KR101946832B1 - The backlight unit and the display device having the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 복수의 관통홀을 가지는 제1면, 그리고 상기 제1면으로부터 절곡되는 제2면을 포함하며, 상기 제1면에 회로패턴이 형성되어 있는 모듈기판, 그리고 상기 모듈 기판의 상기 제1면에 상기 관통홀에 삽입되어 상기 회로패턴과 전기적으로 연결되는 복수의 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈을 제공한다. 따라서, 인쇄회로기판의 배면에서 상기 발광소자 패키지와 인쇄회로기판 사이에 솔더링을 수행함으로써 솔더링을 위한 마스크의 크기를 줄일 수 있다.The present invention provides a module substrate including a first surface having a plurality of through holes and a second surface bent from the first surface and having a circuit pattern formed on the first surface, And a plurality of light emitting device packages inserted into the through holes on the surface of the substrate and electrically connected to the circuit patterns. Therefore, the size of the mask for soldering can be reduced by performing soldering between the light emitting device package and the printed circuit board on the back side of the printed circuit board.

Description

백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치{THE BACKLIGHT UNIT AND THE DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a backlight unit,

본 발명은 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다. 특히 본 발명은 발광 다이오드를 백라이트 유닛으로 형성하는 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a backlight unit and a display device including the same. In particular, the present invention relates to a display device in which a light emitting diode is formed as a backlight unit.

발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광원을 구성할 수 있다. Light emitting diodes (LEDs) can be made of a compound semiconductor material such as GaAs-based, AlGaAs-based, GaN-based, InGaN-based, and InGaAlP-based.

이러한 발광 다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광 장치로 이용되고 있으며, 발광 장치는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.Such a light emitting diode is used as a light emitting device that is packaged and emits various colors, and a light emitting device is used as a light source in various fields such as a lighting indicator, a character indicator, and an image indicator that display a color.

실시예는 새로운 구조를 가지는 백라이트 유닛 및 그를 포함하는 표시 장치를 제공한다.The embodiment provides a backlight unit having a new structure and a display device including the backlight unit.

실시예는 새로운 구조를 가지는 발광 모듈을 포함하는 백라이트 유닛을 제공한다. The embodiment provides a backlight unit including a light emitting module having a new structure.

실시예는 복수의 관통홀을 가지는 제1면, 그리고 상기 제1면으로부터 절곡되는 제2면을 포함하며, 상기 제1면에 회로패턴이 형성되어 있는 모듈기판, 그리고 상기 모듈 기판의 상기 제1면에 상기 관통홀에 삽입되어 상기 회로패턴과 전기적으로 연결되는 복수의 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈을 제공한다.An embodiment includes a module substrate including a first surface having a plurality of through holes and a second surface bent from the first surface and having a circuit pattern formed on the first surface, And a plurality of light emitting device packages inserted into the through holes on the surface of the substrate and electrically connected to the circuit patterns.

실시예에 따르면, 발광 모듈의 인쇄회로기판을 L자 형으로 형성하여 바텀 프레임과의 접촉면을 넓힘으로써 방열성을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment, the printed circuit board of the light emitting module is formed into an L shape, and the contact surface with the bottom frame is widened, so that the heat radiation property can be improved.

또한, 상기 인쇄회로기판에 발광소자 패키지를 실장하기 위한 홀을 형성하고, 상기 인쇄회로기판의 배면에서 상기 발광소자 패키지와 인쇄회로기판 사이에 솔더링을 수행함으로써 솔더링을 위한 마스크의 크기를 줄일 수 있다.The size of the mask for soldering can be reduced by forming a hole for mounting the light emitting device package on the printed circuit board and performing soldering between the light emitting device package and the printed circuit board on the back surface of the printed circuit board .

또한, 상기 홀을 통과하여 상기 발광소자 패키지를 실장하므로, 상기 발광소자 패키지와 인쇄회로기판의 결합력이 증가하며, 접촉 면적이 증가하여 방열성이 향상된다. In addition, since the light emitting device package is mounted through the hole, the bonding force between the light emitting device package and the printed circuit board increases, and the contact area increases to improve heat dissipation.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 I-I'으로 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 모듈을 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 발광 모듈을 Ⅱ-Ⅱ'으로 절단한 단면도이다.
도 5는 도 4의 점선 영역을 확대한 도면이다.
도 6은 도 5의 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 7은 도 6의 발광 소자의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 도 8의 발광 모듈을 나타내는 도면이다.1 is an exploded perspective view of a display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the display device of FIG. 1 taken along line I-I '.
3 is a view showing the light emitting module of FIG.
4 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 3 taken along line II-II '.
5 is an enlarged view of the dotted line area in Fig.
6 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG.
7 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG.
8 is a cross-sectional view of a display device according to a second embodiment of the present invention.
9 is a view showing the light emitting module of Fig.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.

그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, thicknesses are enlarged in order to clearly illustrate various layers and regions, and parts not related to the description are omitted, and like parts are denoted by similar reference numerals throughout the specification .

실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

본 발명은 표시 장치에 있어서, 백라이트 유닛의 발광 모듈을 L자형으로 형성하는 것이다.In the display device of the present invention, the light emitting module of the backlight unit is formed in an L shape.

이하에서는 도 1 내지 도 7을 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다.Hereinafter, a display device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 7. FIG.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 표시 장치를 I-I'으로 절단한 단면도이고, 도 3은 도 1의 발광 모듈을 나타내는 도면이며, 도 4는 도 3의 발광 모듈을 Ⅱ-Ⅱ'으로 절단한 단면도이고, 도 5는 도 4의 점선 영역을 확대한 도면이다.FIG. 1 is an exploded perspective view of a display device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line I-I 'of FIG. 1, FIG. 3 is a view of a light emitting module of FIG. 1 4 is a cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG. 3, and FIG. 5 is an enlarged view of a dotted line region of FIG.

제1 실시예에 따른 표시 장치는 백라이트 유닛과, 백라이트 유닛으로부터 빛을 제공받아 영상을 디스플레이하는 표시 패널을 포함한다. 따라서, 이하에서는 표시 장치를 설명함으로써 백라이트 유닛도 함께 설명하도록 한다. The display device according to the first embodiment includes a backlight unit and a display panel that receives light from the backlight unit and displays an image. Therefore, in the following description, the backlight unit will also be described together with the display device.

