KR101963008B1 - Light emitting device package and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 기판; 상기 기판 상에 형성된 발광다이오드 칩; 상기 발광다이오드 칩을 둘러싸고, 내측면이 반사면을 이루는 측벽; 상기 측벽 상에 형성되고, 상기 발광다이오드 칩과 이격된 파장변환부; 및 상기 발광다이오드 칩과 대응되도록 상기 파장변환부 하부에 형성되고, 상기 발광다이오드 칩과 이격된 적어도 하나 이상의 반사부를 포함한다.The present invention discloses a light emitting diode package and a method of manufacturing the same. A light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes a substrate; A light emitting diode chip formed on the substrate; A sidewall surrounding the light emitting diode chip, the sidewall having an inner surface forming a reflective surface; A wavelength converter formed on the sidewall and spaced apart from the light emitting diode chip; And at least one reflector formed below the wavelength conversion unit to correspond to the LED chip and spaced apart from the LED chip.

Description

발광다이오드 패키지 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode package,

본 발명은 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광다이오드 칩과 파장변환부 사이에 반사부를 포함하는 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode package and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a light emitting diode package including a reflective portion between a light emitting diode chip and a wavelength conversion portion and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 액정표시장치(LCD, Liquid Crystal Display)는 두께가 얇고 무게가 가벼우며 전력소모가 낮은 장점이 있어, 모니터, 노트북, 휴대폰, 대형 텔레비전 등에 사용된다.In general, a liquid crystal display (LCD) is thin, light in weight and low in power consumption, and is used in monitors, notebooks, mobile phones, and large televisions.

상기 액정표시장치는 액정의 광 투과율을 이용하여 영상을 표시하는 액정표시패널(LCP, Liquid Crystal Panel) 및 상기 액정표시패널의 하부에 배치되어 상기 액정표시패널로 광을 제공하는 백라이트 어셈블리(Backlight Assembly)를 포함한다.The liquid crystal display device includes a liquid crystal panel (LCP) for displaying an image using light transmittance of a liquid crystal, and a backlight assembly (LCD) disposed under the liquid crystal display panel for providing light to the liquid crystal display panel. ).

상기 백라이트 어셈블리는 상기 액정표시패널에 영상을 표시하는데 필요한 광을 발생시키는 광원들을 포함한다. 예를 들어, 상기 광원들은 냉음극 형광램프(CCFL, Cold Cathode Fluorescent Lamp), 외부전극 형광램프(EEFL, External Electrode Fluorescent Lamp), 평판 형광램프(FFL, Flat Fluorescent Lamp), 발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)일 수 있다.The backlight assembly includes light sources that generate light necessary to display an image on the liquid crystal display panel. For example, the light sources may include a cold cathode fluorescent lamp (CCFL), an external electrode fluorescent lamp (EEFL), a flat fluorescent lamp (FFL), a light emitting diode (LED) Emitting Diode).

최근에는 소비 전력이 낮고 환경 친화적인 발광다이오드가 널리 이용되고 있다. 발광다이오드는 발광다이오드 패키지 형태로 액정표시장치의 광원으로 이용될 수 있다.In recent years, light emitting diodes having low power consumption and being environmentally friendly have been widely used. The light emitting diode may be used as a light source of a liquid crystal display device in the form of a light emitting diode package.

상기 발광다이오드 패키지는, 예를 들어, 패키지 본체의 내부에 발광다이오드 칩을 내장하고, 기판에 패키지 본체를 부착하는 형태이거나 또는 발광다이오드 칩을 기판에 직접 부착하는 방식의 칩 온 보드(Chip on Board) 타입일 수 있다.The light emitting diode package may include, for example, a light emitting diode chip embedded in a package body, a package body attached to a substrate, or a chip on board in which a light emitting diode chip is directly attached to a substrate. ) Type.

발광다이오드 칩은 적색 발광다이오드 칩, 녹색 발광다이오드 칩 또는 청색 발광다이오드 칩일 수 있다. 발광다이오드 모듈은 적색 발광다이오드 칩, 녹색 발광다이오드 칩 및 청색 발광다이오드 칩을 포함할 수 있고, 복수의 발광다이오드 칩들에서 제공되는 광을 혼합하여 백색 광을 출력할 수 있다.The light emitting diode chip may be a red light emitting diode chip, a green light emitting diode chip, or a blue light emitting diode chip. The light emitting diode module may include a red light emitting diode chip, a green light emitting diode chip, and a blue light emitting diode chip, and may mix white light provided by a plurality of light emitting diode chips.

발광다이오드를 이용하여 백색 광을 구현하기 위해서는 다양한 방법이 있으나, 현재 가장 일반적인 것은 InGaN(Indium Gallium Nitride) 물질로 구성되어 430 nm 내지 470 nm의 청색 광을 발광하는 발광다이오드(화합물 반도체) 칩과 상기 청색 광을 일부 흡수하여 흡수한 파장보다 장파장으로 변환하여 발광하는 형광체를 조합하는 방법이 있다.In order to realize white light using a light emitting diode, there are various methods. Currently, the most common one is a light emitting diode (compound semiconductor) chip composed of InGaN (Indium Gallium Nitride) material and emitting blue light of 430 nm to 470 nm, There is a method of combining a phosphor which absorbs a part of blue light and converts to a longer wavelength than the wavelength absorbed to emit light.

이때 사용되는 형광체는 파우더 형태로 되어 있기 때문에 이를 사용하기 위해서는 에폭시(Epoxy), 실리콘(Silicon) 등의 액상 수지에 혼합하여 패키지 내부에 디스펜싱(Dispensing)하는 방법, 발광다이오드 칩에 직접 코팅(Coating)하는 방법 또는 형광체가 혼합된 액상 수지로 미리 시트(Sheet)를 제작하여 리모트 형광체(Remote Phosphor)로 구성하는 방법 등이 있다.In order to use the phosphor, the phosphor is mixed with a liquid resin such as an epoxy or a silicone to be dispensed in the package, a method of directly coating the light emitting diode chip, ) Or a method of preparing a sheet with a liquid resin mixed with a phosphor in advance and constructing it with a remote phosphor (Remote Phosphor).

한편, 지금까지의 발광다이오드 제품은 0.5 와트(W) 내지 1 와트 급의 미드파워(Mid-Power) 중심으로 제작되었기 때문에 발광다이오드 패키지에서 온도가 가장 높은 부분은 발광다이오드 칩이었고, 이러한 발광다이오드 제품의 신뢰성, 광 안정성 및 전기적 안정성을 유지하기 위해서 발광다이오드 칩의 접합온도(Junction Temperature)를 낮추는 기술들이 많이 개발되어 왔다.Meanwhile, since the light-emitting diode products so far have been manufactured with a mid-power center of 0.5 watt (W) to 1 watt, the portion of the light-emitting diode package that has the highest temperature was the light-emitting diode chip, Many techniques have been developed to lower the junction temperature of light emitting diode chips in order to maintain reliability, light stability, and electrical stability.

하지만 최근 들어 조명, 자동차 등에 적용되는 수십 와트 급의 발광다이오드 제품이 나오면서 발광다이오드 칩의 접합온도보다 형광체층의 온도가 더 높아지게 되었고, 이로 인해 형광체의 효율저하, 색온도(CCT, Correlated Color Temperature) 변화가 발생될 수 있으며, 형광체 파우더의 바인더 역할을 하고 있는 유기물질(실리콘, 에폭시)의 균열(Crack) 및 그로 인한 패키지 와이어 단락 등의 치명적 불량이 발생될 수 있다.In recent years, however, due to the introduction of LEDs of several tens of watts, which are applied to lighting, automobiles, etc., the temperature of the phosphor layer has become higher than the junction temperature of the LED chip. As a result, the efficiency of the phosphor, And cracks of organic materials (silicon, epoxy) serving as a binder of the phosphor powder and fatal defects such as short-circuiting of the package wire due to the cracks may occur.

따라서 이러한 형광체층의 온도 상승의 주요 원인 중 하나인 광 흡수(Light Absorption)를 줄일 수 있는 다양한 구조의 발광다이오드 모듈의 개발이 필요하다.Therefore, it is necessary to develop a light emitting diode module having various structures that can reduce light absorption, which is one of the main causes of temperature rise of the phosphor layer.

대한민국공개특허공보 제10-2010-0050045호(2010.05.13), "파장변환형 발광 장치"Korean Patent Publication No. 10-2010-0050045 (2010.05.13), "Wavelength conversion type light emitting device" 대한민국등록특허공보 제10-0888438호(2009.03.05), "백색 발광소자 및 그 제조방법"Korean Patent Registration No. 10-0888438 (2009.03.05), "White light emitting device and method for manufacturing the same" 대한민국공개특허공보 제10-2014-0095723호(2014.08.04), "발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치"Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2014-0095723 (Apr. 2014.08.04), "Light Emitting Device and Lighting Device Including the Same"

본 발명의 실시예는 발광다이오드 칩과 파장변환부 사이에 형성된 반사부를 구비한 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.An embodiment of the present invention is to provide a light emitting diode package having a reflective portion formed between a light emitting diode chip and a wavelength conversion portion and a method of manufacturing the same.

