트(polyethylacrylate), 폴리에틸메타크릴레이트 (polyethylmetacrylate), 사이클릭 올레핀 코폴리머(COC), 사이클릭 올레핀 폴리머(COP), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌(PS), 폴리아세탈(POM), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에스테르설폰(PES), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐리덴플로라이드(PVDF), 퍼플루오로알킬 고분자(PFA), 스타이렌아크릴나이트릴코폴리머(SAN) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함할 수 있다.
도전층(21)은 기판 위에 위치하며, 박막 형상을 가지고 수 나노 미터(nm)의 두께를 가지므로 휘어질 수 있다. 도전층(21)은 그래핀을 포함할 수 있다.
절연층(22)은 도전층(21) 위에 위치하며, 박막 형상을 가지고, 수 나노 미터(nm)의 두께를 가지므로 휘어질 수 있다. 반도체층(23)은 절연층(22) 위에 위치하며, 박막 형상을 가지고, 수 나노 미터(nm)의 두께를 가지므로 휘어질 수 있다. 반도체층(23)은 칼코겐화물을 포함할 수 있다. 반도체층(23)은 가시 광선 영역(750nm 내지 800nm)의 밴드갭(band gap)을 가진다.
도전층(21)은 절연층(22)과 접촉하고, 절연층(22)은 반도체층(23)과 접촉하여 도전층-절연층-반도체층이 순서대로 접합된 이종 접합 구조를 이룬다. 도전층(21), 절연층(22), 반도체층(23)은 2차원 물질로 이루어진 2차원 박막을 이룬다. 이러한 2차원 박막은 화학 기상 증착법을 이용하여 합성할 수 있다.
이 경우, 캐리어 터널링 현상에 의해 종래의 p-n 접합 또는 쇼트키(Schottky) 접합 구조보다 높은 전류 흐름을 가질 수 있다. 즉, 2차원 박막으로 이루어진 도전층-절연층-반도체층이 순서대로 접합된 이종 접합 구조의 포토 다이오드는 종래의 p-n 접합 다이오드에 비해 정류 작용이 개선되고 전류 흐름이 현저히 높아진다.
양자점(30)은 반도체층(23) 위에 위치하며 반도체층(23)과 접촉할 수 있다. 양자점(30)은 평면상 절연층(22) 및 도전층(21)과 중첩할 수 있다. 그리고, 양자점(30)은 절연층(22) 및 도전층(21)과 접촉하지 않는다.
양자점(30)은 황화납(PbS) 양자점, 황화셀레늄(PbSe) 양자점, 황화구리인듐(CuInS2) 양자점, 텔루르화 수은(HgTe) 양자점, 황화수은(HgS) 양자점, InSb, HgTe/As2S3(코어쉘구조) 양자점, PbS/As2S3(코어쉘구조) 양자점, PbSe/ As2S3(코어쉘구조) 양자점 중에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 이러한 양자점(30)은 대부분 다수 운반자가 정공인 p형 반도체 특성을 나타낸다. 이러한 양자점(30)은 용액상에서 특정 전구체를 이용하여 합성할 수 있다. 이러한 양자점(30)은 스핀 코팅법을 이용하여 도전층-절연층-반도체층이 순서대로 접합된 이종 접합 구조 위에 도포한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드의 개략적인 설명도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 양자점 포토 다이오드는 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 역할을 한다. 즉, 양자점(30)에 입사된 광은 양자점(30) 및 반도체층(23) 모두에 의해 광 전류를 생성한다. 광 전류는 절연층(22) 및 도전층(21)에서 캐리어 터널링 현상에 의해 안정적으로 흐르게 된다.
이러한 양자점(30)은 가시광선 영역에서부터 근적외선 영역(400nm 내지 1500nm)까지 이르는 밴드갭(band gap)을 가지므로, 가시광선 영역 내지 근적외선 영역의 파장을 가지는 광을 흡수할 수 있다.
이와 같이, 가시 광선 영역의 밴드갭을 가지는 반도체층(23)과 가시광선 영역 내지 근적외선 영역의 밴드갭을 가지는 양자점(30)이 서로 접촉하여 결합됨으로써, 보다 넓은 스펙트럼 영역에서 고효율로 광을 흡수할 수 있다.
반도체층(23)과 양자점(30)이 서로 결합하여 함께 고효율로 광을 흡수하고, 광 전류를 생성하며, 생성된 광 전류는 도전층(21), 절연층(22), 반도체층(23)이 순서대로 접합된 이종 접합 구조를 통해 운반되므로, 캐리어 터널링에 의해 광 전류를 안정적으로 흐르게 할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드(100)는 1차원 물질인 양자점(30)과 2차원 물질인 도전층(21), 절연층(22), 반도체층(23)으로 이루어짐으로써, 넓은 스펙트럼 영역의 광을 흡수하여 높은 광 전류를 얻을 수 있어 안정된 캐리어 운송 특성을 가질 수 있다.
또한, 양자점(30)은 1차원 물질이고, 도전층(21), 절연층(22), 반도체층(23)은 2차원 물질이므로, 쉽게 휘어질 수 있다.