도 1 내지 도 4를 참고하면, 제1 실시예에 따른 표시 장치는 바텀 프레임(10), 바텀 프레임(10) 내에 형성되는 발광 모듈(20), 반사 시트(25) 및 도광판(30)을 포함한다.1 to 4, the display device according to the first embodiment includes a bottom frame 10, a light emitting module 20 formed in the bottom frame 10, a reflective sheet 25, and a light guide plate 30 do.

이러한 표시 장치는 발광 모듈(20), 반사 시트(25) 및 반사 시트(25) 위에 도광판(30)이 형성되어 발광부를 이루며, 도광판(30) 위에 광학 시트(40), 광학 시트(40) 위에 표시 패널(60)과 표시 패널(60) 위에 탑 프레임(70)이 형성된다.Such a display device has a light guide plate 30 formed on a light emitting module 20, a reflective sheet 25 and a reflective sheet 25 to form a light emitting portion. The light guide plate 30 includes an optical sheet 40, A top frame 70 is formed on the display panel 60 and the display panel 60.

바텀 프레임(10)은 서로 마주보는 두 개의 장변 및 장변과 수직하며 서로 마주보는 두 개의 단변을 갖는 직사각형 형태의 평면 형상을 가지는 바닥면과 바닥면으로부터 수직으로 연장된 4부분의 측면을 포함한다. The bottom frame 10 includes a bottom surface having a rectangular planar shape having two long sides opposite to each other and a long side having two short sides facing each other, and four side portions extending vertically from the bottom surface.

이러한 바텀 프레임(10)은 광학 시트(40) 위에 형성되는 지지 부재(50)와 결합하여 바텀 프레임(10) 내에 발광 모듈(20), 반사 시트(25), 도광판(30) 및 광학 시트(40)를 수납한다.The bottom frame 10 includes a light emitting module 20, a reflection sheet 25, a light guide plate 30, and an optical sheet 40 (not shown) in the bottom frame 10 in combination with a support member 50 formed on the optical sheet 40. [ ).

바텀 프레임(10)은 예를 들어, 금속 재질로 형성될 수도 있으며, 강성을 강화하기 위하여 바닥면에 복수의 볼록부(도시하지 않음)를 형성할 수 있다.The bottom frame 10 may be formed of, for example, a metal material, and a plurality of convex portions (not shown) may be formed on the bottom surface to enhance rigidity.

이러한 바텀 프레임(10)의 바닥면 위에는 반사 시트(25)가 형성된다.On the bottom surface of the bottom frame 10, a reflective sheet 25 is formed.

한편, 반사 시트(25)는 반사재, 반사 금속판 등으로 구성되어 도광판(30)으로부터 누설되는 광을 재반사한다. On the other hand, the reflective sheet 25 is composed of a reflective material, a reflective metal plate, and the like, and reflects light leaked from the light guide plate 30.

표시 장치는 복수의 발광 모듈(20) 및 복수의 반사 시트(25) 위로 발광 모듈(20)로부터 방출되는 빛을 확산 및 반사하여 면 광원으로 표시 패널(60)에 조사하는 도광판(30)이 형성되어 있다.The display device includes a light guide plate 30 for diffusing and reflecting light emitted from the light emitting module 20 onto a plurality of light emitting modules 20 and a plurality of reflective sheets 25 to irradiate the display panel 60 with a surface light source .

도광판(30)은 표시 패널(60)이 정의하는 한 화면에 대응하는 일체(one-body)형으로 형성되어 있다.The light guide plate 30 is formed in a one-body shape corresponding to a screen defined by the display panel 60. [

이러한 일체형의 도광판(30)은 상면 및 하면을 포함하며, 면 광원이 발생되는 상면은 평평할 수 있다.The integrated light guide plate 30 includes top and bottom surfaces, and the top surface on which the surface light source is generated may be flat.

상기 도광판(30)은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 하부에 반사 패턴이 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴은 각 코너를 기준으로 동심원 형상 또는 요철 형상의 패턴으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light guide plate 30 may be made of PC material or PMMA (Poly methyl methacrylate), and a reflection pattern may be formed on the lower part. The reflection pattern may be formed in a concentric or concave-convex pattern with respect to each corner, but the present invention is not limited thereto.

상기 도광판(30)은 형광체를 혼합하여 제조되거나, 상면에 형광체가 코팅될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light guide plate 30 may be fabricated by mixing phosphors, or may be coated with phosphors on the upper surface, but the present invention is not limited thereto.

상기 도광판(30)은 한 화면에 대응하도록 다각형의 형상을 가지며, 화면의 형상에 따라 사각형, 바람직하게는 직사각형의 형상을 가질 수 있다.The light guide plate 30 has a polygonal shape corresponding to one screen, and may have a rectangular shape, preferably a rectangular shape, depending on the shape of the screen.

상기 도광판(30)의 일 측에 발광 모듈(20)이 배치된다.A light emitting module (20) is disposed on one side of the light guide plate (30).

상기 발광 모듈(20)은 도 1과 같이 도광판(30)의 한 측면을 따라 연장되는 바(bar) 타입일 수 있다.The light emitting module 20 may be of a bar type extending along one side of the light guide plate 30 as shown in FIG.

도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 발광 모듈(20)은 기판(21) 위에 형성되는 복수의 발광소자 패키지(23)를 포함한다.Referring to FIGS. 2 and 3, the light emitting module 20 includes a plurality of light emitting device packages 23 formed on a substrate 21.

상기 기판(21)은 상기 발광소자 패키지(23)를 구동하는 패턴이 형성되어 있는 모듈 기판(21)으로, 금속기판 등일 수 있다.The substrate 21 is a module substrate 21 having a pattern for driving the light emitting device package 23, and may be a metal substrate or the like.

상기 모듈 기판(21)은 단방향으로 절단한 면이 L자 형을 가진다.The module substrate 21 has an L-shaped surface cut in one direction.