본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 발광다이오드 칩; 상기 발광다이오드 칩을 둘러싸고, 내측면이 반사면을 이루는 측벽; 상기 측벽 상에 형성되고, 상기 발광다이오드 칩과 이격된 파장변환부; 및 상기 발광다이오드 칩과 대응되도록 상기 파장변환부 하부에 형성되고, 상기 발광다이오드 칩과 이격된 적어도 하나 이상의 반사부를 포함한다.A light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes a substrate; A light emitting diode chip formed on the substrate; A sidewall surrounding the light emitting diode chip, the sidewall having an inner surface forming a reflective surface; A wavelength converter formed on the sidewall and spaced apart from the light emitting diode chip; And at least one reflector formed below the wavelength conversion unit to correspond to the LED chip and spaced apart from the LED chip.

본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서, 상기 반사부는 상기 파장변환부 면적의 50% 이하의 면적을 가질 수 있다.In the light emitting diode package according to the embodiment of the present invention, the reflective portion may have an area of 50% or less of the area of the wavelength conversion portion.

상기 반사부는 사각형, 삼각형, 역삼각형 또는 반원형의 형상을 가질 수 있다.The reflector may have a rectangular, triangular, inverted triangular or semicircular shape.

상기 반사부는 반사물질을 포함하는 실리콘, 이엠씨(EMC), 피피에이(PPA) 수지 및 피씨티(PCT) 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The reflective portion may include at least one selected from the group consisting of silicon, EMC, PPA, and PCT resins including a reflective material.

상기 반사물질은 TiO2, BaSO4 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.The reflective material may comprise TiO 2, BaSO 4 or a combination thereof.

본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서, 상기 발광다이오드 칩은 InGaN 또는 InAlGaN의 질화물계 화합물을 포함할 수 있다.In the light emitting diode package according to the embodiment of the present invention, the light emitting diode chip may include a nitride compound of InGaN or InAlGaN.

본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서, 상기 파장변환부는 파장변환물질 및 바인더를 포함할 수 있다.In the light emitting diode package according to the embodiment of the present invention, the wavelength conversion unit may include a wavelength conversion material and a binder.

상기 파장변환물질은 가넷, 실리케이트, 황화물, 산질화물, 질화물 및 알루미네이트로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The wavelength converting material may include at least one selected from the group consisting of garnet, silicate, sulfide, oxynitride, nitride and aluminate.

상기 바인더는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The binder may include a silicone-based or epoxy-based resin.

상기 파장변환부는 열전도율 향상 물질을 더 포함할 수 있다.The wavelength converter may further include a thermal conductivity enhancement material.

상기 열전도율 향상 물질은 가넷, 실리케이트, 황화물, 산질화물, 질화물, 알루미네이트, TiO2, SiO2, Al2O3 및 ZrO2으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The thermal conductivity improving material may include at least one selected from the group consisting of garnet, silicate, sulfide, oxynitride, nitride, aluminate, TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 and ZrO 2 .

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는, 발광다이오드 칩; 상기 발광다이오드 칩 상에 형성된 적어도 하나 이상의 반사부; 및 상기 발광다이오드 칩을 둘러싸도록 형성된 파장변환부를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package including: a light emitting diode chip; At least one reflector formed on the light emitting diode chip; And a wavelength conversion unit configured to surround the light emitting diode chip.

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서, 상기 반사부는 상기 발광다이오드 칩 면적의 50% 이하의 면적을 가질 수 있다.In the light emitting diode package according to another embodiment of the present invention, the reflective portion may have an area of 50% or less of the area of the LED chip.

상기 반사부는 사각형, 삼각형, 역삼각형 또는 반원형의 형상을 가질 수 있다.The reflector may have a rectangular, triangular, inverted triangular or semicircular shape.

상기 반사부는 반사물질을 포함하는 실리콘, 이엠씨(EMC), 피피에이(PPA) 수지 및 피씨티(PCT) 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The reflective portion may include at least one selected from the group consisting of silicon, EMC, PPA, and PCT resins including a reflective material.

상기 반사물질은 TiO2, BaSO4 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.The reflective material may comprise TiO 2, BaSO 4 or a combination thereof.

본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법은, 내측면이 반사면을 이루는 측벽이 결합된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 발광다이오드 칩을 실장하는 단계; 파장변환부 하부에 적어도 하나 이상의 반사부를 형성하는 단계; 및 상기 측벽 상에 상기 발광다이오드 칩과 이격되도록 상기 파장변환부를 결합하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a light emitting diode package, including: preparing a substrate having a sidewall having an inner surface as a reflective surface; Mounting a light emitting diode chip on the substrate; Forming at least one reflective portion under the wavelength conversion portion; And coupling the wavelength converter to the side wall to be spaced apart from the LED chip.

본 발명의 실시예에 따르면, 발광다이오드 칩과 파장변환부 사이에 형성된 반사부에 의해 파장변환부에 흡수되는 광 에너지를 감소시켜 파장변환부의 온도를 낮출 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the light energy absorbed by the wavelength converter can be reduced by the reflector formed between the light emitting diode chip and the wavelength converter, thereby lowering the temperature of the wavelength converter.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 파장변환부에 더 포함된 열전도율 향상 물질에 의해 파장변환부의 열전도율을 향상시켜 발광다이오드 패키지 외부로 열을 용이하게 방출시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the thermal conductivity of the wavelength converting portion can be improved by the thermal conductivity improving material included in the wavelength converting portion, so that heat can be easily emitted to the outside of the light emitting diode package.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 2a 내지 도 2d는 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서 다양한 형상 또는 개수를 갖는 반사부를 나타낸 단면도이다.
도 3은 발광다이오드 패키지의 발광다이오드 칩에서 발광되는 광 분포를 나타낸 그래프이다.
도 4는 발광다이오드 패키지의 광 반사 차수에 따른 파장변환부의 흡수 에너지 변화를 나타낸 그래프이다.
도 5는 발광다이오드 패키지의 파장변환부 면적 대비 반사부 면적에 따른 광 효율 변화를 나타낸 그래프이다.
도 6은 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 7은 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서 복수 개의 반원형상의 반사부를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a first embodiment.
2A to 2D are cross-sectional views illustrating a reflective portion having various shapes or numbers in the LED package according to the first embodiment.
3 is a graph showing a distribution of light emitted from a light emitting diode chip of a light emitting diode package.
FIG. 4 is a graph showing changes in absorption energy of a wavelength converter according to the degree of reflection of light in a light emitting diode package.
5 is a graph showing a change in light efficiency according to the area of the reflective portion versus the wavelength conversion portion of the light emitting diode package.
6 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a second embodiment.
7 is a cross-sectional view showing a plurality of semicircular-shaped reflectors in the LED package according to the second embodiment.

이하 첨부 도면들 및 첨부 도면들에 기재된 내용들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and accompanying drawings, but the present invention is not limited to or limited by the embodiments.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.

본 명세서에서 사용되는 "실시예", "예", "측면", "예시" 등은 기술된 임의의 양상(aspect) 또는 설계가 다른 양상 또는 설계들보다 양호하다거나, 이점이 있는 것으로 해석되어야 하는 것은 아니다.As used herein, the terms "embodiment," "example," "side," "example," and the like should be construed as advantageous or advantageous over any other aspect or design It does not.

또한, '또는' 이라는 용어는 배타적 논리합 'exclusive or'이기보다는 포함적인 논리합 'inclusive or'를 의미한다. 즉, 달리 언급되지 않는 한 또는 문맥으로부터 명확하지 않는 한, 'x가 a 또는 b를 이용한다'라는 표현은 포함적인 자연 순열들(natural inclusive permutations) 중 어느 하나를 의미한다.Also, the term 'or' implies an inclusive or 'inclusive' rather than an exclusive or 'exclusive'. That is, unless expressly stated otherwise or clear from the context, the expression 'x uses a or b' means any of the natural inclusive permutations.

또한, 본 명세서 및 청구항들에서 사용되는 단수 표현("a" 또는 "an")은, 달리 언급하지 않는 한 또는 단수 형태에 관한 것이라고 문맥으로부터 명확하지 않는 한, 일반적으로 "하나 이상"을 의미하는 것으로 해석되어야 한다.Also, the phrase "a" or "an ", as used in the specification and claims, unless the context clearly dictates otherwise, or to the singular form, .

또한, 막, 층, 영역, 구성 요청 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 층, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.It will also be understood that when an element such as a film, layer, region, configuration request, etc. is referred to as being "on" or "on" another element, And the like are included.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a first embodiment.

도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(100)는 기판(110), 발광다이오드 칩(120), 측벽(130), 파장변환부(140) 및 적어도 하나 이상의 반사부(150)를 포함한다. 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(100)는 리모트 형광체(Remote phosphor) 구조일 수 있다.1, the light emitting diode package 100 according to the first embodiment includes a substrate 110, a light emitting diode chip 120, a side wall 130, a wavelength converter 140, and at least one reflector 150 ). The light emitting diode package 100 according to the first embodiment may have a remote phosphor structure.

기판(110)은 발광다이오드 칩(120)으로 전기를 공급하기 위한 전기회로를 가질 수 있다.The substrate 110 may have an electrical circuit for supplying electricity to the light emitting diode chip 120.

