KR101937155B1 - 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용되기 위한 코팅조성물 - Google Patents

오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용되기 위한 코팅조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 하나 이상의 파라반 산 부분을 포함하는 성분을 포함하는 유기 코팅 조성물, 특히 항반사 코팅 조성물에 관한 것이며, 본 발명의 조성물은 노광 조사선이 기판에서 오버코팅된 포토레지스트층으로 반사되어 들어오는 것을 감소시키는데 유용하며 및/또는 평면화, 컨포멀 또는 바이어-필층으로서 기능하는데 유용하다.

Description

오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용되기 위한 코팅조성물 {COATING COMPOSITIONS FOR USE WITH AN OVERCOATED PHOTORESIST}
본 발명은 오버코팅된 포코레지스트의 하부 코팅조성물의 구성성분으로서 특히 유용한 파라반산 조성물에 관한 것이다.
포토레지스트는 이미지를 기판으로 전송하는데 사용되는 감광성 필름이다. 포코레지스트의 코팅층은 기판상에 형성되며, 이후 포토레지스트층이 포토마스크를 통해 활성화 조사선 광원에 노광된다. 포토마스크는 활성 조사선에 불투명한 영역과 활성 조사선에 투명한 다른 영역을 가진다. 활성 조사선에의 노광은 포토레지스트 코팅의 광유도 또는 화학적 변형을 일으키고, 따라서 포토마스크의 패턴이 포토레지스트-코팅된 기판에 전송된다. 노광후, 포토레지스트는 현상되어 기판의 선택적인 가공을 허용하는 릴리프 이미지를 제공한다.
포토레지스트는 주로 실리콘 또는 갈륨 아르세나이드와 같이 고도로 연마된 반도체 조각을 회로 기능을 수행하는 전자 전도 경로의 복잡한 매트릭스로 전환시키는 것을 목적으로 하는 반도체 공정에 사용된다. 적합한 포토레지스트 공정은 이러한 목적을 달성하는데 가장 중요한 요인이다. 여러 다양한 포토레지스트 공정 단계간에 강력한 상호연관이 있지만, 노광은 고해상의 포토레지스트 이미지를 얻는데 가장 중요한 단계중 하나로 여겨진다.
포토레지스트를 노광하는데 사용되는 활성화 조사선의 반사는 종종 포토레지스트층에 패턴화되는 이미지의 해상도에 한계를 부여한다. 기판/포토레지스트 계면에서의 조사선의 반사는 포토레지스트에서 조사선 강도에 있어 공간적 편차를 유발하여, 현상시 포토레지스트 선간격의 불균일성을 초래할 수 있다. 또한 조사선은 기판/포토레지스트 계면에서 포토레지스트 영역 중 노광을 의도하지 않았던 영역에 분산되어, 선간격의 편차를 초래할 수 있다.
반사된 조사선의 문제점을 줄이기 위한 한 방안으로 기판 표면과 포토레지스트 코팅층 사이에 조사선 흡수층을 끼워 사용하였다. (미국 2007026458호 및 2010029556호 참조).
전자 장비 제조자들은 계속적으로 항반사 코팅층 상에 패턴화된 포토레지스트 이미지의 해상도를 증가시키는 방법을 찾고 있다.
노광 조사선이 기판에서 오버코팅된 포토레지스트층으로 반사되어 들어오는 것을 감소시켜 패턴화된 포토레지스트 이미지의 해상도를 증가시키는데 유용한 코팅조성물을 제공한다.
일 측면에서, 본 발명은 하나 이상의 파라반 산 부분(parabanic acid moiety)을 포함하는 레진을 제공한다.
바람직한 본 발명의 코팅조성물의 레진은 하나 이상의 폴리에스테르 연결을 포함할 수 있다. 바람직한 레진은 또한 파라반산 부분 이외에 우라실기 및/또는 시아누레이트기와 같은 기를 포함한다.
추가적인 측면에서, 본 발명은 하부 항반산성 조성물을 포함하여 하부 코팅 조성물을 제공하며, 이는 하나 이상의 파라반 산 부분을 포함하는 성분을 포함한다. 바람직한 본 발명의 하부 코팅 조성물은 하나 이상의 파라반 산 부분을 포함하는 레진을 포함하는 조성물을 포함한다. 하부 코팅조성물의 바람직한 추가적 성분은 교차결합 기능기 또는 물질을 포함한다. 바람직한 하부 코팅 조성물은 마이크로전자 웨이퍼와 같은 바람직한 기판에 스핀-온 (spin-on) 적용되기 위한 유기 용매 조성물로서 포뮬레이션된다.
바람직한 본 발명의 하부 코팅조성물은 먼저 교차결합된 후 물 접촉각의 조절을 위해 처리된다. 이러한 교차결합은 하나 이상의 조성물 성분 간의 공유결합 형성 반응 및 경질화를 포함한다.
항반사 응용을 위해, 본 발명의 하부 조성물은 오버코팅된 레지스트층을 노광시키는데 사용되며, 뒤에서 레지스트층으로 반사되는, 원하지 않은 조사선을 흡수할 수 있는 크로모포어기를 포함하는 성분을 함유할 수 있다. 이러한 크로모포어기는 레진 또는 산 생성 화합물과 같은 다른 조성물 성분과 함께 존재하거나, 또는 조성물이 이러한 크로모포어 단위를 포함하는 다른 성분, 예를 들면, 하나 이상의 크로모포어 부분을 함유하는 소분자(예, 1000 또는 500 미만의 분자량), 예를 들면 하나 이상의 임의로 치환된 페닐, 임의로 치환된 안트라센 또는 임의로 치환된 나프틸기를 포함할 수 있다. 오버코팅된 포토레지스트와 함께 193 nm에서 이미징되는 본 발명의 하부 코팅 조성물에서, 파라반 산 성분의 파라반 산 부분은 효과적인 노광 조사선-흡수 크로모포어로 작용한다.
