KR101947384B1 - Ｍｇ계 재료 형성재료, Ｍｇ계 재료 형성방법 및 신규화합물 - Google Patents
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Abstract
(과제)본 발명은, 액체의 Ｍｇ 착물을 제공하는 것을 과제로 한다.
(해결수단)비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘이다.
(해결수단)비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘이다.
Description
본 발명은 Ｍｇ계 재료 형성기술에 관한 것이다.
금속 마그네슘, 마그네슘 합금, 산화마그네슘, 질화마그네슘, 붕소화마그네슘 등의 재료(材)(예를 들면, 막(膜))는, 각종 분야에서 요구되고 있다. 상기 분야는 반도체의 분야이다. Ｍｇ은, 예를 들면 청색 ＬＥＤ용의 질화갈륨에 있어서 활성층(活性層)의 도핑재료(doping材料)로서 사용되고 있다. 상기 분야는 자성재(磁性材)(예를 들면, 자기 저항 메모리)의 분야이다. ＭｇＯ는, 예를 들면, 차세대 메모리(예를 들면, ＭＲＡＭ)의 재료에 불가결(不可缺)하다. 상기 분야는 합금(예를 들면, 기능성 합금)의 분야이다. ＭｇＴｉ합금막은 조광미러(調光 mirror)로서의 가능성이 높다. 상기 분야는 에너지 저장의 분야이다. 상기 분야는 초전도(超傳導)의 분야이다.
화학기상성장방법(ＣＶＤ법) 또는 원자층 제어 성장방법(ＡＬＤ법)에 의하여 Ｍｇ계 막(예를 들면, Ｍｇ막, ＭｇＯ막, Ｍｇ3Ｎ2막, ＭｇＢ2막 등)이 형성된다. 이 경우에 원료물질로서, 예를 들면 β-디케토네이토 마그네슘 착물(β-diketonato magnesium 錯物), 시클로펜타디에닐계 마그네슘 착물(cyclopentadienyl系 magnesium 錯物) 등이 제안되어 있다.
원료화합물에, Ｏ(산소원자)를 가지는 β-디케토네이토 마그네슘 착물이 사용되었을 경우, Ｏ가, 형성된 막의 내부에 삽입되고 있다. 이 때문에 막이 ＭｇＯ막인 경우에는 큰 문제가 일어나지 않는다고 생각된다. 그러나 목적으로 하는 막이, 원래 산소(Ｏ)를 가지지 않는 막인 경우에는 문제가 우려된다.
시클로펜타디에닐계 마그네슘 착물(예를 들면, 비스(시클로펜타디에닐)마그네슘; ＭｇＣｐ2)은 Ｏ(산소원자)를 가지지 않는다. 따라서 상기 착물이 사용되었을 경우, Ｏ가, 기본적으로는 막의 내부에 삽입되지 않는다고 생각된다. 그러나 시클로펜타디에닐계 마그네슘 착물은 분해온도가 높다. 따라서 Ｃ(탄소원자)가 막의 내부에 삽입되는 것이 우려된다.
Ｏ(산소원자)를 가지지 않는 Ｍｇ 착물로서, Ｍｇ2(μ-ＮＰｒｉ 2)2[(ＰｒｉＮ)2ＣＮＰｒｉ 2]2가 제안(비특허문헌1)되어 있다. Ｍｇ2(μ-ＮＰｒｉ 2)2[(ＰｒｉＮ)2ＣＮＰｒｉ 2]2는 고체(융점 : 120도)이다. 따라서 ＭｇＣｐ2가 사용되었을 경우와 마찬가지 문제가 우려된다.
상기 비특허문헌1은 Ｍｇ(ＰｒｉＮＣＥｔＮＰｒｉ)2(ｔｈｆ)2 = 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘(ｔｈｆ) 부가체(附加體)를 제안하고 있다. 그러나 이 착물은, ｔｈｆ(테트라하이드로퓨란)에 기인하여 Ｏ(산소원자)를 가진다. 따라서 β-디케토네이토 마그네슘 착물이 사용되었을 경우와 마찬가지의 문제가 우려된다. 상기 화합물은 고체(융점 : 290도 분해)이다. 따라서 ＭｇＣｐ2가 사용되었을 경우와 마찬가지의 문제가 우려된다.