기판(110)은 실리콘 기판, 금속 기판, 세라믹 기판 또는 수지 기판일 수 있다. 기판(110) 자체가 전도성을 갖는 경우에는 기판(110)의 외부면 상에 절연막이 코팅되어 있을 수 있다.The substrate 110 may be a silicon substrate, a metal substrate, a ceramic substrate, or a resin substrate. When the substrate 110 itself has conductivity, an insulating film may be coated on the outer surface of the substrate 110. [

기판(110)은 소자 영역 및 주변 영역을 가질 수 있다. 상기 소자 영역은 후술하는 발광다이오드 칩(120)이 실장되는 영역이고, 상기 주변 영역은 그 외의 영역일 수 있다.The substrate 110 may have an element region and a peripheral region. The device region may be a region where a light emitting diode chip 120 described later is mounted, and the peripheral region may be another region.

실시예에 따라, 기판(110)의 소자 영역 상에 서로 이격하는 제1 및 제2 본딩 패드(미도시)가 위치할 수 있다. 기판(110)의 외부에는 상기 본딩 패드들에 각각 연결된 외부 연결단자들(미도시)이 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드들 및 상기 외부 연결단자들은 리드 프레임(미도시)에 구비된 것들일 수 있다.According to an embodiment, first and second bonding pads (not shown) may be located on the device region of the substrate 110 that are spaced apart from one another. External connection terminals (not shown) connected to the bonding pads may be disposed outside the substrate 110. The bonding pads and the external connection terminals may be provided in a lead frame (not shown).

발광다이오드 칩(LED Chip)(120)은 기판(110) 상에 형성된다. 구체적으로, 발광다이오드 칩(120)은 기판(110)상에 플립본딩 또는 본딩페이스트로 실장되고, 본딩와이어 또는 플립방식으로 전기적으로 연결될 수 있다.A light emitting diode chip (LED chip) 120 is formed on the substrate 110. Specifically, the light emitting diode chip 120 is mounted on the substrate 110 by flip bonding or bonding paste, and may be electrically connected by a bonding wire or a flip method.

발광다이오드 칩(120)은 기판(110)의 전기회로로부터 공급받은 전기에 의해 발광함으로써 광을 발생시킬 수 있다.The light emitting diode chip 120 can generate light by emitting light by electricity supplied from the electric circuit of the substrate 110.

구체적으로, 발광다이오드 칩(120)은 전기에너지를 광에너지로 변환시켜주는 광반도체를 이용한 광원일 수 있다. 발광다이오드 칩(120)은 p형 반도체와 n형 반도체의 이종 접합 구조를 가질 수 있다.Specifically, the light emitting diode chip 120 may be a light source using an optical semiconductor for converting electric energy into light energy. The light emitting diode chip 120 may have a heterojunction structure of a p-type semiconductor and an n-type semiconductor.

발광다이오드 칩(120)은 제1 도전형(예를 들어, p형)의 제1 도전층, 제2 도전형(예를 들어, n형)의 제2 도전층, 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층 사이에 배치된 발광층, 상기 제1 도전층과 연결된 제1 칩 전극(양극), 상기 제2 도전층과 연결된 제2 칩 전극(음극) 등을 포함할 수 있다.The light emitting diode chip 120 includes a first conductive layer of a first conductive type (e.g., p-type), a second conductive layer of a second conductive type (e.g., n-type) A light emitting layer disposed between the second conductive layers, a first chip electrode (anode) connected to the first conductive layer, a second chip electrode (cathode) connected to the second conductive layer, and the like.

발광다이오드 칩(120)에 순방향의 구동 바이어스가 인가되면, 발광층에서 제1 도전층의 캐리어(즉, 홀)와 제2 도전층의 캐리어(즉, 전자)가 만나 결합하면서 광이 발생된다.When forward driving bias is applied to the light emitting diode chip 120, light is generated while the carriers (i.e., holes) of the first conductive layer and the carriers (i.e., electrons) of the second conductive layer meet and combine in the light emitting layer.

발광다이오드 칩(120)은 InGaN 또는 InAlGaN의 질화물계 화합물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 발광다이오드 칩(120)의 발광층은 InxAlyGa(1-x-y)N (0<x≤1, 0≤y≤1)로 이루어질 수 있다. 이러한 발광다이오드 칩(120)은 InAlGaN 계열로 이루어질 경우 250 nm 범위의 자외선을 발광할 수 있고, InGaN 계열로 이루어질 경우 480 nm 범위의 청색 광을 발광할 수 있다.The light emitting diode chip 120 may include a nitride compound of InGaN or InAlGaN. Specifically, the light emitting layer of the light emitting diode chip 120 may be made of In x Al y Ga (1-xy) N (0 <x? 1, 0? Y ? The light emitting diode chip 120 can emit ultraviolet light in the range of 250 nm when it is made of InAlGaN series and can emit blue light of 480 nm when it is made of InGaN series.

즉, 발광다이오드 칩(120)은 자외선 발광다이오드 칩 또는 청색 발광다이오드 칩일 수 있다.That is, the light emitting diode chip 120 may be an ultraviolet light emitting diode chip or a blue light emitting diode chip.

측벽(130)은 발광다이오드 칩(120)을 둘러싸도록 형성되고, 기판(110)과 결합될 수 있다.The side wall 130 is formed to surround the light emitting diode chip 120 and can be coupled to the substrate 110.

측벽(130)은 다양한 소재를 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 측벽(130)은 실리콘, 스트레인 실리콘(strained Si), 실리콘 합금, SOI(Silicon-On-Insulator), 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘 게르마늄(SiGe), 실리콘 게르마늄 카바이드(SiGeC), 게르마늄, 게르마늄 합금, 갈륨 아세나이드(GaAs), 인듐 아세나이드(InAs), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 세라믹 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.The side wall 130 may be formed using various materials. For example, the sidewall 130 may comprise one or more of silicon, strained Si, a silicon alloy, a silicon-on-insulator (SOI), silicon carbide (SiC), silicon germanium (SiGe), silicon germanium carbide (SiGeC) , Germanium alloy, gallium arsenide (GaAs), indium arsenide (InAs), aluminum nitride (AlN), ceramics, or a combination thereof.

또한, 측벽(130)은 사출이 용이한 폴리머(polymer)계 수지를 이용하여 형성될 수 있다. 이러한 폴리머계 수지로는 예를 들어, PPA(Polyphthalamide) 또는 LCP(Liquid Crystal Polymer) 등과 같이 고온에서 열변형성이 우수한 재질이 이용될 수 있다.In addition, the side wall 130 may be formed using a polymer resin which is easy to be injected. As such a polymer-based resin, for example, a material excellent in thermal deformation at a high temperature such as PPA (Polyphthalamide) or LCP (Liquid Crystal Polymer) can be used.

측벽(130)의 내측면은 반사면을 이룬다. 구체적으로, 측벽(130)은 내측면으로서 오목한 형태의 경사진 반사면을 가질 수 있다. 여기서, 발광다이오드 칩(120)은 경사진 반사면에 노출되도록 형성되며, 경사진 반사면은 발광다이오드 칩(120)으로부터 발생된 광을 반사할 수 있다.The inner surface of the side wall 130 forms a reflecting surface. Specifically, the side wall 130 may have an inclined reflecting surface of a concave shape as an inner surface. Here, the light emitting diode chip 120 is formed to be exposed to the inclined reflection surface, and the inclined reflection surface can reflect the light generated from the LED chip 120.

실시예에 따라, 측벽(130)은 내측면 부분만 별도의 물질로 이루어질 수 있다.According to an embodiment, only the inner side portion of the side wall 130 may be made of a separate material.

파장변환부(140)는 측벽(130) 상에 형성되고, 발광다이오드 칩(120)과 이격되도록 형성된다. 즉, 측벽(130)은 파장변환부(140)가 발광다이오드 칩(120)과 이격되어 일정한 거리를 유지하도록 지지할 수 있다.The wavelength conversion unit 140 is formed on the side wall 130 and spaced apart from the light emitting diode chip 120. That is, the side wall 130 can support the wavelength conversion unit 140 to be spaced apart from the light emitting diode chip 120 to maintain a constant distance.

파장변환부(140)는 발광다이오드 칩(120)으로부터 방출된 광을 여기광으로 하여 파장을 변환할 수 있다.The wavelength converting unit 140 may convert the wavelength using the light emitted from the light emitting diode chip 120 as the excitation light.

파장변환부(140)는 파장변환물질(형광체) 및 바인더를 포함할 수 있다. 구체적으로, 파장변환부(140)는 발광다이오드 칩(120)으로부터 방출된 광의 파장을 변환시킬 수 있는 형광체와 같은 물질 및 이를 고정시키는 역할을 하는 바인더로 구성될 수 있다.The wavelength converting unit 140 may include a wavelength conversion material (phosphor) and a binder. Specifically, the wavelength converting unit 140 may include a material such as a phosphor capable of changing the wavelength of the light emitted from the light emitting diode chip 120 and a binder that serves to fix the material.

파장변환물질은 가넷(Garnet)(YAG, TAG), 실리케이트(Silicate), 황화물(Sulfide), 산질화물(Oxynitride), 질화물(Nitride), 알루미네이트(aluminate) 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.The wavelength conversion material may be composed of Garnet (YAG, TAG), Silicate, Sulfide, Oxynitride, Nitride, Aluminate, or a combination thereof.

