KR101965685B1 - High power ceramic chip resistor for high withstand voltage and assembling method thereof - Google Patents

High power ceramic chip resistor for high withstand voltage and assembling method thereof Download PDF

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Abstract

본 발명은 고전력 세라믹 칩 저항소자 및 고전력 세라믹 칩 저항소자의 조립방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 보다 높은 내전압을 견딜 수 있는 높은 내전압용 고전력 세라믹 칩 저항소자 및 이의 조립방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 일측(10a)의 적어도 일부가 대략 직각으로 형성되고, 타측(10b)의 적어도 일부가 대략 직각이 되도록 벤딩 형성된 리드단자(10); 리드단자(10)의 일측(10a)이 일면에 솔더링 접합되는 칩 저항체(20); 칩 저항체(20)의 일면에 도포되는 에폭시층(30); 및 관통공(42)이 형성되어 리드단자(10)가 관통하고, 에폭시층(30) 상에 배치되는 절연세라믹 플레이트(40);를 포함할 수 있다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-power ceramic chip resistive element and a method for assembling a high-power ceramic chip resistive element, and more particularly, to a high-voltage ceramic chip resistive element and a method of assembling thereof. According to an embodiment of the present invention, a lead terminal 10 formed by bending such that at least a part of one side 10a is formed at a substantially right angle and at least a part of the other side 10b is bent at a substantially right angle; A chip resistor (20) soldered to one surface of one side (10a) of the lead terminal (10); An epoxy layer 30 applied to one surface of the chip resistor 20; And an insulating ceramic plate 40 formed with a through hole 42 through which the lead terminal 10 penetrates and which is disposed on the epoxy layer 30.

Description

높은 내전압용 고전력 세라믹 칩 저항소자 및 그 조립방법{HIGH POWER CERAMIC CHIP RESISTOR FOR HIGH WITHSTAND VOLTAGE AND ASSEMBLING METHOD THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a high-power ceramic chip resistive element and a method of assembling the same,

본 발명은 고전력 세라믹 칩 저항소자 및 고전력 세라믹 칩 저항소자의 조립방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 보다 높은 내전압을 견딜 수 있는 높은 내전압용 고전력 세라믹 칩 저항소자 및 이의 조립방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-power ceramic chip resistive element and a method for assembling a high-power ceramic chip resistive element, and more particularly, to a high-voltage ceramic chip resistive element and a method of assembling thereof.

고전력 세라믹 칩 저항소자는 높은 전력에 사용되는 저항소자로서, 다양한 분야에서 이용되는 부품이며, 주로 이동통신용 중계기에 사용되는 수동부품의 가장 핵심적인 소자 중 하나이다. 이 부품은 IT 및 이동통신 관련 다양한 종류의 모듈 (Amplifier, Divider, Circulator, Isolator, Filter, Coupler 등)에 RF Resistor, RF Termination, RF Attenuator 중 1종 이상은 반드시 소요되며, 이동통신용 중계기에는 필수적으로 장착되는 부품이다.The high-power ceramic chip resistive element is a resistive element used for high power and is used in various fields. It is one of the most important elements of passive components mainly used in a mobile communication repeater. This component requires at least one of RF Resistor, RF Termination and RF Attenuator in various kinds of modules related to IT and mobile communication (Amplifier, Divider, Circulator, Isolator, Filter, Coupler, etc.) It is a part to be mounted.

도 1을 참조하면, 고전력 세라믹 칩 저항소자는 금속 플랜지(60) 상에 세라믹 기판을 포함하는 칩 저항체(20)가 장착되는 구조로서, 칩 저항체(20)에 전력을 인가하기 위한 금속의 리드단자(10)가 있으며, 칩 저항체와 리드단자(10)를 보호하기 위한 절연세라믹 플레이트(40)가 에폭시로 접착되어 있다. 이러한 구성의 고전력 세라믹 칩 저항소자는 플랜지(60)의 마운팅홀(62)에 나사를 사용하여 바디와 체결하고, 전력을 인가하기 위해 금속의 리드단자(10)에 납땜으로 연결하여 사용된다.
Referring to FIG. 1, a high-power ceramic chip resistor element has a structure in which a chip resistor 20 including a ceramic substrate is mounted on a metal flange 60, (10), and an insulating ceramic plate (40) for protecting the chip resistor and the lead terminal (10) is bonded by epoxy. The high-power ceramic chip resistor element having such a configuration is used by fastening it to the mounting hole 62 of the flange 60 using a screw and soldering to the lead terminal 10 of the metal for applying electric power.