즉, 상기 모듈 기판(21)은 상기 도광판(30)의 측면과 평행하게 배치되며, 상기 복수의 발광소자 패키지(23)를 실장하는 제1면(21a), 그리고 상기 제1면(21a)으로부터 절곡되어 상기 바텀 프레임(10)의 바닥면 위에 배치되는 제2면(21b)을 포함한다. That is, the module substrate 21 is disposed parallel to the side surface of the light guide plate 30 and includes a first surface 21a for mounting the plurality of light emitting device packages 23, And a second surface 21b that is bent and disposed on the bottom surface of the bottom frame 10.

상기 제1면(21a)은 상기 도광판(30)의 측면과 평행하게 배치되어 있으며, 상기 기판(21)과 도광판(30) 사이에 발광소자 패키지(23)가 배치된다.The first surface 21a is disposed parallel to the side surface of the light guide plate 30 and the light emitting device package 23 is disposed between the substrate 21 and the light guide plate 30. [

상기 발광소자 패키지(23)는 도 3과 같이 소정의 거리를 갖도록 이격되어 배치될 수 있으며, 상기 모듈 기판(21)에 대하여 상면으로 빛을 방출하는 상면 발광 타입(top view)으로 도광판(30)의 측면으로 빛을 방출한다.The light emitting device package 23 may be spaced apart from the module substrate 21 by a predetermined distance as shown in FIG. 3. The light emitting device package 23 may be a top view type that emits light to the upper surface of the module substrate 21, To emit light to the side of the light source.

상기 모듈 기판(21)은 각각의 상기 발광소자 패키지(23)를 관통하는 관통홀(22)이 형성되어 있다.The module substrate 21 is formed with a through hole 22 passing through each of the light emitting device packages 23.

상기 관통홀(22)은 도 4 및 도 5와 같이, 상기 모듈 기판(21)의 상면으로부터 하면까지 관통하며 형성되어 있다.As shown in FIGS. 4 and 5, the through-hole 22 is formed to penetrate from the upper surface to the lower surface of the module substrate 21.

상기 모듈 기판(21)은 방열기판(110), 상기 방열기판(110) 하부에 절연층(120), 상기 절연층(120) 하부에 회로패턴(130)을 포함한다.The module substrate 21 includes a radiator plate 110, an insulation layer 120 under the radiator plate 110 and a circuit pattern 130 under the insulation layer 120.

상기 방열기판(110)은 금속 기판이거나, 알루미늄, 구리 등의 열전도도가 높은 금속을 포함하는 합금 기판일 수 있으며, 이와 달리 열전도도가 높은 질화물 기판일 수 있다.The radiator plate 110 may be a metal substrate or an alloy substrate including a metal having a high thermal conductivity such as aluminum or copper. Alternatively, the radiator plate 110 may be a nitride substrate having high thermal conductivity.

상기 방열기판(110) 하부에 절연층(120)을 포함한다.And an insulating layer 120 under the radiator plate 110. [

상기 절연층(120)은 상기 방열기판(110)이 질화물과 같이 비전도성의 물질인 경우에는 생략 가능하다.The insulating layer 120 may be omitted if the radiator plate 110 is a nonconductive material such as nitride.

상기 방열기판(110)이 금속기판인 경우, 상기 절연층(120)은 상기 금속 기판의 산화물 또는 질화물일 수 있으며, 이와 달리 수지재로 형성될 수 있다.When the radiator plate 110 is a metal substrate, the insulating layer 120 may be an oxide or a nitride of the metal substrate, or may be formed of a resin material.

상기 절연층(120) 하부에 회로패턴(130)이 형성되어 있다.A circuit pattern 130 is formed under the insulating layer 120.

상기 회로패턴(130)은 발광소자 패키지(23) 및 외부의 전원(도시하지 않음)과 연결되는 패드를 포함한다.The circuit pattern 130 includes pads connected to the light emitting device package 23 and an external power source (not shown).

상기 패드는 솔더 레지스트(140)에 의해 노출되어 있으며, 패드를 제외한 회로패턴(130)은 솔더 레지스트(140)에 의해 덮여있다.The pads are exposed by the solder resist 140, and the circuit patterns 130 except for the pads are covered with the solder resist 140.

상기 패드는 복수의 발광소자 패키지(23)와 솔더(25)를 통해 물리적으로 접착된다.The pad is physically bonded to the plurality of light emitting device packages 23 through the solder 25.

상기 모듈 기판(21)은 상기 발광소자 패키지(23)의 발광면을 상면으로 정의할 때, 상기 상면에 회로패턴(130)이 형성되지 않고, 하면에 회로패턴(130)이 형성됨으로써 상기 발광소자 패키지(23)와 상기 회로패턴(130)의 패드가 상기 모듈 기판(21)의 하면에서 서로 접합할 수 있다. When the light emitting surface of the light emitting device package 23 is defined as an upper surface, the circuit board 130 is not formed on the upper surface of the module substrate 21 and the circuit pattern 130 is formed on the lower surface of the module substrate 21, The package 23 and the pads of the circuit pattern 130 can be bonded to each other at the lower surface of the module substrate 21. [

한편, 도 5와 같이, 상기 관통홀(22)의 측면에 절연 물질이 형성될 수 있으며 상기 절연 물질은 모듈 기판(21)의 상면까지 연장되어 형성될 수 있다.5, an insulating material may be formed on a side surface of the through hole 22, and the insulating material may extend to an upper surface of the module substrate 21.

상기 절연 물질이 모듈 기판(21)의 상면에 형성될 때, 상기 절연 물질은 반사율이 높은 물질로 형성될 수 있다. When the insulating material is formed on the upper surface of the module substrate 21, the insulating material may be formed of a material having high reflectance.

이때, 상기 절연 물질은 상기 솔더 레지스트(140)로 형성될 수 있으며, 상기 솔더 레지스트(140)가 상기 모듈 기판(21)의 상면, 하면 및 상기 관통홀(22)의 측면까지 연장되어 상기 모듈 기판(21)과 발광소자 패키지(23)의 끼움에 의한 상기 패키지(23)에 발생할 수 있는 손상을 방지할 수 있다.At this time, the insulating material may be formed of the solder resist 140, and the solder resist 140 may extend to the upper and lower surfaces of the module substrate 21 and the side surfaces of the through holes 22, Damage to the package 23 due to the insertion of the light emitting device package 21 and the light emitting device package 23 can be prevented.

