KR101936774B1 - Organic light emitting diode and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 개시된 구성은 제1, 2, 3 서브 픽셀영역을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 형성된 TFT 어레이기판과; 상기 TFT 어레이기판의 제1, 2, 3 픽셀 영역에 각각 형성된 제1, 2, 3 애노드전극과; 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 대응되는 상기 제1, 2, 3 애노드전극 상부에 제1, 2, 3 칼라 발광층을 구비하며, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층 하부의 정공주입층과 정공수송층 중 적어도 한 층은 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에서 서로 다른 두께를 갖도록 형성된 제1, 2, 3 유기물층과; 상기 제1, 2, 3 유기물층 상에 형성된 캐소드전극;을 포함하여 구성된다.The present invention relates to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same. The disclosed structure includes a TFT array substrate in which pixel regions for driving first, second, and third sub-pixel regions are defined and a TFT is formed for each pixel region; First, second and third anode electrodes respectively formed in first, second and third pixel regions of the TFT array substrate; The first, second and third color light emitting layers are formed on the first, second and third anode electrodes corresponding to the first, second and third sub-pixel regions. The first, At least one of the first, second, and third sub-pixel regions has a different thickness in the first, second, and third sub-pixel regions; And a cathode electrode formed on the first, second, and third organic material layers.

Description

유기발광소자 및 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED)

본 발명은 유기발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 칼라층 별로 소자의 두께를 다르게 하여 마이크로 캐비티(microcavity) 소자 구현이 가능한 유기발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, to an organic light emitting device capable of realizing a microcavity device with different thicknesses of elements by color layers and a method of manufacturing the same.

현재 텔레비젼이나 모니터와 같은 디스플레이 장치에는 음극선관(cathode ray tube; CRT)이 주된 장치로 이용되고 있으나, 이는 무게와 부피가 크고 구동전압이 높은 문제가 있다.Currently, a cathode ray tube (CRT) is used as a main device in a display device such as a television or a monitor, but this has a problem of a large weight and a large driving voltage.

이에 따라, 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시장치(flat panel display; FPD)의 필요성이 대두되었으며, 액정표시장치 (liquid crystal display; LCD)와 플라즈마 표시장치(plasma display panel; PDP), 전계방출장치(field emission display; FED), 그리고 전기 발광 표시장치(electro luminescence display; OELD 또는 유기 ELD)와 같은 다양한 평판 표시장치가 연구 및 개발되고 있다.Accordingly, a need has arisen for a flat panel display (FPD) having excellent characteristics such as thinness, lightness, and low power consumption, and a liquid crystal display (LCD) and a plasma display panel Various flat panel display devices such as a PDP, a field emission display (FED), and an electro luminescence display (OELD or organic ELD) have been researched and developed.

이들 중에서, 플라즈마 표시장치(PDP)는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 경박 단소하면서도 대화면화에 가장 유리한 표시장치로 주목받고 있지만, 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다.Among these, plasma display devices (PDPs) are attracting attention as a display device that is most advantageous for a large screen size but large screen size because of simple structure and manufacturing process, but it has a disadvantage of low luminous efficiency, low luminance and high power consumption.

이에 비해, 스위칭 소자로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 "TFT"라 함)가 적용된 액티브 매트릭스 LCD는 반도체 공정을 이용하기 때문에 대화면에 어렵고 백라이트 유닛으로 인하여 소비전력이 큰 단점이 있고, 편광 필터, 프리즘시트, 확산판 등의 광학소자들에 의해 광손실이 많고 시야각이 좁은 특성이 있다.On the other hand, an active matrix LCD in which a thin film transistor (hereinafter, referred to as "TFT") is applied as a switching element has a disadvantage in that it is difficult to form a large screen because of a semiconductor process and power consumption is high due to a backlight unit, A prism sheet, a diffuser plate, and the like, the optical loss is large and the viewing angle is narrow.

그러나, 전기발광소자(Electro luminescence device; 이하 "EL"이라 함)는 발광층의 재료에 따라 무기전계발광소자와 유기전계발광소자로 대별되며, 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.However, an electroluminescence device (hereinafter referred to as "EL") is divided into an inorganic electroluminescent device and an organic electroluminescent device depending on the material of the light emitting layer. , Brightness and viewing angle are large.

무기전계발광소자는 유기전계발광소자에 비해 전력 소모가 크고 고휘도를 얻을 수 없으며, R, G, B의 다양한 색을 발광시킬 수 없다.The inorganic electroluminescent device has higher power consumption than the organic electroluminescent device and can not obtain high brightness and can not emit various colors of R, G and B.

반면에, 유기전계발광소자는 수십 볼트의 낮은 직류 전압에서 구동됨과 아울러, 빠른 응답 속도를 가지며 고휘도를 얻을 수 있으며, R, G, B의 다양한 색을 발광시킬 수 있어 차세대 평판 디스플레이 소자에 적합하다.On the other hand, the organic electroluminescent device is driven at a low DC voltage of several tens volts, has a fast response speed, can obtain a high luminance, emits various colors of R, G and B, and is suitable for a next generation flat panel display device .

도 1은 일반적인 유기전계발광소자(EL)의 EL층을 나타내는 단면도이고, 도 2는 EL소자의 발광원리를 설명하기 위한 다이어 그램이다.FIG. 1 is a cross-sectional view showing an EL layer of a general organic electroluminescence element (EL), and FIG. 2 is a diagram for explaining the principle of light emission of the EL element.

도 1을 참조하면, 유기전계발광(EL) 소자는 제1 전극(또는 애노드전극)(4)과, 제2 전극(또는 캐소드전극)(12) 사이에 형성된 유기발광층(10)을 포함하고, 상기 유기발광층(10)에는 전자주입층(10a), 전자수송층(10b), 발광층(10c), 정공수송층(10d), 정공주입층(10e)이 구비되어 있다.1, an organic electroluminescent (EL) device includes an organic light emitting layer 10 formed between a first electrode (or an anode electrode) 4 and a second electrode (or a cathode electrode) 12, The organic light emitting layer 10 includes an electron injection layer 10a, an electron transport layer 10b, a light emitting layer 10c, a hole transport layer 10d, and a hole injection layer 10e.

여기서, 상기 유기전계 발광소자의 제1 전극(4)과 제2 전극(12) 사이에 전압이 인가되면, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제2 전극(12)으로부터 발생된 전자는 전자 주입층(10a) 및 전자 수송층(10b)을 통해 발광층(10c) 쪽으로 이동된다.Here, when a voltage is applied between the first electrode 4 and the second electrode 12 of the organic electroluminescent device, electrons generated from the second electrode 12 are injected through the electron injection Layer 10a and the electron-transporting layer 10b toward the light-emitting layer 10c.

또한, 상기 제1 전극(4)으로부터 발생된 정공은 상기 정공 주입층(10e) 및 정공 수송층(10d)을 통해 발광층(10c) 쪽으로 이동한다.The holes generated from the first electrode 4 move toward the light emitting layer 10c through the hole injection layer 10e and the hole transport layer 10d.

이에 따라, 발광층(10c)에서는 전자 수송층(10b)과 정공 수송층(10d)으로부터 공급된 전자와 정공이 충돌하여 재결합함으로써 빛이 발생하고 되고, 이 빛은 제1 전극(4)을 통해 외부로 방출되어 화상이 표시되게 된다.Accordingly, in the light emitting layer 10c, electrons and holes supplied from the electron transporting layer 10b and the hole transporting layer 10d collide and recombine to generate light. The light is emitted to the outside through the first electrode 4 And an image is displayed.

이때, 상기 정공 주입층(10e)은 정공의 농도를 조절하고, 정공 수송층(10d)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 제1 전극(4)에서 발생된 정공이 용이하게 발광층(10c)에 주입되게 하는 역할을 한다.At this time, the holes injected from the first electrode 4 are easily injected into the light emitting layer 10c by adjusting the concentration of holes in the hole injecting layer 10e and controlling the moving speed of the holes in the hole transporting layer 10d .

또한, 전자주입층(10a) 및 전자수송층(10b)은 전자의 농도 및 속도를 조절함으로써 제2 전극(12)에서 발생된 전자가 용이하게 발광층(10c)에 주입되는 역할을 한다.The electron injection layer 10a and the electron transport layer 10b serve to inject electrons generated in the second electrode 12 into the light emitting layer 10c easily by controlling the concentration and speed of the electrons.

이러한 관점에서, 종래기술에 따른 유기발광소자(OLED) 구조에 대해 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.From this point of view, a structure of an organic light emitting diode (OLED) according to the prior art will be described with reference to FIG.

도 3은 종래기술에 따른 탑 발광(Top Emitting) 방식의 유기발광소자의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a top emission type organic light emitting device according to the related art.

종래기술에 따른 탑 발광 방식의 유기발광소자는, 도 3에 도시된 바와 같이, 3개의 서브 픽셀영역인 제1, 2, 3 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3)을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 구성된 TFT 어레이기판(51)과; 상기 TFT 어레이기판(51) 상의 제1, 2, 3 픽셀 영역에 각각 구성된 제1, 2, 3 애노드전극(53a, 53b, 53c)과; 상기 제1, 2, 3 애노드전극(53a, 53b, 53c)들의 일 영역이 평탄하게 노출되도록 전면에 구성된 뱅크막(55)과; 상기 노출된 제1, 2, 3 애노드전극(53a, 53b, 53c)을 포함한 뱅크막(55) 전면에 구성되며, 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 적층된 정공주입층(57) 및 정공수송층(59)과; 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역의 상기 정공수송층(59) 상부에 각각 형성된 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴 (63a, 67a, 71a)과; 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(63a, 67a, 71a)을 포함한 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀 영역 전면에 적층된 전자수송층(73)과 전자주입층(75) 및 상기 전자주입층(75) 상부에 형성된 캐소드전극(77)으로 구성된다.As shown in FIG. 3, the organic light emitting device of the top emission type according to the related art includes pixels for driving the first, second, and third sub-pixel regions SP1, SP2, and SP3, which are three sub- A TFT array substrate 51 in which a TFT is configured for each pixel region; First, second and third anode electrodes 53a, 53b and 53c formed in the first, second and third pixel regions on the TFT array substrate 51; A bank layer 55 formed on the entire surface of the first, second and third anode electrodes 53a, 53b and 53c so as to expose one region of the first, second and third anode electrodes 53a, 53b and 53c; A hole injection layer 57 formed on the entire surface of the bank film 55 including the exposed first, second and third anode electrodes 53a, 53b and 53c and stacked in the first, second and third sub pixel regions, A hole transport layer 59; First, second, and third color emission layer patterns 63a, 67a, and 71a formed on the hole transport layer 59 of the first, second, and third sub-pixel regions, respectively; An electron transport layer 73 and an electron injection layer 75 stacked on the entire first, second and third sub pixel regions including the first, second and third color light emission layer patterns 63a, 67a and 71a, And a cathode electrode 77 formed on the lower electrode 75.

상기 유기발광소자는 탑 에미팅(Top Emitting) 방식의 액티브 매트릭스 유기발광소자로써, 상기 제1 애노드 전극(53a, 53b, 53c)는 반사 금속으로 형성하고, 캐소드 전극(133)은 투명 전도성 물질로 구성한다. The first anode electrode 53a, the second anode electrode 53b, and the second anode electrode 53c are formed of a reflective metal. The cathode electrode 133 is formed of a transparent conductive material. The organic electroluminescent device is a top-emitting active matrix organic electroluminescent device. .

상기 정공주입층(57) 및 정공수송층패턴(59)과, 상기 제 1, 2, 3 칼라 발광층패턴(63a, 67a, 71a) 및, 전자수송층(73)과 전자주입층(75)은 유기물층을 이룬다.The hole injection layer 57 and the hole transport layer pattern 59 and the first, second and third color light emission layer patterns 63a, 67a and 71a, the electron transport layer 73 and the electron injection layer 75 form an organic layer It accomplishes.

상기 제 1, 2, 3 칼라 발광층패턴(63a, 67a, 71a)은 각각 R(적색), G(녹색), B(청색) 칼라 발광층을 의미한다.The first, second and third color light emitting layer patterns 63a, 67a and 71a respectively denote R (red), G (green) and B (blue) color emitting layers.

상기 제 1, 2, 3 칼라 발광층패턴(63a, 67a, 71a) 하부에 형성된 정공 주입층(57)의 두께는 동일하며, 정공 수송층(59)의 두께 또한 일정하다.The thickness of the hole injection layer 57 formed under the first, second and third color light emission layer patterns 63a, 67a and 71a is the same and the thickness of the hole transport layer 59 is also constant.

이에 따라, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3)의 제1, 2, 3 애노드 전극(53a, 53b, 53c)에서 캐소드 전극(77) 까지의 거리인 광학 길이(optical length)를 OL1, OL2, OL3이라고 하는 경우, OL1 = OL2 = OL3 이다.Accordingly, the optical length (distance) from the first, second and third anode electrodes 53a, 53b and 53c of the first, second and third sub-pixel regions SP1, SP2 and SP3 to the cathode electrode 77 ) Is OL1, OL2, and OL3, OL1 = OL2 = OL3.

상기 구성으로 이루어지는 종래기술에 따른 유기발광소자 제조방법에 대해 도 4a 내지 4m을 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing an organic light emitting diode according to a related art having the above structure will be described with reference to FIGS. 4A to 4M.

도 4a 내지 4m은 종래기술에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.4A to 4M are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode according to the related art.

먼저, 도면에는 도시히지 않았지만, 3개의 서브 픽셀영역인 제1, 2, 3 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3)을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 구성된 TFT 어레이기판(51)을 준비한다. 이때, 상기 각 픽셀 영역의 TFT는 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극을 구비하고 있으며, 상기 TFT의 소스전극과 드레인전극이 노출되도록 비아홀이 형성된 평탄화막(미도시)이 상기 TFT 어레이기판(101) 상에 형성되어 있다.First, although not shown in the figure, a pixel region for driving the first, second, and third sub-pixel regions SP1, SP2, and SP3 as one unit is defined, and a TFT The array substrate 51 is prepared. A planarization layer (not shown) having a via hole is formed on the TFT array substrate 101 to expose a source electrode and a drain electrode of the TFT. The TFT array substrate 101 includes a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. As shown in Fig.

그 다음, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 비아홀(미도시)에 의해 노출된 TFT의 드레인전극에 콘택되도록, 상기 TFT 어레이기판(51) 전면에 반사금속층(미도시)을 증착하고, 포토리소그래피 공정을 통해 상기 반사금속층을 선택적으로 식각하여, 도 4a에 도시된 바와 같이, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 각각 제1, 2, 3 애노드전극(53a, 53b, 53c)을 형성한다. Then, a reflection metal layer (not shown) is deposited on the entire surface of the TFT array substrate 51 so as to be in contact with the drain electrode of the TFT exposed by the via hole (not shown), and a photolithography process The reflective metal layer is selectively etched to form first, second, and third anode electrodes 53a, 53b, and 53c in the first, second, and third subpixel regions, respectively, as shown in FIG.

이어서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(53a, 53b, 53c)을 포함한 TFT 어레이기판(51) 상에 절연막을 증착한 후, 포토리소그라피 (photolithography) 공정으로 상기 절연막(미도시)을 선택적으로 패터닝하여, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(53a, 53b, 53c)을 평탄하게 드러나도록 뱅크막(55)을 형성한다. 4B, an insulating film is deposited on the TFT array substrate 51 including the first, second, and third anode electrodes 53a, 53b, and 53c, and then a photolithography process is performed. An insulating film (not shown) is selectively patterned to form the bank film 55 so as to expose the first, second and third anode electrodes 53a, 53b and 53c in a flat manner.