일반적으로 본 발명의 코팅조성물, 특히 항반사 응용에 사용되는 코팅조성물에 포함되기에 바람직한 크로모포어는 임의로 치환된 페닐, 임의로 치환된 나프틸, 임의로 치환된 안트라세닐, 임의로 치환된 페난트라세닐, 임의로 치환된 퀴놀리닐 등과 같은 단일 고리 및 복수 고리 방향성기 모두를 포함한다. 특히 바람직한 크로모포어는 오버코팅된 레지스트층을 노광시키는데 사용되는 조사선에 따라 다를 수 있다. 특히 오버코팅된 레지스트가 248 nm에서 노광되는 경우, 임의로 치환된 안트라센 및 임의로 치환된 나프틸이 항반사 조성물의 바람직한 크로모포어이다. 특히 오버코팅된 레지스트가 193 nm에서 노광되는 경우, 임의로 치환된 페닐 및 임의로 치환된 나프틸이 항반사 조성물의 특히 바람직한 크로모포어이다. 바람직하게, 이러한 크로모포어기는 항반사 조성물의 레진 성분에 연결(예, 펜단트기)된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 코팅조성물은 바람직하게 교차결합 조성물이며, 교차결합하거나 아니면 예컨대 열 또는 활성화 조사선 처리시 경화하는 물질을 함유한다. 통상적으로 조성물은 교차결합제 성분, 예를 들면 멜라민(melamine), 글리코우릴(glycouril) 또는 벤조구아나민(benzoguanamine) 화합물과 같은 아민-함유 물질 또는 레진을 함유한다. 바람직하게, 본 발명의 교차결합 조성물은 조성물 코팅층의 열처리 동안 경화될 수 있다. 코팅 조성물은 적당히 산 또는 더욱 바람직하게 산 생성 화합물, 특히 열적 산 생성 화합물을 함유하여 교차결합 반응을 촉진시킬 수 있다.
항반사 코팅 조성물로서, 또한한 바이어-필(via-fill)과 같은 다른 응용에 사용되기 위해, 바람직하게 본 조성물은 교차결합된 후 이 위에 포토레지스트 조성물층이 적용된다.
다양한 포토레지스트들이 본 발명의 코팅조성물과 조합(즉, 오버코팅되어)하여 사용될 수 있다. 본 발명의 항반사 조성물과 함께 사용되기에 바람직한 포토레지스트는 화학-증폭된 레지스트, 특히 하나 이상의 광산 생성 화합물 및 광산-불안정 에스테르, 아세탈, 케탈 또는 에테르 단위와 같은 광 생성된 산의 존재하에 디블로킹(deblocking) 또는 분할(cleavage) 반응을 진행하는 단위를 함유하는 레진 성분을 함유하는 포지티브-작용(positive-acting) 포토레지스트이다. 활성화 조사선에 노광시 교차결합(즉, 경화 또는 경질화)되는 레지스트와 같은 네거티브-작용(negative-acting) 포토레지스트도 본 발명의 코팅 조성물과 함께 사용될 수 있다. 본 발명이 코팅 조성물과 함께 사용되기에 바람직한 포토레지스트는 비교적 단파장 조사선, 예를 들면 300 nm 미만, 또는 248 nm와 같이 260 nm 미만, 또는 193 nm와 같이 200 nm 미만의 파장을 갖는 조사선으로 이미징할 수 있다. EUV 및 다른 고 에너지 이미징도 적합하다.
나아가 본 발명은 포토레지스트 릴리프 이미지 형성 방법 및 본 발명의 코팅 조성물 단독 또는 포토레지스트 조성물과 조합하여 코팅된 기판 (예, 마이크로전자 웨이퍼 기판)을 포함하는 신규한 제품을 제공한다.
본 발명의 다른 측면들이 후술된다.
본 발명은 오버코팅된 포토레지스트층과 함께 사용하기에 특히 유용한 새로운 유기 코팅 조성물을 제공한다. 바람직한 본 발명의 코팅 조성물은 스핀-코팅(스핀-온 조성물)에 의해 적용될 수 있으며, 용매 조성물로 포뮬레이션될 수 있다. 본 발명의 코팅 조성물은 오버코팅된 포토레지스트를 위한 항반사 조성물로서 및/또는 오버코팅된 포토레지스트 조성물 코팅층을 위한 평면화 (planarizing) 또는 바이어-필(via-fill) 조성물로서 특히 유용하다.
바람직한 본 발명의 하부 코팅 조성물은 빠른 반응 에칭 속도, 높은 굴절율(>1.8) 및 진전된 리소그라피 응용에 요구될 수 있는 193 nm에서의 낮은 흡수도를 나타낼 수 있다. 추가적으로, 바람직한 본 발명의 파라반 산 폴리머는 높은 열 안정성을 나타낼 수 있다.
본 발명의 파라반 산 성분은 파라반산 (PBA) 함유 폴리머, 코폴리머, 터폴리머, 테트라폴리머 및 다른 고차 PBA-함유 폴리머 및 이들 폴리머들의 혼합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 하부 유기 코팅 조성물에 유용한 파라반 산 성분은 쉽게 제조될 수 있다. 예를 들면, 파라반 디아세테이트 화합물은 유용한 시약이며, 하기 실시예에 기술한 바와 같이 일반적으로 제조 및 사용된다.
하부 코팅 조성물의 레진:
위에서 살펴본 바와 같이, 바람직한 레진은 하나 이상의 파라반 산 부분을 포함하는 레진들을 포함한다. 특히, 하나 이상의 파라반산 부분은 레진의 백본(backbone)에 매달려(pendant)있거나, 또는 레진 백본 연결일 수 있으며, 예컨대 파라반산 기의 각 고리 질소를 통해 연결될 수 있다.
본 발명의 파라반 산 레진은 다양한 방법, 예를 들면 파라반산기를 포함하는 하나 이상의 모노머의 중합화 예를 들면 산 또는 염기 응축반응을 통해 합성될 수 있다. 특히 바람직한 파라반산 레진 합성은 하기 실시예에 제시되어있다. 바람직하게, 형성된 레진의 전체 반복 단위의 약 1, 2, 3, 4 또는 5 퍼센트 이상, 더욱 바람직하게는 약 10, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50 또는 55 퍼센트 이상이 하나 이상의 파라반 산 부분을 포함한다.
특히 바람직한 본 발명의 파라반산 레진은 폴리에스테르 연결을 포함하며, 즉, 폴리에스테르 레진이 본 발명의 여러 측면에서 바람직하다. 폴리에스테르 레진은 하나 이상의 폴리올 시약을 하나 이상의 파라반 산-함유 시약과 반응하여 쉽게 제조할 수 있다. 적합한 폴리올 시약은 디올, 글리세롤 및 트리올을 포함하며, 예컨대 디올은 에틸렌 글리콜, 1,2-프로필렌 글리콜, 1,3-프로필렌 글리콜, 부탄 디올, 펜탄 디올, 사이클로부틸 디올, 사이클로펜틸 디올, 사이클로헥실 디올, 디메틸올사이클로헥산 (dimethylolcyclohexane)이며, 트리올은 예컨대 글리세롤, 트리메틸올레탄 (trimethylolethane), 트리메틸로프로판 (trimethylolpropane) 등을 들 수 있다. 특히 바람직한 폴리올 시약은 하기 실시예에 제시되어 있다.
