JP2010238677A - Display element and display apparatus - Google Patents

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    • H01L51/5262Arrangements for extracting light from the device
    • H01L51/5265Arrangements for extracting light from the device comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display element for improving a viewing angle characteristic without deteriorating external light contrast, and a display apparatus using the display element. <P>SOLUTION: Organic light emitting elements 10R, 10G and 10B have a resonator structure in which an end surface of a first electrode 15 at a light emitting layer 18C side is a first end part P1 and an end surface of a second electrode 19 at the light emitting layer 18C side is a second end part P2. The first electrode 15 is formed on a concavo-convex structure 61 and the first end part P1 includes a continuous concavo-convex shape corresponding to the concavo-convex structure 61. This concavo-convex shape is imbedded and flattened by a distance adjusting layer 17, so that the second end part P2 is made flat and optical distance between the first end part P1 and the second end part P2 is continuously changed. The peak wavelengths of taken out spectra of light differ according to the optical distance and a half value width of the spectrum synthesized from the taken out spectra becomes wide, so that the viewing angle characteristic is improved. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機発光素子のような自発光型の表示素子および表示装置に係り、特に共振器構造を有する表示素子および表示装置に関する。 The present invention relates to a self-luminous display device and a display device such as an organic light emitting device, particularly to a display device and a display device having a resonator structure.

近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機発光素子を用いた有機ELディスプレイが実用化されている。 Recently, as a display device in place of the liquid crystal display, an organic EL display has been put into practical use using an organic light emitting element. 有機ELディスプレイは、自発光型であるので、液晶などに比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられている。 The organic EL display are the self-luminous, such as a wide viewing angle compared liquid crystal, also thought to have a sufficient response to high-definition high-speed video signals.

これまで、有機発光素子については、共振器構造を導入することによって、発光色の色純度を向上させたり、発光効率を高めるなど、発光層で発生する光を制御する試みが行われてきた(例えば、特許文献1参照)。 Previously, for the organic light-emitting device, by introducing a resonator structure, or to improve the color purity of the luminescent color, etc. increase the luminous efficiency, an attempt to control the light generated in the light emitting layer have been conducted ( For example, see Patent Document 1).

国際公開第01/39554号パンフレット WO 01/39554 pamphlet 特開平9−190883号公報 JP-9-190883 discloses 特開2006−32327号公報 JP 2006-32327 JP

しかしながら、このように有機発光素子に共振器構造を設けると、共振された光のスペクトルはピークが高く幅が狭いので、表示画面に対して正面方向の光取り出し効率が向上する一方、画面を斜めから見た場合には発光波長が大きくシフトしたり発光強度が低下するという問題があった。 However, in this way the organic light emitting device providing a resonator structure, since the spectrum of resonant light is narrow high width peak, while the light coupling efficiency is improved in the front direction with respect to the display screen, diagonal screen It shifts the emission wavelength is large when viewed from or luminous intensity is lowered. すなわち、従来では、画面を視る角度により輝度の差異や色ずれが生じ、視野角特性の悪化や画像品位の低下などを招いてしまうという問題があった。 That is, in the conventional, differences and color shift of the luminance by the angle viewing the screen occurs, disadvantageously inviting such as reduced deterioration and image quality of the viewing angle characteristics.

ちなみに、従来では、有機発光素子の視野角特性を改善するため、透明基板に凹面構造や光拡散層、光屈折層を形成することにより、光の出射方向を拡散させ、光の指向性を平均化することで視野角の拡大を図ろうとした試みがある(例えば、特許文献2参照。)。 Incidentally, conventionally, for improving the viewing angle characteristics of the organic light emitting element, a concave structure and the light diffusing layer on a transparent substrate, by forming a photorefractive layer, a light emitting direction is diffused, the average directivity of light there are attempts and attempt is made to expand the viewing angle by reduction (e.g., see Patent Document 2.). しかし、この従来方法では、透明基板に形成した凹面構造や光拡散層、光屈折層により外光も散乱され、外光コントラストが著しく悪化してしまうという問題が生じていた。 However, this conventional method, the concave structure and the light diffusing layer formed on the transparent substrate, is also scattered external light by the light refraction layer, a problem that the external light contrast is remarkably deteriorated had occurred.

なお、特許文献3では、金属反射膜と透明導電膜との積層電極を用い、透明導電膜の厚みを変えることにより一つの素子内で光学的距離の異なる複数の共振器構造を設けることが提案されている。 Incidentally, it proposed to Patent In Document 3, a laminated electrode with the metal reflective layer and a transparent conductive film, provided with a plurality of resonator structure having different optical distance in one device by changing the thickness of the transparent conductive film It is. しかしながら、特許文献3の構造では、透明導電膜が必須となることに加えて一つの素子内で透明導電膜の厚みを変更する必要があり、そのための成膜およびパターニング工程が増加し、製造コストが上昇してしまうという問題があった。 However, in the structure of Patent Document 3, it is necessary to transparent conductive films to change the thickness of the transparent conductive film in one element in addition to the essential, the deposition and patterning steps for the increased production costs but there is a problem that rises. また、透明導電膜の厚みが変化する段差部は、非発光欠陥などの原因となりやすかった。 Further, stepped portion thickness of the transparent conductive film is changed, apt cause such non-light emitting defects. その対策として段差部を絶縁膜で覆うことも考えられるが、開口率の低下を生じてしまっていた。 The stepped portion is conceivable covered with the insulating film as a countermeasure, had gotten caused a decrease in aperture ratio.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、外光コントラストを悪化させることなく視野角特性を向上させることができる表示素子および表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, its object is to provide a display device and a display device can be improved viewing angle characteristics without deteriorating the external light contrast.

本発明による第1の表示素子は、基板上に、第1電極,発光層を含む有機層および第2電極を順に備えると共に、発光層で発生した光を第1端部と第2端部との間で共振させる共振器構造を有するものであって、第1電極の発光層側の端面は、段差形状を有する第1端部となっており、第1電極と第2電極との間に、段差形状を埋め込むと共に第2電極側に平坦な表面を有する距離調整層が設けられることにより、第2端部が平坦になると共に、段差形状に応じて第1端部と第2端部との間の光学的距離が異なっているものである。 A first display device according to the invention, on a substrate, a first electrode, an organic layer and a second electrode including a light emitting layer together with the sequentially provided, the light generated in the light emitting layer and the first and second ends be one having a resonator structure that resonates between the end face of the light-emitting layer side of the first electrode is a first end portion having a stepped shape, between the first electrode and the second electrode by distance adjustment layer having a flat surface on the second electrode side buries the stepped shape is provided, with the second end portion becomes flat, a first end portion in response to the stepped shape and a second end in which the optical distance between is different.

本発明による第1の表示装置は、上記本発明の第1の表示素子を備えたものである。 The first display device of the present invention is provided with a first display device of the present invention.

本発明による第1の表示素子、または本発明による第1の表示装置では、共振器構造の第1端部が段差形状を有しており、この段差形状が距離調整層によって埋め込まれ平坦化されることにより、第1端部と第2端部との間の光学的距離に段差形状に応じた差が生じているので、取り出される光のスペクトルのピーク波長が光学的距離に応じて異なっており、それらを合成したスペクトルの半値幅が広くなり、視野角特性が向上する。 In the first display in the first display device or the present invention, according to the present invention, the first end has a step shape of the resonator structure, the step shape is buried by the distance adjustment layer is planarized the Rukoto, the difference corresponding to the stepped shape optical distance between the first end and the second end portion is generated, the peak wavelength of the spectrum of extracted light differently depending on the optical distance cage, their half-width of the spectrum obtained by synthesizing becomes wide viewing angle characteristics are improved.

本発明による第2の表示素子は、基板上に、第1電極,発光層を含む有機層および第2電極を順に備えると共に、発光層で発生した光を第1端部と第2端部との間で共振させる共振器構造を有するものであって、第1電極の発光層側の端面は、連続的な凹凸形状を有する第1端部となっており、第1電極と第2電極との間に、凹凸形状を埋め込むと共に第2電極側に平坦な表面を有する距離調整層が設けられることにより、第2端部が平坦になると共に、凹凸形状に応じて第1端部と第2端部との間の光学的距離が連続的に変化しているものである。 A second display device according to the invention, on a substrate, a first electrode, an organic layer and a second electrode including a light emitting layer together with the sequentially provided, the light generated in the light emitting layer and the first and second ends be one having a resonator structure that resonates between the end face of the light-emitting layer side of the first electrode is a first end portion having a continuous concave-convex shape, and the first electrode and the second electrode between, by distance adjustment layer having a flat surface on the second electrode side buries the irregularities are provided, with the second end portion becomes flat, a first end portion in response to irregularities second in which the optical distance between the end portion is continuously changed.

本発明による第2の表示装置は、上記本発明の第2の表示素子を備えたものである。 A second display device according to the present invention has a second display device of the present invention.

本発明による第2の表示素子、または本発明による第2の表示装置では、共振器構造の第1端部が連続的な凹凸形状を有しており、この凹凸形状が距離調整層によって埋め込まれ平坦化されることにより、第1端部と第2端部との間の光学的距離が連続的に変化しているので、取り出される光のスペクトルのピーク波長が光学的距離に応じて連続的に変化し、それらを合成したスペクトルの半値幅が広くなり、視野角特性が向上する。 A second display device according to the second display element or the present invention, according to the invention, the first end of the resonator structure has a continuous concave-convex shape, the concavo-convex shape is buried by the distance adjustment layer by being flattened, the optical distance between the first end and the second end portion is continuously changed, continuously peak wavelength of the spectrum of the light in response to the optical distance to be taken out changes to their half width of the spectrum obtained by synthesizing becomes wide viewing angle characteristics are improved.

本発明の第3の表示装置は、基板上に、第1電極,発光層を含む有機層および第2電極を順に備えると共に、発光層で発生した光を第1端部と第2端部との間で共振させる共振器構造を有する表示素子を含む複数の画素を備えたものであって、表示素子のうち隣り合う画素に含まれると共に発光層の発光波長が同一である少なくとも二つの表示素子では第1端部と第2端部との間の光学的距離が互いに異なっているものである。 Third display device of the present invention, on a substrate, a first electrode, an organic layer and a second electrode including a light emitting layer together with the sequentially provided, the light generated in the light emitting layer and the first and second ends be those having a plurality of pixels including a display element having a resonator structure that resonates between the at least two display elements emission wavelength of the light emitting layer are the same with included in adjacent pixels in the display device in one in which the optical distance between the first end and the second end portion are different from each other.

本発明による第3の表示装置では、表示素子のうち隣り合う画素に含まれると共に発光層の発光波長が同一である少なくとも二つの表示素子において、共振器構造の第1端部と第2端部との間の光学的距離が互いに異なっているので、各表示素子から取り出される光は、発光色が同一でありつつそのスペクトルのピーク波長が異なる。 In the third display device according to the present invention, in at least two display elements emission wavelength of the light emitting layer are the same as would fall in the adjacent pixels of the display device, first and second ends of the resonator structure since the optical distance between are different from each other and that the light extracted from each of the display elements, the peak wavelength of the spectrum is different emission colors while still allowing the same. よって、これらの表示素子が同時に発光した場合には、合成スペクトルの半値幅が拡がり、視野角特性が向上する。 Therefore, if these display elements emits light simultaneously, the half-value width of the composite spectrum is spread, the viewing angle characteristics are improved.

本発明の第1の表示素子、または本発明の第1の表示装置によれば、共振器構造の第1端部が段差形状を有するようにし、この段差形状を距離調整層によって埋め込み平坦化することにより、第1端部と第2端部との間の光学的距離に段差形状に応じた差を生じさせるようにしたので、取り出される光のスペクトルのピーク波長を光学的距離に応じて異ならせ、それらを合成したスペクトルの半値幅を広くすることができ、視野角特性を向上させることができる。 According to the first display device of the first display device or the present invention, the present invention, the first end of the resonator structure to have a stepped shape, planarized buried this step shape by the distance adjustment layer it by. Thus produce a difference corresponding to the stepped shape optical distance between the first and second ends, different in accordance with the peak wavelength of the spectrum of light extracted to the optical distance so, they can be widened half width of the synthesized spectrum, thereby improving the viewing angle characteristics.

本発明の第2の表示素子、または本発明の第2の表示装置によれば、共振器構造の第1端部が連続的な凹凸形状を有するようにし、この凹凸形状を距離調整層によって埋め込み平坦化することにより、第1端部と第2端部との間の光学的距離を連続的に変化させるようにしたので、取り出される光のスペクトルのピーク波長を光学的距離に応じて連続的に変化させ、それらを合成したスペクトルの半値幅を広くすることができ、視野角特性を向上させることができる。 According to the second display device of the second display device or the present invention, the present invention, as the first end of the resonator structure has a continuous concave-convex shape, embedded with this irregular shape by the distance adjustment layer by flattening, since so as to continuously change the optical distance between the first and second ends, continuous peak wavelength of the spectrum of light depending on the optical distance to be taken varied, they can be widened half width of the synthesized spectrum, thereby improving the viewing angle characteristics.

本発明の第3の表示装置によれば、表示素子のうち隣り合う画素に含まれると共に発光層の発光波長が同一である少なくとも二つの表示素子において、共振器構造の第1端部と第2端部との間の光学的距離を互いに異ならせるようにしたので、発光波長の同じ表示素子から取り出される光のスペクトルのピーク波長を異ならせることができ、視野角特性を向上させることができる。 According to the third display device of the present invention, at least two display elements emission wavelength of the light emitting layer are the same as would fall in the adjacent pixels of the display device, the resonator first end of the structure and the second since so as to vary the optical distance between the end portion to each other, it is possible to vary the peak wavelength of the spectrum of light extracted from the same display device of the emission wavelength, it is possible to improve the viewing angle characteristics.

また、本発明の第1ないし第3のいずれの表示素子または表示装置によっても、従来のように透明基板に凹面構造や光拡散層、光屈折層など外光を散乱させるおそれのある構造を形成する必要がなくなるので、外光コントラストの悪化を引き起こすことがなく、更に製造コストの点でも有利である。 Further, the first to be by a third one of the display device or the display device of the present invention, the concave structure and the light diffusing layer in the conventional transparent substrate as in the structure that may that scatters external light such as light refraction layer formed the need to have eliminated, without causing deterioration of the external light contrast, it is advantageous in further view of production cost.

本発明の第1の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 It is a diagram illustrating a configuration of a display device according to a first embodiment of the present invention. 図1に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 Is a diagram illustrating an example of a pixel drive circuit illustrated in FIG. 図1に示した表示領域の構成を表す平面図である。 It is a plan view illustrating a configuration of a display region shown in FIG. 図3に示した有機発光素子の構成を表す平面図である。 It is a plan view illustrating a structure of an organic light emitting device shown in FIG. 図3に示した有機発光素子の構成を表す断面図である。 It is a cross sectional view illustrating a structure of an organic light emitting device shown in FIG. ΔLを変えた場合の共振器フィルタのスペクトルを表す図である。 Is a diagram representing the spectrum of the resonator filter when changing the [Delta] L. ΔLを変えた場合の視野角による輝度の変化を表す図である。 A graph showing a change in luminance due to the viewing angle when changing the [Delta] L. ΔLを変えた場合の視野角による色差Δu'v'を表す図である。 Is a diagram representing the color difference [Delta] u'v 'according to the viewing angle when changing the [Delta] L. 図5に示した有機発光素子の他の構成例を表す断面図である。 It is a sectional view showing another configuration example of the organic light emitting device shown in FIG. 図1に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 Manufacturing method of the display device shown in FIG. 1 is a cross-sectional diagram illustrating a sequence of steps. 図10に続く工程を表す断面図である。 It is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 図11に続く工程を表す断面図である。 It is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 本発明の第2の実施の形態に係る表示装置に用いられる有機発光素子の構成を表す断面図である。 It is a cross sectional view illustrating a structure of an organic light emitting device for use in a display device according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第3の実施の形態に係る表示装置に用いられる有機発光素子の構成を表す断面図である。 It is a cross-sectional view illustrating a structure of a third organic light emitting device used for a display device according to an embodiment of the present invention. 図14に示した有機発光素子の他の構成例を表す断面図である。 It is a sectional view showing another configuration example of the organic light emitting device shown in FIG. 14. 本発明の第4の実施の形態に係る表示装置に用いられる有機発光素子の構成を表す断面図である。 It is a sectional view showing a configuration of a fourth organic light emitting device used for a display device according to an embodiment of the present invention. 図16に示した有機発光素子の他の構成を表す断面図である。 It is a sectional view showing another configuration of the organic light emitting device shown in FIG. 16. 図16に示した有機発光素子の更に他の構成を表す断面図である。 It is a sectional view showing still another configuration of the organic light emitting device shown in FIG. 16. 図16に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 Manufacturing method of the display device shown in FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating a sequence of steps. 図19に続く工程を表す断面図である。 It is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 19. 図17に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 Manufacturing method of the display device shown in FIG. 17 is a cross-sectional diagram illustrating a sequence of steps. 図21に続く工程を表す断面図である。 It is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 21. 本発明の第5の実施の形態に係る表示装置の構成を表す平面図である。 Is a plan view illustrating a configuration of a display device according to a fifth embodiment of the present invention. 図23に示した隣り合う二つの画素の構成を表す断面図である。 It is a sectional view showing the configuration of two adjacent pixels shown in FIG. 23. 変形例1の隣り合う二つの画素の構成を表す断面図である。 It is a sectional view showing the configuration of two adjacent pixels of the first modification. 図25に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 Manufacturing method of the display device shown in FIG. 25 is a cross-sectional diagram illustrating a sequence of steps. 図26に続く工程を表す断面図である。 It is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 26. 変形例2の隣り合う二つの画素の構成を表す断面図である。 It is a sectional view showing the configuration of two adjacent pixels of Modification 2. 図28に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 Manufacturing method of the display device shown in FIG. 28 is a cross-sectional diagram illustrating a sequence of steps. 図29に続く工程を表す断面図である。 It is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 29. 変形例3の隣り合う二つの画素の構成を表す断面図である。 It is a sectional view showing the configuration of two adjacent pixels of Modification 3. 上記各実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 It is a plan view illustrating a schematic configuration of a module including the display unit of the foregoing embodiments. 上記各実施の形態の表示装置の適用例1の外観を表す斜視図である。 Is a perspective view illustrating an appearance of Application Example 1 of the display device of each embodiment. (A)は適用例2の表側から見た外観を表す斜視図であり、(B)は裏側から見た外観を表す斜視図である。 (A) is a perspective view illustrating an appearance viewed from the front side of Application Example 2, (B) is a perspective view illustrating an appearance viewed from the rear side. 適用例3の外観を表す斜視図である。 Is a perspective view illustrating an appearance of Application Example 3. 適用例4の外観を表す斜視図である。 Is a perspective view illustrating an appearance of a fourth application example. (A)は適用例5の開いた状態の正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた状態の正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。 (A) is a front view of an opened state application example 5, (B) is a side view, (C) is a front view of a closed state, (D) is a left side view, (E) is a right side view, (F) is a top view, (G) is a bottom view. 図2に示した有機発光素子の第1領域および第2領域の平面形状の他の例を表す平面図である。 It is a plan view illustrating another example of the planar shape of the first region and the second region of the organic light emitting device shown in FIG. 図2に示した有機発光素子の第1領域および第2領域の平面形状の更に他の例を表す平面図である。 It is a plan view showing another example of the planar shape of the first region and the second region of the organic light emitting device shown in FIG. 図2に示した有機発光素子の第1領域および第2領域の平面形状の更に他の例を表す平面図である。 It is a plan view showing another example of the planar shape of the first region and the second region of the organic light emitting device shown in FIG.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。 It will be described in detail with reference to the drawings, embodiments of the present invention.