구체적으로, 상기 파장변환물질은 Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 질화물계/산질화물계 형광체, Eu 등의 란타노이드계, Mn 등의 천이 금속계의 원소에 의해 주로 활력을 받는 알칼리토류 할로겐 애퍼타이트 형광체, 알칼리토류 금속 붕산 할로겐 형광체, 알칼리토류 금속 알루민산염 형광체, 알칼리토류 규산염, 알칼리토류 유화물, 알칼리토류 티오갈레이트, 알칼리토류 질화 규소, 게르만산염, 또는 Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 희토류 알루민산염, 희토류 규산염 또는 Eu 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 유기 및 유기 착체 등에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 다만, 이로 한정되는 것은 아니다.Specifically, the wavelength conversion material is mainly composed of nitride-based / oxynitride-based phosphors which are mainly vitiated by lanthanoid-based elements such as Eu and Ce, lanthanides such as Eu, and transition metal-based elements such as Mn, Alkaline earth metal borate halogen phosphors, alkaline earth metal aluminate phosphors, alkaline earth silicates, alkaline earth emulsions, alkaline earth thiogallates, alkaline earth nitrides, germanates, or lanthanides such as Ce Organic rare earth aluminates, rare earth silicates or organic and organic complexes which are mainly energized by lanthanoid elements such as Eu, which are mainly energized by the nodide-based elements. However, the present invention is not limited thereto.

바인더는 파장변환물질을 고정시킬 수 있는 실리콘계 또는 에폭시계의 유기물 수지를 포함할 수 있다. 또한, 바인더는 유무기 하이브리드 타입일 수 있다.The binder may include a silicone-based or epoxy-based organic resin capable of fixing the wavelength converting material. In addition, the binder may be an organic or inorganic hybrid type.

바인더에는 발광다이오드 칩(120)으로부터 발광되는 청색광 및 파장변환물질로부터 변환 발광되는 장파장광이 일부 흡수될 수 있다. 이렇게 흡수된 광 에너지는 재복사 적외선(Re-radiant IR) 형태로 방출되는데, 이로 인해 파장변환부(140)의 온도가 상승하게 된다.The blue light emitted from the light emitting diode chip 120 and the long wavelength light converted and emitted from the wavelength conversion material may be partially absorbed in the binder. The absorbed light energy is emitted in the form of Re-radiant IR, which causes the temperature of the wavelength converter 140 to rise.

또한, 바인더로 사용되는 실리콘, 에폭시 등의 유기물 수지는 열전도율이 약 0.5 W/mK 이하로 매우 낮기 때문에 내부에서 발생되는 열이 외부로 방출되는 것이 용이하지 않아 내부에 계속해서 축적되게 되어 결국 고출력 발광다이오드 제품에서는 파장변환부(140)의 온도가 발광다이오드 칩(120)의 온도보다 더 높아지는 경우가 발생하게 된다.Since the organic resin such as silicon or epoxy used as a binder has a very low thermal conductivity of about 0.5 W / mK or less, it is not easy for the heat generated from the inside to be discharged to the outside, The temperature of the wavelength converter 140 may be higher than the temperature of the light emitting diode chip 120 in the diode product.

이에, 본 발명의 실시예에서는 구조적으로 발광다이오드 칩(120)과 파장변환부(140) 사이에 고반사율을 갖는 물질로 이루어진 반사부(150)를 삽입함으로써, 파장변환부(140)의 중심부로 직접 입사되는 청색광을 줄여주어 파장변환부(140)에 흡수되는 광 에너지를 감소시켜 파장변환부(140)의 온도를 낮출 수 있다. 반사부(150)에 대해서는 추후 상세히 설명하기로 한다.Therefore, in the embodiment of the present invention, by inserting the reflector 150 made of a material having a high reflectance between the light emitting diode chip 120 and the wavelength converter 140 structurally, It is possible to reduce the direct incident blue light to reduce the light energy absorbed by the wavelength converting unit 140, thereby lowering the temperature of the wavelength converting unit 140. The reflection unit 150 will be described later in detail.

파장변환부(140)는 열전도율 향상 물질을 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 열전도율 향상 물질은 파장변환부(140)에 포함되어 파장변환부(140)의 열전도율을 향상시킬 수 있다.The wavelength converting unit 140 may further include a thermal conductivity improving material. Specifically, the thermal conductivity enhancement material may be included in the wavelength conversion unit 140 to improve the thermal conductivity of the wavelength conversion unit 140.

열전도율 향상 물질은 가넷, 실리케이트, 황화물, 산질화물, 질화물, 알루미네이트, TiO2, SiO2, Al2O3, ZrO2 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.Improve thermal conductivity material may be formed of garnet, silicate, sulfide, oxynitride, nitride, and aluminate, TiO 2, SiO 2, Al 2 O 3, ZrO 2 , or a combination thereof.

구체적으로, 파장변환부(140)는 가넷, 실리케이트, 황화물, 산질화물, 질화물 및/또는 알루미네이트와 같은 파장변환물질을 이용하여 열전도율을 향상시킬 수 있고, 형광체의 농도 증가가 어려울 경우, TiO2, SiO2, Al2O3 및/또는 ZrO2와 같은 세라믹 계열의 필러(filler) 물질을 추가 혼합하여 색 좌표의 변화 없이 열전도율을 향상시킬 수 있다.Specifically, when it is difficult that the wavelength conversion portion 140 is garnet, silicate, sulfide, oxynitride, nitride and / or it is possible to improve the thermal conductivity by using a wavelength conversion material such as an aluminate, a concentration increase of the fluorescent substance, TiO 2 , Ceramic based filler materials such as SiO 2 , Al 2 O 3 and / or ZrO 2 may be further mixed to improve the thermal conductivity without changing color coordinates.

파장변환부(140)가 일정 농도 이상의 파장변환물질 또는 파장변환물질 및 필러가 혼합된 것으로 이루어질 경우, 파장변환부(140)의 열전도율은 급격하게 상승될 수 있기 때문에 파장변환부(140)에서 발생 및 축적되는 열을 외부로 쉽게 방출시킬 수 있다.When the wavelength conversion unit 140 is composed of a wavelength conversion material or a wavelength conversion material or a filler mixed with a certain concentration or more, the thermal conductivity of the wavelength conversion unit 140 may be rapidly increased, so that the wavelength conversion unit 140 may generate And the accumulated heat can be easily released to the outside.

구체적으로, 파장변환부(140)의 열전도율은 바인더 물질인 실리콘 또는 에폭시와 여기에 혼합되는 파장변환물질 또는 파장변환물질 및 필러의 부피 비율(volume fraction)이 대략 20% 이상일 경우, 급격히 상승되는 경향을 보이기 때문에 고농도의 형광체가 필요하다.Specifically, the thermal conductivity of the wavelength converting portion 140 is rapidly increased when the volume fraction of the silicon or epoxy as the binder material and the wavelength converting material or the wavelength converting material and filler mixed therein is about 20% or more A high concentration of the phosphor is required.

그러나, 대부분의 발광다이오드 제품에는 그에 해당되는 색좌표가 정해져 있어 일정량 이상의 파장변환물질(형광체)을 사용하기 어렵다. 이러한 경우 색좌표에는 변화가 없고 열전도율만 상승시킬 수 있도록 상기에 언급한 TiO2, SiO2 등의 파우더를 같이 혼합하여 사용하거나 스프레이 코팅 방식 등을 통하여 고농도의 파장변환부층을 형성할 수 있다.However, since the color coordinates corresponding to most of the light emitting diode products are determined, it is difficult to use a wavelength conversion material (phosphor) of a predetermined amount or more. In this case, it is possible to use a powder such as TiO 2 or SiO 2 mentioned above so that the color coordinates do not change and only the thermal conductivity can be increased, or a high concentration wavelength conversion layer can be formed by spray coating or the like.

반사부(150)는 발광다이오드 칩(120)과 대응되도록 파장변환부(140)의 하부에 적어도 하나 이상 형성된다. 반사부(150)는 발광다이오드 칩(120)과 이격되도록 형성될 수 있다. 즉, 반사부(150)는 발광다이오드 칩(120)과 파장변환부(140) 사이에 삽입 형성될 수 있다.At least one or more reflection parts 150 are formed on the lower part of the wavelength conversion part 140 so as to correspond to the light emitting diode chip 120. The reflective portion 150 may be spaced apart from the light emitting diode chip 120. That is, the reflection unit 150 may be inserted between the light emitting diode chip 120 and the wavelength conversion unit 140.

반사부(150)는 고반사율을 갖는 물질로 발광다이오드 칩(120)과 파장변환부(140) 사이에 삽입 형성되어, 발광다이오드 칩(120)으로부터 방출되어 파장변환부(140)의 중심부로 직접 입사되는 청색광을 줄여줌으로써 파장변환부(140)에 흡수되는 광 에너지를 감소시켜 파장변환부(140)의 온도를 낮출 수 있다.The reflector 150 is inserted between the light emitting diode chip 120 and the wavelength converter 140 and is emitted from the LED chip 120 and is directly incident on the center of the wavelength converter 140 By reducing incident blue light, the light energy absorbed in the wavelength converter 140 can be reduced to lower the temperature of the wavelength converter 140.

