KR101945959B1 - 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 그 조정 방법 - Google Patents

멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 그 조정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101945959B1
KR101945959B1 KR1020170071390A KR20170071390A KR101945959B1 KR 101945959 B1 KR101945959 B1 KR 101945959B1 KR 1020170071390 A KR1020170071390 A KR 1020170071390A KR 20170071390 A KR20170071390 A KR 20170071390A KR 101945959 B1 KR101945959 B1 KR 101945959B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
shape
aperture member
polynomial
stage
beams
Prior art date
Application number
KR1020170071390A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170139459A (ko
Inventor
오사무 이이즈카
Original Assignee
가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 filed Critical 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Publication of KR20170139459A publication Critical patent/KR20170139459A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101945959B1 publication Critical patent/KR101945959B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002—Details
    • H01J37/3005—Observing the objects or the point of impact on the object
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging
    • G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H01J37/1472—Deflecting along given lines
    • H01J37/1474—Scanning means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H01J37/3045—Object or beam position registration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043—Beam blanking
    • H01J2237/0435—Multi-aperture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
    • H01J2237/24514—Beam diagnostics including control of the parameter or property diagnosed
    • H01J2237/24542—Beam profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304—Controlling tubes
    • H01J2237/30433—System calibration
    • H01J2237/30438—Registration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304—Controlling tubes
    • H01J2237/30455—Correction during exposure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31766—Continuous moving of wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31776—Shaped beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 실시 형태에 따른 멀티 하전 입자빔 묘화 장치는, 멀티빔의 각 빔의 온 / 오프를 전환하는 복수의 블랭커와, 블랭킹 편향된 빔을 기판을 재치하는 스테이지의 이동에 추종하여 편향시키는 주편향기와, 주편향기에 의해 편향된 빔을 스테이지 상에 형성된 마크에 대해 주사하고, 반사되는 하전 입자의 강도의 변화로부터 빔 위치를 검출하는 검출부와, 온빔을 전환하고, 상기 온빔을 상기 마크에 대해 주사하여 빔 위치로부터 멀티빔의 형상을 산출하는 빔 형상 산출부를 구비한다. 주편향기에 의한 빔 편향 위치에 의존한 빔 위치의 이탈량을 표현하는 다항식을 이용해 주편향 영역의 형상을 보정하여, 온빔을 상기 마크에 대해 주사한다. 상기 다항식은 온빔마다 상이하다.

Description

멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 그 조정 방법 {MULTI-CHARGED PARTICLE BEAM WRITING APPARATUS AND ADJUSTING METHOD THEREOF}
본 발명은 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 그 조정 방법에 관한 것이다.
LSI의 고집적화에 수반하여, 반도체 디바이스의 회로 선폭은 더 미세화되고 있다. 이들 반도체 디바이스에 회로 패턴을 형성하기 위한 노광용 마스크(스테퍼 또는 스캐너에서 이용되는 것은 레티클이라고도 함)를 형성하는 방법으로서, 우수한 해상성을 가지는 전자빔 묘화 기술이 이용되고 있다.
예를 들면, 멀티빔을 사용한 묘화 장치가 있다. 멀티빔을 이용함으로써, 1 개의 전자빔으로 묘화하는 경우에 비해, 한 번(1 회의 샷)에 많은 빔을 조사할 수 있으므로 스루풋을 큰 폭으로 향상시킬 수 있다. 멀티빔 방식의 묘화 장치에서는, 예를 들면, 전자총으로부터 방출된 전자빔을 복수의 홀을 가진 애퍼처 부재에 통과시켜 멀티빔을 형성하고, 각 빔의 블랭킹 제어를 행하여, 차폐되지 않은 각 빔이 광학계에서 축소되어 이동 가능한 스테이지 상에 재치된 기판에 조사된다.
멀티빔 방식의 묘화 장치는, 빔을 편향시켜 기판 상에서의 빔 조사 위치를 결정하는 주편향기 및 부편향기를 가진다. 주편향기로 멀티빔 전체를 기판 상의 소정의 장소에 위치 결정하고, 부편향기로 빔 피치를 채우듯이 편향시킨다.
이러한 멀티빔 방식의 묘화 장치에서는, 복수의 빔을 한 번에 조사하고 애퍼처 부재의 동일한 홀 또는 상이한 홀을 통과하여 형성된 빔끼리를 연결해 가서 원하는 도형 형상의 패턴을 묘화한다. 기판 상에 조사되는 멀티빔 전체 상의 형상(이하, '빔 형상'이라고 기재하기도 함)이 묘화 도형의 연결 정밀도가 되어 나타나기 때문에, 멀티빔 전체 상의 축소율(신축율) 또는 왜곡의 조정이 중요했다.
멀티빔 전체 상의 축소율 등은 빔 형상에 기초하여 조정되기 때문에, 빔 형상을 정확하게 측정할 필요가 있다. 빔 형상은 온으로 할 빔을 차례로 전환하여 스테이지 상의 반사 마크를 스캔하고, 각 빔의 위치를 검출함으로써 측정된다.