도 2a 또는 도 2b에 도시된 바와 같은, 종래의 구조(수평적 구조)에 따른 고전력 세라믹 칩 저항소자는 다음과 같은 문제점을 가지고 있다. The high-power ceramic chip resistor according to the conventional structure (horizontal structure) as shown in FIG. 2A or 2B has the following problems.

첫째, 사용하고자 하는 전력이 높을수록 인가전압이 높아지는데, 높은 인가전압은 절연이 잘 되어 있음에도 불구하고, 도 2a에 도시된 바와 같이, 세라믹 칩 저항체(20)의 위, 아래 금속 사이(플랜지(60)(또는 바디)와 금속의 리드단자(10) 사이)의 공기 중으로 전류가 흐르는 아크(arc) 전류가 발생하게 된다. 이로 인해 일반적으로 3,000 볼트(Volt) 이상에서는 사용이 불가능하다. 인가전압의 한도는 내전압(withstand voltage) 시험에 의해 결정될 수 있으며, 내전압이란 시험할 절연 재료에 규정된 교류 전압을 1분간 인가한 경우, 파괴되지 않고 견딜 수 있는 인가전압의 한도 또는 기계나 부품의 절연 부분이 파괴될 염려 없이 사용할 수 있는 인가전압의 크기의 한도를 의미한다. First, the higher the power to be used, the higher the applied voltage. Even though the high applied voltage is well insulated, as shown in FIG. 2A, An arc current is generated in which current flows into the air between the metal lead terminal 60 (or the body) and the lead terminal 10 of the metal. As a result, it is generally not usable above 3,000 volts. The limit of the applied voltage can be determined by the withstand voltage test and the withstanding voltage is the limit of the applied voltage that can withstand without breaking when the alternating voltage specified in the insulating material to be tested is applied for 1 minute or Means the limit of the magnitude of the applied voltage that can be used without fear that the insulating portion will be destroyed.

또한, 종래 수평적 구조의 단점은 비록 사용전압이 3,000 볼트 이하일 때라도, 저항소자가 장착된 장비의 가동 스위치를 ON 시키는 순간, 순간피크(Peak) 전압이 3,000 볼트가 이상이 될 때, 종래 수평적 구조의 저항소자는 사용할 수 없다. 대표적인 장비가 반도체 공정에서 사용되는 RF generator와 같은 전력공급기(Power Source)이다.The disadvantage of the conventional horizontal structure is that even when the used voltage is 3,000 volts or less, when the instantaneous peak voltage becomes 3,000 volts or more at the moment when the operation switch of the equipment equipped with the resistance element is turned on, Resistor elements of the structure can not be used. A typical device is a power source such as an RF generator used in semiconductor processing.

따라서, 종래의 방식과는 다르게, 높은 내전압을 견디기 위한 고전력 세라믹 칩 저항소자로서, 이를 제조할 때, 보다 높은 내전압을 견디기 위한 구조를 가진 저항소자 또는 이를 조립하는 방법의 고안이 필요하다. Therefore, unlike the conventional method, it is necessary to design a resistance element having a structure capable of withstanding a higher withstand voltage, or a method of assembling the same, as a high-power ceramic chip resistive element to withstand a high withstand voltage.

한국공개특허공보 특1992-0022486호 (공개일자: 1992.12.19)Korean Unexamined Patent Publication No. 1992-0022486 (published on Dec. 19, 1992)

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, The present invention has been made to solve the above-mentioned problems,

교류 전압 5,000 볼트 이상에서 견딜 수 있는 구조를 가지는 내전압용 고전력 세라믹 칩 저항소자 및 이와 같은 고전력 세라믹 칩 저항소자의 조립방법을 제공하는데 목적이 있다. There is an object to provide a high-voltage ceramic chip resistor element for withstand voltage having a structure capable of withstanding an AC voltage of 5,000 volts or more and a method of assembling such a high-power ceramic chip resistor element.

본 발명의 목적은 이상에서 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 목적들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned may be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하고, 후술하는 본 발명의 특징적인 기능을 수행하기 위한, 본 발명의 특징은 다음과 같다. The features of the present invention for achieving the objects of the present invention as described above and performing the characteristic functions of the present invention described below are as follows.