반사부(150)는 파장변환부(140) 면적의 50% 이하의 면적을 가질 수 있다. 구체적으로, 반사부(150)는 발광다이오드 칩(120)과 파장변환부(140) 사이에 삽입 형성되되, 파장변환부(140) 면적의 50% 이하의 면적을 가지도록 형성될 수 있다.The reflective portion 150 may have an area of 50% or less of the area of the wavelength conversion portion 140. More specifically, the reflective portion 150 may be formed between the LED chip 120 and the wavelength conversion portion 140 and may have an area of 50% or less of the area of the wavelength conversion portion 140.

반사부(150)는 바람직하게는 파장변환부(140) 면적 대비 1% 내지 30%의 면적을 가질 수 있다.The reflector 150 preferably has an area of 1% to 30% of the area of the wavelength converter 140.

반사부(150) 면적이 파장변환부(140) 면적의 50%를 초과할 경우, 반사부(150)의 크기가 필요 이상으로 커져 발광다이오드 칩(120)으로부터 파장변환부(140)로 전달되는 광을 차단시켜 광 효율이 저하될 우려가 있다.When the area of the reflection part 150 exceeds 50% of the area of the wavelength conversion part 140, the size of the reflection part 150 becomes unnecessarily large and is transmitted from the light emitting diode chip 120 to the wavelength conversion part 140 There is a possibility that the light efficiency is lowered by blocking the light.

반사부(150)의 면적이 파장변환부(140) 면적의 50%일 경우, 대략 20%의 광손실이 발생되지만, 비록 초기 광효율은 떨어지더라도 파장변환부(140)의 온도를 낮춰주어 파장변환물질 및 바인더 물질의 열화를 막아 장기적으로 보았을 때 초기 광량을 장시간 유지할 수 있다(도 5 참조). 이에 따라, 초기 광량보다 장기 신뢰성이 필수적으로 요구되는 자동차, 아웃도어(Outdoor) 등의 어플리케이션에 적합하게 이용될 수 있다.When the area of the reflective portion 150 is 50% of the area of the wavelength conversion portion 140, a light loss of about 20% is generated. However, even if the initial light efficiency is decreased, the temperature of the wavelength conversion portion 140 is lowered, Deterioration of the material and the binder material can be prevented and the initial light amount can be maintained for a long period of time (see FIG. 5). Accordingly, the present invention can be suitably applied to applications such as automobiles and outdoor devices in which long-term reliability is required more than the initial light quantity.

반사부(150)는 형상 및 개수가 다양할 수 있다. 반사부(150)는 예를 들어, 사각형, 삼각형, 역삼각형 또는 반원형의 형상을 가질 수 있다.The shape and the number of the reflective portions 150 may vary. The reflector 150 may have a square, triangular, inverted triangular or semicircular shape, for example.

도 1에 도시된 바와 같이, 반사부(150)는 사각형상을 가질 수 있다.1, the reflective portion 150 may have a rectangular shape.

도 2a 내지 도 2d는 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서 다양한 형상 또는 개수를 갖는 반사부를 나타낸 단면도이다.2A to 2D are cross-sectional views illustrating a reflective portion having various shapes or numbers in the LED package according to the first embodiment.

도 2a에 도시된 바와 같이, 반사부(150)는 역삼각형상을 가질 수 있고, 도 2b에 도시된 바와 같이 삼각형상을 가질 수 있으며, 도 2c에 도시된 바와 같이 반원형상을 가질 수 있다. 또한, 도 2d에 도시된 바와 같이, 반사부(150)는 복수 개로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 2A, the reflective portion 150 may have an inverted triangular shape, have a triangular shape as shown in FIG. 2B, and may have a semi-circular shape as shown in FIG. 2C. Also, as shown in FIG. 2D, the plurality of reflectors 150 may be formed.

반사부(150)는 광 에너지의 흡수를 조절할 수 있는 반사율 80% 이상의 고반사물질로서, 반사물질을 포함하는 실리콘, 이엠씨(Epoxy Mold Compound, EMC), 피피에이(Polypthalamide, PPA) 수지, 피씨티(Polycyclohexane dimethylene terephthalate, PCT) 수지 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.The reflector 150 is a highly reflective material having a reflectance of 80% or more and capable of controlling the absorption of light energy. The reflector 150 may be made of silicon, an epoxy compound compound (EMC), a polypthalamide (PPA) (Polycyclohexane dimethylene terephthalate (PCT)) resin, or a combination thereof.

여기서, 실리콘에 포함되는 반사물질은 TiO2, BaSO4 또는 이들의 조합을 포함할 수 있고, TiO2, BaSO4 등의 반사물질을 포함하는 실리콘은 백색 실리콘(white silicone)일 수 있다.Here, the reflective material included in the silicon may include TiO 2 , BaSO 4, or a combination thereof, and the silicon including the reflective material such as TiO 2 and BaSO 4 may be white silicone.

파장변환부(140) 하부의 고반사물질의 반사부(150)는 프린팅(Printing), 디스펜싱(Dispensing), 몰딩(Molding), 프리폼(Preform)의 부착방법 등을 이용하여 다양하게 형성할 수 있다.The reflective portion 150 of the highly reflective material under the wavelength conversion portion 140 may be formed in various ways using printing, dispensing, molding, or preform attachment. have.

발광다이오드 패키지(100)는 다음과 같은 방법으로 제조될 수 있다.The light emitting diode package 100 may be manufactured in the following manner.

구체적으로, 내측면이 반사면을 이루는 측벽(130)이 결합된 기판(110)을 준비한 후, 기판(110) 상에 발광다이오드 칩(120)을 실장할 수 있다.Specifically, the LED chip 120 may be mounted on the substrate 110 after the substrate 110 having the sidewall 130, which has the inner surface as a reflection surface, is coupled.

파장변환부(140)의 하부에는 적어도 하나 이상의 반사부(150)를 형성한 후, 하부에 반사부(150)가 형성된 파장변환부(140)를 측벽(130) 상에 결합하여, 파장변환부(140) 및 반사부(150)를 발광다이오드 칩(120)과 이격되도록 형성할 수 있다.At least one reflector 150 is formed below the wavelength converter 140 and a wavelength converter 140 having a reflector 150 at the bottom is coupled to the side wall 130, The light emitting diode chip 140 and the reflective portion 150 may be spaced apart from the light emitting diode chip 120.

여기서, 반사부(150)는 프린팅(Printing), 디스펜싱(Dispensing), 몰딩(Molding), 프리폼(Preform)의 부착방법 등을 이용하여 다양하게 형성할 수 있다.Here, the reflection unit 150 may be formed in various ways using printing, dispensing, molding, preform attachment, or the like.

도 3은 발광다이오드 패키지의 발광다이오드 칩에서 발광되는 광 분포를 나타낸 그래프이다.3 is a graph showing a distribution of light emitted from a light emitting diode chip of a light emitting diode package.

도 3을 참조하면, 발광다이오드 패키지(100)의 발광다이오드 칩(120)에서 발광되는 광 분포는 램버시안 발광 패턴(Lambertian emission pattern) 형태를 갖기 때문에 발광다이오드 칩(120)의 중심부가 가장 높은 광 에너지를 방출하는 것을 확인할 수 있다. 발광다이오드 칩(120)의 중심부가 가장 높은 광 에너지를 방출하기 때문에, 파장변환부(140)도 역시 중심부가 가장 높은 온도 분포를 가지게 된다.3, since the light emitted from the LED chip 120 of the LED package 100 has a Lambertian emission pattern, the center of the LED chip 120 has the highest light intensity It can be confirmed that the energy is released. Since the central part of the LED chip 120 emits the highest light energy, the center part of the wavelength converting part 140 also has the highest temperature distribution.

도 4는 발광다이오드 패키지의 광 반사 차수에 따른 파장변환부의 흡수 에너지 변화를 나타낸 그래프이다.FIG. 4 is a graph showing changes in absorption energy of a wavelength converter according to the degree of reflection of light in a light emitting diode package.

도 4를 참조하면, 발광다이오드 칩(120)과 파장변환부(140) 사이에 형성된 고반사물질의 반사부(150)에 의해 발광다이오드 칩(120)에서 발광되는 일차 청색광의 흡수를 낮출 수 있는 것을 확인할 수 있다.4, the absorption of primary blue light emitted from the LED chip 120 can be reduced by the reflective portion 150 of the highly reflective material formed between the LED chip 120 and the wavelength conversion portion 140 .

실제로 파장변환부(140)에서 반사된 후 발광다이오드 패키지(100) 내부에서 재반사되어 파장변환부(140)로 재입사되는 이차, 삼차 청색광이 존재하지만, 일차 광 이후에 흡수되는 광 에너지는 급격히 낮아지게 된다.There are actually secondary and tertiary blue lights which are reflected by the wavelength conversion unit 140 and then re-reflected in the LED package 100 and re-incident on the wavelength conversion unit 140. However, the light energy absorbed after the primary light is rapidly .