J.Chem.Soc.,Dalton Trans., 1997, pp957-963
고순도 Ｍｇ은 얻기 어렵다. 현재, 고순도 Ｍｇ을 얻을 수 있는 증류 가능한 액체(25도, 1기압의 조건하)의 마그네슘 화합물은 제안되어 있지 않다. 이 때문에, 증류가 가능한 액체의 Ｍｇ 착물이 요구되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 상기의 문제점을 해결하는 것이다. 예를 들면 액체의 Ｍｇ 착물을 제공하는 것이다. 또 고품질인 Ｍｇ계 재료(재료는, 예를 들면 막이다. 물론, 막에 한정되지 않는다)의 형성이 용이한 기술을 제공하는 것이다.
상기의 과제를 해결하기 위한 검토가 예의 추진되어 왔다.
그 결과, 액체의 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘 {Ｍｇ[i-Ｃ3Ｈ7ＮＣ(Ｃ2Ｈ5)Ｎ-i-Ｃ3Ｈ7]2}를 원료로 하여 ＣＶＤ법(또는 ＡＬＤ법)에 의하여 고품질인 Ｍｇ계 재료의 형성이 가능한 것을 찾아내기에 이르렀다.
또한 상기 화합물은, 예를 들면 Ｎ,Ｎ'－디이소프로필카르보디이미드를 원료로 하여, 저렴하게 합성할 수 있는 것도 알았다.
또한 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘 {Ｍｇ[i-Ｃ3Ｈ7ＮＣ(Ｃ2Ｈ5)Ｎ-i-Ｃ3Ｈ7]2}는 액체(25도, 1기압의 조건하)이었다. 상기 Ｍｇ화합물은, 간단한 증류 조작에 의하여 고순도품(高純度品)이 얻어졌다. 이것으로부터, 상기 화합물이 사용되었을 경우, ＣＶＤ법(또는 ＡＬＤ법)에 의하여 고품질의 막이 얻어지는 것을 이해할 수 있다.
상기 지견에 의거하여 본 발명이 달성되었다.
본 발명은,
비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘인
것을 특징으로 하는 신규화합물을 제안한다.
본 발명은,
액체(25도, 1기압의 조건하)의 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘인
것을 특징으로 하는 신규화합물을 제안한다.
본 발명은,
Ｍｇ계 재료를 형성하기 위한 재료로서,
비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘을
구비하는 것을 특징으로 하는 Ｍｇ계 재료 형성재료를 제안한다.
본 발명은,
Ｍｇ계 재료를 형성하기 위한 재료로서, 액체(25도, 1기압의 조건하)의 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘을
구비하는 것을 특징으로 하는 Ｍｇ계 재료 형성재료를 제안한다.
본 발명은,
상기 Ｍｇ계 재료 형성재료로서, 바람직하게는 용매를 더 구비하는
것을 특징으로 하는 Ｍｇ계 재료 형성재료를 제안한다.
본 발명은, 상기 Ｍｇ계 재료 형성재료로서, 상기 용매가, 바람직하게는 탄화수소계 화합물의 군중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 Ｍｇ계 재료 형성재료를 제안한다.
본 발명은, 상기 Ｍｇ계 재료 형성재료로서, 상기 용매가, 바람직하게는 Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미딘인 것을 특징으로 하는 Ｍｇ계 재료 형성재료를 제안한다.
본 발명은,
상기 Ｍｇ계 재료 형성재료를 실(室)로 수송하는 공정과,
상기 실에 수송된 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘의 분해에 의하여 기판 상에 Ｍｇ계 재료가 형성되는 공정을
구비하는 것을 특징으로 하는 Ｍｇ계 재료 형성방법을 제안한다.
