KR20140020674A - Organic light emitting diode and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an organic light emitting diode and a method for fabricating the same, comprising a TFT array substrate where a pixel region for driving first to third sub pixel areas as one unit is defined, and a TFT is formed at each pixel region; a first anode electrode, a second anode electrode, and a third anode electrode respectively formed at the first to third pixel regions of the TFT array substrate; a first organic layer, a second organic layer, and a third organic layer having first to third color light emitting layers at the upper part of the first to third anode electrodes corresponding to the first to third sub pixel regions and having at least one layer among the hole injecting layer and hole transferring layer of the lower part of the first to third color light emitting layers which each have a different thickness to the first to third sub pixel regions; and a cathode electrode formed on the first to third organic layers.

Description

유기발광소자 및 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}Organic light emitting device and its manufacturing method {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 유기발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 칼라층 별로 소자의 두께를 다르게 하여 마이크로 캐비티(microcavity) 소자 구현이 가능한 유기발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, to an organic light emitting device capable of realizing a microcavity device by changing the thickness of the device for each color layer, and a method of manufacturing the same.

현재 텔레비젼이나 모니터와 같은 디스플레이 장치에는 음극선관(cathode ray tube; CRT)이 주된 장치로 이용되고 있으나, 이는 무게와 부피가 크고 구동전압이 높은 문제가 있다.Currently, a cathode ray tube (CRT) is used as a main device in a display device such as a television or a monitor, but this has a problem of high weight and volume and high driving voltage.

이에 따라, 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시장치(flat panel display; FPD)의 필요성이 대두되었으며, 액정표시장치 (liquid crystal display; LCD)와 플라즈마 표시장치(plasma display panel; PDP), 전계방출장치(field emission display; FED), 그리고 전기 발광 표시장치(electro luminescence display; OELD 또는 유기 ELD)와 같은 다양한 평판 표시장치가 연구 및 개발되고 있다.Accordingly, there is a need for a flat panel display (FPD) having excellent characteristics such as thinness, light weight, and low power consumption, and a liquid crystal display (LCD) and a plasma display panel (plasma display panel) have emerged. Various flat panel displays such as PDPs, field emission displays (FEDs), and electro luminescence displays (OELDs or organic ELDs) are being researched and developed.

이들 중에서, 플라즈마 표시장치(PDP)는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 경박 단소하면서도 대화면화에 가장 유리한 표시장치로 주목받고 있지만, 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다.Among them, the plasma display device (PDP) is attracting attention as a display device that is light and light and is most advantageous for large screens because of its simple structure and manufacturing process. However, the plasma display device (PDP) has low light emission efficiency, low luminance, and high power consumption.

이에 비해, 스위칭 소자로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 "TFT"라 함)가 적용된 액티브 매트릭스 LCD는 반도체 공정을 이용하기 때문에 대화면에 어렵고 백라이트 유닛으로 인하여 소비전력이 큰 단점이 있고, 편광 필터, 프리즘시트, 확산판 등의 광학소자들에 의해 광손실이 많고 시야각이 좁은 특성이 있다.In contrast, an active matrix LCD having a thin film transistor (“TFT”) applied as a switching element has a disadvantage in that it is difficult on a large screen because of a semiconductor process and consumes large power due to a backlight unit. Optical elements such as prism sheet and diffuser plate have high optical loss and narrow viewing angle.

그러나, 전기발광소자(Electro luminescence device; 이하 "EL"이라 함)는 발광층의 재료에 따라 무기전계발광소자와 유기전계발광소자로 대별되며, 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.However, electroluminescent devices (hereinafter referred to as "EL") are classified into inorganic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices depending on the material of the light emitting layer, and are self-light emitting devices that emit light by themselves. The brightness and viewing angle are great.

무기전계발광소자는 유기전계발광소자에 비해 전력 소모가 크고 고휘도를 얻을 수 없으며, R, G, B의 다양한 색을 발광시킬 수 없다.The inorganic electroluminescent device has a higher power consumption than the organic electroluminescent device and cannot obtain high luminance, and cannot emit various colors of R, G, and B.

반면에, 유기전계발광소자는 수십 볼트의 낮은 직류 전압에서 구동됨과 아울러, 빠른 응답 속도를 가지며 고휘도를 얻을 수 있으며, R, G, B의 다양한 색을 발광시킬 수 있어 차세대 평판 디스플레이 소자에 적합하다.On the other hand, the organic light emitting diode is driven at a low DC voltage of several tens of volts, has a fast response speed and high brightness, and can emit various colors of R, G, and B, which is suitable for next-generation flat panel display devices. .

도 1은 일반적인 유기전계발광소자(EL)의 EL층을 나타내는 단면도이고, 도 2는 EL소자의 발광원리를 설명하기 위한 다이어 그램이다.1 is a cross-sectional view showing an EL layer of a general organic EL device, and FIG. 2 is a diagram for explaining the light emission principle of the EL device.

도 1을 참조하면, 유기전계발광(EL) 소자는 제1 전극(또는 애노드전극)(4)과, 제2 전극(또는 캐소드전극)(12) 사이에 형성된 유기발광층(10)을 포함하고, 상기 유기발광층(10)에는 전자주입층(10a), 전자수송층(10b), 발광층(10c), 정공수송층(10d), 정공주입층(10e)이 구비되어 있다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting (EL) device includes an organic light emitting layer 10 formed between a first electrode (or anode electrode) 4 and a second electrode (or cathode electrode) 12. The organic light emitting layer 10 is provided with an electron injection layer 10a, an electron transport layer 10b, a light emitting layer 10c, a hole transport layer 10d, and a hole injection layer 10e.

여기서, 상기 유기전계 발광소자의 제1 전극(4)과 제2 전극(12) 사이에 전압이 인가되면, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제2 전극(12)으로부터 발생된 전자는 전자 주입층(10a) 및 전자 수송층(10b)을 통해 발광층(10c) 쪽으로 이동된다.Here, when a voltage is applied between the first electrode 4 and the second electrode 12 of the organic light emitting diode, as shown in FIG. 2, electrons generated from the second electrode 12 are electron injected. It is moved toward the light emitting layer 10c through the layer 10a and the electron transport layer 10b.

또한, 상기 제1 전극(4)으로부터 발생된 정공은 상기 정공 주입층(10e) 및 정공 수송층(10d)을 통해 발광층(10c) 쪽으로 이동한다.In addition, holes generated from the first electrode 4 move toward the emission layer 10c through the hole injection layer 10e and the hole transport layer 10d.

이에 따라, 발광층(10c)에서는 전자 수송층(10b)과 정공 수송층(10d)으로부터 공급된 전자와 정공이 충돌하여 재결합함으로써 빛이 발생하고 되고, 이 빛은 제1 전극(4)을 통해 외부로 방출되어 화상이 표시되게 된다.Accordingly, in the light emitting layer 10c, light is generated by collision and recombination of electrons and holes supplied from the electron transport layer 10b and the hole transport layer 10d, and the light is emitted to the outside through the first electrode 4. The image is displayed.

이때, 상기 정공 주입층(10e)은 정공의 농도를 조절하고, 정공 수송층(10d)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 제1 전극(4)에서 발생된 정공이 용이하게 발광층(10c)에 주입되게 하는 역할을 한다.In this case, the hole injection layer 10e controls the concentration of holes, and the hole transport layer 10d controls the movement speed of the holes so that holes generated in the first electrode 4 can be easily injected into the light emitting layer 10c. It plays a role.

또한, 전자주입층(10a) 및 전자수송층(10b)은 전자의 농도 및 속도를 조절함으로써 제2 전극(12)에서 발생된 전자가 용이하게 발광층(10c)에 주입되는 역할을 한다.In addition, the electron injection layer 10a and the electron transport layer 10b serve to easily inject electrons generated from the second electrode 12 into the light emitting layer 10c by adjusting the concentration and speed of the electrons.

이러한 관점에서, 종래기술에 따른 유기발광소자(OLED) 구조에 대해 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.In this regard, the organic light emitting diode (OLED) structure according to the prior art will be described with reference to FIG. 3.

도 3은 종래기술에 따른 탑 발광(Top Emitting) 방식의 유기발광소자의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of an organic light emitting device having a top emitting method according to the prior art.

종래기술에 따른 탑 발광 방식의 유기발광소자는, 도 3에 도시된 바와 같이, 3개의 서브 픽셀영역인 제1, 2, 3 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3)을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 구성된 TFT 어레이기판(51)과; 상기 TFT 어레이기판(51) 상의 제1, 2, 3 픽셀 영역에 각각 구성된 제1, 2, 3 애노드전극(53a, 53b, 53c)과; 상기 제1, 2, 3 애노드전극(53a, 53b, 53c)들의 일 영역이 평탄하게 노출되도록 전면에 구성된 뱅크막(55)과; 상기 노출된 제1, 2, 3 애노드전극(53a, 53b, 53c)을 포함한 뱅크막(55) 전면에 구성되며, 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 적층된 정공주입층(57) 및 정공수송층(59)과; 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역의 상기 정공수송층(59) 상부에 각각 형성된 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴 (63a, 67a, 71a)과; 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(63a, 67a, 71a)을 포함한 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀 영역 전면에 적층된 전자수송층(73)과 전자주입층(75) 및 상기 전자주입층(75) 상부에 형성된 캐소드전극(77)으로 구성된다.In the top emission type organic light emitting diode according to the related art, as shown in FIG. 3, pixels driving the first, second, and third subpixel regions SP1, SP2, and SP3, which are three subpixel regions, are used as a unit. A TFT array substrate 51 in which regions are defined and TFTs are formed for each pixel region; First, second and third anode electrodes 53a, 53b and 53c respectively formed in the first, second and third pixel areas on the TFT array substrate 51; A bank film 55 formed on an entire surface of the first, second, and third anode electrodes 53a, 53b, and 53c so as to expose one region of the first and second anode electrodes 53a, 53b, and 53c flatly; A hole injection layer 57 formed on an entire surface of the bank layer 55 including the exposed first, second, and third anode electrodes 53a, 53b, and 53c, and stacked on the first, second, and third subpixel regions; A hole transport layer 59; First, second, and third color light emitting layer patterns 63a, 67a, and 71a formed on the hole transport layer 59 in the first, second, and third subpixel regions, respectively; The electron transport layer 73, the electron injection layer 75, and the electron injection layer stacked on the entire first, second, and third subpixel regions including the first, second, and third color light emitting layer patterns 63a, 67a, and 71a. It consists of a cathode electrode 77 formed on the upper portion (75).

상기 유기발광소자는 탑 에미팅(Top Emitting) 방식의 액티브 매트릭스 유기발광소자로써, 상기 제1 애노드 전극(53a, 53b, 53c)는 반사 금속으로 형성하고, 캐소드 전극(133)은 투명 전도성 물질로 구성한다. The organic light emitting diode is a top emitting active matrix organic light emitting diode, and the first anodes 53a, 53b, and 53c are formed of a reflective metal, and the cathode electrode 133 is made of a transparent conductive material. Configure.

상기 정공주입층(57) 및 정공수송층패턴(59)과, 상기 제 1, 2, 3 칼라 발광층패턴(63a, 67a, 71a) 및, 전자수송층(73)과 전자주입층(75)은 유기물층을 이룬다.The hole injection layer 57 and the hole transport layer pattern 59, the first, second and third color light emitting layer patterns 63a, 67a and 71a, and the electron transport layer 73 and the electron injection layer 75 may form an organic material layer. Achieve.

상기 제 1, 2, 3 칼라 발광층패턴(63a, 67a, 71a)은 각각 R(적색), G(녹색), B(청색) 칼라 발광층을 의미한다.The first, second, and third color light emitting layer patterns 63a, 67a, and 71a mean R (red), G (green), and B (blue) color light emitting layers, respectively.

상기 제 1, 2, 3 칼라 발광층패턴(63a, 67a, 71a) 하부에 형성된 정공 주입층(57)의 두께는 동일하며, 정공 수송층(59)의 두께 또한 일정하다.The thickness of the hole injection layer 57 formed under the first, second, and third color light emitting layer patterns 63a, 67a, and 71a is the same, and the thickness of the hole transport layer 59 is also constant.

이에 따라, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3)의 제1, 2, 3 애노드 전극(53a, 53b, 53c)에서 캐소드 전극(77) 까지의 거리인 광학 길이(optical length)를 OL1, OL2, OL3이라고 하는 경우, OL1 = OL2 = OL3 이다.Accordingly, an optical length that is a distance from the first, second, and third anode electrodes 53a, 53b, 53c to the cathode electrode 77 in the first, second, and third subpixel regions SP1, SP2, SP3. ) OL1, OL2, OL3, OL1 = OL2 = OL3.

상기 구성으로 이루어지는 종래기술에 따른 유기발광소자 제조방법에 대해 도 4a 내지 4m을 참조하여 설명하면 다음과 같다.The organic light emitting device manufacturing method according to the related art having the above configuration will be described below with reference to FIGS. 4A to 4M.

도 4a 내지 4m은 종래기술에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.4A to 4M are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode according to the prior art.

먼저, 도면에는 도시히지 않았지만, 3개의 서브 픽셀영역인 제1, 2, 3 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3)을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 구성된 TFT 어레이기판(51)을 준비한다. 이때, 상기 각 픽셀 영역의 TFT는 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극을 구비하고 있으며, 상기 TFT의 소스전극과 드레인전극이 노출되도록 비아홀이 형성된 평탄화막(미도시)이 상기 TFT 어레이기판(101) 상에 형성되어 있다.First, although not shown in the drawing, a pixel region for driving three subpixel regions, namely, the first, second, and third subpixel regions SP1, SP2, and SP3, as a unit is defined, and a TFT is configured for each pixel region. The array substrate 51 is prepared. In this case, the TFT of each pixel region includes a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and a flattening film (not shown) having a via hole formed to expose the source electrode and the drain electrode of the TFT includes the TFT array substrate 101. It is formed on the phase.

그 다음, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 비아홀(미도시)에 의해 노출된 TFT의 드레인전극에 콘택되도록, 상기 TFT 어레이기판(51) 전면에 반사금속층(미도시)을 증착하고, 포토리소그래피 공정을 통해 상기 반사금속층을 선택적으로 식각하여, 도 4a에 도시된 바와 같이, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 각각 제1, 2, 3 애노드전극(53a, 53b, 53c)을 형성한다. Next, although not shown in the figure, a reflective metal layer (not shown) is deposited on the entire surface of the TFT array substrate 51 so as to contact the drain electrode of the TFT exposed by the via hole (not shown), and a photolithography process is performed. The reflective metal layer is selectively etched through to form first, second, and third anode electrodes 53a, 53b, and 53c in the first, second, and third subpixel regions, respectively, as illustrated in FIG. 4A.

이어서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(53a, 53b, 53c)을 포함한 TFT 어레이기판(51) 상에 절연막을 증착한 후, 포토리소그라피 (photolithography) 공정으로 상기 절연막(미도시)을 선택적으로 패터닝하여, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(53a, 53b, 53c)을 평탄하게 드러나도록 뱅크막(55)을 형성한다. Subsequently, as illustrated in FIG. 4B, an insulating film is deposited on the TFT array substrate 51 including the first, second, and third anode electrodes 53a, 53b, and 53c, and then, the photolithography process is performed. By selectively patterning an insulating film (not shown), the bank film 55 is formed so as to expose the first, second, and third anode electrodes 53a, 53b, and 53c evenly.