본 발명의 일 실시예에 따른 고전력 세라믹 칩 저항소자는, 일측의 적어도 일부가 직각으로 형성되고, 타측의 적어도 일부가 직각이 되도록 벤딩 형성된 리드단자; 상기 리드단자의 일측이 일면에 솔더링 접합되는 칩 저항체; 상기 칩 저항체의 일면에 도포되는 에폭시층; 및 관통공이 형성되어 리드단자가 관통하고, 상기 에폭시층 상에 밀착되는 절연세라믹 플레이트;를 포함할 수 있다. A high-power ceramic chip resistor element according to an embodiment of the present invention includes: a lead terminal bendingly formed so that at least a part of one side thereof is formed at right angles and at least a part of the other side thereof is right-angled; A chip resistor having one side of the lead terminal soldered to one side; An epoxy layer applied to one surface of the chip resistor; And an insulating ceramic plate having through-holes formed therein to penetrate the lead terminals and closely contact with the epoxy layer.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 고전력 세라믹 칩 저항소자는, 상기 칩 저항체의 타면에 솔더링 접합되는 금속 플랜지를 더 포함할 수 있다. Further, the high-power ceramic chip resistor device according to an embodiment of the present invention may further include a metal flange soldered to the other surface of the chip resistor.

본 발명의 일 실시예에 따른 고전력 세라믹 칩 저항소자의 조립방법은, 리드단자의 일측의 적어도 일부를 직각으로 벤딩하는 제1 벤딩단계; 상기 리드단자의 일측을 칩 저항체에 솔더링 접합하는 제1 솔더링 접합단계; 상기 칩 저항체에 에폭시를 도포하는 도포단계; 리드 단자가 관통하기 위한 관통공이 형성된 절연세라믹 플레이트를 상기 에폭시가 도포된 면에 접착하는 접착단계; 금속 플랜지에 상기 칩 저항체를 솔더링 접합하는 제2 솔더링 접합단계; 및 리드단자의 타측이 칩 저항체의 외측을 향하도록 타측을 벤딩하는 제2 벤딩단계;를 포함할 수 있다. A method of assembling a high-power ceramic chip resistor device according to an embodiment of the present invention includes: a first bending step of bending at least a part of one side of a lead terminal at a right angle; A first soldering bonding step of soldering bonding one side of the lead terminal to the chip resistor; Applying an epoxy to the chip resistor; A bonding step of bonding an insulating ceramic plate having through-holes for penetrating lead terminals to a surface to which the epoxy is applied; A second soldering bonding step of soldering the chip resistor to a metal flange; And a second bending step of bending the other side of the lead terminal so as to face the outside of the chip resistor.

또한, 제2 벤딩단계는, 상기 제1 벤딩단계, 제1 솔더링 접합단계, 도포단계, 접착단계 및 제2 솔더링 접합단계 중 어느 하나의 단계에 앞서 수행 가능할 수 있다.In addition, the second bending step may be performed prior to any one of the first bending step, the first soldering bonding step, the applying step, the bonding step, and the second soldering bonding step.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 높은 내전압을 견디는 고전력 세라믹 칩 저항소자 및 고전력 세라믹 칩 저항소자의 조립방법에 따르면, 칩 저항체와 금속리드의 수평적 구조로 낮은 내전압을 가졌던 종래의 문제점을 해결하고, 수직적 구조로 변경함으로써 높은 내전압을 견딜 수 있게 하는 효과를 제공한다.As described above, according to the high-power ceramic chip resistive element and the method of assembling the high-power ceramic chip resistive element which withstand the high withstand voltage of the present invention, the conventional problem of having a low withstand voltage due to the horizontal structure of the chip resistor and the metal lead is solved , And by changing to a vertical structure, it is possible to withstand high withstand voltage.