그 다음, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(53a, 53b, 53c)을 포함한 뱅크막(55) 전면에 정공 주입층(57)과 정공 수송층(59)을 차례로 적층한다. A hole injection layer 57 and a hole transport layer 59 are sequentially stacked on the entire surface of the bank film 55 including the first, second and third anode electrodes 53a, 53b and 53c.

이어서, 상기 정공수송층(59) 전면에 제1 감광막(61)을 도포한다. 이때, 상기 제1 감광막(61)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트(photo resist)이다.Next, a first photoresist layer 61 is coated on the entire surface of the hole transport layer 59. At this time, the first photoresist layer 61 is a photoresist having a negative characteristic in which a portion irradiated with light is left.

그 다음, 도 4c에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제1 감광막(61)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제1 감광막(61)을 선택적으로 패터닝하여 제1 서브 픽셀영역(SP1)을 한정하는 제1 개구부(62)를 구비한 제1 감광막패턴(61a)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4C, after the first photoresist layer 61 is irradiated with light by a photolithography process, the first photoresist layer 61 is selectively patterned through a development process to form a first sub- A first photoresist pattern 61a having a first opening 62 defining a first photoresist pattern SP1 is formed.

이어서, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 제1 감광막패턴(61a)을 포함한 제1 서브 픽셀영역의 TFT 어레이기판(51) 전면에 제1 칼라 발광층(63)을 형성한다.Then, as shown in FIG. 4D, a first color light emitting layer 63 is formed on the entire surface of the TFT array substrate 51 in the first sub-pixel region including the first photoresist pattern 61a.

그 다음,도 4e에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 공정에 의해 상기 제1 감광막패턴(61a)과, 상기 제1 감광막패턴(61a) 상부에 형성된 제1 칼라 발광층(63) 부분을 제거하여, 상기 제1 서브 픽셀영역(SP1)에 제1 칼라 발광층패턴 (63a)을 형성한다. 이때, 상기 제1 칼라 발광층패턴(63a)은 적색(R) 발광층패턴으로 사용한다.Then, as shown in FIG. 4E, the first photoresist pattern 61a and the first color emission layer 63 formed on the first photoresist pattern 61a are removed by a lift-off process, And the first color light emitting layer pattern 63a is formed in the first sub pixel area SP1. At this time, the first color light emitting layer pattern 63a is used as a red (R) light emitting layer pattern.

이어서, 도 4f에 도시된 바와 같이, 상기 제1 칼라 발광층패턴(63a)을 포함한 정공수송층(59) 전면에 제2 감광막(65)을 도포한다. 이때, 상기 제2 감광막(65)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다.Next, as shown in FIG. 4F, the second photoresist layer 65 is coated on the entire surface of the hole transport layer 59 including the first color emission layer pattern 63a. At this time, the second photoresist layer 65 is a photoresist having negative characteristics in which light is irradiated.

그 다음, 도 4g에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제2 감광막(65)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제2 감광막(65)을 선택적으로 패터닝하여 제2 서브 픽셀영역(SP2)을 한정하는 제2 개구부(66)를 구비한 제2 감광막패턴(65a)을 형성한다. Then, as shown in FIG. 4G, the second photoresist layer 65 is irradiated with light by a photolithography process, and then the second photoresist layer 65 is selectively patterned through a development process to form a second sub- A second photoresist pattern 65a having a second opening 66 for defining the second photoresist pattern SP2 is formed.

이어서, 도 4h에 도시된 바와 같이, 상기 제2 감광막패턴(65a)을 포함한 제2 서브 픽셀영역(SP2)의 TFT 어레이기판(51) 전면에 제2 칼라 발광층(67)을 형성한다.4H, a second color light emitting layer 67 is formed on the entire surface of the TFT array substrate 51 of the second sub-pixel region SP2 including the second photoresist pattern 65a.

그 다음,도 4i에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 공정에 의해 상기 제2 감광막패턴(65a)과, 상기 제2 감광막패턴(65a) 상부에 형성된 제2 칼라 발광층(67) 부분을 제거하여, 상기 제2 서브 픽셀영역(SP2)에 제2 칼라 발광층패턴 (67a)을 형성한다. 이때, 상기 제2 칼라 발광층패턴(67a)은 녹색(G) 발광층패턴으로 사용한다.Next, as shown in FIG. 4I, the second photoresist pattern 65a and the second color light emission layer 67 formed on the second photoresist pattern 65a are removed by a lift-off process, And a second color light emitting layer pattern 67a is formed in the second sub pixel area SP2. At this time, the second color light emitting layer pattern 67a is used as a green (G) light emitting layer pattern.

이어서, 도 4j에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2 칼라 발광층패턴(63a, 67a)을 포함한 정공수송층(59) 전면에 제3 감광막(69)을 도포한다. 이때, 상기 제3 감광막막(69)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다.Next, as shown in FIG. 4J, the third photoresist layer 69 is coated on the entire surface of the hole transport layer 59 including the first and second color light emitting layer patterns 63a and 67a. At this time, the third photosensitive film 69 is a photo resist having a negative characteristic in which light is irradiated.

그 다음, 도 4k에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제3 감광막(69)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제3 감광막(69)을 선택적으로 패터닝하여 제3 서브 픽셀영역(SP3)을 한정하는 제3 개구부(70)를 구비한 제3 감광막패턴(69a)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4K, the third photosensitive film 69 is irradiated with light by a photolithography process, and then the third photosensitive film 69 is selectively patterned through a developing process to form a third sub- A third photoresist pattern 69a having a third opening 70 defining the second photoresist pattern SP3 is formed.

이어서, 도 4l에 도시된 바와 같이, 상기 제3 감광막패턴(69a)을 포함한 제3 서브 픽셀영역(SP3)의 TFT 어레이기판(51) 전면에 제3 칼라 발광층(71)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4L, a third color light emitting layer 71 is formed on the entire surface of the TFT array substrate 51 of the third sub-pixel region SP3 including the third photoresist pattern 69a.

그 다음,도 4m에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 공정에 의해 상기 제3 감광막패턴(59a)과, 상기 제3 감광막패턴(69a) 상부에 형성된 제3 칼라 발광층(71) 부분을 제거하여, 상기 제3 서브 픽셀영역(SP3)에 제3 칼라 발광층패턴 (71a)을 형성한다. 이때, 상기 제3 칼라 발광층패턴(71a)은 청색(B) 발광층패턴으로 사용한다.Then, as shown in FIG. 4M, the third photoresist pattern 59a and the third color light emission layer 71 formed on the third photoresist pattern 69a are removed by a lift-off process, And a third color light emitting layer pattern 71a is formed in the third sub-pixel region SP3. At this time, the third color light emitting layer pattern 71a is used as a blue (B) light emitting layer pattern.

이어서, 도 4n에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(63a, 67a, 71a)을 포함한 TFT 어레인기판 전면에 전자 수송층(73)과 전자 주입층(75)을 차례로 형성한다.4N, an electron transport layer 73 and an electron injection layer 75 are sequentially formed on the entire surface of the TFT array substrate including the first, second and third color light emission layer patterns 63a, 67a, and 71a do.

그 다음, 상기 전자 주입층(75) 상부에 투명 도전성 물질을 증착하여, 캐소드 전극(77)을 형성한다. Next, a transparent conductive material is deposited on the electron injection layer 75 to form a cathode electrode 77.

상기와 같은 공정 순으로 제조하는 종래기술에 따른 유기발광소자 제조방법에 따르면, 포토리소그라피 패터닝 기술을 이용하여 유기발광층만 패터닝하기 때문에, 마이크로캐비티(microcavity) 소자 구현이 불가능하다. According to the conventional method for fabricating an organic light emitting diode, the organic light emitting layer is patterned using a photolithography patterning technique, so that a microcavity device can not be realized.

특히, 마이크로캐비티를 구현하기 위해서는 적색(R)/녹색(G)/청색(B)의 광학 길이(optical length; OL)를 적색(R)/녹색(G)/청색(B) 별로 최적화해야 하는데, 마이크로캐비티 OLED 소자의 경우에, 색상, 예를 들어 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 별로 최적화된 두께가 다르기 때문에, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 소자의 두께가 달라야 한다.In particular, to realize a micro cavity, the optical length (OL) of red (R) / green (G) / blue (B) must be optimized for each of red (R) / green (G) / blue (G), and blue (B), because the thickness optimized for each color, for example, red (R), green (G) and blue (B) The thickness of the device should be different.

따라서, 마이크로캐비티를 구현하기 위해서는, 적색(R) 발광소자(정공주입층 /정공수송층/적색 발광층/전자수송층 /전자주입층)의 광학 길이(OL1) > 녹색(G) 발광소자(정공주입층/정공수송층/녹색 발광층/전자수송층 /전자주입층)의 광학 길이 (OL2) > 청색(B) 발광소자(정공주입층/정공수송층/청색 발광층/전자수송층 /전자주입층)의 광학 길이(OL3)이다.Therefore, in order to realize the micro cavity, the optical length OL1 of the red (R) light emitting element (hole injection layer / hole transport layer / red light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer) (OL3) of the blue (B) light emitting device (hole injecting layer / hole transporting layer / blue emitting layer / electron transporting layer / electron injecting layer), the optical length OL2 of the hole transporting layer / hole transporting layer / green light emitting layer / electron transporting layer / )to be.

그런데, 종래기술에 따른 유기발광소자의 경우, 상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 발광소자를 구성하는 정공주입층과 정공수송층 및 전자수송층과 전자주입층의 두께(t1)가 모두 동일하기 때문에, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 발광소자의 두께가 거의 동일하게 됨으로써, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 별로 최적화된 두께를 형성하기 어렵게 된다.The thickness t1 of the hole injecting layer, the hole transporting layer, the electron transporting layer, and the electron injecting layer constituting the red (R), green (G), and blue (B) The thicknesses of red (R), green (G), and blue (B) light emitting elements are almost the same, .

또한, 종래기술에 따른 유기발광소자 제조시에, 포토리소그라피 패터닝 기술을 이용하여 유기발광층만 패터닝하기 때문에, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 별로 최적화된 두께를 구성하는 것이 어렵게 되어, 결국 마이크로캐비티 소자 구현이 불가능하게 된다. Further, since only the organic light emitting layer is patterned by using the photolithographic patterning technique in the production of the organic light emitting device according to the related art, it is difficult to configure the thickness optimized for each of red (R), green (G) and blue (B) So that the micro-cavity device can not be realized.

본 발명의 종래기술의 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 칼라 유기발광층 별로 소자의 두께를 다르게 하여 고해상도의 마이크로 캐비티 (microcavity) 유기발광소자(OLED) 구현이 가능한 유기발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic light emitting device capable of realizing a high resolution microcavity organic light emitting device (OLED) by changing the thickness of a device for each color organic light emitting layer, Method.

또한, 본 발명의 목적은 포토리소그라피(photolithography) 패터닝 기술을 이용하여 유기발광층 뿐만 아니라 정공주입층 또는 정공주입층과 정공수송층을 함께 패터닝함으로써 고해상도의 탑 마이크로캐비티 OLED소자를 제조할 수 있는 유기발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다. It is another object of the present invention to provide an organic light emitting device capable of manufacturing a high-resolution top micro-cavity OLED device by patterning a hole injection layer or a hole injection layer and a hole transport layer together with an organic light emitting layer using a photolithography patterning technique. And a method for producing the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기발광소자는, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 형성된 TFT 어레이기판과; 상기 TFT 어레이기판의 제1, 2, 3 픽셀 영역에 각각 형성된 제1, 2, 3 애노드전극과; 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 대응되는 상기 제1, 2, 3 애노드전극 상부에 제1, 2, 3 칼라 발광층을 구비하며, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층 하부의 정공주입층과 정공수송층 중 적어도 한 층은 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에서 서로 다른 두께를 갖도록 형성된 제1, 2, 3 유기물층과; 상기 제1, 2, 3 유기물층 상에 형성된 캐소드전극;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode comprising: a TFT array substrate in which pixel regions for driving first, second and third sub-pixel regions are defined, and TFTs are formed for each pixel region; First, second and third anode electrodes respectively formed in first, second and third pixel regions of the TFT array substrate; The first, second and third color light emitting layers are formed on the first, second and third anode electrodes corresponding to the first, second and third sub-pixel regions. The first, At least one of the first, second, and third sub-pixel regions has a different thickness in the first, second, and third sub-pixel regions; And a cathode electrode formed on the first, second, and third organic material layers.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법은, TFT 어레이 기판에 정의된 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 각각 제1, 2, 3 애노드전극을 형성하는 단계와; 상기 TFT 어레이기판의 제1 서브 픽셀영역에 제1 정공주입층과 제1 정공수송층과 제1 칼라 발광층을 형성하는 단계와; 상기 TFT 어레이기판의 제2 서브 픽셀영역에 상기 제1 정공주입층과 제1 정공수송층 중 적어도 하나의 층과 서로 다른 두께를 갖는 제2 정공주입층과 제2 정공수송층 및 제2 칼라 발광층을 형성하는 단계와; 상기 TFT 어레이기판의 제3 서브 픽셀영역에 상기 제1 정공주입층 및 제2 정공수송층 중 적어도 하나의 층과, 상기 제2 정공주입층 및 제2 정공수송층 중 적어도 하나의 층과 서로 다른 두께를 갖는 제3 정공주입층과 제3 정공수송층 및 제3 칼라 발광층을 형성하는 단계와; 상기 제1, 2, 3 칼라발광층을 포함한 상기 TFT 어레이 기판상에 전자수송층과 전자주입층을 적층시키는 단계와; 상기 전자주입층 상에 캐소드전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting diode, comprising: forming first, second and third anode electrodes in first, second and third sub-pixel regions defined in a TFT array substrate; Forming a first hole injection layer, a first hole transport layer, and a first color emission layer in a first sub pixel region of the TFT array substrate; A second hole injection layer, a second hole transport layer and a second color emission layer having different thicknesses from the first hole injection layer and the first hole transport layer are formed in a second sub pixel area of the TFT array substrate ; At least one layer of the first hole injection layer and the second hole transport layer and at least one layer of the second hole injection layer and the second hole transport layer may have different thicknesses in the third sub pixel region of the TFT array substrate Forming a third hole injecting layer, a third hole transporting layer, and a third color emitting layer; Laminating an electron transport layer and an electron injection layer on the TFT array substrate including the first, second and third color light emitting layers; And forming a cathode electrode on the electron injection layer.

본 발명에 따른 유기발광소자 및 그 제조방법에 따르면 다음과 같은 효과들이 있다.The organic light emitting device and the method of manufacturing the same according to the present invention have the following effects.

본 발명에 따른 유기발광소자 및 그 제조방법에 따르면, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 발광층인 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴의 파장에 맞게 그 하부 영역의 제1, 2, 3 정공 수송층패턴들의 각 두께(t1, t2, t3)를 다르게 하여, 발광하는 파장의 광학 길이(OL1, OL2, OL3)를 조정함으로써 발광하는 파장의 색 순도와 광 효율을 증가시킬 수 있다.According to the organic light emitting device and the method of manufacturing the same according to the present invention, the first, second, and third color light emitting layer patterns of red (R), green (G), and blue (B) (T1, t2, t3) of the first, second and third hole transporting layer patterns are varied to adjust the optical lengths OL1, OL2 and OL3 of the emitting wavelength to increase the color purity and the light efficiency of the emitted light have.