따라서 파장변환부(140)의 광 흡수로 인한 온도를 낮추기 위해서는 파장변환부(140) 중심부에 직접 입사되는 일차 광 흡수를 줄이는 것이 가장 효율적이다.Therefore, in order to lower the temperature due to the absorption of light by the wavelength converter 140, it is most effective to reduce the primary light absorption directly incident on the center of the wavelength converter 140.

도 5는 발광다이오드 패키지의 파장변환부 면적 대비 반사부 면적에 따른 광 효율 변화를 나타낸 그래프이다.5 is a graph showing a change in light efficiency according to the area of the reflective portion versus the wavelength conversion portion of the light emitting diode package.

도 5를 참조하면, 고반사물질의 반사부(150) 면적이 파장변환부(140) 면적의 50%를 넘게 차지할 경우, 파장변환부(140)으로 입사되는 청색광의 비율이 너무 낮아져 발광다이오드 패키지(100)의 효율이 급격하게 감소되는 것을 확인할 수 있다.5, when the area of the reflective portion 150 of the highly reflective material occupies more than 50% of the area of the wavelength conversion portion 140, the ratio of the blue light incident on the wavelength conversion portion 140 becomes too low, It can be seen that the efficiency of the fuel cell 100 is drastically reduced.

또한, 파장변환부(140) 하부에 형성된 고반사물질의 반사부(150)는 파장변환부(140) 내부에서 후반산란(back-scattering)되는 장파장광을 반사시켜 패키지 외부로 방출시킬 수 있기 때문에 적은 면적에서는 오히려 광 효율 향상의 효과도 볼 수 있다.The reflector 150 of the highly reflective material formed below the wavelength converter 140 may reflect the back-scattered long-wavelength light in the wavelength converter 140 and emit the light to the outside of the package The effect of light efficiency improvement can be seen in a small area.

이하에서는 도 6 및 도 7을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 설명하기로 한다.Hereinafter, a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG.

도 6은 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a second embodiment.

도 6을 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(200)는 발광다이오드 칩(220), 파장변환부(240) 및 적어도 하나 이상의 반사부(250)를 포함한다.Referring to FIG. 6, the light emitting diode package 200 according to the second embodiment includes a light emitting diode chip 220, a wavelength converter 240, and at least one reflector 250.

제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(200)는 칩스케일패키지(Chip Scale Package, CSP) 구조일 수 있다.The light emitting diode package 200 according to the second embodiment may have a chip scale package (CSP) structure.

최근에는 발광다이오드 패키지(200)와 같이 패키지 사이즈가 매우 작은 형태의 칩스케일패키지(CSP) 제품이 새로운 트랜드로 개발되고 있는데, 이러한 CSP의 경우 단위 면적 당 입사되는 광 에너지가 매우 높고, 그에 따른 흡수 에너지도 일반 패키지와 비교하여 급격히 높아지는 경향이 있다.In recent years, a chip scale package (CSP) product having a very small package size such as the light emitting diode package 200 has been developed as a new trend. In the case of such a CSP, the light energy incident per unit area is very high, Energy also tends to rise sharply compared to conventional packages.

이러한 CSP의 경우, 발광다이오드 칩의 표면에 파장변환물질(형광체)이 바로 도포되어 있는 형태로서 별도의 패키지가 필요 없는 구조이다.In the case of such a CSP, a wavelength conversion material (phosphor) is directly applied on the surface of the LED chip, and a separate package is not required.

발광다이오드 칩(220)은 전기에너지를 광에너지로 변환시켜주는 광반도체를 이용한 광원일 수 있다. 발광다이오드 칩(220)은 p형 반도체와 n형 반도체의 이종 접합 구조를 가질 수 있다.The light emitting diode chip 220 may be a light source using an optical semiconductor for converting electric energy into light energy. The light emitting diode chip 220 may have a heterojunction structure of a p-type semiconductor and an n-type semiconductor.

발광다이오드 칩(220)은 InGaN 또는 InAlGaN의 질화물계 화합물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 발광다이오드 칩(220)의 발광층은 InxAlyGa(1-x-y)N (0<x≤1, 0≤y≤1)로 이루어질 수 있다. 이러한 발광다이오드 칩(220)은 InAlGaN 계열로 이루어질 경우 250 nm 범위의 자외선을 발광할 수 있고, InGaN 계열로 이루어질 경우 480 nm 범위의 청색 광을 발광할 수 있다.The light emitting diode chip 220 may include a nitride compound of InGaN or InAlGaN. Specifically, the light emitting layer of the light emitting diode chip 220 may be made of In x Al y Ga (1-xy) N (0 <x? 1, 0? Y ? The light emitting diode chip 220 can emit ultraviolet light in the range of 250 nm when it is made of InAlGaN series and can emit blue light of 480 nm when it is made of InGaN series.

즉, 발광다이오드 칩(220)은 자외선 발광다이오드 칩 또는 청색 발광다이오드 칩일 수 있다.That is, the light emitting diode chip 220 may be an ultraviolet light emitting diode chip or a blue light emitting diode chip.

파장변환부(240)는 발광다이오드 칩(220)을 둘러싸도록 형성된다.The wavelength converter 240 is formed to surround the light emitting diode chip 220.

파장변환부(240)는 발광다이오드 칩(220)으로부터 방출된 광을 여기광으로 하여 파장을 변환할 수 있다.The wavelength converting unit 240 may convert the wavelength of the light emitted from the light emitting diode chip 220 into the excitation light.

파장변환부(240)는 파장변환물질(형광체) 및 바인더를 포함할 수 있다. 구체적으로, 파장변환부(240)는 발광다이오드 칩(220)으로부터 방출된 광의 파장을 변환시킬 수 있는 형광체와 같은 물질 및 이를 고정시키는 역할을 하는 바인더로 구성될 수 있다.The wavelength converter 240 may include a wavelength conversion material (phosphor) and a binder. Specifically, the wavelength converter 240 may include a material such as a fluorescent material capable of changing the wavelength of the light emitted from the light emitting diode chip 220, and a binder functioning to fix the wavelength conversion material.

파장변환물질은 가넷(Garnet)(YAG, TAG), 실리케이트(Silicate), 황화물(Sulfide), 산질화물(Oxynitride), 질화물(Nitride), 알루미네이트(aluminate) 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.The wavelength conversion material may be composed of Garnet (YAG, TAG), Silicate, Sulfide, Oxynitride, Nitride, Aluminate, or a combination thereof.

구체적으로, 상기 파장변환물질은 Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 질화물계/산질화물계 형광체, Eu 등의 란타노이드계, Mn 등의 천이 금속계의 원소에 의해 주로 활력을 받는 알칼리토류 할로겐 애퍼타이트 형광체, 알칼리토류 금속 붕산 할로겐 형광체, 알칼리토류 금속 알루민산염 형광체, 알칼리토류 규산염, 알칼리토류 유화물, 알칼리토류 티오갈레이트, 알칼리토류 질화 규소, 게르만산염, 또는 Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 희토류 알루민산염, 희토류 규산염 또는 Eu 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 유기 및 유기 착체 등에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 다만, 이로 한정되는 것은 아니다.Specifically, the wavelength conversion material is mainly composed of nitride-based / oxynitride-based phosphors which are mainly vitiated by lanthanoid-based elements such as Eu and Ce, lanthanides such as Eu, and transition metal-based elements such as Mn, Alkaline earth metal borate halogen phosphors, alkaline earth metal aluminate phosphors, alkaline earth silicates, alkaline earth emulsions, alkaline earth thiogallates, alkaline earth nitrides, germanates, or lanthanides such as Ce Organic rare earth aluminates, rare earth silicates or organic and organic complexes which are mainly energized by lanthanoid elements such as Eu, which are mainly energized by the nodide-based elements. However, the present invention is not limited thereto.

바인더는 파장변환물질을 고정시킬 수 있는 실리콘계 또는 에폭시계의 유기물 수지를 포함할 수 있다. 또한, 바인더는 유무기 하이브리드 타입일 수 있다.The binder may include a silicone-based or epoxy-based organic resin capable of fixing the wavelength converting material. In addition, the binder may be an organic or inorganic hybrid type.

바인더에는 발광다이오드 칩(220)으로부터 발광되는 청색광 및 파장변환물질로부터 변환 발광되는 장파장광이 일부 흡수될 수 있다. 이렇게 흡수된 광 에너지는 재복사 적외선(Re-radiant IR) 형태로 방출되는데, 이로 인해 파장변환부(240)의 온도가 상승하게 된다.The blue light emitted from the light emitting diode chip 220 and the long wavelength light converted and emitted from the wavelength conversion material may be partially absorbed in the binder. The absorbed light energy is emitted in the form of Re-radiant IR, which causes the temperature of the wavelength converter 240 to rise.

또한, 바인더로 사용되는 실리콘, 에폭시 등의 유기물 수지는 열전도율이 약 0.5 W/mK 이하로 매우 낮기 때문에 내부에서 발생되는 열이 외부로 방출되는 것이 용이하지 않아 내부에 계속해서 축적되게 되어 결국 고출력 발광다이오드 제품에서는 파장변환부(240)의 온도가 발광다이오드 칩(220)의 온도보다 더 높아지는 경우가 발생하게 된다.Since the organic resin such as silicon or epoxy used as a binder has a very low thermal conductivity of about 0.5 W / mK or less, it is not easy for the heat generated from the inside to be discharged to the outside, The temperature of the wavelength converter 240 may be higher than the temperature of the light emitting diode chip 220 in the diode product.