그 다음, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(53a, 53b, 53c)을 포함한 뱅크막(55) 전면에 정공 주입층(57)과 정공 수송층(59)을 차례로 적층한다. Next, the hole injection layer 57 and the hole transport layer 59 are sequentially stacked on the entire bank film 55 including the first, second, and third anode electrodes 53a, 53b, and 53c.

이어서, 상기 정공수송층(59) 전면에 제1 감광막(61)을 도포한다. 이때, 상기 제1 감광막(61)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트(photo resist)이다.Subsequently, a first photosensitive layer 61 is coated on the entire surface of the hole transport layer 59. In this case, the first photoresist layer 61 is a photoresist having a negative characteristic in which a portion to which light is irradiated remains.

그 다음, 도 4c에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제1 감광막(61)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제1 감광막(61)을 선택적으로 패터닝하여 제1 서브 픽셀영역(SP1)을 한정하는 제1 개구부(62)를 구비한 제1 감광막패턴(61a)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 4C, after irradiating light to the first photoresist layer 61 by a photolithography process, the first photoresist layer 61 is selectively patterned through a developing process to form a first subpixel region. A first photosensitive film pattern 61a having a first opening 62 defining SP1 is formed.

이어서, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 제1 감광막패턴(61a)을 포함한 제1 서브 픽셀영역의 TFT 어레이기판(51) 전면에 제1 칼라 발광층(63)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 4D, a first color light emitting layer 63 is formed on the entire TFT array substrate 51 in the first sub pixel region including the first photoresist pattern 61a.

그 다음,도 4e에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 공정에 의해 상기 제1 감광막패턴(61a)과, 상기 제1 감광막패턴(61a) 상부에 형성된 제1 칼라 발광층(63) 부분을 제거하여, 상기 제1 서브 픽셀영역(SP1)에 제1 칼라 발광층패턴 (63a)을 형성한다. 이때, 상기 제1 칼라 발광층패턴(63a)은 적색(R) 발광층패턴으로 사용한다.Next, as shown in FIG. 4E, a portion of the first color light emitting layer 63 formed on the first photoresist layer pattern 61a and the first photoresist layer pattern 61a is lifted off by a lift off process. The first color emission layer pattern 63a is formed in the first sub pixel area SP1. In this case, the first color light emitting layer pattern 63a is used as a red (R) light emitting layer pattern.

이어서, 도 4f에 도시된 바와 같이, 상기 제1 칼라 발광층패턴(63a)을 포함한 정공수송층(59) 전면에 제2 감광막(65)을 도포한다. 이때, 상기 제2 감광막(65)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다.Subsequently, as illustrated in FIG. 4F, a second photosensitive film 65 is coated on the entire surface of the hole transport layer 59 including the first color light emitting layer pattern 63a. In this case, the second photoresist layer 65 is a photoresist having a negative characteristic in which a portion to which light is irradiated remains.

그 다음, 도 4g에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제2 감광막(65)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제2 감광막(65)을 선택적으로 패터닝하여 제2 서브 픽셀영역(SP2)을 한정하는 제2 개구부(66)를 구비한 제2 감광막패턴(65a)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 4G, after irradiating light to the second photoresist film 65 by a photolithography process, the second photoresist film 65 is selectively patterned through a developing process to form a second sub-pixel region. A second photosensitive film pattern 65a having a second opening 66 defining SP2 is formed.

이어서, 도 4h에 도시된 바와 같이, 상기 제2 감광막패턴(65a)을 포함한 제2 서브 픽셀영역(SP2)의 TFT 어레이기판(51) 전면에 제2 칼라 발광층(67)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 4H, a second color light emitting layer 67 is formed on the entire TFT array substrate 51 in the second sub pixel area SP2 including the second photoresist pattern 65a.

그 다음,도 4i에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 공정에 의해 상기 제2 감광막패턴(65a)과, 상기 제2 감광막패턴(65a) 상부에 형성된 제2 칼라 발광층(67) 부분을 제거하여, 상기 제2 서브 픽셀영역(SP2)에 제2 칼라 발광층패턴 (67a)을 형성한다. 이때, 상기 제2 칼라 발광층패턴(67a)은 녹색(G) 발광층패턴으로 사용한다.Next, as shown in FIG. 4I, a portion of the second color light emitting layer 67 formed on the second photoresist pattern 65a and the second photoresist pattern 65a is lifted off by a lift off process. The second color emission layer pattern 67a is formed in the second sub pixel area SP2. In this case, the second color light emitting layer pattern 67a is used as the green (G) light emitting layer pattern.

이어서, 도 4j에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2 칼라 발광층패턴(63a, 67a)을 포함한 정공수송층(59) 전면에 제3 감광막(69)을 도포한다. 이때, 상기 제3 감광막막(69)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다.Subsequently, as illustrated in FIG. 4J, a third photosensitive film 69 is coated on the entire surface of the hole transport layer 59 including the first and second color light emitting layer patterns 63a and 67a. In this case, the third photoresist film 69 is a photoresist having a negative characteristic in which a portion to which light is irradiated remains.

그 다음, 도 4k에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제3 감광막(69)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제3 감광막(69)을 선택적으로 패터닝하여 제3 서브 픽셀영역(SP3)을 한정하는 제3 개구부(70)를 구비한 제3 감광막패턴(69a)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4K, after irradiating light to the third photoresist film 69 by a photolithography process, the third photoresist 69 is selectively patterned through a developing process to form a third sub pixel region. A third photosensitive film pattern 69a having a third opening 70 defining SP3 is formed.

이어서, 도 4l에 도시된 바와 같이, 상기 제3 감광막패턴(69a)을 포함한 제3 서브 픽셀영역(SP3)의 TFT 어레이기판(51) 전면에 제3 칼라 발광층(71)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 4L, a third color light emitting layer 71 is formed on the entire TFT array substrate 51 in the third sub pixel region SP3 including the third photoresist pattern 69a.

그 다음,도 4m에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 공정에 의해 상기 제3 감광막패턴(59a)과, 상기 제3 감광막패턴(69a) 상부에 형성된 제3 칼라 발광층(71) 부분을 제거하여, 상기 제3 서브 픽셀영역(SP3)에 제3 칼라 발광층패턴 (71a)을 형성한다. 이때, 상기 제3 칼라 발광층패턴(71a)은 청색(B) 발광층패턴으로 사용한다.Next, as shown in FIG. 4M, a portion of the third color light emitting layer 71 formed on the third photoresist pattern 59a and the third photoresist pattern 69a is lifted off by a lift off process. The third color emission layer pattern 71a is formed in the third sub pixel area SP3. In this case, the third color light emitting layer pattern 71a is used as the blue (B) light emitting layer pattern.

이어서, 도 4n에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(63a, 67a, 71a)을 포함한 TFT 어레인기판 전면에 전자 수송층(73)과 전자 주입층(75)을 차례로 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 4N, the electron transport layer 73 and the electron injection layer 75 are sequentially formed on the entire TFT array substrate including the first, second, and third color light emitting layer patterns 63a, 67a, and 71a. do.

그 다음, 상기 전자 주입층(75) 상부에 투명 도전성 물질을 증착하여, 캐소드 전극(77)을 형성한다. Next, a transparent conductive material is deposited on the electron injection layer 75 to form the cathode electrode 77.

상기와 같은 공정 순으로 제조하는 종래기술에 따른 유기발광소자 제조방법에 따르면, 포토리소그라피 패터닝 기술을 이용하여 유기발광층만 패터닝하기 때문에, 마이크로캐비티(microcavity) 소자 구현이 불가능하다. According to the organic light emitting device manufacturing method according to the prior art to manufacture in the order as described above, because only the organic light emitting layer is patterned using the photolithography patterning technology, it is impossible to implement a microcavity (microcavity) device.

특히, 마이크로캐비티를 구현하기 위해서는 적색(R)/녹색(G)/청색(B)의 광학 길이(optical length; OL)를 적색(R)/녹색(G)/청색(B) 별로 최적화해야 하는데, 마이크로캐비티 OLED 소자의 경우에, 색상, 예를 들어 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 별로 최적화된 두께가 다르기 때문에, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 소자의 두께가 달라야 한다.In particular, to realize the microcavity, the optical length (OL) of red (R) / green (G) / blue (B) must be optimized by red (R) / green (G) / blue (B). In the case of the microcavity OLED device, since the optimized thickness is different for each color, for example, red (R), green (G), and blue (B), red (R), green (G), and blue (B) The thickness of the device must be different.

따라서, 마이크로캐비티를 구현하기 위해서는, 적색(R) 발광소자(정공주입층 /정공수송층/적색 발광층/전자수송층 /전자주입층)의 광학 길이(OL1) > 녹색(G) 발광소자(정공주입층/정공수송층/녹색 발광층/전자수송층 /전자주입층)의 광학 길이 (OL2) > 청색(B) 발광소자(정공주입층/정공수송층/청색 발광층/전자수송층 /전자주입층)의 광학 길이(OL3)이다.Therefore, in order to implement the microcavity, the optical length OL1 of the red (R) light emitting device (hole injection layer / hole transport layer / red light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer)> green (G) light emitting device (hole injection layer) Optical length (OL2) of the hole transport layer / green light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer)> Optical length of the blue (B) light emitting device (hole injection layer / hole transport layer / blue light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer) )to be.

그런데, 종래기술에 따른 유기발광소자의 경우, 상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 발광소자를 구성하는 정공주입층과 정공수송층 및 전자수송층과 전자주입층의 두께(t1)가 모두 동일하기 때문에, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 발광소자의 두께가 거의 동일하게 됨으로써, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 별로 최적화된 두께를 형성하기 어렵게 된다.However, in the organic light emitting device according to the prior art, the thickness (t1) of the hole injection layer, the hole transport layer and the electron transport layer and the electron injection layer constituting the red (R), green (G), blue (B) light emitting device Since are the same, the thicknesses of the red (R), green (G), and blue (B) light emitting elements are almost the same, thereby forming an optimized thickness for each of the red (R), green (G), and blue (B) colors. It becomes difficult to do it.

또한, 종래기술에 따른 유기발광소자 제조시에, 포토리소그라피 패터닝 기술을 이용하여 유기발광층만 패터닝하기 때문에, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 별로 최적화된 두께를 구성하는 것이 어렵게 되어, 결국 마이크로캐비티 소자 구현이 불가능하게 된다. In addition, since the organic light emitting layer is patterned using the photolithography patterning technique in manufacturing the organic light emitting device according to the prior art, it is difficult to construct an optimized thickness for each of red (R), green (G), and blue (B). As a result, it is impossible to implement a microcavity device.

본 발명의 종래기술의 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 칼라 유기발광층 별로 소자의 두께를 다르게 하여 고해상도의 마이크로 캐비티 (microcavity) 유기발광소자(OLED) 구현이 가능한 유기발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.In order to solve the problems of the prior art of the present invention, an object of the present invention is to provide an organic light emitting device capable of realizing a high-resolution microcavity organic light emitting device (OLED) by changing the thickness of the device for each color organic light emitting layer and its manufacture In providing a method.

또한, 본 발명의 목적은 포토리소그라피(photolithography) 패터닝 기술을 이용하여 유기발광층 뿐만 아니라 정공주입층 또는 정공주입층과 정공수송층을 함께 패터닝함으로써 고해상도의 탑 마이크로캐비티 OLED소자를 제조할 수 있는 유기발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다. In addition, an object of the present invention is an organic light emitting device capable of manufacturing a high-resolution top microcavity OLED device by patterning not only an organic light emitting layer but also a hole injection layer or a hole injection layer and a hole transport layer using a photolithography patterning technology And to provide a method for producing the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기발광소자는, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 형성된 TFT 어레이기판과; 상기 TFT 어레이기판의 제1, 2, 3 픽셀 영역에 각각 형성된 제1, 2, 3 애노드전극과; 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 대응되는 상기 제1, 2, 3 애노드전극 상부에 제1, 2, 3 칼라 발광층을 구비하며, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층 하부의 정공주입층과 정공수송층 중 적어도 한 층은 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에서 서로 다른 두께를 갖도록 형성된 제1, 2, 3 유기물층과; 상기 제1, 2, 3 유기물층 상에 형성된 캐소드전극;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode, comprising: a TFT array substrate in which pixel regions for driving first, second, and third subpixel regions are defined, and TFTs are formed in each pixel region; First, second and third anode electrodes respectively formed in the first, second and third pixel areas of the TFT array substrate; First, second and third color light emitting layers are disposed on the first, second and third anode electrodes corresponding to the first, second and third subpixel areas, and the hole injection layer is disposed below the first, second and third color light emitting layers. At least one layer of the hole transport layer includes: first, second and third organic material layers formed to have different thicknesses in the first, second and third subpixel regions; And a cathode electrode formed on the first, second and third organic material layers.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법은, TFT 어레이 기판에 정의된 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 각각 제1, 2, 3 애노드전극을 형성하는 단계와; 상기 TFT 어레이기판의 제1 서브 픽셀영역에 제1 정공주입층과 제1 정공수송층과 제1 칼라 발광층을 형성하는 단계와; 상기 TFT 어레이기판의 제2 서브 픽셀영역에 상기 제1 정공주입층과 제1 정공수송층 중 적어도 하나의 층과 서로 다른 두께를 갖는 제2 정공주입층과 제2 정공수송층 및 제2 칼라 발광층을 형성하는 단계와; 상기 TFT 어레이기판의 제3 서브 픽셀영역에 상기 제1 정공주입층 및 제2 정공수송층 중 적어도 하나의 층과, 상기 제2 정공주입층 및 제2 정공수송층 중 적어도 하나의 층과 서로 다른 두께를 갖는 제3 정공주입층과 제3 정공수송층 및 제3 칼라 발광층을 형성하는 단계와; 상기 제1, 2, 3 칼라발광층을 포함한 상기 TFT 어레이 기판상에 전자수송층과 전자주입층을 적층시키는 단계와; 상기 전자주입층 상에 캐소드전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting diode, including: forming first, second and third anode electrodes on first, second and third subpixel regions defined in a TFT array substrate; Forming a first hole injection layer, a first hole transport layer, and a first color light emitting layer in a first sub pixel area of the TFT array substrate; A second hole injection layer, a second hole transport layer, and a second color light emitting layer having different thicknesses from at least one of the first hole injection layer and the first hole transport layer are formed in a second sub pixel area of the TFT array substrate. Making a step; A thickness different from at least one layer of the first hole injection layer and the second hole transport layer and at least one layer of the second hole injection layer and the second hole transport layer may be formed in the third sub pixel area of the TFT array substrate. Forming a third hole injection layer, a third hole transport layer, and a third color light emitting layer; Stacking an electron transport layer and an electron injection layer on the TFT array substrate including the first, second, and third color light emitting layers; It characterized in that it comprises a step of forming a cathode electrode on the electron injection layer.

본 발명에 따른 유기발광소자 및 그 제조방법에 따르면 다음과 같은 효과들이 있다.According to the organic light emitting device and the method of manufacturing the same according to the present invention has the following effects.

본 발명에 따른 유기발광소자 및 그 제조방법에 따르면, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 발광층인 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴의 파장에 맞게 그 하부 영역의 제1, 2, 3 정공 수송층패턴들의 각 두께(t1, t2, t3)를 다르게 하여, 발광하는 파장의 광학 길이(OL1, OL2, OL3)를 조정함으로써 발광하는 파장의 색 순도와 광 효율을 증가시킬 수 있다.According to the organic light emitting device according to the present invention and a method of manufacturing the same, the first region of the lower region according to the wavelength of the first, second and third color light emitting layer patterns which are red (R), green (G) and blue (B) color light emitting layers By varying the thicknesses t1, t2, and t3 of the 2, 3 hole transport layer patterns, the color purity and the light efficiency of the emitted wavelength can be increased by adjusting the optical lengths OL1, OL2, and OL3 of the emitted wavelength. have.