상기 발광소자 패키지(23)는 도 4 및 도 5와 같이 모듈 기판(21)의 하면에서 솔더링되어 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device package 23 may be soldered and electrically connected to the lower surface of the module substrate 21 as shown in FIGS.

L자형 인쇄회로기판을 형성하고, 한 면에 발광소자 패키지(23)의 솔더링 시 솔더링을 접합면의 안쪽(모듈 기판의 상면)에서 진행하는 경우, 솔더링을 위한 마스크가 상기 접합되는 제2면(21b)의 폭 이상의 두께를 갖도록 설계되어야 한다.When a L-shaped printed circuit board is formed and the soldering during the soldering of the light emitting device package 23 on one side proceeds from the inside of the bonding surface (the upper surface of the module substrate), a mask for soldering is formed on the second surface 21b. ≪ / RTI >

그러나, 실시예와 같이 접합면의 바깥쪽(모듈 기판의 하면)에서 솔더링을 진행하는 경우, 솔더링을 위한 마스크가 얇게 형성될 수 있어 제조 비용을 줄일 수 있다.However, when the soldering is performed on the outer side of the joint surface (the lower surface of the module substrate) as in the embodiment, the mask for soldering can be formed thin, thereby reducing the manufacturing cost.

한편, 발광소자 패키지(23)가 실장되는 제1면(21a)은 복수의 적층구조를 가지나, 제2면(21b)은 방열기판(110) 및 솔더 레지스트(140)만이 존재할 수 있다.On the other hand, the first surface 21a on which the light emitting device package 23 is mounted has a plurality of laminated structures, and the second surface 21b may include only the radiator plate 110 and the solder resist 140.

실시예와 같이 L자형 발광 모듈(20)을 형성하는 경우, 바텀 프레임(10)과 접착제(도시하지 않음)를 통해 발광 모듈(20)이 접착될 수 있으며, 별도의 브라켓을 요하지 않으므로 베젤의 크기를 줄일 수 있다. When the L-shaped light emitting module 20 is formed as in the embodiment, the light emitting module 20 can be bonded to the bottom frame 10 through an adhesive (not shown), and since a separate bracket is not required, .

이하에서는 도 6 및 도 7을 참조하여 본 실시예에 적용되는 발광소자 패키지를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device package applied to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG.

도 6을 참고하면, 상기 발광 소자 패키지(23)는 몸체(210), 상기 몸체(210) 상에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자(250), 그리고 상기 몸체(210) 상에 배치되어, 상기 발광 소자(250)와 전기적으로 연결되는 제1 리드 프레임(230) 및 제2 리드 프레임(240)을 포함한다.Referring to FIG. 6, the light emitting device package 23 includes a body 210, at least one light emitting element 250 disposed on the body 210, and a light emitting element 250 disposed on the body 210, And a first lead frame 230 and a second lead frame 240 that are electrically connected to the device 250.

또한, 상기 발광 소자 패키지는(23)는 상기 발광 소자(250)를 보호하는 수지재(260)를 포함한다.In addition, the light emitting device package 23 includes a resin material 260 for protecting the light emitting device 250.

상기 몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(210)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수도 있다. 몸체(210)가 전기 전도성을 갖는 재질인 경우, 몸체(210)의 표면에는 절연막(미도시)이 형성되어 몸체(210)가 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임과 전기적으로 쇼트(short)되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 위에서 바라본 몸체(210)의 둘레 형상은 발광 소자 패키지(23)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The body 210 may include at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), a silicon (Si), a metal material, a photo sensitive glass (PSG), a sapphire (Al 2 O 3 ), a printed circuit board Can be formed. The body 210 may be formed of a conductor having conductivity. When the body 210 is made of an electrically conductive material, an insulating film (not shown) is formed on the surface of the body 210 so that the body 210 is electrically shorted with the first lead frame and the second lead frame ≪ / RTI > The perimeter shape of the body 210 viewed from above may have various shapes such as a triangle, a rectangle, a polygon, and a circle depending on the use and design of the light emitting device package 23.

상기 몸체(210)에는 상부가 개방되도록 캐비티(215)가 형성될 수 있다. 상기 캐비티(215)는 예를 들어, 사출 성형에 의해 형성되거나, 에칭에 의해 형성될 수 있다.A cavity 215 may be formed in the body 210 to open the upper part. The cavity 215 may be formed, for example, by injection molding or by etching.

상기 캐비티(215)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 그 내측면은 바닥면에 대하여 수직한 측면이거나 경사진 측면이 될 수 있다. 상기 경사진 측면은 상기 몸체(210)에 습식 식각(Wet Etching)을 실시하여 형성된 경우, 50°내지 60°의 경사를 가질 수 있다.The cavity 215 may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like, and the inner surface thereof may be a side surface perpendicular to the bottom surface or a side surface inclined. The inclined side surface may be inclined by 50 to 60 when the body 210 is wet etched.

또한, 상기 캐비티(215)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상 일 수 있다.The shape of the cavity 215 viewed from the top may be circular, square, polygonal, elliptical, or the like.

상기 몸체(210) 위에 상기 제1 리드 프레임(230) 및 제2 리드 프레임(240)이 형성될 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(230) 및 상기 제2 리드 프레임(240)은 상기 발광 소자(250)에 전원을 제공할 수 있다. 한편, 상기 발광 소자(250)의 설계에 따라, 상기 제1,2 리드 프레임(230,240) 외에 복수 개의 리드 프레임이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first lead frame 230 and the second lead frame 240 may be formed on the body 210. The first lead frame 230 and the second lead frame 240 may provide power to the light emitting device 250. According to the design of the light emitting device 250, a plurality of lead frames may be formed in addition to the first and second lead frames 230 and 240, but the present invention is not limited thereto.