소스 전극(41)은 기판(10) 위에 위치하며, 도전층(21)에 연결될 수 있다. 드레인 전극(42)은 반도체층(23)에 연결될 수 있다. 양자점(30)은 드레인 전극(42)과 접촉하지 않는다. 소스 전극(41) 및 드레인 전극(42)은 서로 마주보고 이격되어 있다. 이러한 소스 전극(41) 및 드레인 전극(42)은 금(Au)으로 형성될 수 있다.
한편, 본 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드를 포함하는 광센서에 대하여 도 5 및 도 6을 참고로 상세하게 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드를 포함하는 광 센서의 개략도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드(100)를 포함하는 광 센서(200)는 빛을 수신하는 광 섬유(110), 광 섬유(110)에 연결된 양자점 포토 다이오드(100), 그리고 양자점 포토 다이오드(100)에 연결되며 전기 신호를 감지하는 감지부(120)를 포함한다.
양자점 포토 다이오드(100)는 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 기판(10), 도전층(21), 절연층(22), 반도체층(23), 양자점(30), 소스 전극(41) 및 드레인 전극(42)을 포함할 수 있다.
소스 전극(41)은 광 섬유(110)에 연결되고, 드레인 전극(42)은 감지부(120)에 연결될 수 있다. 이와 같이, 양자점 포토 다이오드(100)는 1차원 물질인 양자점(30)과 2차원 물질인 도전층(21), 절연층(22), 반도체층(23)으로 이루어짐으로써, 양자 효율이 높고, 안정된 캐리어 운송 특성을 가지므로, 광 섬유(110)로 입사된 빛 신호를 감지부(120)에서 정확하고 신속하게 감지할 수 있다.
도 6는 본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드를 포함하는 분광기 광 센서의 개략도이다.
도 6에 도시된 다른 실시예는 도 5에 도시된 일 실시예와 비교하여 분광기를 추가한 것만을 제외하고 실질적으로 동일한 바 반복되는 설명은 생략한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드를 포함하는 분광기 광 센서(300)는 광 섬유(110)와 양자점 포토 다이오드(100) 사이에 분광기(130)가 더 위치할 수 있다. 분광기(130)는 광 섬유(110)에 의해 전달된 빛 신호를 파장별로 구분시킨다. 따라서, 분광기 광 센서(300)는 광 섬유(110)로 입사된 광 신호의 스펙트럼 측정을 감지부(120)에서 정확하고 신속하게 감지할 수 있다.
한편, 상기 도 5 및 도 6에 도시된 실시예에서는 본 발명의 양자점 포토 다이오드가 광센서에 적용되었으나, 본 발명의 양자점 포토 다이오드가 태양 전지에 적용되는 다른 실시예도 가능하다.
이하에서, 도 7을 참고하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드를 포함하는 태양 전지에 대해 상세히 설명한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드를 포함하는 태양 전지의 개략도이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 포토 다이오드를 포함하는 태양 전지(400)는 제1 전극(141), 제1 전극(141)과 대향하는 제2 전극(142), 제1 전극(141)과 제2 전극(142) 사이에 위치하는 양자점 포토 다이오드(100), 그리고 제1 전극(141) 및 제2 전극(142)에 연결되는 에너지 저장부(160)를 포함한다.
그리고, 제1 전극(141)과 양자점 포토 다이오드(100) 사이에는 제1 연결부(151)가 위치하고, 제2 전극(142)과 양자점 포토 다이오드(100) 사이에는 제2 연결부(152)가 위치한다.
제1 전극(141)은 제1 연결부(151)를 이용하여 복수개의 양자점 포토 다이오드(100)와 연결되며, 제2 전극(142)은 제2 연결부(152)를 이용하여 복수개의 양자점 포토 다이오드(100)와 연결된다.
양자점 포토 다이오드(100)는 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 기판(10), 도전층(21), 절연층(22), 반도체층(23), 양자점(30), 소스 전극(41) 및 드레인 전극(42)을 포함할 수 있다.
소스 전극(41)은 제1 연결부(151)에 연결되고, 드레인 전극(42)은 제2 연결부(152)에 연결될 수 있다.
에너지 저장부(160)는 양자점 포토 다이오드(100)에서 발생한 전기 에너지를 저장한다.