도 1은 리드단자 및 칩 저항체가 수평적 구조를 형성하는 고전력 세라믹 칩 저항소자의 사시도를 도시하고,
도 2a는 수평적 구조를 갖는 고전력 세라믹 칩 저항소자의 일측면도를 도시하고,
도 2b는 수평적 구조를 갖는 고전력 세라믹 칩 저항소자의 상면도를 도시하고,
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 수직적 구조를 형성하는 고전력 세라믹 칩 저항소자를 도시하고,
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 수직적 구조를 형성하는 고전력 세라믹 칩 저항소자의 상면도를 도시하고,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고전력 세라믹 칩 저항소자의 조립방법의 흐름도를 도시하고,
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 리드단자의 평면도를 도시하고, 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 리드단자의 일측이 벤딩되는 모습을 도시하고,
도 6a는 본 발명의 일 양태에 따라 리드단자가 칩 저항체에 접합되는 모습을 도시하고,
도 6b는 본 발명의 일 양태에 따라 리드단자가 칩 저항체에 접합된 상면도를 도시하고,
도 7a는 본 발명의 일 양태에 따라 절연세라믹 플레이트가 칩 저항체에 도포된 에폭시층에 부착되는 모습을 도시하고,
도 7b는 본 발명의 일 양태에 따른 절연세라믹 플레이트의 상면도를 도시하며,
도 8은 본 발명의 일 양태에 따라 금속 플랜지에 칩 저항체가 장착되는 모습을 도시한다.
1 shows a perspective view of a high-power ceramic chip resistor element in which a lead terminal and a chip resistor form a horizontal structure,
2A shows a side view of a high-power ceramic chip resistive element having a horizontal structure,
2B shows a top view of a high-power ceramic chip resistive element having a horizontal structure,
FIG. 3A illustrates a high-power ceramic chip resistor element forming a vertical structure according to an embodiment of the present invention,
FIG. 3B is a top view of a high-power ceramic chip resistor device forming a vertical structure according to an embodiment of the present invention,
4 is a flowchart illustrating a method of assembling a high-power ceramic chip resistor according to an embodiment of the present invention,
FIG. 5A is a plan view of a lead terminal according to an embodiment of the present invention, FIG. 5B is a view illustrating that one side of a lead terminal is bent according to an embodiment of the present invention,
6A shows a state in which a lead terminal is bonded to a chip resistor according to an embodiment of the present invention,
6B shows a top view in which lead terminals are bonded to a chip resistor in accordance with an aspect of the present invention,
FIG. 7A illustrates an embodiment in which an insulating ceramic plate is attached to an epoxy layer applied to a chip resistor in accordance with an aspect of the present invention,
Figure 7b shows a top view of an insulating ceramic plate according to an aspect of the present invention,
8 illustrates a state in which a chip resistor is mounted on a metal flange according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에서 제시되는 특정한 구조 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있다. 또한 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경물, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The specific structure or functional description presented in the embodiment of the present invention is merely illustrative for the purpose of illustrating an embodiment according to the concept of the present invention, and embodiments according to the concept of the present invention can be implemented in various forms. And should not be construed as limited to the embodiments described herein, but should be understood to include all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

한편, 본 발명에서 제1 및/또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소들과 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 제1구성요소는 제2구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2구성요소는 제1구성요소로도 명명될 수 있다. Meanwhile, in the present invention, the terms first and / or second etc. may be used to describe various components, but the components are not limited to the terms. The terms may be referred to as a second element only for the purpose of distinguishing one element from another, for example, to the extent that it does not depart from the scope of the invention in accordance with the concept of the present invention, Similarly, the second component may also be referred to as the first component.

어떠한 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어"있다거나 "접속되어"있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떠한 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어"있다거나 또는 "직접 접촉되어"있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하기 위한 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는"등의 표현도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, but it should be understood that there may be other elements in between something to do. On the other hand, when it is mentioned that an element is " directly connected " or " directly contacted " to another element, it should be understood that there are no other elements in between. Other expressions for describing the relationship between components, such as "between" and "between" or "adjacent to" and "directly adjacent to" should also be interpreted.

명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. 한편, 본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급되지 않는 한 복수형도 포함된다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자가 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
Like reference numerals designate like elements throughout the specification. It is to be understood that the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. &Quot; comprises " and / or " comprising ", as used herein, unless the recited element, step, operation, and / Or additions.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

칩 저항체와 리드단자의 수평적 구조를 사용함으로써 발생하는 종래 저항소자의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 고전력 세라믹 칩 저항소자는, 칩 저항체와 리드단자 간의 수직적 구조로 변경하여 조립하고자 한다. 그 이유는 금속 플랜지(60)(또는 바디)와 금속의 리드단자(10)간의 거리를 멀게 함으로써 더 높은 내전압에 견디도록 하는 효과를 제공하기 위함이다.
In order to solve the problem of the conventional resistance element generated by using the horizontal structure of the chip resistor and the lead terminal, the high-power ceramic chip resistor device according to the present invention is intended to be assembled by changing to a vertical structure between the chip resistor and the lead terminal. The reason for this is to provide the effect of enduring a higher withstand voltage by making the distance between the metal flange 60 (or the body) and the lead terminal 10 of the metal remote.