그러나, 스테이지 상의 반사 마크를 스캔할 때 주편향기에 의한 빔 편향량이 커져 빔의 궤도가 변경되어 빔 형상에 왜곡이 발생하여, 빔 형상의 측정 정밀도를 저하시킨다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 빔 형상을 정밀도 좋게 측정하고 조정할 수 있는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 그 조정 방법을 제공한다.
본 발명의 일 태양에 따른 멀티 하전 입자빔 묘화 장치는, 기판을 재치하는 연속 이동 가능한 스테이지와, 하전 입자빔을 방출하는 방출부와, 복수의 개구부가 형성되고, 상기 복수의 개구부 전체가 포함되는 영역에 상기 하전 입자빔의 조사를 받아 상기 복수의 개구부를 상기 하전 입자빔의 일부가 각각 통과함으로써 멀티빔을 형성하는 애퍼처 부재와, 상기 애퍼처 부재의 복수의 개구부를 통과한 멀티빔 중 각각 대응하는 빔의 온 / 오프를 전환하는 블랭킹 편향을 행하는 복수의 블랭커가 배치된 블랭킹 플레이트와, 블랭킹 편향된 빔을 상기 스테이지의 이동에 추종하여 각 빔의 묘화 위치에 편향시키는 주편향기와, 상기 주편향기에 의해 편향된 빔을 상기 스테이지 상에 형성된 마크에 대해 주사하고, 반사되는 하전 입자의 강도의 변화와 상기 스테이지의 위치로부터 빔 위치를 검출하는 검출부와, 상기 블랭커에 의해 온빔을 전환하고, 상기 온빔을 상기 마크에 대해 주사하여, 온빔의 빔 위치로부터 상기 스테이지 상에서의 멀티빔의 형상을 산출하는 빔 형상 산출부를 구비하고, 상기 주편향기에 의한 빔 편향 위치에 의존한 빔 위치의 이탈량을 표현하는 다항식을 이용해 상기 주편향기에 의한 편향 영역의 형상을 보정하여, 상기 온빔을 상기 마크에 대해 주사하며, 상기 다항식은 상기 온빔마다 상이한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 묘화 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 애퍼처 부재의 구성을 나타내는 개념도이다.
도 3은 빔 위치의 측정 방법을 설명하는 도면이다.
도 4는 주편향 감도의 측정 방법을 설명하는 도면이다.
도 5는 빔 형상의 측정 방법을 설명하는 도면이다.
도 6(a) 및 도 6(b)는 빔 형상에 왜곡이 없는 경우의 주편향 영역을 나타내는 도면이다.
도 7(a) ~ 도 7(c)는 빔 형상에 왜곡이 있는 경우의 주편향 영역의 예를 나타내는 도면이다.
도 8은 주편향 영역의 형상의 보정예를 나타내는 도면이다.
도 9는 동 실시 형태에 따른 주편향 보정 계수의 산출 방법을 설명하는 순서도이다.
도 10은 동 실시 형태에 따른 빔 형상의 측정 방법을 설명하는 순서도이다.
이하, 실시 형태에서는 하전 입자빔의 일례로서 전자빔을 이용한 구성에 대해 설명한다. 단, 하전 입자빔은 전자빔에 한정되지 않으며, 이온빔 등의 하전 입자빔이어도 된다.
도 1은 본 실시 형태에서의 묘화 장치의 구성을 나타내는 개념도이다. 도 1에서 묘화 장치(100)는 묘화부(150)와 제어부(160)를 구비하고 있다. 묘화 장치(100)는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치의 일례이다. 묘화부(150)는 경통(102)과 묘화실(103)을 구비하고 있다. 경통(102) 내에는 전자총(201), 조명 렌즈(202), 애퍼처 부재(203), 블랭킹 플레이트(204), 축소 렌즈(205), 제한 애퍼처 부재(206), 대물 렌즈(207), 코일(208), 주편향기(209) 및 부편향기(도시 생략)가 배치되어 있다.
묘화실(103) 내에는 검출기(212) 및 XY 스테이지(105)가 배치된다. XY 스테이지(105) 상에는 묘화 대상이 되는 기판(101)이 배치된다. 기판(101)에는 반도체 장치를 제조할 때의 노광용 마스크 혹은 반도체 장치가 제조될 반도체 기판(실리콘 웨이퍼) 등이 포함된다. 또한, 기판(101)에는 레지스트가 도포된 아직 아무것도 묘화되지 않은 마스크 블랭크스가 포함된다.
XY 스테이지(105) 상에는 XY 스테이지(105)의 위치 측정용의 미러(210)가 배치된다. 또한, XY 스테이지(105) 상에는 빔 캘리브레이션용의 마크(M)가 형성되어 있다. 마크(M)는 전자빔으로 주사함으로써 위치를 검출하기 쉽도록 예를 들면 십자형의 형상으로 되어 있다(도 3 참조). 검출기(212)는 마크(M)의 십자를 전자빔으로 주사할 때에 마크(M)로부터의 반사 전자를 검출한다.
제어부(160)는 제어 계산기(110), 편향 제어 회로(130), 디지털 · 아날로그 변환(DAC) 앰프(131), 코일 제어 회로(132), 렌즈 제어 회로(133), 검출 앰프(134), 스테이지 위치 검출기(135), 자기 디스크 장치 등의 기억 장치(140 및 142)를 가지고 있다.