본 발명의 코팅 조성물 레진은 예를 들면, 미국 특허 6852421호에 개시된 시아누레이트기(cyanurate groups)와 같은 다양한 추가기를 포함할 수 있다. 바람직한 추가적 레진 단위는 미국 가출원 61/428896호에 개시된 바와 같은 우라실기이다.
특히 바람직한 본 발명의 레진은 하나 이상의 파라반 산기, 하나 이상의 폴리에스테르 연결 및 임의로 하나 이상의 시아누레이트기를 포함할 수 있다.
위에서 살핀 바와 같이, 항반사 응용에 사용되기 위해, 레진 형성 반응에 사용되는 하나 이상의 화합물은 오버코팅된 포토레지스트 코팅층을 노광하는데 사용된 조사선을 흡수하는 크로모포어로 작용할 수 있는 부분을 포함한다. 예를 들면, 프탈레이트 화합물(예, 프탈릭산 또는 디알킬 프탈레이트(즉, 각 에스테르가 1-6 탄소 원자를 갖는 디-에스테르, 바람직하게 디-메틸 또는 에틸 프탈레이트))가 방향성 또는 비방향성 폴리올 및 임의로 다른 반응성 화합물과 함께 중합되어, 193 nm와 같이 200 nm 미만의 파장에서 이미징되는 포토레지스와 사용되는 항반사 조성물에 특히 유용한 폴리에스테르를 제공한다. 유사하게, 248 nm 또는 193 nm과 같이 300 nm 미만 또는 200 nm 미만 파장에서 이미징되는 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용되는 조성물내 레진은 나프틸 화합물을 중합하여, 예를 들어 하나 또는 둘 이상의 카복실 치환체, 예를 들면 디알킬 특히 디-C1 - 6알킬 나프탈렌디카복실레이트를 함유하는 나프틸 화합물을 중합하여 얻을 수 있다. 반응성 안트라센 화합물 또한 바람직하며, 예를 들면, 하나 이상의 카복시 또는 에스테르기, 예를 들면 하나 이상의 메틸 에스테르 또는 에틸에스테르기를 갖는 안트라센 화합물도 바람직하다.
크로모포어 단위를 함유하는 화합물은 또한 하나 또는 바람직하게 두개 이상의 히드록시기를 함유할 수 있으며, 카복실-함유 화합물과 반응할 수 있다. 예를 들면, 하나, 두개 또는 이상의 히드록시기를 갖는 페닐 화합물 또는 안트라센 화합물은 카복실-함유 화합물과 반응할 수 있다.
추가적으로, 항반사 목적으로 사용되는 하부 코팅 조성물은 물 접촉각 조절을 제공하는 레진 성분(예, 광산-불안정기 및/또는 염기-반응성기를 함유하는 레진)으로부터 분리된 크로모포어를 함유하는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 코팅 조성물은 페닐, 안트라센, 나프틸 등 단위를 함유하는 폴리머 또는 비폴리머 화합물을 포함할 수 있다. 그러나 물 접촉각 조절과 함께 크로모포어 부분을 제공하는 하나 이상의 레진이 종종 바람직하다.
바람직하게 본 발명의 하부 코팅 조성물 레진(파라반산-함유 레진을 포함하는)은 중량 평균 분자량(Mw)이 약 1,000 내지 10,000,000 달톤, 더욱 통상적으로는 약 2,000 내지 100,000 달톤이며, 수 평균 분자량(Mn)이 약 500 내지 1,000,000 달톤이다. 본 발명 폴리머의 분자량 (Mw 또는 Mn)은 겔 침투 크로마토그라피에 의해 측량될 수 있다.
파라반산-함유 성분(예, 파라반산-함유 레진)은 많은 바람직한 실시형태에서 하부 코팅 조성물의 주된 고체 성분이 된다. 본 명세서에서, 코팅 조성물 중 고체는 용매 담체를 제외한 코팅 조성물내 모든 물질을 지칭한다. 특정 측면에서, 파라반 산-함유 성분은 코팅 조성물의 부 성분(예, 전체 고체의 50% 미만)일 수 있으며, 이는 파라반산 치환을 함유하지 않은 하나 이상의 다른 레진과 적당히 혼합될 수 있다.
전술한 바와 같이, 바람직한 본 발명의 하부 코팅 조성물은 예를 들어 열적 및/또는 조사 처리에 의해 교차결합될 수 있다. 예를 들면, 바람직한 본 발명의 하부 코팅 조성물은 코팅 조성물의 하나 이상의 다른 성분과 교차결합할 수 있는 별개의 교차결합제 성분을 포함할 수 있다. 일반적으로 바람직한 교차결합 코팅 성분은 별개의 교차결합제 성분을 포함한다. 특히 바람직한 본 발명의 코팅 조성물은 별개 성분으로서 포함한다: 레진, 교차결합제 및 열적 산 생성 화합물과 같은 산 공급원. 열적 산 생성 화합물을 활성화함으로써 코팅 조성물을 열-유도 교차결합하는 것이 일반적으로 바람직하다.
코팅 조성물에 사용하기 적합한 열적 산 생성 화합물(thermal acid generator compounds)은 예컨대 암모늄 아렌설포네이트염과 같은 이온성 또는 실질적으로 중성의 열적 산 생성제을 포함하여 항반사 조성물 코팅층이 경화되는 동안 촉매화나 교차결합을 촉진시킨다. 통상적으로 하나 이상의 열적 산 생성제는 코팅 조성물내에 조성물 전체 건조 성분(액체 담체를 제외한 모든 성분)의 약 0.1 내지 10 중량 퍼센트, 바람직하게 전체 건조 성분의 약 2 중량 퍼센트의 농도로 존재한다.