따라서, 본 발명에 따른 탑 에미팅 방식의 유기발광소자의 경우, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 제1, 2, 3 칼라발광층패턴 하부의 제1, 2, 3 정공 수송층패턴의 각 두께(t1, t2, t3)를 각 파장에 맞게 다르게 형성함으로써, 반사되어 방출되는 광패스 길이(Optical path length)를 각 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3) 별로 다르게 하여 마이크로 캐비티(microcavity) 효과를 구현할 수 있게 된다.Therefore, in the organic light emitting device of the top emitting method according to the present invention, each thickness of the first, second and third hole transport layer patterns under the first, second and third color light emitting layer patterns in the first, second and third sub-pixel areas By forming (t1, t2, t3) differently for each wavelength, the microcavity effect is achieved by varying the optical path length reflected and emitted for each subpixel region SP1, SP2, SP3. It can be implemented.

또한, 본 발명에 따른 유기발광소자 및 그 제조방법은 포토리소그라피 패터닝 기술을 이용하여 유기발광층 뿐만 아니라 정공주입층 또는 정공주입층 및 정공 수송층을 동시에 패터닝이 가능하기 때문에 고해상도의 탑 마이크로캐비티 유기발광소자(Top Microcavity OLED) 소자 구현이 가능하다.In addition, the organic light emitting device according to the present invention and a method for manufacturing the same are capable of simultaneously patterning not only an organic light emitting layer but also a hole injection layer or a hole injection layer and a hole transporting layer using photolithography patterning technology, and thus, a high-resolution top microcavity organic light emitting device (Top Microcavity OLED) device can be implemented.

도 1은 일반적인 유기발광소자(EL)의 EL층을 나타내는 단면도이다.
도 2는 일반적인 유기발광소자(EL)의 발광원리를 설명하기 위한 다이어 그램이다.
도 3은 종래기술에 따른 유기발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 4a 내지 4n는 종래기술에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 6a 내지 6l은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.
도 7a 내지 7n은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.
도 8a 내지 8o는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.1 is a cross-sectional view showing an EL layer of a general organic light emitting element EL.
2 is a diagram for explaining a light emission principle of a general organic light emitting device EL.
3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting device according to the prior art.
4A to 4N are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode according to the related art.
5 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
6A to 6L are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
7A to 7N are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
8A through 8O are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자 구조에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting diode structure according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자의 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자는, 도 5에 도시된 바와 같이, 3개의 서브 픽셀영역인 제1, 2, 3 서브 픽셀영역을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 구성된 TFT 어레이기판(101)과; 상기 TFT 어레이기판(101) 상의 제1, 2, 3 픽셀 영역에 각각 구성된 제1, 2, 3 애노드전극(103a, 103b, 103c)과; 상기 제1, 2, 3 애노드전극(103a, 103b, 103c)들의 일 영역이 평탄하게 노출되도록 전면에 구성된 뱅크막(105)과; 상기 노출된 제1, 2, 3 애노드전극 (103a, 103b, 103c)을 포함한 뱅크막(105) 전면에 구성되며, 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 적층된 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a) 및 제1, 2, 3 정공수송층패턴(109a, 117a, 125a)과; 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역의 상기 제1, 2, 3 정공수송층패턴(109a, 117a, 125a) 상부에 각각 형성된 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)과; 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)을 포함한 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀 영역 전면에 적층된 전자수송층(129)과 전자주입층 (131) 및 상기 전자주입층(131) 상부에 형성된 캐소드전극(133)으로 구성된다.In the organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 5, a pixel region for driving the first, second, and third subpixel regions, which are three subpixel regions, as one unit is defined, and each pixel A TFT array substrate 101 having TFTs formed in each region; First, second and third anode electrodes 103a, 103b and 103c respectively formed in the first, second and third pixel areas on the TFT array substrate 101; A bank film 105 formed on an entire surface of the first, second, and third anode electrodes 103a, 103b, and 103c so as to expose a region of the first and second anode electrodes 103a, 103b, and 103c flatly; First, second and third holes formed on an entire surface of the bank layer 105 including the exposed first, second and third anode electrodes 103a, 103b and 103c and stacked in the first, second and third sub-pixel regions. Injection layer patterns 107a, 115a and 123a and first, second and third hole transport layer patterns 109a, 117a and 125a; First, second and third color light emitting layer patterns 111a, 119a and 127a formed on the first, second and third hole transport layer patterns 109a, 117a and 125a of the first, second and third subpixel regions, respectively; The electron transport layer 129, the electron injection layer 131, and the electron injection layer stacked on the entire first, second, and third subpixel regions including the first, second, and third color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a. 131 and a cathode electrode 133 formed on the upper portion.

상기 유기발광소자는 탑 에미팅(Top Emitting) 방식의 액티브 매트릭스 유기발광소자로써, 상기 제1 애노드 전극(103a, 103b, 103c)는 반사 금속으로 형성하고, 캐소드 전극(133)은 투명 전도성 물질로 구성한다. The organic light emitting diode is a top emitting active matrix organic light emitting diode, and the first anode electrodes 103a, 103b, and 103c are formed of a reflective metal, and the cathode electrode 133 is made of a transparent conductive material. Configure.

이때, 상기 반사 금속으로는 Ag, Mo, Mo/Al/Mo 또는 MgAg와 같은 물질을 사용할 수 있다.In this case, a material such as Ag, Mo, Mo / Al / Mo, or MgAg may be used as the reflective metal.

또한, 상기 투명 전도성 물질로는 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 주석산화물(Tin Oxide; TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide; IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO)과 같은 투명 도전막으로 구성할 수 있다.In addition, the transparent conductive material may include indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO). It is possible to comprise a transparent conductive film such as).

상기에서 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a) 및 제1, 2, 3 정공수송층패턴(109a, 117a, 125a)과, 상기 제 1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a) 및, 전자수송층(129)과 전자주입층(131)은 유기물층을 이룬다.The first, second and third hole injection layer patterns 107a, 115a and 123a and the first, second and third hole transport layer patterns 109a, 117a and 125a and the first, second and third color light emitting layer patterns 111a. , 119a and 127a, and the electron transport layer 129 and the electron injection layer 131 form an organic material layer.

이때, 상기 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제1, 2, 3 정공수송층패턴(109a, 117a, 125a)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제1, 2, 3 애노드 전극(103a, 103b, 103c)에서 발생된 정공이 용이하게 상기 제 1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)에 주입되게 하는 역할을 한다.In this case, the first, second, and third hole injection layer patterns 107a, 115a, and 123a adjust the concentration of holes, and the first, second, and third hole transport layer patterns 109a, 117a, and 125a are hole movement speeds. It is to control the hole so that the holes generated in the first, second, third anode electrode (103a, 103b, 103c) is easily injected into the first, second, third color light emitting layer pattern (111a, 119a, 127a). .

상기 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. The first, second, and third hole injection layer patterns 107a, 115a, and 123a are mainly formed by depositing copper phthalocyanine (Copper (II) Phthalocyanine), and are deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. .

또한, 상기 제1, 2, 3 정공수송층패턴(109a, 117a, 125a)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In addition, the first, second, and third hole transport layer patterns 109a, 117a, and 125a are mainly formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, and N'-diphenylbenzidine (NPD). It is deposited to have a thickness of 10 to 30 nm.

그리고, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)은 광을 발생시키는 기능을 주로 하지만 전자 또는 정공을 운반하는 기능도 함께 한다. 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)은 필요에 따라 발광 물질을 단독으로 사용되거나 호스트 재료에 도핑된 상태의 발광물질을 사용한다. The first, second, and third color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a mainly generate light, but also carry electrons or holes. The first, second, and third color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a may use a light emitting material alone or a light emitting material doped with a host material as necessary.

상기 전자수송층(129)과 전자주입층(131)은 전자의 농도 및 속도를 조절함으로써 상기 캐소드 전극(133)에서 발생된 전자가 용이하게 제 1, 2, 3 칼라 발광층 (111a, 119a, 127a)에 주입되게 하는 역할을 한다.The electron transport layer 129 and the electron injection layer 131 easily adjust the concentration and speed of electrons, so that the electrons generated from the cathode electrode 133 are easily formed in the first, second, and third color light emitting layers 111a, 119a, and 127a. To be injected into.

상기 제 1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)은 각각 R(적색), G(녹색), B(청색) 칼라 발광층을 의미한다.The first, second, and third color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a mean R (red), G (green), and B (blue) color light emitting layers, respectively.

따라서, 상기 제1, 2, 3 칼라필터층패턴(111a, 119a, 127a) 하부의 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)은 그 두께가 서로 다른데, 상기 제1 칼라 발광층패턴(111a) 하부의 제1 정공 수송층(109a)의 두께(t1)는 상기 제2 칼라 발광층패턴 (119a) 하부의 제2 정공 수송층패턴(117a)의 두께(t2)보다 두껍고, 상기 제2 칼라 발광층패턴(119a) 하부의 제2 정공 수송층패턴(117a)의 두께(t2)는 상기 제3 칼라 발광층패턴(125a)의 제3 정공 수송층패턴(125a) 두께(t3)보다 두껍게 형성된다. Accordingly, the first, second, and third hole transport layer patterns 109a, 117a, and 125a under the first, second, and third color filter layer patterns 111a, 119a, and 127a have different thicknesses. The thickness t1 of the first hole transport layer 109a under the 111a is thicker than the thickness t2 of the second hole transport layer pattern 117a under the second color light emitting layer pattern 119a, and the second color light emitting layer The thickness t2 of the second hole transport layer pattern 117a under the pattern 119a is thicker than the thickness t3 of the third hole transport layer pattern 125a of the third color light emitting layer pattern 125a.

즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a) 하부 각각에 대응되는 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 두께를 각각 t1, t2, t3라고 하는 경우, t1>t2>t3이다. That is, as shown in FIG. 5, the thicknesses of the first, second and third hole transport layer patterns 109a, 117a and 125a respectively corresponding to the lower portions of the first, second and third color light emitting layer patterns 111a, 119a and 127a, respectively. When t1, t2, and t3 are respectively, t1> t2> t3.

이에 따라, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역의 제1, 2, 3 애노드 전극(103a, 103b, 103c)에서 캐소드 전극(133) 까지의 거리인 광학 길이(optical length)를 OL1, OL2, OL3이라고 하는 경우, OL1 > OL2 > OL3 이다.Accordingly, the optical length, which is the distance from the first, second, and third anode electrodes 103a, 103b, and 103c to the cathode electrode 133 in the first, second, and third subpixel regions, is defined as OL1, OL2, and OL3. If OL1> OL2> OL3.

한편, 본 발명의 일 실시 예는, 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 두께를 다르게 형성하는 경우에 대해 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a)의 두께를 다르게 형성하거나, 또는 이들 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a)의 두께는 물론 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 두께를 다르게 형성할 수도 있다.Meanwhile, an embodiment of the present invention describes a case in which the thicknesses of the first, second, and third hole transport layer patterns 109a, 117a, and 125a are differently formed. However, in some cases, the first, second, and third holes may be used. The thicknesses of the injection layer patterns 107a, 115a, and 123a may be formed differently, or the first, second, and third hole transport layer patterns may be formed as well as the thicknesses of the first, second, and third hole injection layer patterns 107a, 115a, and 123a. The thicknesses of 109a, 117a, and 125a may be formed differently.

상기에서와 같이, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 발광층인 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)의 파장에 맞게 그 하부 영역의 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 각 두께(t1, t2, t3)를 다르게 하여, 발광하는 파장의 광학 길이(OL1, OL2, OL3)를 조정함으로써 발광하는 파장의 색 순도와 광 효율을 증가시킬 수 있다.As described above, the first and second parts of the lower region are adapted to the wavelengths of the first, second, and third color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a, which are red (R), green (G), and blue (B) color light emitting layers. By adjusting the optical lengths OL1, OL2, and OL3 of the wavelengths emitted by varying the thicknesses t1, t2, and t3 of the three hole transport layer patterns 109a, 117a, and 125a. The efficiency can be increased.

이러한 탑 에미팅 방식의 소자에서 빛이 나오는 경로는 크게 보았을 때 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)으로부터 캐소드 전극(133)을 통해 직접 나오는 것과, 제1, 2, 3 애노드 전극(103a, 103b, 103c)을 통해 반사되어 캐소드 전극(133)을 통해 다시 나오는 것이 있다.The light emitting paths of the top emitting device are directly emitted from the first, second, and third color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a through the cathode electrode 133 when viewed in a large view. Some are reflected through the anode electrodes 103a, 103b, and 103c and come out again through the cathode electrode 133.

상기에서 설명한 바와 같이, 상기 탑 에미팅 방식의 유기발광소자의 경우, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 제1, 2, 3 칼라발광층패턴(111a, 119a, 127a) 하부의 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 두께를 각 파장에 맞게 다르게 형성함으로 써, 반사되어 방출되는 광패스 길이(Optical path length)를 각 서브 픽셀영역 별로 다르게 하여 마이크로 캐비티(microcavity) 효과를 구현할 수 있게 된다.As described above, in the case of the top emitting organic light emitting device, the hole transport layer pattern (below the first, second, and third color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a) in the first, second, and third subpixel areas. By forming the thicknesses of 109a, 117a, and 125a differently for each wavelength, the microcavity effect can be realized by varying the optical path length reflected and emitted for each subpixel region.

상기 구성으로 이루어지는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자 제조방법에 대해 도 6a 내지 6l을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention having the above configuration will be described with reference to FIGS. 6A to 6L.

도 6a 내지 6l은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.6A to 6L are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

여기서는, 건식 식각(dry etch) 공정과 리프트 오프(lift off) 공정을 병행하여 유기발광소자를 제조하는 공정에 대해 설명하기로 한다.Here, a process of manufacturing an organic light emitting device by performing a dry etch process and a lift off process will be described.

먼저, 도면에는 도시히지 않았지만, 3개의 서브 픽셀영역인 제1, 2, 3 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3)을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 구성된 TFT 어레이기판(101)을 준비한다. 이때, 상기 각 픽셀 영역의 TFT는 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극을 구비하고 있으며, 상기 TFT의 소스전극과 드레인전극이 노출되도록 비아홀이 형성된 평탄화막(미도시)이 상기 TFT 어레이기판(101) 상에 형성되어 있다.First, although not shown in the drawing, a pixel region for driving three subpixel regions, namely, the first, second, and third subpixel regions SP1, SP2, and SP3, as a unit is defined, and a TFT is configured for each pixel region. The array substrate 101 is prepared. In this case, the TFT of each pixel region includes a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and a flattening film (not shown) having a via hole formed to expose the source electrode and the drain electrode of the TFT includes the TFT array substrate 101. It is formed on the phase.