(第1の実施の形態) (First Embodiment)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の構成を表すものである。 Figure 1 shows the structure of a display device using an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention. この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラス,シリコン(Si)ウェハあるいは樹脂などよりなる基板11の上に、後述する複数の有機発光素子10R,10G,10Bがマトリクス状に配置されてなる表示領域110が形成されると共に、この表示領域110の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路120および走査線駆動回路130が形成されたものである。 The display unit is used as an ultrathin organic light emitting color display device, for example, glass, silicon (Si) on a substrate 11 made of such as a wafer or resin, described later plurality of organic light emitting devices 10R, 10G, with 10B display area 110 are arranged in a matrix form is formed in the periphery of the display region 110, the signal line driver circuit 120 and the scanning line driving circuit 130 is a driver for the video display is formed it is intended.

表示領域110内には画素駆動回路140が形成されている。 Pixel driving circuit 140 is formed in the display region 110. 図2は、画素駆動回路140の一例を表したものである。 Figure 2 illustrates an example of a pixel drive circuit 140. この画素駆動回路140は、後述する第1電極15の下層に形成され、駆動トランジスタTr1および書き込みトランジスタTr2と、その間のキャパシタ(保持容量)Csと、第1の電源ライン(Vcc)および第2の電源ライン(GND)の間において駆動トランジスタTr1に直列に接続された有機発光素子10R(または10G,10B)とを有するアクティブ型の駆動回路である。 The pixel driving circuit 140 is formed below the first electrode 15 to be described later, a driving transistor Tr1 and the write transistor Tr2, while the capacitors and (retention capacitor) Cs, the first power supply line (Vcc) and a second a driving circuit of an active type having an organic light emitting element 10R connected in series to the driving transistor Tr1 (or 10G, 10B) between the power supply line (GND). 駆動トランジスタTr1および書き込みトランジスタTr2は、一般的な薄膜トランジスタ(TFT(Thin Film Transistor))により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造(いわゆるボトムゲート型)でもよいしスタガー構造(トップゲート型)でもよく特に限定されない。 The drive transistor Tr1 and the write transistor Tr2 is constituted by a general thin film transistor (TFT (Thin Film Transistor)), well its configuration, even such as reverse stagger structure (so-called bottom gate type) may be to stagger structure (top gate type) It is not particularly limited.

画素駆動回路140において、列方向には信号線120Aが複数配置され、行方向には走査線130Aが複数配置されている。 In the pixel drive circuit 140, the plurality of signal lines 120A are arranged in the column direction, the row direction scanning lines 130A are arranged. 各信号線120Aと各走査線130Aとの交差点が、有機発光素子10R,10G,10Bのいずれか一つ(サブピクセル)に対応している。 Intersection of each signal line 120A and each scanning line 130A, an organic light-emitting elements 10R, 10G, and corresponds to one of 10B (subpixel). 各信号線120Aは、信号線駆動回路120に接続され、この信号線駆動回路120から信号線120Aを介して書き込みトランジスタTr2のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。 Each signal line 120A is connected to the signal line driver circuit 120, an image signal to the source electrode of the write transistor Tr2 through the signal lines 120A from this signal-line driving circuit 120 are supplied. 各走査線130Aは走査線駆動回路130に接続され、この走査線駆動回路130から走査線130Aを介して書き込みトランジスタTr2のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。 Each scanning line 130A is connected to the scanning line driving circuit 130, a scanning signal to the gate electrode of the write transistor Tr2 through the scanning lines 130A are adapted to be sequentially supplied from the scanning line drive circuit 130.

図3は、表示領域110の平面構成の一例を表したものである。 Figure 3 illustrates an example of a planar configuration of the display area 110. 表示領域110には、赤色の光を発生する有機発光素子10Rと、緑色の光を発生する有機発光素子10Gと、青色の光を発生する有機発光素子10Bとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。 Formed in the display area 110 includes an organic light emitting element 10R generating red light, the organic light emitting element 10G generating green light, the the organic light emitting element 10B generating blue light are sequentially overall matrix It is. なお、隣り合う有機発光素子10R,10G,10Bの組み合わせが一つの画素(ピクセル)10を構成している。 Note that the organic light emitting element 10R adjacent, 10G, the combination of 10B constitutes a single pixel 10.

図4は図3に示した有機発光素子10R,10G,10Bの平面構成を表し、図5はそれらに共通の断面構成を表すものである。 Figure 4 represents an organic light emitting element 10R shown in FIG. 3, 10G, a plan view of 10B, FIG. 5 shows a common cross-sectional configuration thereof. 有機発光素子10R,10G,10Bは、それぞれ、基板11の側から、上述した画素駆動回路140の駆動トランジスタTr1、平坦化絶縁膜13、段差形成層14、陽極としての第1電極15、電極間絶縁膜16、距離調整層17、後述する発光層18Cを含む有機層18、および陰極としての第2電極19がこの順に積層された構成を有している。 The organic light emitting devices 10R, 10G, 10B, respectively, from the side of the substrate 11, the driving transistor Tr1 of the pixel drive circuit 140 described above, a planarization insulating film 13, a step forming layer 14, first electrode 15 as an anode, the inter-electrode insulating film 16, the distance adjustment layer 17, the second electrode 19 of the organic layer 18, and a cathode including a light emitting layer 18C to be described later have been laminated in this order. また、発光層18Cは、平面形状において例えば中央部の第1領域21と左右部の第2領域22とに分けられている。 Further, the light-emitting layer 18C is divided into a first region 21, for example the central portion in the plane shape and a second region 22 of the left and right portions.

このような有機発光素子10R,10G,10Bは、窒化ケイ素(SiNx )などの保護膜30により被覆され、更にこの保護膜30上に接着層40を間にしてガラスなどよりなる封止用基板50が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。 The organic light emitting element 10R, 10G, 10B is covered with a protective film 30 such as silicon nitride (SiNx), further sealing substrate 50 made of glass or the like in between the adhesive layer 40 on the protective film 30 There has been sealed by being bonded over the whole surface.

また、この有機発光素子10R,10G,10Bでは、第1電極15は反射層としての機能を有する一方、第2電極19が半透過性反射層としての機能を有しており、これら第1電極15と第2電極19とにより、発光層18Cにおいて発生した光を共振させる共振器構造が構成されている。 Further, the organic light emitting devices 10R, 10G, at 10B, the first electrode 15 while having a function as a reflective layer, the second electrode 19 has a function as a semi-transparent reflective layer, these first electrodes the 15 and the second electrode 19, a resonator structure that resonates light generated in the light emitting layer 18C is formed.

すなわち、この有機発光素子10R,10G,10Bは、第1電極15の発光層18C側の端面を第1端部P1、第2電極19の発光層18C側の端面を第2端部P2とし、有機層18を共振部として、発光層18Cで発生した光を共振させて第2端部P2の側から取り出す共振器構造を有している。 That is, the organic light emitting devices 10R, 10G, 10B is an end face of the light-emitting layer 18C side of the first electrode 15 first end P1, the end face of the light-emitting layer 18C side of the second electrode 19 and the second end portion P2, the organic layer 18 as a resonant portion, and a resonator structure for taking out the light generated in the light-emitting layer 18C from the side of the second end portion P2 to resonate. このように共振器構造を有するようにすれば、発光層18Cで発生した光が多重干渉を起こし、一種の狭帯域フィルタとして作用することにより、取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し、色純度を向上させることができる。 If so as to have such a resonator structure, cause the light generated in the light emitting layer 18C is multiple interference, by acting as a kind of narrow band filter, the half-value width of the spectrum of the extracted light is decreased, color it is possible to improve the purity. また、封止用基板50側から入射した外光についても多重干渉により減衰させることができ、後述するカラーフィルタ52、または位相差板および偏光板(図示せず)との組合せにより有機発光素子10R,10G,10Bにおける外光の反射率を極めて小さくすることができる。 Also can be attenuated by the multiple interference on external light incident from the sealing substrate 50 side, a combination of an organic light emitting element 10R and below the color filter 52 or the retardation plate and the polarizing plate (not shown) , it can be made extremely small reflectance of external light 10G, at 10B.

駆動トランジスタTr1は、平坦化絶縁膜13に設けられた接続孔13Aを介して第1電極15に電気的に接続されている。 The driving transistor Tr1 is electrically connected to the first electrode 15 through the provided planarization insulating film 13 contact hole 13A.

平坦化絶縁膜13は、画素駆動回路140が形成された基板11の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔13Aが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。 Planarizing insulating film 13 is intended to planarize the surface of the substrate 11 to the pixel driving circuit 140 is formed, the pattern accuracy for fine connection holes 13A are formed is constituted by a material It is preferred. 平坦化絶縁膜13の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン(SiO2 )などの無機材料が挙げられる。 Examples of the material of the planarization insulating film 13, for example, an organic material such as polyimide or an inorganic material such as silicon oxide (SiO2), is.

段差形成層14は、基板11上の第2領域22のみに設けられており、第1電極15の発光層18C側の端面に段差形状を形成するためのものである。 The step forming layer 14 is provided only in the second region 22 on the substrate 11, it is used to form a stepped shape on the end face of the light-emitting layer 18C side of the first electrode 15. 段差形成層14は、例えば、アルミニウム(Al),モリブデン(Mo),チタン(Ti),クロム(Cr),金(Au),白金(Pt),ニッケル(Ni),銅(Cu),タングステン(W)あるいは金(Ag)などの金属元素の単体または合金により構成されている。 The step forming layer 14, for example, aluminum (Al), molybdenum (Mo), titanium (Ti), chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), tungsten ( and it is made of W) or simple substance or an alloy of metal elements such as gold (Ag). また、段差形成層14は、酸化シリコン(SiO2 )あるいは窒化シリコン(SiNx )等の絶縁膜でもよい。 Also, the step forming layer 14 may be an insulating film such as silicon oxide (SiO2) or silicon nitride (SiNx).

第1電極15は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。 The first electrode 15, also has a function as a reflective layer, be made to have the highest possible reflectivity desirable in enhancing the luminous efficiency. 第1電極15は、例えば積層方向の厚み(以下、単に厚みと言う)が100nm以上1000nm以下であり、クロム(Cr),金(Au),白金(Pt),ニッケル(Ni),銅(Cu),タングステン(W)あるいは銀(Ag)などの金属元素の単体または合金が挙げられる。 The first electrode 15 is, for example the stacking direction of the thickness (hereinafter, simply referred to as thickness) is at 100nm or 1000nm or less, chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu ), and a simple substance or an alloy of metal elements such as tungsten (W) or silver (Ag). 第1電極15の第2領域22における一部は、段差形成層14の上に形成されている。 Some in the second region 22 of the first electrode 15, is formed on the step forming layer 14. これにより、第1電極15の発光層18C側の端面、すなわち上述した共振器構造の第1端部P1は、段差形成層14に対応する段差形状を有している。 Thus, the end face of the light-emitting layer 18C side of the first electrode 15, i.e. the first end P1 of the above-described resonator structure has a step shape corresponding to the stepped layer 14.

電極間絶縁膜16は、第1電極15と第2電極19との絶縁性を確保するとともに第1領域21および第2領域22からなる発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば感光性樹脂により構成されている。 The inter-electrode insulating film 16 is for exactly the desired shape a light emitting region consisting of the first region 21 and second region 22 while securing a first electrode 15 insulation between the second electrode 19 , and is made of photosensitive resin, for example. 電極間絶縁膜16には、発光領域に対応して開口部が設けられている。 The inter-electrode insulating film 16, openings are provided corresponding to the light-emitting region. なお、有機層18および第2電極19は、第1領域21および第2領域22だけでなく電極間絶縁膜16の上にも連続して設けられているが、発光が生じるのは電極間絶縁膜16の開口部だけである。 Note that the organic layer 18 and the second electrode 19 are provided continuously even on the first region 21 and second region 22 not only the inter-electrode insulating film 16, but the inter-electrode insulating light is emitted only the opening of the film 16.

距離調整層17は、段差形状に応じて第1端部P1と第2端部P2との間の光学的距離を異ならせるためのものであり、第1電極15の段差形状を埋め込むと共に第2電極19側に平坦な表面17Aを有している。 Distance adjustment layer 17 is for varying the optical distance between the first end portion P1 in accordance with a step shape and the second end P2, the buries the stepped shape of the first electrode 15 2 It has a flat surface 17A to the electrode 19 side. すなわち、距離調整層17を設けることにより、第2端部P2が平坦になると共に、第1領域21における共振器の第1端部P1と第2端部P2との間の光学的距離L1(以下、単に「第1領域21における光学的距離L1」という。)と、第2領域22における共振器の第1端部P1と第2端部P2との間の光学的距離L2(以下、単に「第2領域22における光学的距離L2」という。)とが互いに異なっている。 That is, by providing the distance adjustment layer 17, the second end portion P2 becomes flat, the optical distance L1 between the first end portion P1 and the second end portion P2 of the resonator in the first region 21 ( hereinafter simply referred to as "optical distance L1 in the first region 21 '.) and the optical distance between the first end portion P1 and the second end portion P2 of the resonator in the second region 22 L2 (hereinafter, simply "optical distance L2 in the second region 22 '.) and are different from each other. これにより、この有機発光素子10R,10G,10Bでは、第1領域21および第2領域22の各々における共振器の共振波長(取り出される光のスペクトルのピーク波長)を異ならせ、第1領域21および第2領域22の各々から取り出される光のスペクトルを合成したスペクトルの半値幅を広くして、視野角特性を向上させることができるようになっている。 Thus, the organic light emitting devices 10R, 10G, and in 10B, at different resonant wavelength of the resonator (a peak wavelength of a spectrum of light to be extracted) in each of the first region 21 and second region 22, the first region 21 and and wider half-value width of a spectrum obtained by combining the spectrum of light extracted from each of the second region 22, so that it is possible to improve the viewing angle characteristics.

そのためには、第1領域21における光学的距離L1と、第2領域22における光学的距離L2とは数1を満たすようにすることが好ましい。 For this purpose, the optical distance L1 in the first region 21, it is preferable that the optical distance L2 in the second region 22 to satisfy the equation (1).

(数1) (Number 1)
L1=Lave +ΔL L1 = Lave + ΔL
L2=Lave −ΔL L2 = Lave -ΔL
(2Lave )/λ+Φ/(2π)=m (2Lave) / λ + Φ / (2π) = m
(式中、Lave は第1領域21における光学的距離L1と第2領域22における光学的距離L2との平均光学的距離、Φは第1端部P1で生じる反射光の位相シフトΦ1 と第2端部P2で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和(Φ=Φ1 +Φ2 )(rad)、λは第2端部P2の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、mはLave が正となる整数をそれぞれ表す。なお、数1においてL1,L2,Lave およびλは単位が共通すればよいが、例えば(nm)を単位とする。) (Wherein, Lave is an optical distance L1 between the average optical distance between the optical distance L2 in the second region 22, [Phi is the phase shift Φ1 of reflected light generated in the first end portion P1 second in the first region 21 the sum of the phase shift .phi.2 of the reflected light generated at the end portion P2 (Φ = Φ1 + Φ2) (rad), λ is the peak wavelength of the spectrum of light desired to be extracted from the side of the second end portion P2, m becomes Lave positive It represents an integer, respectively. Note that, in a few 1 L1, L2, Lave and λ may be common the unit, the unit for example, (nm).)