바람직한 본 발명의 교차결합-타입 코팅 조성물은 또한 교차결합제 성분을 포함한다. 본 출원에 참조로 포함되는 쉬플리 유럽 출원 542008호에 개시된 교차결합제를 포함하여 다양한 교차결합제가 사용될 수 있다. 예를 들면, 적합한 코팅 조성물 교차결합제는 사이텍 산업에서 제조되어 상표명 Cymel 300, 301, 303, 350, 370, 380, 1116 및 1130로 시판되는 멜라민 레진을 포함하는 멜라민 물질과 같은 아민-기초 교차결합제를 포함한다. 글리콜우릴은 특히 사이텍 산업에서 입수할 수 있는 글리코우릴(Glycolurils)이 바람직하다. 사이텍 산업에서 상표명 Cymel 1123 및 1125로 시판하는 벤조쿠아나민(Benzoquanamines) 레진 및 사이텍 산업에서 상표명 Powderlink 1174 및 1196로 시판하는 요소 (urea) 레진을 포함하여, 벤조쿠아나민 과 요소-기초 물질 또한 적합하다. 이러한 아민-기초 레진들은 상업적으로 입수가능할 뿐 아니라, 예컨대 알콜-함유 용액내에서 폼알데하이드와 아크릴아미드 또는 메타크릴아미드를 반응하여, 또는 N-알콕시메틸아크릴아미드 또는 메타크릴아미드를 다른 적합한 모노머와 공중합하여 제조할 수 있다.
본 발명의 코팅 조성물의 교차결합제 성분은 일반적으로 항반사 조성물의 전체 고체(액체 담체를 제외한 모든 성분)의 약 5 내지 50 중량 퍼센트, 바람직하게 전체 건조 성분의 약 7 내지 25 중량 퍼센트의 함량으로 존재한다.
본 발명의 코팅조성물은 특히 반사 조절 응용을 위해, 오버코팅된 포토레지스트층을 노광하는데 사용되는 조사선을 흡수하는 추가적 염료 화합물을 포함할 수 있다. 다른 임의의 추가제는 상표명 Silwet 7604로 시판되는 균염제와 같은 표면 균염제(surface leveling agents), 또는 예컨대 3M사에서 또는 FC 171 또는 FC 431로 시판되는 계면활성제를 포함할 수 있다.
본 발명의 하부 코팅 조성물은 오버코팅된 포코레지스트 조성물과 함께 사용되는 전술한 광산 생성제를 포함하는 광산 생성제와 같은 다른 물질을 포함할 수 있다. 항반사 조성물에서 광산 생성제의 이러한 사용에 관한 논의는 미국 특허 6261743호를 참조하라.
본 발명의 액체 코팅 조성물을 제조하기 위해, 코팅 조성물은 적합한 용매에 용해시킬 수 있으며, 예컨대, 하나 이상의 옥시이소부티릭산에스테르, 특히 전술한 바와 같은 메틸-2-히드록시이소부티레이트, 에틸 락테이트 또는 하나 이상의 글리콜 에테르, 예를 들어 2-메톡시에틸에테르(디글림, diglyme), 에틸렌글리콜 모노메틸에테르 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르; 에테르 및 히드록시부분을 모두 갖는 용매, 예를 들면 메톡시 부탄올, 에톡시 부탄올, 메톡시 프로판올 및 에톡시 프로판올; 메틸 2-히드록시이소부티레이트; 에스테르, 예컨대 메틸셀룰솔브 아세테이트(methyl cellosolve acetate), 에틸 셀롤솔브 아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 디베이직 에테르, 프로필렌 카보네이트 및 감마-부티로 락톤과 같은 기타 용매를 들 수 있다. 용매내 건조 성분의 농도는 적용 방법과 같은 여러 인자에 의존할 것이다. 일반적으로, 하부 코팅 조성물의 고체 함량은 코팅 조성물의 전체 중량의 약 0.5 내지 20 중량 퍼센트, 바람직하게 약 0.5 내지 10 중량 퍼센트로 다양할 수 있다.
예시적 포토레지스트 시스템
포지티브-작용 및 네거티브-작용 광산 생성 조성물을 포함하여, 다양한 포코레지스트 조성물이 본 발명의 코팅 조성물과 함께 사용될 수 있다. 본 발명의 항반사 조성물과 함께 사용되는 포토레지스트는 일반적으로 레진 결합제 및 광활성 성분, 통상적으로 광산 생성 화합물을 포함한다. 바람직하게 포토레지스트 레진 결합제는 이미징된 레지스트 조성물에 알칼리성 수성 현상성을 부여하는 기능기를 갖고 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 하부 코팅 조성물과 함께 사용되기에 특히 바람직한 포토레지스트은 화학-증폭된 레지스트, 특히 포지티브-작용 화학-증폭된 레지스트 조성물이며, 여기에서 레지스트층의 광활성화된 산은 하나 이상의 조성물의 탈보호-타입 반응을 유도하며, 이로써 레지스트 코팅층의 노광 및 노광되지 않은 영역간에 용해도 차이를 제공한다. 다수의 화학-증폭된 레지스트 조성물이 예컨대, 미국 특허 4,968,581호; 4,883,740호; 4,810,613호; 4,491,628호 및 5,492,793호에 기술되어 있다. 본 발명의 코팅 조성물은 특히 광산 존재하 디블로킹이 진행되는 아세탈기를 갖는 포지티브-화학-증폭된 포토레지스트와 함께 사용되기에 적합하다. 이러한 아세탈-기초 레지스트는 예컨대 미국 특허 5,929,176호 및 6,090,526호에 기술되어 있다.
본 발명의 하부 코팅 조성물은 다른 포지티브 레지스트와 함께 사용될 수 있으며, 이들은 히드록실 또는 카복실레이트와 같은 극성 기능기를 포함하는 레진 결합제를 함유하는 레지스트들을 포함하며, 레진 결합제는 레진 조성물내에서 알칼리수용액에서 레지스트가 현상될 수 있게 충분한 함량으로 존재한다. 일반적으로 바람직한 레지스트 결합제는 본 기술분야에 공지된 페놀 알데하이드 응축물을 포함하는 페놀성 레진이며, 예를 들면 노볼락 레진, 알케닐 페놀의 호모 및 코폴리머 또는 N-히드록시페닐-말렌이미드의 호모 및 코폴리머이다.
본 발명의 하부 코팅 조성물과 사용되기에 바람직한 포지티브-작용 포토레지스트는 이미징하기에 유효한 양의 광산 생성 화합물 및 하나 이상의 하기 군에서 선택되는 레진을 포함한다.