본 발명의 일 실시예에 따른 고전력 세라믹 칩 저항소자는, 칩 저항체(20), 칩 저항체(20)에 연결되는 리드단자(10), 칩 저항체(20)에 도포되는 에폭시층(30), 에폭시층(30)에 밀착되는 절연세라믹 플레이트(40) 및 칩 저항체(20)가 장착되는 금속 플랜지(60)를 포함할 수 있다.
The high-power ceramic chip resistor element according to an embodiment of the present invention includes a chip resistor 20, a lead terminal 10 connected to the chip resistor 20, an epoxy layer 30 applied to the chip resistor 20, An insulating ceramic plate 40 adhered to the layer 30 and a metal flange 60 on which the chip resistor 20 is mounted.

도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 일측(10a)의 적어도 일부가 대략 직각으로 형성되고, 타측(10b)의 적어도 일부가 대략 직각이 되도록 벤딩 형성된 리드단자(10); 리드단자(10)의 일측(10a)이 일면에 솔더링 접합되는 칩 저항체(20); 칩 저항체(20)의 일면에 도포되는 에폭시층(30); 및 관통공(42)이 형성되어 리드단자(10)가 관통하고, 에폭시층(30) 상에 배치되는 절연세라믹 플레이트(40);를 포함할 수 있다. 3A and 3B, according to an embodiment of the present invention, at least a part of one side 10a is formed at a substantially right angle, and at least a part of the other side 10b is bent at a substantially right angle, (10); A chip resistor (20) soldered to one surface of one side (10a) of the lead terminal (10); An epoxy layer 30 applied to one surface of the chip resistor 20; And an insulating ceramic plate 40 formed with a through hole 42 through which the lead terminal 10 penetrates and which is disposed on the epoxy layer 30.

또한, 본 발명의 일 양태에 따르면, 칩 저항체(20)의 타면에 솔더링 접합되는 금속 플랜지(60)를 더 포함할 수 있다.
Further, according to an aspect of the present invention, the chip resistor 20 may further include a metal flange 60 soldered to the other surface thereof.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 리드단자(10)는 일측(10a)이 굽힘 내지는 벤딩되어 대략 직각을 형성하도록 형성된다. 또한, 도 3a에 도시된 바와 같이, 리드단자의 타측(10b)이 굽힘 내지는 벤딩되어 대략 직각을 형성하도록 한다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 리드단자(10a)의 타측(10b)은, 특히, 세라믹 기판을 포함하는 칩 저항체(20) 내지는 고전력 세라믹 칩 저항소자의 외측을 향하도록 대략 직각으로 벤딩되어 형성된다. 여기서, 리드단자(10)는, 예를 들어, 은(Ag) 또는 구리(Cu) 등의 금속으로 형성될 수 있다. 5A and 5B, the lead terminal 10 is formed such that one side 10a is bent or bent to form a substantially right angle. Further, as shown in Fig. 3A, the other side 10b of the lead terminal is bent or bent so as to form a substantially right angle. 3B, the other side 10b of the lead terminal 10a is formed by bending at a substantially right angle toward the outside of the chip resistor 20 or the high-power ceramic chip resistor element including the ceramic substrate . Here, the lead terminal 10 may be formed of a metal such as silver (Ag) or copper (Cu), for example.

리드단자(10)의 일측(10a)은, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 질화알루미늄 기판 등의 세라믹 기판을 포함하는 칩 저항체(20)의 일면에 솔더링 접합된다. 특히, 대략 직각으로 형성된 리드단자(10)의 일측은 칩 저항체의 윗면에 있는 도체에 솔더링 접합될 수 있다. One side 10a of the lead terminal 10 is soldered to one surface of a chip resistor 20 including a ceramic substrate such as an aluminum nitride substrate as shown in Figs. 6A and 6B. In particular, one side of the lead terminal 10 formed at approximately the right angle can be soldered to the conductor on the upper surface of the chip resistor.