数1において、平均光学的距離Lave に関する第3式は、共振器の共振波長(取り出される光のスペクトルのピーク波長)と、取り出したい光のスペクトルのピーク波長とを一致させ、光取り出し効率を最大とするためのものである。 Maximum at number 1, the average optical distance Lave about third equation, the resonant wavelength of the resonator (a peak wavelength of a spectrum of light extracted), is matched with the peak wavelength of the spectrum of light desired to be extracted, the light extraction efficiency it is intended to be a. この平均光学的距離Lave は、実際には、数1の第3式のmが0または1の場合が好ましい。 The average optical distance Lave, in fact, when the third equation of m number 1 is 0 or 1 is preferred.

数1から分かるように、本実施の形態では、次数mを同一としても第1領域21の光学的距離L1と第2領域22の光学的距離L2とを互いに異ならせることができる。 As can be seen from Equation 1, in this embodiment mode can be also different from the optical distance L1 of the first region 21 and the optical distance L2 of the second region 22 each other order m as the same. よって、例えばm=1とすれば、有機層18の厚みを厚くして非発光欠陥を低減することができ、生産性の向上と良好な視野角特性とを両立させることができる。 Thus, for example, if m = 1, and increasing the thickness of the organic layer 18 can be reduced non-radiative defects, it is possible to achieve both a good viewing angle characteristics and improved productivity. これに対して、従来の特許文献3では、光学的距離に差を設けるために次数mを例えば0,1と異ならせるようにしていたので、m=0の領域ではm=1の領域に比べて有機層の厚みが薄くなり、非発光欠陥などが増加しやすくなってしまっていた。 In contrast, in the conventional patent document 3, because it was so as to vary the degree m for example, 0,1 to providing a difference in optical distance, as compared to m = 1 in region in the region of m = 0 the thickness of the organic layer becomes thin Te, such as a non-light-emitting defect has fallen more likely to increase. また、m=0とm=1との光学的距離の差(|L2−L1|)は、ITO(Indium Tin Oxide)や有機層の厚みに換算すると青色で120nm程度と大きくなるので、次数mを同一にする場合に比べて段差を形成するプロセスは困難となってしまっていた。 The difference in optical distance between m = 0 and m = 1 (| L2-L1 |), because as large as 120nm approximately in blue when converted to the thickness of ITO (Indium Tin Oxide) and organic layer, the order m the process of forming a step as compared with the case where the same was has become difficult.

数1の第1式および第2式におけるΔLは、平均光学的距離Lave の5%以内であることが好ましく、2%以上5%以内であればより好ましい。 ΔL is preferably within 5% of the average optical distance Lave, more preferably not more than 5% or less than 2% in the first equation and the second equation number 1. 5%より大きいと光取り出し効率が大幅に低減するおそれがあり、2%より小さいと十分な効果が得られないからである。 There is a possibility that 5% greater than the light extraction efficiency greatly reduced, less than 2% and a sufficient effect can not be obtained.

図6は、数1がm=1のときに成り立つ条件で、ΔLを変えた場合に、第1領域21および第2領域22の各々の共振器フィルタのスペクトルを合成したスペクトルを表すものである。 Figure 6 is a condition satisfied when the number 1 is m = 1, when changing the [Delta] L, illustrates a spectrum obtained by combining the spectrum of the resonator filter of each of the first region 21 and second region 22 . なお、有機発光素子は、第1電極15上に、厚み95nmの正孔注入層、厚み95nmの正孔輸送層、緑色の光を発生する厚み25nmの発光層、厚み20nmの電子輸送層、および厚み8nmの第2電極を順に積層した構成とし、第1領域21と第2領域22との面積比は1:1、取り出したい光のスペクトルのピーク波長λは530nmとした。 Note that the organic light emitting element, on the first electrode 15, a hole injection layer having a thickness of 95 nm, a hole transport layer having a thickness of 95 nm, the light-emitting layer having a thickness of 25nm generating green light, the electron transport layer having a thickness of 20 nm, and was formed by the lamination of the second electrode thickness 8nm in order, the area ratio between the first region 21 and second region 22 is 1: 1, the peak wavelength λ of the spectrum of light desired to be extracted was 530 nm.

図6に示したように、ΔLを平均光学的距離Lave の±5%とした場合には、±0%すなわち第1領域21における光学的距離L1と第2領域22における光学的距離L2とを等しくした場合、または±2%とした場合に比べて、合成したスペクトルの半値幅が広くなっている。 As shown in FIG. 6, when the ΔL and ± 5% of the average optical distance Lave is an optical distance L2 between the optical distance L1 in the ± 0% i.e. the first region 21 in the second region 22 If equal, or as compared with the case of a ± 2%, half width of the synthesized spectrum is wide. つまり、共振器効果が緩和されていることが分かる。 In other words, it can be seen that the resonator effect is relaxed.

図7および図8は、数1がm=1のときに成り立つ条件で、ΔLを変えた場合に、画面を正面から見たとき(視野角0°)に対する、斜め45°方向から見たとき(視野角45°)の相対輝度および色差Δu'v'と、有機層18の厚みばらつきとの関係をそれぞれ表したものである。 7 and 8, in the conditions established when the number 1 is m = 1, the case of changing the [Delta] L, when the screen is viewed from the front against (viewing angle 0 °), when viewed from an oblique direction of 45 ° the relative luminance and color difference Δu'v of (viewing angle 45 °) ', illustrates a relationship between the thickness variation of the organic layer 18, respectively. なお、有機発光素子の構成、第1領域21と第2領域22との面積比および取り出したい光のスペクトルのピーク波長λは、図6に示した場合と同一とした。 The structure of the organic light emitting device, the first region 21 is the spectrum peak wavelength λ of the area ratio and light desired to be extracted and the second region 22 were the same as the case shown in FIG.

図7に示したように、ΔLを平均光学的距離Lave の±5%とした場合には、±0%または±2%とした場合に比べて、視野角による輝度変化が小さくなっている。 As shown in FIG. 7, when the ΔL and ± 5% of the average optical distance Lave is compared to the case where the ± 0% or ± 2%, the luminance change due to viewing angle is small. また、図8に示したように、有機層18の厚みのばらつきが2%以上の範囲内では色差Δu'v'の最大値も低減されている。 Further, as shown in FIG. 8, variation in thickness of the organic layer 18 is also reduced maximum value of the color difference [Delta] u'v 'is in the range of 2% or more. つまり、視野角特性の改善が可能であることが分かる。 In other words, it is found that can be improved viewing angle characteristics.

なお、図6いし図8ではm=1の場合について説明したが、m=0を含むその他のm値の場合についても同様の効果が得られる。 Incidentally, the description has been given of the case of Figure 6 stone 8 in m = 1, the same effect can be obtained even in the case of other m value including m = 0.

このような距離調整層17は、第1電極15と第2電極19の間に設けられていればよく、その位置や構成材料は特に限定されないが、例えば、第1電極15と有機層18の間に設けられると共に、後述する有機層18の正孔注入層18Aと同一の材料により構成されていることが好ましい。 Such distance adjustment layer 17 may be provided between the first electrode 15 of the second electrode 19, but its position and the material is not particularly limited, for example, the first electrode 15 and the organic layer 18 together provided between, it is preferably made of the same material as the hole injection layer 18A of the organic layer 18 to be described later. 正孔注入層18Aを兼ねることができるからである。 This is because it is possible to also serve as a hole injection layer 18A. あるいは、距離調整層17は、有機層18の正孔注入層18Aと発光層18Cとの間に設けられると共に、正孔輸送層18Bと同一の有機材料により構成され、正孔輸送層18Bを兼ねていてもよい。 Alternatively, distance adjustment layer 17, as well provided between the hole injection layer 18A of the organic layer 18 and the light-emitting layer 18C, is made of the same organic material and a hole transport layer 18B, also serves as a hole transport layer 18B it may be. また、距離調整層17は、図9に示したように、正孔注入層18Aまたは正孔輸送層18Bとは別に設けられていてもよい。 The distance adjustment layer 17, as shown in FIG. 9 may be provided separately from the hole injection layer 18A or the hole transport layer 18B.

図5に示した有機層18は、例えば、第1電極15の側から順に、正孔注入層18A,正孔輸送層18B,発光層18Cおよび電子輸送層18Dを積層した構成を有するが、これらのうち発光層18C以外の層は必要に応じて設ければよい。 The organic layer 18 shown in FIG. 5, for example, in the order from the side of the first electrode 15, the hole injection layer 18A, the hole transport layer 18B, has a structure obtained by laminating a light-emitting layer 18C and the electron transport layer 18D, these layers other than the light-emitting layer 18C of the may be arranged if necessary. また、有機層18は、有機発光素子10R,10G,10Bの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。 The organic layer 18, the organic light emitting devices 10R, 10G, and may have different configurations, respectively, by the emission color of 10B. 正孔注入層18Aは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。 The hole injection layer 18A has is intended to improve hole injection efficiency, a buffer layer to prevent leakage. 正孔輸送層18Bは、発光層18Cへの正孔輸送効率を高めるためのものである。 The hole transport layer 18B is intended to improve hole transport efficiency to the light-emitting layer 18C. 発光層18Cは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。 Emitting layer 18C is recombination of electrons and holes by application of an electric field, is intended to generate light. 電子輸送層18Dは、発光層18Cへの電子輸送効率を高めるためのものである。 Electron transport layer 18D are intended to improve electron transport efficiency to the light-emitting layer 18C. なお、電子輸送層18Dと第2電極19との間には、LiF,Li2 Oなどよりなる電子注入層(図示せず)を設けてもよい。 Between the electron transporting layer 18D and the second electrode 19, LiF, Li2 O electron injection layer made of such (not shown) may be provided.

有機発光素子10Rの正孔注入層18Aは、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、4,4',4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)あるいは4,4',4”−トリス(2−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(2−TNATA)により構成されている。 Hole injection layer 18A of the organic light emitting element 10R has a thickness of, for example, 5nm or more 300nm or less, 4,4 ', 4 "- tris (3-methylphenyl phenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) or 4 , 4 ', 4 "- and is made of tris (2-naphthylphenylamino) triphenylamine (2-TNATA). 有機発光素子10Rの正孔輸送層18Bは、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、ビス[(N−ナフチル)−N−フェニル]ベンジジン(α−NPD)により構成されている。 Hole transport layer 18B of the organic light emitting element 10R has a thickness of, for example, 5nm or more 300nm or less, and is made of bis [(N-naphthyl) -N- phenyl] benzidine (α-NPD). 有機発光素子10Rの発光層18Cは、例えば、厚みが10nm以上100nm以下であり、8−キノリノールアルミニウム錯体(Alq3 )に2,6−ビス[4−[N−(4−メトキシフェニル)−N−フェニル]アミノスチリル]ナフタレン−1,5−ジカルボニトリル(BSN−BCN)を40体積%混合したものにより構成されている。 Emitting layer 18C of the organic light emitting element 10R has a thickness of, for example, 10nm or more 100nm or less, 8-quinolinol aluminum complex (Alq3) 2,6-bis [4- [N- (4- methoxyphenyl) -N- is constituted by phenyl] aminostyryl] which naphthalene-1,5-dicarbonitrile a (BSN-BCN) was mixed 40% by volume. 有機発光素子10Rの電子輸送層18Dは、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、Alq3 により構成されている。 Electron transport layer 18D of the organic light emitting element 10R has a thickness of, for example, 5nm or more 300nm or less, and is made of Alq3.

有機発光素子10Gの正孔注入層18Aは、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、m−MTDATAあるいは2−TNATAにより構成されている。 Hole injection layer 18A of the organic light emitting element 10G has a thickness of, for example, 5nm or more 300nm or less, and is made of m-MTDATA or 2-TNATA. 有機発光素子10Gの正孔輸送層18Bは、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、α−NPDにより構成されている。 Hole transport layer 18B of the organic light emitting element 10G has a thickness of, for example, 5nm or more 300nm or less, and is made of alpha-NPD. 有機発光素子10Gの発光層18Cは、例えば、厚みが10nm以上100nm以下であり、Alq3 にクマリン6(Coumarin6)を3体積%混合したものにより構成されている。 Emitting layer 18C of the organic light emitting element 10G has a thickness of, for example, 10nm or more 100nm or less, and is made of a mixture of 3 vol% of coumarin 6 (Coumarin6) to Alq3. 有機発光素子10Gの電子輸送層18Dは、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、Alq3 により構成されている。 Electron transport layer 18D of the organic light emitting element 10G has a thickness of, for example, 5nm or more 300nm or less, and is made of Alq3.

有機発光素子10Bの正孔注入層18Aは、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、m−MTDATAあるいは2−TNATAにより構成されている。 Hole injection layer 18A of the organic light emitting element 10B has a thickness of, for example, 5nm or more 300nm or less, and is made of m-MTDATA or 2-TNATA. 有機発光素子10Bの正孔輸送層18Bは、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、α−NPDにより構成されている。 Hole transport layer 18B of the organic light emitting element 10B has a thickness of, for example, 5nm or more 300nm or less, and is made of alpha-NPD. 有機発光素子10Bの発光層18Cは、例えば、厚みが10nm以上100nm以下であり、スピロ6Φ(spiro6Φ)により構成されている。 Emitting layer 18C of the organic light emitting element 10B has a thickness of, for example, 10nm or more 100nm or less, and is made of spiro 6Φ (spiro6Φ). 有機発光素子10Bの電子輸送層18Dは、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、Alq3 により構成されている。 Electron transport layer 18D of the organic light emitting element 10B has a thickness of, for example, 5nm or more 300nm or less, and is made of Alq3.

図5に示した第2電極19は、例えば、厚みが5nm以上50nm以下であり、アルミニウム(Al),マグネシウム(Mg),カルシウム(Ca),ナトリウム(Na)などの金属元素の単体または合金により構成されている。 Second electrode 19 shown in FIG. 5, for example, a thickness of 5nm or more 50nm or less, an aluminum (Al), magnesium (Mg), calcium (Ca), simple substance or an alloy of metal elements such as sodium (Na) It is configured. 中でも、マグネシウムと銀との合金(MgAg合金)、またはアルミニウム(Al)とリチウム(Li)との合金(AlLi合金)が好ましい。 Among them, an alloy of magnesium and silver (MgAg alloy) or an alloy of aluminum (Al) and lithium (Li) (AlLi alloy) is preferable.

図5に示した接着層40は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂により構成されている。 Adhesive layer 40 shown in FIG. 5 is constituted by, for example, thermosetting resin or an ultraviolet curable resin.

図5に示した封止用基板50は、有機発光素子10R,10G,10Bの第2電極19の側に位置しており、接着層40と共に有機発光素子10R,10G,10Bを封止するものであり、有機発光素子10R,10G,10Bで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。 Sealing substrate 50 shown in FIG. 5, the organic light emitting devices 10R, 10G, and located on the side of the second electrode 19 of 10B, which seals the organic light-emitting elements 10R, 10G, and 10B with the adhesive layer 40 , and the is composed of a material such as glass transparent to light generated organic light emitting devices 10R, 10G, at 10B. 封止用基板50には、例えば、カラーフィルタ51が設けられており、有機発光素子10R,10G,10Bで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子10R,10G,10B並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。 The sealing substrate 50 is, for example, a color filter 51 is provided, the organic light emitting elements 10R, 10G, and takes out the light generated in 10B, the organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B and is reflected in the meantime the wire and absorb external light, and improves the contrast.

カラーフィルタ51は、封止用基板50のどちら側の面に設けられてもよいが、有機発光素子10R,10G,10Bの側に設けられることが好ましい。 The color filter 51 may be provided on either side of the sealing substrate 50, the organic light emitting devices 10R, 10G, and be provided on the side of 10B preferred. カラーフィルタ51が表面に露出せず、接着層40により保護することができるからである。 The color filter 51 is not exposed on the surface, it can be protected by the adhesive layer 40. また、発光層14Cとカラーフィルタ51との間の距離が狭くなることにより、発光層18Cから出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタ51に入射して混色を生じることを避けることができるからである。 Further, since the distance between the light-emitting layer 14C and the color filter 51 is narrowed, the light emitted from the light-emitting layer 18C can be prevented from causing color mixture enters the color filter 51 of other colors adjacent it is from. カラーフィルタ51は、赤色フィルタ,緑色フィルタおよび青色フィルタ(いずれも図示せず)を有しており、有機発光素子10R,10G,10Bに対応して順に配置されている。 The color filter 51 includes a red filter, has a green filter and a blue filter (both not shown), an organic light-emitting elements 10R, 10G, and are arranged in order to correspond to 10B.

赤色フィルタ,緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。 Red filter, green filter and blue filter are formed without gaps each example a rectangular shape. これら赤色フィルタ,緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤,緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。 These red filter, green filter and the blue filter is respectively made of a resin mixed with pigments, by selecting the pigment, red of interest, high light transmittance in a wave range of the green or blue, the other light transmittance is adjusted to be lower in the wavelength range.

更に、カラーフィルタ51における透過率の高い波長範囲と、共振器構造から取り出したい光のスペクトルのピーク波長λとは一致している。 Furthermore, it matches wavelength range with high transmittance in the color filter 51, a peak wavelength λ of the spectrum of light desired to be extracted from the resonator structure. これにより、封止用基板50から入射する外光のうち、取り出したい光のスペクトルのピーク波長λに等しい波長を有するもののみがカラーフィルタ51を透過し、その他の波長の外光が有機発光素子10R,10G,10Bに侵入することが防止される。 Thus, among the external light entering from the sealing substrate 50, only those having a wavelength equal to the peak wavelength λ of the spectrum of light desired to be extracted passes through the color filter 51, and other external light organic light-emitting device of the wavelength 10R, 10G, may enter the 10B is prevented.