편향 제어 회로(130), 코일 제어 회로(132), 렌즈 제어 회로(133), 검출 앰프(134), 스테이지 위치 검출기(135), 기억 장치(140 및 142)는 버스를 개재하여 제어 계산기(110)에 접속되어 있다. 기억 장치(140)에는 묘화 데이터가 외부로부터 입력되어 저장되어 있다. 기억 장치(142)에는 후술하는 주편향 보정 계수 데이터가 저장되어 있다.
편향 제어 회로(130)에는 DAC 앰프(131)가 접속된다. DAC 앰프(131)는 주편향기(209)에 접속된다. 코일 제어 회로(132)에는 코일(208)이 접속되어 있다. 렌즈 제어 회로(133)에는 대물 렌즈(207)가 접속되어 있다.
제어 계산기(110)는 묘화 데이터 처리부(111), 묘화 제어부(112), 빔 위치 검출부(113), 계수 취득부(114), 빔 형상 산출부(115) 및 조정부(116)를 구비한다. 제어 계산기(110)의 각 부의 기능은 하드웨어로 실현되어도 되고, 소프트웨어로 실현되어도 된다. 소프트웨어로 구성하는 경우에는, 제어 계산기(110)의 적어도 일부의 기능을 실현하는 프로그램을 기록 매체에 수납하고 전기 회로를 포함하는 컴퓨터에 판독하게 하여 실행시켜도 된다. 기록 매체는 자기 디스크 또는 광디스크 등의 착탈 가능한 것에 한정되지 않으며, 하드 디스크 장치 또는 메모리 등의 고정형의 기록 매체여도 된다.
도 2는 애퍼처 부재(203)의 구성을 나타내는 개념도이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 애퍼처 부재(203)에는 세로(y 방향) m 열×가로(x 방향) n 열(m, n ≥ 2)의 홀(개구부)(22)이 소정의 배열 피치로 매트릭스 형상으로 형성되어 있다. 도 2에서는 가로세로(x, y 방향)로 512×512 열의 홀(22)이 형성된다. 각 홀(22)은 모두 동일한 치수 형상의 직사각형으로 형성된다. 혹은, 동일한 직경의 원형이어도 상관없다.
전자빔(200)이 애퍼처 부재(203)의 복수의 홀(22)을 각각 통과함으로써, 예를 들면 직사각형 형상의 복수의 전자빔(멀티빔)(20)이 형성된다.
홀(22)의 배열 방식은 도 2와 같이 가로세로가 격자 형상으로 배치되는 경우에 한정되지 않는다. 예를 들면, 세로 방향(y 방향) k 단째의 열과 k+1 단째의 열의 홀끼리가 가로 방향(x 방향)으로 이동하여 배치되어도 된다.
블랭킹 플레이트(204)에는, 도 2에 나타낸 애퍼처 부재(203)의 각 홀(22)에 대응하는 위치에 멀티빔의 각 빔이 통과하는 통과홀(개구부)이 형성되어 있다. 각 통과홀의 근방에는 빔을 편향시키는 블랭킹 편향용의 전극(블랭커 : 블랭킹 편향기)이 배치되어 있다.
각 통과홀을 통과하는 전자빔(20)은 각각 독립적으로 블랭커로부터 인가되는 전압에 의해 편향된다. 이 편향에 의해 블랭킹 제어가 행해진다. 이와 같이, 복수의 블랭커가 애퍼처 부재(203)의 복수의 홀(22)(개구부)을 통과한 멀티빔 중 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행한다.
이어서, 묘화부(150)의 동작에 대해 설명한다. 전자총(201)(방출부)으로부터 방출된 전자빔(200)은 조명 렌즈(202)에 의해 대략 수직으로 애퍼처 부재(203) 전체를 조명 한다. 전자빔(200)이 애퍼처 부재(203)의 복수의 홀(22)을 각각 통과함으로써 멀티빔(20)이 형성된다. 멀티빔(20)은 각각 블랭킹 플레이트(204)의 대응하는 통과홀을 통과한다.
블랭킹 플레이트(204)를 통과한 멀티빔(20)은 축소 렌즈(205)에 의해 축소되고, 제한 애퍼처 부재(206)에 형성된 중심의 홀을 향해 진행된다. 여기서, 블랭킹 플레이트(204)의 블랭커에 의해 빔 OFF가 되도록 편향된 전자빔(20)은 제한 애퍼처 부재(206)(블랭킹 애퍼처 부재)의 중심의 홀로부터 위치가 벗어나, 제한 애퍼처 부재(206)에 의해 차폐된다. 한편, 블랭킹 플레이트(204)의 블랭커에 의해 빔 온이 되도록 편향된 전자빔(20)은 제한 애퍼처 부재(206)의 중심의 홀을 통과한다.
이와 같이, 제한 애퍼처 부재(206)는 블랭커에 의해 빔 OFF의 상태가 되도록 편향 된 각 빔을 차폐한다. 그리고, 빔 ON이 되고 나서 빔 OFF가 될 때까지 형성된 제한 애퍼처 부재(206)를 통과한 빔에 의해 1 회분의 샷의 빔이 형성된다.