1) 248 nm에서 이미징하기에 특히 적합한 화학적으로 증폭된 포지티브 레지스트를 제공할 수 있는 산-불안정기를 함유하는 페놀성 레진. 특히 바람직한 이 클래스의 레진은 i) 비닐 페놀 및 알킬 아크릴레이트의 중합 단위를 함유하는 폴리머( 여기에서 중합된 알킬 아크릴레이트 단위는 광산의 존재하에서 디블로킹 반응을 진행한다. 광산-유도 디블로킹 반응을 진행할 수 있는 예시적 알킬 아크릴레이트는 예컨대, t-부틸 아크릴레이트, t-부틸 메타크릴레이트, 메틸아다만틸 아크릴레이트, 메틸 아다만틸 메타크릴레이트 및 광산-유도 반응을 진행할 수 있는 기타 비환형 알킬 및 알리사이클릭(alicyclic) 아크릴레이트를 들 수 있다), 예컨대, 미국 특허 6,042,997 및 5,492,793호의 폴리머 ; ii) 비닐 페놀 및 히드록시, 카복시 고리 치환체를 함유하지 않은 임의로 치환된 비닐 페닐(예, 스티렌), 및 상기 i) 폴리머와 함게 기술된 디블로킹기와 같은 알킬 아크릴레이트의 중합단위를 함유하는 폴리머, 예를 들면 미국 특허 6,042,997호의 폴리머; 및 iii) 광산과 반응할 아세탈 또는 케탈 부분, 및 임의로 페닐 또는 페놀성 기와 같은 방향성 반복 단위를 함유하는 폴리머; 이러한 폴리머는 미국 특허 5,929,176 및 6,090,526호에 개시되어 있다.
2) 193 nm와 같이 200 nm 미만에서 이미징하기에 특히 적합한 화학적으로 증폭된 포지티브 레지스트를 제공할 수 있는, 실질적으로 또는 전적으로 페닐 또는 다른 방향성기가 없는 레진. 특히 바람직한 이 클래스의 레진은 i) 예를 들어 임의로 치환된 노보렌과 같은 비-방향성 사이클릭 올레핀(엔도사이클릭 이중 결합)의 중합 단위를 포함하는 폴리머, 예컨대, 미국 특허 5,843,624, 및 6,048,664호에 개시된 폴리머; ii) 알킬 아크릴레이트 단위, 예를 들어, t-부틸 아크릴레이트, t-부틸 메타크릴레이트, 메틸아다만틸 아크릴레이트, 메틸 아다만틸 메타크릴레이트 및 기타 비-사이클릭 알킬 및 알리사이클릭 아크릴레이트를 함유하는 폴리머; 예컨대, 미국 특허 6,057,083호; 유럽 출원 공개 EP01008913A1호 및 EP00930542A1호; 및 미국 특허출원 09/143,462호에 개시된 폴리머들; iii) 중합 무수물 단위, 특히 중합 말레 무수물 및/또는 이타콘 무수물 단위를 함유하는 폴리머, 예컨대 유럽 출원 공개 EP01008913A1 및 미국 특허 6,048,662호에 개시된 폴리머들.
3) 헤테로원자, 특히 산소 및/또는 황을 함유하는 반복단위(그러나 무수물이아닌, 즉, 상기 단위는 케토 고리원자를 함유하지 않는다)를 함유하는 레진, 이는 방향성 단위가 실질적으로 또는 전적으로 없는 것이 바람직하다. 바람직하게, 헤테로알리사이클릭 단위는 레진 백본에 융합되며, 더욱 바람직하게 레진은 노보렌기의 중합에 의해 제공되는 것과 같은 융합된 탄소 알리사이클릭 단위 및/또는 말레 무수물 또는 이타콘 무수물의 중합에 의해 제공되는 것과 같은 무수물 단위를 포함한다. 이러한 레진은 PCT/US01/14914호 및 미국 출원번호 09/567,634호에 기재되어 있다.
4) 예를 들어 테트라 플루오로 에틸렌, 플루오로-스티렌 화합물과 같은 불소화 방향성기의 중합에 의해 제공되는 레진같은 불소 치환을 함유하는 레진(플루오로폴리머). 이러한 레진의 예들은 PCT/US99/21912호에 기재되어 있다.
본 발명의 코팅 조성물 상에 오버코팅된 포지티브 또는 네거티브 작용 포토레지스트에 사용되는 적합한 광산 생성제는 하기 식 화합물과 같은 이미도설포네이트를 포함한다:
Figure 112012000268980-pat00001
식에서, R은 캠포, 아다만탄, 알킬 (예, C1 -12 알킬) 및 플루오로(C1-18 알킬)과 같은 플오로오알킬이며, 예를 들어, RCF2- 여기에서 R은 임의로 치환된 아다만틸이다.
바람직하게는 전술한 설포네이트 음이온과 같은 음이온과 복합된 트리페닐 설포늄 (triphenyl sulfonium) PAG, 특히 퍼플루오로알킬 설포네이트, 예컨대 퍼플우오로부탄설포네이트이다.
기타 공지된 PAGS도 본 발명의 레지스트에 사용될 수 있다. 특히 193 nm 이미징을 위해 일반적으로 선호되는 것은, 투명도 증가를 제공하기 위해, 전술한 이미도설포네이트와 같이 방향성기를 함유하지 않은 PAGS이다.
기타 본 발명의 조성물에 사용되기 적합한 광산 생성제는 예컨대; 오늄 염, 예를 들면, 트리페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, (p-tert-부톡시페닐)디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 트리스(p-tert-부톡시페닐)설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 트리페닐설포늄 p-톨루엔설포네이트; 니트로벤질 유도체, 예컨대, 2-니트로벤질 p-톨루엔설포네이트, 2,6-디니트로벤질 p-톨루엔설포네이트 및 2,4-디니트로벤질 p-톨루엔설포네이트; 설폰산 에스테르, 예컨대, 1,2,3-트리스(메탄설포닐옥시)벤젠, 1,2,3-트리스(트리플루오로메탄설포닐옥시)벤젠, 및1,2,3-트리스(p-톨루엔설포닐옥시)벤젠; 디아조메탄 유도체, 예컨대, 비스(벤젠설포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔설포닐)디아조메탄; 글리옥심 유도체, 예를 들면, 비스-O-(p-톨루엔설포닐)-α-디메틸글리옥심, 및 비스-O-(n-부탄설포닐)-α-디메틸글리옥심; N-히드록시이미드 화합물의 설폰산 에스테르 유도체, 예를 들면, N-히드록시숙신이미드 메탄설폰산 에스테르, N-히드록시숙신이미드 트리플루오로메탄설폰산 에스테르; 및 할로겐-함유 트리아진 화합물, 예를 들면, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 및 2-(4-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진. 하나 이상의 이러한 PAGs 가 사용될 수 있다.