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。 The display device can be manufactured, for example, as follows.

図10ないし図12は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。 10 to 12 is representative of the method of manufacturing the display unit in order of steps. まず、図10(A)に示したように、上述した材料よりなる基板11の上に駆動トランジスタTr1を含む画素駆動回路140を形成したのち、全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜13を形成し、露光および現像により平坦化絶縁膜13を所定の形状にパターニングすると共に接続孔13Aを形成し、焼成する。 First, as shown in FIG. 10 (A), after forming the pixel drive circuit 140 including the drive transistor Tr1 on the substrate 11 made of the foregoing material, the planarizing insulating by applying the entire photosensitive resin forming a film 13, to form a connecting hole 13A is patterned into a planarization insulating film 13 into a predetermined shape by exposure and development, firing.

次いで、図10(B)に示したように、例えばスパッタ法により上述した材料よりなる段差形成層14を形成する。 Then, as shown in FIG. 10 (B), for example, to form a step forming layer 14 made of the foregoing material by sputtering. 続いて、段差形成層14の上にリソグラフィ技術を用いてレジストパターン(図示せず)を形成し、このレジストパターンをマスクとしたウェットエッチングにより段差形成層14を選択的に除去し、第2領域22のみに段差形成層14を形成する。 Subsequently, a resist pattern (not shown) formed by lithography on the step forming layer 14, to selectively remove the step forming layer 14 by wet etching using the resist pattern as a mask, the second region 22 only form a step forming layer 14.

そののち、図11(A)に示したように、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる第1電極15を形成し、ウェットエッチングにより第1電極15を選択的に除去して各有機発光素子10R,10G,10Bごとに分離する。 After that, as shown in FIG. 11 (A), for example, by sputtering, to form the first electrode 15 made of the foregoing material, the organic light-emitting device by selectively removing the first electrode 15 by wet etching 10R, 10G, separating it into 10B. これにより、第1電極15の上面には、図5に示したような段差形状が形成される。 Thus, on the upper surface of the first electrode 15, the stepped shape as shown in FIG. 5 is formed.

第1電極15を形成したのち、同じく図11(A)に示したように、基板11の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により第1領域21および第2領域22からなる発光領域に対応して開口部を設け、焼成することにより、電極間絶縁膜16を形成する。 After forming the first electrode 15, as also shown in FIG. 11 (A), the entire surface of the photosensitive resin is applied over the substrate 11, for example, a first region 21 and second region 22 by photolithography emission an opening provided corresponding to the region, by baking, to form an inter-electrode insulating film 16.

電極間絶縁膜16を形成したのち、図11(B)に示したように、第1電極15の上に、例えば真空蒸着法により、上述した材料よりなる距離調整層17を形成する。 After forming the insulating film 16, as shown in FIG. 11 (B), on the first electrode 15, for example by vacuum evaporation, to form a distance adjustment layer 17 made of the foregoing material. この距離調整層17をその構成材料のガラス転移点以上の温度に加熱することにより、図12に示したように、第1電極15の段差形状を埋め込むと共に上面17Aを平坦化する。 By heating the distance adjustment layer 17 to a temperature higher than the glass transition point of the constituent material, as shown in FIG. 12, the upper surface is planarized 17A buries the stepped shape of the first electrode 15.

距離調整層17を形成したのち、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層18A,正孔輸送層18B,発光層18C,電子輸送層18Dおよび第2電極19を順次成膜し、図5に示したような有機発光素子10R,10G,10Bを形成する。 After forming the distance adjustment layer 17, for example by vapor deposition, a hole injection layer 18A made of the thickness described above and the material, the hole transport layer 18B, the light-emitting layer 18C, successively forming a film of the electron transport layer 18D and the second electrode 19 and form the organic light-emitting devices 10R, as shown in FIG. 5, 10G, and 10B. このとき、距離調整層17により第1電極15の段差形状が埋め込まれると共に上面17Aが平坦な表面となっているので、第2電極19の発光層18C側の端面すなわち第2端部P2が平坦になる。 At this time, since the upper surface 17A with stepped shape of the first electrode 15 is embedded by the distance adjustment layer 17 is a flat surface, the end surface or the second end portion P2 of the light-emitting layer 18C side of the second electrode 19 is flat become. 続いて、有機発光素子10R,10G,10Bの上に上述した材料よりなる保護膜30を形成する。 Subsequently, an organic light emitting elements 10R, 10G, and a protective film 30 made of the foregoing material to the top of 10B.

また、例えば、上述した材料よりなる封止用基板50の上に、赤色フィルタの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタを形成する。 Further, for example, on the sealing substrate 50 made of the foregoing material, the material of the red filter was applied by spin coating to form a red filter by firing is patterned by photolithography. 続いて、赤色フィルタと同様にして、青色フィルタおよび緑色フィルタを順次形成する。 Subsequently, as in the red filter, are sequentially formed blue filter and green filter.

そののち、保護膜30の上に、接着層40を形成し、この接着層40を間にして封止用基板50を貼り合わせる。 After that, on the protective film 30, to form an adhesive layer 40, attaching the sealing substrate 50 and between the adhesive layer 40. その際、封止用基板50のカラーフィルタ51を形成した面を、有機発光素子10R,10G,10B側にして配置することが好ましい。 At that time, the surface forming the color filter 51 of the sealing substrate 50, the organic light emitting devices 10R, 10G, and is preferably arranged in the 10B side. 以上により、図3に示した表示装置が完成する。 Consequently, the display device is completed as shown in FIG.

このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路130から書き込みトランジスタTr2のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路120から画像信号が書き込みトランジスタTr2を介して保持容量Csに保持される。 In the display device obtained in this way, together with the scanning signal through the gate electrode of the write transistor Tr2 from the scanning line driving circuit 130 for each pixel is supplied, the image signal from the signal line driver circuit 120 is the writing transistor stored in the storage capacitor Cs via the tr2. すなわち、この保持容量Csに保持された信号に応じて駆動トランジスタTr1がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子10R,10G,10Bに駆動電流Idが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。 That is, the driving transistor Tr1 in response to the signal held in the holding capacitor Cs is on-off control, so that each organic light emitting devices 10R, 10G, by a drive current Id is injected into 10B, and holes and electrons emission occurs but recombine. この光は、第1電極15と第2電極19との間で多重反射し、第2電極19,カラーフィルタ51および封止用基板50を透過して取り出される。 This light, a first electrode 15 multiply reflected between the second electrode 19, second electrode 19 is taken out through the color filter 51 and the sealing substrate 50. このとき、本実施の形態では、図5に示したように、共振器構造の第1端部P1が段差形状を有しており、この段差形状が距離調整層17によって埋め込まれ平坦化されることにより、第2端部P2が平坦になると共に、第1領域21における光学的距離L1と第2領域22における光学的距離L2が互いに異なっているので、取り出される光のスペクトルは第1領域21と第2領域22とではそのピーク波長が異なる。 In this case, in the present embodiment, as shown in FIG. 5, the first end portion P1 has a step shape, it is flattened buried this stepped shape by the distance adjustment layer 17 of the resonator structure by, together with the second end portion P2 becomes flat, since the optical distance L2 between the optical distance L1 in the first region 21 in the second region 22 are different from each other, the spectrum of light to be extracted first region 21 When its peak wavelength is different between the second region 22. 従って、各素子において取り出される光はそれらを合成したものとなり、そのスペクトルの半値幅が、従来の素子全体で光学的距離を同じとしたものに比べて広くなる、すなわち視野角特性が向上する。 Therefore, light to be extracted in each element becomes a composite of them, the half width of the spectrum becomes wider than that obtained by the same optical distance across conventional devices, i.e., the viewing angle characteristics are improved.

このように本実施の形態では、共振器構造の第1端部P1が段差形状を有するようにし、この段差形状を距離調整層17によって埋め込み平坦化することにより、第2端部P2を平坦にすると共に、第1領域21における光学的距離L1と第2領域22における光学的距離L2とを互いに異ならせるようにしたので、第1領域21および第2領域22の各々から取り出される光のスペクトルのピーク波長を異ならせ、それらを合成したスペクトルの半値幅を広くすることができ、視野角特性を向上させることができる。 In this manner, in the present embodiment, the first end P1 of the resonator structure to have a stepped shape, by flattening the embedded by the distance adjustment layer 17 to the step shape, flat second end P2 while, since it made different from each other and an optical distance L2 between the optical distance L1 in the first region 21 in the second region 22, the spectrum of light extracted from each of the first region 21 and second region 22 with different peak wavelengths, they can be widened half width of the synthesized spectrum, thereby improving the viewing angle characteristics. また、従来のように透明基板に凹面構造や光拡散層、光屈折層など外光を散乱させるおそれのある構造を形成する必要がなくなるので、外光コントラストの悪化を引き起こすことがなく、更に製造コストの点でも有利である。 Further, the concave structure and the light diffusing layer in the conventional transparent substrate as, the need to form a structure that may that scatters external light such as light refraction layer is eliminated, without causing deterioration of the external light contrast, further production in terms of cost it is also advantageous.

更に、光学的距離を調整するための透明導電膜は不要となり、非発光欠陥の発生や開口率の低下などのおそれはない。 Further, the transparent conductive film for adjusting the optical distance is not required, there is no risk such as reduction of generation and opening of the non-light emission defect. 更に、透明導電膜の厚みを変えるための複雑なパターニング工程も不要であり、製造コストの点でも有利である。 Moreover, complicated patterning process for changing the thickness of the transparent conductive film is also required, which is advantageous in terms of manufacturing cost. よって、簡素な構成および工程により高品質な有機発光素子10R,10G,10Bを備えた表示装置を実現することができる。 Therefore, it is possible to realize a display device having high quality organic light-emitting elements 10R, 10G, and 10B by simple structure and process.

(第2の実施の形態) (Second Embodiment)
図13は、本発明の第2の実施の形態に係る表示装置の有機発光素子10R,10G,10Bの断面構成を表すものである。 Figure 13 is an organic light emitting element 10R of the display apparatus according to a second embodiment of the present invention, 10G, the cross-sectional configuration of 10B represents. この有機発光素子10R,10G,10Bは、第1電極15の発光層18C側の界面に段差を形成するため、画素駆動回路140の駆動トランジスタTr1と第1電極15との配置関係を調節し、段差形成層14を設けないようにしたことを除いては、第1の実施の形態で説明した表示装置と同一であるので、以下、同一の構成要素には同一の符号を付して説明する。 The organic light emitting devices 10R, 10G, 10B in order to form a step at the interface of the light-emitting layer 18C side of the first electrode 15, to adjust the positional relationship between the driving transistor Tr1 and the first electrode 15 of the pixel drive circuit 140, except that not be provided a step forming layer 14 is the same as the display device described in the first embodiment, the following, the same components will be denoted by the same reference numerals .

駆動トランジスタTr1は、基板11上の第2領域22に設けられている。 The driving transistor Tr1 is provided in the second region 22 on the substrate 11. この駆動トランジスタTr1によって生じる段差を十分に大きくすることにより、平坦化絶縁膜13の表面に駆動トランジスタTr1を反映した段差が残る。 By sufficiently large difference in level caused by the driving transistors Tr1, leaving a step reflecting the driving transistor Tr1 to the surface of the planarization insulating film 13. これにより、第1電極15の発光層18C側の端面、すなわち共振器構造の第1端部P1に、駆動トランジスタTr1の形状に対応した段差形状をもたせることができる。 This allows the end surface of the light-emitting layer 18C side of the first electrode 15, i.e. the first end P1 of the resonator structure, impart a stepped shape corresponding to the shape of the driving transistor Tr1. このことを除いては、第1電極15は第1の実施の形態と同様に構成されている。 Except for this, the first electrode 15 is configured similarly to the first embodiment.

なお、図13では、駆動トランジスタTr1として逆スタガー構造(いわゆるボトムゲート型)のものを表している。 In FIG. 13, and represents those inverted staggered structure (so-called bottom gate type) as the driving transistor Tr1. この駆動トランジスタTr1は、例えば、基板11上にモリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)またはクロム(Cr)などの金属材料よりなるゲート電極151が設けられ、このゲート電極151を覆うように、窒化シリコンまたは酸化シリコンよりなるゲート絶縁膜152およびアモルファスシリコンなどの半導体薄膜よりなるチャネル層153が順に形成されている。 The driving transistor Tr1 is, for example, molybdenum (Mo) on the substrate 11, aluminum (Al) or chromium (Cr) gate electrode 151 made of a metal material such as is provided so as to cover the gate electrode 151, a silicon nitride or channel layer 153 made of a semiconductor thin film such as a gate insulating film 152 and the amorphous silicon made of silicon oxide is formed in this order. ゲート電極151上方のチャネル層153の中央領域には、絶縁性のチャネル保護膜154が設けられている。 In the central region of the gate electrode 151 above the channel layer 153 includes an insulating channel protective film 154 is provided. チャネル層153のチャネル保護膜154から露出した両側の領域には、n型アモルファスシリコンなどのn型半導体薄膜よりなるソース電極155Sおよびドレイン電極155Dが形成されている。 On both sides of the region exposed from the channel protective film 154 of the channel layer 153, a source electrode 155S and the drain electrode 155D of n-type semiconductor thin film such as n-type amorphous silicon is formed. これらソース電極155Sおよびドレイン電極155Dは、チャネル保護膜154により互いに分離されると共に、チタン(Ti)層,アルミニウム(Al)層およびチタン(Ti)層を順に積層したソース配線156Sおよびドレイン配線156Dがそれぞれ形成されており、さらに全体が窒化シリコンなどよりなる保護膜157で覆われている。 These source electrode 155S and the drain electrode 155D, as well are separated from each other by a channel protective film 154, a titanium (Ti) layer, an aluminum (Al) layer and a source wiring 156S and the drain wiring 156D by stacking a titanium (Ti) layer is sequentially are formed respectively, it is covered with a protective film 157, further the whole is formed of silicon nitride. ちなみに、スタガー構造(いわゆるトップゲート型)の駆動トランジスタTr1の構成は、上述した構成要素の積層順が逆になることを除いては同様である。 Incidentally, the configuration of the driving transistor Tr1 of the staggered structure (the so-called top gate type) is similar except that the lamination order of the elements described above is reversed.

第1領域21における光学的距離L1と、第2領域22における光学的距離L2とは第1の実施の形態と同様に数1を満たすことが好ましい。 The optical distance L1 in the first region 21 and the optical distance L2 in the second region 22 preferably satisfies Equation 1 as in the first embodiment.

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。 The display device can be manufactured, for example, as follows.

まず、基板11上に画素駆動回路140を形成する。 First, a pixel drive circuit 140 on the substrate 11. その際、第2領域22に駆動トランジスタTr1を形成する。 At that time, to form the driving transistor Tr1 in the second region 22. すなわち、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなるゲート電極151を形成し、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングまたはウェットエッチングにより所定のパターンに成形する。 That is, for example, sputtering to form a gate electrode 151 made of the foregoing material is formed into a predetermined pattern e.g. photolithography and dry etching or wet etching. 次いで、基板11の全面に上述した材料よりなるゲート絶縁膜152を形成する。 Then, a gate insulating film 152 made of the foregoing material to the entire surface of the substrate 11. 続いて、ゲート絶縁膜152の上に、上述した材料よりなるチャネル層153,チャネル保護膜154,ソース電極155Sおよびドレイン電極155D,並びにソース配線156Sおよびドレイン配線156Dを順に所定の形状に形成する。 Subsequently, on the gate insulating film 152, the channel layer 153 made of the foregoing material, the channel protective film 154, a source electrode 155S and the drain electrode 155D, and sequentially formed in a predetermined shape source wiring 156S and the drain wiring 156D. そののち、全体を上述した材料よりなる保護膜157で覆うことにより、駆動トランジスタTr1が形成される。 After that, by covering with a protective film 157 made of the above-described overall material, the driving transistor Tr1 is formed.

駆動トランジスタTr1を含む画素駆動回路140を形成したのち、第1の実施の形態と同様にして、平坦化絶縁膜13,第1電極15,電極間絶縁膜16,距離調整層17,有機層18および第2電極19を順に形成し、有機発光素子10R,10G,10Bを形成する。 After forming the pixel drive circuit 140 including the driving transistors Tr1, as in the first embodiment, the planarization insulating film 13, the first electrode 15, the inter-electrode insulating film 16, the distance adjustment layer 17, the organic layer 18 and a second electrode 19 are sequentially formed to form the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B.

そののち、有機発光素子10R,10G,10Bの上に保護膜30および接着層40を形成し、カラーフィルタ51を設けた封止用基板50を貼り合わせる。 After that, the organic light emitting devices 10R, 10G, and forming a protective film 30 and the adhesive layer 40 on top of 10B, bonding the sealing substrate 50 provided with the color filter 51. 以上により、図13に示した表示装置が完成する。 Consequently, the display device is completed as shown in FIG. 13.

この表示装置の作用は、第1の実施の形態と同様である。 The operation of this display device is the same as the first embodiment.