제한 애퍼처 부재(206)를 통과한 멀티빔(20)은 코일(208)에 의해 얼라인먼트 조정되고, 대물 렌즈(207)에 의해 초점이 맞춰져 원하는 축소율의 패턴상이 된다. 주편향기(209)는 제한 애퍼처 부재(206)를 통과한 각 빔(멀티빔 전체)을 동일 방향으로 일괄적으로 편향시켜 기판(101) 상의 묘화 위치(조사 위치)에 조사한다.
XY 스테이지(105)가 연속 이동하고 있을 때, 빔의 묘화 위치(조사 위치)가 XY 스테이지(105)의 이동에 추종하도록 주편향기(209)에 의해 트래킹 제어된다. XY 스테이지(105)의 위치는, 스테이지 위치 검출기(135)로부터 XY 스테이지(105) 상의 미러(210)를 향해 레이저를 조사하고 그 반사광을 이용하여 측정된다.
한 번에 조사되는 멀티빔은, 이상적으로는 애퍼처 부재(203)의 복수의 홀(22)의 배열 피치에 전술한 원하는 축소율을 곱한 피치로 나열되게 된다. 부편향기(도시 생략)는 빔 피치를 채우도록 멀티빔 전체를 편향시킨다.
제어 계산기(110)의 묘화 데이터 처리부(111)는 기억 장치(140)로부터 묘화 데이터를 독출해 복수 단의 데이터 변환을 행하여 샷 데이터를 생성한다. 샷 데이터에는, 기판(101)의 묘화면을 예를 들면 빔 사이즈로 격자 형상의 복수의 조사 영역으로 분할한 각 조사 영역으로의 조사 유무 및 조사 시간 등이 정의된다.
묘화 제어부(112)는 샷 데이터 및 스테이지 위치 정보에 기초하여 편향 제어 회로(130)에 제어 신호를 출력한다. 편향 제어 회로(130)는 제어 신호에 기초하여 블랭킹 플레이트(204)의 각 블랭커의 인가 전압을 제어한다. 또한, 편향 제어 회로(130)는 XY 스테이지(105)의 이동에 추종하도록 빔 편향시키기 위한 편향량 데이터(트래킹 편향 데이터)를 연산한다. 디지털 신호인 트래킹 편향 데이터는 DAC 앰프(131)에 출력되고, DAC 앰프(131)는 디지털 신호를 아날로그 신호로 변환한 후 증폭시켜 트래킹 편향 전압으로서 주편향기(209)에 인가한다.
멀티빔 방식의 묘화 장치에서는, 묘화 대상의 기판(101)에 애퍼처 부재(203)의 복수의 홀(22)의 배열 피치에 소정의 축소율을 곱한 피치로 나열된 다수의 빔을 한 번에 조사하고, 빔끼리를 연결하여 빔 피치를 채움으로써 원하는 도형 형상의 패턴을 묘화한다. 이 때문에, 묘화 처리 전에 빔 위치를 검출하여 주편향기(209)의 주편향 감도의 교정을 행하거나 빔 형상을 측정하여 치수를 조정할 필요가 있다.
빔 위치를 검출하는 경우는, 도 3에 나타낸 바와 같이 주편향기(209)로 전자빔(20)을 전후 좌우(x 방향 및 y 방향)로 편향시켜 마크(M)의 십자를 주사하고, 반사 전자를 검출기(212)로 검출하고 검출 앰프(134)로 증폭시켜 디지털 데이터로 변환한 후에 측정 데이터를 제어 계산기(110)에 출력한다.
빔 위치 검출부(113)는 측정된 반사 전자를 시계열로 나열한 프로파일과 그 때의 스테이지 위치로부터 빔의 위치를 계산할 수 있다.
주편향 감도를 측정하는 경우는, 특정의 빔만 온으로 하고 주편향기(209)의 편향량을 변경하면서 빔 위치를 측정한다. 예를 들면, 도 4에 나타낸 바와 같이 애퍼처 부재(203)의 중심의 홀(22)을 통과하는 빔만 온으로 하고, 온빔의 바로 아래의 위치(P1)로 마크(M)를 이동시켜, 마크(M)의 십자를 주사하여 빔 위치를 계산한다.
이어서, 마크(M)를 주편향 영역(주편향기(209)에 의한 편향 영역)(R1) 내의 다른 위치(P2)로 이동시켜 동일하게 빔 위치를 계산한다. 그 후, 마크(M)를 또 다른 위치(P3, P4, P5)로 차례로 이동시켜 각 위치에서 빔 위치를 계산한다. 주편향기(209)에 의한 편향량과 산출된 빔 위치를 비교함으로써 주편향 감도를 교정할 수 있다.
빔 형상을 측정하는 경우는, 도 5에 나타낸 바와 같이 애퍼처 부재(203)의 중심과 네 모서리와 같이 온으로 할 빔을 차례로 전환하여 주편향 감도 측정과 동일한 측정을 행한다. 빔 사이즈의 설계값에 기초하여 온빔의 바로 아래로 마크(M)를 이동시킬 수 있다.