이에, 본 발명의 실시예에서는 구조적으로 발광다이오드 칩(220)과 파장변환부(240) 사이에 고반사율을 갖는 물질로 이루어진 반사부(250)를 삽입함으로써, 파장변환부(240)의 중심부로 직접 입사되는 청색광을 줄여주어 파장변환부(240)에 흡수되는 광 에너지를 감소시켜 파장변환부(240)의 온도를 낮출 수 있다. 반사부(250)에 대해서는 추후 상세히 설명하기로 한다.In the embodiment of the present invention, by inserting the reflector 250 made of a material having a high reflectance between the light emitting diode chip 220 and the wavelength converter 240 in a structured manner, It is possible to reduce the wavelength of the wavelength converter 240 by reducing the amount of light energy absorbed by the wavelength converter 240 by reducing the direct incident blue light. The reflection unit 250 will be described later in detail.

파장변환부(240)는 열전도율 향상 물질을 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 열전도율 향상 물질은 파장변환부(240)에 포함되어 파장변환부(240)의 열전도율을 향상시킬 수 있다.The wavelength converter 240 may further include a thermal conductivity enhancement material. Specifically, the thermal conductivity enhancement material may be included in the wavelength conversion unit 240 to improve the thermal conductivity of the wavelength conversion unit 240.

열전도율 향상 물질은 가넷, 실리케이트, 황화물, 산질화물, 질화물, 알루미네이트, TiO2, SiO2, Al2O3, ZrO2 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.Improve thermal conductivity material may be formed of garnet, silicate, sulfide, oxynitride, nitride, and aluminate, TiO 2, SiO 2, Al 2 O 3, ZrO 2 , or a combination thereof.

구체적으로, 파장변환부(240)는 가넷, 실리케이트, 황화물, 산질화물, 질화물 및/또는 알루미네이트와 같은 파장변환물질을 이용하여 열전도율을 향상시킬 수 있고, 형광체의 농도 증가가 어려울 경우, TiO2, SiO2, Al2O3 및/또는 ZrO2와 같은 세라믹 계열의 필러(filler) 물질을 추가 혼합하여 색 좌표의 변화 없이 열전도율을 향상시킬 수 있다.Specifically, when it is difficult that the wavelength converter 240 are garnet, silicate, sulfide, oxynitride, nitride and / or it is possible to improve the thermal conductivity by using a wavelength conversion material such as an aluminate, a concentration increase of the fluorescent substance, TiO 2 , Ceramic based filler materials such as SiO 2 , Al 2 O 3 and / or ZrO 2 may be further mixed to improve the thermal conductivity without changing color coordinates.

파장변환부(240)가 일정 농도 이상의 파장변환물질 또는 파장변환물질 및 필러가 혼합된 것으로 이루어질 경우, 파장변환부(240)의 열전도율은 급격하게 상승될 수 있기 때문에 파장변환부(240)에서 발생 및 축적되는 열을 외부로 쉽게 방출시킬 수 있다.In the case where the wavelength conversion unit 240 is composed of a wavelength conversion material or a wavelength conversion material or a filler mixed with a certain concentration or more, the thermal conductivity of the wavelength conversion unit 240 may be rapidly increased, And the accumulated heat can be easily released to the outside.

구체적으로, 파장변환부(240)의 열전도율은 바인더 물질인 실리콘 또는 에폭시와 여기에 혼합되는 파장변환물질 또는 파장변환물질 및 필러의 부피 비율(volume fraction)이 대략 20% 이상일 경우, 급격히 상승되는 경향을 보이기 때문에 고농도의 형광체가 필요하다.Specifically, the thermal conductivity of the wavelength converting portion 240 is a tendency to increase sharply when the volume fraction of the silicon or epoxy as the binder material and the wavelength converting material or the wavelength converting material and filler mixed therein is about 20% or more A high concentration of the phosphor is required.

그러나, 대부분의 발광다이오드 제품에는 그에 해당되는 색좌표가 정해져 있어 일정량 이상의 파장변환물질(형광체)을 사용하기 어렵다. 이러한 경우 색좌표에는 변화가 없고 열전도율만 상승시킬 수 있도록 상기에 언급한 TiO2, SiO2 등의 파우더를 같이 혼합하여 사용할 수 있다.However, since the color coordinates corresponding to most of the light emitting diode products are determined, it is difficult to use a wavelength conversion material (phosphor) of a predetermined amount or more. In this case, the above-mentioned powders of TiO 2 , SiO 2 and the like can be mixed and used so that the color coordinates do not change and only the thermal conductivity is increased.

반사부(250)는 발광다이오드 칩(220)과 파장변환부(240) 사이에 적어도 하나 이상 삽입 형성된다.At least one or more reflection parts 250 are formed between the light emitting diode chip 220 and the wavelength conversion part 240.

반사부(250)는 고반사율을 갖는 물질로 발광다이오드 칩(220)과 파장변환부(240) 사이에 삽입 형성되어, 발광다이오드 칩(220)으로부터 방출되어 파장변환부(240)의 중심부로 직접 입사되는 청색광을 줄여줌으로써 파장변환부(240)에 흡수되는 광 에너지를 감소시켜 파장변환부(240)의 온도를 낮출 수 있다.The reflector 250 is inserted between the light emitting diode chip 220 and the wavelength converter 240 and is emitted from the light emitting diode chip 220 and is directly incident on the center of the wavelength converter 240 By reducing the incident blue light, the light energy absorbed in the wavelength converter 240 can be reduced to lower the temperature of the wavelength converter 240. [

반사부(250)는 발광다이오드 칩(220) 면적의 50% 이하의 면적을 가질 수 있다. 구체적으로, 반사부(250)는 발광다이오드 칩(220)과 파장변환부(240) 사이에 삽입 형성되되, 발광다이오드 칩(220) 면적의 50% 이하의 면적을 가지도록 형성될 수 있다.The reflective portion 250 may have an area of 50% or less of the area of the light emitting diode chip 220. The reflective portion 250 may be formed between the light emitting diode chip 220 and the wavelength conversion portion 240 and may have an area of 50% or less of the area of the light emitting diode chip 220.

반사부(250)는 바람직하게는 발광다이오드 칩(220) 면적 대비 1% 내지 30%의 면적을 가질 수 있다.The reflector 250 may preferably have an area of 1% to 30% of the area of the LED chip 220.

반사부(250) 면적이 발광다이오드 칩(220) 면적의 50%를 초과할 경우, 반사부(250)의 크기가 필요 이상으로 커져 발광다이오드 칩(220)으로부터 파장변환부(240)로 전달되는 광을 차단시켜 광 효율이 저하될 우려가 있다.When the area of the reflection portion 250 exceeds 50% of the area of the light emitting diode chip 220, the size of the reflection portion 250 becomes unnecessarily large and is transmitted from the light emitting diode chip 220 to the wavelength conversion portion 240 There is a possibility that the light efficiency is lowered by blocking the light.

반사부(250)의 면적이 발광다이오드 칩(220) 면적의 50%일 경우, 대략 20%의 광손실이 발생되지만, 비록 초기 광효율은 떨어지더라도 파장변환부(240)의 온도를 낮춰주어 파장변환물질 및 바인더 물질의 열화를 막아 장기적으로 보았을 때 초기 광량을 장시간 유지할 수 있다.If the area of the reflective portion 250 is 50% of the area of the LED chip 220, an optical loss of about 20% is generated. However, even if the initial optical efficiency drops, the temperature of the wavelength conversion portion 240 is lowered, Deterioration of the material and the binder material can be prevented and the initial light quantity can be maintained for a long period of time.

반사부(250)는 형상 및 개수가 다양할 수 있다. 반사부(250)는 예를 들어, 사각형, 삼각형, 역삼각형 또는 반원형의 형상을 가질 수 있다.The shape and the number of the reflector 250 may vary. The reflective portion 250 may have, for example, a rectangular, triangular, inverted triangular or semicircular shape.

도 6에 도시된 바와 같이, 반사부(250)는 사각형상을 가질 수 있다.As shown in FIG. 6, the reflection portion 250 may have a rectangular shape.

도 7은 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서 복수 개의 반원형상의 반사부를 나타낸 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a plurality of semicircular-shaped reflectors in the LED package according to the second embodiment.

도 7에 도시된 바와 같이, 반사부(250)는 반원형상을 가질 수 있고, 복수 개로 형성될 수 있다.7, the reflection portion 250 may have a semi-circular shape and may be formed in a plurality of shapes.

반사부(250)는 광 에너지의 흡수를 조절할 수 있는 반사율 80% 이상의 고반사물질로서, 반사물질을 포함하는 실리콘, 이엠씨(EMC), 피피에이(PPA) 수지, 피씨티(PCT) 수지 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.The reflector 250 is a highly reflective material having a reflectance of 80% or more, which is capable of controlling the absorption of light energy. The reflector 250 may be made of silicon, EMC, PPA resin, PCT resin, As shown in FIG.