리드단자(10)가 솔더링 접합된 칩 저항체(20)의 일면에는, 도 7a에 도시된 바와 같이, 세라믹간 접합을 위한 열전도성 에폭시 접착제인 에폭시층(30)이 도포된다. 또한, 칩 저항체와 리드단자의 보호를 위해 에폭시층(30) 상에는 세라믹의 절연세라믹 플레이트(40)가 부착된다. 즉, 절연세라믹 플레이트(40)는 패턴 보호를 위해 마련된 절연 세라믹일 수 있고, 칩 저항체와 솔더링 접합된 리드단자를 보호하고 외부와의 절연을 위하여 세라믹의 절연세라믹 플레이트(40)를 에폭시를 이용하여 접착시킨다. On one side of the chip resistor 20 to which the lead terminal 10 is soldered, an epoxy layer 30 is applied as a thermally conductive epoxy adhesive for bonding between the ceramics, as shown in Fig. 7A. An insulating ceramic plate 40 of ceramic is attached on the epoxy layer 30 for protecting the chip resistor and the lead terminal. That is, the insulating ceramic plate 40 may be an insulating ceramic provided for protecting the pattern, and an insulating ceramic plate 40 made of ceramic may be formed by using epoxy to protect the lead terminals soldered and bonded to the chip resistor, .

도 7b를 참조하면, 절연세라믹 플레이트(40)에는 리드단자(10)가 관통할 수 있는 관통공(42)이 형성된다. 즉, 절연세라믹 플레이트(40)는 수직으로 올라온 리드단자(10)가 통과할 수 있도록 구멍을 가지는 형태로 가공된다. Referring to FIG. 7B, the insulating ceramic plate 40 is formed with a through hole 42 through which the lead terminal 10 can pass. That is, the insulating ceramic plate 40 is processed into a shape having a hole so that the vertically raised lead terminal 10 can pass through.

도 7b 내지 도 8을 참조하면, 칩 저항체(20)에 에폭시층(30)을 도포한 후, 관통공(42)이 형성된 절연세라믹 플레이트(40)를 밀착시켜 관통공(42)이 있는 곳으로 도포된 에폭시가 삐져나오도록 한다. 에폭시가 많이 삐져나올수록 내전압에는 더 좋은 효과가 있다. 이 후 열을 가하여 에폭시를 경화시킨다. 이 경우, 때로는 더 높은 내전압을 위해 절연세라믹 플레이트(40)의 관통공(42)으로 삐져나온 나온 에폭시 부분에 다시 에폭시를 도포하여 재 경화시킬 수 있다. 이 과정은 높은 내전압을 견디기 위한 가장 중요한 조립공정 중 하나이다. 7B to 8, after the epoxy layer 30 is applied to the chip resistor 20, the insulating ceramic plate 40 having the through hole 42 is closely contacted with the through hole 42, Allow the applied epoxy to protrude. The more the epoxy spills out, the better the withstanding voltage. Heat is then applied to cure the epoxy. In this case, it is sometimes possible to re-cure epoxy by applying the epoxy back to the exposed epoxy portion piercing through the through-hole 42 of the insulating ceramic plate 40 for higher withstand voltage. This process is one of the most important assembly processes to withstand high withstand voltage.

도 8에 도시된 바와 같이, 금속 플랜지(60)에 칩 저항체(20)를 솔더링 접합할 수 있다. 금속 플랜지(60)와 칩 저항체(20)의 사이에는 솔더링(soldering 또는 brazing)을 위한 필러 금속이 배치될 수 있다. 금속 플랜지(60)는 구리(Cu) 플랜지일 수 있으며, 일면이 니켈(Ni), 은(Ag) 등으로 도금될 수 있다. 칩 저항체(20)와 금속 플랜지(60)와의 접합을 위하여 칩 저항체(20)에 후막 금속화(thick film metallization)를 제공할 수 있다. 금속 플랜지(60)에는 마운팅홀(62)이 형성되어 나사를 이용하여 장착될 바디와의 장착을 용이하게 할 수 있다.
The chip resistor 20 can be soldered to the metal flange 60, as shown in Fig. Filler metal for soldering or brazing may be disposed between the metal flange 60 and the chip resistor 20. The metal flange 60 may be a copper (Cu) flange, and one side may be plated with nickel (Ni), silver (Ag), or the like. A thick film metallization may be provided to the chip resistor 20 for bonding the chip resistor 20 and the metal flange 60. [ A mounting hole 62 is formed in the metal flange 60 to facilitate mounting of the body to be mounted using a screw.