따라서, 본 발명에 따른 탑 에미팅 방식의 유기발광소자의 경우, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 제1, 2, 3 칼라발광층패턴 하부의 제1, 2, 3 정공 수송층패턴의 각 두께(t1, t2, t3)를 각 파장에 맞게 다르게 형성함으로써, 반사되어 방출되는 광패스 길이(Optical path length)를 각 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3) 별로 다르게 하여 마이크로 캐비티(microcavity) 효과를 구현할 수 있게 된다.Therefore, in the case of the top-emitting organic light emitting device according to the present invention, the thicknesses of the first, second and third hole transporting layer patterns under the first, second and third color light emitting layer patterns in the first, (t1, t2, t3) are different from each other in wavelength so that the optical path lengths reflected and emitted are different for each of the sub-pixel regions SP1, SP2, and SP3 to provide a microcavity effect .

또한, 본 발명에 따른 유기발광소자 및 그 제조방법은 포토리소그라피 패터닝 기술을 이용하여 유기발광층 뿐만 아니라 정공주입층 또는 정공주입층 및 정공 수송층을 동시에 패터닝이 가능하기 때문에 고해상도의 탑 마이크로캐비티 유기발광소자(Top Microcavity OLED) 소자 구현이 가능하다.In addition, since the organic light emitting device and the method of manufacturing the same according to the present invention can simultaneously pattern the hole injection layer, the hole injection layer, and the hole transport layer as well as the organic light emitting layer using the photolithography patterning technology, (Top Microcavity OLED) device is possible.

도 1은 일반적인 유기발광소자(EL)의 EL층을 나타내는 단면도이다.
도 2는 일반적인 유기발광소자(EL)의 발광원리를 설명하기 위한 다이어 그램이다.
도 3은 종래기술에 따른 유기발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 4a 내지 4n는 종래기술에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 6a 내지 6l은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.
도 7a 내지 7n은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.
도 8a 내지 8o는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.1 is a cross-sectional view showing an EL layer of a general organic light emitting device (EL).
2 is a diagram for explaining the principle of luminescence of a general organic light emitting device EL.
3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting device according to the prior art.
4A to 4N are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode according to the related art.
5 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
6A to 6L are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.
7A to 7N are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
8A to 8O are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자 구조에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a structure of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자의 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자는, 도 5에 도시된 바와 같이, 3개의 서브 픽셀영역인 제1, 2, 3 서브 픽셀영역을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 구성된 TFT 어레이기판(101)과; 상기 TFT 어레이기판(101) 상의 제1, 2, 3 픽셀 영역에 각각 구성된 제1, 2, 3 애노드전극(103a, 103b, 103c)과; 상기 제1, 2, 3 애노드전극(103a, 103b, 103c)들의 일 영역이 평탄하게 노출되도록 전면에 구성된 뱅크막(105)과; 상기 노출된 제1, 2, 3 애노드전극 (103a, 103b, 103c)을 포함한 뱅크막(105) 전면에 구성되며, 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 적층된 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a) 및 제1, 2, 3 정공수송층패턴(109a, 117a, 125a)과; 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역의 상기 제1, 2, 3 정공수송층패턴(109a, 117a, 125a) 상부에 각각 형성된 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)과; 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)을 포함한 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀 영역 전면에 적층된 전자수송층(129)과 전자주입층 (131) 및 상기 전자주입층(131) 상부에 형성된 캐소드전극(133)으로 구성된다.As shown in FIG. 5, a pixel region for driving first, second, and third sub-pixel regions, which are three sub-pixel regions, is defined as a unit, and each pixel A TFT array substrate 101 in which TFTs are formed for each region; First, second and third anode electrodes 103a, 103b and 103c formed in the first, second and third pixel regions on the TFT array substrate 101; A bank layer 105 formed on the entire surface of the first, second, and third anode electrodes 103a, 103b, and 103c so as to expose one region of the first, second, and third anode electrodes 103a, 103b, and 103c; The first, second, and third sub-pixels are formed on the entire surface of the bank layer 105 including the exposed first, second, and third anode electrodes 103a, 103b, and 103c. The injection layer patterns 107a, 115a and 123a and the first, second and third hole transporting layer patterns 109a, 117a and 125a; First, second and third color emission layer patterns 111a, 119a and 127a formed on the first, second and third hole transport layer patterns 109a, 117a and 125a of the first, second and third sub pixel regions, respectively; An electron transport layer 129 and an electron injection layer 131 stacked on the entire surface of the first, second and third sub pixel regions including the first, second and third color light emission layer patterns 111a, 119a and 127a, And a cathode electrode 133 formed on the lower electrode 131.

상기 유기발광소자는 탑 에미팅(Top Emitting) 방식의 액티브 매트릭스 유기발광소자로써, 상기 제1 애노드 전극(103a, 103b, 103c)는 반사 금속으로 형성하고, 캐소드 전극(133)은 투명 전도성 물질로 구성한다. The first anode electrodes 103a, 103b, and 103c are formed of reflective metal, and the cathode electrode 133 is formed of a transparent conductive material. .

이때, 상기 반사 금속으로는 Ag, Mo, Mo/Al/Mo 또는 MgAg와 같은 물질을 사용할 수 있다.At this time, materials such as Ag, Mo, Mo / Al / Mo, or MgAg may be used as the reflective metal.

또한, 상기 투명 전도성 물질로는 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 주석산화물(Tin Oxide; TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide; IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO)과 같은 투명 도전막으로 구성할 수 있다.As the transparent conductive material, indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO) ). ≪ / RTI >

상기에서 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a) 및 제1, 2, 3 정공수송층패턴(109a, 117a, 125a)과, 상기 제 1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a) 및, 전자수송층(129)과 전자주입층(131)은 유기물층을 이룬다.The first, second and third hole injection layer patterns 107a, 115a and 123a and the first and second hole transport layer patterns 109a and 117a and 125a and the first, , 119a, and 127a, and the electron transport layer 129 and the electron injection layer 131 form an organic layer.

이때, 상기 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제1, 2, 3 정공수송층패턴(109a, 117a, 125a)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제1, 2, 3 애노드 전극(103a, 103b, 103c)에서 발생된 정공이 용이하게 상기 제 1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)에 주입되게 하는 역할을 한다.The first, second, and third hole injection layer patterns 107a, 115a, and 123a control the hole concentration, and the first, second, and third hole transport layer patterns 109a, 117a, The holes generated in the first, second and third anode electrodes 103a, 103b and 103c are easily injected into the first, second and third color light emitting layer patterns 111a, 119a and 127a .

상기 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. The first, second and third hole injection layer patterns 107a, 115a and 123a are formed mainly by depositing Copper (II) Phthalocyanine and deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm .

또한, 상기 제1, 2, 3 정공수송층패턴(109a, 117a, 125a)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. The first, second and third hole transporting layer patterns 109a, 117a and 125a are formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'- diphenylbenzidine And is deposited to have a thickness of 10 to 30 nm.

그리고, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)은 광을 발생시키는 기능을 주로 하지만 전자 또는 정공을 운반하는 기능도 함께 한다. 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)은 필요에 따라 발광 물질을 단독으로 사용되거나 호스트 재료에 도핑된 상태의 발광물질을 사용한다. The first, second, and third color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a mainly function to generate light, but also function to transport electrons or holes. The first, second, and third color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a may be formed using a light emitting material alone or doped with a host material, if necessary.

상기 전자수송층(129)과 전자주입층(131)은 전자의 농도 및 속도를 조절함으로써 상기 캐소드 전극(133)에서 발생된 전자가 용이하게 제 1, 2, 3 칼라 발광층 (111a, 119a, 127a)에 주입되게 하는 역할을 한다.The electron transport layer 129 and the electron injection layer 131 can control the concentration and speed of electrons so that the electrons generated from the cathode 133 can easily be emitted to the first, second, and third color emission layers 111a, 119a, And the like.

상기 제 1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)은 각각 R(적색), G(녹색), B(청색) 칼라 발광층을 의미한다.The first, second and third color light emitting layer patterns 111a, 119a and 127a respectively denote R (red), G (green) and B (blue) color emitting layers.

따라서, 상기 제1, 2, 3 칼라필터층패턴(111a, 119a, 127a) 하부의 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)은 그 두께가 서로 다른데, 상기 제1 칼라 발광층패턴(111a) 하부의 제1 정공 수송층(109a)의 두께(t1)는 상기 제2 칼라 발광층패턴 (119a) 하부의 제2 정공 수송층패턴(117a)의 두께(t2)보다 두껍고, 상기 제2 칼라 발광층패턴(119a) 하부의 제2 정공 수송층패턴(117a)의 두께(t2)는 상기 제3 칼라 발광층패턴(125a)의 제3 정공 수송층패턴(125a) 두께(t3)보다 두껍게 형성된다. Therefore, the first, second and third hole transporting layer patterns 109a, 117a and 125a under the first, second and third color filter layer patterns 111a, 119a and 127a have different thicknesses. The thickness t1 of the first hole transporting layer 109a under the first color light emitting layer pattern 111a is thicker than the thickness t2 of the second hole transporting layer pattern 117a under the second color emitting layer pattern 119a, The thickness t2 of the second hole transport layer pattern 117a under the pattern 119a is formed to be thicker than the thickness t3 of the third hole transport layer pattern 125a of the third color emission layer pattern 125a.

즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a) 하부 각각에 대응되는 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 두께를 각각 t1, t2, t3라고 하는 경우, t1>t2>t3이다. 5, the thicknesses of the first, second, and third hole transporting layer patterns 109a, 117a, and 125a corresponding to the lower portions of the first, second, and third color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a, Is t1, t2, and t3, respectively, t1 > t2 > t3.

이에 따라, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역의 제1, 2, 3 애노드 전극(103a, 103b, 103c)에서 캐소드 전극(133) 까지의 거리인 광학 길이(optical length)를 OL1, OL2, OL3이라고 하는 경우, OL1 > OL2 > OL3 이다.The optical lengths OL1, OL2, and OL3, which are distances from the first, second, and third anode electrodes 103a, 103b, and 103c of the first, OL1 > OL2 > OL3.

한편, 본 발명의 일 실시 예는, 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 두께를 다르게 형성하는 경우에 대해 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a)의 두께를 다르게 형성하거나, 또는 이들 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a)의 두께는 물론 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 두께를 다르게 형성할 수도 있다.In the meantime, one embodiment of the present invention describes a case where the thicknesses of the first, second, and third hole transporting layer patterns 109a, 117a, and 125a are differently formed. In some cases, The thicknesses of the first, second and third hole injection layer patterns 107a, 115a and 123a and the thicknesses of the first, second and third hole transport layer patterns 107a, 109a, 117a, and 125a may be formed to have different thicknesses.

상기에서와 같이, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 발광층인 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)의 파장에 맞게 그 하부 영역의 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 각 두께(t1, t2, t3)를 다르게 하여, 발광하는 파장의 광학 길이(OL1, OL2, OL3)를 조정함으로써 발광하는 파장의 색 순도와 광 효율을 증가시킬 수 있다.As described above, the first and second color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a corresponding to the wavelengths of the red (R), green (G), and blue (B) And the thicknesses t1, t2 and t3 of the three hole transporting layer patterns 109a, 117a and 125a are adjusted to adjust the optical lengths OL1, OL2 and OL3 of the emitting wavelength, The efficiency can be increased.

이러한 탑 에미팅 방식의 소자에서 빛이 나오는 경로는 크게 보았을 때 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)으로부터 캐소드 전극(133)을 통해 직접 나오는 것과, 제1, 2, 3 애노드 전극(103a, 103b, 103c)을 통해 반사되어 캐소드 전극(133)을 통해 다시 나오는 것이 있다.The light emitting path in the device of this top-emitting type is a structure in which light emitted from the first, second and third color light emitting layer patterns 111a, 119a and 127a directly through the cathode electrode 133, May be reflected through the anode electrodes 103a, 103b, and 103c and may be emitted again through the cathode electrode 133. [

상기에서 설명한 바와 같이, 상기 탑 에미팅 방식의 유기발광소자의 경우, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 제1, 2, 3 칼라발광층패턴(111a, 119a, 127a) 하부의 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 두께를 각 파장에 맞게 다르게 형성함으로 써, 반사되어 방출되는 광패스 길이(Optical path length)를 각 서브 픽셀영역 별로 다르게 하여 마이크로 캐비티(microcavity) 효과를 구현할 수 있게 된다.As described above, in the case of the organic EL device of the top-emitting type, a hole transporting layer pattern (first organic light emitting layer pattern) 111a, 119a and 127a under the first, second and third color light emitting layer patterns 111a, 109a, 117a, and 125a are formed to have different thicknesses, the microcavity effect can be realized by making the optical path length reflected and emitted different for each sub-pixel region.

상기 구성으로 이루어지는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자 제조방법에 대해 도 6a 내지 6l을 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention will now be described with reference to FIGS. 6A to 6L.

도 6a 내지 6l은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.6A to 6L are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.

여기서는, 건식 식각(dry etch) 공정과 리프트 오프(lift off) 공정을 병행하여 유기발광소자를 제조하는 공정에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a process for manufacturing an organic light emitting device by performing a dry etch process and a lift off process will be described.

먼저, 도면에는 도시히지 않았지만, 3개의 서브 픽셀영역인 제1, 2, 3 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3)을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 구성된 TFT 어레이기판(101)을 준비한다. 이때, 상기 각 픽셀 영역의 TFT는 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극을 구비하고 있으며, 상기 TFT의 소스전극과 드레인전극이 노출되도록 비아홀이 형성된 평탄화막(미도시)이 상기 TFT 어레이기판(101) 상에 형성되어 있다.First, although not shown in the figure, a pixel region for driving the first, second, and third sub-pixel regions SP1, SP2, and SP3 as one unit is defined, and a TFT The array substrate 101 is prepared. A planarization layer (not shown) having a via hole is formed on the TFT array substrate 101 to expose a source electrode and a drain electrode of the TFT. The TFT array substrate 101 includes a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. As shown in Fig.

그 다음, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 비아홀(미도시)에 의해 노출된 TFT의 드레인전극에 콘택되도록, 상기 TFT 어레이기판(101) 전면에 반사금속층(미도시)을 증착하고, 포토리소그래피 공정을 통해 상기 반사금속층을 선택적으로 식각하여, 도 6a에 도시된 바와 같이, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 각각 제1, 2, 3 애노드전극(103a, 103b, 103c)을 형성한다. 이때, 상기 반사금속으로는 Ag, Mo, Mo/Al/Mo 또는 MgAg와 같은 물질을 사용할 수 있다.Then, a reflective metal layer (not shown) is deposited on the entire surface of the TFT array substrate 101 so as to be in contact with the drain electrode of the TFT exposed by the via hole (not shown), and then a photolithography process is performed The reflective metal layer is selectively etched to form first, second and third anode electrodes 103a, 103b and 103c in the first, second and third subpixel regions, respectively, as shown in FIG. 6A. At this time, materials such as Ag, Mo, Mo / Al / Mo, or MgAg may be used as the reflective metal.