한편, 상기 제1, 2 리드 프레임(230,240)은 상기 캐비티(215) 내에 서로 이격되어 배치되어 있으며, 도 2와 같이 몸체(210)의 바닥면에 노출되어 외부로 돌출되는 리드(24)를 가진다.The first and second lead frames 230 and 240 are spaced apart from each other in the cavity 215 and have leads 24 exposed to the bottom surface of the body 210 as shown in FIG. .

상기 리드(24)는 몸체(210)의 측면으로부터 외부로 노출되며, 상기 발광소자 패키지(23)와 상기 모듈 기판(21)의 패드와 접촉되는 영역을 이룬다.The lead 24 is exposed from the side of the body 210 to the outside and is in contact with the pads of the light emitting device package 23 and the module substrate 21.

상기 제1,2 리드 프레임(230,240)은 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1,2 리드 프레임(230,240)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au)이 순차적으로 적층된 Ti/Cu/Ni/Au층 일 수 있으나, 이것에 한정하지 않는다.The first and second lead frames 230 and 240 may have a multi-layer structure. For example, the first and second lead frames 230 and 240 may be a Ti / Cu / Ni / Au layer in which titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni) , But is not limited thereto.

또한, 상기 제1,2 리드 프레임(230,240)은 전도성 연결부재인 와이어(252)를통하여 상기 제1,2 리드 프레임(230,240)을 상기 발광 소자(250)와 전기적으로 연결할 수 있다.The first and second lead frames 230 and 240 may electrically connect the first and second lead frames 230 and 240 to the light emitting device 250 through a wire 252 that is a conductive connecting member.

상기 제1 및 제2 리드 프레임(230, 240)은 캐비티(215) 내에서 도 6과 같이 상기 몸체(210)의 바닥면을 향하여 함몰되어 있는 리드홈을 형성할 수 있다.The first and second lead frames 230 and 240 may form a lead groove recessed toward the bottom surface of the body 210 in the cavity 215 as shown in FIG.

상기 리드홈을 형성하는 경우, 상기 발광 소자(250)가 상기 리드홈 내에 배치될 수 있으며, 와이어(252)를 통해 상기 제1 및 제2 리드 프레임(230, 240)과 전기적으로 연결될 수 있다.When forming the lead groove, the light emitting device 250 may be disposed in the lead groove and may be electrically connected to the first and second lead frames 230 and 240 through a wire 252. [

상기 발광 소자(250)는 상기 몸체(210) 상에 탑재될 수 있다. 상기 몸체(210)가 상기 캐비티(215)를 포함하는 경우, 상기 발광 소자(250)는 상기 캐비티(215) 내에 탑재될 수 있다. The light emitting device 250 may be mounted on the body 210. When the body 210 includes the cavity 215, the light emitting device 250 may be mounted in the cavity 215.

상기 발광 소자(250)는 상기 몸체(210) 상에 직접 배치되거나, 제1 또는 제2 리드 프레임(230,240) 상에 배치될 수 있다.The light emitting device 250 may be disposed directly on the body 210 or on the first or second lead frame 230 or 240.

발광 소자(250)는 와이어 본딩, 다이 본딩, 플립 본딩 방식을 선택적으로 이용하여 탑재할 수 있으며, 이러한 본딩 방식은 칩 종류 및 칩의 리드 프레임 위치에 따라 변경될 수 있다.The light emitting device 250 can be mounted by selectively using wire bonding, die bonding, and flip bonding. The bonding method can be changed depending on the chip type and the position of the lead frame of the chip.

발광 소자(250)는 III족과 V족 원소의 화합물 반도체 예컨대 AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs 등의 계열의 반도체를 이용하여 제조된 반도체 발광소자를 선택적으로 포함할 수 있다.  The light emitting device 250 may optionally include a semiconductor light emitting device manufactured using a semiconductor of a group III or V compound semiconductor such as AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP or InGaAs have.

도 7을 참고하면, 발광 소자(250)는 기판(251), 제1도전형 반도체층(253), 활성층(255), 제2도전형 반도체층(257), 전극층(259)을 포함한다.Referring to FIG. 7, the light emitting device 250 includes a substrate 251, a first conductive semiconductor layer 253, an active layer 255, a second conductive semiconductor layer 257, and an electrode layer 259.

상기 기판(251)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(251)의 상면에는 복수의 돌출부가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부는 상기 기판(251)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다. 상기 돌출부는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 기판(251)의 두께는 30㎛~300㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 251 may be made of a light-transmitting, insulating or conductive substrate. For example, the substrate 251 may be made of a material such as sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 , LiGaO 3 May be used. A plurality of protrusions may be formed on the upper surface of the substrate 251, and the plurality of protrusions may be formed through etching of the substrate 251, or may be formed of a light extraction structure such as a separate roughness. The protrusions may include a stripe shape, a hemispherical shape, or a dome shape. The thickness of the substrate 251 may be in the range of 30 탆 to 300 탆, but is not limited thereto.

상기 기판(251) 위에는 버퍼층(도시하지 않음)이 형성되며, 상기 버퍼층은 2족 내지 6족 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 III족-V족 화합물 반도체를 이용한 반도체층을 포함하며, 예컨대, InxAlyGa1 -x-yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체로서, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 버퍼층은 서로 다른 반도체층을 교대로 배치하여 초 격자 구조로 형성될 수 있다.A buffer layer (not shown) may be formed on the substrate 251, and the buffer layer may be formed of at least one layer using a Group 2 to Group 6 compound semiconductor. The buffer layer includes a semiconductor layer using a Group III-V compound semiconductor, for example, In x Al y Ga 1 -xy N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1) And at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The buffer layer may be formed in a superlattice structure by alternately arranging different semiconductor layers.

상기 버퍼층은 상기 기판(251)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자 상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있으며, 결함 제어층으로 정의될 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판(251)과 질화물 계열의 반도체층 사이의 격자 상수 사이의 값을 가질 수 있다. The buffer layer may be formed to mitigate the difference in lattice constant between the substrate 251 and the nitride-based semiconductor layer, and may be defined as a defect control layer. The buffer layer may have a value between a lattice constant between the substrate 251 and a nitride-based semiconductor layer.