このように本実施の形態では、駆動トランジスタTr1によって生じる段差を利用して、共振器構造の第1端部P1に、駆動トランジスタTr1の形状に対応した段差形状をもたせるようにしたので、第1の実施の形態と同様の効果に加えて、段差形成層14を形成する必要がなくなり、構成および製造工程をより簡素化することができる。 In this manner, in the present embodiment, by utilizing the level difference caused by the driving transistors Tr1, the first end P1 of the resonator structure. Thus impart a stepped shape corresponding to the shape of the driving transistors Tr1, first in addition to the same effect as that of the embodiment of, it is not necessary to form a step forming layer 14, it is possible to further simplify the configuration and manufacturing process.

なお、本実施の形態では、第1電極15を駆動トランジスタTr1の上に形成することにより第1端部P1に段差形状をもたせるようにした場合について説明したが、駆動トランジスタTr1に限らず、保持容量Csまたは書き込みトランジスタTr2と第1電極15との配置関係により第1端部P1に段差形状をもたせるようにしてもよい。 In the present embodiment it has been described as being to impart a stepped shape to the first end portion P1 by forming a first electrode 15 on the driving transistors Tr1, not limited to the driving transistors Tr1, holding it may be imparted to step shape at the first end portion P1 by an arrangement relationship between the capacitance Cs or write transistor Tr2 and the first electrode 15.

また、基板11上の第2領域22に信号線120A,走査線130Aあるいは電源ライン等の配線を配置し、その上に第1電極15を形成するようにしてもよい。 The second region 22 to the signal line 120A of the substrate 11, arranged wirings such as scanning lines 130A or the power line, it may be formed a first electrode 15 thereon. この場合、段差をより大きくするために、配線の厚みを厚くするようにすれば、配線抵抗を下げ、表示装置の大型化にも有利になる。 In this case, in order to further increase the step, if to increase the thickness of the wire, decrease the wiring resistance, which is advantageous to the size of the display device. あるいは、段差をより大きくするために、配線を多層化するようにすれば、開口率を高めることができ、有機発光素子10R,10G,10Bに流れる電流密度を低減して寿命を向上させることができる。 Alternatively, in order to further increase the step, if the wires to multi-layered, it is possible to increase the aperture ratio, the organic light emitting devices 10R, 10G, and to improve the service life by reducing the current density flowing through the 10B it can.

更に、第2電極19の抵抗を下げるために補助配線を形成する場合には、第1電極15をこの補助配線の上に形成することにより第1端部P1に段差形状をもたせることも可能である。 Further, when forming the auxiliary wiring to reduce the resistance of the second electrode 19, it is also possible to have a step shape at the first end portion P1 by forming a first electrode 15 on the auxiliary wiring is there.

更に、本実施の形態の駆動トランジスタTr1,配線または補助配線に加えて、平坦化絶縁膜13上にも第1の実施の形態と同様の段差形成層14を形成するようにしてもよい。 Furthermore, the driving transistor Tr1 in this embodiment, the wiring or in addition to the auxiliary wiring, may be formed a step forming layer 14 similar to the embodiment of the first embodiment also on the planarizing insulating film 13.

(第3の実施の形態) (Third Embodiment)
図14は、本発明の第3の実施の形態に係る表示装置の有機発光素子10R,10G,10Bの断面構成を表すものである。 Figure 14 is an organic light emitting element 10R of the display apparatus according to a third embodiment of the present invention, 10G, the cross-sectional configuration of 10B represents. この有機発光素子10R,10G,10Bは、段差形成層14を、駆動トランジスタTr1と同じ材料により構成するようにしたことを除いては、第1の実施の形態で説明した表示装置と同一であるので、以下、同一の構成要素には同一の符号を付して説明する。 The organic light emitting devices 10R, 10G, 10B is a step forming layer 14, except that was configured from the same material as the driving transistors Tr1, is the same as the display device described in the first embodiment since, following, the same components will be denoted by the same reference numerals.

段差形成層14は、基板11上の第2領域22に設けられ、駆動トランジスタTr1のソース配線156Sおよびドレイン配線156Dと同じ材料により構成されている。 The step forming layer 14 is provided in the second region 22 on the substrate 11, and is made of the same material as a source wiring 156S and the drain wiring 156D of the driving transistor Tr1. すなわち、段差形成層14は、例えば、チタン(Ti)層166A,アルミニウム(Al)層166Bおよびチタン(Ti)層166Cと、保護膜157とをこの順に積層した構成を有している。 That is, the step forming layer 14 has, for example, titanium (Ti) layer 166A, and an aluminum (Al) layer 166B and titanium (Ti) layer 166C, and a protective film 157 formed by laminating in this order.

この段差形成層14の上には、平坦化絶縁膜13を間にして第1電極15が形成されている。 On this the step forming layer 14, and the first electrode 15 and between the planarization insulating film 13 is formed. 段差形成層14によって生じる段差を十分に大きくすることにより、平坦化絶縁膜13の表面に段差形成層14を反映した段差が残る。 By sufficiently large difference in level caused by the stepped layer 14, leaving a step reflecting the stepped layer 14 on the surface of the planarization insulating film 13. これにより、第1電極15の発光層18C側の端面、すなわち共振器構造の第1端部P1に、駆動トランジスタTr1の形状に対応した段差形状をもたせることができる。 This allows the end surface of the light-emitting layer 18C side of the first electrode 15, i.e. the first end P1 of the resonator structure, impart a stepped shape corresponding to the shape of the driving transistor Tr1. このことを除いては、第1電極15は第1の実施の形態と同様に構成されている。 Except for this, the first electrode 15 is configured similarly to the first embodiment.

第1領域21における光学的距離L1と、第2領域22における光学的距離L2とは第1の実施の形態と同様に数1を満たすことが好ましい。 The optical distance L1 in the first region 21 and the optical distance L2 in the second region 22 preferably satisfies Equation 1 as in the first embodiment.

この表示装置は、例えば、画素駆動回路140の駆動トランジスタTr1を形成する際に、基板11上の第2領域22に上述した材料および積層構成の段差形成層14を形成することを除いては、第2の実施の形態と同様にして製造することができる。 The display device, for example, with the exception that when forming the driving transistor Tr1 of the pixel drive circuit 140, to form a step forming layer 14 of the above-mentioned materials and laminated structure in the second region 22 on the substrate 11, it can be produced in the same manner as the second embodiment.

この表示装置の作用・効果は、第2の実施の形態と同様である。 Operation and effect of the display device is the same as the second embodiment.

なお、本実施の形態では、段差形成層14を、駆動トランジスタTr1のソース配線156Sおよびドレイン配線156Dと同じ材料および積層構成で形成するようにした場合について説明したが、段差形成層14は、駆動トランジスタTr1の他の層と同じ材料および積層構成を有していてもよい。 In this embodiment, the step forming layer 14, has been described with the case of forming the same material and stacked configuration as the source wiring 156S and the drain wiring 156D of the driving transistors Tr1, the step forming layer 14, the driving it may have the same materials and stacked configuration as the other layers of the transistor Tr1. 例えば、図15に示したように、段差形成層14は、駆動トランジスタTr1のゲート電極151と同じ材料よりなる層161,ゲート絶縁膜122,チャネル層153と同じ材料よりなる層163,チャネル保護層154と同じ材料よりなる層164,ソース電極155Sおよびドレイン電極155Dと同じ材料よりなる層165,並びにソース配線156Sおよびドレイン配線156Dと同じ材料よりなる層166により構成されていてもよい。 For example, as shown in FIG. 15, the step forming layer 14, the layer 161 made of the same material as the gate electrode 151 of the driving transistors Tr1, the gate insulating film 122, made of the same material as that of the channel layer 153 layer 163, the channel protective layer 154 made of the same material as the layer 164, may be constituted by the source electrode 155S and a layer 165 made of the same material as the drain electrode 155D, and a layer 166 made of the same material as the source wiring 156S and the drain wiring 156D. このように駆動トランジスタTr1のより多くの層を利用して段差形成層14を構成することにより、より高い段差を形成することができる。 By forming the step forming layer 14 in this manner by using more layers of the driving transistors Tr1, it is possible to form a higher step.

また、段差形成層14は、保持容量Csあるいは書き込みトランジスタTr2、または、信号線120A,走査線130Aあるいは電源ライン等の配線と同じ材料および積層構成としてもよいし、第2電極19の抵抗を下げるための補助配線と同じ材料および積層構成としてもよい。 The step-forming layer 14, the holding capacitor Cs or write transistor Tr2, or, the signal line 120A, may be used as the same materials and stacked configuration and wirings such as scanning lines 130A or the power lines, reducing the resistance of the second electrode 19 it may be the same materials and stacked configuration as the auxiliary wiring for.

更に、本実施の形態の段差形成層14に加えて、平坦化絶縁膜13上にも第1の実施の形態と同様の段差形成層14を形成し、より高い段差を形成するようにしてもよい。 Furthermore, in addition to the step forming layer 14 of the present embodiment, also forms the first embodiment and the same step forming layer 14 on the flattening insulating film 13, it is also possible to form a higher level difference good.

(第4の実施の形態) (Fourth Embodiment)
次に、本発明の第4の実施の形態に係る表示装置について説明する。 Next, a description will be given of a display device according to a fourth embodiment of the present invention. この表示装置は、図16に示したように、第1電極15が、基板11上に設けられた凹凸構造61の上に形成されていることを除いては、第1の実施の形態で説明した表示装置と同一である。 The display device, as shown in FIG. 16, the first electrode 15, except that it is formed on the uneven structure 61 provided on the substrate 11 is described in the first embodiment is the same as the display device.

凹凸構造61は、例えば感光性樹脂により構成され、第1電極15側の表面に凹凸形状を有している。 Uneven structure 61 is composed of, for example, a photosensitive resin, and has an uneven shape on the surface of the first electrode 15 side. この凹凸構造61は、図16に示したような一つの層により構成されたものでもよいし、図17に示したような複数の突起部61Aと、この突起部61Aを覆う連続した被覆層61Bとを有し、被覆層61Bの第1電極15側の表面が突起部61Aに対応した凹凸形状となっているものでもよい。 The uneven structure 61 may also be constructed by one layer as shown in FIG. 16, a plurality of projections 61A as shown in FIG. 17, continuous coating layer 61B covers the protrusion 61A has the door, the first electrode 15 side of the surface of the coating layer 61B may be one that has an uneven shape corresponding to the projecting portion 61A. なお、凹凸構造61は、第1の実施の形態で説明した平坦化絶縁膜13を兼ねると共に接続孔61Cを有していてもよい。 Incidentally, concave-convex structure 61 may have a connection hole 61C with serving as a planarization insulating film 13 described in the first embodiment.

第1電極15の発光層18C側の端面は、凹凸構造61に対応した連続的な凹凸形状を有する第1端部P1となっている。 The end face of the light-emitting layer 18C side of the first electrode 15 has a first end portion P1 having a continuous concave-convex shape corresponding to the uneven structure 61. 第1電極15の上には、凹凸形状を埋め込むと共に発光層18C側に平坦な表面17Aを有する距離調整層17が設けられており、第2端部P2が平坦になると共に、第1端部P1の凹凸形状に応じて第1端部P1と第2端部P2との間の光学的距離Lが連続的に変化している。 On the first electrode 15, the distance adjustment layer 17 having a flat surface 17A to the light-emitting layer 18C side is provided with embedded irregularities, with the second end portion P2 becomes flat, the first end optical distance L between depending on P1 of the concave-convex shape as the first end portion P1 and the second end portion P2 is continuously varied. これにより、この有機発光素子10R,10G,10Bでは、取り出される光のスペクトルのピーク波長を光学的距離Lに応じて連続的に変化させ、それらを合成したスペクトルの半値幅を広くして、視野角特性を向上させることができるようになっている。 Accordingly, in the organic light emitting devices 10R, 10G, 10B, is continuously changed in accordance with the peak wavelength of the spectrum of light to the optical distance L is taken out, and a wide half-value width of a spectrum obtained by synthesizing them, viewing and it is capable of improving the angular properties.

第1端部P1の凹凸形状は例えば平均傾斜角が2°以下の超低角度の凹凸であることが好ましい。 Uneven shape of the first end portion P1 is preferably for example an average slope angle is ultra low angle of unevenness of less than 2 °. 傾斜角の大きな凹凸形状では、外光散乱が大きくなり、コントラストの低下を生じるおそれがあるからである。 The large irregularities of the tilt angle, the external light scattering is increased, there is a possibility of causing a reduction in contrast.

距離調整層17は、例えば、有機層14の正孔注入層14Aまたは正孔輸送層14Bと同一の有機材料により構成されており、正孔注入層14Aまたは正孔輸送層14Bを兼ねていてもよい。 Distance adjustment layer 17 is made of, for example, of the same organic material as the hole injection layer 14A or the hole transport layer 14B of the organic layer 14, also serve as a hole injection layer 14A or the hole transport layer 14B good. また、距離調整層17は、図18に示したように、正孔注入層14Aまたは正孔輸送層14Bとは別に設けられていてもよい。 The distance adjustment layer 17, as shown in FIG. 18, may be provided separately from the hole injection layer 14A or the hole transport layer 14B.

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。 The display device can be manufactured, for example, as follows.

図19および図20は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。 19 and 20, illustrates a method of manufacturing the display unit in order of steps. この製造方法は、図16に示したような単層の凹凸構造61の上に第1電極15を形成する場合を表している。 The manufacturing method represents a case of forming the first electrode 15 on the uneven structure 61 of a single layer as shown in FIG. 16.

まず、図19(A)に示したように、駆動トランジスタTr1を含む画素駆動回路140を形成した基板11の上に、感光性樹脂を塗布することにより感光性樹脂膜71を形成する。 First, as shown in FIG. 19 (A), on a substrate 11 formed with the pixel driving circuit 140 including the driving transistors Tr1, to form a photosensitive resin film 71 by applying a photosensitive resin.

次いで、図19(B)に示したように、例えばハーフトーンレチクル72または二枚のレチクルを用いたフォトリソグラフィ法により感光性樹脂膜71を露光・現像し、凹凸構造61を形成する。 Then, as shown in FIG. 19 (B), for example, a photosensitive resin film 71 is exposed and developed by photolithography using a halftone reticle 72 or the two reticles to form the uneven structure 61. その際、超低角度の凹凸を形成する方法としては、例えば、露光に用いるレチクルのパターンを露光機の解像度よりも微細なパターンとするようにしてもよく、あるいはこれに限らず他の方法を用いてもよい。 At that time, as a method of forming an ultra-low angle of the unevenness, for example, the pattern of the reticle used for the exposure may be a fine pattern than the resolution of the exposure machine, or other methods not limited thereto it may be used. また、凹凸構造61が平坦化絶縁膜13を兼ねる場合には、同時に接続孔61Cを形成してもよい。 Further, when the uneven structure 61 also serves as a planarization insulating film 13 may be formed at the same time the connection hole 61C.

続いて、図20(A)に示したように、凹凸構造61を焼成したのち、この凹凸構造61の上に、例えばスパッタ法により第1電極15を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 20 (A), after firing the uneven structure 61 on top of the uneven structure 61, for example, to form the first electrode 15 by sputtering. これにより、第1電極15の発光層18C側の端面に、凹凸構造61に対応した連続的な凹凸形状が形成される。 Thus, the end face of the light-emitting layer 18C side of the first electrode 15, a continuous concave-convex shape corresponding to the concave-convex structure 61 is formed. そののち、同じく図20(A)に示したように、第1の実施の形態と同様にして感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により成形し、焼成することにより、電極間絶縁膜16を形成する。 After that, as also shown in FIG. 20 (A), in the same manner as in the first embodiment the photosensitive resin is applied, for example, formed by photolithography, followed by firing, the inter-electrode insulating film 16 to form.

電極間絶縁膜16を形成したのち、第1電極15の上に、例えば真空蒸着法により上述した材料よりなる距離調整層17を形成し、距離調整層17の構成材料のガラス転移点以上の温度に加熱することにより、図20(B)に示したように、距離調整層17の発光層18C側の表面17Aを平坦化する。 After forming the insulating film 16, on the first electrode 15, for example, to form a distance adjustment layer 17 made of the foregoing material by vacuum deposition, a temperature not lower than the glass transition point of the material of the distance adjustment layer 17 by heating, as shown in FIG. 20 (B), to flatten the surface 17A of the light-emitting layer 18C side of the distance adjustment layer 17.

距離調整層17を形成したのち、この距離調整層17の上に、有機層18および第2電極19を順次成膜する。 After forming the distance adjustment layer 17, over the distance adjustment layer 17 are sequentially deposited organic layer 18 and the second electrode 19. その際、距離調整層17と正孔注入層18Aまたは正孔輸送層18Bとを同一材料により構成した場合、正孔注入層18Aまたは正孔輸送層18Bを距離調整層17とは別に再度形成してもよいし、それらを省略して発光層18Cおよび電子輸送層18Dのみを形成してもよい。 At that time, if the distance adjustment layer 17 and the hole injection layer 18A or the hole transport layer 18B was made of the same material, the hole injection layer 18A or the hole transport layer 18B separately again formed from the distance adjustment layer 17 may be, may be formed only the light-emitting layer 18C and the electron transport layer 18D is omitted them.

そののち、有機発光素子10R,10G,10Bの上に保護膜30および接着層40を形成し、カラーフィルタ51を設けた封止用基板50を貼り合わせる。 After that, the organic light emitting devices 10R, 10G, and forming a protective film 30 and the adhesive layer 40 on top of 10B, bonding the sealing substrate 50 provided with the color filter 51. 以上により、図16に示した表示装置が完成する。 Consequently, the display device is completed as shown in FIG. 16.

また、この表示装置は、次のようにして製造することもできる。 Further, the display device can be manufactured as follows.