그 다음, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 비아홀(미도시)에 의해 노출된 TFT의 드레인전극에 콘택되도록, 상기 TFT 어레이기판(101) 전면에 반사금속층(미도시)을 증착하고, 포토리소그래피 공정을 통해 상기 반사금속층을 선택적으로 식각하여, 도 6a에 도시된 바와 같이, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 각각 제1, 2, 3 애노드전극(103a, 103b, 103c)을 형성한다. 이때, 상기 반사금속으로는 Ag, Mo, Mo/Al/Mo 또는 MgAg와 같은 물질을 사용할 수 있다.Next, although not shown in the drawing, a reflective metal layer (not shown) is deposited on the entire TFT array substrate 101 so as to contact the drain electrode of the TFT exposed by the via hole (not shown), and a photolithography process is performed. The reflective metal layer is selectively etched through to form first, second, and third anode electrodes 103a, 103b, and 103c in the first, second, and third subpixel regions, respectively, as shown in FIG. 6A. In this case, a material such as Ag, Mo, Mo / Al / Mo, or MgAg may be used as the reflective metal.

이어서, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(103a, 103b, 103c)을 포함한 TFT 어레이기판(101) 상에 절연막을 증착한 후, 포토리소그라피 (photolithography) 공정으로 상기 절연막(미도시)을 선택적으로 패터닝하여, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(103a, 103b, 103c)을 평탄하게 드러나도록 뱅크막(105)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 6B, an insulating film is deposited on the TFT array substrate 101 including the first, second, and third anode electrodes 103a, 103b, and 103c, and then, the photolithography process is performed. An insulating film (not shown) is selectively patterned to form the bank film 105 so as to expose the first, second, and third anode electrodes 103a, 103b, and 103c evenly.

이때, 상기 절연막은 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 형성할 수 있는데, 여기서는 유기 절연물질을 이용하여 절연막을 형성한다.In this case, the insulating film may be formed of an organic insulating material or an inorganic insulating material, wherein the insulating film is formed using the organic insulating material.

그 다음, 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(103a, 103b, 103c)을 포함한 뱅크막(105) 전면에 제1 정공 주입층(107)과 제1 정공 수송층(109)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제1 정공주입층(107)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제1 정공수송층(109)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제1 애노드 전극(103a)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제 1 칼라 발광층 (111)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.Next, as shown in FIG. 6C, the first hole injection layer 107 and the first hole transporting layer (107) are formed on the entire bank layer 105 including the first, second, and third anode electrodes 103a, 103b, and 103c. 109) are stacked in sequence. In this case, the first hole injection layer 107 controls the concentration of the hole, the first hole transport layer 109 by controlling the movement speed of the hole generated holes in the first anode electrode 103a is a subsequent process It serves to be easily injected into the first color light emitting layer 111 to be formed in.

또한, 상기 제1 정공 주입층(107) 및 제1 정공 수송층(109)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다. In addition, a photoreactive organic material (monomer or polymer) is used as the first hole injection layer 107 and the first hole transport layer 109.

특히, 상기 제1 정공주입층(107)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 또한, 상기 제1 정공수송층(109)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the first hole injection layer 107 is mainly formed by depositing copper phthalocyanine (Copper (II) Phthalocyanine), and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. In addition, the first hole transport layer 109 is mainly formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD), and has a thickness of about 10 to 30 nm. Is deposited.

이어서, 상기 제1 정공수송층(109) 전면에 제1 칼라 발광층(111)을 형성한 후, 그 위에 다시 제1 감광막(113)을 도포한다. 이때, 상기 제1 감광막(113)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다.Subsequently, after the first color light emitting layer 111 is formed on the entire surface of the first hole transport layer 109, the first photosensitive layer 113 is coated thereon. In this case, the first photoresist layer 113 is a photoresist having a negative characteristic in which a portion to which light is irradiated remains.

그 다음, 도 6d에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제1 감광막(113)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제1 감광막(113)을 선택적으로 패터닝하여 제1 감광막패턴(113a)을 형성한다. 이때, 상기 제1 감광막패턴 (113a)은 상기 제1 애노드전극(103a) 상부에 대응하여 위치하며, 제1 서브 픽셀영역(SP1)에 형성된다. 또한, 상기 제1 감광막패턴(113a)은 네거티브 특성을 지니고 있기 때문에 광이 조사된 제1 감광막 부분으로 구성된다.Next, as shown in FIG. 6D, after irradiating light to the first photoresist layer 113 by a photolithography process, the first photoresist layer 113 is selectively patterned through a developing process to form a first photoresist pattern ( 113a). In this case, the first photoresist layer pattern 113a is positioned to correspond to the upper portion of the first anode electrode 103a and is formed in the first sub pixel area SP1. In addition, since the first photoresist pattern 113a has a negative characteristic, the first photoresist pattern 113a includes a portion of the first photoresist layer to which light is irradiated.

이어서, 도 6e에 도시된 바와 같이, 상기 제1 감광막패턴(113a)을 식각마스크로, 상기 제1 칼라 발광층(111), 제1 정공 수송층(109) 및 제1 정공 주입층(107)을 차례로 건식 식각(dry etch)하여, 제1 정공 주입층패턴(107a), 제1 정공 수송층패턴(109a) 및 제1 칼라 발광층패턴(111a)을 형성한다. 이때, 상기 제1 칼라 발광층패턴(111a)은 적색(R) 발광층패턴으로 사용한다. 한편, 경우에 따라서는, 상기 건식 식각시에, 상기 제1 칼라 발광층(111), 제1 정공 수송층(109) 및 제1 정공 주입층(107)을 동시에 식각하지 않고, 상기 제1 정공 수송층(109) 및 제1 칼라 발광층패턴(111)만 식각할 수도 있다.Subsequently, as illustrated in FIG. 6E, the first photoresist layer pattern 113a is used as an etch mask, and the first color light emitting layer 111, the first hole transport layer 109, and the first hole injection layer 107 are sequentially formed. Dry etching is performed to form the first hole injection layer pattern 107a, the first hole transport layer pattern 109a, and the first color emission layer pattern 111a. In this case, the first color light emitting layer pattern 111a is used as a red light emitting layer pattern. In some cases, during the dry etching, the first hole transport layer (1) may not be etched simultaneously without first etching the first color light emitting layer 111, the first hole transport layer 109, and the first hole injection layer 107. 109 and only the first color light emitting layer pattern 111 may be etched.

그 다음, 도 6f에 도시된 바와 같이, 상기 제1 정공 주입층패턴(107a), 제1 정공 수송층패턴(109a) 및 제1 칼라 발광층패턴(111a)을 포함한 상기 제1 감광막패턴(113a)과 상기 제2, 3 애노드전극(103b, 103c) 및 뱅크막(105) 전면에 제2 정공 주입층(115)과 제2 정공 수송층(117)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제2 정공주입층(115)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제2 정공수송층(117)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제2 애노드 전극(103b)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제2 칼라 발광층(119)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.Next, as illustrated in FIG. 6F, the first photoresist layer pattern 113a including the first hole injection layer pattern 107a, the first hole transport layer pattern 109a, and the first color light emitting layer pattern 111a may be formed. The second hole injection layer 115 and the second hole transport layer 117 are sequentially stacked on the second and third anode electrodes 103b and 103c and the bank layer 105. In this case, the second hole injection layer 115 controls the concentration of holes, and the second hole transport layer 117 controls the movement speed of the holes so that the holes generated in the second anode electrode 103b are subsequently processed. It is to facilitate the injection into the second color light emitting layer 119 to be formed in.

또한, 상기 제2 정공 주입층(115) 및 제1 정공 수송층(117)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.In addition, a photoreactive organic material (monomer or polymer) is used as the second hole injection layer 115 and the first hole transport layer 117.

특히, 상기 제2 정공주입층(115)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 상기 제2 정공수송층(117)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the second hole injection layer 115 is mainly formed by depositing copper phthalocyanine (Copper (II) Phthalocyanine), and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. The second hole transport layer 117 is mainly formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD), and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. .

그리고, 상기 제2 정공 수송층(117)의 두께(t2)는 상기 제1 정공 수송층 (109)의 두께(t1)보다 얇게 형성한다.The thickness t2 of the second hole transport layer 117 is formed to be thinner than the thickness t1 of the first hole transport layer 109.

이어서, 도 6g에 도시된 바와 같이, 상기 제2 정공 수송층(117) 전면에 제2 칼라 발광층(119)을 형성한 후, 그 위에 다시 제2 감광막(121)을 도포한다. 이때, 상기 제2 감광막(121)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다.Subsequently, as shown in FIG. 6G, the second color light emitting layer 119 is formed on the entire surface of the second hole transport layer 117, and then the second photosensitive layer 121 is coated thereon. In this case, the second photoresist layer 121 is a photoresist having a negative characteristic in which a portion to which light is irradiated remains.

그 다음, 도 6h에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제2 감광막(121)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제2 감광막(121)을 선택적으로 패터닝하여 제2 감광막패턴(121a)을 형성한다. 이때, 상기 제2 감광막패턴 (121a)은 상기 제2 애노드전극(103b) 상부에 대응하여 위치하며, 제2 서브 픽셀영역(SP2)에 형성된다. 또한, 상기 제2 감광막패턴(121a)은 네거티브 특성을 지니고 있기 때문에 광이 조사된 제2 감광막 부분으로 구성된다.Next, as shown in FIG. 6H, after irradiating light to the second photoresist film 121 by a photolithography process, the second photoresist film 121 is selectively patterned through a developing process to form a second photoresist pattern ( 121a). In this case, the second photoresist layer pattern 121a is positioned to correspond to the upper portion of the second anode electrode 103b and is formed in the second sub pixel area SP2. In addition, since the second photoresist pattern 121a has a negative characteristic, the second photoresist pattern 121a is formed of a second photoresist part irradiated with light.

이어서, 도 6i에 도시된 바와 같이, 상기 제2 감광막패턴(121a)을 식각마스크로, 상기 제2 칼라 발광층(119), 제2 정공 수송층(117) 및 제2 정공 주입층(115)을 차례로 건식 식각(dry etch)하여, 제2 정공 주입층패턴(115a), 제2 정공 수송층패턴(117a) 및 제2 칼라 발광층패턴(119a)을 형성한다. 이때, 상기 제2 칼라 발광층패턴(119a)은 녹색(G) 발광층패턴으로 사용한다. 한편, 경우에 따라서는, 상기 건식 식각시에, 상기 제2 칼라 발광층(119), 제2 정공 수송층(117) 및 제2 정공 주입층(115)을 동시에 식각하지 않고, 상기 제2 정공 수송층(117) 및 제2 칼라 발광층(119)만 식각할 수도 있다.Subsequently, as shown in FIG. 6I, the second photoresist layer 121a is used as an etch mask, and the second color light emitting layer 119, the second hole transport layer 117, and the second hole injection layer 115 are sequentially formed. Dry etching is performed to form the second hole injection layer pattern 115a, the second hole transport layer pattern 117a, and the second color emission layer pattern 119a. In this case, the second color light emitting layer pattern 119a is used as the green (G) light emitting layer pattern. In some cases, during the dry etching, the second hole transport layer 119 may not be etched at the same time without simultaneously etching the second color light emitting layer 119, the second hole transport layer 117, and the second hole injection layer 115. Only the 117 and the second color light emitting layer 119 may be etched.

그 다음, 도 6j에 도시된 바와 같이, 상기 제1 서브 픽셀영역(SP1)에 위치하는 상기 제1 정공 주입층패턴(107a)과 제1 정공 수송층패턴(109a) 및 제1 칼라 발광층패턴(111a)을 포함한 상기 제1 감광막패턴(113a)과, 상기 제2 서브 픽셀영역 (SP2)에 위치하는 제2 정공 주입층패턴(115a), 제2 정공 수송층패턴(117a) 및 제2 칼라 발광층패턴(119a)을 포함한 상기 제2 감광막패턴(121a)과, 상기 제3 애노드전극(3b, 103c) 및 뱅크막(105) 전면에 제3 정공 주입층(123)과 제3 정공 수송층 (125)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제3 정공 주입층(123)과 제3 정공 수송층 (125)은 상기 제1 및 2 서브 픽셀영역(SP1, SP2) 사이에 노출된 뱅크막(105) 상부에도 형성된다.Next, as illustrated in FIG. 6J, the first hole injection layer pattern 107a, the first hole transport layer pattern 109a, and the first color light emitting layer pattern 111a positioned in the first sub pixel area SP1 are formed. ), The second photoresist pattern 113a, the second hole injection layer pattern 115a, the second hole transport layer pattern 117a, and the second color light emitting layer pattern positioned in the second sub pixel region SP2. The third hole injection layer 123 and the third hole transport layer 125 are sequentially disposed on the entire surface of the second anode electrode 3b and 103c and the bank layer 105 including the second photoresist pattern 121a including 119a. Laminated. In this case, the third hole injection layer 123 and the third hole transport layer 125 are also formed on the bank layer 105 exposed between the first and second sub pixel regions SP1 and SP2.

상기 제3 정공주입층(123)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제3 정공수송층 (125)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제3 애노드 전극(103c)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제3 칼라 발광층(127)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.The third hole injection layer 123 controls the concentration of holes, and the third hole transport layer 125 controls the movement speed of the holes to form holes generated in the third anode electrode 103c in a subsequent process. It serves to be easily injected into the third color light emitting layer 127 to be.

또한, 상기 제3 정공 주입층(123) 및 제3 정공 수송층(125)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.In addition, a photoreactive organic material (monomer or polymer) is used as the third hole injection layer 123 and the third hole transport layer 125.

특히, 상기 제3 정공주입층(123)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 상기 제3 정공수송층(125)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the third hole injection layer 123 is mainly formed by depositing copper phthalocyanine (Copper (II) Phthalocyanine), and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. The third hole transport layer 125 is mainly formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD), and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. .

그리고, 상기 제3 정공 수송층(125)의 두께(t3)는 상기 제2 정공 수송층 (117)의 두께(t2)보다 얇게 형성한다.In addition, the thickness t3 of the third hole transport layer 125 is formed to be thinner than the thickness t2 of the second hole transport layer 117.

한편, 본 발명의 일 실시 예는, 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 두께를 다르게 형성하는 경우에 대해 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a)의 두께를 다르게 형성하거나, 또는 이들 제1, 2, 3 정공주입층패턴(107a, 115a, 123a)의 두께는 물론 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 두께를 다르게 형성할 수도 있다.Meanwhile, an embodiment of the present invention describes a case in which the thicknesses of the first, second, and third hole transport layer patterns 109a, 117a, and 125a are differently formed. However, in some cases, the first, second, and third holes may be used. The thicknesses of the injection layer patterns 107a, 115a, and 123a may be formed differently, or the first, second, and third hole transport layer patterns may be formed as well as the thicknesses of the first, second, and third hole injection layer patterns 107a, 115a, and 123a. The thicknesses of 109a, 117a, and 125a may be formed differently.

이어서, 상기 제3 정공 수송층(125) 전면에 제3 칼라 발광층(127)을 형성한다. Subsequently, a third color light emitting layer 127 is formed on the entire surface of the third hole transport layer 125.

그 다음, 도 6k에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 공정을 통해 상기 제1 감광막패턴(113a) 및 제2 감광막패턴(121a)과, 이들 제1, 2 감광막패턴 (113a, 121a) 상부에 형성된 상기 제3 정공 주입층(123)과 제3 정공 수송층(125) 및 제3 칼라 발광층(127)을 제거하여, 제3 서브 픽셀영역(SP3)에 제3 정공 주입층패턴(123a), 제3 정공 수송층패턴(125a) 및 제3 칼라 발광층패턴(127a)을 형성한다. 이때, 상기 제3 칼라 발광층패턴(127a)은 청색(B) 발광층패턴으로 사용한다. 한편, 경우에 따라서는, 상기 제2 칼라 발광층(119), 제2 정공 수송층(117) 및 제2 정공 주입층(115)을 동시에 제거하지 않고, 상기 제2 정공 수송층(117) 및 제2 칼라 발광층(119)만 제거할 수도 있다.Next, as shown in FIG. 6K, the first photoresist pattern 113a and the second photoresist pattern 121a and the first and second photoresist patterns 113a and 121a are formed through a lift off process. The third hole injection layer 123, the third hole transport layer 125, and the third color emission layer 127 formed on the upper portion are removed to form a third hole injection layer pattern 123a in the third sub pixel area SP3. The third hole transport layer pattern 125a and the third color light emitting layer pattern 127a are formed. In this case, the third color light emitting layer pattern 127a is used as the blue (B) light emitting layer pattern. In some cases, the second hole transport layer 117 and the second color may be removed without simultaneously removing the second color light emitting layer 119, the second hole transport layer 117, and the second hole injection layer 115. Only the light emitting layer 119 may be removed.