도 6(a), 도 6(b)는 빔 형상에 왜곡이 없는 경우의 주편향 영역(R2, R3)을 나타내고 있다. 도 6(a)는 애퍼처 부재(203)의 중심의 홀(22)을 통과하는 빔만 온으로 한 경우를 나타내고, 도 6(b)는 애퍼처 부재(203)의 네 모서리의 홀(22) 중 1 개를 통과하는 빔만 온으로 한 경우를 나타내고 있다. 주편향 영역(R2, R3)의 형상은 동일한 정사각형으로 되어 있다.
실제의 묘화 장치에서는 빔 형상에 다소의 왜곡이 발생한다. 또한, 빔 형상 측정시에는 주편향기(209)의 편향량이 커서 주편향기(209)에 의한 편향 위치에 의존한 빔 위치의 이탈에 따른 빔 형상의 왜곡도 더해진다.
도 7(a) ~ 도 7(c)는 빔 형상에 왜곡이 있는 경우의 주편향 영역(R4 ~ R6)을 나타내고 있다. 도 7(a)는 애퍼처 부재(203)의 중심의 홀(22)을 통과하는 빔만 온으로 한 경우를 나타내고, 도 7(b), 도 7(c)는 애퍼처 부재(203)의 네 모서리의 홀(22) 중 1 개를 통과하는 빔만 온으로 한 경우를 나타내고 있다. 주편향 영역(R4)의 형상은 정사각형으로 되어 있는데 반해, 주편향 영역(R5, R6)의 형상은 일그러져서 사다리꼴이 되어 있다.
이와 같이, 빔이 통과하는 애퍼처 부재(203)의 홀(22)이 다름으로써 주편향 영역(R4 ~ R6)의 형상이 상이하면, 빔 형상의 측정 정밀도를 열화시킨다. 이 때문에, 본 실시 형태에서는 도 8에 나타낸 바와 같이 애퍼처 부재(203)의 상이한 홀(22)을 통과한 빔의 주편향 영역의 형상이 서로 동일해지도록 주편향 영역의 형상을 보정한다. 예를 들면, 도 8에 나타낸 보정 후의 주편향 영역(R5′)의 형상은 도 7(a)에 나타낸 주편향 영역(R4)과 동일한 정사각형이 되어 있다.
주편향기(209)에 의한 편향 위치(x, y)에 의존한 빔 위치의 이탈량(주편향 왜곡)(Δx, Δy)은 애퍼처 부재(203)의 홀(22)마다 이하와 같은 고차 다항식으로 표현할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는 4 차식으로 표현하고 있으나, 3 차식이어도 되고, 5 차식 이상이어도 된다.
Δx = a0+(a1+1)x+a2y+a3x2+a4xy+a5y2+a6x3+a7x2y+a8xy2+a9y3+···+a14y4
Δy = b0+b1x+(b2+1)y+b3x2+b4xy+b5y2+b6x3+b7x2y+b8xy2+b9y3+···+b14y4
이 다항식의 계수(a0 ~ a14, b0 ~ b14)가 전술한 주편향 보정 계수이며, 애퍼처 부재(203)의 홀(22)마다 주편향 보정 계수(a0 ~ a14, b0 ~ b14)를 규정한 데이터가 기억 장치(142)에 저장되어 있다. 예를 들면, 기억 장치(142)는 애퍼처 부재(203)의 중심과 네 모서리의 합계 5 개소의 홀(22)의 각각에 대해 주편향 보정 계수(a0 ~ a14, b0 ~ b14)를 저장한다.
주편향 보정 계수는 미리 산출하여 기억 장치(142)에 저장해 둔다. 도 9는 주편향 보정 계수의 산출 방법을 설명하는 순서도이다. 먼저, 온으로 할 빔을 결정한다(단계(S101)). 예를 들면, 애퍼처 부재(203)의 중심의 홀(22)을 통과하는 빔을 온으로 한다고 결정한다.
XY 스테이지(105)를 이동시켜 마크(M)의 십자를 주사한다(단계(S102, S103)). 검출기(212)가 반사 전자를 검출하고, 빔 위치 검출부(113)가 검출된 반사 전자를 시계열로 나열한 프로파일과 그 때의 스테이지 위치로부터 빔의 위치를 계산한다. 주편향 보정 계수의 산출에 충분한 측정 점수가 될 때까지 스테이지 이동 및 마크(M)의 스캔을 반복한다(단계(S102 ~ S104)). 예를 들면, 도 4의 위치(P1 ~ P5)로 마크(M)를 차례로 이동시켜 스캔하여 빔 위치를 계산한다.
주편향 영역 내의 복수의 위치로 마크(M)를 이동시켜 계산한 빔 위치로부터 주편향 보정 계수(a0 ~ a14, b0 ~ b14)를 구한다(단계(S105)). 온으로 할 빔을 전환하여 동일한 측정을 반복하여 행한다(단계(S101 ~ S106)). 예를 들면, 애퍼처 부재(203)의 네 모서리의 홀(22)을 통과하는 빔을 1 개씩 차례로 온빔으로 한다. 이에 따라, 애퍼처 부재(203)의 홀(22)마다 주편향 보정 계수(a0 ~ a14, b0 ~ b14)를 구할 수 있다(단계(S107)). 각 홀(22)에 대응하는 주편향 보정 계수(a0 ~ a14, b0 ~ b14)는 기억 장치(142)에 저장된다. 예를 들면, 애퍼처 부재(203)의 중심과 네 모서리의 각각의 홀(22)에 대응하는 5 세트의 주편향 보정 계수(a0 ~ a14, b0 ~ b14)가 기억 장치(142)에 저장된다.