図21および図22は、この表示装置の他の製造方法を工程順に表すものである。 21 and FIG. 22 illustrates another method of manufacturing the display unit in the order of steps. この製造方法は、図17に示したような複数の突起部61Aを被覆層61Bで覆った凹凸構造61の上に第1電極15を形成する場合を表している。 The manufacturing method represents a case of forming the first electrode 15 on the uneven structure 61 to cover the plurality of projections 61A as shown in FIG. 17 with a coating layer 61B.

まず、図21(A)に示したように、駆動トランジスタTr1を含む画素駆動回路140を形成した基板11の上に、感光性樹脂を塗布することにより感光性樹脂膜を形成し、この感光性樹脂膜を、例えばマスク81を用いたフォトリソグラフィ法により露光・現像して突起部61Aを形成し、焼成する。 First, as shown in FIG. 21 (A), on a substrate 11 formed with the pixel driving circuit 140 including the driving transistors Tr1, a photosensitive resin film is formed by applying a photosensitive resin, the photosensitive a resin film, exposed and developed to form a protruding portion 61A by, for example, photolithography using the mask 81 is baked.

次いで、図21(B)に示したように、突起部61Aを形成した基板11の上に再び感光性樹脂を塗布することにより突起部61Aを被覆層61Bで覆う。 Then, as shown in FIG. 21 (B), it covers the projections 61A with the coating layer 61B by applying again a photosensitive resin on a substrate 11 formed with the protrusions 61A.

続いて、図22(A)に示したように、例えばマスク82を用いたフォトリソグラフィ法により被覆層61Bに接続孔61Cを形成し、焼成する。 Subsequently, as shown in FIG. 22 (A), a connection hole 61C formed in the coating layer 61B by, for example, photolithography using the mask 82 is baked.

続いて、図22(B)に示したように、凹凸構造61の上に、例えばスパッタ法により第1電極15を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 22 (B), on the uneven structure 61, for example, to form the first electrode 15 by sputtering. これにより、第1電極15の発光層18C側の端面に、凹凸構造61に対応した連続的な凹凸形状が形成される。 Thus, the end face of the light-emitting layer 18C side of the first electrode 15, a continuous concave-convex shape corresponding to the concave-convex structure 61 is formed.

そののち、上述した製造方法と同様にして感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により成形し、焼成することにより、電極間絶縁膜16を形成する。 Thereafter, in the same manner as the manufacturing method described above the photosensitive resin is applied, for example, formed by photolithography, followed by baking, to form an inter-electrode insulating film 16. 続いて、上述した製造方法と同様にして、第1電極15の上に距離調整層17を形成し、距離調整層17の構成材料のガラス転移点以上の温度に加熱することにより、距離調整層17の発光層18C側の表面17Aを平坦化する。 Subsequently, in the same manner as the manufacturing method described above, by the distance adjustment layer 17 is formed on the first electrode 15 is heated to a temperature higher than the glass transition point of the material of the distance adjustment layer 17, the distance adjustment layer to flatten the surface 17A of the light-emitting layer 18C side of 17.

距離調整層17を形成したのち、上述した製造方法と同様にして、有機層18および第2電極19を順次成膜する。 After forming the distance adjustment layer 17, in the same manner as the manufacturing method described above, sequentially forming an organic layer 18 and the second electrode 19. そののち、有機発光素子10R,10G,10Bの上に保護膜30および接着層40を形成し、カラーフィルタ51を設けた封止用基板50を貼り合わせる。 After that, the organic light emitting devices 10R, 10G, and forming a protective film 30 and the adhesive layer 40 on top of 10B, bonding the sealing substrate 50 provided with the color filter 51. 以上により、図17に示した表示装置が完成する。 Consequently, the display device is completed as shown in FIG. 17.

この表示装置では、第1電極15と第2電極19との間に所定の電圧が印加されると、第1の実施の形態と同様にして発光が起こり、この光は、第1電極15と第2電極19との間で多重反射し、第2電極19の側から取り出される。 In this display device, the first electrode 15 when a predetermined voltage is applied between the second electrode 19, light emission occurs in the same manner as in the first embodiment, this light, the first electrode 15 multiply reflected between the second electrode 19 is taken out from the side of the second electrode 19. このとき、第1端部P1が連続的な凹凸形状を有しており、この凹凸形状が距離調整層17によって埋め込まれ平坦化されることにより光学的距離Lが連続的に変化しているので、取り出される光のスペクトルのピーク波長も光学的距離Lに応じて連続的に変化しており、それらを合成したスペクトルの半値幅が広くなる。 At this time, the first end portion P1 is has a continuous concave-convex shape, since the optical distance L is continuously changed by the uneven shape is flattened buried by the distance adjustment layer 17 , the peak wavelength of the spectrum of extracted light is also continuously changed in accordance with the optical distance L, the half value width of a spectrum obtained by synthesizing them becomes wider. よって、視野角特性が向上する。 Thus, the viewing angle characteristics are improved.

このように本実施の形態では、第1端部P1が連続的な凹凸形状を有するようにし、この凹凸形状を距離調整層17で埋め込み平坦化することにより光学的距離Lを連続的に変化させるようにしたので、取り出される光のスペクトルのピーク波長を光学的距離Lに応じて連続的に変化させることができ、視野角特性を向上させることができる。 In this manner, in the present embodiment, the first end portion P1 is designed to have a continuous corrugated shape continuously changes the optical distance L by flattening embedding the irregularities in the distance adjustment layer 17 since the way, the peak wavelength of the spectrum of extracted light can be continuously varied in response to the optical distance L, it is possible to improve the viewing angle characteristics.

以上、第1〜第4の実施の形態では、光学的距離の異なる領域を各有機発光素子内に設けるようにしたが、隣り合う同一色の有機発光素子間において光学的距離を異ならせるようにしてもよい。 Above, in the first to fourth embodiments, the regions having different optical distance has been so provided within each of the organic light-emitting devices, so as to vary the optical distance between the same color of the organic light emitting device adjacent it may be. 以下、その例について説明する。 The following describes examples.

(第5の実施の形態) (Fifth Embodiment)
図23は、本発明の第5の実施の形態に係る表示装置の表示領域110の平面構成の一例を表したものである。 Figure 23 is a representation of an example of a planar configuration of the display region 110 of the display device according to a fifth embodiment of the present invention. この表示装置では、隣り合う画素101,102に含まれ、発光波長が同じ有機発光素子10R1,10R2において、第1端部P1と第2端部P2との間の光学的距離LR1,LR2が互いに異なっている。 In this display device, included in the adjacent pixels 101 and 102, the emission wavelength same organic light-emitting device 10R1,10R2, optical distance LR1, LR2 between the first end portion P1 and the second end portion P2 with each other It is different. 同様に、有機発光素子10G1,10G2においても光学的距離LG1,LG2が互いに異なり、また、有機発光素子10B1,10B2においても光学的距離LB1,LB2が互いに異なっている。 Similarly, different from each other is an optical distance LG1, LG2 even in the organic light emitting device 10G1,10G2, also optical distance LB1, LB2 are different from each other in the organic light emitting device 10B1 and 10B2. 有機発光素子10R1,10R2,10G1,10G2,10B1,10B2それぞれの内部では第1領域21および第2領域22に分けられておらず、各素子内における光学的距離は同一である。 The inside of each organic light emitting element 10R1,10R2,10G1,10G2,10B1,10B2 not divided into the first region 21 and second region 22, the optical distance in each element is the same. これにより、この表示装置では、発光波長の同じ有機発光素子10R1,10R2、10G1,10G2、10B1,10B2から取り出される光のスペクトルのピーク波長を異ならせることができ、視野角特性を向上させることができるようになっている。 Thus, in this display device, it is possible to vary the peak wavelength of the spectrum of light extracted from the same organic light-emitting device 10R1,10R2,10G1,10G2,10B1,10B2 emission wavelength, it is possible to improve the viewing angle characteristic It has become possible way.

画素101,102は、例えば交互に配置されているが、直線状に並んでいてもよく、視認上問題ない範囲であればこの限りではない。 Pixels 101 and 102 is, for example, are arranged alternately, may be lined in a straight line, not limited so long as no visible problems. なお、図23では、画素101に網掛けを施して表している。 In FIG. 23, and represents by hatching on the pixel 101.

図24は、隣り合う画素101,102の断面構成を表したものである。 Figure 24 is a representation of the cross-sectional configuration of adjacent pixels 101 and 102. 基板11の画素102の領域には段差形成層14が形成されている。 The region of the pixel 102 of the substrate 11 stepped layer 14 is formed. 画素102の第1電極15は、この段差形成層14の上に形成されており、これにより、画素101の第1電極15と画素102の第1電極15との間には、高低差が設けられている。 First electrode 15 of the pixel 102 is formed on the step forming layer 14, thereby, between the first electrode 15 of the first electrode 15 and the pixel 102 of the pixel 101, height difference provided It is. すなわち、画素101,102の第1電極15の発光層18C側の端面は、段差形成層14に対応する高低差を有する第1端部P1となっている。 That is, the end surface of the light-emitting layer 18C side of the first electrode 15 of the pixel 101 has a first end portion P1 having a height difference corresponding to the stepped layer 14. また、第1電極15上には、画素101,102の第1電極15の高低差を埋め込むと共に第2電極19側に平坦な表面17Aを有する距離調整層17が設けられており、第2端部P2が平坦になると共に、画素101,102の第1電極15の高低差に応じて第1端部P1と第2端部P2との間の光学的距離が異なっている。 Also, on the first electrode 15 is provided with a distance adjusting layer 17 having a flat surface 17A to the second electrode 19 side buries the height difference between the first electrode 15 of the pixel 101, the second end with parts P2 becomes flat, it has different optical distance between the first end portion P1 and the second end portion P2 in accordance with the height difference between the first electrode 15 of the pixel 101 and 102. このことを除いては、有機発光素子10R1,10R2、10G1,10G2、10B1,10B2は第1の実施の形態と同様に構成されている。 This except the organic light emitting element 10R1,10R2,10G1,10G2,10B1,10B2 is configured similarly to the first embodiment.

距離調整層17は、第1の実施の形態と同様に、有機層18の正孔注入層18Aまたは正孔輸送層18Bと同一の有機材料により構成されており、正孔注入層18Aまたは正孔輸送層18Bを兼ねていてもよい。 Distance adjustment layer 17, as in the first embodiment, is constituted by the hole injection layer 18A or the same organic material and a hole transport layer 18B of the organic layer 18, the hole injection layer 18A or the hole it may also serve as a transport layer 18B. また、図示しないが、距離調整層17は、正孔注入層18Aまたは正孔輸送層18Bとは別に設けられていてもよい。 Although not shown, the distance adjustment layer 17 may be provided separately from the hole injection layer 18A or the hole transport layer 18B.

有機発光素子10R1における光学的距離LR1と、有機発光素子10R2における光学的距離LR2とは数2を満たすことが好ましい。 The optical distance LR1 of the organic light-emitting device 10R1, it is preferable to satisfy the equation (2) is an optical distance LR2 in the organic light emitting device 10R2. 有機発光素子10G1における光学的距離LG1と、有機発光素子10G2における光学的距離LG2とは数3を満たすことが好ましい。 The optical distance LG1 of the organic light-emitting device 10G1, it is preferable to satisfy the number 3 is the optical distance LG2 of the organic light-emitting device 10g2. 有機発光素子10B1における光学的距離LB1と、有機発光素子10B2における光学的距離LB2とは数4を満たすことが好ましい。 The optical distance LB1 in the organic light emitting element 10B1, it is preferable to satisfy the number 4 is the optical distance LB2 of the organic light-emitting device 10B2.

(数2) (Number 2)
LR1=LRave +ΔLR LR1 = LRave + ΔLR
LR2=LRave −ΔLR LR2 = LRave -ΔLR
(2LRave )/λ+Φ/(2π)=m (2LRave) / λ + Φ / (2π) = m
(式中、LRave は有機発光素子10R1における光学的距離LR1と有機発光素子10R2における光学的距離LR2との平均光学的距離、Φは第1端部P1で生じる反射光の位相シフトΦ1 と第2端部P2で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和(Φ=Φ1 +Φ2 )(rad)、λは第2端部P2の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、mはLRave が正となる整数をそれぞれ表す。なお、数2においてLR1,LR2,LRave およびλは単位が共通すればよいが、例えば(nm)を単位とする。) (Wherein, LRave organic light emitting element average optical distance between the optical distance LR2 in optical distance LR1 and the organic light emitting device 10R2 in 10R1, [Phi is the phase shift Φ1 of reflected light generated in the first end portion P1 second the sum of the phase shift .phi.2 of the reflected light generated at the end portion P2 (Φ = Φ1 + Φ2) (rad), λ is the peak wavelength of the spectrum of light desired to be extracted from the side of the second end portion P2, m becomes LRave positive It represents an integer, respectively. Note that, in a few 2 LR1, LR2, LRave and λ may be common the unit, the unit for example, (nm).)
(数3) (Number 3)
LG1=LGave +ΔLG LG1 = LGave + ΔLG
LG2=LGave −ΔLG LG2 = LGave -ΔLG
(2LGave )/λ+Φ/(2π)=m (2LGave) / λ + Φ / (2π) = m
(式中、LGave は有機発光素子10G1における光学的距離LG1と有機発光素子10G2における光学的距離LG2との平均光学的距離、Φは第1端部P1で生じる反射光の位相シフトΦ1 と第2端部P2で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和(Φ=Φ1 +Φ2 )(rad)、λは第2端部P2の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、mはLGave が正となる整数をそれぞれ表す。なお、数3においてLG1,LG2,LGave およびλは単位が共通すればよいが、例えば(nm)を単位とする。) (Wherein, LGave organic light emitting element average optical distance between the optical distance LG2 in the optical distance LG1 and the organic light emitting device 10G2 in 10G1, [Phi is the phase shift Φ1 of reflected light generated in the first end portion P1 second the sum of the phase shift .phi.2 of the reflected light generated at the end portion P2 (Φ = Φ1 + Φ2) (rad), λ is the peak wavelength of the spectrum of light desired to be extracted from the side of the second end portion P2, m becomes LGave positive It represents an integer, respectively. Note that in a few 3 LG1, LG2, LGave and λ is the unit may be common, but in units such as (nm).)
(数4) (Number 4)
LB1=LBave +ΔLB LB1 = LBave + ΔLB
LB2=LBave −ΔLB LB2 = LBave -ΔLB
(2LBave )/λ+Φ/(2π)=m (2LBave) / λ + Φ / (2π) = m
(式中、LBave は有機発光素子10B1における光学的距離LB1と有機発光素子10B2における光学的距離LB2との平均光学的距離、Φは第1端部P1で生じる反射光の位相シフトΦ1 と第2端部P2で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和(Φ=Φ1 +Φ2 )(rad)、λは第2端部P2の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、mはLBave が正となる整数をそれぞれ表す。なお、数4においてLB1,LB2,LBave およびλは単位が共通すればよいが、例えば(nm)を単位とする。) (Wherein, LBave organic light emitting element average optical distance between the optical distance LB2 in optical distance LB1 and the organic light emitting element 10B2 in 10B1, [Phi is the phase shift Φ1 of reflected light generated in the first end portion P1 second the sum of the phase shift .phi.2 of the reflected light generated at the end portion P2 (Φ = Φ1 + Φ2) (rad), λ is the peak wavelength of the spectrum of light desired to be extracted from the side of the second end portion P2, m becomes LBave positive It represents an integer, respectively. Note that in a few 4 LB1, LB2, LBave and λ may be common the unit, but the unit such as (nm).)

なお、数2ないし数4は数1を発光色(R,G,B)ごとに表現したものであり、各々の第1式ないし第3式の意味は数1と同様である。 Incidentally, the number 2 or number 4 is a representation of every few 1 emission colors (R, G, B), the meaning of the first equation of each through third equation is the same as the number 1.

この表示装置は、例えば、画素102の形成予定領域に段差形成層14を形成することを除いては、第1の実施の形態と同様にして製造することができる。 The display device, for example, except that to form a step forming layer 14 in the formation region of the pixel 102 can be manufactured in the same manner as the first embodiment.

本実施の形態の表示装置では、第1電極15と第2電極19との間に所定の電圧が印加されると、第1の実施の形態と同様にして発光が起こり、この光は、第1電極15と第2電極19との間で多重反射し、第2電極19の側から取り出される。 In the display device of the present embodiment includes a first electrode 15 when a predetermined voltage is applied between the second electrode 19, light emission occurs in the same manner as in the first embodiment, the light is first a first electrode 15 multiply reflected between the second electrode 19 is taken out from the side of the second electrode 19. このとき、隣り合う画素101,102に含まれ、発光波長が同じ有機発光素子10R1,10R2において、第1端部P1と第2端部P2との間の光学的距離LR1,LR2が互いに異なっているので、各有機発光素子10R1,10R2から取り出される光は、そのスペクトルのピーク波長が異なる。 In this case, included in the adjacent pixels 101 and 102, the emission wavelength same organic light-emitting device 10R1,10R2, different optical distances LR1, LR2 between the first end portion P1 and the second end portion P2 with each other because there, light extracted from the organic light emitting device 10R1,10R2 a peak wavelength of the spectrum is different. 従って、有機発光素子10R1,10R2が同時に発光した場合には、第1の実施の形態と同様に、合成スペクトルの半値幅が拡がり、視野角特性が向上する。 Therefore, when the organic light emitting device 10R1,10R2 emits light simultaneously, as in the first embodiment, the half-value width of the composite spectrum is spread, the viewing angle characteristics are improved. 他の有機発光素子10G1,10G2間、有機発光素子10B1,10B2間においても同様である。 Between another organic light emitting device 10G1,10G2, it is the same in between the organic light emitting element 10B1 and 10B2.