상기 버퍼층 위에는 제1도전형 반도체층(253)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(253)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현되며, 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(253)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형의 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. A first conductive semiconductor layer 253 may be formed on the buffer layer. The first conductive semiconductor layer 253 is formed of a Group III-V compound semiconductor doped with a first conductive type dopant, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1). When the first conductivity type semiconductor layer 253 is an N-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant is an N-type dopant including Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 버퍼층과 상기 제1도전형 반도체층(253) 사이에는 반도체층이 형성되며, 상기 반도체층은 서로 다른 제1층과 제2층이 교대로 배치된 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층과 제2층의 두께는 수 Å이상으로 형성될 수 있다.A semiconductor layer may be formed between the buffer layer and the first conductive semiconductor layer 253 and the semiconductor layer may be formed in a superlattice structure in which first and second layers are alternately arranged, The thickness of the first layer and the second layer may be greater than a few angstroms.

상기 제1도전형 반도체층(253)과 상기 활성층(255) 사이에는 제1도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(255)의 장벽층의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1도전형 클래드층은 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. A first conductive clad layer (not shown) may be formed between the first conductive semiconductor layer 253 and the active layer 255. The first conductive clad layer may be formed of a GaN-based semiconductor, and its band gap may be formed to be equal to or larger than a band gap of the barrier layer of the active layer 255. The first conductive type cladding layer serves to constrain the carrier.

상기 제1도전형 반도체층(253) 위에는 활성층(255)이 형성된다. 상기 활성층(255)은 이중 접합, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층(255)은 우물층/장벽층이 교대로 배치되며, 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, AlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN의 적층 구조를 이용하여 2~30주기로 형성될 수 있다. The active layer 255 is formed on the first conductive semiconductor layer 253. The active layer 255 may be formed of at least one of a double junction, a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire, and a quantum dot structure. The active layer 255 has well layers / barrier layers alternately arranged, and the period of the well layer / barrier layer is set to 2 占 퐉 by using a laminated structure of InGaN / GaN, AlGaN / GaN, InGaN / AlGaN, and InGaN / InGaN, To 30 cycles.

상기 활성층(255) 위에는 제2도전형 클래드층이 형성되며, 상기 제2도전형 클래드층은 상기 활성층(255)의 장벽층의 밴드 갭보다 더 높은 밴드 갭을 가지며, III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN 계 반도체로 형성될 수 있다.A second conductive clad layer is formed on the active layer 255. The second conductive clad layer has a higher bandgap than a band gap of the barrier layer of the active layer 255 and a Group III- For example, a GaN-based semiconductor.

상기 제2도전형 클래드층 위에는 제2도전형 반도체층(257)이 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(257)은 제2도전형의 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(257)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(257)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다. A second conductive semiconductor layer 257 is formed on the second conductive clad layer and a second conductive type dopant is formed on the second conductive semiconductor layer 257. The second conductive semiconductor layer 257 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. When the second conductive semiconductor layer 257 is a P-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a P-type dopant.

발광 구조물 내에서 상기 제1도전형과 상기 제2도전형의 전도성 타입은 상기의 구조와 반대로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 제2도전형의 반도체층(257)은 N형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층(253)은 P형 반도체층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2도전형 반도체층(257) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층인 N형 반도체층이 더 형성할 수도 있다. 발광소자(250)는 상기 제1도전형 반도체층(253), 활성층(255) 및 상기 제2도전형 반도체층(257)을 발광 구조물(220)로 정의할 수 있으며, 상기 발광 구조물(220)은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 상기 N-P 및 P-N 접합은 2개의 층 사이에 활성층이 배치되며, N-P-N 접합 또는 P-N-P 접합은 3개의 층 사이에 적어도 하나의 활성층을 포함하게 된다.In the light emitting structure, the first conductive type and the second conductive type may be formed in a manner opposite to the above structure. For example, the second conductive type semiconductor layer 257 may include an N-type semiconductor layer, The conductive semiconductor layer 253 may be formed of a P-type semiconductor layer. Also, an N-type semiconductor layer may be further formed on the second conductive semiconductor layer 257 as a third conductive semiconductor layer having a polarity opposite to the polarity of the second conductive type. The light emitting device 250 may define the first conductive semiconductor layer 253, the active layer 255 and the second conductive semiconductor layer 257 as a light emitting structure 220, May be implemented by any one of an NP junction structure, a PN junction structure, an NPN junction structure, and a PNP junction structure. In the N-P and P-N junctions, an active layer is disposed between two layers, and an N-P-N junction or a P-N-P junction includes at least one active layer between three layers.

상기 제1도전형 반도체층(253) 위에 제1전극 패드가 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(257) 위에 전극층(259) 및 제2전극 패드가 형성된다. A first electrode pad is formed on the first conductive semiconductor layer 253 and an electrode layer 259 and a second electrode pad are formed on the second conductive semiconductor layer 257.

상기 전극층(259)은 전류 확산층으로서, 투과성 및 전기 전도성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 전극층(259)은 화합물 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률로 형성될 수 있다. The electrode layer 259 is a current diffusion layer, and may be formed of a material having permeability and electrical conductivity. The electrode layer 259 may have a refractive index lower than that of the compound semiconductor layer.

상기 전극층(259)은 상기 제2도전형 반도체층(257)의 상면에 형성되며, 그 물질은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 등 중에서 선택되며, 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 전극층(259)은 다른 예로서, 반사 전극층으로 형성될 수 있으며, 그 물질은 예컨대, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir와 같은 금속 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. The electrode layer 259 is formed on the upper surface of the second conductive type semiconductor layer 257. The material of the electrode layer 259 is indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO) aluminum zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO And may be formed of at least one layer. As another example, the electrode layer 259 may be formed of a reflective electrode layer, and the material may be selectively formed from a metal material such as Al, Ag, Pd, Rh, Pt, or Ir.

상기 제1전극 패드와 상기 제2전극 패드는 전도성 물질로서, Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.The first electrode pad and the second electrode pad may be formed of a conductive material such as Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Can be selected from among the optional alloys.