주편향 보정 계수를 이용하여 빔 형상을 측정하는 방법을 도 10에 나타낸 순서도를 이용하여 설명한다. 먼저, 온으로 할 빔을 결정한다(단계(S201)). 예를 들면, 애퍼처 부재(203)의 중심의 홀(22)을 통과하는 빔을 온으로 한다고 결정한다.
이어서, XY 스테이지(105)를 이동시켜 온빔의 바로 아래로 마크(M)를 이동시킨다(단계(S202)). 계수 취득부(114)가 온빔의 애퍼처 부재(203)의 홀(22)의 위치에 대응하는 주편향 보정 계수를 기억 장치(142)로부터 취득한다(단계(S203)). 이어서, 마크(M)의 십자를 주사한다(단계(S204)). 빔 형상 산출부(115)는 마크(M)를 주사할 때, 취득된 주편향 보정 계수를 이용한 전술한 다항식으로부터 주편향 왜곡량을 계산하고, 주편향 영역의 형상이 정사각형이 되도록 주편향기(209)의 편향량을 보정한다.
검출기(212)가 반사 전자를 검출하고, 빔 위치 검출부(113)가 검출된 반사 전자를 시계열로 나열한 프로파일과 그 때의 스테이지 위치로부터 빔의 위치를 계산한다.
온으로 할 빔을 전환하여 동일한 측정을 반복하여 행한다(단계(S201 ~ S205)). 예를 들면, 애퍼처 부재(203)의 네 모서리의 홀(22)을 통과하는 빔을 1 개씩 차례로 온빔으로 한다. 단계(S203)에서는 계수 취득부(114)가 온빔의 애퍼처 부재(203)의 홀(22)의 위치에 따라 각각 상이한 주편향 보정 계수를 기억 장치(142)로부터 취득한다. 빔 형상 산출부(115)가 각 빔의 위치로부터 빔 형상을 산출한다(단계(S206)).
본 실시 형태에 따르면, 애퍼처 부재(203)의 상이한 홀(22)을 통과한 빔의 주편향 영역의 형상이 서로 동일해지도록 주편향 영역의 형상을 보정하여, 주편향기(209)의 편향에 기인하는 빔 형상의 왜곡을 억제하기 때문에, 빔 형상을 정밀도 좋게 측정할 수 있다.
조정부(116)는 측정된 빔 형상에 기초하여 빔의 축소율 등을 조정한다. 이 때문에, 기판(101)에 조사되는 멀티빔의 형상 또는 치수를 정밀도 좋게 조정할 수 있어, 묘화 도형의 연결 정밀도를 향상시킬 수 있다.
상기 실시 형태에서는 빔 형상의 측정에 사용할 빔에 대응하는 주편향 보정 계수(a0 ~ a14, b0 ~ b14)를 기억 장치(142)에 저장하였다. 예를 들면, 애퍼처 부재(203)의 중심과 네 모서리의 홀(22)을 통과한 5 개의 빔을 사용하는 경우, 각 홀(22)에 대응하는 5 세트의 주편향 보정 계수(a0 ~ a14, b0 ~ b14)를 기억 장치(142)에 저장하였다.
주편향 보정 계수(a0 ~ a14, b0 ~ b14)가 저장되어 있는 홀(22)과는 상이한 홀(22)을 통과한 빔을 빔 형상의 측정에 사용해도 된다. 이 경우, 계수 취득부(114)는 빔 형상의 측정에 사용할 빔이 통과하는 홀(22)의 주위(근방)에 위치하는 복수의 홀(22)에 대응하는 복수 세트의 주편향 보정 계수를 기억 장치(142)로부터 취출하고, 선형 보간(바이리니어 보간)하여 주편향 보정 계수를 산출한다.
또한, 주편향 보정 계수(a0 ~ a14, b0 ~ b14)를 애퍼처 부재(203)의 홀(22)의 위치를 변수로 한 함수로 표현하고, 이 함수를 기억 장치(142)에 저장해도 된다. 계수 취득부(114)는 기억 장치(142)로부터 함수를 취출하고, 온빔이 통과하는 홀(22)의 위치를 대입하여 주편향 보정 계수(a0 ~ a14, b0 ~ b14)를 산출한다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태 그대로에 한정되지 않으며, 실시 단계에서는 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성 요소를 변형하여 구체화할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태에 개시되어 있는 복수의 구성 요소의 적당한 조합에 의해 다양한 발명을 형성할 수 있다. 예를 들면, 실시 형태에 나타낸 전체 구성 요소로부터 몇 개의 구성 요소를 삭제해도 된다. 또한, 상이한 실시 형태에 걸친 구성 요소를 적절히 조합해도 된다.