본 발명의 레지스트의 바람직한 추가제는 추가된 염기, 특히 테트라부틸암모늄 히드록사이드(TBAH), 또는 테트라부틸암모늄 락테이트이며, 이들은 현상된 레지스트 릴리프 이미지의 해상도를 더 증강시킬 수 있다. 193 nm에서 이미징되는 레지스트를 위해, 바람직한 추가 염기는 테트라부틸암모늄 히드록사이드의 락테이트염 및 다양한 기타 아민 예를 들어 트리이소프로파놀, 디아자비사이클로 운데센 또는 디아자비사이클로노넨이다. 추가 염기는 비교적 적은양, 예를 들면 전체 고체에 대해 약 0.03 내지 5 중량퍼센트로 적당히 사용된다.
본 발명의 오버코팅된 조성물과 사용되기에 바람직한 네거티브-작용 레지스트조성물은 산에 노출시 경화, 교차결합 또는 경질화되는 물질 및 광산 생성제의 혼합물을 포함한다.
특히 바람직한 네거티브-작용 레지스트조성물은 페놀성 레진과 같은 레진 결합제, 교차결합제 성분 및 본 발명의 광활성 성분을 포함한다. 이러한 조성물 및 이들의 용도는 유럽 특허 출원 0164248호 및 0232972호 및 Thackeray et al의 미국 특허 5,128,232호에 개시되어 있다. 레진 결합제 성분으로 사용되기에 바람직한 페놀성 레진은 노볼락 및 전술한 폴리(비닐페놀)들이다. 바람직한 교차결합제는 멜라민, 글리코우릴 또는 벤조구아나민-기초 물질과 같은 아민-기초 물질 및 요소-기초 물질들을 포함한다. 멜라민-폼알데하이드 레진이 일반적으로 가장 바람직하다. 이러한 교차결합제는 예를 들어, 사이텍 산업에서 제조되어 상표명 Cymel 300, 301 및 303으로 시판되는 멜라민 레진과 같이 상업적으로 입수할 수 있다. 글리콜우릴레진은 사이텍 산업에 의해 상표명 Cymel 1170, 1171, 1172, Powderlink 1174으로 시판되며, 벤조쿠아나민 레진은 상표명 Cymel 1123 및 1125으로 시판된다.
본 발명의 포토레지스트는 또한 다른 임의 물질을 함유할 수 있다. 예를 들면, 다른 임의 물질은 줄무늬-방지제(anti-striation agents), 가소제, 속도 증강제, 용해 저해제 등이다. 이러한 임의 추가제는 통상 비교적 높은 농도 즉 레지스트 건조 성분의 총 중량의 약 5 내지 30 중량 퍼센트의 양으로 존재할 수 있는 충전제 및 염료를 제외하고 포토레지스트 조성물내에 적은 농도로 존재한다.
리소그라피 공정
사용에 있어서, 본 발명의 코팅 조성물은 스핀 코팅과 같은 다양한 방법으로 기판에 코팅층으로서 적용된다. 일반적으로 코팅 조성물은 기판상에 약 0.02 내지 0.5 ㎛, 바람직하게 약 0.04 내지 0.20 ㎛의 두께의 건조층으로 적용된다. 기판은 적합하게 포토레지스트와 관련된 공정에 사용되는 어떠한 기판이어도 좋다. 예를 들면, 기판은 실리콘, 실리콘디옥사이드 또는 알루미늄-알루미늄 옥사이드 마이크로전자 웨이퍼일 수 있다. 갈륨 아르세나이드, 실리콘 카바이드, 세라믹, 석영 또는 구리 기판들도 사용될 수 있다. 액정 디스플레이나 다른 평판 디스플레이 응용에 사용되기 위한 기판도 적합하게 사용되는데, 예를 들면, 유리 기판, 인듐 주석 옥사이드 코팅 기판 등이다. 광학 및 광학 전자 장비(예, 웨이브 가이드)에 사용되는 기판도 사용될 수 있다.
바람직하게 적용되는 코팅층은 경화된 후, 이에 포토레지스트 조성물이 적용된다. 경화 조건은 하부 코팅 조성물의 성분에 따라 다양하다. 특히 경화 온도는 코팅 조성물에 사용되는 특정 산이나 산(열적)생성제에 의존한다. 통상적인 경화 조건은 약 80℃ 내지 225℃ 에서 약 0.5 내지 5분간이다. 경화 조건은 바람직하게 코팅 조성물 코팅층이 포토레지스트용매 및 알칼리수용액 현상제에 실질적으로 난용성이 되게 한다.
경화후, 포토레지스트는 적용되는 코팅 조성물의 표면상에 적용된다. 바닥 코팅 조성물 층의 적용시와 같이, 오버코팅된 포토레지스트는 스피닝, 디핑, 메니스쿠스(meniscus)나 롤러코팅과 같은 표준적인 방법으로 적용될 수 있다. 적용후, 포토레지스트 코팅층은 일반적으로 바람직하게 레지스트층에 찌꺼기가 없을 때까지 가열 건조로 용매를 제거한다. 최적으로 본질적으로 바닥 조성물층과 오버코팅된 포토레지스트 층간의 상호 혼합은 일어나서는 안된다.
이후 레지스트층은 통상적인 방식으로 마스크를 통해 활성 조사선으로 이미징한다. 노광 에너지는 레지스트 시스템의 광활성 성분을 효과적으로 활성화하여 레지스트코팅층에 패턴화 이미지를 생성하기에 충분한 양으로 한다. 일반적으로, 노광에너지는 일부 노광 툴 및 사용되는 특정 레지스트 및 레지스트 가공에 따라 약 3 내지 300 mJ/cm2 의 범위로 한다. 노광된 레지스트층은 필요시 노광후 베이킹을 시행하여 코팅층의 노광 및 비노광 영역간 용해도 차이를 생성하거나 증강시킨다. 예를 들면, 네거티브 산-경화 포토레지스트는 일반적으로 산-촉진 교차결합 반응을 유도하기 위해 노광후 가열이 요구되며, 많은 화학적 증폭 포지티브-작용 레지스트들은 산-촉진 탈보호 작용을 유도하기 위해 노광후 가열이 필요하다. 일반적으로 노광후 베이킹 조건은 약 50℃ 이상의 온도, 특히 약 50℃ 내지 160℃의 온도를 포함한다.
포토레지스트층은 또한 침지 리소그라피 시스템, 즉 노광 툴(특히 프로젝션 렌즈) 및 포토레지스트 코팅된 기판사이가 물이나 굴절율을 증가된 유액을 제공할 수 있는 세슘 설페이트와 같은 하나 이상의 첨가제와 혼합된 물과 같은 침지액에 의해 점유되는 시스템에서 노광될 수 있다. 바람직하게 침지액(예, 물)은 거품을 제거하는 처리, 예컨대 가스를 제거하여 나노 거품이 생기지 않도록 처리할 수 있다.