이어서, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(103a, 103b, 103c)을 포함한 TFT 어레이기판(101) 상에 절연막을 증착한 후, 포토리소그라피 (photolithography) 공정으로 상기 절연막(미도시)을 선택적으로 패터닝하여, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(103a, 103b, 103c)을 평탄하게 드러나도록 뱅크막(105)을 형성한다. 6B, an insulating film is deposited on the TFT array substrate 101 including the first, second, and third anode electrodes 103a, 103b, and 103c, and then a photolithography process is performed. An insulating film (not shown) is selectively patterned to form the bank film 105 so that the first, second, and third anode electrodes 103a, 103b, and 103c are exposed flat.

이때, 상기 절연막은 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 형성할 수 있는데, 여기서는 유기 절연물질을 이용하여 절연막을 형성한다.At this time, the insulating layer may be formed of an organic insulating material or an inorganic insulating material. Here, an insulating layer is formed using an organic insulating material.

그 다음, 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(103a, 103b, 103c)을 포함한 뱅크막(105) 전면에 제1 정공 주입층(107)과 제1 정공 수송층(109)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제1 정공주입층(107)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제1 정공수송층(109)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제1 애노드 전극(103a)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제 1 칼라 발광층 (111)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.6C, a first hole injection layer 107 and a first hole transport layer (not shown) are formed on the entire surface of the bank film 105 including the first, second and third anode electrodes 103a, 103b and 103c 109 are stacked in this order. At this time, the first hole injection layer 107 controls the concentration of holes, and the first hole transport layer 109 controls the movement speed of holes, so that holes generated in the first anode electrode 103a Emitting layer 111 to be formed in the first color light-emitting layer 111.

또한, 상기 제1 정공 주입층(107) 및 제1 정공 수송층(109)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다. As the first hole injection layer 107 and the first hole transport layer 109, a photoreactive organic material (single molecule or polymer) is used.

특히, 상기 제1 정공주입층(107)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 또한, 상기 제1 정공수송층(109)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the first hole injection layer 107 is formed by depositing Copper (II) Phthalocyanine, and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. The first hole transport layer 109 is formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD) and has a thickness of about 10 to 30 nm Lt; / RTI >

이어서, 상기 제1 정공수송층(109) 전면에 제1 칼라 발광층(111)을 형성한 후, 그 위에 다시 제1 감광막(113)을 도포한다. 이때, 상기 제1 감광막(113)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다.Next, a first color light emitting layer 111 is formed on the entire surface of the first hole transporting layer 109, and then the first photoresist layer 113 is coated thereon. At this time, the first photoresist layer 113 is a photoresist having a negative characteristic in which light is irradiated.

그 다음, 도 6d에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제1 감광막(113)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제1 감광막(113)을 선택적으로 패터닝하여 제1 감광막패턴(113a)을 형성한다. 이때, 상기 제1 감광막패턴 (113a)은 상기 제1 애노드전극(103a) 상부에 대응하여 위치하며, 제1 서브 픽셀영역(SP1)에 형성된다. 또한, 상기 제1 감광막패턴(113a)은 네거티브 특성을 지니고 있기 때문에 광이 조사된 제1 감광막 부분으로 구성된다.6D, the first photosensitive film 113 is irradiated with light by a photolithography process, and then the first photosensitive film 113 is selectively patterned through a developing process to form a first photosensitive film pattern 113a. At this time, the first photoresist pattern 113a is located on the first anode electrode 103a and is formed in the first sub-pixel area SP1. In addition, since the first photosensitive film pattern 113a has a negative characteristic, it is composed of the first photosensitive film portion irradiated with light.

이어서, 도 6e에 도시된 바와 같이, 상기 제1 감광막패턴(113a)을 식각마스크로, 상기 제1 칼라 발광층(111), 제1 정공 수송층(109) 및 제1 정공 주입층(107)을 차례로 건식 식각(dry etch)하여, 제1 정공 주입층패턴(107a), 제1 정공 수송층패턴(109a) 및 제1 칼라 발광층패턴(111a)을 형성한다. 이때, 상기 제1 칼라 발광층패턴(111a)은 적색(R) 발광층패턴으로 사용한다. 한편, 경우에 따라서는, 상기 건식 식각시에, 상기 제1 칼라 발광층(111), 제1 정공 수송층(109) 및 제1 정공 주입층(107)을 동시에 식각하지 않고, 상기 제1 정공 수송층(109) 및 제1 칼라 발광층패턴(111)만 식각할 수도 있다.6E, the first color light emitting layer 111, the first hole transporting layer 109, and the first hole injecting layer 107 are sequentially patterned using the first photoresist pattern 113a as an etching mask The first hole injection layer pattern 107a, the first hole transport layer pattern 109a, and the first color emission layer pattern 111a are formed by dry etching. At this time, the first color light emitting layer pattern 111a is used as a red (R) light emitting layer pattern. In some cases, the first color light-emitting layer 111, the first hole transport layer 109, and the first hole injection layer 107 are not etched at the same time during the dry etching, and the first hole transport layer 109 and the first color light emitting layer pattern 111 may be etched.

그 다음, 도 6f에 도시된 바와 같이, 상기 제1 정공 주입층패턴(107a), 제1 정공 수송층패턴(109a) 및 제1 칼라 발광층패턴(111a)을 포함한 상기 제1 감광막패턴(113a)과 상기 제2, 3 애노드전극(103b, 103c) 및 뱅크막(105) 전면에 제2 정공 주입층(115)과 제2 정공 수송층(117)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제2 정공주입층(115)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제2 정공수송층(117)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제2 애노드 전극(103b)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제2 칼라 발광층(119)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.6F, the first photoresist pattern 113a including the first hole injection layer pattern 107a, the first hole transport layer pattern 109a, and the first color emission layer pattern 111a, A second hole injection layer 115 and a second hole transport layer 117 are sequentially stacked on the entire surfaces of the second and third anode electrodes 103b and 103c and the bank film 105. [ At this time, the second hole injection layer 115 controls the concentration of the holes, and the second hole transport layer 117 controls the movement speed of the holes, so that the holes generated in the second anode electrode 103b Emitting layer 119 to be formed in the second color light-emitting layer 119.

또한, 상기 제2 정공 주입층(115) 및 제1 정공 수송층(117)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.As the second hole injection layer 115 and the first hole transport layer 117, a photoreactive organic material (single molecule or polymer) is used.

특히, 상기 제2 정공주입층(115)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 상기 제2 정공수송층(117)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the second hole injection layer 115 is formed by depositing Copper (II) Phthalocyanine, and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. The second hole transport layer 117 is formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD) and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm .

그리고, 상기 제2 정공 수송층(117)의 두께(t2)는 상기 제1 정공 수송층 (109)의 두께(t1)보다 얇게 형성한다.The thickness t2 of the second hole transport layer 117 is formed to be thinner than the thickness t1 of the first hole transport layer 109. [

이어서, 도 6g에 도시된 바와 같이, 상기 제2 정공 수송층(117) 전면에 제2 칼라 발광층(119)을 형성한 후, 그 위에 다시 제2 감광막(121)을 도포한다. 이때, 상기 제2 감광막(121)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다.Next, as shown in FIG. 6G, a second color light emitting layer 119 is formed on the entire surface of the second hole transporting layer 117, and then the second photosensitive film 121 is coated thereon. At this time, the second photoresist layer 121 is a photo resist having a negative characteristic in which light is irradiated.

그 다음, 도 6h에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제2 감광막(121)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제2 감광막(121)을 선택적으로 패터닝하여 제2 감광막패턴(121a)을 형성한다. 이때, 상기 제2 감광막패턴 (121a)은 상기 제2 애노드전극(103b) 상부에 대응하여 위치하며, 제2 서브 픽셀영역(SP2)에 형성된다. 또한, 상기 제2 감광막패턴(121a)은 네거티브 특성을 지니고 있기 때문에 광이 조사된 제2 감광막 부분으로 구성된다.6H, light is irradiated onto the second photoresist layer 121 by a photolithography process, and then the second photoresist layer 121 is selectively patterned through a development process to form a second photoresist pattern 121 121a. At this time, the second photoresist pattern 121a is formed corresponding to the upper portion of the second anode electrode 103b and is formed in the second sub-pixel region SP2. In addition, since the second photoresist pattern 121a has a negative characteristic, the second photoresist pattern 121a is composed of a second photoresist portion irradiated with light.

이어서, 도 6i에 도시된 바와 같이, 상기 제2 감광막패턴(121a)을 식각마스크로, 상기 제2 칼라 발광층(119), 제2 정공 수송층(117) 및 제2 정공 주입층(115)을 차례로 건식 식각(dry etch)하여, 제2 정공 주입층패턴(115a), 제2 정공 수송층패턴(117a) 및 제2 칼라 발광층패턴(119a)을 형성한다. 이때, 상기 제2 칼라 발광층패턴(119a)은 녹색(G) 발광층패턴으로 사용한다. 한편, 경우에 따라서는, 상기 건식 식각시에, 상기 제2 칼라 발광층(119), 제2 정공 수송층(117) 및 제2 정공 주입층(115)을 동시에 식각하지 않고, 상기 제2 정공 수송층(117) 및 제2 칼라 발광층(119)만 식각할 수도 있다.Next, as shown in FIG. 6I, the second color light emitting layer 119, the second hole transport layer 117, and the second hole injection layer 115 are sequentially formed using the second photoresist pattern 121a as an etching mask The second hole injection layer pattern 115a, the second hole transport layer pattern 117a and the second color emission layer pattern 119a are formed by dry etching. At this time, the second color light emitting layer pattern 119a is used as a green (G) light emitting layer pattern. In some cases, the second color light emitting layer 119, the second hole transporting layer 117, and the second hole injecting layer 115 are not etched at the same time during the dry etching, and the second hole transporting layer 117 and the second color light emitting layer 119 may be etched.

그 다음, 도 6j에 도시된 바와 같이, 상기 제1 서브 픽셀영역(SP1)에 위치하는 상기 제1 정공 주입층패턴(107a)과 제1 정공 수송층패턴(109a) 및 제1 칼라 발광층패턴(111a)을 포함한 상기 제1 감광막패턴(113a)과, 상기 제2 서브 픽셀영역 (SP2)에 위치하는 제2 정공 주입층패턴(115a), 제2 정공 수송층패턴(117a) 및 제2 칼라 발광층패턴(119a)을 포함한 상기 제2 감광막패턴(121a)과, 상기 제3 애노드전극(3b, 103c) 및 뱅크막(105) 전면에 제3 정공 주입층(123)과 제3 정공 수송층 (125)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제3 정공 주입층(123)과 제3 정공 수송층 (125)은 상기 제1 및 2 서브 픽셀영역(SP1, SP2) 사이에 노출된 뱅크막(105) 상부에도 형성된다.Next, as shown in FIG. 6J, the first hole injection layer pattern 107a, the first hole transport layer pattern 109a, and the first color emission layer pattern 111a , The second hole injection layer pattern 115a, the second hole transport layer pattern 117a, and the second color emission layer pattern (115a) located in the second sub pixel area SP2 A third hole injection layer 123 and a third hole transport layer 125 are sequentially formed on the entire surface of the third anode electrode 3b and 103c and the bank film 105, Laminated. The third hole injection layer 123 and the third hole transport layer 125 are also formed on the bank layer 105 exposed between the first and second sub pixel regions SP1 and SP2.

상기 제3 정공주입층(123)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제3 정공수송층 (125)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제3 애노드 전극(103c)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제3 칼라 발광층(127)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.The third hole injection layer 123 controls the hole concentration and the third hole transport layer 125 controls the hole transport speed so that holes generated in the third anode electrode 103c are formed in a subsequent process Emitting layer 127, which will be described later.

또한, 상기 제3 정공 주입층(123) 및 제3 정공 수송층(125)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.As the third hole injection layer 123 and the third hole transport layer 125, a photoreactive organic material (single molecule or polymer) is used.

특히, 상기 제3 정공주입층(123)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 상기 제3 정공수송층(125)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the third hole injection layer 123 is formed by depositing Copper (II) Phthalocyanine, and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. The third hole transport layer 125 is formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD) and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm .

그리고, 상기 제3 정공 수송층(125)의 두께(t3)는 상기 제2 정공 수송층 (117)의 두께(t2)보다 얇게 형성한다.The thickness t3 of the third hole transport layer 125 is formed to be thinner than the thickness t2 of the second hole transport layer 117. [

한편, 본 발명의 일 실시 예는, 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 두께를 다르게 형성하는 경우에 대해 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a)의 두께를 다르게 형성하거나, 또는 이들 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a)의 두께는 물론 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 두께를 다르게 형성할 수도 있다.In the meantime, one embodiment of the present invention describes a case where the thicknesses of the first, second, and third hole transporting layer patterns 109a, 117a, and 125a are differently formed. In some cases, The thicknesses of the first, second and third hole injection layer patterns 107a, 115a and 123a and the thicknesses of the first, second and third hole transport layer patterns 107a, 109a, 117a, and 125a may be formed to have different thicknesses.

이어서, 상기 제3 정공 수송층(125) 전면에 제3 칼라 발광층(127)을 형성한다. Next, a third color light emitting layer 127 is formed on the entire surface of the third hole transport layer 125.

그 다음, 도 6k에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 공정을 통해 상기 제1 감광막패턴(113a) 및 제2 감광막패턴(121a)과, 이들 제1, 2 감광막패턴 (113a, 121a) 상부에 형성된 상기 제3 정공 주입층(123)과 제3 정공 수송층(125) 및 제3 칼라 발광층(127)을 제거하여, 제3 서브 픽셀영역(SP3)에 제3 정공 주입층패턴(123a), 제3 정공 수송층패턴(125a) 및 제3 칼라 발광층패턴(127a)을 형성한다. 이때, 상기 제3 칼라 발광층패턴(127a)은 청색(B) 발광층패턴으로 사용한다. 한편, 경우에 따라서는, 상기 제2 칼라 발광층(119), 제2 정공 수송층(117) 및 제2 정공 주입층(115)을 동시에 제거하지 않고, 상기 제2 정공 수송층(117) 및 제2 칼라 발광층(119)만 제거할 수도 있다.Then, as shown in FIG. 6K, the first photoresist pattern 113a and the second photoresist pattern 121a and the first and second photoresist patterns 113a and 121a are lifted off through a lift- The third hole injection layer 123, the third hole transport layer 125 and the third color emission layer 127 formed in the upper portion are removed to form a third hole injection layer pattern 123a in the third sub pixel region SP3, The third hole transport layer pattern 125a, and the third color emission layer pattern 127a. At this time, the third color light emitting layer pattern 127a is used as a blue (B) light emitting layer pattern. In some cases, the second color light emitting layer 119, the second hole transporting layer 117, and the second hole injecting layer 115 are not simultaneously removed, and the second hole transporting layer 117 and the second color Only the light emitting layer 119 may be removed.

이어서, 도 6l에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)을 포함한 기판 전면에 전자 수송층(129)과 전자 주입층(131)을 차례로 형성한다.Then, an electron transport layer 129 and an electron injection layer 131 are sequentially formed on the entire surface of the substrate including the first, second and third color light emission layer patterns 111a, 119a and 127a, as shown in FIG.