Claims (10)

  1. 기판을 재치하는 연속 이동 가능한 스테이지와,
    하전 입자빔을 방출하는 방출부와,
    복수의 개구부가 형성되고, 상기 복수의 개구부 전체가 포함되는 영역에 상기 하전 입자빔의 조사를 받아 상기 복수의 개구부를 상기 하전 입자빔의 일부가 각각 통과함으로써 멀티빔을 형성하는 애퍼처 부재와,
    상기 애퍼처 부재의 복수의 개구부를 통과한 멀티빔 중 각각 대응하는 빔의 온 / 오프를 전환하는 블랭킹 편향을 행하는 복수의 블랭커가 배치된 블랭킹 플레이트와,
    블랭킹 편향된 빔을 상기 스테이지의 이동에 추종하여 각 빔의 묘화 위치에 편향시키는 주편향기와,
    상기 주편향기에 의해 편향된 빔을 상기 스테이지 상에 형성된 마크에 대해 주사하고, 반사되는 하전 입자의 강도의 변화와 상기 스테이지의 위치로부터 빔 위치를 검출하는 검출부와,
    상기 블랭커에 의해 온빔을 전환하고, 해당 온빔을 상기 마크에 대해 주사하여, 온빔의 빔 위치로부터 상기 스테이지 상에서의 멀티빔의 형상을 산출하는 빔 형상 산출부
    를 구비하고,
    상기 주편향기에 의한 빔 편향 위치에 의존한 빔 위치의 이탈량을 표현하는 다항식을 이용해, 상기 애퍼처 부재의 상이한 개구부를 통과하는 빔 각각의 상기 주편향기에 의한 편향 영역의 형상을 동일한 미리 정해진 형상을 가지도록 보정하여, 상기 온빔을 상기 마크에 대해 주사하며,
    상기 다항식은 상기 온빔마다 상이한 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 애퍼처 부재의 복수의 상기 개구부에 대응하는 복수 조의 상기 다항식의 계수를 저장하는 기억 장치와,
    상기 기억 장치로부터 상기 온빔을 형성하는 상기 개구부에 대응하는 계수를 취득하는 계수 취득부
    를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 계수 취득부는 상기 기억 장치로부터 상기 온빔을 형성하는 개구부의 주위의 복수의 개구부에 대응하는 복수 조의 계수를 취득하고, 복수 조의 계수를 선형 보간하여 상기 보정용의 다항식을 생성하는 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 애퍼처 부재에는 상기 복수의 개구부가 매트릭스 형상으로 형성되고,
    상기 기억 장치는 상기 복수의 개구부 중 중심에 위치하는 개구부에 대응하는 상기 다항식의 계수와 네 모서리의 개구부에 대응하는 상기 다항식의 계수를 저장하는 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 애퍼처 부재의 개구부의 위치로부터 상기 다항식의 계수를 산출하는 함수를 저장하는 기억 장치와,
    상기 함수에 상기 온빔을 형성하는 상기 개구부의 위치를 대입하여 상기 다항식의 계수를 구하는 계수 취득부
    를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치.
  6. 하전 입자빔을 방출하는 공정과,
    애퍼처 부재의 복수의 개구부를 상기 하전 입자빔이 통과함으로써 멀티빔을 형성하는 공정과,
    복수의 블랭커를 이용하여 상기 멀티빔 중 각각 대응하는 빔의 온 / 오프를 전환하는 블랭킹 편향을 행하는 공정과,
    주편향기를 이용하여 블랭킹 편향된 빔을 기판을 재치 가능한 스테이지의 이동에 추종하여 각 빔의 묘화 위치에 편향시키는 공정과,
    상기 주편향기에 의해 편향된 빔을 상기 스테이지 상에 형성된 마크에 대해 주사하고, 반사되는 하전 입자의 강도의 변화와 상기 스테이지의 위치로부터 빔 위치를 검출하는 공정과,
    상기 블랭커에 의해 온빔을 전환하고, 해당 온빔을 상기 마크에 대해 주사하여, 온빔의 빔 위치로부터 상기 스테이지 상에서의 멀티빔의 형상을 산출하는 공정과,
    산출한 멀티빔의 형상에 기초하여 멀티빔의 치수를 조정하는 공정
    을 구비하고,
    상기 주편향기에 의한 빔 편향 위치에 의존한 빔 위치의 이탈량을 표현하는 다항식을 이용해, 상기 애퍼처 부재의 상이한 개구부를 통과하는 빔 각각의 상기 주편향기에 의한 편향 영역의 형상을 동일한 미리 정해진 형상을 가지도록 보정하여, 상기 온빔을 상기 마크에 대해 주사하며,
    상기 다항식은 상기 온빔마다 상이한 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치의 조정 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 애퍼처 부재의 복수의 상기 개구부에 대응하는 복수 조의 상기 다항식의 계수를 저장하는 기억 장치로부터 상기 온빔을 형성하는 상기 개구부에 대응하는 계수를 취득하는 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치의 조정 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기억 장치로부터 상기 온빔을 형성하는 개구부의 주위의 복수의 개구부에 대응하는 복수 조의 계수를 취득하고, 복수 조의 계수를 선형 보간하여 상기 보정용의 다항식을 생성하는 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치의 조정 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 애퍼처 부재에는 상기 복수의 개구부가 매트릭스 형상으로 형성되고,
    상기 기억 장치는 상기 복수의 개구부 중 중심에 위치하는 개구부에 대응하는 상기 다항식의 계수와 네 모서리의 개구부에 대응하는 상기 다항식의 계수를 저장하는 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치의 조정 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 애퍼처 부재의 개구부의 위치로부터 상기 다항식의 계수를 산출하는 함수에 상기 온빔을 형성하는 상기 개구부의 위치를 대입하여 상기 다항식의 계수를 구하는 것을 특징으로 하는 기재의 멀티 하전 입자빔 묘화 장치의 조정 방법.