비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘은 액체(25도, 1기압의 조건하)이다. 상기 화합물은 Ｏ(산소원자)를 가지고 있지 않다. 상기 화합물은, Ｎ,Ｎ'－디이소프로필카르보디이미드를 원료로 하여, 간단하고 또한 저비용으로 얻어졌다. 게다가 간단한 증류 조작으로 고순도품이 얻어졌다.
상기 화합물은 기화하기 쉽다. 상기 화합물의 가스의 수송을 안정하게 할 수 있다. 성막 효율이 좋다. 따라서 ＣＶＤ법(또는 ＡＬＤ법) 등의 수단에 의하여 고품질의 재료(예를 들면, 막)가 저렴한 비용으로 얻어졌다. 예를 들면 고품질의 금속 Ｍｇ막이 형성되었다. 또는 고품질의 Ｍｇ합금막이 형성되었다. 형성된 막에 Ｏ가 포함되어 있다고 해도, Ｏ함유량은 극히 적었다.
도1은 ＣＶＤ 장치의 개략도이다.
도2는 ＣＶＤ 장치의 개략도이다.
도2는 ＣＶＤ 장치의 개략도이다.
제1발명은 신규화합물이다. 상기 화합물은 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘이다. 상기 화합물은 액체(25도, 1기압의 조건하)이다.
제2발명은 Ｍｇ계 재료 형성재료이다. 상기 Ｍｇ계 재료는 Ｍｇ계 막이다. 상기 재료는 막에 한정되지 않는다. 예를 들면 막의 개념보다 두꺼운 것이더라도 좋다. 상기 Ｍｇ계 막은, 예를 들면 금속Ｍｇ막이다. 상기 Ｍｇ계 막은, 예를 들면 Ｍｇ금속합금막이다. 상기 Ｍｇ계 막은 ＭｇＸ(Ｘ는 비금속원소(예를 들면, Ｎ, Ｂ 등(특히, Ｏ 이외의 원소)) 또는 반도체 원소) 막이다. 상기 Ｍｇ계 재료 형성재료는 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘을 구비한다. 「구비한다」이기 때문에, 상기 Ｍｇ계 재료 형성재료는, 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘만이더라도 좋다. 그러나 다른 화합물을 구비하는(포함하는) 경우도 있다. ＣＶＤ법(또는 ＡＬＤ법)의 실시에 있어서, 목적화합물을 수송할 때에, 용매가 사용되는 경우가 많다. 따라서 상기 Ｍｇ계 재료 형성재료는, 바람직하게는 용매를 더 구비한다(포함한다). 상기 용매는, 바람직하게는 탄화수소계 화합물(직쇄상(直鎖狀), 분기쇄상(分岐鎖狀), 환상(環狀) 어느 타입의 것이더라도 좋다)의 군 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상이다. 상기 탄화수소계 화합물은 탄소수 5∼40의 탄화수소계 화합물이 바람직하다. 더 바람직하게는 탄소수 5∼21의 탄화수소계 화합물이다. 예를 들면 펜탄(Ｃ5Ｈ12), 헥산(Ｃ6Ｈ14), 헵탄(Ｃ7Ｈ16), 옥탄(Ｃ8Ｈ18), 노난(Ｃ9Ｈ20), 데칸(Ｃ10Ｈ22), 운데칸(Ｃ11Ｈ24), 도데칸(Ｃ12Ｈ26), 트리데칸(Ｃ13Ｈ28), 테트라데칸(Ｃ14Ｈ30), 펜타데칸(Ｃ15Ｈ32), 헥사데칸(Ｃ16Ｈ34), 헵타데칸(Ｃ17Ｈ36), 옥타데칸(Ｃ18Ｈ38), 노나데칸(Ｃ19Ｈ40), 이코산(Ｃ20Ｈ42), 헤네이코산(Ｃ21Ｈ44)을 들 수 있다. 그중에서도 바람직한 것은 탄소수가 5∼10인 탄화수소이다. 그것은, 분해온도가 높고 안정하기 때문이다. 게다가 저렴하다. 상기 용매는, 바람직하게는 Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미딘이다.