그 다음, 상기 전자 주입층(131) 상부에 투명 도전성 물질을 증착하여, 캐소드 전극(133)을 형성한다. 이때, 상기 투명 전도성 물질로는 인듐주석산화물 (Indium Tin Oxide; ITO), 주석산화물(Tin Oxide; TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide; IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO)과 같은 투명 도전막으로 구성할 수 있다.Then, a transparent conductive material is deposited on the electron injection layer 131 to form a cathode electrode 133. [ As the transparent conductive material, indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO) ). ≪ / RTI >

상기에서와 같이, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 발광층인 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)의 파장에 맞게 그 하부 영역의 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 각 두께(t1, t2, t3)를 다르게 하여, 발광하는 파장의 광학 길이(OL1, OL2, OL3)를 조정함으로써 발광하는 파장의 색 순도와 광 효율을 증가시킬 수 있다.As described above, the first and second color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a corresponding to the wavelengths of the red (R), green (G), and blue (B) And the thicknesses t1, t2 and t3 of the three hole transporting layer patterns 109a, 117a and 125a are adjusted to adjust the optical lengths OL1, OL2 and OL3 of the emitting wavelength, The efficiency can be increased.

이러한 탑 에미팅 방식의 소자에서 빛이 나오는 경로는 크게 보았을 때 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)으로부터 캐소드 전극(133)을 통해 직접 나오는 것과, 제1, 2, 3 애노드 전극(103a, 103b, 103c)을 통해 반사되어 반투명전극인 캐소드 전극(133)을 통해 다시 나오는 것이 있다.The light emitting path in the device of this top-emitting type is a structure in which light emitted from the first, second and third color light emitting layer patterns 111a, 119a and 127a directly through the cathode electrode 133, And may be reflected through the anode electrodes 103a, 103b, and 103c and may come out again through the cathode electrode 133 which is a translucent electrode.

상기에서 설명한 바와 같이, 상기 탑 에미팅 방식의 유기발광소자의 경우, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 제1, 2, 3 칼라발광층패턴(111a, 119a, 127a) 하부의 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 두께를 각 파장에 맞게 다르게 형성함으로 써, 반사되어 방출되는 광패스 길이(Optical path length)를 각 서브 픽셀영역 (SP1, SP2, SP3) 별로 다르게 하여 마이크로 캐비티(microcavity) 효과를 구현할 수 있게 된다.As described above, in the case of the organic EL device of the top-emitting type, a hole transporting layer pattern (first organic light emitting layer pattern) 111a, 119a and 127a under the first, second and third color light emitting layer patterns 111a, SP2 and SP3 are formed in different microcavities by forming the optical path lengths reflected and emitted according to the respective wavelengths in the sub-pixel regions SP1, SP2 and SP3, Effect can be realized.

한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자 제조방법에 대해 도 7a 내지 7n을 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7A to 7N.

도 7a 내지 7n은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.7A to 7N are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

여기서는, 건식 식각(dry etch) 공정에 의해 유기발광소자를 제조하는 공정에 대해 설명하기로 한다.Here, a process for manufacturing an organic light emitting device by a dry etch process will be described.

먼저, 도면에는 도시히지 않았지만, 3개의 서브 픽셀영역인 제1, 2, 3 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3)을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 구성된 TFT 어레이기판(201)을 준비한다. 이때, 상기 각 픽셀 영역의 TFT는 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극을 구비하고 있으며, 상기 TFT의 소스전극과 드레인전극이 노출되도록 비아홀이 형성된 평탄화막(미도시)이 상기 TFT 어레이기판(201) 상에 형성되어 있다.First, although not shown in the figure, a pixel region for driving the first, second, and third sub-pixel regions SP1, SP2, and SP3 as one unit is defined, and a TFT The array substrate 201 is prepared. A planarization layer (not shown) having a via hole is formed on the TFT array substrate 201 to expose a source electrode and a drain electrode of the TFT. The TFT array substrate 201 has a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, As shown in Fig.

그 다음, 상기 비아홀(미도시)에 의해 노출된 TFT의 드레인전극에 콘택되도록, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 TFT 어레이기판(201) 전면에 반사금속층(미도시)을 증착하고, 포토리소그래피 공정을 통해 상기 반사금속층을 선택적으로 식각하여, 도 7a에 도시된 바와 같이, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 각각 제1, 2, 3 애노드전극(203a, 203b, 203c)을 형성한다. 이때, 상기 반사금속으로는 Ag, Mo, Mo/Al/Mo 또는 MgAg와 같은 물질을 사용할 수 있다.A reflective metal layer (not shown) is deposited on the entire surface of the TFT array substrate 201 so as to be in contact with the drain electrode of the TFT exposed by the via hole (not shown), and a photolithography process The reflective metal layer is selectively etched to form first, second, and third anode electrodes 203a, 203b, and 203c in the first, second, and third subpixel regions, respectively, as shown in FIG. 7A. At this time, materials such as Ag, Mo, Mo / Al / Mo, or MgAg may be used as the reflective metal.

이어서, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(203a, 203b, 203c)을 포함한 TFT 어레이기판(201) 상에 절연막을 증착한 후, 포토리소그라피 (photolithography) 공정으로 상기 절연막(미도시)을 선택적으로 패터닝하여, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(203a, 203b, 203c)을 평탄하게 드러나도록 뱅크막(205)을 형성한다. 7B, an insulating film is deposited on the TFT array substrate 201 including the first, second, and third anode electrodes 203a, 203b, and 203c, and then a photolithography process is performed. An insulating film (not shown) is selectively patterned to form a bank film 205 so as to expose the first, second and third anode electrodes 203a, 203b and 203c in a flat manner.

이때, 상기 절연막은 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 형성할 수 있는데, 여기서는 유기 절연물질로 절연막을 형성하는 경우이다.At this time, the insulating layer may be formed of an organic insulating material or an inorganic insulating material. Here, the insulating layer is formed of an organic insulating material.

그 다음, 도 7c에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(203a, 203b, 203c)을 포함한 뱅크막(205) 전면에 제1 정공 주입층(207)과 제1 정공 수송층(209)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제1 정공주입층(207)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제1 정공수송층(209)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제1 애노드 전극(203a)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제 1 칼라 발광층 (211)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.7C, a first hole injection layer 207 and a first hole transport layer (not shown) are formed on the entire surface of the bank film 205 including the first, second and third anode electrodes 203a, 203b and 203c 209 are stacked in this order. At this time, the first hole injection layer 207 controls the concentration of holes, and the first hole transport layer 209 controls the movement speed of the holes, so that the holes generated in the first anode 203a are transferred to the subsequent process Emitting layer 211 to be formed in the first color light-emitting layer 211.

또한, 상기 제1 정공 주입층(207) 및 제1 정공 수송층(209)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.As the first hole injection layer 207 and the first hole transport layer 209, a photoreactive organic material (single molecule or polymer) is used.

특히, 상기 제1 정공주입층(207)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 또한, 상기 제1 정공수송층(209)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the first hole injection layer 207 is formed by depositing Copper (II) Phthalocyanine, and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. The first hole transport layer 209 is formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD) and has a thickness of about 10 to 30 nm Lt; / RTI >

이어서, 상기 제1 정공 수송층(209) 전면에 제1 칼라 발광층(211)을 형성한 후, 그 위에 다시 제1 감광막(213)을 도포한다. 이때, 상기 제1 감광막(213)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다.Next, a first color light emitting layer 211 is formed on the entire surface of the first hole transport layer 209, and then a first photoresist layer 213 is coated thereon. At this time, the first photoresist layer 213 is a photo resist having a negative characteristic in which light is irradiated.

그 다음, 도 7d에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제1 감광막(213)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제1 감광막(213)을 선택적으로 패터닝하여 제1 감광막패턴(213a)을 형성한다. 이때, 상기 제1 감광막패턴 (213a)은 상기 제1 애노드전극(203a) 상부에 대응하여 위치하며, 제1 서브 픽셀영역(SP1)에 형성된다. 또한, 상기 제1 감광막패턴(213a)은 네거티브 특성을 지니고 있기 때문에 광이 조사된 제1 감광막 부분으로 구성된다.7D, light is irradiated onto the first photosensitive film 213 by a photolithography process, and then the first photosensitive film 213 is selectively patterned through a developing process to form a first photosensitive film pattern 213a. At this time, the first photoresist pattern 213a is located on the first anode electrode 203a and is formed in the first sub-pixel area SP1. In addition, since the first photosensitive film pattern 213a has a negative characteristic, it is composed of the first photosensitive film portion irradiated with light.

이어서, 상기 제1 감광막패턴(213a)을 식각마스크로, 상기 제1 칼라 발광층 (211), 제1 정공 수송층(209) 및 제1 정공 주입층(207)을 차례로 건식 식각(dry etch)하여, 제1 정공 주입층패턴(207a), 제1 정공 수송층패턴(209a) 및 제1 칼라 발광층패턴(211a)을 형성한다. 이때, 상기 제1 칼라 발광층패턴(211a)은 적색(R) 발광층패턴으로 사용한다. The first color light emitting layer 211, the first hole transport layer 209 and the first hole injection layer 207 are dry-etched sequentially by using the first photoresist pattern 213a as an etching mask, A first hole injection layer pattern 207a, a first hole transport layer pattern 209a and a first color emission layer pattern 211a are formed. At this time, the first color light emitting layer pattern 211a is used as a red (R) light emitting layer pattern.

그 다음, 도 7e에 도시된 바와 같이, 상기 제1 정공 주입층패턴(207a), 제1 정공 수송층패턴(209a) 및 제1 칼라 발광층패턴(211a)을 포함한 상기 제1 감광막패턴(213a)과 상기 제2, 3 애노드전극(203b, 203c) 및 뱅크막(205) 전면에 제2 정공 주입층(215)과 제2 정공 수송층(217)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제2 정공주입층(215)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제2 정공수송층(217)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제2 애노드 전극(203b)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제2 칼라 발광층(219)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.Next, as shown in FIG. 7E, the first photoresist pattern 213a including the first hole injection layer pattern 207a, the first hole transport layer pattern 209a, and the first color emission layer pattern 211a, A second hole injection layer 215 and a second hole transport layer 217 are sequentially stacked over the entire surface of the second and third anode electrodes 203b and 203c and the bank film 205. [ At this time, the second hole injection layer 215 controls the concentration of the holes, and the second hole transport layer 217 controls the movement speed of the holes, so that the holes generated in the second anode electrode 203b Emitting layer 219 to be formed in the second color light-emitting layer 219.

또한, 상기 제2 정공 주입층(215) 및 제2 정공 수송층(217)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.As the second hole injection layer 215 and the second hole transport layer 217, a photoreactive organic material (a single molecule or a polymer) is used.

특히, 상기 제2 정공주입층(215)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 상기 제2 정공수송층(217)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the second hole injection layer 215 is formed by depositing Copper (II) Phthalocyanine, and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. The second hole transport layer 217 is formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD) and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm .

그리고, 상기 제2 정공 수송층(217)의 두께(t2)는 상기 제1 정공 수송층 (209)의 두께(t1)보다 얇게 형성한다.The thickness t2 of the second hole transport layer 217 is smaller than the thickness t1 of the first hole transport layer 209.

이어서, 도 7e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 정공 수송층(217) 전면에 제2 칼라 발광층(219)을 형성한 후, 도 7f에서와 같이, 그 위에 다시 제2 감광막(221)을 도포한다. 이때, 상기 제2 감광막(221)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트(photo resist)이다. 한편, 상기 제2 감광막(221)은 경우에 따라 광이 조사되는 부분이 제거되는 포지티브(positive) 특성을 가진 포토레지스트를 사용할 수도 있다. Next, as shown in FIG. 7E, a second color light emitting layer 219 is formed on the entire surface of the second hole transport layer 217, and then a second photosensitive film 221 is coated on the second color light emitting layer 219 as shown in FIG. 7F . At this time, the second photoresist layer 221 is a photoresist having a negative characteristic in which light is irradiated. Meanwhile, the second photoresist layer 221 may be a photoresist having a positive characteristic in which a portion irradiated with light is removed.

그 다음, 도 7g에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제2 감광막(221)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제2 감광막(221)을 선택적으로 패터닝하여 제2 감광막패턴(221a)을 형성한다. 이때, 상기 제2 감광막패턴 (221a)은 상기 제2 애노드전극(203b) 상부에 대응하여 위치하며, 제2 서브 픽셀영역(SP2)에 형성된다. 또한, 상기 제2 감광막패턴(221a)은 네거티브 특성을 갖고 있기 때문에 광이 조사된 제2 감광막 부분으로 구성된다.Next, as shown in FIG. 7G, the second photosensitive film 221 is irradiated with light by a photolithography process, and then the second photosensitive film 221 is selectively patterned through a developing process to form a second photosensitive film pattern 221a. At this time, the second photoresist pattern 221a is formed on the second sub-pixel region SP2, corresponding to the upper portion of the second anode electrode 203b. In addition, the second photoresist pattern 221a has a negative characteristic, and therefore, it is composed of a second photoresist portion irradiated with light.

이어서, 도 7h에 도시된 바와 같이, 상기 제2 감광막패턴(221a)을 식각마스크로, 상기 제2 칼라 발광층(219), 제2 정공 수송층(217) 및 제2 정공 주입층(215)을 차례로 건식 식각(dry etch)하여, 제2 정공 주입층패턴(215a), 제2 정공 수송층패턴(217a) 및 제2 칼라 발광층패턴(219a)을 형성한다. 이때, 상기 제2 칼라 발광층패턴(219a)은 녹색(G) 발광층패턴으로 사용한다. 7H, the second color light emitting layer 219, the second hole transport layer 217, and the second hole injection layer 215 are sequentially formed in this order using the second photoresist pattern 221a as an etching mask A second hole injection layer pattern 215a, a second hole transport layer pattern 217a and a second color emission layer pattern 219a are formed by dry etching. At this time, the second color light emitting layer pattern 219a is used as a green (G) light emitting layer pattern.

그 다음, 도 7i에 도시된 바와 같이, 상기 제1 서브 픽셀영역(SP1)에 위치하는 상기 제1 정공 주입층패턴(207a)과 제1 정공 수송층패턴(209a) 및 제1 칼라 발광층패턴(211a)을 포함한 상기 제1 감광막패턴(213a)과, 상기 제2 서브 픽셀영역 (SP2)에 위치하는 제2 정공 주입층패턴(215a)과 제2 정공 수송층패턴(217a) 및 제2 칼라 발광층패턴(219a)을 포함한 상기 제2 감광막패턴(221a)과, 상기 제3 애노드전극(203c) 및 뱅크막(105) 전면에 제3 정공 주입층(223)과 제3 정공 수송층(225)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제3 정공 주입층(223)과 제3 정공 수송층(225)은 상기 제1 및 2 서브 픽셀영역(SP1, SP2) 사이에 있는 뱅크막(205) 상부에도 형성된다.Next, as shown in FIG. 7I, the first hole injection layer pattern 207a, the first hole transport layer pattern 209a, and the first color light emission layer pattern 211a located in the first sub- The second hole injection layer pattern 215a, the second hole transport layer pattern 217a and the second color emission layer pattern 217a located in the second sub pixel area SP2, The third hole injection layer 223 and the third hole transport layer 225 are sequentially stacked on the entire surface of the third anode electrode 203c and the bank film 105 . The third hole injection layer 223 and the third hole transport layer 225 are also formed on the bank layer 205 between the first and second sub pixel regions SP1 and SP2.

상기 제3 정공주입층(223)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제3 정공수송층 (225)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제3 애노드 전극(203c)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제3 칼라 발광층(227)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.The third hole injection layer 223 controls the hole concentration and the third hole transport layer 225 controls the hole transport speed so that the holes generated in the third anode 203c are formed in a subsequent process Emitting layer 227, which will be described later.