도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 고전력 세라믹 칩 저항소자의 조립방법에 대해 설명하기로 한다. Referring to FIG. 4, a method of assembling a high-power ceramic chip resistor device according to an embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 일 실시예에 따른 고전력 세라믹 칩 저항소자의 조립방법은, 리드단자의 일측의 적어도 일부를 직각으로 벤딩하는 제1 벤딩단계; 리드단자의 일측을 칩 저항체에 솔더링 접합하는 제1 솔더링 접합단계; 칩 저항체에 에폭시를 도포하는 도포단계; 리드 단자가 관통하기 위한 관통공이 형성된 절연세라믹 플레이트를 상기 에폭시가 도포된 면에 접착하는 접착단계; 금속 플랜지에 칩 저항체를 솔더링 접합하는 제2 솔더링 접합단계; 및 리드단자의 타측이 칩 저항체의 외측을 향하도록 타측을 벤딩하는 제2 벤딩단계를 포함할 수 있다.
A method of assembling a high-power ceramic chip resistor device according to an embodiment of the present invention includes: a first bending step of bending at least a part of one side of a lead terminal at a right angle; A first soldering joining step of soldering joining one side of the lead terminal to the chip resistor; An application step of applying an epoxy to the chip resistor; A bonding step of bonding an insulating ceramic plate having through-holes for penetrating lead terminals to a surface to which the epoxy is applied; A second soldering bonding step of soldering bonding the chip resistor to the metal flange; And a second bending step of bending the other side of the lead terminal toward the outside of the chip resistor.

본 발명의 일 실시예에 따른 고전력 세라믹 칩 저항소자의 조립방법은, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 리드단자(10)의 일측(10a)의 적어도 일부가 대략 직각을 형성하도록 굽힘 내지는 벤딩하는 제1 벤딩 단계(S100)를 포함할 수 있다. 5A and 5B, a method of assembling a high-power ceramic chip resistor device according to an exemplary embodiment of the present invention includes bending or bending the lead terminal 10 so that at least a part of one side 10a of the lead terminal 10 forms a substantially right angle. And a first bending step (SlOO) for bending.

또한, 리드단자(10)를 칩 저항체(20)에 솔더링 접합하는 제1 솔더링 접합 단계(S120)를 더 포함할 수 있다. 제1 벤딩 단계(S100)에서 벤딩이 형성된 일측(10a)을 칩 저항체(20)의 일면에 솔더링 접합할 수 있다. The method may further include a first soldering bonding step (S120) of soldering bonding the lead terminal (10) to the chip resistor (20). The one side 10a on which the bending is formed in the first bending step S100 can be soldered to one side of the chip resistor 20.

또한, 리드단자(10)가 접합된 칩 저항체(20)의 일면에 에폭시 접착제를 도포하는 에폭시 도포단계(S140)을 더 포함할 수 있다. Further, the method may further include an epoxy applying step (S140) of applying an epoxy adhesive to one surface of the chip resistor 20 to which the lead terminal 10 is bonded.

또한, 관통공(42)이 형성된 세라믹의 절연세라믹 플레이트(40)를 에폭시가 도포된 면에 접착하는 접착단계(S160)를 더 포함할 수 있다. The method may further include a bonding step (S160) of bonding the ceramic insulating ceramic plate (40) having the through hole (42) to the surface to which the epoxy is applied.

다음, 에폭시에 열을 가하여 경화하는 경화단계(S180)가 수행된다. 또한, 더 높은 내전압을 위해 절연세라믹 플레이트(40)의 관통공(42)으로 삐져나온 나온 에폭시 부분에 다시 에폭시를 도포하여 재 경화시키는 재도포 및 재경화단계(S200)가 수행될 수 있다. Next, a curing step (S180) is performed in which the epoxy is cured by applying heat. Also, a re-application and re-curing step (S200) may be performed in which epoxy is applied again to the exposed epoxy portion protruding into the through-hole 42 of the insulating ceramic plate 40 for higher withstand voltage.

다음, 금속 플랜지(60)에 칩 저항체(20)를 솔더링 접합하는 제2 솔더링 단계(S220)가 더 포함할 수 있다. Next, a second soldering step (S220) for soldering the chip resistor 20 to the metal flange 60 may be further included.