이어서, 도 6l에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)을 포함한 기판 전면에 전자 수송층(129)과 전자 주입층(131)을 차례로 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 6L, the electron transport layer 129 and the electron injection layer 131 are sequentially formed on the entire surface of the substrate including the first, second, and third color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a.

그 다음, 상기 전자 주입층(131) 상부에 투명 도전성 물질을 증착하여, 캐소드 전극(133)을 형성한다. 이때, 상기 투명 전도성 물질로는 인듐주석산화물 (Indium Tin Oxide; ITO), 주석산화물(Tin Oxide; TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide; IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO)과 같은 투명 도전막으로 구성할 수 있다.Next, a transparent conductive material is deposited on the electron injection layer 131 to form the cathode electrode 133. In this case, the transparent conductive material may be indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO). It is possible to comprise a transparent conductive film such as).

상기에서와 같이, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 발광층인 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)의 파장에 맞게 그 하부 영역의 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 각 두께(t1, t2, t3)를 다르게 하여, 발광하는 파장의 광학 길이(OL1, OL2, OL3)를 조정함으로써 발광하는 파장의 색 순도와 광 효율을 증가시킬 수 있다.As described above, the first and second parts of the lower region are adapted to the wavelengths of the first, second, and third color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a, which are red (R), green (G), and blue (B) color light emitting layers. By adjusting the optical lengths OL1, OL2, and OL3 of the wavelengths emitted by varying the thicknesses t1, t2, and t3 of the three hole transport layer patterns 109a, 117a, and 125a. The efficiency can be increased.

이러한 탑 에미팅 방식의 소자에서 빛이 나오는 경로는 크게 보았을 때 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(111a, 119a, 127a)으로부터 캐소드 전극(133)을 통해 직접 나오는 것과, 제1, 2, 3 애노드 전극(103a, 103b, 103c)을 통해 반사되어 반투명전극인 캐소드 전극(133)을 통해 다시 나오는 것이 있다.The light emitting paths of the top emitting device are directly emitted from the first, second, and third color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a through the cathode electrode 133 when viewed in a large view. Some are reflected through the anode electrodes 103a, 103b and 103c and come out again through the cathode electrode 133 which is a translucent electrode.

상기에서 설명한 바와 같이, 상기 탑 에미팅 방식의 유기발광소자의 경우, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 제1, 2, 3 칼라발광층패턴(111a, 119a, 127a) 하부의 정공 수송층패턴(109a, 117a, 125a)의 두께를 각 파장에 맞게 다르게 형성함으로 써, 반사되어 방출되는 광패스 길이(Optical path length)를 각 서브 픽셀영역 (SP1, SP2, SP3) 별로 다르게 하여 마이크로 캐비티(microcavity) 효과를 구현할 수 있게 된다.As described above, in the case of the top emitting organic light emitting device, the hole transport layer pattern (below the first, second, and third color light emitting layer patterns 111a, 119a, and 127a) in the first, second, and third subpixel areas. By forming the thickness of 109a, 117a, and 125a differently for each wavelength, the microcavity is made by varying the optical path length reflected and emitted for each subpixel region SP1, SP2, SP3. The effect can be implemented.

한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자 제조방법에 대해 도 7a 내지 7n을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, a method of manufacturing an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7A to 7N.

도 7a 내지 7n은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.7A to 7N are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

여기서는, 건식 식각(dry etch) 공정에 의해 유기발광소자를 제조하는 공정에 대해 설명하기로 한다.Here, a process of manufacturing the organic light emitting device by a dry etch process will be described.

먼저, 도면에는 도시히지 않았지만, 3개의 서브 픽셀영역인 제1, 2, 3 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3)을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 구성된 TFT 어레이기판(201)을 준비한다. 이때, 상기 각 픽셀 영역의 TFT는 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극을 구비하고 있으며, 상기 TFT의 소스전극과 드레인전극이 노출되도록 비아홀이 형성된 평탄화막(미도시)이 상기 TFT 어레이기판(201) 상에 형성되어 있다.First, although not shown in the drawing, a pixel region for driving three subpixel regions, namely, the first, second, and third subpixel regions SP1, SP2, and SP3, as a unit is defined, and a TFT is configured for each pixel region. The array substrate 201 is prepared. In this case, the TFT of each pixel region includes a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and a planarization film (not shown) having a via hole formed to expose the source electrode and the drain electrode of the TFT includes the TFT array substrate 201. It is formed on the phase.

그 다음, 상기 비아홀(미도시)에 의해 노출된 TFT의 드레인전극에 콘택되도록, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 TFT 어레이기판(201) 전면에 반사금속층(미도시)을 증착하고, 포토리소그래피 공정을 통해 상기 반사금속층을 선택적으로 식각하여, 도 7a에 도시된 바와 같이, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 각각 제1, 2, 3 애노드전극(203a, 203b, 203c)을 형성한다. 이때, 상기 반사금속으로는 Ag, Mo, Mo/Al/Mo 또는 MgAg와 같은 물질을 사용할 수 있다.Next, although not shown in the drawing, a reflective metal layer (not shown) is deposited on the TFT array substrate 201 so as to contact the drain electrode of the TFT exposed by the via hole (not shown), and a photolithography process is performed. The reflective metal layer is selectively etched through to form first, second, and third anode electrodes 203a, 203b, and 203c in the first, second, and third subpixel regions, respectively, as shown in FIG. 7A. In this case, a material such as Ag, Mo, Mo / Al / Mo, or MgAg may be used as the reflective metal.

이어서, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(203a, 203b, 203c)을 포함한 TFT 어레이기판(201) 상에 절연막을 증착한 후, 포토리소그라피 (photolithography) 공정으로 상기 절연막(미도시)을 선택적으로 패터닝하여, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(203a, 203b, 203c)을 평탄하게 드러나도록 뱅크막(205)을 형성한다. Subsequently, as illustrated in FIG. 7B, an insulating film is deposited on the TFT array substrate 201 including the first, second, and third anode electrodes 203a, 203b, and 203c, and then, the photolithography process is performed. An insulating film (not shown) is selectively patterned to form the bank film 205 so that the first, second, and third anode electrodes 203a, 203b, and 203c are flatly exposed.

이때, 상기 절연막은 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 형성할 수 있는데, 여기서는 유기 절연물질로 절연막을 형성하는 경우이다.In this case, the insulating film may be formed of an organic insulating material or an inorganic insulating material, in which case the insulating film is formed of an organic insulating material.

그 다음, 도 7c에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(203a, 203b, 203c)을 포함한 뱅크막(205) 전면에 제1 정공 주입층(207)과 제1 정공 수송층(209)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제1 정공주입층(207)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제1 정공수송층(209)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제1 애노드 전극(203a)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제 1 칼라 발광층 (211)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.Next, as shown in FIG. 7C, a first hole injection layer 207 and a first hole transport layer (I) may be formed on the entire bank layer 205 including the first, second and third anode electrodes 203a, 203b and 203c. 209 are sequentially stacked. In this case, the first hole injection layer 207 controls the concentration of the hole, the first hole transport layer 209 by controlling the movement speed of the hole hole generated in the first anode electrode 203a is a subsequent process It serves to be easily injected into the first color light emitting layer 211 to be formed in.

또한, 상기 제1 정공 주입층(207) 및 제1 정공 수송층(209)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.In addition, a photoreactive organic material (monomer or polymer) is used as the first hole injection layer 207 and the first hole transport layer 209.

특히, 상기 제1 정공주입층(207)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 또한, 상기 제1 정공수송층(209)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the first hole injection layer 207 is mainly formed by depositing copper phthalocyanine (Copper (II) Phthalocyanine), and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. In addition, the first hole transport layer 209 is mainly formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD), and has a thickness of about 10 to 30 nm. Is deposited.

이어서, 상기 제1 정공 수송층(209) 전면에 제1 칼라 발광층(211)을 형성한 후, 그 위에 다시 제1 감광막(213)을 도포한다. 이때, 상기 제1 감광막(213)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다.Subsequently, after the first color light emitting layer 211 is formed on the entire surface of the first hole transport layer 209, the first photosensitive film 213 is coated on the first color light emitting layer 211. In this case, the first photoresist layer 213 is a photoresist having a negative characteristic in which a portion to which light is irradiated remains.

그 다음, 도 7d에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제1 감광막(213)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제1 감광막(213)을 선택적으로 패터닝하여 제1 감광막패턴(213a)을 형성한다. 이때, 상기 제1 감광막패턴 (213a)은 상기 제1 애노드전극(203a) 상부에 대응하여 위치하며, 제1 서브 픽셀영역(SP1)에 형성된다. 또한, 상기 제1 감광막패턴(213a)은 네거티브 특성을 지니고 있기 때문에 광이 조사된 제1 감광막 부분으로 구성된다.Subsequently, as shown in FIG. 7D, after irradiating light to the first photoresist film 213 by a photolithography process, the first photoresist film 213 is selectively patterned through a developing process to form a first photoresist pattern ( 213a). In this case, the first photoresist layer pattern 213a is positioned to correspond to the upper portion of the first anode electrode 203a and is formed in the first sub pixel area SP1. In addition, since the first photoresist layer pattern 213a has negative characteristics, the first photoresist layer pattern 213a includes a portion of the first photoresist layer to which light is irradiated.

이어서, 상기 제1 감광막패턴(213a)을 식각마스크로, 상기 제1 칼라 발광층 (211), 제1 정공 수송층(209) 및 제1 정공 주입층(207)을 차례로 건식 식각(dry etch)하여, 제1 정공 주입층패턴(207a), 제1 정공 수송층패턴(209a) 및 제1 칼라 발광층패턴(211a)을 형성한다. 이때, 상기 제1 칼라 발광층패턴(211a)은 적색(R) 발광층패턴으로 사용한다. Subsequently, the first photoresist layer pattern 213a is used as an etch mask, and the first color light emitting layer 211, the first hole transport layer 209, and the first hole injection layer 207 are sequentially dry etched. The first hole injection layer pattern 207a, the first hole transport layer pattern 209a, and the first color emission layer pattern 211a are formed. In this case, the first color light emitting layer pattern 211a is used as a red (R) light emitting layer pattern.

그 다음, 도 7e에 도시된 바와 같이, 상기 제1 정공 주입층패턴(207a), 제1 정공 수송층패턴(209a) 및 제1 칼라 발광층패턴(211a)을 포함한 상기 제1 감광막패턴(213a)과 상기 제2, 3 애노드전극(203b, 203c) 및 뱅크막(205) 전면에 제2 정공 주입층(215)과 제2 정공 수송층(217)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제2 정공주입층(215)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제2 정공수송층(217)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제2 애노드 전극(203b)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제2 칼라 발광층(219)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.Next, as illustrated in FIG. 7E, the first photoresist layer pattern 213a including the first hole injection layer pattern 207a, the first hole transport layer pattern 209a, and the first color light emitting layer pattern 211a may be formed. A second hole injection layer 215 and a second hole transport layer 217 are sequentially stacked on the second and third anode electrodes 203b and 203c and the bank layer 205. In this case, the second hole injection layer 215 controls the concentration of holes, and the second hole transport layer 217 controls the movement speed of the holes so that the holes generated in the second anode electrode 203b are subsequently processed. It is to facilitate the injection into the second color light emitting layer 219 to be formed in.

또한, 상기 제2 정공 주입층(215) 및 제2 정공 수송층(217)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.In addition, a photoreactive organic material (monomer or polymer) is used as the second hole injection layer 215 and the second hole transport layer 217.

특히, 상기 제2 정공주입층(215)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 상기 제2 정공수송층(217)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the second hole injection layer 215 is mainly formed by depositing copper phthalocyanine (Copper (II) Phthalocyanine), and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. The second hole transport layer 217 is mainly formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD), and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. .

그리고, 상기 제2 정공 수송층(217)의 두께(t2)는 상기 제1 정공 수송층 (209)의 두께(t1)보다 얇게 형성한다.In addition, the thickness t2 of the second hole transport layer 217 is thinner than the thickness t1 of the first hole transport layer 209.

이어서, 도 7e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 정공 수송층(217) 전면에 제2 칼라 발광층(219)을 형성한 후, 도 7f에서와 같이, 그 위에 다시 제2 감광막(221)을 도포한다. 이때, 상기 제2 감광막(221)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트(photo resist)이다. 한편, 상기 제2 감광막(221)은 경우에 따라 광이 조사되는 부분이 제거되는 포지티브(positive) 특성을 가진 포토레지스트를 사용할 수도 있다. Subsequently, as shown in FIG. 7E, the second color light emitting layer 219 is formed on the entire surface of the second hole transport layer 217, and then the second photosensitive film 221 is coated thereon as shown in FIG. 7F. . In this case, the second photoresist layer 221 is a photoresist having a negative characteristic in which a portion to which light is irradiated remains. In some embodiments, the second photoresist layer 221 may use a photoresist having a positive characteristic in which a portion to which light is irradiated is removed.

그 다음, 도 7g에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제2 감광막(221)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제2 감광막(221)을 선택적으로 패터닝하여 제2 감광막패턴(221a)을 형성한다. 이때, 상기 제2 감광막패턴 (221a)은 상기 제2 애노드전극(203b) 상부에 대응하여 위치하며, 제2 서브 픽셀영역(SP2)에 형성된다. 또한, 상기 제2 감광막패턴(221a)은 네거티브 특성을 갖고 있기 때문에 광이 조사된 제2 감광막 부분으로 구성된다.Subsequently, as shown in FIG. 7G, after irradiating light to the second photoresist film 221 by a photolithography process, the second photoresist film 221 is selectively patterned through a developing process to form a second photoresist pattern ( 221a). In this case, the second photoresist layer pattern 221a is positioned to correspond to the upper portion of the second anode electrode 203b and is formed in the second sub pixel area SP2. In addition, since the second photoresist layer pattern 221a has a negative characteristic, the second photoresist layer pattern 221a includes a second photoresist layer portion to which light is irradiated.

이어서, 도 7h에 도시된 바와 같이, 상기 제2 감광막패턴(221a)을 식각마스크로, 상기 제2 칼라 발광층(219), 제2 정공 수송층(217) 및 제2 정공 주입층(215)을 차례로 건식 식각(dry etch)하여, 제2 정공 주입층패턴(215a), 제2 정공 수송층패턴(217a) 및 제2 칼라 발광층패턴(219a)을 형성한다. 이때, 상기 제2 칼라 발광층패턴(219a)은 녹색(G) 발광층패턴으로 사용한다. Subsequently, as illustrated in FIG. 7H, the second photoresist layer pattern 221a is used as an etch mask, and the second color light emitting layer 219, the second hole transport layer 217, and the second hole injection layer 215 are sequentially formed. Dry etching is performed to form the second hole injection layer pattern 215a, the second hole transport layer pattern 217a, and the second color emission layer pattern 219a. In this case, the second color light emitting layer pattern 219a is used as the green (G) light emitting layer pattern.