또한, 상기 제3 정공 주입층(223) 및 제3 정공 수송층(225)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.As the third hole injection layer 223 and the third hole transporting layer 225, a photoreactive organic material (single molecule or polymer) is used.

특히, 상기 제3 정공주입층(223)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 상기 제3 정공수송층(125)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the third hole injection layer 223 is formed by depositing Copper (II) Phthalocyanine, and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. The third hole transport layer 125 is formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD) and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm .

그리고, 상기 제3 정공 수송층(225)의 두께(t3)는 상기 제2 정공 수송층 (217)의 두께(t2)보다 얇게 형성한다.The thickness t3 of the third hole transport layer 225 is formed to be thinner than the thickness t2 of the second hole transport layer 217. [

한편, 본 발명의 다른 실시 예는, 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(209a, 217a, 225a)의 두께를 다르게 형성하는 경우에 대해 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 제1, 2, 3 정공주입층패턴(207a, 215a, 223a)의 두께를 다르게 형성하거나, 또는 이들 제1, 2, 3 정공주입층패턴(207a, 215a, 223a)의 두께는 물론 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(209a, 217a, 225a)의 두께를 다르게 형성할 수도 있다.In another embodiment of the present invention, the first, second, and third hole transporting layer patterns 209a, 217a, and 225a are formed to have different thicknesses. In some cases, the first, The thicknesses of the first, second and third hole injection layer patterns 207a, 215a and 223a and the thicknesses of the first, second and third hole injection layer patterns 207a, 215a and 223a, 209a, 217a, and 225a may be formed to have different thicknesses.

이어서, 상기 제3 정공 수송층(225) 전면에 제3 칼라 발광층(227)을 형성한다. Next, a third color light emitting layer 227 is formed on the entire surface of the third hole transporting layer 225.

그 다음, 도 7j에 도시된 바와 같이, 상기 제2 칼라 발광층(219)을 형성한 후, 그 위에 다시 제3 감광막(229)을 도포한다. 이때, 상기 제3 감광막(229)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다. 한편, 상기 제3 감광막(229)은 경우에 따라 광이 조사되는 부분이 제거되는 포지티브(positive) 특성을 가진 포토레지스트를 사용할 수도 있다. Next, as shown in FIG. 7J, after the second color light emitting layer 219 is formed, a third photoresist layer 229 is further coated thereon. At this time, the third photoresist layer 229 is a photo resist having a negative characteristic in which light is irradiated. Meanwhile, the third photoresist layer 229 may be formed of a photoresist having a positive characteristic in which a portion irradiated with light is removed.

이어서, 도 7k에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제3 감광막(229)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제3 감광막(229)을 선택적으로 패터닝하여 제3 감광막패턴(229a)을 형성한다. 이때, 상기 제3 감광막패턴 (229a)은 상기 제3 애노드전극(203c) 상부에 대응하여 위치하며, 제3 서브 픽셀영역(SP3)에 형성된다. 또한, 상기 제3 감광막패턴(229a)은 네거티브 특성을 지니고 있기 때문에 광이 조사된 제3 감광막 부분으로 구성된다.Next, as shown in FIG. 7K, the third photosensitive film 229 is irradiated with light by a photolithography process, and then the third photosensitive film 229 is selectively patterned through a developing process to form a third photosensitive film pattern 229a ). At this time, the third photoresist pattern 229a is formed on the third sub-pixel region SP3 in correspondence with the upper portion of the third anode electrode 203c. In addition, since the third photoresist pattern 229a has a negative characteristic, the third photoresist pattern 229a is composed of the third photoresist portion irradiated with light.

이어서, 도 7l 및 도 7m에 도시된 바와 같이, 상기 제3 감광막패턴(229a)을 식각마스크로, 상기 제3 칼라 발광층(227), 제3 정공 수송층(225) 및 제3 정공 주입층(223)을 차례로 건식 식각(dry etch)하여, 제3 정공 주입층패턴(223a), 제3 정공 수송층패턴(225a) 및 제3 칼라 발광층패턴(227a)을 형성한다. 이때, 상기 제3 칼라 발광층패턴(227a)은 청색(B) 발광층패턴으로 사용한다. 또한, 건식 식각시에, 상기 제1, 2 감광막패턴 (213a, 221a) 및 뱅크막(205) 상부에 형성된 제3 정공 주입층 (223), 제3 정공 수송층(225) 및 제3 칼라 발광층(227) 부분도 함께 제거된다.7L and 7M, the third color light emitting layer 227, the third hole transporting layer 225, and the third hole injecting layer 223 are formed using the third photoresist pattern 229a as an etching mask. Are sequentially etched by dry etching to form the third hole injection layer pattern 223a, the third hole transport layer pattern 225a and the third color light emission layer pattern 227a. At this time, the third color light emitting layer pattern 227a is used as a blue (B) light emitting layer pattern. In the dry etching, the third hole injection layer 223, the third hole transport layer 225, and the third color light emitting layer (not shown) formed on the first and second photosensitive film patterns 213a and 221a and the bank film 205 227 are also removed together.

이렇게 하여, 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 각각 위치하는 제1, 2, 3 감광막패턴(213a, 221a, 229a)이 외부로 노출된다.In this way, the first, second and third photoresist pattern 213a, 221a, and 229a located in the first, second, and third sub-pixel regions are exposed to the outside.

그 다음, 도 7n에 도시된 바와 같이, 외부로 노출된 제1, 2, 3 감광막패턴 (213a, 221a, 229a)을 제거한 후, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층(211a, 219a, 227a)을 포함한 TFT 어레이기판(201)의 전면에 전자 수송층(231)과 전자 주입층(233)을 차례로 형성한다.The first, second, and third color light emitting layers 211a, 219a, and 227a are formed by removing first, second, and third photoresist patterns 213a, 221a, and 229a exposed to the outside, An electron transport layer 231 and an electron injection layer 233 are formed in this order on the entire surface of the TFT array substrate 201 including the electron transport layer 201. [

이어서, 상기 전자 주입층(233) 상부에 투명 도전성 물질을 증착하여, 캐소드 전극(235)을 형성한다. 이때, 상기 투명 전도성 물질로는 인듐주석산화물 (Indium Tin Oxide; ITO), 주석산화물(Tin Oxide; TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide; IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO)과 같은 투명 도전막으로 구성할 수 있다.Next, a transparent conductive material is deposited on the electron injection layer 233 to form a cathode electrode 235. As the transparent conductive material, indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO) ). ≪ / RTI >

상기에서와 같이, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 발광층인 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(211a, 219a, 227a)의 파장에 맞게 그 하부 영역의 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(209a, 217a, 225a)의 각 두께(t1, t2, t3), 즉 t1> t2> t3와 같이 서로 다르게 하여, 발광하는 파장의 광학 길이(OL1, OL2, OL3)를 조정함으로써 발광하는 파장의 색 순도와 광 효율을 증가시킬 수 있다.As described above, in accordance with the wavelengths of the first, second, and third color light emitting layer patterns 211a, 219a, and 227a which are the red (R), green (G), and blue T2 and t3 of the three hole transporting layer patterns 209a, 217a and 225a, that is, t1> t2> t3, to adjust the optical lengths OL1, OL2 and OL3 Thereby increasing the color purity and the light efficiency of the emitted light.

이러한 탑 에미팅 방식의 소자에서 빛이 나오는 경로는 크게 보았을 때 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(211a, 219a, 227a)으로부터 캐소드 전극(235)을 통해 직접 나오는 것과, 제1, 2, 3 애노드 전극(203a, 203b, 203c)을 통해 반사되어 반투명전극인 캐소드 전극(235)을 통해 다시 나오는 것이 있다.In the device of this top-emitter type, the path through which the light exits is seen from the first, second and third color light emitting layer patterns 211a, 219a and 227a directly through the cathode electrode 235, And may be reflected through the anode electrodes 203a, 203b, and 203c and may be emitted again through the cathode electrode 235 which is a translucent electrode.

상기에서 설명한 바와 같이, 상기 탑 에미팅 방식의 유기발광소자의 경우, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 제1, 2, 3 칼라발광층패턴(211a, 219a, 227a) 하부의 정공 수송층패턴(209a, 217a, 225a)의 두께(t1, t2, t3)를 각 파장에 맞게 다르게 형성함으로써, 반사되어 방출되는 광패스 길이(Optical path length)를 각 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3) 별로 다르게 하여 마이크로 캐비티(microcavity) 효과를 구현할 수 있게 된다.As described above, in the case of the organic EL device of the top-emitting type, the hole transport layer pattern (first organic light emitting layer pattern) 211a, 219a and 227a under the first, second and third color light emitting layer patterns 211a, The optical path lengths reflected and emitted may be different for each of the sub-pixel regions SP1, SP2, and SP3 by forming the thicknesses t1, t2, and t3 of the respective sub-pixels 209a, 217a, So that a microcavity effect can be realized.

또 한편, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 유기발광소자 제조방법에 대해 도 8a 내지 8o를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention will now be described with reference to FIGS. 8A to 8O.

도 8a 내지 8o는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.8A to 8O are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

여기서는, 리프트 오프(lift off) 공정에 의해 유기발광소자를 제조하는 공정에 대해 설명하기로 한다.Here, a process for manufacturing an organic light emitting element by a lift off process will be described.

먼저, 도면에는 도시히지 않았지만, 3개의 서브 픽셀영역인 제1, 2, 3 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3)을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 구성된 TFT 어레이기판(301)을 준비한다. 이때, 상기 각 픽셀 영역의 TFT는 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극을 구비하고 있으며, 상기 TFT의 소스전극과 드레인전극이 노출되도록 비아홀이 형성된 평탄화막(미도시)이 상기 TFT 어레이기판(301) 상에 형성되어 있다.First, although not shown in the figure, a pixel region for driving the first, second, and third sub-pixel regions SP1, SP2, and SP3 as one unit is defined, and a TFT The array substrate 301 is prepared. A planarizing film (not shown) having via holes formed therein is formed on the TFT array substrate 301 so as to expose the source electrode and the drain electrode of the TFT, and a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, As shown in Fig.

그 다음, 상기 비아홀(미도시)에 의해 노출된 TFT의 드레인전극에 콘택되도록, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 TFT 어레이기판(301) 전면에 반사금속층(미도시)을 증착하고, 포토리소그래피 공정을 통해 상기 반사금속층을 선택적으로 식각하여, 도 8a에 도시된 바와 같이, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3)에 각각 제1, 2, 3 애노드전극(303a, 303b, 303c)을 형성한다. 이때, 상기 반사금속으로는 Ag, Mo, Mo/Al/Mo 또는 MgAg와 같은 물질을 사용할 수 있다.A reflective metal layer (not shown) is deposited on the entire surface of the TFT array substrate 301 so as to be in contact with the drain electrode of the TFT exposed by the via hole (not shown), and a photolithography process is performed The reflective metal layer is selectively etched to form first, second, and third anode electrodes 303a, 303b, and 303c in the first, second, and third sub-pixel regions SP1, SP2, and SP3, respectively, ). At this time, materials such as Ag, Mo, Mo / Al / Mo, or MgAg may be used as the reflective metal.

이어서, 도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(303a, 303b, 303c)을 포함한 TFT 어레이기판(301) 상에 절연막을 증착한 후, 포토리소그라피 (photolithography) 공정으로 상기 절연막(미도시)을 선택적으로 패터닝하여, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(303a, 303b, 303c)을 평탄하게 드러나도록 뱅크막(305)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 8B, an insulating film is deposited on the TFT array substrate 301 including the first, second and third anode electrodes 303a, 303b, and 303c, and then a photolithography process is performed. An insulating film (not shown) is selectively patterned to form the bank film 305 so as to expose the first, second, and third anode electrodes 303a, 303b, and 303c in a flat manner.

이때, 상기 절연막은 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 형성할 수 있는데, 여기서는 유기 절연물질로 절연막을 형성하는 경우이다.At this time, the insulating layer may be formed of an organic insulating material or an inorganic insulating material. Here, the insulating layer is formed of an organic insulating material.

그 다음, 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(303a, 303b, 303c)을 포함한 뱅크막(305) 전면에 제1 감광막(307)을 도포한다. 이때, 상기 제1 감광막(307)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다. 한편, 상기 제1 감광막(307)은 경우에 따라 광이 조사되는 부분이 제거되는 포지티브(positive) 특성을 가진 포토레지스트를 사용할 수도 있다. Next, as shown in FIG. 8C, a first photoresist layer 307 is coated over the entire surface of the bank layer 305 including the first, second and third anode electrodes 303a, 303b and 303c. At this time, the first photoresist layer 307 is a photo resist having a negative characteristic in which light is irradiated. Meanwhile, the first photoresist layer 307 may be a photoresist having a positive characteristic in which a portion irradiated with light is removed.

이어서, 도 8d에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제1 감광막(307)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제1 감광막(307)을 선택적으로 패터닝하여 제1 서브 픽셀영역(SP1)의 제1 애노드전극(303a)을 노출시키는 제1 개구부(308)를 구비한 제1 감광막패턴(307a)을 형성한다. 이때, 상기 제1 감광막패턴 (307a)은 상기 제1 애노드전극(303a) 상부에 대응하여 위치하며, 제1 서브 픽셀영역(SP1)에 형성된다. 또한, 상기 제1 감광막패턴(307a)은 네거티브 특성을 지니고 있기 때문에 광이 조사된 제1 감광막 부분으로 구성된다. 8D, light is irradiated onto the first photoresist layer 307 by a photolithography process, and then the first photoresist layer 307 is selectively patterned through a development process to form a first sub pixel region A first photoresist pattern 307a having a first opening 308 exposing the first anode 303a of the first photoresist pattern 301a is formed. At this time, the first photoresist pattern 307a is located on the first anode 303a and is formed in the first sub-pixel area SP1. In addition, since the first photosensitive film pattern 307a has a negative characteristic, the first photosensitive film pattern 307a is composed of the first photosensitive film portion irradiated with light.

그 다음, 도 8e에 도시된 바와 같이, 노출된 상기 제1 에노드전극(303a) 및 뱅크막(305)을 포함한 제1 감광막패턴(307a) 상부에 제1 정공 주입층(309)과 제1 정공 수송층(311)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제1 정공주입층(309)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제1 정공수송층(311)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제1 애노드 전극(303a)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제 1 칼라 발광층(313)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.8E, a first hole injection layer 309 and a second hole injection layer 309 are formed on the exposed first photoresist pattern 307a including the first electron electrode 303a and the bank layer 305, And the hole transport layer 311 are sequentially stacked. At this time, the first hole injection layer 309 controls the concentration of holes, and the first hole transport layer 311 controls the movement speed of the holes, so that the holes generated in the first anode 303a are transferred to the subsequent process Emitting layer 313 to be formed in the first color light-emitting layer 313.

또한, 상기 제1 정공 주입층(309) 및 제1 정공 수송층(311)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.As the first hole injection layer 309 and the first hole transport layer 311, a photoreactive organic material (single molecule or polymer) is used.

특히, 상기 제1 정공주입층(309)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 또한, 상기 제1 정공수송층(209)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the first hole injection layer 309 is formed by depositing Copper (II) Phthalocyanine, and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. The first hole transport layer 209 is formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD) and has a thickness of about 10 to 30 nm Lt; / RTI >

이후, 상기 제1 정공 수송층(311a) 상부에 제1 칼라 발광층(313)을 형성한다. Then, a first color light emitting layer 313 is formed on the first hole transport layer 311a.