또한, 리드단자(10)의 타측(10b)의 적어도 일부를 대략 직각으로 벤딩하여 칩 저항체(20)의 외측을 향하도록 리드단자(10)의 타측(10b)을 벤딩하는 제2 벤딩 단계(S240)을 더 포함한다. 제2 벤딩 단계(S240)는 전술한 단계(S100 내지 S220)의 어느 한 단계보다 먼저 수행될 수 있어 순서에 제약이 없다.
A second bending step S240 for bending at least a part of the other side 10b of the lead terminal 10 at a substantially right angle to bend the other side 10b of the lead terminal 10 toward the outside of the chip resistor 20 ). The second bending step S240 may be performed before any one of the steps S100 to S220 described above, and there is no restriction on the order.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. It will be apparent to those of ordinary skill in the art.

10: 리드단자 10a: 일측
10b: 타측 20: 칩 저항체
30: 에폭시층 40: 절연세라믹 플레이트
42: 관통공 50: 필러
60: 금속 플랜지 62: 마운팅홀
10: lead terminal 10a: one side
10b: the other side 20: chip resistor
30: Epoxy layer 40: Insulated ceramic plate
42: through hole 50: filler
60: metal flange 62: mounting hole

Claims (4)

삭제delete 삭제delete 리드단자의 일단으로부터 일정 길이만큼 직각으로 절곡하는 제1 벤딩단계;
상기 리드단자의 일단으로부터 일정 길이만큼 절곡된 부위를 칩 저항체에 솔더링 접합하는 제1 솔더링 접합단계;
상기 칩 저항체에 에폭시를 도포하는 도포단계;
리드 단자가 관통하기 위한 관통공이 형성된 절연세라믹 플레이트를 상기 에폭시가 도포된 면에 접착하는 접착단계;
에폭시에 열을 가하여 경화시키는 경화단계;
구리 재질로 제작되고, 양 측에는 나사가 관통될 수 있는 마운팅홀이 형성되며, 일면이 니켈 또는 은으로 도금되는 금속 플랜지를 준비하는 단계;
금속 플랜지와 칩 저항체 사이에 필러 금속을 마련하는 단계;
금속 플랜지에 상기 칩 저항체를 솔더링 접합하는 제2 솔더링 접합단계; 및,
리드단자의 타단으로부터 소정 길이까지의 부위가 칩 저항체에 평행하면서 외측을 향하도록 직각으로 벤딩하는 제2 벤딩단계;로 구성되되,
제2 벤딩단계는, 상기 제1 벤딩단계, 제1 솔더링 접합단계, 도포단계, 접착단계 및 제2 솔더링 접합단계 중 어느 하나의 단계에 앞서 수행 가능하고,
상기 접착단계에서는 절연세라믹 플레이트를 상기 에폭시가 도포된 면에 밀착시킬 때, 도포된 에폭시 일부가 상기 관통공을 통하여 삐져나와 관통공을 관통하는 리드단자의 외주면 일부를 감싸는 형태가 형성될 때 까지 밀착시키며,
상기 경화단계 이후에는 관통공을 통하여 삐져나와 리드단자의 외주면 일부를 감싸는 에폭시 외부에 추가적으로 에폭시를 도포하여 재 경화시키는 재경화단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전력 세라믹 칩 저항소자의 조립방법.
A first bending step of bending at a right angle by a predetermined length from one end of the lead terminal;
A first soldering joining step of soldering joining a portion bent from the one end of the lead terminal by a predetermined length to the chip resistor;
Applying an epoxy to the chip resistor;
A bonding step of bonding an insulating ceramic plate having through-holes for penetrating lead terminals to a surface to which the epoxy is applied;
A curing step of curing the epoxy by applying heat thereto;
Preparing a metal flange made of a copper material, on both sides of which a mounting hole is formed through which a screw can be threaded, and whose one surface is plated with nickel or silver;
Providing a filler metal between the metal flange and the chip resistor;
A second soldering bonding step of soldering the chip resistor to a metal flange; And
And a second bending step of bending at a right angle so that a portion from the other end of the lead terminal to a predetermined length is parallel to the chip resistor and facing outward,
The second bending step may be performed prior to any one of the first bending step, the first soldering bonding step, the applying step, the bonding step, and the second soldering bonding step,
In the adhering step, when the insulating ceramic plate is brought into close contact with the epoxy-coated surface, a part of the applied epoxy is protruded through the through-hole and is closely contacted until a form is formed to surround a part of the outer circumferential surface of the lead terminal passing through the through- Lt; / RTI &
Further comprising a re-curing step of applying epoxy further to the outside of the epoxy which protrudes through the through-hole and surrounds a part of the outer circumferential surface of the lead terminal to cure after the curing step.
삭제delete
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