본 발명에서 "침지 노광(immersion exposing)" 또는 다른 유사한 용어는 이러한 유액(예, 물이나 첨가제가 혼합된 물)이 노광 툴 및 코팅된 포토레지스트 조성물층사이에 끼어있는 상태에서 노광이 수행되는 것을 지칭한다.
이후 노광된 레지스트코팅층은 바람직하게 테트라부틸암모늄부틸암모늄 히드록사이드, 소듐 히드록사이드, 포타슘 히드록사이드, 소듐 카보네이트, 소듐 바이카보네이트, 소듐 실리케이트, 소듐 메타실리케이트, 수성 암모니아 등과 같은 알카리 기초 수성 현상액으로 현상된다. 또는, 유기 현상제가 사용될 수도 있다. 일반적으로 현상은 본 기술분야에 인정된 절차로 이루어진다. 현상후, 산 경화 포토레지스트의 최종 베이킹이 종종 약 100℃ 내지 150℃의 온도에서 수분간 이루어져, 현상된 노광 코팅층 영역을 추가적으로 경화시킨다.
이후, 현상된 기판은 포토레지스트가 없는 기판 영역, 예컨대 포토레지스트가 없는 기판 화학적 에칭 또는 도금 기판상에 본 기술분야의 공지된 절차에 따라 선택적으로 공정화 될 수 있다. 적합한 부식제는 히드로플루오르산 에칭액 및 산소 플라즈마에칭과 같은 플라즈마 가스 에칭을 포함한다. 플라즈마 가스 에칭은 하부 코팅층을 제거한다.
플라즈마 가스 에칭은 하기 프로토콜에 따라 수행된다:코팅된 기판 (예, 본 발명에 따른 하부 코팅 조성물 및 레지스트로 코팅된 기판)을 플라즈마 에칭 챔버(예, Mark II Oxide Etch Chamber)내에 25 mT 압력, 상부 파워 600 와트, 33 CHF3 (Sccm), 7 O2 (Sccm) 및 80 Ar (Sccm) 위치시킨다.
이하 실시예를 통해 본 발명을 상세히 설명하나, 하기 실시예는 본 발명을 제한하지 않는다. 여기 언급된 모든 문헌들은 본 명세서에 참조로 포함된다.
본 발명의 코팅조성물은 노광 조사선이 기판에서 오버코팅된 포토레지스트층으로 반사되어 들어오는 것을 감소시키는데 유용하며 따라서 항반사 코팅층으로서, 및/또는 평면화, 컨포멀 또는 바이어-필층으로서 기능하는데 유용하다.
실시예 1: 파라반 산 레진 합성
파트 1:
파라반산 (20g, 0.175mol)을 테트라히드로푸란에 7% 전체 고체 농도로 용해시켰다. 균일한 용액이 얻어진 후, 브로모 t-부틸 아세테이트 (102.5g, 0.525mol)를 반응 플라스크에 가하고, 서서히 DBU (79.8g, 0.525mol)를 가하였다. 내용물을 실온으로 냉각시켰다. 평형 온도가 얻어진 후, 내용물을 67℃에서 환류하였다. 내용물을 이 온도에서 밤새 교반하였다. 다음날 아침 무거운 DBU-브로마이드 염 침전물을 여과하고 얻어진 투명 용액을 에틸 아세테이트로 희석하였다. 유기층을 0.1 N HCl 용액으로 세척하여 미반응 DBU를 제거하였다. 유기층을 증류수로 추가 세척하고, 유기층을 소듐 설퍼에트로 건조하였다. 에틸 아세테이트 분획을 진공 건조하여 40g의 목적 산물을 수득하였다. 이렇게 얻어진 모노머 III을 13C NMR로 분석한 결과, 수득된 산물은 >99% 순수하였다.
파트 2: 상기 파트 1에서 제조한 (PBA) 파라반 산 디아세테이트 (10g, 0.029mol), (THEIC) 트리스(히드록시에틸) 이소시아누레이트 (7.6g, 0.029 mol), p-TSA (0.17g), 부탄올 (10g) 및 아니솔 (13g)을 100ml 3-구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다. 플라스크는 오버헤드 스터러, 딘 스톡(dean stalk) 장비 및 서모커플 (thermocouple)을 장착하였다. 내용물을 교반하고 반응 온도를 150℃로 하였다. 전체 11g 증류물이 수집되었고, 실온으로 냉각시켜 반응을 중지시켰다. 이렇게 얻어진 폴리머를 NMP에 녹여 20% 용액을 수득하였다. 폴리머는 이소-프로판올/메틸 t-부틸 에테르(50/50)에서 백색 분말 (I)로 석출되었다. 생성된 폴리머를 진공에서 밤새 건조하여 10g 폴리머 샘플을 수득하였다. 폴리머는 분자량, 조성, 광학성질, TGA 및 DSC 분석 및 에칭 속도를 분석하였다. 그 결과는 표 1에 나타내었다. 조성은 13C NMR 6/41/53 (Bu-PBA/PBA/THEIC)로 분석하였다.
실시예 2: 추가적인 파라반 산 레진 합성
상기 파트 1에서 제조한 (PBA) 파라반 산 디아세테이트 (10g, 0.029 mol), (THEIC) 트리스(히드록시에틸) 이소시아누레이트 (7.6g, 0.029 mol), p-TSA (0.17g), 및 아니솔 (13g)을 오버헤드 스터러, 딘 스톡(dean stalk) 장비 및 서모커플 (thermocouple)을 장착한 100ml 3-구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다. 내용물을 교반하고 반응 온도를 150℃로 하였다. 전체 11g 증류물이 수집되었고, 실온으로 냉각시켜 반응을 중지시켰다. 이렇게 얻어진 폴리머를 NMP에 녹여 20% 용액을 수득하였다. 폴리머는 이소-프로판올/메틸 t-부틸 에테르(50/50)에서 백색 분말 (II)로 석출되었다. 생성된 폴리머를 진공에서 밤새 건조하여 9.5g 폴리머 샘플을 수득하였다. 폴리머는 분자량, 조성, 광학성질, TGA 및 DSC 분석 및 에칭 속도를 분석하였다. 그 결과는 표 1에 나타내었다. 조성은 13C NMR 49/51 (PBA/THEIC)로 분석하였다.