상기 발광 소자(250)의 표면에 절연층이 더 형성될 수 있으며, 상기 절연층은 발광 소자의 층간 쇼트(short)를 방지하고, 습기 침투를 방지할 수 있다. 다른 예로서, 상기 발광 소자의 표면에 형광체층이 더 배치될 수 있으며, 상기 형광체층은 발광 소자의 활성층으로부터 방출된 빛의 파장을 변환시켜 줄 수 있다.An insulating layer may further be formed on the surface of the light emitting device 250, and the insulating layer may prevent a short between layers of the light emitting device and prevent moisture penetration. As another example, a phosphor layer may be further disposed on the surface of the light emitting device, and the phosphor layer may convert the wavelength of light emitted from the active layer of the light emitting device.

도 6 및 도 7과 같이 실시예에서 발광소자 패키지(23)를 설명하였으나, 패키지(23)의 바닥면으로부터 측면 외부로 돌출되는 리드(24)를 가짐으로써 상기 모듈 기판(21)의 하면에 형성되는 패드와 전기적으로 연결될 수 있는 발광소자 패키지(23)는 모두 적용 가능하다.The light emitting device package 23 may be formed on the lower surface of the module substrate 21 by having the leads 24 protruding outward from the bottom surface of the package 23 as shown in FIGS. And the light emitting device package 23 that can be electrically connected to the pad are applicable.

이하에서는 도 8 및 도 9를 참고하여 제2 실시예를 설명한다.Hereinafter, the second embodiment will be described with reference to Figs. 8 and 9. Fig.

도 8 및 도 9를 참고하면, 제2 실시예에 따른 표시 장치는 바텀 프레임(10), 바텀 프레임(10) 내에 형성되는 발광 모듈(20), 반사 시트(25) 및 도광판(30)을 포함한다.8 and 9, the display device according to the second embodiment includes a bottom frame 10, a light emitting module 20 formed in the bottom frame 10, a reflective sheet 25, and a light guide plate 30 do.

이때, 상기 발광 모듈(20)은 도 1과 같이 도광판(30)의 한 측면을 따라 연장되는 바(bar) 타입일 수 있다.In this case, the light emitting module 20 may be of a bar type extending along one side of the light guide plate 30 as shown in FIG.

상기 발광 모듈(20)은 기판(21) 위에 형성되는 복수의 발광소자 패키지(23)를 포함한다.The light emitting module 20 includes a plurality of light emitting device packages 23 formed on a substrate 21.

상기 기판(21)은 상기 발광소자 패키지(23)를 구동하는 패턴이 형성되어 있는 모듈 기판(21)으로, 금속기판 등일 수 있다.The substrate 21 is a module substrate 21 having a pattern for driving the light emitting device package 23, and may be a metal substrate or the like.

상기 기판(21)은 단방향으로 절단한 면이 ㄷ자 형을 가진다.The surface of the substrate 21 cut in one direction has a C shape.

즉, 상기 기판(21)은 상기 도광판(30)의 측면과 평행하게 배치되며, 상기 복수의 발광소자 패키지(23)를 실장하는 제1면(21a), 상기 제1면(21a)으로부터 절곡되어 상기 바텀 프레임(10)의 바닥면 위에 배치되는 제2면(21b), 그리고 상기 제1면(21a)으로부터 절곡되어 상기 제2면(21b)과 평행하게 연장되는 제3면(21c)을 포함한다. That is, the substrate 21 is disposed in parallel with the side surface of the light guide plate 30, and includes a first surface 21a for mounting the plurality of light emitting device packages 23, a second surface 21a bent from the first surface 21a, A second surface 21b disposed on the bottom surface of the bottom frame 10 and a third surface 21c bent from the first surface 21a and extending parallel to the second surface 21b do.

상기 제1면(21a)은 상기 도광판(30)의 측면과 평행하게 배치되어 있으며, 상기 기판(21)과 도광판(30) 사이에 발광소자 패키지(23)가 배치된다.The first surface 21a is disposed parallel to the side surface of the light guide plate 30 and the light emitting device package 23 is disposed between the substrate 21 and the light guide plate 30. [

상기 모듈 기판의 제1면(21a)에 각각의 상기 발광소자 패키지(23)를 관통하는 관통홀(22)이 형성되어 있다.상기 관통홀(22) 및 발광소자 패키지(23)와의 결합은 도 4 내지 도 7과 동일하다.A through hole 22 is formed in the first surface 21a of the module substrate so as to penetrate the light emitting device package 23. The connection between the through hole 22 and the light emitting device package 23 4 to Fig.

상기 모듈 기판(21)의 제3면(21c)은 제1면(21a)과 연장되어 발광소자 패키지(23)의 상부를 덮음으로 상기 발광소자 패키지(23)로부터 상부로 발생하는 빛 샘을 방지할 수 있다.The third surface 21c of the module substrate 21 is extended to the first surface 21a to cover the upper portion of the light emitting device package 23 to prevent light leakage generated from the light emitting device package 23 can do.

도 8에서는 도광판(30)의 높이가 상기 제1면(21a)의 폭과 동일한 것으로 도시하였으나, 이와 달리 상기 도광판(30)의 높이가 상기 제1면(21a)의 폭보다 작아 상기 제3면(21c)의 하부에 상기 도광판(30)의 상면이 삽입되는 구조도 가능하다.8, the height of the light guide plate 30 is equal to the width of the first surface 21a. Alternatively, the height of the light guide plate 30 is smaller than the width of the first surface 21a, The upper surface of the light guide plate 30 may be inserted into the lower portion of the light guide plate 21c.

또한, 상기 제2면(21b)의 폭(d2)은 상기 제3면(21c)의 폭(d1)보다 같거나 클 수 있으며, 상기 제2면(21b)의 폭(d2)이 제3면(21c)의 폭(d1)보다 큰 경우, 방열성이 향상될 수 있다.The width d2 of the second surface 21b may be equal to or greater than the width d1 of the third surface 21c and the width d2 of the second surface 21b may be equal to or greater than the width d1 of the third surface 21c, Is larger than the width (d1) of the recessed portion 21c, heat dissipation can be improved.

상기 도 8에서는 상기 제2면(21b)과 반사시트(25)가 동일면 상에 형성되는 것으로 도시하였으나, 이와 달리 상기 반사시트(25)가 제2면(21b) 위에 연장되어 형성될 수도 있다.8, the second surface 21b and the reflective sheet 25 are formed on the same surface. Alternatively, the reflective sheet 25 may extend on the second surface 21b.