그 다음, 도 7i에 도시된 바와 같이, 상기 제1 서브 픽셀영역(SP1)에 위치하는 상기 제1 정공 주입층패턴(207a)과 제1 정공 수송층패턴(209a) 및 제1 칼라 발광층패턴(211a)을 포함한 상기 제1 감광막패턴(213a)과, 상기 제2 서브 픽셀영역 (SP2)에 위치하는 제2 정공 주입층패턴(215a)과 제2 정공 수송층패턴(217a) 및 제2 칼라 발광층패턴(219a)을 포함한 상기 제2 감광막패턴(221a)과, 상기 제3 애노드전극(203c) 및 뱅크막(105) 전면에 제3 정공 주입층(223)과 제3 정공 수송층(225)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제3 정공 주입층(223)과 제3 정공 수송층(225)은 상기 제1 및 2 서브 픽셀영역(SP1, SP2) 사이에 있는 뱅크막(205) 상부에도 형성된다.Next, as shown in FIG. 7I, the first hole injection layer pattern 207a, the first hole transport layer pattern 209a, and the first color light emitting layer pattern 211a positioned in the first sub pixel area SP1 are shown. ), The second photoresist layer pattern 213a, the second hole injection layer pattern 215a, the second hole transport layer pattern 217a, and the second color light emitting layer pattern positioned in the second sub pixel area SP2. A third hole injection layer 223 and a third hole transport layer 225 are sequentially stacked on the second photoresist layer pattern 221a including 219a, and on the entire surface of the third anode electrode 203c and the bank layer 105. . In this case, the third hole injection layer 223 and the third hole transport layer 225 are also formed on the bank layer 205 between the first and second sub pixel regions SP1 and SP2.

상기 제3 정공주입층(223)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제3 정공수송층 (225)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제3 애노드 전극(203c)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제3 칼라 발광층(227)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.The third hole injection layer 223 controls the concentration of holes, and the third hole transport layer 225 controls the movement speed of the holes to form holes generated in the third anode electrode 203c in a subsequent process. It serves to be easily injected into the third color light emitting layer 227 to be.

또한, 상기 제3 정공 주입층(223) 및 제3 정공 수송층(225)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.In addition, a photoreactive organic material (monomer or polymer) is used as the third hole injection layer 223 and the third hole transport layer 225.

특히, 상기 제3 정공주입층(223)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 상기 제3 정공수송층(125)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the third hole injection layer 223 is mainly formed by depositing copper phthalocyanine (Copper (II) Phthalocyanine), and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. The third hole transport layer 125 is mainly formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD), and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. .

그리고, 상기 제3 정공 수송층(225)의 두께(t3)는 상기 제2 정공 수송층 (217)의 두께(t2)보다 얇게 형성한다.The thickness t3 of the third hole transport layer 225 is formed to be thinner than the thickness t2 of the second hole transport layer 217.

한편, 본 발명의 다른 실시 예는, 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(209a, 217a, 225a)의 두께를 다르게 형성하는 경우에 대해 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 제1, 2, 3 정공주입층패턴(207a, 215a, 223a)의 두께를 다르게 형성하거나, 또는 이들 제1, 2, 3 정공주입층패턴(207a, 215a, 223a)의 두께는 물론 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(209a, 217a, 225a)의 두께를 다르게 형성할 수도 있다.Meanwhile, another embodiment of the present invention describes a case in which the thicknesses of the first, second, and third hole transport layer patterns 209a, 217a, and 225a are differently formed. However, in some cases, the first, second, and third holes may be used. The thicknesses of the injection layer patterns 207a, 215a, and 223a may be formed differently, or the first, second, and third hole transport layer patterns may be formed as well as the thicknesses of the first, second, and third hole injection layer patterns 207a, 215a, and 223a. The thickness of 209a, 217a, and 225a may be formed differently.

이어서, 상기 제3 정공 수송층(225) 전면에 제3 칼라 발광층(227)을 형성한다. Subsequently, a third color light emitting layer 227 is formed on the entire surface of the third hole transport layer 225.

그 다음, 도 7j에 도시된 바와 같이, 상기 제2 칼라 발광층(219)을 형성한 후, 그 위에 다시 제3 감광막(229)을 도포한다. 이때, 상기 제3 감광막(229)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다. 한편, 상기 제3 감광막(229)은 경우에 따라 광이 조사되는 부분이 제거되는 포지티브(positive) 특성을 가진 포토레지스트를 사용할 수도 있다. Next, as shown in FIG. 7J, after forming the second color light emitting layer 219, the third photosensitive film 229 is coated on the second color light emitting layer 219. In this case, the third photoresist layer 229 is a photoresist having a negative characteristic in which a portion to which light is irradiated remains. In some cases, the third photoresist layer 229 may use a photoresist having a positive characteristic in which a portion to which light is irradiated is removed.

이어서, 도 7k에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제3 감광막(229)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제3 감광막(229)을 선택적으로 패터닝하여 제3 감광막패턴(229a)을 형성한다. 이때, 상기 제3 감광막패턴 (229a)은 상기 제3 애노드전극(203c) 상부에 대응하여 위치하며, 제3 서브 픽셀영역(SP3)에 형성된다. 또한, 상기 제3 감광막패턴(229a)은 네거티브 특성을 지니고 있기 때문에 광이 조사된 제3 감광막 부분으로 구성된다.Subsequently, as shown in FIG. 7K, after irradiating light to the third photoresist film 229 by a photolithography process, the third photoresist film 229 is selectively patterned through a developing process to form a third photoresist film pattern 229a. ). In this case, the third photoresist layer pattern 229a is positioned to correspond to the upper portion of the third anode electrode 203c and is formed in the third sub pixel area SP3. In addition, since the third photoresist pattern 229a has a negative characteristic, the third photoresist pattern 229a includes a third photoresist part irradiated with light.

이어서, 도 7l 및 도 7m에 도시된 바와 같이, 상기 제3 감광막패턴(229a)을 식각마스크로, 상기 제3 칼라 발광층(227), 제3 정공 수송층(225) 및 제3 정공 주입층(223)을 차례로 건식 식각(dry etch)하여, 제3 정공 주입층패턴(223a), 제3 정공 수송층패턴(225a) 및 제3 칼라 발광층패턴(227a)을 형성한다. 이때, 상기 제3 칼라 발광층패턴(227a)은 청색(B) 발광층패턴으로 사용한다. 또한, 건식 식각시에, 상기 제1, 2 감광막패턴 (213a, 221a) 및 뱅크막(205) 상부에 형성된 제3 정공 주입층 (223), 제3 정공 수송층(225) 및 제3 칼라 발광층(227) 부분도 함께 제거된다.Subsequently, as shown in FIGS. 7L and 7M, the third photoresist pattern 229a is used as an etch mask, and the third color light emitting layer 227, the third hole transport layer 225, and the third hole injection layer 223 are used as an etching mask. ) Is sequentially dry etched to form a third hole injection layer pattern 223a, a third hole transport layer pattern 225a, and a third color light emitting layer pattern 227a. In this case, the third color light emitting layer pattern 227a is used as the blue (B) light emitting layer pattern. In addition, during the dry etching, the third hole injection layer 223, the third hole transport layer 225, and the third color light emitting layer formed on the first and second photoresist layer patterns 213a and 221a and the bank layer 205. 227) is also removed together.

이렇게 하여, 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 각각 위치하는 제1, 2, 3 감광막패턴(213a, 221a, 229a)이 외부로 노출된다.In this way, the first, second and third photoresist patterns 213a, 221a and 229a respectively positioned in the first, second and third sub-pixel regions are exposed to the outside.

그 다음, 도 7n에 도시된 바와 같이, 외부로 노출된 제1, 2, 3 감광막패턴 (213a, 221a, 229a)을 제거한 후, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층(211a, 219a, 227a)을 포함한 TFT 어레이기판(201)의 전면에 전자 수송층(231)과 전자 주입층(233)을 차례로 형성한다.Next, as shown in FIG. 7N, the first, second, and third photosensitive film patterns 213a, 221a, and 229a are exposed to the outside, and then the first, second, and third color light emitting layers 211a, 219a, and 227a are removed. The electron transport layer 231 and the electron injection layer 233 are sequentially formed on the entire surface of the TFT array substrate 201 including the semiconductor substrate.

이어서, 상기 전자 주입층(233) 상부에 투명 도전성 물질을 증착하여, 캐소드 전극(235)을 형성한다. 이때, 상기 투명 전도성 물질로는 인듐주석산화물 (Indium Tin Oxide; ITO), 주석산화물(Tin Oxide; TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide; IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO)과 같은 투명 도전막으로 구성할 수 있다.Subsequently, a transparent conductive material is deposited on the electron injection layer 233 to form the cathode electrode 235. In this case, the transparent conductive material may be indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO). It is possible to comprise a transparent conductive film such as).

상기에서와 같이, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 발광층인 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(211a, 219a, 227a)의 파장에 맞게 그 하부 영역의 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(209a, 217a, 225a)의 각 두께(t1, t2, t3), 즉 t1> t2> t3와 같이 서로 다르게 하여, 발광하는 파장의 광학 길이(OL1, OL2, OL3)를 조정함으로써 발광하는 파장의 색 순도와 광 효율을 증가시킬 수 있다.As described above, the first and second portions of the lower region are adapted to the wavelengths of the first, second, and third color light emitting layer patterns 211a, 219a, and 227a which are red (R), green (G), and blue (B) color light emitting layers. , The optical lengths (OL1, OL2, OL3) of the wavelengths emitted are adjusted by varying the thicknesses t1, t2, t3 of the three hole transport layer patterns 209a, 217a, and 225a, that is, t1> t2> t3. As a result, the color purity and the light efficiency of the wavelength to emit light can be increased.

이러한 탑 에미팅 방식의 소자에서 빛이 나오는 경로는 크게 보았을 때 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(211a, 219a, 227a)으로부터 캐소드 전극(235)을 통해 직접 나오는 것과, 제1, 2, 3 애노드 전극(203a, 203b, 203c)을 통해 반사되어 반투명전극인 캐소드 전극(235)을 통해 다시 나오는 것이 있다.When the light emitting path of the top emitting device is large, the first, second, and third color light emitting layer patterns 211a, 219a, and 227a are directly emitted through the cathode electrode 235, and the first, second, and third. Some are reflected through the anode electrodes 203a, 203b, and 203c and come out again through the cathode electrode 235, which is a translucent electrode.

상기에서 설명한 바와 같이, 상기 탑 에미팅 방식의 유기발광소자의 경우, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 제1, 2, 3 칼라발광층패턴(211a, 219a, 227a) 하부의 정공 수송층패턴(209a, 217a, 225a)의 두께(t1, t2, t3)를 각 파장에 맞게 다르게 형성함으로써, 반사되어 방출되는 광패스 길이(Optical path length)를 각 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3) 별로 다르게 하여 마이크로 캐비티(microcavity) 효과를 구현할 수 있게 된다.As described above, in the case of the top emitting organic light emitting device, the hole transport layer pattern (below the first, second, and third color light emitting layer patterns 211a, 219a, and 227a) in the first, second, and third subpixel areas. By forming the thicknesses t1, t2, and t3 of 209a, 217a, and 225a differently for each wavelength, the optical path length reflected and emitted is different for each subpixel region SP1, SP2, SP3. By doing so, the microcavity effect can be realized.

또 한편, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 유기발광소자 제조방법에 대해 도 8a 내지 8o를 참조하여 설명하면 다음과 같다.On the other hand, the organic light emitting device manufacturing method according to another embodiment of the present invention will be described with reference to Figures 8a to 8o.

도 8a 내지 8o는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 유기발광소자의 제조공정 단면도들이다.8A through 8O are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

여기서는, 리프트 오프(lift off) 공정에 의해 유기발광소자를 제조하는 공정에 대해 설명하기로 한다.Here, a process of manufacturing the organic light emitting device by the lift off process will be described.

먼저, 도면에는 도시히지 않았지만, 3개의 서브 픽셀영역인 제1, 2, 3 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3)을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 구성된 TFT 어레이기판(301)을 준비한다. 이때, 상기 각 픽셀 영역의 TFT는 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극을 구비하고 있으며, 상기 TFT의 소스전극과 드레인전극이 노출되도록 비아홀이 형성된 평탄화막(미도시)이 상기 TFT 어레이기판(301) 상에 형성되어 있다.First, although not shown in the drawing, a pixel region for driving three subpixel regions, namely, the first, second, and third subpixel regions SP1, SP2, and SP3, as a unit is defined, and a TFT is configured for each pixel region. The array substrate 301 is prepared. In this case, the TFT of each pixel region includes a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and a flattening film (not shown) having a via hole formed to expose the source electrode and the drain electrode of the TFT includes the TFT array substrate 301. It is formed on the phase.

그 다음, 상기 비아홀(미도시)에 의해 노출된 TFT의 드레인전극에 콘택되도록, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 TFT 어레이기판(301) 전면에 반사금속층(미도시)을 증착하고, 포토리소그래피 공정을 통해 상기 반사금속층을 선택적으로 식각하여, 도 8a에 도시된 바와 같이, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3)에 각각 제1, 2, 3 애노드전극(303a, 303b, 303c)을 형성한다. 이때, 상기 반사금속으로는 Ag, Mo, Mo/Al/Mo 또는 MgAg와 같은 물질을 사용할 수 있다.Then, although not shown in the figure, a reflective metal layer (not shown) is deposited on the entire surface of the TFT array substrate 301 so as to contact the drain electrode of the TFT exposed by the via hole (not shown), and a photolithography process is performed. The reflective metal layer is selectively etched through the first and second anode electrodes 303a, 303b, and 303c, respectively, in the first, second, and third subpixel regions SP1, SP2, and SP3, respectively. ). In this case, a material such as Ag, Mo, Mo / Al / Mo, or MgAg may be used as the reflective metal.

이어서, 도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(303a, 303b, 303c)을 포함한 TFT 어레이기판(301) 상에 절연막을 증착한 후, 포토리소그라피 (photolithography) 공정으로 상기 절연막(미도시)을 선택적으로 패터닝하여, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(303a, 303b, 303c)을 평탄하게 드러나도록 뱅크막(305)을 형성한다. Subsequently, as illustrated in FIG. 8B, an insulating film is deposited on the TFT array substrate 301 including the first, second, and third anode electrodes 303a, 303b, and 303c, and then, the photolithography process is performed. An insulating film (not shown) is selectively patterned to form the bank film 305 so as to expose the first, second, and third anode electrodes 303a, 303b, and 303c evenly.

이때, 상기 절연막은 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 형성할 수 있는데, 여기서는 유기 절연물질로 절연막을 형성하는 경우이다.In this case, the insulating film may be formed of an organic insulating material or an inorganic insulating material, in which case the insulating film is formed of an organic insulating material.

그 다음, 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 애노드전극(303a, 303b, 303c)을 포함한 뱅크막(305) 전면에 제1 감광막(307)을 도포한다. 이때, 상기 제1 감광막(307)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다. 한편, 상기 제1 감광막(307)은 경우에 따라 광이 조사되는 부분이 제거되는 포지티브(positive) 특성을 가진 포토레지스트를 사용할 수도 있다. Next, as shown in FIG. 8C, a first photosensitive film 307 is coated on the entire bank film 305 including the first, second, and third anode electrodes 303a, 303b, and 303c. In this case, the first photoresist layer 307 is a photoresist having a negative characteristic in which a portion to which light is irradiated remains. In some embodiments, the first photoresist layer 307 may use a photoresist having a positive characteristic in which a portion to which light is irradiated is removed.