실시예 3: 추가적인 파라반 산 레진 합성
상기 파트 1에서 제조한 (PBA) 파라반 산 디아세테이트 (14.26g, 0.042mol), (THME) 트리스(히드록시메틸) 에탄 (7.5g, 0.063mol), p-TSA ((0.21g), 및 아니솔 (15.0g) 오버헤드 스터러, 딘 스톡(dean stalk) 장비 및 서모커플 (thermocouple)을 장착한 100ml 3-구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다. 내용물을 교반하고 반응 온도를 150℃로 하였다. 전체 15g 증류물이 수집되었고, 실온으로 냉각시켜 반응을 중지시켰다. 이렇게 얻어진 폴리머를 THF에 녹여 20% 용액을 수득하였다. 폴리머는 이소-프로판올/메틸 t-부틸 에테르(50/50)에서 백색 분말 (III)로 석출되었다. 생성된 폴리머를 진공에서 밤새 건조하여 12g 폴리머 샘플을 수득하였다. 폴리머는 분자량, 조성, 광학성질, TGA 및 DSC 분석 및 에칭 속도를 분석하였다. 그 결과는 표 1에 나타내었다. 조성은 13C NMR 48/52 (PBA/THME)로 분석하였다.
실시예 4: 디 및 트리-기능 알콜
Figure 112012000268980-pat00002
상기 기재된 폴리올은 폴리머(폴리에스테르) 합성에 유용하다.
실시예 5: 항반사 조성물 제조
실시예 3의 폴리머 3.237 g을 포함하는 항-반사 캐스팅 용액, 테트라메톡시메틸 글리콜우릴 5.768 g, 암모니아화 파라-톨루엔 설폰산 용액 0.371 g, 메틸-2-히드록시이소부틸레이트 490.624 g을 혼합하고, 0.2 m 테플론 필터로 여과하였다.
실시예 6: 리소그라피 공정
이렇게 조성된 파라반산 레진 코팅 조성물을 실리콘 마이크로칩 웨이퍼상에 스핀 코팅하고, 진공 열판상에서 210℃에서 60초간 경화하여 경화 코팅층을 수득하였다.
이후 상업적으로 입수한 193 nm 포지티브-작용 포토레지스트를 경화된 코팅 조성물층 상에 스핀코팅하였다. 적용된 레지스트층은 진공 열판상에서 100℃에서 60초간 소프트-베이킹하고, 포토마스크를 통해 193 nm 조사선에 노광하고, 110℃에서 60초간 노광후 베이킹한 후, 패턴화 0.26 N 수성 알칼리 현상액에서 현상하여, 포토마스크에 의해 구획된 영역내 포토레지스트층 및 하부 코팅조성물을 제거하였다.
실시예 7: 폴리머 분석
다음 각각을 함유하는 세개의 분리된 유기 코팅 조성물로 코팅하여 스트립 데이타(strip data)를 수행하였다: 1) 각각 실시예 1, 2 및 3의 파라반 산 레진, 2) 열적 산 생성제 (1%) 및 3) 글리코우릴 기초 교차결합제(10-15%). 코팅은 200-500Å이었다. 교차결합은 필름을 150℃-250℃에서 베이킹하여 효과적으로 수행되었다. 교차결합물은 원하는 용매로 60초간 퍼들링하고 필름에서 스핀오프하였다. 필름 두께 손실은 하기 표 1에 나타내었다. 교차결합된 코팅층 각각에 대해 울람 베이스 엘립소미터(Woolam vase ellipsometer)로 측정한 광학 파라미터를 표 1에 나타내었다. 약 5 mg의 물질들을 칭량하여 열분석하였다. TGA를 위해, 등온 홀드(isothermal hold)를 150℃에서 수행하였으며, 이후 샘플은 10℃/분의 가열속도로 500℃로 가열하였다. DSC 분석을 위해, 표준 이중 가열법을 수행하였다. 표 1에 표시된 Tg 수는 이들 두 시험의 평균이다. 표 1에서 대조 조성물은 파라반 산 단위를 포함하지 않는 폴리에스테르 레진을 함유하는 상응하는 조성물이다.
실시예 폴리머 함유 조성물 Mw PD 스트립
HBM (Å)		 스트립PGMEA(Å) n193 k193 Tg OP 에칭 속도
(O2/CF4)
대조 1.00
1 3k 1.87 0 -1.90 1.80 0.23 87℃ 8.0 1.30
2 >3k 0 -1.88 1.82 0.25 95℃ 13.0 1.37
3 4k 1.5 0 -0.78 1.64 0.071 62℃ 15.0

Claims (14)

  1. 오버코팅된 포토레지스트 조성물과 함께 사용되기 위한 항반사 조성물로서,
    상기 항반사 조성물은 레진을 포함하고,
    상기 레진은 폴리에스테르 연결을 포함하고, 또한 1) 하나 이상의 파라반 산 부분 및 2) 하나 이상의 시아누레이트기 또는 하나 이상의 우라실기를 더 포함하며,
    상기 폴리에스테르 연결은 하나 이상의 폴리올 시약과 하나 이상의 파라반 산-함유 시약의 반응에 의하여 형성된 것인,
    항반사 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레진이 폴리에스테르 연결을 포함하고, 또한 1) 하나 이상의 파라반 산 부분 및 2) 하나 이상의 시아누레이트기를 더 포함하는, 항반사 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 레진이 폴리에스테르 연결을 포함하고, 또한 1) 하나 이상의 파라반 산 부분 및 2) 하나 이상의 우라실기를 더 포함하는, 항반사 조성물.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 레진이 페닐기를 포함하는, 항반사 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 가교결합제 성분을 더 포함하는, 항반사 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 페닐기 또는 안트라센기를 포함하는 성분을 더 포함하는, 항반사 조성물.
  8. (a) 기판상에 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항의 항반사 조성물의 코팅층; 및
    (b) 상기 항반사 조성물의 코팅층 위의 포토레지스트층;을 포함하는,
    코팅된 기판.
  9. (a) 기판상에 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항의 항반사 조성물을 적용하는 단계;
    (b) 상기 적용된 항반사 조성물 층 위에 포토레지스트 조성물을 적용하는 단계; 및
    (c) 상기 포토레지스트 조성물 층을 노광하고 현상하여 레지스트 릴리프 이미지를 제공하는 단계;를 포함하는,
    포토레지스트 릴리프 이미지의 형성 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 포토레지스트 조성물 층이 193 nm 조사선에 노광되는, 포토레지스트 릴리프 이미지의 형성 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 적용된 항반사 조성물이, 포토레지스트 조성물의 적용 전에 가교결합되는, 포토레지스트 릴리프 이미지의 형성 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
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