위에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, .

10: 바텀 프레임,
20: 발광 모듈
25: 반사 시트,
30: 도광판,
40: 광학 시트,
50: 지지 부재,
60: 표시 패널,
70: 탑 프레임10: bottom frame,
20: Light emitting module
25: reflective sheet,
30: light guide plate,
40: Optical sheet,
50: support member,
60: display panel,
70: Top frame

Claims (14)

바텀 프레임;
상기 바텀 프레임 내에 수용되며 측면 및 상면을 가지는 도광판;
상기 도광판의 측면에 대응되어 배치되며 복수의 관통홀을 가지는 제1면, 상기 제1면으로부터 절곡되는 제2면과 상기 제2면과 평행하며 상기 제1면으로부터 절곡되는 제3면을 포함하고 상기 제1면에 회로패턴이 형성되어 있는 모듈기판; 및
상기 모듈기판의 상기 제1면의 상기 관통홀에 삽입되어 상기 회로패턴과 전기적으로 연결되는 복수의 발광소자 패키지를 포함하고,
상기 제2면의 폭은 상기 제3면의 폭보다 크고,
상기 모듈기판의 제1면은,
방열기판;
상기 방열기판 하부에 절연층;
상기 절연층 하부에 형성되며 패드가 구비된 상기 회로패턴을 포함하고,
상기 회로패턴은 상기 모듈기판에서 상기 발광소자 패키지의 발광면과 반대되는 하면에 형성되고,
상기 회로패턴을 덮으며 패드를 노출하는 솔더 레지스트를 포함하며,
상기 솔더 레지스트는 상기 관통홀의 측면과 상기 제1면에 위치한 상기 방열기판의 상면 및 상기 회로패턴 하면의 일부 영역에 배치되는 표시장치.A bottom frame;
A light guide plate accommodated in the bottom frame and having a side surface and an upper surface;
A first surface disposed corresponding to a side surface of the light guide plate and having a plurality of through holes, a second surface bent from the first surface, and a third surface parallel to the first surface and bent from the first surface, A module substrate on which a circuit pattern is formed on the first surface; And
And a plurality of light emitting device packages inserted into the through holes of the first surface of the module substrate and electrically connected to the circuit patterns,
Wherein a width of the second surface is larger than a width of the third surface,
Wherein the first surface of the module substrate comprises:
Radiator plate;
An insulating layer below the radiator plate;
And a circuit pattern formed under the insulating layer and having pads,
Wherein the circuit pattern is formed on the lower surface of the module substrate opposite to the light emitting surface of the light emitting device package,
And a solder resist covering the circuit pattern and exposing the pad,
Wherein the solder resist is disposed on a side surface of the through hole, on an upper surface of the radiator plate located on the first surface, and in a partial area of the lower surface of the circuit pattern. 제1항에 있어서,
상기 모듈기판은 상기 제1면과 상기 제2면이 L자 형을 이루는 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the first surface and the second surface of the module substrate are L-shaped. 제2항에 있어서,
상기 발광소자 패키지는,
캐비티를 포함하는 몸체;
상기 몸체 상에 배치되는 적어도 하나의 발광소자;
상기 발광 소자와 전기적으로 연결되며 서로 이격되어 배치되는 제1리드 프레임과 제2리드 프레임을 포함하고,
상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임은 상기 몸체의 바닥면에 노출되어 외부로 돌출된 리드를 포함하는 표시장치.3. The method of claim 2,
Wherein the light emitting device package includes:
A body including a cavity;
At least one light emitting element disposed on the body;
And a first lead frame and a second lead frame electrically connected to the light emitting element and spaced apart from each other,
Wherein the first lead frame and the second lead frame include leads protruding outward from the bottom surface of the body. 제3항에 있어서,
상기 모듈기판의 제3면은 상기 발광소자 패키지의 상부를 덮는 표시장치.The method of claim 3,
And a third surface of the module substrate covers an upper portion of the light emitting device package. 제4항에 있어서,
상기 모듈기판의 제2면은 상기 방열기판 및 상기 솔더 레지스트만 배치되는 표시장치.5. The method of claim 4,
Wherein only the radiator plate and the solder resist are disposed on the second surface of the module substrate. 제5항에 있어서,
상기 방열기판은 금속기판을 포함하며,
상기 제1면의 하면에 상기 패드와 상기 발광소자 패키지를 전기적으로 연결하는 솔더가 형성되는 표시장치.6. The method of claim 5,
Wherein the radiator plate includes a metal substrate,
Wherein a solder for electrically connecting the pad and the light emitting device package is formed on a lower surface of the first surface. 제6항에 있어서,
상기 도광판의 높이는 상기 모듈기판 제1면의 폭보다 작으며,
상기 모듈기판의 제3면 하부에 상기 도광판의 상면이 삽입되고,
상기 발광소자 패키지의 리드와 상기 모듈 기판의 패드가 상기 솔더에 의해 전기적으로 연결되는 표시장치.The method according to claim 6,
Wherein a height of the light guide plate is smaller than a width of the first surface of the module substrate,
An upper surface of the light guide plate is inserted into a lower portion of a third surface of the module substrate,
Wherein a lead of the light emitting device package and a pad of the module substrate are electrically connected by the solder. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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CN107515490B (en) * 2017-09-01 2020-03-24 青岛海信电器股份有限公司 Backlight module and liquid crystal display device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010097924A (en) * 2008-09-18 2010-04-30 Hitachi Ltd Liquid crystal display unit
JP2011146382A (en) * 2010-01-15 2011-07-28 Lg Innotek Co Ltd Backlight unit and display device using the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101546741B1 (en) * 2009-05-13 2015-08-25 삼성디스플레이 주식회사 Light emitting module and display apparatus having the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010097924A (en) * 2008-09-18 2010-04-30 Hitachi Ltd Liquid crystal display unit
JP2011146382A (en) * 2010-01-15 2011-07-28 Lg Innotek Co Ltd Backlight unit and display device using the same

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