이어서, 도 8d에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제1 감광막(307)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제1 감광막(307)을 선택적으로 패터닝하여 제1 서브 픽셀영역(SP1)의 제1 애노드전극(303a)을 노출시키는 제1 개구부(308)를 구비한 제1 감광막패턴(307a)을 형성한다. 이때, 상기 제1 감광막패턴 (307a)은 상기 제1 애노드전극(303a) 상부에 대응하여 위치하며, 제1 서브 픽셀영역(SP1)에 형성된다. 또한, 상기 제1 감광막패턴(307a)은 네거티브 특성을 지니고 있기 때문에 광이 조사된 제1 감광막 부분으로 구성된다. Subsequently, as shown in FIG. 8D, after irradiating light to the first photoresist film 307 by a photolithography process, the first photoresist film 307 is selectively patterned through a developing process to form a first sub-pixel region ( A first photosensitive film pattern 307a having a first opening 308 exposing the first anode electrode 303a of SP1 is formed. In this case, the first photoresist layer pattern 307a is positioned to correspond to the upper portion of the first anode electrode 303a and is formed in the first sub pixel area SP1. In addition, since the first photoresist layer pattern 307a has a negative characteristic, the first photoresist layer pattern 307a includes a portion of the first photoresist layer to which light is irradiated.

그 다음, 도 8e에 도시된 바와 같이, 노출된 상기 제1 에노드전극(303a) 및 뱅크막(305)을 포함한 제1 감광막패턴(307a) 상부에 제1 정공 주입층(309)과 제1 정공 수송층(311)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제1 정공주입층(309)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제1 정공수송층(311)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제1 애노드 전극(303a)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제 1 칼라 발광층(313)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.Next, as shown in FIG. 8E, the first hole injection layer 309 and the first hole are formed on the first photoresist layer pattern 307a including the exposed first anode electrode 303a and the bank layer 305. The hole transport layer 311 is sequentially stacked. In this case, the first hole injection layer 309 controls the concentration of the hole, the first hole transport layer 311 is the hole generated in the first anode electrode 303a by controlling the movement speed of the hole is a subsequent process It serves to be easily injected into the first color light emitting layer 313 to be formed in.

또한, 상기 제1 정공 주입층(309) 및 제1 정공 수송층(311)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.In addition, a photoreactive organic material (monomer or polymer) is used as the first hole injection layer 309 and the first hole transport layer 311.

특히, 상기 제1 정공주입층(309)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 또한, 상기 제1 정공수송층(209)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the first hole injection layer 309 is mainly formed by depositing copper phthalocyanine (Copper (II) Phthalocyanine), and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. In addition, the first hole transport layer 209 is mainly formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD), and has a thickness of about 10 to 30 nm. Is deposited.

이후, 상기 제1 정공 수송층(311a) 상부에 제1 칼라 발광층(313)을 형성한다. Thereafter, a first color light emitting layer 313 is formed on the first hole transport layer 311a.

이어서, 도 8f에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 공정에 의해, 상기 제1 감광막패턴(307a)과, 이 제1 감광막패턴(307a) 상부에 형성된 상기 제1 정공 주입층(309) 및 제1 정공 수송층(311)을 제거함으로써, 상기 제1 서브 픽셀영역 (SP1)에 위치하는 상기 제1 애노드전극(303a) 상부에 제1 정공 주입층패턴(309a), 제1 정공 수송층패턴(311a) 및 제1 칼라 발광층패턴(313a)을 형성한다. 이때, 상기 제1 칼라 발광층패턴(313a)은 적색(R) 발광층패턴으로 사용한다. Subsequently, as shown in FIG. 8F, the first photoresist layer pattern 307a and the first hole injection layer 309 formed on the first photoresist layer pattern 307a are formed by a lift off process. And by removing the first hole transport layer 311, a first hole injection layer pattern 309a and a first hole transport layer pattern (above) on the first anode electrode 303a positioned in the first sub pixel region SP1. 311a) and first color light emitting layer pattern 313a are formed. In this case, the first color light emitting layer pattern 313a is used as a red (R) light emitting layer pattern.

그 다음, 도 8g에 도시된 바와 같이, 상기 제1 정공 주입층패턴(309a), 제1 정공 수송층패턴(311a) 및 제1 칼라 발광층패턴(313a)을 포함한 TFT 어레이기판 (301) 전면에 제2 감광막(315)을 도포한다. 이때, 상기 제2 감광막(315)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다. 한편, 상기 제2 감광막(314)은 경우에 따라 광이 조사되는 부분이 제거되는 포지티브(positive) 특성을 가진 포토레지스트를 사용할 수도 있다. Next, as shown in FIG. 8G, the TFT array substrate 301 including the first hole injection layer pattern 309a, the first hole transport layer pattern 311a, and the first color light emitting layer pattern 313a may be formed on the entire surface of the TFT array substrate 301. 2 photosensitive film 315 is applied. In this case, the second photoresist layer 315 is a photoresist having a negative characteristic in which a portion to which light is irradiated remains. In some cases, the second photoresist layer 314 may use a photoresist having a positive characteristic in which a portion to which light is irradiated is removed.

이어서, 도 8h에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제2 감광막(315)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제2 감광막(315)을 선택적으로 패터닝하여 제2 서브 픽셀영역(SP2)의 제2 애노드전극(303a)을 노출시키는 제2 개구부(316)를 구비한 제2 감광막패턴(315a)을 형성한다. 이때, 상기 제2 감광막패턴(315a)은 상기 제2 애노드전극(303b) 상부에 대응하여 위치하며, 제2 서브 픽셀영역(SP1)에 형성된다. 또한, 상기 제2 감광막패턴(315a)은 네거티브 특성을 지니고 있기 때문에 광이 조사된 제1 감광막 부분으로 구성된다. Subsequently, as shown in FIG. 8H, after irradiating light to the second photoresist layer 315 by a photolithography process, the second photoresist layer 315 is selectively patterned through a developing process to form a second sub-pixel region ( A second photosensitive film pattern 315a having a second opening 316 exposing the second anode electrode 303a of SP2 is formed. In this case, the second photoresist layer pattern 315a is positioned to correspond to the upper portion of the second anode electrode 303b and is formed in the second sub pixel area SP1. In addition, since the second photoresist layer pattern 315a has negative characteristics, the second photoresist layer pattern 315a includes a portion of the first photoresist layer to which light is irradiated.

그 다음, 도 8i에 도시된 바와 같이, 노출된 상기 제2 에노드전극(303b) 및 뱅크막(305)을 포함한 제2 감광막패턴(315a) 상부에 제2 정공 주입층(317)과 제2 정공 수송층(319)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제2 정공주입층(317)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제2 정공수송층(319)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제2 애노드 전극(303a)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제 2 칼라 발광층(321)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.Next, as shown in FIG. 8I, the second hole injection layer 317 and the second hole are formed on the second photoresist layer pattern 315a including the exposed second anode electrode 303b and the bank layer 305. The hole transport layer 319 is sequentially stacked. In this case, the second hole injection layer 317 controls the concentration of holes, and the second hole transport layer 319 controls the movement speed of the holes so that the holes generated in the second anode electrode 303a are subsequently processed. It serves to be easily injected into the second color light emitting layer 321 to be formed in.

또한, 상기 제2 정공 주입층(317) 및 제1 정공 수송층(319)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.In addition, a photoreactive organic material (monomer or polymer) is used as the second hole injection layer 317 and the first hole transport layer 319.

특히, 상기 제2 정공주입층(317)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 또한, 상기 제2 정공수송층(319)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the second hole injection layer 317 is mainly formed by depositing copper phthalocyanine (Copper (II) Phthalocyanine), and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. In addition, the second hole transport layer 319 is mainly formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD), and has a thickness of about 10 to 30 nm. Is deposited.

이후, 상기 제2 정공 수송층(319) 상부에 제2 칼라 발광층(321)을 형성한다. Thereafter, a second color light emitting layer 321 is formed on the second hole transport layer 319.

이어서, 도 8j에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 공정에 의해, 상기 제2 감광막패턴(315a)과, 이 제2 감광막패턴(315a) 상부에 형성된 상기 제2 정공 주입층(317), 제2 정공 수송층(319) 및 제2 칼라 발광층(321)을 제거함으로써, 상기 제2 서브 픽셀영역 (SP1)에 위치하는 상기 제2 애노드전극(303b) 상부에 제2 정공 주입층패턴(317a), 제2 정공 수송층패턴(319a) 및 제2 칼라 발광층패턴(321a)을 형성한다. 이때, 상기 제2 칼라 발광층패턴(321a)은 녹색(G) 발광층패턴으로 사용한다. Subsequently, as illustrated in FIG. 8J, the second photoresist layer pattern 315a and the second hole injection layer 317 formed on the second photoresist layer pattern 315a are formed by a lift off process. By removing the second hole transport layer 319 and the second color light emitting layer 321, the second hole injection layer pattern 317a is disposed on the second anode electrode 303b positioned in the second sub pixel area SP1. ), A second hole transport layer pattern 319a and a second color light emitting layer pattern 321a are formed. In this case, the second color light emitting layer pattern 321a is used as the green (G) light emitting layer pattern.

그 다음, 도 8k에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2 칼라 발광층(313a, 321a)을 포함한 TFT 어레이기판)(301) 전면에, 제3 감광막(323)을 도포한다. 이때, 상기 제3 감광막(323)은 광이 조사되는 부분이 남게 되는 네거티브(negative) 특성을 가진 포토레지스트 (photo resist)이다. 한편, 상기 제3 감광막(323)은 경우에 따라 광이 조사되는 부분이 제거되는 포지티브(positive) 특성을 가진 포토레지스트를 사용할 수도 있다. Next, as shown in FIG. 8K, a third photosensitive film 323 is coated on the entire surface of the TFT array substrate 301 including the first and second color light emitting layers 313a and 321a. In this case, the third photoresist layer 323 is a photoresist having a negative characteristic in which a portion to which light is irradiated remains. In some embodiments, the third photoresist layer 323 may use a photoresist having a positive characteristic in which a portion to which light is irradiated is removed.

이어서, 도 8l에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제3 감광막(323)에 광을 조사한 후, 현상 공정을 통해 상기 제3 감광막(323)을 선택적으로 패터닝하여 제3 서브 픽셀영역(SP3)의 제3 애노드전극(303b)을 노출시키는 제3 개구부(324)를 구비한 제3 감광막패턴(323a)을 형성한다. 이때, 상기 제3 감광막패턴(323a)은 상기 제3 애노드전극(303c) 상부에 대응하여 위치하며, 제3 서브 픽셀영역(SP3)에 형성된다. 또한, 상기 제3 감광막패턴(323a)은 네거티브 특성을 지니고 있기 때문에 광이 조사된 제1 감광막 부분으로 구성된다. Subsequently, as shown in FIG. 8L, after irradiating light to the third photoresist layer 323 by a photolithography process, the third photoresist layer 323 is selectively patterned through a developing process to form a third sub-pixel region ( A third photoresist pattern 323a having a third opening 324 exposing the third anode electrode 303b of SP3 is formed. In this case, the third photoresist layer pattern 323a is positioned to correspond to the upper portion of the third anode electrode 303c and is formed in the third sub pixel area SP3. In addition, since the third photoresist layer pattern 323a has a negative characteristic, the third photoresist layer pattern 323a includes a portion of the first photoresist layer to which light is irradiated.

그 다음, 도 8m에 도시된 바와 같이, 노출된 상기 제3 에노드전극(303c) 및 뱅크막(305)을 포함한 제3 감광막패턴(323a) 상부에 제3 정공 주입층(325)과 제3 정공 수송층(327)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 제3 정공주입층(325)은 정공의 농도를 조절하고, 상기 제3 정공수송층(327)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 상기 제3 애노드 전극(303c)에서 발생된 정공이 후속 공정에서 형성될 제 3 칼라 발광층(329)에 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.Next, as shown in FIG. 8M, a third hole injection layer 325 and a third layer are disposed on the third photoresist layer pattern 323a including the exposed third anode electrode 303c and the bank layer 305. The hole transport layer 327 is sequentially stacked. In this case, the third hole injection layer 325 adjusts the concentration of holes, and the third hole transport layer 327 controls the movement speed of the holes so that the holes generated in the third anode electrode 303c are subsequently processed. Serves to easily inject into the third color light emitting layer 329 to be formed in the.

또한, 상기 제3 정공 주입층(325) 및 제3 정공 수송층(325)으로는 광반응성 유기물질(단분자 또는 고분자)을 사용한다.In addition, a photoreactive organic material (monomer or polymer) is used as the third hole injection layer 325 and the third hole transport layer 325.

특히, 상기 제3 정공주입층(325)은 주로 코퍼프탈로시아나인 (Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. 또한, 상기 제3 정공수송층(327)은 주로 N, N-di (naphthalen-1-yl)-N, N'-diphenylbenzidine(NPD)를 증착함으로써 형성되며, 약 10∼30 nm의 두께를 가지도록 증착된다. In particular, the third hole injection layer 325 is mainly formed by depositing copper phthalocyanine (Copper (II) Phthalocyanine), and is deposited to have a thickness of about 10 to 30 nm. In addition, the third hole transport layer 327 is mainly formed by depositing N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPD), and has a thickness of about 10 to 30 nm. Is deposited.

이후, 상기 제3 정공 수송층(327) 상부에 제3 칼라 발광층(329)을 형성한다. Thereafter, a third color emission layer 329 is formed on the third hole transport layer 327.

이어서, 도 8n에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 공정에 의해, 상기 제3 감광막패턴(323a)과, 이 제3 감광막패턴(323a) 상부에 형성된 상기 제3 정공 주입층(325), 제3 정공 수송층(327) 및 제3 칼라 발광층(329)을 제거함으로써, 상기 제3 서브 픽셀영역 (SP3)에 위치하는 상기 제3 애노드전극(303c) 상부에 제3 정공 주입층패턴(325a), 제3 정공 수송층패턴(327a) 및 제3 칼라 발광층패턴(329a)을 형성한다. 이때, 상기 제3 칼라 발광층패턴(329a)은 청색(B) 발광층패턴으로 사용한다. Subsequently, as shown in FIG. 8N, the third photoresist pattern 323a and the third hole injection layer 325 are formed on the third photoresist pattern 323a by a lift off process. The third hole injection layer pattern 325a is disposed on the third anode electrode 303c positioned in the third sub pixel area SP3 by removing the third hole transport layer 327 and the third color light emitting layer 329. ), A third hole transport layer pattern 327a and a third color light emitting layer pattern 329a are formed. In this case, the third color light emitting layer pattern 329a is used as the blue (B) light emitting layer pattern.

한편, 본 발명의 다른 실시 예는, 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(311a, 319a, 327a)의 두께를 다르게 형성하는 경우에 대해 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 제1, 2, 3 정공주입층패턴(309a, 317a, 325a)의 두께를 다르게 형성하거나, 또는 이들 제1, 2, 3 정공주입층패턴(309a, 317a, 325a)의 두께는 물론 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(311a, 319a, 327a)의 두께를 다르게 형성할 수도 있다.Meanwhile, another embodiment of the present invention describes a case in which the thicknesses of the first, second, and third hole transport layer patterns 311a, 319a, and 327a are differently formed, but in some cases, the first, second, and third holes The thickness of the injection layer patterns 309a, 317a, and 325a may be formed differently, or the first, second, and third hole transport layer patterns may be formed as well as the thicknesses of the first, second, and third hole injection layer patterns 309a, 317a, and 325a. The thicknesses of 311a, 319a, and 327a may be formed differently.