이어서, 도 8f에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 공정에 의해, 상기 제1 감광막패턴(307a)과, 이 제1 감광막패턴(307a) 상부에 형성된 상기 제1 정공 주입층(309) 및 제1 정공 수송층(311)을 제거함으로써, 상기 제1 서브 픽셀영역 (SP1)에 위치하는 상기 제1 애노드전극(303a) 상부에 제1 정공 주입층패턴(309a), 제1 정공 수송층패턴(311a) 및 제1 칼라 발광층패턴(313a)을 형성한다. 이때, 상기 제1 칼라 발광층패턴(313a)은 적색(R) 발광층패턴으로 사용한다. 8F, the first photoresist pattern 307a and the first hole injection layer 309 formed on the first photoresist pattern 307a are removed by a lift-off process. Then, as shown in FIG. The first hole injection layer pattern 309a and the first hole transport layer pattern 309a are formed on the first anode electrode 303a located in the first sub pixel area SP1 by removing the first hole injection layer pattern 311a and the first hole transport layer 311, 311a and the first color light emitting layer pattern 313a are formed. At this time, the first color light emitting layer pattern 313a is used as a red (R) light emitting layer pattern.

그 다음, 도 8g에 도시된 바와 같이, 상기 제1 정공 주입층패턴(309a), 제1 정공 수송층패턴(311a) 및 제1 칼라 발광층패턴(313a)을 포함한 TFT 어레이기판 (301) 전면에 제2 감광막(315)을 도포한다. 이때, 상기 제2 감광막(315)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다. 한편, 상기 제2 감광막(314)은 경우에 따라 광이 조사되는 부분이 제거되는 포지티브(positive) 특성을 가진 포토레지스트를 사용할 수도 있다. Next, as shown in FIG. 8G, on the entire surface of the TFT array substrate 301 including the first hole injection layer pattern 309a, the first hole transport layer pattern 311a, and the first color emission layer pattern 313a, 2 photoresist film 315 is applied. At this time, the second photoresist layer 315 is a photo resist having a negative characteristic in which light is irradiated. Meanwhile, the second photoresist layer 314 may be a photoresist having a positive characteristic in which a portion irradiated with light is removed.

이어서, 도 8h에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제2 감광막(315)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제2 감광막(315)을 선택적으로 패터닝하여 제2 서브 픽셀영역(SP2)의 제2 애노드전극(303a)을 노출시키는 제2 개구부(316)를 구비한 제2 감광막패턴(315a)을 형성한다. 이때, 상기 제2 감광막패턴(315a)은 상기 제2 애노드전극(303b) 상부에 대응하여 위치하며, 제2 서브 픽셀영역(SP1)에 형성된다. 또한, 상기 제2 감광막패턴(315a)은 네거티브 특성을 지니고 있기 때문에 광이 조사된 제1 감광막 부분으로 구성된다. 8H, light is irradiated onto the second photoresist layer 315 by a photolithography process, and then the second photoresist layer 315 is selectively patterned through a development process to form a second sub- A second photoresist pattern 315a having a second opening 316 exposing the second anode electrode 303a of the second photoresist pattern SP2 is formed. At this time, the second photoresist pattern 315a is formed on the second sub-pixel region SP1, and is positioned corresponding to the upper portion of the second anode 303b. Further, the second photoresist pattern 315a has a negative characteristic, and therefore, it is composed of the first photoresist portion irradiated with light.

그 다음, 도 8i에 도시된 바와 같이, 노출된 상기 제2 에노드전극(303b) 및 뱅크막(305)을 포함한 제2 감광막패턴(315a) 상부에 제2 정공 주입층(317)과 제2 정공 수송층(319)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제2 정공주입층(317)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제2 정공수송층(319)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제2 애노드 전극(303a)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제 2 칼라 발광층(321)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.Next, as shown in FIG. 8I, a second hole injection layer 317 and a second hole injection layer 317 are formed on the exposed second photoresist pattern 315a including the second electrode layer 303b and the bank layer 305, And the hole transport layer 319 are sequentially stacked. At this time, the second hole injection layer 317 controls the concentration of holes, and the second hole transport layer 319 controls the movement speed of the holes, so that the holes generated in the second anode electrode 303a Emitting layer 321 to be formed in the second color light-emitting layer 321.

또한, 상기 제2 정공 주입층(317) 및 제1 정공 수송층(319)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.As the second hole injection layer 317 and the first hole transport layer 319, a photoreactive organic material (single molecule or polymer) is used.

특히, 상기 제2 정공주입층(317)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 또한, 상기 제2 정공수송층(319)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the second hole injection layer 317 is formed by depositing Copper (II) Phthalocyanine, and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. The second hole transport layer 319 is formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD) and has a thickness of about 10 to 30 nm Lt; / RTI >

이후, 상기 제2 정공 수송층(319) 상부에 제2 칼라 발광층(321)을 형성한다. Then, a second color light emitting layer 321 is formed on the second hole transporting layer 319.

이어서, 도 8j에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 공정에 의해, 상기 제2 감광막패턴(315a)과, 이 제2 감광막패턴(315a) 상부에 형성된 상기 제2 정공 주입층(317), 제2 정공 수송층(319) 및 제2 칼라 발광층(321)을 제거함으로써, 상기 제2 서브 픽셀영역 (SP1)에 위치하는 상기 제2 애노드전극(303b) 상부에 제2 정공 주입층패턴(317a), 제2 정공 수송층패턴(319a) 및 제2 칼라 발광층패턴(321a)을 형성한다. 이때, 상기 제2 칼라 발광층패턴(321a)은 녹색(G) 발광층패턴으로 사용한다. Next, as shown in FIG. 8J, the second photoresist pattern 315a and the second hole injection layer 317 formed on the second photoresist pattern 315a are removed by a lift- The second hole transport layer 319 and the second color emission layer 321 are removed so that a second hole injection layer pattern 317a is formed on the second anode electrode 303b located in the second sub pixel area SP1, ), A second hole transporting layer pattern 319a, and a second color light emitting layer pattern 321a. At this time, the second color light emitting layer pattern 321a is used as a green (G) light emitting layer pattern.

그 다음, 도 8k에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2 칼라 발광층(313a, 321a)을 포함한 TFT 어레이기판)(301) 전면에, 제3 감광막(323)을 도포한다. 이때, 상기 제3 감광막(323)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다. 한편, 상기 제3 감광막(323)은 경우에 따라 광이 조사되는 부분이 제거되는 포지티브(positive) 특성을 가진 포토레지스트를 사용할 수도 있다. Next, as shown in FIG. 8K, a third photosensitive film 323 is coated on the entire surface of the TFT array substrate 301 including the first and second color light emitting layers 313a and 321a. At this time, the third photoresist layer 323 is a photo resist having a negative characteristic in which light is irradiated. On the other hand, the third photoresist layer 323 may be a photoresist having a positive characteristic in which a portion irradiated with light is removed.

이어서, 도 8l에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제3 감광막(323)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제3 감광막(323)을 선택적으로 패터닝하여 제3 서브 픽셀영역(SP3)의 제3 애노드전극(303b)을 노출시키는 제3 개구부(324)를 구비한 제3 감광막패턴(323a)을 형성한다. 이때, 상기 제3 감광막패턴(323a)은 상기 제3 애노드전극(303c) 상부에 대응하여 위치하며, 제3 서브 픽셀영역(SP3)에 형성된다. 또한, 상기 제3 감광막패턴(323a)은 네거티브 특성을 지니고 있기 때문에 광이 조사된 제1 감광막 부분으로 구성된다. Then, as shown in FIG. 8L, the third photoresist layer 323 is selectively irradiated with light by a photolithography process, and then the third photoresist layer 323 is selectively patterned through a development process to form a third sub- A third photoresist pattern 323a having a third opening 324 exposing the third anode electrode 303b of the second photoresist pattern SP3 is formed. At this time, the third photoresist pattern 323a is located on the third anode 303c and is formed in the third sub-pixel area SP3. In addition, since the third photoresist pattern 323a has a negative characteristic, the third photoresist pattern 323a is composed of the first photoresist portion irradiated with light.

그 다음, 도 8m에 도시된 바와 같이, 노출된 상기 제3 에노드전극(303c) 및 뱅크막(305)을 포함한 제3 감광막패턴(323a) 상부에 제3 정공 주입층(325)과 제3 정공 수송층(327)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제3 정공주입층(325)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제3 정공수송층(327)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제3 애노드 전극(303c)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제 3 칼라 발광층(329)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.Next, as shown in FIG. 8M, a third hole injection layer 325 and a third hole injection layer 323 are formed on the exposed third photoresist pattern 323a including the third node electrode 303c and the bank film 305, And the hole transporting layer 327 are sequentially stacked. At this time, the third hole transport layer 325 controls the hole concentration, and the third hole transport layer 327 controls the hole transport speed, so that the holes generated in the third anode 303c are transferred to the subsequent process Emitting layer 329 to be formed in the third color light-emitting layer 329.

또한, 상기 제3 정공 주입층(325) 및 제3 정공 수송층(325)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.As the third hole injection layer 325 and the third hole transport layer 325, a photoreactive organic material (single molecule or polymer) is used.

특히, 상기 제3 정공주입층(325)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 또한, 상기 제3 정공수송층(327)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the third hole injection layer 325 is formed by depositing Copper (II) Phthalocyanine, and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. The third hole transport layer 327 is formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD) and has a thickness of about 10 to 30 nm Lt; / RTI >

이후, 상기 제3 정공 수송층(327) 상부에 제3 칼라 발광층(329)을 형성한다. Then, a third color light emitting layer 329 is formed on the third hole transporting layer 327.

이어서, 도 8n에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 공정에 의해, 상기 제3 감광막패턴(323a)과, 이 제3 감광막패턴(323a) 상부에 형성된 상기 제3 정공 주입층(325), 제3 정공 수송층(327) 및 제3 칼라 발광층(329)을 제거함으로써, 상기 제3 서브 픽셀영역 (SP3)에 위치하는 상기 제3 애노드전극(303c) 상부에 제3 정공 주입층패턴(325a), 제3 정공 수송층패턴(327a) 및 제3 칼라 발광층패턴(329a)을 형성한다. 이때, 상기 제3 칼라 발광층패턴(329a)은 청색(B) 발광층패턴으로 사용한다. 8N, the third photoresist pattern 323a and the third hole injection layer 325 formed on the third photoresist pattern 323a are removed by a lift-off process. Then, as shown in FIG. The third hole transport layer 327 and the third color emission layer 329 are removed so that a third hole injection layer pattern 325a is formed on the third anode electrode 303c located in the third sub pixel region SP3 ), A third hole transporting layer pattern 327a and a third color light emitting layer pattern 329a. At this time, the third color light emitting layer pattern 329a is used as a blue (B) light emitting layer pattern.

한편, 본 발명의 다른 실시 예는, 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(311a, 319a, 327a)의 두께를 다르게 형성하는 경우에 대해 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 제1, 2, 3 정공주입층패턴(309a, 317a, 325a)의 두께를 다르게 형성하거나, 또는 이들 제1, 2, 3 정공주입층패턴(309a, 317a, 325a)의 두께는 물론 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(311a, 319a, 327a)의 두께를 다르게 형성할 수도 있다.In another embodiment of the present invention, the first, second, and third hole transporting layer patterns 311a, 319a, and 327a are formed to have different thicknesses. However, the first, The thicknesses of the first, second and third hole injection layer patterns 309a, 317a and 325a may be different from those of the first, second and third hole injection layer patterns 309a, 317a and 325a, 311a, 319a, and 327a may be formed to have different thicknesses.

그 다음, 도 8o에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층(313a, 321a, 329a)을 포함한 TFT 어레이기판(301)의 전면에 전자 수송층(331)과 전자 주입층(333)을 차례로 형성한다.8O, an electron transport layer 331 and an electron injection layer 333 are formed on the entire surface of the TFT array substrate 301 including the first, second and third color light emission layers 313a, 321a and 329a. Respectively.

이어서, 상기 전자 주입층(333) 상부에 투명 도전성 물질을 증착하여, 캐소드 전극(335)을 형성한다. 이때, 상기 투명 전도성 물질로는 인듐주석산화물 (Indium Tin Oxide; ITO), 주석산화물(Tin Oxide; TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide; IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO)과 같은 투명 도전막으로 구성할 수 있다.Next, a transparent conductive material is deposited on the electron injection layer 333 to form a cathode electrode 335. As the transparent conductive material, indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO) ). ≪ / RTI >

상기에서와 같이, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 발광층인 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(313a, 321a, 329a)의 파장에 맞게 그 하부 영역의 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(311a, 319a, 327a)의 각 두께(t1, t2, t3), 즉 t1> t2> t3와 같이 다르게 하여, 발광하는 파장의 광학 길이(OL1, OL2, OL3)를 조정함으로써 발광하는 파장의 색 순도와 광 효율을 증가시킬 수 있다.As described above, in order to match the wavelengths of the first, second and third color light emitting layer patterns 313a, 321a and 329a which are the red (R), green (G) and blue The optical lengths OL1, OL2 and OL3 of the light emitting wavelength are adjusted by changing the thicknesses t1, t2 and t3 of the three hole transporting layer patterns 311a, 319a and 327a, that is, t1> t2> t3 It is possible to increase the color purity and light efficiency of the emitted light.

이러한 탑 에미팅 방식의 소자에서 빛이 나오는 경로는 크게 보았을 때 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(313a, 321a, 329a)으로부터 캐소드 전극(335)을 통해 직접 나오는 것과, 제1, 2, 3 애노드 전극(303a, 303b, 303c)을 통해 반사되어 반투명전극인 캐소드 전극(335)을 통해 다시 나오는 것이 있다.In the device of the top-emitter type, the path for emitting light is seen from the first, second and third color light emitting layer patterns 313a, 321a and 329a directly through the cathode electrode 335, Is reflected through the anode electrodes 303a, 303b, and 303c, and is emitted again through the cathode electrode 335 which is a translucent electrode.

상기에서 설명한 바와 같이, 상기 탑 에미팅 방식의 유기발광소자의 경우, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 제1, 2, 3 칼라발광층패턴(313a, 321a, 329a) 하부의 정공 수송층패턴(311a, 319a, 327a)의 두께(t1, t2, t3)를 각 파장에 맞게 다르게 형성함으로써, 반사되어 방출되는 광패스 길이(Optical path length)를 각 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3) 별로 다르게 하여 마이크로 캐비티(microcavity) 효과를 구현할 수 있게 된다.As described above, in the case of the organic EL device of the top-emitting type, the hole transporting layer pattern (the first, second and third color light emitting layer patterns 313a, 321a and 329a) The optical path lengths reflected and emitted may be different for each of the sub-pixel regions SP1, SP2, and SP3 by forming the thicknesses t1, t2, and t3 of the respective sub-pixels 311a, 319a, So that a microcavity effect can be realized.

또한, 본 발명에 따른 유기발광소자 및 그 제조방법은 포토리소그라피 패터닝 기술을 이용하여 유기발광층 뿐만 아니라 정공주입층 또는 정공주입층 및 정공 수송층을 동시에 패터닝이 가능하기 때문에 고해상도의 탑 마이크로캐비티 유기발광소자(microcavity OLED) 소자 구현이 가능하다.In addition, since the organic light emitting device and the method of manufacturing the same according to the present invention can simultaneously pattern the hole injection layer, the hole injection layer, and the hole transport layer as well as the organic light emitting layer using the photolithography patterning technology, (microcavity OLED) devices are possible.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments.