제3발명은 Ｍｇ계 재료 형성방법이다. 예를 들면 ＣＶＤ법(또는 ＡＬＤ법)에 의하여 Ｍｇ계 재료(Ｍｇ계 막)가 형성되는 방법이다. 상기 방법은, 상기 Ｍｇ계 재료 형성재료를 실(室)로 수송하는 공정을 구비한다. 상기 방법은, 상기 실에 수송된 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘의 분해에 의하여 기판 상에 Ｍｇ계 재료가 형성되는 공정을 구비한다. 상기 방법은, 상기 Ｍｇ계 재료 형성재료가 실로 수송되고, 상기 실로 수송된 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘이 분해됨으로써, 기판 상에 Ｍｇ계 재료가 형성되는 방법이다. 상기 실은, 예를 들면 성막실(成膜室)(분해실 또는 반응실이라고도 불린다)이다.
상기한 바와 같이 하여 얻어진 Ｍｇ계 재료(예를 들면 막)는, 불순물로서의 Ｏ, Ｃ성분이 극히 적은 것이었다. Ｏ, Ｃ 등의 불순물성분은 ＸＰＳ(Ｘ선광전자분광법)에 의해서는 검출할 수 없었다. 즉 순도가 높았다.
또한 성막 과정에 있어서의 지장이 일어나기 어려운 것이었다. 예를 들면 상기 원료(x(g))를 기화·분해하여 성막작업을 하였다. 상기 원료의 0.7x(g)가 소비된 후에 성막작업을 정지했다. 원료용기와 성막실을 연결하는 배관의 내부를 관찰했다. 상기 배관의 내부의 폐쇄(상기 원료의 고화에 의한 폐쇄)는 확인되지 않았다.
상기 비특허문헌은 본 발명을 개시하지 않고 있다. 상기 비특허문헌은 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘을 개시하지 않고 있다. 상기 비특허문헌의 Scheme 2(958page)에도 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘의 개시는 없다. Ｍｇ[(ＰｒｉＮ)2ＣＮＰｒｉ 2]2(ｔｈｆ)의 개시가 있는 것에 불과하다. 이 화합물은 고체(융점 ; 144도)이다. 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘이 액체인 것은, 상기 비특허문헌으로부터는 도저히 상상도 할 수 없었다. 또한 상기 비특허문헌은 성막기술(예를 들면, ＣＶＤ법이나 ＡＬＤ법)을 개시하지 않고 있다. 따라서 본 발명은 상기 비특허문헌으로부터 용이하게 발명할 수 없었다고 본 발명자는 확신하고 있다.
이하, 구체적인 실시예를 든다. 단, 본 발명은 이하의 실시예에만 한정되지는 않는다. 본 발명의 특징이 크게 손상되지 않는 한, 각종 변형예나 응용예도 본 발명에 포함된다.
〔비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘의 합성방법I〕
반응은 불활성가스 분위기하에서 이루어졌다. 0.5ｍｏｌ의 Ｎ,Ｎ'－디이소프로필카르보디이미드가 1000ｍｌ의 디에틸에테르에 용해되었다. 이 용액이 -40도로 냉각되었다. 0.5ｍｏｌ의 에틸리튬을 함유하는 벤젠용액이, 상기 용액에 서서히 적하(滴下)되었다. 이 후에 실온에서 4시간의 교반이 이루어졌다. 이 반응혼합액이, 0.25ｍｏｌ의 브롬화 마그네슘(ＭｇＢｒ2)이 600ｍｌ의 디에틸에테르에 현탁된 용액에, 서서히 적하되었다. 이 후에 24시간의 교반이 이루어졌다. 용매 유거(留去; 증발시켜 제거함) 후, 1500ｍｌ의 노르말 헥산이 가하여졌다. 불용물(不溶物)이 여과되었다. 용매 유거 후, 감압(0.1ｔｏｒｒ)증류가 이루어졌다. 비등점은 80도이었다. 액체(25도, 1기압의 조건하)의 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘이 수율 78%로 얻어졌다.