여기서, 실리콘에 포함되는 반사물질은 TiO2, BaSO4 또는 이들의 조합을 포함할 수 있고, TiO2, BaSO4 등의 반사물질을 포함하는 실리콘은 백색 실리콘(white silicone)일 수 있다.Here, the reflective material included in the silicon may include TiO 2 , BaSO 4, or a combination thereof, and the silicon including the reflective material such as TiO 2 and BaSO 4 may be white silicone.

파장변환부(240) 하부의 고반사물질의 반사부(250)는 프린팅(Printing), 디스펜싱(Dispensing), 몰딩(Molding), 프리폼(Preform)의 부착방법 등을 이용하여 다양하게 형성할 수 있다.The reflective portion 250 of the highly reflective material under the wavelength conversion portion 240 may be formed in various ways using printing, dispensing, molding, or preform attachment. have.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. This is possible. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the equivalents of the claims, as well as the claims.

100, 200: 발광다이오드 패키지
110: 기판
120, 220: 발광다이오드 칩
130: 측벽
140, 240: 파장변환부
150, 250: 반사부100, 200: light emitting diode package
110: substrate
120, 220: light emitting diode chip
130: side wall
140, 240: wavelength conversion section
150, 250:

Claims (17)

기판;
상기 기판 상에 형성된 발광다이오드 칩;
상기 발광다이오드 칩을 둘러싸고, 내측면이 반사면을 이루는 측벽;
상기 측벽 상에 형성되고, 상기 발광다이오드 칩과 이격된 파장변환부; 및
상기 발광다이오드 칩과 대응되도록 상기 파장변환부 하부에 형성되고, 상기 발광다이오드 칩과 이격된 복수 개의 반사부
를 포함하고,
상기 파장변환부는 파장변환물질, 바인더 및 열전도율 향상 물질을 더 포함하며,
상기 파장변환물질은 열전도율을 향상시키기 위해 가넷, 실리케이트, 황화물, 산질화물, 질화물 및 알루미네이트로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 열전도율 향상 물질은 TiO2, SiO2, Al2O3 및 ZrO2으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 세라믹 계열의 필러(Filler) 물질로 형성되어 색 좌표의 변화 없이 열전도율을 향상시키며,
상기 복수 개의 반사부는 사각형, 삼각형, 역삼각형 및 반원형 중 적어도 하나의 형상으로 형성되고, 상기 파장변환부 면적 대비 1% 내지 30%의 면적을 갖도록 형성되어 상기 발광다이오드 칩에서 상기 파장변환부의 중심부로 직접 입사되는 일차 청색광의 흡수를 낮추는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
Board;
A light emitting diode chip formed on the substrate;
A sidewall surrounding the light emitting diode chip, the sidewall having an inner surface forming a reflective surface;
A wavelength converter formed on the sidewall and spaced apart from the light emitting diode chip; And
A plurality of reflection parts formed on a lower portion of the wavelength conversion part to correspond to the light emitting diode chips,
Lt; / RTI &gt;
Wherein the wavelength converter further comprises a wavelength converting material, a binder and a thermal conductivity improving material,
The wavelength converting material may include at least one selected from the group consisting of garnet, silicate, sulfide, oxynitride, nitride and aluminate to improve the thermal conductivity,
Wherein the thermal conductivity improving material is formed of a ceramic based filler material containing at least one selected from the group consisting of TiO2, SiO2, Al2O3, and ZrO2 to improve thermal conductivity without changing color coordinates,
Wherein the plurality of reflectors are formed to have at least one shape of a quadrangle, a triangle, an inverted triangle, and a semicircle and are formed to have an area of 1% to 30% of the area of the wavelength conversion portion, And the absorption of the directly incident primary blue light is lowered.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 복수 개의 반사부는
반사물질을 포함하는 실리콘, 이엠씨(EMC), 피피에이(PPA) 수지 및 피씨티(PCT) 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
The plurality of reflectors
Wherein the light emitting diode package comprises at least one selected from the group consisting of silicon, EMC, PPA, and PCT resins including a reflective material.
제4항에 있어서,
상기 반사물질은
TiO2, BaSO4 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
5. The method of claim 4,
The reflective material
TiO 2 , BaSO 4, or a combination thereof.
제1항에 있어서,
상기 발광다이오드 칩은
InGaN 또는 InAlGaN의 질화물계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
The light emitting diode chip
A nitride based compound of InGaN or InAlGaN.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 바인더는
실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
The binder
Wherein the light emitting diode package comprises a silicon-based or epoxy-based resin.
삭제delete 삭제delete 발광다이오드 칩;
상기 발광다이오드 칩 상에 형성된 복수 개의 반사부; 및
상기 발광다이오드 칩을 둘러싸도록 형성된 파장변환부
를 포함하고,
상기 파장변환부는 파장변환물질, 바인더 및 열전도율 향상 물질을 더 포함하며,
상기 파장변환물질은 열전도율을 향상시키기 위해 가넷, 실리케이트, 황화물, 산질화물, 질화물 및 알루미네이트로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 열전도율 향상 물질은 TiO2, SiO2, Al2O3 및 ZrO2으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 세라믹 계열의 필러(Filler) 물질로 형성되어 색 좌표의 변화 없이 열전도율을 향상시키며,
상기 복수 개의 반사부는 사각형, 삼각형, 역삼각형 및 반원형 중 적어도 하나의 형상으로 형성되고, 상기 파장변환부 면적 대비 1% 내지 30%의 면적을 갖도록 형성되어 상기 발광다이오드 칩에서 상기 파장변환부의 중심부로 직접 입사되는 일차 청색광의 흡수를 낮추는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
A light emitting diode chip;
A plurality of reflectors formed on the LED chip; And
And a wavelength conversion unit
Lt; / RTI &gt;
Wherein the wavelength converter further comprises a wavelength converting material, a binder and a thermal conductivity improving material,
The wavelength converting material may include at least one selected from the group consisting of garnet, silicate, sulfide, oxynitride, nitride and aluminate to improve the thermal conductivity,
Wherein the thermal conductivity improving material is formed of a ceramic based filler material containing at least one selected from the group consisting of TiO2, SiO2, Al2O3, and ZrO2 to improve thermal conductivity without changing color coordinates,
Wherein the plurality of reflectors are formed to have at least one shape of a quadrangle, a triangle, an inverted triangle, and a semicircle and are formed to have an area of 1% to 30% of the area of the wavelength conversion portion, And the absorption of the directly incident primary blue light is lowered.
삭제delete 삭제delete 제12항에 있어서,
상기 복수 개의 반사부는
반사물질을 포함하는 실리콘, 이엠씨(EMC), 피피에이(PPA) 수지 및 피씨티(PCT) 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
13. The method of claim 12,
The plurality of reflectors
Wherein the light emitting diode package comprises at least one selected from the group consisting of silicon, EMC, PPA, and PCT resins including a reflective material.
제15항에 있어서,
상기 반사물질은
TiO2, BaSO4 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
16. The method of claim 15,
The reflective material
TiO 2 , BaSO 4, or a combination thereof.
내측면이 반사면을 이루는 측벽이 결합된 기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 발광다이오드 칩을 실장하는 단계;
파장변환부 하부에 복수 개의 반사부를 형성하는 단계; 및
상기 측벽 상에 상기 발광다이오드 칩과 이격되도록 상기 파장변환부를 결합하는 단계
를 포함하고,
상기 파장변환부는 파장변환물질, 바인더 및 열전도율 향상 물질을 더 포함하며,
상기 파장변환물질은 열전도율을 향상시키기 위해 가넷, 실리케이트, 황화물, 산질화물, 질화물 및 알루미네이트로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 열전도율 향상 물질은 TiO2, SiO2, Al2O3 및 ZrO2으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 세라믹 계열의 필러(Filler) 물질로 형성되어 색 좌표의 변화 없이 열전도율을 향상시키며,
상기 복수 개의 반사부는 사각형, 삼각형, 역삼각형 및 반원형 중 적어도 하나의 형상으로 형성되고, 상기 파장변환부 면적 대비 1% 내지 30%의 면적을 갖도록 형성되어 상기 발광다이오드 칩에서 상기 파장변환부의 중심부로 직접 입사되는 일차 청색광의 흡수를 낮추는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.
Preparing a substrate to which a sidewall having an inner surface as a reflective surface is coupled;
Mounting a light emitting diode chip on the substrate;
Forming a plurality of reflection parts under the wavelength conversion part; And
Coupling the wavelength converting portion to be spaced apart from the light emitting diode chip on the sidewall;
Lt; / RTI &gt;
Wherein the wavelength converter further comprises a wavelength converting material, a binder and a thermal conductivity improving material,
The wavelength converting material may include at least one selected from the group consisting of garnet, silicate, sulfide, oxynitride, nitride and aluminate to improve the thermal conductivity,
Wherein the thermal conductivity improving material is formed of a ceramic based filler material containing at least one selected from the group consisting of TiO2, SiO2, Al2O3, and ZrO2 to improve thermal conductivity without changing color coordinates,
Wherein the plurality of reflectors are formed to have at least one shape of a quadrangle, a triangle, an inverted triangle, and a semicircle and are formed to have an area of 1% to 30% of the area of the wavelength conversion portion, Wherein the absorption of the primary blue light directly incident on the light emitting diode package is lowered.
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