このように本実施の形態では、隣り合う画素101,102に含まれ、発光波長が同一である有機発光素子10R1,10R2、10G1,10G2、または10B1,10B2において、第1端部P1と第2端部P2との間の光学的距離LR1,LR2、LG1,LG2、またはLB1,LB2を互いに異ならせるようにしたので、発光波長の同じ素子から取り出される光のスペクトルのピーク波長を異ならせることができ、視野角特性を向上させることができる。 In this manner, in the present embodiment, included in the adjacent pixels 101 and 102, in the organic light emitting device 10R1,10R2,10G1,10G2 or 10B1 and 10B2, the emission wavelength is the same, the first end portion P1 second optical distance between the end portion P2 LR1, LR2, LG1, LG2, or LB1, LB2 so was made different from each other, is possible to vary the peak wavelength of the spectrum of light extracted from the same elements of the emission wavelength can, it is possible to improve the viewing angle characteristics.

なお、上記実施の形態では、第1の実施の形態と同様に段差形成層14および距離調整層17を用いて光学的距離LR1,LG1,LB1と光学的距離LR2,LG2,LB2とを互いに異ならせるようにした場合について説明したが、第2または第3の実施の形態と同様に、駆動トランジスタTr1や配線などに起因する段差を利用して光学的距離LR1,LG1,LB1と光学的距離LR2,LG2,LB2とを互いに異ならせるようにしてもよい。 In the above embodiment, different first embodiment as well as optical distance using step forming layer 14 and the distance adjustment layer 17 LR1, LG1, LB1 and optical distance LR2, LG2, LB2 and mutually case has been described so as to, as in the second or third embodiment, the driving transistor Tr1 and the wiring optical distance by utilizing the step resulting from such LR1, LG1, LB1 and optical distance LR2 , it may be made different LG2, LB2 and together.

以下、第5の実施の形態に関して、他の構成により光学的距離LR1,LG1,LB1と光学的距離LR2,LG2,LB2とを互いに異ならせた変形例1〜3について説明する。 Hereinafter, with respect to the fifth embodiment, the optical distance LR1, LG1, LB1 and optical distance LR2, LG2, LB2 and the modified examples 1 to 3 were different from one another will be explained by other configurations. これらの変形例1〜3は、第1電極15の構成または有機層18の厚みの差を用いて光学的距離LR1,LG1,LB1と光学的距離LR2,LG2,LB2とを異ならせるようにしたものである。 These third modifications were made different between optical distance LR1, LG1, LB1 and optical distance LR2, LG2, LB2 with a difference in thickness of the structure or the organic layer 18 of the first electrode 15 it is intended.

(変形例1) (Modification 1)
図25は、変形例1に係る画素101,102の断面構成を表したものである。 Figure 25 is a representation of a cross sectional structure of a pixel 101 according to the first modification. この表示装置は、第1電極15を、銀(Ag)を含む合金よりなる反射電極15Aと、透明電極15Bとを基板11の側からこの順に積層したものである。 The display device is for the first electrode 15, a reflective electrode 15A made of alloy containing silver (Ag), by laminating a transparent electrode 15B in this order from the side of the substrate 11. この場合、画素101の透明電極15Bは、多結晶ITOよりなる下層15BBと、アモルファスITOまたはIZOよりなる上層15BTとを順に積層した構成を有し、画素102の透明電極12Bは下層12BBのみを有する。 In this case, the transparent electrode 15B of the pixel 101 has a lower layer 15BB of polycrystalline ITO, a configuration in which an upper layer 15BT were stacked in order of increasing of amorphous ITO or IZO, the transparent electrode 12B of the pixel 102 has only the lower layer 12BB .

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。 The display device can be manufactured, for example, as follows.

図26および図27は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。 26 and 27, illustrates a method of manufacturing the display unit in order of steps. まず、図26(A)に示したように、上述した材料よりなる基板11の上に、第1の実施の形態と同様にして駆動トランジスタTr1を含む画素駆動回路140および平坦化絶縁膜13を形成したのち、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる反射電極15Aと、下層15BBおよび上層15BTよりなる透明電極15Bとを順に成膜する。 First, as shown in FIG. 26 (A), on a substrate 11 made of the foregoing material, the pixel drive circuit 140 and the planarizing insulating film 13 including the driving transistor Tr1 in the same manner as in the first embodiment After formation, for example by sputtering, sequentially formed a reflective electrode 15A made of the foregoing material, a transparent electrode 15B made of the lower layer 15BB and upper 15BT.

次いで、上層15BTの上に、例えばリソグラフィ技術を用いてレジストパターン(図示せず)を形成し、図26(B)に示したように、このレジストパターンをマスクとしたウェットエッチングにより、画素102の上層15BTを選択的に除去する。 Then, on the upper layer 15BT, for example by lithography to form a resist pattern (not shown), as shown in FIG. 26 (B), by wet etching using the resist pattern as a mask, the pixel 102 the upper layer 15BT selectively removed. このとき、例えば、下層15BBを多結晶ITO、上層15BTをアモルファスITOまたはIZOによりそれぞれ構成し、ウェットエッチング液としてリン酸,硝酸および酢酸の混合液を用いることにより、アモルファスITOまたはIZOと、多結晶ITOとのウェットエッチング選択比を利用して、上層15BTのみを選択的に除去することができる。 In this case, for example, the lower layer 15BB polycrystalline ITO, the upper layer 15BT were respectively made of amorphous ITO or IZO, phosphoric acid as a wet etching solution, by using a mixture of nitric acid and acetic acid, and amorphous ITO or IZO, polycrystalline utilizing the wet etching selectivity of the ITO, it is possible to selectively remove only the upper layer 15BT.

更に、図27に示したように、例えばドライエッチングにより透明電極15Bおよび反射電極15Aを選択的に除去して各有機発光素子10R,10G,10Bごとに分離し、図25に示したような第1電極15を形成する。 Furthermore, as shown in FIG. 27, for example, a transparent electrode 15B and the reflective electrode 15A by dry etching to selectively remove by each organic light-emitting devices 10R, separated 10G, each 10B, first, as shown in FIG. 25 forming the first electrode 15.

そののち、第1電極15の間の領域に電極間絶縁膜16(図5参照。)を設け、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層18A,正孔輸送層18B,発光層18C,電子輸送層18Dおよび第2電極19を順次成膜し、図25に示したような有機発光素子10R,10G,10Bを形成する。 After that, the inter-electrode insulating film 16 (see FIG. 5.) Provided in a region between the first electrode 15, for example by vapor deposition, a hole injection layer 18A made of the thickness described above and the material, the hole transport layer 18B, emitting layer 18C, are sequentially deposited an electron transport layer 18D and the second electrode 19, to form the organic light-emitting devices 10R, as shown in FIG. 25, 10G, and 10B. 続いて、有機発光素子10R,10G,10Bの上に保護膜30および接着層40を形成し、カラーフィルタ51を設けた封止用基板50を貼り合わせる。 Subsequently, the organic light emitting devices 10R, 10G, and forming a protective film 30 and the adhesive layer 40 on top of 10B, bonding the sealing substrate 50 provided with the color filter 51. 以上により、図25に示した表示装置が完成する。 Consequently, the display device is completed as shown in FIG. 25.

(変形例2) (Modification 2)
図28は、第1電極15の他の構成例を表したものである。 Figure 28 is a representation of another configuration example of the first electrode 15. 本変形例の第1電極15は、反射電極15Aと透明電極15Bとを交互に含む積層構造を有するものである。 First electrode 15 of this modification are those having a layered structure including a reflective electrode 15A and the transparent electrode 15B alternately. 画素101の第1電極15は、銀(Ag)を含む合金よりなる第1反射電極15A1,多結晶ITOよりなる第1透明電極15B1,銀(Ag)を含む合金よりなる第2反射電極15A2および多結晶ITOよりなる第2透明電極15B2を基板11側からこの順に積層した構成を有している。 First electrode 15 of the pixel 101, the first reflective electrode 15A1 made of an alloy containing silver (Ag), the first transparent electrode 15B1 of polycrystalline ITO, the second reflective electrode 15A2 made of an alloy containing silver (Ag) and the second transparent electrode 15B2 of the polycrystalline ITO has a structure obtained by laminating the substrate 11 side in this order. 画素102の第1電極15は、第1反射電極15A1および第1透明電極15B1を基板11側からこの順に積層した構成を有している。 First electrode 15 of the pixel 102 has a first reflective electrode 15A1 and the first transparent electrode 15B1 has a structure obtained by stacking the substrate 11 side in this order. 第1透明電極15B1および第2透明電極15B2の厚みは、光学的距離LR1,LG1,LB1と光学的距離LR2,LG2,LB2に応じて異なっており、第2透明電極15B2は第1透明電極15B1よりも厚みが厚くなっている。 The thickness of the first transparent electrode 15B1 and the second transparent electrode 15B2 is different depending on the optical distance LR1, LG1, LB1 and optical distance LR2, LG2, LB2, the second transparent electrode 15B2 first transparent electrode 15B1 It is thicker than the thickness. 画素101における第1端部P11の位置は、第2反射電極15A2の発光層18C側の端面であり、画素102における第1端部P12の位置は、第1反射電極15A1の発光層18C側の端面である。 Position of the first end portion P11 of the pixel 101 is an end of the light-emitting layer 18C side of the second reflective electrode 15A2, the position of the first end portion P12 of the pixel 102, the light-emitting layer 18C side of the first reflective electrode 15A1 it is an end.

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。 The display device can be manufactured, for example, as follows.

図29および図30は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。 29 and 30 is representative of the method of manufacturing the display unit in order of steps. まず、図29(A)に示したように、上述した材料よりなる基板11の上に、第1の実施の形態と同様にして駆動トランジスタTr1を含む画素駆動回路140および平坦化絶縁膜13を形成したのち、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる第1反射電極15A1,第1透明電極15B1,第2反射電極15A2および第2透明電極15B2を順に成膜する。 First, as shown in FIG. 29 (A), on a substrate 11 made of the foregoing material, the pixel drive circuit 140 and the planarizing insulating film 13 including the driving transistor Tr1 in the same manner as in the first embodiment After formation, for example, by sputtering, first reflective electrode 15A1 made of the foregoing material, the first transparent electrode 15B1, sequentially forming the second reflective electrode 15A2 and the second transparent electrode 15B2. このとき、例えば、第1透明電極15B1は多結晶ITO、第2反射電極15A2は銀(Ag)を含む合金によりそれぞれ構成する。 In this case, for example, the first transparent electrode 15B1 polycrystalline ITO, the second reflective electrode 15A2 are respectively made of an alloy including silver (Ag).

次いで、第2透明電極15B2の上に、例えばリソグラフィ技術を用いてレジストパターン(図示せず)を形成し、図29(B)に示したように、例えばドライエッチングにより、画素101以外の領域の第2透明電極15B2と第2反射電極15A2の厚み方向の一部とを選択的に除去する。 Then, on the second transparent electrode 15B2, for example, by lithography to form a resist pattern (not shown), as shown in FIG. 29 (B), for example by dry etching, the area other than the pixel 101 a second transparent electrode 15B2 and the portion of the thickness direction of the second reflective electrode 15A2 selectively removed.

更に、図30(A)に示したように、エッチング液として例えばリン酸,硝酸および酢酸の混合液を用いたウェットエッチングにより、第2反射電極15A2の厚み方向の残部を選択的に除去し、第1透明電極15B1を露出させる。 Furthermore, as shown in FIG. 30 (A), for example, phosphoric acid as an etchant by wet etching using a mixed solution of nitric acid and acetic acid, to selectively remove the remainder of the thickness direction of the second reflective electrode 15A2, exposing the first transparent electrode 15B1. このとき、ITOと銀(Ag)を含む合金とのウェットエッチング選択比により、第2反射電極15A2のみを除去することができる。 At this time, the wet etching selectivity of the alloy containing ITO and silver (Ag), it is possible to remove only the second reflective electrode 15A2.

続いて、図30(B)に示したように、例えばドライエッチングにより第1透明電極15B1および第1反射電極15A1を除去して各有機発光素子10R,10G,10Bごとに分離し、図28に示したような第1電極15を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 30 (B), for example by removing the first transparent electrode 15B1 and the first reflective electrode 15A1 by dry etching the organic light emitting elements 10R, 10G, and separated according to 10B, 28 forming the first electrode 15 as shown.

そののち、第1電極15の間の領域に電極間絶縁膜16(図5参照。)を設け、上述した方法と同様にして正孔注入層18A,正孔輸送層18B,発光層18C,電子輸送層18Dおよび第2電極19を順次成膜し、図28に示したような有機発光素子10R,10G,10Bを形成する。 After that, the inter-electrode insulating film 16 (see FIG. 5.) Provided in a region between the first electrode 15, in a manner similar to that described above hole injection layer 18A, the hole transport layer 18B, the light-emitting layer 18C, an electron the transport layer 18D and the second electrode 19 are sequentially deposited to form the organic light-emitting devices 10R, as shown in FIG. 28, 10G, and 10B. そののち、有機発光素子10R,10G,10Bの上に保護膜30および接着層40を形成し、カラーフィルタ51を設けた封止用基板50を貼り合わせる。 After that, the organic light emitting devices 10R, 10G, and forming a protective film 30 and the adhesive layer 40 on top of 10B, bonding the sealing substrate 50 provided with the color filter 51. 以上により、図28に示した表示装置が完成する。 Consequently, the display device is completed as shown in FIG. 28.

(変形例3) (Modification 3)
図31は、変形例3に係る画素101,102の断面構成を表したものである。 Figure 31 illustrates a sectional structure of a pixel 101 according to a third modification. この表示装置は、画素101の有機層18の厚みを、画素102よりも厚くしたものである。 The display device, the thickness of the organic layer 18 of the pixel 101 is obtained by thicker than the pixel 102. この場合、例えば、正孔注入層18A,正孔輸送層18B,発光層18Cおよび電子輸送層18Dのうちいずれか一層または二層以上の厚みを異ならせるようにすればよい。 In this case, for example, a hole injection layer 18A, the hole transport layer 18B, it is sufficient to vary the one more or two or more layers of a thickness of the light-emitting layer 18C and an electron transport layer 18D. 特に、正孔注入層18Aまたは正孔輸送層18Bの厚みを異ならせることが好ましい。 In particular, it is preferable to vary the thickness of the hole injection layer 18A or the hole transport layer 18B. 正孔注入層18Aまたは正孔輸送層18Bは、キャリア移動度が高く、厚みに対する電圧依存性が小さいからである。 The hole injection layer 18A or the hole transport layer 18B, the carrier mobility is high, is because a small voltage dependence to the thickness. 一般的には発光層18Cまたは電子輸送層18Dの厚みを変えると素子の駆動電圧に与える影響が大きく、厚い部位では電圧が高く、薄い部位では電圧が低くなってしまうので、発光輝度に不均一が生じるおそれがある。 In general, greatly affects the driving voltage of the device when changing the thickness of the light-emitting layer 18C or the electron transport layer 18D, high voltage is thicker portion, since the thin portion voltage becomes low, uneven emission luminance there is a possibility that may occur.

なお、正孔注入層18Aの構成材料としては、一般に、フタロシアニン化合物,アミン化合物またはアザアリール化合物などが挙げられるが、本実施の形態のように画素101と画素102とで厚みを異ならせる場合には、アザアリール化合物であるアザアントラセン誘導体またはアザトリフェニレン誘導体などが好ましい。 As the constituent material of the hole injection layer 18A, typically, a phthalocyanine compound, an amine compound or azaaryl compounds, and the like, in the case of different thicknesses between the pixel 101 and the pixel 102 as in this embodiment and aza anthracene derivative or azatriphenylene derivative is azaaryl compound.

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。 The display device can be manufactured, for example, as follows.

まず、基板11の上に、第1の実施の形態と同様にして、上述した材料よりなる駆動トランジスタTr1を含む画素駆動回路140,平坦化絶縁膜13、第1電極15および電極間絶縁膜16を形成する。 First, on the substrate 11, as in the first embodiment, the pixel drive circuit 140 including the drive transistor Tr1 made of the foregoing material, the planarizing insulating film 13, between the first electrode 15 and the electrode insulating film 16 to form.

次いで、第1電極15の上に、正孔注入層18A,正孔輸送層18B,発光層18C,電子輸送層18Dおよび第2電極19を順次成膜する。 Then, on the first electrode 15 are sequentially deposited a hole injection layer 18A, the hole transport layer 18B, the light-emitting layer 18C, an electron transport layer 18D and the second electrode 19. その際、画素101と画素102とで有機層18の厚みを異ならせる。 At that time, varying the thickness of the organic layer 18 in the pixel 101 and pixel 102. 有機層18を異なる厚みに形成する方法としては、マスクを用いた蒸着法,インクジェット法,レーザ転写または印刷法など、有機層14の形成に用いられる一般的な方法をいずれも用いることができる。 As a method of forming the organic layer 18 in different thicknesses, an evaporation method using a mask, an inkjet method, such as laser transfer or printing method, a general method used to form the organic layer 14 can be used both to.

続いて、有機発光素子10R,10G,10Bの上に保護膜30および接着層40を形成し、カラーフィルタ51を設けた封止用基板50を貼り合わせる。 Subsequently, the organic light emitting devices 10R, 10G, and forming a protective film 30 and the adhesive layer 40 on top of 10B, bonding the sealing substrate 50 provided with the color filter 51. 以上により、図31に示した表示装置が完成する。 Consequently, the display device is completed as shown in FIG. 31.

(モジュールおよび適用例) (Module and Application Example)
以下、上述した第1ないし第5の実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。 The following describes application examples of the display device described in the first to fifth embodiments described above. 上記各実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。 The display device of each embodiment, a television device, a digital camera, a notebook personal computer, and a mobile computer or a video camera such as a cellular phone, a video signal generated within or video signal input from the outside, It can be applied to a display device of electronic apparatuses in all fields to be displayed as an image or a video.

(モジュール) (module)
上記各実施の形態の表示装置は、例えば、図32に示したようなモジュールとして、後述する適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。 The display device of each embodiment, for example, as a module as illustrated in FIG. 32 is incorporated into various electronic devices such as application examples 1 to 5 to be described later. このモジュールは、例えば、基板11の一辺に、封止用基板50および接着層40から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、信号線駆動回路120および走査線駆動回路130の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。 In the module, for example, one side of the substrate 11, a region 210 exposed from the sealing substrate 50 and the adhesive layer 40 is provided, in the exposed region 210, wiring of the signal line driver circuit 120 and the scanning line driving circuit 130 extended to those forming the external connection terminal (not shown). 外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)220が設けられていてもよい。 External connection terminal, a flexible printed circuit board for signal input and output (FPC; Flexible Printed Circuit) 220 may be provided.

(適用例1) (Application Example 1)
図33は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。 Figure 33 illustrates an appearance of a television device to which the display device of each embodiment is applied. このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。 The television device has, for example, a video display screen section 300 including a front panel 310 and a filter glass 320. The video display screen section 300 is composed of the display unit of the foregoing embodiments .

(適用例2) (Application Example 2)
図34は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。 Figure 34 illustrates an appearance of a digital camera to which the display device of each embodiment is applied. このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。 The digital camera has, for example, the light emitting unit 410 for flash, a display unit 420, a menu switch 430 and a shutter button 440. The display unit 420 is composed of the display unit of the foregoing embodiments there.

(適用例3) (Application Example 3)
図35は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。 Figure 35 illustrates an appearance of a notebook personal computer to which the display device of each embodiment is applied. このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。 This notebook personal computer, for example, a display section 530 for displaying a keyboard 520 and an image for the main body 510, an input operation of characters and the like, the display unit 530, the display of any of the foregoing embodiments It is constructed by the device.

(適用例4) (Application Example 4)
図36は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。 Figure 36 illustrates an appearance of a video camera to which the display device of each embodiment is applied. このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。 The video camera has, for example, the main body portion 610, the lens for capturing an object 620 provided on the front side of the main body portion 610, a start / stop switch 630 and a display unit 640 at the time of shooting, the display unit 640 is composed of the display device according to the foregoing embodiments.

(適用例5) (Application Example 5)
図37は、上記各実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。 Figure 37 is a representation of the appearance of a cellular phone to which the display device of each embodiment is applied. この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。 This mobile phone, for example, an upper housing 710 and lower housing 720 connected portion is obtained by coupling with (hinge portion) 730, a display 740, a sub-display 750, a picture light 760 and a camera 770 there. そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。 The display 740 or the sub display 750 is configured of the display according to the above embodiments.

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。 Although the present invention has been described with the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made. 例えば、上記第1ないし第3の実施の形態では、発光層18Cが、平面形状において中央部の第1領域21と左右部の第2領域22とに分けられている場合について説明したが、第1領域21および第2領域22は、図38に示したように平面形状において右側半分と左側半分に分けられていてもよいし、図39に示したように上側半分と下側半分とに分けられていてもよい。 For example, in the first to third embodiments, the light emitting layer 18C is, has been described which is divided into a first region 21 of the central portion and the second region 22 of the left and right portions in the planar shape, the 1 area 21 and the second region 22 may also be divided into right half and left half in the planar shape as shown in FIG. 38, divided into an upper half and lower half as shown in FIG. 39 it may be provided. また、図40に示したように斜めの境界線で分割されていてもよく、視認上問題ない範囲で選択可能である。 Also, may be divided at an oblique boundary line, as shown in FIG. 40 can be selected in a range no visual problem.

また、段差形成層14は、基板11の一部の領域に限らず、基板11の全面に形成されていてもよい。 Also, the step forming layer 14 is not limited to a partial region of the substrate 11, it may be formed on the entire surface of the substrate 11. その場合、段差形成層14の厚みを変えることにより、第1電極15の発光層18C側の端面に段差を形成することができる。 In that case, by changing the thickness of the step forming layer 14 can be formed a step in the end face of the light-emitting layer 18C side of the first electrode 15.

更に、上記第4の実施の形態では、第1端部P1が連続的な凹凸形状を有している場合について説明したが、第1端部P1と第2端部P2の少なくとも一方が連続的な凹凸形状を有していればよい。 Further, in the fourth embodiment, the case has been described where the first end portion P1 has a continuous concave-convex shape, at least one continuous first end P1 and the second end P2 it may have a concavo-convex shape.

加えて、有機発光素子10R,10G,10Bは、第1領域21および第2領域22の二つに限らず、三つ以上の領域に分けられていてもよい。 In addition, the organic light emitting devices 10R, 10G, 10B is not limited to the two first regions 21 and second regions 22 may be divided into three or more regions. この場合、そのうちの少なくとも二つの領域において光学的距離が異なればよい。 In this case, the optical distance may be different in at least two areas of them.

更にまた、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。 Furthermore, for example, the material and thickness of each layer described in the above embodiment or the like method and conditions of forming are not limited, but other material, other thickness, or other film forming method, and it may be used as the film-forming conditions. 例えば、上記実施の形態においては、基板11の上に、第1電極15,有機層18および第2電極19を基板11の側から順で積層し、封止用基板50の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、積層順序を逆にして、基板11の上に、第2電極19,有機層18および第1電極15を基板11の側から順に積層し、基板11の側から光を取り出すようにすることもできる。 For example, in embodiments described above, on the substrate 11, the first electrode 15, an organic layer 18 and the second electrode 19 are laminated in this order from the side of the substrate 11, light is extracted from the side of the sealing substrate 50 has been described as being so, to the laminated in reverse order, on the substrate 11, the second electrode 19, an organic layer 18 and the first electrode 15 are laminated from the side of the substrate 11 in this order, from the side of the substrate 11 it is also possible to take out the light.

加えてまた、例えば、上記実施の形態では、第1電極15を陽極、第2電極19を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第1電極15を陰極、第2電極19を陽極としてもよい。 In addition also, for example, in the above embodiment, an anode of the first electrode 15, but the second electrode 19 described for the case of a cathode, and an anode and a cathode in the opposite, cathode first electrode 15, the second the electrode 19 may be an anode. さらに、第1電極15を陰極、第2電極19を陽極とすると共に、基板11の上に、第2電極19,有機層18および第1電極15を基板11の側から順に積層し、基板11の側から光を取り出すようにすることもできる。 Further, the cathode of the first electrode 15, with the second electrode 19 as an anode, on a substrate 11, laminated second electrode 19, an organic layer 18 and the first electrode 15 from the side of the substrate 11 in this order, the substrate 11 It can be from the side of the taken out light.

更にまた、上記実施の形態では、有機発光素子10R,10G,10Bの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。 Furthermore, in the foregoing embodiment, the organic light emitting devices 10R, 10G, and has been described specifically given the structure of 10B, it is not necessary to provide all layers, or may be further provided with other layers . 例えば、第1電極15と有機層18との間に、酸化クロム(III)(Cr2 O3 ),ITO(Indium-Tin Oxide:インジウム(In)およびスズ(Sn)の酸化物混合膜)などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。 For example, between the first electrode 15 and the organic layer 18, chromium oxide (III) (Cr2 O3), ITO: made of (Indium-Tin Oxide, indium (In) and an oxide mixed film of tin (Sn)) it may include a hole injection thin film layer. また、例えば第1電極15または反射電極15Aは、誘電体多層膜とすることもできる。 Further, for example, the first electrode 15 or reflective electrode 15A may be a dielectric multilayer film.

加えてまた、上記実施の形態では、第2電極19が半透過性反射層により構成されている場合について説明したが、第2電極19は、半透過性反射層と透明電極とが第1電極15の側から順に積層された構造としてもよい。 Additionally Also, in the foregoing embodiments, although the second electrode 19 has been described which is constituted by a semi-transmissive reflection layer, the second electrode 19, a semi-transmissive reflection layer and the transparent electrode and the first electrode 15 side may be laminated structure sequentially. この透明電極は、半透過性反射層の電気抵抗を下げるためのものであり、発光層で発生した光に対して十分な透光性を有する導電性材料により構成されている。 The transparent electrode is used for lowering the electrical resistance of the semi-transparent reflective layer is made of a conductive material having sufficient translucency to light generated in the light emitting layer. 透明電極を構成する材料としては、例えば、ITOまたはインジウムと亜鉛(Zn)と酸素とを含む化合物が好ましい。 The material for the transparent electrode, for example, compounds containing oxygen as ITO or indium and zinc (Zn) are preferred. 室温で成膜しても良好な導電性を得ることができるからである。 This is because it can be deposited at room temperature to obtain good conductivity. 透明電極の厚みは、例えば30nm以上1000nm以下とすることができる。 The thickness of the transparent electrode can be, for example, 30nm or 1000nm or less. また、この場合、半透過性反射層を一方の端部とし、透明電極を挟んで半透過性電極に対向する位置に他方の端部を設け、透明電極を共振部とする共振器構造を形成するようにしてもよい。 In this case, the semipermeable reflective layer and one end and the other end arranged at a position facing each other across the transparent electrodes on the semi-transparent electrode, the resonator structure to the transparent electrode and the resonance unit formed it may be. さらに、そのような共振器構造を設けた上で、有機発光素子10R,10G,10Bを保護膜30で覆うようにし、この保護膜30を、透明電極を構成する材料と同程度の屈折率を有する材料により構成すれば、保護膜30を共振部の一部とすることができ、好ましい。 Furthermore, in terms of providing such a resonator structure, organic light emitting devices 10R, 10G, so as to cover the 10B with the protective film 30, the protective film 30, the material about the same refractive index constituting the transparent electrode if made of a material having, it can be a protective film 30 and part of the resonant portion, preferably.

更にまた、本発明は、第2電極19を透明電極により構成すると共に、この透明電極の有機層18と反対側の端面の反射率が大きくなるように構成し、第1電極15の発光層18C側の端面を第1端部、透明電極の有機層と反対側の端面を第2端部とした共振器構造を構成した場合についても適用することができる。 Furthermore, the present invention, together with the second electrode 19 constituting a transparent electrode, and configured so that the reflectance of the end face opposite to the organic layer 18 of the transparent electrode is increased, the light-emitting layer 18C of the first electrode 15 the first end portion of the end surface of the side, can also be applied to the case that a resonator structure in which the end surface of the organic layer opposite the second end of the transparent electrode. 例えば、透明電極を大気層に接触させ、透明電極と大気層との境界面の反射率を大きくして、この境界面を第2端部としてもよい。 For example, the transparent electrode is contacted to the air layer, by increasing the reflectivity of the interface between the transparent electrode and the atmospheric layer, the interface is used as the second end. また、接着層との境界面での反射率を大きくして、この境界面を第2端部としてもよい。 Also, by increasing the reflectivity at the interface between the adhesive layer, and the interface is used as the second end. さらに、有機発光素子10R,10G,10Bを保護膜30で覆い、この保護膜30との境界面での反射率を大きくして、この境界面を第2端部としてもよい。 Furthermore, covering the organic light-emitting elements 10R, 10G, and 10B with the protective film 30, by increasing the reflectivity at the interface between the protective film 30, and the interface is used as the second end.

加えてまた、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。 In addition also in the above embodiments, the description has been given of the active matrix display device, the present invention is also applicable to a passive matrix display device. 更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。 Furthermore, the configuration of the pixel drive circuit for driving the active matrix is ​​not limited to those described in the above embodiments, it may be added a capacitor and a transistor as needed. その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路120や走査線駆動回路130のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。 In this case, according to the change of the pixel drive circuit, in addition to the above-described signal-line driving circuit 120 and the scanning line driver circuit 130 may add the required driving circuit.

10,101,102…画素、10R,10G,10B…有機発光素子、11…基板、13…平坦化絶縁膜、14…段差形成層、15…第1電極、15A…反射電極、15A1…第1反射電極、15A2…第2反射電極、15B…透明電極、15B1…第1透明電極、15B2…第2透明電極、15BB…下層、15BT…上層、16…電極間絶縁膜、17…距離調整層、17A…上面、18…有機層、18A…正孔注入層、18B…正孔輸送層、18C…発光層、18D…電子輸送層、19…第2電極、21…第1領域、22…第2領域、30…保護膜、40…接着層、50…封止用基板、51…カラーフィルタ、61…凹凸構造、61A…突起部、61B…被覆層、61C…接続孔、P1…第1端部、P2…第2端部 10,101,102 ... pixels, 10R, 10G, 10B ... organic light emitting element, 11 ... substrate, 13 ... flattening insulating film, 14 ... stepped layer, 15 ... first electrode, 15A ... reflective electrode, 15A1 ... first reflective electrodes, 15A2 ... second reflective electrode, 15B ... transparent electrode, 15B1 ... first transparent electrode, 15B2 ... second transparent electrode, 15bb ... lower layer, 15BT ... upper layer, 16 ... inter-electrode insulating film, 17 ... distance adjustment layer, 17A ... upper surface 18 ... organic layer, 18A ... hole injection layer, 18B ... hole transport layer, 18C ... light-emitting layer, 18D ... electron transport layer, 19 ... second electrode, 21 ... first region, 22 ... second region, 30 ... protective film, 40 ... adhesive layer, 50 ... sealing substrate, 51 ... color filter, 61 ... concave-convex structure, 61A ... projecting portion, 61B ... coating layer, 61C ... connection hole, P1 ... first end , P2 ... the second end

Claims (6)

  1. 基板上に、第1電極,発光層を含む有機層および第2電極を順に備えると共に、前記発光層で発生した光を第1端部と第2端部との間で共振させる共振器構造を有する表示素子であって、 On a substrate, a first electrode, an organic layer and a second electrode including a light emitting layer together with the sequentially provided, a resonator structure that resonates light generated in the light emitting layer between a first end and a second end a display device having,
    前記第1電極の前記発光層側の端面は、連続的な凹凸形状を有する前記第1端部となっており、 The end face of the light emitting layer side of the first electrode is a first end portion having a continuous concave-convex shape,
    前記第1電極と前記第2電極との間に、前記凹凸形状を埋め込むと共に前記第2電極側に平坦な表面を有する距離調整層が設けられることにより、前記第2端部が平坦になると共に、前記凹凸形状に応じて前記第1端部と前記第2端部との間の光学的距離が連続的に変化している 表示素子。 Between the first electrode and the second electrode, by a distance adjustment layer is provided having a flat surface on the second electrode side with filling the irregularities, together with the second end portion is flattened the display device optical distance is continuously changed between the first end portion in accordance with the uneven shape and the second end.
  2. 前記距離調整層は前記有機層のうちの一層と同じ材料により構成されている 請求項1記載の表示素子。 More and is made of the same material as claimed in claim 1 Display device according to one of the distance adjustment layer the organic layer.
  3. 前記第1電極は、基板上に設けられた凹凸構造の上に形成され、 The first electrode is formed on the concavo-convex structure provided on the substrate,
    前記第1端部は、前記凹凸構造に対応した連続的な凹凸形状を有する 請求項1または2記載の表示素子。 It said first end, a display device according to claim 1 or 2 wherein has a continuous concave-convex shape corresponding to the uneven structure.
  4. 基板上に、第1電極,発光層を含む有機層および第2電極を順に備えると共に、前記発光層で発生した光を第1端部と第2端部との間で共振させる共振器構造を有する表示素子を備えた表示装置であって、 On a substrate, a first electrode, an organic layer and a second electrode including a light emitting layer together with the sequentially provided, a resonator structure that resonates light generated in the light emitting layer between a first end and a second end a display device comprising a display element having,
    前記第1電極の前記発光層側の端面は、連続的な凹凸形状を有する前記第1端部となっており、 The end face of the light emitting layer side of the first electrode is a first end portion having a continuous concave-convex shape,
    前記第1電極と前記第2電極との間に、前記凹凸形状を埋め込むと共に前記第2電極側に平坦な表面を有する距離調整層が設けられることにより、前記第2端部が平坦になると共に、前記凹凸形状に応じて前記第1端部と前記第2端部との間の光学的距離が連続的に変化している 表示装置。 Between the first electrode and the second electrode, by a distance adjustment layer is provided having a flat surface on the second electrode side with filling the irregularities, together with the second end portion is flattened a display device optical distance is continuously changed between said second end and said first end in response to the irregularities.
  5. 前記距離調整層は前記有機層のうちの一層と同じ材料により構成されている 請求項4記載の表示装置。 More a display device according to claim 4, characterized in that is constituted by the same material of said distance adjustment layer the organic layer.
  6. 前記第1電極は、基板上に設けられた凹凸構造の上に形成され、 The first electrode is formed on the concavo-convex structure provided on the substrate,
    前記第1端部は、前記凹凸構造に対応した連続的な凹凸形状を有する 請求項4または5記載の表示装置。 It said first end, a display device according to claim 4 or 5, wherein with a continuous concavo-convex shape corresponding to the uneven structure.
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