얻어진 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘의 순도는 높았다. 금속불순물 분석(ＩＣＰ-ＡＥＳ)에 의한 분석치(단위는 μg/g)는, 다음과 같았다. Ｓｉ< 10, Ｎａ< 5, Ｆｅ< 5, Ｚｎ< 5, Ｔｉ< 5, Ｃｕ< 5, Ｃｒ< 5, Ｃｄ< 5, Ｍｎ< 5, Ｃｏ< 5, Ｎｉ< 5 (모두가 검출 한계치 미만).
〔Ｍｇ재료의 형성〕
[실시예1]
도1은 성막장치의 개략도이다. 도1중에서 1은 원료용기이다. 2는 기판을 지지하여 가열하는 기판가열기이다. 3은 성막챔버(분해반응로)이다. 4는 기판이다. 5는 유량제어기이다. 6은 샤워헤드이다. 7은 캐리어 가스(수소 또는 Ａｒ, Ｎ2 등 불활성가스)이다. 10은 성막시에 성막챔버(3)내로 유입하는 첨가가스(예를 들면, Ａｒ, Ｎ2 등의 불활성가스 및 Ｈ2, ＮＨ3 등의 환원성가스)이다.
도1의 장치가 사용되어 성막작업이 이루어졌다. 우선, 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘을 원료용기(1)내에 넣었다. 원료용기(1)에 부착된 히터(도면에는 나타내지 않는다)에 의하여 90도로 가열되었다. 수소가스(캐리어가스)가 20ml/분의 비율로 공급되어 버블링(bubbling)이 이루어졌다. 이에 따라 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘이 수소가스와 함께 성막챔버(3)내로 인도되었다. 성막챔버(3)의 벽, 샤워헤드(6), 원료용기(1)로부터 샤워헤드(6)까지의 배관은 110도로 가온(加溫)되어 있다. 펌프(도면에는 나타내지 않는다)에 의하여 성막챔버(3)내는 진공으로 배기되었다. 성막챔버(3)와 펌프와의 사이에 설치된 압력조정밸브(도면에는 나타내지 않는다)에 의하여 성막챔버(3)내는 원하는 압력(예를 들면, 1ｋＰａ)으로 조정되어 있다. 기판(4)은 기판가열기(2)에 의하여 280도로 가열되어 있다. 10분 후에 기판(4) 상에 막(금속 Ｍｇ박막)이 형성되었다.
상기한 바와 같이 하여 형성된 막은 면내 균일성이 우수했다. 상기 막이 ＸＰＳ에 의하여 조사되었다. 그 결과, 막중의 Ｃ, Ｏ량은 검출한계치 미만이었다.
[실시예2]
상기 실시예1과 같은 조건(단, 작업시간은 48시간)으로 작업이 이루어졌다. 그 결과, 두께가 두꺼운 Ｍｇ재(材)가 얻어졌다.
얻어진 Ｍｇ의 순도는 높았다. 금속불순물 분석(ＩＣＰ-ＡＥＳ)에 의한 분석치(단위는 μg/g)는, 다음과 같았다. Ｓｉ< 10, Ｎａ< 5, Ｆｅ< 5, Ｚｎ< 5, Ｔｉ< 5, Ｃｕ< 5, Ｃｒ< 5, Ｃｄ< 5, Ｍｎ< 5, Ｃｏ< 5, Ｎｉ< 5 (모두가 검출한계치 미만).
[실시예3]
도1의 장치가 사용되었다. 캐리어가스(7)로서 10ｓｃｃｍ의 Ａｒ가스가, 성막시 첨가가스(10)로서 40ｓｃｃｍ의 Ａｒ가스와 20ｓｃｃｍ의 ＮＨ3가스와 80ｓｃｃｍ의 Ｈ2가스가 사용된 이외에는, 실시예1과 동일하게 이루어졌다. 성막시간은 30분간이었다.