KR1020170071390A 2016-06-09 2017-06-08 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 그 조정 방법 KR101945959B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-115479 2016-06-09
JP2016115479A JP6808986B2 (ja) 2016-06-09 2016-06-09 マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170139459A KR20170139459A (ko) 2017-12-19
KR101945959B1 true KR101945959B1 (ko) 2019-02-08

Family

ID=60572975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170071390A KR101945959B1 (ko) 2016-06-09 2017-06-08 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 그 조정 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10109458B2 (ko)
JP (1) JP6808986B2 (ko)
KR (1) KR101945959B1 (ko)
TW (1) TWI639895B (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6791051B2 (ja) * 2017-07-28 2020-11-25 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6863208B2 (ja) * 2017-09-29 2021-04-21 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP7074479B2 (ja) * 2018-01-11 2022-05-24 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム検査装置
JP2019220559A (ja) * 2018-06-19 2019-12-26 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びそのビーム評価方法
JP7031516B2 (ja) * 2018-07-06 2022-03-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 照射量補正量の取得方法、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置
CN111381436B (zh) * 2018-12-27 2024-03-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 具有图形的光罩的制造方法
JP7180515B2 (ja) * 2019-04-11 2022-11-30 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP7388237B2 (ja) 2020-02-20 2023-11-29 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003297732A (ja) * 2002-04-04 2003-10-17 Hitachi Ltd 電子ビーム描画方法及び描画装置、並びにこれを用いた半導体製造方法
JP2004303794A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Canon Inc 露光装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3927620B2 (ja) * 1996-06-12 2007-06-13 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法
JPH10106931A (ja) * 1996-10-03 1998-04-24 Hitachi Ltd 電子ビーム露光方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法
JP4756776B2 (ja) 2001-05-25 2011-08-24 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法およびデバイス製造方法
JP4563756B2 (ja) * 2004-09-14 2010-10-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム描画方法および電子ビーム描画装置
JP2008085120A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置の位置補正係数算出方法及び荷電粒子ビーム描画装置の位置補正係数更新方法
JP5828610B2 (ja) * 2007-07-12 2015-12-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置
JP5859778B2 (ja) * 2011-09-01 2016-02-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP5956797B2 (ja) * 2012-03-22 2016-07-27 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP5977629B2 (ja) * 2012-04-05 2016-08-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6147528B2 (ja) * 2012-06-01 2017-06-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6293435B2 (ja) * 2013-08-08 2018-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2016072497A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 加速電圧ドリフトの補正方法、荷電粒子ビームのドリフト補正方法、及び荷電粒子ビーム描画装置
JP2016082131A (ja) * 2014-10-20 2016-05-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビームを用いた描画方法、および荷電粒子ビーム描画でのショット補正方法
JP2016103571A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003297732A (ja) * 2002-04-04 2003-10-17 Hitachi Ltd 電子ビーム描画方法及び描画装置、並びにこれを用いた半導体製造方法
JP2004303794A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Canon Inc 露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201809895A (zh) 2018-03-16
JP6808986B2 (ja) 2021-01-06
TWI639895B (zh) 2018-11-01
JP2017220615A (ja) 2017-12-14
US20170358425A1 (en) 2017-12-14
KR20170139459A (ko) 2017-12-19
US10109458B2 (en) 2018-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101945959B1 (ko) 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 그 조정 방법
JP5956797B2 (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
KR101476390B1 (ko) 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치
US9159535B2 (en) Multi charged particle beam writing method, and multi charged particle beam writing apparatus
US9543119B2 (en) Multi charged particle beam writing apparatus and method for correcting a current distribution of groups of charged particle beams
US9466461B2 (en) Rotation angle measuring method of multi-charged particle beam image, rotation angle adjustment method of multi-charged particle beam image, and multi-charged particle beam writing apparatus
CN109585246B (zh) 多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法
KR20130025348A (ko) 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 묘화 방법
KR20160034191A (ko) 멀티 하전 입자빔의 빔 위치 측정 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치
KR20180053226A (ko) 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법
KR102432752B1 (ko) 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법
KR20160038779A (ko) 가속 전압 드리프트의 보정 방법, 하전 입자빔의 드리프트 보정 방법, 및 하전 입자빔 묘화 장치
KR102154534B1 (ko) 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법
KR102468348B1 (ko) 멀티 빔 묘화 방법 및 멀티 빔 묘화 장치
JP2020205314A (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant