KR101964225B1 - 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자 및 이의 제조방법 Download PDF

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박종천
이민수
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Abstract

본 발명은 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자는 플렉시블 투명 기판; 상기 기판 상에 배치되는 투명 전극층; 상기 투명 전극 상에 배치되는 페이스트 층; 및 상기 페이스트 층 상에 배치되는 엘이디(LED) 층;을 포함한다. 본 발명은 저온 소성이 가능하여 제조과정에서의 불량률을 현저히 낮출 수 있는 효과가 있다.

Description

플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자 및 이의 제조방법{Display device including flexible transparent electrode and manufacturing method therof}
본 발명은 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 유연성을 갖는 유기전자 소자가 차세대 전자소자로서 주목받고 있으며, 이와 더불어 유기전자 소자의 적용이 적합한 투명도전막에 대한 개발이 활발히 이루어지고 있다.
투명도전막은 빛의 투과성이 높으면서 전기가 통하는 성질을 갖는 얇은 박막을 의미한다. 투명도전막은 액정표시소자(liquid crystal display)나 일렉트로크로믹디스플레이(ECD), 유기전계발광소자(electroluminescence), 태양전지, 플라즈마 디스플레이패널(plasma display panel), 전자페이퍼, 터치패널 등의 전원인 가용 공통전극이나 화소전극으로 널리 사용되고 있다. 최근, 소자 제조의 대면적화 및 극미세 피치소자에 대한 개발이 활발히 이루어짐에 따라 투명성이 뛰어나고 비저항이 낮은 투명도전막에 대한 수요가 높아지고 있다.
투명도전막에 사용되는 재료는 투명하게 보이도록 가시광영역(400nm ~ 700nm)에서 80%정도의 광투과도를 갖고, 전기전도도가 좋은 특성을 지닌 것을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 광학적 밴드갭(optical bandwidth)가 3.5eV 정도이기 때문에 자외선영역은 모두 투과 시키고, 적외선영역에서 높은 반사율을 나타내며, 에칭에 적절한 특성을 갖는 것이 바람직하다.
종래에는 투명도전막의 재료로 TCO(Transparent conductive oxide)를 사용하였다. 현재 산업적으로 사용되는 TCO재료 종류로는 In2O3, ZnO, SnO2가 있다. 이들의 공통적인 특징은 밴드갭이 3.3eV로 가시광선보다 높은 밴드갭을 갖기 때문에 가시광선영역의 흡수가 일어나지 않는다. 또한, n-type 전도성을 갖는 물질이며, 유리와의 결합력이 좋고 내화학성 및 내마모성이 우수한 장점이 있다.
대한민국 등록특허공보 제10-1391510호(이하, ‘선행특허’라함)는 ‘금속 나노와이어를 구비한 다층 투명 전극 소자’에 관한 것으로, 투명 유연 기판의 상면에 형성된 하부 투명 전극층, 하부 투명 전극층의 상면에 형성된 금속 나노와이어 층 및 금속 나노와이어 층의 상면에 형성된 상부 투명 전극층을 구비하여 투명 유연 기판과 금속 나노와이어 층의 접착성을 향상시키고 금속 나노와이어 층의 표면 거칠기를 완화시킬 수 있는 기술이 개시되어 있다.
한편, 유연 소재의 기판 및 전극으로 이루어진 디스플레이를 제조함에 있어서 공정 온도가 높아지면 변형이 발생하기 때문에 저온 공정이 요구된다. 그러나 종래기술에 의한 페이스트의 경우 대부분 고온 공정이 요구되었기 때문에 유연 기판을 이용한 소자에 적용할 경우 기판의 변형에 의하여 안정적인 제조가 어려웠다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 저온에서도 소성이 가능한 페이스트가 포함된 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명의 일실시예에 의한 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자는 플렉시블 투명 기판; 상기 기판 상에 배치되는 투명 전극층; 상기 투명 전극 상에 배치되는 페이스트 층; 및 상기 페이스트 층 상에 배치되는 엘이디(LED) 층;을 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 페이스트 층은, Bi, Pb, In, Sn, Cd, Hg 및 Ga으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 투명 전극층은, 아민기를 포함하는 고분자 화합물 층; 및 금속층;을 포함하는 것일 수 있다.
또한, 상기의 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명의 일실시예에 의한 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자의 제조방법은 기판 상에 투명 전극층을 배치하고 패턴을 형성하는 단계; 상기 패턴화된 투명 전극층 페이스트 층을 형성하는 단계; 및 상기 페이스트 층 상에 엘이디(LED) 층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 페이스트 층을 형성하는 단계는, Bi, Pb, In, Sn, Cd, Hg 및 Ga으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 재료를 배합하여 페이스트를 제작하는 단계; 및 상기 페이스트를 상기 투명 전극층 상에 적용하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명은 저온 소성이 가능하여 제조과정에서의 불량률을 현저히 낮출 수 있는 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자 및 이의 제조방법을 제공하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 투명전극을 포함하는 표시 소자의 제조방법에 대응하는 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자의 형성과정을 나타낸 도면이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자는 기판(100), 투명 전극층(200), 페이스트 층(300), 엘이디 층(400) 및 점착층(500)을 포함한다.
기판(100)은 투명 전극층(200), 페이스트 층(300), 엘이디 층(400) 및 점착층(500)을 하부에서 지지한다.
기판(100)은 플렉시블(flexible)한 특성을 갖는 소재를 선택할 수 있으며, PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PP(polypropylene), PI(polyimide), PC(polycarbornate), PS(polystylene), POM(polyoxyethylene), AS(acrylonitrile styrene copolymer) 수지, ABS(acrylonitrile butadiene styrene copolymer) 수지 및 TAC(Triacetyl cellulose)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
투명 전극층(200)은 기판(100) 상에 배치될 수 있으며, 아민기를 포함하는 고분자 화합물 층(210) 및 금속층(220)을 포함할 수 있다. 아민기를 포함하는 고분자 화합물 층(210) 및 금속층(220)은 기판(100) 상에 순차적으로 적층될 수 있으며, 유연성 및 투명성을 갖춘 소자를 제조하는 데 기여할 수 있다.
아민기를 포함하는 고분자 화합물 층(210)은 아민기를 포함하는 화합물 치환기를 가질 수 있는 알킬아민, 시클로 알킬아민 및 아릴아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 아민기를 포함하는 고분자 화합물 층(210)은 상기 아민으로부터 유래된 아민기를 함유하는 고분자, 또는 상기 아민기를 포함하는 고분자들이 2 이상 조합된 화합물을 포함할 수 있다.
구체적으로, 아민기를 포함하는 고분자 화합물 층(210)은 메틸아민, 에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아민, n-부틸아민, 이소부틸아민, 이소아밀아민, n-헥실아민, 2-에틸헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, 이소옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 도데실아민, 헥사데실아민, 옥타데실아민, 도코데실아민, 시클로프로필아민, 시클로펜틸아민, 시클로헥실아민, 아릴아민, 히드록시아민, 암모늄하이드록사이드, 메톡시아민, 2-에탄올아민, 메톡시에틸아민, 2-히드록시 프로필아민, 메톡시프로필 아민, 시아노에틸아민, 에톡시아민, n-부톡시아민, 2-헥실옥시아민, 메톡시에톡시에틸아민, 메톡시에톡시에톡시 에틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디에탄올아민, 헥사메틸렌아민, 모폴린, 피페리딘, 피페라진, 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 트리에틸렌디아민, 2,2-(에틸렌디옥시)비스에틸아민, 트리에틸아민, 트리에탄올아민, 피롤, 이미다졸, 피리딘, 아미노아세트알데하이드 디메틸 아세탈, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 아닐린, 아니시딘, 아미노벤조니트릴 및 벤질아민으로 이루어진 군에서 선택되는 아민, 상기 아민에서 유래된 아민기를 함유하는 고분자들, 또는 상기 아민기를 함유하는 고분자들이 2 이상 조합된 것을 포함할 수 있다.
이때, 상기 아민기를 함유하는 고분자란, 모든 종류의 아민기를 함유하는 공액 고분자 또는 폴리에틸렌이민(Polyethyleneimine, PEI), 폴리리신(Polylysine PLS), 또는 폴리아릴아민(Polyallylamine, PAA) 등의 비공액 고분자를 포함하는 개념으로 이해될 수도 있다.
기판(100) 상에 아민기를 포함하는 고분자 화합물 층(210)을 형성하는 방법은 기판(100) 상에 아민기를 포함하는 화합물을 함유하는 용액을 스핀 코팅법, 롤(roll) 코팅법, 스프레이 코팅법, 플로(flow) 코팅법, 잉크젯 프린팅법, 노즐 프린팅법, 딥 코팅법, 전기영동증착법, 테이프 캐스팅법, 스크린 프린팅법, 패드(pad) 프린팅법, 닥터 블레이드 코팅법, 그래비어 프린팅법, 그래비어 오프셋 프린팅법, 또는 랭뮈어-블로제트(Langmuir-Blogett)법을 사용하여 도포할 수 있다. 상기 용액 공정 이외에도 스퍼터 증착법, 전자선 증착법, 열증착법, 화학기상 증착법을 이용하여 기판(100) 상에 아민기를 포함하는 고분자 화합물 층(210)을 형성할 수도 있다.
금속층(220)은 금속 및 전이금속을 적어도 하나를 포함할 수 있다. 구체적으로 금속층(220)은 Ag, Cu, Au, Al, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Cd, In, Sn, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Tl, Pb, Bi, Ga, Ge, Sb, Ac, 및 Th로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
금속층(220)의 두께는 3~20nm일 수 있다. 금속층(220)은 아민기를 포함하는 고분자 화합물 층(210) 상에 스퍼터 증착법, 전자선 증착법, 열증착법, 화학기상 증착법 또는 용액공정에 의한 도포에 의하여 형성될 수 있다.
용액공정에 의하여 금속층(220)을 형성하는 경우, 금속-함유 용액은 금속을 적절한 용매에 용해시켜 제조할 수 있으며, 상기 용액의 농도는 통상의 기술자가 아민기-함유 화합물층에 도포할 수 있는 범위 내에서 적절히 조절할 수 있다.
상기 금속-함유 용액 제조에 사용되는 용매는 수성 용매, 비수성 용매 또는 이들의 혼합 용매를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 상기 용매는 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올과 같은 알코올류; 에틸렌글리콜, 글리세린과 같은 글리콜류; 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 카비톨아세테이트와 같은 아세테이트류; 디에틸에테르, 테트라히드로퓨란, 디옥산과 같은 에테르류; 메틸에틸케톤, 아세톤과 같은 케톤류; 헥산, 헵탄과 같은 탄화수소계; 벤젠, 톨루엔과 같은 방향족; 및 클로로포름이나 메틸렌클로라이드, 카본테트라클로라이드와 같은 할로겐 치환 용매 및 이들의 조합으로 이루어진 혼합용매 등을 포함할 수 있다.
상기 금속-함유 용액을 스핀 코팅법, 롤(roll) 코팅법, 스프레이 코팅법, 플로(flow) 코팅법, 잉크젯 프린팅법, 노즐 프린팅법, 딥 코팅법, 전기영동증착법, 테이프 캐스팅법, 스크린 프린팅법, 패드(pad) 프린팅법, 닥터 블레이드 코팅법, 그래비어 프린팅법, 그래비어 오프셋 프린팅법, 또는 랭뮈어-블로제트(Langmuir-Blogett)법을 사용하여 아민기를 포함하는 고분자 화합물 층(210) 상에 금속층(220)을 도포할 수 있다.
투명 전극층(200)은 패턴형성을 위한 공정에 의하여 패턴화될 수 있다. 패턴형성을 위한 공정은 공지기술에 의한 패턴형성과정을 따를 수 있으며 이에 대하여는 후술한다.
페이스트 층(300)은 패턴화된 투명 전극층(200) 상에 배치될 수 있다. 페이스트 층(300)은 투명 전극층(200)과 LED를 물리적으로 연결할 뿐만 아니라 전기적으로 연결할 수도 있다.
본 발명에 이용되는 기판(100)은 플렉시블 재질을 포함하기 때문에 150℃이상의 온도에서는 변형이 발생할 수 있다. 따라서 이러한 기판(100)을 이용한 공정은 상기 온도보다 낮은 온도에서 진행하는 것이 바람직하다.
페이스트 층(300)은 Ga, Bi, Pb, In, Sn 및 Hg를 포함하는 레이어로 형성될 수 있다. 이러한, 페이스트를 이용할 경우 저온소성이 가능하기 때문에 열에 의한 기판(100)의 변형이 방지될 수 있다. 따라서 상기 페이스트 층(300)을 이용할 경우 패턴화된 투명 전극층(200) 위에 엘이디(LED)를 연결하는 공정이 안정적으로 수행될 수 있다.
페이스트 층(300)은 페이스트를 제작하고, 제작된 페이스트를 투명 전극층(200) 상에 적용하여 형성될 수 있다. 페이스트는 Bi, Pb, In, Sn, Cd, Hg 및 Ga으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나 이상이 포함된 재료를 혼합하여 액체로 제조될 수 있다.
페이스트에 포함된 상기 원소들의 배합비를 조절하면, 페이스트의 온도 특성을 조절할 수 있다. 이에 따라, 페이스트의 소성온도 및 동작온도 등이 조절될 수 있다.
예를 들면, 100%의 Ga을 이용할 수 도 있다. 이 경우에 소자를 제작하는 공정온도가 30℃ 이하가 될 수 있다.
다른 예로, Bi(중량비 42.9%), Pb(중량비 21.7%), In(중량비 18.3%), Sn(중량비 8.0%), Cd(중량비 5.1%), Hg(중량비 4.0%)를 혼합한 재료를 사용할 경우 소자를 제작하는 공정온도가 43℃ 이하가 될 수 있다.
또 다른 예로, Ga(중량비 95%), In(중량비 5.0%)를 혼합한 재료를 사용할 경우 소자를 제작하는 공정온도가 25℃ 이하가 될 수 있다.
페이스트 층(300)은 위와 같은 재료에 의하여 준비된 페이스트를 패턴화된 전극위에 페이스팅(pasting)하고, 적당한 온도로 베이킹(baking)하여 솔더링(soldering)됨으로써 형성될 수 있다.
엘이디 층(400)은 페이스트 층(300) 상에 배치될 수 있다. 엘이디 층(400)은 페이스트 층(300) 상에 배치됨으로써 패턴화된 투명 전극층(200)과 전기적으로 연결될 수 있다. 엘이디 층(400)은 복수의 엘이디 칩(LED chip)을 포함하며, 개개의 엘이디 칩은 투명 전극층(200)의 패턴에 대응하여 배치될 수 있다.
엘이디 층(400)은 페이스트 층(300) 상에 엘이디 칩들이 배치된 후, 적절한 온도와 시간을 정하여 소성공정을 수행하여 형성될 수 있다.
페이스트 층(300)을 형성한 페이스트 성분에 따라서 소성공정을 위한 온도는 25℃ ~ 50℃ 사이일 수 있다. 온도는 가능하면 고분자층에 무리가 가지 않도록 50℃ 이하로 하는 것이 바람직하다. 베이킹(baking) 시간은 90초 내지 180초 사이의 시간 동안 지속될 수 있다. 상기 시간 동안 페이스트는 소성변형이 됨으로써 엘이티 칩들과 결합될 수 있다.
점착층(500)은 절연물질을 포함할 수 있다. 점착층(500)은 기판(100) 상부로부터 엘이디 칩의 적어도 일부를 커버하도록 형성될 수 있다. 점착층(500)은 엘이디 층(400), 페이스트 층(300), 투명 전극층(200) 및 기판(100) 사이의 접착력을 강화시킬 수 있고, 사용 시에 일시적인 소성변형에 의한 불량을 방지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 투명전극을 포함하는 표시 소자의 제조방법에 대응하는 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자의 형성과정을 나타낸 도면이다.
도 2 및 도 3를 참조하여 본 발명의 일실시예에 의한 투명전극을 포함하는 표시 소자의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
S201단계에서, 기판(100) 상의 투명 전극층(200)을 배치하고 패턴을 형성한다. S201단계는 기판(100) 상에 투명 전극층(200)을 형성하는 단계, 투명 전극층(200) 상에 포토레지스트 층(230)을 형성하는 단계, 포토레지스트 층(230) 상에 마스크(240)를 형성하는 단계, 자외선(UV, Ultraviolet rays)을 조사하고 현상하는 단계, 에칭공정 단계 및 스트리핑 공정 단계를 포함할 수 있다.
투명 전극층(200)은 상술한 소재와 공정방법에 의하여 형성될 수 있다. 기판(100) 상에 투명 전극층(200)을 형성하면, 도 3a와 같은 형태가 된다. 그 다음에 투명 전극층(200) 상에 포토레지스트 층(230)을 형성할 수 있다(도 3b). 포토레지스트 층(230) 상에는 원하는 패턴이 형성된 마스크(240)를 배치하고(도 3b), 자외선을 조사(도 3d)한 후 현상하면 도 3e와 같이 패턴이 형성된 포토레지스트 층(230)을 제공할 수 있다. 이후, 에칭공정을 통하여 패턴화된 포토레지스트 층(230)에 대응되는 투명 전극층(200) 부분을 제거할 수 있으며, 투명 전극층(200)은 포토레지스트 층(230)의 패턴에 대응하도록 패턴이 형성된다(도 3f). 이후 스트리핑(stripping) 공정에 의하여 포토레지스트 층(230)을 제거되면 원하는 패턴의 투명 전극층(200)이 형성될 수 있다.
S203단계에서, 투명 전극층(200) 상에 페이스트 층(300)을 형성한다. 페이스트 층(300)은 Bi, Pb, In, Sn, Cd, Hg 및 Ga으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나 이상이 포함된 재료를 혼합하여 액체로 제조될 수 있다.
S205단계에서, 페이스트 층(300) 상에 엘이디 층(400)을 형성한다. 엘이디 층(400)은 패턴화된 투명 전극층(200) 상의 페이스트 층(300)에 의하여 연결되는 복수의 엘이디 칩을 포함한다. 엘이디 칩은 솔더링된 페이스트 상에 각각 배치된 후, 소성 공정에 의하여 페이스트와 결합될 수 있다. 각각의 엘이디 칩은 페이스트 특성에 의하여 투명 전극층(200)과 전기적으로 연결되며, 이렇게 연결된 엘이디 칩을 포함하는 엘이디 층(400)은 플렉시블(flexible) 특성을 지닐 수 있다.
S207단계에서, 후처리를 한다. 후처리의 종류는 다양하나 본 발명의 일실시예에서는 점착층(500)의 형성을 예시한다. 점착층(500)은 기판(100) 상부로부터 엘이디 칩의 적어도 일부를 커버하도록 형성될 수 있다. 점착층(500)은 엘이디, 페이스트 층(300), 투명 전극층(200) 및 기판(100) 사이의 접착력을 강화시킬 수 있고, 사용 시에 일시적인 소성변형에 의한 불량을 방지할 수 있다. 또한, 점착층(500)은 절연물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자는 플렉시블 특성 및 광투과도가 뛰어나며 광고용 투명 디스플레이에 활용할 수 있는 특징이 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자의 제조방법은 저온 소성이 가능하여 제조과정에서의 불량률을 현저히 낮출 수 있는 효과가 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
100: 기판
200: 전극층
210: 고분자 화합물 층
220: 금속층
230: 포토레지스트층
240: 마스크
300: 페이스트 층
400: 엘이디 층
500: 점착층

Claims (5)

  1. 플렉시블 투명 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 투명 전극층;
    상기 투명 전극층 상에 배치되는 페이스트 층; 및
    상기 페이스트 층 상에 배치되는 엘이디(LED) 층;을 포함하되,
    상기 투명 전극층은,
    아민기를 포함하는 고분자 화합물 층; 및 금속층;을 포함하는 것
    을 특징으로 하는 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 페이스트 층은, Bi, Pb, In, Sn, Cd, Hg 및 Ga으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것
    을 특징으로 하는 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자.
  3. 삭제
  4. 플렉시블 투명 기판 상에 투명 전극층을 배치하고 패턴을 형성하는 단계;
    상기 패턴화된 투명 전극층에 페이스트 층을 형성하는 단계; 및
    상기 페이스트 층 상에 엘이디(LED) 층을 형성하는 단계;를 포함하되,
    상기 투명 전극층은,
    아민기를 포함하는 고분자 화합물 층 및 금속층을 포함하는 것
    을 특징으로 하는 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 페이스트 층을 형성하는 단계는,
    Bi, Pb, In, Sn, Cd, Hg 및 Ga으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 재료를 배합하여 페이스트를 제작하는 단계; 및
    상기 페이스트를 상기 투명 전극층 상에 적용하는 단계;를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 플렉시블 투명전극을 포함하는 표시 소자의 제조방법.
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KR20210012856A (ko) 2019-07-24 2021-02-03 한솔테크닉스(주) 투명 발광 장치

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