따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Accordingly, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also within the scope of the present invention.

101: TFT 어레이기판 103a, 103b, 103c: 애노드전극
105: 뱅크막 107a, 115a, 123a: 제1, 2, 3 정공주입층패턴
109a, 117a, 125a: 정공수송층패턴
111a, 119a, 127a: 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴
129: 전자수송층 131: 전자주입층
133: 캐소드전극 101: TFT array substrate 103a, 103b, 103c:
105: bank films 107a, 115a, 123a: first, second, and third hole injection layer patterns
109a, 117a, and 125a: a hole transporting layer pattern
111a, 119a, and 127a: first, second, and third color light emitting layer patterns
129: electron transport layer 131: electron injection layer
133: cathode electrode

Claims (18)

제1, 2, 3 서브 픽셀영역을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 형성된 TFT 어레이기판;
상기 TFT 어레이기판의 제1, 2, 3 픽셀 영역에 각각 형성된 제1, 2, 3 애노드전극;
상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 대응되는 상기 제1, 2, 3 애노드전극 상부에 제1, 2, 3 칼라 발광층을 구비하며, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층 각각의 하부의 제1, 2, 3 정공주입층과 제1, 2, 3 정공수송층 중 적어도 한 층은 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에서 서로 다른 두께를 갖도록 형성된 제1, 2, 3 유기물층; 및
상기 제1, 2, 3 유기물층 상에 형성된 캐소드전극;을 포함하며,
상기 제1 칼라 발광층 하부의 제1 정공수송층의 두께는 상기 제2 칼라 발광층 하부의 제2 정공수송층의 두께보다 두껍고, 상기 제2 칼라 발광층 하부의 제2 정공수송층의 두께는 상기 제3 칼라 발광층의 제3 정공수송층의 두께보다 두꺼우며,
상기 제1, 2, 3 정공주입층과 제1, 2, 3 정공수송층은 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층과 동일한 형태로 각각 함께 패터닝된 유기발광소자.A TFT array substrate in which a pixel region for driving the first, second, and third sub-pixel regions in one unit is defined, and a TFT is formed for each pixel region;
First, second and third anode electrodes respectively formed in first, second and third pixel regions of the TFT array substrate;
A first, a second, and a third color emission layers are formed on the first, second, and third anode electrodes corresponding to the first, second, and third sub-pixel regions, First, second and third organic compound layers formed so that at least one of the first, second, and third hole injection layers and the first, second, and third hole transporting layers have different thicknesses in the first, second, and third sub-pixel regions; And
And a cathode electrode formed on the first, second, and third organic layers,
The thickness of the first hole transport layer below the first color light emitting layer is greater than the thickness of the second hole transport layer below the second color light emitting layer and the thickness of the second hole transport layer below the second color light emitting layer is larger than the thickness of the third color light emitting layer Is thicker than the thickness of the third hole transporting layer,
The first, second, and third hole injection layers and the first, second, and third hole transporting layers are patterned together in the same manner as the first, second, and third color light emitting layers. 삭제delete 제1 항에 있어서, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층은 적색(R), 녹색(G), 청색(G) 발광층인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The organic light emitting device according to claim 1, wherein the first, second, and third color light emitting layers are red (R), green (G), and blue (G) light emitting layers. 제1 항에 있어서, 상기 제1, 2, 3 애노드전극들의 일 영역이 평탄하게 노출되도록 상기 TFT 어레이기판 상에 뱅크막이 더 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The organic light emitting diode according to claim 1, further comprising a bank layer formed on the TFT array substrate so that one region of the first, second, and third anode electrodes is exposed in a flat manner. 제1 항에 있어서, 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에서의 제1, 2, 3 유기물층 간 광학 길이(OL1, OL2, OL3)은 제1 유기물층의 광학 길이(OL1) > 제2 유기물층의 광학 길이(OL2) > 제3 유기물층의 광학 길이(OL3)인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The organic EL device according to claim 1, wherein the optical lengths OL1, OL2 and OL3 between the first, second and third organic compound layers in the first, second and third sub- (OL2) > an optical length (OL3) of the third organic compound layer. TFT 어레이 기판에 정의된 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 각각 제1, 2, 3 애노드전극을 형성하는 단계;
상기 TFT 어레이기판의 제1 서브 픽셀영역에 제1 정공주입층과 제1 정공수송층과 제1 칼라 발광층을 형성하는 단계;
상기 TFT 어레이기판의 제2 서브 픽셀영역에 상기 제1 정공주입층과 제1 정공수송층 중 적어도 하나의 층과 서로 다른 두께를 갖는 제2 정공주입층과 제2 정공수송층 및 제2 칼라 발광층을 형성하는 단계;
상기 TFT 어레이기판의 제3 서브 픽셀영역에 상기 제1 정공주입층 및 제2 정공수송층 중 적어도 하나의 층과, 상기 제2 정공주입층 및 제2 정공수송층 중 적어도 하나의 층과 서로 다른 두께를 갖는 제3 정공주입층과 제3 정공수송층 및 제3 칼라 발광층을 형성하는 단계;
상기 제1, 2, 3 칼라발광층을 포함한 상기 TFT 어레이 기판상에 전자수송층과 전자주입층을 적층시키는 단계; 및
상기 전자주입층 상에 캐소드전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 제1 칼라 발광층 하부의 제1 정공수송층의 두께는 상기 제2 칼라 발광층 하부의 제2 정공수송층의 두께보다 두껍고, 상기 제2 칼라 발광층 하부의 제2 정공수송층의 두께는 상기 제3 칼라 발광층의 제3 정공수송층의 두께보다 두꺼우며,
상기 제1, 2, 3 정공주입층과 제1, 2, 3 정공수송층은 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층과 동일한 형태로 각각 함께 패터닝된 유기발광소자 제조방법.Forming first, second, and third anode electrodes in the first, second, and third sub-pixel regions, respectively, defined in the TFT array substrate;
Forming a first hole injection layer, a first hole transport layer, and a first color emission layer in a first sub-pixel region of the TFT array substrate;
A second hole injection layer, a second hole transport layer and a second color emission layer having different thicknesses from the first hole injection layer and the first hole transport layer are formed in the second sub-pixel region of the TFT array substrate ;
At least one layer of the first hole injection layer and the second hole transport layer and at least one layer of the second hole injection layer and the second hole transport layer are formed to have different thicknesses in the third sub pixel region of the TFT array substrate Forming a third hole injection layer, a third hole transport layer, and a third color emission layer;
Laminating an electron transport layer and an electron injection layer on the TFT array substrate including the first, second and third color light emitting layers; And
And forming a cathode electrode on the electron injection layer,
The thickness of the first hole transport layer below the first color light emitting layer is greater than the thickness of the second hole transport layer below the second color light emitting layer and the thickness of the second hole transport layer below the second color light emitting layer is larger than the thickness of the third color light emitting layer Is thicker than the thickness of the third hole transporting layer,
Wherein the first, second, and third hole injection layers and the first, second, and third hole transporting layers are patterned together in the same manner as the first, second, and third color light emitting layers. 삭제delete 제6 항에 있어서, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층은 적색(R), 녹색(G), 청색(G) 발광층인 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.7. The method of claim 6, wherein the first, second, and third color light emitting layers are red (R), green (G), and blue (G) light emitting layers. 제6 항에 있어서, 상기 제1, 2, 3 애노드전극들의 일 영역이 평탄하게 노출되도록 상기 TFT 어레이기판 상에 뱅크막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method of claim 6, further comprising forming a bank film on the TFT array substrate so that one region of the first, second, and third anode electrodes is exposed in a flat manner. 제6 항에 있어서, 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에서의 제1, 2, 3 유기물층 간 광학 길이(OL1, OL2, OL3)은 제1 유기물층의 광학 길이(OL1) > 제2 유기물층의 광학 길이(OL2) > 제3 유기물층의 광학 길이(OL3)인 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법. 7. The organic EL device according to claim 6, wherein the optical lengths (OL1, OL2, OL3) between the first, second and third organic compound layers in the first, second and third sub- Wherein the organic layer has an optical length (OL2) > an optical length (OL3) of a third organic layer. 제9 항에 있어서, 상기 제1 정공주입층과 제1 정공수송층과 제1 칼라 발광층을 형성하는 단계, 상기 제2 정공주입층과 제2 정공수송층과 제2 칼라 발광층을 형성하는 단계 및, 상기 제3 정공주입층과 제3 정공수송층과 제3 칼라 발광층을 형성하는 단계 중 적어도 한 단계는, 건식 식각(dry etch) 공정 또는 리프트오프(lift off) 공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method of claim 9, further comprising: forming the first hole injection layer, the first hole transport layer, and the first color emission layer; forming the second hole injection layer, the second hole transport layer, and the second color emission layer; Wherein at least one of the steps of forming the third hole injection layer, the third hole transporting layer and the third color light emitting layer is performed through a dry etch process or a lift off process. Gt; 제11 항에 있어서, 상기 제1 정공주입층과 제1 정공수송층과 제1 칼라 발광층을 형성하는 단계와 상기 제2 정공주입층과 제2 정공수송층과 제2 칼라 발광층을 형성하는 단계는 건식 식각(dry etch) 공정으로 이루어지며, 상기 제3 정공주입층과 제3 정공수송층과 제3 칼라 발광층을 형성하는 단계는 리프트오프(lift off) 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method of claim 11, wherein forming the first hole injection layer, the first hole transport layer, and the first color emission layer, and forming the second hole injection layer, the second hole transport layer, wherein the step of forming the third hole injection layer, the third hole transporting layer, and the third color emission layer comprises a lift off process. 제11 항에 있어서, 상기 제1 정공주입층과 제1 정공수송층과 제1 칼라 발광층을 형성하는 단계와, 상기 제2 정공주입층과 제2 정공수송층과 제2 칼라 발광층을 형성하는 단계 및, 상기 제3 정공주입층과 제3 정공수송층과 제3 칼라 발광층을 형성하는 단계는 건식 식각(dry etch) 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method of claim 11, further comprising: forming the first hole injection layer, the first hole transport layer, and the first color emission layer; forming the second hole injection layer, the second hole transport layer, and the second color emission layer; Wherein the step of forming the third hole injection layer, the third hole transport layer, and the third color emission layer comprises a dry etch process. 제11 항에 있어서, 상기 제1 정공주입층과 제1 정공수송층과 제1 칼라 발광층을 형성하는 단계와, 상기 제2 정공주입층과 제2 정공수송층과 제2 칼라 발광층을 형성하는 단계 및, 상기 제3 정공주입층과 제3 정공수송층과 제3 칼라 발광층을 형성하는 단계는 리프트오프(lift off) 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method of claim 11, further comprising: forming the first hole injection layer, the first hole transport layer, and the first color emission layer; forming the second hole injection layer, the second hole transport layer, and the second color emission layer; Wherein the step of forming the third hole injection layer, the third hole transport layer, and the third color emission layer comprises a lift off process. 제4항에 있어서, 상기 뱅크막 상에 배치된 제1 정공 수송층의 두께는 상기 뱅크막 상에 배치된 제2 정공 수송층의 두께보다 두껍고, 상기 뱅크막 상에 배치된 제2 정공 수송층의 두께는 상기 뱅크막 상에 배치된 제3 정공 수송층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 유기발광소자.5. The organic electroluminescence device according to claim 4, wherein a thickness of the first hole transporting layer disposed on the bank film is larger than a thickness of the second hole transporting layer disposed on the bank film, and a thickness of the second hole transporting layer disposed on the bank film is And the thickness of the third hole transporting layer disposed on the bank film is larger than the thickness of the third hole transporting layer disposed on the bank film. 제4항에 있어서, 상기 제3 정공 주입층, 제3 정공 수송층 및 제3 칼라 발광층은 상기 뱅크막 상의 제1 서브 픽셀영역과 제2 서브 픽셀영역 사이에 더 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.5. The organic electroluminescent device according to claim 4, wherein the third hole injection layer, the third hole transport layer, and the third color emission layer are further disposed between the first subpixel region and the second subpixel region on the bank film. device. 제11항에 있어서, 상기 뱅크막 상에 배치된 제1 정공 수송층의 두께는 상기 뱅크막 상에 배치된 제2 정공 수송층의 두께보다 두껍고, 상기 뱅크막 상에 배치된 제2 정공 수송층의 두께는 상기 뱅크막 상에 배치된 제3 정공 수송층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조 방법.The organic electroluminescence device according to claim 11, wherein a thickness of the first hole transporting layer disposed on the bank film is thicker than a thickness of the second hole transporting layer disposed on the bank film, and a thickness of the second hole transporting layer disposed on the bank film is Wherein the thickness of the third hole transporting layer is larger than the thickness of the third hole transporting layer disposed on the bank film. 제11항에 있어서, 상기 제3 정공 주입층, 제3 정공 수송층 및 제3 칼라 발광층은 상기 뱅크막 상의 제1 서브 픽셀영역과 제2 서브 픽셀영역 사이에 더 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조 방법.12. The organic electroluminescent device according to claim 11, wherein the third hole injection layer, the third hole transport layer, and the third color emission layer are further disposed between the first subpixel region and the second subpixel region on the bank film. Lt; / RTI >
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024091803A1 (en) * 2022-10-26 2024-05-02 Applied Materials, Inc. Pixel defining encapsulating barrier for rgb color patterning

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI640041B (en) * 2014-03-28 2018-11-01 比利時商愛美科公司 Methods for high-resolution patterning of multiple layers side by side
CN110459677B (en) * 2014-08-01 2022-11-22 正交公司 Photolithographic patterning of organic electronic devices
JP6653316B2 (en) * 2014-08-01 2020-02-26 オーソゴナル，インコーポレイテッド Pattern formation of organic EL device by photolithography
KR102490889B1 (en) * 2016-02-29 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 Organic light-emitting apparatus and the method for manufacturing of the organic light-emitting display apparatus
KR102421576B1 (en) * 2017-03-10 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 Organic light-emitting apparatus and the method for manufacturing of the organic light-emitting display apparatus
KR102606282B1 (en) 2017-06-19 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 Display device
US20220020830A1 (en) * 2018-11-19 2022-01-20 Dinguo Chen Patterning of Organic Light Emitting Diode Device and the OLED Displays Manufactured Therefrom
KR102652963B1 (en) 2018-12-04 2024-03-28 엘지디스플레이 주식회사 Electroluminescent Display Device
WO2022153118A1 (en) * 2021-01-14 2022-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 Manufacturing method for display device
WO2022189890A1 (en) * 2021-03-11 2022-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Method for producing display device
JPWO2022229780A1 (en) * 2021-04-30 2022-11-03

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010478A (en) * 2008-06-27 2010-01-14 Fujifilm Corp Photoelectric conversion device, method of manufacturing the same, and image pick-up device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080061673A (en) * 2006-12-28 2008-07-03 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting device and method for fabricating the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010478A (en) * 2008-06-27 2010-01-14 Fujifilm Corp Photoelectric conversion device, method of manufacturing the same, and image pick-up device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024091803A1 (en) * 2022-10-26 2024-05-02 Applied Materials, Inc. Pixel defining encapsulating barrier for rgb color patterning

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