이러한 양자점 포토 다이오드(100)는 1차원 물질인 양자점(30)과 2차원 물질인 도전층(21), 절연층(22), 반도체층(23)으로 이루어짐으로써, 양자 효율이 높고, 안정된 캐리어 운송 특성을 가진다. 따라서, 양자점 포토 다이오드(100)에서 수광한 광 에너지를 에너지 저장부(160)에 대량으로 신속하게 저장할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
10: 스핀 코터 20: 양자점 용액 공급 장치
30: 제2 리간드 공급 장치 40, 50: 세척 장치
100: 전극 기판 110: 실리콘 기판
120: 실리콘 산화막 131: 게이트 전극
132: 소스 전극 133: 드레인 전극
140: 양자점층 150: 원자층
30: 제2 리간드 공급 장치 40, 50: 세척 장치
100: 전극 기판 110: 실리콘 기판
120: 실리콘 산화막 131: 게이트 전극
132: 소스 전극 133: 드레인 전극
140: 양자점층 150: 원자층
Claims (15)
- 기판,
상기 기판 위에 위치하는 도전층,
상기 도전층 위에 위치하는 절연층,
상기 절연층 위에 위치하는 반도체층,
상기 반도체층 위에 위치하며 상기 반도체층과 접촉하는 양자점,
상기 도전층에 연결되는 소스 전극, 그리고
상기 반도체층에 연결되는 드레인 전극
을 포함하고,
상기 양자점은 평면상 상기 절연층 및 상기 도전층과 중첩하는 양자점 포토 다이오드. - 제1항에서,
상기 도전층은 상기 절연층과 접촉하고, 상기 절연층은 상기 반도체층과 접촉하는 양자점 포토 다이오드. - 제1항에서,
상기 양자점은 상기 드레인 전극과 접촉하지 않는 양자점 포토 다이오드. - 제1항에서,
상기 기판은 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 필름 형상인 양자점 포토 다이오드. - 제1항에서,
상기 도전층, 상기 절연층 및 상기 반도체층의 각각은 1 내지 9 나노 미터의 두께를 가지는 양자점 포토 다이오드. - 제1항에서,
상기 양자점은 황화납(PbS) 양자점, 황화셀레늄(PbSe) 양자점, 황화구리인듐(CuInS2) 양자점, 텔루르화 수은(HgTe) 양자점, 황화수은(HgS) 양자점, InSb, HgTe/As2S3(코어쉘구조) 양자점, PbS/As2S3(코어쉘구조) 양자점, PbSe/ As2S3(코어쉘구조) 양자점 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 양자점 포토 다이오드. - 제1항에서,
상기 도전층은 그래핀을 포함하는 양자점 포토 다이오드. - 제1항에서,
상기 반도체층은 칼코겐화물을 포함하는 양자점 포토 다이오드. - 광을 수신하는 광 섬유,
상기 광 섬유에 연결된 양자점 포토 다이오드, 그리고
상기 양자점 포토 다이오드에 연결되며 전기 신호를 감지하는 감지부
를 포함하고,
상기 양자점 포토 다이오드는
기판,
상기 기판 위에 위치하는 도전층,
상기 도전층 위에 위치하는 절연층,
상기 절연층 위에 위치하는 반도체층,
상기 반도체층 위에 위치하며 상기 반도체층과 접촉하는 양자점,
상기 도전층에 연결되는 소스 전극, 그리고
상기 반도체층에 연결되는 드레인 전극
을 포함하고,
상기 양자점은 평면상 상기 절연층 및 상기 도전층과 중첩하는 광 센서. - 제9항에서,
상기 광 섬유와 상기 양자점 포토 다이오드 사이에 위치하는 분광기를 더 포함하는 광 센서. - 제9항에서,
상기 소스 전극은 상기 광 섬유에 연결되고, 상기 드레인 전극은 상기 감지부에 연결되는 광 센서. - 제9항에서,
상기 도전층, 상기 절연층 및 상기 반도체층의 각각은 1 내지 9 나노 미터의 두께를 가지는 광 센서. - 제1 전극,
상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극,
상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 양자점 포토 다이오드, 그리고
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 연결되며 상기 양자점 포토 다이오드에서 발생한 전기 에너지를 저장하는 에너지 저장부를 포함하고,
상기 양자점 포토 다이오드는
기판,
상기 기판 위에 위치하는 도전층,
상기 도전층 위에 위치하는 절연층,
상기 절연층 위에 위치하는 반도체층,
상기 반도체층 위에 위치하며 상기 반도체층과 접촉하는 양자점,
상기 도전층에 연결되는 소스 전극, 그리고
상기 반도체층에 연결되는 드레인 전극
을 포함하고,
상기 양자점은 평면상 상기 절연층 및 상기 도전층과 중첩하는 태양 전지. - 제13항에서,
상기 제1 전극과 상기 양자점 포토 다이오드를 연결하는 제1 연결부, 그리고
상기 제2 전극과 상기 양자점 포토 다이오드를 연결하는 제2 연결부를 더 포함하고,
상기 소스 전극은 상기 제1 연결부에 연결되고, 상기 드레인 전극은 상기 제2 연결부에 연결되는 태양 전지. - 제14항에서,
상기 도전층, 상기 절연층 및 상기 반도체층의 각각은 1 내지 9 나노 미터의 두께를 가지는 태양 전지.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170159954A KR101973021B1 (ko) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | 양자점 포토 다이오드, 그리고 이를 포함하는 광센서 및 태양 전지 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170159954A KR101973021B1 (ko) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | 양자점 포토 다이오드, 그리고 이를 포함하는 광센서 및 태양 전지 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101973021B1 true KR101973021B1 (ko) | 2019-04-26 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020170159954A KR101973021B1 (ko) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | 양자점 포토 다이오드, 그리고 이를 포함하는 광센서 및 태양 전지 |
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|---|---|
| KR (1) | KR101973021B1 (ko) |
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