그 다음, 도 8o에 도시된 바와 같이, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층(313a, 321a, 329a)을 포함한 TFT 어레이기판(301)의 전면에 전자 수송층(331)과 전자 주입층(333)을 차례로 형성한다.Next, as shown in FIG. 8O, the electron transport layer 331 and the electron injection layer 333 are formed on the entire surface of the TFT array substrate 301 including the first, second, and third color light emitting layers 313a, 321a, and 329a. Form in turn.

이어서, 상기 전자 주입층(333) 상부에 투명 도전성 물질을 증착하여, 캐소드 전극(335)을 형성한다. 이때, 상기 투명 전도성 물질로는 인듐주석산화물 (Indium Tin Oxide; ITO), 주석산화물(Tin Oxide; TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide; IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO)과 같은 투명 도전막으로 구성할 수 있다.Subsequently, a transparent conductive material is deposited on the electron injection layer 333 to form the cathode electrode 335. In this case, the transparent conductive material may be indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO). It is possible to comprise a transparent conductive film such as).

상기에서와 같이, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 발광층인 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(313a, 321a, 329a)의 파장에 맞게 그 하부 영역의 제1, 2, 3 정공 수송층패턴(311a, 319a, 327a)의 각 두께(t1, t2, t3), 즉 t1> t2> t3와 같이 다르게 하여, 발광하는 파장의 광학 길이(OL1, OL2, OL3)를 조정함으로써 발광하는 파장의 색 순도와 광 효율을 증가시킬 수 있다.As described above, the first and second parts of the lower region are adapted to the wavelengths of the first, second, and third color light emitting layer patterns 313a, 321a, and 329a, which are red (R), green (G), and blue (B) color light emitting layers. By adjusting the optical lengths (OL1, OL2, OL3) of the wavelengths to be emitted by varying the thicknesses t1, t2, t3, that is, t1> t2> t3, of the three hole transport layer patterns 311a, 319a, and 327a. The color purity and the light efficiency of the wavelength to emit light can be increased.

이러한 탑 에미팅 방식의 소자에서 빛이 나오는 경로는 크게 보았을 때 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴(313a, 321a, 329a)으로부터 캐소드 전극(335)을 통해 직접 나오는 것과, 제1, 2, 3 애노드 전극(303a, 303b, 303c)을 통해 반사되어 반투명전극인 캐소드 전극(335)을 통해 다시 나오는 것이 있다.When the light emitting path of the top emitting device is large, the first, second, and third color light emitting layer patterns 313a, 321a, and 329a are directly emitted through the cathode electrode 335, and the first, second, and third. Some are reflected through the anode electrodes 303a, 303b, and 303c, and come out again through the cathode electrode 335 which is a translucent electrode.

상기에서 설명한 바와 같이, 상기 탑 에미팅 방식의 유기발광소자의 경우, 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 제1, 2, 3 칼라발광층패턴(313a, 321a, 329a) 하부의 정공 수송층패턴(311a, 319a, 327a)의 두께(t1, t2, t3)를 각 파장에 맞게 다르게 형성함으로써, 반사되어 방출되는 광패스 길이(Optical path length)를 각 서브 픽셀영역(SP1, SP2, SP3) 별로 다르게 하여 마이크로 캐비티(microcavity) 효과를 구현할 수 있게 된다.As described above, in the case of the top emitting organic light emitting device, the hole transport layer pattern (below the first, second, and third color light emitting layer patterns 313a, 321a, and 329a) in the first, second, and third subpixel areas. By forming the thicknesses t1, t2, and t3 of 311a, 319a, and 327a differently for each wavelength, the optical path length reflected and emitted is different for each subpixel region SP1, SP2, SP3. By doing so, the microcavity effect can be realized.

또한, 본 발명에 따른 유기발광소자 및 그 제조방법은 포토리소그라피 패터닝 기술을 이용하여 유기발광층 뿐만 아니라 정공주입층 또는 정공주입층 및 정공 수송층을 동시에 패터닝이 가능하기 때문에 고해상도의 탑 마이크로캐비티 유기발광소자(microcavity OLED) 소자 구현이 가능하다.In addition, the organic light emitting device according to the present invention and a method for manufacturing the same are capable of simultaneously patterning not only an organic light emitting layer but also a hole injection layer or a hole injection layer and a hole transporting layer using photolithography patterning technology, and thus, a high-resolution top microcavity organic light emitting device (microcavity OLED) device can be implemented.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments.

따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Accordingly, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also within the scope of the present invention.

101: TFT 어레이기판 103a, 103b, 103c: 애노드전극
105: 뱅크막 107a, 115a, 123a: 제1, 2, 3 정공주입층패턴
109a, 117a, 125a: 정공수송층패턴
111a, 119a, 127a: 제1, 2, 3 칼라 발광층패턴
129: 전자수송층 131: 전자주입층
133: 캐소드전극 101: TFT array substrate 103a, 103b, 103c: anode electrode
105: bank films 107a, 115a, and 123a: first, second and third hole injection layer patterns
109a, 117a, 125a: hole transport layer pattern
111a, 119a, and 127a: first, second, and third color light emitting layer patterns
129: electron transport layer 131: electron injection layer
133: cathode electrode

Claims (14)

제1, 2, 3 서브 픽셀영역을 한 단위로 구동하는 픽셀영역이 정의되고, 각 픽셀영역마다 TFT가 형성된 TFT 어레이기판;
상기 TFT 어레이기판의 제1, 2, 3 픽셀 영역에 각각 형성된 제1, 2, 3 애노드전극;
상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 대응되는 상기 제1, 2, 3 애노드전극 상부에 제1, 2, 3 칼라 발광층을 구비하며, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층 각각의 하부의 제1, 2, 3 정공주입층과 제1, 2, 3 정공수송층 중 적어도 한 층은 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에서 서로 다른 두께를 갖도록 형성된 제1, 2, 3 유기물층; 및
상기 제1, 2, 3 유기물층 상에 형성된 캐소드전극;을 포함하여 구성되는 유기발광소자.A TFT array substrate defining a pixel region for driving the first, second, and third subpixel regions in one unit, wherein TFTs are formed in each pixel region;
First, second and third anode electrodes respectively formed in the first, second and third pixel areas of the TFT array substrate;
First, second and third color light emitting layers are disposed on the first, second and third anode electrodes corresponding to the first, second and third subpixel areas, and are formed under the first, second and third color light emitting layers. At least one of the first, second, and third hole injection layers and the first, second, and third hole transport layers may include: first, second, and third organic material layers formed to have different thicknesses in the first, second, and third subpixel regions; And
And a cathode electrode formed on the first, second and third organic material layers. 제1 항에 있어서, 상기 제1 칼라 발광층 하부의 제1 정공수송층의 두께는 상기 제2 칼라 발광층 하부의 제2 정공수송층의 두께보다 두껍고, 상기 제2 칼라 발광층 하부의 제2 정공수송층의 두께는 상기 제3 칼라 발광층의 제3 정공수송층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The thickness of the first hole transport layer under the first color light emitting layer is thicker than the thickness of the second hole transport layer under the second color light emitting layer, and the thickness of the second hole transport layer under the second color light emitting layer is The organic light emitting device, characterized in that thicker than the thickness of the third hole transport layer of the third color light emitting layer. 제1 항에 있어서, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층은 적색(R), 녹색(G), 청색(G) 발광층인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The organic light emitting device of claim 1, wherein the first, second, and third color light emitting layers are red (R), green (G), and blue (G) light emitting layers. 제1 항에 있어서, 상기 제1, 2, 3 애노드전극들의 일 영역이 평탄하게 노출되도록 상기 TFT 어레이기판 상에 뱅크막이 더 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The organic light emitting diode of claim 1, wherein a bank layer is further formed on the TFT array substrate such that one region of the first, second, and third anode electrodes is flatly exposed. 제1 항에 있어서, 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에서의 제1, 2, 3 유기물층 간 광학 길이(OL1, OL2, OL3)은 제1 유기물층의 광학 길이(OL1) > 제2 유기물층의 광학 길이(OL2) > 제3 유기물층의 광학 길이(OL3)인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.2. The optical lengths OL1, OL2, and OL3 of the first, second, and third organic layer in the first, second, and third subpixel regions are equal to the optical lengths of the first organic layer. Optical length (OL2)> The organic light emitting device, characterized in that the optical length (OL3) of the third organic material layer. TFT 어레이 기판에 정의된 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에 각각 제1, 2, 3 애노드전극을 형성하는 단계;
상기 TFT 어레이기판의 제1 서브 픽셀영역에 제1 정공주입층과 제1 정공수송층과 제1 칼라 발광층을 형성하는 단계;
상기 TFT 어레이기판의 제2 서브 픽셀영역에 상기 제1 정공주입층과 제1 정공수송층 중 적어도 하나의 층과 서로 다른 두께를 갖는 제2 정공주입층과 제2 정공수송층 및 제2 칼라 발광층을 형성하는 단계;
상기 TFT 어레이기판의 제3 서브 픽셀영역에 상기 제1 정공주입층 및 제2 정공수송층 중 적어도 하나의 층과, 상기 제2 정공주입층 및 제2 정공수송층 중 적어도 하나의 층과 서로 다른 두께를 갖는 제3 정공주입층과 제3 정공수송층 및 제3 칼라 발광층을 형성하는 단계;
상기 제1, 2, 3 칼라발광층을 포함한 상기 TFT 어레이 기판상에 전자수송층과 전자주입층을 적층시키는 단계;
상기 전자주입층 상에 캐소드전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 유기발광소자 제조방법.Forming first, second and third anode electrodes in the first, second and third sub pixel regions defined in the TFT array substrate, respectively;
Forming a first hole injection layer, a first hole transport layer, and a first color light emitting layer in a first sub pixel area of the TFT array substrate;
A second hole injection layer, a second hole transport layer, and a second color light emitting layer having different thicknesses from at least one of the first hole injection layer and the first hole transport layer are formed in a second sub pixel area of the TFT array substrate. Doing;
A thickness different from at least one layer of the first hole injection layer and the second hole transport layer and at least one layer of the second hole injection layer and the second hole transport layer may be formed in the third sub pixel area of the TFT array substrate. Forming a third hole injection layer, a third hole transport layer, and a third color light emitting layer;
Stacking an electron transport layer and an electron injection layer on the TFT array substrate including the first, second, and third color light emitting layers;
And forming a cathode on the electron injection layer. 제6 항에 있어서, 상기 제1 칼라 발광층 하부의 제1 정공수송층의 두께는 상기 제2 칼라 발광층 하부의 제2 정공수송층의 두께보다 두껍고, 상기 제2 칼라 발광층 하부의 제2 정공수송층의 두께는 상기 제3 칼라 발광층의 제3 정공수송층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method of claim 6, wherein the thickness of the first hole transport layer below the first color light emitting layer is thicker than the thickness of the second hole transport layer below the second color light emitting layer, and the thickness of the second hole transport layer below the second color light emitting layer is The organic light emitting device manufacturing method, characterized in that the thickness of the third hole transport layer of the third color light emitting layer. 제6 항에 있어서, 상기 제1, 2, 3 칼라 발광층은 적색(R), 녹색(G), 청색(G) 발광층인 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method of claim 6, wherein the first, second, and third color light emitting layers are red (R), green (G), and blue (G) light emitting layers. 제6 항에 있어서, 상기 제1, 2, 3 애노드전극들의 일 영역이 평탄하게 노출되도록 상기 TFT 어레이기판 상에 뱅크막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.7. The method of claim 6, further comprising forming a bank film on the TFT array substrate such that one region of the first, second, and third anode electrodes is flatly exposed. 제6 항에 있어서, 상기 제1, 2, 3 서브 픽셀영역에서의 제1, 2, 3 유기물층 간 광학 길이(OL1, OL2, OL3)은 제1 유기물층의 광학 길이(OL1) > 제2 유기물층의 광학 길이(OL2) > 제3 유기물층의 광학 길이(OL3)인 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법. The optical lengths OL1, OL2, and OL3 of the first, second, and third organic layer in the first, second, and third subpixel regions are equal to the optical lengths of the first organic layer (OL1)> of the second organic layer. Optical length (OL2)> The organic light emitting device manufacturing method, characterized in that the optical length (OL3) of the third organic material layer. 제6 항에 있어서, 상기 제1 정공주입층과 제1 정공수송층과 제1 칼라 발광층을 형성하는 단계, 상기 제2 정공주입층과 제2 정공수송층과 제2 칼라 발광층을 형성하는 단계 및, 상기 제3 정공주입층과 제3 정공수송층과 제3 칼라 발광층을 형성하는 단계 중 적어도 한 단계는, 건식 식각(dry etch) 공정 또는 리프트오프(lift off) 공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method of claim 6, further comprising: forming the first hole injection layer, the first hole transport layer, and the first color light emitting layer, forming the second hole injection layer, the second hole transport layer, and the second color light emitting layer; At least one of the steps of forming the third hole injection layer, the third hole transport layer and the third color light emitting layer is a dry etch process or a lift off process, characterized in that the organic light emitting device Manufacturing method. 제11 항에 있어서, 상기 제1 정공주입층과 제1 정공수송층과 제1 칼라 발광층을 형성하는 단계와 상기 제2 정공주입층과 제2 정공수송층과 제2 칼라 발광층을 형성하는 단계는 건식 식각(dry etch) 공정으로 이루어지며, 상기 제3 정공주입층과 제3 정공수송층과 제3 칼라 발광층을 형성하는 단계는 리프트오프(lift off) 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method of claim 11, wherein the forming of the first hole injection layer, the first hole transport layer, and the first color light emitting layer, and the forming of the second hole injection layer, the second hole transport layer, and the second color light emitting layer are dry etching. forming a third hole injection layer, a third hole transport layer, and a third color light emitting layer by a lift-off process. 제11 항에 있어서, 상기 제1 정공주입층과 제1 정공수송층과 제1 칼라 발광층을 형성하는 단계와, 상기 제2 정공주입층과 제2 정공수송층과 제2 칼라 발광층을 형성하는 단계 및, 상기 제3 정공주입층과 제3 정공수송층과 제3 칼라 발광층을 형성하는 단계는 건식 식각(dry etch) 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method of claim 11, further comprising: forming the first hole injection layer, the first hole transport layer, and the first color light emitting layer, forming the second hole injection layer, the second hole transport layer, and the second color light emitting layer; Forming the third hole injection layer, the third hole transport layer and the third color light emitting layer is a method of manufacturing an organic light emitting device, characterized in that the dry etching (dry etch) process. 제11 항에 있어서, 상기 제1 정공주입층과 제1 정공수송층과 제1 칼라 발광층을 형성하는 단계와, 상기 제2 정공주입층과 제2 정공수송층과 제2 칼라 발광층을 형성하는 단계 및, 상기 제3 정공주입층과 제3 정공수송층과 제3 칼라 발광층을 형성하는 단계는 리프트오프(lift off) 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method of claim 11, further comprising: forming the first hole injection layer, the first hole transport layer, and the first color light emitting layer, forming the second hole injection layer, the second hole transport layer, and the second color light emitting layer; The forming of the third hole injection layer, the third hole transport layer, and the third color light emitting layer may include a lift off process.
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