상기한 바와 같이 하여 형성된 막은 금속Ｍｇ막이었다. 상기 막은 면내 균일성이 우수했다. 상기 막이 ＸＰＳ에 의하여 조사되었다. 그 결과, 막중의 Ｃ, Ｏ량은 검출한계치 미만이었다.
[실시예4]
도1의 장치가 사용되었다. 캐리어가스(7)로서 25ｓｃｃｍ의 Ａｒ가스가, 성막시 첨가가스(10)로서 100ｓｃｃｍ의 Ａｒ가스와 500ｓｃｃｍ의 ＮＨ3가스와 50ｓｃｃｍ의 Ｈ2가스가 사용된 이외에는, 실시예1과 동일하게 이루어졌다. 성막시간은 20분간이었다.
상기한 바와 같이 하여 형성된 막은 금속Ｍｇ막이었다. 상기 막은 면내 균일성이 우수했다. 상기 막이 ＸＰＳ에 의하여 조사되었다. 그 결과, 막중의 Ｃ, Ｏ량은 검출한계치 미만이었다.
[실시예5]
도2는 성막장치의 개략도이다. 도2중, 1은 원료용기이다. 2는 기판가열기이다. 3은 성막챔버이다. 4는 기판이다. 6은 샤워헤드이다. 8은 기화기이다. 9는, 원료용기(1)로부터 기화기(8)에 원료를 압송(壓送)하는 원료압송용 가스(예를 들면, Ｈｅ, Ａｒ 등의 불활성가스)이다. 10은, 성막시에 성막챔버(3)내로 유입되는 첨가가스(예를 들면, Ａｒ, Ｎ2 등의 불활성가스 및Ｈ2, ＮＨ3 등의 환원성가스)이다. 11은 원료압송용 가스(9)의 압력제어기이다. 12는 액체유량제어기이다. 액체유량제어기(12)는, 기화기(8)로의 원료액체의 압송유량을 제어한다.
도2의 장치가 사용되어 성막작업이 이루어졌다. 우선, 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘의 데칸 용액을 원료용기(1)내에 넣었다. 원료압송용 가스(9)로서 Ｎ2가스가 사용되고, 원료압송용 가스압력제어기(11)에 의하여 0.1ＭＰａ로 조정되었다. 액체유량제어기(12)에 의하여 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘의 데칸 용액이 0.1ｍg/ｍｉｎ이 되도록 조정되어, 압송되었다. 이에 따라 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘의 데칸 용액이 기화기(8)로 반송되었다. 기화기(8)로 반송된 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘은, 캐리어가스로서 50ｓｃｃｍ의 Ａｒ가스와 함께 성막챔버(3)내로 인도되었다. 성막시 첨가가스(10)로서, Ａｒ가스 40ｓｃｃｍ, ＮＨ3가스 20ｓｃｃｍ, Ｈ2가스 80ｓｃｃｍ도 성막챔버(3)내에 공급되었다. 성막챔버(3)의 벽, 샤워헤드(6), 원료용기(1)로부터 샤워헤드(6)까지의 배관은 110도로 가온되어 있다. 펌프(도면에는 나타내지 않는다)에 의하여 성막챔버(3)내는 진공으로 배기되었다. 성막챔버(3)와 펌프와의 사이에 설치된 압력조정밸브(도면에는 나타내지 않는다)에 의하여 원하는 압력(예를 들면, 1ｋＰａ)으로 조정되어 있다. 기판(4)은 기판가열기(2)에 의하여 290도로 가열되어 있다. 기판(4) 상에 막(금속Ｍｇ박막)이 형성되었다.
상기한 바와 같이 하여 형성된 막은 면내 균일성이 우수했다. 상기 막이 ＸＰＳ에 의하여 조사되었다. 그 결과, 막중의 Ｃ, Ｏ량은 검출한계치 미만이었다.
[실시예6]
실시예5에 있어서, 데칸(Ｃ10Ｈ22) 대신에, Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미딘이 사용된 것 이외에는 동일하게 이루어졌다. 기판(4) 상에 막(금속Ｍｇ박막)이 형성되었다.
상기한 바와 같이 하여 형성된 막은 면내 균일성이 우수했다. 상기 막이 ＸＰＳ에 의하여 조사되었다. 그 결과, 막중의 Ｃ, Ｏ량은 검출한계치 미만이었다.
〔질화Ｍｇ재료의 형성〕
[실시예7]
도1의 장치가 사용되어 성막작업이 이루어졌다. 우선, 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘을 원료용기(1)내에 넣었다. 원료용기(1)에 부착된 히터(도면에는 나타내지 않는다)에 의하여 90도로 가열되었다. 질소가스(캐리어가스)가 20ml/분의 비율로 공급되어 버블링이 이루어졌다. 이에 따라 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘이 질소가스와 함께 성막챔버(3)내로 인도되었다. 성막챔버(3)의 벽, 샤워헤드(6), 원료용기(1)로부터 샤워헤드(6)까지의 배관은 110도로 가온되어 있다. 성막시 첨가가스(10)로서 40ｓｃｃｍ의 ＮＨ3가스가 공급되었다. 펌프(도면에는 나타내지 않는다)에 의하여 성막챔버(3)내는 진공으로 배기되었다. 성막챔버(3)와 펌프와의 사이에 설치된 압력조정밸브(도면에는 나타내지 않는다)에 의하여 성막챔버(3)내는 원하는 압력(예를 들면, 1ｋＰａ)으로 조정되어 있다. 기판(4)은 기판가열기(2)에 의하여 550도로 가열되어 있다. 10분 후에 기판(4) 상에 막(질화Ｍｇ박막)이 형성되었다.
상기한 바와 같이 하여 형성된 막은 면내 균일성이 우수했다. 상기 막이 ＸＰＳ에 의하여 조사되었다. 그 결과, 막중의 Ｃ, Ｏ량은 검출한계치 미만이었다.
1 원료용기
2 기판가열기
3 성막챔버
4 기판
5 유량제어기
6 샤워헤드
7 캐리어가스
8 기화기
9 원료압송용 가스
10 성막시 첨가가스
11 원료압송용 가스 압력 제어기
12 액체유량제어기
2 기판가열기
3 성막챔버
4 기판
5 유량제어기
6 샤워헤드
7 캐리어가스
8 기화기
9 원료압송용 가스
10 성막시 첨가가스
11 원료압송용 가스 압력 제어기
12 액체유량제어기
Claims (6)
- Ｍｇ계 재료를 형성하기 위한 재료로서,
25℃에서 액체인 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘을 구비하고,
ＸＰＳ(Ｘ선광전자분광법)에 의하여, Ｏ, Ｃ의 불순물성분이 검출되지 않는 고순도의 Ｍｇ계 재료를 형성하는
것을 특징으로 하는 Ｍｇ계 재료 형성재료.
- 제1항에 있어서,
용매를 더 구비하는
것을 특징으로 하는 Ｍｇ계 재료 형성재료.
- 제2항에 있어서,
용매가 탄화수소계 화합물의 군(群) 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인
것을 특징으로 하는 Ｍｇ계 재료 형성재료.
- 제2항에 있어서,
용매가 Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미딘인
것을 특징으로 하는 Ｍｇ계 재료 형성재료.
- 제1항 내지 제4항 중의 어느 하나의 항에 기재된 Ｍｇ계 재료 형성재료를 실(室)로 수송하는 공정과,
상기 실로 수송된 비스(Ｎ,Ｎ'－디이소프로필프로피온아미디네이트)마그네슘의 분해에 의하여 기판상에 Ｍｇ계 재료가 형성되는 공정
을 구비하는 것을 특징으로 하는 Ｍｇ계 재료 형성방법.
- 삭제
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Non-Patent Citations (1)
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